4.hafta Ders Notları Diyot Uygulama Devreleri

Elektronik-I Ders Notları Prof.Dr.
Ali Fuat Boz
DİYOT UYGULAMA DEVRELERİ 1

Bu Haftanın Hedefi:
Diyotun DC gerilim ve akım altında kullanılmasının anlaşılması. Diyotun AC gerilim ve akım
devrelerindeki pratik uygulamalarının anlaşılması.
Bölümün sonunda diyotların DC ve AC devrelerdeki temel davranış yapısı açıkça anlaşılmış

olacaktır.
DC GİRİŞLİ DEVRELER:
DC Yük Doğrusu Analizi:

Diyot, DC akımla çalışırken kullanabileceğimiz bir analiz yöntemidir. Bu yöntem ile diyot
üzerine düşen gerilim ile diyot üzerinden geçen akımın bulunması grafik üzerinden yada
elde edilen denklemleri kullanarak simülasyon ile yapılabilecektir. Aşağıda DC bir gerilim
kaynağı, bir direnç ve diyottan oluşan DC girişli diyot devresi görülmektedir.
R
+
E ID VD
-
Şekil 4.1 DC Diyot Devresi
Devrede E gerilim kaynağı ile R direnç değerinin bilindiğini, diğer yandan diyot uçlarındaki
gerilim ile üzerinden geçen akımın bilinmediğini farz edelim. Bu durumda bilinmeyen
değerleri bulmak için kapalı elektrik devresine Kirchhoff gerilim kanununu uygulayabiliriz.
Bu durumda;
𝐸 = 𝑅𝐼𝐷 + 𝑉𝐷
Eşitliğini elde ederiz. Bu eşitlikte 𝐼𝐷 ve 𝑉𝐷 iki bilinmeyen olduğundan analitik olarak
bulunamazlar. Bunun yerine grafik yolu ile bu değerleri bulabiliriz. Bunun için diyotun
karakteristik eğrisinin bilinmesi gerekmektedir. Ardından diyotun kesim(cut-off) ve
doyum(saturation) durumu için yukarıdaki eşitliği ayrı ayrı düzenleyerek koordinat
düzleminde iki nokta belirlenir. Bu iki nokta doğrusal bir çizgi ile birleştirilerek yük
doğrusu(load line) elde edilir. Bu yük doğrusu ile diyotun karakteristik eğrisinin kesişim
noktası ise diyotun statik(durgun-Quiscent-Q) çalışma noktasına karşılık gelmektedir.
Bundan sonra bu çalışma noktasına karşılık gelen akım ve gerilim değerleri yatay ve dikey
eksenden okunarak, diyot akım ve gerilim değerleri bulunur.
Yukarıdaki diyota ait karakteristik eğrisinin aşağıda verildiği gibi olduğunu düşünelim.
Elektronik-I Ders Notları Prof.Dr. Ali Fuat Boz
ID 2
0 VD
VTh
Şekil 4.2 Diyot Karakteristik Eğrisi
Bu eğri üzerinde diyotun çalışma noktasını belirlemek için kesim ve doyum noktaları
aşağıdaki gibi bulunabilir.
Kesim(Cut-off) durumu:
Kesim durumu diyotun çalışmadığı veya bir başka ifade ile üzerinden akım geçmediği
durum olarak tarif edebiliriz. Buna göre diyot kesimde iken;
𝐼𝐷 = 0
olur. Bu değeri yukarıda elde ettiğimiz eşitlikte yerine koyarsak;
𝐸 = 𝑅𝑥0 + 𝑉𝐷
𝑉𝐷(𝑐𝑢𝑡−𝑜𝑓𝑓) = 𝑉𝐷(𝑘𝑒𝑠𝑖𝑚) = 𝐸
sonucuna ulaşırız.
Doyum(Saturation) durumu:
Doyum, diyot üzerinden geçebilecek en büyük akımı durumunu ifade etmektedir. Buna
göre ideal şartlarda diyot doyuma ulaştığında üzerindeki gerilim sıfıra düşer, yani;
𝑉𝐷 = 0
olur. Bu değeri de yine yukarıdaki eşitlikte yerine yazarsak;
𝐸 = 𝑅𝐼𝐷 + 0
𝐸
𝐼𝐷(𝑠𝑎𝑡) = 𝐼𝐷(𝑑𝑜𝑦𝑢𝑚) = 3
𝑅
değerini elde ederiz şimdi elde ettiğimiz bu iki koordinat noktasını diyot karakteristik eğrisi
üzerinde işaretleyip, daha sonra da doğrusal bir çizgi ile birleştirirsek aşağıdaki grafik
üzerinde gösterilen yük doğrusu elde edilir.
ID
E
R Yük Doğrusu
IDQ
0 VD
VTh VDQ E
Şekil 4.3 Diyot DC Çalışma Noktası Tayini
Şekil üzerinden görüldüğü gibi diyot karakteristik eğrisi ile yük doğrusunun birleştiği nokta
diyotun statik(Q) çalışma noktası olarak adlandırılmaktadır. Bundan sonra bu noktadan
yatay ve dikey çizgiler ile diyot akım ve gerilim değerleri grafik üzerinden okunur. Okunan
bu değerler diyotun gerçek akım ve gerilim değerleridir. Bu akım ve gerilim değerlerini
diğerlerinden ayırmak için alt indis olarak D harfi 𝑉𝐷𝑄 ve 𝐼𝐷𝑄 olarak eklenir.
Grafik yolu ile yapılan bu çözüm işleminden ayrı olarak yukarıda elde edilen eşitlik ve diyot
uç denklemi kullanılarak iteratif(yinelemeli) bir yaklaşımla aynı çözüme ulaşılabilir. Buna
göre;
eşitliğinde diyot uç denklemi olan;
𝑉𝐷 𝑉𝐷
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 (𝑒 𝑛𝑉𝑇 − 1) ≅ 𝐼𝑆 𝑒 𝑛𝑉𝑇 (𝑖𝑙𝑒𝑟𝑖 𝑦ö𝑛 𝑝𝑜𝑙𝑎𝑟𝑚𝑎𝑠𝚤 𝑖ç𝑖𝑛)
Yerine yazılırsa;
𝑉𝐷
𝐸 = 𝑅𝐼𝑆 𝑛𝑉
𝑒 𝑇 + 𝑉𝐷
Denklemi elde edilir. Bu denklemde görüldüğü gibi bilinmeyen olarak sadece 𝑉𝐷 gerilimi
vardır. Bu şartlarda eşitlik analitik olarak çözülemez. Çözüm için 𝑉𝐷 değeri ileri yönde adım 4
adım değiştirilip(arttırılıp) her adımda eşitliğin sağlanıp sağlanmadığı kontrol edilir, eşitliğin
sağlandığı durumdaki 𝑉𝐷 değeri artık 𝑉𝐷𝑄 olarak diyotun gerçek çalışma gerilimi olarak
kaydedilir. Ardından bu değer;
𝑉𝐷𝑄 𝑉𝐷𝑄
𝐼𝐷𝑄 = 𝐼𝑆 (𝑒 𝑛𝑉𝑇 − 1) ≅ 𝐼𝑆 𝑒 𝑛𝑉𝑇
eşitliğinde yerine konularak diyot gerçek çalışma akımı( 𝐼𝐷𝑄 ) bulunur.
Buradan görüldüğü gibi eğer bazı değerleri ihmal etmeden hesaplama yapmak istersek bu
tip devrelerde ya grafik yada iteratif yolu kullanma zorunluluğumuz olmaktadır, diğer
yandan bu yollar hem uzun hem de karmaşıklık içermektedir. Elde edilen sonuçlar ise
bundan sonra göreceğimiz ve bazı değerleri ihmal edeceğimiz hesaplamalardan elde
ettiğimiz sonuçlara çok yakın çıkacaktır. Dolayısı ile bundan sonra göreceğimiz ve bazı
değerleri ihmal edeceğimiz çözüm yolları da aslında gerçekçi ve geçerli bir yol olacaktır.
Genelde devrelerde bulunan direnç değerleri diyot iç direncinden oldukça büyük

