读书笔记

第二章 声子--- ---第七节 极化激元

1、极化激元的定义是什么？
答：当光子的频率 ω=kc 与横波光学模声子（TO 声子）的频率 ωT（约 1013s-1）相近时，两者的耦合很强，
其结果将使光子与 TO 声子的色散曲线都发生很大的改变，形成光子-横光学模声子的耦合模式，其量子称
为极化激元，是离子晶体中的元激发。
2、研究极化激元有什么意义？
答：极化激元对于解释晶体中的光学现象起重要作用。（判据）
3、如何理解：极化激元称为长波长横向光频支振动与电磁场耦合模量子？
答：由于 ω=ωT 时对应光子波数 k=ω/c=ωT/c(约 103cm-1)与布里渊区的尺寸（约 108 cm-1)相比为小量，属于长
波范围，因此激化激元是长波长横向光频支振动与电磁场耦合模量子。
第二章 声子--- ---第八节 态密度
1、 格波模式的态密度：平均每个元胞内的格波模式的态密度 g(ω)的定义是什么？
答：单位频率间隔内的格波模式数被总元胞数 N 除
2、 求出格波模式的态密度能用来算什么问题？
答：态密度是计算晶格热力学特性的重要物理量（内能 U， 热容量 Cv 和熵 S）
3、 格波模式的态密度如何导出？
答：声子系统总振动能量---晶格振动的配分函数---晶格振动的自由能---格波模式的态密度
4、 格波模式的态密度中的奇点出现的原因是什么？
答：求和化积分
5、 范霍夫奇点的定义式如何引出？
答：将求和化积分和后的态密度公式沿等能面积分得到态密度的另一表达式，式中存在被积发散点，此点
称为范霍夫奇点。
第二章 声子--- ---第九节 范霍夫奇点
1、 研究范霍夫奇点的物理意义是什么？
答：如果定出了霍夫奇点的位置，就能作出这些点附近的态密度曲线，因此利用霍夫奇异性可以简化态密
度的计算
2、 通过什么来划分范霍夫奇点的种类，范霍夫奇点分为哪几类？
答：（1）极值点（2）1 极小、1 极大、2 鞍点
3、 如何计算并分析四类范霍夫奇点附近态密度曲线？
答：ω 在极值附近展开---标度变换---ω(k)在霍夫奇点附近展开---利用态密度等效表示确定 ω(k0)附近 g(ω)---
分类计算---极值点附近的态密度---作图
第二章 声子--- ---第十节 晶格振动的局域模
1、 局域模出现原因是什么？
答：含有杂质和缺陷的晶体，由于平移对称性被破坏，其声子谱将不同于完整晶格，会产生以杂质或缺陷
为中心的局域振动模式。
2、晶体中轻杂质和重杂质局域模的主要结论是什么？
答：“轻杂质”将使简正模频率向上稚移，并在许可带上分裂出一个局域模。增大杂质与基体原子的质量差
（ε），局域模与许可频带上边界的距离也就拉开的越开。
“重杂质”的效应是使本征频率向下移动，对于声频支振动许可频带的下界在 ω=0 处，因此不可能地下
界之外分裂出局域模。但是对于光频支振动，其许可频带的下界为非零值，在这种情况下“重杂质”就可
以在频带之下产生一个分立的能级---局域模
3、定性作出一维简单晶格轻掺杂和重掺杂的声子色散关系图（略）
4、定性作出二维复式晶格轻掺杂和重掺杂的声子色散关系图（略）
5、含缺陷系统的运动学方程如何导出？
答：含缺陷晶格振动的哈顿量---振动位移的傅里叶变换---哈密顿正则方程---含缺陷系统的运动学方程
6、含缺陷系统的本征频率方程如何导出？
答：含缺陷系统的运动学方程---求含缺陷系统的运动学方程的非零解---含杂质系统的本征频率方程
7、局域模的格波解和局域晶格振动解如何导出？
答：运动方程---试探解（对称解和反对称解）---求出有解的条件---按条件分类---分区间讨论局域模的格波
解和局域晶格振动解
第三章 磁振子（自旋波量子）--- ---第一节 自旋波图象
1、自旋晶格系统的基态的定义是什么？
答：磁性离子自旋排列的有序状态称为自旋晶格系统的基态
2、自旋波的定义是什么？
答：由于各格点上进动自旋的方位角不同，磁激发具有类似波动的特性，这个波称为自旋波
3、磁振子的定义是什么？
答：通过交换作用耦合的晶格离子系统的低激发态以自旋波的形式出现，自旋波的量子称为磁振子
4、定性给出自旋波的图象（略）
第三章 磁振子（自旋波量子）--- ---第二节 海森伯模型及其严格推导
1、自旋-自旋相互作用的哈密顿量如何表示？（略）
2、海森伯模型的基本假定有哪些？
答：（1）两个格点离子上各有一自旋未配对的 d 电子（2）同一格点的离子上的电子间交换作用可以忽略
不计（3）两格点间所有电子具有相同的交换积分（4）计入格点间的交换作用推广到整个固体
3、什么叫电子间交换能？
答：两个电子的最低能量状态是分占不同轨道且自旋平行，这种稳定状态是由于产生了交换能。
4、定性推导自旋—自旋相互作用系统的海森伯哈密顿量（模型推导）
答：两个电子间交换能---引入两格点间的组合自旋量子数（自旋等于 1/2）---两格点间的交换能的算符表
示---化简---推广（自旋大于 1/2）---两格点间的交换能算符表示---计入所有格点的交换作用推广到整个固
体---海森伯哈密顿量
4、 定量推导自旋—自旋相互作用系统的海森伯哈密顿量（理论推导）
答：模型---二次量子化对库仑势求平均---交换作用哈密顿量---具体写出交换作用哈密顿量的自旋求和形式
—泡利化简---自旋相互作用系统的海森伯哈密顿量
第三章 磁振子（自旋波量子）--- ---第三节 铁磁自旋波理论
1、铁磁体的哈密顿量如何表示（用自旋上升和下降算符表示）？（略）
2、铁磁体的基态如何表示？（略）
3、铁磁体哈密顿量的本征方程如何表示？（略）
4、引入霍斯坦因-普里马可夫变换的作用是什么？
答：推导海森伯哈密顿量的二次量子化形式
5、 如何推倒铁磁体的长波色散关系（低激发态）？
答：铁磁体哈密顿量 H---HP 变换---低阶近似---傅里叶变换---对角化的哈密顿量 H---铁氧体的长波色散关
系
6、 自旋波量子与温度的关系式如何表示？（略）
第三章 磁振子（自旋波量子）--- ---第四节 铁磁体的低温磁化强度
1、布洛赫 T3/2 定律表达式是什么？（略）
2、如何定性理解布洛赫 T3/2 定律？
答：温度升高，安培电流排列由有序变成无序，磁场减小，磁化强度减小。
3、什么叫平均场理论？
答：把相互作用的自旋系统化为近独立的系统。
4、什么叫自旋间的动力学关联（多体效应）
答：当任一自旋受其它（N-1）个自旋作用而改变取向时，其它自旋的取向也将同时变化，这是海森伯相
互作用算符特性表现，称为自旋间的动力学关联
5、磁化强度是如何定义的？
答：在准无限小体积 V 区域内所包含的物质的磁矩 m 与体积 V 之比。矢量，符号“M”
6、平均场理论失败的原因是什么？
答：平均场理论只考虑了自旋运动的单体效应，它不能反映低温区自旋系统的集体激发特征。忽略了自旋
间的动力学关联
7、试导出自旋波的经典图像（略）
第三章 磁振子（自旋波量子）--- ---第五节 反铁磁体自旋波理论
1、简述双子格模型？
答：当海森伯哈密顿量中 J<0 时，近邻格点上的自旋趋于反平行排列，这时往往可以把晶格分为两个子格，
在每个子格中自旋平行排列与铁磁情况一样，但两个子格的自旋取向相反，因此总的自发激化相互抵消，
这就是反铁磁体的双子格模型
2、如何求反铁磁体的长波色散关系？
答：反铁磁体哈密顿量 H--- HP 变换---低温近似---傅里叶变换---玻戈留玻夫正则变换(u-v 变换)--- 对角化的
哈密顿量 H---反铁磁体的长波色散关系
3、什么叫磁场诱生的自旋偏离转变？
答：反铁磁序转向与 Z 轴相垂直的方向
4、为什么要引入玻戈留玻夫正则变换？
答：去掉哈密顿量中的交叉项实现对角化
5、如何理解反铁磁体中磁振子存在零点能？
答：对比诣振子的零点能理解
第三章 磁振子（自旋波量子）--- ---第六节 铁氧体中的自旋波
1、如何求铁氧体的长波色散关系？
答：铁氧体哈密顿量 H---HP 变换---傅里叶变换---子格自旋波算符描述的低激发态哈密顿量---玻戈留玻夫
正则变换(u-v 变换)---对角化的哈密顿量 H---铁氧体的长波色散关系
2、如何理解铁氧体色散关系图？
答：对比一维复式晶格中的声子
2、 铁氧体的低温磁化强度如何表示，铁氧体的低温比热容如何表示？（略）
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第三章 磁振子（自旋波量子）---第七节 一维铁磁链中的孤波
1、包络孤子如何推导？
答：模型（存在外场 B）---各向异性一维铁磁链的哈密顿量---霍斯坦因-普里马可夫（变换）---二次量子
化的哈密顿量---自旋态产生算符的海森伯运动方程（自旋波模式的运动方程）---利用相干态方法（变
换）---自旋运动的概率幅方程---连续模型（连续化手续变换）---非线性自旋运动的概率幅方程---非线性薛
定谔方程---标准解---规一化的概率幅---包络孤子
2、什么叫包络孤子？
答：振荡波的包络构成一个稳定的钟型孤波，称为包络孤子
3、为什么一维铁磁链中存在包络孤子解？
答：是磁振子之间互作用所导致的
第四章 等离激元---第一节 等离激元和准电子
1、什么叫等离激元？
答：系统中电子密度起伏相对于正电背景的振荡量子叫做等离激元（集体激发）
2、什么叫等离子区集体振荡？
答：系统中电子密度起伏相对于正电背景的振荡叫做等离子区集体振荡
3、等离激元的长波频率是如何计算？
答：假设模型---列出电子运动方程（牛顿第二定律）---简谐振动方程---求出频率
4、电子个别激发的色散关系如何计算？
答：电子和空穴对的个别激发能---用波矢划分部分和全部激发---分区间讨论电子个别激发的色散关系
5、什么叫屏蔽效应？
答：屏蔽效应(Screening effect) 由于其他电子对某一电子的排斥作用而抵消了一部分核电荷，从而引起有
效核电荷的降低，削弱了核电荷对该电子的吸引，这种作用称为屏蔽作用或屏蔽效应。
6、什么叫准电子？
答：电子+屏蔽电荷的整体叫作准电子
7、库仑作用可分解成几部分，各部分有什么作用？
答：库仑作用=短程部分+长程部分，短程部分（短波部分）代表准电子间的有效互作用，长程部分（长波
部分）代表电子系统的集体振荡
第四章 等离激元---第二节 互作用电子系统的哈密顿量
1、什么叫凝胶模型？
答：当讨论金属中电子的元激发特征时，能带效应并不重要，可以把排成晶格的正离子近似当作是均匀抹
平了的连续正电荷分布，像凝胶一样，公有化电子则在此正电荷背景上运动，整个系统保持电中性，这种
