Üç Sevi̇yeli̇ T-Ti̇pi̇ İzole İki̇ Yönlü Da-Da Dönüştürücü Tasarimi Ve Gerçek Zamanli Uygulamasi

T.C.
SAKARYA ÜNİVERSİTESİ
FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ
ÜÇ SEVİYELİ T-TİPİ İZOLE İKİ YÖNLÜ

DA-DA DÖNÜŞTÜRÜCÜ TASARIMI VE
GERÇEK ZAMANLI UYGULAMASI
DOKTORA TEZİ
Onur DEMİREL
Enstitü Anabilim Dalı : ELEKTRİK ELEKTRONİK

MÜHENDİSLİĞİ
Enstitü Bilim Dalı : ELEKTRONİK
Tez Danışmanı : Prof. Dr. Uğur ARİFOĞLU
Haziran 2019
T.C.
sAKARyA üxivunsirusi
FE|{ niriMr-,pni ENsrirüsü
üç sEviynı,i T_Tipi izorn iri yöNLü

DA_DA »ÖxÜşrÜnÜcÜ TAsARIMI vE
GERÇEK ZAMANLI UYGULAMASI
DOKTORA TEZh
onur DEıvıİREL
Enstitü Anabilim Dalı ELEKrnir_ELEKTRoxir

ıvıürıEI\DisriĞi
Enstitü Bilim Dalı ELEKTRoxir
Bu tez 28 06 l 2019 tarihinde aşağıdaki tarafindan oybirliği/oyçokluğu ile

kabul L-
Dr. Prof. Dr. Prof. Dr.

Adnan DERDİyor Aıı özrııRK
J üy.
Recep BOZKURT
üy. üy.
TEŞEKKÜR
Doktora çalışmam sırasında yardımlarını esirgemeyen danışmanım Prof. Dr. Uğur

ARİFOĞLU’na teşekkür ederim.
Üzerimdeki haklarını hiçbir zaman ödeyemeyeceğim, pek kıymetli anneme ve

babama, desteklerini esirgemeyen ağabeylerime ve ablama, gösterdiği sabır, anlayış
ve özveriden dolayı sevgili eşime, moral ve motivasyon kaynağım, biricik kızım
Ahsen’e şükranlarımı sunarım.
Çalışmamı küçük meleğime, Ahsen’ime ithaf ediyorum.
Bu tez çalışması Türkiye Bilimsel ve Teknolojik Araştırma Kurumu (TÜBİTAK)

tarafından 118E173 numaralı proje kapsamında desteklenmiştir.
i
İÇİNDEKİLER
TEŞEKKÜR ........................................................................................................... i
İÇİNDEKİLER ...................................................................................................... ii
SİMGELER VE KISALTMALAR LİSTESİ ........................................................ v
ŞEKİLLER LİSTESİ ............................................................................................. viii
TABLOLAR LİSTESİ ........................................................................................... xi
ÖZET...................................................................................................................... xii
SUMMARY ........................................................................................................... xiii
BÖLÜM 1.
GİRİŞ ..................................................................................................................... 1
1.1. Enerji Endüstrisi................................................................................ 1
1.2. Otomotiv ve Demiryolu Endüstrisi ................................................... 2
1.3. Havacılık ve Uzay Endüstrisi............................................................ 3
1.4. Kesintisiz Güç Kaynağı Endüstrisi ................................................... 4
BÖLÜM 2.
LİTERATÜR ÖZETİ ............................................................................................. 6
2.1. Topoloji Çalışmaları ......................................................................... 6
2.1.1. Geleneksel dönüştürücülerden türetilmiş IBDC topolojiler ... 6
2.1.2. 2L IBDC topolojiler ................................................................ 7
2.1.3. 3P IBDC topolojiler ................................................................ 8
2.1.4. MP IBDC topolojiler .............................................................. 8
2.1.5. 3L IBDC topolojiler ................................................................ 9
2.2. Modülasyon Yöntemleri ................................................................... 10
2.2.1. Sadece faz kaydırmalı modülasyon (SPS) .............................. 10
2.2.2. Genişletilmiş faz kaydırmalı modülasyon (EPS) .................... 11
2.2.3. İkili faz kaydırmalı modülasyon (DPS) .................................. 11
ii
2.2.4. Üçlü faz kaydırmalı modülasyon (TPS) ................................. 11
2.3. IBDC Dönüştürücülerde Yol Haritası ............................................... 12
2.4. Tezin Amacı ...................................................................................... 13
BÖLÜM 3.
3LTT-IBDC DÖNÜŞTÜRÜCÜNÜN ANALİZİ VE SİMÜLASYONU .............. 14
3.1. 3LTT-IBDC Dönüştürücünün Analizi .............................................. 14
3.1.1. Devre topolojisi....................................................................... 14
3.1.2. Modülasyon yöntemi .............................................................. 15
3.1.3. Sürekli hal çalışma prensibi .................................................... 17
3.1.3.1. Mod0 (t0-t1 zaman aralığı) .......................................... 17
3.1.4. Dönüştürücünün gerilim kazancı ............................................ 20
3.1.5. Dönüştürücünün güç aktarım karakteristiği ............................ 23
3.1.6. Maksimum kaçak endüktans değeri ........................................ 25
3.1.7. Kritik kaçak endüktans değeri ................................................ 25
3.2. Simülasyon Çalışması ....................................................................... 26
BÖLÜM 4.
3LTT-IBDC DÖNÜŞTÜRÜCÜNÜN GERÇEK ZAMANLI UYGULAMASI ... 29
BÖLÜM 5.
3LTT-IBDC DÖNÜŞTÜRÜCÜNÜN KAPALI ÇEVRİM KONTROLÜ ............ 38
5.1. Sürekli Zaman PI Kontrolörün Ayrıklaştırılması ............................. 39
5.2. Ayrık Zaman PI Kontrolörün Programlanması................................. 40
5.3. İntegral Yığılması ve Yığılma Önleyici ............................................ 41
5.4. Simülasyon Yardımı ile Kontrolör ve Yığılma Önleyici
Katsayılarının Belirlenmesi .............................................................. 42
5.5. Deneysel Çalışma ile Sistem Performansının İncelenmesi ............... 47
iii
BÖLÜM 6.
SONUÇLAR VE ÖNERİLER ............................................................................... 53
KAYNAKLAR ...................................................................................................... 56
ÖZGEÇMİŞ ........................................................................................................... 63
iv
SİMGELER VE KISALTMALAR LİSTESİ
2L : İki seviyeli
3L : Üç seviyeli
3P : Üç fazlı
AA : Alternatif akım
BCM : Sınır iletim modu
BDC : İki yönlü DA
𝑏𝑘 : Ortak Fourier katsayısı
CCM : Sürekli iletim modu
CLK : Saat darbesi
D : Çalışma oranı
DA : Doğru akım
DAB : İkili aktif köprü
DCM : Kesintili iletim modu
DCSR : Doğru akım eğim oranı
DPS : İkili faz kaydırma
DSP : Dijital işaret işleyici
EDB : Enerji depolama birimi
EM : Elektrik motoru
ENBL : Yetkilendirme sinyali
EPS : Genişletilmiş faz kaydırma
FB : Tam köprü
𝑓𝑠𝑤 : Anahtarlama frekansı
GaN : Galyum nitrat
HB : Yarım köprü
IBDC : İzole iki yönlü DA
İYM : İçten yanmalı motor
v
𝐾𝐷 : Türev kazancı
KGK : Kesintisiz güç kaynağı
𝐾𝐻 : Donanım kazancı
𝐾𝐼 : İntegratör kazancı
𝐾𝐿 : Yığılma önleyici kazancı
𝐾𝑃 : Oransal kazanç
𝐾𝑆 : Yazılım kazancı
𝐿𝑙𝑘 : Kaçak endüktans
𝐿𝑙𝑘𝑐𝑟𝑡 : Kritik kaçak endüktans
𝐿𝑙𝑘𝑚𝑎𝑥 : Maksimum kaçak endüktans
𝐿𝑚 : Mıknatıslanma endüktansı
𝐿𝑙𝑘𝑇𝑟 : Trafo kaçak endüktansı
MEA : Daha elektrikli hava aracı
MJ : Marş jeneratörü
MP : Çok uçlu
𝑀𝑉𝐷𝐶 : Gerilim kazancı
n : Trafo çevirme oranı
𝑛𝑝 : Primer tur sayısı
NPC : Nötr kenetlemeli
𝑛𝑠 : Sekonder tur sayısı
PWM : Darbe genişlik modülasyonu
phs : Faz açısı
PI : Oransal integratör
PID : Oransal integratör türev
PPS : PWM ilaveli faz kaydırma
SG : Serbest geçiş
SiC : Silisyum karbür
SPS : Sadece faz kaydırma
𝑡𝑑 : Ölü zaman
TK : Tork konvertörü
TNPC : T-tipi nötr kenetlemeli
TPS : Üçlü faz kaydırma
vi
Tr : Trafo
𝑇𝑠 : Örnekleme periyodu
UART : Evrensel asenkron alıcı verici
YEK : Yenilenebilir enerji kaynağı
𝑍𝐿𝑙𝑘 : Kaçak endüktans empedansı
β : Gerilim akım faz farkı
δ : Faz kaydırma oranı
δ𝑖 : Primer köprü faz kaydırma oranı
δ𝑚𝑎𝑥 : Maksimum faz kaydırma oranı
δ𝑜 : Sekonder köprü faz kaydırma oranı
vii
ŞEKİLLER LİSTESİ
Şekil 1.1. Hibrit yenilenebilir enerji blok diyagramı. ............................................ 2

Şekil 1.2. Elektrikli araç blok diyagramı. .............................................................. 3
Şekil 1.3. Daha elektrikli hava aracı (MEA). ......................................................... 4
Şekil 1.4. Kesintisiz güç kaynağı blok diyagramı. ................................................. 4
Şekil 2.1. İkili aktif köprü DA-DA dönüştürücü. .................................................. 10
Şekil 3.1. 3LTT-IBDC dönüştürücünün şeması. .................................................... 15
Şekil 3.2. Amaçlanan dönüştürücüye ait devre elemanlarının akım ve gerilim
dalga şekilleri. ........................................................................................ 16
Şekil 3.3. Çalışma modlarına ait aktif akım yolları ve indirgenmiş devreleri (a)
Mod0, (b) Mod1, (c) Mod2, (d) Mod3. .................................................. 19
Şekil 3.4. Dönüştürücü çıkış gücünün δ’ya göre değişimi. .................................... 24
Şekil 3.5. Simülasyon çalışması (a) Kontrol devresi, (b) Güç devresi. ................. 27
Şekil 3.6. Amaçlanan dönüştürücünün simülasyon sonuçları. ............................... 28
Şekil 4.1. 3LTT-IBDC dönüştürücünün prototipi. ................................................. 30
Şekil 4.2. (a) Tam yük koşulunda harici endüktansın gerilimi ve akımı,
(b) Tam yük koşulunda primer ve sekonder köprülerinin gerilimleri,
(c) Tam yük koşulunda S1 anahtarının akımı ve gerilimi,
(d) Tam yük koşulunda S3 anahtarının akımı ve gerilimi. ..................... 31
Şekil 4.3. (a) Tam yük koşulunda Q1 anahtarının akımı ve gerilimi,
(b) Tam yük koşulunda Q3 anahtarının akımı ve gerilimi,
(c) Tam yük koşulunda çıkış akımı ve gerilimi,
(d) %35 yük koşulunda BCM çalışma için harici endüktansın
gerilimi ve akımı. ................................................................................... 32
Şekil 4.4. Güç aktarım ve giriş gerilim karakteristiği (a) Farklı güç seviyeleri için
hesaplanan ve uygulanan δ değerleri, (b) Farklı giriş gerilimleri için
hesaplanan ve uygulanan δ değerleri. .................................................... 33
viii
Şekil 4.5. Verim ve kayıp analizleri (a) Verim analizi, (b) S1, S3, Q1, Q3
anahtarlarına ait kayıp analizi. ............................................................... 34
Şekil 4.6. S1 ve S3 anahtarlarına ait anahtarlama geçişleri. .................................... 35
Şekil 4.7. Q1 ve Q3 anahtarlarına ait anahtarlama geçişleri. .................................. 37
Şekil 5.1. Sürekli zaman PI kontrolörlü kapalı çevrim blok diyagramı. ................ 39
Şekil 5.2. Ayrık zaman PI kontrolörlü kapalı çevrim blok diyagramı. .................. 40
Şekil 5.3. Programlanmış PI kontrolörlü kapalı çevrim blok diyagramı. .............. 41
Şekil 5.4. Yığılma önleyici ilaveli PI kontrolörlü kapalı çevrim blok diyagramı. . 42
Şekil 5.5. Simülasyon çalışmasına ait yığılma önleyicili kontrol devresi.............. 43
Şekil 5.6. KL=1, KP=50, KI=1 için kapalı çevrim sistem cevabı. .......................... 43
Şekil 5.7. KL=1, KP=100, KI=1 için kapalı çevrim sistem cevabı. ........................ 44
Şekil 5.8. KL=1, KP=100, KI=4 için kapalı çevrim sistem cevabı. ........................ 44
Şekil 5.9. KL=1, KP=185, KI=5,5 için kapalı çevrim sistem cevabı....................... 45
Şekil 5.10. Yüksüz başlangıç durumunda KL=1, KP=185, KI=5,5 için kapalı
çevrim sistem cevabı. ........................................................................... 45
Şekil 5.11. Kapalı çevrim kontrol sisteminin hesapladığı açı değerleri (a) Farklı
çıkış yükü, (b) Farklı giriş gerilimi. ..................................................... 46
Şekil 5.12. Denklem (3.12) ile hesaplanan δ değerleriyle PI kontrolörün
hesapladığı δ değerlerinin karşılaştırılması (a) Farklı çıkış yükleri,
(b) Farklı giriş gerilimleri..................................................................... 46
Şekil 5.13. 400V giriş gerilimi için kapalı çevrim cevabı (a) Yüksüz başlangıç,
(b) Yüklü başlangıç. ............................................................................. 47
Şekil 5.14. 400V giriş gerilimi için kapalı çevrim cevabı (a) %100 yük girişi,
(b) Çıkış akımının yükselme hızı. ........................................................ 48
Şekil 5.15. 400V giriş gerilimi için kapalı çevrim cevabı (a) %100 yük çıkışı,
(b) Çıkış akımının alçalma hızı. ........................................................... 48
ix
x
TABLOLAR LİSTESİ
Tablo 3.1. Simülasyon çalışmasına ait tasarım parametreleri. ............................... 26

Tablo 4.1. Prototipte kullanılan temel devre elemanları ve özellikleri. ................. 29
Tablo 5.1. Deneysel çalışmaya ait performans çıktıları. ........................................ 52
xi
ÖZET
Anahtar kelimeler: T-tipi üç seviyeli dönüştürücü, izole iki yönlü dönüştürücü, DA

güç aktarımı, yenilenebilir enerji, enerji depolama, elektrikli araç, daha elektrikli hava
aracı
İki yönlü dönüştürücüler enerji, otomotiv ve demiryolu, havacılık ve uzay, kesintisiz

güç kaynağı gibi çeşitli endüstrilerde enerjinin depolanmasında anahtar rol
üstlenmektedirler. İki yönlü dönüştürücüler için, endüstride, geleneksel topolojiler ve
bu topolojilerden türetilmiş iki seviyeli karma topolojilerin yanı sıra üç seviyeli
modern topolojiler de mevcuttur. Ancak mevcut topolojiler, maliyet, verimlilik ve
güvenilirlik açısından ele alındığında, her birinin kendine özgü eksiklikleri
bulunmaktadır.
Genel olarak endüstride yönelim iki seviyeli geleneksel topolojilerden üç seviyeli

modern topolojilere doğrudur. Uzun yıllar evirici, doğrultucu ve dönüştürücü
uygulamalarında, I-tipi olarak bilinen üç seviyeli nötr kenetlemeli (NPC) topolojiler
kullanılmıştır. Ancak maliyet ve güvenlik baskıları, endüstride I-tipi topolojinin
muadili olan ve T-tipi olarak bilinen, üç seviyeli T nötr kenetlemeli (TNPC)
topolojinin ortaya çıkmasını sağlamıştır. Bu çalışmada, son yıllarda evirici ve
doğrultucu tasarımlarında başarılı bir şekilde uygulanan üç seviyeli T-tipi topoloji
kullanılarak, simetrik yapıda, kontrolü kolay, düşük maliyetli, yüksek verim ve
güvenilirlikli bir izole, çift yönlü DA-DA dönüştürücünün analizi, simülasyonu,
deneysel çalışması ve kapalı çevrim kontrolü sunulmuştur.
Bu çalışmada, öncelikli olarak iki yönlü DA-DA dönüştürücülerin uygulama

alanlarına değinilmiştir. Ardından, literatürde karşılaşılan topolojiler ve mevcut
modülasyon yöntemleri sunulmuştur. Devamında, önerilen topolojinin teorik
analizinin yanı sıra sürekli hal gerilim kazancı, güç aktarım karakteristiği ve güç
aktarımında kritik öneme sahip kaçak endüktansın bağıntıları türetilmiştir. Simülasyon
çalışmasında, teorik analizde elde edilen çıktıların doğrulanması yapılmış ve
dönüştürücüde kullanılan devre elemanlarının gerilim dalga şekilleri analiz edilmiştir.
Deneysel çalışmada 2kW gücünde bir prototip kullanılarak, teori ve simülasyon
aşamasındaki analizler doğrulanmıştır. Bu bağlamda dönüştürücünün giriş gerilim ve
güç aktarım karakteristiği incelenmiş ve %20-%100 arası yük koşullarında elde edilen
verim sonuçları paylaşılmıştır. Son olarak, dönüştürücünün kapalı çevrim kontrolü,
simülasyon yardımıyla elde edilen kontrolör katsayıları kullanılarak, bir DSP ile ayrık
zamanlı olarak gerçekleştirilmiştir. Dönüştürücünün kapalı çevrim performansı ise en
kötü koşullar dikkate alınarak doğrulanmıştır.
xii
THREE LEVEL T-TYPE ISOLATED BIDIRECTIONAL DC-DC
CONVERTER DESIGN AND REAL-TIME APPLICATION
SUMMARY
Keywords: T-type three-level converter, isolated bi-directional converter, DC power
transfer, renewable energy, energy storage, electric vehicle, more electric aircraft
Bi-directional converters play a key role in the storage of energy in various industries
such as energy, automotive and railway, aviation and space, uninterruptible power
supply. For bi-directional converters, there are also three-level modern topologies in
the industry, as well as traditional topologies and two-level hybrid topologies which
are derived from those topologies. However, when available topologies are considered
in terms of cost, efficiency and reliability, each has its own specific deficiencies.
Generally, tendency in the industry is towards from two-level traditional topologies to

three-level modern topologies. For many years, three-level neutral point clamped
(NPC) known as I-type has been used in inverter, rectifier, and converter applications.
However, cost and reliability pressures have led to the emergence of a three-level T
neutral point clamped (TNPC) topology, known as the T-type, which is equivalent to
the I-type topology in the industry. In this study, analysis, simulation, experimental
study and closed-loop control of an isolated bidirectional DC-DC converter which is
symmetrical, easy to control, low cost, highly efficient and reliable have been
presented by using three level T-type topology that successfully applied in inverter and
rectifier design in recent years.
In this study, application areas of bi-directional DC-DC converters have been

addressed initially. Then, the topologies encountered in the literature, and current
modulation methods have been presented. Afterwards, steady state voltage gain, power
transfer characteristic and formulation of leakage inductance, which is critical in power
transfer, have been derived as well as the theoretical analysis of proposed topology. In
the simulation study, theoretical results have been verified and voltage waveforms of
the circuit elements used in converter have been analyzed. In the experimental study,
analyses in the theoretical and simulation phases have been verified using the 2kW
prototype. In this context, input voltage and power transfer characteristics of the
converter have been examined and the obtained efficiency results in the load
conditions between 20% and 100% have been shared. Finally, closed loop control of
converter has been performed in discrete time with a DSP, using the controller
coefficients obtained by the help of the simulation. Closed loop performance of the
converter has been verified by considering the worst cases.
xiii
BÖLÜM 1. GİRİŞ
Son yüzyılda, teknolojideki gelişmelere paralel olarak, enerji ihtiyacı her alanda
önemli ölçüde artmıştır. Artan bu enerji ihtiyacının karşılanması için, mevcut
kaynakların kısıtlı oluşu ve çevre üzerindeki olumsuz etkileri göz önüne alındığında,
yeni ve temiz enerji kaynaklarının, enerji altyapısına dahil edilmesi ve üretilen
enerjinin verimli kullanılması zorunlu hale gelmiştir. Bu durum elektrik enerjisi
özelinde ele alındığında, elektrik üretiminin rüzgâr, güneş gibi çevreci kaynaklar
kullanılarak gerçekleştirilmesiyle ve üretilen elektriğin depolanarak verimli
kullanılmasıyla sağlanabilir. Bunun yanı sıra taşımacılık alanında, akaryakıt temelli
tahrik sistemlerinden elektrik temelli tahrik sistemlerine geçiş, bu alanın çevreye olan
olumsuz etkilerini azaltmakla birlikte enerjinin depolanmasına ve enerji maliyetlerinin
azalmasına da imkân sağlamaktadır. Ayrıca, elektrik temelli tahrik sistemleri ile
çalışan dinamik sistemlerin yavaşlaması esnasında ortaya çıkan frenleme enerjisi,
ihtiyaç halinde kullanılmak üzere depolanarak enerji sarfiyatı azaltılabilir ve bu
sistemlerin daha verimli kullanılması sağlanabilir. Bahsi geçen gereksinimlerden
dolayı ortaya çıkan, elektrik enerjisinin depolanması ve geri kullanılması ihtiyacı, çift
yönlü güç akışı kavramını doğurmuştur. Elektrik enerjisi, yaygın olarak batarya
ve/veya süper kapasitörden oluşan DA temelli enerji depolama biriminde (EDB)
depolanır. Elektrik enerjisinin depolanabilmesi ve geri kullanılabilmesi için gerekli
olan çift yönlü güç akışı, sistemin DA barası ile EDB’si arasında konumlandırılan iki
yönlü DA-DA dönüştürücüler (BDC) ile sağlanmaktadır. BDC’lerin sahip olduğu iki
yönlü güç aktarma kabiliyeti, son yıllarda akademide ve endüstride çokça çalışılan
konular arasına girmelerini sağlamıştır. Tez çalışmasının bu bölümünde, BDC’lerin
hangi endüstrilerde nasıl kullanıldığına dair birkaç örnek verilecektir.
2
1.1. Enerji Endüstrisi
Enerji endüstrisinde elektrik enerjisinin büyük bir kısmı petrol, doğal gaz, kömür gibi
fosil kökenli kaynaklardan karşılanıyorken, bir kısmı da hidrolik, jeotermal, nükleer
gibi kaynaklardan karşılanmaktadır. Bunun yanı sıra, son yıllarda rüzgâr, güneş gibi
yenilenebilir enerji kaynaklarının (YEK) kullanımı önemli ölçüde artmıştır [1]. Fakat,
YEK’lerin dalgalı doğası, enerji arzında olmazsa olmaz olan enerji kararlılığı
açısından sorun teşkil etmektedir. Bu sebeple YEK’ler, kararlı enerji talebini
karşılayabilmek için EDB gibi ilave alt birimlere ihtiyaç duymaktadırlar [2]. Şekil
1.1.’de batarya ve süper kapasitörden oluşan EDB’ye sahip bir YEK sistemi verilmiştir
[3]. Burada YEK’lerin ürettikleri enerji, sistemin DA barasına aktarılır. Eğer,
YEK’lerin ürettikleri enerji, şebeke tarafından talep edilen enerjiden fazla ise, talep
fazlası enerji BDC dönüştürücüler vasıtası ile EDB’de depolanır. YEK’lerin
üretebildiği enerji, şebeke tarafından talep edilen enerjiden az olduğu durumlarda ise,
EDB’de depolanan enerji, BDC dönüştürücüler vasıtasıyla DA baraya aktarılarak,
enerji kararlılığının sağlanması hedeflenmektedir.
RÜZGAR = ŞEBEKE
TÜRBİNİ ANA
İNVERTER
GÜNEŞ
PANELİ
= = MİKRO
TÜRBİN
YAKIT = ŞARJ
DA BARA
AA BARA
HÜCRESİ
= İSTASYONU
SÜPER
KAPASİTÖR
= YERLEŞİK YÜKLER
BATARYA =
Şekil 1.1. Hibrit yenilenebilir enerji blok diyagramı [3].
1.2. Otomotiv ve Demiryolu Endüstrisi
İçten yanmalı motorların (İYM) oluşturduğu çevre kirliliği ve akaryakıt fiyatlarındaki

