전자소자 중간고사 참고문제

1. 5x1016/cm3 인 P형 실리콘 기판에 제작된 이상적인 MOS capacitor가 있다. 게이트 산화막의
두께(Tox)는 10nm 이고 n+ 폴리실리콘 게이트를 갖는다.
a) 평형상태에서의 에너지 밴드 다이어그램을 그려라(모든 값들은 표시할 것).
b) 평탄밴드(flat-band)상태 일 때의 에너지 밴드 다이어그램을 그리고 Vfb(flat-band voltage)를
구하라.

2. 문제 1의 MOS capacitor 구조에서 다음을 구하라.

a) 공핍 영역 폭의 최대값 Wdmax 의 값을 구하라.
b) 이 소자의 문턱전압 Vt 를 구하라.

3. 문제 1의 MOS capacitor 구조에서 다음을 구하라.

a) Vg = Vfb – 1 V 일 때 축적전하밀도(Qacc[C/cm2], accumulation charge)를 구하라.
b) Vg = Vt + 1V 일 때 공핍전하(Qdep, depletion charge) 및 반전 전하밀도 (Qinv, inversion
charge)를 구하라.

4. 문제 1의 MOS capacitor 구조에서 다음을 구하라.

a) 이 소자의 Vg 의 값이 –3V ~ 3V 에 대한 고주파 및 저주파에 대한 C-V 곡선을 그려라
(Cox, Cmin, Vt, Vfb 등의 값을 표기할 것).
b) 문제 (a)의 C-V 곡선에 대하여 설명하라.

1-1. 1016/cm3 인 n형 실리콘 기판에 제작된 MOS capacitor가 있다. 게이트 산화막의 두께(Tox)는
10 nm 이고 p+ 폴리실리콘 게이트를 갖는다. Si-SiO2 계면의 표면전하밀도(surface charge density)
Qox = 4x1010qC/cm2 이다.(20)
a) Cox, Vfb, Vt 를 구하라.
b) Vg = Vfb + 1 V 일 때 축적전하밀도(Qacc[C/cm2], accumulation charge)를 구하라.
c) Vg = -3 V 일 때 공핍전하(Qdep, depletion charge) 및 반전전하밀도(Qinv, inversion charge)를
구하라.
d) 이 소자의 Vg 의 값이 –3 to 3 V에서 고주파 및 저주파에 대한 C-V 곡선을 그리고 Cox, Cmin을
구하라.
e) 문제(d)의 C-V 곡선에 대하여 설명하라.

5. 그림에 나타낸 MOS capacitor의 C-V 곡선을 바탕으로 다음 질문에 답하라. MOS capacitor의
면적은 104㎛2 이고, Cox=50pF 기판의 농도는 3x1017/cm3 이다.
 a) 기판도핑은 n형인가 p형인가?
b) MOS Capacitor의 산화막 두께(Tox)는 얼마인가?
c) C 점에서의 Capacitance 값은 얼마인가?

6. 문제 5의 MOS capacitor 구조에서 다음을 구하라.

a) D 지점에서의 MOS 구조의 에너지 밴드 다이어그램을 그려라.
b) B 지점에서의 표면전위 ⲫs 를 구하라.

7. MOS capacitor C-V 분석으로 구할 수 있는 소자의 parameter를 쓰고 이들을 구하는 방법을

설명하라.

8. p형 실리콘과 n+ 폴리실리콘 게이트를 사용한 MOS capacitor 구조에서 폴리공핍 현상

(poly-depletion effect)과 반전층 두께(inversion-layer thickness)를 고려한 threshold voltage
Vt 를 설명하고, C-V 곡선에 미치는 영향을 설명하라.

9. 6x1015/cm3,의 도핑 농도를 가진 기판에 N-MOSFET를 만들었다. 게이트 산화막의 두께는 5 nm

이다.
a) N+ 폴리실리콘을 이용하여 게이트전극을 만들었을 경우 N-MOSFET 의 Vt를 계산하라.
b) 칩에서 이용할 수 있는 전압이 공급전압인 Vdd=2.5V 와 접지전압인 0V의 두 가지밖에 없다.
Source 에서 Drain으로 흐르는 전류를 최대화하기 위한 각 단자전압(바디 B, Source S, Drain
D, Gate G)에 어떤 전압을 인가하여야 하는가?

10. 채널 길이 L=1㎛ 인 가상의 MOSFET의 C-V 및 Id-Vg 특성이 아래 그림과 같다.

 a) 이 C-V특성은 고주파나 저주파중 어떤 주파수에서 얻어진 것인가? 또는 이에 대한 답을
하는 것이 불가능한가? 설명하라.
b) 소자는 PMOSFET 인가 NMOSFET 인가?

11. 문제 10의 MOSFET의 C-V 및 Id-Vg 특성의 연속이다. 다음을 구하라.

a) 트랜지스터의 문턱전압 Vt를 구하라.
b) 트랜지스터의 채널에 있는 캐리어 이동도를 구하라.

5. εsat=104 V/cm 인 MOSFET에서 Vg - Vt= 3 V 에서 Vdsat 을 다음의 경우에 대하여 구하라

a) L = 0.1µm
b) L = 10µm
c) Idsat = 7mA 인 (a) 소자에 대하여, gate capacitance 가 10 fF 이라면 낮은 전계에서 전자의 이
동도를 계산하라

12. 이상적인 N-MOSFET이 다음과 같은 parameter를 가지고 있다: W = 50 µm, L = 5 µm,

Tox = 0.05 µm, Na = 1015/cm3, n+poly-Si gate, µns = 800 cm2/V/s (Vg에 무관). Bulk
charge effect와 Velocity saturation 효과는 무시한다. 다음을 구하라.
a) flat-band 전압 Vfb.
b) threshold voltage Vt

13. 문제 12의 N-MOSFET에 대하여 다음을 구하라.

a) Vg = 2V 때 Idsat
b) Vg = 2V, Vd = 2V 일 때 dIds/dVds

4. 이상적인 n-MOSFET이 다음과 같은 parameter를 가지고 있다: W = 50 µm, L = 5 µm, Tox =

0.05 µm, Nd = 1015/cm3, p+poly-Si gate, µps = 400 cm2/V/s (Vg에 무관). bulk charge effect와
velocity saturation 효과는 무시한다. 다음을 구하라(20)
(a) flat-band 전압 Vfb.
(b) threshold voltage Vt
(c) Vg = 3 V 때 Idsat
(d) Vg = 3 V, Vd = 0 일 때 dIds/dVds
(e) Vg = 3 V, Vd = 3 V 때 Id 및 dIds/dVgs

14. MOSFET의 기판 바이어스의 영향을 설명하라.

8. MOSFET의 기판 바이어스의 영향과 역경사 바디도핑(retrograde body doping)의 영향을 설명하

라(
15. MOSFET 소자의 C-V data 이외의 방법으로 Vt를 측정하는 방법에 대하여 설명하라

16. CMOS INVERTER 회로와 Voltage transfer curve(VCT)를 그리고 각 동작영역에서의 MOSFET
의 동작상태에 대하여 설명하라.

5. 그림은 N-MOSFET 의 I-V 특성을 나타낸

것이다. A, C 점에서의 Drain 근처와 Source
근처의 전자속도를 계산하라(10)

----- 상수 ----

kT= 0.026eV χSi=4.05eV, χSio2=0.95 eV εsi=11.8, εsiO2=3.9, ni=1010/cm3 ε0=8.85x10-14F/cm,

EgSiO2=9eV, EgSi=1.1 eV, Si 에서

----- 참고수식 -------