Elektronika 2

Prowadzący przedmiot
Dr inż. Paweł Fabijański,
pawel.fabijanski@pw.edu.pl
tel. kom. (+48) 505541949
Kierownik kursu
Dr inż. Paweł Fabijański
 2
Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Elektroniki Przemysłowej

Zakres przedmiotu:

1. Wprowadzenie
2. Wzmacniacz różnicowy – zasada działania, model dla małych i dużych sygnałów sterujących
3. Układy przekształcania sygnałów. Układy liniowe ze wzmacniaczami operacyjnymi
4. Układy przekształcania sygnałów. Układy nieliniowe ze wzmacniaczami operacyjnymi
5. Warunki wzbudzenia i podtrzymania drgań w układach z dodatnim sprzężeniem zwrotnym.
Generatory przebiegów sinusoidalnych i niesinusoidalnych.
6. Praca impulsowa tranzystora bipolarnego i unipolarnego – podstawowe bramki logiczne
7. układy zasilające analogowe i impulsowe.
 3
Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Elektroniki Przemysłowej

Przedmiot składa się z wykładu 15h,

ćwiczeń 15h,
laboratorium 30.
Ocena poszczególnych form zajęć jest punktowa.

Szczegółowe zasady zaliczenia poszczególnych form zajęć podano na platformie Moodle w regulaminie kursu.
 4
Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej, Zakład Elektroniki Przemysłowej

1. Wzmacniacz różnicowy
1.1. Opis matematyczny dla małych sygnałów
1.2. Opis matematyczny dla dużych sygnałów
 iR1 iR2 5

RC1 RC2 UB

u2
iC1 iC2

iB1 uCE1 iB2

Q1 Q2
uCE2
u21 uBE1 uBE2 u22
u11 iE1 iE2 u12
UB
RE

IE = const

Założenia: tranzystory mają identyczne parametry dynamiczne

rBE1 = rBE2 = rBE, kf1 = kf2 = kf = 0, α1 = α2 = α, β1 = β2 = β, rCE1 = rCE2 =rCE→∞
oraz RC1 = RC2 = RC
 Dla tranzystora Q1 Dla tranzystora Q2 6
uBE1 = rBE1 iB1 uBE2 = rBE2 iB2
iC1 = β1 iB1 iC2 = β2 iB2

u21 u22
iC1 R C1 + u21 = 0 → iC1 = − iC2 R C2 + u22 = 0 → iC2 = −
RC1 RC2

u11 − uBE1 − R E iE1 + iE2 = 0 u12 − uBE2 − R E iE1 + iE2 = 0

u11 − uBE1 = u12 −uBE2

u21 u22 rBE 1
u11 − u12 = uBE1 −uBE2 → u11 − u12 = − rBE1 + rBE2 = − u21 − u22 = u21 − u22
β1 RC1 β2 RC2 βRC kUR

u21 u22 u21

u11 + u12 −uBE1 − uBE2 − 2R E iE1 + iE2 = 0 → u11 + u12 = − rBE1 − rBE2 − 2𝑅𝐸 ൬ +
β1 RC1 β2 RC2 α1 RC1
u22 rBE 2RE 2RE 1
+ ൰ = − u21 + u22 + ≅ − u21 + u22 = u21 + u22
α2 RC2 βRC αRC αRC kUS
 1
u11 − u12 =
k UR
u21 − u22 7
1
u11 + u12 = u21 + u22
k US

gdzie: βR C αR C
k UR =− k US =−
rBE 2R E
u11 − u12 u11 + u12 uR k US uS uR 1 uS
u21 = k UR + k US = k UR + = k UR +
2 2 2 k UR 2 2 𝐶𝑀𝑅𝑅 2
u11 − u12 u11 + u12 uR k US uS uR 1 uS
u22 = −k UR + k US = k UR − + = k UR − +
2 2 2 k UR 2 2 𝐶𝑀𝑅𝑅 2
u2 = u21 − u22 = k UR u11 − u12

CMRR Common Mode Rejection Ratio – WTSW Współczynnik Tłumienia Sygnału Wspólnego

k UR k UR 2R E βR C 2βR E
CMRR = →∞ = ≅ (80dB ÷ 120 dB)
k US k US αR C rBE rBE
Model małosygnałowy

