Bài 8.

Anten vi dải và anten mảng

8.1. Anten vi dải – Microstrip antenna
8.2. Anten mảng – Array antenna
8.1. Anten vi dải

2
8.1. Anten vi dải
Cấu tạo của anten vi dải gồm:

- Mặt phẳng bức xạ (Radiating

Patch) nằm trên lớp điện môi
(Dielectric Substrate)

- Phía đối diện với patch là mặt

phẳng đất (Ground Plane).

3
8.1. Anten vi dải
 Anten vi dải

4
8.1. Anten vi dải

 Nguyên lý hoạt động

• Anten vi dải hoạt động khi dòng
điện chạy qua đường cấp nguồn
đến dải của anten
 sóng điện từ sẽ được tạo ra
• Các sóng từ mặt bức xạ (Patch)
phát ra theo chiều rộng (width
side). Nhưng vì độ dày của
đường vi dải (strip) nhỏ nên
các sóng được tạo ra bên trong
chất nền sẽ bị phản xạ bởi mép
của strip.
Các khe đại diện cho các đầu cuối có trở kháng
rất cao ở cả hai phía của đường truyền (gần
như hở mạch)
8.1. Anten vi dải
 Anten vi dải chữ nhật
Tần số cộng hưởng của anten vi dải ở mode (m,n) (TMm,n) là
một hàm của chiều dài (L) và chiều rộng (W), được tính theo
công thức:

Mode (1,0) thường được sử dụng, công thức tần số cộng hưởng

7
8.1. Anten vi dải
 Anten vi dải chữ nhật

Chiều rộng của Patch

Chiều dài của Patch

8
8.1. Anten vi dải
 Anten vi dải chữ nhật

Chiều dài thực tấm patch

9
8.1. Anten vi dải
 Anten vi dải chữ nhật
Chiều rộng mặt phẳng đất Wg = h*5 + W

Chiều dài mặt phẳng đất Lg = h*5 + L

10
8.1. Anten vi dải
 Anten vi dải chữ nhật

Điện trở bức xạ là hàm phụ thuộc với độ rộng W của

tấm Patch và được xác định theo công thức:

11
8.1. Anten vi dải
 Anten vi dải chữ nhật

12
8.1. Anten vi dải
 Băng thông

 Băng thông của anten vi dải là

khoảng tần số mà anten vẫn
còn đáp ứng được các yêu cầu
đặt ra.
 Độ rộng băng thông thường được xác định thông qua hệ số
sóng đứng cho phép trên khoảng tần số nào đó.

 Thường các anten vi dải dùng trong thương mại sử dụng tỉ số

2:1 hoặc 1.5:1
13
8.1. Anten vi dải
 Băng thông

 Băng thông tỉ lệ nghịch với hệ số phẩm chất QT của anten.

 Có thể giảm hệ số phẩm chất QT để tăng băng thông.
 Có thể thay đổi chiều dày lớp điện môi cũng như hằng số điện môi
để có thể đạt được hệ số phẩm chất.

 Băng thông tăng gần như tuyến

tính với chiều dày lớp điện môi và
tăng khi hằng số điện môi giảm.
14
8.1. Anten vi dải
 Băng thông

 Sự biến đổi của hệ số phẩm chất Q

của anten vi dải có patch hình chữ
nhật (h = 1.59, W = 0.9L,
f = 3GHz) theo hằng số điện môi
chất nền
 Q tăng gần như tuyến tính khi tăng
r thành phần Patch của anten
.
hình chữ nhật được mô hình hóa
như một tụ có mất mát
 Việc tăng hệ số Q là do năng
lượng tích trữ tăng và năng lượng
bức xạ giảm khi tăng r
15
8.1. Anten vi dải
 Băng thông

 Để tăng độ rộng băng thông, có thể sử dụng lớp

điện môi dày, với hằng số điện môi r thấp

 Tuy nhiên, trong thực tế việc tăng độ dày lớp điện

môi là có giới hạn vì khi h  o thì ảnh hưởng của
sóng bề mặt sẽ làm giảm hiệu suất của anten.
.

