常压射频低温冷等离子体清洗光刻胶研究

李海江 王守国 赵玲利 叶甜春

中国科学院微电子研究所 北京　１０００１０

摘要 介绍了一种新型的常压射频低温冷等离子体放电设备 用该设备进行了清洗光刻胶的工艺实验
研究 实验结果表明 在 １ ０ ０ ｍ ｍ 硅片表面涂上 ９ ９ １ ２ 光刻胶 用等离子体进行清洗的速率可达 ５ ０ ０ ｎ ｍ ／ ｍ ｉ ｎ
测量了清洗速率与放电功率 氧气流量和衬底温度之间的变化关系 并对离子注入 Ｂ ＋， 　 ５ １ ０ １５ ｃ ｍ －２
后的光刻胶进行了清洗实验 得到清洗速率为 ３ ０ ０ ｎ ｍ ／ ｍ ｉ ｎ 清洗后的电镜分析证明 经等离子体清洗后
硅片表面无损伤 无残胶
关键词 常压 射频 等离子体 光刻胶 清洗
中图分类号 ＴＮ４０５．９８２；ＴＮ３０５．９７　　　　　文献标识码 Ａ　　　　文章编号 １００３－３５３Ｘ（２００４）１２－００２６－０４

Ｓｔｒｉｐｐｉｎｇ　ｏｆ　Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ　ｂｙ　ａｎ　Ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ　Ｐｒｅｓｓｕｒｅ
Ｒａｄｉｏ－Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ　Ｐｌａｓｍａ
　ＬＩ　Ｈａｉ－ｊｉａｎｇ，　ＷＡＮＧ　Ｓｈｏｕ－ｇｕｏ，　ＺＨＡＯ　Ｌｉｎｇ－ｌｉ，　ＹＩＥ　Ｔｉａｎ－ｃｈｕｎ
（Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ　ｏｆ　Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ　ｏｆ　Ｃｈｉｎｅｓｅ　Ａｃａｄｅｍｙ　ｏｆ　Ｓｃｉｅｎｃｅｓ，　Ｂｅｉｊｉｎｇ　１０００１０ Ｃｈｉｎａ）

Ａｂｓｔｒａｃｔ Ａ　ｎｏｖｅｌ　ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ　ｐｒｅｓｓｕｒｅ　ｐｌａｓｍａ　ａｐｐａｒａｔｕｓ　ｉｓ　ｉｎｔｒｏｄｕｃｅｄ，　ｗｉｔｈ　ｗｈｉｃｈ　ｔｈｅ
ｓｔｒｉｐｐｉｎｇ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ　ｗａｓ　ｓｔｕｄｉｅｄ．　Ｔｈｅ　ｓｔｒｉｐｐｉｎｇ　ｒａｔｅ　ｏｆ　５００ｎｍ／ｍｉｎ　ｆｏｒ　ｔｈｅ　９９１２　ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ　ｏｎ
ａ　１００ｍｍ　ｗａｆｅｒ　ｗａｓ　ｒｅａｃｈｅｄ．　Ｔｈｅ　ｄｅｐｅｎｄｅｎｃｅ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｓｔｒｉｐｐｉｎｇ　ｒａｔｅ　ｏｎ　ｔｈｅ　ｉｎｐｕｔ　ｐｏｗｅｒ，　ｏｘｙｇｅｎ　ｆｌｏｗ
ｒａｔｅ　ａｎｄ　ｔｈｅ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　ｗｅｒｅ　ｇｉｖｅｎ．　Ｉｎ　ａｄｄｉｔｉｏｎ，　ｉｏｎ－ｉｍｐｌａｎｔｅｄ　ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ　（Ｂ＋，　５ １０１５ｃｍ－２）　ｗａｓ
ｓｔｒｉｐｐｅｄ　ａｎｄ　ｔｈｅ　ｓｔｒｉｐｐｉｎｇ　ｒａｔｅ　ｗａｓ　ｕｐ　ｔｏ　３００ｎｍ／ｍｉｎ．　Ｔｈｅ　ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔｓ　ｏｆ　ＳＥＭ　ｓｈｏｗｅｄ　ｔｈａｔ　ｔｈｅｒｅ
ｗｅｒｅ　ｎｏ　ｄａｍａｇｅ　ａｎｄ　ｎｏ　ｒｅｓｉｄｕｅ　ｏｎ　ｔｈｅ　ｓｕｒｆａｃｅ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｗａｆｅｒｓ　ａｆｔｅｒ　ｔｈｅ　ｓｔｒｉｐｐｉｎｇ　ｐｒｏｃｅｓｓ．
Ｋｅｙ　ｗｏｒｄｓ：　ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ　ｐｒｅｓｓｕｒｅ；　ＲＦ；　ｐｌａｓｍａ；　ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ；　ｓｔｒｉｐｐｉｎｇ

