Professional Documents
Culture Documents
Chuong 1 PDF
Chuong 1 PDF
ĐỖ DANH BÍCH
BỘ MÔN VẬT LÍ CHẤT RẮN – ĐIỆN TỬ
KHOA VẬT LÍ, ĐHSP HÀ NỘI
Vật lí chất rắn là gì?
❑ Transitor
❑Mạch tích hợp (Integrated circuit)
❑LED, Laser rắn, Pin mặt trời…
❑Nam châm siêu dẫn: MRI,…
❑Vật liệu nano……
Tinh thể và dao động của tinh thể
Graphene
NaCl
Kim cương
Phonon
Nhiễu xạ tia X, điện tử, neutron,…
Lí thuyết dải năng lượng - Tính dẫn điện của kim loại
φ
x
Ví dụ hàm sóng qũy đạo của điện tử
nlm ( r ) = Rnl ( r )Yl m ( , )
1s = Ae − r / a
p (l = 1), m = 0,1
→ p = e 0 , e − i , e i
→ e 0 , sin , cos
Bảng tuần hoàn
Bảng tuần hoàn
Thế năng:
𝜓 = 𝑐A 𝜓A + 𝑐B 𝜓B
𝑆 = න𝜓A∗ 𝜓B 𝑑𝐫
∫B
𝐻AB = 𝐻BA = න 𝜓A∗ H
Bài toán liên kết cộng hoá trị
2
cA H AA + cB H BB + 2cA cB H AB
2
E=
cA + cB + 2cA cB S
2 2
cA (H AB − ES ) + cB (H BB − E ) = 0
H AA − E H AB − ES
=0 (H AA − E )(H BB − E ) − (H AB − ES )2 = 0
H AB − ES H BB − E
H AA H AB
E =
1 S
Bài toán liên kết cộng hoá trị
❖Khi hai hạt nhân xa nhau vô cùng, S=0 theo (1.7); còn khi hai hạt
nhân trùng nhau, thì S=1. Từ (1.14), ta thấy tương tác giữa hai
nguyên tử đã dẫn đến việc tách mức năng lượng ban đầu thành hai
mức năng lượng phân tử: mức cao và mức thấp (Hình c).
❖Trạng thái phân tử ứng với mức năng lượng cao gọi là trạng thái
phản liên kết, còn trạng thái thấp là trạng thái liên kết. Khảo sát kĩ
hơn, có thể thấy là sự tách mức không đối xứng: khoảng cách
giữa mức phản liên kết và mức nguyên tử lớn hơn khoảng cách
𝐻AA ± 𝐻AB
𝐸± = giữa mức nguyên tử và mức liên kết.
1±𝑆
Liên kết cộng hoá trị
❖Ta thấy liên kết cộng hoá trị kèm theo sự tập trung điện tích ở khoảng giữa các
nguyên tử. Chính sự phủ của các hàm sóng đã dẫn đến liên kết này cũng như xác
định sự lợi về năng lượng ở trạng thái liên kết trong phân tử hay vật rắn; phần
chênh lệch năng lượng này cũng chính là năng lượng liên kết.
❖Những trạng thái nguyên tử khác nhau (s, p, d, f...), có những hướng có lợi cho sự
phủ hàm sóng và có những hướng không có lợi. Đó chính là nguồn gốc tính định
hướng cao của liên kết cộng hoá trị.
Ví dụ
Liên kết tứ diện của kim cương
❖Cấu hình điện tử của C là 1s2, 2s2, 2p2.
❖Ta nghĩ là một nguyên tử C chỉ tham gia vào hai liên kết cộng hoá trị, ứng với hai trạng thái
2p, mỗi trạng thái có 1 electron. Tuy nhiên, khi những nguyên tử C tạo thành tinh thể, thì sự
giảm năng lượng toàn phần sẽ lớn hơn nếu 4 trạng thái liên kết được tạo thành.
❖Có thể hình dung sự tạo thành 4 liên kết đó như sau. Một electron trạng thái 2s được kích
thích lên trạng thái 2p còn trống. Ba trạng thái 2p và trạng thái 2s còn lại đều chứa một
electron, do đó đều có thể tham gia vào việc tạo thành liên kết cộng hoá trị.
Ví dụ
Liên kết tứ diện của kim cương
❖Sự phủ với các hàm sóng của các nguyên tử lân cận gần
nhất là cực đại nếu 4 hàm sóng mới được tạo thành từ các tổ
hợp tuyến tính của các hàm sóng 2s, 2px, 2py, 2pz. Những
hàm sóng này gọi là các hàm lai sp3 (hybrid) và sự tạo thành
các trạng thái đó gọi là sự lai (hybridization).
❖Sự lợi về năng lượng thu được do sự phủ hàm sóng lai
trong cấu hình tứ diện lớn hơn năng lượng cần thiết để
chuyển electron 2s lên 2p
Các liên kết cộng hóa trị bão hòa
❖ Trong đa số trường hợp của các nguyên tố có lớp
hoá trị s-p, tạo thành các vật rắn có cấu trúc phù hợp
với quy tắc 8-N.
❖Theo quy tắc này, mỗi nguyên tử liên kết với 8-N
nguyên tử khác. Số đó gọi là số phối vị địa phương
(N là số hiệu nhóm của nguyên tố trong bảng tuần
hoàn. 8 là số electron tối đa có trong lớp hoá trị s-p )
Tính chất của tinh thể có liên kết cộng hoá trị
❖Tinh thể cộng hoá trị có độ cứng cao và dẫn điện kém ở nhiệt độ thấp.
