1.

Zadatak

Dvije jednake diode sa širokim n i p stranama priključene su na izvor napona.

Reverzne struje zasićenja dioda su 20nA, temperatura je 200C, dinamički otpor diode
D1=0,8MΩ. Odrediti dinamički otpor diode D2, napone na svakoj od dioda te ukupni
napon na diodama.

+ -

Rješenje:

T=200C=293K
Is1=20nA
rd1=0,8MΩ
……………
rd2=?
UD1=?
UD2=?
U=?

UD

I D = I S (e UT
− 1)
D U
ID
= e −1
UT

IS
UD
ID
e UT
= +1
IS
UD I
= ln( D + 1)
UT IS

ID
U D = U T ln( + 1)
IS

T
UT =
11605
 1 I I  UD

gd = = D = D  I S (e T − 1) 
U

rd U D U D  
UD

1 IS e UT
ID + IS
gd = = =
rd UT UT
UT
= ID + IS
rd
U
I D1 = T − I S 1
rd 1
T 293
I D1 = − I S1 = − 20 10−9 = 11,56 10−9 = 11,56nA
11605  rD1 11605  0,8 10 6

I D 2 = − I D1 = −11,56nA
UT
rd =
ID + IS
293
UT 11605
rd 2 = = −9 −9
= 2,99 106 
I D2 + IS 2 −11,56 10 + 20 10
I  293  11,56 
U D1 = UT  ln  D1 + 1 = ln  + 1 = 11,5 10−3V = 11,5mV
 I S1  11605  20 
I  293  −11,56 
U D 2 = UT  ln  D 2 + 1 = ln  + 1 = −21,8 10−3V = −21,8mV
 IS 2  11605  20 
U = U D1 + U D 2 = 11,5 + 21,8 = 33,3mV
2.Zadatak

Diode D1 i D2 spojene su na napon U prema slici. Struja D1 9 puta je veća od struje D2.
Ako se D2 obrne, Struja D1 3 puta je veća od struje D2. Odrediti napon na koji su
diode spojene, ako je UT=25mV.
D1 D1
I1 I1

D2 D2
I2 I2

+ - + -

U U

Slika 1 Slika 2

Rješenje:

ID1=-9ID2
ID1=3ID2
UT=25mV
……………
U=?

Za sliku 1 vrijedi: Za sliku 2 vrijedi:

 UUD1   UD2
 I D1 = 3I D 2
I D1 = I S1  e T − 1 I D2 = I S 2  e UT
− 1
    U D12
   
I D12 I S 1 (e UT
− 1)
I D1 = −9 I D 2 = U D 22
=3
I D 22
U D11
I S 2 (e UT − 1)
I D11 I S1 (e UT
− 1)
= = −9
U D 22 = U12
U D 21
I D 21
I S 2 (e UT − 1) U D12
U D21 = −U D11 I D12 I S1 (e UT
− 1) I S1
= U D12
= =3
I D 22 I
I S 2 (e UT − 1)
U D11 S 2

I D11 I (e − 1)
UT
= S1 −U D11 = −9
I D 21
I S 2 (e UT − 1)
I S1
= 3 pa je I S 1 = 3I S 2
IS 2
Ako se I S1 = 3I S 2 uvrsti u izraz za sliku 1:
U D11

I D11 3I S 2 (e − 1) UT
= −U D11
= −9
I D 21
I S 2 (e UT − 1)

U D 11

3(e UT
− 1)
−9 = −U D 11

(e UT
− 1)

−U D 11 U D 11

−9(e UT
− 1) = 3(e UT
− 1)

−U D11 U D11

−9e UT
+ 9 = 3e UT
−3
U D11 −U D11 U D 11

3e UT
− 12 + 9e UT
= 0 e UT

2U D11 U D11

3e UT
− 12e UT
+9 = 0
U D11

x=e UT

3x 2 − 12 x + 9 = 0
12  122 − 4  3  9
x1,2 =
23

x1 = 3
x2 = 1

U D11
U D11
x=e UT
 ln x =  U D11 = U T ln x
UT
U D11 = U D = UT ln x1 = 25ln 3 = 27, 47mV
U 2 = 25ln1 = 0mV

3.Zadatak

Diode D1, D2, D3, D4 imaju reverzne struje zasićenja IS1=10µA, IS2=20µA, IS3=30 µA,
IS4=40 µA. Na kojoj diodi je najveći napon po apsolutnom iznosu? Temperatura je
20°C, a U=10V.
D1 D2 D3 D4
I

+ -

Rješenje:
IS1=10µA
IS2=20µA
IS3=30 µA
IS4=40 µA
T=20°C
U=10V
………………….
UD1=?
UD2=?
UD3=?
UD4=?