干法清洗主要是利用氧在等离子体中产生的活
１ 　 引言 性氧与光刻胶发生反应生成二氧化碳和水 以达到
在微电子工业中光刻胶的清洗是一个十分重要的 去除光刻胶的目的 它能对高温烘烤过的胶 显影
环节 清洗工序占整个制造工序的 ３０％￣３５％ 传统 后的底胶以及铝电极和大剂量离子注入过的胶进行
上都是采用湿化学方法来进行光刻胶的清洗的 它 清洗 目前 普遍采用的干法清洗光刻胶工艺都是
具有不可控制 清洗不彻底 需要反复清洗等缺 在真空室里利用低气压氧等离子体来进行清洗 在
点 而且会造成环境污染 需要建立专门的回收处 使用中存在设备及维护费用高 被处理物体的尺度
理站 随着新材料的使用和微器件特征尺寸的进一 受真空室腔体限制 操作不方便和时间长等缺点
步减小 要求有一种更具选择性 更环保 也更能 １９９５年 Ｈ．　Ｋｏｉｎｕｍａ 等人开始在大气压下进行光
［４］

人为控制的清洗技术 自 ２０ 世纪 ８０ 年代以来 等 刻胶清洗的实验研究 清洗速率可达到每分钟几个

离子体干法刻蚀被应用于光刻胶的清洗中［１－３］ 这种 微米 但是他们所采用的等离子体设备只能对直径
技术不但可以清洗化学结构更为复杂的光刻胶而且不 为 ５ｍｍ 的小面积进行清洗 而且清洗后仍有残胶存
会产生化学废物 有利于环境保护 在 １９９７年美国　ＬＯＳ　Ａｌａｍｏｓ［５￣９］ 国家实验室发明了