16
8.1. Anten vi dải
 Băng thông
Mở rộng băng thông bằng kỹ thuật U-Slot
8.1. Anten vi dải
 Phân cực của anten vi dải

 Anten vi dải có thể được chế tạo phân cực thẳng hoặc
phân cực tròn.
 Một trong các phương pháp tạo ra các phân cực nhờ
phương pháp tiếp điện thích hợp.
 Để có phân cực thẳng thì điểm tiếp điện sẽ được đặt
giữa một cạnh của tấm patch.
8.1. Anten vi dải
 Phân cực của anten vi dải
 Để tạo được trường phân cực tròn, kết hợp 2 đường
tiếp điện vào 2 cạnh của anten hoặc từ một cổng ta
chia ra thành 2 đường tiếp điện với hiệu độ dài là /4
• Ưu điểm lớn nhất của phân cực tròn là
bất kỳ anten thu đặt theo hướng nào,
cũng có thể thu được một thành phần
của tín hiệu.
• Điều đó là do sóng tới có góc quay biến
đổi. Kiểu anten phân cực tròn thường
được sử dụng trong các hệ WLAN ở môi
trường truyền sóng phức tạp
8.1. Anten vi dải
 Giản đồ bức xạ

20
8.1. Anten vi dải
 Các phương pháp cấp nguồn
 Có nhiều phương pháp cấp nguồn cho anten vi dải.

 Cấp nguồn bằng đường truyền vi dải, cấp nguồn

bằng cáp đồng trục, cấp nguồn bằng phương pháp
ghép khe, cấp nguồn bằng phương pháp ghép gần.

 Mỗi phương pháp có những ưu nhược điểm riêng,

tùy vào các ứng dụng cụ thể ta có thể lựa chọn các
phương pháp cấp nguồn tối ưu nhất.
21
8.1. Anten vi dải
 Các phương pháp cấp nguồn
Cấp nguồn bằng đường truyền vi dải

 Do đường truyền vi dải và patch nằm trên cùng một bề

mặt lớp điện môi nên có thể chế tạo đồng thời.

 Tuy nhiên, nó có một số hạn chế: Nếu kích thước của

đường vi dải khá lớn so với kích thước của patch thì sẽ
xuất hiện các bức xạ không mong muốn.

22
8.1. Anten vi dải
Cấp nguồn bằng đường truyền vi dải
 Để có phối hợp trở kháng giữa patch và feed line, có thể chọn điểm
có trở kháng bằng với trở kháng của đường vi dải bằng cách cắt
vào tấm patch một khoảng l (hình b)  Inset-feed.

 Một cách thực hiện khác là dùng bộ chuyển đổi trở kháng dùng các
đoạn đường vi dải có chiều dài λ/4 để có thể điều chỉnh trở kháng
vào thích hợp.

23
8.1. Anten vi dải
Cấp nguồn bằng đường truyền vi dải

24
8.1. Anten vi dải
Cấp nguồn bằng cáp đồng trục
 Với phương pháp này, đầu lõi của cáp đồng trục được cho đi
qua lớp điện môi bởi một khe hở và được hàn với patch.

 Lớp ngoài của cáp đồng trục được hàn với mặt phẳng đất của
anten vi dải.

25
8.1. Anten vi dải
Cấp nguồn bằng cáp đồng trục
 Ưu điểm của phương pháp này là dễ thiết kế; chế tạo
và đầu nối của cáp đồng trục có khả năng đặt tại bất
kì đâu trên tấm patch.  cho phép tìm được điểm
thích hợp để phối hợp trở kháng giữa patch và cáp
đồng trục.

26
8.1. Anten vi dải
Cấp nguồn bằng cáp đồng trục
Phương pháp này cũng có một số hạn chế nhất định:
 Vì đầu của cáp đồng trục được hàn vào patch nên có phần nhô
ra làm mất đi tính đối xứng của anten.
 Trong thiết kế anten mảng thì yêu cầu nhiều điểm nối, điều này
gây ra khó khăn trong thiết kế và giảm đi độ tin cậy vì có nhiều
mối hàn.
 Nếu lớp nền quá dày sẽ làm tăng chiều dài của lõi cáp gây nên
các bức xạ rò và điện cảm của cáp sẽ tăng lên.