olduğundan, bundan sonraki analizlerde diyot iç direnci ihmal edilecektir. Diyot eşik gerilimi
ise duruma göre eğer devredeki DC gerilim kaynağı, eşik geriliminden çok büyük
ise(genelde çok büyük kavramı bu gibi durumlarda 10 kat ve üzeri için kullanılmaktadır).
Şimdi örnekler üzerinden yaklaşık analize geçelim.
Örnek 4.1
Şekil 4.4 ’deki seri diyot devresi için VD, ID , P ve VR değerlerini bulunuz.
D
Şekil 4.4 Örnek DC Girişli Seri Diyot Devresi
Çözüm:
Devrede E kaynağının pozitif ucu doğrudan Anoda bağlıdır, negatif ucu ise R direnci
üzerinden Katota bağlıdır, bu durumda diyot ileri(doğru) yönlü polarmalandırılmıştır
ve E değeri diyot eşik gerilimi olan 0,7 V’tan büyük olduğundan diyot iletime
geçecektir. Bu durumda diyot yerine onun yaklaşık eşdeğer modelini (sadece eşik 5
geriliminin yer aldığı model) yerleştirirsek, devre aşağıdaki gibi olur.
Şekil 4.5 Örnek DC Girişli Seri Diyot Devresi Eşdeğeri
Bu kapalı elektrik devresi üzerinden artık bir Kirchoff denklemi yazılabilir. Buna
göre;
𝐸 = 𝑉𝐷 + 𝑅𝐼𝐷
olur. Bu eşitlikte diyot gerilimi yerine diyot eşik gerilim değeri yazılarak diyot akımı
aşağıdaki gibi hesaplanır (Not: devredeki bilineneler olan E ve R değeri de
kullanılarak).
𝐸 = 𝑉𝑇ℎ + 𝑅𝐼𝐷
8𝑉 = 0,7𝑉 + 2,2𝑘𝑥𝐼𝐷
7,3𝑉
𝐼𝐷 = = 3,32 𝑚𝐴
2,2𝑘
Çalışma esnasında diyot üzerinde ısı olarak harcanan güç ise;
𝑃𝐷 = 𝑉𝐷 𝐼𝐷
𝑃𝐷 = 0,7𝑉 𝑥 3,32 𝑚𝐴
𝑃𝐷 = 2,324 𝑚𝑊
olur. Direnç uçlarındaki gerilim ise;

6
𝑉𝑅 = 𝑅𝐼𝐷
𝑉𝑅 = 2,2𝑘 𝑥 3,32 𝑚𝐴
𝑉𝑅 = 2,2𝑘 𝑥 3,32 𝑚𝐴
𝑉𝑅 = 7,3 𝑉
olarak bulunur.
Örnek 4.2
Örnek 4.1 ’i diyotu ters yönde çevirerek tekrarlayınız.
Şekil 4.6 Örnek DC Girişli Seri Diyot Devresi
Çözüm:
Diyotu ters yönde bağladığımızda E kaynağının pozitif ucu Katoda, negatif ucu ise
Anoda bağlı olacağından diyot ters polarmalı olacak ve kesimde kalacaktır. Diyotun
kesimde olması açık devre eşdeğerinin kullanılabileceği anlamına gelmektedir.
Dolayısı ile yukarıda devre aşağıdaki gibi gösterilebilir.
Şekil 4.7 Örnek DC Girişli Seri Diyot Devresi Eşdeğeri
Burada ID = 0 A’dir. VR = IR.R olduğu için, VR = (0)R = 0 V’tur. Diyot uçlarında ise
ters yönde 8V gerilim vardır(anotta negatif, katotta pozitif).
Diyot yalıtkan durumda olmasına rağmen üzerinde yüksek bir gerilim düşümü söz
konusudur. Akım sıfırdır, ancak gerilim anlamlı bir düzeydedir. Buradan şu sonuçlar
çıkarılır;
1. Bir açık devrenin uçlarına herhangi bir gerilim uygulanmış olabilir. Ancak
akan akım daima sıfırdır.
2. Bir kısa devrenin uçlarındaki gerilim düşümü daima sıfırdır. Ancak akan
akımın büyüklüğü sadece çevreleyen devreyle sınırlıdır.
Örnek 4.3
Aşağıda görülen seri diyot devresi için VO ve ID ’yi bulunuz.
Şekil 4.8 Örnek 4.3 İçin DC Girişli Diyot Devresi

8
Çözüm:
Yukarıda görülen devrede akan akımın yönü, her iki diyotun sembolleriyle aynı
yöndedir(diyotun ileri yönde akıtacağı akım yönü ile aynı yönde). Dolayısı ile her bir
diyot yerine iç dirençlerini ihmal ederek sadece eşik gerilimlerinden oluşan yaklaşık
eşdeğerlerini koyarsak, aşağıda görülen devre elde edilir.
Şekil 4.9 Örnek 4.3 İçin DC Girişli Diyot Devresi Eşdeğeri
Oluşan kapalı devre elektrik devresinden bir çevre denklemi yazarsak;
𝐸 = 𝑉𝐷1 + 𝑉𝐷2 + 𝑅𝐼𝐷

sonucuna ulaşırız. Burada değerleri yerine koyarak, diyot akımını çekersek;
12𝑉 = 0,7𝑉 + 0,3𝑉 + 5,6𝑘𝐼𝐷

12𝑉 − 1𝑉
𝐼𝐷 = = 1,96 𝑚𝐴
5,6𝑘
değerini buluruz. Devrede istenen çıkış gerilimi direnç uçlarındaki gerilim olduğuna
göre;
𝑉𝑜 = 𝑅𝐼𝐷 = 5,6𝑘𝑥1,96𝑚𝐴 = 11𝑉

sonucuna ulaşırız. Çalışma esnasında diyotlar üzerinde harcanan güçler ise;

9
𝑃𝐷1 = 𝑉𝑇ℎ1 𝐼𝐷 = 0,7𝑉𝑥1.96𝑚𝐴 = 1,372 𝑚𝑊
ve
𝑃𝐷2 = 𝑉𝑇ℎ2 𝐼𝐷 = 0,3𝑉𝑥1.96𝑚𝐴 = 0,588 𝑚𝑊

olarak bulunur.
Örnek 4.4
Aşağıda görülen devre için ID, VD2 ve VO ’ı bulunuz.
Çözüm:
Yukarıdaki devrede akan akımın yönü ile silisyum diyot iletim durumuna,
germanyum diyot ise yalıtım durumuna geçmektedir (germanyum diyot ters
polarmalı). Bir kısa devrenin (silisyum diyot için yaklaşık durum) bir açık devre
(germanyum diyot durumu) ile seri olarak düzenlenmesi her zaman açık devreye yol
açar. Aşağıda gösterildiği gibi ID = 0 A olur.
10
Bu durumda R direnci uçlarında düşen çıkış gerilimi;
𝑉𝑜 = 𝑅𝐼𝐷 = 5,6𝑘𝑥0𝑚𝐴 = 0𝑉
olur. Kapalı elektrik devresinden yazacağımız çevre denklemi ile 𝑉𝐷2 gerilim
aşağıdaki gibi bulunur.
𝐸 = 𝑉𝐷1 + 𝑉𝐷2 + 𝑅𝐼𝐷
12𝑉 = 0𝑉 + 𝑉𝐷2 + 5,6𝑘𝑥0𝑚𝐴
𝑉𝐷2 = 12𝑉
olarak bulunur. Not: Seri devrede geçen akım sıfır olduğuna göre, D1 diyotu üzerinde
düşen gerilim de sıfır olacaktır.
Örnek 4.5
Aşağıda görülen seri bağlı DC diyot devresi için devreden geçen akım değerini (I),
V1, V2 ve VO gerilim değerlerini bulunuz.
11
Çözüm:
Yukarıdaki devrede iki farklı DC kaynak bulunmaktadır. Devrenin çözümünü

kolaylaştırmak için bu kaynakları da devrede çizerek gösterirsek devre aşağıdaki gibi
olur.
Şekil 4.13 Örnek 4.5 İçin Kaynaklarla Birlikte DC Girişli Diyot Devresi
Bu devrede diyotun anot ucu 10V değerindeki E1 kaynağının pozitif(+) ucuna

bağlıdır, katot ucu ise 5V değerindeki E2 kaynağının negatif(-) ucuna bağlıdır. Bu 12
durumda diyotun iletime geçebilmesi için gerekli olan anot-katot arasında doğru
yönde en az 0,7V potansiyel fark olma şartı sağlanmaktadır, dolayısı ile diyot iletim
durumundadır. Bu durumda diyot yerine yaklaşık diyot modeli olan eşik gerilim
değerini çizersek devre aşağıdaki gibi olur ve bu devre üzerinden bir çevre denklemi
yazarak istenilen değerleri bulabiliriz.
𝐸1 = 𝑅1 𝐼 + 𝑉𝐷 + 𝑅2 𝐼 − 𝐸2
𝐸1 + 𝐸2 − 𝑉𝐷 10𝑉 + 5𝑉 − 0,7𝑉
𝐼= = = 2,102 𝑚𝐴
𝑅1 + 𝑅2 4,6𝑘 + 2,2𝑘
olur. 𝑅1 uçlarında düşen 𝑉1 gerilimi;
𝑉1 = 𝐼𝑅1 = 2,102𝑚𝐴 𝑥 4,6𝑘 = 9,67𝑉