26 半导体技术第 ２ ９ 卷第 １ ２ 期 ２００４ 年 １２ 月

万方数据
 常压射频冷等离子体喷枪设备 并利用该设备产生 冷系 统 和 加 热 系 统 等 组 成 射频电源的频率为
的更大面积的等离子体对光刻胶进行清洗实验研 １３．５６ＭＨｚ 工 作 范 围 为 ０ ￣６ ０ ０ Ｗ 等离子体发
究 但到目前为止 仍没有看到有关用常压等离子 生器是由射频电极和地电极构成 被引入的气体在
体清洗 １００ｍｍ 以上面积的硅片的报道 电极之间击穿电离后形成冷等离子体并均匀向下喷
中国科学院微电子研究所最近研制出的常压射 出 形成直径为 １ ５ ０ ｍ ｍ 的放电区间 如图 ２ 所示
频电容耦合冷等离子体喷枪设备 ［１０，１１］
能产生直径 放电参数为 氩气流量为 ５ Ｌ ／ ｍ ｉ ｎ 氧气流量为
为 １５０ｍｍ 的大面积均匀冷等离子体 利用该设备对 ２５ｓｃｃｍ 射频输入功率为 ３００Ｗ 反射功率为 ０
１００ｍｍ 硅片进行了干法清洗的工艺实验 当放电输
入功率为 ３００Ｗ 氩气流量为 ５Ｌ／ｍｉｎ 氧气流量为 ３ 　 氧原子产生原理
２５ｓｃｃｍ 衬底温度为 １１８ 时 得到对光刻胶 ９９１２ 在清洗光刻胶的过程中 清洗速率主要取决于
的清洗速率为 ５００ｎｍ／ｍｉｎ 对离子注入 Ｂ ＋ 注入 活性氧原子［１１￣１３］ 氧原子主要是通过电荷之间的转
注入剂量为 ５ １０ ｃｍ
１５ －２
后的光刻胶 当放电功 换和再结合 ［ １ ４ ］ 产生的 如方程 １ 所示
率为 ３ ５ ０ Ｗ 氩气流量为 ５ Ｌ ／ ｍ ｉ ｎ 氧气流量为 Ａｒ ＋ ＋Ｏ ２ Ａ ｒ ＋ Ｏ ２ ＋　
２５ｓｃｃｍ 衬底温度为 １ ３ ０ 时 得到清洗速率为 Ｏ２＋＋ｅ－ Ｏ＋Ｏ＊　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 １
３００ｎｍ／ｍｉｎ 产生的氧原子运动到硅片表面与光刻胶发生反
应
２　 设备介绍
如图 １ 所示 常压射频冷等离子体喷枪设备 ４ 　 实验及结果分析
由射频电源 等离子体发生器 进气系统 水 用甩胶机在干净的 １００ｍｍ 硅片上旋涂 调节
转速为 ３ ０ ０ ０ ｒ／ｍｉｎ 然后放入烘箱在 １ ０ ０ 下烘
１０ｍｉｎ 光刻胶厚度为 １．４µｍ 本实验通过测量清
洗前后硅片的质量差来计算清洗速率
图 ３ 为清洗速率与功率之间的变化关系 从图
中可以看出 输入功率是影响清洗速率的一个重要
因素 当输入功率为 １５０Ｗ 时 清洗速率很小 只
有 ２８ｎｍ／ｍｉｎ 随着输入功率的增加 等离子体中
的电子温度 电子密度和活性基团的密度会随之增
加 因此所产生的活性氧原子数量增多 反应速率
加快 当输入功率增加到 ４００Ｗ 时 清洗速率达到
图 １ 　 　 常压射频冷等离子体设备

图 ３ 　 清洗速率与功率的变化关系 放电参数为 氩气流量

图 ２ 　 　 常压射频冷等离子体放电照片 为 ５Ｌ／ｍｉｎ 氧气流量为 ２ ５ ｓ ｃ ｃ ｍ

Ｄｅｃｅｍｂｅｒ　２００４ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　　Ｖｏｌ．　２９　Ｎｏ．　１２ 27

万方数据
４２９ｎｍ／ｍｉｎ 这已远大于真空等离子体的清洗速
率
图 ４ 为清洗速率和氧气流量之间的变化关系
增加氧气流量会增加氧原子 因而增加清洗速率
但是由于通入氩气流量是一定的 即能够电离出来
的氩离子是一定的 根据方程 １ 当氩离子全
部与氧分子反应时 氧原子的数量会达到一个最大
值 即清洗速率达到最大值 如图 ４ 所示 当氧
气的流量接近总流量的 １％ 时 得到最大的清洗速

