UFPI - UNIVERSIDADE FEDERAL DO PIAUÍ

CENTRO DE TECNOLOGIA
DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS – Prof. MARCOS ZURITA – Março / 2012

Diodos – Exercícios

1ª PARTE – TEORIA

1.1) O que é um diodo?

1.2) Quais as características de um diodo ideial?
1.3) Como é constituído um diodo semicondutor?
1.4) O que é a região de depleção? Explique seu processo de formação.
1.5) O que é e a que se deve a tensão de barreira?
1.6) Como polarizar uma junção pn diretamente?
1.7) Fisicamente, explique o que ocorre com uma junção pn reversamente polarizada (refira os
portadores majoritários e minoritários de cada região semicondutora e a região de depleção).
1.8) Explique o processo de estabelecimento de corrente numa junção pn diretamente polarizada
(refira os portadores majoritários e minoritários de cada região semicondutora e a região de
depleção).
1.9) O que é a ruptura reversa de um diodo? Que mecanismos podem originá-la?
1.10) Explique como se dá a ruptura por efeito avalanche.
1.11) Explique como se dá a ruptura por efeito zener.
1.12) Esboce a curva característica típica de um diodo de silício identificando suas 3 regiões de
operação.
1.13) Quais as vantagens de um diodo de silício em comparação a um de germânio? E as
desvantagens?
1.14) Qual a relação da a tensão de limiar, tensão zener, e corrente reversa com a temperatura?
1.15) Quais as capacitâncias encontradas numa junção pn? Explique resumidamente a origem de
cada uma delas.

2ª PARTE – CÁLCULOS

Resolva as questões abaixo admitindo os valores de base da página 3, sempre que tais
dados não forem mencionados no enunciado.

2.1) Um determinado diodo pode ser aproximado por uma junção abrupta com NA = 3 × 1017/cm3,
e ND = 1015/cm3. Determine:
a) a tensão de barreira (V0);
b) o valor de NA se desejarmos alterar a concentração de átomos aceitadores para
obter V0= 0,8V.
2.2) Determine a corrente que flui através de um diodo de silício com IS = 50 nA e uma
polarização direta de 0,6 V à 20 °C.
2.3) Dado um diodo de silício com IS = 0,1 µA e uma polarização reversa de -10 V à 20 °C,
determine:
a) A corrente através do diodo;
b) O resultado obtido condiz com o esperado? Por quê?
2.4) Na região de polarização reversa, a corrente de saturação de um diodo de silício é de
aproximadamente 0,1 µA à 20 °C. Determine seu valor aproximado se a temperatura for
elevada a 40 °C.
2.5) Para um diodo com NA = 1017/cm3, ND = 1016/cm3, operando com T = 300 K, determine:
a) A tensão de barreira (V0);
b) A largura da região de depleção (W0);
c) A extensão da região de depleção no lado p (xp0) e no lado n (xn0);
d) O valor de Cj0 por µm2 ;
e) A capacitância de transição CT para uma tensão de polarização reversa de 2 V
assumindo uma área de junção de 2500 µm2;
Considere ni = 1,5 x 1010/cm3, m = ½.
2.6) Dada uma junção pn em que as regiões p e n são igualmente dopadas com 1016/cm3, ni =
1010/cm3 e sua área transversal é 100 µm2, VT = 25 mV. Determine:
a) A tensão de barreira;
b) Sem nenhuma tensão externa aplicada, qual a largura da região de depleção, e
quanto ela se estende para as regiões n e p?
c) A magnitude da carga armazenada em cada lado da junção;
d) A capacitância de depleção resultante.
2.7) Um diodo tem NA = 1017/cm3, ND = 1016/cm3, ni= 1,5 x 1010/cm3, Lp = 5 µm, Ln = 10 µm, A =
2500 µm2, Dp (na região n) = 10 cm2/Vs, e Dn (na região p) = 18 cm2/Vs. O diodo está
diretamente polarizado e conduzindo uma corrente ID = 0,1 mA. Calcule:
a) IS;
b) a tensão de polarização direta VD;
c) as correntes Jndif e Jpdif;
d) τp e τn;
e) a carga Qp do excesso de lacunas na região n, a carga Qn do excesso de elétrons na
região p, a carga total Q de portadores minoritários armazenada e o tempo médio de
trânsito τT;
f) a capacitância de difusão (CD) do diodo.
2.8) Duas regiões de um diodo de silício são dopadas com concentrações de NA = 1018/cm3, ND =
1016/cm3. Calcule:
a) as concentrações de portadores minoritários em cada região para T=300 K.
b) A tensão de barreira.
2.9) Se a corrente de saturação reversa de um diodo de silício for 10 -14 A, calcule a tensão
aplicada à junção na temperatura ambiente (300 K) se a corrente de polarização direta for
1,4 mA.
2.10) No circuito da Fig. 1, o diodo tem IS = 10-12 mA na 2 kΩ
temperatura ambiente (300 K).
+
a) calcule o valor aproximado da corrente I,
supondo que a queda de tensão no diodo seja de 0,7
6V I V
V.
b) calcule o valor exato de I. -
c) Se no diodo em questão a corrente IS dobra a
cada aumento de 6°C na temperatura, recalcule o Fig. 1
item (b), considerando um aumento de 40°C.

