Temat:

DETEKTORY MIKROFALOWE
AKR MTTM

Detektory mikrofalowe są przyrządami służącymi do detekcji

amplitudowej sygnałów mikrofalowych oraz do pomiaru ich mocy.
Szczególnie ważną ich cechą jest zdolność pomiaru chwilowych
wartości mocy sygnałów mikrofalowych. Zasadniczymi elementami
amplitudowych detektorów mikrofalowych są diody mikrofalowe.
Wśród nich wyróżnia się:
- diody ostrzowe,
- diody wsteczne,
- diody Schottky’ego (z barierą Schottky’ego).

AKR 1
Temat:
DETEKTORY MIKROFALOWE
AKR MTTM

D D

a) b)

LS I RS

CP U Cb(U) Rb(U)

c) OPRAWKA OBSZAR ZŁĄCZA

Rys. 1. Dioda mikrofalowa,

a), b) symbole, c) uproszczony schemat zastępczy
AKR 2
Temat:
DETEKTORY MIKROFALOWE
AKR MTTM

I [mA]
1
1
2
0,5
3

-1 -0,5 0,5 U [V]

-0,5

Rys. 2. Przykładowe charakterystyki prądowo – napięciowe diod

mikrofalowych, 1) diody ostrzowej, 2) diody wstecznej, 3) diody
Schottky’ego
AKR 3
Temat:
DETEKTORY MIKROFALOWE
AKR MTTM

D C3 OBCIĄŻENIE

RF UKŁAD m.cz.
Z0 DŁ1 C1 CL RL
DOPASOWUJĄCY

IP C2 UP

DŁ2 - +
UKŁAD POLARYZACJI WSTĘPNEJ

Rys. 3. Schemat detektora mikrofalowego z diodą wstępnie

polaryzowaną prądem stałym
- Układy dopasowujące wąskopasmowe składają się z
elementów reaktancyjnych i dlatego są praktycznie bezstratne.
Układy dopasowujące szerokopasmowe posiadają dodatkowo
elementy rezystancyjne, a w związku z tym są stratne.

AKR 4
Temat:
DETEKTORY MIKROFALOWE
AKR MTTM

D C3 OBCIĄŻENIE

RF UKŁAD m.cz.
Z0 DŁ1 C1 CL RL
DOPASOWUJĄCY

IP C2 UP

DŁ2 - +
UKŁAD POLARYZACJI WSTĘPNEJ

- Wstępna polaryzacja diody prądem Ip przesuwa punkt pracy

diody (szczególnie diod z wysoką barierą potencjału) w obszar
charakterystyki prądowo-napięciowej pozwalający uzyskiwać
zwiększoną czułość. Prąd polaryzacji wstępnej zamyka się w
obwodzie pokazanym na rysunku 3.

AKR 5
Temat:
DETEKTORY MIKROFALOWE
AKR MTTM

D C3 OBCIĄŻENIE

RF UKŁAD m.cz.
Z0 DŁ1 C1 CL RL
DOPASOWUJĄCY

IP C2 UP

DŁ2 - +
UKŁAD POLARYZACJI WSTĘPNEJ

- Wartość pojemności C1 powinna być taka, aby mogły być

poprawnie odtworzone użyteczne kształty obwiedni sygnału
mikrofalowego.
- Pojemność C3 od strony obciążenia separuje tor obwiedni
sygnału mikrofalowego i obwodu polaryzacji wstępnej oraz
odcina na obciążeniu składową stałą obwiedni sygnału
mikrofalowego.
AKR 6
Temat:
DETEKTORY MIKROFALOWE
AKR MTTM

D C3 OBCIĄŻENIE

RF UKŁAD m.cz.
Z0 DŁ1 C1 CL RL
DOPASOWUJĄCY

IP C2 UP

DŁ2 - +
UKŁAD POLARYZACJI WSTĘPNEJ
- Pojemność C2 oraz dławik DŁ2 są filtrem dolnoprzepustowym
separującym obwód polaryzacji wstępnej i tor sygnału
mikrofalowego.
- Wartość i charakter impedancji wejściowej obciążenia (CL, RL)
również wpływają na kształt sygnału m.cz. otrzymywanego w
wyniku detekcji, a więc na możliwość pomiaru chwilowych
wartości mocy oraz ich szybkich zmian.

