고급일반물리학2

한국과학영재학교 23-087 이온유

23-087@ksa.hs.kr

1 서론
23-087 이온유입니다. 1학년 첫 여름방학 동안 물리학에 대한 열정만으로 고급일반물리학을 공부했던 내
용들을 LATEX으로 정리한 자료입니다. 이는 한양대학교 물리학과 신상진 교수님의 고급일반물리학2 Open
Course Ware를 활용했으며, 신상진 교수님의 물리학에 대한 수학적 직관을 배울 수 있어서 굉장히 좋았습
니다. 고급일반물리학2는 고급일반물리학1에 비해 더 높은 수준의 수학 실력이 요구되며, 기존에 배우셨던
전자기학과 차원이 다른 심도있는 이해가 필요합니다. 처음으로 일반물리학2를 접하시는 것이라면 처음부터
제대로 이해하시는 것이 무엇보다 중요합니다. 본 자료에 담긴 내용은 모두 굉장히 중요한 내용들이며, 일부
생소한 내용이 담겨있으며 다양한 Exercise를 위한 Example들이 준비되어 있습니다. 공식처럼 암기하는
것이 아니라, 가우스의 법칙, 앙페르의 법칙 등이 적용되는 방법에 집중하시길 바랍니다. 앙페르의 법칙의
유도와 빛의 회절에 관한 부분이 생략되어 있습니다. 앙페르의 법칙을 유도하는 과정은 벡터 미적분학의
Curl과 Divergence를 필요로 하기 때문에 높은 수준의 수학은 아니지만, 일반물리학에서 다루기에는 과한
내용입니다. 빛의 회절 부분은 일반물리학 수준에서는 쉬운 내용이기 때문에 직접 공부하시는 것을 추천
드립니다. 많이 부족하고, 틀린 내용도 많을지 모릅니다. 그러니 언제든 피드백은 환영하며, 그 내용은 위
이메일이나 제 개인 연락처로 문의 주시면 감사하겠습니다.

1
1. 전하와 전기장 고급 일반물리학2

2 정전기

2.1 전하의 성질

1. 두 종류의 전하가 존재한다. ⇒ 인력과 척력이 작용할 수 있다.

2. 전하의 총량이 보존된다.

ˆ 전하가 생성될 수 있으나, 양전하와 음전하가 동시에 생성된다. 따라서 전하가 생성되거나 파괴될
수 없다는 것은 틀린 명제이다.

3. 전하량은 양자화 되어 있다. ⇒

Q = N ∣e∣ (1)

⇒ 전자와 양성자의 전하량이 같다.

4. 두 점전하 사이의 전기력의 크기는 쿨롱법칙에 의해 아래와 같이 정의된다.

1 ∣q1 ∣∣q2 ∣
Fc = (2)
4πε0 r2

2.2 정전기력의 성질

1. 중첩의 원리와 선형결합의 법칙이 적용된다.

선형결합의 법칙
n
Ftot = ∑ Fi (3)
i

ˆ 4개의 기본 힘, 중력, 전자기력, 강력, 약력 중 유일하게 선형결합의 법칙이 적용되는 힘이 전자

기력이다.

ˆ 중력이 작용하는 대부분의 경우 선형결합의 법칙으로 해석해도 오류가 없지만, 극히 일부의 경우

일반상대성이론에 의해 선형결합의 법칙이 적용되지 않는다.

ˆ 전자기력에 선형결합의 법칙이 적용되는 것은 선형 미분방정식으로 풀 수 있다는 것이다.

2.3 전기장

ˆ 한 점전하 Q에 의해 발생한 전기장은 단위 전하가 받는 힘의 크기이다.

F 1 Q
E= = (4)
q 4πε0 r2

ˆ 이때 시험전하 q는 Q에 비해 굉장히 작다고 가정하는데, 그 까닭은 q가 Q와 큰 차이가 없다면 q에

의해 Q가 힘을 받아 이동할 수 있기 때문이다.

ˆ Q가 양전하면 발산하는 방향으로, 음전하면 수렴하는 방향이다.

2
1. 전하와 전기장 고급 일반물리학2

2.4 전기 쌍극자 모멘트

쌍극자란 크기가 같고 서로 부호가 다른 두 전하가 일정한 거리를 두고 배치되어 있는 것을 말한다. 전하의

크기가 q인 두 전하가 있을 때 음전하가 양전하쪽으로 향하는 위치벡터를 d라 하면 전기 쌍극자 모멘트는
다음과 같이 정의한다.

p = qd (5)

2.4.1 쌍극자의 크기

두 쌍극자에 의해 발생하는 자기장의 크기를 살펴보자.

−q(0, 0) +q(d, 0) Q(z, 0)

q q
E = (ke − k 2 ) d̂
(zd ) 2 z
q 1
= ke ( − 1) d̂
z 2 (1 − d/z)2
q 2d
≅ ke 2 {(1 + − 1)} d̂
z z
∵ (1 − x)−n ≈ 1 + nx
2ke
≅ qdd̂
z3
2p
≅ ke 3 (6)
z

1
식 6을 통해 알 수 있는 특징은 z3
에 비례한다는 점이다.

2.4.2 균일한 전기장 내 쌍극자의 운동

1. 힘의 크기를 분석해보면 아래와 같이 합력이 0임을 알 수 있다.

∑ F = +qE − qE = 0 (7)

3
2. 전기선속과 가우스 법칙 고급 일반물리학2

2. 하지만 토크를 분석해보면 다음과 같다.

Ð→ d d
∑ τ = (+ ) × (+qE) + (− ) × (−qE)
2 2
= qd × E

=p×E (8)

따라서 전기 쌍극자 모멘트의 방향과 전기장의 방향이 일치할 때까지 회전한다.

3. 쌍극자에 작용하는 토크에 의해 회전하므로 쌍극자의 에너지는 다음과 같이 구할 수 있다.

θf
∆U = − ∫ τ ⋅ dθ (9)
θi
θf
= −∫ p × E ⋅ dθ
θi

τ 와 θ의 방향이 서로 반대이다.
θf
=∫ pE sin θ dθ
θi
θ
= −pE cos θ∣θfi

Uf − Ui = (−pE cos θf ) − (−pE cos θi )

∴ U = −pE cos θ (10)

= −p ⋅ E (11)

3 전기선속
1. X가 면 A을 통과할 때 X의 선속이라 함은 다음과 같이 정의된다.

ΦX = X ⋅ A (12)

이때 면 벡터 A는 크기는 면의 면적이고, 방향은 면에 수직한 방향이다.

2. 앞선 정의를 통해 물리적 의미를 살펴볼 수 있다.

ˆ 면에 수직한 방향으로 X가 투과하는 양

ˆ X와 수직한 면에 투과하는 양

3. 따라서 전기선속은 다음과 같이 정의한다.

ΦE = E ⋅ A (13)

4 가우스의 법칙
Q
가우스의 법칙(Gauss’s Law) 임의의 전하분포가 만드는 가우스 곡면에서 전기선속은 항상 ε0
로 일정하다.