❖Một vài thí dụ về năng lượng liên kết cho tinh thể thuần túy cộng hoá trị là:
C (kim cương): 7,30 eV trên một nguyên tử (712 kJ/mol)
Si: 4,64 eV trên một nguyên tử (448 kJ/mol)
Ge: 3,87 eV trên một nguyên tử (374 kJ/mol)
Liên kết ion
❖Tinh thể hình thành bởi ion dương và ion âm xen kẽ. Bản chất liên kết ion là lực tương tác
tĩnh điện.
❖ Để các nguyên tử nằm cân bằng trong tinh thể bên cạnh lực liên kết là lực tương tác tĩnh điện
giữa các iôn trái dấu (lực hút) còn có một lực đẩy giữa chúng. Đó là lực đẩy xuất hiện do sự
phủ của các đám mây điện tử của hai nguyên tử nằm kề nhau.
❖ Theo nguyên lý Pauli, hai điện tử không thể có cùng 4 số lượng tử như nhau. Như vậy điện
tử của hai nguyên tử phủ nhau chiếm trạng thái của nhau và các điện tử chuyển một phần lên
trạng thái lượng tử còn trống ở mức năng lượng cao hơn. Kết quả sự phủ nhau của đám mây
điện tử làm tăng năng lượng toàn phần của hệ nên xuất hiện lực đẩy.
Liên kết ion
❖Năng lượng ion hoá I được định nghĩa như là năng lượng cần
cung cấp để tách một electron ra khỏi nguyên tử trung hoà.
❖Ái lực electron A là năng lượng thu được khi một electron được
thêm vào nguyên tử trung hoà.
❖Liên kết ion hình thành khi một nguyên tố có năng lượng ion hoá
tương đối thấp kết hợp với một nguyên tố có ái lực electron cao.
Liên kết ion
Ví dụ với Natri clorua:
❖Năng lượng ion hoá của Na là 5,14 eV và ái lực hoá học của Cl là
3,71 eV.
➢muốn chuyển một electron từ nguyên tử Na sang nguyên tử Cl, cần
năng lượng 5,14-3,71 = 1,43 eV.
❖Lực hút tĩnh điện giữa hai ion dẫn đến sự lợi về năng lượng càng lớn
khi hai ion càng lại gần nhau. Khoảng cách ngắn nhất giữa hai ion
bằng tổng các bán kính của chúng. Lực hút tĩnh điện đóng góp phần
lợi về năng lượng là 4,51 eV, tức là sự lợi tổng cộng về năng lượng
3,08 eV.
➢ Na và Cl kết hợp với nhau tạo thành phân tử có hai nguyên tử với
tính ion cao.
Liên kết ion
❖ Đóng góp của sự đẩy vào năng lượng toàn phần chỉ có thể tính được
theo cơ học lượng tử. Còn đóng góp của sự hút tĩnh điện vào liên kết
ion lại có thể tính toán đơn giản bằng cách lấy tổng các thế coulomb
ở các ion.
❖ Thế năng giữa hai ion i và j mang một điện tích nguyên tố đặt cách
nhau một khoảng rij là:
𝑒2 𝐵
𝑈𝑖𝑗 = ± +
4πε0 𝑟𝑖𝑗 𝑟𝑖𝑗𝑛
❖ Thế năng tổng cộng do các ion j gây ra tại điểm đặt ion i là:
❖Nếu R là khoảng cách giữa các ion lân cận gần nhất, thì: 𝑟𝑖𝑗 = 𝑅𝑝𝑖𝑗
❖Nếu tinh thể có N cặp ion, thì thế năng toàn phần của nó được cho bởi:
e2 1 B 1
4 0 R
= NU i = N − + n n
j i pij R j i p ij
±1
❖ Mỗi cấu trúc tinh thể ứng với một giá trị 𝛼 = σ𝑗≠𝑖 gọi là hằng số Madelung
𝑝𝑖𝑗
Dấu cộng với ion dương; Dấu trừ với ion âm.
Với cấu trúc tinh thể của NaCl, thì = 1,748
Liên kết ion
❖ Các nguyên tử có vỏ electron gần giống với vỏ đầy (như Na, Cl) có xu hướng tạo thành
liên kết ion. Một vài giá trị năng lượng liên kết ion điển hình:
NaCl: 7,95 eV trên một cặp ion (764 kJ/mol);
NaI: 7,10 eV trên một cặp ion (683 kJ/mol);
KBr: 6,92 eV trên một cặp ion (663 kJ/mol).
❖ Trong các tinh thể ion, electron không thể chuyển động tự do trừ khi có một năng lượng
lớn (~ 10 eV) được cung cấp. Vì vậy tinh thể ion không dẫn điện.
❖ Tuy nhiên, khi có các khuyết tật trong tinh thể thì ở nhiệt độ cao, các ion có thể chuyển
động, gây nên sự dẫn điện ion.
❖ Tinh thể ion hấp thụ mạnh bức xạ trong dải hồng ngoại.
