ELECTRÒNICA (GETI) M2 – T10 – 1/13

TIRISTORS

S. Busquets, R. Lamaison i E. Lupon

Departament d'Enginyeria Electrònica

Secció Barcelona-Sud (E.T.S.E.I.B.)
Universitat Politècnica de Catalunya
 ELECTRÒNICA (GETI) M2 – T10 – 2/13

SUMARI
1. ESTRUCTURA INTERNA I PRINCIPI DE FUNCIONAMENT
2. SCR
3. TRIAC
4. EXEMPLES DE DISPOSITIUS COMERCIALS
5. EXEMPLE D’APLICACIÓ
 ELECTRÒNICA (GETI) M2 – T10 – 3/13

1. ESTRUCTURA I PRINCIPI DE
FUNCIONAMENT (I)
Els tiristors són una família de dispositius electrònics actius emprats a l'electrònica de potència
com a dispositius commutadors. A aquesta família pertanyen, entre d'altres, els dispositius
anomenats SCR, TRIAC i GTO.
Es caracteritzen per presentar, com a mínim, una estructura de quatre regions de material
semiconductor en la que s'alternen el tipus p i el tipus n (estructura pnpn).
L'estructura es modela mitjançant dos BJTs interconnectats, un de tipus pnp i l'altre de tipus
npn.

p p E

n C n n B

p B p p C

n E n

En l'estructura pnpn té lloc un fenomen físic anomenat efecte tiristor, que és el que dona el nom
a la família.
 ELECTRÒNICA (GETI) M2 – T10 – 4/13

1. ESTRUCTURA I PRINCIPI DE
FUNCIONAMENT (II)
Suposem que tenim l'estructura pnpn en un cert circuit de càrrega. Inicialment, el dispositiu
suporta una tensió positiva V des de la regió p externa a la regió n externa i no circula corrent
pel dispositiu.
R
+ 3
Si ara, per qualsevol motiu, apareix un corrent en la
base d'algun dels dos BJTs, s’inicia un procés de
realimentació que acaba amb els dos BJTs en saturació. +
La tensió entre els extrems del dispositiu queda 2
V 3 V>0
finalment reduïda a un valor petit (entre 1 V i 3 V) i pel 4
dispositiu circula el corrent que determina el circuit de −
càrrega. 1
2
−
Pot aparèixer un corrent de base en un dels BJTs (o en els dos) per diferents motius:
• Fent accessible la seva regió de base i injectant un corrent des de l'exterior. Aquesta forma és
controlada i, per tant, acceptable.
• Variant bruscament la tensió aplicada entre extrems de l'estructura pnpn. Els portadors de
càrrega s'han de redistribuir i això implica moviment intern d'aquests portadors, és a dir
corrents interns.
• Aplicant una tensió entre extrems de l'estructura pnpn prou elevada com per a forçar la
ruptura de les juncions pn.
 ELECTRÒNICA (GETI) M2 – T10 – 5/13

2. SCR (I)
L'SCR ("Silicon Controlled Rectifier") és un dispositiu actiu amb tres terminals, anomenats ànode
A, càtode K i porta G, que treballa com a dispositiu commutador i que es controla per corrent.
És el dispositiu més representatiu de la família dels tiristors.

Estructura Símbol
A
p IA - Terminals principals: A, K.
A+
n
- Terminals de control: G, K.
G p IG VAK
n
− - El senyal de control és el corrent de porta IG.
K + G K
VGK −

La característica d'entrada de l'SCR es pot aproximar per: VGK = RGK IG, on RGK és la resistència
equivalent entre porta i càtode de l'SCR.