4
2. 전기선속과 가우스 법칙 고급 일반물리학2

Step1. 가우스의 법칙

n̂

R +Q

dA

위 그림을 바탕으로 아래와 같은 수식 전개를 할 수 있다.

dΦE = E ⋅ dA (14)

= E ⋅ dA

∵ 구에서 점전하가 만드는 전기장과 미소면적은 서로 직교한다.

1 Q Q
ΦE = ∫ E dA = E ∫ dA = E ⋅ 4πR2 = 2
⋅ 4πR2 = (15)
4πε0 R ε0

Step 2. 가우스의 법칙

점전하가 만드는 가우스면에 대한 전기선속에 대해서도 항상 ΦE = Q

ε0
인지 증명해보자. 극한의 상상력을
동원해야할 것이다. 전기장 dE와 면벡터 dA가 각 θ를 이룰 때 전기장의 면벡터 방향 성분은 dE cos θ가
됨을 이용하자. 아래 식이 만족함은 자명하다.

1 Q
E dA = dA cos θ (16)
4πε0 r2

이때 dA와 점전하 사이 거리 r을 반지름으로 하는 구를 생각해보자. 이때 구의 미소면적 dA0 는 dA와 각 θ

를 이루는 특별한 구면이다. 여기서 dA0 는 구면이므로 dE와 수직임을 알 수 있다.

5
3. 가우스의 법칙의 응용 고급 일반물리학2

따라서 식 16은 아래와 같이 다시 써서 증명할 수 있다.

1 Q
E dA = dA0 (17)
4πε0 r2
1 Q
∫ E dA = ∫ dA0
4πε0 r2
1 Q
ΦE = ∫ dA0
4πε0 r2
1 Q
= ⋅ 4πr2
4πε0 r2
Q
= ◻ (18)
ε0

Step3. 가우스의 법칙

마지막 단계로, 임의의 전하분포가 임의의 폐곡면(가우스 면, Gauss area)에 미치는 전기선속량을 구해보자.
임의의 폐곡면의 미소면적 dA에 전하분포를 이루는 모든 점전하가 만드는 전기장 E이 투과된다.

ΦE = ∯ E dA = ∯ ∑ Ei dA (19)
i

= ∑ ∯ Ei dA (20)
i
qi
=∑ (21)
i ε0
∵ 한 점전하가 임의의 폐곡면에 미치는 전기선속량으로 앞서 Step2에서 증명했다.
Q
= (22)
ε0

따라서 가우스의 법칙을 초급적인 수준에서 완벽하게 증명해냈다. 이 가우스의 법칙의 핵심은 아래와 같다.

1
1. 쿨롱의 법칙에 의해 전기력이 r2
에 비례한 것이 핵심이다.

2. 선형결합의 법칙이 성립한다는 것이 핵심이다.

5 가우스법칙을 활용하여 다양한 전기장 구하기

모두 예시의 불과하다. 그러나 좋은 Exercise들이므로 결과를 암기하는 것도 중요하지만, 과정을 착실히
이해하고 계산법을 정확히 숙지하자.

6
3. 가우스의 법칙의 응용 고급 일반물리학2

5.1 균일한 구 또는 구각이 만드는 전기장

P1
E2
P
E = E1 + E2
E1
P2

1. 전하분포가 구 대칭성을 띄고 있으므로 다음을 만족시킨다.

ˆ 모든 힘들의 합이 중심선과 나란하다.

ˆ 구 대칭성을 띈 전하의 중심으로부터 거리가 같은 점들은 모두 같은 전기장을 갖는다.

2. 위 두 사실을 바탕으로 가우스 법칙을 적용하여 구의 중심으로부터 거리 r 떨어진 위치에서 전기장은

다음과 같다.

Q
ΦE = ∯ E ⋅ dA = ∯ E dA = E ∯ dA = E(4πr2 ) = (23)
ϵ0
1 Q
∴ E= (24)
4πϵ0 r2

5.2 구각 내부의 전기장

dq2

r2
P

r1

dq1

7
3. 가우스의 법칙의 응용 고급 일반물리학2

5.2.1 첫번째 방법

구각의 전하면밀도를 σ로 두면

dq1 = σr12 (25)

dq2 = σr22 (26)

1 dq1 1
dE1 = = σ (27)
4πε0 r12 4πε0
1 dq2 1
dE2 = = σ (28)
4πε0 r22 4πε0
∴ dE1 + dE2 = 0 (29)

5.2.2 두번째 방법

점P 에 전기장 E가 존재한다고 하자. 구 대칭성에 의해 원의 중심과 P 사이의 거리 r을 반지름으로 하는 구

모양의 가우스면을 잡으면 가우스 법칙에 의해 다음을 만족시킨다.

Q
ΦE = 4πr2 E = =0 (30)
ϵ0
∴ E=0 ∵ 가우스면 내부 총 전하량 Q = 0 (31)

5.3 원통에 의한 전기장

2r0

P1
E2
r
L E = E1 + E2

E1
P2

원통대칭형 전하분포를 띠는 경우

1. L
r
→ ∞라 할 때 원통의 축으로부터 거리 r만큼 떨어진 모든 지점, 다시말해 반지름의 길이가 r인 원통
폐곡면인 가우스면을 생각하자.

2. 이때 거리 r만큼 떨어진 모든 곳에서 전기장의 크기는 같다.

3. 윗면과 아랫면에 작용하는 전기장과 면방향벡터가 수직이므로 각 면에 작용하는 전기선속은 무시할

수 있다.

4. 아랫면의 면적이 πr02 인 원통의 단위 높이인 부피 당 전하량을 λ로 정의하자. 따라서 위 그림의 원통의
전하량은 Lλ이다.

5. 가우스면과 전기장의 방향은 항상 수직이므로 전기장과 면벡터의 내적이 곧 크기의 곱과 같다.

8
3. 가우스의 법칙의 응용 고급 일반물리학2

ΦE = ∯ E ⋅ dA = ∯ E dA = E ∯ dA (32)

= E(2πrL) (33)
Q Lλ
= = (34)
ϵ0 ϵ0
λ 1
∴ E= (35)
2πϵ0 r

위 식 35은 전하선밀도가 λ인 Line charge와 동치이다.

P1
E2
r λ 1
L E = E1 + E2 , ∣∑ E∣ =
2πϵ0 r
E1
P2

5.4 원통 내부의 전기장

원통의 축으로부터 거리가 r < r0 인 지점의 전기장을 계산해보자.

1. 외부 전하량은 모두 선형결합의 법칙에 의해 상쇄된다.

2. 내부 전하량은 전하밀도 ρ에 의해 Q = ρ(πr2 L)이다.

가우스 법칙에 의해 아래처럼 전기장을 구할 수 있다.

Q
E(2πrL) =
ϵ0
ρ(πr2 L)
=
ϵ0
ρ
∴ E= r (36)
2ϵ0

5.5 면 대칭에 의한 전기장

5.5.1 면전하을 포함하지 않는 외부 전기장의 특징

dE1
dE2
dE1 dE2
dE2
dE1

1. 여기서 우측 직육면체 내부 전하량이 0이므로 전기선속도 0이다.

9
3. 가우스의 법칙의 응용 고급 일반물리학2

2. 윗면과 아랫면은 면벡터의 방향과 전기장의 방향이 수직이므로 직육면체를 통과하는 전기선속에 영
향을 미치지 않는다.

