Zasada działania tranzystora typu pnp

Wprowadzenie
Przeczytaj
Film samouczek
Sprawdź się
Dla nauczyciela
 Zasada działania tranzystora typu pnp

Czy to nie ciekawe?

Tranzystory, to jedne z podstawowych elementów w obwodach elektronicznych. Są
stosowane między innymi do wzmacniania sygnałów elektrycznych i do sterownia
przepływem prądów w obwodach, jako tak zwane klucze elektroniczne. Są też
podstawowym elementem pamięci półprzewodnikowych i elektronicznych bramek
logicznych. Tak szerokie zastosowania wynikają z właściwości materiałów
półprzewodnikowych, które wykorzystuje się do budowy tranzystorów. Jednym z typów
tranzystorów jest bipolarny tranzystor pnp.

Twoje cele

poznasz budowę tranzystora pnp;

dowiesz się, jaką rolę pełnią emiter, baza i kolektor w tranzystorach pnp;
zrozumiesz zasadę działania tranzystorów pnp;
przeanalizujesz i zinterpretujesz schematy budowy i działania tranzystorów pnp;
zastosujesz zdobytą wiedzę do rozwiązywani zadań.
Przeczytaj

Warto przeczytać
Tranzystory są elementami elektronicznymi, których podstawową właściwością jest
możliwość sterownia prądem o dużym natężeniu, za pomocą prądu o małym natężeniu.

Tranzystor pnp jest rodzajem tranzystora bipolarnego. W tego typu tranzystorach udział
w przewodzeniu prądu mają dwa typy nośników prądu występujące w półprzewodnikach:
elektrony i dziury, choć dominuje jeden typ nośnika - w tranzystorach pnp są to dziury.

Tranzystory pnp są wykonywane najczęściej z krzemu, ale do ich produkcji można także
użyć innych półprzewodników, na przykład: germanu, arsenku galu, azotku galu. Powstają
one z połączenia trzech warstw półprzewodników p i n ułożonych w kolejności p‐n-p
(Rys.1).

Rys. 1. Schemat układu warstw półprzewodnikowych oraz symbol graficzny tranzystora pnp. Litery E, B,
C oznaczają obszary tranzystora i związane z nimi elektrody: E – emiter, stanowi źródło dominujących
nośników prądu w tranzystorze (w typie p są to dziury), B – baza, steruje przepływem prądu przez tranzystor,
C – kolektor, zbiera dziury wypływające z emitera. Strzałka wskazuje kierunek przewodzenia prądu. Źródło:
h ps://iviter.pl/encyklopedia/tranzystor/.

Półprzewodnik typu n to taki, w którym w wyniku domieszkowania zwiększa się ilość

elektronów swobodnych. W półprzewodniku typu p domieszkowanie zwiększa ilość dziur
– dodatnich nośników prądu. Dziurą nazywa się brak elektronu w wiązaniu
międzyatomowym. Ten „brak elektronu” może się przemieszczać w materiale, mając cechy
dodatniego nośnika ładunku. Więcej o domieszkowaniu możesz przeczytać
w e‐materiałach „Półprzewodniki typu n” i „Półprzewodniki typu p”.

Na styku warstw półprzewodnikowych w tranzystorze powstają dwa złącza p‐n, przez

które dyfundują nośniki. Doprowadza to do powstania przestrzennego rozkładu ładunku
i wynikającego z tego rozkładu napięcia elektrycznego między sąsiednimi obszarami
tranzystora. Z powodu istnienia bariery ładunku, złącze p‐n ma właściwość dobrego
przewodzenia prądu tylko w jednym kierunku – od obszaru p do n. Więcej o zjawiskach
zachodzących na złączu p‐n przeczytasz w e‐materiale „Budowa diody”.

Rys. 2. Schemat rozkładu ładunku w barierach powstających na złączach w tranzystorze pnp.