Độ âm điện
❖Mulliken dùng các đại lượng vật lí là năng lượng ion hoá I và ái lực electron A đưa ra
định nghĩa sau đây của độ âm điện của một nguyên tố: X= 0,184 (I+A)
❖Năng lượng ion hoá và ái lực electron của một nguyên tử càng cao, nó càng có xu hướng
kéo electron trong liên kết lệch về phía nó. Trong liên kết giữa hai nguyên tử, bao giờ
nguyên tử có độ âm điện cao cũng là anion. Độ chênh lệch về độ âm điện giữa hai nguyên
tử là thước đo tính ion của một liên kết.
❖Hiệu độ âm có thể được sử dụng để đánh giá tính chất của liên kết một cách tương đối:
➢∆Χ > 1,7: liên kết ion trội hơn.
➢∆Χ < 1,7: liên kết cộng hóa trị trội hơn.
Độ âm điện của một số nguyên tố
H
2,1
Li Be B C N O F
1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0
Na, Mg Al Si P S Cl
0,9 1,2 1,5 1,8 2,1 2,5 3,0
K Ca Sc Ge As Se Br
0,8 1,0 1,3 1,8 2,0 2,4 2,8
Rb Sr Y Sn Sb Te I
0,8 1,0 1,3 1,8 1,9 2,1 2,5
Liên kết kim loại
❖Trong tinh thể kim loại, các điện tử hoá trị không định xứ ở các nguyên tử mà là chung cho
cả tinh thể. Những điện tử này có thể di chuyển tự do trong toàn bộ mạng tinh thể nên gọi là
điện tử tự do, hay điện tử dẫn.
❖Mỗi điện tử không chỉ phụ thuộc vào một nguyên tử mà phụ thuộc vào cả các nguyên tử
khác và hàm sóng của điện tử là hàm sóng chung nên liên kết không có tính định hướng.
❖Do có rất nhiều nguyên tử mà mỗi nguyên tử có thể đóng góp một vài điện tử hoá trị nên
các điện tử hoá trị tạo thành một đám, gọi là khí điện tử trong tinh thể (mật độ điện tử tự do
bằng mật độ nguyên tử cỡ 1022/ cm3).
Liên kết kim loại
❖Liên kết hydro đóng vai trò quan trọng trong các hợp chất có
chứa hydro cùng với các nguyên tố phi kim như F, O, N, C, Cl
và S.
❖Liên kết hydro tạo ra sự kết hợp các phân tử, sự pôlime hoá.
Nó tồn tại và đóng vai trò quan trọng trong các tinh thể hữu cơ,
ghép hai chuỗi xoắn kép trong phân tử ADN,…
❖Lực tương tác van der Waals là lực liên kết chủ yếu trong các
tinh thể phân tử, tức là các tinh thể mà ở các nút mạng có các
phân tử trung hoà. Hyđrô, Clo, CO2, nhiều hợp chất hữu cơ, các
khí trơ hoá rắn thì tạo thành tinh thể phân tử.
❖Các tinh thể phân tử và khí trơ có nhiệt độ nóng chảy thấp và dễ
bị nén.
Cấu trúc mạng tinh thể
Cấu trúc mạng tinh thể
r' = r + n1 a1 + n2 a2 + n3a3
R
trong đó n1, n2 , n3 là các số nguyên tuỳ ý.
R = - a1 + 3a2 + n3a3
R = n1 a1 + n2 a2 + n3a3: Véc tơ tịnh tiến của tinh thể
Mạng không gian
Việc chọn vecto cơ sở không phải là duy nhất nên ô cơ sở cũng không phải là
duy nhất. Ví dụ: Mạng 2 chiều
S
S
a2 S S
a1
❖Để mô tả một ô cơ sở cần phải biết 6 đại lượng: 3 cạnh của ô a1,
a2, a3 và 3 góc giữa chúng , , . Các đại lượng này gọi là các
thông số của ô cơ sở.
❖Việc chọn vecto cơ sở không phải là duy nhất nên ô cơ sở cũng
không phải là duy nhất.
Ô cơ sở/Ô đơn vị
Ô cơ sở (Primitive Unit Cell): có thể Ô đơn vị (Unit cell): là một vùng không gian
tích nhỏ nhất; có thể không thể hiện được chọn sao cho khi các ô tuần hoàn sẽ lấp
hết các tính chất đối xứng của tinh đầy không gian; Chứa nhiều hơn một nút
thể; chỉ chứa một nút mạng. mạng; Có thể tích bằng một số nguyên lần thể
tích cơ sở)
Ô cơ sở/Ô đơn vị
Lập phương tâm mặt Lập phương tâm khối
Ô Wignet – Seitz
➢Mặt phẳng chứa 3 nút mạng sẽ chứa vô số nút mạng gọi là mặt
a3
a2
phẳng mạng.
O x
❖Để xác định các đường thẳng và mặt phẳng mạng, người ta sử a1
dụng hệ toạ độ xyz có các trục dựa trên 3 vec tơ cơ sở a1, a2, a3.
Gốc O của hệ đặt ở một nút mạng.
Chỉ số Miller của mặt phẳng mạng
❖Xét 1 mặt phẳng P cắt các trục tại các nút mạng có toạ độ: (n1a1, 0, 0); (0, n2a2, 0); (0,0, n3a3)
❖Để ký hiệu mặt phẳng mạng P, ta dùng các chỉ số Millơ được xác định như sau:
+ Bước 1- Viết toạ độ giao điểm của mặt phẳng P với các trục theo đơn vị a1, a2, a3 tức là n1, n2, n3 (giả sử theo thứ
tự bằng 1, 3, 2). z
+ Bước 2- lấy nghịch đảo của chúng : 1/n1, 1/n2, 1/n3.
