МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ

ВІДОКРЕМЛЕНИЙ СТРУКТУРНИЙ ПІДРОЗДІЛ

«ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ФАХОВИЙ КОЛЕДЖ НАЦІОНАЛЬНОГО
УНІВЕРСИТЕТУ «ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА»

« ОСНОВИ ЕЛЕКТРОНІКИ »
Конспект лекцій

Виконала
студентка групи КН-32
Качмар Богдана

Львів 2022
 Частина І. Основи теорії електричних кіл

ЛЕКЦІЯ 1. План

1. Вступ.
2. Лінійні електричні кола постійного струму.
2.1. Визначення лінійних та нелінійних електричних кіл.
2.2. Розгалужені та нерозгалужені електричні кола.
2.3. Закон Ома для ділянки кола та для повного кола.
2.4. Послідовне, паралельне та змішане з’єднання споживачів енергії.

1. Електротехніка та електроніка – галузі науки і техніки про практичне

використання фізичних явищ, пов’язаних з переміщенням та зміною
концентрації заряджених частинок у різних середовищах (вакуумі, газах,
рідинах, твердих тілах) під дією різноманітних факторів (електромагнітних
полів, температури, освітленості).
Електротехніка аналізує дані процеси в першу чергу з енергетичної точки
зору, а електроніка використовує їх для створення інформаційних систем
обробки електричного сигналу, як матеріального носія інформації в аналоговій
або цифровій формі.

2. Лінійні електричні кола постійного струму.

2.1. Визначення лінійних та нелінійних електричних кіл.
Постійним струмом називається струм, незмінний в часі, являє собою
напрямлений, упорядкований рух електричних зарядів. Носіям зарядів в
металах являються вільні електрони, а в рідинах – іони. Джерело електричної
енергії характеризується величиною і напрямком електрорушійної сили (ЕРС)
та величиною внутрішнього опору rвн (рис. 1, б)
Умовимось позначати постійний струм буквою І, ЕРС джерела – буквою
Е, а опір навантаження – буквою Rн. У Міжнародній системі одиниць (в
системі СІ) струм вимірюється в амперах (А), ЕРС – у вольтах (В), а опір – в
омах (Ом).

Коло має елементи:

 вузол – місце з’єднання трьох і більше провідників;
 вітка – нерозгалужена частина кола між двома вузлами;
 контур – будь-який замкнений шлях уздовж віток;
 двополюсник – елемент кола з двома виводами (полюсами, клемами).
 Взаємозв’язок струму, що протікає по опору і напруги на цьому опорі
прийнято називати вольт-амперною характеристикою (ВАХ).
Опори, ВАХ яких являються прямими лініями, називаються лінійними
опорами, а електричні кола, які складаються лише із лінійних опорів прийнято
називати лінійними електричними колами. Опори, ВАХ яких не є прямими
лініями (тобто, нелінійні), називають нелінійними опорами, а електричні кола з
нелінійними опорами називають нелінійними електричними колами.

2.2. Розгалужені та нерозгалужені електричні кола.

Схема рис. 1, в, являє собою найпростіше нерозгалужена коло, в якому
всіх його елементах тече один і той самий струм. Найпростіше розгалужене
коло зображено на рис. 2, а; в ньому є три вітки і два вузла.

2.3. Закон Ома для ділянки кола та для повного кола.

Відношення потенціальної енергії зарядженої частинки розміщеної в даній
точці поля до величини її заряду називається електричним потенціалом поля в
цій точці. Напруга між довільними двоматочками електричного поля
визначається як різниця потенціалів цих точок і численно дорівнює роботі,
затраченій на переміщення одиничного заряду з однієї точки поля в іншу.
Uаb = І *R – закон Ома для ділянки кола
Напруга (падіння напруги) на ділянці кола дорівнює добутку сили струму
через цю ділянку на величину опору цієї ділянки.

2.4. Послідовне, паралельне та змішане з’єднання споживачів енергії.

При послідовному з’єднанні резисторів еквівалентний опір кола
дорівнює сумі опорів резисторів
Uab = U1 + U2 + U3 = ІR1 + ІR2 + ІR3 = І(R1 + R2 + R3) = ІRекв
Rекв = R1 + R2 +…+ Rп
Напруги і струм кола визначаються співвідношеннями:
UАD = U1 + U2 + …Uп; І = І1 = І2 =…= Іп.
Напруги на опорах співвідносяться як опори:
U1 : U2 : …:Uп = R1 : R2 :…: Rп
При паралельному з’єднанні резисторів (рис. 5) еквівалентна провідність
кола дорівнює сумі провідностей резисторів:
Напруга та струми в колі визначаються співвідношеннями:
 UАB = U1 = U2 = …= Uп; І = І1 + І2 +…+ Іп.
Струми співвідносяться як провідності
І1 : І2 :…: Іп = G1 : G2 :…: Gп.

При змішаному з’єднанні опорів (рис. 6) розрахунок електричних кіл

виконують на основі еквівалентних перетворень двох попередніх схем.

Висновки
1. Струм – це упорядкований (нарямлений) рух електричних зарядів; в
провідниках – електронів. Постійний струм – незмінний в часі.
2. Струм тече тільки в замкнутому контурі.
3. За додатний напрям струму в електротехніці прийнято напрям
руху
позитивних зарядів, тобто струм в зовнішньому колі тече від +Е до –Е.
4. Лінійне коло – всі опори якого мають лінійну ВАХ.
5. Падіння напруги на опорі R дорівнює добутку сили струму на величину
опору. Вектор падіння напруги на опорі співпадає з вектором струму (рис. 3).
6. Розгалужені електричні кола з послідовно-паралельним з’єднанням
споживачів енергії можна звести до простої одноконтурної схеми через
еквівалентний опір.
 ЛЕКЦІЯ 2. План

1. Складні електричні кола постійного струму. Закони Кірхгофа.

2. Методи розрахунку складних електричних кіл постійного струму.
2.1. Розрахунок струмів за допомогою законів Кірхгофа.
2.2. Метод контурних струмів.
2.3. Метод двох вузлів

1. Складні електричні кола постійного струму. Закони Кірхгофа

Електричні кола з декількома контурами, що складаються з різних гілок з
довільним розташуванням споживачів та джерел енергії, називаються
складними електричними колами. Всі електричні кола підпорядковуються 1-му
та 2-му законам Кірхгофа.
Перший закон Кірхгофа:
алгебраїчна сума струмів у будь-якому вузлі кола дорівнює нулю:  І  0
При цьому, струми напрямлені до вузла, рахуються додатними, а від вузла
– від’ємними (або навпаки) рис. 1.

Другий закон Кірхгофа:

в будь-якому контурі електричного кола алгебраїчна сума ЕРС дорівнює
алгебраїчній сумі падінь напруг на окремих опорах кола  Е   ІR .
Для кожного контуру складного електричного кола по другому закону
Кірхгофа можна скласти лише одне рівняння. При цьому особливу увагу слід
звернути на знаки ЕРС і падінь напруг. Спочатку довільно вибирають напрям
обходу контуру (за чи проти годинникової стрілки). Якщо діюча в контурі ЕРС
співпадає з напрямом обходу, то її рахують додатною, при зворотному напрямі
ЕРС від’ємна. Падіння напруги на опорі рахують додатним, якщо напрям
струму через нього співпадає з напрямом обходу контуру.
2. Методи розрахунку складних електричних кіл постійного струму.

2.1. Розрахунок струмів за допомогою законів Кірхгофа.

Метою розрахунку електричного кола, як правило, є знаходження струмів
у гілках схеми. Так як в кожній гілці схеми тече свій струм, то число невідомих
струмів дорівнює числу гілок. Перед тим як складати рівняння, необхідно:
а) довільно вибрати додатні напрями струмів у гілках та позначити їх на
схемі;
б) вибрати додатні напрями обходу контурів для складання рівнянь по
другому закону Кірхгофа.
Для однотипності рекомендується додатні напрями обходу контурів
вибирати однаковими для всіх контурів, наприклад всі за годинниковою
стрілкою.
 Нехай m – число гілок, n – число вузлів.
Тоді n-1 – кількість рівнянь по першому закону Кірхгофа;
m-(n-1) – кількість рівнянь по другому закону Кірхгофа.
Оскільки додатний напрям струмів вибирається довільно, то в результаті
розрахунку один або декілька струмів можуть виявитися від’ємними. Від’ємні
знаки у струмів слід розуміти так, що в дійсності струм в даній гілці тече в
напрямі, протилежному до прийнятого.

Розв’язання
Довільно вибираємо додатні напрями струмів у гілках (рис. 2). В схемі два
вузли і три гілки (m = 3, n = 2)). Отже, по першому закону Кірхгофа складаємо
одне рівняння (вузол а) а по другому – два (контури І та ІІ):
І3 = І1 + І2
Е1 + Е2 = І1 R1 - І2 R2
- Е2 = І2 R2 + І3 (R3 + R4)
Підставивши у друге рівняння значення відомих величин, одержимо
80 + 64 = 6 І1 – 4 І2,
144 = 6 І1 – 4 І2 (1)
Підставивши у третє рівняння числа відомих величин, одержимо
- 64 = 4 І2 + (3 + 1) І3,
- 64 = 4 І2 + 4 І3,
Після скорочення на 4, одержимо
- 16 = І2 + І3,
Значення струму І3 = І1 + І2 підставимо в останнє рівняння
- 16 = І1 +2 І2,
 Від’ємні значення струмів І2 та І3 слід розуміти так, що в дійсності струм в
даних гілках тече в напрямі, протилежному до прийнятого.
2.2. Метод контурних струмів.
Метод розрахунку за рівняннями Кірхгофа в ряді випадків потребує
значних обчислень. Наприклад, при розрахунку кола з трьома вузлами і п’ятьма
гілками слід скласти і розв’язати систему з п’яти рівнянь. Кількість рівнянь
системи можна скоротити, застосувавши метод контурних струмів.
Для розрахунку за цим методом схему складного кола розбивають на
окремі контури, в яких протікають свої контурні струми. Вибравши на схемі
напрями контурних струмів, для кожного контуру складають рівняння по
другому закону Кірхгофа. Напрям обходу контурів приймають співпадаючим з
напрямом контурних струмів. Контурні струми в суміжних гілках, що проти-
лежні напряму обходу контуру, входять в рівняння зі знаком «-» Розв’язавши
систему рівнянь. Знаходять контурні струми і по них – струми в гілках схеми.
Для порівняння і перевірки результатів розрахуємо попередню схему.
Розв’язання
 Отже, результати розрахунку першим і другим методом співпадають.
Проте метод контурних струмів вимагає меншу кількість обчислень.

