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化学气相沉积
化学气相沉积
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氮化硅
使用以下反应:SiH4 + 4 N2O → SiO2 + 2 H2O + 4 N2.
金属
通常用于高分子聚合的沉积材料
聚对二甲苯(parylene)以及其衍生物
的單體經過高溫爐(約攝氏600-800度)裂解後會形成自由基,而最後隨著帶入的惰性氣
Parylene-N
體沉積在低溫的表面上
大多數parylenes是鈍化薄膜或塗層。這意味著他們保護的設備可以防止水,化學品的侵害。這是
一個重要的特點,然而在許多應用上都需要鍵結的其他材料在聚對二甲苯上,例如對二甲苯對二
甲苯,對二甲苯表面固定催化劑或酶......。一些的反應性對二甲苯,例如:1.胺基對二甲苯(一個
胺在每個重複單元,Kisco公司產品)2.一甲基胺對二甲苯(一甲基胺每個重複單元,Kisco公司
產品)
一甲基胺对二甲苯比胺基对二甲苯有更大的反应性,因为它带着更强的硷基。当相邻的苯环胺
组,胺基,是在稳定的共振,因此变得更加酸性,相对碱性较弱。然而[胺基对二甲苯]是更容易
合成,因此它的成本较低。
參考文獻
1. Schropp, R.E.I.; B. Stannowski, A.M. Brockhoff, P.A.T.T. van Veenendaal and J.K. Rath. Hot
wire CVD of heterogeneous and polycrystalline silicon semiconducting thin films for
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73–82. [2008-03-31]. (原始内容存档 于
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外部連結
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