3. 우리가 바라보는 면과 그 반대면 역시 면벡터와 전기장의 방향이 수직이므로 전기선속이 0이다.

4. 따라서 위 사실들을 종합하면 다음과 같다.

Q
= A ⋅ dE1 + A ⋅ dE2
ϵ0
0 = −A dE1 + A dE2

∴ dE1 = dE2 (37)

즉 외부의 모든 점에서 전기장의 크기는 같다.

5.5.2 면전하를 포함하는 내부 전기장의 특징

dE dE
dE dE
dE dE

이때 이 직육면체의 옆넓이가 A라고 하고, 전하면밀도가 σ라고 하면 직육면체 내부 총전하량 Q = Aσ이다.

앞선 5.5.1에서 보았듯이 몇 가지 사실을 바탕으로 가우스 법칙을 적용하면 아래와 같다.

Q
= 2A ⋅ dE + ⋅ dE2
ϵ0
Aσ
= 2A ⋅ dE
ϵ0
σ
∴ E= (38)
2ϵ0

6 고리 전류가 만드는 전기장과 전기 쌍극자 모멘트

Exercise의 일종이다. 계산 방법을 익히자.

10
3. 가우스의 법칙의 응용 고급 일반물리학2

dE = dE1 + dE2

dE1 dE2

d r

P2 P1
R

전하선밀도를 λ라 하자. 따라서 Loop의 총 전하량 Q = λ(2πR)이다.

⎧
⎪
⎪
⎪
⎪dE = dE1 + dE2
⎪
⎪
⎪
⎪
⎨dE = 2 dE1 cos θẑ = 2 dE2 cos θẑ
⎪
⎪
⎪
⎪
⎪
⎪
⎪
⎪ = dE2 = ke λdl
⎩dE1 r2

위 식들을 정리하면 다음과 같다.

λ dl
dE = 2ke cos θẑ (39)
r2

따라서 Loop 위 한 점전하로부터 r 지점의 전기장을 구하면 다음과 같다.

λ dl
E = ∫ 2ke cos θẑ
r2
2ke
=( ) (r cos θ) (λ ∫ dl) ẑ
r3
2ke
= ( 3 ) (d)(Q)ẑ
r
2ke
= ( 3 ) (Qd)
r
p
= 2ke 3 (40)
r

11
3. 가우스의 법칙의 응용 고급 일반물리학2

7 Conductor와 정전기장
Eext

1. 도체에 외부 전기장 Eext 가 작용한다.

2. 이때 도체 내부 자유전자들이 전기장과 반대방향으로 이동한다.

3. 상대적으로 좌측에 음전하가 형성될 것이고 우측에 양전하가 형성된다.

4. 양전하와 음전하 사이 전기장 Eind 이 작용한다.

5. 결국 도체 내부 전기장은 Eext − Eind 이 된다.

Eind = −Eext
− +
Eext
− +

− +

− +

− +

− +

− +

6. 자유전자들은 Eext = −Eind 가 될 때까지 전하가 이동할 것이다.

7. 결국 Eind = −Eext 이 되면 도체 내부 전기장이 0이 되며 더 이상 전하가 이동하지 않는다.

8. 이때 전하는 표면에만 존재한다.

− +
Eext
− +

− +
E=0
− +

− +

− +

− +

9. 도체 표면과 수직인 전기장만 표면에 형성된다. 만약 도체 표면과 나란한 방향의 전기장이 있다면
표면에 있는 전하가 이동하며 전기적 평형 상태가 무너진다.

12
4. 전위 고급 일반물리학2

10. 전기장의 가우스 법칙에 의해 표면 전하 밀도가 σ(x)라 하면 다음과 같이 전기장을 구할 수 있다.

E ⋅ dA = E dA
σ(x) dA
=
ϵ0
σ(x)
∴ E= (41)
ϵ0

8 전위
1. 임의의 위치 r∗ 에서 r까지 단위전하가 이동하는데 필요한 일의 양으로 정의된다.

r
V = ∫ (−E) ⋅ dl (42)
r∗

2. 오직 정전기장에서만 경로에 무관하다.

ˆ 이는 멕스웰 방정식에 의해

⃗ ×E=0
∇ (43)

이기 때문에 상태함수적 성격을 띄어 종점에만 유관한 것이다.

3. 각 위치마다 스칼라량이 정의되므로 전위는 스칼라장이다.

8.1 원점에 있는 점전하 Q에 의한 전위

r
Q q r∗ → ∞

위 상황에서 전위를 구해보자.

r
V =∫ (−E) ⋅ dr (44)
∞
r
=∫ −E dr
∞
∵ − E r̂ ⋅ dr r̂ = −E dr

r ke Q
=∫ − dr
∞ r2
r dr
= −ke Q ∫
∞ r2
ke Q r
= ∣
r ∞
ke Q
= (45)
r

13
4. 전위 고급 일반물리학2

8.2 Xi 에 있는 점전하 Q에 의한 전위
Q

x
O q
r

ke Q
V (r) = (46)
∣r − x∣

8.3 여러개의 점전하에 의한 전위

n
ke qi
V = ∑ Vi = ∑ (47)
i ∣ri − xi ∣

8.4 연속된 전하 분포를 가진 부도체에 의한 전위

Q
dqi

xi
q
O r

xi 에 위치한 부도체의 미소부피를 d3 xi 로 하고, 전하밀도를 ρ(x)로 하자. 그러면 아래처럼 전위를 구할 수
있다.

dq = ρ(x)d3 xi (48)
3
ke dq ke ρ(x)d x
dV = = (49)
∣r − xi ∣ ∣r − xi ∣
ke ρ(x)d3 x
V =∫ (50)
V olume ∣r − x∣

적분 구간은 전하분포의 부피이다.

8.5 부도체 구 내부와 외부 전위

반지름이 R인 부도체 구의 중심과 r < R만큼 떨어진 지점의 전기장은 가우스 법칙에 의해 다음과 같다. 이때
전하밀도는 ρ이다.

1 4 3
( πr )ρ = E(4πr2 )
ε0 3
ρ
∴ E= r (51)
3ε0

14
5. 축전기 고급 일반물리학2

이때 전위는 다음과 같이 정의되므로 부도체 구 중심과 r < R만큼 떨어진 지점의 전위는 E를 적분하여 얻을
수 있다.

E = −∂r V (r) (52)

V = − ∫ E dr
ρ
= −∫ r dr
3ε0
ρ r2
=− ( )+C (53)
3ε0 2

이때 전위의 적분상수 C는 중심으로부터 떨어진 거리가 정확히 반지름 R인 지점에서 외부 전위와 같도록
잡아야 한다.

⎧
⎪
⎪
⎪
⎪Eout = 1 Q
r̂
⎪
⎪
⎪
4πε0 r 2
⎪
⎪
⎪
⎪
⎪
⎪Vout = 1 Q
4πε0 r
⎨
⎪
⎪
⎪
⎪
⎪Ein = ρ
r
⎪
⎪
⎪
3ε0
⎪
⎪
⎪
⎪
⎪V = − 6ερ0 r2 + C
⎩ in

위를 참고하여 R인 지점의 전위에 대한 방정식을 세워 C를 구해보자.

