Bài tiểu luận kết thúc học phần: Thiết kế hệ thống và mô phỏng

Faculty of Electrical and Electronic Engineering

Bài Tiểu Luận Kết Thúc Học Phần

Học phần: Thiết kế hệ thống và mô phỏng

Tên: Lê Viết Đạt MSSV: 19010206

Trần Mạch Tuấn Kiệt 19010214
(Lớp K13-KTĐK-TĐH/Học kỳ 2 năm học 2021-2022)

Ngày 26 tháng 5 năm 2022

Sinh viên: Lê Viết Đạt- Trần Mạch Tuấn Kiệt

Bài tiểu luận kết thúc học phần: Thiết kế hệ thống và mô phỏng

Mục lục
I. Tổng quan đề tài.....................................................................................................3

II. Cơ sở lý thuyết......................................................................................................3

1. Hệ thống pin mặt trời.........................................................................................3

2. Bộ điều khiển PI.................................................................................................5

II. Mô phỏng hệ thống...............................................................................................7

1. Giao diện các block:...........................................................................................7

2. Kết quả chạy mô phỏng:...................................................................................21

3. Thông số bộ điều khiển:...................................................................................24

Sinh viên: Lê Viết Đạt- Trần Mạch Tuấn Kiệt

Bài tiểu luận kết thúc học phần: Thiết kế hệ thống và mô phỏng

I. Tổng quan đề tài

Hàng năm mặt trời cung cấp cho trái đất một năng lượng khổng lồ, gấp 10 lần
trữ lượng các nguồn nhiên liệu có trên trái đất. Thành phần cơ bản của một hệ
thống điện mặt trời bao gồm: các tấm pin mặt trời, bộ dữ trữ năng lượng (ắc quy),
bộ biến đổi DC/DC, và bộ nghịch lưu DC/AC,.. Hệ thống điện mặt trời bị phụ
thuộc vào phụ tải, cấp điện áp, và nhiều yếu tố khác, ở các tấm pin mặt trời, công
suất đầu ra không cố định, công suất đạt định mức ở khoảng thời gian gần trưa và
công suất đầu ra nhỏ vào lúc sáng và chiều, thời gian công suất bé hơn 40% có thể
đạt vài giờ trong ngày, chưa kể đến hiện tượng bóng che và ngày ít nắng hay công
suất phản kháng bị thay đổi. Vì vậy, việc thiết kế một bộ điều khiển PI cho hệ
thống năng lượng mặt trời là cực kỳ cần thiết

II. Cơ sở lý thuyết

1. Hệ thống pin mặt trời

Sinh viên: Lê Viết Đạt- Trần Mạch Tuấn Kiệt

Bài tiểu luận kết thúc học phần: Thiết kế hệ thống và mô phỏng
Với phần pin mặt trời:
Theo định luật Kirchoff theo dòng:

Theo định luật Kirchoff theo áp:

Với:

2. Bộ điều khiển PI
Một bộ điều khiển PI là một cơ chế

phản hồi vòng điều khiển tổng quát được sử dụng

rộng rãi trong các hệ thống điều khiển công nghiệp và
là bộ điều khiển được sử dụng nhiều nhất trong các bộ điều khiển phản hồi. Bộ
điều khiển PI sẽ tính toán giá trị "sai số" là hiệu số giữa giá trị đo thông số biến đổi
và giá trị đặt mong muốn. Bộ điều khiển sẽ thực hiện giảm tối đa sai số bằng cách
điều chỉnh giá trị điều khiển đầu vào. Tuy nhiên, để đạt được kết quả tốt nhất, các

Sinh viên: Lê Viết Đạt- Trần Mạch Tuấn Kiệt

Bài tiểu luận kết thúc học phần: Thiết kế hệ thống và mô phỏng
thông số PID sử dụng trong tính toán phải điều chỉnh theo tính chất của hệ thống-
trong khi kiểu điều khiển là giống nhau, các thông số phải phụ thuộc vào đặc thù
của hệ thống.

