Лекція 9.Запапам’ятовуючі пристрої.

ОЗП.

У цифрових електронних приладах широко застосовуються запам'ятовуючі пристрої (ЗП)

для зберігання і видачі інформації. У найпростішому випадку для зберігання інформації
можуть використовуватися тригери, регістри, магнітні та оптичні диски, твердотільні
накопичувачі.

Основними параметрами ЗП є:
 ємність М – максимальна кількість інформації, яка може зберігатися в ЗП.
Ємність вимірюється в бітах, байтах, кілобайтах, мегабайтах, і т.д .;
 організація, під якою розуміють число слів N, збережених в ЗП, визначеної
розрядності n: М = N•n;
 швидкодія – час виконання операцій запису і зчитування. Час виконання операції
включає в себе час пошуку і запису або зчитування інформації.

Залежно від виконуваних функцій ЗП поділяються на оперативні, постійні і

зовнішні запам'ятовуючі пристрої;
У залежності від матеріалу – на напівпровідникові, магнітні і оптичні. Сучасні
напівпровідникові ЗП в даний час виконуються, як правило, у вигляді інтегральних
мікросхем.
За схемотехнічнимн ознаками ІС розрізняють два класи ЗП: на біполярних
транзисторах і на МДН-транзисторах.
За принципами розміщення і пошуку інформації пристрої оперативної пам'яті
поділяються на: адресні, асоціативні і стекові. У більшості ЗП використовується адресний
(довільний) доступ до інформації, що зберігається.
На сьогодні найбільшого поширення мають два види ОЗП: SRAM (Static RAM) і
DRAM (Dynamic RAM).
SRAM – ОЗП, зібраний на тригерах, називається статичною пам'яттю з довільним
доступом або просто статичною пам'яттю. Перевага цього виду пам'яті – швидкість.
Оскільки тригери зібрані на вентилях, а час затримки вентиля дуже малий, то і
перемикання стану тригера відбувається дуже швидко. Даний вид пам'яті не позбавлений
недоліків. По-перше, група транзисторів, що входять до складу тригера, обходиться
дорожче, навіть якщо вони витравляються мільйонами на одній кремнієвій підкладці.
Крім того, група транзисторів займає набагато більше місця, оскільки між транзисторами,
які утворюють тригер, повинні бути витравлені лінії зв'язку.
DRAM – більш економічний вид пам'яті. Для зберігання розряду (біту)
використовується схема, що складається з одного конденсатора і одного транзистора (в
деяких варіаціях конденсаторів два). Такий вид пам'яті вирішує, по-перше, проблему
дорожнечі (один конденсатор і один транзистор дешевше декількох транзисторів) і по-
друге, компактності (там, де в SRAM розміщується один тригер, тобто один біт, можна
вмістити вісім конденсаторів і транзисторів). Є й свої мінуси. По-перше, пам'ять на основі
конденсаторів працює повільніше, оскільки якщо в SRAM зміна напруги на вході тригера
відразу ж призводить до зміни його стану, то для того щоб встановити в одиницю один
розряд (один біт) пам'яті на основі конденсатора, цей конденсатор потрібно зарядити , а
для того щоб розряд встановити в нуль, відповідно, розрядити. А це набагато більш
тривалі операції (в 10 і більше разів), ніж перемикання тригера, навіть якщо конденсатор
має вельми невеликі розміри. Другий істотний мінус – конденсатори схильні до
«стікання» заряду; простіше кажучи, з часом конденсатори розряджаються. Причому
розряджаються вони тим швидше, чим менше їх ємність. У зв'язку з цією обставиною,
щоб не втратити вміст пам'яті, заряд конденсаторів необхідно регенерувати через певний
інтервал часу – для відновлення. Регенерація виконується шляхом зчитування заряду
(через транзистор). Контролер пам'яті періодично припиняє всі операції з пам'яттю для
регенерації її вмісту, що значно знижує продуктивність даного виду ОЗП. Пам'ять на
конденсаторах отримала свою назву Dynamic RAM (динамічна пам'ять).
Таким чином, DRAM дешевша SRAM і її щільність вища, що дозволяє на тому
самому просторі кремнієвої підкладки розміщувати більше бітів, але при цьому її
швидкодія нижче. SRAM, навпаки, більш швидка пам'ять, але зате й дорожча. У зв'язку з
цим звичайну пам'ять будують на модулях DRAM, а SRAM використовується для
побудови, наприклад, кеш-пам'яті в мікропроцесорах.
Статичні ОЗП (SRAM)
У запам'ятовуючому елементі зберігається один розряд записаного двійкового слова;
все n-розрядне слово записується в запам'ятовуючих елементах, що утворюють комірку
пам'яті. Їй відповідає певна адреса, що забезпечує доступ до цієї комірки в накопичувачі.
Запис і зчитування слова (звернення до ЗП) здійснюється за адресою, якою вибирається
певна комірка. Запам'ятовуючі елементи повинні мати два стійких стани. До числа таких
елементів відносяться тригери (напівпровідникові ЗП).
Електронне обрамлення містить, зокрема, дешифратори адреси та підсилювачі запису
і зчитування. Код адреси, що надходить на входи дешифратора, збуджує один з його
виходів. Цим дозволяється запис слова в певні ЗЕ або зчитування з них.