简化的金属模型称为凝胶模型
2、写出电子体系的哈密顿量各项的物理意义？
答：电子体系中各个电子的动能，任意两个电子之间的库仑作用势，正电荷背景的贡献-包括：正电背景
自作用能和正电背景与电子的互作用能
3、电子的作用能包括哪两方面？
答：电子的作用能=电子自作用能+互作用能
4、如何推导电子体系哈密顿量的对角形式？
答：电子体系的哈密顿量---库仑作用势的傅里叶展开---电子密度的傅里叶变换---密度起伏表示的电子体系
的哈密顿量---简化（消去均匀分布的自作用能和均匀分布正电荷背景）---表象变换（二次量子化表象）---
电子体系哈密顿量的对角形式（互作用电子系统的哈密顿量）
第四章 等离激元---第三节 电子集体振荡的经典理论
1、讨论电子集体振荡的经典理论的目的是什么？
答：是为了介绍求解电子等离子集体振荡和合理近似方法
2、电子密度傅里叶分量的简谐振动方程是如何推导的？
答：电子密度傅里叶分量的表示式---对时间求二次导---经典力学方程中求出加速度（代入二次导结果）---
无规相近似---电子密度傅里叶分量的简谐振动方程
3、什么叫无规相近似？
答：相位无规变化的指数项之和，对于平移不变的系统其平均值为零
第四章 等离激元---第四节 量子运动方程的无规相近似
1、如何求电子体系的频率方程？
答：列出电子-空穴对激发的耦合方程：电子-空穴对激发算符的海森伯运动方程和电子-空穴对激发算符的
本征方程（对角化条件）---分情况讨论
（1）不存在相互作用时的电子-空穴对激发算符的海森伯运动方程：电子-空穴自由传播
（2）存在互作用时的电子-空穴对激发算符的海森伯运动方程：自由运动+具有相同波矢的所有电子-空穴
对间的耦合---线性化（“真空” 态近似）---线性化后的海森伯运动方程---对比电子-空穴对激发算符的本
征方程（对角化条件）---线性化的本征方程----频率方程
第四章 等离激元---第五节 线性响应理论
1、响应的概念是什么，研究响应的目的是什么？
答：（1）概念：为了知道给定物理系统的特性，必须以某种方式扰动系统（如加外场或用粒子辐照等方
式），然后观察系统的物理量因外加扰动所引起的改变---响应（2）目的：通过扰动与响应的关系可得知
系统的元激发信息
2、纯态中系统受扰动时物理量 A 对外场的响应如何推导？
答：设条件---加外场后系统的薛定谔方程---简化方程---纯态波函数---物理量 A 在 t 时刻的量子力学期望值
（通过物理量 A 观察系统对外场的响应）
3、如何推导线性响应理论的基本公式（久保公式）
答：物理量 A 在 t 时刻的量子力学期望值---物理量 A 在 t 时刻的统计平均值---响应 ΔA---假设外场以频率 ω
振荡---改写后的响应 ΔA：性响应理论的基本公式（久保公式）
4、用格林函数表示的改写久保公式的物理意义是什么？
答：可求出一个重要的结论：在线性响应范围内响应与附加的哈密顿量具有相同的时间依赖关系，系统有
关物理量将随外扰动以相同频率变化（类比受迫振动）
第四章 等离激元---第六节 介电函数
1、如何推导无规相近似的介电函数（介电函数的林哈德表示式）？
答：作用模型---外场的附加哈密顿量---有外场时电子-空穴对激发算符的海森伯方程---无规相近似---密度
起伏算符表示的海森伯方程---引入电子系统中总势能---RPA 的响应方程---引出介电函数---无规相近似的介
电函数（介电函数的林哈德表示式）---求介电函数的实部和虚部
2、如何推导无规相近似介电函数表示的响应方程？
答：作用模型---外场的附加哈密顿量---有外场时电子-空穴对激发算符的海森伯方程---无规相近似---密度
起伏算符表示的海森伯方程---引入电子系统中总势能---RPA 的响应方程---引出介电函数（替换）---无规相
近似介电函数表示的响应方程
3、无规相近似介电函数表示的响应方程的作用是什么？
答：可决定互作用电子系统的个别激发与集体激发特征
4、如何推导新作用下无规相近似下介电函数表示的响应方程？
答：新作用模型“电子作为试探电荷”---新作用下无规相近似下介电函数表示的响应方程
第四章 等离激元---第七节 电子系统的元激发谱
1、如何区分无阻尼振荡（本征振荡）和阻尼振荡？
答：ε(q, ω)V(q, t)趋于 0 --- 非零的 V(q, t)解对应于系统的无激发 ---ε(q, ω)=0, ε=ε1+iε2 --- ①ε2=0 ---Reε=0 ---
正实的 ω 将求出 q 为实量 --- 本征振荡② ε2 不等于 0，ε=ε1+iε2=0 --- 正实的 ω 将求出 q 为复量---阻尼振荡
2、如何通过复介函数系统确定元激发的类别？
答：Reε=0 确定元激发的色散曲线 --- 考查 Imε 是否等于零 --- 确定元激发是否属于有阻尼的一类
3、如何看图分析个别激发区和等离激元？
答：(4.7.1,4.7.2)--- 模型 q＜2kF ---个别激发的频率满足:ωkq 最小值=0,ωkq 最大值=1/2m(q2+2kF q) --- 作图: (1)在 ωkq 最
小值 ＜ω＜ωkq 最大值内---ω 近似等于 ωkq --- 代表电子系统的个别激发 --- Imε(q, ω)不等于零 --- 有阻尼(受迫振荡,
非自发振荡) (2)在 ω＞ωkq 最大值的频率区域 --- 存在另一支解 --- Imε(q, ω)=0 ---无阻尼 --- 电子气体的集体振
荡
4、如何证明在 ω＞ωkq 最大值的频率区域的另一支解表示电子气体的集体振荡（等离子振荡）？
答：（4.7.2) --- 展开 --- 取第一项 --- 令 q 趋于零 --- 解正好是等离子振荡
5、如何推导等离激元的长波色散关系？
答：（4.7.2) --- 展开 --- 取前两项 --- 化简 --- 等离激元的长波色散关系
6、个别激发和等离激元的色散关系图象如何分析？（略）
 第四章 等离激元---第八节 静电屏蔽
1、托马斯-费密介电函数如何推导？
答：静态外扰动 --- 介电函数 ω=0 --- 静态介电函数的虚部 Imε(q, 0)=0 ---ε(q, 0) ---ε1(q, 0) --- q＜＜2 kF 托马
斯-费密介电函数（介电函数的长波近似式）
2、如何讨论原点处有一个（-e）电荷的屏蔽效应？
答：外扰动势的傅里叶分量（q＜＜2 kF） --- 利用托马斯-费密介电函数和外扰动势的介电函数响应方程---
求得总势能的傅里叶分量 --- 总势能的托马斯-费密公式 --- 屏蔽效应：（1）长波部分（金属中电子间的库
仑相互作用变为汤川型）（2）短波部分（扣除了集体振荡后，只剩下电子间的短程屏蔽互作用）
3、如何理解相关空穴及它的作用？
答：随电子运动的正电“空穴云”，相关效应不仅表现为对电荷的屏蔽，还将产生运动学修正表现为改变
电子的有效质量
4、分析产生孔恩异常的原因？
答：研究杂质和缺陷对电子和声子谱的影响 --- 更为严格的介电函数 --- q =2 kF 介电函数有奇性 --- 声子
（离子）对电子系统存在一个扰动势场 --- 电子响应（屏蔽电子势）又反过来屏蔽离子势 --- 离子间有效互
作用减弱 --- 晶格振动频率下降 --- q =2 kF 时声子频率发生变化（突然下降，软化现象）--- 孔恩异常
5、夫里德耳振荡定义和产生的原因？
答：（1）金属中杂质受电子体系屏蔽的有效能---以 2 kF 波数的振荡势能---夫里德耳振荡（2）产生夫里德
耳振荡的原因主要是由于金属中电子有明确的费密面
第四章 等离激元---第九节 基态能
1、什么叫哈特利-福克近似？
答：对于互作用电子体系哈密顿量的一阶微扰计算叫哈特利-福克近似
2、如何推导哈特利-福克近似的基态能？
答：互作用电子体系哈密顿量---对 H 求对角平均---哈特利-福克近似基态能的两部分能量（电子体系的总
动能+自旋平行电子间的交换能）---哈特利-福克近似中平均每个电子的基态能量---无量纲化---哈特利-福
克近似的基态能
3、为什么要计算库仑作用的二阶以及高阶微扰修正？
答：哈特利-福克近似结果可以定性说明系统的结合，但算出的结合能定量数值明显偏小，为了改进计算
结果，人们曾经开始尝试计算库仑作用的二阶以及高阶微扰修正
4、什么叫做相关能？
答：在哈特利-福克近似基础上，计入反平行自旋电子间库仑作用所降低的能量称为相关能
5、如何推导相关能的对数发散？
答：最低阶的相关能的二阶微扰公式（二阶修正）---两个电子之间的相关能二阶微扰---总的二阶修正---变
量代换---相关能的（二阶）修正---长波近似---相关能二阶修正能量对数发散
6、导致相关能的对数发散的原因是什么？
答：没有考虑互作用对电子态的影响
7、如何推导库仑能严格基态的平均（库仑能与介电函数的严格关系）？
答：库仑互作用能哈密顿表示---严格介电函数公式---库仑能严格的基态平均（库仑能与介电函数的严格关
系）
8、费曼定理如何证明？（略）
9、如何推导基态能的严格公式（基态能与介电函数的关系）？
答：互作用系统的哈密顿量（动能+库仑能）---互作用哈密顿量中引进可调参数---应用费曼定理导出电子
系统的基态能公式（基态能的严格公式，基态能与介电函数的关系）
10、如何推导无规相近似严格的基态能？
答：电子系统的基态能严格公式---介电函数的无规相近似---无规相近似的严格的基态能
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第四章 等离激元---第十节 维格纳晶格
1、电子系统满足什么条件被称为电子气体？
答：在高密度极限 rs<<1,电子系统的费密动能项比库仑项更重要，这时电子处于扩展态，它们在整个晶体
中运动，习惯上称为电子气
2、电子系统满足什么条件被称为维格纳晶格？
答：当系统的密度很低 rs>>1 时，这时电子间的库仑关联远远超过费密动能，系统不再具有电子气的特征，
低密度情况下的这种关联作用将使电子状态局域化，并在均匀正电背景上形成规则排列的电子晶格，好像
电子固体，这就是维格纳晶格
3、如何推导维格纳晶格能（电子不动）？
答：模型（将电子晶格的 W-S 元胞近似用等体积的球代替---设球内正电荷均匀分布，电子位于球心---对
维格纳晶格能的计算简化为一个球内静电能的计算）--- 均匀正电背景在球内 r 点的电势---维格纳晶格的能
量=N（均匀正电背景的自作用能+球心的电子与正电背景的作用能）
