Chương 6

Nội dung
1 Đặc điểm

2 Các chế độ khuếch đại (A,B,C,AB)

3 Mạch khuếch đại công suất chế độ A

4 Mạch khuếch đại công suất chế độ B

5 Mạch khuếch đại công suất chế độ AB

6 Khảo sát mạch KĐCS: OCL, OTL, BTL

 6.1. Đặc điểm

KĐCS Audio là tầng KĐ lối ra của một bộ KĐ.

Tạo ra một công suất đủ lớn để kích thích tải.

Công suất ra từ vài Watt đến vài trăm Watt.

Cần transistor công suất và cần tỏa nhiệt cho transistor.

Dải tần số làm việc trong miền audio [20Hz - 20kHz]

Không dùng mạch tương đương tín hiệu nhỏ để khảo sát,
mà phải dùng phương pháp đồ thị.
 6.2. CÁC CHẾ ĐỘ KHUẾCH ĐẠI

Transistor phân cực trong vùng khuếch

đại, Tín hiệu ra đầy đủ cả 2 nửa chu kỳ

Transistor phân cực với

KĐCS Transistor được phân
IbQ=0. Chỉ một nửa chu B cực ở gần vùng ngưng
kỳ âm hoặc dương của AB (IcQ>0). Tín hiệu ngõ ra
tín hiệu ngõ vào được thay đổi hơn một nửa
khuếch đại. chu kỳ của tín hiệu vào

Transistor được phân cực trong

vùng ngưng (IcQ<0) ,chỉ một phần
nhỏ hơn nửa chu kỳ của tín hiệu C
ngõ vào được khuếch đại.
 6.2. CÁC CHẾ ĐỘ KHUẾCH ĐẠI

+ Tuyến tính
Lớp A
+ Hiệu suất thấp

Transistor phân cực trong vùng khuếch đại,

Tín hiệu ra đầy đủ cả 2 nửa chu kỳ
 6.2. CÁC CHẾ ĐỘ KHUẾCH ĐẠI

+ Chỉ KĐ nửa chu kỳ tín hiệu

Lớp B + Sử dụng mạch push-pull để nối
+ Hiệu suất trung bình

Transistor phân cực với IbQ=0.

Chỉ một nửa chu kỳ âm hoặc dương của tín hiệu ngõ vào được
khuếch đại.
 6.2. CÁC CHẾ ĐỘ KHUẾCH ĐẠI

+ Chỉ KĐ hơn nửa chu kỳ tín hiệu

+ Sử dụng mạch push-pull để nối
Lớp AB + Hiệu suất trung bình

Transistor được phân cực ở gần vùng ngưng (ICQ>0).

Tín hiệu ngõ ra thay đổi hơn một nửa chu kỳ của tín hiệu vào
 6.2. CÁC CHẾ ĐỘ KHUẾCH ĐẠI

+ Phi tuyến
+ Hiệu suất cao, dùng trong
Lớp C mạch cao tần

ICQ

Transistor được phân cực trong vùng ngưng (ICQ<0) ,

chỉ một phần nhỏ hơn nửa chu kỳ của tín hiệu ngõ vào được
khuếch đại.
 6.2. CÁC CHẾ ĐỘ KHUẾCH ĐẠI

Lớp A Lớp B Lớp AB Lớp C

+ Tuyến tính + Tuyến tính với kiểu + Phi tuyến

mạch push-pull
+ Hiệu suất thấp + Hiệu suất cao, dùng
+ Hiệu suất trung bình trong mạch cao tần
 6.2. CÁC CHẾ ĐỘ KHUẾCH ĐẠI

Transistor phân cực trong vùng khuếch

đại, Tín hiệu ra đầy đủ cả 2 nửa chu kỳ

Transistor được phân

Transistor phân cực với B cực ở gần vùng ngưng
IcQ =0 . Chỉ một nửa chu AB (IcQ>0) . Tín hiệu ngõ
kỳ âm hoặc dương - của
tín hiệu ngõ vào được ra thay đổi hơn một
khuếch đại. nửa chu kỳ của tín
hiệu vào