𝑅2 uçlarında düşen 𝑉2 gerilimi ise;
𝑉2 = 𝐼𝑅2 = 2,102𝑚𝐴 𝑥 2,2𝑘 = 4,62𝑉

13
olarak bulunur. Çıkış gerilimi, 𝑉𝑜 ile gösterilen uç ile şase arasında görülen gerilim
olduğuna göre;
𝑉𝑜 = 𝑉2 − 𝐸2 = 𝐼𝑅2 − 5𝑉 = 4,62𝑉 − 5𝑉 = −0,373𝑉

olur.
Örnek 4.6
Aşağıda görülen bir germanyum ve iki silisyum diyotlu devredeki D2 diyotunun

harcadığı güç ne kadardır?
D1 R1
Si 1 K
D2 Si R2
100 
18 V
R3
D3 Ge 600 
Çözüm:
Yukarıdaki devre incelendiğinde tüm diyotların ileri yönde polarmalandığı, dolayısı

ile iletimde oldukları anlaşılabilir. Bu durumda D2 diyotu iletimde olduğundan
uçlarında düşecek 0,7V eşik gerilim değerinin aynı zamanda bu diyota paralel olan
R2 direnci uçlarında da görüleceği söylenebilir. Bu şartlar altında aşağıdaki yardımcı
devreden de görüldüğü gibi bir çevre denklemi yazarak, D1 ve D3 diyotlarından
geçen akım bulunabilir.
14
18𝑉 = 𝑉𝐷1 + 𝑅1 𝐼 + 𝑉𝐷2 + 𝑅3 𝐼 + 𝑉𝐷3
18𝑉 − 𝑉𝐷1 − 𝑉𝐷2 − 𝑉𝐷3 18𝑉 − 0,7𝑉 − 0,7𝑉 − 0,3𝑉

𝐼= = = 10,187𝑚𝐴
𝑅1 + 𝑅3 1𝑘 + 0,6𝑘
Devrede D2 diyotu üzerinde harcanan güç istendiğine göre öncelikle bu diyot

üzerinden geçen akımı(ID2) bulmamız gerekmektedir. Bunun için önce R2 direnci
üzerinden geçen IR2 akımını bulalım. R2 direnci D2 diyotuna paralel olduğundan
uçları arasındaki potansiyel fark, VD2 değerine eşittir. Buna göre IR2 akımı;
𝑉𝐷2 0,7𝑉
𝐼𝑅2 = = = 7𝑚𝐴
𝑅2 0,1𝑘
olur. D2 diyotunun anot ucundaki düğüm noktasına Kirchhoff akım kanunu
uygulanırsa;
𝐼 = 𝐼𝐷2 + 𝐼𝑅2
Eşitliği elde edilir. Buradan D2 üzerinden geçen akım;
𝐼𝐷2 = 𝐼 − 𝐼𝑅2 = 10,187𝑚𝐴 − 7𝑚𝐴 = 3,187𝑚𝐴

15
olarak bulunur. Bu durumda D2 diyotunun harcadığı güç;
𝑃𝐷2 = 𝑉𝐷2 𝐼𝐷2 = 0,7𝑉 𝑥 3,187𝑚𝐴 = 2,23 𝑚𝑊

olarak bulunur.
Örnek 4.7
Aşağıda görülen silisyum ve germanyum diyotların kullanıldığı devrede her bir

diyotun harcadığı gücü(PD1, PD2, PD3 ) hesaplayınız.
D1 R2 3V
Si 20 
R1 10  R3
100  D3
12 V D2
Si
Ge
R4 40 
Çözüm:
Yukarıdaki devrede seri olarak bağlı olan R3 direnci ve D2 diyotu uçlarında düşen
gerilimlerin toplamı ile onlara paralel olarak bağlı olan D3 diyotunun eşik gerilimi
birbirine eşittir. D2 üzerinden geçen akıma ID2 ve D3 üzerinden geçen akıma ID3
dersek, bu durumda;
16
Şekil 4.18 Örnek 4.7 İçin DC Girişli Diyot Devresi Akım Yönleri
𝑉𝑅3 + 𝑉𝐷2 = 𝑉𝐷3
𝐼𝐷2 𝑅3 + 𝑉𝐷2 = 𝑉𝐷3
𝐼𝐷2 10Ω + 0,3𝑉 = 0,7𝑉
𝐼𝐷2 = 40𝑚𝐴
olarak bulunur. D1 üzerinden geçen akımı bulmak için devrenin giriş gözünden bir
çevre denklemi yazarsak;
12𝑉 = 𝐼𝐷1 𝑅1 + 𝑉𝐷1 + 𝐼𝐷1 𝑅2 + 3𝑉 + 𝑉𝐷3 + 𝐼𝐷1 𝑅4
12𝑉 = 𝐼𝐷1 100Ω + 0,7𝑉 + 𝐼𝐷1 20Ω + 3𝑉 + 0,7𝑉 + 𝐼𝐷1 40Ω
𝐼𝐷1 = 47,5𝑚𝐴
olur. D2 ve D3 diyotlarının katotlarının birleşim noktasına Kirchhoff akım kanunu

uygulanırsa; 17
𝐼𝐷1 = 𝐼𝐷2 + 𝐼𝐷3

eşitliği yazılabilir, buradan ID3 akımı çekilirse;
𝐼𝐷3 = 𝐼𝐷1 − 𝐼𝐷2
𝐼𝐷3 = 47,5𝑚𝐴 − 40𝑚𝐴
𝐼𝐷3 = 7,5𝑚𝐴
olarak bulunur. Buna göre her bir diyot üzerinde harcanan güç;
𝑃𝐷1 = 𝑉𝐷1 𝐼𝐷1 = 0,7𝑉 𝑥 47,5𝑚𝐴 = 33,25 𝑚𝑊
𝑃𝐷2 = 𝑉𝐷2 𝐼𝐷2 = 0,3𝑉 𝑥 40𝑚𝐴 = 12 𝑚𝑊
𝑃𝐷3 = 𝑉𝐷3 𝐼𝐷3 = 0,7𝑉 𝑥 7,5𝑚𝐴 = 5,25 𝑚𝑊

olarak hesaplanabilir.
Soru
Aşağıda görülen devrede kullanılan her bir diyot üzerinde harcanan güçleri
hesaplayınız.
1k D1
Si
12V D3 Si D2 Ge
I1 I2
100 200
18
Diyotlu Lojik Kapı Devreleri
Aşağıda iki diyotla yapılmış bir lojik(mantık) kapı(gate) devresi görülmektedir. Bu

devrenin +5V lojik mantığı ile çalıştığı bilinmektedir, bir başka ifade ile;
Lojik Gerilim
0 0-1,5V
1 3,5-5V
Değerleri arasında çalışmaktadır. Buna göre devrenin doğruluk tablosunu çıkaralım.
V1
Si
V2 V0
Si
1k
V1 V2 V0
0 0
0 1
1 0
1 1
ÇÖZÜM:
Öncelikle ilk durum için her iki girişe de lojik 0 yani 0V uygulayalım.
19
V1
5V Si
V2 V0
5V Si
1k
Yukarıdan görüldüğü gibi devrede herhangi bir aktif kaynak yoktur ve diyotlar
yalıtımdadır. Devreden herhangi bir akım da akmadığından çıkış 0V yani lojik 0
seviyesindedir.
V1 V2 V0
0 0 0
0 1
1 0
1 1
Şimdi ikinci durumda girişlerden birisine lojik 1 yani +5V diğerine 0V uygulayalım.
D1
V1
5V Si
D2 V0
V2
5V Si
1k
Bu devreden görüldüğü gibi D2 iletimde, D1 yalıtımdadır. Bu durumda çıkış

gerilimini bulmak için D2 üzerinden şaseye kadar bir çevre denklemi yazılırsa;
𝑉𝑜 = −0,7𝑉 + 5𝑉 = +4,3𝑉
Değeri bulunur. Bu değer lojik 1 seviyesine karşılık gelmektedir. Aynı şekilde D1
diyotuna +5V, D2’ye 0V uygularsak sonuç değişmeyecek ve çıkış lojik 1 olacaktır.
V1 V2 V0 20
0 0 0
0 1 1
1 0 1
1 1
Son olarak her iki girişe lojik 1 uygularsak devre aşağıdaki gibi olacaktır.
D1
V1
5V Si
D2 V0
V2
5V Si
1k
Bu durumda çıkış her iki diyot iletimde olduğundan yine +4,3V yani lojik 1 olacaktır.
Sonuç olarak doğruluk tablosu aşağıdaki gibi olacaktır.
V1 V2 V0
0 0 0
0 1 1
1 0 1
1 1 1
Buradan görüldüğü gibi bu kapı devresi bir veya kapısıdır.
Soru:
Aşağıdaki lojik kapı devresinin doğruluk tablosunu oluşturun.

