基于 90nm CMOS 工艺的毫米波振荡器设计

汪 明 严蘋蘋 陈 喆
(东南大学信息科学与工程学院 毫米波国家重点实验室，南京 211111)

mingnanjing@163.com

摘 要：本文采用 90nm CMOS 工艺设计了一款压控振荡器(VCO)电路。电路采用电感-电容交叉耦合结

构，以获得较好的相位噪声性能。使用三维电磁仿真软件对 VCO 版图进行仿真，提高测试和仿真结果的吻
合 度 。 在 工 作 电 压 1.5V 下 ， 压 控 振 荡 器 的 输 出 频 率 为 ： 42~48GHz ， 相 位 噪 声 为 -91dBc/Hz~
97.4dBc/Hz@1MHz。
关键词：毫米波集成电路，压控振荡器，相位噪声，CMOS

Design of a Millimeter Wave Oscillator in 90nm CMOS Technology

WANG Ming, YAN Pin-pin，CHEN Zhe

(State Key Laboratory of millimeter waves, School of information science
and Engineering, Southeast University,Nanjing211111,China)

Abstract: A voltage controlled oscillator(VCO) circuit in 90nm CMOS Technology is presented. The VCO circuit
adopts inductive capacitive cross coupling structure to achieve better phase noise performance.The whole layout of
the VCO is simulated using a 3D electromagnetic (EM) simulator to improve the match between the simulation and
measurement results. At a supply voltage of 1.5V, the output frequency of the VCO is between 42 GHz to 48GHz,
the phase noise is between -91dBc/Hz to -97.4 dBc/Hz at 1MHz offset frequency.
Keywords: Millimeter wave integrated circuits; Voltage controlled oscillator(VCO); Phase noise; CMOS

控振荡器（VCO）对锁相环的频率覆盖范围、相位
1 引言
噪声、功耗等重要性能都有直接影响。在 VCO 的设
计中，对于给定的工艺，对其设计过程中参数指标
随着多媒体技术与网络技术的迅速发展,人们对
存在折中的关系，高性能的 VCO 要求有较低的相位
无线通信的速率提出了更高的要求。毫米波频段频
噪声，较好的频率调谐范围和合理的功耗。本文基
谱资源丰富,受到越来越多的关注。在美国、日本和
于 TSMC 公司 90nm CMOS 工艺设计了压控振荡器
欧洲等所开放的 60GHz 频段应用中，毫米波短距高
芯片。电路采用电感-电容交叉耦合结构，使用共质
速无线通信成为通信领域的研究热点。我国也针对
心对称的交叉耦合对管版图结构，可以使交叉耦合
40-50GHz 频段给出了毫米波点对点以及短距无线通
对管部分的版图更加紧凑，减小了栅漏连接线引入
信的频谱规划。中国无线个域网标准工作组专门成
的交叠电容，同时也降低了交叉耦合对管中晶体管
立了相应的技术组负责 45GHz 频段短距接入通信技
失配对性能的影响。该芯片的仿真结果为：在 1.5V
术的研究，并将其称之为 Q-LINKPAN 技术[1-3]。
电源电压下，压控振荡器的输出频率范围为 42-
频率综合器作为收发机的一个关键模块通常由
48GHz, 相位噪声为-91dBc/Hz~97.4dBc/Hz@1MHz。
锁相环(PLL)实现。作为锁相环的关键电路模块, 压