Transistor được phân cực trong

vùng ngưng (IcQ <0) ,chỉ một phần
C
nhỏ hơn nửa chu kỳ của tín hiệu
ngõ vào được khuếch đại.
6.2. CÁC CHẾ ĐỘ KHUẾCH ĐẠI
Khảo sát xoay chiều:
➢ Khi đưa tín hiệu Vi vào ngõ vào như hình trên, dòng
Ic và điện thế VCE (tín hiệu ra) sẽ thay đổi quanh
điểm làm việc Q. Với tín hiệu ngõ vào nhỏ, vì dòng
điện cực nền thay đổi rất ít nên dòng điện IC và điện
thế VCE ở ngõ ra cũng thay đổi ít quanh điểm làm
việc.
➢ Khi tín hiệu ngõ vào lớn, ngõ ra sẽ thay đổi rất lớn
quanh điểm làm việc tĩnh. Dòng IC sẽ thay đổi quanh
giới hạn 0mA và VCC/RC. Ðiện thế VCE thay đổi giữa
hai giới hạn 0V và nguồn VCC
 6.3. Mạch khuếch đại công suất chế độ A:
• Mạch khuếch đại ghép trực tiếp

VCC − 0.7V
IB =
RB

Vo
IC =  I B

VCE = VCC – IC RC
 Khi có tín hiệu AC:
• Khi có tín hiệu có đầu vào, tín hiệu ra sẽ biến thiên theo tín hiệu đầu vào
từ vị trí phân cực tĩnh Q.

Q
 Khi có tín hiệu AC:
• Khi có tín hiệu có đầu vào, tín hiệu ra sẽ biến thiên theo tín hiệu đầu vào
từ vị trí phân cực tĩnh Q.

Q Q
Các đặc trưng kỹ thuật của mạch KĐ hạng A
1) Công suất trên tải:
ic = I cp sin t pick

Vo
vce = Vcp sin t

1 1
Po (ac ) = Vcp I cp = vce ( pp )ic ( pp )
2 8
2) Công suất nguồn cung cấp

Pi ( dc ) = VCC I cQ
3) Hiệu suất

PO (ac )
% =  100%
Pi (dc )

4) Công suất tiêu tán trên transistor:

PT = Pi ( dc ) – Po ( ac )
 Hiệu suất cực đại của mạch
• Đối với mạch KĐ hạng A, hiệu suất của mạch đạt cực đại khi
VL, IL đạt cực đại (biến thiên cực đại), nếu điểm làm việc tĩnh
Q của transistor nằm giữa đường tải ac thì :
1 Vcc 1
I CQ = , và VCEQ = Vcc
2 Rc 2
Vcc
max(vce( pp ) ) = Vcc ; max(ic( pp ) ) =
Rc
2
Vcc
max ( Po ( ac )) =
8 Rc
• Công suất nguồn cung cấp:
2
VCC
max( Pi (dc)) = VCC I CQ =
2 RC
Vậy hiệu suất cực đại của mạch là:

max ( Po ( ac ))
max ( %) =  100% = 25%
max ( Pi ( dc ))

Kết luận: Hiệu suất max mạch KĐCS chế độ A ghép trực
tiếp chỉ đạt được tối đa là 25%.
VÍ DỤ MẠCH KĐ CÔNG SUẤT HẠNG A ĐƠN GIẢN

Cho mạch KĐ hạng A như hình vẽ:

RB= 510kΩ; Rc = 1,5kΩ;
Vcc = 12V
Vo Transistor (Si) có β = 160
C1= 10μF.
Cấp nguồn sin (2mV, 100Hz)
Tính các tham số của mạch.
MÔ PHỎNG MẠCH KĐ CÔNG SUẤT HẠNG A

Vo
Để cấp cho tải một công suất lớn cần dòng và áp lớn. Vì vậy, thay RC
bằng cuộn dây.