1 Q
Vout = (54)
4πε0 R
ρ 2
Vin = − R +C (55)
6ε0
1 Q ρ 2
⇒ =− R +C
4πε0 R 6ε0
ρ 3Q
=− ( )+C
6ε0 4πR
∵ Q = 34 πR3 ρ ⇒ R2 = 3Q
4πR

1 Q
=− +C
4πε0 2R
ke Q ke Q
=− +C
R 2R
3ke Q ρR2
∴ C= = (56)
2R 2ε0
2
ρr ρR2
⇒ Vin = − +
6ε0 2ε0
ρR2 r2
= (3 − 2 ) (57)
6ε0 R

15
5. 축전기 고급 일반물리학2

9 축전기
축전기의 원리는 다음과 같다.

1. 축전기의 전기장이 작용한다.

2. 판 사이 물질이 이온화된다.

ˆ 판 사이가 진공이라면 전기장이 생기지 않는다.

3. 음전하는 양전하를 띄는 판으로 이동하고 상대적으로 양전하는 음전하를 띄는 판으로 이동한다.

4. 점차 양 극판의 전하량 차이가 작아진다.

5. 최종적으로 전하가 다 쌓이면 양 극판 사이 전기장이 0이 되면서 방전된다.

이때 양 극판의 전하량 Q = σA는 전위차 ∆V 에 비례하고, 그 비례 상수를 C −1 로 정의하며 C를 축전기의

저장용량(Capacitance)라고 한다.

ˆ C를 축전기의 저장용량이라고 정의하는 이유는 ∆V 가 일정할 때 C 값이 클수록, Q의 값도 커지므로

전하를 저장할 수 있는 양과 비례한다.

1
∆V = Q (58)
C

두 극판 사이 전위차라 함은 음극판에서 양극판으로 단위전하가 이동하기 위해 필요한 양이므로

∆V = Ed (59)

이다. 따라서 식 58와 59를 연립하여 Capacitance를 구할 수 있다.

Q Q
C= = (60)
∆V Ed

이제 간단한 Exercise들과 함께 축전기를 배워보자.

9.1 평행판 축전기

σ
Ein = n̂
ε0
+σ −σ
+ −

+ −

+ −
Eout = 0
+ −

+ −

+ −

+ −
d

16
5. 축전기 고급 일반물리학2

축전기의 각 판의 전하면밀도가 σ라고 하자. 각 판에 의한 전기장이 E = σ

2ε0
n̂이므로 두 판에 의한 전기장은
σ
ε0
n̂임은 자명하다.

Q Q ε0 QA
C= = = ε0 (61)
Ed d σ dQ
ε0 A
= (62)
d

9.2 원통형 축전기

−
−Q −
−
−
+Q +
rb
− + +
+
+
+
ra + −
+
− + +
+
−
−
−
−

원통형 축전기의 단면 그림이다. 원통형 축전기의 길이를 L로 두자. 임의의 ra < r < rb 지점에서 전기장의
가우스 법칙을 쓰자.

Q
= ∯ E ⋅ dA
ε0
= E ∯ dA

= E(2πrL)
Q 1
∴ E= (63)
2πε0 rL

이때 전위차를 통해 Capacitance를 구해보자.

rb
∆V = ∫ E ⋅ dr
ra
rb Q 1 dr
=∫
ra 2πε0 L r
∵ E = E r̂, r = rr̂ (64)
Q rb
= ln ( ) (65)
2πε0 L ra
Q Q rb
= ln ( )
C 2πε0 L ra
2πε0 L
∴ C= (66)
ln ( rrab )
L
= (67)
2ke ln ( rrab )

17
5. 축전기 고급 일반물리학2

9.3 양전하로 대전된 구의 축전기 역할

양전하로 대전된 반지름이 R인 구만 있어도 충분히 축전기 역할을 할 수 있다. 음전하로 대전된 구가 무한히
멀리있다고 가정할 때 무한히 먼 거리에서부터 양전하로 대전된 구의 중심으로부터 R만큼 떨어진 지점 간
전위차를 구해보면 다음과 같다.

1 Q 1 Q 1 Q Q
∆V = − = = (68)
4πε0 R 4πε0 ∞ 4πε0 R C
R
∴ C = 4πε0 R = (69)
ke

9.4 축전기의 에너지

임의의 양전하를 띈 도체가 있다고 하자. 이 도체는 시간 t일 때 전하량이 q라고 하고, 무한히 멀리 떨어진
거리에서 dq의 점전하가 접근한다고 한다. 이는 곧 축전기가 점전하에게 일을 해준 것과 마찬가지이다. 결국
점전하가 쌓여 도체의 최종 전하량이 Q라고 할 때 일의 양을 계산하자.

ˆ 축전기가 받은 일의 양과 점전하에게 축전기가 한 일의 양은 같다.

ˆ 축전기가 받은 일은 곧 축전기의 에너지 U 라고 할 수 있다.

따라서 아래와 같이 일의 양을 구할 수 있다.

q
dW = V dq = dq (70)
C
Q 1
W =∫ q dq
0 C
1 Q2
=
C 2
Q2 CV 2 QV
U= = = (71)
2C 2 2

9.5 전기장의 에너지밀도

이때 식 60를 이용하여 에너지 밀도를 구해보자. 일반적으로 증명하기 어려우므로 평행판 축전기의 경우를
살피지만 일반적으로 성립하는 식임에 주의하자. C = ε0 A
d
와 E= σ
ε0
n̂ ⇒ Q = ε0 AE를 대입하자.

U
u=
V
Q2 1
=
2C Ad
1 d 1
= (ε0 AE)2
2 ε0 A Ad
ε0 E 2
= (72)
2

위 식을 해석하면,

1. 전기장이 존재하면 반드시 그 공간에 에너지가 존재한다는 것과 같은 의미이다.

18
6. 전류, 저항, 회로 고급 일반물리학2

2. 이는 축전기가 만드는 전기장이 에너지를 가지므로 에너지 보존 법칙이 성립하기 위해 축전기가 전하

량을 유지하기 위해 에너지를 공급받고 있음을 뜻한다.

3. ‘축전기에게 공급되는 에너지 = 축전기가 만든 전기장의 에너지’이므로 더블카운팅에 주의한다.

10 전류
− − −
+ + + + −
+ +
− − −
− − −

+ + + + + − +
− − −
−
−
+ −
+ + + −
+ −
+

1. 도선 내에 전기장이 작용하지 않을 때 전자들은 마음대로 움직인다.

2. 전위차에 의해 전기장이 작용하면 아래처럼 전자 각각은 무작위로 움직이지만 전체적인 양전하의

흐름은 전기장을 따라서 이동한다.

3. 실제로 전자가 이동하여 -에서 +방향으로 이동한다. 그러나 상대적으로 양전하의 이동은 +에서 -로
이동한다.