artış, otomotiv ve demir yolu endüstrisini daha ekonomik ve çevreci çözümler bulmaya
zorlamaktadır. Bu nedenle, mümkün mertebe, içten yanmalı motor tahrik sisteminden,
güç elektroniği tabanlı elektrikle tahrik sistemine geçilmesi elzemdir. Ayrıca, otomotiv
3
ve demir yolu araçlarının frenlemesi esnasında ortaya çıkan frenleme enerjisinin geri
kullanılmak üzere depo edilmesi, akıllıca olacaktır. Şekil 1.2.’de EDB olarak süper
kapasitör ve batarya içeren bir elektrikli araca ait sistemin blok diyagramı verilmiştir.
Aracın yavaşlaması esnasında ortaya çıkan frenleme enerjisi ve şarj sırasındaki
elektrik enerjisi DA baradan EDB’ye doğru aktarılır. Aracın hızlanması esnasında ise
EDB’de depolan enerji DA baraya geri aktarılır. Bu işlem, DA bara ile yedekleme
ünitesi arasında iki yönlü güç akışını sağlayan bir BDC dönüştürücü ile
gerçekleştirilmektedir [4].
ŞEBEKE DA BARA
= = EM
TK
SÜPER
KAPASİTÖR
= YAKIT
TANKI
İYM
BATARYA = = ELEKTRONİK
YÜKLER
Şekil 1.2. Elektrikli araç blok diyagramı [4].
1.3. Havacılık ve Uzay Endüstrisi
Havacılık ve uzay endüstrisinde, maliyet baskısı ve atık gazların ekosistem üzerindeki

olumsuz etkisi, ağır ve hacimli mekanik güç sistemlerinden, daha hafif ve çevreci olan
elektrikli güç sistemlerine geçişi zorunlu kılmaktadır. Bu sebeple, havacılık ve uzay
endüstrisinde hidrolik, mekanik ve pnömatik gibi güç sistemleri yerine, ağırlıklı olarak
güç elektroniği tabanlı elektrikli güç sistemleri kullanılmaya başlanmıştır [5]. Bu
durum, havacılık ve uzay endüstrisinde daha elektrikli hava aracı (More Electric
Aircraft -MEA) yaklaşımının ortaya çıkmasına sebep olmuştur. Bu yaklaşım ile, daha
fazla yakıt tasarrufu ve daha az emisyonun yanı sıra, daha ekonomik, daha hafif ve az
bakım gerektiren güvenilir sistemlere ulaşılmaktadır. Şekil 1.3.’te MEA güç sistemine
ait blok diyagramı gösterilmiştir [6]. Burada, hava aracının ihtiyaç duyduğu başlangıç
enerjisi, geleneksel jeneratör yerine, batarya ve/veya süper kapasitörden oluşan
EDB’den karşılanır [7]. Enerji, başlangıç anında BDC dönüştürücü vasıtası ile
depolama sisteminden DA baraya doğru aktarılır. Hava aracı normal çalışmasına
başladıktan sonra marş jeneratörü üzerinden DA baraya aktarılan enerji, BDC
dönüştürücü vasıtası ile EDB’de depolanır.
4
DA BARA
SÜPER
KAPASİTÖR
= = MJ
= AA
YÜKLER
BATARYA = = DA
YÜKLER
Şekil 1.3. Daha elektrikli hava aracı (MEA) [6].
1.4. Kesintisiz Güç Kaynağı (KGK) Endüstrisi
Modern yaşamın ve endüstrinin her alanında sıkça kullanılan KGK’ların, şebeke

kesintisi veya dalgalanması gerçekleştiğinde, sistemdeki kritik yükleri makul bir süre
boyunca besleyebilmesi gerekmektedir. Bu amaç için KGK’larda, Şekil 1.4.’te
gösterildiği gibi, batarya ve/veya süper kapasitörlerden oluşan bir EDB mevcuttur [8].
Şebekede kesinti gerçekleştiğinde, elektrik enerjisi EDB’den yüke doğru aktarılırken,
şebeke geri geldiğinde ise, elektrik enerjisi, bir sonraki şebeke kesintisinde
kullanılmak üzere EDB’de depolanır. Bu iki yönlü güç akışı, kesintisiz güç kaynağının
DA barası ile enerji depolama birimi arasına yerleştirilen bir BDC dönüştürücü ile
sağlanmaktadır.
ŞEBEKE
= = AA
YÜK
JENERATÖR
GÜÇ PAYLAŞIMI
= =
BATARYA SÜPER
KAPASİTÖR
Şekil 1.4. Kesintisiz güç kaynağı blok diyagramı [8].
BDC’ler, izolasyonlu ve izolasyonsuz olmak üzere iki sınıfta incelenirler.

İzolasyonsuz BDC’ler, izolasyonlulara göre daha basit ve daha verimli olmalarına
rağmen, birçok uygulamada, güvenlik ve standartlar açısından, galvanik izolasyon
5
zorunluluğu bulunmaktadır. İzole BDC’ler (IBDC), temel olarak bir transformatör ve

bu transformatörün her iki yanına konumlandırılmış anahtarlama elemanlarından
oluşur. Anahtarlama elemanları ise izole iki ayrı DA bara ile ilişkilendirilir. IBDC‘de
kullanılan anahtarlama elemanlarının topolojisine ve modülasyon yöntemine göre
trafodan aktarılan gücün yönü ve büyüklüğü kontrol edilerek, izole iki DA barası
arasındaki güç akışı kontrol edilir.
Bu tez çalışması altı bölümden oluşmaktadır. Bölüm 1’de BDC dönüştürücülerin

kullanıldığı bazı endüstri alanları verilmiştir. Bölüm 2 çalışmaya ait literatür özetini
ve tezin amacını içermektedir. Bölüm 3’te, iki yönlü güç aktarabilen yeni bir IBDC
önerilmiş ve önerilen dönüştürücünün teorik analizi ile simülasyon çalışmaları
verilmiştir. Teorik analiz, dönüştürücünün çalışma prensiplerini içeren sürekli hal
analizinin yanı sıra, gerilim kazancını, güç aktarım karakteristiğini ve güç aktarımında
kritik rol oynayan harici endüktansın hesaplamalarını içermektedir. Simülasyon
çalışmasında, PSIM programı kullanılarak, 2kW çıkış gücüne, 400V giriş ve çıkış
gerilimine sahip dönüştürücünün, teorik analiz neticesinde elde edilen bulgularının
doğrulaması yapılmıştır. Bölüm 4, önerilen dönüştürücünün açık çevrim deneysel
sonuçlarını içermektedir. Deneysel çalışmada, 400V giriş ve çıkış gerilimine sahip
dönüştürücünün, 2kW gücünde gerçek zamanlı prototipi üretilerek, teorik analiz ve
simülasyon çalışmaları sonucunda elde edilen bulguların doğrulanması amaçlanmıştır.
Bu bağlamda, dönüştürücünün gerilim kazancının ve güç aktarım karakteristiğinin
yanı sıra anahtarlama elemanlarının gerilim stresleri ve dalga şekilleri incelenmiştir.
Deneysel çalışmanın son kısmında, %20-%100 çıkış gücü aralığı için dönüştürücünün
verim analizi sunulmuştur. Bölüm 5, dönüştürücünün kapalı çevrim kontrolüne ait
deneysel çalışmalardan oluşmaktadır. Dönüştürücünün kapalı çevrim kontrolü, dijital
işaret işleyici (DSP) ile ayrık zamanlı olarak gerçekleştirilmiştir. Bölüm 6’da ise tez
çalışması neticesinde elde edilen çıktılar ve öneriler kısmı sunulmuştur.
BÖLÜM 2. LİTERATÜR ÖZETİ
Bu bölümde, IBDC dönüştürücülerde kullanılan topolojilere ve modülasyon

yöntemlerine dair literatür taraması yapılmıştır. Elde edilen bilgiler Topoloji
Çalışmaları ve Modülasyon Yöntemleri olmak üzere ayrı iki başlık altında verilmiştir.
2.1. Topoloji Çalışmaları
Literatürde flyback, forward, cuk gibi temel dönüştürücülerden türetilmiş izole, iki
yönlü topolojilerin yanı sıra half bridge (HB), full bridge (FB) gibi topolojiler ve
bunların türevleri olan iki seviyeli (2L) karma topolojiler de mevcuttur. Literatürde
ayrıca yüksek güçlü uygulamalar için üç fazlı (3P), üç seviyeli (3L) ve çok uçlu (MP)
topolojilere sahip çalışmalarla da karşılaşılmıştır.
2.1.1. Geleneksel dönüştürücülerden türetilmiş IBDC topolojiler
Chung ve ark. geleneksel tek yönlü flyback dönüştürücüde, çıkış diyotu yerine
kontrollü bir anahtar koyarak, iki yönlü güç akışına müsaade eden bir dönüştürücü
geliştirmiştir [9]. Mukhtar ve Lu ise izole ikili flyback yapıda bir DA-DA dönüştürücü
önermiştir. Bu iki yazar, birleşik yapılı bastırma hücresi kullanarak dönüştürücünün
verimini yükseltmeyi amaçlamıştır [10]. Kashif’in yaptığı bir çalışmada ise hibrit
elektrikli araçlarda, iki yönlü güç akışını sağlamak için tasarlanan, ikili flyback
dönüştürücünün çalışma prensipleri izah edilmiş, simülasyon programı ile model
tabanlı analizi yapılmış ve ileri-geri güç akış sonuçları raporlanmıştır [11].
Shagerdmootaab ve ark. yaptığı bir çalışmada, kapasitif yükler için, yüksek çevirme
oranlı, izole, ikili flyback yapıda bir dönüştürücü sunulmuştur [12]. Zhang ve Yan’ın
bir çalışmasında ise geleneksel forward ve flyback topolojiler, hibrit bir yapıda
sunulmuştur [13]. Diab-Marzouk ve Trescases yaptıkları çalışmada, solar uçaklar için
SiC tabanlı, ikili cuk yapıda bir BDC dönüştürücü sunmuşlardır [14]. Li ve ark.
7
tarafından yapılan bir başka çalışmada ise aktif bastırma hücreli ikili cuk
dönüştürücünün tasarımı ve uygulaması verilmiştir [15]. Aboulnaga ve Emadi,
yaptıkları çalışmada simetrik yapıda, yüksek güç yoğunluklu, iki yönlü, izole bir cuk
dönüştürücünün tasarımını sunmuşlardır [16].
2.1.2. 2L IBDC topolojiler
Li ve ark.’nın yaptığı bir çalışmada, hibrit elektrikli araçlarda kullanılmak üzere, ikili
HB yapıda bir IBDC dönüştürücü sunulmuştur [17]. Fan ve Li ise ikili HB topoloji
kullanarak, katı hal trafoları için, seri girişli, paralel çıkışlı, 20kVA gücünde, yüksek
frekanslı, galvanik izolasyonlu, iki yönlü güç akışı sağlayabilen bir dönüştürücü
tasarlamışlardır [18]. Xiangli ve ark. tarafından yapılan bir çalışmada, ikili HB
topolojinin küçük işaret modeli çıkartılarak, bağımsız kontrolünü içeren bir yöntem
sunulmuştur [19]. Jain ve ark. kesintisiz güç kaynakları için primer tarafında HB,
sekonder tarafında akım beslemeli push-pull topoloji içeren, izole, iki yönlü bir DA-
DA dönüştürücünün tasarımını yapmıştır [20]. Xuewei ve Kumar ise fotovoltaik
temelli yenilenebilir enerji sistemleri için, FB topoloji kullanarak, şebeke bağlantılı bir
evirici geliştirmişlerdir. Eviricinin, EDB ile bağlantısı, primerinde akım beslemeli
push-pull, sekonderinde ise HB topoloji bulunan, iki yönlü, izole DA-DA
dönüştürücüyle sağlanmıştır [21]. Zhang ve ark. tarafından yapılan bir çalışmada,
primerinde push-pull-forward, sekonderinde HB topolojiye sahip, iki yönlü, izole bir
DA-DA dönüştürücünün tasarımı sunulmuştur [22]. Roggia ve ark. mikroşebeke
uygulamalarında kullanılmak üzere, izole, iki yönlü bir dönüştürücünün tasarımını
yapmışlardır. Bu tasarımda, primerde FB, sekonderde forward topoloji içeren karma
bir yapı üzerinde çalışılmıştır [23]. Wang ve ark. primerinde akım beslemeli L tipi HB,
sekonderinde ise gerilim beslemeli FB topoloji içeren, pasif bastırma hücreli bir
dönüştürücünün yanı sıra primerinde akım beslemeli FB, sekonderinde gerilim
beslemeli FB topoloji içeren, aktif bastırma hücreli bir dönüştürücünün gerçek zamanlı
uygulamasını yapmıştır. Ayrıca makalede, bu iki topolojinin karşılaştırmalı sonuçları
da verilmiştir [24].
Literatürde en çok çalışma yapılan topoloji, Dual Active Bridge (DAB) olarak da
bilinen, ikili FB yapıya sahip IBDC dönüştürücüdür. Chan ve ark., DAB IBDC
8
dönüştürücünün güç aktarım kapasitesini iyileştirmek için çalışmalar yapmıştır. Bu

çalışmada, tasarlanan dönüştürücünün teorik analizi ve deneysel sonuçları da
verilmiştir [25]. Inoue ve Akagi ise ikili FB DA-DA dönüştürücüyü, galvanik
izolasyon gerektiren enerji depolama sistemlerine uygulamıştır. Çalışmada teorik
hesaplamalar ve deneysel sonuçlar raporlanmıştır [26]. Kan ve ark. immitans ağ
tabanlı, gerilim beslemeli IBDC dönüştürücü üzerinde çalışmıştır. Bu çalışma
sonunda, immitans ağ tabanlı dönüştürücünün, geleneksel dönüştürücüye göre daha
yüksek verimli olduğu raporlanmıştır [27].
2.1.3. 3P IBDC topolojiler
Literatür taramasında, üç fazlı IBDC dönüştürücülere ait topolojiler de araştırılmıştır.

Xuewei ve Rathore üç fazlı bir dönüştürücü üzerinde çalışmıştır. Bu çalışmada, aktif
ve/veya pasif bastırma hücresine ihtiyaç duymayan, doğal kenetlemeli olarak
çalışabilen bir dönüştürücünün analizi ve deneysel sonuçları raporlanmıştır [28].
Kwon ve ark. üç fazlı, primerinde push pull, sekonderinde FB topolojiye sahip bir
IBDC dönüştürücü tasarlamıştır. Bu çalışmada, dönüştürücünün kontrolü için yeni bir
asimetrik, ikili darbe genişlik modülasyonu önerilmiştir [29]. Baars ve ark. üç fazlı,
primeri ve sekonderi gerilim beslemeli FB topolojiyi demir yolu endüstrisine
uygulamıştır. Bu çalışmada, 80kW gücünde, üç fazlı, izole, iki yönlü bir
dönüştürücünün analizi ve gerçek zamanlı uygulaması yapılmıştır [30]. Wang ve Li
tarafından yapılan bir çalışmada, geniş gerilim aralığında yüksek verime sahip, üç
fazlı, akım beslemeli, izole, iki yönlü FB topoloji içeren bir dönüştürücünün analizi ve
deneysel sonuçları raporlanmıştır [31]. Waltrich ve ark. elektrikli araçlar için
primerinde paralel tek fazlı üç FB, sekonderinde ise üç fazlı FB topoloji içeren bir
çalışma yapmıştır. Bu çalışmada, dönüştürücünün teorik analizi ve simülasyon
çalışmasının yanı sıra, 20kW gücünde bir prototip kullanılarak elde edilen deneysel
sonuçlar raporlanmıştır [32].
2.1.4. MP IBDC topolojiler
Literatürde farklı DA kaynaklarının ortak etkileşimi için çok uçlu, izole, iki yönlü DA-
DA dönüştürücüler mevcuttur. Tao ve ark. üç uçlu, üçlü HB topolojiye sahip bir
9
dönüştürücü üzerinde çalışmıştır. Bu çalışmada, dönüştürücü, üç sargılı trafonun

primerinde gerilim beslemeli ve akım beslemeli HB, sekonderinde ise HB topoloji
olacak şekilde dizayn edilmiştir [33]. Jakka ve ark. üç uçlu dönüştürücüyü, iki farklı
trafo kullanarak gerçekleştirmiştir. Yapılan çalışmada dönüştürücü, her bir trafonun
primeri bir giriş ucuna karşılık gelmek üzere, bağımsız iki FB topolojiden oluşacak
şekilde tasarlanmıştır. Trafoların sekonderleri ise üç fazlı FB topoloji kullanılarak çıkış
ucuna bağlanmıştır [34]. Zhang ve ark. enerji depolama birimi olarak yakıt hücresi ve
süper kapasitör içeren bir kesintisiz güç kaynağı için iki trafolu, üç uçlu bir
dönüştürücü tasarlamıştır. Bu çalışmada, yakıt hücresi ve süper kapasitörün bağlandığı
giriş uçları için hibrit yapıda bir HB-FB topoloji önerilmiştir. Çıkış ucu ise trafoların
sekonderleri seri bağlanarak HB topoloji ile gerçekleştirilmiştir [35]. Karthikeyan ve
Gupta çalışmalarında çok uçlu bir dönüştürücü önermiştir. Bu çalışmada amaçlanan
dönüştürücü iki katmandan oluşmaktadır. Birinci katman, çok girişli sistemler için,
seri bağlı, izolasyonsuz alçaltıcı-yükseltici topolojiden, ikinci katman ise izole, ikili
aktif FB topolojiden oluşmaktadır. İki katman birbirine seri olarak bağlanmıştır [36].
2.1.5. 3L IBDC topolojiler
Literatür taramasında 3L topolojiler de araştırılmıştır. Sha ve ark. primerinde 2L akım

beslemeli FB, sekonderinde ise 3L I-tipi HB topoloji üzerinde çalışmıştır. Bu
çalışmada, dönüştürücünün modülasyonunda DCSR ve PPS yöntemleri kullanılarak
modülasyon yöntemlerinin karşılaştırılması yapılmış ve sonuçlar deneysel olarak
raporlanmıştır [37]. Karanki ve Xu, şebeke bağlantılı bir enerji depolama birimi için,
primerinde 2L FB, sekonderinde 3L I-tipi HB topoloji içeren IBDC dönüştürücü
tasarlamıştır [38]. Sha ve ark. yaptığı bir çalışmada ise, primerinde 3L I-tipi HB,
sekonderinde akım beslemeli FB dönüştürücü barındıran bir topolojinin, çalışma
prensiplerini içeren mod analizi ve deneysel sonuçları raporlanmıştır. Bu çalışmada
dönüştürücünün sirkülasyon akımlarını azaltmak için, çift darbe genişlik ve faz
kaydırma yöntemi birlikte kullanılmıştır [39]. Wang ve ark. 3L I-tipi, ikili HB
topolojiye sahip bir dönüştürücünün, çift faz kaydırma yöntemi ile kontrolünü içeren
bir çalışma sunmuştur [40]. Filba-Martinez ve ark. 3L I-tipi, ikili FB topolojiye sahip
bir çalışma yapmışlardır. Bu çalışmada, 3L anahtar kombinasyonunda, kenetlenme
elemanı olarak diyot yerine mosfet kullanılmıştır [41]. Burkart ve Kolar, primeri 3L
10
T-tipi FB, sekonderi 2L FB içeren dönüştürücü ile geleneksel ikili aktif köprünün
karşılaştırmasını içeren bir çalışma yapmıştır. Çalışmada Si ve SiC tabanlı yarıiletken
anahtarlar kullanılmıştır [42]. Shen ve ark. HB, FB ve T-tipi içeren karma bir topoloji
ile, dar gerilim kazanç aralığına sahip dönüştürücülerin, kazanç aralığının artırıldığını
raporlamıştır. Çalışmada, yapılan analizler deneysel sonuçlar ile doğrulanmıştır [43].
Sfakianakis ve ark. primeri FB, sekonderi FB, karma HB T-tipi ve karma HB I-tipi
topoloji içeren, üç farklı dönüştürücünün analizini yaparak, birbirlerine göre avantaj
ve dezavantajlarını sunmuştur [44].
2.2. Modülasyon Yöntemleri
Modülasyon yöntemleri, iki yönlü güç aktarımının en önemli araştırma alanlarından

biridir. Literatürde karşılaşılan farklı topolojiler için farklı modülasyon yöntemleri
kullanılmasına rağmen, bütün yöntemler temelde üç adet modülasyon yönteminden
türetilmiştir. Bu nedenle, modülasyon yöntemleri ile ilgili literatür araştırmasında
Şekil 2.1.’de verilen, ikili aktif köprü DA-DA dönüştürücünün temel modülasyon
yöntemleri üzerinde durulacaktır. Şekil 2.1.’de, δ köprüler arası faz farkını, δ𝑖 ve δ𝑜
ise köprü içi çapraz bağlı anahtar çiftlerinin faz farkını ifade etmektedir.
S3 S1 Q1 Q3
a Llk c' c
Vi C1 C2 Vo
b d
d' Tr
S4 S2 Q2 Q4
δi δo
Şekil 2.1. İkili aktif köprü DA-DA dönüştürücü.
2.2.1. Sadece faz kaydırmalı modülasyon (SPS)
Bu modülasyon yönteminde çapraz bağlı anahtar çiftlerinin anahtarlama sinyalleri her

iki köprüde aynı faza ve %50 çalışma oranına sahiptirler. Yani köprü içi çapraz bağlı
anahtar çiftleri aynı zamanda, dikey bağlı anahtar çiftleri ise tümleyici zamanda
11
anahtarlanır. SPS modülasyonunda kontrol büyüklüğü olarak, sadece köprüler arası

faz farkı (δ) kullanılır. Köprüler arası faz farkı kontrol edilerek, kaçak endüktansın
uçları arasındaki gerilim (VLlk) genliği ve fazı, dolayısı ile aktarılan gücün değeri ve
yönü değiştirilir. Eğer 𝑉𝑎𝑏 geriliminin fazı, 𝑉𝑐𝑑 geriliminin fazından ileride ise net güç
akışının yönü birinci köprüden ikinci köprüye doğrudur. Eğer 𝑉𝑎𝑏 geriliminin fazı, 𝑉𝑐𝑑
geriliminin fazının gerisinde ise net güç akışının yönü, ikinci köprüden birinci köprüye
doğrudur. Dolayısı ile δ’nın işareti değiştirilerek güç akış yönü değiştirilir. Bir yönde
aktarılan gücün değeri ise iki köprü arasındaki faz farkının değeri değiştirilerek kontrol
edilir [45,46].
2.2.2. Genişletilmiş faz kaydırmalı modülasyon (EPS)
EPS kontrol, SPS kontrolün geliştirilmiş halidir. EPS kontrolde, güç akış yönüne göre
bir köprüde yer alan, köprü içi çapraz bağlı anahtar çiftlerinin anahtarlama sinyalleri,
aynı faza ve %50 çalışma oranına sahiptir. Diğer köprüde, köprü içi çapraz bağlı
anahtar çiftlerinin anahtarlama sinyalleri yine %50 çalışma oranına sahiptir, ancak
EPS’de, SPS’den farklı olarak, anahtarlama sinyalleri arasına bir faz farkı yerleştirilir
(δ𝑖 veya δ𝑜 ). Bu faz farkı, ikinci kontrol büyüklüğü olarak sisteme ilave edilir. Bu
durumda EPS kontrolde, kontrol büyüklüğü iki adettir [47–51].
2.2.3. İkili faz kaydırmalı modülasyon (DPS)
DPS kontrolde, her iki köprüde yer alan, köprü içi çapraz bağlı anahtar çiftlerinin
anahtarlama sinyalleri %50 çalışma oranına sahiptir. Burada farklı olarak her iki
köprüdeki çapraz bağlı anahtar çiftlerinin sürme sinyalleri arasına, eşit değerde
(δ𝑖 = δ𝑜 ) bir faz farkı yerleştirilir. EPS kontrolde olduğu gibi DPS kontrolde de
kontrol büyüklüğü iki adettir [45,52].
2.2.4. Üçlü faz kaydırmalı modülasyon (TPS)
TPS kontrolde, DPS kontrolden farklı olarak, her bir köprüde yer alan köprü içi çapraz
bağlı anahtar çiftleri arasına yerleştirilen faz farkı birbirine eşit değildir (δ𝑖 ≠ δ𝑜 ). Her
iki köprünün köprü içi faz açıları birbirinden bağımsız olarak kontrol edilir. Burada δ𝑖
12
birinci köprüye ilişkin köprü içi faz farkı, δ𝑜 ikinci köprüye ilişkin köprü içi faz farkı,
δ ise köprüler arası faz farkıdır. TPS kontrolde köprü içi faz farkları ayrı ayrı kontrol
edildiğinden, toplam kontrol büyüklüğü üç tanedir. Bu durum, uygulama açısından
bakıldığında, TPS kontrolün en zor kontrol yöntemi olduğunu göstermektedir [53–55].
2.3. IBDC Dönüştürücülerde Yol Haritası
Endüstride, doğrultucu ve evirici uygulamaları için yönelim, iki seviyeli topolojilerden

