Báo Cáo TNVLBD

ĐẠI HỌC QUỐC GIA THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH
TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA

KHOA ĐIỆN - ĐIỆN TỬ
THÍ NGHIỆM VẬT LÍ BÁN DẪN (EE1008)
Báo cáo thí nghiệm Vật Lí Bán Dẫn
GVHD: Nhan Hồng Kỵ

SV thực hiện: Trần Minh Nhật – 2014008
Đỗ Minh Huy – 2013284
Lương Sĩ Hoàng Long – 2011550
Nguyễn Hữu Trí – 2012283
Ngày 5 tháng 9 năm 2021

Mục lục
1 KHẢO SÁT LINH KIỆN R-L-C 3

1.1 MỤC TIÊU . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.2 CHUẨN BỊ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.3 THÍ NGHIỆM 1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.3.1 Mục tiêu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.3.2 Yêu cầu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.3.3 Kiểm tra . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.4 THÍ NGHIỆM 2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.4.1 Mục tiêu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.4.2 Yêu cầu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.4.3 Kiểm tra . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.5 THÍ NGHIỆM 3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.5.1 Mục tiêu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.5.2 Yêu cầu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.6 THÍ NGHIỆM 4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.6.1 Mục tiêu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.6.2 Yêu cầu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.6.3 Kiểm tra . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
2 KHẢO SÁT DIODE CHỈNH LƯU & ZENER 10

2.1 MỤC TIÊU . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
2.2 CHUẨN BỊ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
2.3 THÍ NGHIỆM 1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
2.3.1 Mục tiêu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
2.3.2 Yêu cầu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
2.3.3 Kiểm tra . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
2.4 THÍ NGHIỆM 2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
2.4.1 Mục tiêu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
2.4.2 Yêu cầu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
2.4.3 Kiểm tra . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
2.5 THÍ NGHIỆM 3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
2.5.1 Mục tiêu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
1
Trường Đại Học Bách Khoa Tp.Hồ Chí Minh
Khoa Điện - Điện tử
2.5.2 Yêu cầu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

2.5.3 Kiểm tra . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
2.6 THÍ NGHIỆM 4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
2.6.1 Mục tiêu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
2.6.2 Yêu cầu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
2.6.3 Kiểm tra . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
2.7 THÍ NGHIỆM 5 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
2.7.1 Mục tiêu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
2.7.2 Yêu cầu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
2.7.3 Kiểm tra . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
3 KHẢO SÁT BJT 21

3.1 MỤC TIÊU . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
3.2 CHUẨN BỊ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
3.3 THÍ NGHIỆM 1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
3.3.1 Mục tiêu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
3.3.2 Yêu cầu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
3.3.3 Kiểm tra . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
3.4 THÍ NGHIỆM 2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
3.4.1 Mục tiêu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
3.4.2 Chuẩn bị . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
3.4.3 Tiến hành . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
3.5 THÍ NGHIỆM 3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
3.5.1 Mục tiêu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
3.5.2 Chuẩn bị . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
3.5.3 Tiến hành . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
3.6 THÍ NGHIỆM 4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
3.6.1 Mục tiêu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
3.6.2 Chuẩn bị . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
3.6.3 Tiến hành . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
3.7 THÍ NGHIỆM 5 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
3.7.1 Mục tiêu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
3.7.2 Chuẩn bị . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
3.7.3 Tiến hành . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
3.8 THÍ NGHIỆM 6 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
3.8.1 Mục tiêu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
3.8.2 Chuẩn bị . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
3.8.3 Tiến hành . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
Báo cáo thí nghiệm Vật Lí Bán Dẫn – Học kỳ 202, năm học 2020-2021 Trang 2/31
CHƯƠNG 1
KHẢO SÁT LINH KIỆN R-L-C

1.1 MỤC TIÊU
• Nắm được cách sử dụng kit thí nghiệm, dụng cụ đo.
• Nắm được đặc tính các linh kiện điện trở, tụ điện, cuộn cảm
• Thiết lập được mạch đo đơn giản cho tụ điện, cuộn cảm
1.2 CHUẨN BỊ
• Chuẩn bị PreLab và nộp cho giáo viên trước khi vào lớp
3
1.3 THÍ NGHIỆM 1
1.3.1 Mục tiêu

• Đọc và kiểm chứng giá trị điện trở
1.3.2 Yêu cầu

• Đọc giá trị của các điện trở R 1 , R 2 , R 3 , R 4 theo vòng màu, sau đó kiểm chứng giá trị
thực của R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 6 , R 7 bằng VOM.
• Đo giá trị của biến trở VR5 .
• Các kết quả điền vào bảng 1:
R1 R2 R3 R4 R6 R7 VR5
Đọc 22.101 10.102 200.101 10.100 10.102 15.102 1Ω − 10kΩ
Đo 223 971 1990 9.8 998 1494 1.2Ω − 9.8kΩ
Sai số 3 29 10 0.2 2 6 0.2Ω − 200Ω
1.3.3 Kiểm tra

• Xác định sai số giữa kết quả đọc và đo. Sai số này có đúng với vòng màu sai số của
điện trở hay không?
1.4 THÍ NGHIỆM 2
1.4.1 Mục tiêu

• Khảo sát mạch R-C, từ đó suy ra giá trị tụ điện
1.4.2 Yêu cầu

• Kết nối máy phát sóng và oscilloscope như sau:
1.4.3 Kiểm tra

• Chỉnh máy phát sóng phát ra sóng sine, tần số 1Khz, biên độ 2Vp−p . Quan sát kênh 1
dao động ký để có dạng sóng chính xác.
• Quan sát điện áp trên tụ C 1 trên dao động ký.
• Biên độ điện áp trên tụ C 1 là bao nhiêu?