+ Bước 3- Tìm bộ 3 số nguyên h,k,l có trị số nhỏ nhất sao cho:
h : k : l = 1/n1: 1/n2: 1/n3 = 1/ 1 : 1/3 : 1/2 = 6/6 : 2/6 : 3/6 = 6 : 2 : 3
❖Bộ 3 h,k,l được gọi là chỉ số Miller của mặt phẳng mạng P và viết (h,k,l).
y
Như vậy chỉ số Milơ của mặt phẳng đó là (6,2,3).
Lưu ý: (*) Mặt phẳng mạng song song với một trục toạ độ thì chỉ số milơ ứng với
trục này là = 0 ( vì cắt trục ở vô cùng). x
(*) Nếu mặt phẳng mạng cắt trục tại toạ độ âm thì chỉ số Milơ có dấu âm.
Ví dụ z
z
(100) (010)
y y
x x
z z
(111) (110)
y y
x x
Tập hợp các mặt phẳng tương đương tính đối xứng kí hiệu {h k l}
Ví dụ: các mặt bên {100}, các mặt chéo chính {111}.
Chỉ số Miller của mặt phẳng mạng
❖Trong mạng lục giác, ô mạng có hình dạng hình trụ đứng, đáy là hình lục giác đều.
❖Để cho thuận tiện, người ta dựng 4 trục tọa độ x, y, u, z: Trong đó trục z vuông góc
với mặt phẳng đáy, còn các trục x, y, u nằm trong mặt phẳng đáy và lập với nhau góc.
Gốc của các trục tọa độ đặt ở tâm O của đáy lục giác. Chỉ số Milơ của mặt phẳng mạng
được xác định theo phương phép chung và được kí hiệu (h k l i).
❖Có thể chứng minh rằng các chỉ số h, k và i không độc lập với nhau, mà liên hệ với
nhau bằng biểu thức:
i = - (h + k)
❖Chính và vậy, không nhất thiết phải dựng trục u và chỉ số i. Tuy nhiên, việc đưa thêm
chúng vào cho phép kí hiệu một cách tiện lợi các mặt phẳng tương đương nhau về tính
chất đối xứng.
Chỉ số Miller của các đường thẳng mạng
❖Phương song song với một vectơ nào đó được xác định bằng bộ 3 số nguyên
nhỏ nhất h, k, l tỷ lệ với 3 thành phần của vectơ đó chiếu lên 3 trục toạ độ tính
theo đơn vị a1, a2, a3.Các số này được đặt trong ngoặc vuông, ký hiệu [h k l] .
Đó chính là chỉ số Miller của phương đó.
❖Ví dụ: vectơ r có toạ độ trên các trục x,y và z lần lượt là (a1, 2a2, 3a3/2), ta có:
h: k : l = 1: 2 : 3/2 = 2 : 4 : 3
Chỉ số Miller của các đường thẳng mạng
z [111]
z [243] [011]
3a3/2
2a2
a1 y
y
x
x [110]
Phương song song với vectơ r có chỉ số Milơ Một số phương quan trọng trong
là [243], thường gọi là phương [243]. mạng lập phương.
Các tính chất đối xứng của mạng không gian
❖Do có cấu trúc tuần hoàn mà mạng không gian bất biến đối với một số phép
biến đổi. Khi đó ta nói, “mạng có tính đối xứng đối với phép biến đổi đó”.
1. Đối xứng đối với phép tịnh tiến
Nếu ta dịch chuyển toàn bộ mạng không gian đi một vectơ
R = n1 a1+ n2 a2 + n3 a3
(n1, n2, n3) là các số nguyên thì mạng lại trùng với chính nó. (Vectơ R gọi là
vectơ tịnh tiến, chính là véc tơ nối hai nút mạng).
Các tính chất đối xứng của mạng không gian
2. Đối xứng đối với phép quay
❖Mạng không gian có tính đối xứng đối với phép quay quanh một số trục xác định
VD: Mạng vuông 2 chiều sẽ trùng với chính nó khi ta quay toàn bộ mạng một góc /2 (hay
1/4 vòng tròn).
m o
A’’
Các hệ tinh thể trong không gian
❖Dựa vào tính chất đối xứng của các mạng không gian, người ta
a2
chia ra 7 hệ tinh thể ứng với 7 loại ô sơ cấp khác nhau. Mỗi hệ
được đặc trưng bởi quan hệ giữa các vec tơ cơ sở a1, a2, a3 và
các góc , , giữa các véc tơ đó.
❖Có nhiều cách lựa chọn hệ trục toạ độ cũng như ô cơ sở. Tuy
a1
nhiên, bao giờ người ta cũng chọn ô cơ sở sao cho nó có tính đối
a3
xứng cao nhất có thể được.
❖Cách chọn ô cơ sở có thể tích bé nhất, 1 ô có 1 nút mạng. Từ 7
hệ tinh thể có tất cả 14 loại ô cơ sở tạo thành 14 mạng Bravais.
Hệ tam tà (Triclinic) – Ba nghiêng
❖ a1 a2 a3 ;
❖ Ô cơ sở là hình hộp.
❖ Đối xứng với phép nghịch đảo.
