Digitális

 CMOS  logikai  áramkörök  

 
 
 

Elektronika  2.  
 
Sedra/Smith  
Microelectronic  Circuits    
Chapter  10.    

DE  TTK   1  
 Tartalom  

1.  Általános  bevezető  

2.  CMOS  logikai  inverter  
3.  CMOS  logikai  áramkörök  
4.  Pseudo  NMOS  logikai  árakörök  
5.  Pass-­‐Transistor  logikai  áramkörök  
6.  Dynamic  logikai  áramkörök  
7.  Logikai  áramkörcsaládok  
8.  SzinRllesztés  

Ellőzmények:  (Elektronika1.  tananyagokban)  

 
•  Lineáris  erősítők  
•  BJT  
•  MOSFET  

DE  TTK   2  
1.  Általános  bevezető  
Logikai  áramkörcsaládok:  

MOSFET:  

Választási  szempontok:   Célszerű:    

   
•  Flexibilitás   Egy  családon  belül  maradni,  pl.  TTL,  CMOS,  ECL  
•  Sebesség   Ellenkező  esetben:    
•  Elérhető  á.k.  funkciók    interface  áramköröket  kell  használni.    
•  Zaj  immunitás  
•  Hőmérsékleaartomány  
•  Teljesítmény  disszipáció  
•  Ár  

DE  TTK   3  
Logikai  áramkörcsaládok:  
MOSFET:  
 
•  Kis  teljesítmény  disszipáció.  
•  Magas  bemeneR  impedancia:  Töltéstárolás  megvalósítható  
•  Kis  méret,  (22nm  csatorna  hossz):  magas  integráció  
•  Könnyen  gyártható,  SSI,  MSI,  VLSI  formában  is.  
•  Ez  a  domináns  az  összes  á.k.  közöa  
•  4  alfaj  

BIPOLAR:  Két  fő  család:    

 
TTL:  
•  Sokáig  a  legnépszerűbb  volt  
•  A  VLSI  áramkörökben  nem  jó  
•  Ujabb  változatok:  Low  Power  és  High  Speed  (nemszaturált  Schoaky  TTL)  
•  Nem  perspekjvikus  a  használatuk.    
ECL:  
•  Nem  szaturált  áram-­‐kapcsolt  üzemmód  
•  Ez  a  leggyorsabb  az  összes  áramkörcsalád  közöa  
•  VLSI  is,  de  sokat  fogyaszt,  ez  csak  különleges  esetben  elfogadható.  

DE  TTK   4  
Logikai  áramkörcsaládok:  

BiCMOS  
 
•  EgyesíR  a  bipoláris  és  CMOS  á.k.-­‐ök  előnyeit:  gyors  és  kis  telj.  disszipáció  
•  Analóg  és  digitális  á.k.  részek  azonos  chip-­‐en  megvalósíthatók  
 
Gallium  Arsenide  (GaAs)  
 
•  Gyors  töltéshordozó  mozgás  ⇒  gyors  működés.  
•  “Feltörekvő”  technológia,  egyelőre  nem  hétköznapi  felhasználásokra  

DE  TTK   5  
Az  áramkörök  minősítési  szempontjai  
1.  Noise  Margins  (Zajhatárok)  
(Az  áramkörcsalád  robosztussága:  milyen  mértékű  zajt  képes  kezelni)    

Definíciók:  
 
VOH,  VOL,  VIH,  VIL  :  at  Slope  =  -­‐1,  
 
VM  (VTH)  :  at  vO  =  vI,  

A  zajhatárok:  

Ideális  inverter:  
 
NMH  =  NML  =  VDD/2,  
VM  =  VDD/2.  
DE  TTK   6  
2.  PropagaSon  Delay  (Jelkésleltetési  idő)  
 
A  dinamikus  tulajdonság  jellemzésére  alkalmas  

Definíciók:  
 
tPHL  és  tPLH  :  ábra  

Inverter  jelkésleltetési  idő:  

 
tP  =  ½(  tPHL  +  tPLH  ),  

Minél  kisebb  a  tP,  annál  nagyobb  sebességgel  működtethető  az  inverter.  

DE  TTK   7  
3.  Power  dissipaSon  
Minél  alacsonyabb  értéken  kell  tartani,  különösen  telepes  készülékeknél.  
 
Két  komponens:    
 
StaRkus:  Kapcsolás  nélküli  fogyasztás.  
 