D1 21
V1
Si
D2 V0
V2
Si
1k
5V
V1 V2 V0
0 0
0 1
1 0
1 1
AC GİRİŞLİ DEVRELER:
Doğrultma Devreleri:
AC gerilimi DC gerilime çeviren devrelere doğrultma devreleri denir. Elde edilen DC

gerilim dalgalı bir gerilimdir. Kullanılan doğrultma metoduna bağlı olarak DC
gerilimdeki dalgalanma oranı farklılıklar arz eder.
AC gerilimi DC gerilime çevirmek için;
• Yarım dalga,
• Tam dalga doğrultma devreleri kullanılır.
Tam dalga doğrultma devreleri;

22
a) İki diyotlu,
b) Dört diyotlu (köprü tipi) tam dalga doğrultma devreleri olarak ikiye ayrılırlar.
Yarım Dalga Doğrultma;
Zamanla değişen sinyal girişli en basit devrelerden biri aşağıda görülmektedir.

Burada görülen ve yarım dalga doğrultucu adı verilen devre, AC ’den DC ’ye
dönüştürme işlemi yapmakta ve girişteki AC sinyalin sadece yarım saykılını
(periyodunu) çıkışa yansıtarak, çıkışta ortalama değere sahip bir VO DC gerilimi
üretmektedir.
Şekil 4.19 Yarım dalga doğrultucu
Şekil 4.19 ’daki t = 0 ile T/2 aralığında, giriş gerilimi Vi ’nin polaritesi, Şekil 4.20 ’de
gösterilmiştir. Bu gerilim diyotu doğru polarize edecek yöndedir, yani diyotun
anoduna pozitif (+), katoduna negatif (-) alternans gelmiştir. Diyot iletkendir ve
devreden IR yük akımı akar. Bu akım yük üzerinde alt uç (-), üst uç (+) olacak şekilde
VO çıkış gerilimi oluşturur. Diyot iletken olduğu anda kapalı bir anahtar gibi
düşünülebilir.
T/2 ile T aralığında ise Vi girişinin polaritesi Şekil 4.21’deki gibidir. Bu polarite
diyotun yalıtkan duruma geçmesine neden olur. Yani diyotun anoduna (-), katoduna
(+) alternans geldiği için, diyot yalıtkan durumdadır. Çıkış gerilimi VO ise yük üzerine
gerilim düşümü olmadığı için sıfırdır (VO = I.R = 0.(R) = 0 V).
23
Şekil 4.20 : İletim bölgesi (0 - T/2)
Şekil 4.21: Yalıtım bölgesi (T/2 - T)
Karşılaştırma amacıyla Vi girişi ve VO çıkışı Şekil 4.22’de birlikte çizilmiştir. Bu

durumda VO çıkış sinyali, tam bir periyot boyunca eksenin üstünde net pozitif bir
alana ve aşağıdaki denklemle belirlenen ortalama bir değere sahiptir:
𝑂𝑟𝑡𝑎𝑙𝑎𝑚𝑎 𝐷𝐶 𝐺𝑒𝑟𝑖𝑙𝑖𝑚 𝐷𝑒ğ𝑒𝑟𝑖 = 𝑉𝐷𝐶 = 𝑉𝑜𝑟𝑡 = 0,318𝑉𝑚
Bu değer aşağıda görülen VO sinyalinin integral yardımı ile bir tam periyot boyunca
ortalamasının alınması ile bulunmuştur ve yalnızca sinüs girişli yarım dalga
doğrultucunun ortalama DC gerilim(VDC) değerinin verir. Yine bu formülde diyot
ideal olarak kabul edilmiş yani VD= 0 V olarak alınmıştır.
24
Şekil 4.22
Kısacası, girişe uygulanan alternatif gerilimin pozitif veya negatif alternansında,

çıkışta dalgalı doğru akım elde etmek için kullanılan devrelere yarım dalga
doğrultma devreleri denmektedir.
Şekil 4.23’de ileri öngerilimleme bölgesinde VTh = 0,7 V olan bir Si diyotun
kullanılmasının etkileri gösterilmektedir. Burada diyotun iletime geçebilmesi için
girişin en az 0,7 V olması gerekir ki; bu da geçiş gerçekleşene kadar sıfır düzeyinde
bir çıkışa yol açmaktadır. İletim durumuna geçildiğinde, VO ile Vi arasındaki fark
sabit VTh = 0,7 V düzeyinde ve şekilde gösterildiği gibi VO = Vi - VTh ‘dir. Net etki
eksen üzerinde kalan alanın küçülmesidir; bu da doğal olarak elde edilen DC gerilim
düzeyini düşürecektir. Eğer Vm, VTh ’den çok daha büyük ise, aradaki fark ihmal
edilip yaklaşık olarak;
𝑉𝐷𝐶 ≅ 0,318𝑉𝑚 𝑉𝑚 ≫ 𝑉𝑇ℎ
diyebiliriz.
25
Şekil 4.23
Vm, nispeten VTh ’ye yakın bir düzeydeyse, yukarıda verilen denklemdeki tepe
gerilim değerini, diyot kırılma gerilimi kadar düşürerek kullanmak suretiyle, yaklaşık
bir değer bulunabilir. Bu durumda aşağıdaki bağıntı kullanılabilir:
𝑉𝐷𝐶 ≅ 0,318(𝑉𝑚 − 𝑉𝑇ℎ ) 𝑉𝑚 ′𝑦𝑒 𝑦𝑎𝑘𝚤𝑛 𝑉𝑇ℎ
Örnek 4.8
(a) Şekil 4.24’deki ideal diyotlu devre için çıkış geriliminin (VO) grafiğini çizip, çıkışın
DC düzeyini bulunuz.
(b) a şıkkını ideal diyot yerine silisyum diyot kullanarak tekrarlayınız.
Şekil 4.24 Yarım Dalga Doğrultma Devresi
Çözüm :
a) Bu durumda diyot girişin negatif alternansı boyunca iletimde kalacak ve VO Şekil

4.25’de gösterildiği gibi olacaktır. Tam periyot için DC düzeyi aşağıdaki gibi
belirlenebilir:
𝑉𝐷𝐶 ≅ −0,318𝑉𝑚 = −0,318𝑥20𝑉 = −6,36𝑉

26
Eksi işareti, çıkış polaritesinin Şekil 4.19’da tanımlanan polariteye göre ters
olduğunu göstermektedir.
Şekil 4.25 Yarım Dalga Doğrultma Devresi ve Çıkış Sinyali
b) Silisyum diyot kullanıldığında çıkış Şekil 4.26’da gösterildiği gibidir ve
𝑉𝐷𝐶 ≅ −0,318(𝑉𝑚 − 𝑉𝑇ℎ ) = −0,318(20𝑉 − 0,7𝑉) = −6,14𝑉
olarak belirlenir. DC düzeyinde oluşan düşme 0.22V yada % 3.5 kadardır.
Şekil 4.26
Diyotun ters tepe gerilimi (PIV) anma değeri, doğrultucu sistemlerin tasarımında
büyük öneme sahiptir. Bunun, geri öngerilim alanında çalışıldığında aşılmaması
gereken anma gerilimi olduğu, aksi takdirde diyotun zener çığ bölgesine gireceği ve
fiziki olarak zarar göreceği unutulmamalıdır. Yarım dalga doğrultucu için gereken
PIV anma değeri Şekil 4.27’deki devre yardımıyla bulunabilir. Kirchhoff gerilim yasası
uygulandığında diyotun PIV anma değerinin uygulanan gerilimin tepe değerine eşit 27
olması veya onu aşması gerektiği açıkça belli olmaktadır. Bu nedenle PIV anma
değeri aşağıdaki formülle belirlenebilir:
𝑃𝐼𝑉𝑎𝑛𝑚𝑎 𝑑𝑒ğ𝑒𝑟𝑖 = 𝑉𝑚 (𝑦𝑎𝑟𝚤𝑚 𝑑𝑎𝑙𝑔𝑎 𝑑𝑜ğ𝑟𝑢𝑙𝑡𝑚𝑎 𝑖ç𝑖𝑛)
Şekil 4.27: Yarım dalga doğrultucu için gereken PIV anma değerinin belirlenmesi
Tam Dalga Doğrultma
Girişe uygulanan alternatif gerilimin pozitif ve negatif her alternansında çıkış

