2.

1- Cho sợi quang đơn mode chiết suất bậc có đường kính lõi là 10
μm, chiết suất lõi là 1,475 và độ chênh lệch chiết suất là 0,2%. Xác
định vùng hoạt động đơn mode của sợi quang.
2.2- Hệ thống thông tin quang đơn kênh hoạt động ở tốc độ bit
10Gbps, mã NRZ 50% sử dụng nguồn phát quang đơn mode ở bước
sóng 1550 nm với độ rộng phổ 1nm truyền trên sợi đơn mode tiêu
chuẩn SMF có hệ số tán sắc D=20 ps/nm.km. Hãy tính khoảng cách tối
đa mà tại đó bắt đầu xảy ra hiện tượng xuyên nhiễu giữa các tín hiệu
ISI.
2.3- Cho sợi quang đơn mode có độ lệch chiết suất là 0,2% với chiết
suất lõi n1 = 1,48. Hãy xác định đường kính sợi quang khi biết sợi hoạt
động đơn mode tại bước sóng lớn hơn 1,2 µm.
2.4- Cho sợi quang có độ lệch chiết suất là 0,2% với chiết suất lõi n1 =
1,48. Hãy xác định dải bước sóng để sợi hoạt động đơn mode khi biết
đường kính lõi sợi là 10 µm.
2.5- Cho sợi quang đơn mode có đường kính lõi sợi là 10 µm. Hãy xác
định độ lệch chiết suất của sợi khi biết chiết suất lõi n1 = 1,475 và
bước sóng cắt của sợi là 950 nm.
2.6- Cho sợi quang đa mode chiết suất bậc (MM-SI) có đường kính lõi
50 µm và hoạt động tại bước sóng 850 nm. Biết số lượng mode truyền
trong sợi là khoảng 900 mode, hãy xác định khẩu độ số của sợi quang
này. Nếu biết độ lệch chiết suất của sợi là 1,6%, hãy xác định chiết
suất của lõi sợi.
2.7- Sợi đa mode chiết suất bậc có đường kính lõi 50 µm được thiết kế
để giới hạn tán sắc mode chỉ 12 ns/km. Biết chiết suất lõi sợi là 1,45.
a/ Hãy xác định khẩu độ số của sợi quang. b/ Xác định giới hạn tốc độ
truyền dẫn trên 1 km tại bước sóng 850 nm khi giả sử độ dãn xung
không được vượt quá một chu kì bit.

1
2.8- Cho sợi quang có đường kính lõi 50 µm và hoạt động tại bước
sóng 850 nm. Biết sợi có độ lệch chiết suất là 2% với chiết suất lớp vỏ
n2 = 1,45. Hãy xác định độ dãn xung gây ra bởi tán sắc mode trong
các trường hợp sau:
a/ Sợi có mặt cắt chiết suất bậc.
b/ Sợi có mặt cắt chiết suất biến đổi với hệ số mặt cắt chiết suất g = 2.
c/ Sợi có mặt cắt chiết suất biến đổi với hệ số mặt cắt chiết suất g = 2,5.
2.9- Cho sợi quang có đường kính lõi 50 µm và hoạt động tại bước
sóng 850 nm. Biết sợi có độ lệch chiết suất là 2% với chiết suất lớp vỏ
n2 = 1,45. Hãy xác định số lượng mode khi:
a/ Sợi có mặt cắt chiết suất bậc.
b/ Sợi có mặt cắt chiết suất biến đổi với hệ số mặt cắt chiết suất g = 2.
c/ Sợi có mặt cắt chiết suất biến đổi với hệ số mặt cắt chiết suất g = 2,5.
Chương 4:
4.1- Một photodiode PIN Si chuyển đổi ánh sáng tại bước sóng 850
nm có công suất đi vào tại bề mặt thu là 0,125 µW thành dòng quang
điện tại đầu ra có cường độ 56 nA. Hãy xác định đáp ứng và hiệu suất
lượng tử của nguồn thu quang này.
4.2- Xét một APD InGaAs có hệ số nhiễu trội x ≈ 0,8 và được phân
cực để có hệ số nhân M = 10. Biết dòng tối khi không được nhân thác
Id = 10 nA và độ rộng băng tần hoạt động là 650 MHz. Hãy xác định:
a/ Dòng nhiễu APD khi không có tín hiệu quang.
b/ Mức công suất quang tối thiểu để đạt SNR bằng 9 dB khi biết độ
đáp ứng tại M = 1 là 0,8 A/W và giả thiết không xét nhiễu nhiệt.
4.3- Một APD Si có hiệu suất lượng tử 70% tại bước sóng 850 nm khi
không có quá trình nhân thác (M = 1). Photodiode này được phân cực
để hoạt động với hệ số nhân dòng M = 100. Xác định hệ số đáp ứng