图 ５ 　 衬底温度与速率的关系 放电参数为 氩气流量为

５Ｌ／ｍｉｎ 氧气流量为 ２ ５ ｓ ｃ ｃ ｍ 入射功率为 ３ ０ ０ Ｗ

ｍｉｎ 此外 由图可以看出 随着温度的进一步增

加 清洗速率会进一步增大 但是为了避免对器件
造成热损伤 衬底温度应控制在一定范围之内
对经过离子注入 Ｂ ＋，　５ １０ １５ 的光刻胶的
实验表明 当功率为 ３５０Ｗ 氩气流量为 ５Ｌ／ｍｉｎ
氧气流量为 ２５ｓｃｃｍ 时 清洗速率可以达到 ３００ｎｍ／
ｍｉｎ
在干净的硅片上涂一层 ＡＺ９９１８ 光刻胶 甩胶
图 ４ 　 　 清洗速率和氧气流量的变化关系 放电参数 氩气
流量为 ５ Ｌ ／ ｍ ｉ ｎ 功率为 ３ ０ ０ Ｗ 机的转速为 ３０００ｒ／ｍｉｎ 涂胶厚度为 １．２µｍ 然后
在 ９０ 下烘 ２０ｍｉｎ 光刻并刻蚀出如图 ６ ａ 所
率 ４４４ｎｍ／ｍｉｎ 进一步增加氧气的流量 出现放电 示的图形 这时剩胶的厚度为 ５００ｎｍ 然后把刻蚀
减弱的现象 有关这种放电机理目前还不是很清 好的硅片放到等离子中清洗 放电功率为 ３ ０ ０ Ｗ
楚 对于清洗速率随着氧气流量的进一步增加会减 反射功率为 ０Ｗ 氩气流量为 ５Ｌ／ｍｉｎ， 氧气流量为
小的初步解释是 ２５ｓｃｃｍ 经过 ２ｍｉｎ 的清洗 光刻胶全部去除干
１ 臭氧的生成 Ｏ ＋ 　 Ｏ ２＋ 　 Ｏ ２ Ｏ ３ ＋　Ｏ ２ 　 净 图６ ｂ 是清洗后的电镜照片 可以看出
２ 氧原子之间结合生成氧气 Ｏ＋　Ｏ＋　Ｏ ２ 利用该设备清洗光刻胶没有残胶存在
２　Ｏ ２　
３ 因为氧原子的扩散速率比氩离子的扩散
速率大 而且因为在大气压下 分子 离子之间
的碰撞十分频繁 所以氩离子的浓度随着离开喷枪
喷口距离的增加迅速减小 氧原子主要在喷口处生
成 在这种情况下 氧原子在到达硅片前有足够的
时间扩散到空气中 从而使最终到达硅片表面的氧
（ａ）　光刻胶清洗前　　　　　　　　　　　　　（ｂ）　光刻胶清洗后
原子数目减小 图 ６ 　 去胶前后的电镜照片 放电参数 氩气流量为
图 ５ 为清洗速率与衬底温度的变化关系 由图 ５ Ｌ ／ ｍ ｉ ｎ ， 氧气流量为 ２ ５ ｓ ｃ ｃ ｍ
入射功率为 ３ ０ ０ Ｗ 反射功率为 ０ Ｗ
可以看出 衬底温度可以加速反应的发生 在氩气
流量为 ５Ｌ／ｍｉｎ 氧气流量为 ２５ｓｃｃｍ 输入功率为 图 ７ 为对 １００ｍｍ 涂胶硅片进行清洗前 清洗中
３００Ｗ 时 温度从 ８ ７ 升到 １ １ ８ 清洗速率从 和清洗后的照片比较 照片左边的硅片为涂胶清洗
１９６ｎｍ／ｍｉｎ 增加到 ５００ｎｍ／ｍｉｎ 增加了约 ３００ｎｍ／ 前的形貌 中间硅片为清洗 １ｍｉｎ 后 未清洗干净

