2021 年 第 4 期 光 通 信 研 究 2021.

08
总第 226 期 STUDY ON OPTICALCOMMUNICATIONS (
Sum. No.226)

i:
do 13756/
10. j.t
gxy
j.2021.
04.
010 光电器件研究与应用

硅光调制器与单模光纤高效耦合技术研究
谭忠祥1,2 ,傅焰峰2 ,胡胜磊2 ,王 宁3 ,张德川3 ,肖 希1,2
(
1.武汉邮电科学研究院,武汉 430074; 2.国家信息光电子创新中心,武汉 430074;
3.武汉光迅科技股份有限公司,武汉 430205)

摘要:针对硅光芯片在应用中由于其模场较小存在耦合损耗较大的问题,文章 利 用 一 款 硅 光 调 制 器 芯 片 对 其 与 单 模 光 纤 的 耦
合效率进行了研究。首先对模场匹配理论进行了分析,随后对硅光芯片以及 耦 合 用 的 单 模 光 纤 进 行 了 模 场 测 试,提 出 了 一 种
提高耦合效率的低成本耦合方式。实验结果表明,该单模光 纤 与 硅 光 芯 片 的 耦 合 效 率 达 到 70% 。 利 用 该 方 案 制 作 了 光 组 件
并进行了四阶脉冲幅度调制 (PAM4)眼图测试,得到了较好的眼图。
关键词:硅光芯片;硅波导;耦合效率;单模光纤
中图分类号:TN29 文献标志码: A 文章编号:1005
-8788(
2021)
04-
0050
-06

Hi
ghEf
fic
ienc
yCoupl
ingTechno
logyo
fS i
lic
onPhot
oni
cModu
lat
or
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ngl
e-modeOptic
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ang1 2 ,FUYan eng2 , i2 ,WANG Ni
ng3 ,ZHANG Dechuan3 ,XIAOXi1 2
, ,
TANZhong
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(
1.WuhanResearchIns
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tions ,Wuhan430074,Ch
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2.
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r Wuhan430074 Ch ina;
3.Accel
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ogiesCo.,Lt d.,Wuhan 430205,Ch ina)

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Keywo rds:s i
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calchip;sili
conwavegu ide;couplinge ffi
ciency;s inglemodef iber

模场失配,会 导 致 耦 合 效 率 较 低 [4]。如 果 采 用 小 模
0 引 言
场光纤的话,对于批量生产会有成本上的困扰,另外
随着 通 信 速 率 的 不 断 提 高,尤 其 是 现 在 处 于 第 在目前光纤的使用中可以通过研磨等方式在单模光
五代 移 动 通 信 (
5th Gene
rat
ion Mob
ile Ne rks,
two 纤前端进行加工处理,对光纤的模场进行改善,但是
5G)建 设 的 关 键 阶 段,将 极 大 提 高 通 信 设 备 的 用 都有时间和成本上的困扰。
量 [1],这也就对通信设备的成本提出了要求,而降低
通信设备中价格高的光芯片的成本也成为了一个重
1 S
IP 调制器调制原理及结构
要 的 研 究 课 题 [2]。 硅 光 (
Sil
iconPho
ton
ic,S
IP)芯 本文中的 S
IP 调制芯片采用的是马赫曾德尔调
片集成工 艺 平 台 与 现 有 的 互 补 金 属 氧 化 物 半 导 体 制器,其 调 制 方 式 是 将 光 束 通 过 一 个 3dB 耦 合 器,
(Comp
lemen
tar
y Me
tal Ox
ide Semi
conduc
tor, 入射光被 分 为 两 束 等 强 度 的 光 分 别 进 入 两 个 调 制
CMOS)工艺完全兼容的优点,非常利于大规模光子 臂,两 个 调 制 臂 采 用 反 向 偏 置 正 负 极 (
Pos
iti
ve-
芯片的加工,具有极大的成本优势,同时硅材料的机 Nega
tive,PN)结,调节不同的电压会产生相位的变
械性能和耐高温性能也非常好,便于加工与封装 [3]。 化 [5]。经过调制臂 后 两 束 光 合 束 在 一 起,当 两 束 被
S
但同时,IP 芯片在应用中还存在一些 问 题,由 于 硅 调制的光合并时,两个臂的相差就转换为振幅调制,
波导的尺寸为220nm×500nm,而普通单模光纤的 从而实现电信号到光信号的转换。S
IP 调 制 器 的 结
模场直径为 9μm,
SIP 芯片与单模 光 纤 存 在 较 大 的 构如图 1 所示。

