UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE GUADALAJARA DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS

FACULTAD DE INGENIERÍA
PROFESOR: BERNARDO HARO MARTÍNEZ bharo@edu.uag.mx

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Carrera: __________________________________________________________________

Número de Registro: _______________________ Fecha: ________________________

PRÁCTICA 1

Tipos de semiconductores y su fabricación

Objetivo:
Observará el comportamiento de la corriente de un semiconductor ante grandes cambios
de temperatura.

Marco teórico:

Semiconductores intrínsecos
Es un semiconductor puro. A temperatura ambiente se comporta como un
aislante porque solo tiene unos pocos electrones libres y huecos debidos a la
energía térmica. En un semiconductor intrínseco también hay flujos de
electrones y huecos, aunque la corriente total resultante sea cero. Esto se debe
a que por acción de la energía térmica se producen los electrones libres y los
huecos por pares, por lo tanto, hay tantos electrones libres como huecos con
lo que la corriente total es cero.

Semiconductores extrínsecos
Son los semiconductores que están dopados, esto es que tienen impurezas.
Hay 2 tipos dependiendo de qué tipo de impurezas tengan:

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Semiconductor tipo n
Es el que está impurificado con impurezas "Donadoras", que son impurezas
pentavalentes. Como los electrones superan a los huecos en un semiconductor
tipo n, reciben el nombre de "portadores mayoritarios", mientras que a los
huecos se les denomina "portadores minoritarios".
Al aplicar una tensión a un semiconductor, los electrones libres dentro del
semiconductor al potencial más positivo (izquierda por ejemplo) y los huecos
lo hacen al potencial más negativo (derecha por ejemplo). Cuando un hueco
llega al extremo derecho del cristal, uno de los electrones del circuito externo
entra al semiconductor y se recombina con el hueco.
Los electrones libres de la figura circulan hacia el extremo izquierdo del cristal,
donde entran al conductor y fluyen hacia el positivo de la batería.

Semiconductor tipo p
Es el que está impurificado con impurezas "Aceptoras", que son impurezas
trivalentes. Como el número de huecos supera el número de electrones libres,
los huecos son los portadores mayoritarios y los electrones libres son los
minoritarios.
Al aplicarse una tensión, los electrones libres se mueven hacia la izquierda y
los huecos lo hacen hacia la derecha. Los huecos que llegan al extremo derecho
del cristal se recombinan con los electrones libres del circuito externo.
En el circuito hay también un flujo de portadores minoritarios. Los electrones
libres dentro del semiconductor circulan de derecha a izquierda. Como hay
muy pocos portadores minoritarios, su efecto es casi despreciable en este
circuito.

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Semiconductores Dopados
En la producción de semiconductores, se denomina dopaje al proceso
intencional de agregar impurezas en un semiconductor (abreviadamente, SC)
extremadamente puro (también referido como intrínseco) con el fin de
cambiar sus propiedades eléctricas. Las impurezas utilizadas dependen del tipo
de semiconductores a dopar.
A los semiconductores con dopajes ligeros y moderados se los conoce como
extrínsecos. Un semiconductor altamente dopado, que actúa más como un
conductor que como un semiconductor, es llamado degenerado.
Semiconductores Compuestos
Son fuertemente covalentes, consisten en elementos dispuestos en forma
simétrica en el grupo IV de la tabla periódica.
También los comprenden algunos elementos entre los grupos IV y VI, como los
PbS, PbTe, PbSe y entre los grupos II y IV, como los de CdS, ZnS, CdTe y ZnO.
Pueden ser del tipo n o p e inclusive ambas.

Método Czochralski
El método consiste en la formación de un cristal en forma de varilla de material
muy puro, por contacto con un baño de mezcla fundida en un crisol de platino,
iridio, cerámica o grafito. La "varilla", cuyo extremo, en el que se coloca una
semilla de cristalización, se encuentra en contacto con el baño, se hace girar y
ascender lentamente, produciéndose un monocristal en forma de barra y
quedando las impurezas en el baño. Se utiliza una atmósfera oxidante. Por este
método, que también admite modificaciones y mejoras, se obtienen
corindones (Al2O3) muy puros, para su utilización en semiconductores (zafiros)
y láseres (rubíes). También se producen aluminato de itrio (YAG), granate de
galio y gadolinio (GGG), niobato de litio, scheelita sintética y otros materiales.
Existen diferentes tipos de procesos epitaxiales:
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-Epitaxia en fase gaseosa o VPE, en la que se crece la capa cristalina a partir de
los reactivos en fase gaseosa.
-Epitaxia en fase líquida ó LPE, en la que los reactivos utilizados para crecer la
capa cristalina están en fase líquida.
-Epitaxia por haces moleculares ó MBE. Los reactivos involucrados en este
proceso son haces de átomos o moléculas, en un entorno de muy alto vacío.
https://www.youtube.com/watch?v=tcQ0R24UbL0
https://www.youtube.com/watch?v=AMgQ1-HdElM
Material:
1 Minilab

1 DVM (multímetro digital)

1 Resistencia de 1 KOhm

1 Par de cables caimán banana

1 Diodos 1N4001

1 Encendedor

Procedimiento:
1.- Con Vi = 10 Volts de cd, armar el circuito de la figura siguiente:

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Verifique que el voltaje VR1=0 volts.

2.- Mediante el empleo de un encendedor caliente el diodo del circuito de la figura

siguiente (por 3 segundos aproximadamente):

1. Verifique que el voltaje VR1 es de varias decenas de milivolts.

2. Con base en el marco de referencia y los videos de referencia explique el porqué de

este resultado.

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