− − −
+ + + −
+ + +
− − −
− −
−
+ + + + + −
+
− − −
− −
+ −
+ + + + −
+
−

vd

4. 전류란 전하의 흐름으로 정량적으로는 일정한 단면적을 단위시간 동안 투과하는 전하의 양으로 정의를
하며 이는 시간의 함수이다.

dQ
I= (73)
dt

5. 전하밀도란 단위면적을 단위시간 동안 투과하는 전하의 양이며 이는 위치의 함수이다.

I
J= (74)
A

6. 면적을 A, 단위 부피 당 양전하의 개수를 n, Drifting velocity로 전류가 흐르는 방향으로 전하가 이동

하는 가상의 속력을 v라 하면, 시간 ∆t초 동안 Av∆t 부피 안에 있는 전하가 단면적 A를 통과할 수

19
6. 전류, 저항, 회로 고급 일반물리학2

있다.

Q = en(Av∆t) (75)

I = envA (76)

J = env (77)

7. 전하의 속력이 생기는 까닭은 전위차 때문이다.

11 옴의 법칙

옴의 법칙

∆V
I= (78)
R

옴의 법칙을 드루드 모델을 활용한 입자적 관점에서 증명할 수 있다. 길이가 l인 도선 내부를 지나는 양전하
1개를 생각해보자.

⎧
⎪
⎪
⎪
⎪I = nevA
⎪
⎪
⎪
⎪
⎪
⎪∆V
⎨ =E⋅l
⎪
⎪
⎪
⎪
⎪
⎪ eE
⎪
⎪
⎪
⎪F = eE = ma ⇒ a =
⎩ m

평균자유시간이란 양전하가 충돌하지 않고 자유롭게 이동할 수 있는 시간이다. 이 양전하의 평균자유시간을

τ 라고 하자. 충돌 직후 속력을 0이라 하고, 다음 충돌 직전 속력을 vf 라고 하자. 마찬가지로 이 속력들은 모두
Drifting velocity이다.

eE
vf = aτ = ( )τ
m
aτ eEτ eτ ∆V
∴ v̄ = = =
2 2m 2m l

위를 통해 구한 속력을 전류 식에 대입하면

e∆V τ ne2 τ A ∆V
I = nevA = neA ( )=( ) ( ) ∆V = (79)
2ml 2m l R
2m
R= (80)
ne2 τ

같은 방식으로 전류 밀도를 구하면

I ne2 τ ∆V ne2 τ
J= =( )( )=( ) E = σE (81)
A 2m l 2m

20
 7. 자기장 고급 일반물리학2

여기서 σ는 전기전도도(Electro conductivity)이다. 전기전도도의 역수 σ −1 = ρ로 비저항이라고 한다. 위

σ와 R 사이 관계식은 다음과 같다.

1 l l
R= =ρ (82)
σA A

12 회로
ˆ 키르히호프 제1법칙 회로 내부에 흘러 들어가는 전류와 나가는 전류는 동일하다. ∑ I = 0

ˆ 키르히호프 제2법칙 닫힌고리의 모든 전위차의 합은 0이다. ∑ ∆V = 0

충전회로 충전회로의 미분방정식은 다음과 같다.

⎧
⎪
⎪
⎪RQ̇ +
⎪ 1
Q = V0
C
⎨
⎪
⎪
⎪
⎪
⎩Q(0) =0

Q = CV0 (1 − e−t/RC ) (83)

방전회로 방전회로의 미분방정식은 다음과 같다.

⎧
⎪
⎪
⎪RQ̇ +
⎪ 1
Q =0
C
⎨
⎪
⎪
⎪
⎪
⎩Q(0) =0

Q = CV0 e−t/RC (84)

13 자기
1. 자석은 전기 쌍극자와 유사하며, 자하(Magnetic monopole)이 없다.

2. 자기선속 ΦB 는 다음과 같이 정의한다.

ΦB = ∯ B ⋅ dA (85)

3. 하나의 자석에 대한 ΦB = 0이다. N극에서 나가는 방향의 자기장과 동일한 양의 자기장이 S극으로
들어오기 때문이다.

4. 자기장 내에서 움직이는 전하가 받는 자기력은 다음과 같다.

FB = qv × B (86)

21
7. 자기장 고급 일반물리학2

5. Electric moment는 p = qd로 정의했고, Magnetic moment는 아래와 같이 정의한다.

µ = IA (87)

6. 자기력은 항상 일을 하지 않는다.

dW
P= = F ⋅ v = (qv × B) ⋅ v = 0 (88)
dt

따라서 움직이는 전하의 v는 변하지만 v는 변하지 않는다.

7. 자기장 내에서 움직이는 전하는 등속원운동을 한다.

r
v0
F

mv 2 mv
F = qvB = ⇒ r= (89)
r qB
2πr 2πm
T= ⇒ T= (90)
v qB

전하의 주기 T 는 전하가 도는 반지름에 무관하다. 즉 더 큰 원을 따라 돈다고 해도 그만큼 속력이

빠르기 때문에 주기는 그대로이다.

8. 만약 자기장 내에서 움직이는 전하가 B와 수직인 속도 성분 v⊥ 와 평행한 속도 성분 v∥ 이 모두 있다면

나선 운동을 한다.

B v0
+

z
y
x

9. Magnetic mirror 현상이 있다. 이는 아래 그림처럼 양 끝은 자기장이 강하고 중앙은 자기장이 약한

구조로, 내부에 자기장과 수직, 수평 성분의 속도를 가진 전하가 들어가면 처음에 가속하다가 끝에
도달하면 반대방향 자기력을 받으면 다시 튕겨져 나간다.

22
7. 자기장 고급 일반물리학2

14 자기장 안 전류가 흐르는 도선이 받는 힘

14.1 자기장 안 전류가 흐르는 직선 도선이 받는 힘

F B
+ v + +

+ +
I +
A
L

⎧
⎪
⎪
⎪
⎪I = nevA
⎨
⎪
⎪
⎪
⎪
⎩Fi = ev × B

n이 단위 부피 당 양전하 수이고, N 은 양전하 전체의 개수라고 할 때 약간의 식 조작을 통해

∑ Fi = N ev × B

= (ALn)ev × B

= LI × B (91)

임을 알 수 있다.

23
7. 자기장 고급 일반물리학2

14.2 자기장 안 전류가 흐르는 고리 도선이 받는 힘과 토크

F′ 은 크기가 같고 방향도 반대이며, 토크도 만들지 않는다. 반대로 F는 크기가 같고 방향이 반대이기 때문에
선운동은 없으나, 토크가 작용하여 회전운동을 할 것이다.

F = aI × B (92)

= aIB x̂ (93)
b
τ= ×F (94)
2
b sin ϕ
=( ) (aIB) ŷ (95)
2
⇒ ∑ F = 0, ∑ τ = abIB sin ϕŷ (96)

이때 여기서 토크를 나타내는 식을 조금 조작하면 다음과 같다.

τ = abIB sin ϕŷ = AIB sin ϕŷ

= IA × B

=µ×B (97)

이는 전기 쌍극자 모멘트가 전기장 내에서 받는 토크 τ = p × E와 유사한 식이다. 또한 위 식을 바탕으로

24
8. 전류가 만드는 자기장 고급 일반물리학2

고리 도선이 받는 에너지의 크기는 다음과 같이 구할 수 있다.

