1.

Các thông số của BBĐ DC-DC tăng áp (Boost Converter)

• Điện áp đầu vào: 𝑈𝑔 = 12 𝑉𝐷𝐶
• Điện áp đầu ra: 𝑈𝑜 = 48 𝑉𝐷𝐶 ± 1%
• Dòng điện đầu ra: 𝐼𝑜 = 1 𝐴
• Chọn độ đập mạch dòng điện qua cuộn cảm: 10%

2. Tính toán thiết kế mạch lực

• Ở đây, ta sử dụng mosfet làm van bán dẫn đóng cắt.
1
• Chọn tần số đóng cắt của van mosfet: 𝑓𝑆 = 1 𝑀𝐻𝑧 ⇒ 𝑇𝑆 = = 1 𝜇𝑠
𝑓𝑆
1 𝑈𝑔
• Hệ số điều chế: 𝑈𝑜 = 𝑈𝑔 ⇒ 𝐷 = 1 − = 0.75
1−𝐷 𝑈𝑜
1
• Dòng trung bình qua cuộn cảm: 𝐼𝐿 = 𝐼 = 4 𝐴 ⇒ ∆𝐼𝐿 = 10% ∗ 4 = 0.4 𝐴
1−𝐷 𝑜
𝑈𝑔 𝐷𝑇𝑆 𝑈𝑔
• Tính điện cảm L của cuộn cảm: ∆𝐼𝐿 = 𝐷𝑇𝑆 ⇒𝐿= = 22.5 𝜇𝐻
𝐿 ∆𝐼𝐿
• Ta có: ∆𝑈𝑜 = 1% ∗ 48 = 0.48 𝑉. Tính điện dung C của tụ điện:
𝐼𝑜 𝐼𝑜
∆𝑈𝐶 = ∆𝑈𝑜 = 𝐷𝑇𝑆 ⇒ 𝐶 = 𝐷𝑇𝑆 = 1.56 𝜇𝐹
𝐶 ∆𝑈𝑜
∆𝐼
• Dòng đỉnh qua van mosfet và qua diode: 𝐼𝐷𝑚𝑎𝑥 = 𝐼𝐹𝑆𝑀 = 𝐼𝐿 + 𝐿 = 4.2 𝐴
2
𝐼𝐷 = 𝐷𝐼𝐿 = 3 𝐴
• Dòng trung bình qua van mosfet và qua diode: {
𝐼𝐹 (𝐴𝑉) = (1 − 𝐷 )𝐼𝐿 = 1 𝐴

3. Lựa chọn các phần tử cho mạch lực của BBĐ Boost Converter

Hình 1. Sơ đồ nguyên lý của BBĐ Boost Converter

 𝐿 ≈ 22.5 𝜇𝐻
+ Cuộn cảm: { . Chọn cuộn cảm hình xuyến F104 có các thông số:
𝐼𝐿 ≥ 4 𝐴
𝐿 = 22 𝜇𝐻
{
𝐼𝐿 = 10 𝐴
𝐶 ≈ 1.56 𝜇𝐹
+ Tụ điện: { . Chọn các tụ hoá không phân cực SPT có các thông số:
𝑈𝐶 ≥ 48 𝑉
𝐶 = 1.5 𝜇𝐹
{
𝑈𝐶 = 100 𝑉
𝑉𝑅𝑅𝑀 ≥ 48 𝑉
+ Diode: { 𝐼𝐹𝑆𝑀 ≥ 4.2 𝐴 . Chọn diode schottky FSV10100V do On Semiconductor chế
𝐼𝐹 (𝐴𝑉) ≥ 1 𝐴
𝑉𝑅𝑅𝑀 = 100 𝑉
𝐼𝐹𝑆𝑀 = 180 𝐴
tạo, có các thông số: { 𝐼
𝐹 (𝐴𝑉) = 10 𝐴
𝑡𝑟𝑟 = 22.94 𝑛𝑠
𝑉𝐷𝑆 ≥ 48 𝑉
+ Mosfet: {𝐼𝐷𝑚𝑎𝑥 ≥ 4.2 𝐴. Chọn mosfet IPB026N10NF2S do Infineon chế tạo, có các
𝐼𝐷 ≥ 3 𝐴
𝑉𝐷𝑆 = 100 𝑉
thông số: { 𝐼𝐷 = 162 𝐴
𝑡𝑟𝑟 = 44 𝑛𝑠

4. Mô phỏng kiểm chứng mạch lực

Hình 2. Sơ đồ nguyên lý của BBĐ Boost Converter trên phầm mềm mô phỏng PSIM
Hình 3 và Hình 4. Hình dạng điện áp đầu vào và điện áp đầu ra của BBĐ Boost
Converter

* Nhận xét:
• Sau một khoảng thời gian 0.8 ms, hình dạng điện áp trên tải tương đối bằng phẳng.
• Giá trị điện áp đầu ra đạt yêu cầu (48 V).