硫酸電鍍銅用添加劑

UTB ANC40工藝
～Ver.7～

2019年 10月 15日

第三營業部 / 第二研究部

石原化學株式会社
目錄

1. ANC40工藝特徵
2. 標準配比 / 標準電鍍條件
3. 基本電鍍性能
4. 由於各成分濃度變化的電鍍性能的影響
5. 由於電鍍處理條件變化的電鍍性能的影響
6. 鍍液管理

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目錄

1. ANC40工藝特徵
2. 標準配比 / 標準電鍍條件
3. 基本電鍍性能
4. 由於各成分濃度變化的電鍍性能的影響
5. 由於電鍍處理條件變化的電鍍性能的影響
6. 鍍液管理

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1. ANC40工藝特徵
特徵-1 _綫路形狀
 非常平坦的表面形狀
電流密度 : 2.5A/dm2, 電鍍膜厚 : 25μm

10μm 20μm
UTB ANC40

10μm 20μm
電流密度 : 2.5A/dm2
以前工藝 電鍍膜厚 : 10μm

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1. ANC40工藝特徴
特徵-2 _膜厚均匀性
 同在不同綫寬，達到良好的膜厚均匀性
8.0 ± 0.4 μm （±5% !!）
※ 電流密度 : 2.5A/dm2
Plating Thickness (μm)

[CuSO4・5H2O / H2SO4 / Cl- = 60 / 250 / 45]

我司評價基板設計

1 : L/S=100/100μm 7 : L/S=5/5μm
2 : L/S=50/50μm 8 : Pad_25μmφ / 50μm pitch
3 : L/S=25/25μm 9 : Pad_100μmφ / 200μm pitch
4 : L/S=20/20μm 10 : Pad_100μmφ
5 : L/S=15/15μm 11 : Pad_50μmφ
6 : L/S=10/10μm

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目錄

1. ANC40工藝特徵
2. 標準配比 / 標準電鍍條件
3. 基本電鍍性能
4. 由於各成分濃度變化的電鍍性能的影響
5. 由於電鍍處理條件變化的電鍍性能的影響
6. 鍍液管理

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2. 標準配比 / 標準電鍍条件
標準配比
成分 標準配比 管理範圍 作用

5水硫酸銅 g/L 100 80 ~ 120 主鹽

硫酸 g/L 200 180 ~ 220 導電

氯離子 mg/L 45 35 ~ 55 補助抑制劑

UTB ANC40-A mL/L 2.0 1.4 ~ 2.6 光亮劑

UTB ANC40-B mL/L 1.5 1.0 ~ 3.0 整平劑

UTB ANC40-C mL/L 6.0 4.0 ~ 10.0 抑制劑

※ 由於產品和電鍍條件等的情况，推薦的配比和管理範圍會變。

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2. 標準配比 / 標準電鍍條件
標準電鍍條件

項目 標準條件 管理範圍

陰極電流密度 2.0 A/dm2 1.0 ~ 5.0 A/dm2

槽温 25 ℃ 22 ~ 28 ℃

陽極形式 不溶性氧化銥陽極

攪拌方法 噴嘴噴流 （0.8～1.5L/min ※1個噴嘴）

過濾 建議使用1μm濾芯連續過濾

※ 由於產品和電鍍條件等的情况，推薦的配比和管理範圍會變。

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目錄

1. ANC40工藝特徵
2. 標準配比 / 標準電鍍條件
3. 基本電鍍性能
4. 由於各成分濃度變化的電鍍性能的影響
5. 由於電鍍處理條件變化的電鍍性能的影響
6. 鍍液管理

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3. 基本電鍍性能
基本電鍍性能
綫幅 綫幅 通孔
25μm 45μm 25μmφ / 35μmt

外觀照片

截面照片

電鍍膜厚 15.0 μm 10.0 μm

電鍍時間 30.0 min 22.5 min
Doming 4.1 % 2.8 % -
電流密度 2.0 A/dm2

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3. 基本電鍍性能
基本電鍍性能
【膜厚均匀性】 8.0±0.7μm（±8.8%）
電鍍密度 : 2.0A/dm2
Plating Thickness (μm)

目標電鍍膜厚 : 8.0μm
最薄厚度 : 7.3μm（L/S=5/5μm）
最厚厚度 : 8.5μm（100μmφ Pad）

我司評價基板設計

1 : L/S=100/100μm 7 : L/S=5/5μm
2 : L/S=50/50μm 8 : Pad_25μmφ / 50μm pitch
3 : L/S=25/25μm 9 : □Pad_100μmφ / 200μm pitch
4 : L/S=20/20μm 10 : Pad_100μmφ
5 : L/S=15/15μm 11 : Pad_50μmφ
6 : L/S=10/10μm