La característica de sortida de l'SCR presenta tres regions o zones de treball:

• Conducció en directa (ON+): IA > 0, VAK  0 (típicament, VAK està compresa entre 1 V i 3 V).
• Bloqueig en directa (OFF+): IA  0, VAK > 0.
• Bloqueig en inversa (OFF−): IA  0, VAK < 0.
 ELECTRÒNICA (GETI) M2 – T10 – 6/13

2. SCR (II)
CARACTERÍSTICA D’ENTRADA

VGK RGKmàx IG RGG

G A
+
vGG + VGK RGK
VGK,on,màx RGKefectiva − − K K
vGG

VGK = vGG − RGG IG VGK = RGK IG

PGmàx (PG=VGK·IG)
Punt de
treball RGKmín Zona d'encesa segura
VGK,on,mín
Zona d'encesa incerta
VGK,off,màx
Zona de no encesa segura
vGG/RGG IG
IG,off,màx IG,on,mín IG,on,màx

• El circuit de control del SCR, definit per la font vGG i la resistència RGG, s'ha de dissenyar per
garantir que el dispositiu treballi a la zona de no encesa segura o a la zona d'encesa segura.
• Típicament: VGK,on,màx < 10 V i IG,on,màx < 1 A.
 ELECTRÒNICA (GETI) M2 – T10 – 7/13

2. SCR (III)
CARACTERÍSTICA DE SORTIDA
IA
R iA Imàx
+ vx/R ON+
vx Circuit de
iG IG2 > IG1 > IG0 = 0 OFF+
− control
OFF−
IL IG2 IG1 IG0
vx = R· iA + vAK VRB IH
vx
iA = −vAK/R+ vx/R VBO VAK

La seqüència d’operació habitual és la següent:

• Partint d'un punt d'operació en la regió OFF+ (tensió VAK inicial positiva), es produeix una
transició controlada cap a un punt de la regió ON+ d'acord a la recta de càrrega quan s'injecta
un pols de corrent IG d'amplitud positiva i amb una durada suficientment gran. La transició
es completa quan circula un corrent IA > IL (corrent d'enclavament), mantenint-se l'estat de
conducció tot i tenir IG = 0 (diferència fonamental amb el transistor BJT).
• Posteriorment, la transició de la regió ON+ a la regió OFF es produeix de forma espontània (no
controlada) quan el circuit extern força IA < IH (corrent de manteniment) durant prou temps
(OFF+) o bé força una tensió de bloqueig VAK < 0 durant un temps inferior (OFF−).
• Finalment, el circuit extern força una transició de la regió OFF− a OFF+, des de la que es pot
tornar a realitzar una transició d'encesa controlada.
 ELECTRÒNICA (GETI) M2 – T10 – 8/13

2. SCR (IV)
IA
Imàx
ON+
IG2 > IG1 > IG0 = 0 OFF+
OFF−
IL IG2 IG1 IG0
VRB IH
VBO VAK

Els SCRs tenen una sèrie de límits de funcionament:

• Un corrent IA màxim (Imàx), que pot arribar a superar els 5 kA.
• Una tensió VAK màxima en la regió OFF+ (VBO), que pot arribar a més de 6 kV. Si se supera, es
produeix una transició a la regió ON+.
• Una dVAK/dt màxima en la regió OFF+. Si se supera, es produeix una transició a la regió ON+.
• Una tensió VAK mínima en la regió OFF− (VRB), que pot arribar a menys de ‒6 kV.
• Una freqüència de commutació màxima d'uns centenars de Hz.
• En un SCR no es pot controlar l'apagada del dispositiu mitjançant el terminal de porta. És el
circuit en el que es munta qui força l'apagada. Però es pot controlar l'apagada de dues formes:
1) Afegint un circuit addicional que permeti anul·lar en l'instant desitjat el corrent de l'SCR
en conducció i forçar així l'apagada.
2) Fent servir variants d'aquest dispositiu que permeten una apagada controlada mitjançant la
injecció d'un pols negatiu d'IG com, per exemple, el GTO ("Gate Turn-Off thyristor").
 ELECTRÒNICA (GETI) M2 – T10 – 9/13

