Electronique Tome1

E LECTRONI,:'
F. MANNEVILLE - J. ESQUIEU
THÉORIE DU SIGNAL
ET COMPOSANTS
T O U
B e B
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THEORIE DU SIGNA
ET COMPOSANTS
F. MANNEVILLE J. ESQUIEU
IPR Professeur au lycée de Brive
Ancien élève de l'ENS Cachan Ancien élève de l'ENS Cachan
Agrégé de physique appliquée Agrégé de physique appliquée
Classes de Techniciens supérieurs

Instituts Universitaires de Technologie
Classes préparatoires des lycées techniques
Formation continue
Dunod
O BORDAS, Paris, 1989
ISBN 2-04-018915-7
u Toute représentation ou reproduction, intégrale ou partielle, faite sans le

consentement de l'auteur. ou de ses ayants-droit, ou ayants-cause, est
illicite (loi du 1 1 mars 1957, alinéa 1.' de l'article 40). Cette représan-
tation ou reproduction, par quelque procédé que ce soit, constituerait une
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La loi du 1 1 mars 1957 n'autorise, aux termes des alinéas 2 et 3 de l'ar-
ticle 41. que les copies ou reproductions strictement réservées a l'usage
privé du copiste et non destinées à une utilisation collective d'une Part,
et, d'autre part, que les analyses et les courtes citations dans u n but
d'exemple et d'illustration. ))
ava nt - propos
Depuis plus de 20 ans aucun ouvrage d’électronique destiné aux sections de Techniciens Supérieurs
de la filière Électronique n’a été publié. Cela a été dû a l’évolution très rapide des technologies de
l’Électronique, et aux modifications apportées aux programmes de ces sections.
Actuellement la définition de ceux-ci permet de penser qu’ils ne subiront pas de modifications

importantes avant plusieurs années.
Cependant afin de ne pas risquer de réaliser un manuel obsolète dès sa sortie, nous nous sommes
attachés a faire ressortir les grands principes qui règlent l’électronique et qui ne dépendent pas de
la technologie.
Nous espérons ainsi avoir réalisé un livre de référence où tout ce qui est nécessaire a l’électronicien,
du technicien supérieur, de l’élève en premier cycle universitaire technologique, en classe préparatoire
aux grandes écoles à l’ingénieur, est présent.
Ce cours se décompose en deux tomes, nous abordons dans le premier tous les éléments théoriques
nécessaires pour l’étude du << signal )) et les connaissances suffisantes pour comprendre le
fonctionnement des composants électroniques. Dans le second nous mettons en œuvre les acquis en
étudiant les systèmes sur l’ensemble des domaines de l’électronique.
table des matières
THÉORIE DU SIGNAL
Chapitre 1 : Lois générales des réseaux Chapitre 4 .Signaux quelconques . . . . . . 84