2.3. Метод двох вузлів (метод вузлової напруги).

Дуже часто зустрічаються складні кола, що мають лише два вузли (а та b).
Напруга між цими вузлами називається вузловою напругою. Вона дорівнює
різниці потенціалів вузлових точок а та b, тобто Uаb = а - b. Найбільш
раціональним методом розрахунку струмів у таких схемах метод двох вузлів
або інакше метод вузлової напруги. В даному методі розрахунку знаходять
вузлову напругу, а по ній – струми у гілках схеми. Розрахункові формули для
цього методу мають вигляд:

– сумарна (еквівалентна) провідність усіх гілок кола.

Отже, вузлова напруга дорівнює алгебраїчній сумі добутків ЕРС на
провідності відповідних гілок, поділених на еквівалентну провідність. Вирази
(2) справедливі, якщо струми у всіх гілках схеми направити
однотипно, наприклад, від вузла b до вузла а. Якщо яка-небудь ЕРС має
напрям, протилежний струму, то вона входить у рівняння(2) з від’ємним
знаком.
Для прикладу і порівняння знайдемо струми у гілках нашої схеми,
направивши всі струми від вузла b до а (знизу вверх по схемі рис. 4).
 Розв’язання
За виразом (2) знаходимо еквівалентну провідність кола

Тут враховано послідовне з’єднання опорів третьої гілки

Отже, результати розрахунку першим, другим і третім методом

співпадають. Проте метод вузлових напруг в даному випадку найбільш
економний.
Висновки
1. Закони Ома та Кірхгофа являються фундаментальними законами
електротехніки, оскільки практично всі методи розрахунку електричних кіл
базуються саме на цих законах.
2. Метод розрахунку електричного кола слід вибирати, враховуючи
складність та конфігурацію схеми. Наприклад, якщо схема зводиться до двох
вузлів, то найбільш доцільним є використання методу двох вузлів (методу
вузлової напруги).
 ЛЕКЦІЯ 3
План
1. Електрофізичні властивості напівпровідників.
2. Контактні та поверхневі явища в напівпровідниках.
1. Поняття інформації та сигналу як матеріального носія інформації.
2. Класифікація та загальні характеристики сигналів.
3. Аналогові сигнали.
4. Детерміновані сигнали.
5. Гармонічні сигнали.

Можна виділити наступні основні питання цього розділу:

1. Що собою являє твердий напівпровідник, яка його внутрішня
структура?
2. Як виникають вільні носії зарядів у напівпровіднику?
3. Які фактори впливають на провідність напівпровідників? У чому
проявляється цей вплив?
У НП усі валентні електрони міцно зчеплені з кристалічними ґратками
завдяки так званому ковалентному зв'язку, про який Ви знаєте з хімії. Доки
цей зв’язок існує, електрони не можуть переносити електричний заряд.
Механізм електропровідності НП розглянемо на прикладі кристалічних
ґраток германію, що є елементом IV групи періодичної системи Менделєєва.
Ґратки у вигляді площинної структури зображено на рис. 1.10. Атоми
германію розміщені у вузлах кристалічних ґраток, їх зв’язок з іншими
атомами здійснюється за допомогою чотирьох валентних електронів.
Подвійні лінії між вузлами вказують нa ковалентний характер зв’язку, тобто
кожна пара валентних електронів належить водночас двом сусіднім атомам.
При температурі абсолютного нуля і при відсутності опромінення у НП
відсутні рухомі носії і його електричний опір великий (нескінченний).

Рис. 1.10. Кристалічні ґратки германію

Домішкова провідність напівпровідників. Розглянемо приклад, коли у
розплав чистого германію додається домішка п’ятивалентного елемента (V
група таблиці Менделєєва), наприклад, арсену (Аs), як показано на рис.1.11, а.
При застиганні у деяких вузлах кристалічних ґраток германію його атоми
замішуються атомами домішки. При цьому чотири валентних електрони
домішки створюють систему ковалентних зв’язків з чотирма валентними
електронами германію, а п’ятий електрон домішки виявляється надлишковим.
Домішка, що віддає вільні електрони, називається донорною. НП з
переважаючою кількістю вільних електронів має назву НП з електронною
провідністю, або НП n-типу. Вільні електрони залишають у вузлах
кристалічних ґраток нерухомі позитивно заряджені іони, що створюють у
кристалі позитивний об’ємний заряд.
Розглянемо введення у германій домішки з трьома валентними
електронами (III група таблиці Менделєєва), наприклад, індію (Іn), як це
показано на рис. 1.11, б.
а) б)

Рис. 1.11. Кристалічні ґратки германію: з донорною домішкою (а),

акцепторною домішкою (б)
Для утворення ковалентного зв’язку між Gе та Іn одного електрона не
вистачає. При дії теплоти навколишнього середовища електрони з верхнього
рівня валентної зони переміщуються на рівень домішки, створюючи зв’язки,
яких не вистачає, завдяки чому у валентній зоні утворюються рухомі дірки, а
атоми домішки перетворюються у негативні іони. Така домішка називається
акцепторною, а НП з переважною кількістю дірок – НП з дірковою
провідністю, або p-типу. Переважаючі у НП рухомі носії заряду мають назву
основних, решта неосновних.
Контактні явища в напівпровідниках. Фізичним р-п переходом
називається вузька зона на межі між шарами НП р- і п- типу, як зображено на
рис. 1.12. Фізичні процеси, що відбуваються у р-п переході, визначають
параметри та характеристики більшості НП приладів.
Допустимо, що концентрація основних носіїв у обидвох шарах НП
однакова. При об’єднанні двох НП виникає взаємна дифузія (яку можна
вважати за дифузійний струм ідиф) електронів із n-шару у р-шар (вони
+ заповнюють вільні ковалентні зв’язки), а дірок у протилежному
напрямку. Внаслідок цього у приконтактній зоні НП p-типу (завдяки іонам

акцепторної домішки ) з'являється негативний заряд, а у приконтактній

зоні n-типу (завдяки іонам донорної домішки ) – позитивний заряд.

Між цими зарядами виникає внутрішнє електричне поле з напруженістю
Е , яке гальмує рух основних носіїв зарядів. З іншого боку воно виявляється
прискорюючим для неосновних рухомих носіїв зарядів (теплових), внаслідок
чого через межу між НП виникає дрейфова складова струму ідр, протилежна
дифузійній складовій, зумовленій рухом основних носіїв зарядів (внаслідок
протікання ідиф відбувається рекомбінація рухомих основних носіїв зарядів). У
сталому становищі
ідиф + ідр = 0
(1.23)
Ця рівновага настає за і певної контактної різниці потенціалів, що
визначається величиною об’ємного заряду і називається потенціальним
бар’єром φк.
Величина φк залежить від матеріалу НП і його температури. Для
германію
φк = (0,4 - 0,6) В, для кремнію φк = (0,6 - 0,8) В.
Зона об’ємного заряду – це й є електричний електронно-дірковий
перехід (р-п перехід). Ширина його, позначена на рис. 1.12 як L вимірюється
десятками мікронів. Оскільки у р-п переході відсутні рухомі носії зарядів (він
заповнений нерухомими іонами), то його електричний опір дуже великий.
Розглянемо поведінку р-п переходу при підімкненні до нього зовнішньої
напруги. Можливе пряме або зворотне вмикання.
При зворотному вмиканні, як показано на рис. 1.13, до р-п переходу при-
кладається зовнішня напруга Uзн, внаслідок чого до його внутрішнього елек-
тричного поля додається зовнішнє електричне поле з напруженістю Езн . У ре-
зультаті поле в р-п переході зростає і дорівнює
Ерез = Евн + Езн (1.24)
 Рис. 1.13. Зворотне вмикання р-п переходу
Оскільки електричний опір р-п переходу дуже великий, практично вся
напруга Uзн, прикладається до нього.
Отже, різниця потенціалів на переході становит
φрез = φк + Uзн , (1.25)
де φрез – результуюча різниця потенціалів.
Запірні властивості переходу при цьому зростають і дифузійна складова
струму ідиф зменшується, а дрейфова ідр не змінюється (бо залежить лише від
ступеня нагріву речовини) і через перехід протікає зворотний струм
ізв = ідр - ідиф (1.26)
Оскільки ідиф→0, то зворотний струм визначається концентрацією
неосновних носіїв зарядів і є незначним за величиною.
При прямому вмиканні, як показано на рис. 1.14, за зазначеною
полярністю зовнішньої напруги зовнішнє електричне поле спрямоване
назустріч внутрішньому і результуюча напруженість зменшується
Ерез = Евн - Езн . (1.27)

Рис. 1.14. Пряме вмикання р-п переходу

При цьому ідиф зростає, а ідр зменшується. Різниця потенціалів становить
φрез = φк - Uзн (1.28)
У цьому випадку через перехід тече прямий струм
іпр = ідифр - ідр (1.29)

Він обумовлюється дифузійною складовою струму, тобто

залежить від концентрації основних рухомих носіїв зарядів і є великим за
величиною.
Аналітичним виразом вольт-амперної характеристики р-п переходу є
формула
 (1.30)

Контакт метал - напівпровідник. Перехід Шотткі. Історично

першими напівпровідниковими приладами були прилади, засновані на
контакті напівпровідника з металом (точковоконтактні діоди). Їх застосування
ґрунтувалося на експериментально виявленому явищі - випрямленні слабких
змінних сигналів в області зіткнення металевої голки з напівпровідниковим
кристалом.