Hệ đơn tà (Monoclinic) – Một nghiêng
a1 a2 a3
= = 90o, 90o
❖ Có 2 loại: đơn tà đơn giản (P) và đơn tà tâm đáy (C) centered
❖ Tính chất đối xứng:
• 1 trục quay bậc 2 ( // a2).
• 1 mặt phẳng phản xạ vuông góc với trục quay.
Hệ trực giao (Orthorhombic)
Trực giao Trực giao tâm Trực giao tâm Trực giao tâm
đơn giản đáy khối mặt
❖ a1 a2 a3 ; = = = 90o
❖ Tính chất đối xứng:
• 3 trục quay bậc 2 vuông góc với nhau.
• 3 mặt phẳng phản xạ vuông góc với các trục quay.
Hệ tứ giác (Tetragonal)
a1 = a2 a3
= = = 90o
Tứ giác đơn Tứ giác
giản tâm khối
Tính chất đối xứng
• 1 trục quay bậc 4 theo phương c (a3).
• 4 trục quay bậc 2 vuông góc với trục bậc 4.
• 5 mặt phẳng phản xạ.
Hệ tam giác (Trigonal) – Thoi (Rhombohedral)
a 1 = a2 = a 3
= = < 120o 90o
a 1 = a 2 a3
= = 90o , = 120o
Lập phương đơn giản Lập phương tâm khối Lập phương tâm mặt
Tính chất đối xứng của hệ này
• 3 trục quay bậc 4 qua các tâm mặt.
• 4 trục quay bậc 3 (trùng với các đường chéo chính)
• 6 trục quay bậc 2 (qua điểm giữa các cạnh đối diện)
• 6 mặt phẳng phản xạ (qua các cạnh đối diện)
• 3 mặt phẳng phản xạ chứa trục bậc 4 và song song với các mặt của hình hộp.
14 ô mạng Bravais
Cấu trúc tinh thể
❖ Mạng không gian (có đặc điểm tuần hoàn trong không gian và có tính chất đối
xứng với một số phép biến đổi).
❖Gốc mạng (gồm nguyên tử hoặc nhóm nguyên tử) tại các nút mạng.
Mạng tinh thể = Mạng không gian + Gốc mạng
❖Các tinh thể thực có gốc, do vậy, cần phải xét đến ảnh hưởng của các gốc lân cận
lên đối xứng dẫn đến còn có hai phép biến đổi tác động đồng thời lên nhiều phân tử
và gây ra dịch chuyển tịnh tiến.
Tinh thể thực
❖ Tổ hợp của phép phản xạ và phép tịnh tiến: Phản xạ trượt
Một mặt phẳng trượt tồn tại khi mỗi nguyên tử của gốc A được biến đổi thành một nguyên tử tương đương
trên gốc A’ bằng một phép phản xạ tiếp theo là phép tịnh tiến song song với mặt phẳng gương trên quãng
đường t = a/2. Phép biến đổi đối xứng và yếu tố đối xứng được kí hiệu là c.
2 3 2 3 2 3
Gốc A
1 1 1
1 1 1
Gốc A’
2 3 2 3 2 3
Tinh thể thực
Trục xoắn
chuyển thành một nguyên tử tương đương trên gốc A’ nhờ một 2
1200 T
2a
phép quay góc ϕ = (360/p)0 tiếp theo là phép tịnh tiến song
1200
song với trục quay trên quãng đường t = n(a/2) với n/p <1. 1a
1
31
Một số cấu trúc tinh thể đơn giản
Cấu trúc xếp chặt các quả cầu
❖ Các nguyên tử được tưởng tượng như những quả cầu.
❖ Cấu trúc tinh thể thực lúc đó sẽ giống như việc xếp chặt những quả cầu trong
không gian, sao cho nó bền vững, tối ưu.
❖ Có nhiều cách xếp chặt các quả cầu nhưng 1 quả cầu luôn có 12 quả cầu khác
tiếp xúc. Ta gọi đó là số phối vị, tức là số phối vị bằng 12.
Một số cấu trúc tinh thể đơn giản
❖ Lớp 1: 1 quả tiếp xúc với 6 quả cầu khác ở xung quanh.
Lấy tâm một quả cầu làm gốc, 6 quả cầu xung quanh tạo
thành lục giác đều. Phần không gian được chiếm chỗ
bởi các quả cầu lớp 1 này ký hiệu là A.
❖ Lớp 2: Có 6 vị trí lõm, 3 vị trí gọi là B và 3 vị trí gọi là
C. Ta có 2 cách xếp:
❖ Ở lớp thứ 2, nếu ta xếp vào các vị trí B, thì vị trí C sẽ trống. Đến lớp thứ 3 các quả cầu
lại có thể được xếp vào các vị trí hoặc là A hoặc là C. Ta sẽ có các cách xếp như sau:
ABABAB, hoặc ABCABC.
