櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶

DOI: 10．13290 / j．cnki．bdtjs．2021．12．005

2 ～ 4 GHz 连续波 120 W GaN 内匹配功率器件

*
张一尘，吴景峰 ，银军，斛彦生
( 中国电子科技集团公司 第十三研究所 ，石家庄 050051)

摘要: 基于自主研制的 0. 25 μm 高压大栅宽 GaN 高电子迁移率晶体管 ( HEMT) ， 采用 LC

低通谐振匹配技术和宽带功率合成技术， 利用大栅宽 HEMT 有源模型以及键合线、 电容和管壳
等无源模型进行一体化仿真， 匹配电路采用 LC 匹配网络和 λ /4 微带线将 HEMT 阻抗提高至
50 Ω，最终实现了连续波 120 W 宽带 GaN 功率器件。测试结果表明，该器件在 36 V 漏极工作电
压和 － 2. 0 V栅极工作电压下，2 ～ 4 GHz 频带内连续波输出功率大于 120 W， 功率附加效率大于
46%，功率增益大于 9. 5 dB，二次谐波抑制度大于 20 dBc，杂波抑制度大于 70 dBc。
关键词: 内匹配器件; 功率放大; S 波段; GaN; 宽带
中图分类号: TN386. 3; TN323. 4 文献标识码: A 文章编号: 1003－353X ( 2021) 12－0937－05

A 2 － 4 GHz Continuous Wave 120 W GaN Internally Matched

Power Device
Zhang Yichen，Wu Jingfeng * ，Yin Jun，Hu Yansheng
( The 13 th Ｒesearch Institute，CETC，Shijiazhuang 050051，China)

Abstract: Based on the independently developed 0. 25 μm GaN high electron mobility transistor
( HEMT) with high voltage and large gate-width，the integrated simulation was carried out by using LC
low-pass resonance matching and wideband power combining technologies，large gate-width HEMT active
model and passive models including bonding wire，capacitor and package． The matching circuit was
designed with the structure of LC matching network and quarter-wavelength micro-strip line so that the
impedance of the HEMT was improved to 50 Ω． Finally，a continuous wave 120 W wideband GaN power
device was obtained． The test results show that in the frequency range of 2 － 4 GHz，at a drain operating
voltage of 36 V and a gate operating voltage of － 2. 0 V，the continuous wave output power is greater than
120 W，the power additional efficiency is greater than 46%，the power gain is greater than 9. 5 dB，the
second harmonic suppression is greater than 20 dBc，and the clutter suppression is greater than 70 dBc．
Keywords: internally matched device; power amplification; S-band; GaN; wideband
EEACC: 2560P

［2］
性 。而宽带通信由于具备高传输速率和系统容
0 引言 ［3］
量，已经成为目前的关键技术之一 ， 因此宽带
射频固态功率放大器具有体积小、 工作频率 大功率器件具有广阔的应用前景。
宽、寿命长等优点， 是现代无线通信的关键部件， 为了满足通信系统对功率放大器日益增长的需
［1］
对发射系统的性能指标有着重大影响 。 随着无 求，需要研制新的材料和技术，而作为第三代半导
线通信技术的不断发展，要求功率放大器有更宽的 体材料的代表，GaN 具有宽禁带宽度、 高击穿电
频带、更高的输出功率和效率、高线性度和高可靠 压、强抗辐照能力和高导热率的优点，更适合用于

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櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶

制作抗辐照、大功率、宽带、高效率的射频功率放 采用 2 个 15 mm 栅宽的 GaN HEMT 管芯进行功率

［4－5］
大器件 。 合成。
现阶段对 GaN 宽带功率放大器件的研究已有 1. 2 管芯阻抗
［6］
了一定的进展。2014 年， 关统新等人 报道了一 大栅宽芯片的大信号有源模型是设计的核心，
款 2. 7 ～ 3. 5 GHz 宽带内匹配功率管， 脉冲下带内 直接影响着内匹配功率器件设计的准确度。准确的
输出 功 率 大 于 70 W， 功 率 附 加 效 率 大 于 54%。 大信号模型可以提高设计的一次成功率，使仿真结
［7］
2018 年，徐永刚等人
研制了一款 2 ～ 4 GHz 内匹 果与实际更接近，缩短调试周期。
配功率管，带内输出功率大于 100 W，漏极效率大 首先扫描管芯有源模型的直流工作点确定其工
［8］
于 45%。2021 年， 梁 宸 玮 等 人 设 计 了 一 种 2 ～ 作状态及栅极工作电压 ( V G ) ， 考虑到内匹配功率
5 GHz的内匹配宽带功率管， 脉冲下带内输出功率 器件工作在饱和区， 根据漏极工作电流 ( I D ) 和
大于 50 dBm，功率附加效率最大可达 52%。 36 V的漏极工作电压 ( V D ) ， 选择 － 2. 0 V 作为器
本文研制的 S 波段 2 ～ 4 GHz 内匹配功率器件 件的栅极工作电压。
采用基于 GaN 外延技术制作的 HEMT 芯片， 通过 根据等效模型原理，可以将管芯的负载阻抗等
内匹配的方法， 在氧化铝基片上制作高精度薄膜 效为电阻和电容并联的形式，而源阻抗则可以等效
LC 匹配网络对管芯进行阻抗匹配。 为减小外界寄 为电阻和电容串联的形式。 利用大信号模型， 在
生参量以及环境对功率器件性能的影响， 将 HEMT V G = － 2. 0 V、V D = 36 V 条件下，通过负载牵引仿真
芯片和匹配电路封装在金属陶瓷管壳内。该内匹配 确定 3 GHz 频点下单个栅宽 15 mm 管芯负载阻抗
功率器件工作带宽为 2 GHz， 覆盖整个 S 波段， 连 的等功率圆和等效率圆，如图 2 所示。选择最佳功
续 波 下 输 出 功 率 大 于 120 W， 功 率 附 加 效 率 大 率匹配点和最佳效率匹配点的连线中点为负载阻抗
于 46%。 值，确定单个管芯的负载阻抗 ( Z L ) 为 ( 4. 724 +
j7. 681) Ω。同理可计算出单个 15 mm 栅宽管芯的
1 器件设计
源阻抗 ( Z S ) 为 ( 2. 1 +j2. 473) Ω。
1. 1 管芯设计
管芯是功率器件最核心的部分，本文选用中国
电子科技集团公司第十三研究所研制的 0. 25 μm
GaN HEMT 管芯。综合考虑芯片的散热能力和器件
性能，对管芯的栅漏间距、源漏间距以及衬底厚度
进行优 化 设 计。 通 过 优 化， 芯 片 的 单 指 栅 宽 为
188 μm，栅指数为 10，胞数为 8，总栅宽为15 mm，
芯片 的 外 形 尺 寸 为 3. 6 mm × 0. 7 mm， 厚 度 为
80 μm。管芯版图如图 1 所示。 图 2 HEMT 管芯负载牵引仿真圆图
Fig. 2 Load pull simulation chart of the HEMT chip
负载牵引仿真只能得到管芯在一个频点的阻抗
值，考虑整个频带以及谐波对阻抗匹配的影响，将
采用负载牵引仿真确定的阻抗值作为初值，带入电
图 1 GaN HEMT 管芯版图
Fig. 1 Layout of the GaN HEMT chip 路中进行整体优化。
管芯的源漏击穿电压大于 180 V， 可以满足内 1. 3 内匹配电路的设计与实现
匹配功率器件 S 波段 36 V 的工作电压要求。在36 V 宽带匹配的本质是在最小的端口反射系数下实
漏源电压下管芯功率密度大于 4. 5 W / mm， 为实现 现最 宽 的 带 宽， 基 于 Bode-Fano 宽 带 匹 配 理 论 准
［9］
功率器件连续波输出功率大于 120 W，通过计算得 则，在无耗匹配网络中 Bode-Fano 约束条件 为
出选用的管芯总栅宽应大于 27 mm，鉴于功率器件 1 1 π
在工作时的热损耗、合成损耗以及插入损耗，本文 ∫ !
0
ln
Γ( ω)
dω = Δωln
Γ
≤
ＲC
( 1)

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1 1 了拓展带宽、 降低 Q 值， 可采用多节 λ /4 变换器

