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EXPERIMENTO

La conexión CE
Como una aproximación al comportamiento de un transistor, usaremos el modelo de
Ebers-Moll: el diodo emisor actúa como un diodo rectificador, mientras que el diodo
colector actúa como una fuente de corriente controlada. El voltaje que cruza a través
del diodo emisor de un transistor de señal pequeña es típicamente de 0.6 a 0.7 V. Para
la solución de problemas y diseño, usaremos 0.7 V para la caída de VBE. En este
experimento, usted obtendrá datos por calcular αdc, βdc y la caída de VBE.
Cuando los límites máximos de un transistor son excedidos, este puede ser dañado
ena diferentes maneras. El problema más común es un corto del colector-emisor
donde ambos como el diodo emisor así como el diodo colector se abren. Además de
ceder, es posible tener solo un diodo en corto, solo un diodo abierto, un diodo roto,
etc.
Para seguir adelante con la solución de problemas, enfatizaremos con los dos
problemas más comunes: el corto corto-emisor y el colector-emisor abierto.
Simularemos el corto colector-emisor poniendo un puente entre el colector, la base y
el emisor; esto hace un corto en las tres terminales juntas. Simularemos el colector-
emisor abierto removiendo el transistor del circuito; esto abre ambos diodos.

3. Repita los pasos 1 y 2 para los otros dos

LECTURA REQUERIDA transistores.
Capítulo 5 (Secs. 5-1 a 5-5) de Principios de Electrónica,
3 ed. CARACTERÍSTICAS DEL TRANSISTOR
4. Conecte el circuito de la figura 13.1, usando uno
EQUIPO de los transistores.
1 fuente de poder: 15 V. 5. Mida y registre VBE y VCE en la tabla 13.1.
3 resistores ½ - W: 100 Ω, 1 kΩ, 470 kΩ 6. Mida y registre IC y IB en la tabla 13.1
3 transistores: 2N3904 (o casi cualquier transistor npn de 7. Calcule los valore de VCB, IE, αdc y βdc en el
señal pequeña de silicio) circuito de la figura. Registre los datos en la tabla 13.2.
1 VOM (multímetro digital o análogo).
8. Repita lo pasos 4 a 7, usando el segundo
transistor.
PROCEDIMIENTO
PRUEBA DEL ÓHMETRO
1. Mida la resistencia entre el colector y el emisor de
uno de los transistores. La resistencia tiene que ser
extremadamente grande (cientos de megaohms) en
cualquier dirección.
2. Mida la resistencia de avance y retroceso del
diodo base-emisor y del diodo colector-base. Para ambos
Figura 13. 1
diodos, el radio de avance/retroceso debe ser al menos de
1000:1.

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 9. Repita los pasos 4 a 7, usando el tercer transistor.
10. Si un trazador de curvas está disponible, muestre
las curvas de los tres transistores. Note las diferencias en
βdc, los voltajes de corte, etc.

SOLUCIÓN DE PROBLEMAS
11. En la Figura 13.2, estime y registre el voltaje VC
del colector-tierra para cada problema listado en la tabla
13.2.
12. Conecte el circuito con cada uno de los Figura 13. 2
problemas, el corto del colector-emisor y el colector-
emisor abierto. Mida y registre el voltaje del colector en
cada problema. COMPUTADORA (Opcional)
16. Escriba y corra este programa para la figura 13.2:
DISEÑO (Opcional) 10 MOSTRAR “ESCRIBA EL VALOR DEL VOLTAJE
13. Conecte el circuito de la figura 13.2 y mida el ABASTECIDO DEL COLECTOR”: ENTRE VCC
voltaje del colector a tierra. 20 MOSTRAR “ESCRIBA RESISTENCIA DEL
14. Con la información del paso 13, calcule βdc y COLECTOR”: ENTRE RC
seleccione la resistencia de base que producirá un voltaje 30 IC = VCC/RC
del colector de aproximadamente la mitad del voltaje 40 MUESTRE “LA CORRIENTE DE SATURACIÓN
abastecido. Registre la resistencia estándar más cercana y DEL COLECTOR ES”: MUESTRE IC
el voltaje del colector calculado en la tabla 13.4. 50 FIN
15. Conecte el circuito con su valor de su diseño de la 17. Escriba y corra un programa que muestre la salida
resistencia base. Complete las anotaciones en la Tabla de la corriente del colector para la Fig. 13.2.
13.4.

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Nombre Laura Adriana Berrout Ramos_______________________ Fecha_________________

DATOS DEL EXPERIMENTO 13

Tabla 13.1. Voltajes y corrientes del transistor

Transistor VBE VCE IB IC
1
2
3

Tabla 13.2 Cálculos

Transistor VCE IE αdc βdc
1
2
3

Tabla 13.3 Solución de problemas

Problema VC estimado VC medido
470 kΩ abierto
1 kΩ en corto
1 kΩ abierto
Colector-emisor en corto
Colector-emisor abierto

Tabla 13.4. Diseño

RB VC
Calculado
Medido

PREGUNTAS SOBRE EL EXPERIMENTO 13

1. La caída VBE de los transistores fue cercana a ( )

(a) 0 V; (b) 0.3 V; (c) 0.7 V; (d) 1V.
2. El αdc de todos los transistores fue muy cercano a: ( )
(a) 0; (b) 1; (c) 5; (d) 20.
3. El βdc de todos los transistores fue más grande que: ( )
(a) 0; (b) 1; (c) 5; (d) 20.
4. Este experimento prueba que la corriente del colector es mucho más grande que: ( )
(a) El voltaje del colector; (b) corriente del emisor; (c) la corriente de la base; (d) 0.7 V.
5. Los transistores son de silicio porque: ( )
(a) VBE fue aproximadamente 0.7 V; (b) IC es mucho más grande que IB; (c) el diodo
colector tuvo una inclinación reversa; (d) βdc fue mucho más grande que la unidad.
6. ¿Qué aprendió acerca de la caída de VCE y la relación entre la corriente del colector con la
corriente de base?

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SOLUCIÓN DE PROBLEMAS (Opcional)
7. ¿Qué voltaje de colector midió cuando el resistor base estuvo abierto? Explique porque
éste voltaje existe en el colector.

8. Explique brevemente porque el voltaje del colector es aproximadamente cero cuando el

transistor esta en corto del colector-emisor.

DISEÑO (Opcional)
9. Explique cómo calculó la resistencia base en la tabla 13.4

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