4、如何估计维格纳晶格的稳定性？
答：讨论球内电子运动对球心的电子与正电背景的作用能影响（电子运动） --- 球内电子的哈密顿量 --- 振
子项 --- 计算球心的电子与正电背景的作用能时必须要考虑零点振动能（电子不动 --- 电子运动）--- 电子
的最低能量修正 --- 包括零点振动的维格纳晶格能--- 讨论：（1）只有当电子密度很小时，零点振动的贡
献才可以忽略不计，电子密度存在一个上限（2）当电子密度大于等于上线密度时晶格失稳
5、低密度电子系统的相关能如何计算？
答：低密度电子系统的相关能=维格纳晶格能-哈特利福克近似的基态能
第四章 等离激元---第十节 准粒子的寿命和费米面
（略）
第六章 超导电性的微观理论--- 第一节 基本性质
1、什么叫做超导体？
答：低温下直流电阻消失的现象称为超导电性，具有超导电性的材料叫做超导体
2、超导体有哪二个重要的特征？
答：（1）超导体具有超导态，是一种新的凝聚态（2）超导体存在能隙
3、超导体的分类：常规超导体（BCS 超导体）与高温超导体是如何定义的？
答：（1）常规超导体：超导转变温度未能突破 30K 大关的超导体（2）高温超导体：超导转变温度超过
30K（液氮温度）的超导体
4、什么叫做超导态和超电流？
答：（1）金属环中，当温度 T<Tc 时，直流电阻变为零，环中感应的电流可长期持续不衰，这种持续电流
称为超导电流（2）可以产生超导电流的这种新的热力学状态称为超导态
5、什么叫做超导体的临界磁场和超导凝聚能？
答：（1）T<Tc 时超导态的自由能比正常态低，必须加磁场 Hc 才能破坏超导性，使金属恢复电阻，回到正
常态，Hc 称为超导体的临界磁场（2）在 T=0K 时超导态与正常态的自由能之差称为超导凝聚能
6、如何证明超导体存在能隙？
答：（1）隧道效应（发射）：超导体/很薄的氧化层/正常金属---系统 T<Tc 时---超导体处于超导态---两端
加电压---V<Δ/e 无隧道电流，必须 V>Δ/e 才有隧道电流---从超导相中激发出一个准粒子（准电子）至少要
Δ 能量---超导体存在能隙（2）超声衰减（吸收）：超导体中的超声衰减与指数因子成正比---超导体存在
能隙（3）同位素实验：超导转变温度与晶格离子的同位素质量有关系---超导转变因子与电子-声子相互作
用有关---证明存在能隙
7、什么叫做第一类超导体（迈斯纳效应）和第二类超导体？
答：（1）第一类超导体（迈斯纳效应）：超导态弱磁场不能透入宏观样品内部，超导体对于弱场是完全
逆磁体---第一类超导体（2）第二类超导体：磁场可以透过超导体内部，但不破坏超导电性，持续电流仍
存在
8、研究超导相的凝聚特性有什么作用，BCS 给出的超导相凝聚能和能隙的最终结论是什么？
答：（1）只要证明了超导相的凝聚特性（凝聚能和能隙）就可以解释常规超导体的诸实验事实（2）<1>
超导相凝聚能:电子之间通过交换虚声子产生超导基态（库柏对组态），这一组态比正常费密球分布的能
量低 g(0) Δ2 量级,称为超导相凝聚能<2>超导相能隙:从库柏对组态(超导基态)的任何单粒子的激发都要拆开
库柏对,付出 Ek 能量---能隙存在
9、库柏对组态的物理图象是什么？
答：费密面附近相反动量及自旋的电子对通过吸引互作用（交换虚声子）形成了束缚电子对状态，称为库
柏对组态
第六章 超导电性的微观理论--- 第二节 BCS 约化哈密顿量
1、如何推导 BCS 理论用于描述超导基态的哈密顿量？
答：电子交换虚声子的有效作用的哈密顿量（有效作用势）--- 费米面附近“厚度壳层近似”---（1）壳层
内电子交换虚声子的有效作用为吸引互作用，壳层外电子交换虚声子的有效作用为排斥作用（ 2）壳层内
声学模声子态密度最大，壳层外忽略不计---壳层外电子交换虚声子的有效作用可以忽略（排斥作用忽
略）---计入库仑屏蔽势---电子之间总的相互作用势=库仑屏蔽势+电子交换虚声子的有效作用势---壳外的排
斥相互作用可以略去，壳内净引互作用可近似用常数代替（S 波散射近似，一次近似）---电子之间总的相
互作用势的简化形式（6.2.4，散射互作用）---散射波矢守恒（动量守恒）--- 改写电子之间总的相互作用
势---按总波矢 K 分类---总波矢 K 等于零的散射互作用比总波矢 K 不等于零的散射互作用大（二次近似，
动量相反）---电子之间总的相互作用势的简化形式（准动量相反的电子对的吸引作用）---由于泡利不相容
原理将限制自旋平行电子在位置空间靠拢，自旋相同的相互作用势比自旋相反的相互作用势小 ---略去自旋
相同的相互作用势（三次近似，自旋相反）---电子之间总的相互作用势的最终形式---计入电子的动能部
分---电子体系的总能量（总哈密顿量）=电子的动能部分+电子之间总的相互作用势---波矢代换（一次简
化）---超导基态的哈密顿量---简化记号（二次简化）---BCS 的最终哈密顿量（6.2.10）
2、什么是约化哈密顿量，为什么要使用约化哈密顿量？
答：（1）定义：略（2）选用约化哈密顿量的理由是因为在超导问题中总粒子数不守恒，取约化哈密顿量
相当于用热力学势代替自由能这样就可以讨论粒子数可变系统
3、如何理解 εk 的物理意义？
答：εk 代表从费密球算起的自由电子能量=自由电子动能-费密能（换了能量起点的动能）
第六章 超导电性的微观理论--- 第三节 库柏对（T=0K）
1、库柏对的定义是什么？
答：当 T<Tc 时，在费米面附近的动量和自旋都相反的两个电子形成电子对的束缚态，称为库柏对
2、库柏研究的问题是什么，库柏模型的基本假设有哪些？
答：（1）库柏讨论了 T=0K 时在已被填满的费密球外附加两个电子的相互作用问题（2）假设费密球内电
子可以当自由电子处理，忽略费密球内电子被散射到球外的情况只考虑附加电子之间的相互作用，设附加
的电子具有相反的动量和自旋（思考：T=0 时存在能量比费米能级高的电子吗？）
3、库柏对中两个电子互作用能量如何推导（简单模型）？
答：库柏模型---给出两个互作用电子约化哈密顿量和本征态 ---利用本征方程求出约化哈密顿量的本征值
（费米球外两个电子的能量）---利用约化哈密顿量的本征态归一性---求约化哈密顿量的本征态中的组合系
数（变分法，引入变分参数 λ）---得到变分参量 λ 的表达式---证明：变分参量=本征能量---得到本征能量的
表示式（库柏对中两个电子的互作用能量）
4、库柏对的一些重要结论有哪些？
答：（1）费密球外一对动量和自旋相反的电子之间只要存在净的吸引互作用，不管它多么弱，都能形成
束缚电子态（2）存在吸引互作用时费米球不再是稳定的分布，电子将由于形成库柏对获得能量，超导基
态应由库柏对组成，而不再是正常电子费密球分布（3）库柏对问题不能用微扰求解，相应的超导理论也
必须建立在非微扰计算的基础上（4）在库柏对的尺度内，存在着许多电子对，它们的运动是相互关联的，
超导问题是一个真正的多体问题，引入相干长度后只有当电子动能不确定度小于超导体的零温能隙时，电
子才可能结合成库柏对
第六章 超导电性的微观理论--- 第四节 BCS 超导理论（T=0K）
1、库柏模型结论，巴丁、库柏新模型基本假设有哪些？
答：（1）库柏模型结论：库柏证明了吸引互作用使费米球改组，形成动量相反电子的束缚态（ 2）巴丁、
库柏新模型基本假设：超导基态是电子按照库柏对分布的状态---任意一对库柏对电子状态的占据情况由变
分极值决定
2、巴丁-库柏变分法求超导基态能量（费米球改组后的能量）的基本思路是什么，自洽场近似法如何推导
超导基态能量（费米球改组后的能量）？
答：（1）设变分试探函数（基态波函数，|0>） ---求约化哈密顿量基态能量（超导基态，平均能量，<0|
H-|0>）的变分极值---超导基态能量（2）先将约化哈密顿量用算符的二次型近似表示（自洽场近似的哈密
顿量）---（3）然后利用玻戈留玻夫变换使约化哈密顿量对角化
3、能隙 Δ 如何计算，凝聚能 ΔE（0）如何计算，BCS 基态能如何计算？
答：（1）略（2）凝聚能=超导基态能量（费米球改组后的能量，包括引入的两个自旋动量都相反的那两
个电子）-正常态下费密球分布能量（费米球电子被电子全部占满，不被激发到球外，包括引入的两个自
旋动量都相反的那两个电子也在费密球内，费密面附近）（3）超导基态（BCS 超导基态，|0>）应当是准
粒子消灭算的真空态---消灭算与真空态|0>满足的条件---给定一个由真正真空态|Vac>构成的态（新态，满
足上述条件）---利用玻戈留玻夫变换式---新态的玻戈留玻夫表示式（6.4.35）---归一化---求出规一化的新
态玻戈留玻夫表示式（BCS 超导基态）
4、BCS 超导基态的电子分布函数如何推导？
答：（略）
5、BCS 超导基态的电子分布函数的特点是什么？
答：BCS 超导基态（T=0K）的电子分布函数曲线与有限温度（T 不等于 0）的费密分布相似，BCS 超导基
态（T=0K）的电子分布函数曲线与 T=0K 费密狄拉克分布函数曲线不同，费密面“模糊化”是由于形成
的库柏对
6、超导体中的元激发类型定义及共同点是什么？
答：（1）“电子”型元激发：当元激发使系统总粒子数从 N---N+1 时超导体中产生“电子”型元激发，
“空穴”型元激发：当元激发使系统总粒子数从 N---N-1 时超导体中产生“空穴”型元激发（2）元激发
所需要的最小能量都是 Δ
7、简单说明超导元激发图像有哪些特性（系统 T=0，模型：超导体与正常金属接触，左边为 N 区（金属
区）右边为 S 区（超导体区）？
答：（1）超导与正常金属接触时，偏压 V=0，系统处于平衡态，系统具有统一的费密能级（化学势），
N 区（金属区）和 S 区（超导体区）费密能级在同一条直线上，费密能级离超导体的元激发能级最近的距
离为 Δ（2）超导与正常金属接触时，加正向偏压 eV>=Δ，系统处于非平衡态，系统引入准费密能级（准
费密能级之差=eV，N 区费密能级比 S 区高），电子从 N 区（金属区）流入 S 区（超导体区），流入的电
子由于能量比 Δ 要高，所以被激发到超导态的高能级上（同高度的超导态能级）（3）超导与正常金属接
触时，加反向偏压 e|V|>=Δ（略）
8、超电流两种推导方法？
答：（1）经典推导---在外场中，库柏对运动的电流密度---费密球位移引起动能增加---当附加能大于凝聚
能时，超导相不稳定，库柏对将被拆散成为正常态，而有电阻---超导电流密度有上限---临界电流密度---超