∫ !
0
ω
2
ln
Γ( ω)
dω≤πＲC ( 2)
进行阻抗变换。本文设计的内匹配器件的工作频段
式中: Γ 为向任意无耗网络看去的反射系数; ω 为 高低端频率比为 2，考虑芯片在信号非传输方向的
角频率; Ｒ 为负载电阻; C 为负 载 电 容。 式 ( 1) 尺寸以及管壳封装尺寸，选择 3 节 λ /4 变换器进行
和式 ( 2) 分别表示用于匹配并联和串联 ＲC 负载 匹配。
阻抗的无耗网络约束条件，分别适用于管芯的负载 通过史密斯圆图进行匹配设计，确定各元件的
阻抗匹配和源阻抗匹配。Bode-Fano 约束条件说明 初值后，利用低 Q 值匹配技术进一步进行内匹配
对于给定的负载，拓宽通带带宽需要以提高通带内 电路拓扑结构设计。 为保证传输信号的幅相一致
反射系数为代价。将式 ( 1) 进一步推导得出 性，提高器件的抗失配能力， 首先将两个 15 mm

[ ]
πω 0 栅宽的芯片通过等分匹配方式进行阻抗匹配。为了
Γ 0 = exp － ( 3)
( ω H －ω L ) Q 拓宽工作频带，采用 LC 匹配网络和多级微带线阻
［11］
式中: Γ 0 为通带内理想最低反射系数; ω 0 为中心 抗变换实现低 Q 值匹配 ， 内匹配电路总体拓扑
频率; ω H 和 ω L 分别为工作频带的最高频率和最低 结构如图 4 所示。 栅极和漏极偏置电路均呈高阻
频率; Q 为负载阻抗的品质因子。经计算可得， 当 态，选择功率分配 / 合成器的低阻端为接入口对称
反射系数大于 0. 06 时， 带宽大于 2 GHz， 满足本 接入，减小对匹配电路的影响，同时不破坏器件的
文设计 2 ～ 4 GHz 的带宽需求。 平衡性。为保证设计的内匹配功率器件稳定工作并
匹配电路拓扑选择 T 型结构。 相比于 L 型匹 避免由电源和偏置电路间谐振引入的低频振荡，需
配，T 型匹配能够有效控制匹配网络的品质因子， 在器件栅极偏置电路中加入阻值较小的电阻，改变
改善带宽和频响曲线; 相比于 π 型匹配，T 型匹配 输入匹配网络的特征阻抗。栅极和漏极偏置电路中
的隔离效果更好，且 T 型匹配网络在带外呈高阻， 均并联 3 个电容值分别为 10、100 和 1 000 pF 的电
可以实现低 Q 值的带通滤波作用。 π 型匹配更适 容与微带线共同作用，防止交流信号流入直流电源
用于网络两端都是高阻状态，L 型匹配适用于网络 影响输出功率，同时滤除电源纹波及杂波防止发生
两端阻抗差异大时，而内匹配电路中匹配网络两端 自激振荡，保证器件的工作可靠性。
都处于低阻状态，所以更适合采用 T 型结构。
基于负载牵引仿真得到管芯输入、 输出阻抗，
再利用 史 密 斯 圆 图 进 行 单 频 点 内 匹 配 电 路 设 计
( 图 3) 。首先采用共轭匹配方式， 利用 T 型 LC 匹
配网络和 λ /4 微带线， 在史密斯圆图中将电路输
出阻抗虚部绝对值降低， 再由 λ /4 微带线进行阻
［10］
抗变换 。在微带线阻抗变换器中， 单节 λ /4 变
换器的相对带宽很窄， 在 S 波段约为200 MHz， 为

图 4 内匹配电路总体拓扑图
Fig. 4 Overall topology of the internally matched circuit
在内匹配总体拓扑电路确定的基础下，利用大
栅宽 HEMT 芯片有源模型以及键合引线、 电容等
无源模型，结合内匹配合成技术及谐波平衡法进一
步对整个器件进行一体化路场协同仿真设计。根据
实际材料的厚度和介电常数等物理参量，在三维电
磁场仿真软件中对内匹配电路进行 FEM 有限元仿
图 3 史密斯圆图上的阻抗变化曲线 真并优化 ( 图 5) 。 考虑到管壳、 测试盒体以及隔
Fig. 3 Impedance transformation curves on Smith chart 直电容等对内匹配功率器件性能的影响，在仿真中