Poszczególne warstwy tranzystora noszą nazwy odzwierciedlające ich rolę w działaniu

tranzystora:

emiter (oznaczony literą E), to warstwa silnie domieszkowana, stanowiąca źródło nośników
prądu (dziur w tranzystorze pnp);

baza (oznaczona literą B) – warstwa cienka i słabo domieszkowana – jej zadaniem jest
sterowanie prądem przepływającym przez tranzystor;

kolektor (oznaczony literą C) – „zbiera” ładunki przepływające przez tranzystor.

Warstwy zewnętrzne są stosunkowo grube – około 0,1 mm. Warstwa środkowa powinna być
na tyle cienka, aby mogły przez nią dyfundować nośniki z emitera do kolektora. Jej grubość
wynosi zazwyczaj około 0,01 - 0,03 mm.

Znacznie większa koncentracja nośników większościowych w obszarze emitera (dziur), niż

w obszarze bazy (elektronów) powoduje, że w układzie emiter‐baza natężenie prądu
przenoszonego przez dziury płynące od strony emitera jest 103 – 105 razy większe, niż
prądu przenoszonego przez elektrony płynące od strony bazy.

W trakcie normalnej pracy tranzystora pnp, miedzy emiterem a bazą podłącza się napięcie
UBE w kierunku przewodzenia złącza – „minus” napięcia do bazy, „plus” do emitera.
Napięcie to w tranzystorach krzemowych wynosi około 0,6 V. Między emiterem
a kolektorem podłącza się napięcie około 10 V. Złącze baza‐kolektor jest spolaryzowane
w kierunku zaporowym (Rys.3).

Rys. 3. Rozkład napięć zasilających i prądów w tranzystorze pnp w czasie normalnej pracy. UBE – napięcie
między bazą a emiterem, UCE – napięcie między kolektorem a emiterem, IC – natężenie prądu płynącego przez
kolektor, IB – natężenie prądu płynącego przez bazę, IE – natężenie prądu płynącego przez emiter.

Napięcie UBE powoduje przepływ niewielkiego prądu IB. Dzięki dużej koncentracji dziur
w obszarze emitera, nośnikami tego prądu są przede wszystkim dziury. Skutkiem tego
prądu jest istotna zmiana koncentracji dziur w obszarze bazy: od strony emitera
koncentracja dziur staje się większa niż od strony kolektora. Skutkiem różnic
w koncentracji dziur jest ich dyfuzja w kierunku kolektora. Dziury, które docierają do styku
baza‐kolektor mogą przez to złącze przepływać, ponieważ ujemne napięcie kolektora
w stosunku do bazy, wciąga je do kolektora – około 99% dziur wypływających z emitera
przechodzi do kolektora. Dzięki temu zwiększa się istotnie prąd kolektora. Niewielka część
dziur łączy się w obszarze bazy z elektronami – następuje zjawisko rekombinacji elektronów
i dziur. W rezultacie przenikania dziur w obszar kolektora, natężenie prądu kolektora IC
jest znacznie większe od prądu bazy IB i niewiele różni się od prądu płynącego przez
emiter – IE.

Ponieważ jednak ilość dziur znajdujących się w obszarze bazy (tych, które mogą przenikać
do kolektora) zależy od prądu bazy, małe zmiany tego prądu wywołują duże zmiany prądu
kolektora. Na tej zasadzie opiera się wzmacnianie sygnałów przez tranzystor: wzmacniany
sygnał moduluje prąd bazy, wzmocniony sygnał odbierany jest z obwodu kolektora.

Większość układów elektronicznych można dostosować zarówno do tranzystorów npn, jak

i pnp. Ze względu na większą ruchliwość elektronów, niż dziur, tranzystory npn są szybsze
w działaniu. Są one też tańsze w wytwarzaniu, dlatego częściej w układach
elektronicznych  spotyka się tranzystory npn.

