THYRISTOR MODULE

（SCE）
SCA 160DA
UL; E76102（M）
（SCE）160DA
SCA
《Features and Advantages》 《特長》 93.5±1.0
80±0.3
• New and unique gate design for higher di/dv (Integrated• 独自 構造 採用 di/dt耐量向上 3-M6

2−0.8±0.1×2.8±0.1
( 部 従来比2.5倍 〔当社比〕)
（screwing depth:12mm）
Thyristor. 2.5 times higher than existing products)
2−φ6.5±0.2
• Newly designed and less-layered internal structure for • 新設計 低積層内部構造 放熱性 改善
2 6 7

33.0±1.0
improved heat dissipation (low thermal resistance) • 両面 接合 相乗効果

13.2
• In addition to reduced layer design, soldering on both 長期信頼性 向上(従来比2倍〔当社比〕) 4 5

sides of chips increased the long-term reliability 1 3

(2 times longer than existing products) • 環境 配慮 鉛 採用 2−5.0±0.3
23±0.3 23±0.3
• UL recognized under UL File №E76102 • UL規格取得 UL File №E76102 17.0

5.0±0.3
• EU RoHS compliant • 欧州RoHS指令適合 63.5

《Applications》 《用途》

8.5±0.3
• Motor drives • 汎用

30.0

29.0
27.0
• Servo controller •
• Power controller • 電力調整器
• UPS • UPS
• Soft starter •
• Power supplies • 各種電源装置 Unit 単位：mm

Circuit Diagram
1 2 3
1 2 3 6（G2) 7（K2）
∼ + − 4（G1）5（K1）
∼ + − 4（G1）5（K1）

SCA SCE

■Maximum Ratings　最大定格 （Tj＝25℃ unless otherwise specified／指定なき場合はTj＝25℃とする）

Ratings　定格値
Symbol Item Unit
記号 項　目 SCA160DA80 SCA160DA160 単位
SCE160DA80 SCE160DA160
*Repetitive Peak Reverse Voltage
VRRM 800 1600 V
＊定格ピーク繰返し逆電圧
*Non-Repetitive Peak Reverse Voltage
VRSM 960 1700 V
＊定格ピーク非繰返し逆電圧
Repetitive Peak Off-state Voltage
VDRM 800 1600 V
定格ピーク繰返しオフ電圧

Symbol 記号 Item　項　目 Conditions　条　件 Ratings　定格値 Unit 単位

IT（AV） *Average On-state（Forward）Current Single phase, half wave, 180°conduction,
Tc＝88℃ 160 A
IF（AV） ＊定格平均オン（順）電流 単相半波平均値180°導通角
IT（RMS） *R.M.S. On-state（Forward）Current Single phase, half wave, 180°conduction,
Tc＝88℃ 251 A
IF（RMS） ＊定格実効オン（順）電流 単相半波実効値180°導通角
ITSM *Surge On-state（Forward）Current ½cycle, 50/60Hz, Peak value, non-repetitive
5400/5900 A
IFSM ＊定格サージオン（順）電流 50/60Hz　商用単相半波　１サイクル波高値　非繰返し
I2t *I2t Value for one cycle surge current
145000 A 2s
＊電流二乗時間積 定格サージオン電流に対する値
Peak Gate Power Dissipation
PGM 10 W
定格ピークゲート損失
Average Gate Power Dissipation
PG（AV） 3 W
定格平均ゲート損失
Peak Gate Current
IFGM 3 A
定格ピークゲート順電流
Peak Gate Voltage（Forward）
VFGM 10 V
定格ピークゲート順電圧
Peak Gate Voltage（Reverse）
VRGM 5 V
定格ピークゲート逆電圧
Critical Rate of Rise of On-state Current IG＝100mA, VD＝½VDRM, dIG/dt＝0.1A/μs
di/dt 500 A/μs
定格臨界オン電流上昇率
*Isolation Breakdown Voltage A.C. 1minute
VISO 2500 V
＊絶縁耐圧 実効値，A.C.１分間
*Operating Junction Temperature －40～＋125 ℃
Tj
＊定格接合部温度
*Storage Temperature
Tstg －40～＋125 ℃
＊保存温度
Mounting Torque Mount（M6）取付 Recommended value
推奨値 2.5～3.9N・m 4.7
N・m
締付トルク Terminal（M6）主端子 Recommended value
2.5～3.9N・m 4.7
推奨値