a. mạch khuếch đại công suất chế độ A ghép LC; b. Đường tải ac và dc của transistor
 Phân tích mạch
i
• x xDo L→∞ neân xem nhö ngaén maïch ôû DC
vaø hôû maïch ôû AC. L→∞
C2→∞
• Phaân tích DC: (ngaén maïch L)
VBB − VBEQ C1→∞
I CQ = iC
Rb
+ Re
 Rb RL
VCEQ = VCC − Re I CQ ri
ii
Re Ce→∞
DCLL: VBB
VCEQ = VCC − I C Re
(RDC = Re)
Phaân tích AC: (hôû maïch L) RAC = RL
ACLL:
Đường tải DC và AC
Ñieàu kieän maxswing: iC
DCLL (-1/Rdc)

 VCEQ 
= min  I CQ ,
VCEQ
I CM max  I CQ +
Rac ACLL (-1/Rac)
 Rac 
ICQ
VCM max = min VCEQ , I CQ .Rac 
vCE
Giaû söû: iC = I cm sin .t VCEQ VCC VCEQ + ICQRac

Thì iL = I Lm sin .t = − I cm sin .t

Taïi ñieåm Qmaxswing: VCC VCC

I CQ = =
Rac + Rdc Re + RL
RL
VCEQ = I CQ .Rac = VCC
Re + RL
 Luùc ñoù Q laø trung ñieåm cuûa ñöôøng ACLL.
VCC
I CM max = I LM max = I CQ =
Re + RL
•Neáu Re << RL:
• Boû qua ñieän aùp rôi treân Re: VCEQ ≈ VCC khoâng phuï thuoäc vaøo ICQ.
iC DCLL
2VCC 1
I CQ = iC = vCE
Re + RL RL
Q
VCC
I CQ = ACLL
Re + RL
vCE

VCC 2VCC
 2VCC
Re
1+
VCC RL
VCEQ =  VCC
Re
1+
RL
b. Tính toaùn coâng suaát:
V
iC = I CQ + ic = CC + ic iL = −ic
RL
VCC
i = i L + iC = I CQ = vCE = VCEQ + vce = Vcc − ic RL
RL
vL = iL RL = −ic RL ii = I im sin .t ic = I cm sin .t
Bieân ñoä doøng ic laø Icm ñaït giaù trò baèng ICQ hay Icm ≤ ICQ.
Coâng suaát nguoàn cung caáp 2
VCC
PCC = VCC I CQ 
RL
▪Coâng suaát treân taûi:
2 2
I Lm RL I cm RL
PL = =
2 2
vì iL= -ic neân ILm = Icm.
Coâng suaát tieâu taùn trung bình cöïc ñaïi xaûy ra khi Icm = ICQ
 2 2
I CQ RL VCC
PL ,max = =
2 2 RL
▪Coâng suaát tieâu taùn treân cöïc C:
2 2
VCC I cm RL
PC = PCC − PL = −
RL 2

PC cöïc tieåu khi PL ñaït cöïc ñaïi:

2
VCC
PC ,min =
2 RL 2
VCC
PC ,max = = VCEQ I CQ
PC cöïc ñaïi khi khoâng coù tín hieäu vaøo: RL
Hieäu suaát: 2  RL 
I cm  2  1  I cm 
2

=
PL
=  =  
PCC VCC I CQ 2  I CQ 


Hieäu suaát ñaït cöïc ñaïi khi Icm = ICQ:  max = 50%
• Từ đồ thị đường tải ac và dc ta thấy: Nếu RE << và để biên độ dao động
tín hiệu đầu ra đạt cực đại, thì điểm Q có :
VCEQ  VCC; ICQ  VCC / R L ZL=jwL

Công suất đầu ra: 1 2 2

1 VCC
max ( PO ( ac )) = I CQ RL = 
2 2 RL
2
Công suất nguồn cung cấp: VCC
Pi (dc) = VCC I CQ =
RL

Hiệu suất của mạch max( PO ( ac ))

max( %) = = 50%
Pi ( dc )

Vậy trong mạch khuếch đại công suất chế độ A nếu thay
RC bằng cuộn dây thì hiệu suất cực đại sẽ tăng lên gấp đôi.
MÔ PHỎNG CÔNG SUẤT HẠNG A GHÉP LC
• Để thiết kế mạch KĐ ghép LC đạt hiệu suất cao rất khó vì nó
phụ thuộc vào áp nguồn cung cấp VCC và RL. Vì thế, có thể
thay điện trở tải bằng một máy biến áp có hệ số thích hợp

