‫]‪[Type here‬‬

‫מס' ת‪.‬ז‪.‬‬

‫סמסטר ב' תשפ"ב‬

‫מבחן מועד ב'‬
‫מועד המבחן‪31/07/2022 :‬‬
‫משך המבחן‪ 3 :‬שעות‬

‫פתרון מבחן מועד ב' בקורס "התקנים אלקטרוניים מתקדמים" ‪0512-4705‬‬

‫ד"ר גדעון שגב‪ ,‬מור פייגנבאום‪-‬רז‪ ,‬כיאן קעדאן‪-‬ג'מל‬

‫חומר עזר מותר לשימוש – כל חומר עזר מודפס‪ ,‬מחשבון‪.‬‬ ‫‪.1‬‬

‫יש להתחיל שאלה חדשה בראש עמוד‪.‬‬ ‫‪.2‬‬
‫יש להדגיש בקו התחלת סעיף ותשובה סופית‪.‬‬ ‫‪.3‬‬
‫נא להקפיד על רישום יחידות ליד כל ערך מחושב‪.‬‬ ‫‪.4‬‬
‫יש לענות על כל השאלות במחברת הבחינה בלבד‪.‬‬ ‫‪.5‬‬
‫ב ה צ לח ה !‬ ‫‪.6‬‬

‫פתרון מבחן מועד ב' ‪ -‬התקנים‬ ‫עמוד ‪ 1‬מתוך ‪12‬‬

‫אלקטרוניים מתקדמים‬
‫כל הזכויות שמורות ©‬
‫מבלי לפגוע באמור לעיל‪ ,‬אין להעתיק‪ ,‬לצלם‪ ,‬להקליט‪ ,‬לשדר‪ ,‬לאחסן במאגר מידע‪ ,‬בכל דרך שהיא‪ ,‬בין מכנית‬
‫ובין אלקטרונית או בכל דרך אחרת כל חלק שהוא מטופס הבחינה‪.‬‬
‫]‪[Type here‬‬

‫שאלה מס' ‪ 56) 1‬נקודות – כל הסעיפים שווים בערכם)‬

‫יש לתת הסבר קצר עבור כל אחת מהתשובות‪ .‬ניקוד מלא יינתן רק על תשובה נכונה בצירוף הסבר‬
‫נכון‪ .‬את התשובה הנכונה וההסבר יש לכתוב במחברת הבחינה‪ .‬לכל סעיף יש רק תשובה אחת‬
‫נכונה אלא אם צוין אחרת במפורש‪.‬‬

‫סעיף ‪:1‬‬
‫בטרנזיסטור עם תעלה קבורה עם מצע מסוג ‪ ,p‬ו‪ source drain -‬מסוג ‪:n‬‬
‫א‪ .‬הטרנזיסטור יהיה בדרך כלל ‪ Normally OFF‬שכן יש מחסום פוטנציאל גבוה בין‬
‫המצע‪ ,‬ה‪ ,source -‬וה‪.drain -‬‬
‫ב‪ .‬הפעלה של מתח שער מספיק שלילי תמיד תאפשר לעצור את ההולכה בין ה‪source -‬‬
‫וה‪.drain -‬‬
‫ג‪ .‬לא ניתן לכוון את מתח הסף של הטרנזיסטור באמצעות הפעלת מתח מצע‬
‫ד‪ .‬הופעה של שכבת היפוך (תעלה בה ריכוז גבוה של חורים) בממשק בין המל"מ‬
‫והתחמוצת יכולה לגרום לכך שתהיה הולכה בין ה‪ source -‬וה‪ drain -‬בכל מתח‬
‫שער‪.‬‬
‫התשובה הנכונה היא ד'‪.‬‬
‫הופעה של שכבת היפוך גורמת לכך שכבר לא ניתן להגדיל את אזור המיחסור על ידי הפעלת מתח‬
‫‪ .VG‬לכן‪ ,‬אחת שמופיעה שכבת היפוך לא ניתן כבר לסגור את הטרנזיסטור‪.‬‬

‫סעיף ‪:2‬‬
‫‪ .1‬עבור טרנזיסטור ‪ ,n-MOS‬מה מהבאים יגדיל את מתח הסף? יש לסמן את כל התשובות‬
‫הנכונות‬
‫א‪ .‬אפקט ‪DIBL‬‬
‫ב‪ .‬אילוח המצע בפרופיל מדרגה גבוה‪-‬נמוך (כאשר האילוח הנמוך הוא 𝐵𝑁 והאילוח‬
‫הגבוה הוא 𝑁∆ ‪ ,𝑁𝐵 +‬בהשוואה לטרנזיסטור בעל אילוח מצע אחיד 𝐵𝑁)‬
‫ג‪ .‬הגדלת אילוח המצע‬
‫ד‪ .‬הגדלה של המקדם הדיאלקטרי של שכבת התחמוצת‬
‫התשובה הנכונה היא ב' ‪ +‬ג'‬
‫הגדלת אילוח המצע תגרום לעליה במתח הסף‪ .‬כמו כן‪ ,‬סימום גבוה נמוך יגרום גם לעליה במתח הסף‬
‫(יחסית למתח הסף של טרנזיסטור עם סימום מצע 𝐵𝑁)‪.‬‬
‫אפקט ‪ DIBL‬גורם להנמכת מחסום הפוטנציאל לתנועה של נ"מ בין ה‪ S‬ל‪ D‬ולכן מתח הסף קטן‪.‬‬
‫החלפה של התחמוצת בתחמוצת עם מקדם דיאלקטרי גדול יותר תגרום לעליה בקיבול השער‬
‫וכתוצאה מכך לירידה במתח הסף‪.‬‬

‫סעיף ‪3‬‬
‫נתון טרנזיסטור ‪ n-MOS‬בעל תעלה קצרה‪ .‬אילו מהטענות הבאות נכונה?‬
‫א‪ .‬הגדלה של אילוח המצע תקטין את הרגישות למתח המצע‬
‫ב‪ .‬הגדלה של אילוח המצע תגדיל את מתח הפריצה (בהנחה של פריצה באמצעות ‪punch-‬‬
‫‪)through‬‬
‫ג‪ .‬הגדלה של אילוח המצע תגדיל את המוביליות בסמוך לפני השטח‬

‫פתרון מבחן מועד ב' ‪ -‬התקנים‬ ‫עמוד ‪ 2‬מתוך ‪12‬‬

‫אלקטרוניים מתקדמים‬
‫כל הזכויות שמורות ©‬
‫מבלי לפגוע באמור לעיל‪ ,‬אין להעתיק‪ ,‬לצלם‪ ,‬להקליט‪ ,‬לשדר‪ ,‬לאחסן במאגר מידע‪ ,‬בכל דרך שהיא‪ ,‬בין מכנית‬
‫ובין אלקטרונית או בכל דרך אחרת כל חלק שהוא מטופס הבחינה‪.‬‬
‫]‪[Type here‬‬