Giải thuật tính toán bộ điều khiển PI bao gồm 2 thông số riêng biệt: các giá trị
tỉ lệ và tích phân, viết tắt là P và I. Giá trị tỉ lệ xác định tác động của sai số hiện tại,
giá trị tích phân xác định tác động của tổng các sai số quá khứ. Tổng chập của hai
tác động này dùng để điều chỉnh quá trình thông qua một phần tử điều khiển như vị
trí của van điều khiển hay bộ nguồn của phần tử gia nhiệt. Nhờ vậy, những giá trị
này có thể làm sáng tỏ về quan hệ thời gian: P phụ thuộc vào sai số hiện tại và I
phụ thuộc vào tích lũy các sai số quá khứ.
Khâu tỉ lệ (đôi khi còn được gọi là độ lợi) làm thay đổi giá trị đầu ra, tỉ lệ với
giá trị sai số hiện tại. Đáp ứng tỉ lệ có thể được điều chỉnh bằng cách nhân sai số đó
với một hằng số Kp, được gọi là hệ số tỉ lệ.
Khâu tỉ lệ được cho bởi:
Pout Pout =K p e (t)

trong đó
Pout P P : thừa số tỉ lệ của đầu ra

K p K p: Hệ số tỉ lệ, thông số điều chỉnh

eefsdf =e : sai

t tdfasdfasdfsd =fsmldfklsjvkxzccnvm , xzn snfklsjdkfjfsdffsdf t : thời gian hay thời gian

tức thời (hiện tại)
Phân phối của khâu tích phân (đôi khi còn gọi là reset) tỉ lệ thuận với cả biên
độ sai số lẫn quảng thời gian xảy ra sai số. Tổng sai số tức thời theo thời gian (tích
phân sai số) cho ta tích lũy bù đã được hiệu chỉnh trước đó. Tích lũy sai số sau đó

Sinh viên: Lê Viết Đạt- Trần Mạch Tuấn Kiệt

Bài tiểu luận kết thúc học phần: Thiết kế hệ thống và mô phỏng
được nhân với độ lợi tích phân và cộng với tín hiệu đầu ra của bộ điều khiển. Biên
độ phân phối của khâu tích phân trên tất cả tác động điều chỉnh được xác định bởi
độ lợi tích phân,  .
Thừa số tích phân được cho bởi:

trong đó
I out : thừa số tích phân của đầu ra

K i : độ lợi tích phân, 1 thông số điều chỉnh

e : sai số 

t : thời gian hoặc thời gian tức thời (hiện tại)

τ : một biến tích phân trung gian

Sinh viên: Lê Viết Đạt- Trần Mạch Tuấn Kiệt

Bài tiểu luận kết thúc học phần: Thiết kế hệ thống và mô phỏng

II. Mô phỏng hệ thống

1. Giao diện các block:
Simulink Model for 1MW-Class Grid-Connected PV System with Boost Converter

 PV Array Side System

Sinh viên: Lê Viết Đạt- Trần Mạch Tuấn Kiệt

Bài tiểu luận kết thúc học phần: Thiết kế hệ thống và mô phỏng

 PV Array Side System

 Block “Plot”

Sinh viên: Lê Viết Đạt- Trần Mạch Tuấn Kiệt

Bài tiểu luận kết thúc học phần: Thiết kế hệ thống và mô phỏng
 PV Array Side System
 Block “Plot”

 Block (1), (2) và (3)

Sinh viên: Lê Viết Đạt- Trần Mạch Tuấn Kiệt

Bài tiểu luận kết thúc học phần: Thiết kế hệ thống và mô phỏng

 PV Array Side System

 Block (4)

Sinh viên: Lê Viết Đạt- Trần Mạch Tuấn Kiệt

Bài tiểu luận kết thúc học phần: Thiết kế hệ thống và mô phỏng

 Grid side system

Sinh viên: Lê Viết Đạt- Trần Mạch Tuấn Kiệt

Bài tiểu luận kết thúc học phần: Thiết kế hệ thống và mô phỏng

 Grid side system

 Block (1)