导电流满足条件（2）BSC 理论推导：费密球右边留下空穴，左边产生电子---相当于从超导态产生两个单
粒子型激发（一个空穴，一个电子）---至少有必须有 2Δ 的能量---外场驱动下的动能小于 2Δ---BSC 推导的
超导电流所满足的条件
第六章 超导电性的微观理论--- 第六节 单电子隧道效应
1、研究 S-N 系统隧道效应的物理意义是什么？
答：利用超导与正常金属间的隧道效应，可以直接测定能隙 Δ，并验证 BCS 的态密度公式
2、任意两块金属的单粒子隧穿电流如何推导？
答：设模型---给出系统总的哈密顿量（6.6.3）---含时微扰理论（外场电压为 V，费密能相差为 eV）---跃
迁概率（6.6.4）---V<<EF---参加跃迁的主要是费密面附近的电子---简化跃迁概率（6.6.6）---用（N1，N2）
表示---单粒子的隧穿电流（6.6.5）
3、N-N 系统单粒子隧穿电流和微分电导如何推导（T=0）？
答：两块正常金属（T=0K）---（N1，N2）---两块正常金属单粒子的隧穿电流 INN ---态密度变换---正常态的
微分电导 GNN（电阻的倒数，常数，A）---INN（V）=AV，I-V 为直线满足欧姆定律
4、S-N 系统的单粒子隧穿电流和微分电导如何推导（T=0K）？
答：（1）其中一块金属换成超导体（T=0K）---（N1，N2）---（N1S-BCS 超导态的密度，N2N- N2）---S-N
系统的单粒子隧穿电流（6.6.20）---微分电导 GSN（6.6.21）
5、测定超导态微分电导与正常态微分电导之比有什么作用？
答：超导态微分电导与正常态微分电导之比等于超导体中准粒子态密度（ 6.6.22）---测定比值可以给出超
导体中准粒子态密度
6、N-N 系统单粒子隧穿电流和微分电导如何推导（T！=0K）？
答：根据 T=0K 时正常金属之间的隧穿电流---计入反向电子跃迁项---得 T！=0 的正常金属之间的隧穿电流
INN（6.6.24）---与零温情况没有太大差别
7、S-N 系统的单粒子隧穿电流和微分电导如何推导？（T！=0K）？
答：（1）T 不等于 0K 时，代换---S-N 系统的单粒子隧穿电流（6.6.25）---微分电导（6.6.26）
8、图象讨论？（略）
第六章 超导电性的微观理论--- 第八节 迈斯纳效应
1、迈斯纳效应产生的判据是什么？
答：根据电流密度中的 K（0）来判断
2、迈斯纳效应产生的判据的微观推导？
答：模型（弱磁场中的导体）---弱磁场中互作用的哈密顿量（6.8.8）---利用电流密度算符的海森伯方程---
电流密度算符的连续性方程---电流密度算符 J（6.8.9）=逆磁电流部分 J1+顺磁电流部分 J2---分开计算电流
密度算符中的逆磁电流部分 J2 和顺磁电流部分 J1---J2 伦敦方程（6.8.12）， J1 标准形式（6.8.23）---电流密
度算符的傅里叶变换式（6.8.24）---计算傅里叶系数 K（q）---正常导体，K（q）=0 的表达式（6.8.28，J1
代表顺磁电流部分）---超导体，K（q）取值的两种极限情况---（1）伦敦极限情况（6.8.29）有迈斯纳效
应---皮柏公式（1）（ 2）（ 6.8.37）---无法判断有否迈斯纳效应---皮柏公式（2）---将电流密度变回从标
表象---BCS 的超导电流公式
3、有限温度时伦敦穿透深度的推导过程？
答：H（6.8.43）---J1（6.8.48）---K（6.8.39）---λ（6.8.50）
第六章 超导电性的微观理论--- 第十节 磁通量子化
1、磁通量子化证明？
答：（略）
第六章 超导电性的微观理论--- 第十节 约瑟夫森效应
1、约瑟夫森效应理论预言、实验验证和超导磁强计的工作原理？
答：（略）
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第七章 氧化物高温超导体和各向异性超导电性 第一节 高 Tc---超导电性研究的重大突破
1、超导体的发展史？
答：（1）首次发现超导体（元素超导体）：1911 年，昂内斯，4.2K，Hg
（2）元素超导体（液 He 温区，Tc=9.3K）---为了突破 Tc=9.3K---超导合金与化合物（液 H 温区，探索
成功，Tc=27.3K）---为了突破 Tc=27.3K---铁磁超导体（稀土三元化合物），重费密子超导体（稀土和锕系
元素的金属间化合物）（探索失败）---氧化物超导体（液氮温区，探索成功）
（3）1986 年 4 月，伯诺兹和穆勒公布了他们在 La-Ba-Cu-O 化合物中观察到起始超导转变温度为 35K
的结果，这是一个历史性的突破，一年之后获得了 1987 年诺贝尔物理学奖
（4）1987 年 2 月，距伯诺兹和穆勒的论文发表还不到一年，美国的朱经武研究组和我国的赵忠贤研究
组先后独立地在 YBa2Cu3O7-y(后简称 Y-123)化合物中发现了 Tc>=90K 的氧化物高温超导体，首次使超导研
究进入了液氮温区，迄今公认的最高超导转变温度也是朱经武研究组在 HgBa2Ca2Cu3O8+x(Hg-1223)化合物
中测得的，其 Tc=133K，加压力甚至可使 Tc 提升到 160K 以上
（5）由于铜氧化合物高温超导体的 Tc 不断提高，反过来又启发和促进了常规超导体的研究， C60 系列
的 MgB2 的发现突破了常规超导体的 Tc 一般不超过 30K 的传统信念，引起了人们的极大兴趣，已成为当前
超导电性研究的热问题
第七章 氧化物高温超导体和各向异性超导电性 第二节结构与相图的共同特征
1、铜氧化合物结构的共同特征？
答：（1）铜氧化合物超导体，均存在 CuO2 导电层，均具有平面导电特性，并且载流子运动主要是在
CuO2 平面之中（2）铜氧化合物超导体，存在绝缘性的反铁磁母体化合物
2、CuO2 导电层的主要结论？
答：（1）CuO2 导电层称为导电单元，其它部分称为电荷库单元简称电荷库
（2）复杂的铜氧化合物可以简化为两类结构单元
（3）掺杂控制导电层中载流子浓度
3、反铁磁母体化合物的性质，相图的共同特征？
答：（1）所有铜氧化合物高温超导体都可以认为是由某些母体化合物经掺杂或改变氧含量形成的而这些
化合物均是反铁磁绝缘体（AFI）：存在绝缘性的反铁磁母化合物是高温超导体的另一共性特征
（2）反铁磁母体化合物是绝缘体而不是金属
（3）铜氧化合物当作强关联电子体系处理（应表现为金属伸没有表现）
（4）CuO2 层体系存在很强的层内交换作用和比弱的层间耦合
（5）铜氧化物高温超导体可以看作是准二维的强关联电子体系
4、相图反映出的什么信息？
答：奈尔温度：反铁磁体转变为顺磁性时的温度，自旋玻璃：非磁性材料中掺入无序有磁性杂质
5、常规的 BCS 超导体与氧化物高温超导体最重要的区别是什么？
答：BCS 超导体的正常态为费密液体，而高 Tc 超导体的正常态为非费密液体
第七章 氧化物高温超导体和各向异性超导电性 第三节 高温超导体中超导态的基本属性
1、高温超导体中超导态的基本物理性质，目前已取得共识的主要结果是什么？
答：（1）超导态仍然是库柏对的相干凝聚态（BCS 超导体与氧化物高温超导体相似）
（2）配对的对称性---主要是各向异性的 d 波配对（BCS 超导体属于各向同性的 S 波配对）
（3）极端的 II 类超导体---所有的氧化物高温超导体均属于 II 类超导体
（4）复杂的同位素效应---BCS 同位素效应实验：成功地证实了 BCS 超导体形成配对的互作用来源于电
声子耦合，氧化物高温超导体的同位素效应实验的主要特征：（略）
（5）不同于 BCS 超导体的低温特性
第八章 能带论 ---第一节 平面波法的困难
1、平面波法是用来干什么的？
答：通过薛定谔方程求解晶体周期场中单电子的能级，平面波法：在波函数选择上采用一般的平面波迭加
形式（8.1.5）
2、晶体周期场中单电子的波函数满足的形式？
答：波函数满足布洛赫定理中所描述的形式
3、布洛赫定理的基本假设有哪些？
答：（1）电子假设：单电子近似，把每个电子的运动看成是独立地在一个等效势场中的运动
（2）等效势场假设：电子在周期性的势场中运动
（3）周期性边界条件假设：波函数在平移正格矢后保持不变
4、布洛定理的证明？
答：利用假设（1）：给出单电子哈密顿量（哈密顿算符） ---利用假设（2）：证明单电子哈密顿量保持
平移不变性---引入平移算符---把平移算符作用到单电子的薛定谔方程---证明哈密顿算符与平移算符对易
（哈密顿算符与平移算符具有共同的本征函数）---平移算符的本征方程---利用假设（3）：单电子波函数
满足的条件---有三种形式的波函数满足条件---取其中最一般的波函数为单电子的波函数---将其分为两部分
（平面波部分+另一部分）---证明另一部分具有平移正格矢后保持不变的性质---布洛定理：晶体中电子波
函数是按晶格周期调幅的平面波
5、用薛定谔方程的狄拉克表示如何计算单电子系统的能级？
答：单电子系统波函数的狄拉克表示---薛定谔方程的狄拉克表示---方程两边左乘左矢波函数---利用平面波
的正交归一性---波函数有非零解的条件---解久期方程---单电子系统的能级
6、平面波法的困难是什么？
答：电子波函数在离子实区是震荡波函数：要求有较多的平面波迭加而成，而在两个离子实的中间区域的
电子波函数比较平缓：近似用自由电子波函数表示，由较少的平面波迭加而成，平面波法的电子的波函数
必须同时反映上述两个特征，平面波法中的电子波函数必须用较多的波函数迭加（收敛很慢），计算布洛
赫函数时带来了困难
第八章 能带论 ---第二节 正交化平面波法
1、为什么要引入正交化平面波法？
答：克服平面波法计算的困难，构造了一个新的布洛赫波函数：由平面波函数与壳层能带波函数的线性组
合构成
2、正交化平面波是如何定义的？
答：导带及价带布洛赫函数（新的电子波函数，组合波） =（平面波函数+壳层能带波函数）的某种线性
组合---价带或导带的布洛赫函数与壳层能带波函数正交（同一薛定谔方程不同本征值的解） ---正交化条
件---求出线性组合系数代入导带及价带布洛赫函数---提出相同的项，把另一部分称为正交化平面波（组合
波）=（简单平面波+所有壳层能带的紧束缚波函数）的特殊性线组合
3、正交化平面波（组合波）的性质有哪些？
答：（1）正交化平面波（组合波）与每一壳层能带波函数正交