3. TRIAC (I)
El TRIAC ("TRIode for Alternating Current") és un dispositiu actiu amb tres terminals, anomenats
T1, T2 i porta G, que treballa com a dispositiu commutador i que es controla per corrent. Des d'un
punt de vista funcional, és equivalent a dos SCRs connectats en antiparal·lel que comparteixen
el terminal de control G.
Símbol
IT2
T2 + - Terminals principals: T2, T1.
IG VT2T1 - Terminals de control: G, T1.
− - El senyal de control és el corrent de porta IG.
G T1
+
VGT1 −

La característica de sortida del TRIAC presenta quatre regions o zones de treball:

• Conducció en directa (ON+): IT2 > 0, VT2T1  0.
• Conducció en inversa (ON−): IT2 < 0, VT2T1  0.
• Bloqueig en directa (OFF+): IT2  0, VT2T1 > 0.
• Bloqueig en inversa (OFF−): IT2  0, VT2T1 < 0.
 ELECTRÒNICA (GETI) M2 – T10 – 10/13

3. TRIAC (II)
CARACTERÍSTICA DE SORTIDA
IT2
R iT2 Imàx

+ vx/R ON+
vx iG
Circuit de ON −
− control
OFF+
IG2  0 IG1  0 IG0=0
IL OFF−
iT2 = −vT2T1/R+ vx/R VRB IH
−IH vx VBO VT2T1
IG1  0 IG2  0
−IL
IG0=0

Seqüència d’operació habitual: −Imàx

• Transició controlada d'OFF+ a ON+ injectant un pols de corrent IG. L'amplitud del pols pot
ser positiva o negativa, tot i que és més efectiu que sigui positiva.
• Transició d'ON+ a OFF− de forma espontània, governada pel circuit extern.
• Transició controlada d'OFF− a ON− injectant un pols de corrent IG. L'amplitud del pols pot
ser positiva o negativa, tot i que és més efectiu que sigui negativa.
• Transició d'ON− a OFF+ de forma espontània, governada pel circuit extern.
Límits de funcionament:
• Imàx fins a centenars d'ampers; VBO i VRB fins als 1,6 kV.
 ELECTRÒNICA (GETI) M2 – T10 – 11/13

4. EXEMPLES DE DISPOSITIUS COMERCIALS

SCRs

2N5064
70TPS16 ST110S16P1 TDS4304002DH
(0.5 A, 200 V)
(70 A, 1,6 kV) (110 A, 1,6 kV) (4 kA, 3 kV)

TRIACs

Q8010L5 BTA40-800 SST300S16

(10 A, 800V) (40 A, 800V) (300 A, 1,6 kV)
 ELECTRÒNICA (GETI) M2 – T10 – 12/13

5. EXEMPLE D'APLICACIÓ (I)

Control de la lluminositat d'una bombeta amb un SCR
vx 400
[V] 200
0
vc = Rc ic -200

vc
−
-400
+ 0 5 10 15 20 25 30 35 40

Rc
vc 400

+ [V] 200

vx ic iG 0
Circuit de
− control -200

-400
0 5 10 15 20 25 30 35 40

iG

 
0
0 5 10 15 20 25 30 35 40

t (ms)
A mesura que s'incrementa l'angle d'encesa  des de 0º fins a 180º, la potència entregada a la
càrrega disminueix. Aquesta potència es pot regular des d'un 0% fins a un 50% de la potència
obtinguda per connexió directa a xarxa.
 ELECTRÒNICA (GETI) M2 – T10 – 13/13

5. EXEMPLE D'APLICACIÓ (II)

Control de la lluminositat d'una bombeta amb un TRIAC
400
vx
200
[V]
0
vc = Rc ic -200

vc
+ − -400
0 5 10 15 20 25 30 35 40
Rc
400
vc
+ 200
ic iG [V]
vx Circuit de 0

− control -200

-400
0 5 10 15 20 25 30 35 40

iG  
0
 

0 5 10 15 20 25 30 35 40

t (ms)
Amb el TRIAC es pot obtenir més potència que amb un SCR, ja que també es poden aprofitar
els semiperíodes negatius de la tensió de xarxa. La potència es pot regular des d'un 0% fins a un
100% de la potència obtinguda per connexió directa a xarxa.