收稿日期:2020
-11
-09
2019YFB2205201;
基金项目:国家重点研发计划资助项目( 2019YFB2205203)
1992- ),男,四川绵阳人。硕士,主要研究方向为光模块与光器件。
作者简介:谭忠祥(
通信作者:谭忠祥,硕士。E-ma
il:
506453593@qq.
com

50
 谭忠祥 等: 硅光调制器与单模光纤高效耦合技术研究

∫
+¥ 1 1
2 , (
4)
2
e- (w210 ) r πdr2 =
+ 2
w
w20 w10
20
0
进光口 出光口 +
w10 w20
推出耦合效率的化简公式为

∬
4 , (
耦合器 η=| E1 ·E2 dS| = æw
* 2
5)
3 dB 调制臂 ç
+
w10 ö÷ 2 20

èw10 w20 ø
图1 S
IP 调制器结构 上式中模场都为圆 形,若 模 场 光 斑 为 矩 形 或 不 规 则
本文的耦合结构是在进光口端用光纤将 形状,则其耦合效率公式为

1310nm的横电 (
Transve
rseEl
ect
ric,
TE)波 模 式 4 , (
η= æw 6)
x1 wx2 ö æwy1 wy2 ö÷
的光耦合进入芯片,在接收端用单模光纤接收。 ç
+ ÷ ç
+
èwx2 wx1 ø èwy2 wy1 ø
y 为垂直方向 ;
[
8]
2 端面耦合效率分析及实验验证 式中:x 为水平方向; wx1 为出光水
平方向模场半径; wx2 为接收 端 水 平 方 向 模 场 半 径;
目前 S
IP 芯片的耦合方式主要有端面耦合和光
wy1 为出光垂直方向模场半径; wy2 为接收端垂直方
栅耦合两种,本文所 提 S
IP 芯 片 采 用 的 是 端 面 耦 合 向模场半径。
方式 [6]。如果不考 虑 角 度 失 配、轴 心 错 位 和 物 理 变
对本文所使用的单模光纤和 S
IP 芯片分别进行
形等因素的影响,单 模 光 纤 与 芯 片 之 间 的 端 面 耦 合
模场测试,其测试框架图如图 2 所示。
损耗主要来自于模场失配 [7]。耦合效率η 的计算使
用重叠积分算法:
参考距离
∬
| E1 ·E dS|
*
2
2
激光器 1 310 nm 模斑
η= , (
1)
探测仪
∬E ·E dS∬E ·E dS
* *
1 1 2 2 SIP 调制器
式中:E1 和 E2 分别为两 束 光 在 被 积 平 面 上 的 电 场 （a ） 测试结构

分布(包括强度与相位); E1* 和 E2* 分别为 E1 和 E2

S 为积分面积。
的共轭;
单模 激 光 器、光 纤 和 波 导 等 元 件 的 远 场 分 布 可
近似用高斯分布描述如下:

2 1 - (wr(z)) 2 i[k (z+2Rr(z)) -arctanπλwz2 ] ,

2

E(
r,z)= e e
π w(
z)
0

(2)
z 为束腰距离;
式中: w(z)为 z 处的光斑半径; r为
（b ） 实际测试台
出光半径;e为自然 常 数;
i为 复 数;λ 为 波 长;
k 为波
图 2 模场测试框架
R(
数; z)为在距离z 处的波导半径;
w0 为束腰半径。
采用 1310nm 光源,芯片的进光口采用单模光
两个无任何平移和角度偏移的光场的耦合效率
纤将光耦合进入芯片,经过待测件,进入模斑测试仪
为
的接收口。待测件放置于带有位置调节功能的调节

∬E ·E dS =∬
2 1 - (wr ) 2
*
e 10 × 台,本文采 用 的 是 六 维 微 调 架,其 最 小 调 节 度 量 为
π w10
1 2

10μm。测试得到 的 光 纤 与 S
IP 芯 片 的 远 场 模 斑 如
2 1 - (wr ) 2
e 20 dS , (
3) 图 3 所示。由图可 知,S
IP 芯 片 在 远 场 Y 方 向 的 模
π w20
式中:w10 为出射光的束腰半径; 场直径比 X 方向大。
w20 为接收端的 束
腰半径。 下面 以 S
IP 芯 片 的 模 场 测 试 为 例 进 行 模 场 计
将积分 面 元 换 算 成 半 径 上 的 积 分 面 元 dS = 算,高斯光束如图 4 所示。图中,W 0 为高斯光束的

r2 ,
πd W Z 为当前高斯光束的光斑直径,两者 之
束腰直径,

∬E ·E dS = π w
间的关系为
* 2 1 1
1 2 ×
10 w20 W Z =W 0 1+ (
Zλ/πW 2
0) ,
2
(
7)
51
 光通信研究 2021 年 第4期 总第 226 期

Y 利用该数据分别对 X 和Y 方向拟合出曲线,如
图 5 所示。
2 800
4 400
y=480.70x+1 480.40
2 400 4 000
X
3 600
x 2 000 3 200

X/滋m

Y/滋m
y=275.27x+934.02 2 800
1 600 2 400
（a ） 单模光纤-二维 （b ） 单模光纤-三维 1 200
2 000
Y 1 600
1 200
0 1 2 3 4 5 6
SIP 移动距离 /mm
图 5 模场拟合曲线
X
该曲线 与 X 轴 的 交 点 即 为 束 腰 所 在 位 置,令
x
y =0 即可计算出 x 的值。经计算,该 SIP 芯片 X 方
03 μm,
向的模 场 半 径 为 3. Y 方向的模场半径为
（c ） SIP 芯片-二维 （d ） SIP 芯片-三维 71μm。利用上述测试方 法 测 试 了 其 他 几 组 数 据,
1.
图 3 模斑测试结果
根据测试数据计算出测试的模场数据如表 2 所示。
式中,Z 为测试光斑与束腰的距离。 表 2 模场测试值
待测件 模场半径 X/μm 模场半径 Y/μm
WZ
单模光纤 4.
50 4.
51
S
IP 3.
03 1.
71
S
IP 匹配液 3.
53 2.
26