 UUD1 
I D1 = I S 1  e T − 1
 
 
D1 U
I D1
= e −1
UT

I S1
U D1
I D1
e UT
= +1
I S1
  I D1 
U D1 = UT ln  + 1
 I S1 
Struju određuje reverzno polarizirana dioda s najmanjom reverznom strujom
zasićenja, u ovom primjeru:
I = I D2
 I  298  20 
U D1 = UT ln  + 1 = ln  + 1 = 28mV
 I S1  11605  10 
 −I  298  −20 
U D 2 = UT ln  + 1 = ln  + 1 = −
 S2
I  11605  20 
 −I  298  −20 
U D3 = UT ln  + 1 = ln  + 1 = −28mV
 I S 3  11605  30 
 I  298  20 
U D 4 = UT ln  + 1 = ln  + 1 = 10mV
 I S 4  11605  40 

U D 2 = U − U D1 − U D3 − U D 4
U D 2 = 10000 − 28 − −28 − 10 = 9934mV = 9,934V
4.Zadatak

Legirani germanijev pnp tranzistor ima bazu širine 2∙10-3cm. Efikasnost emitera je
0.998, vrijeme života manjinskih nosioca u bazi je τPB=9 , a pokretljivost šupljine
µPB=1700cm2/Vs. Temperatura T=200C, a struja šupljina emitera IPE=20mA.
Izračunati:
a) struju elektrona emitera INE
b)transportni faktor β*,
c)struju šupljina kolektora IPC
d) postotak struje šupljina emitera koja se gubi u bazi zbog rekombinacije,
d)faktor strujnog pojačanja u spoju zajedničke baze α:

Rješenje:

wB=2∙10-3cm
γ=0,998
τPB=9
µPB=1700cm2/Vs
T=200C
IPE=20mA
…………………….
a)INE=?
b)β*=?
c)IPC=?
I PE − I PC
d) 100 = ?
I PE
e)α =?

a)

I PE 20
I NE = I E − I PE = − I PE = − 20 = 0, 04mA
 0,998
b)
2
1  wB  1 wB 2 
* = 1−   = 1 −  
2  LPB  2   PB  U T  PB 
 
1  2 10 −3

* = 1−   = 0,9948
2  1700  293  9 10−6 
 11605 
c)
 I PC =  * I PE = 0,9948  20 = 19,8965mA

Postotak struje šupljina emitera koji se gubi zbog rekombinacije:

d)
I PE − I PC I I
100 = R 100 = (1 − PC ) 100 = (1 −  *) 100
I PE I PE I PE
I PE − I PC
100 = (1 −  *) 100 = (1 − 0,9948) 100 = 0,52%
I PE

e)faktor strujnog pojačanja u spoju zajedničke baze α:

 =    * = 0,998  0,9948 = 0,9928
 0,9928
= = = 138,5
1 −  1 − 0.9928

5.Zadatak

Pnp tranzistor ima efikasnost emitera γ=0.998 i transportni factor β*=0.997.

Pokretljivost šupljina u bazi iznosi 1450cm2/Vs, a njihovo vrijeme života je 50 .
Reverzna struja zasićenja iznosi -5µA. Ako tranzistor radi u normalnom aktivnom
području sa strujom emitera 10 mA na 200C. Izračunati:
a)širinu baze,
b)struju kolektora,
c)struju baze.

Rješenje:
γ=0.998
β*=0.997
τPB=50
µPB=1450cm2/Vs
T=200C=293K
IE=10mA
………………….
wB=?
Ic=?
IB=?

a)Širina baze wB:

 2
1 w  2
1 wB
 * = 1 −  B  = 1 −
2  LPB  2  PB  U T   PB
293
wB = UT  PB  PB  (1 −  *) = 1450  50 10−6  (1 − 0,997) = 3,3 10−3 cm
11605

b)Struja kolektora IC:

IC = − I E + ICB 0 = −  *  I E + ICB 0
IC = −0,998  0,997 10 + (−0,005) = −9,9551mA

c)Struja baze IB:

I B = − IC − I E = −(−9,99551) − 10 = −0,0449mA = 44,9 A

6.Zadatak

Pnp tranzistor ima emiterski spoj propusno polariziran dok mu je kolektor kratko
spojen s bazom. U tim uvjetima od 705 šupljina ubačenih iz emitera u bazu njih 700
stiže do kolektora. Na svakih 800 šupljina koje prijeđu iz emitera u bazu, 2 elektrona
pređe iz baze u emiter. Izračunati faktor strujnog pojačanja tog tranzistora u spoju
zajedničkog emitera.

