第3期 微细加工技术 №.

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2002 年 9 月 MICROFABRICA TION TECHNOLO GY Sep . ,2002

文章编号 :1003 - 8213 ( 2002) 03 - 0044 - 04

Nikon 光刻机对准机制和标记系统研究

严利人
( 清华大学微电子学研究所 ,北京 100084)

摘要 : 套刻精度是步进式光刻机最重要的指标之一 。从应用角度探讨了 Nikon 系列

光刻机的对准方法 ,举例说明了众多对准标记在实际掩模版上的摆放原则 。
关 　键 　词 :套刻精度 ; 对准标记 ; 掩模版
中图分类号 : TN305・7 　　　文献标识码 :A

1 　引言 2 　Nikon 系列光刻机对准机制

步进式重复曝光光刻机出现于上世纪 80 国内设备研究人员比较熟悉 ASML 公

年代早期 ,从那时起直至 90 年代后期出现第 司的光刻机 ,关于该类光刻机的对准机制 ,或
一台准分子激光光刻机商品为止 ,各种各样的 许可参考文献 [ 1 ] 。与 ASML 光刻机相比 ,
G 线、
I 线光刻机统治了集成电路制造中的光 Nikon 系列光刻机在对准技术方面有较大的
刻工艺。在此期间 ,日本 Nikon 公司成为世界 差别 ,有自己的特色 。
上占据第一位的步进光刻机供货商。 在 Nikon 系列光刻机的对准方案中 , 用
国内各大合资集成电路制造厂商 , 除天 到三类对准标记 : 对版标记 、 硅片粗对标记和
津 Motorola 以 ASML 公司光刻机为主外 ,其 硅片精对标记 。此外 , 还有与各类标记相对
他都是使用 Nikon 系列光刻机 , 另外有一些 应的传感器和固定在硅片台上的基准标记集
研究单位也使用 Nikon 公司的 G 线 、I 线光 ( 称 Fiducial Mark) 。
刻机 。熟悉和掌握与之相配合的掩模版设计 211 　用作标准的计量坐标系
技术 ,是更好地使用这类设备的关键 。 硅片台是 Stepper 的核心构件之一 , 在
本文首先介绍 Nikon 光刻机的对准方 硅片 台 上 固 定 的 激 光 干 涉 计 反 射 镜 面 和
案 ,在此基础上结合实例介绍掩模版对准标 Fiducial Mark , 构成了计量坐标系的基础要
记的位置设计原则 。 素。 具体地说 , 两反射镜面垂直 , 指标 X 、Y