2
của photodiode và cường độ dòng quang điện được chuyển đổi khi tín
hiệu quang đi vào có mức công suất là 10 nW.
4.4- Một bộ thu quang số sử dụng APD Si làm việc tại bước sóng 850
nm có các tham số sau :
- Độ rộng băng tần nhiễu hiệu dụng : 75 MHz
- Hiệu suất lượng tử : 75%
- Hệ số khuếch đại là 100. Hệ số nhiễu trội là Mx (x=0,3)
- Dòng tối 0,2 nA. Điện dụng tiếp giáp 6 pF
Biết công suất quang đi tới bộ thu là 10 nW. Xác định :
a) Hệ số đáp ứng của APD
b) Công suất tín hiệu điện, công suất nhiễu nổ, công suất nhiễu nhiệt
c) Tỷ số SNR của bộ thu trong giới giạn nhiễu nổ và giới hạn nhiễu
nhiệt
d) Công suất thu nhỏ nhất mà bộ thu có thể đảm bảo BER = 10-12. (giả
thiết P0 = 0 và ID được chọn tối ưu).
4.5- Bộ thu sử dụng photodiode PIN Si làm việc tại bước sóng 850 nm
có các tham số như sau :
- Hiệu suất lượng tử 80%, dòng tối 3 nA
- Hệ số nhiễu khếch đại là 3 dB và nhiệt độ làm việc của bộ thu là
25OC .
- Điện dung tiếp giáp là 6 pF
- Băng tần nhiễu hiệu dụng của bộ thu là 45 MHz.
a) Xác định giá trị rms của dòng nhiễu nổ, dòng nhiễu nhiệt
b) Xác định năng lượng dải cấm dải cấm lớn nhất có thể của vật liệu
được sử dụng để chế tạo photodiode

3
c) Xác định SNR của bộ thu khi công suất quang đến bộ thu tại bước
sóng này là 400nW
d) Giả thiết bộ thu hoạt động trong giới hạn nhiễu nhiệt. Xác định
công suất thu tối thiểu yêu cầu để BER = 10-12. (giả thiết P0 = 0 và ID
được chọn tối ưu).
4.6- Một bộ thu sử dụng photodiode p-i-n hoạt động tại bước sóng
1300 nm trung bình cứ 3 photon đến tạo ra 2 cặp điện tử - lỗ trống. Bộ
thu có băng tần nhiễu hiệu dụng là 50 MHz, điện trở tải của bộ thu là
2 kΩ, hệ số nhiễu khuếch đại của bộ thu là 3dB và nhiệt độ làm việc
của bộ thu là 25oC. Công suất quang đến bộ thu là 1μW. Xác định
a) Hiệu suất lượng tử của photodiode
b) Năng lượng vùng cấm cực đại có thể có của photodiode
c) Giá trị SNR của bộ thu. Xác định giá trị SNR khi bộ thu hoạt động
ở giới hạn nhiễu nhiệt và giới hạn nhiễu lượng tử
d) Giả thiết nhiễu nhiệt lớn hơn rất nhiều so với nhiễu nổ. Hãy xác
định công suất thu tối thiểu để đạt BER = 10-12(giả thiết P0 = 0 và ID
được chọn tối ưu).
4.7- Một bộ thu APD hoạt động ở bước sóng 850 nm có các tham số
sau :
- Có hệ số nhiễu trội là Mx(với x = 0,3)
- Hiệu suất lượng tử của bộ thu là 75%
- Dòng tối 10nA và nhiệt độ làm việc của bộ thu là 25oC
- Băng tần nhiễu hiệu dụng của bộ thu là 65 MHz
- Điện dung tiếp giáp là 6pF
Giả thiết trong thời gian 1 giây, có 1010photon đến bộ thu. Hãy tính :
a) Hệ số đáp ứng của bộ thu