4、如何理解壳层能带波函数（紧束缚波函数）？
答：壳层能带波函数（较低壳层的电子波函数）=原子波函数的某种组合
5、如何理解紧束缚近似？
答：原子轨道线性组合法
6、用正交化平面波方法（OPW 方法）如何求能级？
答：将新的布洛赫函数（用正交化平面波表示，8.2.7）代入晶体周期场中单电子的薛定谔方程(8.1.1)---用
紧束缚的薛定谔方程代换(8.2.11)---左乘正交化平面波（哈密顿量对角化）---解久期方程(8.2.15)
7、如何证明 OPW 方法收敛性快？
答：举例（金属锂）--- 锂的壳层能带波函数=原子波函数的某种组合=1S 态的原子中电子的波函数的（锂
原子内层只有一层）---已知 1S 态能级和势场形式---求有效势场的平均值---有效势比真实势弱（势场更有
可能看成微扰处理）---收敛性比平面波好
第八章 能带论 ---第三节 赝势方法
1、赝势是如何引入的？
答：正交化平面波---改写(8.3.1)---引入一个新的波函数（ 8.3.2,赝势波函数，单波迭加）--- 将改写后的
OPW 代入薛定谔方程(8.3.3)---用紧束缚的薛定谔方程代换(8.3.5)—利用晶体周期场中单电子的薛定谔方程
(8.1.1)---得方程（8.3.7,赝势波动方程）---势场部分是一个有效势称为赝势
2、赝势波函数的性质？
答：（1）赝势波函数为平面波函数的线性迭加，赝势波函数与布洛赫函数具有相同的能量本征值
（2）赝势中正交化所带来的是一个排斥势，它与真实势有相消趋势
（3）赝势和赝势波函数都是平滑了的，组合少数平面波就可以描述赝势波函数
3、什么是赝势法的非唯一特性？
答：（1）赝势波函数的非唯一
（2）赝势波动方程的非唯一
（3）赝势的非唯一
（4）非唯一特性是赝势法的固有特性，利用它可选定最佳赝势使赝波函数尽可能平滑
4、赝势计算方案是什么？
答：略
第八章 能带论 ---第四节 近自由电子方法的赝势证明
1、引入赝势的重要成就有哪些？
答：（1）选定最佳赝势可使赝波函数尽可能平滑，组合少数平面波就可以描述赝势波函数，赝势波函数
与布洛赫函数具有相同的能量本征值
（2）引入赝势可以证明近自由电子方法适用于离子实半径小的金属能带计算
2、什么叫近自由电子？
答：把晶体中的电子，看成是在周期性微扰的势场中运动，此电子称为近自由电子
3、如何证明近自由电子方法适用于离子实半径小的金属能带计算
答：（1）首先根据赝波函数的非唯一特性找到一个平滑的赝波函数：利用动能极小条件选择最佳赝波函
数（2）动能平均值---变分方程---赝波函数的非唯一特性改写变分方程---结果代入广义赝势的表示式
（共三项）---左乘赝波函数，赝波函数近似可取某一确定形式（自由电子平面波形式）---第三项（离
子实体积很小时忽略不计）---可将广义赝势改写成近似形式---左乘壳层能带波函数---离子实区赝势几
乎完全抵消
第八章 能带论 ---第五节 元胞法
1、元胞法是用来干什么的？
答：元胞法是维格纳和赛茨于 1933 年研究碱金属结合能时提出的，适合于单价金属导带的最低能量状态
计算，它是历史上第一个定量计算能带的方法
2、什么叫 W-S 元胞？
答：以某原子为中心，作该原子与近邻以及次近邻原子连线的垂直平分面，由这些面所围成的多面体即
W-S 元胞，它的体积与正点阵的初基元胞体积相等，整个晶体可以看作是由各原子的 W-S 元胞堆积而成
3、元胞法的基本思想是什么？
答：W-S 元胞充分反应了晶格的点群对称性，在对称化的元胞面上给予适当的边界条件，可将能带计算问
题简化为在一个 W-S 元胞内求解薛定谔方程问题
4、元胞法的具体过程是什么？
答：（1）说明：一个 W-S 元胞内的薛定谔方程---波函数及其导数在 W-S 多面体上任一点为连续并且波函
数满足布洛赫定理---给出元胞法的边界条件---如果在 W-S 元胞上所有点均满足条件---薛定谔方程
的解必然是能量为 Ek 波矢为 k 的布洛赫函数
（2）首先假设元胞法中的波函数形式（元胞法的基本近似，球谐函数与径向函数的线性组合）---另波函
数满足元胞法的边界条件---定出线性组合系数（线性齐次方程）---定出能量本征值（线性齐次方
程非零解）
5、元胞法的基本近似是什么？
答：假定在 W-S 元胞内晶体势场具有球对称性（只有当球形势近似成立时，元胞法才是实用的）
6、（k=0）如何用维格纳-赛茨元胞法计算基态能量和基态波函数？
答：（k=0）---简化元胞法的边界条件---W-S 元胞球近似---进一步简化边界条件---解 l=0 的径向方程---确定
基态能量和基态波函数
7、金属结合能的定义是什么？
答：参考书中定义（略）
8、如何用维格纳-赛茨元胞法计算 k=0 点附近有效质量？
答：（略）
9、元胞法的缺点是什么，常用的求解能带的方法有哪些？
答：（1）元胞球近似球近似所求得的结果仅与原子体积有关，它完全忽略了实际晶体结构的影响， W-S
近似的势场在元胞边界处有导数的不连续
（2）格林函数法和缀加平面法
第八章 能带论 ---第六节 缀加平面波方法
1、缀加平面法的基本近似是什么？
答：丸盒势近似：假定 W-S 元胞中球对称势仅限于离子实周围半径 ri 的球体内，这些球彼此不相交，称为
M-T 球，在 M-T 球外的元胞势场，则假定为常数
2、缀加平面波的形式如何推导？
答：给出势场的形式(8.6.1)---势场分析（1）在 M-T 球外势场取为常数，薛定谔方程的解是平面波（2）在
M-T 球内势场是球对称势场，薛定谔方程的严格解可用径向波函数与球谐函数的乘积来展开表示 ---给出波
函数的形式(8.6.2)---思考如何使平面波与 M-T 球内球函数展开式相衔接（斯莱特要球：M-T 球内和 M-T
球外的波函数在 r=ri 处连续）---跟据连续性条件---得出 M-T 球内波函数的线性系数（8.6.5）---将系数代回
到(8.6.2)--- 缀加平面波（简称 APW）
3、如何求解晶体中单电子的波函数和能量？
答：设晶体中单电子的布洛赫函数由 APW 作基函数展开---将其作为试探波函数，代入能量泛函公式---作
变分要求泛函对波函数稳定这时的能量才是晶体中单电子薛定谔方程的解---给出满足的公式(8.6.10)---求
出单电子的布洛赫函数中的组合系数的线性齐次方程组(8.6.11)---能量本征由组合系数的线性齐次方程组的
系数行列式等于零给出(8.6.13)---具体计算---(8.6.11) ，(8.6.13)分别改写成(8.6.24)，(8.6.25)
4、缀加平面法给出哪些重要结论？
答：（1）APW 法表示的晶体中单电子的波函数，也具有比平面波方法收敛更快的优点
（2）APW 波函数是彼此不正交的
（3）APW 法既具有元胞法便于利用对称性优点，又克服了元胞法在 W-S 元胞上满足边界条件的困难
（4）APW 法用于金属能的计算是相当成功的
（5）APW 法不适用于共价键半导体
 第八章 能带论 ---第七节 KKR 方法
1、什么叫 KKR 方法？
答：这是柯林嘎、孔恩、和罗斯托克尔所提出的另一种计算能带的有效方法，通常称为格林函数法，或简
称 KKR 方法
2、KKR 方法计算能带的特点是什么？
答：（1）KKR 法与以往计算能带的方法是不同的，它不是根据物理情况选择展开基函数，而是先把单电
子运动方程化为积分方程，再用散射方法求解能态
（2）建立格林函数方程（8.7.2）：与求解能带电子的薛定谔方程做比较（ 8.7.1）---给出波函数与格
林函数的积分关系（8.7.3）---格林函数方程与薛定谔方程是等效的---由格林函数求本征能量和波函数
（KKR 方法的特点）
3、KKR 方法计算能带的推导过程是什么？
答：（1）求格林函数的表示式：为了使电子的本征波函数满足布洛赫定理---KKR 要求晶体的格林函数也
满足布洛赫定理（8.7.4）---量子力学中格林函数的表示式（8.7.5，满足格林函数方程 8.7.2）---参数满足
自由电子的定态薛定谔方程（8.7.6）---由布洛赫定理波函数条件---求出量子力学中格林函数的表示式中的
参数---给出满足布洛赫定理的量子力学中格林函数表示式（8.7.9）
（2）KKR 法的主要步骤：首先严格计算结构函数的求和式 （8.7.9），再由 G 近似定出本征值和本征
波函数
（ 3 ） 格 林 函 数 的 具 体 计 算 ： M-T 势 近 似 --- 确 定 波 函 数 与 格 林 函 数 的 积 分 关 系 中 的 积 分 区 域
（8.7.10）---假定 M-T 球内能带电子波函数由球谐函数展开表达（8.7.11）---给出 M-T 球结构格林函数的
球谐函数表示---求能带：利用能带电子的薛定谔方程（8.7.1）和格林函数方程（8.7.2）消去波函数与格林
函数的积分关系式（8.7.10）中的 M-T 势---由积分的格林函数定理---面积分等式（8.7.14）---电子波函数
线性组合参数的久期方程（8.7.15）---可计算能带
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第八章 能带论 ---第八节 布洛赫表象和瓦尼尔表象
（1）布洛赫表象
1、布洛赫表象的定义是什么？
答：以布洛赫函数作基函数表示的理想晶体中的单电子波函数称为布洛赫表象
2、如何证明布洛赫函数具有正交规一性和完备性？
答：布洛赫函数的正交规一性证明：根据量子力学，厄密算符 H 的不同本征态状态之间应彼此正交，布洛
赫函数是理想晶体中的单电子的本征波函数，选择适当的归一化因子，可使洛赫函数满足正交归一化
条件（8.8.3）
布洛赫函数的完备性证明：将任意波函数用布洛赫函数构成完整函数组展开（8.8.4），利用布洛赫函
数的正交规一性求出任意波函数展开式中的系数（8.8.5），将结果代回到（ 8.8.4），得到任意波函
数的表示式（8.8.6），其中展开式成立的条件要求布洛赫函数要满足完备性条件（ 8.8.7）
（2）瓦尼尔函数
1、瓦尼尔函数的定义是什么？
答：通过布洛赫函数定义另一套描述局域状态的完整函数组---瓦尼尔函数（8.8.10）（布洛赫函数按平面
波展开的傅里叶数称为瓦尼尔函数，是一种参考系的变换）
2、瓦尼尔表象的定义是什么？
答：以瓦尼尔函数作基函数表示的理想晶体中的电子波函数称为瓦尼尔表象
3、如何证明瓦尼尔函数具有正交规一性和完备性？
答：（略）
（3）布洛赫表象和瓦尼尔表象中的二次量子化算符
1、如何推导布洛赫表象和瓦尼尔表象中变换算符之间的关系？
答：（略）
（4）瓦尼尔函数方程
1、解释瓦尼尔函数为什么不是 H 的本征函数？
答：瓦尼尔表象中，利用瓦尼尔函数对 H 求平均值时存在非零对角矩阵元（证明过程略）
2、如何推导瓦尼尔函数方程？
答：（略，很简单）
3、从瓦尼尔函数方程中得到哪些启示？
答：<1>用瓦尼尔函数计算完整晶体的能带是不方便的
<2>用瓦尼尔表象讨论局域杂质的电子能谱是十分有效的
第八章 能带论 ---第九节 有效哈密顿量
1、如何推导瓦尼尔表象中的薛定谔方程？
答：单电子系的统的薛定谔方程（ 8.9.1）---本征波函数按瓦尼尔函数展开（ 8.9.2）---（8.9.2）代入
（8.9.1）再乘上瓦尼尔函数的共轭并对坐标积分---利用瓦尼尔函数的正交归一性和瓦尼尔函数的 H 矩阵元
（8.8.27）
---（8.9.3）瓦尼尔表象中的薛定谔方程（一般求解很复杂，涉及大量的原子集团计算）
2、如何推导瓦尼尔关系式？