　　收稿日期 :2002Ο01Ο14 ;
　　作者简介 : 严利人 ( 1968 - ) ,男 ,江苏省靖江市人 , 清华大学微电子学研究所副教授 ,1990 年毕业于清华
大学电子工程系半导体专业 ,1992 年于清华大学微电子学研究所获硕士学位 ,现从事集成电路制造工艺 、
设
备和技术管理研究 。
 第 3 期 　 　　　　　　　严利人 :Nikon 光刻机对准机制和标记系统研究
两个方向 ; Fiducial Mark 可用于指示坐标原
点 ; 两坐标轴上的刻度由激光干涉计的激光
波长决定 。
Fiducial Mark 包括对版用十字叉丝 、
硅 器未必能“看到”十字叉丝 , 此时调整θ 探测
片粗对和精对用标记的刻划图案 。机器初始
化时 ,硅片台向 Home 位置移动 , 判测 Home
位置的光耦开关的一刹那 , 将干涉计读数清
零 ,我们就取此时对版用十字叉丝的中心为
坐标原点 ,此后任一时刻干涉计读数都将是
那时十字叉丝中心在计量坐标系中的坐标
值 。附带指出 , 取其它点为坐标原点并不影
响后面的讨论 ; 由于光耦响应的原因 ,某次初
始化后确立的计量坐标系 , 与前一次确立的
不一定重复 。
Nikon 系列光刻机的基本定位策略是 :
在硅片平面上 ( 如果实物不在硅片平面 ,则一
律取其透过镜头系统在硅片平面的投影) ,同
类的 Fiducial Mark 、探测传感器 、 对版或对硅
片标 记 相 互 对 准 。举 例 来 说 , 将 Fiducial
Mark 中的 X 精对标记移至与 L SA X ( L SA
指 Laser Step Alignment ) 传感器中心重合的
位置 , 记录此时干涉计读数 WX ( 系所谓的
Base line 之一) ,又将硅片上的某个 X 精对标
记也移至与 L SA X 传感器中心重合 ,记录此
时干涉计读数 WXl , 用这个读数减去基线值
WX ,就得到硅片上这一点到 Fiduxial Mark
上标记点的 X 距离 , 依此类推 , 硅片上若干
标记点到 Fiducial Mark 的 X 距离都可以类
似地得到 ,从而硅片上各点之间的 X 位置关
系就得到确定 , Y 方向也是如此 ,通过这种方
法完成硅片上各采样点间位置关系的测量 。
212 　掩模版台坐标系的校准
掩模版台坐标系的要素是掩模版 XY 和
θ标记探测器 。移动硅片台至干涉计达到特
定读数 ,此时对版用十字叉丝透过曝光镜头
后的像在 XY 探测器附近 , 微动硅片台执行
搜索 ,直至 XY 探测器与十字叉丝中心重合 ,
记录 XY 探测器位置的坐标值 。
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在所记录的坐标值基础上叠加特定数
值 ,得到θ探测器的位置 ,将十字叉丝移到此
位置 。由于传感器安装精度的缘故 θ , 探测
器的位置使之与对版标记中心重合 , 实现θ
探测器对 Y 探测器的校准 。
调整θ探测器的位置 , 采用了偏折光路
的技术 ,并不实际移动传感器 ; 在中心重合方
面 ,采用了接收信号的双倍频判断技术 。
213 　掩模版自身坐标系与
版台坐标系的重合
版自身坐标系取决于电子束制版设备 ,
其要素是其上的 X 、Y、 θ 对准标记 。掩模版
θ 标记 ( 与 Fiducial Mark 十字
载版后 , X 、Y、
叉丝类似 ,由于投影倍率的关系在尺寸上大
5 倍) 即处于各自探测器下方 ,X 、Y、 θ三轴方
式微动掩模版 ,使得各传感器接收信号合格 ,
实现版坐标系与版台坐标系重合 。
采用上述步骤后 , 通过图像分析技术进
行掩模版旋转量检查 。若掩模版旋转量过
大 ,则要重复进行版台坐标系调整和对版的
动作 ,直至旋转量达到要求 。
由于在版坐标系中 , 各对准标记到版中
心的距离已知 ( 固定值 ,参见后文中对版标记
坐标) ,在本重合步骤后 , 可求版中心在计量
坐标系中的坐标值 ,当干涉计读数为此值时 ,
版中心准确投影到对版用十字叉丝中心 。
214 　硅片台坐标系校准
Nikon 系列光刻机的硅片对准分为粗对
和精对两步 。粗对采用与版对准类似的技
术 ,而精对采用衍射光栅 。
就粗对而言 , 硅片台坐标系的要素是硅
片粗对 X 、Y、 θ 标记的探测显微镜 。校准动
作为 : 以 Fiducial Mark 中的粗对标记读取 Y
显微镜位置坐标 ; 沿 X 方向移动 6315mm 至
θ显微镜下 ,偏折光路校准θ 显微镜位置 ; 读
X 显微镜位置坐标 。
就精 对 而 言 , 硅 片 台 坐 标 系 的 要 素 是
 46 微 细 加 工 技 术 　　　　　　　　　　　　　　　2002 年