- Biên độ điện áp trên tụ C 1 : U0C 1 = 0.91
• Từ đó, q
giá trị C 1 bằng bao nhiêu? Trình bày cách tính.
p
U0R2 = U0 2 −U0C 1 2 = 1.042 − 0.912 = 0.5V
U0C 1 I 0 .ZC 1 U0C 1 0.91
= ⇒ ZC 1 = R 2 . = 971. ≈ 1.767(kΩ)
U0R2 I 0 .R 2 U0R2 0.5
1
C1 = = 90.05(nF )
2π. f .Zc1
• Giá trị in trên C 1 là bao nhiêu? Từ đó suy ra sai số giữa giá trị lý thuyết và giá trị thực.
Giá trị in trên C 1 là 100nF . Vậy sai số giữa giá trị lý thuyết và giá trị thực là:
∆ = |100 − 90.05| = 9.95(nF )
• Vẽ lại dạng sóng ngõ vào và trên tụ C1. Hai sóng này có tương quan về phase như thế
nào? Giải thích
- Nhận xét: Sóng ngõ ra trên tụ C 1 trễ phase hơn sóng ngõ vào. Khi có dòng xoay chiều
đi vào tụ điện, dòng điện sẽ bắt đầu tích điện cho tụ điện và nhờ lượng điện tích đã nạp tụ
điện mới bắt đầu tăng điện áp lên. Điện áp không tăng cùng lúc với cường độ dòng điện
mà nó cần thời gian để phân bố điện tích và tạo nên điện áp trong tụ. Do đó, đối với tụ
điện thì điện áp trễ pha hơn cường độ dòng điện.
• Khi tăng/giảm tần số tín hiệu vào thì biên độ trên tụ thay đổi như thế nào? Giải thích
- Khi tăng tần số tín hiệu vào thì biên độ trên tụ giảm, và khi giảm tần số tín hiệu vào
thì biên độ trên tụ tăng.
- Giải thích: tần số dòng điện càng lớn thì trở kháng của tụ càng nhỏ, cường độ dòng
điện hiệu dụng trong mạch càng lớn và ngược lại. Với dòng điện một chiều, tụ điện
có trở kháng dương vô cùng. Đặc tính này được ứng dụng trong các mạch truyền tín
hiệu.
• Chuyển tín hiệu Vi n thành xung vuông tần số 1Khz, biên độ 2V . Vẽ dạng sóng Vi n và
dạng sóng trên tụ điện. Giải thích
- Giải thích: Dạng sóng thể hiện quá trình nạp và phóng của tụ điện
1.5 THÍ NGHIỆM 3
1.5.1 Mục tiêu

• Lặp lại thí nghiệm 3 để đo giá trị tụ C 6 .
1.5.2 Yêu cầu

• Kết nối R 2 với tụ C 6 .
• Quan sát điện áp trên tụ C 6 trên dao động ký.
• Biên độ điện áp trên tụ C 6 là bao nhiêu?

- Biên độ điện áp trên tụ C 6 : 0.76V
• Từ đó, giá trị C 6 bằng bao nhiêu? Trình bày cách tính.
U UC 1.98 0.76
I=p = ⇔p = ⇒ ZC ≈ 403.62Ω
R 2 + ZC 2 ZC 9712 + ZC 2 ZC
1 1
⇒C = = ≈ 39.4nF
Zc 2π f 403.62 × 2π × 10000
• Đọc giá trị in trên tụ C 6 . Giá trị và điện áp tối đa theo lý thuyết của C 6 là bao nhiêu?
- Giá trị in trên tụ C 6 là 5µF .
1.6 THÍ NGHIỆM 4
1.6.1 Mục tiêu

• Khảo sát mạch R-L, từ đó suy ra giá trị cuộn cảm
1.6.2 Yêu cầu

• Kết nối máy phát sóng như sau. Dùng kênh 1 của oscilloscope đo dạng sóng Vi n , kênh
2 đo dạng sóng trên L 5
1.6.3 Kiểm tra

• Chỉnh máy phát sóng phát ra sóng sine, tần số 5 – 10MHz, biên độ 2Vp−p . Quan sát
kênh 1 dao động ký để có dạng sóng chính xác.
• Quan sát điện áp trên cuộn dây L 5 trên dao động ký
• Biên độ điện áp trên cuộn dây L 5 là bao nhiêu?