Tranzystory pnp stają się przydatne, gdy istotny jest znak napięcia wyjściowego w układzie,
a także we wzmacniaczach o wysokim stopniu wzmocnienia, które wykorzystują połączone
w parę tranzystory npn i pnp.

Słowniczek
koncentracja nośników prądu

(ang.: concentration of current carriers) liczba nośników prądu w jednostce objętości.

ruchliwość nośników prądu

(ang.: mobility of current carriers) wielkość opisująca wpływ zewnętrznego pola

elektrycznego na średnią prędkość dryfu nośników, wyrażana wzorem μ= u/E, gdzie μ –
ruchliwość  u - średnia prędkość dryfu nośników, E - natężenie zewnętrznego pola
elektrycznego.

nośniki większościowe

(ang.: majority carriers) nośniki ładunku elektrycznego w półprzewodnikach występujące

w większości. Ich źródłem są atomy domieszek. W półprzewodnikach typu n nośnikami
większościowymi są elektrony, w półprzewodnikach typu p – dziury. Koncentracja
nośników większościowych jest w typowych półprzewodnikach około 10 miliardów razy
większa, niż nośników mniejszościowych, których źródłem są atomy macierzyste
półprzewodnika.

kierunek (stan) zaporowy złącza p-n

(ang.: the blocking direction (state) of the p‐n connector) stan, w którym do złącza p‐n
przyłożone jest napięcie powodujące wzrost bariery ładunku i napięcia na złączu, więc
praktycznie nie przewodzi ono prądu. Płynie jedynie prąd o bardzo małym natężeniu –
około 1μA, przenoszony przez nośniki mniejszościowe, których źródłem są nie domieszki,
a atomy macierzyste półprzewodnika. W stanie zaporowym, „minus” napięcia jest
przyłożony do części p złącza, a „plus” do części n.

kierunek (stan) przewodzenia złącza p-n

(ang.: conduction direction (state) of the p‐n connector) stan, w którym do złącza p‐n
przyłożone jest napięcie powodujące zmniejszenie bariery ładunku i napięcia na złączu,
więc złącze dobrze przewodzi prąd. W stanie przewodzenia „minus” napięcia jest
przyłożony do części n złącza, a „plus” do części p.
sygnał elektryczny

(ang.: electric signal) zazwyczaj zmienny w czasie przebieg prądu elektrycznego,

przenoszący informację. Sygnały mogą być opisane przebiegiem zależności napięcia
elektrycznego lub natężenia prądu od czasu.
Film samouczek

Zasada działania tranzystora typu pnp

Film samouczek opisuje budowę i zasadę działania tranzystora typu pnp. Między innymi,
przedstawia on wpływ prądu bazy na barierę potencjałów w obszarze złącza emiter‐baza
oraz na prąd kolektora.

Film dostępny na portalu epodreczniki.pl

Wysłuchaj alternatywnej ścieżki lektorskiej.

Polecenie 1
Zaznacz, które równanie jest prawidłowe.

 IC = IB + IE

 IB = IE + IC

 IE = IC + IB

Polecenie 2

Wyjaśnij, w jakim kierunku powinno być spolaryzowane złącze emiter-baza w tranzystorze

npn, czyli innego typu, niż przedstawiony w filmie samouczku.

Uzupełnij
Sprawdź się

Pokaż ćwiczenia: 輸醙難

Ćwiczenie 1 輸

Oceń prawdziwość zdań.

Tranzystor pnp składa się z dwóch typów półprzewodników. PRAWDA / FAŁSZ

Tranzystor pnp można wykonać z jednego typu półprzewodników. PRAWDA / FAŁSZ

Ćwiczenie 2 輸

W tranzystorze pnp największa koncentracja dziur jest w obszarze:

 kolektora

 wszystkie obszary są domieszkowane w przybliżeniu jednakowo

 bazy

 emitera

Ćwiczenie 3 輸

W tranzystorze npn można wyróżnić trzy natężenia prądu: prąd emitera - IE, prąd bazy - IB
i prąd kolektora - IC. Uszereguj natężenia tych prądów rosnąco, gdy tranzystor jest w trybie
pracy. Wstaw indeksy B, C, E (pisane wielkimi literami).