Cấu trúc ABAB
Cấu trúc ABAB ứng với cấu trúc lục giác xếp chặt (He, Be, Ti, Cd, Co, Y)
Cấu trúc ABCABC
B B
C A
A
Vị trí A B B B B
C C
Vị trí B B B C
Vị trí C
Cấu trúc lập phương tâm mặt (Tinh thể của các khí trơ Ne, Ar,
kim loại Ag, Au, Pt)
Một số cấu trúc tinh thể đơn giản
Thê tích
Số nguyên tử Nguyên tử
a 4
Ô đơn vị 1 (0.5a) 3
R=0.5a 3
APF =
Hướng xếp chăt a3 Thể tích
Chứa 8 x 1/8 = 1 Ô đơn vị
nguyên tử/ô đơn vị
Hệ số xếp chặt - Atomic Packing Factor (APF)
Lập phương tâm khối
APF = 0.68
3a
Số nguyên tử Thể tích
4
a Ô đơn vị 2 ( 3a/4) 3
3 Nguyên tử
APF =
Thể tích
2a a3
R Ô đơn vị
a Hướng xếp chặt:
Độ dài = 4R = 3 a
Hệ số xếp chặt - Atomic Packing Factor (APF)
Lập phương tâm mặt
APF = 0.74
1 𝑘ℎ𝑖 𝑖 = 𝑗
𝑎Ԧ𝑖 . 𝑏𝑖 = 2𝜋𝛿𝑖𝑗 ; 𝛿𝑖𝑗 = ቐ
0 𝑘ℎ𝑖 𝑖 ≠ 𝑗
Chứng minh
𝑎Ԧ2 ∧ 𝑎Ԧ3 . 𝑎Ԧ1
𝑎Ԧ1 . 𝑏1 = 2𝜋 = 2𝜋; 𝑎Ԧ2 ∧ 𝑎Ԧ3 . 𝑎Ԧ1 = 𝑎Ԧ1 ∧ 𝑎Ԧ2 . 𝑎Ԧ3 = 𝑎Ԧ3 ∧ 𝑎Ԧ1 . 𝑎Ԧ2 .
𝑎Ԧ1 ∧ 𝑎Ԧ2 . 𝑎Ԧ3
𝑎.
Ԧ 𝑏 = 𝑏. 𝑎Ԧ = 𝑎. 𝑏. cos( 𝑎𝑏)
ቐ
(𝑎Ԧ ∧ 𝑏) = −(𝑏 ∧ 𝑎)
Ԧ = 𝑎. 𝑏. sin( 𝑎𝑏)
Tính chất của mạng đảo
❖Độ lớn của véc tơ mạng đảo có thứ nguyên nghịch đảo của chiều dài (ở mạng không gian,
đơn vị là độ dài (cm) chỉ toạ độ trong không gian), còn trong mạng đảo , đơn vị sẽ là cm-1 ,
là đơn vị của vectơ sóng (trong không gian sóng).
❖Hình hộp được dựng lên từ 3 véc tơ cơ sở của mạng đảo là ô sơ cấp của mạng đảo. Có thể
(2𝜋)3
𝑉′ =
𝑉
Vùng Brillouin
❖Trong mạng không gian, người ta chọn ô sơ cấp sao cho có dạng đối xứng
tâm, gọi là ô Wignet – Seitz..
❖Trong mạng đảo gọi ô sơ cấp đối xứng trung tâm là vùng Brillouin thứ nhất.
Nó được giới hạn nhỏ nhất bởi các mặt phẳng trung trực của các véc tơ mạng
đảo nối nút đang xét với các nút lân cận.
❖Các vùng Brillouin thứ 2, 3 tiếp theo chính là các lân cận nhỏ nhất tiếp theo
giới hạn bởi các mặt cắt. Các vùng Brillouin có kích thước như nhau.
Vùng Brillouin
Wigner-Seitz Cell - 3D
Các định lý
Định lý 1
Vectơ mạng đảo 𝐺Ԧ = ℎ𝑏1 + 𝑘𝑏2 + 𝑙𝑏3 vuông góc với mặt phẳng (hkl) của mạng
thuận. Z
n3a3- n2 a2
n3a3
Y
n2a2
n1a1- n2 a2
n1a1
X
Các định lý
Z
n3a3- n2 a2
n3a3
Y
n2a2
n1a1- n2 a2
n1a1
X
Ԧ (𝑛1 𝑎Ԧ1 − 𝑛2 𝑎Ԧ2 ) = (ℎ𝑏1 + 𝑘𝑏2 + 𝑙𝑏3 ). (𝑛1 𝑎Ԧ1 − 𝑛2 𝑎Ԧ2 ) = ℎ. 𝑛1 . 2𝜋 − 𝑘𝑛2 . 2𝜋 = 0
𝐺.
1 1 1
(ℎ: 𝑘: 𝑙 = : : )
𝑛1 𝑛2 𝑛3
−> 𝐺.Ԧ (𝑛3 𝑎Ԧ3 − 𝑛2 𝑎Ԧ2 ) = 0
Các định lý
Định lý 2
Khoảng cách d(hkl) giữa 2 mặt phẳng mạng liên tiếp nhau thuộc họ mặt
phẳng (hkl) bằng nghịch đảo độ dài vectơ mạng đảo nhân với 2
Q(h,k,l) 2𝜋
P(h,k,l) 𝑑(ℎ, 𝑘, 𝑙) =
Ԧ 𝑘, 𝑙)
𝐺(ℎ,
Ԧ 𝑘, 𝑙)
𝐺(ℎ,
2𝜋
n là một số nguyên, thay đổi số nguyên đi 1 đơn vị thì RG tăng lên một lượng Ԧ
𝐺(ℎ,𝑘,𝑙)
Các định lý
Mặ phẳng Q(h,k,l) nằm kề sát với P(h,k,l) sẽ ứng với hình chiếu
2𝜋. (𝑛 + 1)
𝑅𝐺 =
Ԧ 𝑘, 𝑙)
𝐺(ℎ,
Khoảng cách giữa hai mặt phẳng mạng liên tiếp nhau là
2𝜋
𝑑(ℎ, 𝑘, 𝑙) =
Ԧ 𝑘, 𝑙)
𝐺(ℎ,
Nhiễu xạ trên cấu trúc tuần hoàn
Nhiễu xạ trên cấu trúc tuần hoàn
❖Khi muốn xác định một cấu trúc chưa biết hoặc muốn đo chính xác các thông
số cấu trúc, chẳng hạn như kích thước ô mạng, vị trí hạt nhân và phân bố
electron trong ô mạng..., thì cần sử dụng các thí nghiệm nhiễu xạ. Đó là vì quá
trình nhiễu xạ rất nhạy với sự sắp xếp tuần hoàn nguyên tử trong vật rắn.