AKR 7
Temat:
DETEKTORY MIKROFALOWE
AKR MTTM

Wartość napięcia wyjściowego m.cz. detektora jest proporcjonalna

do mocy mikrofalowego sygnału wejściowego Pwe, a ostatecznie
jest zależna od mocy sygnału mikrofalowego doprowadzanego do
złącza diody detekcyjnej.

Na rysunku 4 pokazano schemat zastępczy detektora dla

częstotliwości mikrofalowych, a na rysunku 5 przedstawiono
ogólny bilans mocy z podziałem na główne ogniwa funkcjonalne
detektora.

AKR 8
Temat:
DETEKTORY MIKROFALOWE
AKR MTTM

LS RS

PWE
UKŁAD
RF CP
PODB DOPASOWUJĄCY Cb(U) Rb(U)

PODB
Det Det =
PWE

Rys. 4. Schemat zastępczy detektora dla częstotliwości zakresu

mikrofalowego

AKR 9
Temat:
DETEKTORY MIKROFALOWE
AKR MTTM

PODB
PUDop
PRs

PWE
PD
Pb

Rys. 5. Poglądowy bilans mocy w detektorze mikrofalowym

(Pwe – mocy sygnału wejściowego, PODB – moc sygnału odbitego, PUDop
– moc wydzielana w obwodzie dopasowującym, PD – moc
doprowadzana na diody detektora, PRs – wydzielana na rezystancji RS
diody, Pb – moc doprowadzana do złącza diody (efektywnie zamieniana
na napięcie wyjściowe detektora) )
AKR 10
Temat:
DETEKTORY MIKROFALOWE
AKR MTTM

Bilans mocy sygnału mikrofalowego w detektorze mikrofalowym

można przedstawić w postaci:
𝑃𝑏 𝑃𝑤𝑒 −𝑃𝑂𝐷𝐵 𝑃𝐷 𝑃𝑏
= 𝑃 ⋅ 𝑃 −𝑃 ⋅𝑃 , (1)
𝑃𝑤𝑒 𝑤𝑒 𝑤𝑒 𝑂𝐷𝐵 𝐷

Na rysunku 6 przedstawiono charakterystykę przejściową

detektora mikrofalowego (konwersja mocy Pwe na napięcie
wyjściowe UWyDet).

AKR 11
Temat:
DETEKTORY MIKROFALOWE
AKR MTTM

UWyDet [V]
100

10-1

10-2 ZAKRES ZAKRES LINIOWY

KWADRA-
10-3 TOWY
10-4

10-5

10-6
-60 -30 0 30 PWE [dBm]
Rys. 6. Przykładowa charakterystyka przejściowa (amplitudowa)
detektora mikrofalowego UWyDet(Pwe)
(na osi pionowej i poziomej skala logarytmiczna)

AKR 12
Temat:
DETEKTORY MIKROFALOWE
AKR MTTM

Na rysunku 7 przedstawiono obwód zastępczy detektora dla sygnału

wyjściowego.

din di Rv Ud RL cL

Zaciski Obciążenie
wyjściowe

Rys. 7. Obwód zastępczy diody dla sygnału wyjściowego,

di – wydajność źródła prądowego detektora, din – wydajność prądowa
źródła szumów wewnętrznych detektora, Rv – rezystancja wewnętrzna
detektora, RL – rezystancja obciążenia detektora, CL – pojemność
obciążenia detektora.

AKR 13
Temat:
DETEKTORY MIKROFALOWE
AKR MTTM

Rv = Rs + Rb (2)
Rezystancje Rs i Rb pokazano na rysunku 1 i 4.
Z wydajnością źródła prądowego di detektora związany jest parametr
nazywany czułością prądową (efektywną czułością prądową) detektora
oznaczaną symbolem  i wyrażaną w [A/W] (lub jednostkach
pochodnych).
δi = β ∙ Pwe (3)
Jeżeli w obwodzie zastępczym detektora źródło prądowe zostanie
zastąpione źródłem napięciowym dostarczającym napięcia du wówczas
detektor można charakteryzować czułością napięciową  wyrażaną w
[V/W] (lub jednostkach pochodnych). Napięcie du i  wiąże zależność:
δu = γ ∙ Pwe (4)
Pomiędzy  i  istnieje związek:
γ = β ∙ Rv (5)