‫ד‪ .‬הגדלה של אילוח המצע תקטין את ההשפעה של שיתוף מטען על מתח הסף של‬
‫הטרנזיסטור‬
‫התשובה הנכונה היא ב'‬

‫‪ Punch-through‬נוצר כאשר 𝐷𝑦 ‪𝐿 ≈ 𝑦𝑆 +‬‬

‫𝑠𝜀‪2‬‬
‫√ ≈ 𝑆𝑦‬ ‫) 𝑆𝐵𝑉 ‪(𝜓 − 𝜓𝑠 −‬‬
‫𝑖𝐵 𝐴𝑁𝑞‬

‫𝑠𝜀‪2‬‬
‫√ ≈ 𝐷𝑦‬ ‫) 𝑆𝐵𝑉 ‪(𝜓 + 𝑉𝐷 − 𝜓𝑠 −‬‬
‫𝑖𝐵 𝐴𝑁𝑞‬
‫‪1‬‬
‫מתקבל כי 𝑁√ ∝ 𝐿 ולכן הגדלה של אילוח המצע תגדיל את מתח הפריצה‪.‬‬
‫𝐴‬
‫השינוי במתח הסף כתוצאה מהפעלת מתח מצע (נוסחה ‪ 3‬הרצאה ‪:)9‬‬
‫𝐴𝑁𝑞 𝑠𝜀‪√2‬‬
‫= )‪∆𝑉𝑇 = 𝑉𝑇 (𝑉𝐵𝑆 ) − 𝑉𝑇 (𝑉𝐵𝑆 = 0‬‬ ‫) 𝐵𝜓‪(√2𝜓𝐵 − 𝑉𝐵𝑆 − √2‬‬
‫𝑥𝑜𝐶‬
‫ולכן תשובה א' לא נכונה‪.‬‬
‫הגדלת אילוח המצע תגדיל את ההסתברות לפיזור על ידי פגמים בתוך הגביש ולכן תקטין את‬
‫המוביליות‬
‫השינוי במתח הסף בעקבות שיתוף מטען (נוסחה ‪ 9‬הרצאה ‪:)10‬‬
‫𝑗𝑟 𝑚𝐷𝑊 𝐴𝑁𝑞‬ ‫𝑆𝑦‪2‬‬ ‫𝐷𝑦‪2‬‬
‫‪Δ𝑉𝑇 = −‬‬ ‫‪[(√1 +‬‬ ‫‪− 1) + (√1 +‬‬ ‫])‪− 1‬‬
‫𝐿 𝑥𝑜𝐶‪2‬‬ ‫𝑗𝑟‬ ‫𝑗𝑟‬
‫ולכן תשובה ד' לא נכונה‬

‫סעיף ‪4‬‬
‫נתונים שני טרנזיסטורים העשויים מחומרים שונים‪ .‬ידוע כי בשני החומרים הקשר בין מהירות‬
‫הסחיפה לשדה החשמלי הוא‪:‬‬
‫‪𝜇𝑛 ℰ‬‬
‫= )‪𝑣(ℰ‬‬ ‫𝑛‪1/‬‬
‫𝑛 ‪ℰ‬‬
‫] ) ‪[1 + (ℰ‬‬
‫𝑐‬

‫כאשר בטרנזיסטור א' ‪ ,n=1‬בטרנזיסטור ב' ‪ .n=2‬שאר הפרמטרים של הטרנזיסטורים זהים‪ .‬אילו‬
‫מהטענות הבאות נכונה?‬
‫עבור ‪ VG‬ו‪ VD -‬נתונים הזרם בטרנזיסטור ב' יהיה גדול או שווה לזה שבטרנזיסטור א'‬ ‫א‪.‬‬
‫עבור ‪ VG‬ו‪ VD -‬נתונים הזרם בטרנזיסטור ב' יהיה קטן או שווה לזה שבטרנזיסטור א'‬ ‫ב‪.‬‬
‫מתח הסף של טרנזיסטור ב' יהיה גדול מזה של טרנזיסטור א'‬ ‫ג‪.‬‬
‫מתח הסף של טרנזיסטור א' יהיה גדול מזה של טרנזיסטור ב'‬ ‫ד‪.‬‬
‫התשובה הנכונה היא א'‪.‬‬
‫כפי שראינו בכיתה‪ ,‬הזרם דרך טרנזיסטור הוא )𝑦(𝑣|)𝑦( 𝑛𝑄|𝑍 = 𝐷𝐼‪ .‬בהינתן שכל הפרמטרים‬
‫האחרים של הטרנזיסטור זהים‪ ,‬ההבדל היחיד בין הטרנזיסטורים הוא מהירות נשאי המטען‪ .‬עבור‬
‫‪ n=2‬המהירות ‪ v‬גבוהה יותר ולכן גם הזרם יהיה גבוה יותר‪ .‬עבור מתחי ‪ drain‬נמוכים מאוד ומתחי‬
‫‪ drain‬גבוהים מאוד המהירויות דומות ואז הזרמים יהיו שווים‪.‬‬

‫פתרון מבחן מועד ב' ‪ -‬התקנים‬ ‫עמוד ‪ 3‬מתוך ‪12‬‬

‫אלקטרוניים מתקדמים‬
‫כל הזכויות שמורות ©‬
‫מבלי לפגוע באמור לעיל‪ ,‬אין להעתיק‪ ,‬לצלם‪ ,‬להקליט‪ ,‬לשדר‪ ,‬לאחסן במאגר מידע‪ ,‬בכל דרך שהיא‪ ,‬בין מכנית‬
‫ובין אלקטרונית או בכל דרך אחרת כל חלק שהוא מטופס הבחינה‪.‬‬
‫]‪[Type here‬‬