答：假设已知完整晶体的能带结构函数 --- 将 的宗量 用 代替构造一个算子

---将其作用于连续性函数 ---得到（8.9.5）瓦尼尔关系

3、如何简化瓦尼尔表象薛定谔方程？
答：变换瓦尼尔表象中的薛定谔方程：利用瓦尼尔关系将瓦尼尔表象中的薛定谔方程（8.9.3）变换为
（8.9.7）=（8.9.8）（称为： 变换后的瓦尼尔表象薛定谔方程）---假定（1）讨论非简并能带情况（略去
带间跃迁）---令（8.9.7）式中势场的非对称矩阵元为零（简化为单带问题）---假定（2）势场在晶格距离
上缓慢变化---势场的矩阵元（8.9.4）利用瓦尼尔函数的正交归一性得到势场矩阵元的简化形式（8.9.9）---
替换，变换后的瓦尼尔表象薛定谔方程（8.9.8）中的势场矩阵元---得到（8.9.10）简化后的瓦尼尔表象薛
定谔方程---含时的简化后的瓦尼尔表象薛定谔方程（8.9.11）
4、如何推导有效质量方程？

答：用能带论解出完整晶体的能带结构函数 ---Ge,Si 为例：等能面为旋转椭球，能带结构函数形式

为（8.9.12）（引入有效质量） ---换能量零点，选转轴---得到简单的有效哈密顿量---代入简化后的瓦尼尔
表象薛定谔方程（8.9.10）变为（8.9.13）有效质量方程
5、Ge,Si 为例：如何将求解有效质量方程看成是求解氢原子问题？
答：当半导体中杂质含量很少时，势场可以取单杂质势 ---代入有效质量方程（8.9.13）---简化后的有效质
量方程（F 方程）与氢原子问题中的薛定谔方程相似（差别仅在于 F 方程中用了介电常数和各向异性的有
效质量）
6、如何求解：各向同性有效质量，球形等能面系统的有效质量方程？
答：各向同性有效质量（8.9.15）---代入有效质量方程（8.9.13）---简化为类氢原子问题---可以直接搬用氢
原子的结构求得基态能量和波函数（8.9.17）
7、浅杂质能级和深杂质能级的概念？
答：（略）
8、如何求浅杂质能级和深杂质能级？
答：（1）浅杂质能级（有效质量方法适用于浅能级问题）：[1]各向同性：求解有效质量方程（8.9.16）
[2]各向异性：求解各异性有效质量方程（8.9.18）（ 2）深杂质能级（电子受到强束缚，其空间尺度很小 ，
在效哈密顿量方法不能成立）：对于深能级问题，目前尚无简便有效的理论方法
9、如何用有效哈密顿方法推导玻耳兹曼方程？
答：（刘维定理，略）
第八章 能带论 ---第十节 紧束缚近似法及二次量子化表示
1、紧束缚能带波函数是如何建立起来的？
答：布洛赫函数（能带电子波函数）是倒点阵的周期性函数---可按正格矢展开为傅里叶级数（即用瓦尼耳
函数表示布洛赫函数）---因为瓦尼尔函数具有定域特性，当晶体中的原子间距较大时，近似（紧束缚近
似）用格点上的原子轨道波函数代替瓦尼尔函数---得到紧束缚近似的布洛赫函数（能带电子波函数）
（8.10.1）
2、如何利用紧束缚能带波函数求紧束缚近似能带？
答：引入正交关系（不同格点的原子轨道函数近似正交）（8.10.2）---把瓦尼尔函数的 H 矩阵元（8.8.27）
近似用原子轨道波函数的 H 矩阵元表示为（8.10.3）---代入到按正格矢展开的能带函数（8.8.25）---新的按
正格矢展开的能带函数（8.10.4）---分别求解出矩阵元（8.10.6），（ 8.10.8）---得到紧束缚近似能带
3、如何推导紧束缚近似哈密顿量的二次量子化表示？
答：给出瓦尼尔表象下，刚性晶格中无相互作用系统的任意波函数---略去带指标和自旋指标（限于讨论能
谱与自旋取向无关的单带问题）---给出系统中单电子的哈密顿量---按标准量子化方法，将系统的哈密顿量
写 为 （ 8.10.18 ）--- 根 据 紧束缚 近 似 ，用原子 轨道 函数 代替 瓦 尼尔 函数 --- 求得 H 的 紧束缚 近似 表示
（8.10.19）
---采用两种等效方法对紧束缚近似的 H 进行对角化：（1）利用两表象算符变换公式和平移群不可约表示
的正交关系式---得到关系式（8.10.22）代入紧束缚近似的 H（8.10.19）---得到紧束缚近似能带曲线（2）
利用布 洛赫 态和 瓦 尼尔 态的间的变换 关系（ 8.10.24 ） --- 直接 对 H 求平均得到 紧束缚 近 似能带曲线
（8.10.25）
第八章 能带论 ---第十一节 单电子近似的理论基础---密度泛函理论
1、如何推导哈特利-福克方程方程？
答：模型（含有 N 个电子的多体系统）---系统中任意电子需要计入 N-1 个电子的关联性---H 可写成
（8.11.3）
---选取的波函数满足斯莱特行列式---简化模型（离子实的正电荷数 Z=1）---对 H 求平均---整理后能量 E 的
表示式（8.11.7）---利用能带波函数的正交关系（8.11.5）作为约束条件对能量 E（8.11.7）进行变分---得
（8.11.8a）能带波函数满足此单电子方程（哈特利—福克方程）
2、如何将多电子系统的哈特利—福克方程简化为单电子有效势方程？
答：哈特利-福克方程方程（8.11.8a）---定义两个密度函数：（1）r 点电子数密度（由所有已占据单电子
波函数表示）（8.11.9 a）（2）非定域交换密度分布（仍然与所考虑的电子状态有关）（8.11.9 b）---哈特利-
福 克 方 程 方 程 改 写 成 为 （ 8.11.8b ） （ 求 解 困 难 ） --- 斯 莱 特 ： 采 用 对 非 定 域 交 换 密 度 分 布 取 平 均
（8.11.10）---代入非定域交换密度分布（8.11.9 b）---再代入改写后的哈特利-福克方程方程（8.11.8b）---
定 义 两 个 势 函 数 （ 8.11.11 b ） ， （ 8.11.11c ） --- 哈 特 利 — 福 克 方 程 近 似 写 为 （ 8.11.11 a ） --- 变 换 成
（8.11.12）单电子有效势方程
（说明：单电子有效势方程是传统物理学中单电子近似的来源，它是建立在哈特利—福克方程基础上的一
种近似）
3、库普曼斯定理内容是什么，如何证明库普曼斯定理，库普曼斯定理的一个推论的内容是什么？

