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主编按——AP 手册 7.
0 前言
这是 AP 手册更新的第 7 版，也是 TD 致力于推动 AP 备考资源整合与升级的第 7 年。实际上，TD 研

发出的「AP 备考计划」、「AP 长线备考计划」、「AP 考前冲分集训」以及「AP 通关计划」课程，性价比
极高，收获了 8000+同学的认可与好评，是有 AP 备考需求的同学们的首选口碑产品。但相信依然会有一部
分囊中羞涩的同学望而却步。因此为了保证同学们都可以享受到高质量的 AP 学习资源，TD 不仅整合了市
面上最全的 AP 备考资料，每年都会倾注大量时间、人力、物力对 AP 备考干货群进行更新，也坚持每年对
AP 手册进行优化。希望通过 TD 的努力能让更多的同学以更低的成本解决 AP 备考时遇到的问题。
作为一本已经更新到第 7 年的 AP 备考神器，我们的每一次更新秉承绝不做无用功的原则。相比于之前
的版本，这次的升级，主要体现在以下几方面：
1. 新增学霸备考经验文、考情回顾与核心词汇集，全方位助力备考
AP 手册 7.0 在原有 15 个科目的核心词汇基础上，新增 AP 历史类科目的 Key Idea 合集，帮助搞定学科
专业名词。此外新增学长学姐 5 分备考经验文与 2022 年北美 FRQ 考情回顾，帮助同学感知考试动向，做到
备考有的放矢。
2. 单元知识导图提纲挈领，总结复习做到有始有终
在最新的 7.0 手册中各单元的知识导图不仅可以展现本单元的学习核心和重点，更能帮助同学整体构建
内容框架，完善知识结构。在每单元后以填空形式再次出现的知识导图，搭配「重点知识摘抄区」，用于学
生自行填写进行总结复习，学习有始有终才能提高学习效率。
3. 学长学姐整理笔记心得，前人经验助力 AP5 分
AP 手册 7.0 经过 6 年的迭代更新，不仅包含化繁为简的 AP 知识讲解，更整合了历年学霸编者们的学习
经验，还均在 TD 授课教师的订正下根据最新考试大纲保证了对知识点的全面解读。各单元后增添的配套真
题练习，更能实现有讲有练，保证知识吸收。
4. 新增 FRQ 真题及高质量模拟题，辅以详细解析有讲有练
对于备考来说，刷题的重要性不言而喻，辛苦学习的知识是否能够转化为有效分数，都需要在真题这块
试金石上碰一碰才能见分晓。本次手册中，我们不仅更新替换了 6.0 版本中不适配考点的题目，还将有针对
性的 FRQ 真题按照知识点拆分编入每个单元的练习题中，帮助同学们逐步将所学知识点落到实处。除此之
外，手册的每道题目都配备了对应的详细解析，有学有练，真正帮助同学们备考 AP。
5. 「学长学姐说」广泛征稿，跨时空对话实现高效备考
「学长学姐说」中无论是学霸们的备考心得还是易错难点，应有尽有。AP 手册 7.0 进一步广泛征稿，
邀请各位 5 分学霸投稿自己的学习经验，再由授课教师进行审核与采纳，逐年更新迭代，真正实现跨时空对
话。除此之外，学长学姐贴心的 tips 也会让 APer 们感受到“备考有陪伴，学习有依靠”。
6. 排版精美简洁心意满满，年度考试日历实用性超高
AP 手册 7.0 版继续沿用官方大纲版式，「知识区」「笔记区」「错题归纳」与「错因分析」等新增专栏
更能帮助学生保留学习痕迹，便于考前总结和复习。此外更新后的 2023 年年度考试日历，包含各主流国际
考试的考试时间，超高的实用性帮助同学们理清多线备考的进程。
和前六年一样，参与编撰的研发成员最基本门槛自然是对应科目 AP5 分，同时更为难能可贵的则是大
家都有着良好的学习总结能力和笔记习惯，同时深知 AP 备考的痛点和难点。
TD 的各位授课教师也对 AP 手册进行了多轮的审核和返稿修改，本次参与审核的全部为 TD AP 教研组

内平均教龄 7 年+的授课老师们，老师们根据多年教学经验对 AP 手册中的知识性内容和题目解析进行了逐
轮严格的把关和筛查，力求为同学们送出最有价值和最有针对性的 AP 备考神器。
尽管参与者在相关科目的背景都足够靓丽，但我们的定位并非「教材」，而是一本「学长学姐笔记」—
—即在确保知识框架严谨且完整的前提下(感谢各位教师在审稿阶段反复核对，耐心沟通)，尽量丰富地展现
出一个考生在备考过程中总结出来的各式经验。而这些正是 AP 手册 7.0 区别于传统教辅的真正价值所在：
这是一本「有温度的学长学姐笔记」，学长学姐们备考过程中所经历过的疑惑、困顿，以及他们踩过的坑、
走过的路，都可以在其中找到踪迹。
最后，由衷的感谢所有参与者的付出，编写组成员在一个多月的时间里投入了大量的时间和精力，绝大
部分小组的成果都远远超过最初的预期，希望我们的工作能够为之后一届又一届的同学们带来价值。同时
也特别感谢 AP 手册 2.0 版本的连龙/Atlas；3.0 版本的 François Simon Menn；4.0 版本的吴峥鲤；5.0 版本的
Jimmy Suo 以及 6.0 版本的 zyx 的付出，为第 7 版 AP 手册奠定了优质的基础。
特别说明一下，因为工作量比较大，编撰的过程难免有疏漏。如果你在使用的过程中发现了有学术上的
漏洞或者其他任何建议，欢迎发邮件到 testdaily@163.com，我们一定抓紧改正。此外我们会将已修改的问题
同步更新在石墨文档中：https://shimo.im/sheets/n8oTcPUhgBgsANDd/MODOC《AP 手册 7.0 版本同步修改
@TD》，以便同学们随时查看更新情况。
此外，如果你也想将你的备考趣事或复习建议加入到 AP 手册的「学长学姐说」专栏中，陪伴之后的
APer 度过备考时光，我们十分欢迎你的投稿！无论是你在备考 AP 过程中踩过的雷，还是想要补充的知识易
错难点，都将成为之后 AP 考生们前进路上的明灯，为他们指明备考的方向。投稿一经采用，不仅可以领取
到丰厚的稿费，还可以将你的名字刊登在新一版的 AP 手册上，带来满满的成就感。扫描下方二维码即可快
速投稿。
愿我们的工作能让你的备考之路变得容易一些，也愿你的备考申请一切顺利。
TD Ellie/文
AP 物理 C 电磁目录@TD
Part Ⅰ: Orientation..............................................................................................................................3
Orientation AP 白皮书科目解读...................................................................................................... 3
1. Introduction TD 教师科目点拨 ........................................................................................... 3
2. Course Content 考试大纲 .................................................................................................... 8
3. Exam Components 考试形式 .............................................................................................. 9
4. AP Score Conversion Chart & Score Distributions 评分及往年 5 分率 ........................... 10
5. Exam Preparation 备考建议 .............................................................................................. 11
6. Course Resources 资料推荐 .............................................................................................. 12
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Part ⅠI: Content Review....................................................................................................................17
UNIT 1: Electrostatics 静电学....................................................................................................... 17

1. Electric Charge 电荷 .......................................................................................................... 17
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2. Electric Field 电场 ............................................................................................................. 23
3. Electric Potential Energy and Electric Potential 电势能与电势 ....................................... 27
4. Gauss’s Law 高斯定理 ...................................................................................................... 39
5. Fields and Potentials of Typical Charge Distributions 常见带电体的场强和电势分布 .. 46
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6. Practice 章节练习 .............................................................................................................. 61
UNIT 2: Conductors, Capacitors, Dielectrics 导体、电容与电介质............................................ 77
1. Conductors 导体 ................................................................................................................ 77
2. Capacitors 电容器.............................................................................................................. 82
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3. Dielectrics 电介质 ............................................................................................................. 86

4. Practice 章节练习 .............................................................................................................. 90
UNIT 3: Electric Circuits 电路 ...................................................................................................... 93
1. Circuit Components and Features 电路的组成部分和性质 ............................................. 93
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2. Circuit Analysis 简单电路分析 ......................................................................................... 97

3. Complex Circuit 复杂电路 .............................................................................................. 104
4. RC Circuit 电阻-电容电路 .............................................................................................. 106
5. Practice 章节练习 ............................................................................................................ 113
Unit 4: Magnetic Fields 磁场....................................................................................................... 123
1. Magnetic Fields 磁场 ....................................................................................................... 123
2. Laws of Magnetic Field 磁场计算定律 .......................................................................... 134
3. Calculation of Magnetic Field 磁场强度的计算 ............................................................. 135
4. Practice 章节练习 ............................................................................................................ 144
UNIT 5: Electromagnetism 电磁现象 ......................................................................................... 157
1. Electromagnetic Induction 电磁感应 .............................................................................. 157
1
2. Inductor 电感器 ............................................................................................................... 169
3. Maxwell’s Equations 麦克斯韦方程组 ........................................................................... 174
4. Practice 章节练习 ............................................................................................................ 176
Appendix: Equations 附录：新大纲方程式 ............................................................................... 183
Part Ⅲ: Experience... .187
Part Ⅳ: 2022 North American FRQ Examination Review……………………………………....193
Part V: Glossary…… .207
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Part VI: Planning Your Course………………………………………………………………….215
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AP
Orientation AP 白皮书科目解读
1. Introduction TD 教师科目点拨
内容难度: 物理 C 力学、物理 C 电磁的五分率一直是 AP 中最高的科目之二，近年
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都在 30%左右，2020 年更是达到了 40%，单从这方面看，应该算是比较好考的两门
课了。但是从内容难度来看，对数学的要求高，需要掌握微积分，同时对知识考察
深入，推荐在 11 年级和 12 年级进行学习。

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内容广度: 物理 C 相对于物理 1/2 来说，范围小了很多，没有物理 1/2 其余的光、
电、量子物理等等内容。从这方面看，迈过数学的难关以后，学习起来会比物理 1/2
相对顺利。但物理 C 的知识更有深度，也会考察一些更复杂的物理模型。
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专业方向和就业: 物理学可以认为是所有自然科学及工程科学的基础，对于大部分
理工专业，比如建筑、气象、计算机、工程，物理学都是必修的。对物理要求高的
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专业比如物理、天文及土木工程等工程类学科，相比物理 1/2，则更加倾向于难且深
的物理 C。
——笔记区——
Note Taking Area
From Here, Go Anywhere

3
关注和3 出国学一起
AP
推荐指数: ★★★★★
对于具有较好的数学基础的同学，推荐指数五星，建议理工科专业的学生都可学
习，因为一方面物理是这些专业的基础，另一方面物理 C 高五分率带来相当高的容
错。同时在学习前先打好数学基础以便更好地投入物理 C 学习中。AP 物理 C 两门 5
分线也很友好，电磁学和力学的卷面满分都是 90 分，5 分线通常划定在 45-55 分。
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学习基础: AP 物理 C 力学几乎不需要任何物理基础，即便是大部分同学所掌握的初
中力学知识，比如路程和速率、力和平衡、动能和势能等基本概念在物理 C 力学中
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都会重新学习。当然如果有初中力学基础会学起来更加容易。而 AP 物理 1 的内容涵
盖了 AP 物理 C 力学几乎所有不涉及微积分的内容，所以如果有 AP 物理 1 的基础，
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在学习 AP 物理 C 力学时新内容就不多了。
AP 物理 C 电磁则需要有一定的力学的基础，主要会用到其中关于运动学、牛顿运动
es
定律、功和能等方面的知识，去分析电场和磁场中的受力和运动。另外 AP 物理 2 的
电磁部分的三个单元只能涵盖物理 C 电磁一半左右的内容，有几块重要的部分比如
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高斯定理、电容电感的充放电、以及所有涉及微积分的知识点在物理 2 中都不涉
及，所以物理 2 的基础对物理 C 电磁的帮助不如物理 1 对物理 C 力学的帮助多，但
也能够节约一定的学习时间。
AP 物理 C 力学和电磁都需要一定代数和微积分基础，代数主要包括: 多项式函数、
三角函数、指数函数、对数函数等函数的概念、性质、图像，以及线性方程和方程
组的求解；微积分主要包括：求导、求积分、用分离变量法求解微分方程。
— — 笔记区——
Note Taking Area

4
AP
与其他国际课程与竞赛的异同: AP 物理 C 力学包括运动学、牛顿运动定律、功和
能、动量、转动、振动、引力七个单元，AP 物理 C 电磁包括静电学、电容和电介
质、电路、磁场、电磁感应五个单元，且在两个科目的每个单元中都有需要运用微
积分去理解或计算的知识点。
AP 物理 C 力学与普高物理中的力学部分相比，转动和振动(简谐运动)这两个单元的
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知识是普高不太涉及的，尤其是转动会成为普高学生需要重点突破的难点。另外在
相似的单元内，AP 物理 C 力学可能要求更多的情景和更多的计算，比如碰撞中的动
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量守恒会考虑二维的情况。此外，所有与微积分相关的知识点都是普高物理不要求
的，比如对速度求导和求积分计算加速度和位移，用积分计算变力的功和冲量，用
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微分方程求解流体阻力作用下的速度方程，用微分方程描述简谐振动，等等。但是
在重合的知识点上，AP 力学题目的难度远低于高考，所以普高生可以直接轻松上手
大部分 AP 题目。
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AP 物理 C 电磁的各个单元在普高都会学习，只是单元内部有些知识点在普高不涉
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及，比如涉及电容和电感的 R-C、R-L、L-C 电路的充放电过程的定量计算，和高斯
定理、基尔霍夫定律、安培定理、毕奥萨法尔定律等。所有和微积分相关的计算，
比如电场电势的微积分关系、用积分计算不均匀磁场的磁通量、用求导计算感应电
动势，以及本身用积分形式给出的高斯定理、安培定理、毕奥萨法尔定律等，在高
考中都不要求。而普高电学知识中的交变电流在 AP 中不涉及。同样在重合的知识点
上，AP 电磁题目的技巧性和变化性会远低于高考。
Note Taking Area

5
AP
AP 物理 C 力学和电磁的绝大部分单元在 A-Level 和 IB 的物理中都会涉及，只不过
A Level 和 IB 物理不使用微积分，所以更接近 AP 物理 1 中的力学和 AP 物理 2 中的
电磁。只有一个特殊的单元: AP 物理 C 力学中的 Unit 5 转动，在 A Level 物理中只
涉及力矩的概念和效果，不涉及转动惯量、转动形式的牛顿第二定律、转动动能、
角动量等内容，而在 IB 物理中转动是属于 Option B: Engineering Physics 中的内容，
是一个可选非必需的单元。
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AP 物理 C 力学能涵盖 A Level 数学 M 的全部内容和进阶数学 FM 中的绝大部分内
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容。在 FM 中，有两个知识点在 AP 物理 C 力学中不涉及，一个是碰撞中恢复系数
的概念和牛顿碰撞定律，另一个是 a=v(dv/ds)形式的微分方程的求解，但是有 AP 物
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理 C 力学的基础理解起来都会很容易。
AP 物理 C 力学和电磁的所有知识都可能出现在 Physics Bow1(物理碗)当中。根据官

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方的解释：The questions on the PhysicsBowl are taken from high school physics. This is
a broad answer as high school students take everything from conceptual physics to AP
Physics B/C and even modern physics. As this is a contest, it is NOT expected that any one
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person/school will cover all of the topics on the test.虽然官方指出并不期待学生能掌握
所有物理碗当中涉及到的物理知识，但显然掌握 AP 物理 C 力学和电磁的知识能帮
助学生更好地应对物理碗竞赛。而 F=ma 竞赛中的只考察基于代数的力学知识，所
以 AP 物理 C 力学可以完全应对，甚至有些题目可以利用微积分方法更简单地求
解。但是 F=ma 竞赛中的流体力学部分需要在 AP 物理 2 当中学习。
— — 笔记区——
Note Taking Area

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AP
总的来说，AP 物理 C 力学和电磁涵盖的内容要比普高、A Level、IB 中的力学和电
磁部分多，难度低于普高，但高于 A Level 和 IB。此外对准备物理碗和 F=ma 竞赛的
学生是非常值得学习的科目。
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Note Taking Area

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2. Course Content 考试大纲
电磁学：
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数据参考来源：https://apcentral.collegeboard.org/courses/ap-physics-c-electricity-and-magnetism/course
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— — 笔记区——
Note Taking Area

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3. Exam Components 考试形式
电学考试分为两个部分：35 道题的选择题部分和 3 道简答题部分，每个部分占总分
的 50%。整个考试期间考生都可以使用计算器，每个部分也会有公式表给出。同
时，物理 C 也是 AP 时间最短的考试之一，每场考试 90 分钟。
电磁学:
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数据参考来源: https://apcentral.collegeboard.org/courses/ap-physics-c-electricity-and-magnetism/exam
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Note Taking Area

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4. AP Score Conversion Chart & Score Distributions 评分
及往年 5 分率
那么要多优秀才能拿到 AP 物理 C：电磁和力学的 5 分呢？我们可以参考下其 2019
年的容错率：
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电磁学近年以来的分数分布如下:
Score 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022
5 28.5% 32% 28.1% 35% 34.6% 40.0% 32.6% 30.0%

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4 24.9% 22.6% 25.1% 23.1% 22.6% 22.1% 23.1% 24.5%
3 13.7% 13.5% 15.6% 13.7% 13.9% 11.5% 13.8% 14.3%
2 19.8% 19.3% 18.2% 17.3% 17.8% 16.3% 18.0% 18.3%

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1 13.1% 12.6% 13% 10.9% 11.1% 10.1% 12.5% 12.9%
数据参考来源: https://apstudents.collegeboard.org/about-ap-scores/score-distributions
— — 笔记区——
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5. Exam Preparation 备考建议
如果考生已经学习过微积分，但没有太好的物理基础，建议可以提前半年开始准备
物理 C 力学或电磁学的考试，每周的学习时长大约 2-4h。如果之前学习过物理 1、
物理 2，可以把备考时间缩短到 3 个月。
备考的过程中可能需要注意一下三点:
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首先，平时做练习时，每道题包括选择题，都最好写出完整过程。这样有三个好处:
1. 方便做错后发现具体错误(比如某个公式弄混了，数值代错了，符号记错了);
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2. 有利于理清思路。如果是胡乱打草稿，很可能做到一半忘记自己采用的哪种方法;
3. 为大题书写详细过程做训练。
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其次，学完每章之后，给别人讲解几道题(可以是同学之间，也可以讲给你的老师)。
费曼说过，最好的学习方法就是给别人讲课。很多美国大学的教授在想学习新知识
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时，通常采用的方式就是在本科开一门课。自己边学，边给学生讲，这样自己独自
学习时发现不了的漏洞和逻辑问题都会暴露出来。拿我自己举例子，在我当了助教
之后，每次回答同学们的问题的过程，都是加深和检验我自身理解的过程。
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第三，每道错题都要进行改错。改错分为以下几部分:
1.考点;
2.详细过程、具体错误点;
3.一句话提醒(有些题可能没有)比如: 摩擦力和运动方向相反！
临近考试时，把每道错题的一句话提醒总结起来，作为考前 5 分钟最后提醒材料。
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6. Course Resources 资料推荐
推荐的教材书籍如下:
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1. University Physics with Modern Physics, Young and Freedman 编号: 15-05
这本教材的知识点讲解全面细致，图文并茂，注释和配图丰富。该教材在进行公式
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讲解时，公式旁边会有很多文字标注，这些文字是公式中每一个变量所代表的含
义，及注意事项等。不仅如此，教材的配图中也有文字注释，对图片进行进一步的
说明。这对于想要进行复习或者是想快速确认一些知识点的同学来说非常便利，无
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需查看正文，只需查看公式和旁边标注、图片及上面文字说明就完全足以理解。
该教材在进行示例讲解时，不是简单的列出计算过程，而是分成三部分逐步进行讲
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解: 识别物理场景，寻找相关变量建立物理模型；介绍解题思路，讲解解题步骤；讨
论结果。分析物理含义。此外教材中所使用的定义、符号、公式等内容与 CB 官方
考纲中所使用的符号、公式、表达方式等内容是一致的。这一点非常可贵，由于个
人习惯的不同，不同的老师在编写教材时，符号及表达方式的运用也会有所不同，
在这一方面，UPMP 教材是最贴近官方考纲的。但本教材只提供了一半练习题目的
答案，练习题目的答案不全。
— — 笔记区——
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2. University Physics Volume 1-2, Samuel J.Ling 编号: 15-09
本教材的排版比较简洁、顺畅，推荐喜欢传统排版风格的同学们使用。正文排版简
洁顺畅，除正文外没有分支性的注释和说明。此外，教材中的总结和练习层次清
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晰，答案全面。每一章后的总结和练习内容都十分丰富，并且划分为很多模块，非
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常适合在复习时使用。
其中总结分为三部分，分别是: Key Terms(关键术语)、Key Concepts(关键概念)、

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Understanding(一段话描述关键知识点)。练习也分为三部分，分别是: Conceptual
questions(概念性问题)、Problems(计算题)、Additional Problems(挑战题)。除此之
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外，所有的练习题都有答案。
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推荐的教辅书籍如下:
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1. 5 Steps to A 5 编号: 15-13
该教辅的课后习题与所学内容联系紧密，学到的知识在教辅中都可以找到对应的习
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题部分帮助同学们去掌握所学的内容，且与 AP 物理的讲义非常贴合，讲义上的内
容、考点和知识点，在这本教辅中都有与其对应的习题帮助同学们进行练习，更重
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要的是该教辅中的题目或是知识点的考法与 AP 物理考试几乎是一样的。
2. 5 Steps to A 5: 500 Questions 编号: 15-13

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相比于 5 STEPS TO A 5 来说，本教辅是它的进阶加强版，更考验我们的掌握程度。
对于学有余力的同学们来说，如果想要做更深层次的题目，可以使用这本教辅。
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3. Barron Physics C Premium 编号 : 15-14
与真题的习题结构一致，方便进行整体内容模拟考试。帮助同学们自主模拟真实考
试情景，考查自身的学习情况，但距离知识点和考点较远。虽与课程内容相接近，
但是这本教辅中的题目与 AP 物理考试考查的题型是不一样的，仅适合模拟考场。
注：上述资料在「TD AP 备考资料合集」中免费赠送。可扫描下方二维码添加客服小马甲领取哦~
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Electrostatics
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AP EXAM WEIGHTING