‫סעיף ‪5‬‬
‫נתון התקן זיכרון עם שער צף‪ ,‬מבוסס טרנזיסטור ‪ .nMOS‬מהנדסת האפליקציה מעוניינת לבחור‬
‫ב 𝑑𝑎𝑒𝑟𝑉 נמוך ככל הניתן‪ .‬אילו מהטענות הבאות נכונה?‬
‫ערך ‪ )Subthreshold swing( S‬נמוך יותר יאפשר בחירה ב 𝑑𝑎𝑒𝑟𝑉 נמוך יותר‬ ‫א‪.‬‬
‫ערך ‪ S‬גבוה יותר יאפשר בחירה ב 𝑑𝑎𝑒𝑟𝑉 נמוך יותר‬ ‫ב‪.‬‬
‫ערך ‪ S‬לא ישפיע על הבחירה ב 𝑑𝑎𝑒𝑟𝑉‬ ‫ג‪.‬‬
‫ערכו של 𝑑𝑎𝑒𝑟𝑉 צריך להיות גבוה ממתחי הסף של הטרנזיסטור במצב כתיבה ובמצב‬ ‫ד‪.‬‬
‫מחיקה כדי לאפשר זרם בעת הקריאה‬
‫התשובה הנכונה היא א'‪.‬‬
‫ערך ‪ S‬נמוך משמעותו שיפוע הגרף 𝐺𝐶𝑉 ‪ 𝐼𝐷 𝑣𝑠.‬חד יותר בתחום תת‪-‬הסף‪ .‬במצב של קריאה‪ ,‬ההעדפה‬
‫ההנדסית להפרש משמעותי בין הזרמים המתארים הולכה או אי‪-‬הולכה‪ .‬הדבר יתקבל במתח קריאה‬
‫נמוך יותר כאשר ‪ S‬יהיה נמוך ככל הניתן‪.‬‬

‫סעיף ‪6‬‬
‫‪17‬‬ ‫‪−3‬‬
‫נתון טרנזיסטור ‪ MOSFET‬מבוסס על מצע ‪ p-type‬עם אילוח 𝑚𝑐 ‪ .𝑁𝐴 = 2 ⋅ 10‬כמו כן‪ ,‬נתון‬
‫כי ה‪ source -‬והמצע מאורקים‪ ,‬עובי התחמוצת הוא 𝑚𝑛 ‪ 𝑑 = 5‬והמקדם הדיאלקטרי של‬
‫התחמוצת הוא ‪.𝜀𝑜𝑥 = 3.9𝜀0‬‬
‫בנוסף נתון כי‪:‬‬
‫‪𝑐𝑚2‬‬
‫𝑠𝑉 ‪𝑛𝑖 = 1010 𝑐𝑚−3, 𝐸𝑔 = 1.12 𝑒𝑉 , 𝜀𝑠 = 11.8𝜀0 , 𝜇𝑛 = 400‬‬
‫קבועים נוספים‪:‬‬
‫𝐹‬ ‫𝑉𝑒‬
‫‪𝜀0 = 8.85 ⋅ 10−14‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪𝑞 = 1.6 ⋅ 10−19 𝐶,‬‬ ‫‪𝑘 = 8.617 ⋅ 10−5‬‬
‫𝑚𝑐‬ ‫𝐾‬
‫סטודנטית מדדה תחת המתחים ‪ Vd1=0.5 V ,Vg1=1 V‬זרם של ‪ 1 µA‬בין הדקי ה– ‪ source‬וה‪-‬‬
‫‪ .drain‬מה יהיה הזרם בין שני ההדקים כאשר מופעל ‪ Vg2=0.7 V‬ו‪ ?Vd2=1 V -‬הניחו כי‬
‫לטרנזיסטור תעלה ארוכה וכי עבור ‪ Vg≥0.7 V‬השינוי ברוחב שכבת המיחסור שתחת השער קטן‬
‫מאוד‪ .‬כמו כן אין מטען הכלוא בממשק בין המוליך למחצה והתחמוצת‪.‬‬
‫ה‪10 pA .‬‬
‫ו‪100 𝑛A .‬‬
‫ז‪66.8 pA .‬‬
‫ח‪60 nA .‬‬
‫על מנת להבין באיזה מצב הטרנזיסטור נמצא אשית נחשב את מתח הסף שלו‪.‬‬
‫‪1‬‬
‫‪𝑉𝑇 = 𝑉𝐹𝐵 +‬‬ ‫𝑉 ‪√2𝑞𝑁𝐴 𝜀𝑠 2𝜓𝐵 + 2𝜓𝐵 = 1.22‬‬
‫𝑥𝑜𝐶‬
‫מכאן שהזרם נמדד בתחום התת סף של הטרנזיסטור‪ .‬נמצא את ה‪:subthreshold swing -‬‬
‫𝐺𝑉𝑑‬ ‫𝐷𝐶 ‪𝑘𝑇 𝐶𝑜𝑥 +‬‬
‫)‪𝑆 = ln (10‬‬ ‫)‪= ln (10‬‬
‫)) 𝐷𝐼(‪𝑑(ln‬‬ ‫𝑞‬ ‫𝑥𝑜𝐶‬
‫מתוך הנתונים‪:‬‬
‫𝑥𝑜𝜀‬ ‫‪3.9𝜀0‬‬ ‫𝐹𝜇‬
‫= 𝑥𝑜𝐶‬ ‫=‬ ‫‪= 0.69‬‬
‫𝑑‬ ‫‪5 ⋅ 10−7‬‬ ‫‪𝑐𝑚2‬‬
‫פתרון מבחן מועד ב' ‪ -‬התקנים‬ ‫עמוד ‪ 4‬מתוך ‪12‬‬
‫אלקטרוניים מתקדמים‬
‫כל הזכויות שמורות ©‬
‫מבלי לפגוע באמור לעיל‪ ,‬אין להעתיק‪ ,‬לצלם‪ ,‬להקליט‪ ,‬לשדר‪ ,‬לאחסן במאגר מידע‪ ,‬בכל דרך שהיא‪ ,‬בין מכנית‬
‫ובין אלקטרונית או בכל דרך אחרת כל חלק שהוא מטופס הבחינה‪.‬‬
‫]‪[Type here‬‬