Найважливішою особливістю переходу Шоттки в порівнянні з р-п

переходом є відсутність інжекції неосновних носіїв заряду. Ці переходи
працюють тільки на основних носіях. Звідси випливає, що в приладах, в яких
використовується перехід Шотткі, відсутня дифузійна ємність, пов'язана з
накопиченням і розсмоктуванням неосновних носіїв. Відсутність дифузійної
ємності істотно підвищує швидкодію приладів, в тому числі тих, які працюють
в режимі перемикання. Не менш важливою особливістю таких приладів є
значно менша пряма напруга в порівнянні з напругою на р-п переході. Це
пояснюється тим, що при проходженні навіть невеликого початкового струму
через контакт з великим опором на ньому виділяється теплова енергія, яка
сприяє додатковій термоелектронній емісії і зростання числа носіїв заряду, які
беруть участь в утворенні прямого струму. Для порівняння на рис. 1.16
наведені вольт-амперні характеристики переходу Шотткі і р-п переходу. чином,
р-п перехід має вентильні властивості (від німецького слова ventil- клапан),
тобто при прямому вмиканні його опір малий, а при зворотному – значний.
Оскільки у р-п переходу явно виражені нелінійні властивості, то залежність
струму, що через нього протікає, від прикладеної напруги ілюструють за
допомогою вольт- амперної характеристики (ВАХ).
1. Електрична ємність конденсатора.
Конденсатором називається пристрій, що складається з металічних
пластин або провідників довільної форми (обкладок), розділених між собою
діелектриком. Якщо пластини конденсатора приєднати до джерела ЕРС, то на
них утворюються рівні по величині але протилежні за знаком електричні заряди
+Q та –Q (рис. 1). Відношення заряду Q до прикладеної напруги U
називається
ємністю конденсатора С, тобто
С=Q/U

(1)
Одиницею ємності є Фарада (Ф=Кл/В), мкФ = 10-6 Ф, нФ = 10-9 Ф, пФ = 10-
12
Ф.

- +
-- +
+
- +
-- +
- +
- +
+
-
b Uab a
С

Умовне
позначення
Рис. 1.
Конденсатори розрізняються формою обкладок, типом діелектрика (слюда,
папір, кераміка), ємністю, допустимою напругою, групою по ТКЄ, класом
точності. В електролітичних конденсаторах діелектриком служить тонка плівка
оксиду алюмінію з дуже високою діелектричною проникністю. Такі
конденсатори мають велику ємність при порівняно невеликих розмірах, є
 полярними і тому використовуються тільки в колах постійного струму.
Конденсатори змінної ємності мають повітряний діелектрик і дві пари пластин:
статорні (нерухомі) та роторні (рухомі).
Ємність плоского конденсатора визначається через геометричні та фізичні
параметри компонента:
С = а S/d = r 0 S/d,

(2)
де 0 =8,8510-12 Ф/м – електрична постійна; r – відносна діелектрична
проникність діелектрика, тобто, ємність плоского конденсатора прямо
пропорційна абсолютній діелектричній проникності діелектрика а, площі
пластин та обернено пропорційна віддалі між пластинами.
Приклад розрахунку
Дано:
S1 = 100 см2; S2 = 1м2; d1 = 0,1 мм; d2 = 20 мкм;
r1 = 4,3 – парафінований папір (паперовий конденсатор);
r2 = 9 – оксид алюмінію (електролітичний конденсатор)
Розв’язання
1) С1 = r 0 S/d =4,38,8510-1210010-4 / 0,110-3  380510-12 Ф  3,8 нФ.
2) С2 = r 0 S/d =98,8510-121 / 2010-6  410-6 Ф = 4 мкФ.
В технічних умовах на той чи інший тип конденсатора вказують його
основні параметри, наприклад:
К 52-2-250 В-200 мкФ ± 10% – електролітичний конденсатор; К-10-17-1а
М1500-6800 пФ ±10% – керамічний конденсатор.
2. Енергія зарядженого конденсатора.
Енергія, зосереджена в електричному полі однієї пластини конденсатора:
W = UQ/2.
Враховуючи співвідношення (1), одержимо вираз для розрахунку енергії,
нагромадженій в електричному полі зарядженого конденсатора:
W = СU2/2.

(3)
 3. Послідовне, паралельне та змішане з’єднання конденсаторів.
При відсутності конденсатора з необхідними параметрами його можна
замінити декількома конденсаторами з іншими характеристиками. Наприклад,
якщо ємність одного конденсатора замала, то з’єднують декілька конденсаторів
паралельно. Якщо робоча напруга занадто велика і діелектрик конденсатора
може пробитися, застосовують послідовне з’єднання конденсаторів, іноді
використовують і змішане з’єднання.
При послідовному з’єднанні конденсаторів (рис. 2) на всіх обкладках
виникають однакові електричні заряди, а прикладена напруга дорівнює сумі
напруг на окремих конденсаторах, тобто
Q1 = Q2 = Q3 = Q; U1 + U2 + U3 = Uab.
При цьому, якщо конденсатори полярні, обов’язково з’єднуються
різнойменні обкладки (“плюс” з “мінусом”).
С1 С2 С3
a + - + +- + -

U2
Uab

U1 U3

-
b
Рис. 2.

Напруга на кожному конденсаторі дорівнює

U1 = Q / С1 , U2 = Q / С2 , U3 = Q / С3 .
З останнього виразу видно, що при різних значеннях ємностей послідовно
ввімкнених конденсаторів напруги на них будуть різними: чим більша ємність
конденсатора, тим менша напруга на ньому, зокрема:
U1 C2

U2 C1
Послідовне з’єднання конденсаторів можна замінити одним еквівалентним
конденсатором з ємністю Секв, заряд якого такий же, як і на всіх конденсаторах.
 Для схеми рис. 2 маємо
U1 + U2 + U3 = Uab , Q / С1 + Q / С2 + Q / С3 = Q / Секв.
Скоротивши на q, одержимо
1/ С1 +1/ С2 +1/ С3 = 1/ Секв;
C1  C2  C3
C 
екв
C C C C  C3 .
C
1 2 1 3 2
Якщо послідовно з’єднують n однакових конденсаторів ємністю Сn, то
еквівалентна ємність
Секв = Сn / n.
Еквівалентна ємність при послідовному з’єднанні конденсаторів менша
ємності найменшого з них.
Це можна пояснити тим, що між крайніми обкладками, до яких
приєднується джерело енергії, знаходяться діелектрики всіх трьох
конденсаторів (рис. 2). Із збільшенням товщини діелектрика згідно з (2) ємність
конденсатора знижується, проте зростає пробивна, а отже, і допустима робоча
напруга. Тому послідовне з’єднання конденсаторів застосовується для
збільшення допустимої робочої напруги всієї ланки конденсаторів. Так,
конденсатор ємністю 1 мкФ та допустимою напругою 600 В можна замінити
послідовним з’єднанням трьох конденсаторів однакової ємності 3 мкФ і
допустимою робочою напругою 200 В.
На практиці часто необхідно збільшити не допустиму робочу напругу а
еквівалентну ємність, для чого конденсатори з’єднують паралельно (рис. 3).
При цьому конденсатори знаходяться під однією і тою ж напругою.
a
+

+ C1 + + C3
Uab

- q1 C2 -
q3
-
q
2

-
b

Рис. 3.
 Заряди на обкладках окремих конденсаторів прямо пропорційні їх ємності:
U1 = U2 = U3 = Uab,Q1 = С1Uab, Q2 = С2Uab, Q3 = С3Uab.
Загальний заряд дорівнює сумі зарядів на окремих конденсаторах, а
еквівалентна ємність трьох паралельно з’єднаних конденсаторів:
Q = Q1 + Q2 + Q3;
Секв = Q / Uаb = (Q1 + Q2 + Q3) / Uаb = С1 + С2 + С3.
Отже, при паралельному з’єднанні конденсаторів еквівалентна ємність
дорівнює сумі ємностей окремих конденсаторів.
На рис. 4 показана одна з можливих схем змішаного з’єднання конденса-
торів. Розрахунок такого електростатичного кола покажемо на прикладі.
Приклад розрахунку С2 С3
Дано:
Схема рис. 4; С1
a
Uab = 100 В, С1 = 6 мкФ, С2 = 1,5 мкФ, С3 +=
С4 С5
3 мкФ, С4 = 3 мкФ. С5 = 6 мкФ.