devresinde dalgalı doğru akım elde etmek için kullanılan doğrultuculara tam dalga
doğrultucular denir. Yarım dalga doğrultucuların verimi düşüktür. Akımın aralıklı
darbeli oluşu nedeniyle etkili bir filtreleme işi çok zordur. Bu sakıncaları olmayan
tam dalga doğrultucular çok daha yaygın olarak kullanılır.
Tam dalga doğrultma devreleri iki diyotlu ve dört diyotlu (köprü tipi) tam dalga
doğrultma devreleri olmak üzere ikiye ayrılır. Bunlar aşağıda ayrıntılı olarak
incelenmiştir:
İki Diyotlu Tam Dalga Doğrultma
Şekil 4.28’de iki diyotlu doğrultma devresi görülmektedir. İki diyotlu doğrultma
devresinde, sekonderin her iki sargı dilimi üzerinde giriş sinyalini oluşturmak için
orta uçlu bir transformatör kullanılmalıdır. Sekonder sargısı orta uçlu olduğundan,
bu sargı sanki iki sargı birbirine seri olarak bağlanmış gibi hareket eder. İki diyotun
anotları sekonder sargılarının alt ve üst uçlarına bağlanır. İki katot birbirine
birleştirilir ve katotların birleştiği bu uç R yük direncine, direncin diğer ucu da
sekonder sargının orta ucuna bağlanır. Yük direnci iki katoda seri bağlı olduğundan,
her iki diyotun akımı bu dirençten geçmek zorundadır. Diyotlar tek yönlü iletkenliğe
sahip olduklarından yük direncinden geçen akım daima aynı yöndedir. Bu şekilde
yük direnci uçlarında istenen DC gerilim çıkışı elde edilir. 28
Şekil 4.28 İki Diyotlu Tam Dalga Doğrultma Devresi
Transformatör sekonder sargısına uygulanan Vi ’nin pozitif alternansında devre,

Şekil 4.29 ’daki gibidir. Sekonder sargının üst ucu pozitif (+), alt ucu negatif (-) olur.
Orta uç ise, üst uca göre negatif (-) alt uca göre pozitiftir (+). Bu durumda D1 diyotu
doğru polarmalandırıldığı için iletimde, D2 diyotu ters polarmalandırıldığı için
yalıtımdadır. Devreden, transformatörün orta ucundan çıkıp yük ve D1 üzerinden
geçerek sekonderin üst ucunda son bulan bir IR akımı akar.
Şekil 4.29 Pozitif alternansta iki diyotlu tam dalga doğrultma devresi davranışı
Transformatörün sekonder sargısına bir öncekine göre farklı yönde gerilim

uygulandığı takdirde, sekonder sargının üst ucu negatif (-), alt ucu pozitif (+) olur.
Orta uç ise, üst uca göre pozitif (+) alt uca göre negatiftir (-). Bu durumda D1 diyotu
ters polarmalandırıldığı için yalıtımda, D2 diyotu ise doğru polarmalandırıldığı için
iletimdedir. Devreden, transformatörün orta ucundan çıkıp, yük ve D2 üzerinden

geçerek sekonderin alt ucunda son bulan bir IR akımı akar. Yük direnci üzerindeki 29
gerilimin polaritesi yine aynıdır.
Şekil 4.30 Negatif alternansta iki diyotlu tam dalga doğrultma devresi davranışı
Eğer iki diyotlu tam dalga doğrultucuda kullanılan diyotlar ideal olarak alınıp, eşik
gerilimleri ihmal edilirse, çıkış geriliminin ortalama DC değeri;
𝑉𝐷𝐶 ≅ 0,636𝑉𝑚
olarak bulunur. Bu değerin daha önce yarım dalga doğrultucu için bulunan değerin
iki katı olduğu açıkça görülebilir. Eğer diyotlar ideal olarak kabul edilmeyip eşik
gerilimleri(VTh) hesaba katılırsa, bu durumda çıkış geriliminin DC (ortalama) seviyesi;
𝑉𝐷𝐶 = 0,636(𝑉𝑚 − 𝑉𝑇ℎ )

olarak bulunur.
İki diyotlu tam dalga doğrultucunun her iki diyotu için net PIV değerini belirlemede
Şekil 4.31 ’deki devre ve aşağıda verilen denklem kullanılır.
30
Şekil 4.31
𝑃𝐼𝑉 ≥ 𝑉𝑠𝑒𝑘𝑜𝑛𝑑𝑒𝑟 + 𝑉𝑅
𝑃𝐼𝑉 ≥ 𝑉𝑚 + 𝑉𝑚
𝑃𝐼𝑉 ≥ 2𝑉𝑚
Dört Diyotlu (Köprü Tipi) Tam Dalga Doğrultma
Şekil 4.32 : Tam dalga köprü tipi doğrultucu
Köprü tipi tam dalga doğrultma devresi Şekil 4.32’de görülmektedir. Girişe pozitif
alternans uygulandığında, D2 ve D3 doğru polarize olduğu için iletken durumda,
D1 ve D4 ters polarize olduğu için yalıtkan durumdadır. Şekil 4.33’de gösterildiği gibi
iletken olan D2 ve D3 diyotları kapalı bir anahtar olarak, D1 ve D4 diyotları ise açık bir
anahtar olarak kabul edilebilir. Diyotlar ideal kabul edildiği için yük direnci
üzerindeki gerilim VO = Vi ’dir.
31
Şekil 4.33 : Pozitif alternansta diyot durumları
Şekil 4.34 : Pozitif alternansta diyot akımları
Girişin negatif alternansında ise; D1 ve D4 diyotları doğru polarmalandırıldığı için

iletken, D2 ve D3 diyotları ters polarmalandırıldığı için yalıtkan durumdadırlar.
Buradaki önemli nokta yük direnci üzerindeki polaritenin Şekil 4.34 ile aynı ve bunun
da Şekil 4.35 ’de gösterildiği gibi ikinci pozitif darbeye neden olmasıdır.
Şekil 4.35 Negatif alternansta diyot akımları ve çıkış gerilimi

Kısacası, dört diyotlu tam dalga doğrultma devresindeki diyotlar ikişer ikişer sıra ile
iletken olarak giriş geriliminin her iki alternansını da doğrultup çıkışa aktarırlar. Elde 32
edilen DC gerilimin dalga şekli iki diyotlu tam dalga doğrultmadaki ile aynıdır.
Bir tam periyot boyunca eksen üzerindeki alan, yarım dalga doğrultma sistemine
göre ikiye katlandığı için, DC düzeyde ikiye katlanmaktadır.
Şekil 4.36 Tam dalga doğrultulmuş sinüs sinyali ve ortalama değeri
Silisyum diyotlarda pozitif iletme fazı süresince Şekil 4.37 ’de gösterildiği gibi VO ’ın
etkisi de ikiye katlanmıştır. Ancak, eğer Vm >> 2VTh ise, yani giriş sinyalinin tepe
değeri diyot eşik gerilimlerinden çok büyük ise, bu durumda diyot eşik gerilimleri
ihmal edilerek çıkış geriliminin DC seviyesi yani ortalaması;
𝑉𝐷𝐶 ≅ 0,636𝑉𝑚
olarak bulunur. Diğer taraftan eğer Vm, 2VTh ’ye yakın ise, yani giriş sinyalinin tepe
değeri, diyot eşik gerilimlerine yakın ise, çıkış geriliminin ortalama DC değeri;
𝑉𝐷𝐶 = 0,636(𝑉𝑚 − 2𝑉𝑇ℎ )

olarak bulunur.
Her bir ideal diyot için gereken PIV, Şekil 4.38’de gösterildiği gibi, giriş sinyalinin
pozitif bölgesindeki tepe değerinden elde edilebilir. Gösterilen döngü için R
üzerindeki maksimum gerilim Vm ’dir ve
𝑃𝐼𝑉 ≥ 𝑉𝑚
33
olarak bulunur.
Şekil 4.37 Köprü tipi tam dalga doğrultma devresi ve çıkış sinyali
Şekil 4.38 Köprü tipi tam dalga doğrultma devresinde PIV değeri
Örnek 4.9
Şekil 4.32 'de görülen köprü tipi tam dalga doğrultucunun girişine tepeden-tepeye
gerilim değeri 20 V olan bir sinüs sinyali uygulandığına ve devrede kullanılan
diyotlar;
a) ideal,
b) silisyum
tipinde olduğuna göre, çıkış geriliminin ortalama DC değeri ne olur.