答：（1）库普曼斯定理内容：单电子有效势方程（ 8.11.12）中的 代表在多电子系统中移走一个 i 电子

而同时保持所有其它电子的状态不变时，系统的能量改变（拉氏乘子 代表在能带波函数状态

上的“单电子能量”）
 （2）证明库普曼斯定理：（略， ）

（3）库普曼斯定理推论：将一个电子从 态移至 态所需能量为 ，固体中能带原则上可由哈

特利—福克方程确定并通过库普曼斯定理作出能带的物理解释
4、哈特利—福克方程的缺点，哈特利—福克方程作为推导单电子近似（即能带论）的理论的缺点是什么？
答：（1）哈特利—福克方程的缺点：哈特利—福克方程只计及了电子的交换作用，完全忽略了自旋反平
行电子之间的相关能，这是哈特利—福克方程作为单电子近似（即能带论）的理论基础的本质欠
缺
（2）哈特利—福克方程作为推导单电子近似（即能带论）的理论的缺点：当一个电子状态发生改变时，
很难说总是能够保持其它（N-1）个电子状态不变

5、如何计算自由电子气情形的定域交换势 ？

答：给出自由电子波函数---写出非定域交换密度（非定域）---计算平均的交换密度（定域）---写出交换
势（定域）---两种情况：均匀电子气体的交换势，非均匀系的交换势
6、霍亨伯格—孔恩定理引入的意义是什么，主要内容是什么，如何证明？
答：（1）意义：霍亨伯格—孔恩定理（HK 定理）的核心是认为，相互作用多体系统的粒子数密度是决定
该系统基态物理性能的基本变量
（2）内容：作用在多体系统中每个电子上的定域外势与系统的基态电子数密度之间存在着一一对应关
系，即一个外势仅仅对应于一个基态密度
（3）证明：（略）问题---条件---方法---证明
7、HK 能量泛函的表示形式和 HK 定理告知的一些重要信息是什么？
答：（略）
8、孔恩-沈吕九方程求解的基本思想是什么，孔恩-沈吕九方程用能用来干什么？
答：（1）求解的基本思想：孔恩-沈吕九方程原则上由 HK 能量泛函对多体系统的粒子数密度求变分
（2）方程的用途：多体问题转化为单电子问题
9、如何推导无相互作用和有相互作用电子系统的等效单电子方程？
答：无相互作用等效单电子方程：库普曼斯定理在独立电子系统中严格成立（略）
有相互作用电子系统的等效单电子方程：库普曼斯定理在有相互作用电子系统中不成立（略）
10、局域密度近似方法？答：（略）
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第十章 激子理论---第二节 瓦尼尔-莫特激子
1、瓦尼尔-莫特激子研究的激子的模型是什么？
答：研究大半径的激子
2、瓦尼尔-莫特激子的形成条件是什么？