❖Để nghiên cứu cấu trúc, người ta sử dụng tính chất sóng của các hạt vi mô và
ánh sáng thông qua quan sát nhiễu xạ, như nhiễu xạ tia X, nơ trôn, electron.
Tán xạ trên cấu trúc tuần hoàn
❖Sóng tới gây nên ở mỗi điểm có toạ độ r của vật liệu bia sự phát sóng cầu có pha
và biên độ khác nhau.
❖Độ lớn của trường sóng tới ở điểm P và thời điểm t là:
B
l-r
i𝐤 0 ⋅(𝑙′+𝐫)−i𝜔0 𝑡
𝐴P = 𝐴0 𝑒 P
l
r
l’
Q
Lí thuyết bán cổ điển về sự tán xạ
Dưới tác dụng của sóng tới, mỗi điểm trong môi trường dao động cưỡng bức và
phát ra một sóng cầu có độ dời và pha phụ thuộc vào sóng tới thông qua mật độ
tán xạ phức Với vị trí P xác định, véctơ sóng k có phương của véctơ l-r
B
l-r
P 𝑒 i𝐤⋅(𝐥−𝐫)
l 𝐴B = 𝐴P (𝐫, 𝑡)𝜌(𝐫)
r 𝐥−𝐫
l’
Q
Lí thuyết bán cổ điển về sự tán xạ
(r )
− i 0t i ( k0 − k)r
AB e e dr
Trong các thí nghiệm nhiễu xạ, ta đo cường độ I(K) của sóng tán xạ, nên:
2
(r )e
2 − i K r
I (K ) AB dr
𝐊 = Ԧ𝐤 − Ԧ𝐤 𝟎
Lí thuyết bán cổ điển về sự tán xạ
❖Với các cấu trúc tuần hoàn, 𝜌(𝐫) có thể được phân tích thành chuỗi Fourier.
❖Để làm thí dụ, ta xét trường hợp một chiều, trong đó lặp lại với chu kì a, tức là
𝜌 𝑥 = 𝜌 𝑥 + n𝑎 Với n=0, 1, 2, ...Chuỗi Fourier là:
𝜌(𝑥) = 𝜌n ei(n2π/𝑎)𝑥
n
❖Tương tự cho trường hợp ba chiều
(r ) = G e i G r
G
Lí thuyết bán cổ điển về sự tán xạ
Véc tơ G phải thoả mãn điều kiện bảo đảm tính bất biến tịnh tiến của đối
với mọi véc tơ mạng: 𝜌 𝐫 + 𝑮 = 𝜌 𝐫
R n = n1a1 + n2a2 + n3a3
G R n = 2 .m
Trong đó, m là một số nguyên, với mọi giá trị của n1, n2, n3 nguyên. Ta hãy
phân tích G theo ba véc tơ cơ sở:
G = m1b1 + m2b2 + m3b3
Đẳng thức trên chỉ được thoả mãn nếu 𝐚i 𝐛j = 2𝜋𝛿ij
Điều kiện nhiễu xạ
Thay khai triển Fourier vào biểu thức của cường độ nhiễu xạ:
Ԧ
නei(𝐆−𝐊)⋅Ԧ𝐫 𝑑𝐫Ԧ = ൝𝑉 𝑘ℎ𝑖𝐺 = 𝐾
2 2
A0
I (K )
l 2 e
G
G
i ( G − K )r
dr 0 𝑘ℎ𝑖𝐺Ԧ ≠ 𝐾
Ta thấy, sự tán xạ trên mạng dẫn đến tia nhiễu xạ khi véc tơ tán xạ K bằng véc tơ mạng
đảo G. Đó chính là điều kiện Laue G = K. Véc tơ G được xác định theo
G = hb1 + kb2 + l b3
Trong đó các số nguyên h, k, l là toạ độ của véc tơ G đối với các véc tơ cơ sở . Các chỉ số
(h, k, l) còn được dùng để xác định tia nhiễu xạ.
Điều kiện nhiễu xạ
Cách vẽ Ewald để tìm phương nhiễu xạ cực đại
❖Lấy nơi đặt tinh thể làm tâm, vẽ mặt cầu (O,1/λ) = Mặt
cầu Ewald
❖Từ O theo phương của tia X chiếu đến tinh thể, vẽ O’
trên mặt Ewald
❖Lấy O’ làm tâm vẽ các nút mạng đảo
❖Nếu có nút mạng đảo nằm trên Ewald => Nối từ O đến
nút đó được phương nhiễu xạ cực đại
Điều kiện nhiễu xạ
❖ Vẽ véc tơ k0 hướng về gốc. Vì ta đang xét tán xạ đàn hồi, (hkl)
nên k=k0=2/.