I <I <I
Ćwiczenie 4 輸

Wpisz nazwy elementów oznaczonych na rysunku. Używaj tylko małych liter. Określenie przy
strzałce składa się z dwóch wyrazów i jest dokończeniem zdania: „Strzałka wskazuje ...”.

.................

.................

.................

.................

Ćwiczenie 5 醙

Wskaż poprawną odpowiedź.

Jeżeli w tranzystorze pnp podłączymy napięcie tylko między emiter i kolektor, plus napięcia do
kolektora a minus do emitera, to przez tranzystor:

popłynie prąd o dosyć dużym natężeniu ponieważ złącze baza-kolektor będzie


w stanie przewodzenia

prąd praktycznie nie popłynie ponieważ złącze emiter-baza będzie w stanie


zaporowym

prąd praktycznie nie popłynie ponieważ złącze baza-kolektor będzie w stanie


zaporowym

popłynie prąd o dosyć dużym natężeniu, ponieważ złącze emiter-baza będzie


w stanie przewodzenia
Ćwiczenie 6 醙

W tranzystorach pnp za przewodzenie prądu odpowiadają:

 dziury i elektrony, ale dominująca jest rola elektronów

 tylko dziury

 tylko elektrony

 dziury i elektrony, ale dominująca jest rola dziur

Ćwiczenie 7 醙

W czasie normalnej pracy tranzystora z obszaru emitera do obszaru kolektora przenika około:

 99% dziur wypływających z emitera

 połowa dziur wypływających z emitera

 75% dziur wypływających z emitera

 1% dziur wypływających z emitera

Ćwiczenie 8 醙

Wykres przedstawia przykładową charakterystykę przejściową tranzystora. Pokazuje ona

zależność natężenia prądu kolektora IC od natężenia prądu bazy IB przy ustalonych
wartościach napięcia kolektor-emiter UCE.

Na podstawie wykresu oszacuj, ile razy większy jest przyrost natężenia prądu kolektora ΔIC od
przyrostu natężenia prądu bazy ΔIB dla napięcia UCE = 5 V, gdy prąd bazy wzrasta od 40 do 90
μA.

Odpowiedź: razy

Ćwiczenie 9 醙

Tranzystory pnp różnią się od tranzystorów npn przede wszystkim:

 możliwością zastosowania we wzmacniaczach prądu

 dominującymi nośnikami prądu

 układem warstw domieszkowanych materiałów półprzewodnikowych

 rodzajem półprzewodników, z których są wykonane

Dla nauczyciela

Imię i nazwisko
Jarosław Krakowski
autora:

Przedmiot: Fizyka

Temat zajęć: Tranzystor pnp

III etap edukacyjny, liceum, technikum, zakres podstawowy

Grupa docelowa:
i rozszerzony

Cele kształcenia – wymagania ogólne

II. Rozwiązywanie problemów z wykorzystaniem praw
i zależności fizycznych.

Zakres podstawowy
Treści nauczania – wymagania szczegółowe
I. Wymagania przekrojowe. Uczeń:
7) wyodrębnia z tekstów, tabel, diagramów lub wykresów,
rysunków schematycznych lub blokowych informacje
kluczowe dla opisywanego zjawiska bądź problemu;
przedstawia te informacje w różnych postaciach.
VII. Prąd elektryczny. Uczeń:
Podstawa
9) opisuje tranzystor jako trójelektrodowy, półprzewodnikowy
programowa
element wzmacniający sygnały elektryczne.