V1
Đường tải AC và DC
• Để tín hiệu đầu ra đạt cực đại, thì điểm làm việc Q nằm giữa
đường tải ac, với a là hệ số biến áp, khi đó : VCEQ  VCC ;
2I CQ  2VCC / a 2 R L
•Công suất đầu ra:
2 2
1 VCC VCC
max ( PO ( ac )) = iL2 RL = ( aiC ) RL =
2
4 2
a RL =
2
2 a RL 2a 2 RL
2
Công suất nguồn: VCC
Pi (dc) = VCC I CQ = 2
a RL
Hiệu suất của mạch
max( PO (ac))
max( %) = = 50%
Pi (dc)
Vậy trong mạch khuếch đại công suất chế độ A sử dụng
máy biến áp thì hiệu suất cực đại có khả năng đạt được
cũng là 50%.
• Để tín hiệu đầu ra đạt cực đại, thì điểm làm việc Q nằm giữa
đường tải AC, với a là hệ số biến áp, khi đó : VCEQ  VCC ;

2I CQ  2VCC / a 2 R L

•Công suất đầu ra:

2 2
1 V V
max ( PO ( ac )) = iL2 RL = ( aiC )2 RL = CC
a 2
RL = CC
2 a 4 RL2 2a 2 RL
MÔ PHỎNG KĐ CÔNG SUẤT HẠNG A GHÉP BIẾN ÁP
2/11

OTL
OCT
• Mạch KĐCS chế độ B, T có điểm Q nằm trong vùng tắt. Do
đó, nó chỉ dẫn điện ở nửa chu kì của tín hiệu. Để tín hiệu ra
được KĐ toàn chu kì tín hiệu vào sử dụng hai transistor là
dạng mạch khuếch đại đẩy kéo (push-pull).

+
-

Sơ đồ khối của mạch khuếch đại đẩy kéo

Mạch khuếch đại đẩy kéo công suất chế độ B

Đường tải ac và dc
Công suất nguồn cung cấp: Pi(dc) = VCCIDC
ic1(max) ic 2(max) 2
I DC = I DC1 + I DC 2 = + = ic(max)
  
2
Pi (dc) = VCC ic (max)

Công suất đầu ra:
i L2(max) iC2 (max)
PO (ac) = i L2 RL = RL = RL
2 2
2
VCC
max( PO ( ac )) =
2 RL
 2
2VCC
max( Pi (dc)) =
RL
max( PO ( ac )) 
max( %) = .100% = .100% = 78.54%
max( Pi ( dc )) 4
Vậy mạch khuếch đại công suất đẩy kéo chế độ B có
hiệu suất cực đại khá lớn đạt được đến 78.54%.
Công suất tiêu tán trên transistor:
2.PT = Pi (dc) – Po(ac)
vậy công suất tiêu tán trên một transistor là:
1 2 ic2(max)
PT = (VCC ic (max) − RL )
2  2
 2
Công suất tiêu tán max của một Tr: VCC
max( PT ) =
 RL

Công suất tiêu tán trên transistor đối với mạch khuếch đại
công suất chế độ B nhỏ nhất khi không có tín hiệu ở đầu ra
và lớn nhất khi tín hiệu ra có dòng tải bằng 2Vcc/RL
Ví dụ: Mạch khuếch đại đẩy kéo công suất chế độ B ghép biến áp
Nguyên tắc hoạt động:
Đường tải ac và dc của transistor Q1 và Q2
➢ Công suất nguồn cung cấp: Pi ( dc) = Vcc idc
ic1(max) ic 2(max) 2
Trong đó: I = I
dc1 + I dc 2 = + = ic (max)
dc
  