AKR 14
Temat:
DETEKTORY MIKROFALOWE
AKR MTTM

W związku z powyższym napięcie wyjściowe detektora wydzielane

na obciążeniu można wyrazić zależnością:
β∙RL ∙Rv
Ud = ∙ Pwe (6)
RL +Rv

AKR 15
Temat:
DETEKTORY MIKROFALOWE
AKR MTTM

UWyDet [V]
100

10-1

10-2 ZAKRES ZAKRES LINIOWY

KWADRA-
10-3 TOWY
10-4

10-5

10-6
-60 -30 0 30 PWE [dBm]

W zakresie kwadratowym charakterystyki UWyDet(Pwe), czyli dla

relatywnie małych poziomów Pwe to jest poniżej około 10 W, wartość
napięcia wyjściowego UWyDet jest ze stałym współczynnikiem gp wprost
proporcjonalna do kwadratu napięcia wejściowego, czyli mocy Pwe, jak
pokazuje zależność (7).
UWyDet = g p ⋅ Pwe (7)

AKR 16
Temat:
DETEKTORY MIKROFALOWE
AKR MTTM

Wielkość gp jest nazywana efektywną czułością napięciową detektora i

jest wyrażana w [V/W] lub w jednostkach pochodnych, na przykład
[mV/W].

Wartość gp zwykle zawiera się w granicach 0,4 – 1(10) mV/W.

AKR 17
Temat:
DETEKTORY MIKROFALOWE
AKR MTTM

UWyDet [V]
100

10-1

10-2 ZAKRES ZAKRES LINIOWY

KWADRA-
10-3 TOWY
10-4

10-5

10-6
-60 -30 0 30 PWE [dBm]

W zakresie liniowym charakterystyki UWyDet(Pwe), czyli dla

relatywnie dużych poziomów Pwe to jest powyżej około 10 W,
wartość napięcia wyjściowego UWyDet jest również proporcjonalna
do mocy Pwe, ale ze współczynnikiem gL, którego wartość nie jest
stała i jest funkcją mocy Pwe.

AKR 18
Temat:
DETEKTORY MIKROFALOWE
AKR MTTM

UWyDet [V]
100

10-1

10-2 ZAKRES ZAKRES LINIOWY

KWADRA-
10-3 TOWY
10-4

10-5

10-6
-60 -30 0 30 PWE [dBm]

Dla zakresu liniowego charakterystyki przejściowej detektora

można zapisać:
UWyDet = g L (Pwe ) ⋅ Pwe. (8)
Zwykle:
g L (Pwe ) < g p (9)

AKR 19
Temat:
DETEKTORY MIKROFALOWE
AKR MTTM

W przypadku profesjonalnych przyrządów pomiarowych wartość

gp oraz charakterystyka g L (Pwe ) danego egzemplarza detektora są
zapisywane w pamięci głowicy detekcyjnej na etapie kalibracji.

AKR 20
Temat:
DETEKTORY MIKROFALOWE
AKR MTTM

Parametry szumowe detektora:

Moc dysponowana P szumów cieplnych rezystora jest wyrażana
wzorem:
P= k∙T∙B (10)
gdzie: k – stała Boltzman’a,
T – temperatura,
B – szerokość pasma częstotliwości, w którym analizowane jest
zjawisko.
Dioda detekcyjna dostarcza mocy Ptd większej t razy niż moc P
dostarczana przez rezystor. Stąd można zapisać:
Ptd = t ∙ P = t ∙ k ∙ T ∙ B (11)
gdzie: t – względna temperatura szumów diody (ten parametr jest
zależny od częstotliwości).

AKR 21
Temat:
DETEKTORY MIKROFALOWE
AKR MTTM

Szum diody można podzielić na dwie grupy:

- szum biały (niezależny od częstotliwości – widmo
nieskończenie szerokie),
- szum migotania.
Szum biały jest kombinacją szumu cieplnego rezystancji Rs i
szumu śrutowego bariery złącza diody.

AKR 22
Temat:
DETEKTORY MIKROFALOWE
AKR MTTM

Poziom szumu śrutowego jest zależny od prądu płynącego przez diodę.

Jeżeli uwzględni się jedynie szumy śrutowe, wówczas we wzorze (11)

współczynnik t należy zamienić współczynnikiem tb wyrażonym
zależnością:
1 Is
t b = 2 ∙ (1 + I +I ) (12)
s o
gdzie:
Is – prąd nasycenia diody (zależy od jej konstrukcji i materiału),
Io – składowa stała prądu diody (efekt wstępnej polaryzacji
napięciem stałym lub/i efekt doprowadzenia sygnału
mikrofalowego).