- Biên độ điện áp trên cuộn dây: 0.858V
• Từ đó, giá trị L 5 bằng bao nhiêu? Trình bày cách tính
U UL 1.98 0.858
p = ⇔p = ⇒ ZL ≈ 466.88Ω
R 2 + R L 2 ZL 9712 + ZL 2 ZL
ZL 466.88
⇒L= = = 1.49 × 10−5 (H)
2π f 2π × 5 × 106
• Vẽ lại dạng sóng ngõ vào và trên L 5 . Hai sóng này có tương quan về phase như thế
nào? Giải thích
- Giải thích: Sóng ngõ ra ở L 5 có pha sớm hơn sóng ngõ vào. Khi có dòng điện đi qua
cuộn dây thì cuộn dây cũng đồng thời tạo từ trường chạy trong lòng cuộn dây. Dựa
trên nguyên lý cảm ứng điện từ, khi từ trường tăng dần theo dòng điện thì trong cuộn
dây cũng sinh ra dòng điện cảm ứng để chống lại sự tăng dần đó. Khi dòng điện giảm,
từ trường giảm thì cũng có một dòng điện cảm ứng sinh ra để chống lại sự giảm đó.
Vì vậy trong cuộn dây, dòng điện trễ pha hơn so với điện áp.
• Khi tăng/giảm tần số tín hiệu vào thì biên độ trên L 5 thay đổi như thế nào? Giải thích
- Khi tăng/giảm tần số tín hiệu vào thì biên độ trên L 5 cũng tăng/giảm tương ứng.
- Giải thích: UL = I .ZL = I .2π f L
1. Khi tăng tần số tín hiệu thì biên độ điện áp của cuộn tăng.
2. Khi giảm tần số tín hiệu thì biên độ điện áp của cuộn cũng giảm
CHƯƠNG 2
KHẢO SÁT DIODE CHỈNH LƯU &

ZENER
2.1 MỤC TIÊU
• Nắm được đặc tính các linh kiện diode chỉnh lưu, LED phát quang và diode zener
• Thiết lập được mạch ổn áp đơn giản
2.2 CHUẨN BỊ
• Chuẩn bị bài prelab
• Xem lại cách sử dụng các dụng cụ đo VOM, oscilloscope, máy phát sóng
10
2.3 THÍ NGHIỆM 1
2.3.1 Mục tiêu

• Khảo sát đặc tính diode trong miền thuận
2.3.2 Yêu cầu
• Kết nối nguồn điện thay đổi 0-20V vào diode D 1 , dùng VOM ở chế độ đo mA kết nối
D 1 và R 1 . Dùng 1 VOM ở chế độ đo điện áp đo điện áp vào Vi n , một VOM khác đo điện
áp 2 đầu diode. Nếu như thiếu VOM thì có thể dùng 1 VOM đo điện áp Vi n rồi sau đó
đo điện áp trên diode.
2.3.3 Kiểm tra

• Chỉnh điện áp Vi n về vị trí nhỏ nhất rồi bật nguồn.
• Tăng dần Vi n và ghi các giá trị đo được vào bảng sau.
Vi n (V) 2 4 6 8 10 12 14 16 18
I d (mA) 1.24 3.3 5.25 7.2 9.23 11.21 13.18 15.15 17.11
Vd (V) 0.589 0.637 0.660 0.675 0.687 0.696 0.703 0.710 0.716
• Vẽ đặc tuyến thuận của diode:
• Xác định điện áp ngưỡng của diode: Điện áp ngưỡng của diode là 0,637 V.
• Lặp lại thí nghiệm cho Led D 2 .

Vi n (V) 2 4 6 8 10 12 14 16 18
I d (mA) 0.28 2.19 4.15 6.13 8.11 10.02 12.04 13.99 16.01
Vd 2 (V) 1.705 1.796 1.833 1.859 1.881 1.898 1.916 1.930 1.943
Điện áp ngưỡng của D 2 là 1.796V
• Lặp lại thí nghiệm cho Led D 3 .
Vi n (V) 2 4 6 8 10 12 14 16 18
I d (mA) 0 1.52 3.29 5.24 7.13 9.26 11.21 13.18 15.15
Vd 2 (V) 1.985 2.423 2.537 2.619 2.680 2.736 2.777 2.813 2.845
Điện áp ngưỡng của D 2 là 2.423V
2.4 THÍ NGHIỆM 2
2.4.1 Mục tiêu

• Khảo sát đặc tính diode trong miền ngược.
2.4.2 Yêu cầu

• Dùng VOM đo giá trị điện trở R 2
• Kết nối nguồn điện thay đổi 0-20V vào diode D 8 và điện trở R 2 như hình vẽ. Dùng 1
VOM ở chế độ đo điện áp đo điện áp trên R 2 (VR2 ), một VOM khác đo điện áp 2 đầu
diode Vd .
2.4.3 Kiểm tra

• Giá trị R 2 là: 21, 20K Ω
• Chỉnh điện áp Vi n về vị trí nhỏ nhất rồi bật nguồn.
• Tăng dần Vi n , quan sát Vd và ghi các giá trị đo được vào bảng sau
Vd (V) 2 4 6 8 10 12 14 16 18
VR2 (V) 0.027 0.053 0.079 0.116 0.144 0.173 0.202 0.231 0.259
I d (µA) 1.263 2.394 3.761 5.223 6.816 7.788 9.084 10.452 11.671
• Nhận xét về điện trở của diode trong miền ngược:

- Trong miền ngược diode có điện trở rất lớn
- Kết quả đo được từ bản trên hoàn toàn sai so với lý thuyết về diode. Tuy nhiên ta
vẫn thử tính dòng điện ngược bão hòa I s bằng trung bình cộng các giá trị I d đo được
ở bảng trên để kiểm chứng sự sai lệch đó ở phần sau. I s = 6.5µA
- Dùng dòng điện ngược bão hòa đã có, kiểm chứng lại dòng điện thuận theo lý thuyết
của diode D 1 với bảng đo đã thực hiện ở trên, coi nhiệt độ phòng là 30o C .
Vi n (V) 2 4 6 8 10 12 14 16 18
I d (mA) 1.24 3.3 5.25 7.2 9.23 11.21 13.18 15.15 17.11
Vd (V) 0.589 0.637 0.660 0.675 0.687 0.696 0.703 0.710 0.716
I d (theory) (mA) N/A N/A N/A N/A N/A N/A N/A N/A N/A
"N/A": Không có kết quả lý thuyết thỏa mãn
2.5 THÍ NGHIỆM 3
2.5.1 Mục tiêu

• Khảo sát các mạch chỉnh lưu bán kỳ.
2.5.2 Yêu cầu
• Kết nối máy phát sóng vào D 1 và R 1 như sau. Chỉnh máy phát sóng chọn ngõ ra là
sine, tần số 1Khz, biên độ 4Vp−p
• Dùng kênh 1 của dao động ký đo dạng sóng ngõ vào, kênh 2 đo dạng sóng hai đầu R 1 .
2.5.3 Kiểm tra

• Chỉnh máy phát sóng phát ra sóng sine, tần số 1Khz, biên độ 4Vp-p. Quan sát kênh 1
• Vẽ dạng sóng ngõ vào và dạng sóng ngõ ra trên R1.
• Giá trị đỉnh của sóng ngõ ra là bao nhiêu? Giải thích.
- Giá trị đỉnh của sóng ngõ ra là 1,4V.
- Nguyên nhân cho việc sóng ngõ ra thấp hơn hơn sóng ngõ vào là do ở diode phải có
sụt áp giữa anode và cathode lớn hơn điện áp ngưỡng của diode thì diode mới dẫn,
với Vout ≈ Vi n − VON
• Nối ngõ ra vào tụ C 1 . Vẽ lại dạng sóng ngõ ra và giải thích sự khác nhau so với khi
không có tụ C 1
- Giải thích: Khi có tụ C 1 dạng sóng ngõ ra phẳng hơn. Vì tụ điện nạp điện từ nguồn
( Vc tăng ) khi Vi n –Vd > Vc , xả điện (Vc giảm) khi Vi n –Vd < Vc . Nhưng khoảng thời gian
cần để tụ xả điện lớn hơn khoảng thời gian mà Vi n –Vd < Vc rất nhiều, do vậy Vc giảm
không nhiều, nên dạng sóng ngõ ra khá phẳng.
2.6 THÍ NGHIỆM 4
2.6.1 Mục tiêu

• Khảo sát các mạch chỉnh lưu toàn kỳ.
2.6.2 Yêu cầu

• Kết nối máy phát sóng vào D 1 và R 1 như sau. Chỉnh máy phát sóng chọn ngõ ra là
sine, tần số 1Khz, biên độ 4Vp−p .
• Dùng kênh 2 đo dạng sóng hai đầu R 1 , lưu ý tháo probe kênh 1 ra khỏi mạch.
2.6.3 Kiểm tra

• Vẽ dạng sóng ngõ vào và dạng sóng ngõ ra trên R 1
• Giá trị đỉnh của sóng ngõ ra là bao nhiêu? Giải thích
- Giá trị đỉnh của sóng ngõ ra là 1,4V
- Nguyên nhân sóng ngõ ra có giá trị đỉnh thấp hơn sóng ngõ vào và thấp hơn giá trị
đỉnh của sóng ngõ ra trong trường hợp chỉnh lưu bán kì là do trong mỗi bán kì, giữa
hai đầu chỉnh lưu cầu đều phải có sụt áp lớn hơn hai lần điện áp ngưỡng của mỗi
diode thì diode mới dẫn, cho nên Vout ≈ Vi n − 2VON .
• Nối ngõ ra vào tụ C 1 . Vẽ lại dạng sóng ngõ ra và giải thích sự khác nhau so với khi
không có tụ C 1 .
- Giải thích: Khi có tụ C 1 dạng sóng ngõ ra phẳng hơn. Vì tụ điện nạp điện từ nguồn
( Vc tăng ) khi Vi n –Vd > Vc , xả điện (Vc giảm) khi Vi n –Vd < Vc . Nhưng khoảng thời gian
cần để tụ xả điện lớn hơn khoảng thời gian mà Vi n –Vd < Vc rất nhiều, do vậy Vc giảm
không nhiều, nên dạng sóng ngõ ra khá phẳng.
2.7 THÍ NGHIỆM 5
2.7.1 Mục tiêu