关注和出国学一起
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Chapter Introduction and Learning Strategy

本章节从宏观上来讲主要考察了同学们对于力、场和守恒的理解和
运用。在官方最新给出的考纲介绍中，对于本章节在考点的占比为。可见这一章节在中
的占比还是非常大的。部分考察本章的题目高斯定律之前是较为基础的，是整个电磁考试中的“送
分“大块。虽然考题基础、难度中等，但是同学们在进行考题复习时需要着重关注此类考题和知识点，
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实基础，把这些分拿到。对于难度中上的高斯定律，常常出现在中。但是回看年试卷，考察类
型和考题类型换不换药球壳类型题目考察频率较多。要保证此类题型拿到一个的分数还需要多多
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回看理解年试卷。在做题时不要、仔细分析。由于本章内容都是一些电磁学基础的概念，考试
在出题时往往会把本章内容联系后几章内容一起考察。所以同学们一方面在学习本章内容时要反复固
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概念、公式和基础，同时在学习后面的内容时也要多多回想本章静电学在后面的应用。
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AP
UNIT 1: Electrostatics 静电学
1. Electric Charge 电荷
1.1 Definition of Charge 电荷的定义
电荷(electric charge，简称 charge)是物质的一种性质，电荷分为正电荷和负电荷两
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种，带电物质会以同性相斥、异性相吸的性质对另一个带电物质产生力的作用。宏
观物质带电是由于带有负电荷的电子和带有正电荷的质子数量不同导致的，而摩擦
起电是由物体间电子转移得失导致的。
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点电荷(point charge)的概念类似质点，是我们把一个物体抽象成的一个只有电荷而没
有大小、形状的点。电荷的量用电荷量来表示，简称电量，SI 标准单位为库仑(C)，
简称库，是一个标量，正数代表正电荷，负数代表负电荷，一般符号用 Q 或 q 表
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示。
所有物体的带电量都只能是基本电荷(符号：e，也称元电荷)的整数倍。基本电荷是
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一个质子或者一个电子所带的电荷量的绝对值，大小约为1.6 × 10!"# C。
1.2 Law of Charge Conservation 电荷守恒
电荷守恒定律(law of charge conservation)是一种关于电荷的守恒定律。这一定律基于
一个基本原则：电荷不能独自生成与湮灭(类似能量守恒定律)。对于一个孤立的系
统，无论发生任何变化，在转移的过程中，所有电荷的代数和永远保持不变。
Note Taking Area

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若在一个物理过程中，系统产生或者消失了某种电荷，那么必定有等量的异号电荷
产生或者消失。
我们摘选了一道来自 1998 年官方真题第 38 题作为例子。
例 1. (CollegeBoard-1998-MCQ-38)
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此题正确答案选择 C 选项。根据电荷守恒，对于题目中提到的这个物理系统没有对
外的电荷溢出或者得到电荷，所以只涉及到内部的电荷转移。根据同种电荷互相排
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斥，异种电荷互相吸引的原理。棒子带有负电荷感应正电荷，伴随负电荷排斥到距
离棒子较远的一端也就是球 2。故选 C。
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1.3 Electrostatic Induction 静电感应
静电感应(electrostatic induction)的实质是把电荷移近不带电的导体，由于电荷之间的
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相互作用，异种电荷被吸引到带电体附近，而同种电荷被排斥到远离带电体的导体
一端(同种电荷互相排斥，异种电荷互相吸引)。这种可以使导体带电的现象叫做静电
感应。
— — 笔记区——
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AP
1.4 Three Ways of Charging 三种带电方式
摩擦(friction)可以使电子从一个物体转移到另一个物体上。如果物体得到电子，则带
负电。如果物体失去电子，则带正电。摩擦两物体，例如梳子和头发。梳理后的头
发带负电荷，因为头发获得了从梳子上失去的负电荷。梳子因为失去负电荷所以带以上三种方式是对于导体而言的，因
为在导体中电子是可以流动的。对于
正电。所以如果我们将摩擦后的梳子靠近轻小物体例如纸屑，纸屑会吸附在梳子非导体来说，有带电体靠近时会发生
极化 polarization 现象。假如一个带
ly
上。正电的物体从左边靠近一个非导体，
此时非导体内每一个分子内的带负
电的部分都会聚集到左边，分子内带
正电的部分会聚集到右边。但是由于
感应(induction)的实质是通过让其它带电物体靠近但不接触，使电荷从物体的一部分
ai 他们不能自由移动，最终形成的状态
转移到另外一部分。利用静电感应使金属导体带电的过程叫感应起电。是很多个左负右正的分子。
分 er/ Josie
tD
传导(conduction)本质上是对于导电材料来说，因为电子可以在其材料内部自由流
动。如果两个带电的物体互相接触，将会发生电荷转移。
有些考察电荷转移的题目中会提到
es
把一个带电物体接地，或者类似于
带电方式和静电感应是 AP 考试中选择题经常出现的题目类型。大多数这类的题目难 completely discharged 这种表达。这里
的接地还有 discharged 表示的就是放

度不大，但是不妨有一些陷阱。同学们应对这些题目时需要逐步分析电荷的移动，电，把电荷清到 0。
T
分 er/zyx
看清题目对于电荷转移、带电方式的描述。
我们节选了 2008 年 AP 考试选择题第 8 题。该题考查了同学们对于静电感应、带电
方式中的感应(induction)的知识。
Note Taking Area

19
AP
例 2. (CollegeBoard-Practice-2008-8)
这道题考察到了 induction 和 ground

wire 相关的知识点。这种题目有一个
比较通用的，就是先考虑外的
带电物体能够让导体内的异种电荷
离这个物体近，同种电荷离这个物体
。然后考虑 ground wire 的作用就
ly
是吸被排的那种电荷。最后下
的电荷在导体中会可能地离
此分布，也就会分布在外表面。通过
这三个步，可以很地把这类题目
ai
做出来。
分 er/ 举杯
tD
es
T
此题正确答案选择 B 选项。题干中有我们需要着重注意的几点。第一，小球和杯子
并不互相接触表明后续起电方式应该为感应 induction。第二，杯子外表面接第表明
在接地的过程中杯子外表面始终是呈电中性。当带有正电的小球悬在杯口时，由于
静电感应(同种电荷互相排斥，异种电荷互相吸引)和小球正电吸引，杯子内壁聚集负
电荷，杯子外壁由于接地线，保持电中性。当小球和接地线被移走，感应消失。此
时整个杯子呈现净负电荷。原先杯子内壁负电荷向电中性方向移动并且互相排斥到
杯子外壁。由此选 B。
— — 笔记区——
Note Taking Area

20
AP
1.5 Coulomb’s Law 库仑定律
库仑定律(Coulomb's law)说的是在真空中的两个静止点电荷的相互作用力与距离平方
成反比，与电量的乘积成正比，作用力的方向在它们的连线上。同符号电荷相斥，库伦定律和我们熟悉的万有引力定
律形式一样。万有引力定律是
异符号电荷相吸。标量形式用公式表示是： G*m1*m2/r^2, 库伦定律是
k*q1*q2/r^2。
)" )$
&=( $ 分 er/ChaiZX
*
ly
其中 F 是两个点电荷的相互作用力，k 是库仑常数，q1、q2 是两个点电荷的电量。r
是两个点电荷之间的距离。
ai
库仑常数与真空介电常数(Free Space Electric Permittivity，通常表示为 ε0)的关系为：
1
(=
4π-%
tD
其中-% = 8.85 × 10!"$ F/m。F(法拉)是电容的单位，我们在第二章中会学到。
有时候库仑定律会写成：
1 )" )$
es
&=
4π-% * $
而考虑方向以后，对于矢量&⃗ 来说，库仑定律会被写成：
T
1 )" )$
&⃗ = *̂
4π-% |*⃗|$
最右边的*̂ 是单位矢量，它的大小为 1，没有单位，方向由源点(产生场的电荷/施力
物体位置)指向场点(被研究物体/受力物体位置)。引入*̂ 是为了说明在两个电荷同号
时，&⃗ 与 *̂ 方向相同，在两个电荷异号时，&⃗ 与 *̂ 方向相反。
Note Taking Area

21
AP
AP 考试对于库伦定律的例题出现次数较为频繁，通常考察考生们对于库伦定律公式
的的理解和运用。公式本身难度不大，所以在一些 MCQ 中常常会把库仑定律结合其
他的物理知识一起来考察。例如我们下面这道来自于官方 2008 年 Practice 的第五
题。
ly
ai
tD
es
T
— — 笔记区——
Note Taking Area

22
AP
这道题目正确答案选择 E 选项。结合库仑定律，我们可以算出两个小球互相的排斥
&' !
力为。绳子的 Tension 等于小球的重力减去两个小球互相的排斥力。故选 E。本题
(!
考查了同学们对于库伦定律和受力分析的应用。题目相对灵活，需要同学们仔细受
力分析。
2. Electric Field 电场
ly
2.1 Definition of Electric Field 电场的定义
电荷对本身之外的其他电荷有着吸引或者排斥的作用，传递这个引力或斥力的物理
ai
场就是电场(electric field)。电荷在一个电场里的受到的作用力称为电场力。
tD
2.2 Electric Field Strength 电场强度
把一个正点电荷放在一个电场中，在电场的不同位置，这个点电荷受电场力的大小
es
和方向不一定相同，这是因为电场中的每一个点的电场强弱和大小不一样。我们引
入电场强度(Electric Field Strength/Intensity)这个矢量表示电场在某一个位置的方向和
强度这两个属性，简称场强，单位为 N/C 或者 V/m。将一个带适量正电的试探点电

T
荷放入电场中，这个电荷所受电场力的方向就是电场强度在这个点的方向，所受力
与试探电荷的电荷量的比值就是这个点的电场强度的大小。公式为：
&⃗
78⃗ =
)
Note Taking Area

23
AP
其中 78⃗ 是电场强度，&⃗ 是试探电荷所受电场力，q 是试探电荷的电量。这个公式也可
以推到其它点电荷使用，但是要注意，如果 q 是负数，那么 78⃗ 和 &⃗ 的方向相反。正
点电荷激发的场强方向发散，负点电荷激发的场强方向汇聚，如图 1.1 所示。结合
" '# '! ⃗/

&⃗ = )*+ !
*̂ 和78⃗ = ' 这两个公式，我们可以推算出点电荷所激发的场强为：
" |-⃗|
1 )
78⃗ = *̂
4π-% |*⃗|$
其中 q 是点电荷的电荷量，*! 是由点电荷到需要求的位置的单位矢量(确定方向)。
ly
在计算电场 E 时，如果我们不考虑方向，只考虑大小，可以使用下面这个计算点电
荷电场的标量公式：
ai
1 )
7=
49-% * $
tD
es
T
图 1.1 Electric Field Produced by a Positive Charge and a Negative Charge
在 AP 考试中，关于电场强度的题目在选择题和问答题中都有涉及。主要考察同学们
对于电场强度的理解，并且要求考生对于电场强度公式和公式变形有熟练的掌握。
在考题中常常和匀强电场、电势和电容相结合考察。
— — 笔记区——
Note Taking Area

24
AP
下面这道来自官方 1998 年第 45 题就考察电场强度的相关内容。
例 4. (CollegeBoard-1998-MCQ-45)
正确答案选择 C 选项。在之前我们提到，电场矢量都是由正电荷“发出”向外，首在上面这道例题中，很多同学都会被

A 和 B 所困惑。往往如果只看公式的
ly
先我们可以确定在 I 和 III 区间内，两个电场才能排斥(方向相反)。对于电荷量比较
话就会绕入一个无底洞。对于这种情
况，我们最好从定义本身出发。我们
大的电荷，相应对比电荷量小的电荷，在离电荷距离相等时，电场强度大(根据公
可以将电场强度形象理解为电场线
式)。所以，在此题中，电场强度在靠近+2)电荷区间内为 0，故选 C。
ai 的密集程度(聚集程度)。如果将上述
两块电板距离拉大，虽然电场线变长
了，但是任然不影响电场线的密集程
2.3 The Superposition Principle 电场的叠加原理度。

tD
分 er/Jimmy Suo
空间中的某一个点周围如果有多个点电荷，这个点的电场强度是把这些点电荷各自
产生的电场强度的矢量和。图 1.2 中，q1 形成的电场在点 P 的电场强度是 E1，而 q2

es
形成的电场在点 P 的电场强度是 E2，在 P 点的电场强度就是 E1 和 E2 叠加，如图中
E 所示。
T
图 1.2 Superposition of Electric Field
Note Taking Area

25
AP
对于等大异种电荷在中轴线的电场叠加。如图 1.2，同学们可以先分别画出在某一点
受两电荷的电场方向，然后再通过矢量叠加的方法得出方向和大小。建议同学们在
解决此类问题时可以在题目中把电场向量标出明确方向后再进行计算。
对于等大同种电荷在中轴线的电场叠加，如上图，如果将负电荷替换成正电荷，我
们可以使用相同的方法标出分别标出电场，此时 P 点电场方向向右，净电场强度按
ly
照矢量叠加计算。
2.4 Electric Field Lines 电场线
ai
tD
es
图 1.3 Electric Field Line and Field Direction
电场线(electric field line)是一种假想出来的线，用来表现电场的方向和大小。如图

T
1.3 所示，电场线上每一个点所在的切线方向就是电场的方向，而电场线的疏密程度
则代表了电场的大小。
— — 笔记区——
Note Taking Area

26
AP
图 1.4 Electric Field caused by Point Charges
ly
图 1.4 展示了几种常见的点电荷电场，电场线从正电荷延伸到负电荷(或延伸向无穷
远)。
ai
3. Electric Potential Energy and Electric Potential 电势能
与电势
tD
3.1 Definition of Electrical Potential Energy 电势能的定义

es
T
图 1.5 Change of Potential Energy in Uniform Electric Field
Note Taking Area

27
AP
让我们从一种简单的情况说起，以上图 1.5 左边的系统为例。我们假设左上图中的极
板之间为匀强电场，电场强度为 E，红色小球带有的电荷为 q0，那么假设带电小球
在一定时间里沿着电场方向移动了距离;(小球没有撞到极板上)，因为 q0 和 E 都是不
变的，F 也是不变的，因此小球的动能变化也就是在 F 在电子上所作的功(根据动能
定理)为：
∆= = > = &; = )% 7(@0 − @1 )
ly
在这里，功 W 和动能的改变量∆=都是标量，所以后面使用了 F 的大小，因为取向下
方向为正方向，总体来说小球的动能增加了。那根据能量守恒，这些动能的增加是
ai
哪里来的呢？这些动能是由电势能转化来的，电势能(electric potential energy，在电
磁学中有时会简称为 potential energy)，用符号 U 表示，在上面这个例子里电势能的

tD
减少量就等于动能的增加量。
当然，如果电场强度和移动方向并不垂直，假设夹角为 α 的话，那么：
∆C = −∆72 = −> = −&⃗ ∙ ;⃗ = −&; cos H = −)7; cos H

es
这个公式有一个适用条件，那就说在点电荷的移动过程中，F 和cos H不能改变，如
果这个过程是改变的，我们就需要分段计算，如果是连续变化的，那么我们需要通
T
有没有觉得这些公式跟重力势能相过分成无数小段来积分计算。我们通过功的公式：
关的公式非常相似呢？在刚学电学 1
的时候我经常把电势能与重力势能 >0→1 = I & cos H dK
0
类比，因为他们俩有很多相似的性质。
对于一个下落的物体（顺着重力场的配合 F 随位置变化的表达式进行求解即可：
方向移动），我们说重力势能减少，动
>0→1 = C0 − C1 = −(C1 − C0 ) = −∆C
能增加。对应到电学内，对于一个沿
着电场方向移动的物体，那么电势能因此：
减小，根据能量守恒原理，动能增加。
1
分 er/ Josie ∆C = −>0→1 = − I & cos H dK
0
— — 笔记区——
Note Taking Area

28
AP
一般在没有另外说明的情况下，我们假设无穷远处的电势能为 0，所以从无限远处向
一点积分就可以得到这个点的电势能，在 a 为无限远处，b 为要求的点的时候，上式
可以化为：
1
C = −>4→1 = − I & cos H dK
4
3.2 Potential Energy by a Point Charge 点电荷电场的电势能
ly
ai
修改如下：
在计算一个点的电势能时，如果通过
tD
力和功、计算积分的话，很容易把最
后的符号弄反。我建议同学们在计算
时先忽略一切正负号，只计算数值。
最后通过逻辑判断电势或电势能的
图 1.6 Electrical Potential Energy by a Point Charge 高低：

（1）电场总是从电势高的地方
es
（2）电场力做功
指向电势低的地方；
图 1.6 显示了电荷 q0 在固定电荷 q 所激发的点电场中的运动，这里使用库仑定律可和电势能变化相反。
分 er/ChaiZX
以得到施加于 q0 的电场力的大小：
T
1 ))%
&=
4π-% * $
然后考虑点电荷从 a 移到 b 的过程，通过上面的公式积分我们得到：
-$ -$ -$
1 ))% ))% 1 1
>0→1 = I & cos H d* = I &d* = I d* = ( − )
-% -% -% 4π-% * $ 4π-% *0 *1
"
如果 a 是无限远处，b 是我们要求的点，因为 lim = 0，功的表达式变为：
-% →4 -%
))% 1
>0→1 = −
4π-% *1
Note Taking Area

29
AP
因此，将一个带电量为 q0 的物体从无穷远移动到距离 rb 处，它获得的电势能为：
))% 1 ())%
C = −>4→1 = =
4π-% *1 *1
注意到电场是保守场，也就是说>0→1 只与 a 和 b 有关，而与积分路径的选取方式无
关，所以我们只要知道 q0 的位置，就可以用上面的公式计算它的电势能。
ly
因为 q 是固定电荷，在 q0 移动过程中电场力对它不做功，所以上面这个式子同时也
是两个点电荷 q 和 q0 组成的系统的电势能。如果是三个或者以上点电荷组成的系
ai
统，总电势能就变为：
1 )5 )6 1 )" )$ )" )8 )$ )8 )8 ))
C= N = ( + + ⋯+ +⋯ + ⋯)
4π-% *56 4π-% *"$ *"8 *$8 *8)
tD
576
电势能的考试题目大多涉及计算，主要考察同学们对于公式的理解和运用。并且需
要同学们区分电势和电势能的关系。
es
T
— — 笔记区——
Note Taking Area

30
AP
ly
ai
很多同学在这里可能会搞不清楚势
能的变化，或者被题目绕晕。由于我
tD
们学过的库仑定律还有电势和电势
能都可以对应到经典力学机械中有
此题正确答案选择 A 选项。由电势能的公式，我们可以分别计算出+Q和+)、−Q和
关 gravity, gravitational potential 和
9' 9' gravitational potential energy。在一些

+)之间的电势能，分别为( 0
和−( 0
。对其进行代数和相加得到 A 选项。此类考题
选择题时，我们可以适当的把异种电
es
荷想象成两个星球(因为都是相吸)来
特别容易和电场的题目放在一起。很多考生容易混淆对于电场和电势大小的判断。
理解运用。
分 er/Jimmy Suo
上面举出的这个例子是 AP 考试中的经典例题，考察了三个点电荷的情况。当然，在
T
正式考试中，四个点电荷的情况也不在少数，对于对此类考题不熟悉的同学，平日
要多加关注。
Note Taking Area

31
AP
3.3 Definition of Electric Potential 电势的定义
电势能和 q0 的大小和正负有关，就好像物体的重力势能与物体质量有关。如果我们
想得到一个量，它描述电场本身的属性，而与电荷)% 的大小无关，就需要引入了电
势这个概念。电势(electric potential)可以理解为每单位电荷的电势能，用符号 V 表
示，单位为 V(伏特，等价于 J/C)。注意上一句话中两个“V”的含义不同，前者为斜
ly
体，是物理量符号；后者为正体，是物理单位符号。计算公式为：
C
R=
)%
ai
我们也会用到一个电势差(potential difference)的概念：
R01 = R0 − R1
tD
在前面的图 1.5 中我们发现，在一个电场中，电场线的方向是电势降低的方向。注
意，电势是电场本身的属性，与电荷的大小和正负都没有关系，当一个正电荷的电
es
势降低的时候，它的电势能转换成为其他形式的能量；当一个负电荷的电势降低的
时候，其他形式的能量转换为它的电势能。
T
我们重申，电场力是一种保守力，即电场力的做功大小只与电势差有关系，而与物
体运动的路径没有关系，这一点可以联想重力势能的做功性质。如图 1.7 所示，电荷
q0 电势能的变化只与点 a 和点 b 的电势差有关而与移动路径无关。
— — 笔记区——
Note Taking Area

32
AP
ly
图 1.7 Conservative Force and Energy
3.4 Equipotential Lines and Surfaces 等势线和等势面

ai
电场中电势相等的点连起来的线(组成的面)叫做等势线(等势面)。如图 1.8 所示，蓝
tD
色的线为等势线(面)，红色的线为电场线。等势线(等势面)越密集的地方，电场强度
越高；越稀疏的地方，电场强度越低。等势线(等势面)总是垂直于电场线。
es
建议同学们可以动手自己画一画加
T
深印象。AP 考试不妨在 FRQ 或 MCQ

中有一些让同学们判断电场线方向
甚至绘画电场线和等势线的题目。平
图 1.8 Equipotential Lines
时多练一练可以增加自己对于电场
如图 1.8 所示，蓝色的等势线表明在此蓝色的线上，电势都为同一个值。一般地，在和电势的判断，做题效率也会有一定

的提高。
同一幅图中，相邻的等势线电势差相等。分 er/Jimmy Suo
Note Taking Area

33
AP
3.5 Electric Field and Potential 由电场强度计算电势
如果我们知道空间内的电场强度分布，怎么求空间中任意一点 a 的电势呢？由电势
由此章节的推导，我们可以得出：电
能公式：
场强度是电势对空间位置求导的相
1
反数。这个结论可以解释为什么我们 C = −>4→1 = − I & ∙ dK
在上一个章节中提出，等势面越密集， 4
电场强度越大（因为电势在相等空间和电场强度的公式：
距离中变化更大，导数更大）。另外，
&
ly
假如电场线不垂直于等势面，在沿着 7=
)%
等势面移动的时候，也会沿着附近的
电场线分量移动一段距离，那么就会变形代入后得：
有电势变化，不满足“等势“的条件了， 0
ai
故而电场线必须垂直于等势面。 C = −>4→0 = − I )% 7 ∙ dK
4
分 er/kelvin
再通过电势公式：
C
tD
R=
)%
最终得出：
0
R = − I 7 ∙ dK
4
es
这就是点 a 处的电势(取无限远处电势为 0)。
通过上面的式子那么我们可以发现，电场强度的单位 N/C 也就是 V/m。同理，我们