AKR 23
Temat:
DETEKTORY MIKROFALOWE
AKR MTTM

Względna temperatura szumu śrutowego jest opisana

zależnością:
Rb ∙tb +Rs
tw = (13)
Rb +Rs

Współczynnik tw mieści się w przedziale 0,6 – 1. Często przyjmuje

się, że:
tw = 1 (14)
Ponieważ poziom szumu migotania rośnie przy małych
częstotliwościach więc jest nazywany często szumem 1/f.

AKR 24
Temat:
DETEKTORY MIKROFALOWE
AKR MTTM

Uwzględniając wszystkie wspomniane wyżej składniki szumów

można zapisać związek:
fn
t= tw + f (15)
gdzie fn jest nazywana częstotliwością odcięcia szumu migotania.

AKR 25
Temat:
DETEKTORY MIKROFALOWE
AKR MTTM

Wartość fn mieści się zwykle w granicach 100 Hz – 10 MHz i jest

zależna od: rodzaju diody, zastosowanej technologii oraz od
wartości prądu Io (składowa stała prądu diody).
Do określania fn można stosować zależność:
fn ≈ K i ∙ Io (16)
gdzie:
Ki – stała z przedziału 0,1 – 50 Hz/A.
Dla diody bez polaryzacji wstępnej można zapisać:
fn ≈ K p ∙ Io (17)
gdzie:
Kp – stała zależna od rodzaju diody i rezystancji RL.

AKR 26
Temat:
DETEKTORY MIKROFALOWE
AKR MTTM

Wydajność prądową źródła szumów wewnętrznych din diody

(Rys. 7.) można wyznaczyć z zależności:
2 4∙t∙k∙T∙B
𝛿𝑖𝑛 = (18)
Rv

To pozwala na zdefiniowanie kolejnego parametru diody jakim jest

moc równoważna szumom NEP (ang. Noise Equivalent Power).
Jest to moc mikrofalowa, przy której dla pasma o szerokości
B=1 Hz prądy obu źródeł, t.j. di i din występujących w obwodzie
zastępczym detektora (Rys. 7.) są sobie równe.
δin
NEP = (19)
β

AKR 27
Temat:
DETEKTORY MIKROFALOWE
AKR MTTM

Wartość NEP jest zależna, między innymi, od:

- częstotliwości detekowanego sygnału mikrofalowego,
- częstotliwości modulacji detekowanego sygnału mikrofalowego,
- prądu polaryzacji.
Wartości NEP mieszczą się zwykle w przedziale od około -70 dBm
do około -90dBm.
W celu zmniejszenia wpływy szumów 1/f na proces detekcji
amplitudowej można zastosować modulację amplitudy sygnału
mikrofalowego sygnałem m. cz. o częstotliwości fm z przedziału około
1 - 100 kHz.
Generalnie, im pasmo toru po detektorze będzie szersze tym czułość
będzie mniejsza, gdyż większy będzie udział niepożądanych szumów w
uzyskanym sygnale wyjściowym.

AKR 28
Temat:
DETEKTORY MIKROFALOWE
AKR MTTM

Parametrem detektora uwzględniającym pasmo toru

wyjściowego (m.cz.) jest czułość styczna detektora TSS (ang.
Tangential Signal Sensitivity). Zwykle TSS jest wyrażana w dBm.
TSS jest wartością mocy mikrofalowego sygnału na wejściu
detektora wywołującą na wyjściu detektora sygnał m.cz. styczny
na tle szumu.
TSS jest oceniana przy użyciu oscyloskopu (przykład na
rysunku 8).

AKR 29
Temat:
DETEKTORY MIKROFALOWE
AKR MTTM

a) b)

UWyDet (t) UWyDet (t)

t t

Rys. 8. Przebiegi czasowe napięcia wyjściowego detektora

mikrofalowego w procesie pomiaru czułości stycznej (TSS),
a) przebieg szumu własnego detektora (przy braku sygnału
mikrofalowego we wrotach wejściowych detektora),
b) napięcie wyjściowe z nałożonym szumem własnym detektora, gdy
moc Pwe amplitudowo modulowanego sygnału na wejściu detektora
spełnia warunek Pwe = TSS

AKR 30
Temat:
DETEKTORY MIKROFALOWE
AKR MTTM

UWyDet (t)