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2 电路设计
2.1 电路结构
在锁相环电路中，LC 振荡器和环形振荡器是
很重要的两种振荡器。环形振荡器易于集成 ,可调
频率范围大 ,但相位噪声性能不如 LC 振荡器。LC
振荡器具有结构简单、起振容易、相位噪声性能更
好等优点[4]，广泛应用于毫米波振荡器的设计中，
因此本设计是基于 LC 振荡器基础上完成的。
图 1 (a) VCO 原理图(b)交叉耦合晶体管对的版图
VCO 的结构示意图如图 1（a）所示。
其中的内核包括一对交叉耦合的晶体管（M1
和 M2） ，一个中心抽头的电感（L1）和两个变容管
（VAR1 和 VAR2）。采用了两个共源级的缓冲级以
提供差分输出（M3 和 M4）。其中在交叉耦合晶体
管对的设计中采用了一种共质心对称交叉耦合对管
版图结构[5]，如图 1（b）[6]所示，在图中 D 表示晶
体管的漏极(Drain)，S 表示晶体管的源极(Source)，
M1、M2、M3 分别表示第一到第三层金属。共质心
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对称交叉耦合结构一方面可以有效地减小交叉耦合
晶体管对所占的芯片面积，另一方面还能减少栅漏
连接时产生的寄生电容和工艺制造过程中引起的失
配。VCO 内核的差分输出端各级联了一个共源级放
大器作为驱动并采用了相应的电感和电容进行匹
配。电感 L1，L2 和 L3 均采用 3um 宽，3.4um 厚的
顶层金属来实现。
2.2 无源器件分析和优化
无源器件的模型和品质因数 Q 对于振荡器的性
能起着关键作用。但随着频率延伸到毫米波频段，
工 艺 库 中给出的无源器件模型不再准确。TSMC
90nmCMOS 工艺在 30GHz 以上没有给出精确的数据
模型。另一方面振荡器的输出频率与 L C 成反比，
在 45GHz，需要的电感值在 pH 级，需要的电容值在
fF 级，而模型库中给出的电感电容值相对偏大，所
以需要设计高 Q 值、低电容电感值的无源器件。
图 2 HFSS 电感八边形模型
现代工艺多采用螺旋电感的形式。电感的设计
目标包括低损耗、小面积、低串联阻抗、高自谐振
频率，其中最为重要的是高品质因数 Q。片上电感
具有低损耗等优势，但随着频率的提高，带来了很
大的寄生参数，影响品质因数 Q。因此，分别从电
感几何形状与金属结构两方面讨论电感模型的设
计。螺旋电感的形状包括正方形、八边形和圆形
等。经过仿真，圆形螺旋电感的品质因数 Q 和自谐
振频率最高，但同其他形状相比改善较小，因此为
了工艺加工方便，选择八边形结构[7]。图 2 为采用
HFSS 软件设计的 100 pH 八边形螺旋电感模型(其
中 CMOS 工艺的层次结构以及各层介电常数均从
TSMC 90 nm 库文件中得到)。因为设计需要的电感
值很小，所以选择匝数 N=I。HFSS 仿真的 Q 值为
16，电感值为 110pH。
2.3 偏置电流镜设计 性度较好。

闪烁噪声随着频率成反比关系下降，所以到高
频闪烁噪声已经非常小。但是，由于 VCO 电路振
荡时，交叉 MOS 管处在一个不停的开关状态，就
像一个开关混频器，将低频的闪烁噪声混频到变容
管上，变容管将 AM 噪声转化为 FM 噪声产生了
相位噪声 [7] 。偏置电流源的 1/f 噪声是恶化 VCO
相位噪声一个主要噪声源之一，因此设计好的偏置
电流源对 VCO 的性能至关重要。PMOS 管的闪烁
噪声比 NMOS 管低，而且 MOS 管面积越大，闪
烁噪声越小。因此这里选用 PMOS 作为电流源。

图 4 HFSS 仿真版图
3 仿真结果和芯片版图

整个 VCO 芯片基于 90nm CMOS 工艺 完成，

电路版图如图 3 所示，面积 0.9x0.88 m m 2 。在毫米
波频段，寄生参数影响明显，同时电路的版图设计
也较为困难，关键部分需进行电磁(EM)仿真，本设
计使用了商业三维电磁仿真软件 HFSS 仿真了压控
振荡器的版图，如图 4 所示。

图 5 VCO 调谐范围

采用 Cadence Spectre 仿真器进行相位噪声仿真

和优化设计，仿真结果为：控制电压为 0.2V 时
（ 频 率 为 42GHz ）， VCO 的 相 位 噪 声 为 -
97.4dBc/Hz@1MHz；控制电压为 1.5V 时（频率为
48GHz） ，相位噪声为-91dBc/Hz@1MHz。

4 结论

本文基于 90nm 工艺，设计完成了 45GHz VCO

图 3 VCO 电路版图
图 5 是压控振荡器的仿真输出频谱，在控制偏
压为 0V 时，输出频率为 41.7GHz,在控制偏压为
1.5V 时，输出频率为 48GHz。在 42-48GHz 频段线
全集成芯片。在设计中采用了共质心对称的交叉耦
合对管版图结构，使交叉耦合对管的版图更加紧
凑，以减少寄生电容对电路的工作频率范围的影
响。该设计为实现毫米波锁相环打下了基础。

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 参考文献
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65nm digital CMOS[C].International Solid-State Circuits Conference, 2008, 180-605.

作者简介：

汪明，男，硕士，主要研究领域为微波毫米波集成电路；严蘋蘋，女，副教授、硕士生导师，主要研
究领域为移动通信射频系统、微波毫米波集成电路等；陈喆，男，博士，主要研究领域为无线通信中的射
频技术。

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