Rješenje:

Struja šupljina emitera proporcionalna je emitiranom broju šupljina:

I PE = k  pE
Struja šupljina kolektora proporcionalna je broju šupljina koje stižu do kolektora:
I PE = k  pC
Za transportni faktor vrijedi:
I k  pC k  700
 * = PC = = = 0.9929
I PE k  pE k  705

Isto vrijedi za struje emitera:

I PE I PE k  pE k  800
= = = = = 0.9975
IE I PE + I NE k  pE + k  nE k  (800 + 2)
Faktor strujnog pojačanja u spoju zajedničke baze:

 =    * = 0,9975  0,9929 = 0,9904

Faktor strujnog pojačanja u spoju zajedničkog emitera:

 0,9904
= = = 103,51
1 −  1 − 0.9904

7.Zadatak

Npn tranzisor radi u SZE. Ako je faktor injekcije emitera jednak transportnom faktoru
γ= =0.998, uz ICB0=0, kod koje struje baze će struja kolektora iznositi 30mA.

Rješenje:

γ=β*=0.998
ICB0=0
IC=30mA
…………………
IB=?

IC =  I B + ICE 0 =  I B + I CB 0 (1 +  )
  *  0,998  0,998
= = = = 249, 25
1 −  1 −  *  1 − 0,998  0,998

Zbog ICB0=0:
IC =  I B
IC 30
IB = = = 120, 4  A
 249, 25

8.Zadatak
Koliki je faktor strujnog pojačanja u SZE za tranzistor na slici. Ulazni krug na obje
slike je odspojen. Zadano je: UCB=UCE=15V, Ic1=8µA, Ic2=900µA.

IC1 IC2

UCB
UCE

Rješenje:
UCB=UCE=15V
Ic1=8µA
Ic2=900µA

IC = −  I E + ICB 0 IC =  I B + I CE 0
IE = 0 IB = 0
I C = I CB 0 = 8 A I C = I CE 0 = 900 A

I CE 0 = I CB 0 (1 +  )
I CE 0
= 1+ 
I CB 0

I CE 0 900
= −1 = − 1 = 111,5
I CB 0 8

9.Zadatak

Za dva identična npn silicijeva tranzistora spojena prema slici (rade u NAP) vrijedi
γ=0,998, β*=0.997, ICB0=0µA. Bazna struja prvog tranzistora iznosi 20µA. Koliko
iznosi kolektorska struja tranzistora Ic?

Rješenje:

γ =0,998 IC
β*=0,997
IB1 IC1
ICB0=0 IC2
IB1=20µA T1
……………… IE1 T2
IC=? IB2
 =  *  = 0,997  0,998 = 0,995
 0,995
= = = 199, 24
1 −  1 − 0,995

I C1 =  I B1 + I CB 0 (1 +  )
I CB 0 = 0
I C1 =  I B1

IC 2 =  I B 2
I B 2 = − I E1
I E1 = − I B1 − I C1 = − I B1 −  I B1 = −(1 +  ) I B1
I B 2 = (1 +  ) I B1
I C 2 =  (1 +  ) I B1

IC 2 = 199, 24  (1 + 199, 24)  20 = 797920 A = 797,92mA

IC1 =  I B1 = 199, 24  20 = 3984,8 A = 3,98mA
IC = IC1 + IC 2 = 3,98 + 797,92 = 801,90mA

Za struju Ic se može napisati:

I C = I C1 + I C 2 =  I B1 +  (1 +  ) I B1
I C =  I B1 +  I B1 +  2 I B1
I C = (2  +  2 ) I B1
Za β>>1
I C   2 I B1
Za zadane vrijednosti:
I C =  2 I B1 = 199, 242  20 = 793930 A = 793,93mA

Vidi se mala razlika između točnog i približnog računanja Ic.