单模光纤在规格书上给出的模场直径为 9μm,
测量值与其相符。S IP 芯片在进出的光 口 进 行 了 模
W0 Z

图 4 高斯光束 Spo
斑变换器( tSi
zeConve
rtr,SSC)设计,将本来
e
当 Z l/pW 2 较小的模场转换为 较 大 模 场。 根 据 式 (
6)计 算 出 理
0 远远大于 1 时, 7)就近似为
式(
论上的不带匹配液 S
IP 芯片与单模光纤的耦合效率
W Z =Zλ/πW 0 。 (
8)
4% ,带匹配液 S
为 61. IP 芯片与单模 光 纤 的 耦 合 效
利用上述公式计算,需 要 知 道 Z 值 以 及 对 应 的 模 斑
7% 。为提升耦合效 率,提 出 一 种 低 成 本 的
率为 77.
尺寸 W Z ,模斑尺寸可 以 通 过 模 斑 测 试 仪 直 接 读 出,
耦合方式,其结构如图 6 所示。
由于在搭建 测 试 台 位 时 不 能 精 确 地 测 量 出 Z 的 距
离,在模斑测试仪与束腰之间还有一个参考距离,如 紫外胶水 单模光纤
图 2(
a)所示,于是测量了一 组 数 据 计 算 出 该 参 考 距
SIP 芯片
离,具体数据如表 1 所示。
SSC
表1 S
IP 芯片模场测试数据
S
IP 移动距离/mm X/μm Y/μm
0 935 1503
0.5 1071 1725 图 6 低成本耦合结构
1.0 1203 1949 S
该耦合结构 由 单 模 光 纤、IP 芯 片 和 紫 外 胶 水
1.5 1349 2192
构成。将单模光纤 去 掉 一 部 分 涂 覆 层,紫 外 胶 水 外
2.0 1487 2416
2.5 1623 2681 挂于单模光纤的端 面 上,由 于 表 面 张 力 形 成 顶 点 偏
3.0 1761 2918 S
离中心向下的弧面,然后固化紫外胶,IP 芯 片 上 的
3.5 1907 3187
SSC 结构端 面 与 外 挂 紫 外 胶 水 的 单 模 光 纤 水 平 对
4.0 2025 3405
5.0 2312 3930 齐,调节单 模 光 纤 的 距 离 使 出 光 功 率 达 到 最 佳 值。
6.0 2631 4495 点胶让光纤端面形成一个向外凸的弧形达到汇聚光
52
 谭忠祥 等: 硅光调制器与单模光纤高效耦合技术研究

束的作用,光路如图 7 所示,图中,
n1 为紫外胶的折
低 TI
5,
射率,约为 1. 0。
n2 为空气折射率,其值为 1.

n2
n1

二维 三维
图 7 光路汇聚
高 TI
根据折射定律公式
n1s
inA =n2s
inB , (9)
式中:A 为入射角;B 为出射角。由于n1 >n2 ,所以
出射角B 就必须大于入射角 A,从而使光束汇聚,使 二维 三维
出光的模场变小,这 样 就 使 得 S
IP 芯 片 与 单 模 光 纤 图 9 点胶后模场测试光斑
之间模场更加匹配,同时其折射率与光纤纤芯相近, 率为 81% 。为了验证,进行了对比实验。
由界面带来的反射几乎不存在 [
9]
。上述理论结构除 实验方案:用 1310nm 光源连接单模光纤进光
了对紫外胶水的折 射 率 有 要 求 外,还 对 紫 外 胶 水 的 口,通过上述实施方案测试端面点胶的实验数据;然
Th
触变指数( i
xot
r ndex,
opyI TI)有 要 求,触 变 是 衡 后换一组 相 同 插 损 的 单 模 光 纤 不 点 胶 测 试 实 验 数
量胶黏剂点胶性能 的 重 要 参 数,这 是 一 个 约 定 俗 成 据,整体实验数据如表 3 所示。
5r
的规定,通 常 TI =0. pm 粘 度/5.
0rpm 粘 度。 表 3 低成本耦合方式下的实验数据
0.
5rpm粘 度,静 态 粘 度,是 液 体 开 始 流 动 的 粘 度, 激光器 芯片出光 芯片出光
越大越不容易 滴 胶; 5.0rpm 粘 度,动 态 粘 度,液 体 功率/dBm (未点胶)
/dBm (点胶)
/dBm
流动起来的粘度,越 小 越 容 易 点 胶 操 作。 一 些 场 合 1 -9.4 -8.5
2 -8.3 -7.7
下,也会 规 定 10.
0rpm 粘 度/1.
0rpm 为 TI,在 点 3 -7.5 -6.3
胶时,理论 上 希 望 静 态 粘 度 比 较 大,动 态 粘 度 相 对 4 -6.2 -5.1
小,即高触变,但也不是越高越好,根据实际应用,找 5 -5.9 -4.4
6 -4.8 -3.8
到一个对应的区间。本文选用了两种同折射率不同
7 -4.0 -3.2
TI的紫外胶水进行了对比实验,分别将单模光纤的 8 -1.9 -1.2
端面点上两种紫外胶水,实际状态如图 8 所示。 9 -1.5 -0.6
10 -0.4 0.8
表面几乎 11 0.8 1.5
为平面 12 1.7 2.9
13 2.3 3.7
14 3.7 4.8
低 TI 点胶单模光纤 15 4.5 5.6
经过上述实验 数 据 对 比,如 图 10 所 示,在 单 模
表面形成
弧度 光纤端面点胶的耦合效率提升了 1dB。
未点胶单模光纤 6
4
2
高 TI 点胶单模光纤
出光功率/dBm