‫בהנחה שרוחב שכבת המיחסור משתנה מעט מאוד בתחום ‪ Vg≥0.7 V‬ניתן לבחור את פוטנציאל‬
‫פני השטח להיות הפוטנציאל בזמן היפוך‪.𝜓𝑠 = 2𝜓𝐵 :‬‬
‫קיבול אזור המיחסור תחת השער הוא‪:‬‬
‫𝑠𝜀‬ ‫𝑠𝜀‬ ‫‪11.8 ⋅ 8.85 ⋅ 10−14‬‬ ‫𝐹𝜇‬
‫= = 𝐷𝐶‬ ‫‪1⁄‬‬ ‫=‬ ‫=‬ ‫‪0.14‬‬
‫𝑤‬ ‫‪2𝜀𝑠 |𝜓𝑠 | 2‬‬ ‫) 𝐵𝜓‪2𝜀𝑠 (2‬‬ ‫‪𝑐𝑚2‬‬
‫] 𝑁𝑞 [‬ ‫√‬
‫𝐴‬
‫𝐴𝑁𝑞‬
‫ולכן‪:‬‬
‫𝐺𝑉𝑑‬ ‫𝐷𝐶 ‪𝑘𝑇 𝐶𝑜𝑥 +‬‬
‫)‪𝑆 = ln(10‬‬ ‫)‪= ln(10‬‬ ‫‪= 0.072‬‬
‫)) 𝐷𝐼(‪𝑑(ln‬‬ ‫𝑞‬ ‫𝑥𝑜𝐶‬
‫על פי הגדרה‪:‬‬
‫‪𝑉𝑔1 − 𝑉𝑔2‬‬
‫=𝑆‬
‫) ‪log10 (𝐼1 ) − log10 (𝐼2‬‬
‫ניזכור כי בתחום זה‪ ,‬למתח ה‪ drain -‬יש השפעה קטנה מאוד על הזרם‪.‬‬
‫ולכן‪:‬‬
‫‪𝐼1‬‬ ‫) ‪−(𝑉𝑔1 −𝑉𝑔2‬‬ ‫)‪−(1−0.7‬‬
‫‪𝑆 log10 ( ) = 𝑉𝑔1 − 𝑉𝑔2 ⇒ 𝐼2 = 𝐼1 10‬‬ ‫𝑆‬ ‫‪= 10−6 ⋅ 10 0.072 = 66.8pA‬‬
‫‪𝐼2‬‬

‫סעיף ‪7‬‬
‫נתונות דיאגרמות הפסים הבאות של החומרים ‪( p-type GaAs‬משמאל) ו‪( n-type AlGaAs-‬מימין)‪:‬‬

‫נתון כי‪:‬‬
‫]𝑉𝑒[‪𝑞𝜒1 = 3.84[𝑒𝑉], 𝐸𝑔1 = 1.80‬‬
‫]𝑉𝑒[‪𝑞𝜒2 = 4.07[𝑒𝑉], 𝐸𝑔2 = 1.42‬‬

‫יש לסמן את המשפט הנכון המתאר את תנועת נושאי המטען לאחר הצמדה של שני המוליכים‬
‫למחצה‪ ,‬והפעלת ממתח אחורי על הצומת‪ .‬מחסום פוטנציאל יכול להיות תוצר של כיפוף הפסים‬
‫בצומת או כתוצאה מאי רציפות בפסי האנרגיה‪.‬‬

‫פתרון מבחן מועד ב' ‪ -‬התקנים‬ ‫עמוד ‪ 5‬מתוך ‪12‬‬

‫אלקטרוניים מתקדמים‬
‫כל הזכויות שמורות ©‬
‫מבלי לפגוע באמור לעיל‪ ,‬אין להעתיק‪ ,‬לצלם‪ ,‬להקליט‪ ,‬לשדר‪ ,‬לאחסן במאגר מידע‪ ,‬בכל דרך שהיא‪ ,‬בין מכנית‬
‫ובין אלקטרונית או בכל דרך אחרת כל חלק שהוא מטופס הבחינה‪.‬‬
‫]‪[Type here‬‬

‫קיים מחסום פוטנציאל לאלקטרונים הנעים מימין לשמאל וגם לחורים הנעים מימין‬ ‫א‪.‬‬
‫לשמאל‪.‬‬
‫קיים מחסום פוטנציאל לאלקטרונים הנעים משמאל לימין אך לא לחורים הנעים מימין‬ ‫ב‪.‬‬
‫לשמאל‪.‬‬
‫קיים מחסום פוטנציאל רק לחורים הנעים מימין לשמאל‪.‬‬ ‫ג‪.‬‬
‫לא קיים מחסום פוטנציאל לתנועה של נושאי מטען רוב לשני הצדדים‪.‬‬ ‫ד‪.‬‬
‫התשובה הנכונה היא ב'‬
‫לאחר ההצמדה והגעה לשיווי משקל מתקבל מבנה הפסים הבא‪:.‬‬

‫תחת ממתח אחורי גדלים כיפופי הפסים עם הממתח‪ ,‬אך אי הרציפויות בפסים לא משתנות‪ ,‬הפעלת‬
‫ממתח אחורי לא תבטל מחסומי פוטנציאל בצומת זו‪.‬‬

‫סעיף ‪8‬‬
‫נתונות שתי המדידות האופטיות הבאות שנעשו עבור שתי פרוסות של ‪ .GaAs‬נתון כי הפרוסות‬
‫חלקות ‪ ,‬עובי הפרוסות ‪ 300 µm‬והתווך שהפרוסות נמצאות בו הוא אויר‪ .‬המדידות נלקחו מהמשטח‬
‫הקדמי של הדגמים‪.‬‬

‫פתרון מבחן מועד ב' ‪ -‬התקנים‬ ‫עמוד ‪ 6‬מתוך ‪12‬‬

‫אלקטרוניים מתקדמים‬
‫כל הזכויות שמורות ©‬
‫מבלי לפגוע באמור לעיל‪ ,‬אין להעתיק‪ ,‬לצלם‪ ,‬להקליט‪ ,‬לשדר‪ ,‬לאחסן במאגר מידע‪ ,‬בכל דרך שהיא‪ ,‬בין מכנית‬
‫ובין אלקטרונית או בכל דרך אחרת כל חלק שהוא מטופס הבחינה‪.‬‬
‫]‪[Type here‬‬

‫אילו מדידות אופטיות יכולות לתאר את שתי העקומות בגרף?‬

‫‪ -1‬מדידת החזרה‪ -2 ,‬מדידת העברה של אותו הדגם‬ ‫א‪.‬‬
‫‪ -1‬מדידת העברה‪ -2 ,‬מדידת החזרה של אותו הדגם‬ ‫ב‪.‬‬
‫‪ -1‬מדידת החזרה של מצע ‪ GaAs‬ללא ציפוי אנטי‪-‬רפלקטיבי על המשטח הקדמי‬ ‫ג‪.‬‬
‫‪ -2‬מדידת החזרה של מצע ‪ GaAs‬בעל ציפוי אנטי‪-‬רפלקטיבי מושלם על המשטח הקדמי‬
‫‪ -1‬מדידת החזרה של מצע ‪ GaAs‬ללא ציפוי אנטי‪-‬רפלקטיבי על המשטח האחורי‬ ‫ד‪.‬‬
‫‪ -2‬מדידת החזרה של מצע ‪ GaAs‬בעל ציפוי אנטי‪-‬רפלקטיבי מושלם על המשטח האחורי‬
‫התשובה הנכונה היא ד' ‪.‬‬
‫ניתן לראות את ההבדל בין שני הגרפים באורכי גל גבוהים מ‪ ,900nm‬משמע באנרגיות הנמוכות מפער‬
‫האנרגיה של החומר‪ .‬פוטונים אלו לא נבלעים בחומר (ואכן מקדם הבליעה של ‪ GaAs‬מתאפס באורכי‬
‫גל אלו)‪ ,‬ומכאן כי פוטון באורך גל גבוה מ‪ 900nm‬ימשיך ויתקדם בחומר‪ .‬כאשר אין על המשטח‬
‫האחורי ציפוי אנטי‪-‬רפלקטיבי‪ ,‬האור יפגע במשטח זה‪ ,‬יחזור לפני השטח הקדמיים‪ ,‬ויגיע לגלאי‬
‫המודד את האור המוחזר‪ ,‬ולכן ההחזרה מגרף ‪ 1‬גבוהה יותר בתחום זה‪.‬‬
‫א' ‪-‬וב' לא נכונות – ‪ 1=R+T+A‬לא מתקיים‬
‫ג' לא נכון – ספקטרום ההחזרה של חומר בעל ציפוי אנטי‪-‬רפלקטיבי צריך להיות נמוך יותר בהשוואה‬
‫לחומר ללא הציפוי‬