• Khảo sát diode zener.
2.7.2 Yêu cầu

• Dùng VOM đo giá trị của R3 và R4.
R 3 = 550Ω R 4 = 324Ω
• Kết nối nguồn điện 0-20V vào mạch, chỉnh điện áp về 0V. Dùng VOM ở chế độ đo mA
kết nối R 3 và D 9 . Dùng 2 VOM đo điện áp vào và điện áp ra.
2.7.3 Kiểm tra

• Tăng dần điện áp vào, ghi nhận điện áp trên Zener và dòng điện qua Zener như bảng:
Vi 2 4 6 8 10 12 14 16 18
Vd z 1.937 3.826 4.848 4.886 4.904 4.915 4.926 4.941 4.949
Id 0.15µA 0.16µA 1.81mA 5.39mA 9.01mA 12.63mA 16.36mA 19.89mA 23.51
• Vẽ đặc tuyến của Zener và xác định Vz . Tính công suất R 3 khi I d = I R3 = 20mA. Xác
định dòng ổn áp tối thiểu
Dòng ổn áp tối thiểu I zmi n ≈ 1.81 mA
Điện áp Vz ≈ 4, 848V
2
Công suất R 3 là P R3 = I R3 2 .R 3 = (20.10−3 ) .550 = 0.22(W )
Hình 2.1: Đặc tuyến của Zener
• Chỉnh Vin sao cho I d = I R3 = 5 mA. Sau đó kết nối tải R 4 song song với Zener. Quan sát
Volt kế và Miliampe kế khi có tải và giải thích sự thay đổi đó.
- Khi I D = 5 mA, chưa mắc với R 4 , thì Volt kế chỉ 4.902 V. Đang ở trạng thái ổn áp
- Khi mắc với R 4 thì giá trị Ampe kế tăng lên 8.772 mA, giá trị Volt kế giảm xuống
2.818V. Có nghĩa là mạch không còn ổn áp vì Vd = 2,818 < Vz = 4,848. Có sự thay đổi
R4
như vậy là do: Vi n . < Vz mạch hoạt động như mạch hai điện trở nối tiếp như
R4 + R3
thông thường.
• Giảm Vi n cho đến khi mạch không còn ổn áp. So sánh với giá trị Vi n theo lý thuyết:
Vi n = 5.1V
- Vì mạch đã không còn ổn áp nên cứ giảm nữa thì càng không ổn áp.
- Theo lý thuyết thì khi mắc mạch với R 4 , để mạch ổn áp thì Vi n thỏa điều kiện:
R4
Vi n ≥ Vz
R4 + R3
R3 + R4
- Vi n nhỏ nhất để mạch ổn định bằng: Vi n mi n = Vz = 13.078V
R4
CHƯƠNG 3
KHẢO SÁT BJT

3.1 MỤC TIÊU
• Nắm được đặc tính các linh kiện BJT loại npn, pnp
• Khảo sát mạch khuếch đại, mạch đóng/ngắt dùng BJT
3.2 CHUẨN BỊ
• Chuẩn bị bài prelab
• Xem lại cách sử dụng các công cụ đo VOM, DVM và Oscilloscope (dao động ký - dđk)
21
3.3 THÍ NGHIỆM 1
3.3.1 Mục tiêu

• Đo và kiểm tra BJT.
3.3.2 Yêu cầu

• Dùng VOM đo và kiểm tra BJT ở module 1 và 2, phần BJT
3.3.3 Kiểm tra

• Đưa VOM về chế độ đo diode. Đo điện áp giữa các chân của BJT trong khối I và II và
ghi nhận vào bảng sau:
- Transistor Q 1 :
Điểm đo P 1 − P 2 P 2 − P 1 P 1 − P 3 P 3 − P 1 P 2 − P 3 P 3 − P 2
Giá trị 0.664 OL 0.663 OL OL OL
- Transistor Q 2 :
Điểm đo P 1 − P 2 P 2 − P 1 P 1 − P 3 P 3 − P 1 P 2 − P 3 P 3 − P 2
Giá trị 0.654 OL OL OL OL 0.665
- Xác định xem transistor loại gì và các chân P1-P2-P3 là chân gì, BJT còn tốt hay
không. Giải thích.
P1 P2 P3 Loại BJT Chất lượng
Q1 Base Collector/Emitter Emitter/Collector NPN Tốt
Q 2 Collector/Emitter Base Base/Collector PNP Tốt
- Giải thích:
+ Với Q 1 :
(
V12 = 0.664 ⇒ p 1 − p 2 : p − n
⇒ Q 1 là loại NPN với P 1 là cực Base
V13 = 0.663 ⇒ p 1 − p 3 : p − n
+ Với Q 2 :
(
V12 = 0.654 ⇒ p 1 − p 2 : p − n
⇒ Q 2 là loại PNP với P 2 là cực Base
V32 = 0.665 ⇒ p 3 − p 3 : p − n
3.4 THÍ NGHIỆM 2
3.4.1 Mục tiêu

• Khảo sát các miền hoạt động tắt/khuếch đại/bão hòa của BJT npn
3.4.2 Chuẩn bị
• Đọc xem điện trở R 1 có giá trị là bao nhiêu và kiểm chứng lại bằng VOM.
R 1 = 10.102 ± 5%Ω (Giá trị đọc)
R 1 = 978Ω (Giá trị đo)
• Chỉnh nguồn điện về 12V và kết nối mạch như Hình 3.2 Một VOM đo dòng điện I b ở
tầm µ A, một VOM đo dòng I c ở tầm mA, và 1 VOM đo điện áp Vce .
• Vặn biến trở VR3 về mức nhỏ nhất.
Hình 3.1: Sơ đồ phần III
Hình 3.2: Layout thực tế trên module thí nghiệm
3.4.3 Tiến hành