L SA X , L SA Y 传感器 ,以 Fiducial Mark 中 计计算硅片已曝光阵列的胀缩和旋转 ( 称作

的 L SA 标记读取两传感器位置坐标 。 EGA ,Enhanced Global Alignment 技术 ) 。在
215 　硅片测量 Fiducial Mark 标记集中对版标记和硅片精对
载片后要进行硅片校准和测量 , 前者是 标记间存在固定的常数距离 , 它实际上构成
指旋转硅片使得硅片上的θ粗对准标记与 Y 了版坐标系与硅片坐标系二者的连结 , 至此
粗对标记校准 ,即 Y - θ连线与计量坐标系 X 可计算得到补偿后每个曝光 Shot 的中心坐
轴平行 ,后者则要完成对于已经存留于硅片 标 ,最终完成所有曝光前的对准工作 。
上的曝光阵列的测量与补偿 。 经过以上各步的对准操作 , 可得到的套
对于 Nikon 系列光刻机 , 第一次曝光不 刻精 度 是 ( 某 次 实 测 值 ) : X 方 向 3σ 值 为
执行对准 ,但留下足够的标记供后续曝光使 01078μm , Y 方向 01082μm 。
用 。由于后续曝光亦可留下标记供更后的曝
光使用 ,因此以后的工序也不存在标记模糊
3 　Nikon G 线与 I 线光刻机
的问题 ,而 ASML 光刻机如果不采取特殊措
施 ,则对准标记随工艺进展而损失的问题会
兼容掩模版的设计原则
较严重 。
一般第一片曝光硅片可由人工帮助找到 根据前文所述 ,在一块掩模版上 ,除了所
硅片上的粗对标记 , 光刻机记录人工施加的 设计的电路层图形外 , 还应当在合适的位置
移动量后 ,以后各片自动按所记录移动量移 放置版对准标记 、 硅片粗对标记和硅片精对
动到粗对标记附近 ,进行标记搜索 ,进而完成 标记 ,此外在版边缘的非关键区域 ,还可能刻
Y - θ标准和 X 标记坐标值读取 , 结合曝光 写版名 、 号码 ,以及供自动判别用的条码 。
文件中关于步长 、 曝光阵列 、
各粗对标记的设 设 电 路 部 分 的 尺 寸 ( core size ) 是
计坐标值 、精对标记的设计坐标值等数据 ,可 11 000μm ×11 000μm ,划片槽宽 80μm , 硅片
以大致确定精对标记所在位置 , 进入下一步 对准标记将放置于划片槽内 。
( 精对过程) 。 为每一块掩模版添加各类对准标记 , 使
按照前面所提到的减基线值的测量方 所制得的掩模版既可以在 I 线光刻机上 , 也
法 ,测量多个精对标记的位置值 ,多点采样统 可以在 G线光 刻 机 上 使 用 。
兼容掩模版的
版对准标记 ( I 线 1505I7A) 中心 版对准标记 ( G 线 1505 G4D) 中心
所 Y 对准和 θ对准和 X 对准和 　 XY 对准 θ对准 X 检查 Y 检查
有 检查 R Y 检查 Rθ 检查 R X 　 R XY Rθ SX SY
层 　
次 - 8 600 ,0 8 600 ,0 0 , - 10 400 - 8 600 ,0 0 ,10 200 0 , - 10 000 8 050 ,0
　
硅片粗对准标记 ( I 线 1505I7A 与 G 线 1505 G4D 合用) 中心
W Y 　　　 Wθ 　　　 WX 　　　
第一层 - 4 300 , - 5 500 3 800 , - 5 500 5 500 , - 1 000
第二层 - 3 800 , - 5 500 4 300 , - 5 500 5 500 , - 1 500
… 例如 : - 3 300 , - 5 500 例如 :4 800 , - 5 500 例如 :5 500 , - 2 000
硅片精对准标记 ( I 线 1505I7A 与 G 线 1505 G4D 合用) 中心
　　 　　　　L SA Y 　　　　　L SAX
第一层 5 500 ,300 - 300 , - 5 500
第二层 5 500 ,150 - 150 , - 5 500
… 例如 :5 500 ,0 例如 :0 , - 5 500
电路图形 ( 不含划片槽) 中心 总图形 ( 电路图形 + 划片槽) 中心
- 40 ,40 0 ,0
 第 3 期 　 　　　　　　　严利人 :Nikon 光刻机对准机制和标记系统研究 47

标记放置位置总结如下表 , 所有数据以μm 标记 ,可以验证上表中各 W Y 、Wθ 标记所对

为单位 ,且均是硅片平面上的尺寸 ,实际制版 应的坐标满足这种关系 ; ( 6 ) L SA 标记应尽
时翻 180°,尺寸放大 5 倍 。 量近轴放置 ; ( 7) 如果可能 ,每一种硅片标记
上表所列每一种标记 , 都包含一定的图 应当既有“亮”, 也有“暗”, 这样在硅片对准
案细节 ,由于篇幅所限 , 本文就不再画出了 , 时 ,既有凸标记 ,也有凹标记 。经过上述工艺
仅在上表中给出标记图案几何中心的坐标 步骤后 ,凸 、
凹标记可能是一个清楚 , 一个不
值 。关于各对准标记的图形 , 可参考 Nikon 模糊 ,哪一个好用就用哪一个 。
光刻机用户说明书中的相关部分 。我们实际
所设计的掩模版是 I 线和 G 线光刻机都能使 4 　总结
用的兼容版 , 在标记图形上与说明书中的不
太一样 。 本文探讨了 Nikon 系列光刻机的对准技
掩模版设计时所应遵循的原则如下 : ( 1) 术 ,由于 Nikon 系列光刻机存在许多型号 ,不
当我们说图形为暗时 ,是指图形区域有铬 ,不 同型号和配置的机器 , 在对准方法上都略不
透光 ,反之则称图形为亮 。应准备亮 、 暗两套 相同 ,所以本文中的介绍仅仅是概括性的 。
对版标记 ; ( 2) 对于电路图形为亮的版 ,将它 为了说明对准技术 , 本文用到了五个平
与“亮”对版标记数据合成 , 制图形亮版 ; 反 面坐标系 : 作为标准的计量坐标系 , 版台 、 硅
之 ,与“暗”对版标记数据合成 , 制图形暗版 。 片台坐标系 ,版自身 、
硅片自身坐标系 。其中
以对版用十字标记为例 ,任一层次的掩模版 , 前面三个属于机器对准机构 , 后两个是要进
不管原电路图形是暗是亮 , 都应保证最后得 行对准的对象 。这五个坐标系大体上也适用
到的版上 , 存在由铬区构成的十字图形 ; ( 3 ) 于描述 ASML 系列光刻机的对准 。无论是
各层次对版图形的坐标完全相同 。在上表中 建立光刻机模型 ,还是说明对准原理 ,这五个
除 G 线 XY 对版标记 RXY与 I 线的 R Y 合用 坐标系的概念都是重要的 。所谓对准 , 就是
一种图形外 ,总计含 6 种对版记号 ; ( 4) 一般 五个坐标系间相互关系的研究 ; 在坐标系间
每一层次都应准备一套硅片对准标记供后面 校准 、
重合方案上使用不同的技术导致不同
的套刻采用 , 当然最后一层版除外 。不同层 的对准方案 。
次的硅片对准标记的位置要彼此错开 ; ( 5 ) 本文还给出了在兼容掩模版上放置各类
粗对标记 W Y 与 Wθ 的放置 , 应使得其间距 对准记号的原则 , 我们针对不同电路所制的
为 6316mm ,当一只眼晴看到 W Y 标记时 , 另 多套掩模版都遵循了这种原则 , 得到的所有
一只眼睛正好看到 ( 隔过几个 Shot 后的 ) Wθ 掩模版都已成功地应用于科研和生产之中 。