2.11) Qual a queda de tensão direta em um diodo cujo n = 2, e conduz uma corrente de 1000 IS?
Em termos de IS, qual corrente circula nomesmo diodo quando a queda de tensão direta é de
0,7 V?
2.12) Um diodo com n = 1 conduz 3 mA para uma tensão de junção de 0,7V. Qual a corrente de
saturação IS? Que corrente fluirá neste diodo se a tensão de junção subir para 0,71 V? E
para 0,8 V? Se a tensão diminuir para 0,6 V? Que aumento de tensão na junção aumenta a
corrente por um fator de 10, se a tensão inicial for de 0,6V ? Considere T = 20ºC.
2.13) O circuito da Fig. 2 utiliza três diodos idênticos tendo n = 1 e IS = 10-14
A. Calcule o valor da corrente I necessária para obter uma tensão de
saída Vo = 2 V. Se uma corrente de 1 mA for drenada do terminal de I
saída por uma carga, qual a variação na tensão de saída?
2.14) Um projetista de um instrumento que precisa operar para uma faixa Vo
ampla de tensões de alimentação, percebendo que a queda de
tensão em um diodo é relativamente independente da corrente da
junção, considera o uso de um diodo de grandes dimensões para
obter uma tensão relativamente constante. Ele emprega um diodo de
potência, para qual a queda de tensão é de 0,8 V para uma uma
corrente nominal de 10 A. Além disso ele acredita que n = 2. Para a
fonte de corrente que ele tem disponível, que pode variar de 0,5 a 1,5
mA, que tensão ele deve esperar entre os terminais do diodo? Que
variação na tensão ele deve esperar para uma variação de ±20ºC?
Fig. 2
2.15) Um diodo p+-n é aquele em que a concentração de dopantes na
região p é muito maior que a da região n. Nesse diodo, a corrente direta é devida
basicamente à injeção de lacunas através da junção. Mostre que
Dp
I D ≈I dif 2
p =qAni [e V / V −1]
D T

Lp N D
Para o caso em que ND = 5 × 1016/cm3, Dp = 10 cm2/s, τp = 0,1 µs e A = 104 µm2, determine IS e
a tensão VD obtida quando I = 0,1 mA. Calcule também a carga de portadores minoritários
em excesso e o valor da capacitância de difusão para I = 0,1 mA.
2.16) Para uma junção na qual Cj0 = 0,5 pF, V0=0,8 V e m = 1/3, determine as capacitâncias para
as tensões reversas de 1 e 10 V.

Valores de base para resolução das questões de cálculo.

Tabela 1 - Propriedades de alguns semicondutores à 300K

Material Intrínseco B (K-3cm-6) Eg (eV) ni (cm-3) µn (cm2/Vs) µp (cm2/Vs) εr
31
Silício 2,48 x10 1,1 1,5 x1010 1350 480 11,9
30
Germânio 4,136 x10 0,66 2,4 x1013 3900 1900 16,0
Arseneto de Gálio - 1,42 2,15 x106 8500 400 13,1

ε0 = 8,85 × 10-14 F/cm.

q = 1,6 × 10-19 C
k = 1,3807 × 10-23 J/K = 8,62 × 10-5 eV/K
Dp = 12 cm2/s
Dn = 34 cm2/s
T = 300 K
n=1
m=½