8
iR1 iR2

RD1 RD2 UB

u2
iD1 iD2
uDS1
Q1 Q1
uDS2
u21 uGS1 uGS2 u22
u11 iD1 iD2 u12
UB
RS

IS = const

Założenia: tranzystory mają identyczne parametry dynamiczne

S1 = S2 = S, rDS1 = rDS2 =rDS→∞
oraz RD1 = RD2 = RD
Model małosygnałowy

Dla tranzystora Q1 Dla tranzystora Q2 9

iD1 = S1 uGS1 iD2 = S2 uGS2

u21 u22
iD1 R D1 + u21 = 0 → iD1 = − iD2 R D2 + u22 = 0 → iD2 = −
RD1 RC2
u11 − uGS1 − R S iD1 + iD2 = 0 u12 − uGS2 − R E iD1 + iD2 = 0

u11 − uGS1 = u12 −uGS2

iD1 iD2 u21 u22 1
u11 − u12 = uGS1 −uGS2 → u11 − u12 = − = − + = − u21 − u22 =
S1 S2 S1 RD1 S2 RD2 SRD
1
= u21 − u22
kUR

u21 u22 u21

u11 + u12 −uGS1 − uGS2 − 2R S iD1 + iD2 = 0 → u11 + u12 = − − − 2R S ൬ +
S1 RD1 S2 RD2 S1 RD1
u22 1 2RS 2RS 1
+ ൰ = − u21 + u22 + ≅ − u21 + u22 = u21 + u22
S2 RD2 SRD RD RD kUS
Model małosygnałowy

1 10
u11 − u12 = u21 − u22
k UR
1
u11 + u12 = u21 + u22
k US
gdzie: RD
k UR = −SR D k US =−
2R S
u11 − u12 u11 + u12 uR k US uS uR 1 uS
u21 = k UR + k US = k UR + = k UR +
2 2 2 k UR 2 2 𝐶𝑀𝑅𝑅 2
u11 − u12 u11 + u12 uR k US uS uR 1 uS
u22 = −k UR + k US = k UR − + = k UR − +
2 2 2 k UR 2 2 𝐶𝑀𝑅𝑅 2
u2 = u21 − u22 = k UR u11 − u12

CMRR Common Mode Rejection Ratio – WTSW Współczynnik Tłumienia Sygnału Wspólnego

k UR k UR 2R S SR D
CMRR = →∞ = = 2R S S (80dB ÷ 100 dB)
k US k US RD
Model wielkosygnałowy

IR1 IR2
11

RD1 RD2 UB

U2
ID1 ID2
UDS1
Q1 Q1
UDS2
U21 UGS1 UGS2 u22
U11 ID1 ID2 U12
UB
RS

IS = const

Założenia: tranzystory mają identyczne parametry statyczne oraz identyczne temperatury

IDSS1 = IDSS2 = IDSS, UP1 = UP2 = UP oraz T1=T2=T
Model wielkosygnałowy

IR1 IR2
12

RC1 RC2 UB

U2
IC1 IC2

IB1 UCE1 IB2

Q1 Q2
UCE2
U21 UBE1 UBE2 U22
U11 IE1 IE2 U12
UB
RE

IE = const

Założenia: tranzystory mają identyczne parametry statyczne oraz identyczne temperatury złącz
kT1 kT2
α01 = α01= α0, I0S1 = I0S2 = I0S oraz T1=T2=T, UT1 = , UT2 = , UT1 = UT1 = UT
q q
Model wielkosygnałowy

13
Dla tranzystora Q1 Dla tranzystora Q2
UBE1 UBE1 UBE2 UBE2
IE1 = I0S1 e UT − 1 → IE1 ≅ I0S1 e UT IE2 = I0S2 e UT − 1 → IE2 ≅ I0S2 e UT
UBE1 UBE2
IE1 ≅ IC1 =I0S1 e UT IE2 ≅ IC2 =I0S2 eUT

