ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΚΑ ΥΛΙΚΑ

Εξετάσεις Ιουνίου 2018

Υποδείξεις – απαντήσεις

Α1. Το Si έχει δοµή τύπου διαµαντιού, κυβική fcc µε δύο άτοµα ανά πλεγµατικό σηµείο. Η βάση της
δοµής είναι (0,0,0) (1/4, 1/4, 1/4). Η σταθερά της κυψελίδας είναι a=0,54 nm. Να υπολογιστεί
α) ο αριθµός των ατόµων στην κυψελίδα
β) η επιφανειακή ατοµική πυκνότητα (αριθµός ατόµων ανά µονάδα επιφάνειας) στο επίπεδο (1,1,0).
[2 µονάδες]
Ιδιο µε Ιούνιο 2017. Λύθηκε στο µάθηµα. Απάντηση 4/( α·α√2)= 9,72×1018 [άτοµα ανά m2]

Α2. Ένα κράµα Ag-70%Cu ψύχεται αργά από τη

θερµοκρασία των 1000 οC. Για το κράµα αυτό
προσδιορίστε:
α) Ποια είναι η σύσταση του στερεού που θα
σχηµατιστεί πρώτα;
β) Ποια είναι η σύσταση κάθε φάσης και ποιο το
κατά βάρος ποσοστό της στους 781 oC;
γ) Ποια είναι η σύσταση κάθε φάσης και ποιο το
κατά βάρος ποσοστό της στους 779 oC;
[2 µονάδες]
α) στερεό διάλυµα β µε σύσταση Αg-95% Cu
β) L(Ag-28,1%Cu), β(Ag-92%Cu), WL, Wβ κατά τα
γνωστά
γ) α(Ag-8,8%Cu), β(Ag-92%Cu), WL, Wβ κατά τα
γνωστά

Α3. Ο Cu έχει ηλεκτρική αγωγιµότητα σ=58,5 ×108 S/m, και για τα ηλεκτρόνια αγωγιµότητας χρόνο
επαναφοράς τ = 2,3 ×10-14 sec. Εχει δοµή fcc. Να υπολογιστεί η σταθερά κυψελίδας. [2 µονάδες]
Τα µεγέθη που δίνονται και το ζητούµενο συνδέονται µε την συγκέντρωση των ηλεκτρονίων
του µετάλλου, που είναι η ατοµική πυκνότητα επί το σθένος
µe= e·τ/me =…4,3x10-3 [m2/V·sec]
σ = n·e·µe =>n=…9.1×1030 [m-3] (ή συνδυαστικά, σ = n·e2·τ/me => n=…
Επειδή η δοµή είναι fcc, σε όγκο µιας κυψελίδας (Vcell=α3) έχουµε 4 άτοµα, δηλαδή η ατοµική
πυκνότητα είναι n=4/α3 => α=3√(4/n) =… 0,076 [nm] ή 0,76 [Å]
(Από λάθος στην εκφώνηση (108 S/m αντί του σωστού 106 S/m), η ατοµική πυκνότητα βγαίνει 2
τάξεις µεγέθους µεγαλύτερη από τη σωστή, µέγεθος που σας επαναλάµβανα και ζητούσα να
συγκρατήσετε. Επίσης η σταθερά κυψελίδας βγαίνει πολύ µικρή, όσο το µέγεθος του ιόντος του Cu
(το σωστό είναι α=3,53 Å). Οποιος/-α το πρόσεξε και το σηµείωσε, +1.)

Α4. Αν το φωσφορούχο ίνδιο (InP) έχει στη θερµοκρασία περιβάλλοντος ενεργό πυκνότητα
καταστάσεων Ν= 2×1025 m-3, ενεργειακό χάσµα Εg=1,34 eV, ευκινησία ηλεκτρονίων µe=0,54
m2/V·sec και ευκινησία οπών µh=0.02 m2/V·sec, να υπολογιστεί
α) η ενδογενής αγωγιµότητα
β) σε ποια θερµοκρασία θα έχει αγωγιµότητα σ=4,7×10-8 Ω-1·m-1
[2 µονάδες]
α) ni ≈ N·exp(-EG/2kT) = … 1,2×1014 [m-3]
σi = ni · e · (µe+µh) =… 1,15×10-5 [Ω-1·m-1]
β) σi(Τ)= ni(T)·e·(µe+µh) => ni(T)=… 5,25×1011 [m-3]
ni ≈ N·exp(-EG/2kT) => T=(EG/2k)/ln(N/n)=… 249 [K]

Α5. Ο σίδηρος (Fe) έχει µαγνητική ροπή 2,2 µB, δοµή bcc και σταθερά κυψελίδας 0,285 nm. Πόση
είναι η µαγνητική πόλωση κόρου στα δυναµοελάσµατα Fe-3%Si; [2 µονάδες]
Με δύο άτοµα ανά κυψελίδα (δοµή bcc), η µαγνήτιση κόρου του σιδήρου είναι
M=m/V=2m0/α3=…1760 [kA/m]. Η µαγνητική πόλωση είναι J= µοM = … 2,2 [Tesla]
Με 3% Si στα δυναµοελάσµατα έχουµε στον ίδιο όγκο το 97% των µαγνητικών ροπών, οπότε
η πόλωση είναι 0,97 · 2,2 = 2,14 [Τ]