üç seviyeli topolojilere doğrudur. Anahtarlama kayıpları açısından bakıldığında,
kullanılan yarı-iletkenin gerilim stresi yarıya düştüğünde, anahtarlama kaybı enerjisi
3-5 kat azalmaktadır. Bu nedenle, gerilim stresinin yarıya düşürüldüğü 3L
topolojilerde, 2L topolojilere göre %40-%60 daha az anahtarlama kaybı meydana
gelir. Bunun yanı sıra, anahtar gerilim stresinin azalmasına bağlı olarak iletim
kayıpları da önemli ölçüde azalmaktadır. 3L topolojilerde anahtarlama kayıplarının az
oluşu, daha yüksek anahtarlama frekanslarında çalışmayı mümkün kılmaktadır. Bu
durum daha küçük ebatlı pasif elemanların kullanımına olanak sağlamaktadır. 3L
topolojilerde kullanılan anahtar sayısının, 2L topolojilere göre fazla olması, başlangıç
maliyetinin daha yüksek olacağı anlamına gelmesine rağmen, pasif elemanların
ebatlarındaki azalma sistemin üretim maliyetini aşağı çekmektedir. Ayrıca,
anahtarlama kayıplarının düşük olması, kullanılan yarı-iletken elemanlar üzerinde
oluşan ortalama sıcaklığı düşürerek, sistemin bütünündeki arıza oranını azaltmakta ve
dolayısıyla sistemin güvenilirliğini ve verimini artırmaktadır. Bu durum, endüstriyel
bir tasarımda geri dönüş maliyetlerini de önemli ölçüde azaltmaktadır. Ayrıca, 3L
topolojiler daha az harmonik kayıplara sebep olduğu için filtre elemanlarının
ebatlarında önemli ölçüde azalma sağlamaktadırlar. Sonuç olarak 3L topolojilerin,
maliyet, verim ve güvenilirlik açısından bakıldığında 2L rakiplerine göre daha
avantajlı olduğu söylenebilir [56].
Üç seviyeli topolojilerde ilk olarak, nötr noktası kenetlemeli (NPC) olarak da bilinen,
I-tipi topoloji kullanılmıştır. Ardından, T nötr noktası kenetlemeli (T-NPC) olarak
bilinen, T-tipi topolojiler kullanılmaya başlanmıştır. I-tipi, iki diyot ve dört anahtardan
oluşan altı anahtarlı bir yapıya sahip iken, T-tipi, dört anahtardan oluşan bir yapıya
sahiptir. Bu nedenle I-tipi, T-tipine göre her bir iletim yolunda fazladan bir diyot olmak
13
üzere, toplamda iki diyot barındırdığı için I-tipinin iletim kayıpları daha yüksektir
[57,58]. Ayrıca I-tipinde, T-tipine göre fazladan iki diyot bulunması, T-tipinin maliyet
açısından daha avantajlı olmasını sağlar [59,60]. Anahtar gerilim stresleri açısından
bakıldığında, T-tipinde iki anahtar bara gerilimine maruz kalırken, diğer iki anahtar
bara gerilimin yarısına maruz kalmaktadır. I-tipinde ise, tüm anahtarlar bara gerilimin
yarısına maruz kalmaktadır. Daha düşük anahtar gerilimi, daha düşük anahtarlama
kaybına sebep olmasına rağmen, evirici ve doğrultucu topolojileri üzerinde yapılan
verim araştırmasında, özellikle belli bir frekans aralığında, toplam kayıplar, T-tipinde
daha az gerçekleşmektedir [61]. Diğer yandan, I-tipi topoloji barındıran evirici ve
doğrultucularda, kısa devre gibi hata durumunda, seri bağlı anahtarlar koruma amaçlı
olarak aynı anda kapatılmak istendiğinde, anahtarlar üzerinde geçici olarak eşit
paylaşılmamış blokaj gerilimi meydana gelebilir. Bu durum seri anahtar yapısındaki I-
tipinde, yüksek gerilime maruz kalan anahtarın arızalanmasına sebep olmaktadır. Bu
istenmeyen etki T-tipinde oluşmadığı için, T-tipi daha güvenilirdir [62,63]. Temel
olarak, 3L T-tipi, düşük iletim kayıpları ve az devre elemanı sayısı gibi, 2L topolojinin
avantajlarının yanı sıra 3L I-tipinin de avantajlarını birleştirmektedir [64]. Sonuç
olarak T-tipi, toplam verim, maliyet, güvenilirlik, simetrik kayıp dağılımı, düşük
harmonik kirliliği, daha az tahrik sinyali ve kontrol kolaylığı bakımından
değerlendirildiğinde, I-tipine göre daha üstündür [65].
2.4. Tezin Amacı
İki yönlü izole DA-DA dönüştürücüler için yapılan literatür taramasında geleneksel
dönüştürücülerden türetilmiş topolojilerin yanı sıra, 2L topolojiler, 3L I-tipi topolojiler
ve bu topolojilerden oluşan karma topolojilerle karşılaşılmasına rağmen izolasyon
trafosunun her iki tarafında simetrik 3L T-tipi anahtar yapısına sahip bir topoloji ile
karşılaşılmamıştır. Bu çalışmada izolasyon trafosunun her iki tarafında simetrik yapıda
3L T-tipi topolojiden meydana gelen, 2L topolojilerin avantajlarını 3L topolojilerin
avantajlarıyla birleştiren, simetrik yapısı sayesinde kontrolü kolay olan, yüksek verim
ve güvenirliğe sahip düşük maliyetli yeni bir üç seviyeli T-tipi izole iki yönlü DA-DA
(3LTT-IBDC) dönüştürücünün kavramsal tasarımı sunulmuştur.
BÖLÜM 3. 3LTT-IBDC DÖNÜŞTÜRÜCÜNÜN ANALİZİ VE
SİMÜLASYONU
Bu bölümde, 3LTT-IBDC dönüştürücünün analizi ve simülasyon çalışmaları

sunulmuştur. Amaçlanan dönüştürücünün analizi verilirken, öncelikle devre topolojisi
ve modülasyon yöntemi anlatılmıştır. Devrenin modülasyon yöntemine göre, devre
elemanlarının karakteristik akım ve gerilim dalga şekilleri sürekli halde verilerek,
dönüştürücünün çalışma modları ve her bir moda ait eşdeğer devreleri sunulmuştur.
Ardından devre elemanlarının karakteristik akım ve gerilim denklemleri türetilmiştir.
Devre elemanlarının karakteristik akım ve gerilim denklemleri kullanılarak,
dönüştürücünün gerilim kazancı, güç aktarım karakteristiği ve güç aktarımında kilit
role sahip olan kaçak endüktansın, maksimum ve kritik değer bağıntıları türetilmiştir.
Son kısımda ise dönüştürücünün PSIM programıyla gerçekleştirilmiş simülasyon
çalışmasına yer verilmiştir.
3.1. 3LTT-IBDC Dönüştürücünün Analizi
3.1.1. Devre topolojisi
Amaçlanan dönüştürücü, Şekil 3.1.’de gösterildiği gibi, primerinde ve sekonderinde

simetrik yapıda 3L T-tipi topoloji barındıran yüksek frekanslı bir trafo (𝑇𝑟)
içermektedir. Dönüştürücü, trafonun kaçak endüktansına seri bağlı harici bir
endüktans (𝐿) barındırmaktadır. Tasarım kolaylığı açısından, güç aktarımı için
kullanılan ve 𝐿𝑙𝑘 olarak simgelenen bu harici endüktansa, Şekil 3.1.’de görüldüğü gibi,
trafonun kaçak endüktansı da dahil edilmiştir. 𝐶1 ve 𝐶2 kondansatörlerinin orta noktası
(𝑏), primer devresinin kenetlenme noktasıdır ve bu kapasitörlerin gerilim değerleri,
giriş geriliminin (𝑉𝑖 ) yarısına eşittir. Benzer durum sekonder devresi için de geçerlidir.
𝐶3 ve 𝐶4 kondansatörlerinin orta noktası (𝑑), sekonder devresinin kenetlenme
noktasıdır ve bu kapasitörlerin gerilim değerleri de, çıkış geriliminin (𝑉𝑜 ) yarısına
eşittir. Giriş ve çıkış DA gerilimleri, dönüştürücüde kullanılan modülasyon yöntemine
15
bağlı olarak, 𝑎-𝑏 ve 𝑐-𝑑 noktalarında, üç seviyeli yüksek frekanslı AA gerilimlere

dönüştürülür. Dönüştürücüde yer alan 𝑆1 , 𝑆2 , 𝑄1, 𝑄2 anahtarları ana güç aktarma
anahtarları, 𝑆3 , 𝑆4 , 𝑄3 , 𝑄4 anahtarları ise yardımcı anahtarlardır [66].
C1 S1 Q1 C3
a Llk c' c
Vi Vo
S3 S4 Q4 Q3
b d
d' Tr
C2 S2 Q2 C4
Şekil 3.1. 3LTT-IBDC dönüştürücünün şeması [66].
3.1.2. Modülasyon yöntemi
İki yönlü dönüştürücülerde güç aktarımı, anahtarların çalışma oranı ve/veya köprüler
arası faz farkı (faz kaydırma oranı) değiştirilerek kontrol edilir. Kolaylık olması
açısından bu çalışmada, anahtarların çalışma oranı sabit tutularak, köprüler arası faz
farkı değiştirilmek suretiyle güç aktarımı sağlanmıştır. Bu nedenle, Şekil 3.2.’de
gösterildiği gibi ana anahtarların çalışma oranı %50 den küçük, yardımcı anahtarların
çalışma oranı ise %50’ye eşit ve sabit bir değerde seçilmiştir. Aktarılan gücün yönü ve
büyüklüğü, primer ve sekonder köprüleri arasındaki faz kaydırma oranının (δ) işareti
ve değeri değiştirilerek kontrol edilmiştir. Eğer primer köprü geriliminin (𝑉𝑎𝑏 (𝑡)) fazı,
sekonder köprü geriliminin (𝑉𝑐𝑑 (𝑡)) fazından ileride ise net güç akış yönü primerden
sekondere doğrudur. Eğer 𝑉𝑎𝑏 (𝑡) gerilimin fazı, 𝑉𝑐𝑑 (𝑡) geriliminin fazından geride ise
net güç akış yönü sekonderden primere doğru olacaktır.
Şekil 3.2.’de, primer ve sekonder anahtarlarının sürme sinyalleri, (𝑥, 𝑦 = 1, 2, 3, 4)

𝑉𝐺 𝑆(𝑥 − 𝑦), 𝑉𝐺 𝑄(𝑥 − 𝑦) olarak; kaçak endüktansın uçları arasındaki çok seviyeli
gerilimi, 𝑣𝐿𝑙𝑘 (𝑡) olarak; ilgili anahtarların gerilimleri, 𝑣𝑆1 (𝑡), 𝑣𝑆3 (𝑡), 𝑣𝑄1 (𝑡), 𝑣𝑄3 (𝑡)
olarak; ilgili anahtarların akımları, 𝑖𝑆1 (𝑡), 𝑖𝑆3 (𝑡), 𝑖𝑄1 (𝑡), 𝑖𝑄3 (𝑡) olarak; ilgili çıkış
kondansatörünün akımı ise 𝑖𝐶3 (𝑡) olarak gösterilmiş ve dalga şekilleri çizilmiştir. Tüm
dalga şekilleri, dönüştürücünün sürekli halde çalıştığı kabulü altında verilmiştir.
16
VG S(1-2) (V) S1 S2
VG S(3-4) (V) S3 S4
VG Q(1-2) (V) Q1 Q2
VG Q(3-4) (V) Q3 Q4
(V i+nVo)/2
Vi/2 nVo/2
vLlk (t) (V) (V i-nVo)/2
-nVo/2 -Vi/2 -(V i-nVo)/2
-(V i+nVo)/2
iLlk (t) (A)
Vi/2
vab (t) (V)
-Vi/2
Vo/2
vcd(t) (V)
-Vo/2
nVo/2
vc'd' (t) (V)
-nVo/2
Vi/2 Vi
vS 1(t) (V)
Vi/2
vS 3(t) (V)
Vo
Vo/2
vQ1(t) (V)
Vo/2
vQ3(t) (V)
iS 1(t) (A)
iS 3(t) (A)
iQ1(t) (A)
iQ3(t) (A)
iC 3(t) (A)
D+δ-0,5 D+δ-0,5
0,5-D D-δ 0,5-D 0,5-D D-δ 0,5-D
t
t0 t1 t2 t3 t4 t5 t6 t7 t0
zaman(s)
Şekil 3.2. Amaçlanan dönüştürücüye ait devre elemanlarının akım ve gerilim dalga şekilleri.
𝑆1-𝑆2 ve 𝑆3 -𝑆4 anahtarlarının gerilim dalga şekilleri aynıdır, fakat aralarında 180° faz
farkı vardır. Aynı durum 𝑄1-𝑄2 ve 𝑄3 -𝑄4 anahtarları için de geçerlidir. Şekil 3.2.’den
görülebileceği gibi 𝑆1ve 𝑆2 anahtarlarının gerilim stresleri giriş gerilimine (𝑉𝑖 ) eşit
iken, 𝑆3 ve 𝑆4 anahtarlarının gerilim stresleri 𝑉𝑖 geriliminin yarısına eşittir. Benzer
şekilde 𝑄1ve 𝑄2 anahtarlarının gerilim stresleri çıkış gerilimine (𝑉𝑜 ) eşit iken, 𝑄3 ve 𝑄4
anahtarlarının gerilim stresleri 𝑉𝑜 geriliminin yarısına eşittir.
17
3.1.3. Sürekli hal çalışma prensibi
3LTT-IBDC üç ana çalışma moduna sahiptir. Bunlar; Kesintili İletim Modu (DCM),
Sınır İletim Modu (BCM) ve Sürekli İletim Modu (CCM) olarak isimlendirilir. Temel
çalışma prensibi izah edilirken sadece CCM modu incelenmiştir. Zira diğer çalışma
modları CCM ile benzerdir. Devrenin CCM modundaki çalışması yalnızca birinci
𝑇𝑠𝑤
yarım periyot ( ) için verilmiştir, çünkü devrenin ikinci yarım periyottaki çalışma
2
prensibi birinci yarım periyot ile aynıdır. Burada, devrenin CCM modundaki
çalışması, birinci yarım periyot için tanımlanan ve Mod0, Mod1, Mod2, Mod3 olarak
adlandırılan, dört farklı alt mod ile izah edilmiştir.
3.1.3.1. Mod0 (t0-t1 zaman aralığı)
Mod0, 𝑆1 anahtarının iletime girmesi ile başlar ve 𝑄2 anahtarının kesime gitmesi ile
son bulur. Mod 0’a ait çalışma süresi (D + δ − 0,5)𝑇𝑠𝑤 kadardır. 𝑡0 anında, Şekil
3.2.’de görüldüğü gibi, endüktans akımı negatiftir ve değeri 𝑖𝐿𝑙𝑘 (𝑡0 )’dır. 𝑡0 anında 𝑆1
anahtarı iletime girer. 𝑆1 anahtarının iletime girmesi ile oluşan yeni aktif akım yolu
Şekil 3.3.(a)-(1)’de gösterildiği gibidir. Bu aktif akım yoluna ait indirgenmiş devre
Şekil 3.3.(a)-(2)’de verilmiştir. Şekil 3.2.’den görüleceği gibi, 𝑆1 anahtarının iletime
𝑉𝑖
girmesi ile indirgenmiş devrenin 𝑉𝑎𝑏 (𝑡) gerilim değeri olur. 𝑉𝑐𝑑 (𝑡) geriliminin
2
𝑛𝑉𝑜
primere indirgenmiş değeri (𝑉𝑐 ′ 𝑑′ (𝑡)) − dir. Dolayısı ile 𝑆1 anahtarı iletime girer
2
𝑉𝑖 +𝑛𝑉𝑜
girmez, endüktansın gerilim değeri olur. Bu andan sonra, endüktans akımı
2
eğimi ile lineer olarak artarak sıfıra ulaşır. Endüktans akımı, sıfıra ulaşana kadar
2𝐿
𝑆1 anahtarına ait serbest geçiş diyotu üzerinden akar. Endüktans akımı sıfıra ulaştıktan
sonra eğimi ile lineer olarak artarak 𝑖𝐿𝑙𝑘 (𝑡1 ) değerine ulaşır. Bu esnada
2𝐿
endüktans akımı 𝑆1 anahtarı üzerinden akar. 𝑡1 anında 𝑄2 anahtarı kesime gider ve

Mod0 tamamlanmış olur.
18
Mod1, 𝑄2 anahtarının kesime gitmesi ile başlar, 𝑄1 ve 𝑄3 anahtarının iletime girmesi

ile son bulur. Mod1’e ait çalışma süresi, Şekil 3.2.’den görüldüğü üzere (0,5 − 𝐷)𝑇𝑠𝑤
kadardır. 𝑡1 anında 𝑄2 anahtarı kesime gider. Bu esnada 𝑄4 anahtarı iletimdedir ve
Mod1 sonuna kadar iletimde kalmaya devam eder. 𝑄2 anahtarının kesime gitmesi ile
primerden sekondere yansıyan endüktans akımı, 𝑄4 anahtarının kendisinden ve 𝑄3
anahtarının serbest geçiş diyotu üzerinden akarak, kesintiye uğramadan yolunu
tamamlar. 𝑄2 anahtarının kesime gitmesi ile oluşan yeni aktif akım yolu Şekil 3.3.(b)-
(1)’de gösterildiği gibidir. Bu aktif akım yoluna ait indirgenmiş devre Şekil 3.3.(a)-
(2)’de verilmiştir. Mod1’de, primer devreye ait 𝑉𝑎𝑏 (𝑡) gerilim değişimi Mod0 ile
aynıdır. Çünkü Mod1’de primer köprüsüne ait anahtarların konumunda değişme
yoktur. Devrenin sekonderine ait 𝑉𝑐𝑑 (𝑡) geriliminin, primer devreye indirgenmiş
değeri (𝑉𝑐 ′ 𝑑′ (𝑡)), 𝑄2 anahtarının kesime gitmesi ile sıfır olur. Dolayısı ile 𝑄2 anahtarı
𝑉𝑖
kesime gider gitmez, Şekil 3.2.’den görüleceği gibi, endüktans gerilim değeri olur.
2
𝑄2 anahtarının kesime gittiği 𝑡1 anında endüktans akımı pozitiftir ve değeri 𝑖𝐿𝑙𝑘 (𝑡1 )
𝑉𝑖
dir. Bu andan sonra, endüktans akımı eğimi ile lineer olarak artarak 𝑖𝐿𝑙𝑘 (𝑡2 )
2𝐿𝑙𝑘
değerine ulaşır. 𝑡2 anında, 𝑄1 ve 𝑄3 anahtarlarının iletime girmesi ile Mod1

tamamlanmış olur.
Mod2, 𝑄4 anahtarının kesime gitmesi ve 𝑄1-𝑄3 anahtarlarının iletime girmesi ile

başlar, 𝑆1 anahtarının kesime gitmesi ile son bulur. Mod2’ye ait çalışma süresi Şekil
3.2.’de görüldüğü üzere (𝐷 − 𝛿)𝑇𝑠𝑤 kadardır. 𝑡2 anında 𝑄4 anahtarının kesime
gitmesi ile sekondere yansıyan endüktans akımı, 𝑄1 anahtarının serbest geçiş diyotu
üzerinden akarak yüke ve 𝐶3 çıkış kondansatörüne aktarılır. 𝑄4 anahtarının kesime
gitmesi ile oluşan yeni aktif akım yolu Şekil 3.3.(c)-(1)’de gösterilmiştir. Bu aktif akım
yoluna ait indirgenmiş devre Şekil 3.3.(c)-(2)’de verilmiştir. Mod2’de devrenin
primerine ait 𝑉𝑎𝑏 (𝑡) gerilim değeri Mod1 ile aynıdır, zira Mod2’de primer köprüsüne
ait anahtarların konumunda bir değişme yoktur. 𝑄4 anahtarının kesime gitmesi ile,
19
𝑛𝑉𝑜
devrenin sekonderine ait 𝑉𝑐𝑑 (𝑡) geriliminin primere indirgenmiş değeri (𝑉𝑐 ′ 𝑑′ (𝑡)), 2
olur. Dolayısı ile 𝑄4 anahtarı kesime gider gitmez, Şekil 3.2.’den görüleceği gibi,
𝑉𝑖 −𝑛𝑉𝑜
endüktans gerilimi olur. 𝑄4 anahtarının kesime gittiği 𝑡2 anında endüktans akımı
2
pozitiftir ve değeri 𝑖𝐿𝑙𝑘 (𝑡2 ) dir. Eğer 𝑉𝑖 gerilimi , 𝑉𝑜 geriliminden büyük ise endüktans
gerilimi pozitiftir. Bu durumda, endüktans akımı değerindeki pozitif lineer eğim
2𝐿𝑙𝑘
ile artarak 𝑖𝐿𝑙𝑘 (𝑡3 ) akımına ulaşır. Eğer 𝑉𝑖 gerilimi, 𝑉𝑜 geriliminden küçük ise
endüktans gerilimi negatiftir. Bu durumda ise endüktans akımı değerindeki
2𝐿𝑙𝑘
negatif lineer eğim ile azalarak 𝑖𝐿𝑙𝑘 (𝑡3 ) değerine ulaşır. 𝑡3 anında 𝑆1 anahtarının
kesime gitmesiyle Mod2 tamamlanmış olur.
C1 S1 Q1 C3 Llk
Llk a c' c
a c
Vi Ro C1 C4
S3 S4 Q4 Q3
b d Vi Ro
b d' Tr d
Tr
C2 S2 Q2 C4
C2 C3
(a-1) (a-2)
C1 S1 Q1 C3 Llk
Llk a c' c
a c C3
Vi Ro C1 Ro
S3 S4 Q4 Q3
b d Vi C4
b d' Tr d
Tr
C2 S2 Q2 C4 C2
(b-1) (b-2)
C1 S1 Q1 C3 Llk
Llk a c' c
a c
Vi C1 C3
S3 S4 Q4 Q3 Ro
b d Vi Ro
b d' Tr d
Tr
C2 S2 Q2 C4 C2 C4
(c-1) (c-2)
C1 S1 Q1 C3 Llk
Llk a c' c
a c
Vi C1 C3
S3 S4 Q4 Q3 Ro
b d Vi Ro
b d' Tr d
Tr
C2 S2 Q2 C4 C2 C4
(d-1) (d-2)
Şekil 3.3. Çalışma modlarına ait aktif akım yolları ve indirgenmiş devreleri (a) Mod0, (b) Mod1, (c) Mod2, (d)
Mod3.
20
Mod3, 𝑆1 anahtarının kesime gitmesi ile başlar, 𝑆3 anahtarının kesime gitmesi ve 𝑆2 -