0
图 8 单模光纤点胶状态 -2
分别用其模场测试光斑,结果如图 9 所示。 -4
-6
测试数据根 据 式 (
7)~ (
8)计 算 得 到 低 TI 值, 芯片出光 （未点胶 ）
其在 X 方向上的模场半径为 4. 71μm,在Y 方向上
-8
芯片出光 （点胶 ）
-10
60μm,几乎没有改善。高 TI值在
的模场半径为 4.
0 2 4 6 8 10 12 14 16
激光器功率/dBm
30μm,在 Y 方 向 上 的 模 场
X 方向上模场半径为 4. 图 10 芯片出光曲线
25μm。根据式(
半径为 4. 6)计算,理论上的耦合效
53
 光通信研究 2021 年 第4期 总第 226 期

本文 通 过 直 波 导 测 试 单 模 光 纤 的 实 际 损 耗,得 试,在 S
IP 芯片的两 个 调 制 臂 上 通 过 一 个 驱 动 芯 片
到实验数据如表 4 所示。 加载上射频信号,其结构如图 12 所示。
表 4 耦合损耗
进光/dBm 出光/dBm 损耗/dB
光组件 驱动 测试板
1 -2.
2 3.
2

2 -1.
1 3.
1 图 12 测试组件结构图
3 -0.
1 3.
1
在实验室搭建测试机台,眼 图 测 试 架 构 如 图 13
4 1.
1 2.
9
5 2.
0 3.
0 所示。
6 2.
8 3.
2
BERT
7 4.
1 2.
9
8 5.
0 3.
0
射频线 光纤
1 310 nm
偏振控制器 待测组件
直波导耦合损耗曲线如图 11 所示,实验数据分 DFB

析其进出两个端口带匹配 液 的 总 损 耗 为 3dB,单 端 CDR模块

5dB,计 算 出 其 耦 合 效 率 为 70.
损耗约为 1. 8% ,这 射频线 分光器
个结果非常符合理论值。 示波器
6 9 图 13 眼图测试架构图

5 采用 1310nm 的 分 布 式 反 馈 激 光 器 (
Dis
tri
bu-
t
edFe
edba
ckLa
ser,DFB)作为光源,本文所提 S IP
6
光功率/dBm