4
b) Giá trị hệ số nhân để bộ thu đạt giá trị SNR là lớn nhất
c) Dòng photo được tạo ra sau quá trình nhân với hệ số nhân là tối
ưu.
d) Xác định giá trị SNR của bộ thu khi hệ số nhân của bộ thu là tối
ưu.
4.8- Bộ thu sử dụng photodiode p-i-n hoạt động tại bước sóng 1310
nm có hiệu suất lượng tử 60%, dòng tối 2 nA. Băng tần nhiễu hiệu
dụng của bộ thu là 100 MHz. Điện dung tiếp giáp của bộ thu là 6pF và
hình ảnh nhiễu của bộ khuếch đại là 3 dB. Bộ thu làm việc tại nhiệt độ
25oC. Giả sử công suất quang đến bộ thu tại bước sóng này là 400
nW. a) Xác định công suất tín hiệu điện, công suất nhiễu nổ và công
suất nhiễu nhiệt.
b) Xác định SNR của bộ thu.
c) Xác định SNR của bộ thu trong giới hạn nhiễu nhiệt và giới hạn
nhiễu lượng tử
d) Giả thiết bộ thu làm việc trong giới hạn nhiễu nhiệt. Hãy xác định
công suất thu tối thiểu để đạt BER = 10-9(P0 = 0 và ID được chọn tối
ưu).

Bài 2.1 :
Điều kiện để sợi hoạt động đơn mode là
V < 2,405 hoặc λ > λc

5
Ta có

Ta có NA :
Thay vào ta có đường kính sợi quang :
λc = π.2a.n1.(2Δ) 1/2 / 2,405
= 1,22 μm
Vậy dải bước sóng để sợi hoạt động đơn mode là :
λ > λc = 1,22 μm

6
Bài 2.2
Giới hạn truyền dẫn do tán sắc mã NRZ
B.ΔT < 1
Ta có tán sắc GVD :

Giới hạn truyền dẫn

1 1
L< BD Δλ = 10 −12
10 .20 . 10 .1
= 5 (km)

7
 Bài 2.3
Điều kiện để sợi hoạt động đơn mode là V < 2,405 hoặc λ > λc Vậy λc =
1 μm

Ta có

Ta có NA :
Thay vào ta có đường kính sợi quang :
λ c .2.405
2a¿ π . n 1(2 Δ)1/ 2 = 9,81 (μm)
Nguyễn Ngọc Tú 0978440145

8
 Bài 2.4 :
Điều kiện để sợi hoạt động đơn mode là V < 2,405 hoặc λ > λc
Ta có

Ta có NA :

Thay vào ta có đường kính sợi quang :

λc = π.2a.n1.(2Δ) 1/2 / 2,405
= 2,94 μm
Vậy dải bước sóng để sợi hoạt động đơn mode là :λ > λc = 2,94 μm

Bài 2.5 :
Ta có λc = 950 nm

Ta có NA = λc .2,405 / (π2a) = 0,08

9
Khẩu độ số NA

Δ = (NA/n1)2 .1/2 = 0,0015 = 0,15%

10
 Bài 2.6
Tra bảng khẩu độ số

Số lượng mode lan truyền trong sợi SI

N=900 nên V = 42.42

Tần số chuẩn hóa V :