T
将这个结论变形，可以通过电势得到电场强度的大小(严格来说，是沿某一直线 l 方
向上电场强度的分量大小)：
;R
7=−
;K
从图上看(图 1.8)，电场线处处垂直于等势面，并且指向电势减小的方向。如果我们
把一个平面内的电场比作一个空间中的光滑曲面，那么电势就是曲面上每个点的高
度(海拔)，电场强度就是把一个单位质量的小球放在曲面上时，它所受合外力的大小
和方向(在水平面上的投影)。这就是电场强度和电势的直观关系。
— — 笔记区——
Note Taking Area

34
AP
3.6 Superposition of Electric Potentials (Energies) 电势和电势
能的叠加
ly
图 1.9 Superposition of Electric Potentials (Energies)
电势和电势能都是标量，如图 1.9 所示，不同电荷在一点产生的电势只需直接相加即

ai
可。
tD
场强和电势的计算是 AP 电磁学中非常高频的一个考点，有时还会和力学(动能定理)
相结合。下面我们通过一道 2016 年的 FRQ 真题，来熟悉一下这类题的解题方法。
原题中(d)小问需要用到后面有关高斯定理的知识，这里暂时跳过。
es
例 6. (2016-Collegeboard-FRQ-1)
T
Note Taking Area

35
AP
ly
ai
(a)小问让我们计算 q1 的大小，是典型的已知电势分布求电荷分布的问题。注意到 B
' " &'

点电势为 0，这里我们用电势叠加原理和点电荷周围电势公式R = )*+ -
=
-
，得到
"
tD
B 点电势可以表示为
()" ()"
0= +
*" *$
其中 r1，r2 分别为 B 到 q1，q2 的距离，也就是 2.5m 和 1m。我们代入 q2 的值，解得

es
)" = −5.0 nC。当然我们也可以不选 B 点，选 A 点和 E 点理论上也是可以的，只不
过本小问选 B 点比较简便。
T
(b)小问，通过“电场线处处垂直于等势面，并且指向电势减小的方向”，我们很容
易得到答案，见下图 1.10。
图 1.10 (b)小问答案
— — 笔记区——
Note Taking Area

36
AP
(c)小问考查场强和电势之间的关系。我们发现在 D 点附近与的等势面垂直的方向
上，电势在 2 小格(0.2 m)内变化了 4 V。一般选择与等势面垂直的方向，因为这个方
:;
向正好是电场强度的方向，这样就不用考虑分量。运用公式7 = − :< ，得到7 =
:; ∆; )>
− :< ≈ − ∆< = %.$@ = 20 V/m (绝对值，因为题目只问 magnitude)。
A
(e)小问考查电场做功的计算，第一小问我们运用公式R = ' 和∆C = −>，注意到
"
ly
"
E、A 间电势差为-8 V，得到> = −)∆R = 8 eV。第二小问根据动能定理 XY$ $ −
$
"
$
XY" $ = >以及Y" = 0，求得Y$ = 3.92 × 10) m/s (考试时 proton mass 可以在第一页
的物理常数表中找到)。
ai
tD
(f)小问考查电场强度和电势的关系。因为电场线处处垂直于等势面，并且指向电势
减小的方向，所以 B 点场强向右；又因为负电荷在电场中受力方向总是和场强方向
相反，所以电子受向左的力，也就有了向左的加速度。
es
这道 FRQ 带着我们复习了前面 1.1-1.3 的重点知识。至此，我们可以将主要概念之间

T
的关系总结如下。考试时如果题目中给出一个量，要会灵活运用这些关系求解其他
的量。
Note Taking Area

37
AP
电荷分布(charge
distribution) 1 )" )$ 电场力 (electric

&⃗ = *̂
4π-% |*⃗|$
force)
(库仑定律)
R=
电势的标量相加 78⃗
4π-% *
= 1
) 1 ()
4π
电 -% )
78⃗ =
= 场 |*⃗| $
的 *̂
矢
&⃗
)
量
*
>0→1 = I & cos H dK

加
ly
电势(electric 0
R = − ∫4 7 ∙ dK ，
1
电场强度
potential) dR
ai
7 = −
dK (electric field
电场线处处垂直于等 strength)
R=
势面，并且指向电势减
tD
)%
C
∆C = −>0→1 电场力做功(work done by

电势能(electric
electric force)
es
potential energy)
T
— — 笔记区——
Note Taking Area

38
AP
4. Gauss’s Law 高斯定理
4.1 Electric Flux 电通量
4.1.1 Definition of Electric Flux 电通量的定义
电通量可以理解为通过一个给定曲面的电场线条数，它等于曲面法向方向上的电场
强度对曲面面积的积分。如果把水流的流速比作电场强度，那么单位时间内流过曲
ly
面的水量，即流速对曲面面积的积分，就可以比作电通量。电通量常用符号 ΦE 表
示，它的单位是 m2·N/C 或者 J·m/C。

ai
4.1.2 How to Find the Electric Flux 电通量的计算
tD
我们先假定曲面上场强的大小是均匀的。如果电场线处处和曲面垂直，只要拿电场
强度乘以曲面面积即可，即
es
]B = 78⃑ · `⃑
其中 E 是电场强度，A 是曲面面积。如果电场线和曲面不垂直，那么
]B = E · Acosc
T
其中c为电场方向与曲面法线的夹角。
当曲面上场强大小不均匀时，就需要将面微元化并且求积分：
]B = d 78⃑ · d`⃑
Note Taking Area

39
AP
其中 E 是场强矢量，A 是曲面面积微元矢量。A 的大小等于曲面微元的面积，方向
垂直曲面向外。带圈的积分符号表示对封闭曲面的积分。事实上]B = 78⃑ · `⃑和]B =
E · Acosc都是]B = ∮ 78⃑ · d`⃑的特殊条件下的形式，只不过在 AP 电磁学考试中需要计
算电通量时，前两个特殊条件下的公式更为常用一些。
需要注意，在有关闭合曲面的问题中，通常电场向外，则 ΦE 为正；电场向内，则
ly
ΦE 为负。
ai
对于通量 flux Φ 这种不直观的物理概念，我们可以用直观的的例子来进行想象。对
于通量来说，我们可以暂且理解为通过某一物体的量。
tD
es
图 1.11
在这里，我们可以自己建立一个物理概念例如空气通量。空气通量用于描述在单位
T
时间内空气通过某一物体的体积。如上图所示，红色的箭头代表空气的流速。我们
有三个朝向不同的矩形。在从左往右第一个矩形中，矩形的法线和空气流速的向量
是平行的。如果我们想知道每秒通过矩形表面的空气量是多少立方米，我们可以直
接用空气的流速乘矩形的表面积。在第二个矩形中，法线和向量互相垂直，不难发
现，没有任何空气通过、穿过矩形的表面。所以在这里，通量为 0。对于第三个矩
形，假设法线和向量夹角为g，则空气通量可以用Y · ` · cos (g)来计算。
— — 笔记区——
Note Taking Area

40
AP
在这里，可能有一些同学不理解为什么要有 cos 的存在，为什么不像之前直接速度
和面积相乘呢？我们之前定义通量为通过某一物体的量。如果我们想象自己为红色
的空气时，当矩形慢慢发生倾斜，对于“我们”空气而言，我们看到的更像是一个
高度慢慢变小的矩形(也就是面积对于空气来说变小)，直到矩形法线完全和空气流速
向量垂直时，我们看到的是一条直线。当然我们也可以用垂直投影的方法理解。想
象在上图最左边有一束朝红色箭头方向打的光束。当矩形倾斜时，投影到右侧墙上
ly
的矩形面积变小。 ai
现在，当我们看到需要理解电通量时，只需要把红色的箭头换成电场就可以了。所
得到的结果分别为：78⃑ · `⃑, 0 和 E · A cos g。

tD
4.2 Charge Density 电荷密度
自然界中除了可以看作点电荷的带电体外，还有很多电荷连续分布的物体不能被看
es
作点电荷，比如均匀带电的直线、平面、球体等等。类似于物体的质量密度是质量
与体积的比值一样，一个三维物体中某一点处的电荷体密度(volume charge density，

T
常记作i)被定义为该点附近一体积微元内，电荷量 Q 与体积 V 比值，即
dQ
i=
dR
:9
与质量密度类似，电荷线密度(linear charge density) j = ，电荷面密度(surface
:C
:9
charge density) k = :D。其中 ds 和 dA 分别为长度与面积的微元。
Note Taking Area

41
AP
反过来，如果知道电荷密度分布，想求物体的总带电量，那么我们根据微分与积分
的互逆关系，得到
Q = I i dR
Q = ∫ j dl，Q = ∫ k d`
这与知道物体的质量密度分布，求物体的总质量是非常相似的，相信学过 Calculus
ly
的同学已经对这个模型非常熟悉了。
ai
" ' ' "
引入了电荷密度的概念后，公式78⃗ = )*+ |-⃗|!
*̂ 和R =
)*+" -
就不仅仅适用于点电荷或点
"
电荷系统。对于连续带电体，我们把)换成i dR (或j dl、k d`)，再对整个带电体积

tD
分，也就是
1 i
78⃗ = I *̂ dR
4π-% |*⃗|$
i 1
R=I dR
4π-% *
es
就可以得到连续带电体附近一点处的场强和电势。注意，求场强时*̂ 的方向往往是变
化的，这时我们可以先选择某一方向(例如竖直向上方向)，求出*̂ 在该方向上的大小
T
(也就是 cos θ，θ 为源点--场点的连线和选定方向的夹角)，积分求得这个方向上的场
强分量大小，然后再选择其他方向求场强的其他分量就可以了。具体例子可以参考
本章 5.2 部分。
— — 笔记区——
Note Taking Area

42
AP
4.3 General Gauss’s Law 普适高斯定理
高斯定律说的是，一个闭合曲面的电通量等于这个表面所包含的总电荷除以真空介
电常数-% 。表达式是：
Q
]B = d 78⃗ ∙ d`⃗ =
-%
Q 是这个闭合曲面里面包含的电荷，而-% 是真空介电常数。这个闭合曲面叫做高斯
ly
曲面，简称高斯面(Gaussian Surface)。通过高斯定理我们可以看出，只要一个曲面包
围的电荷量不变，无论这个曲面的形状如何变化，通过它的电通量都是一定的。
ai
4.4 Applications of Gauss’s Law 使用高斯定律计算电场强度
tD
高斯定理为我们提供了一种已知电荷分布求电场强度的方法。比起用公式78⃗ =
" E
∫ )*+ *̂ dR求场强，高斯定理的优点是计算比较简单，往往可以避免复杂的矢量积
" |-⃗|!
分；缺点是大多数情况下仅适用于匀强电场(或场强大小均匀，但方向不均匀的电场)
es
的情形，详见下例。
T
Note Taking Area

43
AP
例 7. (2019-Collegeboard-set2-FRQ-2)
ly
小题属于已知电荷密度分布，求总电荷的问题。利用 Calculus 的相似模型和题给数
ai (a)
tD
据，我们得到：
" $.$&' #
! = ∫ $ d' = ∫" ! $ ∙ 4π+ ! d+ = ∫$.$(' "
∙ 4π+ ! d+ = 1.61 × 10)* C。
#
es
(b)小题要求我们用高斯定理求球体外边缘的场强。这里我们可以选取整个 r = 0.05 m
,
的球壳作为高斯面。这样场强方向就处处垂直于高斯面。根据Φ+ = - 和电通量的定
"
T
,
义ΦB = 7 · `，得到3 = .·- 。因为 r = 0.05m，所以这个球壳的面积4 = 4π+ ! =
"
,
0.32 m! 。我们把 A，ε0 和第一小题得到的)带入7的表达式，就可以算出3 = =
.·-"
" E
5.79 × 100 N/C。可以看见在这个例子中，如果用78⃗ = ∫ *̂ dR计算场强，其复
)*+" |-⃗|!
杂程度将难以想象(有兴趣的同学可以参看《高等数学》“重积分”一章的有关内
容)，而用高斯定理则比较容易。
— — 笔记区——
Note Taking Area

44
AP
总结一下用高斯定理求场强的步骤：
1. 选高斯面。求哪里的场强，高斯面就要经过哪里。选取的高斯面应该尽量与场强
处处垂直，且使得高斯面上的场强大小处处相等。因此，如图 1.12、1.13、1.14 所在 AP 物理 C 当中，高斯定律一般被

应用在对称、无穷大的理想物体上。
示，如果带电体是点电荷或绝缘带电球体，就选择以点电荷/带电球体中心为球心的而考试的 FRQ 中可能会出现非无穷
大的物体，然后提问用高斯定律的
球面，根据想求场强的点在球体内还是球体外，高斯面既可能在球体内，也可能在 limitation。这是同学可以回答的一个
点是：在物体的中心处，高斯定律求
球体外；如果是长直带电线，就选择以它为轴的圆柱面；如果是无限大带电平面，出的 E 很贴近实际值，而物体的边缘
ly
则会偏差较大。
就选择一个穿过平面，且母线与平面垂直的圆柱。详见本章 5.2。分 er/ChaiZX
2. 计算高斯面有电场线穿过部分的面积 A 和包围的电荷 q。
ai
,
3. 用3 = .·- 计算场强。
"
tD
es
图 1.12 Gaussian Surface for Charged Sphere

T
图 1.13 Gaussian Surface for Charged Line/Cable
Note Taking Area

45
AP
从高斯定律的公式中，我们还可以得
出一个结论：通过一个闭合曲面的电
通量只与曲面包含的总电荷相关。假
如曲面内部的总电荷为零，通过曲面
的电通量也会是零。AP 考试中有时会
图 1.14 Gaussian Surface for a Charged Plane/Plate
出现这样的题型：告诉你一个表面和
其中包含的电荷，问通过表面的电通当然如果 q=0，也就是 Gaussian surface 里一点电荷也没有，比方说这题 r < 0.03 m 的
量。这时候就不需要用积分求了，而
是可以直接用高斯定律计算。假如具部分，那 E 只能为 0 了。请大家用这一节的知识尝试计算一下本题中半径为 r0 (0.03
ly
体问到表面的某一个面，我们也可以
用对称性来求解。 m< r0 < 0.05 m)的球壳内所包含的电荷量，并据此计算 0.03 m< r < 0.05 m 和 r > 0.05m
分 er/kelvin
范围内的场强，看看能不能得出(c)小题的答案：
ai
tD
图 1.15 (c)小题答案
es
5. Fields and Potentials of Typical Charge Distributions 常
见带电体的场强和电势分布
T
5.1 Introduction 简介
AP 电磁学考纲(Course and Exam Description)中要求我们能够计算以下几种情况下的
电场强度分布：
a. 均匀带电的长直细线/圆柱的中垂线(an infinitely long, uniformly charged wire or
cylinder, at distances along perpendicular bisector)
— — 笔记区——
Note Taking Area

46
AP
b. 均匀带电圆环的中轴(A thin ring of charge, along the axis of the ring)
c. 均匀带电弧线/半圆(A semicircular or part of a semicircular arc)
d. 有限长度的直导线的延长线(A field due to a finite wire or line charge at a distance that
is collinear with the line charge)
ly
e. 无限大带电平面，或这些平面的组合(electric fields with planar symmetry, infinite
sheets of charge, combinations of infinite sheets of charge, or oppositely charged plates)

ai
f. 球对称分布的电荷/带电球壳(spherically symmetrical charge distributions on spheres
tD
or spherical shells of charge)
对于 a, b, c 和均匀带电圆盘(a uniformly charged disk)，考纲还要求我们能够计算电势
分布。这部分内容虽然看似很多，但核心思想就是用高斯定理或者公式
es
" E " F " G

8⃗ = ∫
E *̂ dR = ∫ *̂ d` = ∫ *̂ dl求出场强，然后再用公式
)*+" |-⃗|! )*+" |-⃗|! )*+" |-⃗|!
0 1
R = − ∫4 7 ∙ dK或R(m) − R(n) = − ∫0 7 ∙ dK求出电势(差)。掌握了核心思想，以上的
T
一切问题也就迎刃而解了。
事实上，AP 电磁学考查内容远远不止于上述这些模型，例如 2019 年的一道 FRQ 就
让我们计算一段有限长带电细线正上方的场强，而且要我们求场强的点还不是在中
垂线上(详见本章练习题)，这就更要求我们能够活学活用，而不拘泥于记忆公式。
Note Taking Area

47
AP
" E
8⃗ = ∫
以下我们将以 a, b, e, f 四种情况为例，用高斯定理和/或公式E *̂ dR =
)*+ " |-⃗|!
" F " G
∫ )*+ |-⃗|!
*̂ d` = ∫ )*+ |-⃗|!
*̂ dl计算它们周围的场强分布，再计算电势分布。其他情况
" "
与这四种大同小异，同学们可以自己用类似的方法进行推导。
5.2 Long, Uniformly Charged Wire 长直带电细线
5.2.1 Finding Electric Field Density 求电场密度
ly
5.2.1.1 Using Calculus 用电场公式积分计算场强
ai
tD
es
图 1.16 Electric Field of a Charged Line
在图 1.16 中，长直带电细线上的电荷均匀分布，单位长度带电量为 λ，我们用电场
公式求点 P(x,0)处的场强。
T
取其中长度为 dy 的一小段来看，这一段到点 P 的距离为：
o
*=
cos H
到 O 点的距离为：
@ = o tan H
对两边微分，我们得到：
H
d@ = IJK! L dH
— — 笔记区——
Note Taking Area

48
AP
在这里源点是阴影部分的细线，场点是 P，我们先选竖直向上的方向，那么源点--场
点连线(图中实线箭头)与竖直向上方向的夹角g = 90° + H。因此竖直向上的方向
上，
*
M4
1 j $ 1 j o
E=I ∙ cos(90° + H) d@ = I o $ ∙ sin H cos$ H dH = 0
!4 4π-% |*⃗|$ !
* 4π-%
( )
$ cos H
再选择水平向右方向，那么源点--场点连线(图中实线箭头)与水平向右方向的夹角
ly
"
θ = α。因此结合( = )*+ ，水平向右的方向上，
"
*
M4
1 j 1 λ o 2(j
7=I
4π-% |*⃗|$
∙ cos H d@ = I
$
ai o ∙ cos H ∙ $
dH =
! 4π-% ( cos H o
* $
!4
$ cos H)
最终得出：
tD
2(j
78⃗ = ov
o
这就是直线外电场强度的大小，当细线上带正电荷，方向为 x 轴正方向；当细线上
es
带负电荷，方向为 x 轴负方向。当然这里是把 r 和 dy 都转换成 α 的表达式来计算
的，如果直线带电并不均匀，也就是说电荷线密度 λ 是 y 的函数的话，我们就要根
T
据@ = o tan H来把 λ 也转化为 α 的函数。我们还可以根据勾股定理和三角函数的定
义，把 r、cos H和sin H都转化为 y 的表达式，再对 y 进行积分，结果是一样的，同学
们可以去试一试。对 y 积分在直线带电不均匀的情况下用起来比对 α 积分会简单一
些。
Note Taking Area

49
AP
5.2.1.2 Using Gauss’s Law 用高斯定理计算场强
根据 4.4 的例题后我们做的总结，我们选择一个圆柱体的表面作为高斯面，细线通过
这个圆柱体的中心，见图 1.11。根据对称性，细线周围的电场以细线为中心向外辐
射发散。这样一来，圆柱体的两个圆面与电场方向平行，所以这两个面的电通量为
零，而在侧面上，每一点的电场强度大小都相等，方向都垂直于这个面。
ly
高斯面中有电场线穿过部分是圆柱的侧面，面积为2π*K；高斯面内包含的电荷量为
jK，其中 λ 为单位长度上的电荷量。因此：
ai
jK
]B = 7(2π*K) =
-%
tD
解出 E，得到
j 2(j
7= =
2π*-% *
es
顺便提一下，如果带电体是均匀带电的长直圆柱，而不是长直细线，那么高斯定理
在这里依然适用，而且推导过程与上述完全相同；但如果用 5.3.1 中的做法则需要用

T
到重积分，比较复杂。
— — 笔记区——
Note Taking Area

50
AP
5.2.2 Finding Electric Potential 计算电势
根据求得的场强，与直线距离分别为 a 和 b 的两点间电势差为：
1
2(j n
R(m) − R(n) = − I do = 2(j ln w x
0 o m
5.3 Uniformly Charged Ring 均匀带电圆环
5.3.1 Using Calculus 用电场公式积分计算场强
ly
ai
tD
图 1.17 Electric Field on the Axis of a Charged Ring
例如图 1.17 所示的带电圆环，这个圆环的粗细可以忽略，我们假设电荷在圆环上均

es
匀分布，总带电量为 Q。取其中长度为 ds 的一部分来看，这一点与 P 的距离为：
* = yo $ + n $
设此部分电荷量为 dQ，因此这一部分圆环在 P 点引起的电场强度为：

T
dQ
d7 = (
o$ + n$
因为电荷在圆环上均匀分布，所以可以得出：
Q
dQ = dl
2πn
我们可以把;7分解为o、@两个方向的分量，因为圆环上的每一点到 P 的距离都相
等，;7的大小也都相等，因为对于圆环上的每一点角度H都是定值，通过三角函数
我们可以得出：
d7N = d7 sin H
Note Taking Area

51
AP
因此 dEy 是定值，对于圆环一个点所形成的 dEy，都有相反的一个点形成的相反的
dEy，最终抵消这个值，因此 7N = 0，圆环在 P 上的电场强度方向为o方向，大小也
就是 Ex。跟 dEy 的计算方法类似，我们可以得出：
d7H = d7 cos H
因为代入上方矢量 dE 的大小，得出：
dQ
d78⃗H = ( cos H ov
o$ + n$
ly
将上方 dQ 代入，得出：
dl Q
d78⃗H = ( cos H ov
2πn o + n$
$
ai
在圆环上的所有点，除了 ds 以外都是常数，因此对其进行绕圆环一周的积分：
$*0
1 Q
78⃗H = I ( cos H dl ov
2πn o + n$
$
tD
%
最终得出：
Q
8888⃗H = ( cos H
7 ov
o $ + n$
因为 Ex 的值就是 E 的值，这个表达式可以写成：
es
Q
78⃗ = ( cos H ov
o$ + n$
然后通过左边分析得：
T
o o
cos H = =
* √o $ + n$
代入方程得：
o Q oQ
78⃗ = ( =( 8ov
√o $ + n$ o $ + n$
(o $ + $
n )$
这就是最终电场强度的大小，当圆环上带正电荷，方向为 x 轴正方向；当圆环上带
负电荷，方向为 x 轴负方向。
— — 笔记区——
Note Taking Area