Uab
Секв = ? q = ? Un = ? U1
b
Розв’язання U2-5
-

Рис. 4
Конденсатори С2 і С3 з’єднані послідовно. Їх замінимо
одним конденсатором еквівалентної ємності:
С23 = С2С3/(С2 +С3) = 1,53/(1,5 + 3) = 1 мкФ.
Аналогічно цьому конденсатори С4 і С5 замінимо
еквівалентним конденсатором ємністю (рис. 5):
С45 = С4С5/(С4 +С5) = 36/(3 + 6) = 2 мкФ.
С2-3

С1
a
+
С 4-5
U1
Uab

U2-5
-
b
Рис. 5
 Ємності С23 та С45 з’єднані паралельно. Їх еквівалентна ємність:
С2-5 = С23 + С45 = 1 + 2 = 3 мкФ.
Після цієї заміни схема матиме вигляд рис. 6, а.
С1 С2-5
a a
+ +
Секв
U1 U2-5

Uab
Uab

- -
b b
Рис. 6.
Ємності С1 та С2-5 з’єднані послідовно. Тому їх еквівалентна ємність
Секв = С1С2-5/(С1 +С2-5) = 63/(6 + 3) = 2 мкФ.
Таким чином, поступово перетворюючи схему рис. 4, приводимо її до
найпростішого виду з однією ємністю (рис. 6, б).
Визначимо електричний заряд еквівалентного конденсатора:
Q = CU = 210-6100 = 20010-6 Кл.
Такий же заряд буде на конденсаторах С1 та С2-5 (рис.6, а), тобто
Q1 = Q2-5 = 20010-6 Кл.
U1 = Q1 / C1 = 20010-6/610-6 = 33,3 В, U2-5 = Q2-5 / C2+5 = 20010-6/310-6 =
66,7 В,
Uab = U1 + U2-5 = 33,3 + 66,7 = 100 В, U2-5 = U23 = U45 = 66,7 В,
Q23 = С23 U23 = 110-666,7 = 66,710-6 Кл, Q45 = С45 U45 = 210-666,7 =
133,410-6 Кл,
Q2 = Q3 = Q23 = 66,710-6 Кл, Q4 = Q5 = Q45 = 133,410-6 Кл,
Обчислимо напруги на конденсаторах:
U2 = Q2 / C2 = 66,710-6/1,510-6 = 44,5 В, U3 = Q3 / C3 = 66,710-6/310-6 = 22,2
В, U4 = Q4 / C4 = 133,410-6/310-6 = 44,5 В, U5 = Q5 / C5 = 133,410-6/610-6 = 22,2
В.
 4. Конденсатор в колі постійного струму. Заряд і розряд конденсатора.
Співвідношення між зарядом і напругою на конденсаторі (1) справедливі
для усталеного режиму, коли напруги і заряди встановилися, мають постійне
значення і не змінюються. Заряджання конденсатора від джерела енергії, тобто
встановлення заряду і напруги на конденсаторі від 0 до постійного значення
відбувається в перехідному режимі за певний проміжок часу. Отже,
встановлення напруг і зарядів на конденсаторі в колі постійного струму
характеризується перехідним процесом заряду (розряду) конденсатора.

Кл Ra

Е + С
-

Uс
b

Рис. 7.
На рис. 7 показано коло з джерелом постійної наруги Е, яке в момент t =0
комутується (замикається) на розряджений конденсатор (Uc = 0, q = 0) через
зарядний резистор R. Рівняння для миттєвих значень напруг і струмів в такому
колі після комутації складемо згідно 2-го закону Кірхгофа:
Е = Rі + uc.

(2)
Якщо з (1) визначити Q, перейти до миттєвих значень заряду і напруги та
продиференціювати ліву і праву частини цієї рівності, одержимо:
dq/dt = Сduc /dt.
Але, за визначенням, швидкість зміни заряду dq/dt – це струм, тобто
і = Сduc /dt.
Підставивши значення струму в (2), одержимо диференціальне рівняння
перехідного процесу заряду конденсатора:
Е = RСduc /dt + uc.

(3)
Отже, задача визначення напруги як функції часу зводиться до розв’язання
диференціального рівняння. Розв’язок дифрівняння полягає у знаходженні
 функції, що задовольняє дане рівняння. Підстановка цієї функції та її
похідних перетворює диференціальне рівняння в тотожність.
З курсу математики відомо, що загальний інтеграл лінійного
диференціального рівняння дорівнює сумі часткового розв’язку неоднорідного
рівняння плюс повний розв’язок однорідного рівняння.
Частковий розв’язок неоднорідного рівняння називається вимушеною
складовою напруги, а повний розв’язок однорідного рівняння – вільною
складовою напруги. Вимушена складова напруги на конденсаторі дорівнює
напрузі холостого ходу, або напрузі на конденсаторі в нескінченності, тобто Е.
Повний розв’язок однорідного рівняння або вільна складова являється
показникова функція виду Ае рt. А та р – постійні числа, незалежні від часу. Без
виведення дамо їх для даного прикладу:
А = - Е, р = -1/RC
За цих умов, розв’язок рівняння (3) запишеться так:
uc(t) = E – Eexp (-t/) = E[1 – exp(-t/)],

(4) де  = RC – постійна часу кола.

Визначимо напругу на конденсаторі в різні моменти часу.
t= 0 uc(t) = E[1 – exp(0)] = E[1 – 1] = 0;
t=  uc(t) = E[1 – exp(-1)] = E[1 – 1/е] = E[1 – 0,37] = 0,63Е;
t= 2 uc(t) = E[1 – exp(-2)] = E[1 – 1/е2] = E[1 – 0,14] = 0,86Е;
t= 3 uc(t) = E[1 – exp(-3)] = E[1 – 1/е3] = E[1 – 0,05] = 0,95Е.
Отже, напруга на конденсаторі зростає при t=  до 63% від напруги
джерела Е, при t= 2 – до 86% і при t= 3 – до 95%.
Аналізуючи (4) можна зробити висновок: теоретично повний заряд
конденсатора до напруги uc = Е закінчиться в нескінченності (ехр-∞ = 0).
Практично перехідний процес закінчується при t = 5 (99,3%Е).
Щоб знайти струм в колі, слід взяти похідну від напруги на конденсаторі:
і = Сduc /dt = С E[1 – exp(-t/)]/ dt = (Е/R) exp(-t/) t= 0 і(t) =( E/ R) exp(0)]
= Е/ R;
 t=  і(t) = (E/ R) exp(-1) = (E/ R) 1/е = 0,37 E/ R; t= 2 і(t) =(E/ R) exp(-2) =
(E/ R) 1/е2 = 0,14 E/ R; t= 3 і(t) =(E/ R) exp(-3) = (E/ R) 1/е3 = 0,05 E/ R.
По одержаних даних побудуємо графіки кривих зміни зарядної напруги і
струму на конденсаторі (рис. 8).

1,0

Uc

Ic
0,5

t
0

τ 2τ 3τ 4τ 5τ
Рис. 8
Таким чином, зміна напруги заряджання на конденсаторі змінюється від 0
до максимального значення по наростаючій експоненті і згідно закону
комутації не може мінятися скачком, а струм в момент комутації має
максимальне значення і спадає по експоненціальному закону. Тривалість
перехідного процесу залежить від постійної часу заряду  = RС.
Після закінчення перехідного процесу заряджання, конденсатор в колі
постійного струму являє собою нескінченно великий опір, тобто
розрив!

Якщо конденсатор, заряджений до напруги Uc, перекомутувати на опір R

рис. 9, то розряд конденсатора також відбуватиметься по експоненціальному
закону з постійною часу  = RС (падаюча експонента для струму і напруги).

Iр Кл

+ С R
Uс

Рис. 9.
 Конденсатори різноманітних конструкцій та номіналів широко
використовуються в енергетичних (сильнострумових) та у електронних
(слабкострумових) системах і пристроях. Вони виконують функції
нагромаджувачів енергії (апарати точкової зварки, помножувачі напруги,
джерела живлення імпульсних пристроїв НВЧ); реактивних елементів
(компенсатори реактивної потужності електродвигунів та індуктивних печей);
фільтрів, що розділяють постійну і змінну складову електричного сигналу, в
резонансних системах; як елемент пам’яті в мікроелектроніці; давача
мікропереміщень, коли одна пластина рухома і її переміщення змінює відстань
d (рис. 1) і, як наслідок, ємність; давачів вологості повітря чи матеріалу, що
розташовується між пластинами. Вода має відносну діелектричну проникність
r = 81, що набагато більше повітря. Тому зміна вологості повітря чи іншої
речовини (наприклад, дерева) істотно впливає на абсолютну діелектричну
проникність а і, як наслідок, на ємність.
Висновки
1. Ємність плоского конденсатора прямо пропорційна абсолютній
діелектричній проникності діелектрика а, площі пластин та обернено
пропорційна віддалі між пластинами.
2. Паралельно з’єднують конденсатори тоді, коли необхідно збільшити
ємність, послідовно – коли робоча напруга більше допустимої за умовами
пробою ізоляції діелектрика.
3. Так як постійний струм через конденсатор не проходить (розрив) і тому
він не передає постійного потенціалу, в електронних схемах конденсатор
використовують як розділовий елемент, який пропускає змінну і не пропускає
постійну складову електричного сигналу від джерела до навантаження.
 ЛЕКЦІЯ 4
План

1. Основні магнітні величини.

2. Елементи теорії феромагнетизму.
3. Закон повного струму.
4. Магніторушійна сила.
5. Феромагнітні запам’ятовуючі елементи (ФЗЕ).

1. Основні магнітні величини.

На попередніх заняттях було розглянуто електричне поле в провідниках, в
яких під його дією виникає електричний струм.
Тепер розглянемо властивість електричного струму збуджувати у
навколишньому середовищі магнітне поле. Магнітне поле виникає не тільки
навколо провідника із струмом, але й при русі будь-яких електрично
заряджених частинок та тіл, а також при зміні електричного поля. В постійних
магнітах воно створюється внаслідок руху електронів по орбітах і обертання їх
навколо своїх осей.
Основною властивістю магнітного поля є його силовий вплив як на рухомі
в ньому заряджені тіла, так і на нерухомі провідники із електричним струмом.
Магнітне може також намагнічувати феромагнітні тіла, збуджувати ЕРС в
провідниках, що переміщаються в магнітному полі. Ці властивості мають
велике практичне значення. Силова дія магнітного поля використовується в
електродвигунах, багатьох вимірювальних приладах. На використанні
індукованих ЕРС ґрунтується принцип дії генераторів, трансформаторів,
різноманітних перетворювачів.
Магнітне поле – це особлива форма матерії, за допомогою якої
здійснюється взаємодія між рухомими електрично зарядженими частинками.
Основними величинами, що характеризують магнітне поле, є магнітна
індукція В, магнітний потік Ф та напруженість магнітного поля Н.
В = 0 r Н [Тл]
 де Н [А/м]; 0 – абсолютна магнітна проникність вакууму або магнітна
постійна: 0 = 4 10-7 Гн/м = 1,25610-7 Гн/м; r – відносна магнітна проникність
середовища. Для вакууму r = 1, для парамагнітних речовин r > 1, для
діамагнітних – r < 1, для феромагнітних – r >> 1 (104  106) і залежить від
магнітних властивостей матеріалу, температури, напруженості магнітного поля.
Велика магнітна проникність феромагнетиків використовується для того, щоби
підсилювати магнітні поля, сконцентрувати їх в певній області та придати їм
потрібну конфігурацію в електричних машинах; а = 0 r – абсолютна магнітна
проникність середовища.
Магнітний потік Ф скалярна величина – це потік вектора магнітної
індукції В через площину S, перпендикулярну до цього вектора:
Ф = В S [Вб].