28 半导体技术第 ２ ９ 卷第 １ ２ 期 ２００４ 年 １２ 月

万方数据
 ａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ　ｏｆ　ａ　ｎｏｖｅｌ　ｍｉｃｒｏｗａｖｅ　ｓｔｒｉｐｐｅｒ［Ｊ］．　Ｊ　Ｖａｃ
Ｓｃｉ　Ｔｅｃｈｎｏｌ　Ａ　，　１９９２，１０（４）：１０９６－１０９９．
［４］　　　　　ＩＮＯＭＡＴＡ　Ｋ，　ＯＩＫＡＷＡ　Ｙ，　ＳＨＩＲＡＩＳＨＩ　Ｔ，　ｅｔ　ａｌ．　Ｏｐｅｎ
ａｉｒ　ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ　ａｓｈｉｎｇ　ｂｙ　ａ　ｃｏｌｄ　ｐｌａｓｍａ　ｔｏｒｃｈ：　Ｃａｔａ－
ｌｙｔｉｃ　ｅｆｆｅｃｔ　ｏｆ　ｃａｔｈｏｄｅ　ｍａｔｅｒｉａｌ［Ｊ］．　Ａｐｐｌ　Ｐｈｙｓ　Ｌｅｔｔ，
１９９５，　６６（１７）　：　２１８８－２１９０．
图 ７ 　 １ ０ ０ ｍ ｍ 涂胶硅片在清洗前 清洗中 清洗后的 ［５］　　　ＰＡＲＫ　Ｊ，　ＨＥＮＩＮＳ　Ｉ，　ＨＥＲＲＭＡＮＮ　Ｈ　Ｗ，　 ｅ ｔ 　 ａ ｌ ． 　 Ａ ｎ
形貌比较照片 Ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ　ｐｒｅｓｓｕｒｅ　ｐｌａｓｍａ　ｓｏｕｒｃｅ［Ｊ］．　Ａｐｐｌ　Ｐｈｙｓ
Ｌｅｔｔ，２０００，　７６（３）：　２８８－２９０．
时的相貌 右边硅片为光刻胶被彻底清洗干净后的 ［６　］　　ＰＡＲＫ　Ｊ，　ＨＥＮＩＮＳ　Ｉ，　ＨＥＲＲＭＡＮＮ　Ｈ　Ｗ，　ｅｔ　ａｌ． 　Ｇａｓ
照片 ｂｒｅａｋｄｏｗｎ　ｉｎ　ａｎ　ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ　ｐｒｅｓｓｕｒｅ　ｒａｄｉｏ－ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ
ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ　ｐｌａｓｍａ　ｓｏｕｒｃｅ［Ｊ］．　Ａｐｐｌ　Ｐｈｙｓ　Ｌｅｔｔ，２００１，　８９
５　 结论 （１）：　１５－１９．
［７］　　　　　ＰＡＲＫ　Ｊ，　ＨＥＮＩＮＳ　Ｉ，　ＨＥＲＲＭＡＮＮ　Ｈ　Ｗ，　ｅｔ　ａｌ．　Ｄｉｓ－
文章介绍了一种新的可用于光刻胶清洗的常压
ｃｈａｒｇｅ　ｐｈｅｎｏｍｅｎａ　ｏｆ　ａｎ　ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ　ｐｒｅｓｓｕｒｅ　ｒａｄｉｏ－
射频冷等离子体设备 用该设备进行的工艺实验表 ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ　ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ　ｐｌａｓｍａ　ｓｏｕｒｃｅ　［Ｊ］．　Ａｐｐｌ　Ｐｈｙｓ
明 清洗速率与输入功率几乎成线性正比关系 在 Ｌｅｔｔ，２００１，　８９（１）：　２０－２８．
氧气流量达到总流量的 １％ 之前 清洗速率随着氧 ［８］　　　ＳＥＬＷＹＮ　Ｇ　Ｓ，　ＨＥＲＲＭＡＮＮ　Ｈ　Ｗ，　ＰＡＲＫ　Ｊ，　 ｅｔ　ａｌ．

气流量的增加而增加 在 １％ 时达到最大值 再继 Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｓｉｎｇ　ａｎ　Ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ　Ｐｒｅｓｓｕｒｅ，