θf
∆U = −W = − ∫ τ ⋅ dθ
θi
θf
= −∫ µ × B ⋅ dθ
θi

τ 와 θ의 방향이 서로 다르므로 (98)

θf
=∫ µB sin θ dθ
θi
θ
= −µB cos ϕ∣θfi

Uf − Ui = (−µB cos θf ) − (−µB cos θi ) (99)

∴ U = −pE cos θ (100)

= −µ ⋅ B (101)

이 에너지의 크기 역시 전기 쌍극자가 전기장 내에서 받는 에너지 U = −p ⋅ E와 유사하다.

15 비오-사바르의 법칙(Biot-Savart’s Law)

쿨롱법칙에 대응되는 법칙으로 아래와 같다.

µ0 I
dB = ( dl) × r̂ (102)
4π r2

이때 I dl = dq dl
dt dt
dt = v dq라고 할 수 있으므로 이를 적용하면,

µ0 dq v × r̂
dB =
4π r2
µ0 dq
= v × ( 2 r̂)
4π r
µ0 1 dq
= ( ) (4πε0 ) v × ( r̂)
4π 4πε0 r2
= (µ0 ε0 ) v × dE (103)
v × dE
= (104)
c2

위 식은 결국 전하의 움직임과 전하의 전기장이 자기장을 만든다는 결과이다.

25
8. 전류가 만드는 자기장 고급 일반물리학2

15.1 직선 도선 주위의 자기장

여기서 아래 식들을 만족시킨다.

⎧
⎪
⎪
⎪
⎪r2 = R2 + z 2
⎪
⎪
⎪
⎪
⎨z = R cot θ ⇒ dz = −R csc2 θ dθ
⎪
⎪
⎪
⎪
⎪
⎪
⎪
⎪ 2
= (R csc θ)2
⎩r

Biot-savart’s Law에 의해

µ0 I
dB = dz × r̂
4π r2
µ0 I sin θ
= dz ⊗
ˆ
4π r2
µ0 sin2 θ
= I ( 2 ) sin θ dz ⊗
ˆ
4π R
µ0 sin2 θ
= I ( 2 ) sin θ (−R2 csc2 θ) dθ ⊗
ˆ
4π R
µ0 I
=− sin θ dθ ⊗
ˆ
4π R
(105)

양 변을 적분하면 다음과 같다.

0 µ0 I
B=∫ − sin θ dθ ⊗
ˆ
π 4π R
0
µ0 I
= cos θ⊗
ˆ∣
4π R π
µ0 I
= ⊗ˆ (106)
2π R
I
= 2kB ⊗ ˆ (107)
R

26
8. 전류가 만드는 자기장 고급 일반물리학2

15.2 고리 전류가 만드는 자기장

dB∥ dB
r
dB⊥
θ

θ ℓ

I ϕ

우리가 선택한 도선 dl의 대척점에서 작용하는 자기장을 선형결합하면 오로지 z 방향의 자기장만 남는다.
따라서 아래 두 식을 만족시킨다.

dBz = dB sin θẑ

µ0 I dl
=( ) sin θẑ
4π r2
µ0 IR
= dl ẑ (108)
4π r3

양변을 적분하면 다음과 같다.

µ0 IR
Bz = ∫ dl ẑ
4π r3
µ0 IR
= ∫ dl ẑ
4π r3
µ0 IR
= (2πR)ẑ
4π r3
µ0 I
= (πR2 )ẑ
2π r3
µ0 I
= A
2π r3
µ0 µ
= (109)
2π r3
2kB µ
= (110)
r3

위 결과는 식 40인 E = 2ke p

r3
과 유사하다.

16 Ampere’s Law
기존 가우스 법칙을 쿨롱 법칙과 다양한 수학적 기법으로 유도할 수 있었으나, 앙페르의 법칙은 보다 어려운
수학적 기법을 요구하므로 앙페르 법칙의 내용만 기억하고 넘어가자.

∫ B dl = µ0 Itot (111)

27
9. 전자기유도 고급 일반물리학2

16.1 Ampere’s Law의 응용: Solenoid

1

I 4 2
3 B

솔레노이드이 내부와 외부의 특징은 다음과 같다.

1. 외부: 위 그림에서 들어가는 방향의 전류와 나가는 방향의 전류가 서로 상쇄시킨다.

2. 내부: 위 그림에서 들어가는 방향의 전류와 나가는 방향의 전류가 Uniform한 자기장을 형성한다.

솔레노이드 내부 Curve를 잡자. 이때 각 Curve를 분석해보면

1. C1 은 솔레노이드 외부이므로 자기장이 0이다.

2. C2 와 C4 는 자기장의 방향과 수직이므로 내적이 0이다.

3. C3 는 자기장과 내적이 0이 아니므로 C3 의 길이를 l이라 할 때 다음과 앙페르의 법칙을 적용하면 다음과
같다.

B ⋅ l = µ0 Itot

Curve 내부에 있는 도선 1개당 I의 전류가 흐르므로 N개의 도선이 있다면 Itot = N I이다. 또한 단위
길이 당 n개의 도선이 감겼다고 했을 때 솔레노이드 내부의 자기장은 다음과 같다.

B ⋅ l = Bl = µ0 Itot = µ0 nlI

∴ B = µ0 nI (112)

17 자기선속(Magnetic Flux)
1. 전류를 고정시키고, 자기장의 크기를 변화시켰을 때 유도전류가 생성되고, 이는 곧 유도기전력이 생성
되었음을 의미하기도 한다.

28
9. 전자기유도 고급 일반물리학2

2. 전류를 움직이고, 자기장이 작용하는 면적을 변화시켰을 때 유도전류가 생성되고, 이는 곧 유도기전력

이 생성되었음을 의미하기도 한다.

위 두가지 사실을 바탕으로 자기선속(Magnetic flux)를 다음과 같이 정의한다.

ΦB = B ⋅ A (113)

위 실험들을 바탕으로 유도기전력의 크기를 알아낸 사람이 Michael Faraday이고, 유도기전력의 방향을 알
아낸 사람이 Hendrik Lorentz이다. 따라서 아래 식은 페러데이 방정식(Faraday eq.)라고 불리지만 Lorentz
가 알아낸 방향을 나타내는 (-)부호도 있는 것이다.

dΦB
εemf = ∆V = ∫ E ⋅ dl = − (114)
C dt

이때 Emf란 Electromotive force의 약어이다.

17.1 Remark of Electromagnetic induction

정전기장은 보존장이므로 아래식을 만족시켰다.

V = ∮ (−E) ⋅ dl = 0 (42)

그러나 Faraday eq.에 의하면

∮ E ⋅ dl ≠ 0

이므로 이는 곧 전자기유도에 의해 생성된 유도전기장은 정전기장이 아님을 알 수 있다.

17.2 일정한 자기장 내에서 움직이는 도선

1. 움직이는 도선의 양전하는 자기력을 위로 받아 위에 쌓이고 상대적으로 음전하는 아래에 쌓이게 된다.
이때 양전하 q가 받는 자기력은 다음과 같다.

Fmag = qvB ŷ

29
9. 전자기유도 고급 일반물리학2

2. 위에 쌓인 양전하와 아래에 쌓인 음전하가 전기장 E를 만들어 이 전기장에 의해 양전하 q에 작용하는

인력은 다음과 같다.