• Bật nguồn. Chỉnh biến trở để thay đổi dòng điện I b , quan sát giá trị I c và Vce và điền
vào bảng sau:
Ib 10µA 15µA 20µA 25µA 30µA 35µA 40µA 45µA 50µA

I c (mA) 3.32 4.94 6.49 7.99 8.99 9.19 9.25 9.29 9.31
Vce (V ) 6.2 4.53 2.951 1.444 0.286 0.2 0.172 0.156 0.146
• Với I b trong khoảng nào thì transistor dẫn khuếch đại ? Khi đó h f e là bao nhiêu ?
- Với I b trong khoảng 10 ÷ 25µA thì transistor dẫn khuếch đại với h f e khoảng 325
• Khi dùng transistor làm nhiệm vụ đóng/ngắt, ta đưa transistor vào chế độ nào? Vì
sao?
- Khi dùng transistor làm nhiệm vụ đóng/ngắt ta đưa transistor về chế độ bão hòa/tắt.
- Vì khi ở chế độ bão hòa transistor cho dòng điện đi qua và có Vce rất nhỏ, hoạt động
như ngắn mạch, thực hiện chức năng đóng. Khi ở chế độ tắt transistor không cho
dòng điện đi qua, hoạt động như mạch hở, thực hiện chức năng ngắt.
3.5 THÍ NGHIỆM 3
3.5.1 Mục tiêu

• Khảo sát các miền hoạt động tắt/khuếch đại/bão hòa của BJT pnp
3.5.2 Chuẩn bị
• Đọc xem điện trở R 2 có giá trị là bao nhiêu và kiểm chứng lại bằng VOM.
• Chỉnh nguồn điện về 12V và kết nối mạch như Hình 3.4. Một VOM đo dòng điện I b ở
tầm µA , một VOM đo dòng I c ở tầm µA , và 1 VOM đo điện áp Vce .
Hình 3.3: Sơ đồ khối BJT pnp
Hình 3.4: Sơ đồ kết nối trên module thí nghiệm phần BJT pnp
• Vặn biến trở VR3 về mức lớn nhất
3.5.3 Tiến hành

• Bật nguồn. Chỉnh biến trở để thay đổi dòng điện I b , quan sát giá trị I c và Vce và điền
vào bảng sau:
Ib 10µA 15µA 20µA 25µA 30µA 35µA 40µA 45µA 50µA

I c (mA) 2.19 3.21 4.19 5.11 6.78 7.52 8.17 8.17 8.74
Vce (V ) 7.10 6.06 5.079 4.134 3.254 2.445 1.7 1.043 0.485
• Với I b trong khoảng nào thì transistor dẫn khuếch đại? Khi đó h f e là bao nhiêu?
- Với I b trong khoảng 10 ÷ 30µ A thì transistor dẫn khuếch đại với h f e khoảng 209.5.
• Nếu thay vì đặt tải (điện trở+led) ở cực C, ta đặt ở cực E như hình sau. Khi đó BJT có
bão hòa được không? Vì sao? (Câu hỏi này trả lời khi nộp báo cáo, không cần trả lời
lúc tiến hành thí nghiệm):
- BJT không thể bão hòa được.

- Vì khi pnp transistor hoạt động ở vùng bão hòa thì hai thành phần E-B và C-B đều
hoạt động ở miền phân cực thuận, nghĩa là VE > VB và VC > VB , từ đó suy ra VEC < VE B .
Mà ta lại có VEC − VE B = VE –0–(VE –VB ) = VB ≥ 0, vậy nên BJT không thể bão hòa được.
3.6 THÍ NGHIỆM 4
3.6.1 Mục tiêu

• Khảo sát đặc tuyến vào của BJT npn.
3.6.2 Chuẩn bị
• Chỉnh nguồn biến đổi 0-5V về nhỏ nhất (0V).
• Chỉnh biến trở VR2 về vị trí nhỏ nhất.
• Kết nối nguồn điện 5V vào mạch cấp nguồn dòng, nguồn điện thay đổi 0-5V vào hai
cực C-E của Q 2 . Các VOM kết nối như hình vẽ.
Hình 3.5: Kết nối mạch đo đặc tuyến vào của BJT
3.6.3 Tiến hành