𝑆4 anahtarlarının iletime girmesiyle son bulur. Mod3’e ait çalışma süresi Şekil 3.2.’de
görüldüğü üzere (0,5 − 𝐷)𝑇𝑠𝑤 kadardır. 𝑡3 anında 𝑆1 anahtarı kesime gider. Bu
esnada 𝑆3 anahtarı iletimdedir ve Mod3 sonuna kadar iletimde kalır. 𝑆1 anahtarının
kesime gitmesiyle, endüktans akımı, 𝑆3 anahtarının kendisinden ve 𝑆4 anahtarının
serbest geçiş diyotu üzerinden akarak, kesintiye uğramadan yolunu tamamlar.
𝑆1 anahtarının kesime gitmesiyle oluşan yeni aktif akım yolu Şekil 3.3.(d)-(1)’de
gösterilmiştir. Bu aktif akım yoluna ait indirgenmiş devre ise Şekil 3.3.(d)-(2)’de
verilmiştir. Mod3’de sekonder devreye ait 𝑉𝑐𝑑 (𝑡) gerilimi Mod2 ile aynıdır, zira
Mod2’de, sekonder köprüsüne ait anahtarların konumunda bir değişme yoktur.
Devrenin primerine ait 𝑉𝑎𝑏 (𝑡) geriliminin değeri 𝑆1 anahtarının kesime gitmesi ile sıfır
olur. Dolayısı ile Şekil 3.2.’den görüleceği gibi, 𝑆1 anahtarı kesime gider gitmez
𝑛𝑉𝑜
endüktans gerilim değeri − olur. 𝑆1 anahtarının kesime gittiği 𝑡3 anında endüktans
2
𝑛𝑉
akımı pozitiftir ve değeri 𝑖𝐿𝑙𝑘 (𝑡3 ) dür. Bu andan sonra endüktans akımı − 2𝐿 𝑜 eğimi
𝑙𝑘
ile lineer azalarak 𝑖𝐿𝑙𝑘 (𝑡4 ) değerine ulaşır. 𝑆3 anahtarının kesime gitmesi ve 𝑆2 -𝑆4
anahtarlarının iletime girmesi ile Mod3 tamamlanmış olur. 𝑡4 anında 𝑆2 -𝑆4
anahtarlarının iletime girmesi ve 𝑆3 anahtarının kesime gitmesi ile ikinci yarım periyot
başlar. Bu yeni periyodun çalışma prensibi Mod0, Mod1, Mod2, Mod3 ile aynıdır.
Sadece akım ve gerilimin işaretleri farklıdır. Bu nedenle yalnızca birinci yarım
periyodun izahı yapılmıştır.
3.1.4. Dönüştürücünün gerilim kazancı
Dönüştürücünün gerilim kazancı (𝑀𝑉𝐷𝐶 ), çıkış geriliminin giriş gerilimine oranı

olarak tanımlanır. Amaçlanan dönüştürücünün gerilim kazancı, çıkış
kondansatörlerinden herhangi birinin amper saniye dengesi ile bulunabilir.
Kondansatörün amper saniye dengesine göre, bir anahtarlama periyodu boyunca
kondansatör akımının ortalama değeri sıfır olmalıdır. Kondansatörün ortalama
değerini bulmak için öncelikle kondansatör akımının zamanla değişiminin bulunması
gerekmektedir.
21
Şekil 3.1.’deki 𝐶3 kondansatörü göz önüne alınırsa, bu kondansatöre ait akımın

zamanla değişimi Denklem (3.1) ile ifade edilebilir. 𝐶3 kondansatörüne ait akımın
dalga şekli Şekil 3.2.’de 𝑖𝐶3 (𝑡) ile gösterilmektedir.
𝑖𝐶3 (𝑡) = −𝑖𝑄1 (𝑡) − 𝑖𝑜 (𝑡) (3.1)
Denklem (3.1)’deki 𝐶3 kondansatör akımının (𝑖𝐶3 (𝑡)), dönüştürücünün parametreleri

cinsinden ifade edilebilmesi için 𝑄1 anahtar akımının (𝑖𝑄1 (𝑡)) ve çıkış yük akımının
(𝑖𝑜 (𝑡)) zamanla değişiminin elde edilmesi gerekir. Denklem (3.1)’deki 𝑖𝑄1 (𝑡)
akımının zamanla değişimi, her bir alt çalışma modu için, dönüştürücünün kaçak
endüktasına ait akım-gerilim karakteristiği yazılarak hesaplanabilir. Denklem ((3.2)-
(3.5))’te, her bir alt çalışma modu için, kaçak endüktansa ait akım-gerilim ifadeleri
verilmiştir.
𝑉𝑖 + 𝑛𝑉𝑜
∆𝐼𝑀𝑜𝑑0 = 𝑖𝐿𝑙𝑘 (𝑡1 ) + 𝑖𝐿𝑙𝑘 (𝑡4 ) = (𝐷 + 𝛿 − 0,5)𝑇𝑠𝑤 (3.2)
2𝐿𝑙𝑘
𝑉𝑖
∆𝐼𝑀𝑜𝑑1 = 𝑖𝐿𝑙𝑘 (𝑡2 ) − 𝑖𝐿𝑙𝑘 (𝑡1 ) = (0,5 − 𝐷)𝑇𝑠𝑤 (3.3)
2𝐿𝑙𝑘
𝑉𝑖 − 𝑛𝑉𝑜
∆𝐼𝑀𝑜𝑑2 = 𝑖𝐿𝑙𝑘 (𝑡3 ) − 𝑖𝐿𝑙𝑘 (𝑡2 ) = (𝐷 − 𝛿)𝑇𝑠𝑤 (3.4)
2𝐿𝑙𝑘
𝑛𝑉𝑜
∆𝐼𝑀𝑜𝑑3 = 𝑖𝐿𝑙𝑘 (𝑡4 ) − 𝑖𝐿𝑙𝑘 (𝑡3 ) = − (0,5 − 𝐷)𝑇𝑠𝑤 (3.5)
2𝐿𝑙𝑘
Denklem ((3.2)-(3.5)) ile verilen denklem takımı çözülürse, kaçak endüktans akımının
(𝑖𝐿𝑙𝑘 (𝑡)), 𝑡1 , 𝑡2 , 𝑡3 , 𝑡4 geçiş anlarına ait değerleri, dönüştürücünün parametreleri
cinsinden, Denklem ((3.6)-(3.9))’da gösterildiği gibi elde edilir.
1
𝑖𝐿𝑙𝑘 (𝑡1 ) = {𝐷(𝑉𝑖 + 𝑛𝑉𝑜 ) + (2𝛿 − 1)𝑉𝑖 } (3.6)
4𝐿𝑙𝑘 𝑓𝑠𝑤
22
1
𝑖𝐿𝑙𝑘 (𝑡2 ) = {𝐷𝑛𝑉𝑜 + (2𝛿 − 𝐷)𝑉𝑖 } (3.7)
1
𝑖𝐿𝑙𝑘 (𝑡3 ) = {𝐷𝑉𝑖 + (2𝛿 − 𝐷)𝑛𝑉𝑜 } (3.8)
1
𝑖𝐿𝑙𝑘 (𝑡4 ) = {𝐷(𝑉𝑖 + 𝑛𝑉𝑜 ) + (2𝛿 − 1)𝑛𝑉0 } (3.9)
Kaçak endüktansın, (3.6), (3.7), (3.8), (3.9) numaralı denklemler kullanılarak ifade
edilen 𝑡1 , 𝑡2 , 𝑡3 , 𝑡4 anlarına ait akım değerleri, 𝑄1 anahtarının, 𝑡5 , 𝑡2 , 𝑡3 , 𝑡4 zamanlarına
ait akım değerlerinin zıt işaretlisine eşittir. Dolayısı ile 𝑖𝑄1 (𝑡) akımının ortalama
değeri, Denklem ((3.6)-(3.9)) kullanılarak, geometrik alan hesaplama yöntemleriyle
𝑉
elde edilir. Diğer yandan, Denklem (3.1)’de 𝑖𝑜 (𝑡) yerine 𝑅𝑜 yazılabilir ve bu değer aynı
0
zamanda çıkış akımının ortalamasına eşittir. Sonuç olarak, 𝐶3 kondansatör akımının

bir anahtarlama periyodundaki ortalama değeri, 𝑖𝑄1 (𝑡) ve 𝑖𝑜 (𝑡) akımlarının ortalama
değerlerinin toplamıdır ve ara işlemlerin ardından Denklem (3.10)’daki gibi ifade
edilebilir.
𝑇𝑠𝑤 𝑉𝑖 {𝐷(1−𝐷)+𝛿(1−2𝛿)−0,25} 𝑉
∫0 𝑖𝐶3 (𝑡)𝑑𝑡 = − 𝑅𝑜 = 0 (3.10)
4𝑛𝐿𝑙𝑘 𝑓𝑠𝑤 𝑜
Bu durumda dönüştürücünün CCM çalışma için gerilim kazancı (𝑀𝑉𝐷𝐶 ), çıkış

geriliminin giriş gerilimine oranı olarak Denklem (3.11)’deki gibi elde edilir.
𝑉𝑜 𝑅
𝑀𝑉𝐷𝐶 = = 4𝑛𝐿 𝑜𝑓 {𝐷(1 − 𝐷) + 𝛿(1 − 2𝛿) − 0,25} (3.11)
𝑉𝑖 𝑙𝑘 𝑠𝑤
Denklem (3.11) kullanılarak, δ ifadesi, dönüştürücünün parametreleri cinsinden

Denklem (3.12)’deki gibi bulunabilir.
32𝑛𝐿𝑙𝑘𝑓𝑠𝑤 𝑀𝑉𝐷𝐶
1−√−8𝐷 2 +8𝐷− −1
𝛿=
𝑅𝑜 (3.12)
4
23
3.1.5. Dönüştürücünün güç aktarım karakteristiği
İdeal dönüştürücünün çıkış gücü, izolasyon trafosundan aktarılan ortalama aktif güce
eşittir. Bu durumda izolasyon trafosunun primerine ait akım ve gerilim ifadeleri
hesaplanır ise trafodan aktarılan güç değeri bulunabilir. Dönüştürücünün
𝑉𝑎𝑏 (𝑡), 𝑉𝑐 ′ 𝑑′ (𝑡) gerilimleri, Fourier dönüşümü yardımıyla sırasıyla Denklem (3.13) ve
(3.14) ile ifade edilebilir.
𝑉𝑎𝑏 (𝑡) = ∑{𝑉𝑖 𝑏𝑘 sin(𝑘𝜔𝑡)} (3.13)

𝑘=1
𝑉𝑐 ′ 𝑑′ = ∑{𝑛𝑉𝑜 𝑏𝑘 sin[𝑘(𝜔𝑡 − 2𝜋𝛿)]} (3.14)

𝑘=1
Denklem ((3.13)-(3.14))’de görülen 𝑏𝑘 ifadesi, 𝑉𝑎𝑏 (𝑡), 𝑉𝑐 ′ 𝑑′ (𝑡) gerilimlerinin ortak

Fourier katsayısıdır ve Denklem (3.15) ile ifade edilebilir.
[(−1)𝑘 − 1]
𝑏𝑘 = cos[𝑘(0,5 − 𝐷)𝜋] (3.15)
𝑘𝜋
Kaçak endüktansın gerilim ifadesi Denklem (3.13), (3.14) kullanılarak Denklem

(3.16)’daki gibi elde edilebilir.
𝑉𝐿𝑙𝑘 (𝑡) = ∑∞ 2 2
𝑘=1 𝑏𝑘 (√𝑉𝑖 + (𝑛𝑉𝑜 ) − 2𝑉𝑖 𝑛𝑉0 cos(2𝜋𝑘𝛿)) sin(𝑘𝜔𝑡 + β) (3.16)
Denklem (3.16)’da görülen β ifadesi, endüktansa ait gerilimin fazını ifade etmektedir
ve Denklem (3.17)‘deki gibi yazılabilir.
𝑛𝑉𝑜 sin(2𝜋𝑘𝛿)
∠𝑉𝐿𝑙𝑘 = β = 𝑎𝑟𝑐𝑡𝑎𝑛 (3.17)
𝑉𝑖 − 𝑛𝑉𝑜 cos(2𝜋𝑘𝛿)
24
Kaçak endüktansın akım ifadesi Denklem (3.18) ile bulunabilir.
𝑉𝐿𝑙𝑘 (𝑡)
𝐼𝐿𝑙𝑘 (𝑡) = (3.18)
𝑍𝐿𝑙𝑘
Denklem (3.18)’de görülen 𝑍𝐿𝑙𝑘 ifadesi, kaçak endüktansın her bir harmonik
bileşenine göre empedansıdır ve Denklem (3.19)’da ifade edildiği gibidir.
𝜋
𝑍𝐿𝑙𝑘 = 𝑘𝜔𝐿𝑙𝑘 ∠ 2 (3.19)
Bu durumda kaçak endüktansın akım ifadesi Denklem (3.20)’deki gibi yazılabilir.
1 𝜋
𝐼𝐿𝑙𝑘 (𝑡) = ∑∞
𝑘=1 𝑏𝑘 (√𝑉𝑖2 + (𝑛𝑉𝑜 )2 − 2𝑉𝑖 𝑛𝑉0 cos(2𝜋𝑘𝛿)) sin (𝑘𝜔𝑡 + β − ) (3.20)
𝑘𝜔𝐿𝑙𝑘 2
Sonuç olarak dönüştürücünün çıkış gücü Denklem (3.14) ve (3.20) kullanılarak

Denklem (3.21)’deki gibi türetilebilir.
1 𝑛𝑉𝑜 𝜋
𝑃𝑜 = ∑∞ 2
𝑘=1 𝑏𝑘 (√𝑉𝑖2 + (𝑛𝑉𝑜 )2 − 2𝑉𝑖 𝑛𝑉0 cos(2𝜋𝑘𝛿)) cos (−2𝜋𝑘𝛿 − β + ) (3.21)
2 𝑘𝜔𝐿𝑙𝑘 2
δ değeri teorik olarak −1 ile +1 arasında değiştirilerek, çıkış gücünün yönü ve

büyüklüğü değiştirilebilir. Ancak normalize edilmiş çıkış gücünün δ’ya göre değişimi
incelendiğinde, Şekil 3.4.’ten de görüleceği gibi, −1≤ δ ≤−0,5 ve 0,5≤ δ ≤1 aralıkları
için çıkış gücünün yönü ve büyüklüğü, sırasıyla 0≤ δ ≤0,5 ve −0,5≤ δ ≤0 aralıkları ile
aynıdır.
0,5
Po[b.]
0
-1 -0,75 -0,5 -0,25 0 0,25 0,5 0,75 1
-0,5
-1
δ
Şekil 3.4. Dönüştürücü çıkış gücünün δ’ya göre değişimi.
25
Dolayısı ile çıkış gücünün yönünü ve büyüklüğünü değiştirmek için, δ’nın −0,5 ile 0,5
arasında değiştirilmesi yeterlidir. −0,5≤ δ ≤0,5 aralığı için ise ileri ya da geri yönde
maksimum gücü aktarmak yeterli olacağından, dönüştürücünün faz kaydırma oranı
𝜋
−0,25 ile 0,25 aralığında seçilebilir. Bir başka ifadeyle, köprüler arası faz farkı − 2 ile
𝜋
arasında değiştirilerek, aktarılan gücün yönü ve büyüklüğü tüm yük bölgesinde
2
kontrol edilebilir.
3.1.6. Maksimum kaçak endüktans değeri
Şekil 3.4.’ten görülebileceği üzere, dönüştürücünün ileri ya da geri yönde maksimum

gücü aktarabilmesi için, faz kaydırma oranının maksimum değeri |𝛿𝑚𝑎𝑥 | = 0,25’tir.
Buradan hareketle, dönüştürücünün talep edilen maksimum gücü aktarabilmesi için
kullanılabilecek maksimum endüktans değeri, Denklem (3.21) yardımıyla Denklem
(3.22)’deki gibi elde edilebilir.
1 𝑛𝑉𝑜 𝜋 𝜋 𝜋
𝐿𝑙𝑘𝑚𝑎𝑥 = ∑∞ 2
𝑘=1 𝑏𝑘 (√𝑉𝑖2 + (𝑛𝑉𝑜 )2 − 2𝑉𝑖 𝑛𝑉0 cos(𝑘 )) cos (−2𝜋𝑘 − β + ) (3.22)
2 𝑘𝜔𝑃𝑜(𝑚𝑎𝑥) 2 2 2
3.1.7. Kritik kaçak endüktans değeri
Kritik kaçak endüktas değeri dönüştürücünün BCM modundan bulunabilir.

Dönüştürücünün BCM modunda çalışması için, Şekil 3.2.’deki 𝑡4 -𝑡5 zaman aralığının
sıfıra eşit olması gerekir. Bu durumda, BCM çalışma için gerekli δ ifadesi Denklem
(3.23) ile verilebilir.
𝛿 = 0,5 − 𝐷 (3.23)
BCM dahil olmak üzere her çalışma modu için 𝑖𝑄1 (𝑡) akımının ortalaması 𝐼𝑜 akımına
eşittir. Ayrıca BCM için 𝑡4 anında endüktans akım değeri 𝑖𝐿𝑙𝑘 (𝑡4 ) sıfırdır. Buradan
hareketle, 𝑖𝑄1 (𝑡) akımının ortalaması Denklem (3.24) ile verilebilir.
𝑇𝑠𝑤 𝑖𝐿𝑙𝑘 (𝑡2 )+𝑖𝐿𝑙𝑘 (𝑡3 ) 𝑖𝐿𝑙𝑘 (𝑡3 )

∫0 𝑖𝑄1 (𝑡)𝑑𝑡 = (D − δ) + (0,5 − D) = 𝐼𝑜 (3.24)
2 2
26
(3.7), (3.8), (3.23) numaralı denklemler, Denklem (3.24)’te yerine koyulur ve

düzenlenirse, kritik endüktans değeri Denklem (3.25)’teki gibi elde edilebilir.
(−10𝑉𝑖−2𝑛𝑉𝑜)𝐷 2 +(7𝑉𝑖+𝑛𝑉𝑜)𝐷−𝑉𝑖
𝐿𝐿𝑘𝑐𝑟𝑡 = (3.25)
16𝐼𝑜 𝑓𝑠𝑤
3.2. Simülasyon Çalışması
Bu bölümde PSIM programı kullanılarak, teorik hesaplamaların doğrulaması

yapılmıştır. Simülasyon çalışmasında kullanılan tasarım parametreleri Tablo 3.1.’de
verilmiştir.
Tablo 3.1. Simülasyon çalışmasına ait tasarım parametreleri.
Tanım Açıklama Değer

Giriş Gerilimi 𝑉𝑖 400V
Çıkış Gerilimi 𝑉𝑜 400V
Güç Seviyesi 𝑃𝑜 2kW
Çıkış Yükü 𝑅𝑜 80Ω
Anahtarlama Frekansı 𝑓𝑠𝑤 50kHz
Çalışma Oranı D %47
𝑉
Gerilim Kazancı 𝑀𝑉𝐷𝐶 = 𝑜⁄𝑉 1
𝑖
Şekil 3.5.(a)-(b) sırasıyla kontrol ve güç devresine ait simülasyon şemasını

göstermektedir. Teorik analizde olduğu gibi simülasyon çalışmasında da tüm devre
elemanlarının ideal olduğu ve devrenin sürekli halde çalıştığı kabul edilmiştir. Kontrol
devresinde dört adet parametre girişi mevcuttur. Bunlar “D”, “fsw”, “phs”, “td” olarak
isimlendirilmektedir. D, 𝑆1-𝑆2 , 𝑄1-𝑄2 anahtarlarının çalışma oranını; fsw, devrenin
anahtarlama frekansını; phs, 𝑆1-𝑄1, 𝑆2 -𝑄2 , 𝑆3 -𝑄3 , 𝑆4 -𝑄4 anahtarlarına ait sürme
sinyalleri arasındaki faz farkını; td ise primer ve sekonderdeki kondansatör
hücrelerinin kısa devre olmasını engellemek için ilgili anahtarlar arasına
yerleştirilmesi gereken anahtarlama gecikmesini göstermektedir. Burada, phs’nin
açısal bir değer olduğu ve faz kaydırma oranının (δ) 360 katı olduğu unutulmamalıdır.
27
CLK CLK D CLK D

td G_S1 td G_Q1
fsw phs
ENBL ENBL
CLK D CLK D
td G_S2 td G_Q2
td
phs
ENBL ENBL
CLK D CLK D
G_S3 G_Q3
phs
ENBL ENBL
ENBL
CLK D CLK D
G_S4 G_Q4
phs
ENBL ENBL
(a)
G_S1 G_Q1
C1 S1 Q1 C3
I_o I
V_o
S3 S4 Q4 Q3
L_lk V V_o
a c
V_i V R_o
b G_S3 G_S4 G_Q4 G_Q3 d

Tr
C4
G_S2 G_Q2
C2 S2 Q2
(b)
Şekil 3.5. Simülasyon çalışması (a) Kontrol devresi, (b) Güç devresi.
Tablo 3.1.’deki tasarım parametreleri kullanılarak, kaçak endüktansın maksimum

değeri, Denklem (3.22) yardımıyla, 50µH olarak hesaplanmıştır. Kritik endüktans
değeri ise Denklem (3.25) kullanılarak, minimum %35’lik bir yük durumu ve %47’lik
bir çalışma oranı (D) için, 31,2µH olarak hesaplanmıştır. Simülasyon çalışmasında
kullanılan endüktans değeri, bu iki değer arasında kalacak şekilde, 35µH olarak
seçilmiştir. 2kW’lık çıkış gücü için δ’nın değeri, Denklem (3.12) yardımıyla, 0,1147
olarak hesaplanmıştır. Bu durumda, simülasyonun bir parametresi olan phs’nin değeri
41,29° olarak elde edilir. Simülasyonda, anahtar gecikmeleri için 𝑡𝑑 değeri 100ns
olarak seçilmiştir.
Şekil 3.6. amaçlanan dönüştürücünün simülasyon sonuçlarına aittir. Şekil 3.6.(a)’da