52
AP
注意，当 x =0 时，电场强度为 0，这也说明了均匀带电圆环中心电场强度为零；同
时，当 x 远大于 a 的时候，a 的大小可忽略，圆环可以视为一个点并且满足点电荷电
场强度公式：
(Q
78⃗ = ov
o$
5.3.2 Finding Electric Potential 计算电势
ly
H9
通过对78⃗ = ( & ov积分，可以算出圆环中轴上距离中心 x 的一点电势为(取无穷
(H ! M0! )!
远为零电势)：
H
ai
(oQ (Q
R(o) = − I 8 do =
4 (o $ + n$ )$ √o $ + n$
tD
5.4 Charged Plane(s)/Disk 无限大带电平面/圆盘
5.4.1 Finding Electric Field Density 计算场强

es
5.4.1.1 Using Calculus 用电场公式积分计算电势和场强
无限大带电平面是一个二维带电体，并不能用高中阶段 Calculus 的知识直接积分，

T
怎么办呢？为解决这个问题，我么可以把平面“切割”成无限多根平行放置的带电
直线，也可以切割成无限多个同心带电圆环，再通过一元积分把这些直线/圆环在场
点上所产生的场强之和计算出来。这里我们采用把平面切割成带电圆环的方法，因
为这样可以顺便求出带电圆盘 (charged disk) 在其中轴线上某一点处的场强和电势。
同学们也可以用类似的方法自行尝试把平面切割成带电直线来算。
Note Taking Area

53
AP
图 1.18 Electric Field near a Charged Plane
如上图 1.18 所示，带电平面电荷面密度为 σ(假设 σ 为正)，平面外一点 P 在平面上的
ly
投影为 O。我们考虑与 O 距离为 r、宽度为 dr (远小于 r)的一个圆环，也就是图中阴
影部分。它的面积为2π*d*，因此带电量为2kπ*d*。由 5.3 部分的结论，这个圆环在
P 点产生的场强为
ai 2kπ*ℎd*
tD
d7 = ( 8
(ℎ$ + * $ )$
方向如图。圆环在 P 点产生的电势为
2(kπ*d*
dR =
es
√ℎ$ + * $
"
A. 我们把d7从* = 0积分到* = +∞，结合( = )*+ ，得到整个带点平面在 P 点的产
"
T
生的场强
M4
2kπ*ℎd* k
7=I ( 8 = 2π(k =
2-%
% (ℎ$ + * $ )$
这个数值与 h 无关，说明无限大带电平面附近的电场是匀强电场。因此与平面距离
分别为 a 和 b 的两点间电势差为：
k(m − n)
R(m) − R(n) =
2-%
— — 笔记区——
Note Taking Area

54
AP
B. 我们把d7从* = 0积分到* = }，还可以算出一个半径为 R 的均匀带电圆盘在其中
轴线上距盘心距离 h 处产生的场强：
Q
2kπ*ℎd* ℎ
7(ℎ) = I ( 8 = 2π(k(1 − )
% (ℎ$ + * $ )$ √ℎ$ + }$
把dR的表达式从* = 0积分到* = }，就可以算出一个带电圆盘在其中轴线上距盘心
距离 h 处产生的电势：
Q
2(kπ*d*
ly
R(ℎ) = I = 2π(k(y}$ + ℎ$ − ℎ)
% √ℎ$ + * $
R
当然也可以拿前面求得的 E，用公式R = − ∫4 7 ∙ ;K求电势，不过这样计算量会稍微
大一些。
ai
5.4.1.2 Using Gauss’s Law 用高斯定理计算电势和场强
tD
翻到前面的图 1.13，对于一个电荷均匀分布可以近似看作为无限大的板(平面)来说，
我们选取一个圆柱体表面作为高斯面，而这时圆柱体的上下圆面与电场方向垂直，
侧面与电场强度平行，所以侧面的电通量为零，高斯面上有电场线穿过的部分是上
es
下底面，总面积2`，高斯面包含电荷k`，其中 σ 为单位面积上的电荷量。我们可以
得到：
T
k`
]B = 27` =
-%
也就是
k
7=
2-%
也就是说，无论距离这个带电平面多远，电场强度的大小都是一样的。注意，在这
个计算中，两个圆面都有正的电通量，所以电场强度记得除以二。
Note Taking Area

55
AP
与 5.4.1 一样，有了电场强度，我么就可以知道与平面距离分别为 a 和 b 的两点间电
势差为：
k(m − n)
R(m) − R(n) = −
2-%
我们接下来要介绍两个带异种电荷极板的情况：
ly
ai
大家注意左侧的图像，在靠近电极板
两端的部分的电场线并不是直线，而
是曲线。这个情况被称为 edge effect，
tD
在 FRQ 中如果考到画图需要注意一
下。图 1.19 Electric field between oppositely charged parallel plates
分 er/ Josie
图 1.19 左图显示的是两极板系统的实际情况，而当两个极板之间的距离相对较小，
同时忽略极板的边际效应的话(右图)，我们会发现：
es
l 两个极板之间的部分是两个板产生的电场的叠加：
k
7=
-%
T
l 两个极板外侧的部分两个电场互相抵消，电场强度为零。
— — 笔记区——
Note Taking Area

56
AP
5.4.2 Charged Particles in Electric Fields 带电粒子在电场中的运动
图 1.20 charged particles in a uniform electric field
在 AP 考试中，对于带电粒子在电场中的运动的考察大多数为对于粒子运动方向的判
ly
断和对粒子速度和角度的计算。电场设置大多为匀强电场。如图 1.20，一个电子从
左边以Y% 的速度向o轴正方向进入电场。由于匀强电场的干扰，导致当电子进入电场
ai
后，开始向@轴正方向(正极板)偏折，最终以速度Y" 和g角脱离匀强电场。
tD
在我们计算电子的运动状况时，我们可以使用类平抛运动的思想进行求解。电子在o
轴运动速度YH 是始终保持不变的。若已知电子质量X，带电量)，穿越匀强电场时间
为~，匀强电场长度为;，两极板间隔为ℎ，假设电子初速度为 0，需要求解g角。
es
在@轴方向，由于匀强电场，电子受力可以表达为
&⃗ = )78⃗
则电子的加速度为
T
&⃗ )78⃗ )R
n⃗ = = =
X X Xℎ
我们可以求出电子在 y 方向的速度表达
)R ;
YN = 0 + n~ =
Xℎ YH
S'
由此更具tan g =
S(
)R ;
g = arctan ( )
Xℎ YH $
Note Taking Area

57
AP
5.5 Charged Shell/Sphere 带电球壳/带电绝缘球体
本部分我们将只采用高斯定理求带电球壳/带电绝缘球体内外的场强分布，再由此计
这一部分最关键的就是 conducting 和算电势，如图 1.20。当然，我们也可以用 5.4.1 的思想，把球壳切成一个个带电细

non-conducting 两种 sphere 周围电场
和电势的分布图像。 conducting 环、把球体切成一片片带电圆盘(保证想求场强的点在每个圆环/圆盘的中轴线上)，
sphere 比较好理解，在 sphere 外面时
可以点电荷来处理，sphere 里面高再用积分来求场强。不过这样计算量偏大，有兴趣的同学不妨一试。

斯面内没有电荷分布，所以电场为 0，
ly
电势不变；non-conducting sphere 就
不一样了，sphere 内部有的电
荷分布，用高斯定理求出电场和距离
的关系式以后，可以用积分的方法求
ai
出电势和距离的关系式，并画出图像。
这几图在 AP 考试的 FRQ 当中可能
会要求同学们自己画，需要好好记一
tD
下。
分 er/ 举杯
图 1.21 Electric Field Distribution of a Thin Shell

es
T
图 1.22 Electric Potential Distribution of a Thin Shell
我们在 4.4 的例题中已经初步接触过带电球壳和球体。如图 1.21 所示，在球壳内
部，电荷为零，任意高斯面内部的电荷也为零，所以电场强度为零；在球的外部，
— — 笔记区——
Note Taking Area

58
AP
我们选择用球面作为高斯面，我们可以得到：
)
]B = 7` = 7(4π* $ ) =
-%
)
7(*) =
4π* $ -%
-
)
R = − I 7 ∙ ;K = (* ≥ })
4 4π*-%
'
由于球壳内部电场为 0，所以球壳内的电势就等于球壳上的电势，也就是。
)*Q+"
ly
ai
tD
图 1.23 Electric Field Distribution of a Nonconducting Sphere
es
T
图 1.24 Electric Potential Distribution of a Nonconducting Sphere
Note Taking Area

59
AP
对于电荷均匀分布的绝缘球体来说，我们同样选择球面作为高斯面，如图 1.23。当
高斯面的半径小于等于球体半径的时候，我们可以得到：
i 4π* 8
]B = 7` = 7(4π* $ ) =
-% 3
i*
7(*) = 7 =
-% 3
当高斯面的半径大于球体半径的时候，电场强度与球壳的电场强度相同：
)
7(*) =
4π* $ -%
ly
)*- & E
因此，结合) = 8
，我们有：
ai
-
)
R = − I 7 ∙ ;K = (* ≥ })
4 4π*-%
-
) *$
R = − I 7 ∙ ;K = Å3 − $ Ç (* < })
Q 8π}-% }
tD
如图 1.24。
es
图 1.25 Charged Spheres
图 1.25 中 A 球是一个固定球体，B 球是一个试探电荷，A 球带电量远大于 B 球，以

T
至于 B 球对 A 球的静电感应效应可以忽略不计。因为球壳/球体外场强的表达式
'
7(*) = )*- !+ 与 2.2 中点电荷所激发场强的表达式恰好完全相同，所以如图 1.12 所示
"
的 A 球来说，带电球体中的电荷无论是均匀分布于表面还是均匀分布于内部，球体
在球外所激发的电场都可以等效于所有电荷集中于球心。于是上方的排斥力 F0 的计
算方式就可以转化为库仑定律表达式：
1 ))%
&⃗% = *̂
4π-% |*⃗|$
其中*̂ 是由 A 的球心指向 B 的位置矢量，q 是 A 的总电荷，q0 是 B 的电荷。

— — 笔记区——
Note Taking Area

60
AP
6. Practice 章节练习
1. (2013-11)
ly
ai
tD
es
T
Note Taking Area

61
AP
2. (2013-14)
ly
ai
tD
es
T
— — 笔记区——
Note Taking Area

62
AP
3. (2013-23)
ly
4. (2013-34)
ai
tD
es
T
Note Taking Area

63
AP
5. (2013-22)
ly
6. (2013-24)
ai
tD
es
T
— — 笔记区——
Note Taking Area

64
AP
7. (2013-35)
ly
ai
tD
8. (2012 -19)
es
T
Note Taking Area

65
AP
9. (Barron-Chapter 12-2)
ly
ai
tD
es
T
— — 笔记区——
Note Taking Area

66
AP
ly
ai
tD
es
T
Note Taking Area

67
AP
12. (Barron-Practice Test 2-34&35)
ly
ai
tD
es
T
— — 笔记区——
Note Taking Area

68
AP
13. (2017-FRQ-1)
ly
ai
tD
es
T
Note Taking Area

69
AP
ly
ai
tD
es
T
— — 笔记区——
Note Taking Area

70
AP
14. (2018-FRQ-1)
ly
ai
tD
es
T
Note Taking Area

71
AP
ly
15. (2019-set1-FRQ-1)
ai
tD
es
T
— — 笔记区——
Note Taking Area

72
AP
ly
ai
tD
es
T
Note Taking Area

73
AP
ly
ai
tD
es
T
— — 笔记区——
Note Taking Area

74
AP
16. (2019-set2-FRQ-2)
ly
ai
tD
es
T
Note Taking Area

75
AP
ly
ai
tD
es
T
关注「TD 真题捕手」，查看本手册所有答案&解析
— — 笔记区——
Note Taking Area

76
UNIT
ly
ai
tD
es
T

关注 t 和出国留学党一起奋斗
UNIT
ly
ai
tD
es
T

AP P
A A
UNIT
Conductors,
ly
Capacitors,
ai
Dielectrics
tD
es
T
AP EXAM WEIGHTING

UNIT
Chapter troduction and Learning trategy

本章节在中占比约为。大多数的题目都会结合电路一起考察。主要考察同学们的计算能
力，用基尔霍夫定律对于电路分析以及电容板的相关内容。对于基尔霍夫定律，同学们应该要做到清
晰区分第一定律和第二定律区别，熟悉掌握基尔霍夫两个定律在电路计算中的方法。对于平板电容以及
球形电容。，在选择题中经常和电路放在一起考分析电路和计算，在问答题中往往会结合静电学相关知
ly
识。
ai
tD
es
T

AP
UNIT 2: Conductors, Capacitors, Dielectrics
导体、电容与电介质
1. Conductors 导体
1.1 Insulators and Conductors 绝缘体与导体
ly
绝缘体(Insulators)是指电阻率很高且不易于传导电的物体，又称为电介质。在绝缘体
中，正负电荷束缚得很紧，所以可自由移动的带电粒子极少。即使在电场的作用
ai
下，极少自由电荷所形成的宏观电流也是微乎其微可以忽略不计的。一些常见的绝
缘体例如纯水、油、橡胶等。
tD
导体(Conductors)是指电阻率很小且易于传导电流的物质。导体中存在大量可自由移
动的带电粒子，称为载流子(carrier)。一些常见的导体例如金属、电解质溶液等。
es
绝缘体在某些情况下可以成为导体。换句话说，绝缘体正负电荷的紧密束缚在特定
T
的物理条件下(加热、高压、强电场等)可以被消弱打破。
1.2 Properties of Conductors 导体的电场性质
由于导体的内部的电荷可以自由移动，所以导体有以下电场性质：
1. 导体处于静电平衡状态，内部的自由电荷相对静止。导体内部没有电场，导体表
面电场与导体表面切线方向垂直。如图 2.1 所示；
Note Taking Area

77
AP
2. 导体内部没有净电荷。也就是说，导体所有的净电荷都分布于表面；
3. 导体是一个等势体。导体内(包含表面)的电势处处相等。
导体中电荷能够自由移动。在达到静
电平衡的情况，导体内部处处电场强
度为零（否则，内部电荷会受力继续
移动）。相应的，我们在导体内部（不
包括空心部分）构建任何高斯面，通
ly
过的电通量为零，高斯面包含的总电
荷也必须为零。我们在 AP 考试中经
常需要使用这一个结论求解题目。图 2.1 导体外部的电场线和等势面
分 er/kelvin
性质 1 是因为一旦导体内部有了电场，或者导体表面电场有了切向方向分量，那么
ai
导体内的电子就会受电场力开始定向移动了，与导体的静电平衡矛盾。
tD
性质 2 是因为，如果导体内部有了净电荷，那我们以电荷位置为球心做一个较小的
球形高斯面，通过高斯定理可以知道此处场强一定不为 0，这与第一条性质矛盾；性
质 2 意味着，一个带电实心金属球体的电荷分布，与一个半径、带电量均相等的带
es
电球壳的电荷分布完全相同。它内外的场强、电势分布同图 1.21 和图 1.22。

T
性质 3 可以通过性质 1，结合第一章内容推导出来。
— — 笔记区——
Note Taking Area

78
AP
1.3 Charging by Induction 感应电荷
而当一个带电物体接近(不能接触)一个不带电导体的时候，这个导体内部的异种电荷
会向这个带电物体方向移动，同种电荷会被这个带电物体排斥，从而宏观上显现出
导体两端带不同电荷，如图 2.2 左图所示。静电感应导致了原本不带电的导体两端出
现了感应电荷，从而与造成静电感应的带电体相互吸引。需要注意，如果导体的另
ly
一端接地，那么导体远离带电体的一端就会流入地面，如图 2.2 右图。
ai
这部分的题目如果单纯分析电荷移
动是相对简单的，也是同学们眼中的
送分题。但是往往题目的长度比较长，
tD
都是一些描述性语句，同学们做题的
时候不要忘记图中标记出电荷，这样
可以避免反复读题造成的时间损失。
分 er/Jimmy Suo
es
图 2.2 Charging by Induction

T
Note Taking Area

79
AP
1.4 Electric Shielding 静电屏蔽
静电屏蔽指的是，导体空腔外部的电场对导体内部的电场没有影响。当导体空腔内
部没有电荷时，净电荷只分布在导体外表面，内表面不带电，内部电场为 0，如图
2.3 所示。
ly
ai
图 2.3 Electric Shielding
如下图，如果在一个空壳的导体内部，有一正电荷 q，其电场分布如图 2.4 所示。

tD
es
图 2.4 Charges in a hollow sphere conductor
对于在材料内电荷能容易自由移动的导体来说，当有一正电荷在导体空壳内时，正
T
电荷感应导体内部的负电荷至球壳内部，球壳的正电荷被排斥到外部。所形成电场
如图 2.4 所示。
— — 笔记区——
Note Taking Area

80
AP
在这里，我们节选了来自 AP 官方 2013 年真题第 8 题来作为例子。
例 1. (2013-Collegeboard-MCQ-8)
ly
ai
tD
此题正确答案选择 B。题目中提到是一个金属的空心材料可以推断出电子可以自由
es
移动。当正电荷放置于空心中，感应负电荷在空心内表面，其余正电荷于金属体材大家一定要在做此类考题前看清楚
球壳的材料！特别是在选择题，不同
料外表，中间电场为零的时候即为正负抵消，所以选择 Y。其余两个点位都有净余的材料(导体或绝缘体)受到电荷感应

T
时的电荷排布是不同的，很多同学因
电场。为想当然认为出到球壳的题目就一
定是导体而犯下了可惜的错误。
分 er/Jimmy Suo
Note Taking Area

81
AP
2. Capacitors 电容器
2.1 Capacitance of a Capacitor 电容
电容器(capacitor，有时简称电容)一般由任意两个被真空或者绝缘体分隔的导体组
成。在大部分的情况中，一个电容器的正负极板的电荷代数和为 0，也就是没有净电
荷。电容器存电能力的大小电容值，符号为 C，单位为法拉(1 F=1 C/V)。注意斜体
ly
的 C 是电容的符号，正体的 C 是电荷量的单位的符号，也就是库仑。电容值的定义
式为：
ai
Q
„=
∆R
对于这个式子来说，Q 指的是一个极板上的电荷，ΔV 是两个极板的电势差，C 是电

tD
容值。
我们可以把电容器和圆柱形水容器做一个类比。对于给定电容器，Q 相当所装水的
es
9
体积，C 相当于横截面积，ΔV 相当于水的高度。„ = 是定义式，不是关系式，也
∆;
就是说对于给定电容器，C 与所带电荷 Q 没有关系，就像水容器横截面积跟所装的

T
9
水量没有关系一样。在 C 一定情况下，„ = ，Q 正比于 ΔV。
∆;
在真空中，平行板电容值的决定式为：
`
„ = -%
;
其中-% 是真空介电常数(-% = 8.85 × 10!"$ „ $ /(… ∙ X$ ))，A 是极板的面积(SI unit：
m2)，d 是两个极板之间的距离(SI unit：m)，如图 2.5。可见，当电容器之间没有介
质(真空中)时，平行板电容器的电容的大小与极板面积成正比，与两极板之间的距离
— — 笔记区——
Note Taking Area

82
AP
成反比。
ly
图 2.5 Charged Parallel Plate Capacitor
因为极板间的电场是匀强电场，所以两极板间场强为
∆R Q/„ Q Q k
7=
;
=
;
=
ai `
= =
; ∙ -% ; -% ` -%
这与第一章 5.4.2 中的结论是吻合的。

tD
当然，除了平行板电容器之外，还有各种各样的电容器，比如同心金属球壳等等。
下面我们以同心金属球壳为例求其电容，同学们可以用类似的方法求平行板电容
es
器，以及两个平行圆柱金属筒的电容(考纲中有要求哦)。
例题：如图 2.6，两个同心金属球 A 和 B 壳放在真空中，半径为 R1 和 R2，求电容。

T
图 2.6 球形电容器
解：设内外球壳分别带电Q和−Q，那么由第一章 5.5 中的结论(空心球壳电势
'
R = )*-+ (* ≥ }))和电势的标量相加，得到内部球壳电势为
"
Note Taking Area

83
AP
Q Q
R" = − =0
4π}" -% 4π}" -%
外部球壳电势为
Q Q
R$ = −
4π}" -% 4π}$ -%
因此电容
Q 4π-% }" }$
„= =
R$ − R" }$ − }"
ly
2.1.1 Capacitance of an Isolated Conductive Sphere 独立金属球电容
在 2.1 中，我们找到了关于两个同心球体的电容表达式。我们为了需要知道一个独立
ai
金属球的电容，我们可以把 2.1 中图 2.6 的例子进行改变。我们可以想象图 2.6 中外
围半径为}$ 的球体变得无限大。换句话说，在此时，我们内部的球体就成为了一个
tD
独立的金属球。所以，如果我们要知道这个独立金属球的电容，我们只需要将}$ 趋
于无限大带入 2.1 中得到的表达式即可。
4π-% }" }$ 4π-%

„= = → 4π-% }"
es
}$ − }" 1 1
−
}" }$
2.2 Energy Storage 能量储存

T
电容既然可以存电，就能存储能量，关系式是：
1 1 Q$ 1
C = „(∆R)$ = = Q∆R
2 2 „ 2
上式中，电容里的能量为 U，电容值为 C，电荷量为 Q，电容两端的电势差为 ΔV。
— — 笔记区——
Note Taking Area

