Professional Documents
Culture Documents
BTL MĐT L07 N6-3
BTL MĐT L07 N6-3
⁕⁕⁕⁕⁕⁕⁕⁕⁕⁕⁕⁕⁕⁕
Lớ p L02 – Nhó m 1
I. TÊN ĐỀ TÀI............................................................................................................................................................ 3
II. CƠ SỞ LÝ THUYẾT............................................................................................................................................ 3
3. Khái niệm đáp ứng tần số và băng thông của mạch khuếch đại......................................4
2. Sơ đồ nguyên lý.............................................................................................................................................. 5
c. Tính các giá trị điện trở của tầng thứ hai..........................................................................................8
V. Kết luận............................................................................................................................................................... 15
I. TÊN ĐỀ TÀI
Thiết kế mạ ch khuếch đạ i thỏ a điều kiện
II. CƠ SỞ LÝ THUYẾT
1. Khái niệm về mạch khuếc đại đa tầng
Độ lợ i tổ ng cộ ng củ a mạ ch:
A v ⅀=± A v 1 × A v 2 × … × A vn
Ai ⅀ =± A i 1 × A i2 ×… × A ¿
Có 2 cá ch ghép cơ bả n:
+ Ghép trự c tiếp (tứ c cá ch liên lạ c DC): ghép Darlington, ghép chồ ng (Cascode).
Bă ng thô ng củ a mộ t mạ ch khuếch đạ i thườ ng đượ c xá c định theo sự khá c biệt giữ a tầ n
số thấ p nhấ t và tầ n số cao nhấ t ở điểm mà hệ số khuếch đạ i giả m cò n 1/√ 2. Thô ng số nà y
cò n gọ i là bă ng thô ng −3 dB.
2. Sơ đồ nguyên lý
Từ ý tưởng trên ta có sơ đồ mạch như sau:
Để ICQ không phụ thuộc vào α khi nhiệt độ thay đổi thì Re1 >> (1 - α ).Rb1
1 1
Suy ra: Rb1 ≤ ℜ1 ≈
10
β . ℜ1
10(1−α )
1
Vậy chỉ cần Rb1 ≤ β . ℜ , với β min của BJT 2N5551 là 80 nên Rb1 ≤ 8. ℜ1
10 min 1
Ta cần Zi phải lớn hơn hoặc bằng 20kΩ nên nếu Rb > 20kΩ (vài chục kΩ), lúc này Re sẽ khoảng
vài kΩ nên Re* sẽ khoảng vài trăm kΩ (do hfe của BJT 2N5551 có thể lên đến 250). Do đó Rb 1 //
(hie1 + Re1*) sẽ lớn hơn hoặc bằng 20kΩ nếu Rb > 20kΩ. Ban đầu ta sẽ chọn Rb max = 24kΩ nên
Re = 3kΩ và 20 < Rb1 ≤ 24
1
Ta thường chọn VE1 = V nên VCC = 10 × 3 = 30 (V)
10 CC
1
Để có max swing ta chọn VCE1 = V = 15(V)
2 CC
Ta có: (Rc1 + Re1). ICQ1 = VCC – VCE1
Rb1 20 24
R 1= < R 1≤
Do V T nên 3.7 3.7 ⟺ 11.40 < R1 ≤ 17.11
1− 1− 1−
V CC 30 30
Chọn R1 = 15kΩ
Tương tự ta có:
V CC 30 30
R2 = Rb1 . nên 20 × < R 2≤ 24 × ⟺ 81.08 < R2 ≤121.62
VT 3.7 3.7
Chọn R2 = 100kΩ
R 1. R 2
Suy ra Rb1 = = 13.04kΩ (thỏa điều kiện đã chọn)
R 1+ R 2
0.025 0.025
Suy ra hie1 = hfe1 I =125 ×
1 = 3.034(kΩ)
CQ 1
( )
vo 1 vo1 ib 1 −1
Av1 = v = i × v =(−hfe 1 . Rc1 ) hie +hfe ℜ
i1 b1 i1 1 1 1
1
¿ 125 ×12 × = 3.968
3.125+ 125× 3
c. Tính các giá trị điện trở của tầng thứ hai
Do ta phân cực tầng thứ nhất và tầng thứ hai giống nhau nên ta có:R4 = R1 = 15 kΩ, R4 = R2 =
100 kΩ, R7 = Rc1 = 12kΩ, R5 = Re1 =3 kΩ
Ở cực C ta sẽ mắc thêm một điện trở R8 nối tiếp với một tụ C3 và tất cả song song với R7 để
Zo ≤ 1kΩ
Nhưng khi đó Av2 sẽ giảm nên ta sẽ mắc một điện trở R6 nối tiếp với một tụ và tất cả song
song với R5 để điều chỉnh Av2.
Sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ của tầng 2:
R7× R8 12× R 8
Ta có: Zo = Zo2 = Rc2, mà Zo ≤ 1kΩ nên suy ra ≤1 ⟺ ≤1
R 7+ R 8 12+ R 8
¿ 23.478 ¿ ¿
v o 2 v o 2 ib 2
Av2 = = × =(−hfe 1 . Rc2 ) ¿
v i 2 i b 2 v i2
1 115.375
¿ 125 ×0.923 × =
3.034+ ℜ2∗¿ ¿ 3.034+ℜ2∗¿ ¿
1
Do yêu cầu thiết kế Av = 20 mà Av= Av1 × Av2 × 1+ Zo1 nên suy ra:
Zi 2
1
115.375
3.967 × 3.034+ ℜ ∗¿ ¿ × 1+ 12
¿
= 10 ⟺ ℜ2∗¿ = 14.552k kΩ
2
13.04 ¿ ¿ ¿
R5×R6 3× R 6
⟺ 125 × = 20.09 kΩ ⟺ 125 × = 19.451 kΩ ⟺ R6 = 121 Ω
R 5+ R 6 3+ R 6
1
Ta có: + Tụ C1 có ω z 1=0 và ω p 1= ⟺ Rp1 = Zi = 12.605kΩ
ZiC 1
+ Tụ C2 có ω z 2=0 và ω p 2= 1
¿¿
1 1
+ Tụ C3 có ω z 3= và ω p 3= [ R 6∗+ R 5∗¿/(hie + Rc /¿ Rb )]C 3∗¿ ¿
¿¿ 2 1 2
⟺ Rz3 = R5 + R6 = 3.121 kΩ
1 1
+ Tụ C4 có ω z 4 = và ω p 4=
R 8.C 4 ( R 7+ R 8 ) C 4
⟺ Rz4 = R8 = 1 kΩ
Rp4 = R7 + R8= 13 kΩ
Do Rp1 > Rp2 > Rp4 > Rz3 > Rz4 >> Rp3 nên nếu ta cho C1 = C2 = C3 = C4 thì ω L ≈ ω p 3
1
Suy ra: =15 ×2 π ⟺ C3 = 90 μF
0.122× 1000× C 3
⟺ C1 = C2 = C3 = C4 = 90 μF
Do C5 hở mạch nên không ảnh hưởng đến đáp ứng tần số mà chỉ có tác dụng loại bỏ tín hiệu
DC trước khi lấy tín hiệu ở ngõ ra. Chọn C5 = 1uF.
vℑ 10
ii = 0.31 μArms ⟺ Zi = = = 22.81 kΩ
iℑ 0.31 √ 2
v om 202.5/ 2
Io = 153 μArms ⟺ Zo = = =0.989 kΩ
i om 72.4 √2
71.25+71.25 Av
Lúc này AvL = = 7.09≈
10.04+10.04 √2
4. Mô phỏng để kiểm chứng tần số cắt cao
V. Kết luận
Mạch hoàn thành, thiết kế đúng với yêu cầu đưa ra, với sai số nhỏ từ 1 – 2%.