2. Елементи теорії феромагнетизму.

2.1. Основні характеристики феромагнітних матеріалів.
Феромагнітні матеріали мають області спонтанного намагнічування –
магнітні домени. Наприклад, в стальному не намагніченому стержні вектори
намагніченості окремих доменів напрямлені в різні сторони хаотично, їх
магнітні моменти взаємно врівноважуються і результуюча магнітна індукція
дорівнює нулеві. Якщо стержень помістити в зовнішнє магнітне поле, то під
дією цього поля вектори намагніченості окремих областей будуть повертатися
по зовнішньому полю. В результаті цього індукція результуючого магнітного
поля виявляється в багато раз більшою, ніж індукція зовнішнього поля, тобто
магнітні поля доменів підсилять зовнішнє поле.
Крім підсилення магнітного потоку, введення феромагнітних матеріалів в
магнітне коло приводить до зосередження магнітного поля в певній області
простору, придаючи йому певну конфігурацію. (потік замикається по осердю).
Властивості феромагнітних матеріалів прийнято характеризувати
залежністю магнітної індукції В від напруженості магнітного поля
Н. Розрізняють два основних типи цих залежностей: криві
намагнічування і гістерезисні петлі. З курсу фізики відомо, що
феромагнітним матеріалам
 властиве явище гістерезису. Під ним розуміють явище відставання зміни
магнітної індукції при зміні напруженості магнітного поля. Він знаходить своє
вираження в тому, що при періодичній зміні напруженості поля залежність між
В і Н носить петлевий характер. Розрізняють декілька типів гістерезисних
петель – симетричну гістерезисну петлю, граничну петлю (цикл), частковий
цикл (рис. 1). Для симетричної петлі +Вмакс = |-Вмакс| і, відповідно, +Нмакс=|-Нмакс|.
Геометричне місце вершин симетричних гістерезисних петель називають
основною кривою намагнічування. Якщо при намагнічуванні було досягнуто
насичення феромагнітного матеріалу, то отримана петля називається
граничною петлею гістерезису або граничним циклом.
В

Граничний цикл
Вr
Основна крива
намагнічування

Нс Н

Рис. 1.
Значення індукції при Н = 0 називають залишковою індукцією Вr. Значення
напруженості поля при В = 0 називається коерцитивною силою Нс. Ділянку
граничного циклу Вr Нс називають кривою розмагнічування або спинкою
гістерезисної петлі. В різних довідниках і в стандартах як однозначна
залежність між В і Н дається основна крива намагнічування. Перемагнічування
феромагнітних матеріалів супроводжується їх нагрівом, і, як наслідок, втратою
деякої енергії. Кількість енергії, що тратиться у феромагнітному матеріалі за
повний цикл перемагнічування, пропорційна площі петлі гістерезису
2.2. Класифікація феромагнітних матеріалів.
Всі феромагнітні матеріали розділяють на дві великі групи:
магнітом’які
та магнітотверді.
Магнітом’які матеріали (електротехнічна сталь, чугун, пермалой, ферити)
володіють малою залишковою індукцією та коерцитивною силою, мають круту
 основну криву намагнічування і відносно малу площу гістерезисної петлі.
Вони легко перемагнічуються та мають незначні втрати від гістерезису.
Застосовуються у всіх пристроях, що працюють при періодично змінному
магнітному потоці тобто на змінному струмі (трансформатори, електродвигуни
та генератори тощо).
Магнітотверді матеріали (гартована сталь, сплави: альніко, альнісі,
магніко) мають пологу основну криву намагнічування, велику площу
гістерезису, а, отже, володіють великою залишковою індукцією та коерцитив-
ною силою. З цих матеріалів виготовляють постійні магніти (рис. 2, а).
Залежність магнітної індукції від напруженості поля нелінійна, досить
складна і не може бути виражена простим аналітичним співвідношенням. Тому
при розрахунках магнітних кіл, що містять феромагнетики, застосовують
експериментально зняті основні криві намагнічування В = f (Н).
Матеріали з прямокутною петлею гістерезису. Деякі магнітом’які
матеріали, наприклад пермінвар, сплави типу Н60П, Н65П та інші мають петлю
гістерезису по формі близьку до прямокутної (рис. 2, б).

В В

Н
Н

Рис. 2.
Такі матеріали використовуються в ЕОМ та пристроях автоматики.

3. Закон повного струму.

Магнітне поле та електричний струм нерозривно зв’язані одне з одним.
Значить, напруженість, індукція та магнітний потік залежать від струму.
Залежність між напруженістю магнітного поля і струмом можна встановити,
застосувавши закон повного струму, який формулюється наступним чином:
 циркуляція вектора напруженості магнітного поля по замкнутому
контуру дорівнює повному струму, що пронизує поверхню, обмежену цим
контуром.
Σ Нl = Σ І
Добуток Нl = Uм називається магнітною напругою на ділянці l, яка буде
додатною, якщо вектор напруженості Н співпадатиме з напрямом обходу
контура. Магнітна напруга виражається в амперах [А]. Алгебраїчна сума
струмів, що пронизують поверхню, обмежену контуром, називається повним
струмом Σ І. Стуми, що пронизують поверхню, вважаються додатними, якщо їх
магнітне поле співпадає з додатним напрямом обходу контура.
4. Магніторушійна сила.
Магніторушійною силою (МРС) котушки (або обмотки) зі струмом
називається добуток числа витків котушки w на протікаючий по ній струм І.
МРС Іw викликає магнітний потік в магнітному колі подібно тому, як ЕРС
викликає електричний струм в електричному колі. Як і ЕРС, МРС – величина
напрямлена. Додатний напрям МРС співпадає з рухом вістря правоходового
гвинта, якщо його обертати по напряму струму в котушці.
Для визначення додатного напряму МРС часто користуються мнемонічним
правилом: якщо охопити правою рукою сердечник, розташувавши її пальці по
струму в обмотці, то відігнутий під прямим кутом великий палець вкаже
напрям МРС.
5. Феромагнітні запам’ятовуючі елементи (ФЗЕ).
Такі ФЗЕ використовують як середовища для зберігання інформації
матеріали, що володіють прямокутним гістерезисом. Існує багато різних
підходів до організації феромагнітних ЗЕ. Розглянемо кільцеві феритові ЗЕ.
Такі ЗЕ в даний час практично не застосовуються в комп’ютерній
схемотехніці через занадто малий ступінь інтеграції і високу трудоємкість та
вартість. Однак кільцеві феритові ЗЕ – це класика комп’ютерної схемотехніки,
тому короткий їх аналіз необхідний хоча-б з метою розширення кругозору
сучасних розробників комп'ютерів.
 Феритовий ЗЕ зазвичай виконувався у вигляді замкнутого магнітопроводу
(кільця) досить малих розмірів (менше одного міліметра) і декількох обмоток
(запису, зчитування, адресної вибірки) рідко більш ніж з одного витка.
Схематичне зображення розглянутого ЗЕ наведено на рис. 3.
Рис. 3. Принцип застосування ФЗЕ

Рис. 4. Найпростіший ФЗЕ

У загальному випадку перемагнічування феритового сердечника (кільця)

відбувається по будь-якій обмотці (або декільком обмоткам) заданням
зовнішньою схемою струмів іj (t). При цьому
H(t) = Σ іj (t)w/ l,
де w – кількість витків обмотки (зазвичай 1), l – середня довжина
магнітопроводу.
При H(t) >Нс відбувається повне перемагнічування, при цьому вихідний
струм пропорційний зміні індукції В. Зміна величини індукції пов’язана з
початковим намагнічуванням сердечника (збереженою інформацією). У такому
випадку зчитування інформації можливе лише за перемагнічування в деяке
заздалегідь обумовлене положення (напр., логічний "О", що відповідає -
Вr).
 При цьому інформація, що зберігається, неминуче руйнується і після
аналізу стану ЗЕ необхідне відновлення записаної інформації (регенерація).
Процес запису зворотний процесу зчитування інформації (полярність вхідних
струмів зворотна). Підвищення завадостійкості феритових ЗЕ пов'язано зі
зменшенням величини В0 при зчитуванні логічного "0", що вимагає створення
матеріалів з прямокутною петлею гістерезису.
Особливістю феритових ЗЕ (як, втім, і всіх магнітних ЗЕ) являється
зберігання інформації без зовнішніх джерел енергії (енергонезалежні ЗЕ), а
також висока стабільність параметрів фериту при зміні температури,
іонізуючих випромінювань і зовнішніх електромагнітних полів. Ця обставина
обумовлює застосування феритових ЗЕ і в даний час в деяких системах,
розрахованих на роботу в особливо складних умовах.
Основним недоліком розглянутих ЗЕ є складність виготовлення декількох
обмоток в ЗЕ малого розміру, що виключає застосування групової технології і
сильно збільшує вартість. Всі спроби розробників позбутися цього недоліку в
межах концепції кільцевого феритового ЗЕ виявилися безуспішними і ці
елементи зараз досить добре забуті. Однак тривали пошуки інших концепцій
реалізації магнітних ЗЕ сумісних з принципами сучасної мікроелектронної
технології. Одним з вражаючих результатів такого пошуку з'явилися ЗЕ з
використанням локальних магнітних доменів.
 Лекція 5 План
1. Закони Ома та Кірхгофа для магнітного кола.
2. Розрахунок нерозгалужених та розгалужених магнітних кіл.
3. Електромагнітна індукція та механічні сили в магнітному полі.

1. Закони Ома та Кірхгофа для магнітного кола.