• Bật nguồn. Chỉnh điện áp VC E cố định là 2V, chỉnh biến trở R 2 để thay đổi dòng I B và
ghi vào bảng sau. Trong quá trình thí nghiệm lưu ý giữ VC E cố định là 2V.
I B (mA) 10µA 15µA 20µA 25µA 30µA 35µA 40µA 45µA 50µA
VB E (V) 0.5 0.53 0.56 0.58 0.59 0.62 0.63 0.64 0.68
• Chỉnh điện áp VC E cố định là 4V, chỉnh biến trở R 2 để thay đổi dòng I B và ghi vào bảng
sau. Trong quá trình thí nghiệm lưu ý giữ VC E cố định là 4V.
I B (µ A) 10µA 15µA 20µA 25µA 30µA 35µA 40µA 45µA 50µA
VB E (V) 0.46 0.51 0.55 0.57 0.58 0.59 0.61 0.63 0.65
• Vẽ đặc tuyến vào I B − VB E ứng với hai trường hợp VC E = 2V và VC E = 4V. Nhận xét.
Nhận xét: Đặc tuyến giống với dạng của diode. Đặc tuyến ứng với VC E = 4V gần lùi hơn
về bên trái so với khi VC E = 2V, nghĩa là ở cùng giá trị VB E thì I B (VC E = 4V ) > I B (VC E =
2V ).
3.7 THÍ NGHIỆM 5
3.7.1 Mục tiêu

• Khảo sát đặc tuyến ngõ ra của BJT npn.
3.7.2 Chuẩn bị
• Chỉnh nguồn biến đổi 0-20V về nhỏ nhất (0V).
• Chỉnh biến trở VR2 về vị trí nhỏ nhất.
• Kết nối nguồn điện 5V vào mạch cấp nguồn dòng, nguồn điện thay đổi 0-20V vào
mạch. Các VOM kết nối như hình vẽ.
3.7.3 Tiến hành

• Bật nguồn. Chỉnh dòng điện I B cố định là 20µ A, thay đổi Vi n để có được các giá trị
VC E theo bảng sau. Điền các giá trị tương ứng của dòng IC
VC E 0.1V 0.2V 0.3V 0.5V 0.7V 1V 1.5V 2V 2.5V
I c (mA) 1.88 5.42 5.89 6.01 6.04 6.06 6.1 6.13 6.15
• Lặp lại thí nghiệm với I B = 25µ A và I B = 30µA

VC E 0.1V 0.2V 0.3V 0.5V 0.7V 1V 1.5V 2V 2.5V
I c (mA) 2.34 6.65 7.33 7.51 7.56 7.59 7.64 7.68 7.72
VC E 0.1V 0.2V 0.3V 0.5V 0.7V 1V 1.5V 2V 2.5V

I c (mA) 2.83 7.81 8.7 8.99 9.05 9.11 9.16 9.22 9.26
• Vẽ đặc tuyến ngõ ra IC − VC E ứng với 3 trường hợp trên.
Nhận xét:
- Khi VC E thấp (khoảng < 0.2), đặc tuyến rất dốc. Khi VC E tăng (khoảng > 0.2) đặc tuyến
gần như nằm ngang, IC tăng tuyến tính với VC E
- Lấy số liệu từ bảng I B = 20µ A, lấy hai điểm ( VC E ; IC ) là (0.7 ; 6.04) và (0.5 ; 6.01), ta
d IC 6.04 − 6.01 6.04
có độ dốc của đặc tuyến: = =
dVC E 0.7 − 0.5 V A + 0.7
- Giải phương trình, được V A ≈ 40V . Vậy ước tính điện áp Early V A = 40V
3.8 THÍ NGHIỆM 6
3.8.1 Mục tiêu

• Khảo sát mạch khuếch đại ghép E chung.
3.8.2 Chuẩn bị
• Đọc và dùng VOM xác định lại giá trị các điện trở
Điện trở R9 R 10 R 11 R 12 R 13
Giá trị (kΩ) 9.76 9.96 9.95 9.91 9.9
• Kết nối mạch như Hình 3.7. Nguồn cấp Vi n là 12V
• Chỉnh nguồn tín hiệu Vs có biên độ 1V, tần số 1Khz. Sau đó giảm biên độ Vs về 0V.
• Dùng 1 VOM đo điện áp giữa cực C và E của Q 3 .
• Dùng kênh 1 dao động ký đo dạng sóng Vs , kênh 2 đo dạng sóng tại cực C của Q 3 .
Hình 3.6: Sơ đồ mạch khuếch đại E chung
Hình 3.7: Sơ đồ kết nối mạch khuếch đại E chung
3.8.3 Tiến hành