Suy ra NA = V.λ /(2.a.π)
42,42.850 .10−9
NA = π .50.10−6 = 0,230
Với Δ= 0.016
Chiết suất lõi sợi n1 = NA / (2Δ)1/2 = 1,29

11
 Bài 2.7:
Hệ số tán sắc mode :

Dmode(SI) = n1(n1-n2)/(n1.c) = (n1-n2)/c = 12 (ps/km)

12.10−9 . 3. 108
Suy ra n2 =n1 - 103
= 1,45 + 0,003 = 1,446
NA = (Dmode.2c.n1 )1/2 = 0,102
Giới hạn tốc độ truyền dẫn :
B.ΔT mode< 1
BLDmode < 1
B<1/(DmodeL)
B < 1/(12.10-9) = 83,33.106(bps)

12
 Bài 2.8
Mức độ dãn xung Dmode = Δ T /L
Khi g = g (r) = ∞ hệ số mặt cắt chiết suất bậc :
L ( g ( r )−2 )
Δ T =n1 Δ = n1Δ L / c
c (g ( r ) +2)
n 1−n 2 n2
Δ= n 1 suy ra n1= 1−∆ = 1.464
(Với L= 1km ( cự ly chuẩn )
a,
Mức độ dãn xung :
Dmode = Δ T /L = n1Δ / c = 4,88 .10-11 (s/km) = 48.8 (ps/km)
b,
Mức độ dãn xung :
Dmode = Δ T /L = n1Δ2/8c =6,1 .10-14(s/km)
=0.061(ps/km)
c,
Mức độ dãn xung :
( g−2)
Dmode = Δ T /L = n1Δ ( g+ 2 ) c =5,42 .10-12(s/km)=5.42 (ps/km)
Bài 4.1 :
Đáp ứng của PIN là :
R=Ip/Pin
R = 0,448

Hiệu suất lượng tử là :

η = 0,654 = 65,4%

13
14
 Bài 4.2 :
Dòng nhiễu nổ khi không có tín hiệu quang
σs2= 2qM2Fa(Id)Δf
với Fa = Mx = 100,8 = 6,3
σs=3,61 .10-8 A

(0,8.Pin)2 = SNR .2.q.FA(0,8.Pin+Id)Δf

Độ nhạy thu của bộ thu quang là :
Pin= 2,08 .10-8 W

Bài 4.3:
Đáp ứng của bộ thu quang APD là
RAPD = R .M
= ηλM / 1,24 = 47,98
Cường độ dòng quang điện là
Ip= Pin.RAPD = 479,8 (nW)

15
Bài 4.4:
Đáp ứng của bộ thu quang APD là
RAPD = R .M = ηλM / 1,24 = 51,41
Cường độ dòng quang điện là
Ip= Pin.RAPD = 514,1 (nW)
Công suất tín hiệu điện :
1
Pe = Ip2.RL = Ip2. 2 πΔfC = 9,35 .10-11 W

Công suất nhiễu nổ

1
Pσs = σs2RL = 2qM2Fa(Ip+Id)Δf. 2 πΔfC

1
= 2qM2+0,3(Ip+Id)Δf.. 2 πΔfC = 1,73.10-10 W

Công suất nhiễu nhiệt (thiếu dữ kiện nhiệt độ)

PσT = σT2RL= (4kBT / RL)FnΔf .RL
= 4kBT.FnΔf = 4kBT.1.Δf
= T.4,15.10-15 W

SNR của bộ thu APD ở giới hạn nhiễu nổ :

SNR = Ip2 / σs2 = 0,534
SNR của bộ thu APD ở giới hạn nhiễu nhiệt:
SNR = Ip2 / σT2 = 22587,67 / T
Công suất thu nhỏ nhất mà độ thu đảm bảo BER = 10-12 là (với Q = 7)