答：（1）形成条件：晶体的介电常数 且折合质量 ，可形成瓦尼尔-莫特激子

（2）不能形成的条件：晶格常数较大且介电常数较小，其激子半径可能比晶格常数小不能形成瓦尼尔-
莫特激子
3、瓦尼尔-莫特激子的 H 求解？
答：假定电子与空穴的静电库仑势形式（10.2.1）---写出电子与空穴系统的二体运动方程（薛定谔 H 方程，
10.2.2）---公式变换（利用质心坐标和相对坐标代替电子和空穴的坐标） ---引入折合质量---有效质量方程
化为（10.2.4 和 10.2.5）---（10.2.4，质心运动方程）：激子（质心）有平面波解，（ 10.2.5，相对坐标运
动方程）：能解出激子能级
4、瓦尼尔-莫特激子 H 各项的物理意义，激子能级各项的物理意义？
答：（1）H=电子的有效动能+空穴的有效动能+电子与空穴的相互作用能（静电库仑势）
（2）E=能带宽度+激子的平移动能+形成电子—空穴束缚对时所降低的能量
5、瓦尼尔-莫特激子半径如何计算？
答：形成电子—空穴束缚对时所降低的能量（10.2.10）---定义激子半径---根据氢原子玻尔半径---得到激子
半径
第十章 激子理论---第三节 夫伦克耳激子
1、夫伦克耳激子模型是什么，如何理解夫伦克耳激子的运动问题
答：（1）研究小半径激子（原子模型）（2）同一原子内电子的激发态从一个原子向另一个原子的转移问
题
3、 N 个电子系统中某个原子的激发能如何表示，N 个电子系统的基态，激发态如何表示？
答：（1）某个原子的激发能（S 态—P 态）=原子内电子 P 态的能量-S 态的能量
（2）N 个电子系统的基态（略去电子的自旋和不同格点间原子波函数的重叠）=各个原子轨道波函数
（S 态）的乘积
（3）N 个电子系统的基发态=某个被激发的原子轨道波函数（P 态）乘上其它 N-1 个电子的波函数（S
态）
4、N 个电子系统的总哈密顿量 H 如何表示？
答：电子系统的总哈密顿量 H=N 个原子的哈密顿量+N 个原子之间的相互作用
5、N 个电子系统的局域激发能量如何表示？
答：局域激发能量=系统的激发态对 H 的平均（对角矩阵元）-系统的基态对 H 的平均（对角矩阵元）
（注意：在平移对称系统中，系统的激发能近似等于原子中电子的激发能，局域激发可在任何格点产生，
系统的激发能，不能与某一确定的原子中电子的激发能对应）
6、N 个电子系统的激发转移互作用如何表示？
答：激发转移互作用=系统状态对 H 的平均（非对角矩阵元）
7、哈密顿量 H 的单电子激发本征函数（夫伦克尔激子的波函数）如何表示，激发能如何表示？
答：（1）系统的单电子激发本征函数=各格点上产生局域激发波函数的线性组合（10.3.6）
（注意：与紧束缚近似的能带波函数相似）
（2）夫伦克尔激子的激发能=H 对夫伦克尔激子波函数的平均-H 对系统基态的平均（10.3.7）---简化---
（10.3.8）夫伦克尔激子的能带公式
8、激发转移互作用 Hnm 的贡献是什么？
答：激发转移互作用 Hnm=D（ Rnm）（ 10.3.5）---变数变换---（10.3.9）---小量展开--- 简化后的 Hnm=D（
Rnm）（ 10.3.11）--- D（ Rnm）的傅里叶变换（10.3.13）---球体简化---最后的 D（ Rnm）的傅里叶变换结果
（10.3.17）
---结论：当倒格矢 K 趋于 0 时，纵向和横向激子状态存在能级差，说明：纵向和横向激子态间的能级分裂
是激子问题中的普遍现象，并非夫伦克尔激子的独特性质
第十章 激子理论---第四节 电子—空穴互作用的多体理论
1、多电子系统在二次量子化表象中哈密顿量的表示，单电子近似范围内系统的基态和激发态表示及物理意
义是什么？（标准二次量子化过程）
答：（1）多电子系统在二次量子化表象中哈密顿量的表示（10.4.2）：第一项，总的单电子的哈密顿量，
第二项，总的电子间的相互作用势能（2）单电子近似范围内系统的基态（10.4.9）（3）单电子近似范围内
系统的激发态---布洛赫表象形式---展开系数 f(k)（10.4.10）和瓦尼尔表象形式---展开系数 F(Rl)（10.4.11）
2、求二体运动的概率振幅（f(k)，F(Rl)）的运动方程有什么意义，如何导出？
答：（1）如果能求得 F(Rl)或 f(k)所满足的运动方程，那么 N 粒子问题就简化为二体问题
（2）单电子近似范围内系统的激发态的本征方程 （10.4.10）--- f(k) 的运动方程（10.4.19）---R 表象
 F(R) 的运动方程（10.4.24）---整理电子空穴对的有效哈密顿量（10.4.37）---代入（10.4.24）---最
终的 F 的运动方程
3、如何推导瓦尼尔-莫特激子的相对运动方程？
答：电子空穴对的有效哈密顿量（10.4.37）中的库仑项写为近似形式（10.4.38）--代入 R 表象 F(R) 的运动
方程（10.4.24）---激子运动方程（10.4.39）---变换（10.4.41）---利用有效质量近似（10.4.40）---再变换
（10.4.44）
---瓦尼尔—莫特激子的相对运动方程（10.4.45）
4、如何推导夫伦克尔激子的能带公式？（包括夫伦克尔激子的运动方程）
答：直接给出夫伦克尔激子运动方程（10.4.46）---技巧变换并利用归一化条件---激发能公式（10.4.47）---
小 半 径 近 似 （ 10.4.48 ） --- 小 半 径 激 子 的 激 发 能 （ 10.4.49 ） --- 技 巧 变 换 --- 夫 伦 克 尔 激 子 的 能 带 公 式
（10.4.50）
5、如果能求得 F(Rl)或 f(k)所满足的运动方程，N 粒子问题就简化为二体问题，体现在哪？
答：电子与空穴之间的库仑作用为二体形式
第十一章 强关联电子体系 第一节 赫伯德模型
1、赫伯德模型是用来干什么的？
答：考虑晶格系统中电子的强关联效应，计算紧束缚近似的电子的能带
2、什么叫赫伯德模型？
答：略去互作用项中所有的多中心积分，只取单中心积分项
3、如何得到赫伯德哈密顿量并计论各项的物理意义？
答：（1）模型 N 个电子组成的简单体系---多体系统的总哈密顿量（11.1.1）=各个单电子在周期场中的哈
密顿量之和+各个电子之间的相互作用能---只考虑单个未填满的能带---布洛赫表象中互作用哈密顿量的二
次量子化表示式（11.1.2）=能带电子能量+相互作用能---变换到瓦尼表象（讨论窄带中关联问题）---瓦尼
表象互作用哈密顿量的二次量子化表示式（11.1.6）=单粒子项（11.1.7）+互作用项（11.1.8）---其中互作
用项一般为多中心积分---赫伯德模型---互作用项近似用单中心积分表示（11.1.10）---代入（11.1.6）---赫
伯德哈密顿量（11.1.13）
4、如何得到紧束缚近似的能带电子的能量？
答：瓦尼表象互作用哈密顿量的二次量子化表示式=单粒子项+互作用项中的单粒子项（11.1.7）---单粒子
项的紧束缚近似哈密顿量（11.1.15）=能带电子的平均动能+---布洛赫表象单粒子哈密顿量（11.1.16）---紧
束缚近似的能带电子的能量
5、如何利用双时格林函数求解赫伯德哈密顿量的能级和态密度？
答：定义推迟格林函数的定义式（11.1.18）---推迟格林函数的傅里叶变换（11.1.20）---巨正则系综的力学
量平均（11.1.19）---平均量与格林函数采用巨正则系综时的关系（11.1.21）（谱定理） ---只要求出格林
函数---利用谱定理可以确定力学量的平均值（包括粒子数算符）---利用海森伯运动方程---格林函数的运动
方程可写为（11.1.23）---傅里叶变换（11.1.24）---求解格林函数转向求解格林函数的海森伯运动方程傅里
叶变换式（11.1.24）中的格林函数---进而求求解赫伯德哈密顿量的能级和态密度
6、如何求解在零能带宽度时赫伯德模型的态密度和电子的平均数？
答：定义单粒子的格林函数（11.1.27）---其格林函数的海森伯运动方程的傅里叶变换式为（11.1.28）---能
带 宽 度为 零 时， 建 立用 高阶 格 林函数表示的 运 动方程 --- 求出 高阶 格林 函数 --- 求得 单粒 子格 林 函数
（11.1.37）---利用谱定理---求得电子的平均数（费密分布函数*局域态密度积分）---讨论（略）
7、如何求解在非零能带宽度时赫伯德模型的态密度？
答：格林函数运动方程---非零能带宽度时，建立用高阶格林函数表示的运动方程—切断近似----给出近似
封闭的格林函数组---求出高阶格林函数---求得单粒子格林函数方程（11.1.45）---解出单粒子格林函数
（11.1.50）---给出局域态密度的格林函数表示（一般表示 U 不确定）（11.1.57）---分情况讨论（1）不计
电子间的关联作用---单粒子格林函数---态密度（11.1.59）（ 2）窄带中强关联情况---单粒子格林函数
（11.1.63）---态密度（11.1.64）---图象分析（略）
8、讨论半满带中的金属—绝缘体转变？
答：（略）
第十一章 强关联电子体系 第二节 局域磁矩理论
1、局域磁矩（杂质局域）讨论的问题是什么？
答：（过渡族磁性原子）磁性原子溶入非磁性金属基体后，讨论是否还保持原子的固有磁矩，用理论解释
什么条件下金属中可形成局域磁矩
2、满足什么条件的过渡族原子具有磁性，形成磁性的原因是什么？
答：（1）具有磁性：具有未填满 d 壳层的过渡元素（2）形成磁性的原因：由于电子间的库仑排斥作用 ，
d 电子自旋磁矩按照洪德定则排列，从而形成自由原子的固有磁矩
3、安德逊 S-d 混合模型是如何形成的，s—d 混合模型的系统的哈密顿量满足形式？
答：（1）在讨论非磁性的金属中讨论过渡族杂质原子形成局域磁矩必须同时考虑两方面因素：<1>和自由
原子形成固有磁矩相似，杂质原子中 d 壳层电子的库仑作用对晶体形成局域磁矩有重要的影响<2>晶体中
的杂质的自由原子 d 轨道状态不是严格的本征态，金属晶体中存在着电子退局域化为布洛赫轨道态的倾向 ，
两态之间存在电子的相互转移，称为 s—d 混合作用
（2）S-d 混合模型的系统总的哈密顿量=金属中能带电子的哈密顿量+杂质原子的未微扰 d 态哈密顿量+关
联作用项+s—d 混合项---计入外加均匀磁场后得到总的哈密顿量表示（11.2.5）此式为轨道非简并的安德逊
S-d 混合模型
4、如何在安德逊 s—d 混合模型下用双时格林函数法求电子的格林函数解？
答：建立单粒子（能带电子和杂质原子 d 态原子）的格林函数的运动方程（11.2.12），（ 11.2.13）中高
阶格林函数作切断近似（11.2.16）（哈特利 -福克近似）---（11.2.17）---建立混合格林函数的运动方程
（11.2.14）（ 11.2.15）---方程（11.2.12）（ 11.2.14）（ 11.2.15）（ 11.2.17）构成近似封闭的格林函数
方程组（哈特利-福克近似）---d 电子的格林函数的哈特利福克近似解（11.2.23）（ 11.2.24）---求出布洛
赫电子格林函数近似解
5、如何求安德逊 S-d 混合模型下系统的静态磁化率？
答：系统的静态磁化率=布洛赫能带态电子的磁化率+局域态 d 电子的磁化率（11.2.25）---谱定理简化---
（11.2.27）=自由电子的泡利磁化率+d 电子的对磁化率的贡献---求 d 电子的平均占据数（11.2.33）---当自
旋向上的 d 电子不等于自旋向下的 d 电子时说明有局域磁矩，反之无局域磁矩---在外场等于 0 时，自旋向
上的 d 电子平均占据数等于自旋向下的 d 电子平均占据数，有非磁解---在存在弱磁场时，系统的顺磁化率
=自由电子的泡利磁化率+杂质上 d 电子磁化率---杂质上 d 电子磁化率表示为（11.2.41）---讨论：<1>d 电
子关联能小于 1 时上式成立，这时 d 电子磁化率大于 1，自由能极小，有稳定的非磁解<2>反之 d 电子关联
能大于 1 时，有磁性解---d 电子磁化率的发散点出现在（11.2.42）
6、如何证明局域磁矩的存在？
答：外场为零时---改写 d 电子的平均占据数方程（两个方程，自洽方程）---求解自洽方程---当满足条件：
费密能级与 d 态单占据能量之间的关系（11.2.45）---条件（1）：解自 旋向上的 d 电子平均占据数等于自
旋向下的 d 电子平均占据数，非磁解稳定---导出 d 电子关联能小于 1---条件（2）：非磁解不稳定， d 电
子关联能大于 1
7、如何理解局域磁矩？
答：d 态电子的净磁矩
第十一章 强关联电子体系 第三节 s—d 交换模型
1、给出局域磁矩与传导电子相互作用哈密顿量的物理意义？
答：（略）
2、糟谷如何证明局域磁矩与传导电子相互作用哈密顿量形式？
答：（略）
3、如何推导 s—d 模型下域磁矩与传导电子相互作用哈密顿量的泡利形式，并说明其物理意义？
答：（1）：略（ 2）： s—d 互作用是局域自旋算符与传导电子泡自旋算符之间的短程交换作用
第十一章 强关联电子体系 第四节 RKKY 互作用
1、推导 RKKY 互作用（局域磁矩之间的互作用）的主要步骤？
答：给出局域磁矩通过传导电子产生的间接交换作用和哈密顿量（11. 4. 1）---将 s—d 互作用当成 2 阶微
扰处理---微扰哈密顿量为（11. 4. 3）---化简计算--- RKKY 互作用哈密顿量（11. 4. 10）
第十一章 强关联电子体系 第五节 近藤效应
1、什么叫近藤效应？
答：近藤的工作促进了实验工作者对稀磁合金低温特性的进一步研究，发现除电阻极小现象（又称反常现
象）外，还有磁化率、比热容等一系列低温反常现象，通称为近藤效应，近藤效应的本质是金属中单个杂
质从磁性状态向非磁性状态的一种连续过渡
2、近藤的工作研究的是什么，用到的模型假设是什么并分析其合理性？
答：（1）研究：解释稀磁合金低温电阻极小现象，并讨论产生极小现象的条件
（2）假设：实验发现稀磁合金低温存在电阻极小现象，1964 年近藤指出必须用 s—d 交换模型处理问题，
当电子被磁杂质散射时，不仅电子的自旋状态发生变化，同时杂质本身的自旋状态也要发生相应的变化，
这是一种多粒子计算
（3）合理性：电阻极小现象可以在杂质浓度非常低的情况下被观察到，因此电阻极小现象不是磁杂质
之间的相互作用造成的
3、理论证明稀磁合金低温特性（电阻极小现象）的过程？
答：<1>近藤用多体理论对电子—磁杂质散射问题作微扰计算，很自然地求得了杂质电阻随温度降低的对
数式增长规律从而解释了稀磁合金低温存在电阻极小现象
<2>证明：模型，近藤采用单个磁性杂质与传导电子之间的 s—d 交换模型稀磁合金问题（假定磁性杂
位于原点，具有确定的自旋）---系统的总哈密顿量可以写为（11. 5. 2）（近藤哈密顿量） --其中包括 s—
d 交换作用哈密顿量=非自旋倒逆互作用+自旋倒逆互作用（涉及自旋上升或下降与杂质下降或上升同时发
生的散射过程---散射概率---跃迁矩阵元---一级近似---用跃迁矩阵元的平方求出玻恩近似散射概率正比于
（11. 5. 7）---剩余电阻（与温度无关）（11. 5. 8）---与声子电阻组合不能说明电阻极小---二级近似---散射
要通过中间态进行---二级散射振幅（与温度有关）（11. 5. 11）=电子中间态过程的二级散射振幅（11. 5.
9）+空穴中间态过程的二级散射振幅（11. 5.10）---总的杂质电阻正比于费米面上电子被杂质散射振幅的
模方---正比于（11. 5.15）---近藤算得的磁性杂质电阻为（11. 5.16）---讨论：电阻极小现象根交换积分的
正负有关，多数稀磁合金属于交换积分小于 0 情况，普遍能观察到电阻极小
4、近藤效应：磁化率反常和比热容反常
答：（1）磁化率反常
定义：磁化率反常是指磁化率在温度降低时与居里定律有偏离，形式上与居里定律相同，磁矩换为有效磁
矩是温度的函数
特征：实际上是杂质有效磁矩随温度降低逐渐减小最后消失的过程，宏观测量表现为：杂质从高温有确定
的磁矩到向零温度时无磁矩状态的连续变化
T=0K 时：杂质具有非磁特性，传导电子对杂质磁矩起屏蔽作用（反铁磁性 s—d 耦合效应）
（2）比热容反常
T=0K 时：总自旋的单重态 S=0（杂质 T=0K 熵为 0，比热）
近藤单态：单个磁杂质与传导电子互作用系统的基态
5、芳田奎的近藤单态的研究过程和结论是什么？
答（1）（略）
（2）系统的基态是近藤单态（粗糙的结果）
读书笔记