84
AP
2.3 Features of Capacitors in Circuits 电容在电路中的特性
注：对电路基础知识不熟悉同学可以先看第三章回顾电路知识，再复习本部分内
容。
2.3.1 Basic Features 基本特性
电容具有通交流、阻直流的特性，在电容两端施加交流电，则会有电流，这个电流
是由于电容不断充放电导致的，在两端施加直流电则会给电容充电或者放电。
ly
ai
给没有储存电荷的电容通上直流电，电容就会被充电，最后相当于断路。
tD
2.3.2 Capacitors in Series and Parallel 电容器的串并联
几个电容值分别为 C1，C2，…Cn 的电容串联，等效于一个容值为以下表达式中 Ceq
的电容(;为电容极板间距，`为极板面积)：
es
-% ` -% ` 1 ∑U5V" ;5 1 1 1
„T' = = U → = = + + ⋯+
; ∑5V" ;5 „T' -% ` „" „$ „U
注意：考题考到其中每个电容的电压关系、电荷量等，只需要记住一点，就是串联
T
电容所带电荷量都相同，运用串联电路电压相加等于总电压的特点进行计算。
同学们记住电阻的串并联和电容器
几个电容值分别为 C1，C2，…Cn 的电容并联，等效于一个容值为以下表达式中 Ceq 相反，电容器的串并联和弹簧串并联

相同。
的电容：分 er/Jimmy Suo
-% ` -% ∑U5V" `5
„T' = = = „" + „$ + ⋯ + „U
; ;
注意：考题考到其中每个电容的电压关系、电荷量等，只需要记住一点，就是并联
Note Taking Area

85
AP
的电容每一个两端电压都相同即可计算。
2.3.3 Current through a Capacitor 电容电流关系
拿上面的电容公式：
Q
„=
∆R
变形可得：
ly
Q = „∆R
两边同时对 t 求导数(电容值 C 是常数)：
ai
dQ d∆R
=„
d~ d~
因为电流就是电荷对时间的导数，因此：
tD
d∆R
ˆ=„
d~
:∆;
这就是电流 I 和电压瞬时变化量之间的关系，其中 C 是电容值。我们将在第 3 章
:W
时频繁用到这个结论。
es
3. Dielectrics 电介质
T
3.1 Polarization of Dielectrics 电介质的极化
简单的说，电介质(dielectrics)就是指绝缘体物质。当电介质置于电场中时，原子中的
正、负电荷都将受到电场力的作用，从而发生一定程度的微小移动，这将导致原子
内部的电荷分布发生微小变化，宏观上产生束缚电荷，从而出现反向附加电场，这
种现象称为电介质的极化(polarization)。
— — 笔记区——
Note Taking Area

86
AP
如果电介质是均一分布的，那么极化的效果是电介质的端面出现束缚电荷，如图 2.7
所示。这些束缚电荷反过来激发出一个与外加电场方向相反的电场，从而导致了电
介质的一系列电磁学性质。
ly
图 2.7 电介质的极化
一种电介质被极化的能力可以用相对介电常数(dielectric constant)来表示，相对介电
ai
常数的符号是 κ(国内教材中常写作 εr)，它没有单位，是电介质绝对介电常数与真空
介电常数的比值。
tD
3.2 Capacitors with Dielectrics 含有电介质的电容
当一个极板面积为 A、极板间距为 d 的平行板电容器的两极板间充满相对介电常数

es
为 κ 的电介质时，它的电容为
‰-% `
„=
;
T
由此可以推出它的场强、电势差以及所带能量分别为
Q
7=
‰-% `
Q
∆R =
„
1 1 Q$ 1
C = „(∆R)$ = = Q∆R
2 2 „ 2
Note Taking Area

87
AP
注意：有一种题型考察的是电容极板移动会造成的变化，需要知道的是：
在连接到恒定电压的时候，电压不变；
在不连接到稳定电源的时候，极板上的电荷量不变。
例题：平行板电容器两极板相距 d，面积为 S，用电源给其充电，当电压为 V0 时，
拆去电源，然后将介质板插入(其厚度为 t，相对介电常数为 κ)，求此情况下：(1)极
ly
板上的电量 Q
(2)两极板间的电容 C、电势差∆R、及储存的静电能C
ai
(3)介质中的场强 E 和空气中的场强 E0。
tD
;" +" X
解：(1)断电后极板上电荷量不变，所以极板上所带电量：Q = R% „% =
(
(2)插入电介质后，整个电容器可以看作两个相对介电常数分别为 1 和 κ 的两个小电
es
容器串联，如图 2.8。
T
图 2.8 电容器的等效模型
上下两个部分的电容分别为：
-% Š
„" =
;−~
‰-% Š
„$ =
~
根据电容器的串联法则，总电容 C 满足
— — 笔记区——
Note Taking Area

88
AP
1 1 1
= +
" "" "$
"" "$ %&% '

"= =
"" + "$ %( + (1 − %),
因此
/ %(.% + (1 − %),.%
∆. = =
" %(
1 &% '.%$ (%( + (1 − %),)
0 = /∆. =
2 2%($
ly
(3)我们知道平行板电容器无论里面有没有介质都是电中性的，板的外面没有电场。
我们在上极板附近作一个像图 1.18 右图中 S1 和那样的高斯面，通过高斯定理可知上

ai
极板附近的场强为
3 / .%
2% = = =
tD
&% &% ' (
这也就是空气中部分的场强。
又因为总电势差等于两个小电容器的电势差之和，也就是
%(.% + (1 − %),.%
es
∆. = ∆." + ∆.$ = 2% (( − ,) + 2, =
%(
将2% 的表达式代入上式，就可算出
.%
2=
T
%(
注意：本题第 3 小问中如对下极板用高斯定理，则除了考虑极板上的自由电荷 Q
外，还应该考虑电介质在此处因为极化而产生的束缚电荷 Q’。但因为 AP 电磁学考
纲中不要求定量计算束缚电荷的大小，故尽量避免在电介质表面或内部使用高斯定
理。
考察对于电容本身原理的理解。同学们在备考时需要多动手操练本章的题目，提高
自己电路分析能力和对于电容原理的理解。

89
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AP
ly
1. (2012-5)
ai
tD
es
2. (2012-15)
T
— — 笔记区——

90
AP
3. (2013-8)
ly
ai
tD
4. (2013-16)
es
T

91
AP
5. (2013-25)
ly
6. (2013-27)
ai
tD
es
T
— — 笔记区——

92
UNIT
ly
ai
tD
es
T

关注Tes Daily,和 W+出国留学党一起奋斗
UNIT
ly
ai
tD
es
T

关注Tes Daily,和15W+出国留学党一起奋斗
AP P
A A
UNIT
Electric
ly
Circuits
ai
tD
es
T
AP EXAM WEIGHTING

UNIT

出 1 学和
学留
一学学
ly
出
ai
tD
es
T

AP
UNIT 3: Electric Circuits 电路
1. Circuit Components and Features 电路的组成部分和性
1.1 Current 电流
ly
电流的实质是电荷的定向移动。电流的方向是正电荷移动的方向，而一般电线（材
料一般为金属）中移动的是电子(带负电)，因此电流的方向与电子移动的方向相反。
电流是标量，符号为 I，单位为安培(A)。
ai
tD
电流的大小等于单位时间内一个截面内流过的电荷量：
(/ C
4= (1 A = 1 )
(, s
es
T
图 3.1 电流的微观解释
如图 3.1 所示，在微观层面，如果我们设电子的定向移动速度是 vd、导线内单位体积
的电子数量为 N，那么由于 dt 时间内通过截面 A 的电荷分布在高为 vddt、底面积为
A 的小圆柱内，因此电流 I 又可以表达成：
d/ :d; :<d. :<=>: d,

4= = = = = :<=>:
d, d, d, d,

93
AP
上式中 e 是元电荷，dn 是单位时间内通过截面的电子个数，dV 是小圆柱的体积。要
注意，电子在电路中的运动不仅仅包括定向移动，还包括无规则的热运动。定向移
动速度是 vd 是一个宏观统计量，它表示单位时间内导线内电子的平均位移的大小。
电流与导线横截面积的比值(严格来说，是某点附近电流微元与该点处垂直 vd 方向面
积微元的比值)叫做电流密度(current density)，用符号 J 表示。注意，电流是标量，
但电流密度是矢量，后者的方向与正电荷在该点处定向移动的方向相同。电流密度
ly
的表达式为：
d4
?⃗ = Â
d=
Â为单位矢量。
ai
tD
1.2 Source of Emf 电源
一个电路需要电源才能工作。一般电源有很多种，AP 物理 C 电磁学中涉及的基本都
是恒压电源，也就是电压不会改变的电源，考试中除了求电源电压部分，一般都会
es
给出电压，这个电压叫做电动势(electromotive force，简称为 emf)。大部分电池的内
部是有内阻的，相当于在一个恒压电源外加了一个电阻，这种电池叫做非理想电池
T
(non-ideal battery)。反之，无内阻的电池叫做理想电池(ideal battery)。电源的符号如
图 3.2 所示。
图 3.2 Electric Motive Force and Resistance
— — 笔记区——

94
AP
1.3 Resistor 电阻器
电阻器是阻碍电流的电子元件，单位为欧姆(Ω, Ohm)，其电阻值决定了阻碍的大
小。阻值越大阻碍的特性越大，相同的电压流过的电流越小。电阻的符号有两种，电阻器和电容器不仅在串并联的时
候完全相反，他们和面积和长度的关
如图 3.3 所示。对于一段横截面积均匀的导体，其电阻的决定式是：系也是完全相反的（一个正比一个反
比）。
DE
C= er/zyx
=
ly
其中，D为电阻率，l 为这段导体的长度，A 为这段导体的横截面积(如图 3.4 所示)。
同一物质的电阻率在不同情况下不一定相同，可能随着温度的变化而变化。
ai
在 AP 物理 C 电磁考试的 FRQ 中，一
图 3.3 Signs of Resistors 定会涉及一个实验题。在本题中，经

tD
常会考察误差分析。多情况下，电
阻容易对实验产生较大误差，因此同
学们在写误差分析时一定要多从电
阻考！下面有几个常的电阻产生
的误差：1、导线中的电阻，Resistance
in wires ； 2 、电源的内阻， Internal
es
resistance of batteries；3、电流表电压
表的电阻，Resistance of ammeter and

voltmeter。
er/Jun
T
图 3.4 Calculation of Resistance of a Conductor
1.4 Ammeter and Voltmeter 电流表与电压表
电流表(ammeter 或称 galvanometer)与电压表(voltmeter)都是电阻与灵敏电流计的简单
组合。灵敏电流计是利用通电直导线的磁效应转动指针的一种装置，我们会在第四
章详细介绍这个效应。

95
AP
灵敏电流计是很精细的一种装置，当强电流经过的时候可能会导致装置的损坏，所
以我们就需要用电阻来调节通过灵敏电流计的电流。如图 3.5 所示，电压表可以看作
一个灵敏电流计和一个大电阻串联在一起，而电流表可以看作一个灵敏电流计和一
个电阻并联在一起。
电流表和电压表在不 ideal 的情况下，
ly
会有电流表分压，电压表分流的情况。
有时会考误差分析有关的题可以从
这个角度入手。
er/zyx
ai
tD
图 3.5 Ammeter and Voltmeter
1.5 Electric Power 电功和电功率

es
电路中的电流在通过电子元器件的时候，会将电势能转化为其他形式的能量。通过
一段电路的产生的电功为：
T
F = 4Δ.
其中 I 为通过这段电路的电流，ΔV 为这段电路两端的电势差。当这段电路符合我们
接下来学习的欧姆定律的时候(欧姆定律的适用条件见 2.1)：
Δ. $
$
F = 4Δ. = 4 C =
C
— — 笔记区——

96
AP
2. Circuit Analysis 简单电路分析
2.1 Ohm’s Law 欧姆定律
欧姆定律(Ohm’s Law)指的是，流过一段导体的电流等于这段导体两段的电压除以这
段导体的电阻。写成公式为：
Δ.
4=
ly
C
其中，I 是流过导体的电流，ΔV 是导体两段的电压差，R 是导体的电阻。

ai
:Y E<
在微观层面上，我们结合? = Â ，Δ. = 2 ∙ E，C = ，以及在常见导体中Â、E 和 l
:D D
的方向相同的性质，得出欧姆定律的微观表达式：
tD
2
?=
D
欧姆定律只适用与纯电阻电路，即把全部或几乎全部电能转化为热能的电路。也就
es
是说，对发光二极管(还转化为光能)、电动机(机械能)、螺线管/线圈(磁场能)、电容
(电场能)和气体导电(光能/电离能)等就不适用了。对于大部分导体来说，其电阻值不
T
随电压的变化而变化，如图 3.6 左所示；而如图 3.6 右所示随着电压值变化电阻值产
生变化的物质叫做非欧(nonohmic)导体。
图 3.6 Ohmic and nonohmic conductor

97
AP
我们节选了 AP 官方 2009 年第 8 道例题作为例子
ly
ai
此题正确答案选择 C。这题有两种做法。最简单、最快捷的一种是用分压原理。电
tD
阻并联，那么每条支路两端点的电压都等同于电源电压。所以我们可以得出两个 4
欧姆定律虽然考察点不难，但是是整
千欧姆电阻两端电压为 20 伏特。这时候再次运用串联分压原理，两电阻阻值相同，
个电学比较重要的一个知识点。大家
所以电压平均分配，都为 10 伏特。第二种做法前面不变，依旧得出支路为 20 伏
需要注意欧姆定律的定义及其公式。
es
er/Jimmy Suo $% >

特。运用欧姆定律变形公式求出支路电流为[ 2\。更具串联分流，串联电流相等我们
$% >
可以计算出单个电阻压差为[ 2\ × 4 kΩ = 10 V。本质上第二种方法证明了分压原
T
理。
— — 笔记区——

98
AP
2.2 Kirchhoff’s Node (Junction) Rule 基尔霍夫第一定律
基尔霍夫第一定律说的是把进入一个节点(junction/node)的电流记为正，离开一个节
点的电流记为负，则所有进入一个节点的电流代数和等于 0，如图 3.7 所示。公式
为：
N 4& = 0
&V"
ly
其中 Ik 是流入或流出节点的电流，n 是电流的数目。 ai
tD
图 3.7 Kirchhoff’s Junction Rule and Water Analogy
2.3 Kirchhoff’s Loop Rule 基尔霍夫第二定律

es
基尔霍夫第二定律说的是一个闭合回路(loop)所有原件的两端的电压代数和为 0。公
T
式表达是：
N .& = 0
&V"
m 是取的这个回路的闭合原件数目。
若一个电路图中有多个电源，使用基尔霍夫第二定律时电流方向无法确定，可以人
为规定每一个 loop 中的电流方向。

99
AP
对于需要用这个定律求解的问题，我们可以通过以下步骤来运用此定律：
1. 指定一个闭合回路，如图 3.8(a)所示的电路中，我们可以画出三条人为规定方向
的回路，而图 3.8(b)中的回路更多。
ly
ai
图 3.8 Kirchhoff’s Loop Rule
2. 按照图 3.9 所示规则确定电势差符号和大小

tD
基尔霍夫电流定律相当于电荷守恒
定律的体现（没有电荷在节点凭空产
生或消失），
基尔霍夫电压定律相当于能量守恒
es
定律的体现（一圈下来同一位置电势
没有改变）。
图 3.9 Calculation of Kirchhoff’s Loop Rule
er/kelvin
我们以图 3.8(a)中的闭合回路 1 来举例，在此回路中有两个电阻，一个理想电源。电
T
流从电源正极出发到负极，也就是顺时针方向，和 r1 和 R 的环路方向相反，因此电
势差分别是 Ir1 和 IR。回路通过电源的方向从正到负，因此电势差是−&。
— — 笔记区——

100
AP
3. 将电势差加起来得到表达式：
4O" + 4C − & = 0
下面我们通过一个例子，使用基尔霍夫第一和第二定律来求解电路电流。注意，使
用基尔霍夫定律列方程时，方程的个数往往多于未知数的个数，因为这些方程之间
并不是独立的。一个小诀窍是，对于具有 b 条支路、n 个节点的电路，可列出(; −
1)个独立的电流方程和P − (; − 1)个独立的电压方程。
ly
ai
图 3.10 基尔霍夫定律的运用举例
tD
例题：如图 3.10 所示电路，已知 E1 = 42 V，E2 = 21 V，R1 = 12 W，R2 = 3 W，R3 = 6
W，试求：各支路电流 I1、I2、I3 。
es
解：该电路支路数 b = 3、节点数 n = 2，所以应列出 1 个节点电流方程和 2 个回路
电压方程：在使用基尔霍夫第二定律计算的时
候，建议大家在考试的时候一定要多
T
(1) I1 = I2 + I3 (任一节点) 在图上标一标画一画自己在图上选

好的 loop 和电流方向。很多时候这一
(2) R1I1 + R2I2 - E1 - E2 = 0 (同图 3.8(a)中的 loop 2) 类考题错误的原因往往是在犹豫自
己考试时疏忽，没有标记看差了导致
(3) R3I3 - R2I2 + E2 =0 (同图 3.8(a)中的 loop 3) 的一些很可惜的错误。
er/Jimmy Suo
代入已知数据，解得：I1 = 4 A，I2 = 5 A，I3 = -1 A。
电流 I1 与 I2 均为正数，表明它们的实际方向与图中所标定的参考方向相同，I3 为负
数，表明它们的实际方向与图中所标定的参考方向相反。

101
AP
2.4 Series and Parallel Connections of Resistors 电阻的串联和
并联
电阻的连接方式有两种：串联(Series Connection)和并联(Parallel Connection)，如图
3.11 所示。
ly
ai
tD
图 3.11 Series and Parallel Connection of Resistors
串联的电阻可以等效成一个所有电阻值直接相加的电阻，如图 3.11(a)所示：
es
对于串联电路：
.W^W0< = N .5
T
5V"
4W^W0< = 4" = 4$ = ⋯ = 4U
所以
U
.W^W0<
CW^W0< = → CW^W0< = N C5
4W^W0<
5V"
并联的电阻可以等效成一个符合下列公式的电阻，如图 3.11(b)所示：
对于并联电路：
.W^W0< = ." = .$ = ⋯ = .U
— — 笔记区——

102
AP
U
4W^W0< = N 45
5V"
所以
U
1 4W^W0< 1
= → CW^W0< = N
CW^W0< .W^W0< C5
5V"
2.5 Example 关于串并联的例题
ly
串联喝并联问题在 AP 考试中难度不大，比较基础，是同学们应该能拿到的分。在考
试中，这种题目只要仔细分析，结合串联并联电阻、分压、分流的概念，一般不用
ai
花很多时间在此类题目上。下面这道题目节选自官方 2012 年第 17 题。
tD
通过上述题目，我们可以来细证
一下为什么在并联电路中总阻值总
是是于各电阻的阻值。
我们可以建这样一个数学问题：已
es
知，，和
为大于的自然数。求证。
T
同理我们可以得到。
正确答案选择 A 选项。此题考查了同学们对于并联电路的知识。题目中提到阻值为由此我们就可以得出上述题目中的
结论：在并联电路中，总阻值总是
10 欧姆，问电路中两并联电阻的阻值情况，根据我们上述提到的并联电路公式，我于各电阻的阻值。
e Jimmy Suo
们可以知道，在并联电路中，总阻值总是小于各电阻的阻值，所以选择 A。

103
AP
2.6 Experiments 实验题
2.6.1 Ohm’s Law Experiment 欧姆定律实验
对于实验测量欧姆定律也是 AP 考试的一大考点。一般我们设置一个简单电路(电源-
电流表-电阻-电压表),通过不断变换电阻的阻值来得到欧姆定律电流和电压的线性关
系。如上图中的左图。考题可以设置为从图中获取信息计算相应电流、电压、电阻
ly
值。考题一般出现在 FRQ 中。
ai
2.6.2 Battery Internal Resistance Experiment 测量电源内阻实验题
对于实验测量电池内阻来说本质上和欧姆定律实验没有太大的不同，只是未知量换
tD
成了电阻，在原本的基础上加上了滑动变阻器用于多次测量实验数据得出结论。同
学们在应对此类考题时，需要多多看图和表格，仔细分析。
es
3. Complex Circuit 复杂电路
简单电路考察了同学们对于电路以及电路元件的一些基本认识。复杂电路则考察同
T
学们对于多种电路排列方式、多个电子元件复杂排列的分析和计算能力。对于复杂
电路，往往很多不同的方法去分析电路、计算需要求解的值，不同的方法选择也会
影响我们的做题思路和效率。所以，我们希望通过讲解不同的电路分析方法，让同
学们在解题时可以“对症下药”。
— — 笔记区——

104
AP
3.1 Node-Voltage Analysis 节点电压分析法
节点电压分析法顾名思义就是通过判断节点的电压完成对于电路的分析。这个方法
其实在之前我们讨论基尔霍夫第二定律时就已经涉及。总结来说：
求电阻阻值：
1. 找到合适的 loop
ly
2. 利用基尔霍夫第一定律判断 loop 的电流
3. 利用基尔霍夫第二定律列出节点电压等式
4. 求解等式得出电阻
ai
求电阻对应电压：
tD
1. 找到合适的 loop
2. 利用基尔霍夫第一定律判断 loop 的电流计算出节点电压
3. 利用电流和电压关系比如欧姆定律，找出电阻对应电流
es
4. 使用节点电压找出电阻电压
3.2 Node-Current Analysis 节点电流分析法

T
这张图可以做一点延申：在一种特殊
情况下，R3 这个电阻的支路是没有电
对于简单电路，电流走向都非常明确，线路单一。如果遇到复杂电路如下图流通过的，就是当 R1/R4=R2/R3 时。
此时根据分压原理，R3 左右两端的电
势大小一样，所以 R3 两端没有电势
差，也就没有电流通过 R3。把刚才的
等式化简以下就是 R1R3=R2R4，这就
是惠斯通电桥 (Wheatstone's Bridge)
这个知识点，感兴趣的同学可以在课
外了解一下。这个结论对于做一些比
较难的 MCQ 也有可能会用到。
图 3.12 er/

105
AP
对与电流的分析就比较复杂。对于这种题目的解法，本质上还是运用基尔霍夫两大
定律进行求解。但和之前不同，因为我们需要求解多个电流值，我们需要选出多个
不同的 loop 进行求解。同学们只需记住，我们需要列出式子的个数永远是等于我们
需要求解未知变量的个数。
3.3 Circuit Simplification 电路简化
ly
很多题目为了迷惑同学们，喜欢把一些本质上简单的电路画的很复杂，比如用一些
斜着的线路去连接电子元件。同学们遇到这类题目的时候可以更具节点对其进行简
ai
化，重新画图表明串并联关系。在画图的时候表明电流方向，已知的信息会有利于
理清思路解答题目。
tD
4. RC Circuit 电阻-电容电路
有关电容器的基础知识我们已经在第二章中复习过。在这里，我们主要定量地介绍
es
一种电路—RC 电路。它由一个开关、一个电阻和一个电容串联而成，有时会再串联
一个电源。RC 电路中的 R 代表电阻 resistor，C 代表电容 capacitor。(顺便提一下，R