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3. 基本電鍍性能
基本電鍍性能
【填通孔】
可填小直径的通孔
從發生空洞的風險的觀點，通孔上部和下
部的開口直徑不同比较好。
（理想是錘形的通孔） 25μmφ / 35μmt

樹脂厚度 25μmt 35μmt

通孔徑 25μmφ 30μmφ 25μmφ 30μmφ

電鍍膜厚
7.5μm △ × △ ×
電鍍膜厚
10.0μm ○ △ ○ △
電鍍膜厚
12.5μm ○ ○ ○ ○
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 3. 基本電鍍性能
基本電鍍性能
250μmφ 350μmφ
【深度能力】
可使用縱橫比10以下的通孔電鍍
Throwing Power (%)

※ 板子厚度 : 2.1mmt

Aspect Ratio

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3. 基本電鍍性能
基本電鍍性能
【鍍層物理性質】

抗張力 - 315 ～ 335 （N/mm2）

伸縮比 - 18 ～ 22 （%）

剛電鍍之後 210 ～ 220

維氏硬度 （HV）
1周之後 105 ～ 115
剛電鍍之後 -5 ～ 0 （壓縮應力）
内部應力 ※2 （MPa）
1周之後 5 ～ 10 （拉伸應力）

※1 評價用鍍層的陰極電流密度為2.0A/dm2
※2 Strip方式電析應力試驗。
※3 鍍層物理性質按電流條件會變化。

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1. ANC40工藝特徵
2. 標準配比 / 標準電鍍條件
3. 基本電鍍性能
4. 由於各成分濃度變化的電鍍性能的影響
5. 由於電鍍處理條件變化的電鍍性能的影響
6. 鍍液管理

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 4.由於各成分濃度變化的電鍍性能的影響
ANC40-A濃度的變化
【電鍍條件 : 標準電鍍條件】
ANC40-A 0.8 mL/L 1.4 mL/L 2.0 mL/L 2.6 mL/L 3.2 mL/L

綫路形狀
(L/S=25/25μm)

Doming 0.9 μm 1.1 μm 1.0 μm 1.1 μm 1.3 μm

※ Uniformity = Range / 2 / Average

Doming Ratio （%）
Uniformity (%)

L/S=25/25μm
L/S=10/10μm

ANC40-A濃度 （mL/L） ANC40-A濃度 （mL/L）

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 4.由於各成分濃度變化的電鍍性能的影響
ANC40-B濃度變化
【電鍍條件 : 標準電鍍條件】
ANC40-B 0.5 mL/L 1.0 mL/L 1.5 mL/L 3.0 mL/L 5.0 mL/L

綫路形狀
（L/S=25/25μm）

Doming 0.9 μm 1.1 μm 1.0 μm 1.1 μm 1.0 μm

※ Uniformity = Range / 2 / Average

Doming Ratio （%）
Uniformity (%)

L/S=25/25μm
L/S=10/10μm

ANC40-B濃度 （mL/L） ANC40-B濃度 （mL/L）

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 4.由於各成分濃度變化的電鍍性能的影響
ANC40-C濃度變化
【電鍍條件 : 標準電鍍條件】
ANC40-C 2.0 mL/L 4.0 mL/L 6.0 mL/L 10.0 mL/L 15.0 mL/L

綫路形狀
(L/S=25/25μm)

Doming 1.1 μm 1.0 μm 1.0 μm 1.0 μm 1.0 μm

※ Uniformity = Range / 2 / Average

Doming Ratio （%）
Uniformity (%)

L/S=25/25μm
L/S=10/10μm

ANC40-C濃度 （mL/L） ANC40-C濃度 （mL/L）

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 4.由於各成分濃度變化的電鍍性能的影響
VMS底液濃度變化
【電鍍條件 : 標準電鍍條件】
Cu / H2SO4 60 / 250 80 / 225 100 / 200 120 / 175 140 / 150

綫路形狀
(L/S=25/25μm)

Doming 0.8 μm 0.9 μm 1.0 μm 1.1 μm 1.3 μm

※ Uniformity = Range / 2 / Average

Doming Ratio （%）
Uniformity (%)

L/S=25/25μm
L/S=10/10μm

CuSO4・5H2O / H2SO4 （g/L） CuSO4・5H2O / H2SO4 （g/L）

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 4.由於各成分濃度變化的電鍍性能的影響
氯離子濃度變化
【電鍍條件 : 標準電鍍条件條件】
Cl- 25 ppm 35 ppm 45 ppm 55 ppm 65 ppm