 Block (2)

Sinh viên: Lê Viết Đạt- Trần Mạch Tuấn Kiệt

Bài tiểu luận kết thúc học phần: Thiết kế hệ thống và mô phỏng

 Grid side system

 Block (2)
 Subsystem “Uabc_ref Generation”

Sinh viên: Lê Viết Đạt- Trần Mạch Tuấn Kiệt

Bài tiểu luận kết thúc học phần: Thiết kế hệ thống và mô phỏng

 Grid side system

 Block (3)

Sinh viên: Lê Viết Đạt- Trần Mạch Tuấn Kiệt

Bài tiểu luận kết thúc học phần: Thiết kế hệ thống và mô phỏng

 Grid side system

 Block (4)

Sinh viên: Lê Viết Đạt- Trần Mạch Tuấn Kiệt

Bài tiểu luận kết thúc học phần: Thiết kế hệ thống và mô phỏng
 Grid side system
 Block (5)

Sinh viên: Lê Viết Đạt- Trần Mạch Tuấn Kiệt

Bài tiểu luận kết thúc học phần: Thiết kế hệ thống và mô phỏng

 Grid side system

 Block (6)

Sinh viên: Lê Viết Đạt- Trần Mạch Tuấn Kiệt

Bài tiểu luận kết thúc học phần: Thiết kế hệ thống và mô phỏng

 Grid side system

 Block (7) và (8)

Sinh viên: Lê Viết Đạt- Trần Mạch Tuấn Kiệt

Bài tiểu luận kết thúc học phần: Thiết kế hệ thống và mô phỏng
 Block (9)

Sinh viên: Lê Viết Đạt- Trần Mạch Tuấn Kiệt

Bài tiểu luận kết thúc học phần: Thiết kế hệ thống và mô phỏng
 Grid side system
 Block (10)

Sinh viên: Lê Viết Đạt- Trần Mạch Tuấn Kiệt

Bài tiểu luận kết thúc học phần: Thiết kế hệ thống và mô phỏng
 Grid side system
 Block (11) và (12)

 Block (13) cho “Viabc Iiabc”, “Vpabc Ipabc”, “Vsabc Isabc”, “VLabc ILabc”

Sinh viên: Lê Viết Đạt- Trần Mạch Tuấn Kiệt

Bài tiểu luận kết thúc học phần: Thiết kế hệ thống và mô phỏng

2. Kết quả chạy mô phỏng:

 Figure 1
Irradiace [W/m ]
2

1000

800

600

400
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1

800
V ref [V]

700

600
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1

800
V PV [V]

700

600

500
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
Time [s]

 Figure 2
Irradiace [W/m ]
2

1000

500

0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1

800
V PV [V]

600

0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1

2000
IPV [A]

1000

0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
5
10
10
P PV [W]

0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
Time [s]

Sinh viên: Lê Viết Đạt- Trần Mạch Tuấn Kiệt

Bài tiểu luận kết thúc học phần: Thiết kế hệ thống và mô phỏng

 Figure 3
Irradiace [W/m2]

1000

500

0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1

800
Vdc [V]

600

0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1

3000
IIN
IIN [A]

2000
Iaverage
1000
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
6
10
2
PIN
PIN [W]

1 Paverage

0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
Time [s]

 Figure 4
Primary Currents [A]
Primary Voltages [V]

Vpab 2000 Ipa

500
Vpbc Ipb
0 Vpca 0 Ipc

-500
-2000
0.3 0.35 0.4 0.45 0.5 0.55 0.6 0.3 0.35 0.4 0.45 0.5 0.55 0.6
4
Secondary Currents [A]
Secondary Voltages [V]

10
40
2 Vsa Is a
20
Vsb Is b
0 Vsc 0 Is c
-20
-2
-40
0.3 0.35 0.4 0.45 0.5 0.55 0.6 0.3 0.35 0.4 0.45 0.5 0.55 0.6
Local Load Currents [A]

40 40
Grid Currents [A]