T
作为“resistor/电阻器”意思时用来做 label，是正体；R 作为“resistance/电阻值”意
思时用来做 physical quantity，是斜体。C/C、L/L 也同理。)同样地，还有 LC(电感-
电容)电路和 LR(电感-电阻)电路，前者在最新的 AP 电磁学考纲中已经不作要求，后
者我们将在第五章着重学习。
— — 笔记区——

106
AP
4.1 Charging and Discharging of a Capacitor 电容的充放电
总结一下电容充电放电的过程：刚闭
合时,电容器两板间电势差为 0,开始
充电,稳定时是可以看作断路的。电路
稳定后断路,电容器开始放电,相当于
一个电压逐渐减小的电源 . 而电路中
单位时间电阻通过的电量就是这个
电压逐渐减小的电源产生的电流。
ly
er/ Josie
图 3.13 Charging of a Capacitor
如图 3.13 所示，电源是理想电池，我们设 C 两端的电压为.，电路中电流为 i。我们

ai
将开关闭合的瞬间，电容上电荷为零的时刻作为开始时刻，根据基尔霍夫第二定律
:;
以及第二章中我们得出的S = " :W ：
tD
d.
C" +.−& =0
d, 电容的充放电是 AP 考试 FRQ 部分几
乎每年必考的一个知识点，大家对于
用分离变量法解这个微分方程，左右两边同时乘 dt 整理后得：
充电放电时的 I,V 和时间的关系式一
定要烂熟于心，最好能够背下来，并
es
C"(. = (& − .)(,

且能够熟练写出推导过程。这里也会
1 1
(. = (, 考到画图题，记住最关键的一点就是
&−. C"
图像的末端变化速率会越来越慢，永
两边同时积分远有渐近线；这块可以用‘能量的大小
T
1 1 不会发生突变，只会慢慢改变’这个道
I (. = I (, 理来理解，所以电容板两端的电压以
&−. C"
, 及电路中的电流都是慢慢变化的。
− ln|& − .| = + XY;Z,[;,
C" er/
当 t=0，V=0:
XY;Z,[;, = −ln |&|

,
ln|& − .| = ln|&| −
C"
两边同取底为 e：
)
& − . = &: !*+ ——笔记区——

107
AP
整理后：
)
. = & w1 − e!*+ x
因此电容上所带电荷 q 和时间的关系为：
W
_ = "∆. = "&(1 − e!Q_ )
电路中电流：
d_ & ! W
S= = e Q_
d, C
ly
我们称 RC 的乘积这个物理量为 time constant of the circuit，记作 τ。当 τ 越大，充放
电时间越长；当 τ 越小，充放电时间越短。RC 电路中 q 与 i 随时间变化的图像如
3.14 所示。
ai
tD
es
图 3.14 RC 电路充电的 i-t 图与 q-t 图

T
图 3.15 Discharging of a Capacitor
— — 笔记区——

108
AP
同样，如图 3.15，在放电的过程中，以电容上的电荷量原本为/% ，开关闭合的一刻
为开始时刻，那么我们可以得到电容上剩余的电荷量 q 和电路中电流 i 与时间的关系
为：
W
_ = /% e!Q_
d_ /% ! W
S= =− e Q_
d, C"
同学们可以用与充电过程类似的方法来推导出上式。电路放电的 i-t 图与 q-t 图如
ly
下。 ai
tD
图 3.16 RC 电路放电的 i-t 图与 q-t 图

es
4.2 Example 例题
如图 3.12 所示为一 RC 电路，初始状态 C 含有电荷为 0，从接通开关的时刻开始计

T
时，试比较大小：(1) τ 时刻时，电流对 R 的功率 PR 和对 C 的功率 PC；(2) 0 ~ τ 时间
内，R 产生的总热能 Q 和 C 储存的总电场能 U。
解：(1) 根据F = 4Δ.以及串联电路 I 处处相等，只要比较 R 和 C 两端的Δ.即可。
根据 C 两端的电压
W
∆.` = & ï1 − e!Q_ ñ

109
AP
代入 t = τ = RC 得到
1
Δ.` = & ï1 − ñ
e
根据基尔霍夫第二定律& − Δ.` − Δ.a = 0，得到
1
Δ.a = &
e
" "
由 e = 2.71828…可以得到1 − b > b，所以Δ.` > Δ.a ， F` > Fa 。
ly
(2) C 所带电荷为
W 1
_ = "& ï1 − e!Q_ ñ = "& ï1 − ñ
e
ai
因此 C 储存的电场能
1 _$ 1 $ 1 $
0= = "& ï1 − ñ
2" 2 e
tD
接下来我们求 R 的产热。t 时刻电路中电流：
d_ & ! W
S= = e Q_
d, C
因此 R 的发热功率为
es
& $ ! $W
F = S$C = e Q_
C
把 P 对时间积分，得到 R 的产热
T
Q_ Q_
& $ ! $W 1 1
/ = I Fd, = I e Q_ d, = "& $ (1 − $ )
% % C 2 e
因为
1 1 $ 2 2 2 1
ï1 − $ ñ − ï1 − ñ = − $ = ï1 − ñ > 0
e e e e e e
" " $
所以w1 − ! x > w1 − x ，也就是 Q > U。
b b
— — 笔记区——

110
AP
关于这道题，有兴趣的同学还可以思考如下两个问题：
W
第一，在没有 R 时，电池给 C 充电的过程中所做的功为∫% 4&d, = /&，而 C 中储存
" "
的电场能仅为$ /&，另外$ /&的能量大部分以电磁波的形式耗散了。那么在有 R 时，
理想状态下是否还存在电磁波导致的能量耗散？也就是说，对于任意时刻 t，0 ~ t 时
间内电池做功 Wt 是否等于 R 上产生的热能 Qt 与 C 上储存的电场能 Ut 之和？试分别
计算 t 时刻的 Wt、Qt、Ut 来给出证明。
ly
第二，Qt 与 Ut 随时间变化的图像大致长什么样子？电流对它们的功率 PR 和 PC 关于
ai
t 的函数图像又长什么样子？试定性地画出这两幅图，并在 t 轴上中标出时刻 τ。
tD
提示：(1) 通过计算可知，理想 RC 电路充电没有电磁波导致的能量耗散，即 Wt ≡ Qt
+ Ut。同样，理想 RC 电路放电也不存在电磁波导致的能量耗散。换言之，RC 电路
充电时电池输出的电能全部转化为 R 产生的热能和 C 中的电场能；放电时 C 中的电

es
场能全部转化为 R 产生的热能。
+!
(2) 如图 3.17 所示。注意：一，PR 初始值是 Q ，并不是无穷大，所以 Qt 的初始斜率
T
也不是无穷大；二，Qt 和 Ut 的渐近线相同；三，Ut 的初始斜率为 0，以后呈 S 形增
长。

111
AP
有兴趣的同学可以自己推倒一下 RC
电路和 LR 电路关于电压的表达式，
中间涉及到了 differential equation 的
知识。AP 在历年考试中只有一次出现
ly
了 RC 电路对于电压推导的 FRQ。
图 3.17 思考题提示
er/Jimmy Suo
这两道思考题不会做也不要紧哈，AP 电磁学不会考这么难的，把前面的例题弄懂就
ai
足够应对绝大部分考试题了(特别是第二个思考题，编者自己出的题自己试着去画，
也画错了好几遍才最终想懂 orz)。下面让我们体验一下 AP 电磁学考试的真实难度。

tD
es
T
— — 笔记区——

112
AP
1. (2008-9)
ly
ai
tD
es
T

113
AP
ly
2. (2009-19 & 20)
ai
tD
es
T
— — 笔记区——

114
AP
3. (2012-16)
ly
ai
4. (2012-17)
tD
es
T

115
AP
5. (2008-14)
ly
6. (2013-2)
ai
tD
es
T
— — 笔记区——

116
AP
7. (2017-FRQ-2)
ly
ai
tD
es
T

117
AP
ly
8. (2018-FRQ-2)
ai
tD
es
T
— — 笔记区——

118
AP
ly
ai
tD
es
T

119
AP
9. (2019-set1-FRQ-2)
ly
ai
tD
es
T
— — 笔记区——

120
AP
10. (2019-set2-FRQ-1)
ly
ai
tD
es
T

121
AP
ly
ai
tD
es
T
— — 笔记区——

122
UNIT
ly
ai
tD
es
T

UNIT
ly
ai
tD
es
T

AP P
A A
UNIT
Magnetic
ly
Fields
ai
tD
es
T
AP EXAM WEIGHTING

UNIT

出 1 和
学和 i sa a 和和
和一一
i sa a 和一
ly
学学一
ai
tD
es
T

AP
Unit 4: Magnetic Fields 磁场
1. Magnetic Fields 磁场
1.1 Definition of Magnetic Field 磁场的定义
有磁性的物体叫做磁体。与电荷不同，迄今为止发现的所有磁体都有 N 极和 S 极(见
ly
图 4.1)，同极相斥异极相吸。将另一磁体放入这个磁体附近的时候，这个引入的磁
体会受到原有磁体的力的作用，传递这个力的场就是磁场。
ai
磁场的强度叫做磁感应强度(正式名为 magnetic flux density，但在 AP 电磁学考试中
tD
常被直接叫为 magnetic field 或 magnitude of magnetic field)，磁感应强度是矢量，它
的符号是 B，单位是 T (Tesla, 1 T = 1 N/(A·m))。与电场相似，磁场也是不可直接观测
的，所以我们使用磁感线来刻画磁场的存在。
es
T
图 4.1 Magnetic Poles: Repulsive and Attractive
磁感线和电场线的一大重要区别是
磁感线一定是闭合曲线。磁体外部磁
感线 N 指向 S，内部则是 S 指向 N，
形成闭合曲线。
er/zyx
图 4.2 Magnetic Field Lines ——笔记区——

123
AP
如果图 4.2a 所示，我们可以近似把磁场中每一个点放上一个小磁针，而这个小磁针
N 极所指的方向即为这个点的磁场方向。如图 4.2b 所示，磁铁外磁感线的箭头方向
永远都是从 N 极指向 S 极，而在磁感线中任意一点的磁场方向是磁感线切线的方
向。
地磁场(Earth’s magnetic field 又称 geomagnetic field)是地球内天然造成的一种自然现
ly
象。地磁北极在地球的南极，地磁南极在地球的北极。通过这两个磁极的假想直线
与地球的自转轴大概成 11.3 度的倾斜。验证地磁的现象、方法、应用有指南针、小
ai
磁针等。地磁场产生的原因尚未有清晰的定论，只有一些假说例如是由于地球内部
融化的铁和镍、是由于地球自转等原因等。感兴趣的同学可以课后多做了解。
tD
1.2 Magnetic Force on a Moving Charge 运动电荷在磁场中的
受力
es
不仅磁体在磁场中会受到作用力，带电的物体同样会受到磁场的作用。如图 4.3 所
示，当一个运动的电子进入磁场的时候，会受到一个偏转的作用力，这个力是电荷
T
所受磁场力，在国内通常称作洛伦兹力。
图 4.3 Magnetic Force on a Moving Charge
— — 笔记区——

124
AP
洛伦兹力的大小与这个电荷在磁场中的运动速度，运动方向和磁场强度的大小都有
关系，其一个带电量为 q，速度为 v 的电荷在磁感应强度为 B 的磁场中运动时受到的
洛伦兹力为：
d⃗ = _>⃗ × e
8⃗
其大小为：
d = _>e sin h
ly
其中 θ 为 v 与 B 方向的夹角。
同时，我们需要了解向量叉乘的方向判断，叉乘计算使用右手来判断叉乘后的向量
的方向：如图 4.4 所示，首先确定电荷的速度方向和磁场方向，然后判断第一向量至

ai
第二向量的转动方向(保证转动角度在 0°到 180°之间)，使用右手的四指来模拟这个
tD
叉乘向量的转动，让手在这个过程中握紧成拳，这时候大拇指的方向就是叉乘后向
量，也就是洛伦兹力的方向。
关于右手的另一个定则：安培定则，
也叫右手螺旋定则，是表示电流和电
es
流激发磁场的磁感线方向间关系的
定则。通电直导线中的安培定则（安
培定则一）：用右手握住通电直导线，
让大拇指指向直导线中电流方向，那
T
么四指指向就是通电导线周围磁场
的方向；通电螺线管中的安培定则
（安培定则二）：用右手握住通电螺
线管，让四指指向电流的方向，那么
大拇指所指的那一端是通电螺线管
的 N 极。
图 4.4 Direction of Lorentz Force and Cross Multiply er/ Josie
当速度方向和磁场方向相同的时候，洛伦兹力的大小为零；上述方向判断方法仅适
8⃗ 前面的系数为负数，知洛伦兹力
用于正电荷，如果物体带有负电荷，那么根据>⃗ × e
的方向和正电荷的情况相反。

125
AP
根据洛伦兹力的作用规律我么可以得到以下结论：(1)静止电荷不受洛伦兹力；(2)洛
伦兹力的方向总是与磁场方向、电荷运动方向都垂直；(3)洛伦兹力不做功。
1.3 Motion of a Charge Particle in Magnetic Field 带电粒子在
磁场中的运动轨迹
因为洛伦兹力不做功，所以当除了洛伦兹力之外的力都可忽略时，在匀强磁场中运
ly
动的电荷速率不会改变，因此洛伦兹力也不变，电荷做匀速圆周运动。这时的洛伦
兹力提供了向心力。
带电粒子在磁场中做圆周运动，根据
ai
tD
AP 物理 C 力学当中学到的知识，在
一个物体做圆周运动时，物体受到的
和运动方向垂直方向上的力对物体
不做功，所以这种情况下洛伦兹力对
带电粒子是不做功的，同学们一定要
es
注意这个知识点，MCQ 里面可能会做
为选项出现
er/
T
图 4.5 Motion of a Charged Particle in a Magnetic Field
如上图 4.5，根据圆周运动向心力的公式我们可以得到：
i> $
d = |_|>e =
C
i>
C=
|_|e
— — 笔记区——

126
AP
下面这道题节选自 2013 年官方真题第 29 题。
ly
ai
tD
正确答案选择 D 选项。此题同学们需要注意，上述关于用手记粒子移动速度方向、
磁场方向和首力方向只适用于正电荷。在应对如题目中负电荷运动时，我们只需要同学们在考试的时候若遇到此类考
题一定要慎重选择。这类考题表面上
es
将得出的结果取相反的方向就可以了。或者在用手比划一开始，将负电荷运动方向看起来简简单单，秒出答案，实则笑
里藏刀藏着一个电子。同学们要注意
指向题目中运动方向相反的方向即可。故选择 D。审题，看清楚是电子还是正电荷再进
行判断。
T
er/Jimmy Suo

127
AP
对于带电粒子在磁场中的运动我们挑选了来自 1998 年的第 58 题进行例子示范。
ly
ai
tD
正确答案选择 A 选项。根据在匀强磁场中运动的电荷速率不会改变，所以无论 r 的
es
增加减少，负电荷的转动频率始终不变。
T
1.4 Magnetic Force on a Current-Carrying Conductor 通电导
线在磁场中的受力
电流是电子的定向移动，每一个电子在通过磁场的时候会受到洛伦兹力，作为一个
宏观整体，电流在磁场中也会受到力的作用。如图 4.6 所示，对于每一个电子来说，
它的受力为：
d⃗ = _>⃗ × e
8⃗
— — 笔记区——

128
AP
对于一段长度为 L，电子密度为 ρ，横截面积为 A 的导体来说，它受到的作用力为：
d⃗ = ô_>⃗ × e
8⃗ö(;=l) = 4l
8⃗ × e
8⃗
其大小为：
d = 4le sin h
其中 L 的方向是沿着电流的方向，θ 是电流方向和磁场方向间的夹角，这个宏观作用
于通电导线上的力是电流所受磁场力，在国内通常称作安培力(如图 4.6)。
ly
ai
tD
图 4.6 Magnetic Force on a Current-Carrying Conductor
当导线并不是直线的时候，就需要对导线长度的微元进行积分：
d⃗ = I 4(dl8⃗ × e
8⃗)
es
注意，虽然单个电子所受到的洛伦兹力不做功，但宏观上的安培力是可以做功的。
T
这是因为导体中电子的速度方向可能不同于导体的宏观运动方向，虽然洛伦兹力与
电子速度方向保持垂直，但与导体运动方向不一定垂直。
下面我们运用本节知识来证明 2 个关于通电线圈在磁场中受力的重要结论，这 2 个
结论在最新 AP 电磁学考纲中要求掌握。

129
AP
例：有一个通有电流 I、面积为 A 的单匝平面线圈，形状不规则。现将它放在磁感应
强度为 B 的匀强磁场中，已知这个线圈所在平面与磁场方向夹角为 α，证明：(1)线
圈所受的合外力为 0；(2)线圈所受的合力矩为 BIA cosα。
ly
ai
图 4.7 线圈在磁场中的受力
证明：(1)我们把磁感应强度 B 分解为平行于线圈法线的分量 B∥和平行于线圈所在平

tD
面的分量 B⊥。我们先考虑 B⊥，它的大小为 B cosα。如图 4.7，考虑旋转轴上任意一
段高度微元 dh，其对应的两段电流元 I dl1 和 I dl2 所受的安培力分别为：
dd" = ec 4 dE" sin h"

es
dd$ = −ec 4 dE$ sin h$
又因为
dℎ
T
dE" =
sin h"
dℎ
dE$ =
sin h$
所以
dd" = −dd$
— — 笔记区——

130
AP
所以对于每段高度微元 dh，它所对应的两个电流元所受合力均为 0，因此整个线圈
所受 B⊥造成的安培力合力为 0。我们对 B∥同样使用考虑每个 dh 微元的方法，可以
得到整个线圈所受 B∥造成的安培力的水平方向分力为 0(请同学们自己尝试证明)。最
后，我们再在线圈平面内作一条与 OO’垂直的轴，对它进行微元，使用与前面相同
的办法得到线圈所受 B∥造成的安培力的竖直方向分力为 0。因此整个线圈所受合力
为 0。
这里我们使用了力的分解来解决问题，事实上，如果我们考虑到 B 为常量，还可以
ly
直接使用矢量积分的方法：
ai
d⃗ = I 4(dl8⃗ × e
8⃗) = 4 ïd dl
8⃗ñ × e
8⃗ = 40
8⃗ × e
8⃗ = 0
tD
(2) B∥造成的安培力始终在线圈平面内，力矩为 0，下面我们考虑 B⊥造成的安培力
所产生的力矩。我们同样考虑图中的一段高度微元 dh，它所对应的两段电流元 I dl1

es
和 I dl2 所受合力矩为：
do = p" dd" + p$ dd$ = p" ec 4 dE" sin h" + p$ ec 4 dE$ sin h$ = ec 4(p" + p$ )dℎ
T
注意(p" + p$ )dℎ就是图中阴影部分的面积，它对 dh 积分就得到了整个线圈的面积。
因此整个线圈所受合力矩为：
o = I ec 4(p" + p$ )dℎ = ec 4= = e4= cos s

131
AP
这道题可能对于有些同学来说难度偏大，虽然考纲中有要求，但一般真实考试不会
这么难。感到困难的同学可以先只考虑线圈形状为长为 a、宽为 b 的矩形的特殊情
况，尝试计算出每条边所受的力和力矩，然后再计算合力/合力矩，检验是否跟上题
的结论一致。但注意题干中这两个结论不仅适用于矩形，对任何形状的平面线圈都
适用。
ly
关于判断通电导线在磁场中的有效长度：
1. 导线是直线，计算长度的时候，长度是与速度垂直方向上的投影
ai
2. 导线是曲线，无论是优弧还是劣弧，长度为两点之间的弦长，这一长度就是等效
导线。
tD
es
T
— — 笔记区——

132
AP
例 3. (2009-FRQ-2d)
ly
ai
这道题是一道很综合的题目，不仅要用到电阻的定义式来求长方体的电阻，用欧姆
tD
定律求电流大小，还要正确使用安培力的公式，判断出磁场穿过的通电部分的长
度。首先我们用电阻的定义式求电阻的大小：
Dl 4.5 × 10!) v · i × 0.080i

C= = = 7.2v
= 5.0 × 10!d i$
es
然后通过欧姆定律求电流的大小：
. 9.0.
4= = = 1.25=
C 7.2v
T
最后我们要运用安培力的公式，F=IBL，这里 L 的值是 0.080m，这个长度才是磁场
穿过的有效长度：
d = 4el = 1.25= × 0.25{ × 0.080i = 0.025<

133
AP
2. Laws of Magnetic Field 磁场计算定律
2.1 Ampere’s Law 安培定律
在一般的磁场强度计算中，我们会使用到安培定律，如图 4.8，它的具体含义是任意
一个闭合曲线包含的电流强度乘以真空磁导率，等于闭合曲线上的磁感应强度对曲
线长度的积分：
ly
8⃗ · dE⃗ = |% 4beI
de
ai
tD
图 4.8 Ampere’s Law
es
选取的这个闭合曲线叫做安培环。
T
— — 笔记区——

134
AP
2.2 Biot-Savart Law 毕奥-萨伐尔定律
毕奥萨伐尔定律是磁场中的库仑定律，它展示了一个微小电流源在空间的一点产生
的磁场强度：
ly
这块 AP 考试在 FRQ 中的考察还是比
较灵活的，特别是在磁学这块。毕奥
- 萨法尔定律除了考察一写关于这个
ai 定律的计算以外，还会考察对于公式
的推导和理解。同学们如果平时多理
图 4.9 Biot-Savart Law
解和反复推到书中提到的几个重点
数学论证，考试基本上是没有问题的。
如图 4.9 所示，设一段通电直导线上的一小段是 dl，空间上的 P 点距离这个 dl 是 r，
tD
er/Jimmy Suo
dl 的方向为导线的切线方向，r 的方向沿着 dl 和 P 的连线：
|% 4 dE⃗ × Ô
8⃗ =
de
4π O $
es
那么整段导线在这个点上产生磁场强度就是：
|% 4 dE⃗ × Ô
8⃗ =
e I $
4π O
T
3. Calculation of Magnetic Field 磁场强度的计算
3.1 Magnetic Field due to a Long Straight Conductor 通电直导
线周围的磁感应强度
在第一章中计算电场强度时，如果我么可以找到一个高斯面，高斯面上的场强大小
处处相等且方向与高斯面垂直，那么我们就选用高斯定理计算场强；否则就用库仑
定律积分计算。与此类似，在计算磁感应强度时，如果我们可以找到一个安培环，

