Gubici SiC-a

Kondukcioni gubici: Zavise od struje koja prolazi (Ids) I Rds(on). Računaju se kao:
2
Pconduction =R DS (on)∗I DS .

Gubici pri prekidanju: zavise od frekvencije (f),parazitnih kapacitivnosti, I računaju se kao zbir
gubitaka za ON I OFF stanje, zapravo su jednaki gubicima na body diodi. Razlog ovih gubitaka je
isti kao što je već objašnjeno u slučaju Si mosfeta. Dakle, gubici pri prekidanju će biti jednaki
zbiru ON I OFF stanja, tj. Pswitch =f∗(Eon + E off ), gde su Eon i E off energije uložene pri paljenju I
gašenju.

Eon =V DS∗¿ )

Ovo naelektrisanje Qrr se skalira sa I DS / I datasheet jer zavisi od struje. Mora se takođe uzeti u obzir
da I data vremena ako se uzimaju iz datasheet-a moraju da se preskaliraju za određene
vrednosti Vdd I struje koje mi imamo. To skaliranje se radi isto kao I skaliranje Qrr-a. Slično:

Eoff =V Ds∗¿)

Negde su čak rekli kako Qrr kod SiC mosfeta nema neki uticaj I da se može zanemariti. To I ima
smisla zbog brzog prekidanja ali mislim da je bolje uračunati zbog tačnije procene jer je svakako
dosta veći gubitak neko gubitak od strane kapacitivnosti gejta koji bi I ovde bili zanemareni.
Takođe, zanemaruju se I gubici od strane izlaznih kapacitivnosti jer su male. Ako se uračunavaju
bili bi jednaki Pcap =Eoss∗f .

Na kraju ukupni gubici su jednaki zbiru gubitaka prekidanja, kondukiconih gubitaka I eventualno
gubitaka od strane izlaznih kapacitivnosti.

Gubici GaNa

Nemaju body diodu! – nemaju gubitke tu.

Imaju gubitke izlaznih kapacitivnosti, računaju se kao Pcap =Eoss∗f .

Imaju I kondukcione gubitke .Ovde se mora uzeti u obzir I zavisnost Rds od temperature, pa se
pored kondicionih gubitaka sa Rds koji se čita iz datasheeta (na 25 stepeni celzijusa) dodaju I
kondicioni gubici sa Rds koji bi bili za neku drugu radnu temperaturu.
Kada je Vgs manje od nula (off stanje) transistor se može modelirati kao dioda I onda se na
2
kondicione gubitke R DS(on)∗I DS dodaje I I DS2*(Vgth+Vgs_off) gde je Vgs_off napon koji je
neophodan kako bi se sprečilo spontano provođenje.

Switching gubici, isto kao I kod SiCa s tim što je Qrr=0, pa su ukupni gubici zbir navedenih, dakle:
PGaN =E oss∗f + f ∗V DS∗¿) + f ∗V Ds∗¿ ) + R DS(on)∗I DS2(ili za kondicione gubitke kada imamo
2
negativan napon na gejtu I DS2*(Vgth+Vgs_off)+ R DS(on)∗I DS ).

Izvori:
https://www.researchgate.net/publication/343549031_POWER_LOSS_CALCULATION_FOR_IGB
T_and_SiC_MOSFET

chrome-extension://efaidnbmnnnibpcajpcglclefindmkaj/https://www.ti.com/lit/an/slyt664/
slyt664.pdf

https://ietresearch.onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1049/pel2.12252

Gubici GaN-a