Пристрій, що містить сукупність МРС, осердя феромагнітних матеріалів,
через які замикається магнітний потік, називається магнітним колом.
Розрізняють розгалужені та нерозгалужені магнітні кола. Нерозгалужене
магнітне коло є однорідним, якщо всі його ділянки виконані з одного матеріалу
і по всій довжині мають однаковий поперечний переріз. Розгалужені магнітні
кола можуть бути симетричними та несиметричними.
По визначенню магнітної напруги для ділянки магнітного кола Uм = Нl, де
l – довжина ділянки з постійним перерізом S та значенням r. Але
В
Н  (1)
μ0  μr Ф
μ0 
μr  S
Uм  Ф l  Ф  Rм
μ
μ S
0 r
(2)
де Rм [1/Гн] – магнітний опір ділянки магнітного кола. Рівняння (2)
називають законом Ома для магнітного кола.
Rμ  l

μ μ S
0 r
Отже, для зменшення магнітного опору слід брати магнітопроводи з
високим r. Але r сильно залежить від напруженості магнітного поля. Тому
поняттям Rм можна користуватися в тому випадку, коли ділянка магнітного
кола не насичена, тобто на ділянці повітряного зазору (r = 1).
При розрахунку магнітних кіл, як і при розрахунку електричних кіл,
використовують перший та другий закони Кірхгофа.
 Перший закон Кірхгофа: алгебраїчна сума магнітних потоків у довільному
вузлі магнітного кола дорівнює нулю: ΣФ = 0.
Другий закон Кірхгофа: алгебраїчна сума МРС вздовж будь-якого
замкненого контура дорівнює алгебраїчній сумі магнітних напруг вздовж того
ж контура:
Σ Іw = Σ Uм або Σ Іw = Σ Hl або Σ Іw = ΣФRм.
Другий закон Кірхгофа для магнітних кіл по суті – це інша форма запису
закону повного струму.
2. Розрахунок нерозгалужених та розгалужених магнітних кіл.
Перед тим як для магнітного кола записати рівняння по законам Кірхгофа,
слід довільно вибрати додатний напрям потоків у гілках магнітного кола та
додатний напрям обходу контурів. Якщо напрям магнітного потоку на деякій
ділянці співпадає з напрямом обходу, то падіння магнітної напруги цієї ділянки
входить в суму Σ Uм зі знаком плюс; якщо буду зустрічним йому. то зі знаком
мінус. Аналогічно, якщо МРС співпадає з напрямом обходу, вона входить в ΣІw
зі знаком плюс, в противному разі – зі знаком мінус.
Як приклад складемо рівняння за законами Кірхгофа для розгалуженого
магнітного кола рис. 1.
Перша гілка Друга гілка Третя гілка
30

а
30 25
І1w1 І2w2 Ф2 170

Ф3
Ф1 δ1 δ2
25

b
30

130
30

Рис. 1.
 Ліва гілка – потік Ф1, напруженість поля Н1 , довжина шляху в сталі l1 ,
довжина шляху в повітряному зазорі δ1 , МРС І1w1.
Середня (друга) гілка – потік Ф2, напруженість поля Н2 , довжина шляху в
сталі l2 , довжина шляху в повітряному зазорі δ2 , МРС І2w2.
Права (третя) гілка – потік Ф3, напруженість поля Н3 , довжина шляху в
сталі на вертикальній ділянці l3 , сумарна довжина шляху на двох
горизонтальних ділянках l’3.
Довільно виберемо напрям потоків у гілках. Допустимо, що всі потоки
направлені вгору (до вузла а). Кількість рівнянь по законам Кірхгофа дорівнює
числу гілок, тобто 3. Кількість рівнянь по першому закону Кірхгофа n-1=1:
Ф1 + Ф2 + Ф3 = 0.
По другому закону Кірхгофа складаємо два рівняння. Перше з них
складемо для контура, утвореного першою та другою гілками, а друге – для
контура, складеного першою та третьою гілками (для периферійного контура).
Вибираємо додатний напрям обходу контурів за годинниковою стрілкою.
Контур І: Н1 l1 + Нδ1δ1 – Н2 l2 - Нδ2δ2 = І1w1 - І2w2; Контур ІІ: Н1 l1 + Нδ1δ1 –
Н3 l 3 – Н3l3 = І1w1.
’

Використовуючи співвідношення (1), зводимо систему до трьох нелінійних

рівнянь з трьома невідомими Ф1, Ф2, Ф3, які можна розв’язати графічним
методом, і знайти магнітні потоки у всіх гілках по заданих МРС.
3. Електромагнітна індукція та механічні сили в магнітному полі.
Суть явища електромагнітної індукції полягає в тому, що при всякій зміні
магнітного потоку, який пронизує деякий контур, незалежно від того, чим
викликана зміна потоку, в контурі наводиться електрорушійна сила е.
Так, при русі провідника в магнітному полі ЕРС індукції
е = Вlv sin,

(3)
де е – ЕРС індукції, В, В – магнітна індукція, Тл, v – швидкість руху
провідника, м/с,  – кут між напрямом магнітних силових ліній поля і
напрямом руху провідника. Якщо провідник рухається перпендикулярно до
напряму магнітних силових ліній, то (3) має вигляд
 е = Вlv

(4)
Напрям наведеної ЕРС визначається по правилу правої руки.
ЕРС індукції виникає і в нерухомій обмотці, якщо змінюється магнітне
поле, в яке вона поміщена. Наведена (індукована) ЕРС в даному випадку
дорівнює швидкості зміни потокозчеплення . Потокозчеплення контура 
являється алгебраїчною сумою потоків, що пронизують окремі витки обмотки
 = Ф1 + Ф2 + Ф3 + … Фn.
Якщо ж витки обмотки w пронизуються одним і тим самим магнітним
потоком Ф, то  = w Ф. Отже:
dψ dФ
e- w

 .
dt dt
Якщо по обмотці котушки протікає змінний струм, то навколо неї
створюється змінне магнітне поле, що, в свою чергу, приводить до появи в
обмотці ЕРС, що в даному випадку називається ЕРС самоіндукції еL.
Один з параметрів котушки – індуктивність L є коефіцієнтом
пропорційності між потокозчепленням та величиною струму, що відповідає
даному потокозчепленню  = Lі. ЕРС самоіндукції, що виникає в котушці,
визначається швидкістю зміни потокозчеплення
dψ di
e 

L
dt  L , (5)
dt
де L [Гн] – індуктивність котушки.
При послідовному з’єднанні котушок, між якими немає взаємно
індуктивного зв’язку, еквівалентна індуктивність дорівнює сумі всіх
індуктивностей:
Lекв = L1 + L2 + L3 + … Ln/
При паралельному з’єднанні таких котушок еквівалентна індуктивність
1/ Lекв = 1/ L1 +1/ L2 +1/ L3 +…+1/Ln.
Напруга на індуктивності uL зрівноважує ЕРС самоіндукції еL:
uL  -eL di
L .
dt
Полярність напруги на котушці залежить від знаку похідної di/dt. При
зростанні струму похідна додатна і напруга uL також додатна. У цьому випадку
 напруга на затискачах котушки визначається по тому ж правилу, що і на
активному опорі. При зменшенні струму полярність напруги uL зворотна.
Величина енергії, що нагромаджується в магнітному полі котушки, прямо
пропорційна індуктивності та квадрату струму, який протікає через котушку:
LI 2
WL  .
2
Явище електромагнітної індукції – перша основна властивість магнітного
поля. Другою важливою властивістю магнітного поля є механічна взаємодія
його з електричним струмом. Вона була виявлена ще в 20-х роках 19 століття в
дослідах Ампера та Ерстеда. Експеримент показує, що магнітне поле індукції В
взаємодіє з елементом струму Іdl з силою
F = I[dlВ]
Ця сила перпендикулярна dl та В. Якщо кут між цими векторами дорівнює
нулеві, то їх векторний добуток також дорівнює нулеві, і магнітне поле не
виявляє механічну дію на елемент струму Іdl. Сила максимальна, якщо dl та В
взаємно перпендикулярні: F = ВIl.
При взаємно перпендикулярній орієнтації магнітного поля та провідника зі
струмом напрям дії сили часто визначають по мнемонічному правилу лівої руки:
якщо ліву руку розташувати так, щоби силові лінії входили в долоню, а
витягнуті пальці направити по струму, то відігнутий великий палець покаже
напрям діючої сили. Механічні сили, що виникають в магнітному полі, часто
називають електродинамічними силами, підкреслюючи той факт, що під дією
цих сил в системі виникає переміщення тіл, тобто динамічний процес.
Висновок
Електромеханічна дія магнітного поля і електромагнітна індукція
використовуються для перетворення механічної енергії в електричну і навпаки.
Пристрої, за допомогою яких здійснюються такі перетворення, називаються
електричними машинами. Машина для перетворення механічної енергії в
електричну називається генератором, а для зворотного перетворення –
двигуном.
 Лекція 6
Тема: Електричні кола змінного струму План
1. Визначення, електричні величини, що характеризують змінний струм.
2. Електричні кола змінного струму з R, L, С елементами.
3. Зображення синусоїдних величин векторами на комплексній площині.
4. Векторна діаграма.
5. Основи символічного методу розрахунку кіл синусоїдного струму.

1. Визначення, електричні величини, що характеризують змінний струм.

В електротехніці використовують змінний струм гармонічної форми.
Гармонічний струм являє собою струм, що змінюється в часі по
синусоїдному (косинусоїдному) закону
і  Іm sin(ωt  2 
)  I m s
t ) (1).
in( T
Графік його показаний на рис. 1. Максимальне значення функції
називається амплітудою. Амплітуда струму позначається Іm; Т – період
коливань, тобто час, за який здійснюється одне повне коливання. Частота
f = 1/T [1/c, Гц]
дорівнює числу коливань за секунду. Величина  = 2f = 2/Т [рад/с, 1/с]
наз. кутовою (циклічною) частотою. Аргумент синуса, тобто величина (t + )
називається повною фазою t – біжучою фазою,  – початковою фазою.
Будь яка гармонічна функція цілком визначається трьома величинами:
амплітудою, кутовою частотою і початковою фазою. Промислова частота в
синусоїдального струму в Україні та Західній Європі – 50 Гц, США – 60 Гц.