𝑉𝐺𝑆(1−4) (𝑡), 𝑉𝐺𝑄(1−4) (𝑡), ilgili anahtarların sürme sinyallerini, 𝑉𝐿𝑙𝑘 (𝑡) ve 𝐼𝐿𝑙𝑘 (𝑡)
değişimleri sırasıyla, kaçak endüktansın akım ve gerilim dalga şekillerini
göstermektedir. Ayrıca 𝑉𝐴𝐵 (𝑡), 𝑉𝐶𝐷 (𝑡) dönüştürücünün a-b ve c-d noktalarındaki
köprü gerilimlerine, 𝑉𝑆1 (𝑡), 𝑉𝑄1 (𝑡) ise 𝑆1 ve 𝑄1 anahtarlarının gerilim dalga şekillerine
aittir.
VG_S1 VG_S2
0.8 VG_S1 VG_S2 28

0.4
0.8 VG_S1 VG_S2
0
0.4
0.8 VG_S1
VG_S1 VG_S2
VG_S2 V_S3 V_Q3
0
1
0.4 200
VGS1(t) (V) VGS2(t) (V)
0.8
0 VG_S3 VG_S4 100 VS3(t) (V) VQ3(t) (V)
0
1 0.05
0.4 0.05001 0.05002 0
VGS3(t) (V) VG (t) (V)
0 VG_Q1 VG_Q2 Time (s) S4
0 I(S1) I(Q1)
1 0.05 0.05001 0.05002 VG_Q3 VG_Q4
VGS1(t) (V) VG (t) (V) 10
0 VG_Q3 VG_Q4 Time (s) S2 IS1(t) (A) IQ1(t) (A)
0.8
0
1 0.05 0.05001 0.05002 0.4
VGS3(t) (V) VGS4(t) (V) -10
0 V_Llk Time (s) 0
I(S3) 0.050005
I(Q3) 0.05001 0.050015 0.05002
400 0.05 0.05001 0.05002 VG_Q3 VG_Q4
VLlk(t) (V) Time (s) 10 Time (s)
200 IS3(t) (A) IQ3(t) (A)
0 0.8
0
-200 0.4
-10
-400 I(Llk) 0 I(C3)
10 VG_Q3 10 VG_Q30.050005VG_Q40.05001 0.050015 0.05002
VG_Q4 Time (s)
0 ILlk(t) (A) 0 IC3(t) (A)
1 0.8
-10 V_AB -10
V_CD 0.4
0 V_o
400 0
0.05 VG_Q40.05001 0.05002 ,
400,2
200 VG_Q3 Time (s)
400.2 V_Llk 0.050005
Vo(t) (V) 0.05001 0.050015 0.05002
0 VAB(t) (V) VCD(t) (V) 400 Time (s)
0.8 ,0
-200 399.8
399,8
0.4
-400 V_S1 V_Q1
-400
I_o
0
400 5,002 V_o 0.050005
VG_Q30.050005 VG_Q40.05001 0.050015 0.05002 ,
5.002 Io(t) (A) 0.05001 0.050015 0.05002
2001 VS1(t) (V) Time (s)
VQ1(t) (V) 400.2
5 Time (s)
0
,400
4.998
4,998
0 399.8
0,05
0.05 0,05001 0,05002 0,05 0,05001 0,05002
VG_Q3 VG_Q40.05001 0.05002 V_o 0.050005 0.05001 0.050015 0.05002
Time (s)
zaman(s) zaman(s)
400.2 Time (s)
0.8
400
0.4 (a) 399.8
(b)
0
0.050005 Şekil 3.6.
0.05001 Amaçlanan
0.050015 dönüştürücünün
0.05002 simülasyon
0.050005sonuçları.
0.05001 0.050015 0.05002
Time (s) Time (s)
Şekil 3.6.(a)’dan görüldüğü üzere, a-b ve c-d köprü gerilimlerinin yanı sıra, 𝑆1 ve 𝑄1
anahtar gerilimleri üç seviyeli, endüktans gerilimi ise çok seviyeli gerilim dalga
şekline sahiptir. Ayrıca 𝑆1 ve 𝑄1 anahtarlarına ait gerilim stresleri, tam anahtarlama
periyodunda, sırasıyla giriş ve çıkış gerilimine eşit olmasına rağmen, anahtarlama
anlarında giriş ve çıkış gerilimlerinin yarısına eşittir.
Şekil 3.6.(b)’de, 𝑉𝑆3 (𝑡), 𝑉𝑄3 (𝑡), 𝑆3 ve 𝑄3 anahtarlarının gerilim dalga şekillerine aittir.
Ayrıca 𝐼𝑆1 (𝑡), 𝐼𝑄1 (𝑡), 𝐼𝑆3 (𝑡), 𝐼𝑄3 (𝑡) ilgili anahtarların, 𝐼𝐶3 (𝑡) ise 𝐶3 kondansatörünün
akım değişimini göstermektedir. Bunun yanı sıra 𝑉𝑜 (𝑡) ve 𝐼𝑜 (𝑡), dönüştürücünün çıkış
gerilimine ve akımına ait dalga şekillerini göstermektedir. Şekilden görüldüğü üzere,
𝑆3 ve 𝑄3 anahtarlarına ait gerilim stresleri giriş ve çıkış gerilimlerinin yarısına eşittir.
Bunun yanı sıra, 400V giriş gerilimi ve 2kW çıkış gücü için hesaplanan δ değerinde,
çıkış gerilimi beklendiği gibi 400V olarak gerçekleşmektedir. Sonuç olarak
simülasyon çıktılarının, bir önceki bölümde verilen teorik analizle örtüştüğü
söylenebilir.
BÖLÜM 4. 3LTT-IBDC DÖNÜŞTÜRÜCÜNÜN GERÇEK
ZAMANLI UYGULAMASI
Bu bölümde dönüştürücünün deneysel doğrulaması, 2kW gücünde bir prototip

üretilerek yapılmıştır. Deneysel doğrulama için anahtar akım ve gerilim stresleri,
endüktans akım ve gerilimi, dönüştürücünün gerilim kazancı ve güç aktarım
karakteristiğinin yanı sıra %20-%100 yük bölgesindeki verim değerleri araştırılmıştır.
Prototipte kullanılan temel devre elemanları ve özellikleri Tablo 4.1.’de verildiği
gibidir.
Tablo 4.1. Prototipte kullanılan temel devre elemanları ve özellikleri.
Tanım Açıklama Değer

Trafo
𝑛𝑝
Sarım Oranı =𝑛 1
𝑛𝑠
Primer Tur Sayısı 𝑛𝑝 8
Sekonder Tur Sayısı 𝑛𝑠 8
Malzeme Tipi Epcos E-Core E65/32/27 (N87)
Mıknatıslanma Endüktansı 𝐿𝑚 700µH
Kaçak Endüktansı 𝐿 𝑇𝑟𝐿𝑘 470nH
Bobin
Tur Sayısı 𝑛 43
Malzeme Tipi Micrometals MP-157014-2
Endüktansı 𝐿𝑙𝑘 35µH
Anahtarlar
Fairchild
𝑆1 , 𝑆2 , 𝑆3 , 𝑆4 , 𝑄1 , 𝑄2 , 𝑄3 , 𝑄4 FCH47N60F
Mosfet
Giriş Kapasitesi
Kendeil
𝐶1 , 𝐶2 100µF / 250V
Alüminyum Elektrolitik
Çıkış Kapasitesi
Kendeil
𝐶3 , 𝐶4 100µF / 250V
Alüminyum Elektrolitik
Yük Bankası 10 kademeli (%10-%100) 2kW
DSP
Kontrolör TMS320F28377
Texas Instruments
Prototip; ana güç kartı, kontrol kartı, haberleşme kartı ve iki adet sürücü kartı olmak
üzere beş adet alt karttan meydana gelmektedir. Ana güç kartı; yarı iletken anahtarlar,
izolasyon trafosu, harici endüktans, giriş ve çıkış filtre kapasitörleri, soğutucular ve
30
fanlardan oluşmaktadır. Kontrol kartı, Texas Instruments firmasının C2000-Delfino

serisine ait TMS320F28377 üretici kodlu DSP kullanılarak tasarlanmıştır. Kontrol
kartıyla bilgisayar haberleşmesini, UART üzerinden sağlayan haberleşme kartı izole
olarak tasarlanmıştır. Primer ve sekonder köprüler için iki adet sürücü kartı
kullanılmıştır. Her bir sürücü kartı, dört adet izole bağımsız gerilim kaynağına sahiptir.
Sürme sinyallerinin yarı iletkenlere aktarımı, Fairchild firmasının FOD3184 optik
izolatörü ile sağlanmaktadır. Filtre kapasitörleri, harici endüktans ve trafo gibi devre
elemanlarının seçimi ve tasarımı, dönüştürücün verimi üzerinde önemli bir etkiye
sahiptir. Bu nedenle filtre kapasitörleri olarak, düşük eşdeğer seri dirence (low esr)
sahip kapasitörler seçilmiştir. Ayrıca trafo ve harici endüktans gibi sargılı elemanların
tasarımında kullanılan manyetik malzemenin tipi ve ölçüsünün yanı sıra iletkenin
kesiti ve kesit geometrisi, sırasıyla çekirdek ve bakır kayıplarını önemli ölçüde
etkilemektedir. Bu nedenle harici endüktans ve trafonun tasarımında bu etkiler göz
önünde bulundurularak, uygun tip, ölçü ve geometriye sahip manyetik malzeme ve
sargılar kullanılmıştır. Dönüştürücüye ait prototipin resmi Şekil 4.1.’de verilmiştir.
Çıkış Çıkış Giriş Giriş

YÜK
Akımı Gerilimi Gerilimi Akımı
BANKASI
S köprüsü
Sürücü
(Q)
Sürücü (S)
Haberleşme
Kartı
DSP
(TMS320F28377)
Şekil 4.1. 3LTT-IBDC dönüştürücünün prototipi.

31
Tam yük koşulunda yapılan deneylere ait osiloskop çıktıları Şekil 4.2.’de verilmiştir.
Şekil 4.2.(a)’daki osiloskop çıktısında; Kanal1 (koyu mavi) 𝑆1 anahtarının, Kanal2
(turkuaz) 𝑄1 anahtarının sürme sinyalleri olmak üzere, Kanal3 (eflatun) ve Kanal4
(yeşil) harici endüktansın sırasıyla gerilimine ve akımına ait dalga şekillerini
göstermektedir.
VG_S1 VG_S1
[5V/div] [5V/div]
VG_Q1 VG_Q1
[5V/div] [5V/div]
Vab
VLlk [200V/div]
[200V/div]
[4μs/div] Vcd [4μs/div]

iLlk
[200Vdiv]
[20A/div]
(a) (b)
VG_S1 VG_S3
[5V/div] [5V/div]
iS3
iS1 [20A/div]
[20A/div]
VS1 VS3
[200V/div] [200V/div]
[4μs/div] [4μs/div]
iLlk
iLlk
[20A/div]
[20A/div]
(c) (d)
Şekil 4.2. (a) Tam yük koşulunda harici endüktansın gerilimi ve akımı, (b) Tam yük koşulunda primer ve sekonder
köprülerinin gerilimleri, (c) Tam yük koşulunda S1 anahtarının akımı ve gerilimi, (d) Tam yük koşulunda
S3 anahtarının akımı ve gerilimi.
Şekil 4.2.(a)’dan görüleceği üzere harici endüktansın gerilimi çok seviyeli dalga
şekline sahiptir. Şekil 4.2.(b)’deki osiloskop çıktısında Kanal1 (koyu mavi) 𝑆1
anahtarının, Kanal2 (turkuaz) 𝑄1 anahtarının sürme sinyalleri olmak üzere, Kanal3
(eflatun) 𝑣𝑎𝑏 (𝑡), Kanal4 (yeşil) 𝑣𝑐𝑑 (𝑡) köprü gerilimlerine ait dalga şekillerini
göstermektedir. Şekil 4.2.(b)’den görüleceği üzere köprü gerilimleri üç seviyeli
gerilim dalga şekline sahiptir. Şekil 4.2.(c)’deki osiloskop çıktısında Kanal1 (koyu
mavi) 𝑆1 anahtarının sürme sinyali olmak üzere, Kanal2 (turkuaz) 𝑆1 anahtarının
akımına, Kanal3 (eflatun) 𝑆1 anahtarının gerilimine, Kanal4 (yeşil) kaçak endüktansın
akımına ait dalga şekillerini göstermektedir. Şekil 4.2.(c)’den görüleceği üzere 𝑆1
anahtarının gerilimi üç seviyeli dalga şekline sahiptir. Burada 𝑆1 tam bara gerilimine
maruz kalmasına rağmen anahtarlama anında bara geriliminin yarısına maruz
32
kalmaktadır. Bu durum anahtarlama kayıplarını azaltmaktadır. Şekil 4.2.(d)’deki

osiloskop çıktısında Kanal1 (koyu mavi) 𝑆3 anahtarının sürme sinyali olmak üzere,
Kanal2 (turkuaz) 𝑆3 anahtarının akımına, Kanal3 (eflatun) 𝑆3 anahtarının gerilimine,
Kanal4 (yeşil) kaçak endüktansın akımına ait dalga şekillerini göstermektedir. Şekil
4.2.(d)’den görüleceği üzere, 𝑆3 anahtarı bara geriliminin yarısına maruz kaldığından,
𝑆3 anahtarının anahtarlama kayıpları düşük olacaktır.
Tam yük koşulunda ve %35 yük koşulunda yapılan deneylere ait osiloskop çıktıları
Şekil 4.3’te verilmiştir. Şekil 4.3.(a)’daki osiloskop çıktısında Kanal1 (koyu mavi) 𝑄1
anahtarının sürme sinyali olmak üzere, Kanal2 (turkuaz) 𝑄1 anahtarının akımına,
Kanal3 (eflatun) 𝑄1 anahtarının gerilimine, Kanal4 (yeşil) kaçak endüktansın akımına
ait dalga şekillerini göstermektedir. Şekil 4.3.(a)’dan görüleceği üzere 𝑄1 anahtarının
gerilimi üç seviyeli dalga şekline sahiptir. Burada 𝑄1 tam bara gerilimine maruz
kalmasına rağmen, anahtarlama anında bara geriliminin yarısına maruz kalmaktadır.
Bu durum anahtarlama kayıplarını azaltmaktadır.
VG_Q1 VG_Q3
[5V/div] [5V/div]
iQ1
[20A/div] iQ3
[20A/div]
VQ1 VQ3
[200V/div] [200V/div]
iLlk [4μs/div] iLlk [4μs/div]

[20A/div] [20A/div]
(a) (b)
VG_Q3
V0
[5V/div]
[100V/div]
VLlk
[200V/div]
I0
[2A/div]
[4μs/div] iLlk [4μs/div]

[20A/div]
(c) (d)
Şekil 4.3. (a) Tam yük koşulunda Q1 anahtarının akımı ve gerilimi, (b) Tam yük koşulunda Q3 anahtarının akımı
ve gerilimi, (c) Tam yük koşulunda çıkış akımı ve gerilimi, (d) %35 yük koşulunda BCM çalışma için
harici endüktansın akımı ve gerilimi.
33
Şekil 4.3.(b)’deki osiloskop çıktısında Kanal1 (koyu mavi) 𝑄3 anahtarının sürme

sinyali olmak üzere, Kanal2 (turkuaz) 𝑄3 anahtarının akımına, Kanal3 (eflatun) 𝑄3
anahtarının gerilimine, Kanal4 (yeşil) kaçak endüktansın akımına ait dalga şekillerini
göstermektedir. Şekil 4.3.(b)’den görüleceği üzere 𝑄3 anahtarı bara gerilimin yarısına
maruz kaldığından anahtarlama kayıpları düşük olacaktır. Şekil 4.3.(c)’de Kanal1
(koyu mavi) çıkış geriliminin (𝑉𝑜 ) ve Kanal2 (turkuaz) çıkış akımının (𝐼𝑜 ) dalga şeklini
göstermektedir. Şekilden görüleceği üzere, 400V giriş gerilimi ve 2kW çıkış gücü için
çıkış gerilimi ve akımı sırasıyla 400V ve 5A olarak gerçekleşmektedir. Bu çalışma
koşulları için Denklem (3.12) ile hesaplanan δ değeri 0,11472 iken, deneysel olarak
uygulanan δ değeri 0,11175 olmuştur. Şekil 4.3.(d)’deki osiloskop çıktısında Kanal1
(koyu mavi) 𝑆1 anahtarının sürme sinyali olmak üzere, Kanal2 (turkuaz) kaçak
endüktansın BCM modundaki gerilimine, Kanal3 (eflatun), kaçak endüktansın BCM
moddaki akımına ait dalga şekillerini göstermektedir. Bu durumdaki giriş ve çıkış
gerilimleri 400V, uygulanan δ değeri 0,034 ve çıkış gücü %35 civarındadır. Şekil
4.3.(d)’den görüleceği üzere, harici endüktans akımının dalga şekli, sınır çalışma
modunda (BCM) gerçekleşmektedir.
Şekil 4.4.’te dönüştürücünün güç aktarım ve giriş gerilim karakteristiği verilmiştir.

Şekil 4.4.(a)’da farklı yük koşullarında, Denklem (3.12) ile hesaplanan δ değerleriyle,
deneysel olarak uygulanan δ değerleri arasındaki ilişki gösterilmiştir. Şekil 4.4.(a)’da,
giriş gerilimi 400V olmak üzere, farklı yük koşulları için hesaplanan δ değerlerinin,
400V çıkış gerilimini sağlayıp sağlamadığı kontrol edilmiştir. Şekil 4.4.(b)’de ise,
farklı giriş gerilimleri için Denklem (3.12) ile hesaplanan δ değerleriyle, deneysel
olarak uygulanan δ değerleri arasındaki ilişki gösterilmektedir.
0,20 0,20
δ(Hsp.), D=47% δ(Uyg.), D=47%
0,15 0,15
δ 0,10 δ 0,10
0,05 0,05 δ(Hsp.), D=47% δ(Uyg.), D=47%
0,00 0,00
30 40 50 60 70 80 90 100 340 360 380 400 420
Pₒ[%] Vin[V]
(a) (b)
Şekil 4.4. Güç aktarım ve giriş gerilim karakteristiği (a) Farklı güç seviyeleri için hesaplanan ve uygulanan δ
değerleri, (b) Farklı giriş gerilimleri için hesaplanan ve uygulanan δ değerleri.
34
Şekil 4.4.(b)’de tam yük koşulunda, giriş gerilimi 340V’den başlayarak, 20V
aralıklarla artırılmak suretiyle, Denklem (3.12) ile hesaplanan δ değerleriyle, deneysel
olarak uygulanan δ değerleri analiz edilmiştir. Analiz sonuçlarına göre hesaplanan δ
değerleri ile deneysel olarak uygulanan δ değerleri büyük oranda örtüşmektedir.
Devrenin teorik analizi yapılırken, devre elemanları ideal kabul edildiği, ayrıca
anahtarlar arasındaki ölü zaman ihmal edildiği için deneysel çalışmada uygulanan δ
değerleri ile hesaplanan δ değerleri arasında küçük farklılıkların olması beklenen bir
durumdur.
Şekil 4.5.(a)’da dönüştürücünün verimi ve Şekil 4.5.(b)’de ilgili anahtarlara ait kayıp
analizi gösterilmiştir. Verim ölçümlerinde dört adet yüksek çözünürlüklü ölçü aleti
kullanılmıştır. Verim analizinin yüksek doğrulukta olması için ölçümler, fotoğraflama
yöntemiyle eş zamanlı olarak alınmıştır. Şekil 4.5.(a)’da görüldüğü gibi
dönüştürücünün maksimum verimi (%70 yük koşulunda) %96,81, minimum verimi
ise (%20 yük koşulunda) %90,15 olarak ölçülmüştür. Ayrıca dönüştürücünün tam yük
koşulundaki verimi %96,27 olarak ölçülmüştür. Literatürde üç seviyeli IBDC
topolojileri için karşılaşılan maksimum verim sonuçları (%94,8 (2,8kW) [44], %95,5
(1,2kW) [67], %96,5 (1,2kW) [68], %96,71 (1kW) [39]) ile amaçlanan
dönüştürücünün verimleri karşılaştırıldığında, amaçlanan dönüştürücünün verimi (tüm
anahtarlama elemanları için yumuşak anahtarlama gerçekleşmemesine rağmen) daha
yüksektir. Şekil 4.5.(b)’de 𝑆1, 𝑆3 , 𝑄1, 𝑄3 anahtarlarının tam yük koşulunda
anahtarlama ve iletim kayıpları verilmiştir. Bu dört anahtar için toplam kayıplar
yaklaşık olarak 25W’tır. Ayrıca 𝑆2 , 𝑆4 , 𝑄2 , 𝑄4 anahtarlarının anahtarlama ve iletim
kayıplarının, yaklaşık olarak 𝑆1, 𝑆3 , 𝑄1, 𝑄3 anahtarlarının iletim ve anahtarlama
kayıplarına eşit olduğu görülmüştür. Buna göre tüm anahtarların toplam kayıplarının,
98 SG Diyotu Anh. SG Diyotu İltm. Mosfet Anh. Mosfet İltm.

12
96 0,000
10
Güç Kayıpları [W]
Verim [%]
94 0,550
8
92 6 2,250 0,588 0,204
5,292
0,411 1,321
90 4 1,320
0,225 1,243 4,625 0,648
88 2 0,310 4,088
1,979
20 30 40 50 60 70 80 90 100 0
[%] S1 S3 Q1 Q3
(a) (b)
Şekil 4.5. Verim ve kayıp analizleri (a) Verim analizi, (b) S1, S3, Q1, Q3 anahtarlarına ait kayıp analizi.
35
yaklaşık olarak 50W olduğu anlaşılmaktadır. Trafo, harici endüktans ve kapasitör gibi
diğer devre elemanlarının yaklaşık toplam kaybı 27,5W’tır. Dönüştürücünün verim
analizinde toplam güç kaybı yaklaşık olarak 77,5W olarak ölçülmüştür. Anahtarlama
elemanlarına ait kayıplar ölçümleme yöntemiyle elde edilmiştir. Ölçümlemede
Tektronix firmasının MDO3014 osiloskopu, TCP0030 akım probu ve P5205A gerilim
probu kullanılmıştır. Ölçümleme Tektronix firmasının önerdiği yöntemlere uyularak
yapılmıştır [69].
Dönüştürücünün deneysel çalışmaları yapılırken, anahtarların tam yük koşulunda,

anahtarlama geçiş anları da incelenmiştir. Şekil 4.6.’da, 𝑆1 ve 𝑆3 anahtarlarının,
anahtarlama geçiş anlarına ait dalga şekilleri verilmiştir. Şekillerde Kanal1 (koyu
mavi) ilgili anahtarın sürme sinyalini, Kanal3 (eflatun) ilgili anahtarın gerilim dalga
şeklini, Kanal4 (yeşil) ilgili anahtarın akım dalga şeklini göstermektedir. Şekil
4.6.(a)’da, 𝑆1 anahtarı ve bu anahtara ait serbest geçiş (SG) diyotunun iletime girerken
gerçekleşen, anahtarlama geçiş anları görülmektedir.
VS1
[100V/div] VG_S1
[10V/div]
VG_S1 iS1
[10V/div] [10A/div]
S1 S1
ON OFF
S1 DIODE
ON VS1
iS1
[10A/div] [100V/div]
[400ns/div] [400ns/div]
(a) (b)
VG_S3
VG_S3
[10V/div]
[10V/div]
VS3 S3 S3 DIODE S3 DIODE

VS3
[100V/div] S3 OFF ON OFF
ON [100V/div]
iS3 iS3
[10A/div] [10A/div]
[400ns/div] [400ns/div]
(c) (d)
Şekil 4.6. S1 ve S3 anahtarlarına ait anahtarlama geçişleri.