27
8.1. Anten vi dải
Cấp nguồn bằng phương pháp ghép khe
 Patch và đường cấp tín hiệu được thực hiện thông qua một khe
trong mặt phẳng đất. Khe ghép luôn đặt dưới bản kim loại và
chính giữa nhằm giảm bớt phân cực chéo do tính đối xứng.
 Trong phương pháp này mặt phẳng đất tách biệt so với đường
truyền dẫn và patch.

28
8.1. Anten vi dải
Cấp nguồn bằng phương pháp ghép khe
8.1. Anten vi dải
Cấp nguồn bằng phương pháp ghép khe
 Ưu điểm của phương pháp này là hạn chế được bức xạ
không mong muốn và băng thông lớn.
 Phương pháp cấp nguồn này có một số hạn chế như
khó sản xuất, chế tạo do có nhiều lớp  chiều dày
anten tăng lên.

30
8.1. Anten vi dải
Cấp nguồn bằng phương pháp ghép gần
 Đường tiếp điện được đặt giữa hai lớp điện môi và
patch. Hai lớp điện môi này có thể được chọn các hằng
số điện môi và chiều dày khác nhau nhằm tối ưu hóa
hoạt động riêng rẽ của hai thành phần này.

31
8.1. Anten vi dải
Cấp nguồn bằng phương pháp ghép gần
 Việc phối hợp trở kháng có thể được thực hiện bằng
cách thay đổi độ rồng đường tiếp điện hoặc tỷ số chiều
dài và chiều rộng của patch.
 Ưu điểm của phương pháp này là loại bỏ được bức xạ
không mong muốn trên đường tiếp điện và cho băng
thông rộng.
 Hạn chế của phương pháp này chính là khó khăn trong
việc thiết kế và thi công vì có hai lớp điện môi và đường
tiếp điện lại nằm ở trong hai lớp này  anten có chiều
dày hơn

32
8.1. Anten vi dải
 Ưu điểm và hạn chế của anten vi dải
 Ứng dụng rộng rãi trong thực tế với dải tần làm việc từ
100 MHz tới 100 GHz
 Trọng lượng nhẹ, kích thước nhỏ, cấu trúc phẳng và có
nhiều hình dạng khác nhau, dễ chế tạo.
 Chi phí sản xuất thấp.
 Dễ dàng thiết kế anten hoạt động ở nhiều tần số và
phân cực kép.
 Dễ dàng có được phần cực tròn và phân cực tuyến tính
với các kĩ thuật cấp nguồn đơn giản.
 Dễ dàng tích hợp với các mạch microwave.
 Đường cấp nguồn và mạng phối hợp trở kháng có thể
cùng thiết kế trên một cấu trúc anten. 33
8.1. Anten vi dải
 Ưu điểm và hạn chế của anten vi dải
Anten vi dải cũng có một số hạn chế:
 Có băng thông hẹp (thường chỉ từ 0.5% đến 10%).
 Độ lợi thấp (thường nhỏ hơn 10 dB).
 Suy hao lớn trong các đường cấp nguồn trong các
anten mảng.
 Đa số các anten vi dải chỉ bức xạ ở 1 nửa không gian.
 Khả năng tản nhiệt của anten kém.
 Có khá nhiều các bức xạ không mong muốn ở đường
cấp nguồn và các nút.
 Xuất hiện sóng bề mặt.
 Khả năng điều khiển điện áp thấp (dưới 100W).
34
8.2. Anten mảng

35
8.2. Anten mảng
 Mảng anten (anten mảng) là một tập hợp nhiều anten
được kết nối hoạt động cùng nhau như một anten duy
nhất để truyền hoặc nhận sóng vô tuyến.
 Các anten riêng lẻ (được gọi là các phần tử) thường được
kết nối với một máy thu hoặc máy phát duy nhất bằng
các đường dẫn cung cấp năng lượng cho các phần tử.
 Các sóng vô tuyến bức xạ bởi mỗi anten riêng lẻ kết hợp
với nhau để tăng cường công suất bức xạ theo các
hướng mong muốn và triệt tiêu để giảm công suất bức
xạ theo các hướng khác.
36
8.2. Anten mảng
 Một mảng anten có thể đạt được mức tăng (định hướng)
cao hơn, tức là chùm sóng vô tuyến hẹp hơn, so với mức
có thể đạt được bằng một phần tử đơn lẻ.
 Nói chung, số lượng phần tử anten riêng lẻ được sử dụng
càng lớn thì độ lợi càng cao và chùm tia càng hẹp.
 Một số mảng anten (chẳng hạn như radar mảng pha
quân sự) bao gồm hàng nghìn anten riêng lẻ.
 Mảng có thể được sử dụng để đạt được mức tăng cao
hơn, mang lại tính đa dạng cho đường dẫn (còn gọi là
MIMO) giúp tăng độ tin cậy của liên lạc, loại bỏ nhiễu từ
các hướng cụ thể 37
8.2. Anten mảng