ＲＦ－Ｇｅｎｅｒａｔｅｄ　Ｐｌａｓｍａ　Ｓｏｕｒｃｅ　［Ｊ］．　Ｃｏｎｔｒｉｂ　Ｐｌａｓｍａ　Ｐｈｙｓ，
续增大氧气流量清洗速率开始减小 清洗速率与衬
２００１，　４１，（６）：　６１０－６１９．
底温度基本呈线性增加的关系 当入射功率为
［９］　　　　ＴＵ　Ｖ　Ｊ，　ＪＥＯＮＧ　Ｊ　Ｙ，　ＳＣＨÜＺＥ　 Ａ，　ｅｔ　ａｌ．　Ｔａｎｔａｌｕｍ
３００Ｗ 氩气流量为 ５Ｌ／ｍｉｎ 氧气流量为 ２５ｓｃｃｍ ｅｔｃｈｉｎｇ　ｗｉｔｈ　ａ　ｎｏｎｔｈｅｒｍａｌ　ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ－　ｐｒｅｓｓｕｒｅ
衬底温度为 １３０ 时 得到对光刻胶的清洗速率为 ｐｌａｓｍａ［Ｊ］．　Ｊ　Ｖａｃ　Ｓｃｉ　Ｔｅｃｈｎｏｌ　Ａ，　２０００，　１８（６）：　２７９９－
５００ｎｍ／ｍｉｎ ２８０５．

对离子注入的光刻胶的清洗结果表明 当入 ［ １ ０ ］ 　 　 Ｗ Ａ Ｎ Ｇ 　 Ｓ ， 　 Ｓ Ｃ Ｈ Ｕ Ｌ Ｚ － Ｖ Ｏ Ｎ 　 Ｄ Ｅ Ｒ 　 Ｇ Ａ Ｔ Ｈ Ｅ Ｎ 　 Ｖ ， 　 ＤÖ Ｅ Ｌ Ｅ 　 Ｈ
Ｆ．　Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ　ｃｏｍｐａｒｉｓｏｎ　ｏｆ　ｎｏｎｅｑｕｉｌｉｂｒｉｕｍ　ａｔｍｏ－
射功率为 ３５０Ｗ 氩气流量为 ５Ｌ／ｍｉｎ 氧气流量
ｓｐｈｅｒｉｃ　ｐｒｅｓｓｕｒｅ　Ａｒ／Ｏ２　ａｎｄ　Ｈｅ／Ｏ２　ｐｌａｓｍａ　ｊｅｔｓ［Ｊ］．　Ａｐｐｌ
为 ２５ｓｃｃｍ 衬底温度为 １３０ 时 清洗速率达到
Ｐｈｙｓ　Ｌｅｔｔ，２００３，　８３（１６）：　３２７２－３２７４．
３００ｎｍ／ｍｉｎ 用电镜分析了光刻胶清洗前后的表 ［１１］　　　ＣＯＯＫ　Ｊ　Ｍ，　ＢＥＮＳＯＮ　Ｂ　Ｗ［Ｊ］．　Ｊ　Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ　Ｓｏｃ，
面形貌 可以看出该设备对光刻胶有良好的清洗 １９８３，　１３０（２）：　２４５９
效果 ［１２］　　　ＰＡＲＫ　Ｓ　Ｋ　，　ＥＣＯＮＮＯＭＯＵ　Ｄ　Ｊ．Ａ　ｍａｔｈｅｍａｔｉｃａｌ　ｍｏｄｅｌ
ｆｏｒ　ａ　ｐｌａｓｍａ－ａｓｓｉｓｔｅｄ　ｄｏｗｎｓｔｒｅａｍ　ｅｔｃｈｉｎｇ　ｒｅａｃｔｏｒ［Ｊ］．Ｊ
采用常压射频冷等离子体清洗光刻胶 由于是
Ａｐｐｌ　Ｐｈｙｓ，　１９８９，　６６（７）：３２５６－３２６７．
在大气中进行 等离子体中粒子之间的碰撞自由程
［１３］　　ＨＡＲＴＮＥＹ　Ｍ　Ａ　，　ＨＥＳＳ　Ｄ　Ｗ，　ＳＯＡＮＥ　Ｄ　Ｓ．Ｏｘｙｇｅｎ
很小 所以等离子体中几乎没有高能离子存在 不 ｐｌａｓｍａ　ｅｔｃｈｉｎｇ　ｆｏｒ　ｒｅｓｉｓｔ　ｓｔｒｉｐｐｉｎｇ　ａｎｄ　ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ
会像真空等离子体那样对硅片表面造成损伤 　而且 ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ［Ｊ］．　Ｊ　Ｖａｃ　Ｓｃｉ　Ｔｅｃｈｎｏｌ　Ｂ，　１９８９，７　（１）：１３７．
操作十分简便 没有任何环境污染 是一种十分理 ［１４］　ＢＲＵＳＳＡＡＲＤ　Ｇ　Ｊ　Ｈ，　ＶＡＮ　ＤＥ　ＳＡＮＤＥＮ　Ｍ　Ｃ　Ｍ，