4
损耗/dB

组件芯片是偏振相 关,通 过 偏 振 控 制 器 调 节 光 的 偏
3 3
振状态。配 置 误 码 测 试 仪 (
BitEr
rorRa
teTe
str,
e
2
损耗 0 BERT)产生4 路26.5625Gb i
t/s信号,码型设置成
1 输入 PRBS2E15
-1 NRZ。 配 置 OPTICAL 时 钟 数 据 恢
输出
ClockDa
taRe
covery,
CDR)设 备 锁 定 模 块 输 出
0 -3 复(
1 2 3 4 5 6 7 8
器件编号 53GbuadPAM4 光 信 号,并 输 出13.
28125Gb i
t/s
图 11 直波导耦合损耗曲线 时钟信号 到 采 样 示 波 器,从 数 据 通 信 分 析 仪 (
Dat
a
Commun
ica
tion Ana
lyz
er,DCA)上 的 PAM4 眼 图
3 眼图测试架构及结果 中记录 ER 和 TDECQ 值,从 功 率 计 上 记 录 功 率 值
传统的不归零码 (
Non
-re
turn
-to
-ze
ro,NRZ)调 并加上 校 准 的 损 耗 值 为 实 际 输 出 光 功 率。PAM4
制方式,其每个信号符号周期只能传输 1b i
t的逻辑 测试眼图如图 14 所示。
信息,已经不能满足需求,在这个基础上提出了 4 阶
脉冲幅 度 调 制 (
4-Leve
lPul
seAmp
lit
ude Modu
la-
t
i ,
on PAM4)的调制方式, 其在每个符号周期可以表
示 2b
it的逻辑信 息,这 样 在 相 同 的 波 特 率 下,其 吞
吐量就是 NRZ 的 两 倍 [10]。 衡 量 PAM4 调 制 信 号
质量的一 个 重 要 参 数 就 是 发 射 色 散 眼 图 闭 合 四 相
(Transmi
tte
randDi
spe
rsi
onEyeCl
osur
e Qua
ter
-
nay,
r TDECQ),它是用来衡量发射机在一定条件下
与理想发射机测试 出 来 的 灵 敏 度 差 异;其 次 是 消 光
图 14 PAM4 测试眼图
比 (
Ext
inc
tionRa
tio,
ER),它是 影 响 光 纤 系 统 的 一
个重要参 数,定 义 为 全 “1”码 平 均 发 送 光 功 率 与 全 TDECQ 值为 2. 01dB, 60dB,根 据
ER 值 为 4.
“
0”码平均发送光功率之比,它直接影响光接收机的 100 G-FR4 Lambda MSA 发 射 端 参 数 要 求 的
灵敏度。 TDECQ ≤3. 4dB 和 ER ≥3.5dB 可知,该组件完
本文 根 据 上 述 耦 合 结 构 制 作 S
IP 组 件 进 行 测 全符合其标准。

54
 谭忠祥 等: 硅光调制器与单模光纤高效耦合技术研究

[
2] Sho
jiT,Tsuch
izawaT,Wa
tanabeT,
eta
l.Low Lo
ss
4 结束语 Mode Siz
e Conver
terfrom 0.3 μm Square Si
Wavegu
idest
oS ing
le Mode F
ibr
e [ ]
s J .El
ect
ron
ics
光 模 块 的 发 射 光 功 率 直 接 影 响 网 络 通 信 质 量,
Le
tte
rs,2002,38(
25):
1669-1670.
耦合效率高低直接影响到发射端眼图。本文提出的
[
3] 郭进,肖志雄,冯俊波,等 .硅光工 艺 特 殊 性 分 析[
J].
低成本耦合结构,以模场匹配理论为依据,实验验证
微纳电子与智能制造,2019(
3):48-54.
其有效地解决了 S
IP 调制器芯片在光模块应用中损 [
4] ZhuL,Yang W,Chang
-Ha
sna
inC.Ve
ry Hi
ghEf
fi-
耗大的问题,提升了发射光功率,在现有基础上将耦
c
iency Op
tic
al Coup
lerf
orS
ili
con Nano Pho
ton
ic
合效率提升了 1dB,可有效 降 低 所 需 激 光 器 的 输 出 Wavegu
ideandS
ing
le ModeOp
tic
alF
i r[
be J].Op
tic
s
光功率,从而降 低 光 模 块 的 生 产 成 本。 该 耦 合 方 案 Exp
res,2017,25(
s 15):
18462-18473.
简单易操作,节省了透镜和特殊芯片工艺,在大量生 [
5] 贺健 .高速通信中硅基 光 电 子 MZ 调 制 器 驱 动 电 路 的
产时具有成本优势。本文提出的高效耦合方式在大 D].西安:西安理工大学,
研究[ 2019.
批量制作时存在点 胶 一 致 性 的 问 题,在 实 际 生 产 过 [
6] 周砚扬 .硅基马赫曾德尔电 光 调 制 器 的 高 速 电 路 研 究
[
D].上海:上海交通大学,
2014.
程中需要对胶水进 行 细 致 的 选 型,尤 其 要 关 注 折 射
[
7] 毛虎,吴恒锋 .高斯光 束 传 输 理 论 在 半 导 体 激 光 器 耦
率与 TI这两个点,同 时 要 保 持 点 胶 工 艺 的 一 致 性,
J].半导体光电,2001(
合中的应用[ 5):
359-361.
才能在光纤表面形成合格的面型。随着 S
IP 应用技
[
8] 刘宏展,刘立人,徐荣伟,等 .矩阵理论在半 导 体 激 光
术的不 断 成 熟,本 文 所 提 耦 合 方 案 有 望 在 未 来 的
器耦合中的 应 用 [
J].光 学 学 报,2005,25(
6):
825-
S
IP 模块中获得广泛运用。 828.
[
9] 王铭杰 .平面光波导与光纤阵列的耦合封装研 究[
D].
参考文献: 2013.
大连:大连理工大学,
[
1] 周天宏,马卫东 .光通信器件的发展历史,现状与趋势 [
10]金 琦,胡 毅 .100/400 Gb
it/sPAM4 光 收 发 模 块 的 技
[
J].科技导报,2016,34(
16):
13-19. J].光通信研究,2016(
术分析[ 2):
33-36.

췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍
(上接第 35 页)

对调试两端镜头的 相 对 位 置 对 准 的 问 题,采 用 大 面 J].信息通信,

究[ 2019(
5):
275-277.
积的 APD 获得了更高的光功率,提高了对准效率。 [
4] 刘晖 .自 由 空 间 激 光 通 信 系 统 研 究 [
D].武 汉:华 中 科

针 对 不 同 接 收 光 功 率 的 BER,对 于 1 km 2005.
技大学,
[
5] Eyyubog
lu H T,Bayka
lY,Se
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2.
5Gbi/s的 信 号 传 输,在 光 功 率 为 27dBm 左 右
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时,可以稳定无误码传输,测试了大气湍流对于光功
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J]. Op
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率的影响,即光束在传输后会逐渐靠近类高斯光束。
Commun
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tions,2006,265(
2):
399-405.
虽然 实 验 基 本 符 合 预 期 要 求,但 还 是 存 在 一 些 [
6] Abde
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shiK,KohsukeN,e
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可以改进的问题。 比 如:如 何 自 动 实 现 点 对 点 的 激 me
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光捕获,以及在实际的通话中,服务器是否可以容纳 8K UHD Vi
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很多用户同时通信,提 高 激 光 的 接 收 和 发 射 效 率 等 Conne
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等,这些问题需 要 深 入 地 研 究 和 改 进。 相 信 随 着 光 2018,
36(
18):
3988-3998.
电技术的发展,激光网桥的技术会得到长足的进步, [
7] SungG M,Wang H K,L
iZY.Ha
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并且会在通信领域起到重要的作用。 FPGAf
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参考文献: a
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pe iwan :
IEEE,
2018:
1-4.
[
8] Bekka
liA,
Kobaya
shiT,
Nish
imu
raK,
eta
l.Re
al-Time
[
1] 丛妍 .无 线 激 光 网 桥 系 统 研 究 [
D].长 春:长 春 理 工 大
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2019.
学,
[ and96 GHz Wi
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J].IEEE Pho
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2] 罗强 .点对 点 无 线 网 桥 的 设 计 与 实 现 [
D].南 京:东 南
2004.
大学, Te
chno
logyLe
tte
rs,2017,
29(
1):
15-18.

[
3] 姜松,张敏 .弱湍流环境下自由空间光通信系 统 性 能 研
55