36
𝑆1 anahtarının SG diyotu iletime girerken sert anahtarlama gerçekleşmektedir. Bunun

yanı sıra, 𝑆1 anahtarının SG diyotu iletime girerken, anahtar gerilimi bara geriliminin
yarısına eşittir. Dolayısı ile bu durum anahtarlama kayıplarının azalmasını
sağlamaktadır. 𝑆1 anahtarının kendisi iletime girerken, anahtar gerilimi sıfır
olduğundan, iletime girme kaybı da sıfırdır. Şekil 4.6.(b)’de, 𝑆1 anahtarı kesime
giderken gerçekleşen anahtarlama geçiş anı görülmektedir. Şekilden görüleceği üzere
𝑆1 anahtarı kesime giderken kısmi yumuşak anahtarlama gerçekleşmektedir. Bunun
yanı sıra, 𝑆1 anahtarı kesime giderken, anahtar gerilimi bara geriliminin yarısına eşittir.
Şekil 4.6.(c)’de, 𝑆3 anahtarı iletime girerken ve kesime giderken gerçekleşen,
anahtarlama geçiş anları görülmektedir. 𝑆3 anahtarı iletime girerken, tam yumuşak
anahtarlama gerçekleşmekte, kesime giderken ise kısmi yumuşak anahtarlama
gerçekleşmektedir. 𝑆3 anahtarı iletime girerken ve çıkarken, anahtar gerilimi bara
geriliminin yarısına eşittir. Şekil 4.6.(d)’de, 𝑆3 anahtarının SG diyotu iletime girerken
ve kesime giderken gerçekleşen, anahtarlama geçiş anıları görülmektedir. 𝑆3
anahtarının SG diyotu iletime girerken, sert anahtarlama gerçekleşmekte, kesime
giderken ise yumuşak anahtarlama gerçekleşmektedir. 𝑆3 anahtarının SG diyotu
iletime girerken ve kesime giderken, anahtar gerilimi bara geriliminin yarısına eşittir.
Şekil 4.7.’de, 𝑄1 ve 𝑄3 anahtarlarının, anahtarlama geçiş anlarında ait dalga şekilleri

verilmiştir. Şekillerde Kanal1 (koyu mavi) ilgili anahtarın sürme sinyalini, Kanal3
(eflatun) ilgili anahtarın gerilim dalga şeklini, Kanal4 (yeşil) ilgili anahtarın akım
dalga şeklini göstermektedir. Şekil 4.7.(a)’da, 𝑄1 anahtarının SG diyotu iletime
girerken gerçekleşen, anahtarlama geçiş anı görülmektedir. 𝑄1 anahtarının SG diyotu
iletime girerken sert anahtarlama gerçekleşmektedir. Bunun yanı sıra, 𝑄1 anahtarının
SG diyotu iletime girerken, anahtar gerilimi bara geriliminin yarısına eşittir. Dolayısı
ile bu durum anahtarlama kayıplarının azalmasını sağlamaktadır. Şekil 4.7.(b)’de, 𝑄1
anahtarının SG diyotu ve 𝑄1 anahtarı kesime giderken gerçekleşen, anahtarlama geçiş
anı görülmektedir. Şekilden görüleceği üzere 𝑄1 anahtarının SG diyotu kesime
giderken, anahtar gerilimi sıfır olduğundan, kesime gitme kaybı da sıfırdır. 𝑄1
anahtarının kendisi kesime giderken ise sert anahtarlama gerçekleşmektedir. Bunun
yanı sıra, 𝑄1 anahtarı kesime giderken, anahtar gerilimi bara geriliminin yarısına
eşittir.
37
VQ1
[100V/div] VG_Q1
[10V/div]
VG_Q1
iQ1
[10V/div]
[10A/div]
Q1 DIODE
Q1 DIODE
OFF
ON
iQ1 VQ1
[100V/div] Q1 OFF
[10A/div] [400ns/div] [400ns/div]
(a) (b)
VG_Q3 VG_Q3
[10V/div] [10V/div]
Q3
iQ3 Q3 OFF VQ3 Q3 DIODE Q3 DIODE
[10A/div] ON [100V/div] ON OFF
VQ3 iQ3
[100V/div] [10A/div] [400ns/div]
[400ns/div]
(c) (d)
Şekil 4.7. Q1 ve Q3 anahtarlarına ait anahtarlama geçişleri.
Şekil 4.7.(c)’de, 𝑄3 anahtarı iletime girerken ve kesime giderken gerçekleşen,

anahtarlama geçiş anıları görülmektedir. 𝑄3 anahtarı iletime girerken, tam yumuşak
anahtarlama gerçekleşmekte, kesime giderken ise kısmi yumuşak anahtarlama
gerçekleşmektedir. 𝑄3 anahtarı kesime giderken, anahtar gerilimi bara geriliminin
yarısına eşittir. Şekil 4.7.(d)’de, 𝑄3 anahtarının SG diyotu iletime girerken ve kesime
giderken gerçekleşen, anahtarlama geçiş anları görülmektedir. 𝑄3 anahtarının SG
diyotu iletime girerken, sert anahtarlama gerçekleşmekte, kesime giderken ise
yumuşak anahtarlama gerçekleşmektedir. 𝑄3 anahtarının SG diyotu iletime girerken,
anahtar gerilimi bara geriliminin yarısına eşittir.
BÖLÜM 5. 3LTT-IBDC DÖNÜŞTÜRÜCÜNÜN KAPALI ÇEVRİM
KONTROLÜ
Bu bölümde, amaçlanan dönüştürücün kapalı çevrim kontrolü için yapılan çalışmalar

sunulmuştur. Bu bağlamda ilk olarak kapalı çevrim kontrolünde kullanılacak olan
kontrolör tipi belirlenmiştir. Kontrolör tipi belirlendikten sonra, kontrolör
parametrelerinin nasıl seçileceğine ilişkin yaklaşım sunulmuştur. Diğer yandan
sistemin kapalı çevrim kontrolü, DSP ile gerçekleştirileceği için kontrolörün
ayrıklaştırılması ve ayrıklaştırılmış kontrolörün programlanmasına değinilmiştir. İlave
olarak kapalı çevrim kontrolünde karşılaşılan, integratör yığılması probleminden
bahsedilmiş ve yığılma önleyici amaçlı tasarım sunulmuştur. Son olarak ise
simülasyon yardımıyla kontrolör katsayıları belirlenmiş ve en kötü koşullar dikkate
alınarak, simülasyon aşamasında belirlenen kontrolör katsayılarının, gerçek zamanlı
sistem ile uygunluğu test edilmiştir.
PID kontrolör kolay uygulanması ve verimli sonuçlar sağlaması açısından endüstride

yaygın olarak kullanılmaktadır. PID kontrolör; oransal kontrolör (P), integral kontrolör
(I) ve türevsel kontrolör (D) karakteristiklerinin tümünü kapsamaktadır. Bu nedenle
PID kontrolörde 𝐾𝑃 , 𝐾𝐼 , 𝐾𝐷 olmak üzere üç adet kontrol parametresi mevcuttur.
Literatürde, bu parametrelerin hesaplanmasına ilişkin modele dayalı birçok analiz ve
yöntem mevcuttur. Fakat endüstride karşılaşılan sistemlerin karmaşık yapısı, bu
sistemlerin modellenmesini zorlaştırmaktadır. Bu nedenle PID parametrelerinin
tespiti, endüstride, genellikle deneme yanılma yöntemiyle yapılmaktadır. Deneme
yanılma yöntemiyle kontrol parametrelerinin tespiti için öncelikle P, I, D
kontrolörlerinin, kapalı çevrim sistemi üzerindeki, bağımsız etkileri incelenmelidir. P
kontrolör (𝐾𝑃 ), kapalı çevrim cevabının yükselme zamanını ve sürekli hal hatasını
azaltır, ancak sürekli hal hatasını tamamen ortadan kaldıramaz. I kontrolör (𝐾𝐼 ), sürekli
hal hatasını ortadan kaldırır, fakat sistemin geçici cevabını yavaşlatır. D kontrolör
(𝐾𝐷 ), sistem kararlılığını artırmakla birlikte, çıkış aşımını azaltır, geçici cevabı
39
iyileştirir. Burada dikkat edilmesi gereken nokta, PID kontrolörün 𝐾𝑃 , 𝐾𝐼 , 𝐾𝐷

katsayılarının birbirlerine bağlı olduğu ve bağımsız kontrolörler için yapılan
genellemenin her zaman geçerli olmayacağıdır. Dolayısı ile PID kontrolörün kapalı
çevrim üzerine olan etkisi, gerçek sistem üzerinde yapılacak testler veya simülasyon
yardımıyla daha detaylı analiz edilmelidir [70,71]. Ayrıca kontrol edilecek olan
sistemin davranışına göre, kullanılacak kontrolör tipinin seçilmesi de önem arz
etmektedir. PID kontrolör, özellikle yavaş değişimler içeren sistemler için uygunken,
PI kontrolör, küçük zaman sabitine sahip sistemler için kullanılmaktadır. PD kontrolör
ise çok sayıda zaman sabitine sahip sistemler için etkilidir [72]. Güç elektroniği temelli
dönüştürücülerin zaman sabiti genellikle küçük olduğundan, amaçlanan
dönüştürücünün kontrolünde PI kontrolör kullanılacaktır. Sürekli zaman PI
kontrolörlü sisteme ait kapalı çevrim blok diyagramı Şekil 5.1.’de verilmiştir. Burada
𝑉𝑟𝑒𝑓 (𝑠) referans sinyalini, 𝐸(𝑠) hata sinyalini, 𝜃(𝑠) kontrol sinyalini, 𝑉𝑜 (𝑠) amaçlanan
dönüştürücünün çıkış gerilimini, 𝐾𝐻 geri besleme kazancını, 𝐺𝑃 (𝑠) ise kontrol
edilecek sistemi (dönüştürücüyü) temsil etmektedir.
E(s) θ(s)
Vref (s) +- PI(s) GP(s) Vo(s)
KH
Şekil 5.1. Sürekli zaman PI kontrolörlü kapalı çevrim blok diyagramı.
5.1. Sürekli Zaman PI Kontrolörün Ayrıklaştırılması
Dönüştürücünün kapalı çevrim kontrolü, bir DSP ile ayrık zamanlı olarak
gerçekleştirileceği için, sürekli zaman PI kontrolörün ayrıklaştırılması gerekmektedir.
Sürekli zaman PI kontrolörün ayrıklaştırılmasında, Backward Euler yaklaşımı
kullanılmıştır. PI kontrolörün sürekli zaman ifadesi Denklem (5.1) ile ifade edilebilir.
1
𝑃𝐼(𝑠) = 𝐾𝑃 (1 + ) (5.1)
𝑇𝐼 𝑆
𝑇𝑆 örnekleme periyotu olmak üzere, Backward Euler yaklaşımına göre, Denklem

(5.1)’deki S ifadesinin yerine, Denklem (5.2)’deki karşılığı koyulabilir.
40
𝑧−1
𝑆= (5.2)
𝑧𝑇𝑠
𝑇
Bu işlemlerin sonunda, PI kontrolörün ayrık zaman modeli, 𝐾𝐼 = 𝐾𝑃 𝑇𝑆 olmak üzere,
𝐼
Denklem (5.3)’teki gibi elde edilir.
𝑧
𝑃𝐼(𝑧) = 𝐾𝑃 + 𝐾𝐼 (5.3)
𝑧−1
Dönüştürücünün ayrık zaman PI kontrolörlü kapalı çevrim blok diyagramı Şekil

5.2.’de gösterildiği gibidir. Şekil 5.2.’de görülen E(z), ayrık zamanlı hata işareti, θ(z),
ayrık zamanlı kontrol büyüklüğü, 𝐾𝑆 , yazılım kazancı, 𝐾𝐻 ise donanım kazancıdır.
E(z) z θ(z) θ(s)

Vref (z) +- KP+KI Ts
GP(s) Vo(s)
z-1
KS KH
Ts
Şekil 5.2. Ayrık zaman PI kontrolörlü kapalı çevrim blok diyagramı.
5.2. Ayrık Zaman PI Kontrolörün Programlanması
Ayrık zamanlı PI kontrolörün programlanmasında, kolaylık olması için Paralel

Programlama yöntemi kullanılmıştır. Bu yöntemde ayrık zamanlı sistem; toplamlar
şeklinde programlanır. Programlama işleminin yapılabilmesi için bir ara ifadeye
(𝑋(𝑧)) ihtiyaç vardır. İlave olarak, hafıza elemanının (𝑧 −1 ) ifade edilmesi de
gerekmektedir. Bu nedenle kontrolörün pay ve paydası, 𝑋(𝑧) ve 𝑧 −1 ile ayrı ayrı
çarpılır ve bölünür. Bu durumda Denklem (5.4) elde edilir.
𝜃(𝑧) 𝑧 𝑋(𝑧) 𝑧 −1
𝑃𝐼(𝑧) = = (𝐾𝑃 + 𝐾𝐼 )( )( ) (5.4)
𝐸(𝑧) 𝑧 − 1 𝑋(𝑧) 𝑧 −1
Ara işlemlerden sonra, programa ait 𝑋(𝑧) ve 𝜃(𝑧)’in ifadeleri, Denklem (5.5) ve (5.6)
ile verilebilir. Denklem (5.6)’da görülen 𝑧 −1 𝑋(𝑧) değeri, 𝑋(𝑧)’in bir önceki değerini
(hafızayı) ifade etmektedir.
41
𝜃(𝑧) = 𝐾𝑝 𝑒(𝑧) + 𝑥(𝑧) (5.5)
𝑥(𝑧) = 𝐾𝐼 𝑒(𝑧) + 𝑧 −1 𝑥(𝑧) (5.6)
Denklem (5.5) ve (5.6) yardımıyla, kontrolörün programlanmış blok diyagramı Şekil

5.3.’teki gibi çizilebilir.
E(z) θ(z) θ(s)

Vref (z) +- KP ++
Ts
GP(s) Vo(s)
X(z)
KI ++
z-1
KS KH
Ts
Şekil 5.3. Programlanmış PI kontrolörlü kapalı çevrim blok diyagramı.
5.3. İntegral Yığılması ve Yığılma Önleyici
Kapalı çevrim kontrol sistemlerinde, kontrol edilen sistemin fiziksel sınırlarına

ulaşıldığında da sistemin güvenli çalışabilmesini sağlamak için, kontrol sinyalinin
sınırlandırılması gerekmektedir. Ancak bu sınırlandırma kontrol sinyali üzerinde
yapılacağı için, kontrolördeki integral elemanı, hata sinyalini işlemeye devam
edecektir. Bu durumda kontrolördeki integral elemanının çıkışı, istenilmeyen ölçüde
büyük ya da küçük değerlere ulaşacaktır. Kontrol edilen sistem, normal çalışmaya
döndüğünde ise integral elemanının beklenen sınırlar içerisine geri dönmesi uzun
zaman alacaktır. Dahası bu durum, sistem cevabında istenmeyen salınımlara yol
açabilir. Kontrolördeki integral elemanının çıkışında meydana gelen bu istenmeyen
durum, integral yığılması olarak tanımlanır ve kontrolör için tasarlanacak bir yığılma
önleyici ile ortadan kaldırılabilir [73]. Bu çalışmada kontrolcü için Geri Hesap
Yöntemi kullanılarak bir yığılma önleyici tasarlanmıştır. Geri Hesap Yöntemiyle
tasarlanmış yığılma önleyicili kontrolörün blok diyagramı Şekil 5.4.’te gösterildiği
gibidir. Şekil 5.4.’teki kontrolör çıkışı (𝜃(𝑧)) doyuma ulaştığında, integral elemanının
çıkışı (𝑋(𝑧)), kontrol değişkenini, doyum noktasına yakın bir noktada tutacak şekilde
ayarlaması gerekmektedir. Yığılma önleyici, sınırlandırılmış sürme sinyali (𝜃𝐿 (𝑧)) ile
kontrolör çıkış sinyalinin (𝜃(𝑧)) farkını alarak bir hata sinyali (𝐸𝑌 (𝑧)) üretir.
42
Ardından, bu hata sinyali, belli bir oranda (𝐾𝐿 ) kuvvetlendirilerek, kontrolördeki

integral elemanının girişine birim gecikmeli olarak uygulanır. Kontrol sisteminde
doyum gerçekleştiğinde, yığılma önleyicinin hesapladığı hata sinyali (𝐸𝑌 (𝑧)) ile
kontrolör çıkış sinyali (𝜃(𝑧)) daima ters işaretli olacaktır. Dolayısı ile geri beslenen
𝐸𝑌 (𝑧) sinyali, doyuma ulaşan kontrolör çıkışını bastırarak, doyum noktasına yakın bir
değerde kalmasını sağlayacaktır. Diğer taraftan, sistem normal çalışma sınırlarında ise
(doyum gerçekleşmemiş ise) hata sinyali 𝐸𝑌 (𝑧) sıfır olacağından, yığılma önleyicinin
kontrol aksiyonuna hiçbir etkisi olmayacaktır.
E(z) θ(z) θL(z) θL(s)

Vref(z) +- KP ++
Ts
GP(s) Vo(s)
X(z) + -
KI ++ ++
z-1 EY(z)
z-1 KL
KS KH
Ts
Şekil 5.4. Yığılma önleyici ilaveli PI kontrolörlü kapalı çevrim blok diyagramı.
5.4. Simülasyon Yardımı ile Kontrolör ve Yığılma Önleyici Katsayılarının

Belirlenmesi
Dönüştürücünün kontrolör ve yığılma önleyici katsayılarını belirlemek için öncelikle

sistem performansının tanımlanması gerekmektedir. Dönüştürücüye nominal giriş
gerilimi (400V) uygulandığında, yüklü ve yüksüz başlangıç için çıkış gerilimindeki
maksimum aşım %5’i geçmemelidir. Ayrıca dönüştürücü yüklü ya da yüksüz
çalışıyorken, %100 yük çıkışı veya girişi durumunda, çıkış gerilimindeki maksimum
bozulma %5’i aşmamalıdır. Diğer yandan dönüştürücü, tüm bu kriterleri minimum
(350V) ve maksimum (450V) giriş gerilimlerinde de sağlamalıdır.
Simülasyon çalışmasına ait ayrık zaman kontrol devresi Şekil 5.5.’te gösterildiği
gibidir. Devreye ait güç ve modülasyon devreleri Şekil 3.5. ile aynı olduğu için burada
yer verilmemiştir.
43
E_Z TETA TETA_L

V_REF V K_P V 90 V
K
185 -10 phs
X_Z
K_I V
V_o K_H K
K ZOH 5,5
3,3/512 fsw 1
V z
X_Z_1 fsw E_Y_Z

K_L V
1
z K
fsw 1
Şekil 5.5. Simülasyon çalışmasına ait yığılma önleyicili kontrol devresi.
Yığılma önleyici ve kontrol katsayılarını belirlerken, uygulayıcı her bir katsayının

değişimini iyi gözlemlemelidir. Katsayılar değiştirilirken aynı anda iki katsayı
değiştirilmemelidir. Her adımda bir katsayı değiştirilmeli ve çıkışa etkisi
gözlemlenmelidir. Başlangıç olarak seçilen 𝐾𝐿 = 1, 𝐾𝑃 = 50, 𝐾𝐼 = 1 değerleri için
kapalı çevrim sistem cevabı, Şekil 5.6.’da gösterildiği gibidir. Şekil 5.6.(a)’da çıkış
gerilimin aşımı incelendiğinde, istenilen performans kriterlerinin üzerinde olduğu
görülmektedir. Bu durumda 𝐾𝑃 değeri değiştirilip, sistem cevabı tekrar incelenmelidir.
Ayrıca Şekil 5.6.(b)’de yığılma önleyicinin kontrol aksiyonuna etkisi, yaklaşık 3,7ms
sonra tam olarak ortadan kalkmaktadır. Çıkış gerilimindeki maksimum aşım ise
yaklaşık olarak yedinci milisaniyede gerçekleşmektedir. Bu sebeple bu aşama için,
yığılma önleyici katsayısı (𝐾𝐿 ) değerinin uygun olduğu söylenebilir.
V_o(V) I_o*20(A) TETA_L(°) TETA(°) V_o(V) I_o*20(A) TETA_L(°) TETA(°)

500 500
[0,007s - 443,972V] [0,042s - 344,751V]
400 400
[0,021s - 460,461V]
300 300
200 200 TETA
[0,0037s - 89,99°]
100 100
0 TETA_L
0
[0,0037s - 89,99°]
-100 -100
0
0 0,02
0.02 0,04
0.04 0,06
0.06 00 0,002
0.002 0,004
0.004 0,006
0.006 0,008
0.008 0,01
Time (s)
zaman(s) Time (s)
zaman(s)
(a) (b)
Şekil 5.6. KL=1, KP=50, KI=1 için kapalı çevrim sistem cevabı.
Yeni 𝐾𝑃 değeri 100 olarak belirlendiğinde elde edilen sistem cevabı Şekil 5.7.’deki
gibidir. Şekil 5.7.(a)’da çıkış geriliminin zamanla değişimi incelendiğinde, maksimum
aşım %5’ten küçük olarak gerçekleşmektedir. Ancak çıkış geriliminin %100 yük girişi
44
ve %100 yük çıkışındaki bozulma miktarı %5’in üzerinde gerçekleşmektedir. Bu

durumda 𝐾𝐼 değeri değiştirilerek, sistem cevabı yeniden analiz edilmelidir. Diğer
taraftan bir önceki testte olduğu gibi, Şekil 5.7.(b)’de, maksimum aşım
gerçekleşmeden önce, yığılma önleyici tam olarak devreden çıkarak kontrol
aksiyonuna etkisinin kalmadığı görülmektedir. Dolayısı ile 𝐾𝐿 değerinin, bu test
aşaması için de uygun olduğu söylenebilir.

500 500
[0,0067s - 408,279V] [0,041s - 363,609V]
400 400
[0,021s - 440,845V]
300 300
200 200 TETA
100 100 [0,0021s - 89,99°]
0 0 TETA_L
[0,0021s - 89,99°]
-100 -100
0 0,02
0.02 0,04
0.04 0,06
0.06 00 0,002
0.002 0,004
0.004 0,006
0.006 0,008
0.008 0,01
Time (s)
zaman(s) Time (s)
zaman(s)
(a) (b)
Yeni 𝐾𝐼 değeri 4 olarak değiştirildiğinde elde edilen sistem cevabı Şekil 5.8.’de
gösterilmiştir. Şekil 5.8.(a)’da çıkış geriliminin zamanla değişimi incelendiğinde,
maksimum aşımın %5’in üzerine tekrar çıktığı görülmektedir. Diğer taraftan, Şekil
5.8.(a)’da, %100 yük çıkışı ve %100 yük girişinde, çıkış geriliminin bozulma miktarı
%5’in üzerinde gerçekleşmesine rağmen önemli ölçüde iyileşme sağlandığı da
görülmektedir. Şekil 5.7.(b)’de yığılma önleyicinin kapalı çevrim cevabına etkisi
incelendiğinde ise 4,3ms sonra tamamen devreden çıktığı ve kontrol aksiyonuna
etkisinin ortadan kalktığı görülmektedir.

500 500
[0,006s - 424,276V] [0,041s - 372,464V]
400 400
[0,021s - 430,812V]
300 300
200 200 TETA
[0,0043s - 89,98°]
100 100
TETA_L
0 0
[0,0043s - 89,98°]
-100 -100
0 0,02
0.02 0,04
0.04 0,06
0.06 00 0,002
0.002 0,004
0.004 0,006
0.006 0,008
0.008 0,01
Time (s)
zaman(s) Time (s)
zaman(s)
(a) (b)
Benzer şekilde yapılan birkaç testten sonra, kontrol katsayıları; 𝐾𝐿 = 1, 𝐾𝑃 = 185,

𝐾𝐼 = 5,5 olarak belirlenmiştir. Şekil 5.9. bu kontrol katsayıları kullanılarak elde edilen
45
kapalı çevrim sistem cevabına aittir. Şekil 5.9.(a)’dan görüleceği üzere, çıkış
geriliminin maksimum aşımı %5’in altında gerçekleşmektedir. Diğer yandan %100
yük çıkışı ve yük girişi için çıkış gerilimindeki maksimum bozulma miktarı %5
civarında gerçekleşmektedir. Şekil 5.9.(b)’de yığılma önleyicinin kontrol aksiyonuna
etkisi incelendiğinde, yığılma önleyicinin yaklaşık olarak 4,1ms sonra devreden çıktığı
ve sistem cevabı üzerinde herhangi bir etkisi olmadığı görülmektedir.