Dinamikus:  Csak  a  kapcsolással  összefüggő  fogyasztás  
(C:  terhelő  kapacitás,  VDD:  tápfesz.,  f:  kapcsolási  frekvencia)  

4.  Delay  –  Power  Product  (késleltetés  –  teljesítmény  szorzat)  

  DP  =  PD  •  tP,  [Joules]  
Néha  ezek  egymásnak  ellentmondó  igények,  ezért  jó  mérőszám  
(minél  kisebb,  annál  jobb)  

5.  Silicon  area  (Kapu  terület  a  chip-­‐en)  

Minél  kisebb,  annál  jobb  (VLSI),  de  ekkor  kisebb  az  I  meghajtóképesség,  emiaa  tP  nagyobb.  
Kompromisszum  kell.  
 
6.  Fan-­‐In,  Fan-­‐Out    
Fan  in  :  bemenetek  száma,  Fan-­‐Out  :  Egy  kapu  kimenet  által  Max  meghajtható  bemenetek  száma  

DE  TTK   8  
Digitális  áramkörök  kiviteli  formái  

Standard  IC  tokban:  SSI,  MSI  funkciók  

 
VLSI:  Akár  mikroprocesszorok  is  
 
Custom  VLSI  chip:  csak  nagy  példányszámnál  éri  meg  (100  000)  
 
Semicustom  (gate  array)  :  csak  a  fémezést  kell  egyedileg  elkészíteni  
 
Field  programmable  gate  array  (FPGA)  :  felhasználó  által  programozható  struktúra  
 

DE  TTK   9  
2.  A  CMOS  inverter  
Áramkörtruktúra:  

Treshold:      0.2V…1V  
Csatorna  hossz:  0.5..0.1  μm  

StaSkus  működés:  

StaSkus  transzfer  karakteriszSka:  

 
Noise  margins:  NHH=NML=0.4  VDD  
 
(közel  az  ideálishoz  :  0.5  VDD)  
 

DE  TTK   10  
 Dinamikus  működés:  
Áramköri  modell  a  jelkésleltetés  modellezéséhez:  

A  kapacitások  hatását  célszerű  egyetlen  -­‐az  inverter  kimenetére  kapcsolódó-­‐  C  kapacitással  modellezni.  

CW:  huzalozás,  szerelési  kapacitás  

A  jelkésleltetés  modellezése  C-­‐vel:  

DE  TTK   11  
Dinamikus  teljesítmény  disszipáció  

StaRkus  telj  dissz.  elhanyagolható,  de  a  VLSI  chip-­‐ek  din.  telj.  dissz.  jelentős  lehet.  

VDD:  új  techn.  CMOS-­‐nál  1V  is  lehet  

f:  akár  1  GHz   PD:  100W  !  
Tranzisztor  szám:  akár  100  millió  

Example  10.1  

CMOS  inverter  tPHL,  tPLH  és  tP  számítása.  (Részletesen  a  könyvben,  ia  csak  az  eredmények)  

C  =  6.25  fF,  (CW  =  0.2fF)  

tPHL,    :    23.3  ps  

tPLH      :    30  ps  
tP    :    26.5  ps  

74HC00  datasheet  staRkus  és  dinamikus  paraméterek.  (74HC_HCT00.pdf)  

 
Understanding  and  InterpreRng  Standard-­‐Logic  Data  Sheets  (szza036b.pdf)  
DE  TTK   12  
StaSkus  és  Dinamikus  teljesítmény  disszipáció   HC/HCT_USER_GUIDE.pdf  

DE  TTK   13  
3.  CMOS  logikai  áramkörök  
 

Alapstruktúra:  

PUN:  Pull  Up  network    –  PMOS  

 
PDN:  Pull  Down  network  –  NMOS  

Pull  down  és  pull  up  hálózatok:  

DE  TTK   14  
2  bemenetű  NAND  kapu        2  bemenetű  NOR  kapu  

 Összeteh  kapu:          Kizáró  vagy  kapu:    

DE  TTK   15  
BemeneS  és  kimeneS  védelem  (HC/HCT_User_Guide.pdf)  

BemeneS:  

KimeneS:  

DE  TTK   16  
Unbuffered  /  Buffered  kimenet  

Kártya  szintű  bemeneR  védelem:  

DE  TTK   17  
 4.  Pseudo  NMOS  logikai  áramkörök  

Felső  FET:    Akjv  munkaellenállás  

 
Előny:    Egy  FET  terheli  az  előző    
   fokozatot  
 
Hátrány:    nem  zérus  staRkus  PD  
 
Először:    enhancement  MOSFET  
Később:    depleRon  MOSFET  
 
Csak  különleges  esetben  használják.  