Çözüm :
34
a) Giriş sinyalinin tepeden-tepeye gerilim değeri Vp-p = 20 V olduğuna göre, giriş
sinyalinin tepe veya maksimum gerilim değeri;
𝑉𝑝−𝑝 20𝑉
𝑉𝑚 = = = 10𝑉
2 2
olur.
Diyotlar ideal olduğuna göre çıkış geriliminin DC değeri,
𝑉𝐷𝐶 = 0,636𝑉𝑚
𝑉𝐷𝐶 = 0,636𝑥10𝑉 = 6,36𝑉
olur.
b) Eğer diyotlar silisyum tipinde ise, bu durumda çıkış geriliminin DC değeri,
𝑉𝐷𝐶 = 0,636(𝑉𝑚 − 2𝑉𝑇ℎ )
𝑉𝐷𝐶 = 0,636(10𝑉 − 2𝑥0,7𝑉) = 5,46𝑉
olur.
Örnek 4.10
Şekil 4.39’da gösterilen ve ideal diyotlarla yapılan devre için çıkış dalga biçimini
bulunuz. Her bir diyot için gerekli PIV değerini ve DC düzeyini hesaplayınız.
35
Şekil 4.39 Örnek Doğrultma devresi ve giriş sinyali
Çözüm:
Devre, giriş geriliminin pozitif alternansında Şekil 4.40’daki gibi görünecektir.
Şekil 4.40 Pozitif giriş alternansında örnek devrenin davranışı
Şekil 4.40’daki devre yeniden çizildiğinde Şekil 4.41’deki devre elde edilir. Burada;
1 1
𝑉𝑜(𝑚𝑎𝑥) = 𝑉𝑖(𝑚𝑎𝑥) = (10𝑉) = 5𝑉
2 2
olarak bulunur (Şekil 4,41).
36
Şekil 4.41 Yeniden Çizilmiş Eşdeğer Devre
Giriş bölümünün negatif alternansında ise diyotların rolleri değişecek ve VO Şekil

4.42’deki gibi görünecektir.
Şekil 4.42 Negatif giriş alternansında çıkış sinyali
Bu nedenle iki diyotu köprü devresinden çıkarmanın etkisi, mevcut DC düzeyini

düşürmek olmuştur. Bu durumda çıkış geriliminin ortalama DC değeri, tam dalga
doğrultucunun çıkış değerine eşit olacaktır. Yani;
𝑉𝐷𝐶 = 0,636𝑥5𝑉 = 3,18𝑉

olacaktır.
PIV değeri ise, R üzerindeki maksimum gerilime eşittir. Bu ise 5V ’tur, yani aynı giriş
değeri altında bir yarım dalga doğrultucusu için gerekenin yarısıdır.
Kırpıcı Devreler(Clippers)
37
Alternatif(AC) dalga biçiminin geri kalan kısmını bozmadan giriş sinyalinin bir
bölümünü “kırpma” özelliğine sahip devrelere “kırpıcı devreler” adı verilir. Yarım
dalga doğrultucu, bir diyotla yapılan kırpıcının en basit örneklerindendir. Diyotun
yönüne bağlı olarak giriş sinyalinin pozitif veya negatif bölgesi kırpılmaktadır.
Kırpıcıları, seri ve paralel kırpıcılar olmak üzere iki gruba ayırmak mümkündür. Seri
devrelerde diyot yüke seri, paralel devrelerde ise paralel bağlıdır.
Seri Kırpıcı Devreler
Şekil 4,43 (a)’daki seri devrenin çeşitli dalga biçimlerine tepkisi, Şekil 4,43 (b)’de
gösterilmiştir. Şekil 4,44’deki gibi bir DC kaynağının eklenmesi, kırpıcının çıkışı
üzerinde belirgin bir etki oluşturabilir. Buradaki açıklamalar ideal diyotlarla sınırlı
kalacaktır.
Şekil 4.43 (a) Seri Kırpıcı Devresi
Şekil 4.43 (b) Seri Kırpıcı Devresi Giriş-Çıkış Sinyalleri

38
Şekil 4.44 DC Kaynak Eklenmiş Seri Kırpıcı Devresi
Şekil 4.44’deki gibi devreleri analiz etmenin genel bir yöntemi olmamakla beraber,
çözüm üzerinde çalışırken dikkat edilmesi gereken birkaç nokta vardır. Bunlar;
1) Diyotun yönü ve uygulanan gerilim düzeyleri dikkate alınmalıdır. Şekil 4.44’deki

devrede diyotun iletime geçebilmesi için Vi geriliminin pozitif ve V volttan büyük
olması gerekir.
2) Diyotun durumunda değişikliğe yol açacak uygulama gerilimi belirlenmelidir.

İdeal diyotta geçişi sağlayacak Vi’nin düzeyini belirlemek üzere ID=0 veya VD=0
koşulunun kullanılması analizlerde kolaylık sağlayacaktır.
Şekil 4.44’deki devreye VD =0’da ID =0 koşulu uygulandığında Şekil 4.45’deki devre

elde edilir. Buradan anlaşılacağı gibi durumdaki bir değişmeyi meydana getirecek Vi
düzeyi,
Vi=VDC
olarak tespit edilir.
Şekil 4.45 Diyotun Açık Devre Durumu

V volttan daha büyük bir giriş geriliminde diyot kısa devre, daha düşük bir giriş
geriliminde ise diyot açık devre durumundadır. 39
3) Tanımlanan uçların ve Vo polaritesinin durumu sürekli göz önünde

bulundurulmalıdır. Diyot Şekil 4.46’daki gibi kısa devre durumundayken devreye
Kirchhoff yasası uygulanırsa;
Vi – VO – V = 0 (Saatin dönme yönünde)
Vo=Vi -V
olarak bulunur.
Şekil 4.46 Diyotun kısa devre durumu
4) Giriş sinyalini Şekil 4.47’deki gibi çıkışın üstünde çizmek ve çıkışı girişin anlık
değerlerine bağlı olarak belirlemek analizlerde kolaylık sağlayabilir. Daha sonra çıkış
gerilimi VO belirlenen noktalardan çizilebilir. Vi’nin anlık bir değerinde girişin “0”
değerde bir DC kaynak olarak ele alınabileceğini ve çıkışın, buna karşılık gelen DC
değerinin belirlenebileceğini unutmamak gerekir. Örneğin Şekil 4.44’deki devre Vi =
Vm durumu için Şekil 2.62’de yeniden çizilmiştir. Vm > V için diyot kısa devre olup,
Şekil 2.61’de gösterildiği gibi VO = Vm – V ’dir.
40
Şekil 4.47 Kırpıcı giriş-çıkış sinyalleri
Şekil 4.48 Vi = Vm için kırpıcı devresinin yeniden çizilmiş hali
Aynı yöntem Vo’ın kesintisiz bir eğrisini çizmek için yeterli sayıda çıkış noktaları elde
edilene kadar giriş geriliminin istenen sayıdaki noktası için uygulanabilir. Şekil
4.44’deki devre için çıkış, Şekil 4.49’daki gibidir.
41
Şekil 4.49: Şekil 4.44’de gösterilen kırpıcının giriş ve çıkış sinyali
Örnek 4.11
Şekil 4.50’deki devre için çıkış dalga biçimini bulunuz.
Şekil 4.50 Örnek Seri Kırpıcı Devresi

42
Çözüm:
Vi’nin pozitif alternansında diyot iletim durumundadır. Bu durumda devre, Şekil