135
AP
环上的磁感应强度处处相等且方向处处与环相切，那么我们就采用安培定律计算磁
感应强度；否则就用毕奥-萨伐尔定律老老实实积分计算。在这里我们采用安培定律
计算磁感应强度。通电的直导线可以看作图 4.10 左所示的圆柱体，我们选择使用一
个圆作为安培环，若是选取圆柱体内的一点，即安培环的半径小于圆柱的半径，我
们有：
8⃗ ⋅ dE⃗ = e(2πO) = |% 4beI

de
ly
这时的包含电流是和 r 有关系的，
O$
4beI = 4
ai
C$
在这个圆环上每一点的磁场强度都是一样的，所以得到：
|% 4
e= O
tD
2πC$
es
图 4.10 Magnetic Field due to a Long Straight Conductor

T
若是选取圆柱体外的一点，即安培环的半径大于圆柱的半径，我们有：
8⃗ ⋅ dE⃗ = e(2πO) = |% 4beI

de
在这个圆环上每一点的磁场强度都是一样的，所以得到：
|% 4beI
e=
2πO
通过以上例子，我们总结出安培定律求解磁感应强度的步骤：(1)选定安培环；(2)计
算安培环内通过的电流和安培环的周长；(3)用安培定律解出磁感应强度。
— — 笔记区——

136
AP
3.2 Force between Parallel Conductors 平行导线的相互作用力
对于空间中平行的两根导线，其中一根产生的磁场会对另一根产生安培力，反之亦
然。对于图 4.11 所示的情况，根据 3.1 中结论和d = 4le sin h，h = 90°，得到每根在考试中做题时，建议同学们在判断
出一根导线在另一根导线处产生的
直导线所受的安培力的大小为：磁场后，在试卷上做上标记，再进行
进一步推导，以免粗心放错。
|% 44′
d= E er/kelvin
2πO
ly 在已有基础上补充以下内容：平行导
ai 线之间的相互作用力有一个规律，如
果两条导线电流方向相同，则两条导
线相互吸引；如果两条导线电流方向
不同，那么两条导线相互排斥。这个
tD
规律同学们可以记一下，在选择题当
中非常实用。
er/
es
图 4.11 Force between Parallel Conductors
3.3 Magnetic Field in a Solenoid 通电螺线管内部的磁场

T
将导线绕着一个圆柱体缠绕就可以得到一个螺线管，理想螺线管一般满足绕线比较
紧密，而且边缘效应可以忽略。理想螺线管内部的磁场也使用安培定律来计算。

137
AP
图 4.12 Magnetic Field in a Solenoid
我们首先可以使用右手定则判断内部磁场的方向：对于螺线管上每一点使用右手定
ly
则，发现图 4.12 的所示情况的内部电场处处磁场方向指向左侧；也可以使用四指沿
着电流的方向，此时拇指的指向就是磁场的方向。
ai
我们选择一个长方形作为安培环的形状，如图 4.12 所示，bc 和 ad 边垂直于磁场方
向，点乘积分和为零，bc 边选取在距离螺线管非常远的位置上，可以看作 bc 边上的

tD
积分值也为零，所以使用安培定律有：
通电螺线管是 AP 常考的内容之一， 8⃗ · dE⃗ = el = |% 4beI = |% ;l4

de
建议大家熟悉用安培定律推导磁场
强度的方法。同时，AP 会考察和实验其中 n 为单位长度内的导线数量，I 为螺线管内的电流，所以得到：
es
设计和数据分析相关的题目。我记得
之前考过通过测螺线管的电流和内
e = |% ;4
部磁场来计算μ0，大家可以思考一下
怎么机算（提示：想一想 current (I)
T
vs magnetic field (B)的图像，它的斜率通过这个模型，我们同样可以推测一块磁铁内部磁场走向是从 S 极指向 N 极。

是什么），并想一想为什么要在螺线
管的中心测 B，为什么用螺线管越长
越好？
er/ChaiZX
— — 笔记区——

138
AP
3.4 Magnetic Field of a Circular Current Loop 通电圆环外的磁
ly
图 4.13 Magnetic Field of a Circular Current Loop
对于图 4.13 所示的情况，我们需要使用毕奥-萨伐尔定律进行积分，对于圆环上一个

ai
小段的 dl，对应在 P 点的磁感应强度 dB 为：
tD
|% 4 dE
de =
4π ([ + p $ )
$
产生的磁感应强度可以分解为沿 x 轴和沿 y 轴的两个分量：
|% 4 dE [
deH = decosh =
4π ([ + p ) ([ + p $ )"/$
$ $ $
es
|% 4 dE p
deN = desinh =
4π ([ + p ) ([ + p $ )"/$
$ $ $
T
所有在 y 轴上的分量相互抵消，所以磁场强度只剩下了沿 x 轴方向的量：

$*0
|% 4 [dE |% 4[$
eH = I =
% 4π ([$ + p $ )8/$ 2([$ + p $ )8/$
当 x = 0，即 P 点在圆环中心的时候，
|% 4
eH =
2[

139
AP
以上 3.1-3.4 介绍了一些常见电流形态周围的磁场分布。如同第一章 5.1-5.5 中所贯彻
的原则一样，这里不可能枚举完所有考试中可能出现的模型，这些结论也不需要死
记硬背。我们需要通过这些例子深入理解安培定律和毕奥-萨伐尔定律的适用条件和
解题步骤，考试时能够灵活运用。我们摘选来自 AP 2012 第 35 题作为例子。
ly
ai
tD
es
T
8⃗ · dE⃗ = el = |% 4beI 。这里 enclosed current 我们只需要求出

正确答案选择 A 选项。∮ e
g
对应导线截面面积乘电流就可以了即为 4。
$h
— — 笔记区——

140
AP
3.5 Example 例题
图 4.14 安培定律和毕奥-萨伐尔定律应用举例
ly
例：(1) 如图 4.14 左图所示，一有限长导线通有电流 I，导线外有一点 P，相关数据
如图，求 P 点磁感应强度大小；(2)如图 4.14 右图所示，一块无限大带电平板通有电
流线密度(电流强度除以横截面长度)为 j 的电流，方向向右，已知距离平板高度为 h
ai
处一点 P 的磁场方向沿水平方向，求该处磁感应强度大小。
tD
解：(1)考虑直线上任意一点 Q(图中未画出)，它与 P 的连线和电流方向夹角为 θ，则
-
PQ 距离|C| = Kie g。根据毕奥-萨伐尔定律，Q 处电流元 Idl 在 P 处产生的磁感应强
es
度大小为：
|% 4 dE⃗ × C• |% 4 dE sin h |% 4 dE sin8 h

8⃗ £ = §
£ de § = =
4π C$ 4π O $ / sin$ h 4π O$
T
-
方向垂直纸面向内。设 P 在导线上的投影处 l 坐标为 0，则E = − jke g(与第一章 5.2.1
类似)，两边求微分得
O
dE = dh
sin$ h
将上式代入 dB 的表达式，对 θ 积分，得到：

g!
|% 4 dE sin8 h |% 4 sin h dh |% 4
e=I $
= I = (cos h" − cos h$ )
4π O g# 4π O 4πO

141
AP
(2)
图 4.15 第(2)小题解
注意到磁场的对称性，也就是说距离平板同一高度的所有点上磁感应强度必然相等
(因为没有一个点在周围的电流分布比其他点更“特殊”)。如 4.15，选择一个通过 P
ly
的矩形安培环，安培环包含一部分通电平板，且电流流向纸面内(图 4.14 中左视
图)。安培环的水平边 a 远大于 h，以至于可以不考虑矩形竖直边上的磁感应强度。
ai
安培环的周长可以近似看为 2a，通过的电流大小为 aj，所以环的水平边上的磁感应
强度大小为
tD
|% 4 |% [† |% †
e= = =
E 2[ 2
可见，平板以上或以下的空间都是匀强磁场。注意平板上下磁场方向不同。
es
当然，我们也把这个平板“切割”成无限条等宽的通电直导线，然后用本章 3.1 中的
结论，对导线宽度方向进行积分来求 P 处的磁感应强度，结果与上述相同，只是这
T
样做比较麻烦而已。
— — 笔记区——

142
AP
关于同心圆电流问题我们挑选了 1988 年第 69 题作为例子
例 5. (1998-Collegeboard-69)
ly
正确答案选择 C 选项。使用右手定则，在 P 点时，由于距离左侧环形距离小于右侧
环形距离，所以净 B 场更偏向右边。
ai
tD
es
T

143
AP
ly
1. (2012-9)
ai
tD
es
T
— — 笔记区——

144
AP
2. (2012-27)
ly
ai
3. (2013-17)
tD
es
T

145
AP
4. (2013-18)
ly
ai
tD
5. (2013-29)
es
T
— — 笔记区——

146
AP
6. (2013-30)
ly
ai
tD
es
T

147
AP
7. (2017-FRQ-3)
ly
ai
tD
es
T
— — 笔记区——

148
AP
ly
ai
tD
es
T

149
AP
8. (2018-FRQ-3)
ly
ai
tD
es
T
— — 笔记区——

150
AP
ly
ai
tD
es
T

151
AP
9. (2019-set2-FRQ-2)
ly
ai
tD
es
T
— — 笔记区——

152
AP
ly
ai
10. (2019-set1-FRQ-3)
tD
es
T

153
AP
ly
ai
tD
es
T
— — 笔记区——

154
AP
ly
ai
tD
es
T

155
AP
ly
ai
tD
es
T
— — 笔记区——

156
UNIT
ly
ai
tD
es
T

UNIT
ly
ai
tD
es
T

AP P
UNIT
ly
Electromag
netism
ai
tD
es
T
AP EXAM WEIGHTING

UNIT

出 1 学
和学学和
和关一学
一学学一
ly
学
ai
tD
es
T

AP
UNIT 5: Electromagnetism 电磁现象
1. Electromagnetic Induction 电磁感应
1.1 Magnetic Flux 磁通量
联系电场中的电通量概念，我们也可以得到磁通量(magnetic flux)，它可以看作通过
ly
一个曲面的磁感线条数：
8⃗ · d=⃗
‡l = I e
ai
1.2 Induction Experiment 电磁感应实验
tD
上一章我们讲述了电流产生的磁效应，也就是将电转化成磁，之后的很多年里，科
学家们都在想办法寻找将磁转化成电的方法。在 1830 年，英国的法拉第和美国的亨
利发现只有将运动的闭合导线穿过磁场，导线中才会产生电流。
es
T
图 5.1 Induction Experiment

157
AP
在图 5.1 所示的第一种情况，如果将一个磁铁静止放在线圈上方，那么这个线圈中则
不会产生电流；但是如图 5.1 右边三种情况所示，若将一个磁铁顺着线圈上下移动，
或是将一个电磁线圈上下移动，或是外部线圈不移动但是在闭合或断开开关的瞬
间，外部线圈中都会产生电压和电流，我们将外部的这个线圈叫做感应线圈，而这
个电压我们叫做感应电动势(Induced Electric Motive Force)。
ly
1.3 Lenz’s Law 楞次定律
在上述的电磁感应实验的基础之上，我们可以进一步将磁生电的条件总结为闭合导
ai
线内的磁通量改变。无论是磁铁插入拔出线圈，还是通电和断开的瞬间，都是感应
线圈内的磁通量在改变大小或方向。
tD
在此基础上，楞次定律给出了感应线圈内部的电流方向。楞次定律要表达的意思
是，感应线圈内产生的电流产生的磁场总是抗拒磁通量的变化。我们用图 5.2 的几个

同学们可以记住口诀“增反减同，来
es
拒去留”。
例子来说明这个定律。
er/Jimmy Suo
T
图 5.2 Induced Current and Lenz’s Law
— — 笔记区——

158
AP
如图 5.2(a)所示的情况，原磁场的方向向下，并且因为磁铁向下运动，所以磁通量向
下增加，为了抗拒这种变化，感应电流产生向上的磁场来抵消一部分原磁场的增
加，使用右手定则可以知道电流的方向为逆时针。5.2(c)中，磁通量向下减少，为了
抗拒这种减少的趋势，感应产生向下的磁场来补偿一部分原磁场的减小。其他两种
情况同理。如果原磁场是由线圈产生的，也要先判断原磁场方向，再判断原磁场增
减性，从而得出感应电流产生的磁场方向和感应电流的方向。
ly
注意在图 5.2 的全部 4 种情况下，磁铁的运动方向与它在感应磁场中的受力方向均相
ai
反。这是因为磁铁的一部分机械能转化为了线圈中的电能，磁铁必然对外做功。因
此，楞次定律也是能量守恒定律的一种表现形式。
tD
1.4 Faraday’s Law 法拉第定律
楞次定律给了我们关于感应电动势定性的规律，而法拉第定律解释了关于感应电动
es
势定量的关系。对于一个 N 匝的闭合的线圈来说，它的感应电动势为：
d‡l
& = −<
d,
T
负号体现了楞次定律。
例 1：如图 5.3 所示，一根长直导线与一个矩形线框在同一平面内，AD 边平行于导
线。线框的总电阻为 R，长为 h，宽为 b，与导线距离为 a。导线中的电流随时间均
匀增大，关系为4 = ˆ, (k 为常量)，求 t 时刻线框 AB 边所受安培力的大小。

159
AP
图 5.3 例 1 图
ly
解：这是一道典型的求线框在变化磁场中受力的问题，通常的思路为求磁通量—求
感应电动势—求电流—求安培力。
ai
(1) 求磁通量。通电导线在与它距离 r 处激发的磁感应强度为e = $*-
"
，因此通过线
m Y
tD
框的磁通量等于
0M1
|% 4ℎ |% 4ℎ 0M1 1 |% ℎˆ, [ + P
8⃗ · d=⃗ = I
‡l = I e dO = I dO = ln
0 2πO 2π 0 O 2π [
(2) 求感应电动势与电流。根据法拉第定律，
es
d‡l |% ℎˆ [ + P
& = −< =− ln
d, 2π [
负号表示感应电流激发磁场的方向与磁通量变化的方向相反。根据欧姆定律，感应
T
电流
& |% ℎˆ [ + P
4= =− ln
C 2πC [
(3) 求安培力。根据安培力公式(因为题目只要求大小，我们这里把负号忽略掉)，
0M1
|% ℎˆ [ + P |% 4 |%$ ˆ $ ℎ, $ [ + P
d = I e4 dE = ln ·I dO = ln
2πC [ 0 2πO 4π$ R [
— — 笔记区——

160
AP
1.5 Motional EMF 动生电动势
我们知道了通过改变闭合线路内的磁通量可以产生感应电动势，那么除了如上例一
样改变线圈内的磁感应强度以外，我们还可以改变闭合线圈的面积来产生感应电动
势。
ly
ai
图 5.4 Motional EMF
平面中有一个 U 形的滑轨和一个可以在滑轨上无摩擦运动的短杆，匀强的磁场垂直
tD
于这个平面，短杆与 U 形滑轨组成一个闭合线圈。我们设闭合线圈的宽度(即短杆的
长度)为 l，线圈的长度为 a，短杆滑动的速度为 v，磁感应强度大小为 B，那么短杆

es
上产生的感应电动势大小为：
d‡ e[E d[
&=− = = eE = eE>
d, d, d,
注意，上面这个式子虽然是通过闭合回路推出来的，但它也适用于未组成闭合回路
T
的短杆。当一根长度为 l、电阻为 r 的金属杆在匀强磁场 B 中以速度 v 垂直磁场运动
时，它就相当于一节电动势为& = eE>的电池。此时金属杆中没有电流通过，但它的
两端仍然存在电动势。

161
AP
例 2：
(1) 如图 5.4 所示，平面中有一个 U 形的滑轨和一个可以在滑轨上无摩擦运动的短
杆，匀强的磁场垂直于这个平面，短杆与 U 形滑轨组成一个闭合线圈。短杆的长度
为 l、质量为 m、电阻为 R，磁感应强度大小为 B，其余电阻忽略不计。某时刻给短
杆一个向右的初速度 v0，求短杆速度随时间的函数。
ly
(2) 对于下表 5.1 所示的 4 种情况，列出短杆速度与时间的微分方程。在前三种情况
我们一般在 AP 考试中会遇到下面两中，写出短杆最终速度的表达式。
ai
种滑杆问题，滑杆在各自情况下都会
达到一个最终稳定速度：
1、电源-电阻-滑杆：通电的滑杆在
磁场中受到磁场力而加速运动。随着
tD
速度的增加，滑杆两端的动生电动势
越来越大，直至与电源电动势抵消。
至此，电路中电流为零，滑杆受到的
电场力为零，速度不再改变，v=U/BL。
2、外力-电阻-滑杆：滑杆受到外力，
不断加速切割磁场线，产生逐渐增加
es
的动生电动势以及电流。滑杆受到的
磁场力相应不断增加，直至与外力抵
消。至此，受力平衡，速度不再改变，
v=FR/(BL)2。
T
er/kelvin
表 5.1 滑杆问题的几种常见情形
+ l<S
解：(1) 短杆上的电流4 = Q = Q
，因此根据安培力公式，短杆受力d = e4E =
l!<!S :S
Q
，方向向左。根据牛顿第二定律d = i :W ，
l!<!S :S
− = i :W
— — 笔记区—— Q

162
AP
负号是因为短杆的受力方向与初速度方向相反。通过分离变量法解这个方程，结合
初速度 v0，得到短杆的速度
l!<!W
> = >% : ! ]Q
:9
(2)第一种情况，我们设电容器上带电量为 Q，则电流4 = :W
，短棒的动力学方程为
:9 :S ]
d = e4E = eE = −i 。因此d/ = − d>，积分得
:W :W ln
ly
i
/= (> − >)
eE %
, ,
+! l<S!
根据欧姆定律，电路中电流4 = Q
+
= Q
+
。那么
ai /
eE> −
d = e4E = eE " = −i d>
C d,
tD
把 Q 的表达式代入上式，得到短棒的动力学方程为：
i i>% d>
we$ E$ + x> − = −iC
" " d,
:S ]S
令 = 0，得出短杆最终稳定时的速度为]Ml!"<!_ 。
:W
es
B!+ B!l<S l<B!l ! < ! S

第二种情况，容易得到4 = = ，短杆受力d = ，因此短杆的动力学
QM- QM- QM-
方程
T
eE2 − e$ E$ > d>

= −i
C+O d,
B
最终速度为，与初速度无关。
l<
l!<!S
第三种情况跟第(1)小题类似，但这里djJjko = d − e4E = d − ，短杆动力学方程
Q
e$ E$ > d>
d− =i
C d,
/Q
最终速度为。
l!<!

163
AP
第四种情况与第一种情况的不同是这里短杆的电阻忽略不计，电容两端的电压就是
短杆产生的电动势。因此电流
d/ d("&) d("eE>) d>

4= = = = "eE
d, d, d, d,
:S
代入短杆的动力学方程djJjko = d − e4E = i ，得到
:W
d> d>
d − e$ E$ " =i
d, d,
:S /
可见短杆做匀加速运动，加速度为 = ]Ml!<!_ 。
:W
ly
例 3：如图 5.5 所示，在竖直平面内建立 xOy 坐标系，在 0≤x≤0.65 m、y≤0.40 m 范
ai
围内存在一具有理想边界、方向垂直纸面向里的匀强磁场区域。一边长 l＝0.10 m、
质量 m＝0.02 kg、电阻 R＝0.40 Ω 的匀质正方形刚性导线框 abcd 处于图示位置，其

tD
中心的坐标为(0,0.65 m)。现将线框以初速度 v0=2.0 m/s 水平向右抛出，线框在进入
磁场过程中速度保持不变，然后在磁场中运动，最后从磁场右边界离开磁场区域，
完成运动全过程。线框在全过程中始终处于 xOy 平面内，其 ab 边与 x 轴保持平行，

es
空气阻力不计。
(1) 求磁感应强度 B 的大小；

T
(2) 从 cb 边出磁场时开始计时，ad 边出磁场时停止计时，求线框产生焦耳热的功率
P 对 t 的函数；
(3) 求 cb 边出磁场前，cb 两端的电势差∆.与线框中心位置的 x 坐标的函数关系。
— — 笔记区——

164
AP
ly !
ai
图 5.5 落框问题
解：这是一道平抛运动与电磁感应的综合问题，我们可以把它分解成水平方向和竖
tD
直方向来求解。
(1) 线框进入磁场时，虽然水平方向有速度，但 da 边和 cb 边产生的电动势相互抵

es
消，只有 ab 边产生有效的电动势。因为线框进入磁场时做匀速运动，所以重力与安
培力是一对平衡力，即
T
eE>c
iŠ = eE
C
由平抛运动规律，
>c$ = 2Šℎ
根据以上两式，代入数据得e = 2 T

165
AP
(2) 只考虑水平方向的情况，与例 2 中第(1)小题比较相似，可以得出线框水平方向
的速度为：
l!<!W
> = >% : ! ]Q
因此产生焦耳热的功率为
$
l!<!W
e$ E$ Å>% : ! ]Q Ç
eE>
F = d> = eE >=
C C
ly
上式中运用了能量守恒原理，即线框克服安培力做功的功率就是线框产生焦耳热的
功率。当然 P 也可以直接写成
$
ai
l!<!W
$ $ !
e E Å>% : ]Q Ç
eE> $
F = 4$ C = ï ñ C=
C C
结果相同。代入数据解得
tD
F = 0.4e!"%W (W)
es
T
图 5.6 线框运动过程示意图
— — 笔记区——