DE  TTK   18  
5.  Pass-­‐Transistor  logikai  áramkörök  

DE  TTK   19  
DE  TTK   20  
 6.  Dinamikus  logika  

Órajel  szükséges  a  működéshez.     Precharge:    QP  ON,  QN  OFF  ⇒  Y=High.  

  Evaluate:    QP  OFF,  QN  ON  
Előny:    Kevés  MOSFET,  zero  staRkus  PD        (A,B,C)  =High  ⇒Y  remains  High  (tPLH=0)  
Hátrány:    Bonyolultabb  á.k.,          (A,B,C)  =Low  ⇒Y  goes  Low  (CL  discharges)  

PDN:  Pull  Down  Network  

DE  TTK   21  
7.  Áramkörcsaládok  

Diódás  logikai  kapuk      RTL  logikai  kapuk      DTL  logikai  kapuk  

 

DE  TTK   22  
TTL  

Totem  pole  output  

Változatok:  
•  Low-­‐power  TTL  (L),    (33ns)    (1  mW)    
•  High-­‐speed  TTL  (H),  (6ns)    (22  mW)  
•  Schoaky  TTL  (S),  (3ns)  (19mW)  
•  Low-­‐power  Schoaky  TTL  (LS)  (9.5ns)  (2  mW),  most  popular  
•  Fast  (F)    
•  Advanced-­‐Schoaky  (AS),    
•  Low-­‐voltage  TTL  (LVTTL)  for  3.3-­‐volt    

DE  TTK   23  
Áramkörcsaládok:  Texas  Instruments  

Link:  hap://www.R.com   Logic  guide:  sdyu001z.pdf    

1.  –  8.p.:      IntroducRon,  Content,  MigraRon,  Overview  

 
107.  -­‐125.p.:    Packaging,  Marking,  Cross  refs,  Literatures  

DE  TTK   24  
8.  SzinSllesztés:  Rendszertechnikai  feladat  
Unipoláris  rendszer:  

Bipoláris  rendszer:  

DE  TTK   25  
SzinSllesztés  –  Mi  is  a  gond?  

Melyiket    melyikkel  szabad  összekapcsolni  (kimenet  –  bemenet)  ,  

Jobb  eset:  nem  működik,  rosszabb  tönkremegy.  

Segítség:  Logic  guide  

DE  TTK   26  
SzinSllesztés  –  Megoldáskeresés  
Amatőr  megoldás:   hap://www.cutedigi.com/breakout-­‐board/al-­‐level-­‐shi€er.html  

DE  TTK   27  
 SzinSllesztés:  Megoldáskeresés  

Amatőr  megoldás   hap://www.rocketnumbernine.com/2009/04/10/5v-­‐33v-­‐bidirecRonal-­‐level-­‐converter  

BidirecRonal  

VGS  

BSS138  Vth:  0.8  –  1.3  –  1.5V  

BS170      Vth:  0.8  –  2.1  –  3V    Dióda  kell!  

Működés:  
 
•  L1=0V      →  VGS=3.3V        →  VGS  >  Vth  →FET  ON          →  H1=0V  
•  L1=+3.3V  →  VGS=0V          →  VGS  <  Vth  →FET  OFF          →  H1=+5V  
•  H1=0V    →  D:nyit:  S↓      →  VGS  >  Vth  →  FET  ON    →  L1=0V  
•  H1=+5V    →  D:zár:          →  VGS  <  Vth  →  FET  OFF    →  L1=+3.3V  

DE  TTK   28  
SzinSllesztés  -­‐  TI  -­‐  Bevezető  

Literature:  scea035a.pdf   Részletesen  átnézni!  

Summary  of  TranslaSon  SoluSons  

   
•  Dual-­‐supply  devices     Általában  a  legjobb  
•  Open-­‐drain  devices    
•  CB3T  devices    
•  CBT/CBTD  devices    
•  TVC  devices  
•  Devices  with  TTL-­‐compaSble  inputs      

DE  TTK   29  
 SzinSllesztés:  TI  -­‐  Típus  keresés  
Gyártói  segédeszközök:   hap://www.R.com/lsds/R/analog/interface.page  

 Keresés  
 
Eredmény  ➡  

DE  TTK   30  
SzinSllesztés:  TI  megoldások  
Példa:    Adatlap:  txb0104.pdf  

DE  TTK   31  
SzinSllesztés  –  TI  -­‐  Voltage  clamps   Datasheet:      scea045.pdf  
     scds112c.pdf  

DE  TTK   32