Gdy zdetekowany sygnał jest styczny na tle szumów to

stosunek mocy sygnału do mocy szumów jest równy 2,5 (4 dB w
mierze logarytmicznej).
Związek wartości TSS i NEP można wyrazić zależnością:
TSS = NEP + 4 + 5 ∙ logB (20)
gdzie:
B – pasmo toru wyjściowego detektora mikrofalowego
wyrażone w [Hz].
AKR 31
Temat:
DETEKTORY MIKROFALOWE
AKR MTTM

Wartość TSS danego detektora mikrofalowego jest zależna od

szerokości pasma B toru obserwacji przebiegu napięcia wyjściowego
detektora mikrofalowego.
Elementami tego toru jest między innymi wzmacniacz m.cz. oraz
oscyloskop
W efekcie, im szerokość pasma obserwacji napięcia wyjściowego
detektora będzie szersza tym wartość TSS tego detektora będzie gorsza
(poziom mocy oznaczający TSS będzie większy).
Z tego powodu szerokość pasma B przyrządu wyznaczającego TSS,
jest bardzo ważna przy porównywaniu wartości TSS różnych detektorów
mikrofalowych.

AKR 32
Temat:
DETEKTORY MIKROFALOWE
AKR MTTM

-50 TSS
[dBm]
-52

-54 12 GHz

-56
8 GHz
-58 B=2 MHz
5 GHz RL=10 k
-60 3 GHz
IP [uA]
-62
5 10 20 50 100 200 500

Rys. 9. Przykładowa rodzina charakterystyk czułości stycznej detektora

mikrofalowego w funkcji prądu polaryzacji wstępnej Ip dla różnych
częstotliwości sygnału mikrofalowego oraz dla określonej wartości
rezystancji obciążenia RL i szerokości B pasma pomiarowego m.cz. na
wyjściu detektora

AKR 33
Temat:
DETEKTORY MIKROFALOWE
AKR MTTM

-50 TSS
[dBm]
-52

-54 12 GHz

-56
8 GHz
-58 B=2 MHz
5 GHz RL=10 k
-60 3 GHz
IP [uA]
-62
5 10 20 50 100 200 500
Jak wynika z przebiegów zamieszczonych na rysunku 9, wartość
TSS jest zależna od częstotliwości wejściowego sygnału mikrofalowego
oraz od wartości prądu polaryzacji wstępnej.
Istnieje optymalna wartość prądu IP=IPopt przy której TSS jest
najlepsza (wartość liczbowa najniższa). Ze wzrostem częstotliwości
detekowanego sygnału mikrofalowego wartość IPopt rośnie.

AKR 34
Temat:
DETEKTORY MIKROFALOWE
AKR MTTM

Kolejnym ważnym parametrem detektora mikrofalowego jest

dynamiczny zakres pracy.
Jest to taki przedział mocy detekowanego sygnału mikrofalowego, w
którym efektywna czułość napięciowa gp detektora jest stała (nie zmienia
się poza dopuszczalne granice).
Od dołu zakres dynamiczny jest określony poziomem TSS.
Natomiast górną jego granicę określa koniec kwadratowego odcinka
charakterystyki przejściowej detektora.
W tak określonym zakresie dynamicznym detekcja amplitudowa
sygnałów z modulacją amplitudy (mocy) będzie odbywała się bez
zniekształceń.

AKR 35
Temat:
DETEKTORY MIKROFALOWE
AKR MTTM

Na rysunku 10 przedstawiono przykład konstrukcji detektora

mikrofalowego w wersji falowodowej.
Koncentryczny filtr dolnoprzepustowy jest ogniwem o kształcie PI
składającym się z dwóch równoległych pojemności (C1 i C2), pomiędzy
które jest włączona szeregowa indukcyjność (L1).
KONCENTRYCZNY
FILTR RL
DOLNO-PRZEPUSTOWY
C2 RUCHOMY
L1 ZWIERAK
C1 RF

UCHWYTY
FALOWÓD DIODA ZACISKÓW
PROSTOKĄTNY DIODY

Rys. 10. Konstrukcja detektora mikrofalowego w wersji falowodowej

AKR 36
Temat:
DETEKTORY MIKROFALOWE
AKR MTTM

Przykładową konstrukcję detektora wykonanego na bazie obwodu

drukowanego pokazano na rysunku 11.
METALIZACJA (MASA)
DIODA
PODŁOŻE
DIELEKTRYCZNE C1