‫פתרון מבחן מועד ב' ‪ -‬התקנים‬ ‫עמוד ‪ 7‬מתוך ‪12‬‬

‫אלקטרוניים מתקדמים‬
‫כל הזכויות שמורות ©‬
‫מבלי לפגוע באמור לעיל‪ ,‬אין להעתיק‪ ,‬לצלם‪ ,‬להקליט‪ ,‬לשדר‪ ,‬לאחסן במאגר מידע‪ ,‬בכל דרך שהיא‪ ,‬בין מכנית‬
‫ובין אלקטרונית או בכל דרך אחרת כל חלק שהוא מטופס הבחינה‪.‬‬
‫]‪[Type here‬‬

‫שאלה מס' ‪ 44) 2‬נקודות)‬

‫נתונה פוטו‪-‬דיודה עשויה מסיליקון בעלת מבנה ‪ p-i-n‬כאשר עובי השכבה ה‪ p -‬קטן מאוד‪ ,‬עובי‬
‫השכבה ה‪ i -‬הוא ‪ 10 µm‬ועובי השכבה ה‪ n -‬הוא ‪ . 300µm‬האזור ה‪ p -‬מסומם ⋅ ‪𝑁𝐴 = 1‬‬
‫‪ 1019 𝑐𝑚−3‬והאזור ה‪ n -‬מסומם ‪ .𝑁𝐷 = 1 ⋅ 1017 𝑐𝑚−3‬אורך הדיפוזיה באזורי ה‪ n -‬הוא ‪100 µm‬‬
‫ובאזור ה‪ p -‬הוא ‪ .1 µm‬הפוטו‪-‬דיודה מוארת מהצד ה‪ ,p -‬ויש לה ציפוי אנטי רפלקטיבי מושלם כך‬
‫שההחזרה היא ‪ 0‬בכל אורך גל‪ .‬כמו כן‪ ,‬נתון כי‪:‬‬
‫‪𝑐𝑚2‬‬
‫𝑠𝑉 ‪𝑛𝑖 = 1010 𝑐𝑚−3, 𝐸𝑔 = 1.12 𝑒𝑉 , 𝜀𝑠 = 11.8𝜀0 , 𝜇𝑝 = 200‬‬
‫ניתן להניח כי הרמה האינטרינזית נמצאת במרכז הפס האסור וכי הפוטו‪-‬דיודה נמצאת בטמפרטורת‬
‫החדר ‪ .‬הטבלה הבאה מציגה את מקדם הבליעה של סילקון כתלות באורך הגל של האור‪.‬‬
‫) 𝟏‪𝝀 (𝒏𝒎) 𝜶 (𝒄𝒎−‬‬
‫‪300‬‬ ‫‪1730000‬‬
‫‪350‬‬ ‫‪1040000‬‬
‫‪400‬‬ ‫‪95200‬‬
‫‪450‬‬ ‫‪25500‬‬
‫‪500‬‬ ‫‪11100‬‬
‫‪550‬‬ ‫‪6390‬‬
‫‪600‬‬ ‫‪4140‬‬
‫‪650‬‬ ‫‪2810‬‬
‫‪700‬‬ ‫‪1900‬‬
‫‪750‬‬ ‫‪1300‬‬
‫‪800‬‬ ‫‪850‬‬
‫‪850‬‬ ‫‪535‬‬
‫‪900‬‬ ‫‪306‬‬

‫קבועים נוספים‪:‬‬
‫𝐹‬ ‫𝑉𝑒‬
‫‪𝜀0 = 8.85 ⋅ 10−14‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪𝑞 = 1.6 ⋅ 10−19 𝐶,‬‬ ‫‪𝑘 = 8.617 ⋅ 10−5‬‬
‫𝑚𝑐‬ ‫𝐾‬
‫במידה ולא הגעתם לתשובה באחד מהסעיפים‪ ,‬אפשר להמשיך לסעיפים הבאים ולציין את הפרמטרים‬
‫החסרים מבלי להציב אותם‪ .‬יש לציין במפורש מאיזה סעיף אמור להגיע הערך של הפרמטר החסר‪.‬‬
‫‪ 5[ .1‬נקודות] ציירו דיאגרמת פסים של הפוטו‪-‬דיודה בשיווי משקל‪ .‬סמנו על הדיאגרמה את‬
‫רמת פרמי ואת הגבול בין כל אחד מהאזורים‪ .‬הסבירו את העקרונות על פיהם אתם מציירים‬
‫את הדיאגרמה‪ ,‬אין צורך לצייר את כל האזור ה‪.n -‬‬
‫מאחר והאזורים ‪ n‬וה‪ p -‬מסוממים חזק‪ ,‬אזורי המיחסור בהם יהיו זניחים בגודלם יחסית לאזור ה‪-‬‬
‫‪ .i‬לכן‪ ,‬ניתן להניח כי השדה החשמלי הוא ‪ 0‬מחוץ לאזור האינטרינזי‪ .‬כמו כן‪ ,‬בגלל שריכוז נשאי‬
‫המטען נמוך מאוד באזור האינטרינזי‪ ,‬ריכוז זה זניח כך שהתפלגות הפוטנציאל באזור זה היא‬
‫ליניארית‪ .‬מאחר וההתקן נמצא בשיווי משקל‪ ,‬ישנה רק רמת פרמי אחת בהתקן‪.‬‬
‫נקבל את דיאגרמת הפסים הבאה‪:‬‬

