Лабораторна робота No3

1. Загальні поняття про польовий транзистор та переваги польового

транзистора перед біполярним?

польовими транзисторами називаються напівпровідникові прилади,

в яких регулювання струму здійснюється зміною провідності
провідного каналу з допомогою електричного поля,
перпендикулярного напряму струму. основні особливості:
проходження струму в каналі, обумовленого тільки одним типом
зарядів, і керування струмом каналу здійснюється за допомогою
електричного поля.

Електроди підключені до каналу, називаються стоком (Drain) і витоком

(Source), а керуючий електрод називається затвором (Gate). Напруга
керування, що створює поле в каналі, прикладається між затвором і
витоком. Залежно від провідності каналу польові транзистори діляться на:
польові транзистори з каналом р- типу і n - типу. Канал р - типу має
діркову провідність, а n - типу – електронну. Залежно від виконання
затвора уніполярні транзистори поділяються на дві групи: з керуючим р-n–
переходом та з ізольованим затвором (МДН – чи МОН – транзистори).

Ось декілька переваг, які має польовий транзистор перед біполярним:

1. Висока вхідна опірність: Польовий транзистор має дуже високу

вхідну опірність, що дозволяє йому легко взаємодіяти зі схемами
високої опору, такими як інвертори та підсилювачі. Це дає перевагу
у використанні польового транзистора у високовольтних додатках.
2. Низький рівень шуму: Польові транзистори мають менший рівень
шуму, ніж біполярні транзистори. Це означає, що вони здатні
забезпечити більш чисті та точні сигнали, що є важливим для деяких
додатків, таких як аудіо та радіоприймачі.
3. Швидка реакція: Польові транзистори мають велику швидкість
реакції на зміни вхідного сигналу, що дозволяє їм працювати з
високочастотними сигналами. Це дає перевагу у використанні
польового транзистора в електронних додатках, які вимагають
швидкої реакції на сигнали.
4. Низька споживана потужність: Польовий транзистор споживає
менше потужності, ніж біполярний транзистор, що дозволяє
зменшити витрати на електроживлення та забезпечити довший
термін служби пристрою.
2. Будова та принцип роботи, статичні х-ки польового транзистора з керуючим p-
n переходом.

У такому транзисторі затвор виконаний у вигляді

зворотньо зміщеного р-n–переходу. Зміна зворотної
напруги на затворі дозволяє регулювати струм в
каналі. Як правило, випускаються кремнієві польові
транзистори. Кремній застосовується тому, що струм
затвора, тобто зворотний струм р-n–переходу,
виходить набагато менший, ніж в германії.

Отже, якщо між витоком і стоком включити

джерело напруги Uсв, то силою струму стоку Iс, що протікає через канал,
можна керувати шляхом зміни опору (перерізу) каналу за допомогою напруги,
що подається на затвор. На цьому принципі і заснована робота польового
транзистора з керуючим р-n–переходом.

При напрузі Uзв = 0 переріз каналу найбільший, його опір найменший і струм
Iс буде найбільшим.

Струм стоку Iс поч при Uзв = 0 називають початковим струмом стоку.

Напруга Uзв, при якій канал повністю перекривається, а струм стоку Iс стає
дуже малим (десяті долі мікроампер), називають напругою відсічки Uзв відс.

Збільшення зворотної напруги на затворі призводить до зниження провідності

каналу, тому польові транзистори з керуючим р-n–переходом працюють тільки

на збіднення каналу носіями зарядів.

Розглянемо вольт-амперні характеристики польових

транзисторів з р-n– переходом. Для цих транзисторів
представляють інтерес два види вольт-амперних характеристик:
стокові і стоко-затворні.

Стокові (вихідні) характеристики польового транзистора з р-n–

переходом і каналом n-типу.Вони відображають залежність
струму стоку від напруги Uсв при фіксованій напрузі Uзв: Ic =
f(Uсв) при Uзв = const.
 Стоко-затворна характеристика польового
транзистора показує залежність струму Iс від
напруги Uзв при фіксованій напрузі Uсв: Ic =
f(Uсв) при Uсв = const

3. Будова та принцип роботи, статичні х-ки МДН транзистора з

індукованим каналом.