Існує кілька способів об'єднання запам'ятовуючих елементів в накопичувачі (кілька

видів організації ЗП).
ЗП з однокоординатною вибіркою
 Запам'ятовуючий масив (ЗМ) являє собою матрицю, в кожному рядку якої
розташовуються ЗЕ, що зберігають розряди одного слова. У кожному стовпці матриці
знаходяться ЗЕ, що зберігають однойменні розряди всіх слів. У ЗМ можуть бути
зафіксовані чотири 4-розрядних слова, тобто його ємність дорівнює 16 біт.
Для запису слова, наприклад, в клітинку з елементів ЗЕ9-ЗЕ12 потрібно виконати
наступні кроки:
1) подати сигнал вибору адреси на адресну лінію ЛА (яка підключена тільки до
елементів ЗЕ9-ЗЕ12);
2) сигнали, що відповідають значенням розрядів (0 чи 1) записуваного слова, подати
на розрядні лінії ЛР1-ЛР4;
3) на лінію Зп/Чт, загальну для всіх ЗЕ, подати сигнал, що дозволяє запис. При цьому
ЗЕ (в даному випадку третього рядка матриці) переключаються в стани, що відповідають
значенням розрядів.
Зчитування слова відбувається при відсутності на шині Зп/Чт сигналу, який
дозволить запис, і при подачі сигналу на потрібну адресну шину. При цьому потенціали,
що відповідають значенням розрядів слова (0 або 1), з'являються на виходах розрядних
підсилювачів зчитування.
Вибір тієї чи іншої адресної лінії (ЛА) проводиться дешифратором адреси, на вхід
якого надходить двійковий код номера ЛА – номера комірки, до якої має бути записано
або з якої повинно бути зчитане слово. Комірка, в яку записується або з якої зчитується
слово, має одну координату. Нею є номер рядка матриці запам'ятовуючих елементів.
Описаний запам'ятовуючий пристрій називають також двовимірним ЗП
(запам'ятовуючі елементи розташовані в одній площині), ЗП типу 2D.
ЗП з двохкоординатною вибіркою
Число виходів дешифратора і адресних ліній всередині мікросхеми дорівнює
кількості комірок в накопичувачі і може бути досить значним, що технологічно обмежує
місткість пам'яті в межах кристала. Так, при 1К комірок це число дорівнює 1024. Його
можна значно зменшити, якщо використовувати двохкоординатну адресацію.
 У цьому випадку кожен запам'ятовуючий елемент матриці вибирається
дешифратором рядка і дешифратором стовпця.
При цьому обраним виявляється елемент, що знаходиться на перетині активних ліній,
одна з яких належить дешифратору рядка, а інша – дешифратору стовпця. Кожна така
двохкоординатна матриця зберігає однойменні розряди всіх записуваних слів (одна
матриця – перші розряди, інша – другі і т.д.), А все k-розрядне слово зберігається в k
матрицях.
У двокоординатній матриці адресацію можна забезпечити адресними лініями
дешифраторів рядків і стовпців, кожен з яких має 32 виводи (1024 = 32х32), що істотно
менше 1024. При цьому кожен ЗЕ повинен містити кон'юнктор, реєструючий одночасно
активні лінії рядка і стовпця.
Одна частина розрядів адреси, встановленої на входах А0-А9 (2 10 = 1024), надходить
на входи дешифратора рядків, інша – на входи дешифратора стовпців. Якщо матриця
накопичувача квадратна, то розряди повної адреси розподіляються між дешифраторами
порівну.
На відміну від однокоординатної структури вибір ЗЕ здійснюється тут двома
активними адресними лініями через кон'юнктор Kij (де i – номер рядка, j – номер стовпця
накопичувальної матриці), з одним діз'юнктором пов'язані виходи тригерів всіх ЗЕ, а його
вихід підключений до трьохстабільного елементу.

Динамічні ОЗП (DRAM)

Як елемент пам'яті використовується мікроконденсатор в інтегральному виконанні,

розміри якого значно менше D-тригера статичної пам'яті. З цієї причини, при однакових
розмірах кристала, інформаційна ємність DRAM вище, ніж у SRAM. Кількість адресних
входів і габарити повинні збільшитися.Щоб не допустити цього, адресні лінії усередині
мікросхеми розбиваються на двох груп, наприклад старша і молодша половина. Дві
однойменні k-лінії кожної групи підключаються до двох виходів внутрішнього k-го
демультиплексора "1 у 2", а його вхід з'єднується з k-ым адресним входом мікросхеми.
Кількість адресних входів, при цьому зменшується в два рази, але зате передача адреси в
мікросхему повинна вироблятися, по-перше в два прийоми, що трохи зменшує
швидкодію, і по-друге буде потрібно додатковий зовнішній мультиплексор адреси.У
процесі збереження біта конденсатор розряджається. Щоб цього не допустити заряд
необхідно підтримувати.

