Міністерство освіти і науки України

Національний технічний університет України

“Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського”
Факультет інформатики та обчислювальної техніки
Кафедра автоматики та управління в технічних системах

Лабораторна робота № 1
Комп`ютерна Електроніка
Біполярні та польові транзистори

Виконав
Студент групи ІА-11
Никифоров Максим Сергійович
 Київ 2022
Мета:
Дослідити принцип дії та основні властивості біполярних (БТ) та
польових транзисторів (ПТ); дослідити основні динамічні характеристики
БТ, які включено за схемою зі спільним емітером (СЕ); ознайомитися з
основними параметрами цих пристроїв та областю їх застосування.
Теоретичні відомості:
Транзистори призначені для підсилення та перетворення електричних
сигналів. Транзистори поділяються на біполярні та польові.
Біполярний транзистор (БТ) – це напівпровідниковий пристрій, який
має два р–n переходи і три виводи. В роботі транзистора використовуються
носії заряду обох полярностей, тому вони називаються біполярними. Він є
структурою р–n–р – або n–p–n– типу, що отримана в одному монокристалі
напівпровідника.

E K E K

Б Б

Внутрішня область, що розділяє р–n переходи, називається базою (Б).

Зовнішній шар, призначений для інжектування носіїв у базу, називається
емітером (Е), а р–n перехід П1, що примикає до емітера, – емітерним. Інший
зовнішній шар, екстрактуючий (той, що витягує) носії із бази, називається
колектором (К), а р–n перехід П2 – колекторним. Для виготовлення
біполярних транзисторів в основному використовують кремній та германій.
Основними особливостями конструкції БТ є те, що база створюється дуже
вузькою; емітер містить значно більшу концентрацію домішки, ніж база;
площа колекторного переходу більша, ніж емітерного.
 Завдання:
1) Схема 1. Дослідити схему із польовим транзистором з p–n переходами та
каналом типу n:
а) зняти та проаналізувати сім’ю стокових характеристик транзистора;
б) отримати та проаналізувати часові діаграми роботи транзистора.

2) Схема 2. Дослідити схему підсилювача на польовому транзисторі із

затвором у вигляді p–n переходу:
а) отримати та проаналізувати часові діаграми роботи схеми;

3) Схема 3. Дослідити схему підсилювача на МОН–транзисторі:

а) отримати та проаналізувати часові діаграми роботи схеми;

4) Схема 4. Дослідити cхему із фіксованим базовим струмом (рисунок 1.32):

а) отримати та проаналізувати часові діаграми роботи схеми;
б) зняти та проаналізувати сім’ю вхідних характеристик транзистора
2N699;
в) зняти та проаналізувати сім’ю вихідних характеристик транзистора
2N699;
г) розрахувати значення основних елементів схеми із фіксованим
базовим струмом.

5) Схема 5. Дослідити схему із фіксованою базовою напругою:

а) отримати та проаналізувати часові діаграми роботи схеми;
б) розрахувати значення основних елементів схеми із фіксованою
базовою напругою.
Хід роботи:

1. Схема із польовим транзистором з p–n переходами та каналом типу n

Стокові характеристики транзистора

Часові діаграми роботи транзистора
2. Схема підсилювача на польовому транзисторі із затвором у вигляді p–n
переходу

Часові діаграми роботи схеми

3. Схема підсилювача на МОН–транзисторі

Часові діаграми роботи схеми

4. Схема із фіксованим базовим струмом

Часові діаграми роботи схеми

Сім’я вхідних характеристик транзистора
Сім’я вихідних характеристик транзистора
5. Схема із фіксованою базовою напругою

Часові діаграми роботи схеми

Висновки:
На даній лабораторній роботі я ознайомився з принципами дії біполярних та
польових транзисторів, а такожж дослідив їх основні властивості. Побудував
декілька схем з їх використання та дослідив характеристики транзисторів за
їх графіками)