1.

1Transistor, elektronik cihazlarda bilgi işlem, sinyal amplifikasyonu ve kontrol işlevleri

gerçekleştirmek için kullanılan bir yarıiletken cihazdır. İki farklı tip yarıiletken malzeme
(genellikle silikon veya germanyum) arasındaki bağlantıya dayanır.
Transistör, genellikle üç elektroddan oluşur: baz (base), emetör (emitter) ve kolektör (collector).
İki farklı tip transistör vardır: bipolar transistörler ve alan etkili transistörler (FET'ler).
Bipolar transistörler, NPN veya PNP olarak adlandırılan iki türde bulunur. NPN transistörlerde,
baz bölgesi P tipi yarıiletken malzemeden yapılmışken emetör ve kolektör bölgeleri N tipi
yarıiletken malzemeden oluşur. PNP transistörlerde ise tam tersi geçerlidir. Bipolar transistörler,
baz akımı ile kontrol edilir ve kolektör-emetör akımı, baz akımının bir amplifikasyonu olarak
hareket eder.
Alan etkili transistörler (FET'ler), genellikle gate (kapı), drain (drenaj) ve source (kaynak) olarak
adlandırılan üç elektroddan oluşur. FET'ler, bir elektrik alanının yardımıyla elektron akışını
kontrol eder. İki yaygın FET türü bulunur: MOSFET (Metal-Oksit-Yarıiletken Alan Etkili
Transistör) ve JFET (Junction Field-Effect Transistor).
Transistörler, elektronik devrelerde güç amplifikasyonu, anahtarlama, osilatörlerin oluşturulması
ve dijital mantık uygulamaları gibi birçok görevi yerine getirebilir. Bilgisayarlar, radyolar,
televizyonlar, cep telefonları ve diğer birçok elektronik cihazda transistörler temel bileşenlerdir

1.2 Bipolar Junction Transistor (BJT), yani bipolar birleşim transistörü, iki farklı tip yarıiletken
malzemenin bir araya gelmesiyle oluşan üçlü bir yapıya sahiptir. Bu malzemeler genellikle
silikon veya germanyum kullanılır. BJT'nin çalışma prensibi, baz, emetör ve kolektör olarak
adlandırılan üç elektrotun etkileşimiyle gerçekleşir.
Bir NPN tipi BJT örneği üzerinden çalışma prensibini açıklayalım:
Baz (Base): İnce bir P-tipi yarıiletken tabakadır ve BJT'nin kontrol elektrotudur.
Emetör (Emitter): Kalın bir N-tipi yarıiletken tabakadır ve BJT'nin akım kaynağıdır.
Kolektör (Collector): İnce bir N-tipi yarıiletken tabakadır ve BJT'nin akım toplama elektrotudur.
BJT'nin çalışması, baz akımının kontrolüyle gerçekleşir. Baz akımı, baz-emetör bölgesine
uygulanan gerilim aracılığıyla akar. Eğer baz-emetör bölgesine doğru yönde bir gerilim
uygulanırsa (baz pozitif, emetör negatif), baz tabakasında ince bir P-N bağlantı alanı oluşur.
Bu bağlantı alanı, emetördeki çoğunluk taşıyıcılarını (elektronlar) çeker ve baz tabakasında bir
akım akışını tetikler. Bu akım, kolektör bölgesindeki birleşim transistörünün N-tipi yarıiletken
tabakasındaki çoğunluk taşıyıcılarının (elektronlar) hareket etmesine neden olur.
Kolektör bölgesindeki akım, baz akımının bir amplifikasyonu olarak ortaya çıkar. Yani, küçük
bir baz akımı, daha büyük bir kolektör akımına dönüştürülür. Bu özelliği nedeniyle BJT, sinyal
amplifikasyonu için yaygın olarak kullanılır.
BJT ayrıca, baz-emetör bölgesine uygulanan baz gerilimine göre akım akışını kontrol ederek bir
anahtar görevi de görebilir. Baz-emetör bölgesine uygulanan gerilim düşük olduğunda, BJT
kapalı konumdadır ve akım akışı engellenir. Yüksek bir baz gerilimi uygulandığında ise BJT
açık konuma geçer ve akım akışı mümkün olur.
Bu şekilde, BJT'nin çalışma prensibi, baz akımının kontrolüyle akım amplifikasyonu veya
anahtarlama işlevini yerine getirmesine dayanır.
MOSFET (Metal-Oksit-Yarıiletken Alan Etkili Transistör), yarıiletken malzemeler ve bir metal
tabaka kullanılarak oluşturulan bir alan etkili transistördür. MOSFET'in çalışma prensibi, bir
yarıiletken kanal üzerinde elektrik alanının etkisiyle akım akışını kontrol etmeye dayanır.
En yaygın MOSFET türü olan NMOS (N-tipi Metal-Oksit-Yarıiletken) MOSFET üzerinden
çalışma prensibini açıklayalım:
Kanal (Channel): N-tipi yarıiletken bir malzemedir ve MOSFET'in ana akım taşıma bölgesidir.
Gate (Kapı): Metal tabaka üzerindeki izolasyonlu oksit tabakasıdır. Gate, elektrik alanının
kontrolü için kullanılır.
Source (Kaynak): N-tipi yarıiletken bir malzemedir ve kanalda akımın kaynağıdır.
Drain (Drenaj): N-tipi yarıiletken bir malzemedir ve kanalda akımın boşaltıldığı bölgedir.
MOSFET'in çalışması, gate (kapı) üzerine uygulanan gerilimle kontrol edilir. Gate üzerine
uygulanan gerilim, gate ve source arasında bir elektrik alanı oluşturur. Bu elektrik alanı, kanal
üzerindeki taşıyıcıların (genellikle elektronlar) hareketini kontrol eder.
İki çalışma modu vardır:
Kesim (Cut-Off) Modu: Gate üzerine sıfır veya çok düşük gerilim uygulandığında, MOSFET
kapalı konumdadır. Elektrik alanı yoktur ve kanal üzerinde akım akışı engellenir.
Doyma (Saturation) Modu: Gate üzerine yeterli bir pozitif gerilim uygulandığında, MOSFET
açık konuma geçer. Elektrik alanı, gate-source gerilimiyle birlikte kanal üzerinde taşıyıcıların
hareketini kontrol eder. Eğer gate-source gerilimi yeterince yüksekse, kanal boyunca elektronlar
serbestçe akar ve MOSFET üzerinden bir akım geçer.
MOSFET'in önemli bir özelliği, gate üzerindeki gerilimin akım akışını tamamen kontrol
edebilmesidir. Bu nedenle MOSFET, sinyal amplifikasyonu, anahtarlama ve dijital mantık
devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
MOSFET'in P-tipi yarıiletken malzemelerle yapılan P-tipi MOSFET (PMOS) türü de
bulunmaktadır. PMOS, N-tipi MOSFET'in tam tersi çalışma prensibine sahiptir. PMOS'ta,
negatif bir gerilim uygulandığında kanal üzerinde akım akışı mümkün olurken, pozitif bir gerilim
uygulandığında kanal kapanır.
1.3 BJT (Bipolar Junction Transistor) ve MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-
Effect Transistor) arasında bazı önemli farklılıklar vardır:

İşletme Prensibi: BJT, bir akım kontrollü transistör olarak çalışır. İki ara bağlantı noktası
arasındaki akım, baz akımı ile kontrol edilir. MOSFET ise bir gerilim kontrollü
transistördür. Akım, gate üzerindeki gerilim ile kontrol edilir.
Kontrol Gücü: BJT, baz akımı kullanarak kontrol edilirken, MOSFET gate üzerindeki
gerilimle kontrol edilir. BJT'nin baz akımı, MOSFET'teki gate akımından daha fazladır.
Güç Kaynağı: BJT, baz akımı tarafından güçlendirildiği için enerji gerektirir. MOSFET ise
gate akımı neredeyse sıfır olduğu için daha az güç tüketir.
Giriş Empedansı: BJT'nin giriş empedansı düşüktür, yani baz akımı yüksektir. MOSFET'in
giriş empedansı yüksektir, gate akımı çok düşüktür. Bu nedenle MOSFET, daha iyi bir
yüksek empedanslı sinyal amplifikasyonu sağlar.
Anahtarlama Hızı: MOSFET, BJT'ye göre daha hızlı anahtarlanabilir. Gate üzerindeki
yüksek empedans, daha hızlı anahtarlamayı mümkün kılar.

Termal Davranış: BJT'nin termal davranışı MOSFET'e göre daha iyi kontrol edilebilir. BJT,
bir kolektör akımı tarafından kontrol edildiği için aşırı ısınmaya karşı daha dirençlidir.
MOSFET'te ise gate akımı çok düşük olduğu için termal davranış daha hassastır.
Parazit Dirençleri: BJT, üzerindeki baz-emetör gerilimi ve baz akımı nedeniyle parazit
dirençlere daha duyarlıdır. MOSFET, düşük gate akımı nedeniyle parazit dirençlerden
daha az etkilenir.

Bu farklılıklar, BJT ve MOSFET'in farklı uygulama alanlarına ve kullanım senaryolarına

sahip olmasını sağlar. BJT, özellikle yüksek akım ve yüksek güç uygulamaları için tercih
edilirken, MOSFET daha çok düşük güç, yüksek hız ve yüksek empedanslı uygulamalarda
kullanılır.