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道尔夫—契比雪夫端射阵优化综合方法仿真研究

赵飞 李晓波 李贺 付继奎
（中国人民解放军装备指挥技术学院微波实验室 101416）

摘 要：目的 研究道尔夫—契比雪夫端射阵优化综合方法。方法 利用道尔夫—契比雪夫边射阵特性研究最优端

射阵的综合方法，并用计算机进行仿真。结果 给出了优化道尔夫—契比雪夫端射阵的仿真结果。结论 该方法对
线阵可产生最窄波束方向图。
关键词：天线综合；方向图；端射阵；优化算法

Simulation for Optimization and Synthesis Technique of

Horizontal Radition Dolph-Chebyshev Arrays
Zhao Fei Li Xiaobo Li He Fu Jikui
（The Academy of Equipment Command & Technology 101416）

Abstract：Aim The simulation of optimization and synthesis technique of horizontal radition Dolph-Chebyshev arrays
were researched. Methods Make use of the character of vertical horizontal radition radition Dolph-Chebyshev arrays to
research optimization and synthesis technique of arrays,which was simulated by computer. Results Show the map of
the simulation of horizontal radition Dolph-Chebyshev arrays. Conclusions It could generate the most narrow lobe for
line-arrays.
Keywords：antenna synthesis; radition direction map; hotizontal arrays; optimization algorithm

天线综合是先指定所希望得辐射方向图，然后应用系统方法或几种方法的组合来形成一种天线结构，使它产
生可接受的方向图与期望的方向图近似，并且满足其他系统的限制。其中，如何降低天线阵的副瓣电平一直是天
线综合领域研究的重要课题。近年来, 优化综合技术在超低副瓣天线阵研究方面受到了广泛重视，发表的相关文
献主要集中在天线阵副瓣理论分析，但是，并没有单个的综合方法对给定的系统规格产生“最优”天线。本文主
要研究获得窄主瓣的同时保持低旁瓣特性的线阵的道尔夫—契比雪夫（Dolph-Chebyshev）方法。

1 电流幅度渐削等间距线阵方向图

考虑一般形式的天线阵因子,设 Z = e jψ
N −1 N −1
AF = ∑ An e jnψ = ∑ An Z n （1）
n =0 n=0

其中 AF 为阵因子，阵元电流幅度 An 为实数且对各 n 不同。谢昆诺夫将二项式代数用于阵因子。他揭示了式

（1）中，天线阵二项式在复平面上的 N-1 个零点的位置，与辐射方向及阵元电流之间的联系。
考虑一个等幅和间距 d 的二元阵，则式（1）可写成级数 AF = 1 + Z ，若该阵的间距小于或等于半波长，阵
因子将没有旁瓣。当两个阵因子相乘：
AF = (1 + Z )(1 + Z ) = 1 + 2 Z + Z 2 （2）

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相应于电流幅度比为 1：2：1 的三元天线阵。同理，对 N 元天线阵，我们得到

AF = (1 + Z )
N −1
（3）。
从图 1 和图 2 我们可看出一个趋势：当电流幅度渐小到端阵越厉害，旁瓣就趋于减小，而束宽增大。

均匀电流，1:1:1:1， D = 5, HP = 20.8 , SLL = −12dB

0
图1

二项式电流分布，1:4:6:4:1 D = 3.66, HP = 30.3 , SLL = −∞dB

0
图2

2 道尔夫—契比雪夫线阵综合法

现在已发现当电流幅度从天线阵中心向边缘逐渐减小的锥度增加时，旁瓣电平减小，但伴随着主瓣宽度的增
加。在大多数应用中，既需要窄主瓣又需要低旁瓣。因此在波束宽度和旁瓣电平之间存在最有折中的方向图是有
用的。换句话说，对于指定的主瓣宽度，旁瓣电平将尽可能低，反之亦然，对于指定的旁瓣电平，主瓣宽度将尽
可能窄。Dolph-Chebyshev 方法适用于等间距边射直线阵，其间距等于或大于半波长，最优的主瓣宽度-旁瓣电平
特性在可见区有尽可能多的旁瓣而且旁瓣有相同值时发生。
Chebyshev 多项式定义为
⎧(−1) n cosh(n cosh −1 x ), x < −1
⎪⎪
Tn ( x) = ⎨cos(n cos −1 x), −1 < x < 1 （4）
⎪ −1
⎪⎩cosh(n cosh x), x > 1
T0 ( x) = 1, T1 ( x) = x, T2 ( x) = 2 x 2 − 1, T3 ( x) = 4 x 3 − 3x, T4 ( x) = 8 x 4 − 8 x 2 + 1 （5）
较高的多项式可从递推公式
Tn +1 ( x) = 2 xTn ( x) − Tn −1 ( x) （6）

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得到。
Chebyshev 多项式在区域 x < 1 内的等幅振荡是等旁瓣所希望的特性。天线阵和 Chebyshev 多项式之间的联
系可通过考虑用对称激励的边射阵来建立， i− m = im 。
根据对称激励阵因子我们得到
⎧ N