U11 − UBE1 = U12 −UBE2 → U11 −U12 = UBE1 −UBE2

UBE1 −UBE2 U11 −U12 −UBE1 +UBE2 −(U11 −U12ሻ

IC1 UT
IC2 UT UT
= e = e UT = e = e
IC2 IC1
Model wielkosygnałowy

IC1 IC2 IC1 IC2 IC1 + IC2 14

IE = IE1 + IE2 = + = + =
α01 α02 α0 α0 α0

IC1 + IC2 IC1

IE = ∶
α0 α0

α0 IE IC2 −(U11 −U12 ሻ α0 IE

=1+ =1+ e UT → IC1 =
IC1 IC1 −(U11 −U12 ሻ
1+ e UT

IC1 + IC2 IC2

IE = ∶
α0 α0

(U11 −U12 ൯
α0 IE IC1 α0 IE
=1+ =1+ e UT → IC2 =
IC2 IC2 (U11 −U12 ൯
1+ e UT
Model wielkosygnałowy

15
U21 = UB − IC1 R C1 = UB − IC1 R C U22 = UB − IC2 R C2 = UB − IC2 R C

U2 = U22 − U21 = UB − IC2 R C2 − UB + IC1 R C1 = R C IC1 − IC2

α0 IE α0 IE
IC1 = −(U11 −U12 ሻ
IC2 = (U11 −U12 ൯
1+ e UT
1+ e UT

Charakterystyki przejściowe:
U11 − U12
IC1 , IC2 =𝑓
UT

U11 − U12
U21 , U22 , U2 = 𝑓
UT
Model wielkosygnałowy IC1, IC2
αIE
16
αIE
2

U11-U12
UT
-18 -16 -14 -12 -10 -8 -6 -4 -2 0 2 4 6 8 10 11 12 14 16

U21, U22, U2
UB
αIERC

U11-U12
-18 -16 -14 -12 -10 -8 -6 -4 -2 0 2 4 6 8 10 11 12 14 16 UT

-αIERC
-UB
U21 = UB − IC1 R C
α0 IE α0 IE
IC1 = −(U11 −U12 ሻ
IC2 = (U11 −U12 ൯
U22 = UB − IC2 R C
1+ e UT
1+ e UT U2 = U22 − U21 = R C IC1 − IC2
Elektroniczne źródła prądu

I0=IC 17

RE R U0 R0
I0

UB
Q UCE
UB R0
UBE
UZ0 DZ
RP UP

𝑈𝐵 IE
𝐼0 =
𝑅𝐸 + 𝑅0
𝑈𝑍0 = const 𝐼0 = 𝐼𝐶 = 𝛼0 𝐼𝐸
𝑈𝐵
gdy 𝑅𝐸 ≫ 𝑅0 𝐼0 = 𝑈𝑍0 = 𝑈𝐵𝐸 + 𝑈𝑃 = 𝑈𝐵𝐸 + 𝐼𝐸 𝑅𝑃
𝑅𝐸
𝐼0 𝑈𝑍0 − 𝑈𝐵𝐸 𝑈𝑍0 − 𝑈𝐵𝐸
𝑈𝑍0 = 𝑈𝐵𝐸 + 𝑅𝑃 → 𝐼0 = 𝛼0 ≅
𝛼0 𝑅𝑃 𝑅𝑃
𝐼0 ↑ 𝐼𝐸 ↑ 𝑈𝑃 ↑ 𝑈𝐵𝐸 ↓ 𝐼𝐵 ↓ 𝐼𝐶 ↓ 𝐼0 ↓
Elektroniczne źródła prądu

18

IR I0 𝑈𝐵𝐸1 = 𝑈𝐵𝐸2 = 𝑈𝐵𝐸 , 𝛽01 = 𝛽02 =

= 𝛽0 → 𝐼𝐵1 = 𝐼𝐵2 oraz 𝐼𝐶1 = 𝐼𝐶2 = 𝐼0
R R0 𝐼0 𝐼0
𝐼𝑅 = 𝐼𝐶1 + 𝐼𝐵1 + 𝐼𝐵2 = 𝐼0 + +
𝛽0 𝛽0

IC1 UB
𝛽0
𝐼0 = 𝐼𝑅 ≅ 𝐼𝑅
IB1 IB2 ... 2 + 𝛽0
Q1 Q2
𝑈𝐵 − 𝑈𝐵𝐸 𝑈𝐵
uBE2 uBE1 𝐼𝑅 = ≅
𝑅 𝑅

𝑈𝐵
𝐼0 =
𝑅