4.51’deki gibi davranacak ve VO = Vi + 5 V olacaktır. Geçiş gerilimi için Vd = 0 ’da id =
0 değeri konulursa Şekil 4.52’deki devre ve Vi = -5V değeri elde edilir.
Diyot -5 V ’dan daha negatif gerilimler için açık devre durumunda, -5 V ’dan daha
pozitif gerilimler için de kısa devre (iletim) durumundadır. Giriş ve çıkış gerilimleri
Şekil 4.53’de görülmektedir.
Şekil 4.51 Pozitif giriş alternansında devrenin davranışı
Şekil 4.52 Diyotun kesim durumu için devrenin davranışı

43
Şekil 4.53 Kırpıcı Devresinin Giriş ve Çıkış Sinyalleri
Paralel Kırpıcı Devreler
Şekil 4.54 (a)’daki paralel kırpıcı devresinin çeşitli dalga biçimlerine karşı tepkisi Şekil
4.54 (b)’de gösterilmiştir. Paralel kırpıcı devre analizlerinde de seri kırpıcı devre
analiz yöntemleri kullanılmaktadır.
Şekil 4.54 (a) Paralel Kırpıcı Devresi

44
Şekil 4.54 (b) Paralel Kırpıcı Devresi Giriş ve Çıkış Sinyalleri
Örnek 4.12
Şekil 4.55’deki devre için VO ’ı bulunuz.
Şekil 4.55 Örnek Paralel Kırpıcı Devresi ve Giriş Sinyali
Çözüm :
Giriş geriliminin negatif (-) alternansında diyot iletim durumundadır. Bu bölge için
devre Şekil 4.56’da gösterildiği gibi olacaktır ve VO = V = 4V ’tur.
45
Şekil 4.56 Diyotun iletim durumu(girişin negatif alternansı)
Şekil 4.57 Diyotun yalıtım durumu
Geçiş durumu Vd = 0V’da id = 0A koşulunun uygulandığı Şekil 4.57’den belirlenebilir.

Sonuçta Vi (geçiş) = V = 4V olur.
DC gerilim kaynağı, diyotun iletim durumunda kalması için baskı uygulamaktadır. Bu

nedenle diyotun yalıtım durumuna geçebilmesi için giriş geriliminin 4V’tan daha
büyük olması gerekir.
Yalıtım durumu için devre VO = Vi olmak üzere Şekil 4,58’de gösterildiği gibi
olacaktır. VO’ın çizimi tamamlanırsa Şekil 4.59’daki dalga biçimi elde edilir.
Şekil 4.58 Diyotun yalıtım durumunda devre şekli

46
Şekil 4.59 Kırpıcı devrenin giriş ve çıkış sinyalleri
Örnek 4.13
Örnek 4.12’yi, VTh = 0,7V olan bir silisyum diyot için tekrarlayınız.
Çözüm :
İlk önce Vd = VD = 0,7V’da id = 0A koşulu uygulanıp geçiş gerilimi bulunabilir. Şekil

4.60’daki devre elde edildikten sonra Kirchhoff gerilim yasası çıkış çevre denklemi
için saat yönünde uygulanırsa,
olarak bulunur.
3,3V’dan daha büyük giriş gerilimleri için diyot yalıtım durumundadır ve VO =Vi’dir.
3,3V’dan daha düşük giriş gerilimlerinde ise diyot iletim durumundadır ve Şekil 47
4.61’deki devre elde edilir. Burada;
Şekil 4.60 Geçiş gerilimi için devrenin davranışı
Şekil 4.61 Diyotun iletim durumu için devrenin davranışı
Sonuçta elde edilen çıkış dalga biçimi Şekil 4.62’deki gibidir. Burada VTh’nin tek etkisi,
diyotun iletim düzeyini 4V’tan 3,3V’a düşürmek olmuştur.
48
Şekil 4.62 Çıkış dalga şekli
Çalışma Soruları:
Soru-1
Aşağıda görülen devrenin girişine tepede-tepeye genlik değeri 20 V olan sinüsoidal

bir sinyal uygulandığına göre, çıkış dalga şeklini çizerek değerlerini şekil üzerinde
gösteriniz.
Vi
10V V0
Vi
t
ideal
3V RL
-10V
Soru-2

gösteriniz.
Vi 49
10V V0
Vi
t ideal
3V RL
-10V
Soru-3

gösteriniz.
Vi
10V V0
Vi
t ideal
3V RL
-10V
Soru-4

gösteriniz.
Vi
10 R V0
Vi
t
-10 ideal
3V
Soru-5

bir sinyal uygulandığına göre, çıkış dalga şeklini çizerek değerlerini şekil üzerinde 50
gösteriniz.
Vi
10 R V0
Vi
t
-10 ideal
3V
Soru-6

gösteriniz.
Vi
10 R V0
Vi
t
-10 ideal
3V
Soru-7

gösteriniz.
51
Vi
10 R V0
Vi
t
-10 ideal
3V
Sinüsoidal Sinyalin Etkin(effective-rms) Değer Hesabı
V(t)=VmSin(wt)
Vm
+ +
0 t
-
-Vm
Sinüs sinyalinin etkin değeri aşağıdaki semboller ile gösterilmektedir. Burada rms
kısaltmasının açılımı İngilizce root-mean-square ‘dir. Türkeçe olarak karesinin
ortalamasının karekökü anlamına gelmektedir. Bu anlam aşağıdaki etkin değer
hesabından sonra daha iyi anlaşılacaktır.
𝑉𝑟𝑚𝑠 = 𝑉𝑎𝑐 = 𝑉𝑒𝑡𝑘𝑖𝑛 = 𝑉𝑒𝑓𝑓𝑒𝑐𝑡𝑖𝑣𝑒
1 2𝜋
𝑉𝑟𝑚𝑠 = √ ∫ (𝑉𝑚 𝑆𝑖𝑛𝜔𝑡)2 𝑑𝑡
2𝜋 0
𝑉𝑚2 2𝜋 2 52
𝑉𝑟𝑚𝑠 = √ ∫ 𝑠𝑖𝑛 (𝜔𝑡) 𝑑𝑡
2𝜋 0
𝑉𝑚2 2𝜋 1 − cos (2𝜔𝑡)

𝑉𝑟𝑚𝑠 =√ ∫ 𝑑𝑡
2𝜋 0 2
𝑉𝑚2 𝑡 sin (2𝜔𝑡) 2𝜋

𝑉𝑟𝑚𝑠 =√ [ − ]
2𝜋 2 4𝜔 0
𝑉𝑚2 2𝜋 sin (2𝜔2𝜋) 0 sin (2𝜔0)

𝑉𝑟𝑚𝑠 = √ [[ − ]−[ − ]]
2𝜋 2 4𝜔 2 4𝜔
𝑉𝑚2 0 0 0)
𝑉𝑟𝑚𝑠 = √ [[𝜋 − ]−[ − ]]
2𝜋 4𝜔 2 4𝜔
𝑉𝑚2 𝜋 𝑉𝑚2
𝑉𝑟𝑚𝑠 = √ = √
2𝜋 2
𝑉𝑚
𝑉𝑟𝑚𝑠 = = 0,707𝑉𝑚
√2
Buradan görüldüğü gibi sinüs sinyalinin etkin(iş yapan) değeri, tepe değerinin(𝑉𝑚 ),
0,707 katına eşittir. Bu değer sadece sinüs sinyali için geçerlidir. Farklı dalga şekilleri
için o dalga şeklinin matematiksel ifadesi ile birlikte yukarıdaki işlemler
tekrarlanmalıdır. Tüm AC ölçü aletleri (AC voltmetre ve ampermetre) sinüs

sinyalinin etkin değerini ölçerken bu eşitliği kullanmaktadır. 53
Yarım Dalga Doğrultulmuş Sinüs Sinyal inin Ortalama Değer Hesabı:
V(t)
Vm
VDC
0 t
Periyot
T
Daha önce anlatılan doğrultma devreleri için verilen ortalama değer eşitliği
aşağıdaki gibi hesaplanmaktadır. Ortalama değere, DC veya average değerde
denmektedir, dolayısı ile herhangi bir sinyalin ortalaması aşağıdaki sembollerle
gösterilebilir
𝑉𝐷𝐶 = 𝑉𝑜𝑟𝑡 = 𝑉𝑎𝑣
Ortalama değer sinyalin bir periyot boyuncaki ortalaması anlamına gelmektedir ve