想的清洗手段 具有实际的工业应用价值 ＳＣＨＲＡＭ　Ｄ　Ｃ．　Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｐｌａｓｍａ　ｂｅａｍ　ｄｅ－

ｐｏｓｉｔｅｄ　ａｍｏｒｐｈｏｕｓ　ｈｙｄｒｏｇｅｎａｔｅｄ　ｓｉｌｉｃｏｎ．　ＲＪ　Ｓｅｖｅｒｅｎｓ
参考文献
［Ｊ］．　Ａｐｐｌ　Ｐｈｙｓ　Ｌｅｔｔ，１９９５，　６７（４）：　４９１－４９４．
［１］　　　　ＳＡＲＧＥＮＴ　Ｊ ＳＴＡＲＯＶ　Ｖ，　ＲＵＳＴ　Ｗ．　Ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ　ｉｎ　ｔｈｅ
收稿日期 ２００４０９２８
ｐｏｓｔ－ｅｔｃｈ　ｗａｆｅｒ－ｃｌｅａｎｉｎｇ　ｍａｒｋｅｔ　ａｎｄ　ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ［Ｊ］．
Ｓｏｌｉｄ　Ｓｔａｔｅ　Ｔｅｃｈｎｏｌ，　１９９７，４０　（５）：１７１． 作者简介
［２］　　　　ＭＥＴＳＥＬＡＡＲ　Ｊ　Ｗ ＫＵＺＮＥＴＳＯＶ　Ｖ　Ｉ，　ＺＨＩＤＫＯＶ　Ａ 李海江 １９７９－ 女 硕士研究生 中国科学院微电子研究所

Ｇ．　Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ　ｓｔｒｉｐｐｉｎｇ　ｉｎ　ａｆｔｅｒｇｌｏｗ　ｏｆ　Ａｒ－Ｏ２　ｍｉｃｒｏ－ 王守国 研究员 中科院百人计划 中国科学院微电子研究所

赵玲利 工程师 中国科学院微电子研究所
ｗａｖｅ　ｐｌａｓｍａ［Ｊ］．　Ｊ　Ａｐｐｌ　Ｐｈｙｓ，　１９９４，７５（１０）：４９１０－４９１６．
叶田春 研究员 中国科学院微电子研究所副所长 中国科学院
［３］　　　ＰＡＳＩＥＲＢ　Ｆ，　ＧＨＡＮＢＡＲＩ　Ａ，　ＡＭＥＥＮ　Ｍ　Ｓ，　ｅｔ　ａｌ．　Ｃｈａｒ－ 微电子研究所

Ｄｅｃｅｍｂｅｒ　２００４ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　　Ｖｏｌ．　２９　Ｎｏ．　１２ 29

万方数据