Fele = −qE ŷ

3. 어느 순간에 쌓인 전하가 생성한 전기장 E가 충분히 커져서 Fmag + Fele = 0이 될 때에는 더 이상

전하가 움직이지 않는다. 이때 전기장 E는 다음과 같다.

qvB ŷ − qE ŷ = 0

∴ E = Bv

4. 이때 길이가 l인 도선에 작용하는 Electromotive force는 다음과 같다.

εemf = ∆V = E ⋅ l = El = Bvl (115)

5. 이때 도선에 전류가 작용하려면 반드시 나는 계속 일을 해주어야 한다. 왜냐하면 이 Loop에 전류가

흘러 내가 작용하는 힘과 반대방향의 힘이 작용하기 때문이다.

30
9. 전자기유도 고급 일반물리학2

이때 도선에게 한 일에 대한 일률은 다음과 같이 구할 수 있다.

P = F ⋅ v = Fv
(Blv)2
= BIlv = (116)
R
(117)

18 유도리액턴스(Inductive reatance)

공급되는 전류를 i라 하고, 솔레노이드에 흐르는 전류를 시간 t에 따라 나타낸 값을 I(t)라 하자. 솔레노이드의
단위 길이 당 감긴 수를 n이라 하고, 길이를 l이라 하면 자기선속은 다음과 같다.

∑ ΦB = BA(nl) = (µ0 nI)A(nl) = µ0 n IAl = µ0 n IΛ

2 2
(118)

이때 Λ는 솔레노이드의 부피이다. 위 식을 바탕으로 Electromotive force를 다음과 같이 구할 수 있다.

dΦB
εemf = − = −µ0 n2 ΛI˙ = −LI˙ (119)
dt

이때 L = µ0 n2 Λ는 Inductance이다. 이를 바탕으로 일률은 다음과 같이 구할 수 있다.

2
˙ = d ( LI )
P = −εemf I = LII (120)
dt 2

따라서 이 Inductor에 저장된 에너지는 다음과 같이 구할 수 있다.

Energy stored in an inductor

t
W =∫ P dt
0
t d LI 2
=∫ ( ) dt
0 dt 2
LI 2
= (121)
2

이는 곧 전류가 코일(Inductor)에 일을 한 양으로, 코일은 이 에너지를 자기장을 형성하기 때문에 결국

31
9. 전자기유도 고급 일반물리학2

LI 2
자기장이 가진 에너지 역시 라고 할 수 있다.
2

19 자기장의 에너지밀도
일반적으로 성립하는 식이지만, 위 솔레노이드를 가지고 유도해보면 다음과 같다.

U LI 2 1
uB = =( )
Λ 2 λ
1 1
= (µ0 n2 Λ)I 2
2 Λ
1 2
= (µ0 nI)
2µ0
B2
= (122)
2µ0

ε0 E 2
이는 전기장의 에너지밀도 와 유사하다.
2

20 전자기 진동과 교류회로

20.1 LC 회로

+Q0
C V L
−Q0

만약 충전된 Capacitor에 대해 회로가 작동하는 순서는 다음과 같다.

1. 충전된 C가 L에게 일하며 회로에 흐르는 전류의 양을 증가시킨다.

2. C가 에너지를 모두 잃고 L에게 전달되면 L에서 C로 다시 전류가 흐른다.

키르히호프 제2법칙을 세우면 다음과 같다.

d2 q
q/C + L =0 (123)
dt2
1
⇒ I + I¨ = 0 (124)
LC

이는 SHO의 미분방정식과 유사하므로 그 해의 형식도 동일하게 다음과 같다.

√
1
ω= (125)
LC

32
9. 전자기유도 고급 일반물리학2

20.2 RLC 회로
R

E(t) L

−Q(t) +Q(t)

키르히호프 제2법칙에 따라 미분방정식을 세우면 다음과 같다.

1
ε − IR − LI˙ − Q = 0 (126)
C

교류전압이라 할 때 다음을 만족시킨다.

⎧
⎪
⎪
⎪
⎪ε = ε0 eiωt
⎪
⎪
⎪
⎪
⎪
⎪
⎪
⎪
⎪I = I0 eiωt
⎪
⎪
⎪
⎪
⎨VR = RI
⎪
⎪
⎪
⎪
⎪
⎪
⎪
⎪
⎪VL = LI˙
⎪
⎪
⎪
⎪
⎪
⎪
⎪
⎪V = Q/C
⎩ C

미분방정식을 다시 세워서 I = I0 eiωt 를 대입하자.

1
LI˙ + RI + ∫ I dt = ε0 e
iωt
(127)
C
1 I
L(iωI) + RI + = ε0 eiωt
C iω
1
I (R + i (ωL − )) = ε0 eiωt
ωC
(128)

이때 아래와 같은 복소수의 특징을 이용하자.

√
a + bi = a2 + b2 eiϕ
b
단, tan ϕ =
a

33
맥스웰의 방정식(Maxwell’s eq.)과 전자기파 고급 일반물리학2

이를 적용하면
√
1 1 2 iϕ
R + i (ωL − )= R2 + (ωL − ) e
ωC ωC
(ωL − ωC
1
)
단, tan ϕ =
R
ε0 ei(ωt−ϕ)
∴ I=√ = I0 eiωt (129)
1 2
R2 + (ωL − ωC
)
ε0 e−iϕ
I0 = √ (130)
1 2
R2 + (ωL − ωC
)

20.2.1 복소평면에서 RLC회로의 분석

i = eiπ/2 와 1/t = e−iπ/2 임을 이용하면

1 I
L(iωI) + RI + = ε0 eiωt
C iω
π 1 π
ωL (I0 ei(ωt+ 2 ) ) + R (I0 eiωt ) + (I0 ei(ωt− 2 ) ) = ε0 eiωt (131)
ωC

위 식들을 복소평면에서 분석하면 다음과 같다.

y
VL E
VC + VL
ϕ VR
ωt ωt − ϕ
x

VC

즉 그림을 통해 VL 은 위상이 앞서고 VC 는 위상이 뒤쳐진다는 사실을 알 수 있다.

21 전자기 법칙

Gauss’s Law in Electrostatics

Q
∯ E ⋅ dA = (132)
A ε0
Gauss’s Law in Magnetism

∯ B ⋅ dA = 0 (133)
A
Ampere’s Law

∮ B ⋅ dl = µ0 I = µ0 ∬ J ⋅ dA (134)
C A
Faraday’s Law and Lorentz’s Law
dΦB d
∮ E ⋅ dl = − = − ∬ B ⋅ dA (135)
C dt dt A

34
맥스웰의 방정식(Maxwell’s eq.)과 전자기파 고급 일반물리학2

이때 앙페르의 법칙에서 전류 I는 닫힌 Curve를 포함하는 면을 지나는 전류이다. 임의의 면도 상관이 없다.

21.1 Ampere-Maxwell equation

위 그림처럼 닫힌 Curve를 포함하는 면을 잡으면 앙페르의 법칙에 의해 다음이 성립한다.