参考文献 :
[ 1 ] 　郭京平 1 分布重复投影光刻机同轴对准系统 [J ] . 光电工程 ,1998 , ( 3) :1 - 6.

Alignment Strategy of Nikon Steppers and Their Alignment Marks

YAN Li2ren
( Instit ute of Microelect ronics of Tsinghua University , Beijing 100084 , China)
( 下转第 51 页)
 第 3 期 　　　　　　　　石建平等 : 原子束全息技术制作任意微细图形研究 51

计算全息技术 、
激光冷却技术和微细加工技 激光梯度场控制原子堆积形成纳米结构 , 只
术相结合可制作任意复杂结构 , 弥补了利用 能制作单一点 、
线等周期性结构的不足 。

参考文献 :
[ 1 ] 　罗先刚 ,姚汉民 ,严佩英 ,等 . 纳米光刻技术 [J ] . 物理 ,2000 ,29 ( 6) :3582363.
[2 ] 　K B Davis , Marc2Oliver Mewes , Michael A Joffe ,et al. Evaporative cooling of sodium atoms [J ] . Phys Rev
Lett ,1995 ,74 ( 26) :520225205.
[ 3 ] 　陈献忠 ,姚汉民 ,李展 ,等 . 光驻波场中的原子运动 [J ] . 光电工程 ,2001 ,27 ( 151) :25229.
[4 ] 　Wai Hon Lee. Sampled fourier transform hologram generated by computer [J ] . Appl Opt ,1977 ,9 ( 3 ) : 6392
643.

Study on Making Random Micro2pattern by Atom Hologram

SHI Jian2ping ,CHEN Xu2nan , GAO Hong2tao ,CHEN Xian2zhong ,LUO Xian2gang
( State Key Lab of Optical Technology on Microfabrication , Instit ute of Optics
and elect rons ,Chinese Academy of Sciences , Chengdu 610209 , China)

Abstract : Based on t heory of wave2particle duality , t he principal and met hod about
making random nano - pattern by Ne atom hologram are studied. This technology can
make up t he disadvantage of only being able to make t he periodic nano - pattern such
as t he single line or dot etc. when using laser gradient field to control atoms’move2
ment to accumulate on t he silicon slice. Analyzing t he difference of atom hologram and
optical hologram , we point out t hat only t he laser cooling atoms can satisf y t he coher2
ent and diffract conditions required by t he hologram technology. A piece of Ne atom
computer generated hologram ( C GH) wit h Lohmann Ⅲ coding is designed and a ex2
periment system of making random nano - pattern by controlling Ne atom beam is
presented.
Key word :nano2pattern fabrication ; C GH ;atom hologram ;laser cooling

( 上接第 47 页)
Abstract : The overlay accuracy is one of t he most important specifications of t he step2
per. The alignment strategy of Nikon steppers is discussed from t he point of view of
practical application. The principles of t he different marks’arrangement on t he mask
are described by examples.
Key words :overlay accuracy ; alignment mark ; mask