‫פתרון מבחן מועד ב' ‪ -‬התקנים‬ ‫עמוד ‪ 8‬מתוך ‪12‬‬

‫אלקטרוניים מתקדמים‬
‫כל הזכויות שמורות ©‬
‫מבלי לפגוע באמור לעיל‪ ,‬אין להעתיק‪ ,‬לצלם‪ ,‬להקליט‪ ,‬לשדר‪ ,‬לאחסן במאגר מידע‪ ,‬בכל דרך שהיא‪ ,‬בין מכנית‬
‫ובין אלקטרונית או בכל דרך אחרת כל חלק שהוא מטופס הבחינה‪.‬‬
‫]‪[Type here‬‬

‫‪p‬‬
‫‪i‬‬

‫‪n‬‬
‫‪EC‬‬
‫‪EF‬‬

‫‪EV‬‬
‫‪ 5[ .2‬נקודות] ציירו דיאגרמת פסים של הפוטו דיודה כאשר מופעל עליה ממתח אחורי של ‪.-2V‬‬
‫סמנו על הדיאגרמה את הקוואזי רמות פרמי באזורים המסוממים חזק ואת הגבול בין כל‬
‫אחד מהאזורים‪ ,‬אין צורך לצייר את כל האזור ה‪.n -‬‬
‫דיאגרמת הפסים תהיה דומה לזו שבסעיף הקודם‪ ,‬אך כעת ישנו פער של ‪ qV=-2V‬בין הקוואזי‬
‫רמת פרמי בצד ה‪ n -‬לקוואזי רמת פרמי בצד ה‪ .p -‬מאחר ומדובר בממתח אחורי‪ ,‬כיפוף הפסים‬
‫יגדל‪.‬‬
‫‪p‬‬

‫‪EF,p‬‬
‫‪i‬‬

‫‪-qV‬‬

‫‪n‬‬ ‫‪EC‬‬
‫‪EF,n‬‬

‫‪EV‬‬
‫‪ 7[ .3‬נקודות] הפוטו‪-‬דיודה מוארת על ידי אורך גל של ‪ 700‬ננומטר‪.‬‬
‫‪ .a‬חשבו את התפלגות הפוטו גנרציה בהתקן כתלות בעומק‪.‬‬
‫‪ .b‬ציירו את התפלגות הפוטו גנרציה בהתקן וסמנו את האזורים השונים בהתקן על‬
‫הגרף‪ .‬הקפידו על קנה מידה נכון‪ .‬כיתבו מהי הפוטו‪-‬גנרציה בסמוך לממשק בין כל‬
‫אחד מהאזורים‪.‬‬
‫הניחו כי שתף הפוטונים הפוגע בפוטו‪-‬דיודה הוא ‪.𝜙0‬‬
‫עבור אורך גל זה‪ ,‬מקדם הבליעה הוא ‪ .1900 cm-1‬על כן‪ ,‬התפלגות הפוטו‪-‬גנרציה היא‪:‬‬

‫פתרון מבחן מועד ב' ‪ -‬התקנים‬ ‫עמוד ‪ 9‬מתוך ‪12‬‬

‫אלקטרוניים מתקדמים‬
‫כל הזכויות שמורות ©‬
‫מבלי לפגוע באמור לעיל‪ ,‬אין להעתיק‪ ,‬לצלם‪ ,‬להקליט‪ ,‬לשדר‪ ,‬לאחסן במאגר מידע‪ ,‬בכל דרך שהיא‪ ,‬בין מכנית‬
‫ובין אלקטרונית או בכל דרך אחרת כל חלק שהוא מטופס הבחינה‪.‬‬
‫]‪[Type here‬‬

‫𝑥‪𝑂𝐺(𝑥) = 𝜙0 𝛼𝑒 −𝛼𝑥 = 𝜙0 1900𝑒 −1900‬‬

‫מאחר והאזור ה‪ p -‬צר מאוד‪ ,‬ניתן להניח כי אין בליעה עד לממשק בין אזור זה והאזור‬
‫האינטרינזי‪ .‬על כן‪:‬‬
‫‪𝑂𝐺(𝑥 = 0𝜇𝑚) = 𝜙0 𝛼= 1900𝜙0‬‬
‫ובממשק בין האזור האינטרינזי לאזור ה‪:n -‬‬
‫‪𝑂𝐺(𝑥 = 10𝜇𝑚) = 𝜙0 𝛼𝑒 −𝛼𝑥 = 1900 ⋅ 0.1496𝜙0 = 284𝜙0‬‬
‫נשים לב כי עבור אורך גל זה‪ ,‬ישנה כמות משמעותית של קרינה שנבלעת מחוץ לאזור האינטרינזי‪.‬‬
‫נקבל את התפלגות הפוטו‪-‬גנרציה הבאה‪:‬‬
‫‪p‬‬

‫‪EF,p‬‬
‫‪i‬‬

‫‪-qV‬‬

‫‪n‬‬ ‫‪EC‬‬
‫‪EF,n‬‬

‫‪E‬‬
‫‪V‬‬
‫=‬

‫=‬

‫‪x‬‬
‫‪ 7[ .4‬נקודות] חשבו את היעילות הקוואנטית עבור אורכי גל של ‪.500 nm, 700 nm, 900 nm‬‬
‫הסבירו מדוע היעילות הקוואנטית משתנה עם אורך הגל של האור?‬
‫היעילות הקוואנטית בפוטודיודה היא‪:‬‬
‫𝜈‪𝐴𝐽𝑡𝑜𝑡 ℎ‬‬ ‫) 𝐷𝑊𝛼‪exp(−‬‬
‫=𝜂‬ ‫‪= (1 − 𝑅) [1 −‬‬ ‫]‬
‫𝑡𝑝𝑜𝑃𝑞‬ ‫𝑝𝐿𝛼 ‪1 +‬‬
‫כאשר 𝑝𝐿 הוא אורך הדיפוזיה לחורים בצד ה‪ ,n -‬ו‪ 𝑊𝐷 -‬הוא רוחב האזור האינטרניזי‪ .‬על כן‪,‬‬
‫ההבדל בין היעילות הקוואנטית עבור אורכי גל שונים נקבע על ידי מקדם הבליעה‪ .‬למעשה‪,‬‬
‫היעילות הקוואנטית נקבעת על פי כמות האור שנבלעת באזור האינטרינזי‪ .‬נקבל כי‪:‬‬
‫‪𝜂(𝜆 = 500 𝑛𝑚) = 1‬‬
‫‪𝜂(𝜆 = 700 𝑛𝑚) = 0.99‬‬
‫‪𝜂(𝜆 = 900 𝑛𝑚) = 0.82‬‬
‫‪ 6[ .5‬נקודות] כיצד הייתה תשובתכם לסעיף הקודם משתנה אם עובי השכבה ה‪ p -‬היה ‪?2 µm‬‬
‫העריכו באופן איכותי‪.‬‬
‫ההשפעה של האזור ה‪ p -‬נקבעת על פי כמות האור שנבלעת בו‪ .‬עבור אורך גל של ‪ ,500 nm‬עומק‬
‫הבליעה הוא כ‪ .0.9 µm -‬אם עובי השכבה הוא שני מיקרון‪ ,‬כמות משמעותית של קרינה תיבלע‬
‫באזור זה אשר מסומם חזק‪ .‬מאחר והעובי של אזור זה גדול מאורך הדיפוזיה‪ ,‬כמות משמעותית‬
‫של נשאי מטען תאבד לרקמובינציה באזור ה‪ .p -‬כתוצאה מכך‪ ,‬היעילות הקוואנטית תהיה נמוכה‬
‫פתרון מבחן מועד ב' ‪ -‬התקנים‬ ‫עמוד ‪ 10‬מתוך ‪12‬‬
‫אלקטרוניים מתקדמים‬
‫כל הזכויות שמורות ©‬
‫מבלי לפגוע באמור לעיל‪ ,‬אין להעתיק‪ ,‬לצלם‪ ,‬להקליט‪ ,‬לשדר‪ ,‬לאחסן במאגר מידע‪ ,‬בכל דרך שהיא‪ ,‬בין מכנית‬
‫ובין אלקטרונית או בכל דרך אחרת כל חלק שהוא מטופס הבחינה‪.‬‬
‫]‪[Type here‬‬