⎪i0 + 2∑ im cos mψ , P为奇数

⎪ m =1
f (ψ ) = ⎨ （7）
⎪2 + i cos[(2m − 1) ψ ], P为偶数
N

⎪⎩ ∑ m =1
m
2
ψ
式中ψ = 2π (d / λ )ω ，P 为阵因子个数。每一个含 cos(m ) 得项可以通过运用三角恒等式写成最高到 m 的幂。
2
通过选择 x 和ψ 之间的合适变换，阵因子和 Chebyshev 多项式将相等。该变换
ψ
x = x0 cos （8）
2
ψ
f (ψ ) = TP −1 ( x0 cos ) （9）
2
ψ
对应关系将产生以 cos 的幂表示的多项式与阵因子的匹配。对于边射阵，主瓣最大值 R 在 θ = 900 或ψ ＝0 时
2
产生。于是式（8）指出 x = x0 为主瓣最大值。可见区从ψ = 2π (d / λ ) 到ψ = −2π (d / λ ) ，对应于 x = x0 cos(π d λ ) 。
旁瓣电平幅度为 1，旁瓣电平为 1/ R 或 SLL = −20log R dB，由式（9）得
1
x0 = cosh( cosh −1 R) （10）
P −1
现在可总结设计的步骤。对于给定的旁瓣比值，可从 SLL = −20log R dB 确定 R，从式（10）得到 x0 ，然后
阵因子由式（9）得出，或者根据式（7）直接从电流值计算。激励电流通过比较式（7）和式（10）获得。
当使用各向同性辐射元时，在指定旁瓣电平和阵元数的条件下，能给出可能的最窄波束天线阵的
Dolph-Chebyshev 阵最优间距的一个通用表达式为
cos −1 1/ r
d opt = λ[1 − ], 边射/端射 （11）
π
其中
1
γ = cos[ ln( R + R 2 + 1)] （12）
P −1
一个令人感兴趣的结果是对半波长和最优间距，边射和端射工作的方向性是相同的。虽然端射的束宽比端射
宽，在边射时主瓣是扇形波束，产生了与笔形端射波束相同的立体角。
一般情况下，Dolph-Chebyshev 天线阵的半功率宽度为

⎧ −1 ψ h
⎪ HP = π − 2cos β d , 边射
⎪
⎨ （13）
⎪ HP = cos −1 (1 − ψ h )，端射
⎪⎩ βd

式中
⎧ 1 −1 R ⎫
⎪⎪ cosh[ P − 1 cosh ]
ψ h = 2 cos −1 ⎨ 2 ⎪⎪ （14）
⎬
⎪ cosh[ 1 cosh −1 R ] ⎪
⎩⎪ P −1 ⎪⎭

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事实上，对于最优间距的方向性在端射和边射是完全相同的。

3 10 元-30dB 旁瓣电平的最优 Dolph-Chebyshev 端射阵综合仿真

将 P=10，N=5 和 R = 10− SLL / 20 = 10− ( −30) / 20 代入式（11）中的端射算式得到 d opt = 0.4292λ 。

根据式（7）其阵因子为
ψ 3ψ 5ψ 7ψ 9ψ
f (ψ ) = 2i1 cos + 2i2 cos + 2i3 cos + 2i4 cos + 2i5 cos （15）
2 2 2 2 2
ψ
将式（15）用三角公式展开为 cos 的幂的和形式。又根据式（9）得
2
ψ
f (ψ ) = T8 ( x0 cos
) （16）
2
带入式（16）和式（15）的展开式比较待定系数，得到各阵元电流幅度比为
1:1.67 : 2.60 : 3.41: 3.88 : 3.88 : 3.41: 2.60 :1.67 :1
这些电流以及相邻阵元间的相移 α = − β d cos(0°) = −154.5° 产生了图 3 所示的方向图。
2R2
根据式（13）边射得半功率宽度为 75.8 ° 。此方向性运用 D ≈ 得 D = 15.00。根据式（13）端射得出
1 + R 2 HP
的实际半功率宽度为 29.8 ° 。

图3 10 元-30dB 旁瓣电平的最优 Dolph-Chebyshev 天线阵的方向图

图4 Dolph-Chebyshev 线阵的 3D 远场特性 CST 仿真

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4 结束语

Dolph-Chebyshev 阵设计过程对指定的束宽提供了最低旁瓣方向图。可是这些解依赖于阵元数目，而不是它
们的间距。实际的设计是在 Dolph-Chebyshev 系列内寻找最窄主瓣的解。这个结果可以通过在可见区内包含尽可
能多的旁瓣儿不让栅瓣出现在高于设计的旁瓣电平来得到。虽然 Dolph-Chebyshev 天线阵的确产生了最高的方向
性和最窄的波束，但等旁瓣包络会产生高电抗性能量环境，特别是对于大天线阵。这意味着高 Q 值或窄带工作。
这个现象是可以避免的，方法是先设计一个接近等旁瓣的线源，然后在天线阵结构中应用阵元所在位置的线源电
流，这样可产生最优的窄波束方向图。
参考文献
[1] Cheng D K. Optimization techniques for antenna arrays. Proceeding of the IEEE,1988,59 (12) 1664~1674
[2] Warren L.Stutzman. Antenna Theory and Design,chapter 8,pp.354~356.1981
[3] A.Kumar. Antenna Design with Fiber Optics, Artech House:Norwood,MA,1996
[4] Richmond J H, Hugh G N. Mutual impedance of nonplanar-skew sinusoidal dipoles. IEEE Trans, 1975,A P223（5） :412~414
[5] R.C.Hansen. Phased Array Antennas, John Wiley&Sons:NY,1997
[6] R.C.Hansen,”Array Pattern Control and Synthesis,”Proc.IEEE,Vol.80,pp.141-151,Jan.1992

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