basitçe alan hesabından bulunmaktadır. Yarım dalga doğrultulmuş sinüs sinyalinin
ortalaması aşağıdaki gibi hesaplanabilir.
1 𝜋
𝑉𝐷𝐶 = ∫ 𝑉 𝑆𝑖𝑛𝜔𝑡 𝑑𝑡
2𝜋 0 𝑚
𝑉𝑚
𝑉𝐷𝐶 = [−𝑐𝑜𝑠𝜔𝑡]𝜋0
2𝜋
𝑉𝑚
𝑉𝐷𝐶 = [− cos(𝜔𝜋) − (−cos (𝜔0)]
2𝜋
54
𝑉𝑚
𝑉𝐷𝐶 = [−(−1) − (−1)]
2𝜋
𝑉𝑚
𝑉𝐷𝐶 = [1 + 1]
2𝜋
𝑉𝑚 2𝑉𝑚
𝑉𝐷𝐶 = [2] =
2𝜋 2𝜋
𝑉𝑚
𝑉𝐷𝐶 = = 0,318𝑉𝑚
𝜋
Tam Dalga Doğrultulmuş Sinüs Sinyalinin Ortalama Değer Hesabı:
V(t)
Vm
VDC
0 Periyot
t
T
Yukarıda yarım dalga için yapılan hesapta değişen sadece doğrultulmuş tam dalga
sinyalin periyodunun 𝜋 olmasıdır. Bu durumda;
1 𝜋
𝑉𝐷𝐶 = ∫ 𝑉𝑚 𝑆𝑖𝑛𝜔𝑡 𝑑𝑡
𝜋 0
55
𝑉𝑚
𝑉𝐷𝐶 = [−𝑐𝑜𝑠𝜔𝑡]𝜋0
𝜋
𝑉𝑚
𝑉𝐷𝐶 = [− cos(𝜔𝜋) − (−cos (𝜔0)]
𝜋
𝑉𝑚
𝑉𝐷𝐶 = [−(−1) − (−1)]
𝜋
𝑉𝑚
𝑉𝐷𝐶 = [1 + 1]
𝜋
𝑉𝑚 2𝑉𝑚
𝑉𝐷𝐶 = [2] =
𝜋 𝜋
2𝑉𝑚
𝑉𝐷𝐶 = = 0,636𝑉𝑚
𝜋
sonucuna rahatlıkla ulaşılır.

4.hafta Ders Notları Diyot Uygulama Devreleri

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

You might also like

4.hafta Ders Notları Diyot Uygulama Devreleri

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

4.hafta Ders Notları Diyot Uygulama Devreleri

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Elektronik-I Ders Notları Prof.Dr.

Ali Fuat Boz

DİYOT UYGULAMA DEVRELERİ 1

Bölümün sonunda diyotların DC ve AC devrelerdeki temel davranış yapısı açıkça anlaşılmış

DC Yük Doğrusu Analizi:

Şekil 4.1 DC Diyot Devresi

Şekil 4.2 Diyot Karakteristik Eğrisi

Şekil 4.3 Diyot DC Çalışma Noktası Tayini

eşitliğinde yerine konularak diyot gerçek çalışma akımı( 𝐼𝐷𝑄 ) bulunur.

Genelde devrelerde bulunan direnç değerleri diyot iç direncinden oldukça büyük

Şekil 4.4 Örnek DC Girişli Seri Diyot Devresi

Şekil 4.5 Örnek DC Girişli Seri Diyot Devresi Eşdeğeri

olur. Direnç uçlarındaki gerilim ise;

Örnek 4.1 ’i diyotu ters yönde çevirerek tekrarlayınız.

Şekil 4.6 Örnek DC Girişli Seri Diyot Devresi

Şekil 4.7 Örnek DC Girişli Seri Diyot Devresi Eşdeğeri

Aşağıda görülen seri diyot devresi için VO ve ID ’yi bulunuz.

Şekil 4.8 Örnek 4.3 İçin DC Girişli Diyot Devresi

Şekil 4.9 Örnek 4.3 İçin DC Girişli Diyot Devresi Eşdeğeri

Oluşan kapalı devre elektrik devresinden bir çevre denklemi yazarsak;

𝐸 = 𝑉𝐷1 + 𝑉𝐷2 + 𝑅𝐼𝐷

12𝑉 = 0,7𝑉 + 0,3𝑉 + 5,6𝑘𝐼𝐷

𝑉𝑜 = 𝑅𝐼𝐷 = 5,6𝑘𝑥1,96𝑚𝐴 = 11𝑉

sonucuna ulaşırız. Çalışma esnasında diyotlar üzerinde harcanan güçler ise;

𝑃𝐷2 = 𝑉𝑇ℎ2 𝐼𝐷 = 0,3𝑉𝑥1.96𝑚𝐴 = 0,588 𝑚𝑊

Aşağıda görülen devre için ID, VD2 ve VO ’ı bulunuz.

Şekil 4.10 Örnek 4.4 İçin DC Girişli Diyot Devresi

Şekil 4.11 Örnek 4.4 İçin DC Girişli Diyot Devresi Eşdeğeri

Bu durumda R direnci uçlarında düşen çıkış gerilimi;

𝐸 = 𝑉𝐷1 + 𝑉𝐷2 + 𝑅𝐼𝐷

12𝑉 = 0𝑉 + 𝑉𝐷2 + 5,6𝑘𝑥0𝑚𝐴

Şekil 4.12 Örnek 4.5 İçin DC Girişli Diyot Devresi

Yukarıdaki devrede iki farklı DC kaynak bulunmaktadır. Devrenin çözümünü

Bu devrede diyotun anot ucu 10V değerindeki E1 kaynağının pozitif(+) ucuna

Şekil 4.14 Örnek 4.5 İçin DC Girişli Diyot Devresi Eşdeğeri

olur. 𝑅1 uçlarında düşen 𝑉1 gerilimi;

𝑉1 = 𝐼𝑅1 = 2,102𝑚𝐴 𝑥 4,6𝑘 = 9,67𝑉

𝑉2 = 𝐼𝑅2 = 2,102𝑚𝐴 𝑥 2,2𝑘 = 4,62𝑉

𝑉𝑜 = 𝑉2 − 𝐸2 = 𝐼𝑅2 − 5𝑉 = 4,62𝑉 − 5𝑉 = −0,373𝑉

Aşağıda görülen bir germanyum ve iki silisyum diyotlu devredeki D2 diyotunun

Şekil 4.15 Örnek 4.6 İçin DC Girişli Diyot Devresi

Yukarıdaki devre incelendiğinde tüm diyotların ileri yönde polarmalandığı, dolayısı

Şekil 4.16 Örnek 4.6 İçin DC Girişli Diyot Devresi Eşdeğeri

18𝑉 = 𝑉𝐷1 + 𝑅1 𝐼 + 𝑉𝐷2 + 𝑅3 𝐼 + 𝑉𝐷3

18𝑉 − 𝑉𝐷1 − 𝑉𝐷2 − 𝑉𝐷3 18𝑉 − 0,7𝑉 − 0,7𝑉 − 0,3𝑉

Devrede D2 diyotu üzerinde harcanan güç istendiğine göre öncelikle bu diyot

𝐼𝐷2 = 𝐼 − 𝐼𝑅2 = 10,187𝑚𝐴 − 7𝑚𝐴 = 3,187𝑚𝐴

𝑃𝐷2 = 𝑉𝐷2 𝐼𝐷2 = 0,7𝑉 𝑥 3,187𝑚𝐴 = 2,23 𝑚𝑊

Aşağıda görülen silisyum ve germanyum diyotların kullanıldığı devrede her bir

Şekil 4.17 Örnek 4.7 İçin DC Girişli Diyot Devresi

𝑉𝑅3 + 𝑉𝐷2 = 𝑉𝐷3

𝐼𝐷2 𝑅3 + 𝑉𝐷2 = 𝑉𝐷3

𝐼𝐷2 10Ω + 0,3𝑉 = 0,7𝑉

12𝑉 = 𝐼𝐷1 𝑅1 + 𝑉𝐷1 + 𝐼𝐷1 𝑅2 + 3𝑉 + 𝑉𝐷3 + 𝐼𝐷1 𝑅4

12𝑉 = 𝐼𝐷1 100Ω + 0,7𝑉 + 𝐼𝐷1 20Ω + 3𝑉 + 0,7𝑉 + 𝐼𝐷1 40Ω

olur. D2 ve D3 diyotlarının katotlarının birleşim noktasına Kirchhoff akım kanunu

𝐼𝐷1 = 𝐼𝐷2 + 𝐼𝐷3

𝐼𝐷3 = 𝐼𝐷1 − 𝐼𝐷2