2
Pi ( dc ) = Vcc ic (max)

➢ Công suất ra: 2 2
v L2 vCE v
PO (ac) = = 2 1 = 2CE 2
RL a RL a RL
Với biên độ tín hiệu ra đạt cực đại khi đó:
Vcc2 2Vcc2
max( Po ( ac )) = ; max (Pi ( dc )) = 2
2
2a RL a  RL
max ( Po ( ac )) 
max ( %) = 100% = 100% = 78.54%
max ( Pi ( dc )) 4
Mạch đảo pha tín hiệu

-
Mạch đảo pha tín hiệu

-
-
 Méo xuyên tâm trong mạch KĐCS đẩy kéo chế độ B
• KĐCS chế độ B cho hiệu suất cao hơn KĐCS chế độ A nhưng tín hiệu
ra bị méo, đặc biệt khi tín hiệu vào nhỏ tín hiệu ra sẽ bị méo xuyên tâm
(crossover distortion)

Đặc tuyến truyền đạt và dạng sóng vào ra của mạch khuếch đại đẩy kéo
 Mạch khuếch đại công suất chế độ AB
• Mạch KĐCS chế độ AB kết hợp những ưu điểm của mạch
KĐCS chế độ B và A (hiệu suất cao, ít méo). Tr được phân
cực có điểm Q ở vùng khuếch đại.
• Trong mạch KĐCS đẩy kéo do mỗi Tr dẫn ở một bán kì nên cần một
tầng đảo pha, để giảm bớt tầng này ta sử dụng hai Tr bổ phụ (là hai Tr
có cùng thông số đặc tính nhưng khác loại) và để thay biến áp xuất âm
ở đầu ra người ta dùng nguồn đôi (OCL) hình a, hay dùng nguồn đơn
nhưng có thêm tụ xuất âm ở đầu ra (OTL) hình b.

Sơ đồ mạch khuếch đại đẩy kéo: a) dùng hai nguồn cung cấp (OCL);
b) dùng một nguồn cung cấp (OTL)
Xét mạch KĐCS đẩy kéo chế độ AB (OCL)

BK + DẪN
 Nguyên tắc hoạt động:
Ở bán kì chu kỳ dương của tín hiệu transistor Q1 được phân
cực thuận và Q2 bị phân cực ngược nên Q1 dẫn và Q2 ngắt
xuất hiện dòng ic1 biến thiên trên tải theo dòng đầu vào làm
điện áp trên tải biến thiên theo.
• Tương tự như vậy, ở bán kì âm của tín hiệu transistor Q1 bị
phân cực ngược và Q2 được phân cực thuận nên Q2 dẫn và
Q1 ngắt xuất hiện dòng ic2 biến thiên trên tải theo dòng đầu
vào làm điện áp trên tải biến thiên theo.
• Vậy tín hiệu ra trên tải được khuếch đại ở cả bán kì âm và
bán kì dương của tín hiệu.
• Để sử dụng nguồn đơn thay cho nguồn đôi của mạch OCL,
sử dụng thêm một tụ xuất âm và để giảm điện trở đầu ra.
• Để nâng cao hệ số khuếch đại dòng ra tải sử dụng các
transistor mắc darlington. R2 được chỉnh sao cho tín hiệu ra
bị méo thấp nhất.
 Méo do sóng hài
• Các mạch KĐ ảnh hưởng bởi tín hiệu nhiễu và nó
làm méo (sai lệch) tín hiệu ra so với tín hiệu vào,
mạch KĐ có công suất càng cao thì càng bị ảnh
hưởng nhiễu. Có nhiều nguyên nhân, ta chỉ khảo sát
sự méo tín hiệu đầu ra do sóng hài, biết rằng một tín
hiệu sin chỉ có một tần số duy nhất.
 Méo do sóng hài

• Méo tín hiệu xảy ra do đặc tính không tuyến tính của
các linh kiện trong mạch và do đáp ứng với các tín
hiệu đầu vào tại các tần số khác nhau của mạch
điện và linh kiện trong mạch.
• Đối với các dạng mạch KĐCS, sự méo tín hiệu do
sóng hài ở đầu ra chủ yếu xảy ra trong mạch khuếch
đại công suất chế độ B và AB.
Phương pháp phân tích fourier.
An
• Méo do sóng hài bậc thứ n là: Dn % =  100%
A1