Підсумовуючи, можна перелічити чим відрізняється динамічне ОЗУ від статичного:

1)мультиплексуванням адресних входів, 2)необхідністю регенерації збереженої
інформації, 3)підвищеною ємністю (до декількох Мбит), 4)більш складною схемою
керування. На малюнку внизу  приведена умовна позначка м/с 565РУ7 ємністю 256K*1
(218K) і спосіб підключення 18-ти ліній адреси до дев'яти адресних входів за допомогою 9-
ти мультиплексорів "2 у 1", наприклад трьох зчетверених селекторів-мультиплексорів
типу 1533КП16.

Елементи пам'яті розташовані на кристалі у виді матриці 512 * 512 = 29 * 29, керованої
двома лінійними дешифратороми рядків і стовпців, кожний з 9-ю адресними входами.
Якщо сигнал рядок/стовпець ~R/C на вході вибору S мультиплексора, дорівнює нулеві, то
A(0..8) = Y(0..8) і в мікросхему передається адреса рядка. Ця адреса фіксується
негативним фронтом строба адреси рядків  ~RAS. При ~R/C = 1 на виходи
мультиплексора передається адреса стовпців A(9..17), що защілкуе негативним перепадом
строба адреси стовпців ~CAS. Вхід ~WE керує записом/ читанням. Оперативна пам'ять
персональних ЕОМ - (SIMM, EDO, SDRAM..) є динамічною пам'яттю. Час звертання до
неї менше 10нс, а ємність досягає 256M в одному корпусі.
 Асоціативні ОЗП

В асоціативній пам'яті елементи вибираються не за адресою, а за вмістом. Для пам'яті

з адресною організацією було введено поняття мінімальної адресованої одиниці як порції
даних, що має індивідуальну адресу. Аналогічне поняття існує й для асоціативної пам'яті,
і називається рядком асоціативної пам'яті. Кожний рядок містить два поля: поле тегу (Tag
– ярлик, етикетка, ознака) і поле даних. Запит на читання до асоціативної пам'яті словами
можна виразити таким чином: вибрати рядок (рядки), у якому (у яких) тег дорівнює
заданому значенню.
При такому запиті можливий один із трьох результатів:
 є один рядок із заданим тегом;
 є кілька рядків із заданим тегом;
 немає жодного рядка із заданим тегом.
Пошук запису за ознакою – це дія, типова для звернень до баз даних, і пошук в базі
часто є асоціативним пошуком. Для виконання такого пошуку слід переглянути всі записи
і порівняти заданий тег з тегом кожного запису. Це можна зробити і при використанні для
зберігання записів звичайної адресованої пам'яті (і зрозуміло, що це вимагатиме досить
багато часу – пропорційно кількості збережених записів!). Про асоціативну пам'ять
говорять тоді, коли асоціативна вибірка даних з пам'яті підтримана апаратно. При запису в
асоціативну пам'ять елемент даних поміщається в рядок разом з властивим цьому
елементу тегом. Для цього можна використовувати будь-який вільний рядок.
Стекові ОЗП
SP – Stack Pointer.

ПЗП
Енергонезалежна пам'ять, що використовується для зберігання масиву незмінних
даних.
За технологією виготовлення кристала:
  ROM – (Read-only memory, постійний
запам'ятовуючий пристрій), масочний ПЗП,
виготовляється промисловим способом. Надалі
немає можливості змінити записані дані.
 PROM – (Programmable read-only
memory, програмований ПЗП (ППЗП)) – ПЗП,
одноразово "прошивається" користувачем.
 EPROM – (Erasable programmable read-
only memory, перепрограмований/
репрограмований ПЗП (ПППЗП/РПЗП)).
Наприклад, вміст стирався за допомогою
ультрафіолетової лампи.
 EEPROM – (Electrically erasable
programmable read-only memory,
перепрограмований ПЗП, що електрично стирається). Пам'ять такого типу може
стиратися і заповнюватися даними кілька десятків тисяч разів. Використовується в
твердотільних накопичувачах. Одним з різновидів EEPROM є флеш-пам'ять (Flash
memory).
 NVRAM (non-volatile memory) – "неруйнівна" пам'ять, строго кажучи, не є ПЗП.
Це ОЗП невеликого обсягу, конструктивно поєднане з батарейкою. У NVRAM сучасних
ЕОМ батарейка вже конструктивно не пов'язана з ОЗП і може бути замінена.