Beam Direction
8.2. Anten mảng
• Anten mảng pha là một tập hợp các phần tử
anten được lắp ráp với nhau sao cho dạng bức
xạ của từng phần tử riêng lẻ kết hợp với các
anten lân cận để tạo thành một dạng bức xạ hiệu
quả được gọi là thùy chính.
• Thùy chính truyền năng lượng bức xạ ở vị trí
mong muốn trong khi anten được thiết kế để gây
nhiễu triệt để các tín hiệu theo hướng không
mong muốn, tạo thành các điểm không và thùy
bên.
8.2. Anten mảng
• Mảng anten được thiết kế để tối đa hóa năng
lượng bức xạ ở thùy chính, trong khi giảm năng
lượng bức xạ ở thùy bên xuống mức chấp nhận
được.
• Hướng của bức xạ có thể được điều khiển bằng
cách thay đổi pha của tín hiệu đưa vào từng phần
tử anten.
8.2. Anten mảng

 Bằng cách điều chỉnh pha

của tín hiệu trong mỗi
anten, có thể điều khiển
chùm tia hiệu dụng theo
hướng mong muốn cho
một mảng tuyến tính.

 Kết quả là mỗi anten trong

mảng có cài đặt biên độ và
pha độc lập để tạo thành
dạng bức xạ mong muốn.
8.2. Anten mảng

Radiation pattern for a 4 × 4

element array.
Các loại anten
• Anten chấn tử: Chấn tử đối xứng + Anten nhiều chấn
tử (Yagi – Loga chu kỳ)
• Anten góc mở: anten loa + anten parabol
• Anten vi dải: Anten patch chữ nhật; Các phương pháp
cấp nguồn

Các tham số anten:

- Hàm phương hướng và đồ thị phương hướng
- Hệ số hướng tính và độ lợi Gain
- Băng thông BW – tần số cộng hưởng (ứng với hệ số
S11 nhỏ, càng âm sâu càng tốt)
- Trở kháng anten – Phối hợp trở kháng
Tài liệu tham khảo
• BG Truyền sóng va anten - HVBCVT
BANDWIDTH ENHANCEMENT
IN MICROSTRIP ANTENNA
1

By inserting slot on ground plane and stacked patch

2

slotting the feedline,

adding a curved slot in
patch
3

two different radiating elements connected

together through a matched section a single layer structure
4

The natural dielectric replaces the artificial

dielectric to enhance the bandwidth

A stripline feed of the rectangular patch antenna is

replaced by a proximity coupled line feed
The acrylic dielectric material is modified using copper wire
implanted in the middle of layer 2 and 3 substrates in the
artificial microstrip antenna
 5

Three techniques of slotting, adding Four different radiating elements

directly coupled parasitic elements, and connected together and directly
fractal EBG structures. coupled to the slotted antenna
Embedding fractal EBG
structures in the same antenna
6
6
7
8

Stacked configuration with aperture coupled feeding, proximity feeding and co-axial feeding

The lower substrate is of FR-4 of thickness 4.8 mm

The upper substrate is of foam with dielectric constant of 1.07 and thickness 7 mm.
9

Rectangular patch antennas with different thickness of substrate

Rectangular patch antennas with different dielectric substrates at constant thickness

• Thickness of substrate (h) = 2mm ,  = 4.0(FR4)
freq = 2.4GHz ; BW = 95.85MHz

• h(thickness of substrate) = 3 mm,  = 4.0(FR4),

freq = 2.4GHz; BW = 144.89 MHz

• h(thickness of substrate) = 4 mm,  = 4.0 (FR4) ,

freq = 2.4GHz; BW = 194.9MHz