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加入管壳模型、电容模型以及外部测试电路，与阻 用耐电流能力强、 精度高、 散热能力强的 Al 2 O 3 衬

抗匹配电路共同仿真优化，提高设计的准确性。 对 底材料制备，介电常数为 9. 9，厚度为 381 μm。在
整体电路进行优化设计，内匹配器件输入和输出电压 Al 2 O 3 衬底上用 TaN 薄膜制作隔离电阻， 用 Au 薄
驻波比 ( VSWＲi 和 VSWＲo ) 仿真结果如图 6 所示。 膜制作微带电路; 电容采用厚度为 0. 2 mm、 介电
常数为 80 的钛酸锆 ( ZrTiO 4 ) 陶瓷基片实现; 电
感为直径 38 μm 的金丝。 匹配电容、 阻抗变换器
以及 GaN HEMT 芯片采用熔点 280 ℃ 的金锡焊料
焊接在气密性封装管壳中，通过键合工艺实现芯片
与匹配电路间的连接。输入、输出端内部陶瓷片与
管壳采用金带键合工艺连接，器件内部照片如图 7
所示。
图 5 内匹配电路的有限元仿真
Fig. 5 Finite element simulation of the internally matched circuit

图 7 内匹配器件内部照片
Fig. 7 Internal photograph of the internally matched device

图 6 内匹配器件输入、输出电压驻波比仿真曲线
对最终制作完成的 GaN 内匹配功率器件进行
Fig. 6 Simulation curves of VSWＲ i and VSWＲ o of the 性能调试，在调试过程中对键合线的长度和匹配电
internally matched device
容进行调整。
如图 6 所示， 功率器件的 VSWＲ i 在高频端较 对功率器件在连续波下进行 性 能 测 试，V D =
大，这是由于高频端的寄生效应大，导致信号在高 36 V、V G = － 2. 0 V 时，输入功率为 41 dBm，在 2 ～
频端的损耗大， 使 VSWＲ i 在高频端较大; VSWＲ o 4 GHz 实现带内 输 出 功 率 ( P o ) 大 于 50. 82 dBm
仿真曲线则呈波浪形，整体较低，说明漏极端口匹
( 120. 8 W ) ， 最 高 点 输 出 功 率 达 到 51. 79 dBm
配较好、输出回波损耗较低。
( 151. 2 W) ， 功率增益 ( G p ) 大于 9. 5 dB， 功率
在拓宽工作带宽的同时，还要保证电路的稳定
附加 效 率 ( η add ) 大 于 46%， η add 最 高 可 以 达 到
性，防止功率放大器件在某些工作条件下会产生自
55%，仿真及测试结果如图 8 所示。
激振荡影响器件可靠性。 对电路进行稳定性设计，
除了在偏置电路加入电阻外，还要在输入、输出匹
配网络端口加上 10 pF 隔直电容， 同时在并联的管
芯之间加入隔离电阻，抑制奇模振荡，提高两路管
芯的输出一致性。在阻抗变换器的键合点之间也加
入隔离电阻以提高隔离度， 防止不同支路间的耦
合，提高电路的稳定性。通过 S 参数仿真观察稳定
系数，在频带内的稳定系数大于 1， 表明功率放大
器件稳定工作。
图 8 连续波下输出功率、功率附加效率随频率的变化曲线
2 器件装配及测试
Fig. 8 Change curves of the output power and PAE with
frequency under continuous wave
本文设计器件的输入、输出功率合成器电路采