ILa IG a
20 20
ILb IG b
0 ILc 0 IG c
-20 -20
-40 -40
0.3 0.35 0.4 0.45 0.5 0.55 0.6 0.3 0.35 0.4 0.45 0.5 0.55 0.6
Time [s] Time [s]

Sinh viên: Lê Viết Đạt- Trần Mạch Tuấn Kiệt

Bài tiểu luận kết thúc học phần: Thiết kế hệ thống và mô phỏng

 Figure 5

800
Vp q 2000 Ipq
600
Vp qd [V]

Ip qd [A]
400 Vp d Ipd

200 0
0
-200 -2000
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
4
10
3 40
Vsq Is q
2
20
Vsqd [V]

Is qd [A]
Vsd Is d
1
0
0
-1 -20
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1

2 2000
Sa
Vi ab [V]

Sb
Sabc

0 Sc 0

-2 -2000
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
Time [s] Time [s]

 Figure 6
5 5
10 10
10
10 PGRID
5
P PV [W]

PQ GRID

Q GRID
5 0
-5
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
PPV , P GRID & PLOAD

5 5
10 10
10
PLOAD 10 PPV
PQ LOAD

Q LOAD 5 PGRID
5
PLOAD
0
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
Time [s]
5
10
5
QGRID & QLOAD

Q GRID
0 Q LOAD

-5

0 0.2 0.4 0.6 0.8 1

Time [s]

Sinh viên: Lê Viết Đạt- Trần Mạch Tuấn Kiệt

Bài tiểu luận kết thúc học phần: Thiết kế hệ thống và mô phỏng

3. Thông số bộ điều khiển:

1000
Irradiace [W/m ]
2

800

600

400

0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1

5
10
10

5
QS REF

-5

0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1

Kp=2; Ki=700

800
Vdc [V]

700

600

500
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
Kp=2; Ki=400

800
Vdc [V]

700

600

500
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
Kp=2; Ki=200

800
Vdc [V]

700

600

500
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1

Tại thời điểm 0.2s, 0.5s và 0.8s, bức xạ mặt trời thay đổi làm cho Vdc thay đổi.
Bên cạnh đó, công suất phản kháng tại 0.33s và 0.66s cũng thay đổi làm cho Vdc
thay đổi theo, nhưng do có bộ điều khiển PI nên Vdc cân bằng theo mức điện áp

Sinh viên: Lê Viết Đạt- Trần Mạch Tuấn Kiệt

Bài tiểu luận kết thúc học phần: Thiết kế hệ thống và mô phỏng
tham chiếu là 700V. Sau khi có kết quả của ba bộ thông số PI, ta có thể thấy với
cùng hệ số Kp= 2, bộ PI với Ki= 400 có khoảng thời gian quá độ là ít nhất trong
khi bộ PI với Ki= 700 có khoảng thời gian quá độ dài hơn nhưng số đáp ứng dao
động nhiều hơn và bộ PI với Ki=200 có số đáp ứng dao động ít hơn. Đó là do khâu
tích phân (khi cộng thêm khâu tỉ lệ) sẽ tăng tốc chuyển động của quá trình tới điểm
đặt và khử số dư sai số ổn định với một tỉ lệ chỉ phụ thuộc vào bộ điều khiển. Tuy
nhiên, vì khâu tích phân là đáp ứng của sai số tích lũy trong quá khứ, nó có thể
khiến giá trị hiện tại vọt lố qua giá trị tham chiếu. Do đó, với các giá trị nhỏ của
Ki, hệ thống sẽ ít các gợn sóng hơn, ngược lại với Ki quá lớn sẽ tạo ra nhiều gợn
sóng. Cần phải chọn giá trị Ki phù hợp để hệ thống tiến tới giá trị tham chiếu với
thời gian quá độ và số gợn sóng là nhỏ nhất có thể. Trong ba trường hợp trên, ta
thấy bộ PI Kp= 2, Ki= 400 là phù hợp nhất.

Sinh viên: Lê Viết Đạt- Trần Mạch Tuấn Kiệt