• Bật nguồn. Chỉnh biến trở VR8 để VC E = 6V.
• Tăng dần biên độ Vs . Xác định biên độ tối đa của Vs để ngõ ra không bị méo dạng
(max swing). Nếu dạng sóng ngõ ra bị méo dạng ở 1 đầu hình sine, chỉnh biến trở R 8
để thay đổi phân cực sao cho đạt max swing. Vẽ dạng sóng Vs và Vce trên cùng hệ tọa
độ.
Hình 3.8: Biên độ Vs = 4.8V & biên độ Vce = 0.212V
• Xác định độ lợi của mạch khuếch đại ở max-swing. Kiểm chứng lại so với lý thuyết.
Vce −4.68
- Độ lợi a = = = −22.1
Vs 0.212
³ R ´
in
- Theo lí thuyết: a = − .g m (R 12 //r 0 )
R i n + R 11
26mV Ic
với R i n ≈ (r pi //R 10 ), r pi = β , gm = , (R 12 //r 0 ) ≈ R 12
Ic 26mV
- Do không đo β nên ta không thể tính chính xác độ lợi a theo lý thuyết. Nên ta chỉ dự
đoán xem kết quả đo a theo thực nghiệm có hợp lý không:
+ Đầu tiên, theo lý thuyết a có giá trị âm, phù hợp với kết quả đo được phù hợp vì Vi n
và Vout ngược pha.
+ Thứ hai, vế g m (R 12 //r 0 ) thường có giá trị vào khoảng 100-300. Mà R i n < R 11 nên giá
trị a = -22.1 là có cơ sở xảy ra, lúc này R i n nhỏ hơn R 11 nhiều lần
• Tắt nguồn, đo giá trị VR8 tại max swing và kiểm chứng lại so với lý thuyết
- Đo được VR8 ≈ 55kΩ
- Giá trị VR8 tăng hơn so với lúc đầu. Nguyên nhân là do khi BJT vào vùng bão hòa,
sóng bị méo dạng, ta điều chỉnh tăng VR8 để giảm IC làm tăng giới hạn bão hòa của
BJT
• Kết nối tải R 13 vào mạch. Chuyển kênh 2 của dao động ký sang đo dạng sóng ngõ ra
trên R 3 . Nhận xét.
Hình 3.9: Sơ đồ kết nối mạch khuếch đại E chung
- Dạng sóng ngõ ra không đổi. Biên độ Vout giảm nhưng không nhiều.
- Lý giải là do khi nối tải, theo lý thuyết, độ lợi thay đổi theo công thức:
R 13 10
a ≈ a oc(nol oad ) . = −22.1. = −20.1
R 13 + R 12 11
Kết quả thực nghiệm phù hợp với lý thuyết
• Chỉnh lại Vs sao cho đạt max-swing trong trường hợp có tải R 13 . Xác định độ lợi và Vs
tại Max Swing. Kiểm chứng lại so với lý thuyết
Vout −5.12
- Tại maxswing, đo được Vs = 5.12 V và Vout = 0.262 V. Độ lợi: a = = = −19.5
Vs 0.262
- Nhận xét: Như dự đoán, Vs tăng so với khi không có tải, vì khi có tải, độ lợi giảm làm
tăng giới hạn của Vs . Kết quả độ lợi cũng gần so với độ lợi lý thuyết đã tính ở trên.

Báo Cáo TNVLBD

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

You might also like

Báo Cáo TNVLBD

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Báo Cáo TNVLBD

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

ĐẠI HỌC QUỐC GIA THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH

TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA

THÍ NGHIỆM VẬT LÍ BÁN DẪN (EE1008)

Báo cáo thí nghiệm Vật Lí Bán Dẫn

GVHD: Nhan Hồng Kỵ

Ngày 5 tháng 9 năm 2021

1 KHẢO SÁT LINH KIỆN R-L-C 3

2 KHẢO SÁT DIODE CHỈNH LƯU & ZENER 10

2.5.2 Yêu cầu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

3 KHẢO SÁT BJT 21

KHẢO SÁT LINH KIỆN R-L-C

1.3 THÍ NGHIỆM 1

1.3.1 Mục tiêu

1.3.2 Yêu cầu

• Đo giá trị của biến trở VR5 .

• Các kết quả điền vào bảng 1:

1.3.3 Kiểm tra

1.4 THÍ NGHIỆM 2

1.4.1 Mục tiêu

1.4.2 Yêu cầu

1.4.3 Kiểm tra

• Quan sát điện áp trên tụ C 1 trên dao động ký.

• Biên độ điện áp trên tụ C 1 là bao nhiêu?

1.5 THÍ NGHIỆM 3

1.5.1 Mục tiêu

1.5.2 Yêu cầu

• Quan sát điện áp trên tụ C 6 trên dao động ký.

• Biên độ điện áp trên tụ C 6 là bao nhiêu?

1.6 THÍ NGHIỆM 4

1.6.1 Mục tiêu

1.6.2 Yêu cầu

1.6.3 Kiểm tra

• Quan sát điện áp trên cuộn dây L 5 trên dao động ký

• Biên độ điện áp trên cuộn dây L 5 là bao nhiêu?

KHẢO SÁT DIODE CHỈNH LƯU &

• Thiết lập được mạch ổn áp đơn giản

2.3 THÍ NGHIỆM 1

2.3.1 Mục tiêu

2.3.2 Yêu cầu

2.3.3 Kiểm tra

• Vẽ đặc tuyến thuận của diode:

• Lặp lại thí nghiệm cho Led D 2 .

2.4 THÍ NGHIỆM 2

2.4.1 Mục tiêu

2.4.2 Yêu cầu

2.4.3 Kiểm tra

• Chỉnh điện áp Vi n về vị trí nhỏ nhất rồi bật nguồn.

• Nhận xét về điện trở của diode trong miền ngược:

2.5 THÍ NGHIỆM 3

2.5.1 Mục tiêu

2.5.2 Yêu cầu

2.5.3 Kiểm tra

• Vẽ dạng sóng ngõ vào và dạng sóng ngõ ra trên R1.

2.6 THÍ NGHIỆM 4

2.6.1 Mục tiêu

2.6.2 Yêu cầu

2.6.3 Kiểm tra

• Vẽ dạng sóng ngõ vào và dạng sóng ngõ ra trên R 1