∫ B ⋅ dl ≠ 0
C

그런데, 만약 임의의 면을 다음과 같이 잡는다면 면을 지나는 전류=0인 것처럼 보이기 때문에 앙페르 법칙을
적용하면 그 값이 0인 것과 같다.

이를 지적한 맥스웰은 다음과 같이 수정했다.

ˆ Capacitor의 전하량을 q, 면적을 A라 하자.

⎧
⎪
⎪
⎪
⎪I = dq
dt
⎨
⎪
⎪
⎪
⎪
⎩E = σ
ε0
= 1 q
ε0 A
⇒ q = ϵ0 AE

ˆ 실제로 Capacitor를 통해 이동하는 실질적 전하는 없으나 Capacitor를 타고 흐르는 가상의 전류를
가정하고 그 전류 변위 전류라고 하자. 변위전류의 크기는 다음과 같다.

d(ε0 AE) d(EA) dΦE

Id = = ε0 = ε0 = ε0 ∬ Ė ⋅ dA (136)
dt dt dt A

35
12. 빛의 간섭 고급 일반물리학2

ˆ 맥스웰 이론에서 대칭성이 존재하는 것은 궁극적으로 게이지 대칭성 때문이다.

따라서 위 사실들을 바탕으로 수정된 앙페르의 법칙은 다음과 같다.

Gauss’s Law in Electrostatics

Q
∯ E ⋅ dA = (137)
A ε0
Gauss’s Law in Magnetism

∯ B ⋅ dA = 0 (138)
A
Ampere’s Law
dΦE
∮ B ⋅ dl = µ0 Itot = µ0 (I + ID ) = µ0 I + µ0 ϵ0
C dt
1 dΦE 1
= µ0 I + = µ0 ∬ J ⋅ dA + 2 ∬ Ė ⋅ dA (139)
c2 dt A c A
Faraday’s Law and Lorentz’s Law
dΦB d
∮ E ⋅ dl = − = − ∬ B ⋅ dA (140)
C dt dt A

1. 즉 Ampere-Maxwell’s Law에 의해 시간에 따른 전기장의 변화가 자기장의 변화를 일으키고, 자기

장의 변화는 다시 전기장을 일으키며 무한히 나아간다는 것을 알 수 있다.

2. Ampere-Maxwell’s Law을 수준 높은 수학적 기교를 사용하여 파동방정식으로 이끌어 내어서 결국

전자기파의 파동방정식의 v는 빛의 속력 c임을 알 수 있다.

Wave equation
∂2 1 ∂2
( − )A = 0 (141)
∂x2 v 2 ∂t2

22 굴절

22.1 스넬의 법칙

θ1 θ
r n1

n2 > n1
θ2

36
12. 빛의 간섭 고급 일반물리학2

위 그림의 기하적 해석으로 아래와 같이 식을 유도하여 스넬의 법칙을 증명할 수 있다. 이때 AB = d라 하자.

v1 t = d sin θ1

v2 t = d sin θ2

양변을 나누어주면 (142)

v1 sin θ1
=
v2 sin θ2
c
굴절률 n = 이므로 (143)
v
c/n1
=
c/n2
∴ n1 sin θ1 = n2 sin θ2 (144)

23 간섭
두 파동함수 E1 과 E2 각각 x1 과 x2 위치의 상태를 나타내는 식은 아래와 같다.

⎧
⎪
⎪
⎪
⎪E1 = A sin(kx1 − ωt) = A sin ϕ1
⎨
⎪
⎪
⎪
⎪
⎩E2 = A sin(kx2 − ωt) = A sin ϕ2

이때 두 파동을 합치면 다음과 같은 식을 구할 수 있다.

ϕ1 − ϕ2 ϕ1 + ϕ2
E1 + E2 = 2A cos sin
2
∆ϕ ϕ1 + ϕ2
= 2A cos sin (145)
2 2
´¹¹ ¹ ¹ ¹ ¹ ¹ ¹ ¹ ¹ ¹ ¹ ¸¹¹ ¹ ¹ ¹ ¹ ¹ ¹ ¹ ¹ ¹ ¹ ¶ ′
Amplitude=A

따라서 원래 파동의 세기와 합성한 파동의 세기를 비교하면 다음과 같다.

I A′2
= 2
I0 A
∆ϕ
= 4 cos2 (146)
2
k(x1 − x2 )
= 4 cos2 ( )
2
π
= 4 cos2 ( ∆x) (147)
λ

즉, 합성된 파동의 세기가 가장 클 때, 보강간섭이 일어날 조건은

∆ϕ = 2mπ (148)

37
12. 빛의 간섭 고급 일반물리학2

또는

π
∆x = mπ (149)
λ
∴ ∆x = mλ (150)

반대로 상쇄간섭이 일어날 조건은

∆ϕ = (2m + 1)π (151)

또는

π 1
∆x = (m + ) π (152)
λ 2
1
∴ ∆x = (m + ) λ (153)
2

이다.

23.1 고정단 반사와 자유단 반사

ˆ 고정단 반사 소한 매질에서 밀한 매질로 빛이 입사하면서 반사될 때에 고정단 반사가 일어나며 Phase

shift by π가 발생한다.

ˆ 자유단 반사 밀한 매질에서 소한 매질로 빛이 입사하면서 반사될 때 자유단 반사가 일어나며 이때

Phase shift는 없다.

23.2 광로차(Optical Path Length Difference, OPL)

ˆ OPL 빛이 지나가는 물질의 굴절률과 지나간 거리의 곱으로 정의한다.

OPL = ns (154)

ˆ OPD 빛의 경로차로 정의한다.

OPD = ∣n1 d1 − n2 d2 ∣ (155)

38
12. 빛의 간섭 고급 일반물리학2

23.3 얇은막 반사

두 파동의 OPD를 ∆x라 하고, 얇은막 반사에서 Phase shift by π가 일어나므로 n1 인 곳에서 위상차는 다음과
같다.

2π
∆ϕ = ∆x ± π (156)
λ1

보강간섭 조건은 ∆ϕ = 2mπ이고, 편의를 위해 일반성을 잃지 않고 위상차를 −π로 생각하자.

2π
∆ϕ = ∆x − π = 2mπ (157)
λ1
1
∆x = (m + ) λ1 (158)
2

반대로 상쇄간섭의 조건은 ∆ϕ = (2m + 1)π이고, 위상차를 +π로 생각하자.

2π
∆ϕ = ∆x + π = (2m + 1)π (159)
λ1
∆x = mλ1 (160)

Phase shift에 의해 앞서 구한 두 파동함수 E1 , E2 가 보강 간섭과 상쇄 간섭이 일어날 조건과 다르다는 점에

유의해야한다.

39
12. 빛의 간섭 고급 일반물리학2

23.4 광로차(Optical Path Difference)

n1 = n2
sin θ2
sin θ1 을 이용하여 ∆x를 구해보자.

OPD = n2 (AB + BC) − n1 AD (161)

n2 sin θ2
= 2n2 cos θ2 − ( ) (2d tan θ2 sin θ1 )
sin θ1
2d
= n2 (1 − sin2 θ2 )
cos θ2
= 2n2 d cos θ2 (162)

= ∆x (163)

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