Mass　質量 Typical value　標準値 210 g

（SCA160AA-S75-1303）
 SCA(SCE)160DA

■Electrical Characteristics　電気的特性 （Tj＝25℃ unless otherwise specified／指定なき場合はTj＝25℃とする）

Ratings　定格値
Symbol 記号 Item　項　目 Conditions　条　件 min. typ. max.
Unit 単位
最小 標準 最大

Repetitive Peak Off-state Current

IDRM Tj＝125℃, VD＝VDRM 100 mA
オフ電流
*Repetitive Peak Reverse Current
IRRM Tj＝125℃, VR＝VRRM 100 mA
＊逆電流
VTM *On-state（Forward）Voltage
IT＝500A 1.4 V
VFM ＊オン（順）電圧
*Threshold Voltage Tj＝25℃ 1.07
VT（TO） V
＊閾値電圧 Tj＝125℃ 0.87
*Dynamic Resistance Tj＝25℃ 1.50
rt mΩ
＊オン抵抗 Tj＝125℃ 0.96
Gate Trigger Current
IGT VD＝6V, IT＝1A 100 mA
ゲートトリガ電流
Gate Trigger Voltage
VGT VD＝6V, IT＝1A 3 V
ゲートトリガ電圧
Gate Non-Trigger Voltage
VGD Tj＝125℃, VD＝½VDRM 0.25 V
ゲート非トリガ電圧
Turn-on Time
tgt IT＝160A, IG＝100mA, VD＝½VDRM, dIG/dt＝0.1A/μs 10 μs
ターンオン時間
Critical Rate of Rise of Off-state Voltage
dv/dt Tj＝125℃, VD＝⅔VDRM, exp. waveform 1000 V/μs
臨界オフ電圧上昇率
Holding Current
IH 140 mA
保持電流
Latching Current
IL 230 mA
ラッチング電流
*Thermal Resistance cont., Junction to case, per one element
（j-c）
Rth 接合部―ケース間 cont., 単位エレメント当り
0.17 ℃/W
＊熱抵抗
sin.180°, Junction to case, per one element
0.18
*Effective Thermal Resistance 接合部―ケース間, sin.180° , 単位エレメント当り
Rth（j-c） ℃/W
＊実効熱抵抗 rec.120°, Junction to case, per one element
0.19
接合部―ケース間, rec.120° , 単位エレメント当り
Case to Heat sink, per one element
*Interface Thermal Resistance ケース―ヒートシンク間, 単位エレメント当り
Rth（c-s） 0.1 ℃/W
＊接触熱抵抗 Thermal conductivity（Silicon grease）＝7×10－3［W/㎝・℃］
シリコングリスの熱伝導率＝7×10－3［W/㎝・℃］
*mark: Thyristor and Diode part. No mark: Thyristor part.
注）上表中＊印の項目は、サイリスタ部及びダイオード部の両方に適用します。その他の項目は主にサイリスタ部に適用します。

Gate Characteristics Maximum On Characteristics

ゲートトリガ特性 最大順特性
100 2000
On-state Peak Current IT（A）

25℃ TYP
1800
125℃ MAX
Peak Forward Gate Voltage Peak Gate Power
1600
ゲート電圧

定格ピークゲート順電圧 （10V） 定格ピークゲート損失（10W）

10 1400
Gate Voltage

オン電流

1200
定格ピークゲート順電流（３A）
Peak Gate Current

1000

（V） 1 Average Gate Power IT 800

定格平均ゲート損失（3W）
（A）600
125℃ 25℃ −30℃ 400
125℃ TYP
Minimum Gate Non-Trigger 200
最小非トリガ電圧 25℃ MAX
0.1 0
10 100 1000 10000 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
Gate Current On-state Voltage Drop VTM（V）
ゲート電流（mA） オン電圧 VTM（V）
 SCA(SCE)160DA