500 500
[0,0056s - 412,937V] [0,041s - 379,671V]
400 400
[0,021s - 420,743V]
300 300
200 200 TETA
[0,0041s - 89.99°]
100 100
TETA_L
0 0
[0,0041s - 89.99°]
-100 -100
0 0,02
0.02 0,04
0.04 0,06
0.06 00 0,002
0.002 0,004
0.004 0,006
0.006 0,008
0.008 0,01
Time (s)
zaman(s) Time (s)
zaman(s)
(a) (b)
Şekil 5.9. KL=1, KP=185, KI=5,5 için kapalı çevrim sistem cevabı.
Şimdiye kadar yapılan testler en kötü koşul olan tam yüklü başlangıç için
gerçekleştirilmiştir. Ancak sistemin bir de yüksüz başlangıç için test edilerek, bulunan
kontrol katsayılarının uygunluğu araştırılmalıdır. Şekil 5.10.’da yüksüz başlangıç için
elde edilen kapalı çevrim sistem cevabı verilmiştir. Şekil 5.10.(a)’dan görüleceği
üzere, çıkış geriliminin maksimum aşımı %5’ten küçük olarak gerçekleşmektedir.
Ayrıca %100 yük girişi ve çıkışı için gerçekleşen bozulma miktarı %5 civarındadır.
Şekil 5.10.(b)’de yığılma önleyicinin, yüksüz başlangıç için kontrol aksiyonuna etkisi
görülmektedir. Burada yığılma önleyicinin 2,1ms sonra tamamen devreden çıkarak,
aşım, yük girişi ve yük çıkışında, kapalı çevrim cevabına etkisinin olmadığı
görülebilir.

500 500
[0,0033s - 416,651V] [0,041s - 420,742V]
400 400
[0,021s - 379,507V]
300 300
200 200 TETA
[0,0021s - 89,94°]
100 100
TETA_L
0 0
[0,0021s - 89,94°]
-100 -100
0 0,02
0.02 0,04
0.04 0,06
0.06 00 0,002
0.002 0,004
0.004 0,006
0.006 0,008
0.008 0,01
Time (s)
zaman(s) Time (s)
zaman(s)
(a) (b)
Şekil 5.10. Yüksüz başlangıç durumunda KL=1, KP=185, KI=5,5 için kapalı çevrim sistem cevabı.
46
Şekil 5.11.’de, kapalı çevrim kontrol sisteminin ve Bölüm 3’teki teorik analizlerin
doğrulanması için, farklı çıkış yükü ve farklı giriş gerilimi koşullarında, PI kontrolörün
hesapladığı sürekli hal açı değerleri gösterilmektedir. Şekil 5.11.(a)’da, çıkış yükü
%30’dan başlamak suretiyle, 10ms aralıklarla %10 artırılarak, %100’e çıkarılmıştır.
Şekil 5.11.(b)’de ise giriş gerilimi 350V’dan başlamak suretiyle, 10ms aralıklarla 25V
artırılarak, 450V’a çıkarılmıştır. Testler esnasında, çıkış yükü ve giriş gerilimindeki
değişimler uygulandıktan sonra, PI kontrolörün sürekli hale ulaşması beklenerek açı
ölçümleri alınmıştır. Her bir koşul için PI kontrolcünün hesapladığı açı değeri faz
kaydırma oranına dönüştürülerek (δ(PI)), Denklem (3.12) ile hesaplanan faz kaydırma
oranı (δ(Dnk.)) ile karşılaştırılmıştır.
V_o(V) I_o*20(A) TETA_L(°) V_o(V) V_i(V) TETA_L(°)

500 500 [450V]
[425V]
400 400
[375V] [400V]
300 300 [350V]
200 200
%80Po %90Po %100Po
100 %60Po %70Po 100 [50,66°]
%30Po %40Po %50Po [45,42°] [41,29°] [37,93°] [35,11°]
0 [30,85°] [35,84°] [41,39°] 0
[11,58°] [13,91°] [ 17,86°] [21,94°] [26,24°]
-100 -100
0,02
0.02 0,04
0.04 0,06
0.06 0,08
0.08 0,1
0.1 0,02
0.02 0,03 0,04
0.04 0,05 0,06
0.06 0,07
Time (s)
zaman(s) Time (s)
zaman(s)
(a) (b)
Şekil 5.11. Kapalı çevrim kontrol sisteminin hesapladığı açı değerleri (a) Farklı çıkış yükü, (b) Farklı giriş gerilimi.
Şekil 5.12.’de görüleceği üzere, δ(Dnk.) değeri ile δ(PI) değeri neredeyse tam olarak
örtüşmektedir. Sadece Şekil 5.12.(a)’da, %30 yük koşulu için δ(Dnk.) ile δ(PI) değeri
arasında bir fark oluştuğu görülmektedir. Denklem (3.12) ile verilen δ ifadesi CCM
mod için geçerlidir. Dönüştürücü, %30 yükte DCM modda çalışacağı için, Şekil
5.12.’de %30 yük koşulunda, δ(Dnk) değeri ile δ(PI) değeri arasında bir fark meydana
gelmesi olağandır.
0,15 0,15
δ(Dnk.), D=47% δ(PI), D=47%
0,10 0,10
δ δ
0,05 0,05
δ(Dnk.), D=47% δ(PI), D=47%
0,00 0,00
30 40 50 60 70 80 90 100 350 375 400 425 450
Pₒ[%] Vin[V]
(a) (b)
Şekil 5.12. Denklem (3.12) ile hesaplanan δ değerleriyle PI kontrolörün hesapladığı δ değerlerinin karşılaştırılması
(a) Farklı çıkış yükleri, (b) Farklı giriş gerilimleri.
47
5.5. Deneysel Çalışma ile Sistem Performansının İncelenmesi
Deneysel çalışma, simülasyon yardımıyla elde edilen kontrolör ve yığılma önleyici

parametreleri kullanılarak gerçekleştirilmiştir. Simülasyon çalışmasında olduğu gibi
deneysel çalışmada da sistemin performans analizi, dönüştürücünün yüksüz, yüklü
başlangıç, sistem sürekli halde çalışıyorken %100 yük girişi ve %100 yük çıkışı
koşullarındaki davranışı incelenerek yapılmıştır. Bunların yanı sıra giriş gerilimi için
en kötü koşullar olan maksimum ve minimum değerlerinde, dönüştürücünün
performans analizi incelenmiştir. Deneysel çalışmada, ilk olarak giriş gerilimi 400V’a
ayarlanmış ve performans analizi yapılmıştır.
Şekil 5.13.’te, 400V giriş gerilimi için, dönüştürücünün yüksüz ve yüklü başlangıcına
ait kapalı çevrim cevabı görülmektedir. Şekil 5.13.(a)’da yüksüz başlangıç için çıkış
geriliminin (Kanal1, mavi) maksimum aşımı 414V (Kürsör b) olarak gerçekleşmiştir.
Dönüştürücünün yerleşme zamanı ise yaklaşık olarak 4ms ve sürekli hal çıkış gerilimi
402V (Kürsör a) olarak ölçülmüştür. Şekil 5.13.(b)’de yüklü başlangıç için çıkış
geriliminin (Kanal1, mavi) maksimum aşımı 412V (Kürsör b) olarak gerçekleşmiştir.
Dönüştürücünün yerleşme zamanı ise yaklaşık olarak 6,2ms ve sürekli hal çıkış
gerilimi 400V (Kürsör a) ölçülmüştür.
Vi Vo Vi Vo
[100V/div] [100V/div] [100V/div] [100V/div]
Io Io
[2A/div] [2ms/div] [2A/div] [2ms/div]
(a) (b)
Şekil 5.13. 400V giriş gerilimi için kapalı çevrim cevabı (a) Yüksüz başlangıç, (b) Yüklü başlangıç.
48
Şekil 5.14.’te 400V giriş gerilimi için (Kanal3, eflatun) dönüştürücünün %100 yük
girişine (Kanal2, turkuaz) ait kapalı çevrim cevabı görülmektedir. Şekil 5.14.(a)’da
%100 yük girişi için çıkış gerilimindeki (Kanal1, mavi) maksimum çökme 382V
(Kürsör b) ölçülmüş ve yaklaşık 2ms sürede toparlanarak 400V (Kürsör a) seviyesine
oturmuştur. Yükleme testinde, yük giriş ve çıkışının mümkün olduğunca hızlı olması
gerekir. Bu nedenle kontaktör gibi yavaş anahtarlama yapan mekanik bir anahtar
yerine, daha hızlı anahtarlama yapabilen statik bir anahtar ile yükleme işlemi
gerçekleştirilmiştir. Şekil 5.14.(b), çıkış akımının yükselme hızına aittir. Şekilden de
görüleceği üzere, akımın yükselme hızı yaklaşık olarak 25𝐴⁄µ𝑠’dir.
Vi Vo Vi Vo
Io Io
[2A/div] [2ms/div] [2A/div] [100ns/div]
(a) (b)
Şekil 5.14. 400V giriş gerilimi için kapalı çevrim cevabı (a) %100 yük girişi, (b) Çıkış akımının yükselme hızı.
Şekil 5.15.’te 400V giriş gerilimi için (Kanal3, eflatun) dönüştürücünün %100 yük
çıkışına (Kanal2, turkuaz) ait kapalı çevrim cevabı görülmektedir. Şekil 5.15.(a)’da
%100 yük çıkışı için, çıkış gerilimindeki (Kanal1, mavi) maksimum aşım 420V
(Kürsör b) ölçülmüş ve çıkış gerilimi yaklaşık 2ms sürede toparlanarak 402V (Kürsör
a) seviyesine oturmuştur. Şekil 5.15.(b)’de akımın alçalma hızı yaklaşık olarak
25𝐴⁄µ𝑠 ölçülmüştür.
Vi Vo Vi Vo
Io Io
[2ms/div] [100ns/div]
[2A/div] [2A/div]
(a) (b)
Şekil 5.15. 400V giriş gerilimi için kapalı çevrim cevabı (a) %100 yük çıkışı, (b) Çıkış akımının alçalma hızı.
49
Şekil 5.16.’da 350V giriş gerilimi için, dönüştürücünün yüksüz ve yüklü başlangıcına
ait kapalı çevrim cevabı görülmektedir. Şekil 5.16.(a)’da yüksüz başlangıç için, çıkış
gerilimindeki (Kanal1, mavi) maksimum aşım 416V (Kürsör a) olarak gerçekleştiği
görülmektedir. Dönüştürücünün yerleşme zamanı ise yaklaşık olarak 4ms ve sürekli
hal çıkış gerilimi 402V (Kürsör a) ölçülmüştür. Şekil 5.16.(b)’de yüklü başlangıç için
çıkış geriliminin (Kanal1, mavi) maksimum aşımı 410V (Kürsör a) olarak
gerçekleşmiştir. Dönüştürücünün yerleşme zamanı ise yaklaşık olarak 8,4ms ve sürekli
hal çıkış gerilimi 400V (Kürsör b) ölçülmüştür.
Vi Vo Vi Vo
Io [2ms/div] Io
[100ns/div]
[2A/div] [2A/div]
(a) (b)
Şekil 5.17.’de 350V giriş gerilimi (Kanal3, eflatun) için dönüştürücünün %100 yük
görüldüğü gibi, %100 yük girişi için, çıkış gerilimindeki (Kanal1, mavi) maksimum
çökme 382V (Kürsör b) olarak ölçülmüş ve yaklaşık 2ms sürede toparlanarak 402V
(Kürsör a) seviyesine oturmuştur. Şekil 5.17.(b)’de görüldüğü gibi akımın yükselme
hızı yaklaşık olarak 27𝐴⁄µ𝑠 gerçekleşmiştir.
Vi Vo Vi Vo
Io [2ms/div] Io [100ns/div]
[2A/div] [2A/div]
(a) (b)
50
Şekil 5.18.’de 350V giriş gerilimi için (Kanal3, eflatun) dönüştürücünün %100 yük
görüldüğü gibi, %100 yük çıkışı için, çıkış gerilimindeki (Kanal1, mavi) maksimum
aşım 420V (Kürsör b) ölçülmüş ve yaklaşık 2ms sürede toparlanarak 402V (Kürsör a)
seviyesine oturmuştur. Şekil 5.18.(b)’de görüldüğü gibi, akımın alçalma hızı yaklaşık
olarak 25𝐴⁄µ𝑠 gerçekleşmektedir.
Vi Vo Vi Vo
Io Io
[2ms/div] [100ns/div]
[2A/div] [2A/div]
(a) (b)
Şekil 5.19.’da, 450V giriş gerilimi için (Kanal3, eflatun) dönüştürücünün yüksüz ve
yüklü başlangıcına ait kapalı çevrim cevabı görülmektedir. Şekil 5.19.(a)’da yüksüz
başlangıç için çıkış gerilimindeki (Kanal1, mavi) maksimum aşım 414V (Kürsör a)
olarak gerçekleşmiştir. Dönüştürücünün yerleşme zamanı ise yaklaşık olarak 3,5ms ve
sürekli hal çıkış gerilimi 402V (Kürsör b) olarak ölçülmüştür. Şekil 5.19.(b)’de yüklü
başlangıç için çıkış geriliminin (Kanal1, mavi) maksimum aşımı 412V (Kürsör b)
olarak gerçekleşmiştir. Dönüştürücünün yerleşme zamanı ise yaklaşık olarak 4,5ms ve
sürekli hal çıkış gerilimi 400V (Kürsör a) ölçülmüştür.
Vi Vo Vi Vo
Io Io
[2A/div] [2ms/div] [2A/div] [2ms/div]
(a) (b)
51
%100 yük girişi için çıkış gerilimindeki (Kanal1, mavi) maksimum çökme 382V
(Kürsör b) olarak ölçülmüş ve yaklaşık 2,5ms sürede toparlanarak 400V (Kürsör a)
seviyesine oturmuştur. Şekil 5.20.(b)’de görüldüğü gibi, çıkış akımının yükselme hızı
yaklaşık olarak 27𝐴⁄µ𝑠 gerçekleşmektedir.
Vi Vo Vi Vo
Io Io
(a) (b)
%100 yük çıkışı için çıkış gerilimindeki (Kanal1, mavi) maksimum aşım 420V
(Kürsör b) olarak ölçülmüş ve yaklaşık 2ms sürede toparlanarak 402V (Kürsör a)
seviyesine oturmuştur. Şekil 5.21.(b)’de görüldüğü gibi, çıkış akımının alçalma hızı
yaklaşık olarak 25𝐴⁄µ𝑠 gerçekleşmektedir.
Vi Vo Vi Vo
Io Io
(a) (b)
52
Tablo 5.1.’de deneysel çalışmalara ait performans çıktıları gösterilmiştir. Tablodan

görüleceği üzere, tüm çalışma koşullarında, çıkış gerilimindeki aşım %5 sınırını
aşmamaktadır. Ayrıca yük giriş ve çıkışlarında, çıkış geriliminde meydana gelen
bozulma yine %5’i aşmamaktadır. Diğer taraftan dönüştürücünün yerleşme zamanı,
tüm çalışma koşulları için 10ms’nin altında gerçekleşmektedir. Sonuç olarak,
simülasyon yardımıyla belirlenen kontrolör katsayılarının, istenilen performans
kriterlerini sağladığı deneysel çalışma ile doğrulanmıştır.
Tablo 5.1. Deneysel çalışmaya ait performans çıktıları.
Giriş Gerilimi 350V 400V 450V

Aşım (Yüksüz Başlangıç) %4 %3,5 %3,5
Aşım (Yüklü Başlangıç) %2,5 %3 %3
Yerleşme Zamanı (Yüksüz Başlangıç) 4ms 4ms 3,5ms
Yerleşme Zamanı (Yüklü Başlangıç) 8,4ms 6,2ms 4,5ms
Bozulma (%100 yük girişi) %4,5 %4,5 %4,5
Bozulma (%100 yük çıkışı) %5 %5 %5
BÖLÜM 6. SONUÇLAR VE ÖNERİLER
Üç seviyeli T-tipi topoloji, son yıllarda, evirici ve doğrultucu çalışmalarında geniş bir
kullanım alanı bulmuştur. Bu çalışmada, T-tipi topoloji, iki yönlü DA-DA
dönüştürücülere başarılı bir şekilde uygulanarak literatüre kazandırılmıştır. Bu
bağlamda, tasarlanan yeni dönüştürücünün teorik analizinin yanı sıra, simülasyon
çalışması ve gerçek zamanlı uygulaması da yapılmıştır. Teorik analizler neticesinde
elde edilen kaçak endüktans bağıntıları, giriş gerilimi ve güç aktarım karakteristikleri,
gerçek zamanlı prototip üzerinde, açık çevrimli olarak test edilmiştir. Test sonuçları,
teorik analiz ve deneysel sonuçlarının yüksek doğrulukta örtüştüğünü ortaya
koymaktadır. Teorik analizler yapılırken, dönüştürücünün ideal kabul edilmesinden
dolayı, gerçek zamanlı uygulamada meydana gelen küçük sapmalar beklenen bir
durumdur. Dönüştürücünün verimi, METKAL firmasının periyodik kalibrasyonlarını
yaptığı yüksek hassasiyetli ölçü aletleri ile eş zamanlı fotoğraflama metoduyla, %20-
%100 arası yük koşullarında analiz edilmiştir. Analizler neticesinde, dönüştürücünün
%70 yükte maksimum verimi %96,81 olarak ölçülmüştür. Dönüştürücünün tam
yükteki verimi ise %96,27 olarak gerçekleşmiştir. Diğer yandan, dönüştürücünün DSP
tabanlı ayrık zaman kapalı çevrim kontrolüne yönelik çalışmalar da yapılmıştır. Kapalı
çevrim kontrolünde ayrık zaman PI kontrolör kullanılmıştır. Ayrıca, sistemin kapalı
çevrim kontrolünde, kontrol sinyalinin fiziksel sınırlara ulaşması durumunda ortaya
çıkan integratör yığılmalarına karşı, geri hesap yöntemine dayalı bir yığılma önleyici
tasarlanmıştır. Ayrık zamanlı kontrolör katsayıları, simülasyon yardımıyla deneysel
olarak elde edilmiştir. Kontrol katsayılarının uygunluğu, simülasyon ve deneysel
çalışmalar ile, performans kriterleri ve çıktıları karşılaştırılarak araştırılmıştır. Ayrıca,
ikinci kademe doğrulama olarak, çeşitli koşullar altında, simülasyon yardımıyla PI
kontrolörün hesapladığı, köprüler arası faz açılarının sürekli hal değeri ile, teorik
çalışma esnasında giriş gerilim ve güç aktarım karakteristiklerinde elde edilen faz
açılarının karşılaştırması yapılmıştır. Karşılaştırmalar neticesinde, performans
54
çıktılarının, performans kriterlerini sağladığı, bunun yanı sıra, teorik hesaplamalar ile,
kontrolörün hesapladığı sürekli hal faz açılarının örtüştüğü görülmüştür.
Geliştirilen yeni üç seviyeli dönüştürücü, iki seviyeli muadilleri ile karşılaştırıldığında,

anahtarlama elemanlarının gerilim stresleri düşük olduğundan, anahtarlama kayıpları
daha azdır ve bu durum, dönüştürücünün verimini yükseltmiştir. Üç seviyeli
topolojiler, iki seviyeli topolojilere göre daha maliyetli olmasına rağmen, üç seviyeli
topolojilerin yüksek verimli olması, daha yüksek çalışma frekanslarına çıkılarak pasif
elemanların yanı sıra soğutma bloklarının ebatlarının da küçülmesini sağladığından,
üç seviyeli topolojinin toplam üretim maliyetini düşürmektedir.
Geliştirilen yeni üç seviyeli dönüştürücü, mevcut üç seviyeli muadilleri ile

karşılaştırıldığında, anahtarlama elemanlarının sayısı daha az olduğundan,
anahtarlama kayıpları ve anahtar maliyetleri daha düşüktür. Ayrıca, önerilen
topolojinin normal çalışması esnasında meydana gelebilecek iç ve dış kaynaklı
hatalara karşı, koruma aksiyonlarının devreye girerek tüm anahtarları aynı anda
kapatması durumunda anahtarlama elemanları üzerinde eşit bölüşülmemiş blokaj
gerilimleri oluşmadığından, üç seviyeli muadillerine göre daha güvenilirdir. Diğer
yandan tasarlanan dönüştürücü, izolasyon trafosunun her iki tarafında simetrik T-tipi
anahtar yapısı içerdiğinden, aktarılan gücün yönü ve büyüklüğü, modülasyon yöntemi
ve anahtarlama sıralaması değiştirilmeden, köprüler arası faz farkının işareti ve
büyüklüğü değiştirilerek sağlanabilir. Bu durum, tek kontrol büyüklüğü içermesi ve
güç akış yönünün değiştirilmesinde ilave alt rutinlere ihtiyaç duyulmaması açısından
değerlendirildiğinde, amaçlanan dönüştürücünün kontrolünün kolay olduğunu da
ortaya koymaktadır.
Sonuç olarak, dönüştürücünün, teorik analizi, simülasyonu ve gerçek zamanlı

uygulaması yapılarak, tasarlanan yeni üç seviyeli, iki yönlü DA-DA dönüştürücü, iki
seviyeli topolojilerin avantajları ile üç seviyeli topolojilerin avantajlarını
birleştirdiğinden, toplam verim, maliyet, güvenirlik ve kontrol kolaylığı açısından da
değerlendirildiğinde, iki seviyeli ve üç seviyeli rakiplerine göre daha üstündür.
55
Bu çalışmanın içeriği, topoloji odaklı bir araştırma olduğu için modülasyon

yöntemleri, yumuşak anahtarlama yöntemleri, farklı tip yarı iletkenler ile
dönüştürücünün verim analizi ve modelleme gibi konular üzerine çalışma
yapılmamıştır. Modülasyon yöntemleri açısından değerlendirildiğinde, gelecek
çalışmalarda EPS, DPS, TPS gibi farklı modülasyon yöntemleri kullanılarak
dönüştürücünün sirkülasyon gücü ve kayıpları analiz edilebilir. Bunun yanı sıra,
tasarlanan dönüştürücünün, Bölüm 3’te bahsedilen anahtarlama geçiş anları göz önüne
alındığında, bazı anahtarlarda topolojinin doğası gereği tam yumuşak anahtarlama,
bazı anahtarlarda kısmi yumuşak anahtarlama, diğer anahtarlarda ise sert anahtarlama
gerçekleştiği görülmüştür. Verim üzerine yapılacak gelecek çalışmalarda,
dönüştürücüye ait tüm anahtarlarda, yumuşak anahtarlamayı gerçekleştirecek
anahtarlama yöntemleri araştırılabilir. Yine verim üzerine yapılacak çalışmalarda
silisyum karbür (SiC) ve galyum nitrat (GaN) gibi yeni nesil yarı iletkenler
kullanılarak dönüştürücünün verimi daha da yükseltilebilir. İlave olarak kontrol
alanında yapılacak çalışmalarda, dönüştürücünün dinamik modeli türetilerek,
dönüştürücü için model tabanlı kontrolcü tasarımı yapılabilir.
KAYNAKLAR
[1] Liserre, M., Sauter, T., Hung, J. Y., Future energy systems: Integrating
renewable energy sources into the smart power grid through industrial
electronics. IEEE Mag. Ind. Electron., 4(1), 18–37, 2010.
[2] Karshenas, H. R., Daneshpajooh, H., Safaee, A., Bakhshai, A., Jain, P., Basic
families of medium-power soft-switched isolated bidirectional dc-dc
converters. Power Electron. Drive Syst. Technol. Conf., Tehran, 92–97, 2011.
[3] Mumtaz, S., Ahmad, S., Khan, L., Ali, S., Kamal, T., Hassan, S. Z., Adaptive
feedback linearization based neurofuzzy maximum power point tracking for a
photovoltaic system. Energies, 11(3), 606–621, 2018.
[4] Emadi, A., Lee, Y. J., Rajashekara, K., Power electronics and motor drives in
electric, hybrid electric, and plug-in hybrid electric vehicles. IEEE Trans. Ind.
Electron., 55(6), 2237–2245, 2008.
[5] Sarlioglu, B., Morris, C. T., More Electric Aircraft: Review, Challenges, and
Opportunities for Commercial Transport Aircraft. IEEE Trans. Transp.
Electrif., 1(1), 54–64, 2015.
[6] Tariq, M., Maswood, A. I., Gajanayake, C. J., Ooi, G. H. P., Chatterjee, P.,
Madishetti, S., Molligoda, D. A., Gupta, A. K., Battery integration with more
electric aircraft DC distribution network using phase shifted high power
bidirectional DC-DC converter. IEEE Power Energy Eng. Conf., Brisbane,
231–235, 2015.
[7] Devillers, N., Péra, M. C., Bienaimé, D., Grojo, M. L., Influence of the energy
management on the sizing of Electrical Energy Storage Systems in an aircraft.
J. Power Sources, 270(1), 391–402, 2014.
[8] Lahyani, A., Venet, P., Guermazi, A., Troudi, A., Battery/Supercapacitors
Combination in Uninterruptible Power Supply (UPS). IEEE Trans. Power
Electron., 28(4), 1509–1522, 2013.
[9] Chung, H. S. H., Cheung, W., Tang, K. S., A ZCS Bidirectional Flyback DC/DC
Converter. IEEE Trans. Power Electron., 19(6), 1426–1434, 2004.
57
[10] Mohd Mukhtar, N., Lu, D. D.-C., A Bidirectional Two-Switch Flyback