Trong đó A1: biên độ sóng cơ bản

An: biên độ của sóng hài bậc n
Vậy tổng méo tín hiệu do các sóng hài gây ra là:

THD% = 2
D2 + 2
D3 + 2
D4 +  100%
Một mạch khuếch đại được đánh giá tốt khi tín hiệu ra có
biên độ tín hiệu sóng hài bé hơn tín hiệu gốc nhiều lần và
THD% càng bé càng tốt.
Phân tích dạng sóng trong mạch khuếch đại công suất chế độ B
 Bài tập
Bài 1. Cho mạch khuếch đại như hình vẽ :
RC = 50Ω, RL = 50 Ω, Vcc = 24V, Vce = 12V.
a. Tìm công suất trung VCC

bình nguồn cung cấp.

b. Tìm công suất trung
bình trên tải.
c. Tìm hiệu suất của Vi RL

mạch.
d. Tìm hiệu suất truyền
tải cực C.
 Bài giải :
a) Công suất trung bình của nguồn:
VCC − VCE 24.12
PCC = VCC .I CQ = VCC ( )= = 5,76V
RC 50
b) Công suất trung bình trên tải: 2 2
I R V
PL = i 2L R L = PL L = PL
2 2R L
c) Hiệu suất của mạch :
Điện áp cực đại trên tải:
VPL = ICQ rL = ICQ (R C // R L ) = 0,24 (50 // 50) = 6V
62
PL = = 0,36W
2.50
PL 0,36
= = = 0,0625
PCC 5,76
d . Công suất tiêu hao trên transistor
PQ = VQ .I Q = VCE .I CC = 12.0,24 = 2,88W

e. Hiệu suất truyền tải cực C

 Bài 2
• Cho mạch điện như hình vẽ :
• RL = 10 Ω, VCC = 20V,cuộn sơ cấp có N1=100 vòng và
cuộn thứ cấp N2 = 50 vòng .
– a)Tìm công suất cực đại trên tải .
– b) Tìm công suất tiêu hao trên mỗi transistor khi công
suất cực đại trên tải.
 Bài giải
Tỉ số biến áp giữa một cuộn sơ cấp với cuộn thứ cấp :

Do a = 1 nên điện áp và dòng điện cực đại ở cuộn sơ cấp và thứ cấp
bằng nhau :
VP(max) = VPL(max) = VCC = 20V ;
Vcc 20
I P(max) = I PL(max) = = = 2A
RL 10
a) Công suất cực đại trên tải 1
PL(max) = VP(max)  I P(max) = 20W
2
b) Công suất tiêu hao trên mỗi transistor :
 Khảo sát
một số dạng mạch
thực tế
Ví dụ: Mạch KĐCS 100W OTL

OTL = Output Transformer Less

 Các đặc điểm chính:
• Q1 là transistor khuếch đại điện thế và cung cấp tín hiệu cho
2 transistor công suất.
• D1 và D2 ngoài việc ổn định điện thế phân cực cho 2
transistor công suất (giữ cho điện thế phân cực giữa 2 chân
B không vượt quá 1.4V) còn có nhiệm vụ làm đường liên lạc
cấp tín hiệu cho Q2 (D1 và D2 được phân cực thuận).
• Hai điện trở 3.9 (để ổn định hoạt động của 2 transistor công
suất về phương diện nhiệt độ.
• Tụ 47μF tạo hồi tiếp dương cho Q2, mục đích nâng biên độ
của tín hiệu ở tần số thấp (thường được gọi là tụ Boostrap).
• Việc phân cực Q1 quyết định chế độ làm việc của mạch công
suất.
Mạch KĐ công suất 40W- OCL

OCL = Output Capacitor Less

Mạch kđ công suất BTL

TDA8567Q
4  25 W BTL quad car radio
power amplifier

BTL = Balanced Transformer Less

Dạng mạch: OCL.
Công suất ngõ ra: PLMax = 100W.
Băng thông: BW = 20Hz – 20KHz.
Tải RL = 8ohm.
Mạch cấp mức dòng phân cực DC.