綫路形狀
(L/S=25/25μm)

Doming 1.2 μm 1.2 μm 1.0 μm 0.9 μm 0.9 μm

部分發生異常
※ Uniformity = Range / 2 / Average
Doming Ratio （%）
Uniformity (%)

部分發生異常

L/S=25/25μm
L/S=10/10μm

氯離子濃度 （ppm） 氯離子濃度 （ppm）

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1. ANC40工藝特徵
2. 標準配比 / 標準電鍍條件
3. 基本電鍍性能
4. 由於各成分濃度變化的電鍍性能的影響
5. 由於電鍍處理條件變化的電鍍性能的影響
6. 鍍液管理

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 5.由於電鍍處理條件變化的電鍍性能的影響
電流密度變化
【電鍍條件 : 標準電鍍條件】
電流密度 1.0 A/dm2 2.0 A/dm2 3.0 A/dm2 5.0 A/dm2

綫路形狀
（L/S=25/25μm）

Doming 1.1 μm 1.0 μm 1.0 μm 1.1 μm

※ Uniformity = Range / 2 / Average

Doming Ratio （%）
Uniformity (%)

L/S=25/25μm
L/S=10/10μm

電流密度 （A/dm2） 電流密度 （A/dm2）

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 5.由於電鍍處理條件變化的電鍍性能的影響
槽溫變化
【電鍍條件 : 標準電鍍條件】
槽溫 15℃ 25℃ 35℃

綫路形狀
（L/S=25/25μm）

Doming 1.0 μm 1.0 μm 1.4 μm

※ Uniformity = Range / 2 / Average

Doming Ratio （%）
Uniformity (%)

L/S=25/25μm
L/S=10/10μm

槽溫 （℃） 槽溫 （℃）

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 5.由於電鍍處理條件變化的電鍍性能的影響
攪拌條件
【電鍍條件 : 標準電鍍條件，攪拌: 以攪拌棒攪拌】
攪拌速度 3.2m/min 4.8m/min 6.4m/min 8.0m/min

綫路形狀
（L/S=25/25μm）

Doming 1.6 μm 1.3 μm 1.0 μm 1.2 μm

※ Uniformity = Range / 2 / Average

Doming Ratio （%）
Uniformity (%)

L/S=25/25μm
L/S=10/10μm

攪拌速度 （m/min） 攪拌速度 （m/min）

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1. ANC40工藝特徵
2. 標準配比 / 標準電鍍條件
3. 基本電鍍性能
4. 由於各成分濃度變化的電鍍性能的影響
5. 由於電鍍處理條件變化的電鍍性能的影響
6. 鍍液管理

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6.鍍液管理
分析方法 / 分析頻率
成分 分析方法 分析頻率

5水硫酸銅 絡合滴定, 原子吸收光譜 1次 / 天

硫酸 中和滴定 1次 / 天

氯離子 電位滴定法 1次 / 天

UTB ANC40-A CVS （MLAT，改良綫性趋近法） 1次 / 天

UTB ANC40-B CVS （RC，影響曲綫） 1次 / 天

UTB ANC40-C CVS （DT，稀釋滴定） 1次 / 天

※根據電流處理設備和處理条件分析頻率會變。

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 6.鍍液管理
電解測試穩定性
【電鍍條件 : 標準電鍍條件】
電解量 0 AH/L 50 AH/L 100 AH/L 150 AH/L 200 AH/L

綫路形狀
（L/S=25/25μm）

Doming 1.0 μm 1.0 μm 0.9 μm 1.0 μm 1.1 μm

※ Uniformity = Range / 2 / Average

Doming Ratio （%）
Uniformity (%)

L/S=25/25μm
L/S=10/10μm

電解量 （AH/L） 電解量 （AH/L）

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6.電鍍管理
添加劑的電解消耗量（参考）
Concentration of ANC40-A （mL/L）

UTB ANC40-A Concentration of ANC40-B （mL/L） UTB ANC40-B

電解量 （AH/L） 電解量 （AH/L）

Concentration of ANC40-A （mL/L）

成分 消耗量（参考）
UTB ANC40-A 240 mL/KAH
UTB ANC40-B 50 mL/KAH
UTB ANC40-C
UTB ANC40-C 100 mL/KAH
※根據電鍍設備和電鍍條件添加劑的電解消耗量會變。
電解量 （AH/L）

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