МДН - транзистори (структура: метал-діелектрик-напівпровідник)

виконують з кремнію. Принцип дії МДН - транзисторів заснований на
ефекті зміни провідності приповерхневого шару напівпровідника на межі з
діелектриком під впливом поперечного електричного поля.
Приповерхневий шар напівпровідника є струмопровідним каналом цих
транзисторів. МДН - транзистори виконують двох типів – з вбудованим і з
індукованим каналом. Напівпровідниковий канал може бути збіднений
носіями зарядів або збагачений ними. При збідненому каналі електричне
поле затвора підвищує його провідність, тому канал називається
індукованим.

Канал провідності струму тут спеціально не створюється, а утворюється

(індукується) завдяки припливу електронів з напівпровідникової пластини
(підкладки) у разі прикладання до затвора напруги позитивної полярності
відносно витоку. За відсутності цієї напруги каналу немає, між витоком і
стоком n-типу розташований тільки кристал р-типу і на одному з р- n -
переходів отримується зворотна напруга.

4. Будова та принцип роботи, статичні х-ки МДН транзистора з

вбудованим каналом.

Напівпровідниковий канал може бути збіднений носіями зарядів або

збагачений ними.Якщо канал збагачений носіями зарядів, то він
називається вбудованим. Електричне поле затвора в цьому випадку
призводить до збідніння каналу носіями зарядів.

При подачі на затвор позитивної напруги, електричним полем, яке при

цьому створюється, дірки з каналу виштовхуватимуться в підкладку, а
електрони витягуватися з підкладки в канал. Канал збагачується
основними носіями заряду – електронами, його провідність збільшується і
струм стоку зростає. Цей режим називають режимом збагачення.

При подачі на затвор напруги, негативної відносно витоку, в каналі

створюється електричне поле, під впливом якого електрони
виштовхуються з каналу в підкладку, а дірки втягуються з підкладки в
канал. Канал збіднюється основними носіями заряду, його провідність
зменшується і струм стоку зменшується. Такий режим транзистора
називають режимом збіднення.

У таких транзисторах при Uзв = 0, якщо прикласти напругу між стоком і

витоком (Uсв > 0), протікає струм стоку Iс поч, який називається
початковим і являє собою потік електронів.

5. Параметрами польових транзисторів та взаємозв’язок між ними.

Основні параметри (польвий транзистор з керуючим пн переходом)

   максимальний струм стоку Iс max (при Uзв = 0);

    максимальна напруга сток-витік Uсв max;
   напруга відсічення Uзв відс;

Ці параметри взаємозв’язані між собою і залежать від режиму роботи

транзистора. Наприклад, підвищення вхідного опору може знизити
коефіцієнт шуму, але одночасно знизить коефі цієнт підсилення та
передавальну характеристику. Швидкодія транзистора може бути
підвищена за рахунок зменшення його розмірів, але це може вплинути на
вхідний опір та передавальну характеристику.

Крім того, залежність параметрів транзистора від температури, напруги

живлення та інших факторів також може вплинути на їх взаємозв’язок.
Для забезпечення ефективної та надійної роботи польових транзисторів,
необхідно враховувати ці параметри та їх взаємозв’язок при проектуванні
та застосуванні електронних пристроїв.6. Динамічні характеристики
польових транзисторів.

Динамічні характеристики польових транзисторів по-різному описують їх

поведінку у ключовому і лінійному (підсилювальному) режимах роботи. У
підсилювальному режимі транзистор зазвичай працює при малому рівні
сигналу і, відповідно, розглядаються його малосигнальні схеми заміщення,
за якими визначають частотні залежності струмів і напруг. У ключовому
режимі більш істотними є періоди включення і виключення транзистора,
максимальна частота комутації і спотворення фронтів імпульсів.
Динамічні характеристики польових транзисторів відображають його
електричні властивості відносно зміни часу.Основні динамічні
характеристики польових транзисторів включають:

1. Частотна характеристика: Це залежність вхідної та вихідної

імпедансів від частоти. Визначає, як швидко транзистор може
перемикатися між станами відкритого та закритого ключів.
2. Транзисторна ємність: Це ємність між затвором та каналом
транзистора, яка визначає його частотну характеристику.
3. Транзисторний опір: Це опір каналу транзистора, який залежить від
напруги на затворі та температури. Визначає, як швидко можна
перемикати транзистор.
4. Час переключення: Це час, необхідний для перемикання транзистора
між станами відкритого та закритого ключів. Визначає, як швидко
транзистор може працювати.
5. Швидкодія: Це максимальна частота, на якій транзистор може
працювати в режимі підсилення.

Усі ці характеристики залежать від властивостей матеріалу та конструкції

транзистора, а також від його режиму роботи.