R1 R2 L C2

TRANSFORMATOR
IMPEDANCJI RL

Rys. 11. Konstrukcja detektora mikrofalowego w technologii MUS

w technologii NLP (przykład)
AKR 37
Temat:
DETEKTORY MIKROFALOWE
AKR MTTM

METALIZACJA (MASA)
DIODA
PODŁOŻE
DIELEKTRYCZNE C1

R1 R2 L C2

TRANSFORMATOR
IMPEDANCJI RL
a)
R2 D L

Z0 Z0T R1 C1 C2 RL

b)
Rys. 12. Schemat zastępczy detektora mikrofalowego (u dołu)
przedstawionego na rysunku 11 (u góry).
AKR 38
Temat:
DETEKTORY MIKROFALOWE
AKR MTTM

METALIZACJA (MASA)
DIODA
PODŁOŻE
DIELEKTRYCZNE C1

R1 R2 L C2

TRANSFORMATOR
IMPEDANCJI RL

Detektory mikrofalowe są również wykonywane w technologii linii

koncentrycznej. Przekrój poprzeczny detektora mikrofalowego
wykonanego w technologii linii koncentrycznej jest bardzo podobny do
struktury przedstawionej na rysunku 11.
Przewód zewnętrzny linii koncentrycznej jest odpowiednikiem
metalizacji na rysunku 11, a przewód środkowy linii koncentrycznej jest
odpowiednikiem ścieżki widocznej w środkowym obszarze struktury
pokazanej na rysunku 11.
AKR 39
Temat:
DETEKTORY MIKROFALOWE
AKR MTTM

Przykłady detektorów mikrofalowych

a) b)
Detektor mikrofalowy w obudowie, bez polaryzacji wstępnej (zero bias),
złącze wejściowe (mikrofalowe) – APC:
a) tulejka łącząca złącza APC wsunięta,
b) tulejka łącząca złącza APC wysunięta,
złącze wyjściowe (m.cz.) – BNC gniazdo

AKR 40
Temat:
DETEKTORY MIKROFALOWE
AKR MTTM

Detektor mikrofalowy w obudowie (zero bias),

złącze wejściowe (mikrofalowe) – N wtyk,
złącze wyjściowe (m.cz.) – BNC gniazdo

AKR 41
Temat:
DETEKTORY MIKROFALOWE
AKR MTTM

Detektor mikrofalowy w obudowie (zero bias, po prawej) z zewnętrznym

obciążeniem rezystancyjnym (po lewej),
złącze wejściowe (mikrofalowe) – N wtyk,
złącze wyjściowe (m.cz.) – BNC gniazdo

AKR 42
Temat:
DETEKTORY MIKROFALOWE
AKR MTTM

a) b) t

a) Detektor mikrofalowy w obudowie (zero bias, fragment po prawej) z

dołączonym zewnętrznym obciążeniem rezystancyjnym (fragment po
lewej),
złącze wejściowe (mikrofalowe) – N wtyk,
złącze wyjściowe (m.cz.) – BNC gniazdo
b) Impuls wyjściowy: bez zewnętrznego obciążenia rezystancyjnego
(linia ciągła), z zewnętrznym obciążeniem rezystancyjnym (linia
przerywana).

AKR 43
Temat:
DETEKTORY MIKROFALOWE
AKR MTTM

Detektor mikrofalowy w obudowie (zero bias),

złącze wejściowe (mikrofalowe) – SMA wtyk,
złącze wyjściowe (m.cz.) – BNC gniazdo,
(oznaczenie polaryzacji napięcia wyjściowego – NEGATIVE)

AKR 44
Temat:
DETEKTORY MIKROFALOWE
AKR MTTM

Detektor mikrofalowy w obudowie (zero bias, pasmo pracy: do 26 GHz),

złącze wejściowe (mikrofalowe) – SMA wtyk,
złącze wyjściowe (m.cz.) – BNC gniazdo,

AKR 45
Temat:
DETEKTORY MIKROFALOWE
AKR MTTM

Detektor mikrofalowy z polaryzacją wstępną i ze wzmacniaczem

wyjściowym m.cz.,
lewa strona złącze wejściowe (mikrofalowe) – SMA gniazdo,
prawa strona złącze wyjściowe (m.cz.) – SMA gniazdo

AKR 46
Temat:
DETEKTORY MIKROFALOWE
AKR MTTM

a) b)

Detektor mikrofalowy z polaryzacją wstępną i ze wzmacniaczem

wyjściowym m.cz.,
a) widok ogólny
b) powiększony fragment z diodą mikrofalową

AKR 47