Surge Forward Current Rating（Non-Repetitive） Transient Thermal Impedance

サージ順電流耐量（非繰り返し） 過渡熱インピーダンス特性

Transient Thermal Impedance θj-c（℃/W）

6000 0.3
per one Element
単位エレメント当たり
0.25 junction to sink θj-s
5000 接合部─シンク θj-s

過渡熱抵抗
Per one element
単位エレメント当り
サージ順電流
Surge Foward Current

4000 0.2

3000 0.15 junction to case θj-c

60Hz 接合部─ケース θj-c
θj-c
2000
50Hz （℃/W） 0.1
I FSM
（A）1000 Single phase half wave
Tj＝25℃ start
0.05

0 0
1 10 100 1.0E−03 1.0E−02 1.0E−01 1.0E+00 1.0E+01 1.0E+02
Times Time
通電サイクル数 n（Cycles） 時間 t（秒）
Current vs. Power Dissipation Current vs. Allowable Case Temperature
最大電力損失特性 電流対最大許容ケース温度
250 150

最大許容ケース温度  
140
Allowable Case Temperature
θ=180゜
180゜ 360゜
0
200 θ=120゜ 130 π ２π
Power Dissipation

θ
電力損失

θ=90゜ 120
150 θ=60゜ 110

θ=30゜
100
P
 

90
（W）100
80
0 180゜
π
360゜
２π
TC
50 θ 70
（℃）
θ=30゜ θ=60゜ θ=90゜θ=120゜ θ=180゜
60
０ 50
０ 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 ０ 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
Average On-State Current Average On-state Current
平均オン電流 IT（AV）（A） 平均オン電流 IT（AV）（A）

Output Current（W１；Bidirectional connection） Output Current（B2；Two pulse bridge connection）

許容出力電流（W1;逆並列接続） 許容出力電流（B2;単相ブリッジ接続）
75 75
Interface Thermal Impedance:0.05℃/W per Module Interface Thermal Impedance:0.05℃/W per Module
Conduction Angle 180° Conduction Angle 180° Rth:Heat Sink Thermal Impedance
ID（RMS）
Rth:Heat Sink Thermal Impedance
80 80
500 1000

Allowable Case Temperature

ID（AV）
Allowable Case Temperature

85 85
Total Power Dissipation

Rth:0.5℃/W
Total Power Dissipation

許容ケース温度
Rth:0.3℃/W
許容ケース温度

400 Rth:0.2℃/W
90 800 90
総損失

Rth:0.1℃/W Rth:0.5℃/W
総損失

Rth:0.05℃/W 95 Rth:0.3℃/W 95
Rth:0.2℃/W
300 100 600 Rth:0.1℃/W 100
Rth:0.05℃/W
（W） 105 105
（W）
400
200 110 110
115 （℃） 115 （℃）
100 200
120 120

0 125 0 125
0 100 200 300 −25 0 25 50 75 100 125 0 50 100 150 200 250 300 −25 0 25 50 75 100 125
Output Current Ambient Temperature Output Current Ambient Temperature
出力電流（A） 周囲温度 （℃） 出力電流 （A） 周囲温度 （℃）

Output Current
（B6；Six pulse bridge connection,W3；Three phase bidirectional connection）
許容出力電流（B6；三相ブリッジ接続,W3；三相逆並列接続）
Conduction Angle 180° Interface Thermal Impedance:0.05℃/W per Module 75
Rth:Heat Sink Thermal Impedance
1600 80
Allowable Case Temperature

ID（AV）

1400 85
許容ケース温度
Total Power Dissipation

W3

1200
B6
90
ID（RMS）
総損失

Rth:0.5℃/W 95
1000 Rth:0.3℃/W
Rth:0.2℃/W
Rth:0.1℃/W 100
800 Rth:0.05℃/W
（W） 105
600
110 （℃）
400 115
200 120

0 125
0 100 200 300 400 −25 0 25 50 75 100 125
Output Current Ambient Temperature
出力電流 （A） 周囲温度 （℃）