‫יותר עבור אורכי גל קצרים אשר נבלעים באזור ה‪ .p-‬על כן‪ ,‬היעילות הקוואנטית המקסימאלית‬
‫לא התהיה עבור אורך הגל הקצר ביותר‪ ,‬אלא עבור אורכי גל ארוכים יותר אשר נבלעים יותר‬
‫באזור האינטרינזי ופחות באזור ה‪.p -‬‬
‫‪ 7[ .6‬נקודות] על מנת לחסוך בחומרה‪ ,‬מעוניינים להשתמש באותה הפוטו‪-‬דיודה על מנת לקלוט‬
‫שני אותות אופטיים בו‪-‬זמנית‪ .‬האות הראשון הוא של פוטונים באורך גל של ‪ ,500 nm‬ואילו‬
‫האות השני הוא של פוטונים באורך גל של ‪ 900‬ננומטר‪.‬‬
‫‪ .a‬מהו רוחב הסרט של הפוטו‪-‬דיודה עבור כל אחד מהאותות?‬
‫‪ .b‬מה הסיבה להבדל במהירות התגובה לשני אורכי הגל?‬
‫הניחו כי מתח העבודה של ההתקן הוא ‪ ,-2V‬כי מהירות הסחיפה ליניארית עם השדה‪ ,‬וכי‬
‫האזור ה‪ p -‬דק מאוד‪.‬‬
‫עבור אורך גל של ‪ ,500 nm‬כל הקרינה נבלעת באזור האינטרינזי ולכן תנועת המטען נקבעת על ידי‬
‫סחיפה‪ .‬במצב זה‪ ,‬תגובת התדר מוגדרת על ידי זמן החצייה של נשאי מטען את האזור‬
‫האינטרינזי‪:‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪−4‬‬
‫) ‪(10 ⋅ 10‬‬ ‫‪2‬‬
‫𝐷𝑊‬ ‫𝐷𝑊‬ ‫𝐷𝑊‬
‫= 𝑟𝑡‬ ‫=‬ ‫=‬ ‫‪2‬‬ ‫=‬ ‫𝑠𝑛 ‪= 1.69‬‬
‫)‪𝜇ℰ 𝜇(𝜓𝑏𝑖 − 𝑉𝑎 ) 𝜇(𝑘𝑇𝑙𝑛(𝑁𝑎 𝑁𝑑 /𝑛𝑖 ) − 𝑉𝑎 ) 200(0.96 + 2‬‬
‫מכאן שרוחב הסרט עבור אורך הגל הקצר הוא‪:‬‬
‫‪2.78‬‬
‫= )𝑚𝑛 ‪𝐵(𝜆 = 500‬‬ ‫𝑧𝐻𝑀 ‪= 261.7‬‬
‫𝑟𝑡𝜋‪2‬‬
‫עבור אורך הגל הארוך יותר‪ ,‬כמות משמעותית מאוד של אור נבלעת באזור הקוואזי ניטראלי‪ .‬על‬
‫כן‪ ,‬מטען זה ינוע בדיפוזיה ומהירות התגובה שלו נקבעת על פי זמני רקומבינציה בהתקן‪ .‬בדומה‬
‫לפוטו‪-‬מוליכים‪ ,‬במקרים אלו רוחב הסרט הוא כעת רוחב הסרט נקבע על ידי זמן החיים של נשאי‬
‫המטען‪:‬‬
‫‪1‬‬
‫= 𝐵𝑑‪𝐵(𝜆 = 900 𝑛𝑚) = 𝑓3‬‬
‫𝑝𝜏𝜋‪2‬‬
‫נמצא את זמן החיים של נשאי המיעוט בהתקן‪ .‬על פי יחסי איינשטיין‪:‬‬
‫𝑇𝑘‬ ‫𝑝‪𝐿2‬‬
‫√ = 𝑝𝜏 𝑝𝐷√ = 𝑝𝐿‬ ‫= 𝑝𝜏 ⇒ 𝑝𝜏 𝑝 𝜇‬ ‫𝑠𝜇 ‪= 19.2‬‬
‫𝑞‬ ‫𝑇𝑘‬
‫𝑝𝜇 𝑞‬
‫על כן‪:‬‬
‫‪1‬‬
‫= 𝐵𝑑‪𝐵(𝜆 = 900 𝑛𝑚) = 𝑓3‬‬ ‫𝑧𝐻𝑘 ‪= 8.28‬‬
‫𝑝𝜏𝜋‪2‬‬
‫ההבדל הגדול בין רוחב הסרט עבור שני האותות נובע ממנגנון ההולכה לנשאי מטען שנוצרים בכל‬
‫אחד מהמקרים‪ .‬נשאי מטען הנוצרים בתוך אזור בו יש שדה גבוה נסחפים במהירות ומאפשרים‬
‫רוחב סרט גדול‪ ,‬לעומת נשאי מטען הנוצרים באזור קוואזי ניטראלי‪ ,‬נעים בדיפוזיה ומפונים על‬
‫ידי רקומניציה‪ ,‬תהליכים איטיים באופן משמעותי‪.‬‬
‫‪ 7[ .7‬נקודות] מהו ההספק האופטי אשר ייתן יחס אות לרעש של ‪ 1‬בהנחה של רוחב סרט של‬
‫‪ 1Hz‬כאשר הפוטו‪-‬דיודה מוארת על ידי אותות באורכי הגל מסעיף ‪ ?4‬הפוטו‪-‬דיודה מחוברת‬
‫למגבר בעל התנגדות כניסה של ‪ ,100kΩ‬התנגדות העומס היא גם ‪ ,100kΩ‬והתנגדות הצומת‬
‫גדולה מאוד‪ .‬כמו כן‪ ,‬ישנה זליגה של אור לתוך המערכת באורך גל של ‪ 900 nm‬בהספק קבוע‬
‫של ‪ .1µW/cm2‬הניחו כי שטח הפוטו‪-‬דיודה הוא ‪.1cm2‬‬
‫ההספק אשר ייתן יחס אות לרעש של ‪ 1‬בהנחה של רוחב סרט של ‪ 1‬הוא ה‪ NEP -‬של פוטו‪-‬‬
‫דיודה‪:‬‬
‫𝜈‪ℎ‬‬ ‫𝑞𝑒𝐼‬
‫= 𝑃𝐸𝑁‬ ‫‪√2‬‬
‫𝜂‬ ‫𝑞‬