166
AP
(3) 线框运动过程示意图如上图所示。首先根据力学知识求出图中 1234 四个位置的
x 分别为 0.4 m，0.5 m，0.6 m，0.7 m。因此线框的运动过程可以分为如下几个阶
段：
i) 0 ≤ p < 0.4 m，线框未进入磁场，∆. = 0；
ii) 0.4 m ≤ p < 0.5 m，bc 边进入磁场的部分长度为Z = p − 0.4 m，因此根据第 3 章
Q l<S- Q
知识，∆. = eZ>∥ − 4 ) = eE>∥ − Q )
= 4p − 1.7 (V)；
ly
iii) 0.5 m ≤ p < 0.6 m，线框中磁通量不变，总电动势为 0，电流为 0，但 bc 边的电
动势不为 0，∆. = eE>∥ = 0.4 (V)。

ai
1.6 Vortex Electric Field 涡旋电场
tD
涡旋电场(又称感生电场)是一种由随时间变化的磁场所激发出的电场。它能对在其中
的带电粒子施以力的作用。涡旋电场是非保守场，它的电场线是闭合的曲线。涡旋
电场的实质是一个等效电场，并非实际存在(至于为什么并非实际存在同学们在这里
es
不用过多纠结，感兴趣的同学可以查阅资料了解)。根据法拉第电磁感应定律和麦克
斯韦方程，当某一固定回路E所围成的面积 S 由于磁感强度 B 发生变化引起的磁通量

T
变化‡时，产生的感生电动势&和涡旋电场 E 的关系为：
(q X∙(l
& = ∮ 2 ∙ (E = − =− 。同学们需要注意因为是涡旋电场，是非保守场所以
(W (W
∮ 2 ∙ (E ≠ 0。我们摘选了一道例题供大家参考。

167
AP
例 4. (CB-2009-32)
同学们在这里需要区分涡旋电场和
静电场的区别
1. 涡旋电场是由于变化的磁场产生
的，不同于电荷产生的静电场
2. 涡旋电场的电场线是闭合的，没有
起电和终点；静电场的电场线起于正
电荷终于负电荷，不闭合。
ly
3. 涡旋电场中移动电荷，电场力做功
和路径有关，因此不能使用电势、电
势能等概念；静电场中，电场力做功
和路径有关，只和电荷移动初位置、
ai
末位置和电势差有关。
er/Jimmy Suo
tD
es
选择 D 选项。首先我们可以计算出感生电动势 emf 为0.001 × 30 = 0.03 V。根据& =
(q X∙(l 8(l
∮ 2 ∙ (E = − (W
=− (W
。我们的可以列出等式0.03 = | − (W
|，求出磁场变化率为 D
T
选项。
— — 笔记区——

168
AP
2. Inductor 电感器
2.1 Mutual Inductance 互感
ly
图 5.7 Mutual Inductance
ai
如图 5.7 所示，当线圈一中的电流变化的时候，线圈一产生的磁场强度也相应的发生
了变化，线圈二中的磁通量也在变化，这样线圈二中也就产生了电流。我们将这个
tD
现象叫做两个线圈的互感。
2.2 Self-Inductance 自感
es
互感在两个线圈上发生，而若将互感的两个过程合并到一个线圈上，就是自感。当
一个线圈中的电流发生变化的时候，线圈产生的磁场就会发生变化，这个线圈之中
T
就会产生一个反向的感应电动势来抗拒这个变化。利用这个原理制成的电子元器件
叫做电感，符号是 L，单位是亨利，用字母 H 表示。

169
AP
图 5.8 Self-Inductance
ly
反向电动势&的大小由电感值和流过电感的电流变化率决定：
d4
& = −l
d,
ai
如上图，随着原先电流法身变化，导致通电螺线管内产生磁场变化，感应出的电动
势方向与原先已经存在的电动势方向相反。
tD
2.3 Energy Stored in a Inductor 电感中储存的能量
电容器可以储存电荷，同时也储存了能量；而对于电感来说，同学们可以理解为电
es
感储存了磁通量，同时也储存了能量。一个电感为 L、电流为 I 的电感器储存的能量
为
T
1
0 = l4$
2
— — 笔记区——

170
AP
2.4 LR Circuits 电感-电阻电路
还记得 RC 电路嘛，time constant 是

与 RC 电路类似，LR 电路的组成如下： R*C，而 LR 电路的 time constant 却是
L/R！因为公示表里是没有这两个公
式的，如果考试的时候忘了是 L*R 还
是 L/R，可以通过单位判断！前面我
们提到 V=-L(di/dt)，所以 L 的单位是
Ω*s，而 time constant 的单位一定是
s，所以就是 L/R。
er/ChaiZX
ly
ai
图 5.9 Charging and Discharging of a Inductor
tD
沿着电路方向经过电感，如果电流正
如图 5.9 所示，先将 S2 断开，S1 闭合的瞬间开始计时，设电感两端的电压为 V，那
在增加，则电势降低，如果电流正在
降低，则电势升高。
么根据电感的定义，
er/kelvin
dS
. = −l
d,
es
根据基尔霍夫第二定律，
& − SC − . = 0
T
dS
& − SC + l =0 AP 有些时候会考列微分方程的选择
d,
题。做这种题的时候要注意公式中的
用分离变量法解得负号。这里的负号表示电势降低、电
势差是负的。以及写微分方程的题本
dS
& − SC = −l 质上就是写一个基尔霍夫定律的表
d,
达式。
1 1
I dS = − I (, er/zyx
(& − SC) l
C
ln|& − SC| = − , + X
l
运用 t=0，I=0

171
AP
c = ln|&|
C
ln|& − SC| = − , + ln|&|
l
QW
& − SC = &e! n
QW
SC = & − &e n
& QW
S= (1 − e! n )
C
与 RC 电路类似，我们称 L/R 这个物理量为 time constant of LR circuits。L/R 越大，
ly
电流变化越缓慢；l/C越小，电流变化越快。
ai
同样的，L 充满电后，断开 S1，闭合 S2 的瞬间开始计时，电路中的电流会逐渐降低
到零。设电路中原本的电流为 i0，那么电路中的电流 i 和时间的关系为：

tD
QW
S = S% e! n
同学们可以用同样的方法列微分方程解得。LR 电路充/放电时的 i-t 图如下图所示。

es
在所属电路的开关断开或切换支路
时，电容保持其原来的电势差暂时不
变（积累的电荷量不能瞬间改变），电
感保持其通过的电流暂时不变（由于
T
楞次定律）。
er/kelvin
图 5.10 LR 电路的充放电图像
— — 笔记区——

172
AP
注意，与电容器相反，电感器没充电时可以看作是断路，充满电时可以看作导线。
另外，虽然 AP 电磁学对 LC 电路不作要求，但有一种情况考纲中有要求，如下例。
例 4：如图 5.11，初始时刻 C 上带有电量 Q，求闭合 S 后电路中的最大电流。
ly
图 5.11 LC 电路
'!
解：设 t 时刻电路中电流为 i，C 上带电量为 q，则 C 中储存能量0` = ，L 中储存
$_
"
能量0s = lS $ 。根据能量守恒，
ai
$
_$ 1 $ /$
+ lS =
2" 2 2"
tD
因此当 q = 0 时 i 取最大值，最大值为
1
4 = /•
l"
es
我们节选一道来自 AP 官方 2012 年第 29 题作为例子。
例 5. (2012-Collegeboard-29)
T
同学们对于 LR 电路和 RC 电路的有关

论证推导可以多推导一下并进行对
比，本质上都是对于一个微分方程进
行求解。在 AP 考试中，也少量会出
现一些需要推公式的题目，这些题目
的关键点在于能否把公式列对。很多
同学其实已经非常熟悉简单微分方
程求解了但是最后考试败在了第一
步列公式。所以在考试时同学们一定
要仔细核对自己列出的公式。
er/Jimmy Suo

173
AP
此题正确答案选择 C 选项。这道题比较简单，我们可以直接进行公式套用0 =
"
$
l4$ ，得到答案。
3. Maxwell’s Equations 麦克斯韦方程组
麦克斯韦方程组是麦克斯韦在 19 世纪中期总结的关于磁场电场关系的一个方程组，
它由三个我们在前文中学习过的方程和高斯磁场定律组成：描述电荷如何产生电场
ly
的高斯定律、描述磁感线是闭合曲线的高斯磁场定律、描述电流和变化的电场怎样
产生磁场的安培定律、描述变化的磁场如何产生电场的法拉第感应定律。真空中麦
ai
克斯韦方程组的积分形式如下：
/TUt
⎧ d 28⃑ · d=⃑ =
&%
tD
⎪
⎪
⎪ 8⃑ · d=⃑ = 0
de
⎨d e (›
8⃑ · dE⃑ = |% 4TUt + |% (&% B )TUt
⎪ (,
⎪ •e
⎪
d 28⃑ · dE⃑ = − œ d=
⎩ •,
es
其中第三个安培定律公式中，为了满足某些特殊情况，在后面加上了一个修正用的
(u. (u.
公式|% (&% (W
)TUt 。这里考虑进去了变化的电场产生的磁场，其中(&% (W
)TUt 表示位
T
移电流，细节在此不再赘述。第四个公式是法拉第电磁感应定律的积分形式。
公式具体含义说明：
公式 1: 高斯定律基本公式，运用时需要建立高斯面(注意 symmetry rule)，在考试时
经常用来求解电场，运用时把 E 单独提取出来进行求解。
— — 笔记区——

174
AP
公式 2: 阐明了磁单极子并不存在。所以，没有孤立磁荷，磁场线没有初始点，也没
有终止点。磁场线会形成循环或延伸至无穷远。换句话说，进入任何区域的磁场
线，必需从那区域离开。以术语来说，通过任意闭曲面的磁通量等于零，或者，磁
场是一个无源场。
公式 3: 法拉第感应定律：该定律描述时变磁场怎样感应出电场。电磁感应是制造许
ly
多发电机的理论基础。例如，一块旋转的条形磁铁会产生时变磁场，这又接下来会
生成电场，使得邻近的闭合电路因而感应出电流。
ai
公式 4: 麦克斯韦-安培定律：该定律阐明，磁场可以用两种方法生成：一种是靠传
tD
导电流(原本的安培定律)，另一种是靠时变电场，或称位移电流(麦克斯韦修正项)。
es
T

175
AP
ly
1. (2013-6)
ai
tD
es
T
— — 笔记区——

176
AP
2. (2013-7)
ly
ai
tD
es
T

177
AP
3. (2013-31)
ly
ai
tD
es
T
— — 笔记区——

178
AP
4. (2013-32)
ly
ai
tD
es
5. (2012-29)
T

179
AP
6. (2012-30)
ly
7. (2012-31)
ai
tD
es
T
— — 笔记区——

180
AP
8. (2016-FRQ-3)
ly
ai
tD
es
T

181
AP
ly
ai
tD
es
T
— — 笔记区——

182
UNIT
ly
ai
tD
es
T

UNIT
ly
ai
tD
es
T

AP
Appendix: Equations 附录：新大纲方程式
ly
ai
tD
es
T

183
AP
ly
ai
tD
es
T
— — 笔记区——

184
AP
ly
ai
tD
es
T

185
AP
ly
ai
tD
es
T
— — 笔记区——

18
ly
ai
tD
AP P
es
xperience
T

T
es
tD
ai
ly
AP
“ 5 AP
/Jenny
5 + C
2020
ly
ai
1 2 AP C AP
1 2
tD
5
es
C 5
C
T
AP
From Here, Go Anywhere 187

AP
FRQ +
ly
1. Princeton Review Barron 5 Steps
ai
2. FRQs
3. TD AP
tD
1.
es
acceleration velocity
T
position Big Five
— — 笔记区——

188
AP
2.
60%-65% 5
ly
ai
tD
“ ”
4 5
es
+
T
justification

AP
ly
ai
tD
es
T
10
— — 笔记区——

190
AP
ly
60% 3
ai
tD
es
T

AP
35 45 15
ly
C C
ai 5
tD
es
T
20W+
— — 笔记区——

192
ly
ai
tD
AP P
es
T

T
es
tD
ai
ly
AP
2022AP C:
ly
1 和关 e1
e
ai
e1 e
tD
和
和
es
e1
T
1 1
1 出
e Ta i ea

1
AP
e1 国 1
e 1 e1
学 1 1 1
ly
e 1和 e
ai
tD
FRQ 1
es
Set1:
T
— — 笔记区——
e Ta i ea

1
AP
(a)
ly
(b)
ai
tD
(c)
es
T
(d)
e Ta i ea

1 5
AP
(e)
出一
ly
ai
Set2:
tD
es
T
(a)
— — 笔记区——
e Ta i ea

1
AP
(b)
ly
ai
(c)
tD
和
es
(d)
T
(e)
关
e Ta i ea

1
AP
FRQ 2
ly
Set1:
ai
tD
(a)
es
一一
一关一一
T
(b)
i 出
注 1 i
— — 笔记区——
e Ta i ea

1
AP
i
(c)
ln(V/V0)
ly
一 1
出 1 sl e
ai
(d)
tD
1
es
less s ee
T
(e)
Set2:
e Ta i ea

1
AP
(a)
一一
一关一一
ly
(b)
ai i 出
tD
i 注 1 i
i
es
(c) R
T
一出 +
i e e
一
— — 笔记区——
e Ta i ea

AP
(d)
和和
ly
(e)
ai
tD
FRQ 3
es
Set1:
T
e Ta i ea

AP
(a)
ly
(b)
ai和
tD
(c)
es
T
一关
(d)
— — 笔记区——
e Ta i ea

AP
(e) 90 c
ly
和
和
ai
Set2:
tD
es
T
(a)
e Ta i ea

AP
(b)
ly
ai
(c)
tD
和
es
(d) b
T
(e) b
— — 笔记区——
e Ta i ea

AP
学注
和出和
ly
ai 和
tD
es
T
e Ta i ea

AP
ly
ai
tD
es
T
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— — 笔记区——
e Ta i ea
From Here,
From Here, Go
Go Anywhere
Anywhere
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ly
ai
tD
AP P
es
T

ly
ai
tD
es
T

Glossary
Unit 1 : Electrostatics
charge
point charge
positive charge
negative charge
ly
electric neutrality
charge neutralization
ai
electrification by friction
triboelectrification
tD
proton
electron
bound electron
es
free electron
ionization
T
anion
cation
cathode
anode
electrode
elementary charge
coulomb
From Here,Go Anywhere
207
Glossary
electric field
electric field intensity
electric field line
electric potential
ly
electric potential energy
electric potential difference
ai
Unit 2 : Conductors,Capacitors,Dielectrics
tD
permittivity
conductor
es
insulator
dielectric
semiconductor
T
superconductor
charge
discharge
electrostatic
electrostatic equilibrium
electrostatic induction
Testdaily
20W
208
Glossary
electrostatic screening
electrostatic shield
lightning rod
capacitance
capacitor
ly
parallel-plate capacitor
positive plate
negative plate
ai
farad
tD
dielectric
Unit 3 : Electric Circuits

es
current
ampere
T
ammeter
amperemeter
galvanometer
rated current
voltage
209
Glossary
volt
voltmeter
rated voltage
resistance
ohm
ly
ohmmeter
resistivity
ai
conductivity
resistor
tD
rheostat
shunt resistor
voltmeter-ammeter method
es
power
watt
T
rated power
Joule heat
dissipation
circuit
open circuit
Testdaily
20W
210
Glossary
closed circuit
short circuit
branch circuit
in series
in parallel
direct current
ly
alternating current
battery
accumulater
ai
electromotive force
tD
emf
internal resistance
source
es
steady current source
steady voltage source
switch
T
grounded
diode
cable
211
Glossary
Unit 4 : Magnetic Fields
magnetic field
magnetic field intensity
magnetic induction
magnetic field line
ly
tesla
gauss
ai
permeability
magnet
tD
permanent magnet
electromagnet
magnetic pole
es
magnetization
current-carrying wire
T
current-carrying loop
solenoid
Lorentz force
Unit 5 : Electromagnetism
magnetic flux
Testdaily
20W
212
Glossary
weber
electromagnetic induction
induction emf
induction current
self-inductance
self-induced emf
Coulomb’s law
ly
ai
Ohm’s law
Joule’s law
tD
Kirchhoff’s rule
right-hand screw rule
Gauss’s law
es
Aempere’s law
Biot-Savart law
T
Faraday’s law of electromagnetic induction
Lenz’s law
Maxwell’s equations
weber
213
Glossary
ballistic galvanometer
ly
sensitive galvanometer
eddy current brake
ai
tD
es
T
Testdaily
20W
214
2023 CALENDAR
: AP考试，日历标注时间为全球AP统考时间
: SAT考试，日历标注时间为全球SAT统考时间
: TOEFL考试，日历标注时间为中国大陆线下考试时间
Monday Tuesday Wednesday Thursday Friday Saturday Sunday
JAN 26 27 28 29 30 31 1
2023
2 3 4 5 6 7 8
9 10 11 12 13 14 15
16 17 18 19 20 21 22
23 24 25 26 27 28 29
30 31 1 2 3 4 5
「AP备考计划」
8千+学员认可的口碑产品
AP线上最优解决方案
优质课程讲义提高学习效率
精编练习册阶梯式落实课堂所学
FEB 30 31 1 2 3 4 5
2023
6 7 8 9 10 11 12
13 14 15 16 17 18 19
20 21 22 23 24 25 26
27 28 1 2 3 4 5
「AP备考计划」长线班
8千+学员认可的口碑方案
AP 5分收割机
名师正课讲解并录制逐题讲解
高分助教答疑至考前最后一刻
MAR 27 28 1 2 3 4 5
2023
6 7 8 9 10 11 12
13 14 15 16 17 18 19
20 21 22 23 24 25 26
27 28 29 30 31 1 2
「AP冲分集训」
真题模考+名师精讲
=> 冲刺AP 5分
6套官方真题保障刷题质量
10篇Essay精批提高答题水平
APR 27 28 29 30 31 1 2
2023
3 4 5 6 7 8 9
10 11 12 13 14 15 16
17 18 19 20 21 22 23
24 25 26 27 28 29 30
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主编按——AP 手册 7.

这是 AP 手册更新的第 7 版，也是 TD 致力于推动 AP 备考资源整合与升级的第 7 年。实际上，TD 研

TD 的各位授课教师也对 AP 手册进行了多轮的审核和返稿修改，本次参与审核的全部为 TD AP 教研组

UNIT 1: Electrostatics 静电学....................................................................................................... 17

3. Dielectrics 电介质 ............................................................................................................. 86

2. Circuit Analysis 简单电路分析 ......................................................................................... 97

Part Ⅲ: Experience... .187

Part Ⅳ: 2022 North American FRQ Examination Review……………………………………....193

Part V: Glossary…… .207

内容难度: 物理 C 力学、物理 C 电磁的五分率一直是 AP 中最高的科目之二，近年

深入，推荐在 11 年级和 12 年级进行学习。

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分线也很友好，电磁学和力学的卷面满分都是 90 分，5 分线通常划定在 45-55 分。

及，所以物理 2 的基础对物理 C 电磁的帮助不如物理 1 对物理 C 力学的帮助多，但

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及，比如涉及电容和电感的 R-C、R-L、L-C 电路的充放电过程的定量计算，和高斯

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AP 物理 C 力学和电磁的绝大部分单元在 A-Level 和 IB 的物理中都会涉及，只不过

A Level 和 IB 物理不使用微积分，所以更接近 AP 物理 1 中的力学和 AP 物理 2 中的

电磁。只有一个特殊的单元: AP 物理 C 力学中的 Unit 5 转动，在 A Level 物理中只

角动量等内容，而在 IB 物理中转动是属于 Option B: Engineering Physics 中的内容，

AP 物理 C 力学和电磁的所有知识都可能出现在 Physics Bow1(物理碗)当中。根据官

person/school will cover all of the topics on the test.虽然官方指出并不期待学生能掌握

助学生更好地应对物理碗竞赛。而 F=ma 竞赛中的只考察基于代数的力学知识，所

解。但是 F=ma 竞赛中的流体力学部分需要在 AP 物理 2 当中学习。

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总的来说，AP 物理 C 力学和电磁涵盖的内容要比普高、A Level、IB 中的力学和电

磁部分多，难度低于普高，但高于 A Level 和 IB。此外对准备物理碗和 F=ma 竞赛的

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2. Course Content 考试大纲

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3. Exam Components 考试形式

电学考试分为两个部分：35 道题的选择题部分和 3 道简答题部分，每个部分占总分

时，物理 C 也是 AP 时间最短的考试之一，每场考试 90 分钟。

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4. AP Score Conversion Chart & Score Distributions 评分

那么要多优秀才能拿到 AP 物理 C：电磁和力学的 5 分呢？我们可以参考下其 2019

Score 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022

5 28.5% 32% 28.1% 35% 34.6% 40.0% 32.6% 30.0%

4 24.9% 22.6% 25.1% 23.1% 22.6% 22.1% 23.1% 24.5%

3 13.7% 13.5% 15.6% 13.7% 13.9% 11.5% 13.8% 14.3%

2 19.8% 19.3% 18.2% 17.3% 17.8% 16.3% 18.0% 18.3%

1 13.1% 12.6% 13% 10.9% 11.1% 10.1% 12.5% 12.9%

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5. Exam Preparation 备考建议

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6. Course Resources 资料推荐

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其中总结分为三部分，分别是: Key Terms(关键术语)、Key Concepts(关键概念)、

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2. 5 Steps to A 5: 500 Questions 编号: 15-13

相比于 5 STEPS TO A 5 来说，本教辅是它的进阶加强版，更考验我们的掌握程度。

3. Barron Physics C Premium 编 号 : 15-14

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Chapter Introduction and Learning Strategy

运用。在官方最新给出的考纲介绍中，对于本章节在 考点的占比为 。可见这一章节在 中

的占比还是非常大的。部分考察本章的题目 高斯定律之前 是较为基础的，是整个电磁考试中的“送

型和考题类型换 不换药 球壳类型题目考察频率较多 。要保证此类题型拿到一个 的分数还需要多多

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3. Barron Physics C Premium 编号 : 15-14

运用。在官方最新给出的考纲介绍中，对于本章节在考点的占比为。可见这一章节在中

的占比还是非常大的。部分考察本章的题目高斯定律之前是较为基础的，是整个电磁考试中的“送

型和考题类型换不换药球壳类型题目考察频率较多。要保证此类题型拿到一个的分数还需要多多

时，&⃗ 与 ̂ 方向相同，在两个电荷异号时，&⃗ 与 ̂ 方向相反。

正确答案选择 C 选项。在之前我们提到，电场矢量都是由正电荷“发出”向外，首在上面这道例题中，很多同学都会被

2.3 The Superposition Principle 电场的叠加原理度。

如图 1.8 所示，蓝色的等势线表明在此蓝色的线上，电势都为同一个值。一般地，在和电势的判断，做题效率也会有一定

同一幅图中，相邻的等势线电势差相等。分 er/Jimmy Suo