16
Prec =4,55 .10-9 W

17
 Bài 4.5
Đáp ứng của bộ thu quang là
R = ηλ / 1,24 = 0,55
Điện trở tải của bộ thu quang :
1
Rl= 2 πΔfC = 589,46 Ω

Dòng nhiễu nổ :
σs2= 2q(Ip+Id)Δf = 2q(RPin+Id)Δf =
σs = 1,78 .10-9 A
Dòng nhiễu nhiệt :
σT2 = (4kBT / RL)FnΔf=(4kB.298 / RL).100,3.Δf
σT = 5,01.10-9 A
năng lượng dải cấm lớn nhất của thể của vật liệu photo diot là :
Eg = h.c / λ = 2,33.10-19 w
SNR của bộ thu quang là :
SNR =IP2 / σ2 = IP2 / (σT2 + σs2) = 1712,15
Công suất thu nhỏ nhất mà độ thu đảm bảo BER = 10-12 (với Q = 7)
trong giới hạn nhiễu nhiệt là : σT2 >> σs2,

Prec= 6,37.10-8 W

18
 Bài 4.6

η = 2 / 3 = 0,67
Điều kiện để PIN hoạt động là :
λ = 1,3 .10-6 < λth = hc/Eg
Vây dải cấm lớn nhất có thể của vật liệu tạo pin là khi λ = λth : Eg max
= 1,52 .10-19 w
Đáp ứng của PIN là : R = ηλ / 1,24 = 0,70
SNR của bộ thu ở giới hạn nhiễu nổ :
SNR = Ip2 / σs2 = (RPin)2/2q(RPin+Id)Δf = 43750
SNR của bộ thu ở giới hạn nhiễu nhiệt:
SNR = Ip2 / σT2 = (RPin)2/(4kBT / RL)FnΔf =597,1

19
Công suất thu nhỏ nhất mà độ thu đảm bảo BER = 10-12 (với Q = 7)
trong giới hạn nhiễu nhiệt là : σT2 >> σs2,

Prec= 2,87.10-7 W

20
 Bài 4.7:
Hệ số Đáp ứng của bộ thu quang APD là
R = R = ηλ / 1,24 = 0,514
1
Điện trở tải: Rl= 2 πΔfC = 408,1 Ω
Dòng quang điện :
Ip = 1010.1,6.10-19.0,514.Mopt = 8,224.10-10 .Mopt
Giá trị hệ số nhân để bộ thu đạt SNR giá trị cực đại

4.1,38 . 10−23 .298.1

Mopt =
2,3
0,3.1,6 .10−19 .408,1 .(Ip+ Id )
;Mopt= 66,22

Ip= 5,45.10-8 A

SNR max= 1

21
 Bài 4.8 :
Đáp ứng của PIN là : R = ηλ / 1,24 = 0,63
Điện trở tải của bộ thu quang :
1
Rl= 2 πΔfC = 265,26 Ω

Fn= 100,3= 2
Công suất tín hiệu điện :
Pe = Ip2.RL = (R.Pin)2.RL = 1,68 .10-11 W
Công suất nhiễu nổ
Pσs = σs2RL = 2q (Ip+Id)Δf.RL= 2,16.10-15 W
Công suất nhiễu nhiệt
PσT = σT2RL= (4kBT / RL)FnΔf .RL
= 4kBT.FnΔf = 4kBT.100,3.Δf =3,29.10-12 W
SNR của bộ thu:
SNR = Ip2 / σ2 = 5,1
SNR của bộ thu ở giới hạn lượng tử :
SNR = Ip2 / σs2 = (RPin)2/2q(RPin)Δf = 7777,8
SNR của bộ thu ở giới hạn nhiễu nhiệt:
SNR = Ip2 / σT2 = (RPin)2/(4kBT / RL)FnΔf =5,1
Công suất thu nhỏ nhất mà độ thu đảm bảo BER = 10-9 (với Q = 6)
trong giới hạn nhiễu nhiệt là : σT2 >> σs2,

22
Prec= 1,06.10-6 W

23