Рис. 1
 Середнє значення синусоїдо змінної величини визначають за півперіоду:

Іср T Im   0,638Im
 / sintdt 2
1 2 I
T  
/2 0 m

Дуже широко застосовують поняття діючого (середньоквадратичного,

ефективного) значення синусоїдо змінної величини
І 1T Im  0,707 Im
 T i dt
2
1T

0
 2
Isin
m
2 td 2
Діюче значення синусоїдного T 0 струмуt І чисельно рівне значенню такого
постійного струму, який за час періоду синусоїди виділяє таку ж кількість
теплоти, що і синусоїдний струм. Більшість вимірювальних приладів показують
діюче значення вимірюваної величини.
Коефіцієнт амплітуди та коефіцієнт форми
ка = Іm / І = 2, кф = І / Іср =  /22 = 1,11.
2. Електричні кола змінного струму з R, L, С елементами.
Складовими елементами кіл гармонічного струму являються активний
опір R та реактивні елементи – індуктивність L та ємність С.
Синусоїдний струм в активному опорі. На рис. 2, а показано активний опір
R, через який протікає струм і = Іm sin(t + ). По закону Ома напруга
u = і R = R Іm sin(t + ), або u = Um sin(t + ),

(2) де Um = R Іm – амплітуда гармонічної напруги.

На часовій діаграмі рис. 2, б показані струм і та співпадаюча з ним по фазі
напруга u для випадку  = 0.

u
i R

а) б)
Рис. 2
 Протікання синусоїдних струмів по ділянкам електричного кола
супроводжується споживанням енергії від джерел. Швидкість поступлення
енергії характеризується потужністю. Добуток миттєвого значення напруги u
на ділянці кола на миттєве значення струму і, що протікає по цій ділянці,
називається миттєвою потужністю p = uі.
На рис. 2, б подані криві миттєвих значень струму i, напруги u та миттєвої
потужності р
p  Um sin U I
sint  m m ( 1  cos 2t )  UI( 1  cos
t  Im
2t ) (3)
2
Миттєва потужність має постійну складову UI та змінну складову UIcos2,
що змінюється з частотою 2. При t = 0 i = 0, u = 0 та р = 0. В першу половину
періоду із збільшенням напруги та струму збільшується потужність р.
Досягнувши максимального значення UI миттєва потужність зменшується до
нуля. В другу половину періоду напруга і струм від’ємні, проте потужність далі
додатна, так як перемноження двох від’ємних величин р = (-u)(-i) = ui дає
додатну. Додатне значення потужності вказує на те, що коло завжди споживає
енергію від джерела, перетворюючи її в теплоту. Середню за період потужність
називають активною і позначають Р.
Відповідно до (3), миттєва потужність має дві складові. Середнє за період
значення змінної складової UIcos2, як і будь-якої гармонічної функції,
дорівнює нулеві. Тому активна потужність в колі з активним опором дорівнює
постійній складовій миттєвої потужності:
Р = UI = I2 R = U2/ R.

(4)
Формула (3) нічим не відрізняється від формули для обчислення
потужності в колі постійного струму. Одиниця активної потужності в СИ – ват
(Вт).
Індуктивність в колі синусоїдного струму. Практично будь-яка обмотка
(котушка) має певну індуктивність L, активний опір r та ємність С. Як правило,
параметри r та С незначні і практично не впливають на фізичні процеси в
електричному колі. Такі котушки близькі до ідеальної, у якої враховується
тільки індуктивність. Допустимо, що по ідеальній котушці індуктивністю L
 проходить синусоїдний струм і = Іm sint (рис. 3, а). Напруга на
індуктивності
uL зрівноважує ЕРС самоіндукції еL:
uL  -eL  cost  sin( t  90o ) . (5)
 LI
di m LIm
L
d
t
Добуток L має розмірність опору [Ом], називається реактивним
опором індуктивності або індуктивним опором, що прямо пропорційний
частоті:
Um = LIm= хLІm , хL = L = 2fL.
Отже, напруга на індуктивності випереджає струм по фазі на 90о, що
відображено на часовій діаграмі (рис. 3, б).

i
L

а) б)
Рис. 3.
На постійному струмі f = 0, отже індуктивний опір хL = 0.
Приклад 1. Діюче значення напруги U = 120 В, f = 50 Гц, L = 0,127 Гн. I
= ? хL = L = 2fL =23,154500,127 = 40 Ом. I = U/ хL = 120/40 = 3 А.
Миттєва потужність
р = ui = Umcost Іmsint = (UmІm/2) sin2t = UI sin2t.
(6) Таким чином, миттєва потужність в колі з індуктивністю
змінюється по синусоїді з подвійною частотою: два рази протягом періоду
струму досягаючи додатного максимуму UI (споживання енергії від джерела),
і два рази – такого ж по величині від’ємного (енергія магнітного поля
віддається назад джерелу). Середнє значення потужності за один період
змінного струму дорівнює нулеві. Максимальне значення
потужності в колі з індуктивністю
називається реактивною потужністю і позначається QL.
Одиницею реактивної потужності є
вольт-ампер реактивний: (1 вар = 1В*1А).
QL = UI = І2 хL.
 Конденсатор в колі синусоїдного струму. Подамо на ідеальний
конденсатор (рис. 4, а) синусоїдну напругу u = Um sint. При змінній напрузі
конденсатор періодично перезаряджається, тобто в колі протікає струм, що
дорівнює швидкості зміни заряду на пластинах конденсатора:
d sint )  cost  sin( t  90o ) .
і   (
CUm CUm (7)
dq du CU
dt C dt
dt
m

З останнього рівняння видно, що струм через конденсатор випереджує

напругу на ньому на 90о. Це відображено на часовій діаграмі (рис. 4, б).

u
iС

а) б)
Рис. 4
Амплітуда струму Іm дорівнює амплітуді напруги Um поділеній на ємнісний
опір хС, тобто
Іm = СUm = Um/1/(C) = Um/ хС, хС = 1/С = 1/2fC [Ом].
Для постійного струму f = 0 і хС = ∞. Це означає, що на постійному струмі
в усталеному режимі струм в колі з ємністю дорівнює нулеві. Зі збільшенням
частоти ємнісний опір зменшується (обернена пропорційність).
Миттєва потужність
р = ui = Um sint Іm cost = (UmІm/2) sin2t = UI sin2t. (8)
Як і в колі з індуктивністю, миттєва потужність в колі з конденсатором
змінюється по синусоїді з подвійною частотою: два рази протягом періоду
струму досягаючи додатного максимуму UI (споживання енергії від джерела), і
два рази – такого ж по величині від’ємного (енергія електричного поля
віддається назад джерелу). Максимальне значення потужності в колі
з конденсатором називається реактивною потужністю і позначається
QС.
Одиницею реактивної потужності є вольт-ампер реактивний: (1 вар =
1В*1А).
QС = UI = І2 хС.
 Приклад 2. Діюче значення напруги U = 100 В, f = 50 Гц, С = 63,7 мкФ. І =
? QС = ?
хС = 1/2fC = 106/23,145063,7 = 50 Ом. І = U/хС = 100/50 = 2 А, QС = UI =
1002 = 200 вар.
3. Зображення синусоїдних величин векторами на комплексній площині.
На комплексній площині (рис. 5) комплексне число алгебраїчній формі
А = a + jb зображується у вигляді вектора: по осі +1 – відкладається дійсна
частина, а по осі +j – уявна частина комплексного числа. Так, для комплексного
числа в А = 3 + j4 по осі абсцис відкладено 3 одиниці, по осі ординат 4.

+j

A
|A|
|A|sinα
α
0 +1
|A|cosα

Рис. 5
З рис. 5 очевидно, що а = |А|cos і b = |А|sin, де |А| = а2 + b2 – модуль
комплексного числа, тобто довжина вектора,  = arc tg b/a. Зробивши відповід-
ні підстановки, одержимо тригонометричну форму комплексного числа
А = |А|(cos + jsin).

(9)
Якщо комплексне число (вектор) можна відобразити гармонічними
функціями, то гармонічно змінну величину можна представити комплексним
числом. Формула Ейлера дає перехід від тригонометричної до показникової
форми комплексного числа:
еj = cos + jsin.

(10)
Нехай  = t + . Тоді для гармонічного струму
Іm е j(t + ) = Іm cos(t + ) + jІm sin(t + ).
Складова Іm cos(t + ) являє собою дійсну частину (Re) виразу Іm е j(t + ),
а функція Іm sin(t + ) – коефіцієнт при уявній частині (Im) виразу Іm е j(t + )
і = Іm sin(t + ) = Im Іm е j(t + ).
 Отже, можна стверджувати, що синусоїдо змінний струм і (1) може бути
представлений як Im Іm е j(t + ) або, що те саме, як проекція обертаючогося
вектора Іm е j(t + ) на уявну вісь +j. Для моменту t =0 маємо
Іm е j = Іm,
де Іm – комплексна величина, модуль якої дорівнює Im, а кут, під яким
вектор Іm проведений до осі +1 на комплексній площині, дорівнює початковій
фазі . Величину Іm називають комплексною амплітудою струму і.
Розглянемо два числових приклади переходу від миттєвих значень струму
до комплексної амплітуди і навпаки.
Приклад 3. Струм і = 8 sin(t + 20о). Записати вираз для комплексної
амплітуди цього струму.
У даному випадку Im = 8А,  = 20о. Отже, Іm = 8е j20.
Приклад 4. Комплексна амплітуда Іm = 25е –j30 . Записати вираз для
миттєвого значення струму.
і = Im 25е –j30 е jt = Im 25е j(t – 30) = 25sin (t – 30о).
Комплекс діючого значення струму, або простіше, під комплекс струму
I = Іm /2 = І е j.
Приклад 5. Записати вираз для комплексу струму з прикладу 1.
I = 8е j20 /2 = 5,67е j20А.
4. Векторна діаграма.
Векторна діаграма представляє собою сукупність векторів на комплексній
площині, що зображають синусоїдо змінні функції однієї і тієї ж частоти,
побудовані із дотриманням правильної орієнтації відносно один одного по фазі.
Нехай, слід скласти два струми (і1 та і2) однакової частоти. Сума їх дає
деякий струм і тієї ж частоти. +j
1m I
І = і1 + і24
і1 = І1m sin(t + 1); 1
0φ
+1
і2 = І2m sin(t +
φ
2 φ
Im

2); і = Іm sin(t + ).