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对图 8 中的仿真值和实测值进行对比，输出功 带内，所以相比于高频端，低频端对于二次谐波的
率和功率 附 加 效 率 实 测 值 分 别 低 于 仿 真 值 0. 4 ～ 抑制度较差。
0. 5 dBm和 4% ～ 5%， 出现这种现象的原因主要是
在管芯模型中对热等效电路建立的模型与实际存在
误差，且仿真参数是在理想条件下得出的，而功率
器件实际工作中的环境与理想条件存在差异，当器
件在连续波下工作时，一部分能量会以热量的形式
散发，使管芯的结温升高、 芯片的功率密度降低，
导致输出功率和功率附加效率降低。
图 10 杂波和二次谐波抑制度随频率的变化曲线
对功率管进行三温测试，验证温度对器件性能 Fig. 10 Change curves of Ｒ fs and Ｒ f2 with frequency
的影响。将功率器件与测试夹具一同放入高低温实
验箱，分别在环境温度 ( θ A ) 为 － 55、25 和 85 ℃ 3 结论
下测试，测试结果如图 9 所示。
本文基于自主研制的 GaN HEMT 芯片设计的 S
波段 2 ～ 4 GHz GaN 内匹配功率器件， 采用金属陶
瓷管壳实现气密封装。该内匹配功率器件在连续波
下工作稳定，对二次谐波和杂波有较好的抑制度，
可以满足无线通信及各工业等领域对宽频带大功率
器件的应用需求，有较广阔的应用前景。

参考文献:
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图 9 不同环境温度下输出功率随频率的变化曲线 ［2］ SAAD P，FAGEＲ C，CAO H Y， et al． Design of a
Fig. 9 Change curves of the output power with frequency at highly efficient 2 － 4 GHz octave bandwidth GaN-HEMT
different ambient temperatures
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如图 9 所示，输出功率随环境温度的升高有下 Theory and Techniques，2010，58 ( 7) : 1677－1685．
降的趋势，这主要是由于高温会增强晶格振动，降 ［3］ DING X，HE S，YOU F，et al． 2 － 4 GHz wideband
低电子迁移率，使功率器件的饱和电流降低、沟道 power amplifier with ultra-flat gain and high PAE ［J］．
电阻增加，降低管芯的功率密度，使其在工作电压 Electronics Letters，2013，49 ( 5) : 326－327．
不变时输出功率降低。与常温相比，高低温下器件 ［4］ 郑新． 新型半导体功率器件在现代雷达中的应用研究
输出功率的功率变化量为 0. 19 ～ 0. 57 dBm， 表明 ［J］． 半导体技术，2009，34 ( 9) : 828－832．
器件能在 － 55 ～ 85 ℃ 下正常工作。 观察高低温下输 ［5］ 曹峻松，徐儒，郭伟玲． 第三代半导体氮化镓功率器

出功率变化趋势， 低频端输出功率受温度影响较 件的 发 展 现 状 与 展 望 ［J］． 新 材 料 产 业， 2015

( 10) : 31－38．
大，高频端则较小，这是由于低频端器件的小信号
［6］ 关统新，要志宏，赵瑞华，等． 基于 GaN HEMT 的 S
增益低、回波损耗差，而高频端器件的饱和深度较
波段 内 匹 配 功 率 放 大 器 设 计 ［J］． 半 导 体 技 术，
深，所以受温度的影响较小。
2014，39 ( 1) : 38－41．
器件的杂波和二次谐波抑制度测试结果如图
［7］ 徐永刚，李飞，钟世昌． S 波段宽带大功率内匹配器
10 所示，杂波抑制度 ( Ｒ fs ) 大于 70 dBc， 表明功
件设计 ［J］． 电子与封装，2018，18 ( 7) : 42－44．
率管的工作稳定性好，偏置电路对低频杂波的抑制 ［8］ 梁宸玮，钟世昌． 一种平衡式 GaN 内匹配宽带功率
作用好; 二次谐波抑制度 ( Ｒ f2 ) 大于 20 dBc， 且 放大器设计 ［J］． 固体电子学研究与进展，2021，41
低频端抑制度差，而高频端好，这是由于器件工作 ( 3) : 176－181．
在饱和区，低频端 2 GHz 信号的二次谐波在工作频 ( 下转第 961 页)

December 2021 Semiconductor Technology Vol．46 No．12 941


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( 收稿日期: 2021－06－18)
作者简介:
刘启军 ( 1991—) ，男，四川广安人，硕
士，工程师，主要从事功率半导体器件设计及
工艺研究。
作者简介:
张一 尘 ( 1997—) ， 男，河 北 石 家 庄 人，
硕士研究生，主要研究方向为微波功率器件与
载片;
吴景峰 ( 1966—) ，男，河北石家庄人，研究员，主要研究方
向为微波毫米波电路、电磁场理论及无线通信技术等。
Semiconductor Technology Vol．46 No．12 961