Ηλεκτρολογικά Υλικά - Απαντήσεις – Iούνιος 2018 1

Β1.To GaAs έχει δοµή κυβική fcc τύπου ZnS, και θεωρητική
πυκνότητα 5,32 x103 kg/m3. Να υπολογιστεί η σταθερά
κυψελίδας.
ΑΒ(Ga)=69,72 AB(As)=74,92 [g/mole] [2 µονάδες]
Από τη δοµή ή το σχήµα υπολογίζεται ότι η κυψελίδα
περιλαµβάνει 4 άτοµα Ga και 4 άτοµα As. Η µάζα ενός
ατόµου είναι ΑΒ/ ΝAV (σε γραµµάρια !). Εποµένως
d=m/V=[4(AB1+AB2)/ΝAV]/a3 => a= …0,565 [nm]
(* για να υπολογίσετε κυβικές ρίζες όταν ο έκθετης είναι
µεγάλος, γράψτε τον εκθετικό όρο σε δύναµη πολλαπλάσια
του 3, πχ 18×10-29=0,18×10-27 ή =180×10-30 και υπολογίστε
την κυβική ρίζα χωριστά για κάθε όρο)

Β2. α) Ένα κράµα Al-20%Mg βρίσκεται σε θερµοκρασία

500 οC. Ποια είναι η σύσταση των φάσεων σε αυτή τη
θερµοκρασία και ποιο το κατά βάρος ποσοστό τους στο
κράµα;
L(Al-26%Mg), α(Al-12%Mg), Wα=…43% κλπ
β) ∆ιαχωρίζουµε τη στερεή φάση των 500 οC, τη
θερµαίνουµε ξανά µέχρι τήξης και ψύχουµε αργά το
τήγµα. Σε ποια θερµοκρασία εµφανίζεται στερεό και σε
ποια στερεοποιείται πλήρως;
Εχουµε νέο κράµα µε σύσταση Al-12%Mg. Η
στερεοποίηση αρχίζει στους 590 oC και
ολοκληρώνεται στους 500 oC.
γ) στο νέο κράµα σε ποια θερµοκρασία η στερεή και η
υγρή φάση έχουν ίσο βάρος; Γραφικά ή αναλυτικά, Τ=555 oC
Ποια είναι τότε η σύσταση της στερεής φάσης; (Γραφικά) α(Al-7%Mg)
δ) Αν το αρχικό βάρος είναι 100 g, τι ποσότητα στερεού παίρνουµε στη θερµοκρασία της περίπτωσης
(γ); 100g × 43% × 50% = 21,5 [g] (κράµατος Al-7%Mg)
Τι πετυχαίνουµε µε διαδοχικές τήξεις του στερεού; Παίρνουµε µεν λιγότερη ποσότητα στερεού,
αλλά µε µικρότερο ποσοστό της δεύτερης φάσης (αποτελεί µέθοδο καθαρισµού)
[2 µονάδες]

Β3. Ο Ag έχει δοµή fcc µε a= 4,08 Å, σθένος +1, και ειδική ηλεκτρική αντίσταση ρ=1,6×10-8 Ω·m. Να
υπολογιστεί α) η ευκινησία και β) ο χρόνος επαναφοράς (µέσος χρόνος µεταξύ των συγκρούσεων)
για τα ηλεκτρόνια αγωγιµότητας [2 µονάδες]
α) σ = n·e·µe =1/ρ και η συγκέντρωση των ηλεκτρονίων αγωγιµότητας για µονοσθενή άτοµα
είναι ίση µε την ατοµική πυκνότητα, n=4/α3 (βλ. και Α3)
Εποµένως µe = 1/(ρ·n·e) =…6,63x10-3 [m3/V·sec]
β) σ = n·e·µe = n·e2·τ/me, => τ=(σ·µe)/(n·e2)= µe·me/e =…3,8x10-14 [sec]

Β4. Για το αρσενικούχο γάλλιο (GaAs) να υπολογιστούν

α) η ενδογενής συγκέντρωση φορέων
β) το ενεργειακό χάσµα Εg,
γ) η συγκέντρωση προσµίξεων τύπου αποδέκτη (ΝΑ) που απαιτείται για να γίνει η αγωγιµότητα 40
Ω-1·m-1
∆ίνονται ενεργός πυκνότητα καταστάσεων Ν= 4,7×1025 m -3, ενδογενής αγωγιµότητα 1,4 ×10-5 Ω-1·m-
1
, ευκινησία ηλεκτρονίων µe=0,86 m2/V·sec και ευκινησία οπών µh=0.025 m2/V·sec.
[2 µονάδες]
α) σi = ni ·e·(µe+µh) => ni =… 1014 [m-3]
β) ni ≈ N·exp(-EG/2kT) =>ΕG=… 1,4 [eV] ( =2,24×10-19 [J] )
γ) σ = p · e · µh p = … 1022 [m-3] και NA=p

Ηλεκτρολογικά Υλικά - Απαντήσεις – Iούνιος 2018 2

Β5. Η σχετική διηλεκτρική σταθερά για το αέριο νέον (Ne) είναι σε κανονικές συνθήκες θερµοκρασίας
και πίεσης εr=1,000435. Να υπολογιστεί η πολωσιµότητα α ενός ατόµου. Ο γραµµοµοριακός όγκος
είναι 22,4 lt. ∆ιόρθωση στο τυπολόγιο: Πόλωση P= Ν•α•Ε, όπου Ν η ατοµική πυκνότητα
[2 µονάδες]

Σε όγκο 22,4 lt υπάρχουν ΝAV άτοµα του αερίου σε κανονική θερµοκρασία και πίεση, δηλαδή
Ν=ΝAV /22,4×10-3 [m-3]
P=N·α·Ε και P=(εr-1)ε0·Ε, =>πολωσιµότητα α=…1,4×10-40 [F·m2]

Ηλεκτρολογικά Υλικά - Απαντήσεις – Iούνιος 2018 3