‫פתרון מבחן מועד ב' ‪ -‬התקנים‬ ‫עמוד ‪ 11‬מתוך ‪12‬‬

‫אלקטרוניים מתקדמים‬
‫כל הזכויות שמורות ©‬
‫מבלי לפגוע באמור לעיל‪ ,‬אין להעתיק‪ ,‬לצלם‪ ,‬להקליט‪ ,‬לשדר‪ ,‬לאחסן במאגר מידע‪ ,‬בכל דרך שהיא‪ ,‬בין מכנית‬
‫ובין אלקטרונית או בכל דרך אחרת כל חלק שהוא מטופס הבחינה‪.‬‬
‫]‪[Type here‬‬

‫𝐵𝑇𝑘‪2‬‬
‫𝑅𝑞 ‪ ,𝐼𝑒𝑞 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐷 +‬ו‪-‬‬ ‫כאשר‬
‫𝑞𝑒‬
‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬
‫‪= +‬‬ ‫‪+ = +‬‬ ‫‪+‬‬ ‫‪⇒ 𝑅𝑒𝑞 = 50𝑘Ω‬‬
‫𝑘‪𝑅𝑒𝑞 𝑅𝑗 𝑅𝐿 𝑅𝑖 ∞ 100𝑘 100‬‬

‫בהנחה של רוחב סרט של ‪ ,1‬הרעש התרמי ייצור זרם ממוצע של‪:‬‬

‫‪2𝑘𝑇𝐵 2 ⋅ 0.026‬‬
‫=‬ ‫𝐴𝜇 ‪= 1.02‬‬
‫𝑞𝑒𝑅𝑞‬ ‫𝑘‪50‬‬
‫𝐷𝐼 הוא זרם הרוויה של הדיודה‪ .‬ניתן לתאר את זרם הרוויה בדומה לזרם הרוויה בצומת ‪ p+n‬כך‬
‫ש‪:‬‬
‫𝑎𝑉𝑞 𝑝𝐷 ‪𝑞𝑝𝑛0‬‬ ‫𝑝𝐷 ‪𝑞𝑝𝑛0‬‬
‫= 𝐷𝐽‬ ‫≈ )‪(𝑒 𝑘𝑇 − 1‬‬ ‫𝐴𝑝‪= 0.083‬‬
‫𝑝𝐿‬ ‫𝑝𝐿‬
‫אם לוקחים בחשבון ייצור ורקומבינציה באזור המיחסור‪ ,‬ניתן להשתמש בביטוי‬
‫𝐷𝑊 𝑖𝑛𝑞‬
‫≈ 𝐷𝐽‬
‫‪2𝜏0‬‬
‫כאשר ‪ 𝜏0‬הוא קבוע הזמן האופייני לרקומבינציה באזור המחיסור (לא נתון בשאלה)‪ .‬תשובות עם‬
‫ביטוי זה תוך הצבה של זמן החיים במקום קבוע הזמן הזה התקבלו למרות שאינן מדויקות‪.‬‬
‫הארת הרקע תיצור זרם של‪:‬‬
‫𝑏‪𝑃𝑜𝑝𝑡,‬‬
‫𝑞 = 𝐵𝐼‬ ‫𝐴𝜇 ‪𝜂 = 0.594‬‬
‫𝜈‪ℎ‬‬
‫על כן‪ ,‬סך כל זרם הרקע והרעש הוא‪:‬‬
‫𝐵𝑇𝑘‪2‬‬
‫‪𝐼𝑒𝑞 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐷 +‬‬ ‫𝐴𝜇 ‪= 1.02𝜇𝐴 + 0.083𝑝𝐴 + 0.594 𝜇𝐴 = 1.62‬‬
‫𝑞𝑒𝑅𝑞‬
‫נמצא את ה‪:NEP -‬‬
‫𝜈‪ℎ‬‬ ‫𝑞𝑒𝐼‬
‫= )𝑚𝑛 ‪𝑁𝐸𝑃(𝜆 = 500‬‬ ‫‪√2‬‬ ‫𝑊𝑝‪= 1.8‬‬
‫)𝑚𝑛 ‪𝜂(𝜆 = 500‬‬ ‫𝑞‬

‫𝜈‪ℎ‬‬ ‫𝑞𝑒𝐼‬
‫= )𝑚𝑛 ‪𝑁𝐸𝑃(𝜆 = 700‬‬ ‫‪√2‬‬ ‫𝑊𝑝‪= 1.33‬‬
‫)𝑚𝑛 ‪𝜂(𝜆 = 700‬‬ ‫𝑞‬

‫𝜈‪ℎ‬‬ ‫𝑞𝑒𝐼‬
‫= )𝑚𝑛 ‪𝑁𝐸𝑃(𝜆 = 900‬‬ ‫‪√2‬‬ ‫𝑊𝑝 ‪= 1.21‬‬
‫)𝑚𝑛 ‪𝜂(𝜆 = 900‬‬ ‫𝑞‬

‫פתרון מבחן מועד ב' ‪ -‬התקנים‬ ‫עמוד ‪ 12‬מתוך ‪12‬‬

‫אלקטרוניים מתקדמים‬
‫כל הזכויות שמורות ©‬
‫מבלי לפגוע באמור לעיל‪ ,‬אין להעתיק‪ ,‬לצלם‪ ,‬להקליט‪ ,‬לשדר‪ ,‬לאחסן במאגר מידע‪ ,‬בכל דרך שהיא‪ ,‬בין מכנית‬
‫ובין אלקטרונית או בכל דרך אחרת כל חלק שהוא מטופס הבחינה‪.‬‬