Converter with Cross-Coupled LCD Snubbers for Minimizing Circulating
Current. IEEE Trans. Ind. Electron., 66(8), 5948–5957, 2018.
[11] Kashif, M., Bidirectional flyback DC-DC converter for hybrid electric vehicle:
Utility, working and PSPICE computer model. Postgrad. Res. Microelectron.
Electron. Conf., Hyderabad, 61–66, 2012.
[12] Shagerdmootaab, A., Pourazadi, S., Moallem, M., Menon, C., Control of a high-
voltage bidirectional dc–dc flyback converter for driving DEAs. IET Power
Electron., 11(10), 1698–1705, 2018.
[13] Zhang, F., Yan, Y., Novel forward-flyback hybrid bidirectional DC-DC
converter. IEEE Trans. Ind. Electron., 56(5), 1578–1584, 2009.
[14] Diab-Marzouk, A., Trescases, O., SiC-Based Bidirectional ĆUK Converter

With Differential Power Processing and MPPT for a Solar Powered Aircraft.
IEEE Trans. Transp. Electrif., 1(4), 369–381, 2015.
[15] Li, C., Herrera, L., Jia, J., Fu, L., Isurin, A., Cook, A., Huang, Y., Wang, J.,
Design and implementation of a bidirectional isolated Ćuk converter for low-
voltage and high-current automotive DC source applications. IEEE Trans. Veh.
Technol., 63(6), 2567–2577, 2014.
[16] Aboulnaga, A., Emadi, A., Performance Evaluation of the Isolated Bidirectional
Cuk Converter with Integrated Magnetics. IEEE Power Electron. Spec. Conf.,
Aachen, 1557–1562, 2004.
[17] Li, H., Peng, F. Z., Lawler, J. S., A natural ZVS medium-power bidirectional
DC-DC converter with minimum number of devices. IEEE Trans. Ind. Appl.,
39(2), 525–535, 2003.
[18] Fan, H., Li, H., High-frequency transformer isolated bidirectional DC-DC
converter modules with high efficiency over wide load range for 20 kVA solid-
state transformer. IEEE Trans. Power Electron., 26(12), 3599–3608, 2011.
[19] Xiangli, K., Li, S., Smedley, K. M., Decoupled PWM Plus Phase-Shift Control
for a Dual-Half-Bridge Bidirectional DC-DC Converter. IEEE Trans. Power
Electron., 33(8), 7203–7213, 2018.
[20] Jain, M., Daniele, M., Jain, P. K., A bidirectional DC-DC converter topology
for low power application. IEEE Trans. Power Electron., 15(4), 595–606, 2000.
58
[21] Xuewei, P., Rathore, A. K., Current-fed soft-switching push-pull front-end

converter-based bidirectional inverter for residential photovoltaic power
system. IEEE Trans. Power Electron., 29(11), 6041–6051, 2014.
[22] Zhang, Z., Thomsen, O. C., Andersen, M. A. E., Optimal design of a push-pull-
forward half-bridge (PPFHB) bidirectional DC-DC converter with variable
input voltage. IEEE Trans. Ind. Electron., 59(7), 2761–2771, 2012.
[23] Roggia, L., Schuch, L., Baggio, J. E., Rech, C., Pinheiro, J. R., Integrated full-
bridge-forward dc-dc converter for a residential microgrid application. IEEE
Trans. Power Electron., 28(4), 1728–1740, 2013.
[24] Wang, K., Lin, C. Y., Zhu, L., Qu, D., Lee, F. C., Lai, J. S., Bi-directional DC
to DC converters for fuel cell systems. IEEE Power Electron. Transp., 1(1), 47–
51, 1998.
[25] Chan, H. L., Cheng, K. W. E., Sutanto, D., Phase-shift controlled DC-DC
convertor with bi-directional power flow. Electr. Power Appl., 148(2), 193–
201, 2002.
[26] Inoue, S., Akagi, H., A Bidirectional DC–DC Converter for an Energy Storage
System With Galvanic Isolation. IEEE Trans. Power Electron., 22(6), 2299–
2306, 2007.
[27] Kan, J., Xie, S., Tang, Y., Wu, Y., Voltage-fed dual active bridge bidirectional
DC/DC converter with an immittance network. IEEE Trans. Power Electron.,
29(7), 3582–3590, 2014.
[28] Xuewei, P., Rathore, A. K., Naturally Clamped Soft-Switching Current-Fed

Three-Phase Bidirectional DC/DC Converter. IEEE Trans. Ind. Electron.,
62(5), 3316–3324, 2015.
[29] Kwon, M., Park, J., Choi, S., A bidirectional three-phase push-pull converter
with dual asymmetrical PWM method. IEEE Trans. Power Electron., 31(3),
1887–1895, 2016.
[30] Baars, N. H., Everts, J., Huisman, H., Duarte, J. L., Lomonova, E. A., A 80-kW
Isolated DC–DC Converter for Railway Applications. IEEE Trans. Power
Electron., 30(12), 6639–6647, 2015.
[31] Wang, Z., Li, H., A soft switching three-phase current-fed bidirectional DC-DC
converter with high efficiency over a wide input voltage range. IEEE Trans.
Power Electron., 27(2), 669–684, 2012.
59
[32] Waltrich, G., Hendrix, M. A. M., Duarte, J. L., Three-Phase Bidirectional

DC/DC Converter with Six Inverter Legs in Parallel for EV Applications. IEEE
Trans. Ind. Electron., 63(3), 1372–1384, 2016.
[33] Tao, H., Duarte, J. L., Hendrix, M. A. M., Three-port triple-half-bridge

bidirectional converter with zero-voltage switching. IEEE Trans. Power
Electron., 23(2), 782–792, 2008.
[34] Jakka, V. N. S. R., Shukla, A., Demetriades, G. D., Dual-Transformer-Based

Asymmetrical Triple-Port Active Bridge (DT-ATAB) Isolated DC-DC
Converter. IEEE Trans. Ind. Electron., 64(6), 4549–4560, 2017.
[35] Zhang, Z., Ouyang, Z., Thomsen, O. C., Andersen, M. A. E., Analysis and
design of a bidirectional isolated DC-DC converter for fuel cells and
supercapacitors hybrid system. IEEE Trans. Power Electron., 27(2), 848–859,
2012.
[36] Karthikeyan, V., Gupta, R., Multiple-Input Configuration of Isolated

Bidirectional DC-DC Converter for Power Flow Control in Combinational
Battery Storage. IEEE Trans. Ind. Informatics, 14(1), 2–11, 2018.
[37] Sha, D., Lin, Q., You, F., Wang, X., Xu, G., A ZVS Bidirectional Three-Level
DC-DC Converter With Direct Current Slew Rate Control of Leakage
Inductance Current. IEEE Trans. Ind. Appl., 52(3), 2368–2377, 2016.
[38] Karanki, S. B., Xu, D., NPC based dual active bridge topology for integrating
battery energy storage to utility gird. Can. Conf. Electr. Comput. Eng., Toronto,
1–6, 2014.
[39] Sha, D., Chen, D., Zhang, J., A Bidirectional Three-Level DC–DC Converter
With Reduced Circulating Loss and Fully ZVS Achievement for Battery
Charging/Discharging. IEEE J. Emerg. Sel. Top. Power Electron., 6(2), 993–
1003, 2018.
[40] Wang, C., Zhao, F., Gao, Q., Cai, Y., Cheng, H., Performance analysis of high-
frequency isolated dual half-bridge three-level bi-directional DC/DC converter.
IEEE Transp. Electrif. Conf. Expo, Beijing, 1–6, 2014.
[41] Filba-Martinez, A., Busquets-Monge, S., Nicolas-Apruzzese, J., Bordonau, J.,

Operating Principle and Performance Optimization of a Three-Level NPC Dual-
Active-Bridge DC-DC Converter. IEEE Trans. Ind. Electron., 63(2), 678–690,
2016.
60
[42] RalphM. Burkart, JohannW. Kolar, Comparative η-ρ-σ pareto optimization of

Si and SiC multilevel dual-active-bridge topologies with wide input voltage
range. IEEE Trans. Power Electron., 32(7), 5258–5270, 2017.
[43] Shen, Y., Wang, H., Al-Durra, A., Qin, Z., Blaabjerg, F., A Bidirectional
Resonant DC–DC Converter Suitable for Wide Voltage Gain Range. IEEE
[44] Sfakianakis, G. E., Everts, J., Huisman, H., Lomonova, E. A., Comparative
evaluation of bidirectional dual active bridge DC – DC converter variants. IEEE
Veh. Power Propuls. Conf., Hangzhou, 1–6, 2016.
[45] Li, X., Li, Y. F., An optimized phase-shift modulation for fast transient response
in a dual-active-bridge converter. IEEE Trans. Power Electron., 29(6), 2661–
2665, 2014.
[46] Zhao, B., Song, Q., Liu, W., Sun, Y., Overview of dual-active-bridge isolated
bidirectional DC-DC converter for high-frequency-link power-conversion
system. IEEE Trans. Power Electron., 29(8), 4091–4106, 2014.
[47] Biao, Z., Qingguang, Y., Weixin, S., Extended-Phase-Shift Control of Isolated
Bidirectional DC–DC Converter for Power Distribution in Microgrid. IEEE
[48] Oggier, G. G., Leidhold, R., García, G. O., Oliva, A. R., Balda, J. C., Barlow,
F., Extending the ZVS operating range of dual active bridge high-power DC-
DC converters. IEEE Power Electron. Spec. Conf., Greece, 2–8, 2006.
[49] Oggier, G., Garcia, G. O., Oliva, A. R., Modulation Strategy to Operate the Dual
Active Bridge DC–DC Converter Under Soft Switching in the Whole Operating
Range. IEEE Trans. Power Electron., 26(4), 1228–1236, 2011.
[50] Oggier, G. G., GarcÍa, G. O., Oliva, A. R., Garcia, G. O., Oliva, A. R.,
Switching Control Strategy to Minimize Dual Active Bridge Converter Losses.
IEEE Trans. Power Electron., 24(7), 1826–1838, 2009.
[51] Demetriades, G. D., Nee, H.-P., Characterization of the Dual-Active Bridge

topology for high-power applications employing a duty-cycle modulation. IEEE
Power Electron. Spec. Conf., Rhodes, 2791–2798, 2008.
[52] Wang, Y. C., Wu, Y. C., Lee, T. L., Design and implementation of a
bidirectional isolated dual-active-bridge- based DC/DC converter with dual-
phase-shift control for electric vehicle battery. IEEE Energy Convers. Congr.
Expo., Denver, 5468–5475, 2013.
61
[53] Prieto-araujo, E., Fekriasl, S. F., Gomis-bellmunt, O., Control and Experimental
Validation of a Dual Active Bridge Series Resonant Converter. IEEE Int. Symp.
Power Electron. Distrib. Gener. Syst., Aachen, 1–8, 2015.
[54] S Muthuraj, S., Kanakesh, V. K., Das, P., Panda, S., Triple Phase Shift control
of LLL tank based Bidirectional Dual Active Bridge Converter. IEEE Trans.
Power Electron., 32(10), 8035–8053, 2017.
[55] Wen, H., Xiao, W., Bidirectional dual-active-bridge DC-DC converter with
triple-phase-shift control. IEEE Appl. Power Electron. Conf. Expo., California,
1972–1978, 2013.
[56] Teichmann, R., Bernet, S., A comparison of three-level converters versus two-
level converters for low-voltage drives, traction, and utility applications. IEEE
Trans. Ind. Appl., 41(3), 855–865, 2005.
[57] Anthon, A., Zhang, Z., Member, S., Andersen, M. A. E., Holmes, D. G.,
Mcgrath, B., Teixeira, C. A., Comparative evaluation of the loss and thermal
performance of advanced three-level inverter topologies. IEEE Trans. Ind.
Appl., 53(2), 1381–1389, 2017.
[58] Wang, Y., Shi, W. W., Xie, N., Wang, C. M., Diode-free T-Type three-level
neutral-point-clamped inverter for low-voltage renewable energy system. IEEE
[59] Hosseini, A. G., Optimised active harmonic elimination technique for three-
level T-type inverters. IET Power Electron., 6(3), 425–433, 2013.
[60] Choi, U. M., Lee, K. B., Blaabjerg, F., Diagnosis and tolerant strategy of an
open-switch fault for t-type three-level inverter systems. IEEE Trans. Ind.
Appl., 50(1), 495–508, 2014.
[61] Schweizer, M., Friedli, T., Kolar, J., Comparative evaluation of advanced 3-
phase 3-level inverter/converter topologies against 2-level systems. IEEE
[62] Liu, P., Chen, C., Duan, S., Zhu, W., Dual phase-shifted modulation strategy
for the three-level dual active bridge DC–DC converter. IEEE Trans. Ind.
Electron., 64(10), 7819–7830, 2017.
[63] Schweizer, M., Kolar, J. W., Design and implementation of a highly efficient
three-level T-type converter for low-voltage applications. IEEE Trans. Power
Electron., 28(2), 899–907, 2013.
62
[64] Schweizer, M., Kolar, J. W., High efficiency drive system with 3-level T-type
inverter. Power Electron. Appl. Conf., Birmingham, 1–10, 2011.
[65] Wang, J., Mu, X., Li, Q. K., Study of Passivity-Based Decoupling Control of
T-NPC PV Grid-Connected Inverter. IEEE Trans. Ind. Electron., 64(9), 7542–
7551, 2017.
[66] Demirel, O., Arifoglu, U., Kalayci, K., Novel three-level T-type isolated
bidirectional DC–DC converter. IET Power Electron., 12(1), 61–71, 2018.
[67] Guo, Z., Sun, K., Three-level bidirectional DC–DC converter with an auxiliary
inductor in adaptive working mode for full-operation zero-voltage switching.
IEEE Trans. Power Electron., 33(10), 8537–8552, 2018.
[68] Jiang, T., Zhang, J., Wu, X., Sheng, K., Wang, Y., A bidirectional three-level
LLC resonant converter with PWAM control. IEEE Trans. Power Electron.,
31(3), 2213–2225, 2016.
[69] https://www.tek.com/document/application-note/measuring-power-supply-
switching-loss-oscilloscope, Erişim Tarihi: Apr-27-2019.
[70] http://ctms.engin.umich.edu/CTMS/index.php?example=Introduction&section
=ControlPID, Erişim Tarihi: Apr-29-2019.
[71] Livinus, U. T., Zagorodna, N., Tamunomiebaka, D., Longinus, U. E., Effects of
PID Controller on a Closed Loop Feedback System. Int. J. Sci. Eng. Res., 9(4),
1255–1258, 2014.
[72] https://nptel.ac.in/courses/Webcourse-contents/IIT Kharagpur/Industrial

Automation control/pdf/L-12(SS) (IA&C) ((EE)NPTEL).pdf, Erişim Tarihi:
Apr-23-2019.
[73] Bohn, C., Atherton, D. P., An analysis package comparing pid anti-windup
strategies. IEEE Syst. Mag., 15(2), 34–40, 1995.
ÖZGEÇMİŞ
Onur Demirel, 1982’de Gümüşhane’de doğdu. İlk ve orta eğitimini Trabzon’da

tamamladıktan sonra, 2001 yılında Sakarya Üniversitesi Elektrik Elektronik
Mühendisliğinde lisans eğitimine başladı. 2006 yılında lisans eğitimini tamamlayarak,
Sakarya Üniversitesi Elektrik Elektronik Mühendisliğinde yüksek lisans eğitimine
başladı. 2008-2010 yılları arasında Federal Elektrikte Ar-Ge mühendisi olarak çalıştı.
2010 yılında yüksek lisansını tamamladıktan sonra Federal Elektrikten ayrılarak Enel
Elektronikte Ar-Ge mühendisi olarak çalışmaya başladı. 2011 yılında İnform
Elektroniğe geçerek, iş hayatına bu firmada devam etti. 2013 yılında Sakarya
Üniversitesi Elektrik Elektronik Mühendisliğinde doktora eğitimine başladı. Yazar
evli ve bir çocuk babasıdır.

Üç Sevi̇yeli̇ T-Ti̇pi̇ İzole İki̇ Yönlü Da-Da Dönüştürücü Tasarimi Ve Gerçek Zamanli Uygulamasi

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

You might also like

Üç Sevi̇yeli̇ T-Ti̇pi̇ İzole İki̇ Yönlü Da-Da Dönüştürücü Tasarimi Ve Gerçek Zamanli Uygulamasi

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Üç Sevi̇yeli̇ T-Ti̇pi̇ İzole İki̇ Yönlü Da-Da Dönüştürücü Tasarimi Ve Gerçek Zamanli Uygulamasi

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

T.C.

ÜÇ SEVİYELİ T-TİPİ İZOLE İKİ YÖNLÜ

Enstitü Anabilim Dalı : ELEKTRİK ELEKTRONİK

Tez Danışmanı : Prof. Dr. Uğur ARİFOĞLU

üç sEviynı,i T_Tipi izorn iri yöNLü

Enstitü Anabilim Dalı ELEKrnir_ELEKTRoxir

Bu tez 28 06 l 2019 tarihinde aşağıdaki tarafindan oybirliği/oyçokluğu ile

Dr. Prof. Dr. Prof. Dr.

Doktora çalışmam sırasında yardımlarını esirgemeyen danışmanım Prof. Dr. Uğur

Üzerimdeki haklarını hiçbir zaman ödeyemeyeceğim, pek kıymetli anneme ve

Çalışmamı küçük meleğime, Ahsen’ime ithaf ediyorum.

Bu tez çalışması Türkiye Bilimsel ve Teknolojik Araştırma Kurumu (TÜBİTAK)

Şekil 1.1. Hibrit yenilenebilir enerji blok diyagramı. ............................................ 2

Tablo 3.1. Simülasyon çalışmasına ait tasarım parametreleri. ............................... 26

Anahtar kelimeler: T-tipi üç seviyeli dönüştürücü, izole iki yönlü dönüştürücü, DA

İki yönlü dönüştürücüler enerji, otomotiv ve demiryolu, havacılık ve uzay, kesintisiz

Genel olarak endüstride yönelim iki seviyeli geleneksel topolojilerden üç seviyeli

Bu çalışmada, öncelikli olarak iki yönlü DA-DA dönüştürücülerin uygulama

Generally, tendency in the industry is towards from two-level traditional topologies to

In this study, application areas of bi-directional DC-DC converters have been

1.1. Enerji Endüstrisi

1.2. Otomotiv ve Demiryolu Endüstrisi

İçten yanmalı motorların (İYM) oluşturduğu çevre kirliliği ve akaryakıt fiyatlarındaki

Şekil 1.2. Elektrikli araç blok diyagramı [4].

1.3. Havacılık ve Uzay Endüstrisi

Havacılık ve uzay endüstrisinde, maliyet baskısı ve atık gazların ekosistem üzerindeki

Şekil 1.3. Daha elektrikli hava aracı (MEA) [6].

1.4. Kesintisiz Güç Kaynağı (KGK) Endüstrisi

Modern yaşamın ve endüstrinin her alanında sıkça kullanılan KGK’ların, şebeke

Şekil 1.4. Kesintisiz güç kaynağı blok diyagramı [8].

BDC’ler, izolasyonlu ve izolasyonsuz olmak üzere iki sınıfta incelenirler.

zorunluluğu bulunmaktadır. İzole BDC’ler (IBDC), temel olarak bir transformatör ve

Bu tez çalışması altı bölümden oluşmaktadır. Bölüm 1’de BDC dönüştürücülerin

Bu bölümde, IBDC dönüştürücülerde kullanılan topolojilere ve modülasyon

2.1. Topoloji Çalışmaları

2.1.1. Geleneksel dönüştürücülerden türetilmiş IBDC topolojiler

2.1.2. 2L IBDC topolojiler

dönüştürücünün güç aktarım kapasitesini iyileştirmek için çalışmalar yapmıştır. Bu

2.1.3. 3P IBDC topolojiler

Literatür taramasında, üç fazlı IBDC dönüştürücülere ait topolojiler de araştırılmıştır.

2.1.4. MP IBDC topolojiler

dönüştürücü üzerinde çalışmıştır. Bu çalışmada, dönüştürücü, üç sargılı trafonun

2.1.5. 3L IBDC topolojiler

Literatür taramasında 3L topolojiler de araştırılmıştır. Sha ve ark. primerinde 2L akım

2.2. Modülasyon Yöntemleri

Modülasyon yöntemleri, iki yönlü güç aktarımının en önemli araştırma alanlarından

Şekil 2.1. İkili aktif köprü DA-DA dönüştürücü.

2.2.1. Sadece faz kaydırmalı modülasyon (SPS)

Bu modülasyon yönteminde çapraz bağlı anahtar çiftlerinin anahtarlama sinyalleri her

anahtarlanır. SPS modülasyonunda kontrol büyüklüğü olarak, sadece köprüler arası

2.2.2. Genişletilmiş faz kaydırmalı modülasyon (EPS)

2.2.3. İkili faz kaydırmalı modülasyon (DPS)

2.2.4. Üçlü faz kaydırmalı modülasyon (TPS)

2.3. IBDC Dönüştürücülerde Yol Haritası

Endüstride, doğrultucu ve evirici uygulamaları için yönelim, iki seviyeli topolojilerden

2.4. Tezin Amacı

Bu bölümde, 3LTT-IBDC dönüştürücünün analizi ve simülasyon çalışmaları

3.1. 3LTT-IBDC Dönüştürücünün Analizi