❖ Mọi điểm trên mặt cầu bán kính k=k0, với tâm là gốc của véc K=G k
❖ Điều kiện Laue G = K được thoả mãn mỗi khi mặt cầu đi qua k0
❖ Tại các điểm đó tia nhiễu xạ được tạo thành; nó được kí hiệu
bằng các chỉ số (hkl) của nút mạng đảo tương ứng. Hình cầu Ewald
Điều kiện nhiễu xạ
2π
𝐺hkl =
𝑑hkl
Từ hình cầu Ewald, ta thấy, 𝐾 = 2𝑘0 sin θ. Trong đó là góc giữa véc tơ k0 và
mặt phẳng (hkl) của mạng thuận, cũng là nửa góc giữa k và k0. Vì vậy điều kiện
Laue được viết lại như sau:
2π
𝐺hkl = = 2𝑘 0sin θ
𝑑hkl
Từ đó ta thu được phương trình Bragg:
λ = 2𝑑hkl sin θ
Điều kiện nhiễu xạ
❖Điều kiện này đòi hỏi hiệu đường đi của tia phản xạ từ hai mặt phẳng mạng liên tiếp
phải là số nguyên lần bước sóng của tia tới, đó cũng là điều kiện để có cực đại giao thoa
của hai tia phản xạ.
k
K=G
k0
X-ray detector
Source
Hình cầu
Ewald
Mạng đảo
Cường độ nhiễu xạ
2 2
A0 𝑉 𝑘ℎ𝑖 𝐺Ԧ=𝐾
I (K )
l 2 e
G
G
i ( G − K )r
dr Với නei(𝐆−𝐊)⋅Ԧ𝐫 𝑑𝐫Ԧ =ቆ
0 𝑘ℎ𝑖 𝐺Ԧ ≠ 𝐾
𝐴20
=> 𝐼(𝐊 = 𝐆)~ 2 𝜌𝐆 2 𝑉 2
𝑙
ሜ k,
Các giá trị âm của h, k, l được kí hiệu là h, ሜ ሜl
2
𝐼hkl ∝ 𝜌hkl ⇒ 𝐼hkl = 𝐼hሜ kሜ lሜ
Cường độ nhiễu xạ
λ = 2𝑑hkl sin θ
❖ Tất cả các tia nhiễu xạ quan sát được đều tuân theo điều kiện Bragg nhưng có những
phản xạ tuân theo điều kiện Bragg lại không thể quan sát được (tức là có cường độ
bằng 0)
❖ Để giải thích điều này, ta coi tia nhiễu xạ là tập hợp các tia tán xạ gây ra bởi các điểm
chứ không phải là các tia phản xạ gây ra bởi các mặt nữa
✓ Ta cần phải xét lần lượt:
✓ Sự tán xạ bởi các electron trong một nguyên tử
✓ Sự tán xạ bởi một nguyên tử độc lập
✓ Sự tán xạ bởi các nguyên tử trong một ô đơn vị
Cường độ nhiễu xạ
Tán xạ bởi một electron
Io I
e 2
❖J.J. Thomson đã chứng minh được rằng: cường độ tia X tán xạ bởi một electron tại
khoảng cách r kể từ electron có điện tích e và khối lượng m được cho bởi công thức:
❖Năng lượng toàn phần của tia X phát ra tại một thời điểm nhất định là diện tích dưới phổ tia X
A là hằng số; i là cường độ dòng điện; Z là nguyên tử số của anode; V là điện thế
https://www.oem-xray-components.siemens.com/x-ray-spectra-simulation
Phổ tia X liên tục/đặc trưng
Phổ tia X liên tục/đặc trưng
❖Loại phổ thứ hai, được gọi là phổ đặc trưng, được tạo ra ở điện áp cao do các quá trình
chuyển rời của điện tử trong nguyên tử của vật liệu làm bia.
Cấu hình đo nhiễu xạ tia X
Cấu hình đo nhiễu xạ tia X
Cấu hình truyền qua (Cấu hình Debye‐Scherrer) Cấu hình phản xạ (Cấu hình Bragg‐Brentano).
❑Tốt với những mẫu hấp thụ yếu. ❑ Tốt nhất cho những mẫu hấp thụ mạnh.
❑Ống rỗng có thể được sử dụng để mẫu (đo những mẫu ❑Yêu cầu mẫu có bề mặt phẳng.
nhạy với không khí/lỏng). ❑Thường được sử dụng để nghiên cứu XRD theo thông
số thay đổi (nhiệt độ, áp suất) - in situ.
Cấu hình đo nhiễu xạ tia X
D8 ADVANCE - Bruker
Cấu hình đo nhiễu xạ tia X
Chúng ta quan sát thấy gì khi nhiễu xạ tia X trên tinh thể vật rắn?
Đơn tinh thể
Tia X nhiễu xạ từ một đơn tinh thể sẽ tạo ra các điểm
hình trong một hình cầu bao quanh tinh thể. (hình cầu
Ewald)
Mỗi đỉnh nhiễu xạ được phân giải riêng rẽ.