Zakres rozszerzony
Treści nauczania – wymagania szczegółowe
I. Wymagania przekrojowe. Uczeń:
7) wyodrębnia z tekstów, tabel, diagramów lub wykresów,
rysunków schematycznych lub blokowych informacje
kluczowe dla opisywanego zjawiska bądź problemu;
przedstawia te informacje w różnych postaciach.
VIII. Prąd elektryczny. Uczeń:
15) opisuje tranzystor jako trójelektrodowy, półprzewodnikowy
element wzmacniający sygnał elektryczny.
 Zalecenia Parlamentu Europejskiego i Rady UE z 2018 r.:

kompetencje w zakresie rozumienia i tworzenia

Kształtowane informacji,
kompetencje kompetencje cyfrowe,
kluczowe: kompetencje matematyczne oraz kompetencje w zakresie
nauk przyrodniczych, technologii i inżynierii,
kompetencje osobiste, społeczne i w zakresie
umiejętności uczenia się.

Uczeń:

1. opisze budowę tranzystora pnp;

Cele operacyjne: 2. wyjaśni zasadę działania tranzystorów pnp;
3. przeanalizuje i zinterpretuje schemat budowy i działania
tranzystora pnp;
4. zastosuje zdobytą wiedzę do rozwiązywani zadań.

IBSE (Inquiry‐Based Science Education - nauczanie/uczenie

Strategie nauczania się przedmiotów przyrodniczych przez
odkrywanie/dociekanie naukowe)

Metody nauczania wykład problemowy, burza mózgów

Formy zajęć: praca zespołowa, praca w parach przy rozwiązywaniu zadań

schematy budowy tranzystora pnp, film samouczek ilustrujący

Środki dydaktyczne:
działanie tranzystora, przykładowe tranzystory, zestawy zadań

Materiały
rzutnik multimedialny, ekran
pomocnicze:

PRZEBIEG LEKCJI

Faza wprowadzająca:

Pytania nauczyciela:

1. Co wiecie na temat półprzewodników i złącza p-n? Uczniowie, z pomocą

nauczyciela, przypominają i porządkują wiadomości o materiałach
półprzewodnikowych i zjawiskach zachodzących na złączu p‐n.
2. Co to znaczy „wzmocnić sygnał elektryczny”? Uczniowie, z pomocą nauczyciela,
ustalają, co to są sygnały elektryczne i na czym polega ich wzmacnianie.

Faza realizacyjna:
Nauczyciel przedstawia schemat budowy tranzystora pnp, uczniowie analizują
powstawanie barier ładunków na złączach.
Uczniowie, na podstawie filmu samouczka, analizują ruch nośników prądu w czasie
pracy tranzystora i dostrzegają wpływ prądu bazy na prąd kolektora.
Uczniowie, z pomocą nauczyciela, formułują wniosek o związku miedzy prądem bazy
i prądem kolektora.
Nauczyciel omawia zastosowania tranzystorów i różnice w układzie napięć przy
zasilaniu obwodów z tranzystorami npn i pnp.
Nauczyciel omawia krótko różnicę we właściwościach tranzystorów npn i pnp.

Faza podsumowująca:

Uczniowie utrwalają wiedzę i zdobyte umiejętności przez rozwiązanie w parach zadań:

1, 2, 3, 4 z zestawu ćwiczeń.
Nauczyciel przeprowadza z uczniami rozmowę, podczas której omawiają oni
rozwiązywane w trakcie lekcji zadania. Dodatkowo, powinien sprowokować uczniów do
wskazania problemów napotkanych w czasie samodzielnej pracy. Poprzez analizę
wypowiedzi uczniów nauczyciel określa, w jakim stopniu osiągnięte zostały
wyznaczone cele.

Praca domowa:

W celu powtórzenia i utrwalenia wiadomości o tranzystorach pnp uczniowie rozwiązują

zadania: 5, 6, 7, 8, 9 z zestawu ćwiczeń.

Wskazówki
metodyczne Film samouczek może być wykorzystywany przy powtarzaniu
opisujące różne wiadomości i na lekcjach, na których omawiane są budowa
zastosowania danego i zastosowania tranzystorów.
multimedium