I2m
Рис. 6
 Необхідно знайти амплітуду Іm та початкову фазу струму і. З цією метою
струм і1 зобразимо на комплексній площині (рис. 6) вектором І1m = І1m е j1, а
струм і2 вектором І2m = І2m е j2. Геометрична сума векторів І1m та І2m дасть
комплексну амплітуду сумарного струму Іm = Іm е j. Амплітуда струму Іm
визначатиметься довжиною сумарного вектора, а початкова фаза  кутом,
складеним цим вектором і віссю +1. Для визначення різниці двох струмів слід
на комплексній площині провести віднімання відповідних векторів.
Множення вектора на j і на -j. Нехай є деякий вектор А = Ае j (рис. 7).
Переконаємося в тому, що помноження його на j дає вектор, по модулю рівний
А , але повернутий в сторону випередження (проти годинникової стрілки) по
відношенню до вихідного вектора А на 90о . Множення на -j повертає вектор А
на 90о в сторону відставання (по годинниковій стрілці) також без зміни модуля.
Згідно формули Ейлера при  = 90о маємо:
+j A
еj = cos + jsin, jA

е j90 = cos90о + jsin90о = j,

е -j90 = cos(-90)о + jsin(-90)о = -j. jА = Ае j е j90 = Ае j( + 90),
0
-jА = Ае j е -j90 = Ае ( - 90) Рис. 7+1
Якщо записати гармонічні струми і напруги на елементах -jA
електричного
кола R, L, C у комплексній формі через діючі значення, то матимемо
Резистор співвідношення (2): U = I R,
Індуктивність співвідношення (5): U = jL I = jхL I
1
Ємність співвідношення (7): U   j I = -jхС I
C
На комплексній площині (рис. 8) зображені векторні діаграми напруг та
струмів на цих елементах електричного кола.
+j j+
U
+j L

0
I
+1

UC

0 I UR 0 I
+1 +1

Рис. 8
 5. Основи символічного методу розрахунку кіл синусоїдного струму.
На практиці розрахунок електричних кіл синусоїдного стуму виконують
символічним або комплексним методом.
Суть символічного методу розрахунку полягає в тому, що в режимі
синусоїдного струму можна перейти від рівнянь для миттєвих значень, які по
суті є диференціальними рівняннями, до алгебраїчних рівнянь, складених
відносно комплексів струму та ЕРС. Цей перехід ґрунтується на тому, що в
будь-якому рівнянні, складеному за законами Кірхгофа, миттєве значення
струму і замінюють комплексною амплітудою струму Іm (або комплексом І),
миттєве значення напруги на активному опорі R, рівне u = Ri, замінюють
комплексом U = I R, що співпадає по фазі зі струмом І, миттєве значення
напруги на u замінюють комплексом UL=jL I =
індуктивності 
L - jх I,
di L
eL L
d
t 1

що випереджує струм на 90 . миттєве значення напруги на
о
u id
ємності C  t
C
замінюють 1
j 
комплексом U I, що відстає від струму на
I = -jх 90 .
о

С
C
ωC
Присутність множника j говорить про випередження або відставання
вектора напруги на 90о.
Розглянемо схему з послідовним з’єднанням R, L, i C елементів в колі з
гармонічною ЕРС е (рис.9).

R L C
i

euR uL uC

Рис. 9
Рівняння для миттєвих значень по закону Кірхгофа запишеться так:
uR + uL + uC = e, або +
L
1 = е.
di 
Ri + Запишемо його в комплексній формі
d
t idt C
R I + jL I  = Е, І(R  )=Е
1 + jL j
j 1
I
C 
C
 E
I ,
(11)
j
R  jL 
C
де Z  R jL
z
 j =R – комплексний опір кола. Тут
 + jX= j
e
C
R – активний опір кола (дійсна частина комплексного числа),
Х = L 
– реактивний опір кола (уявна частина комплексного
1 числа).

C

z R2
 X2 – модуль комплексного опору,
X
  arctg – аргумент (фаза) комплексного опору.
R
При хL > хС UL > UC і коло має активно-індуктивний характер (напруга
випереджує струм по фазі на кут ). При хL  хС UL  UC коло має активно
індуктивний характер (напруга відстає від струму по фазі на кут ).
Вираз для потужності записується через спряжений комплекс струму:
 j( 
S  U I  UIe   = UIcos + jUIsin = P + jQ.
UIe j
)
ui
Приклад 6.
Дано: схема рис. 9.
е = 141 sin t (В), f = 50Гц. R = 12 Ом, L = 95,55 мГн, С = 227,4 мкФ.
Визначити:
струм, напруги на елементах кола, повну, активну та
реактивну потужності.
Розв’язання
Згідно (11) комплекс струму визначається
E
I

j
R  jL 
C
хL = 2 f L = 23,145095,5510-3 =30 Ом;
1 1
x  
2  f C 2 3,1450  227,4106
C
 14Ом .
Комплексний опір
ZR jL  j(30 - 14) j16) Ом.
j 12   (12 

C
 Модуль комплексного опору
122  16 2 Ом .
z R2  X 2  20

Аргумент (фаза) комплексного опору

X 16 1,33  53o08'
  arctg  arctg
R  arctg
12
Комплекс діючого значення ЕРС
Е = 141/1,41 = 100 В
Знаходимо комплекс струму
j0 j
E 
I   5e
(А)
j j 53 08
o '
Z 100e
20e
53 08
o '

Напруга на опорі R
j  j 53o08'
5e e В.
UR = I R
= 53o08'
12 = 60
Напруга на індуктивності
 j 53o08' e
j 36o52'
В.
LU = jL I = jх І = j30
5e
=150 Напруга на ємності
U  1 j  j143o08'
I I = -j14 5e e В
j
= -jх 53o08'
= 70
С
C С

Повна потужність
 j 
S  E I  (  )  100   500  500  cos53o08'  j500  sin
EIe u i j53o08' j53o08' 53o08' =
5e e
= 300,5 + j399,63, Р = 300,5 Вт, Q = 399,63 Вар, S = 500 ВА.
Додатний знак потужності вказує на індуктивний характер кола.

+j UL

UC
0 E
-53o08| +1

UR
Рис. 10. Векторна діаграма струмів та напруг на комплексній площині
 Резонансний режим роботи кола з R, L, i C елементами (рис. 9).
Під резонансним режимом роботи розуміють режим, при якому опір кола є
чисто активним, тому струм і напруга співпадають по фазі. При послідовному
з’єднанні R, L, i C елементів умова резонансу напруг з (11) матиме вигляд
1 звідки f 
L 
C 1
Аналогічним є вираз для частоти незатухаючих
2LC власних коливань LC-
контура
f0  (12)
1
Отже, при резонансі напруг частота
2LCпідведеної до контура змінної напруги
повинна співпадати з частотою власних коливань контура, тобто f = f0.
При цьому повний опір кола   стає
z R R2 рівним
R2  X 2
активному опорові. Він стає найменшим зі всіх можливих при зміні
частоти джерела Е. Це означає, що індуктивна і ємнісна напруга взаємно
урівноважуються і повна напруга джерела дорівнює напрузі на активному опорі
Е = UR (рис. 11). Під дією цієї напруги при мінімальному опорі кола в колі
виникає найбільший струм І = UR/R. При цьому він співпадає по фазі з
напругою джерела, кут  = 0.

ULUC

UR І

Рис. 11. Векторна діаграма струмів та напруг при послідовному резонансі

При малому активному опорі кола R напруги на індуктивності та ємності

можуть бути значно більшими напруги джерела. При резонансі кожний
реактивний опір дорівнює хвильовому (характеристичному) опорові кола:
 хL = хС = 0 L = L/C =  .
= UR 
По модулю UL =І  = .
UC R
Величина Q = /R називається добротністю кола, тобто UL = UC = UR Q.
Добротність показує у скільки разів напруга на індуктивності (чи на ємності)
перевищує напругу на вході кола в резонансному режимі. При рівності
реактивних опорів хL = хС рівні також їх реактивні потужності. Тому реактивна
потужність кола Q = QL - QC = 0. Це означає, що при резонансі напруг між
індуктивністю та ємністю відбувається повний обмін енергіями. Енергія
магнітного поля котушки переходить в енергію електричного поля
конденсатора і навпаки. Джерело змінної напруги не бере участь в обміні і
доставляє енергію лише активному опору кола R.
Приклад 7.
Дано: схема рис. 9.
Е = 10 мВ, R = 10 Ом, L = 1 Гн, С = 1 мкФ.
Визначити:
f0 , Q, UL, UC, Р = ?
Розв’язання
0 1 1 1 = /2 = 1000/6,28  159,24 Гц.
106  10 3
( сек )
LC 0
;f
 0

Q = 0 L/R = 103/10 = 100; І = Е/R = 0,01/10 = 1 мА;

UL = UC = Е Q =0,01 100 = 1 В;
Р = І UR = 10-3 1010-3 = 10 мкВт.
Висновки
1. Зображення синусоїдних величин комплексними числами дає
можливість застосувати для розрахунку кіл синусоїдного струму ті ж методи і
співвідношення, що застосовувалися в колах постійного струму.
2. Аналітичні розрахунки електричних кіл синусоїдного струму
рекомендується супроводжувати побудовою векторних діаграм. Вони дають
можливість якісно контролювати аналітичні розрахунки.