linéaires . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1 .Transformée de Laplace . . . . . 84
1. Les éléments actifs . . . . . . . . . . 2 Application à la résolution des
.
2 . Les éléments passifs . . . . . . . . . systèmes . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86
3 . Les réseaux résistifs . . . . . . . . . 3 .Transmittance de Laplace . . . . 90
4 . Les réseaux associant résistance 4 .Impédance opérationnelle . . . . 90
et capacité . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 Exercices . . . . . . . . . . . . . . . . . . 93
5 . Réseaux associant résistance et
inductance . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
6 . Les réseaux associant résistance Chapitre 5 .Signaux échantillonnés . . . . 94
inductance et capacité . . . . . . . 16
Exercices . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24 1 .Échantillonnage ............ 94
2 .Spectre du signal échantillonné 95
Chapitre 2 : Signaux sinusoïdaux . . . . . . . 26 3 .Reconstitution du signal . . . . . 96
1. Préambule . . . . . . . . . . . . . . . . . 26 4 .Transformée en 2 . . . . . . . . . . . 97
2 . Vecteurs de Fresnel . . . . . . . . . 26 5 .Détermination des équations de
3 . Nombres complexes . . . . . . . . . 29 récurrence . . . . . . . . . . . . . . . . . 100
4 . Impédance complexe . . . . . . . . 30 Exercices . . . . . . . . . . . . . . . . . . 107
5 . Lois des réseaux linéaires en
régime sinusoïdal permanent . 31
6 . Circuit associant résistance et Chapitre 6 . Étude énergétique . . . . . . . . 109
capacité . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31 1 Équations générales . . . . . . . . .
. 109
7 . Circuit associant résistance et
2 Puissances absorbées par les
.
inductance . . . . . . . . . . . . . . . . . 34 récepteurs élémentaires . . . . . . 111
8 . Circuits associant résistance,
3 .Application : étude énergétique
inductance et capacité . . . . . . . 35 114
de deux régulateurs de tension
9 . Représentation des fonctions de
4 .Application : adaptation en puis-
transfert . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
sance ..................... 115
10 . Quadripôles passifs linéaires . . 51
5 .Mesures de puissance . . . . . . . . 116
Exercices . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61 Exercices . . . . . . . . . . . . . . . . . . 117
Chapitre 3 . Signauxpériodiques . . . . . . 63
.Théorème de Fourier . . . . . . . . 63 Chapitre 7 . Signaux aléatoires . . . . . . . . 119
2 .Forme exponentielle . . . . . . . . . 68
3 .Spectre bilatéral . . . . . . . . . . . . 69 1 .Introduction . . . . . . . . . . . . . . . 119
4 .Transformée discrète de Fou- 2 .Grandeurs aléatoires . . . . . . . . 119
rier ....................... 70 3 .Variables aléatoires . . . . . . . . . 121
Exercices . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80 4 .Application à l'électronique . , 125
COMPOSANTS
Chapitre 1 . Théorie générale simplijGe 5 Régimes de fonctionnement du

.
des semi-conducteurs . . . . . . . . . . . . . . 130 transistor . . . . . . . . . . . . . . . . . . 165

6 . Fonctionnement du transistor
1 . Rappels d’électrostatique . . . . . 131 en commutation . . . . . . . . . . . . 166
2 . Rappels sur la structure de la 7 - Fonctionnement du transistor
matière . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 133 en amplification . . . . . . . . . . . . 173
3 Semi-conducteur intrinsèque . .
. 133 Exercices . . . . . . . . . . . . . . . . . . 195
4 .Semi-conducteur de type N . . 134
5 .Semi-conducteur de type P . . . 135 Chapitre 4 . Le transistor à effet de
6 .Conduction des semi-conduc- champ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200
teurs ........ . . . . . . . . . . . . . . 136
7 .Effet Hall . . . . . . . . . . . . . . . . . . 137 1 .Description du transistor a effet
8 .Diffusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . 138 de champ a jonctions (JFet ou
9 .Jonction P-N . . . . . . . . . . . . . . 138 TEC) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200
Exercices . . . . . . . . . . . . . . . . . . 144 2 .Fonctionnement du J . FET . . . 200
3 .Mise en équations . . . . . . . . . . 201
4 .Caractéristiques du J . FET . . . 202
Chapitre 2 . Diode à jonction P-N . . . . . 145 5 .J . FET a canal P . . . . . . . . . . . . 207
6 .Influence de la température . . 207
1 Description et symbole . . . . . .
. 145 7 .Capacités du J . FET . . . . . . . . 208
2 Diode en court-circuit . . . . . . ,
. 145 8 .Utilisation du J . FET en ampli-
3 .Diode polarisée en direct . . . . 145 fication . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 209
4 .Diode polarisée en inverse . . , 146 9 .Fonctionnement en porte ana-
5 .Caractéristique d’une diode à logique .................... 221
jonction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 146 Exercices . . . . . . . . . . . . . . . . . . 226
6 .Schéma équivalent d’une diode
à jonction . . . . . . . . . . . . . . . . . 147 Chapitre 5 . Amplijkateur de différence 227
7 .Diode idéale et degré d’ap-
proximation . . . . . . . . . . . . . . . 147 1 .Principe ................... 227
8 .Limitations d’une diode à jonc- 2 .Montage a sortie flottante . . . 227
tion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 147 3 .Montage a référence commune 230
9 .Temps de commutation d’une 4 .Comportement en grands si-
diode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 148 gnaux . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 231
10 .Quelques applications des diodes Exercices . . . . . . . . . . . . . . . . . . 234
à jonction . . . . . . . . . . . . . . . . . 150
11 .Diode Zener . . . . . . . . . . . . . . . 157 Chapitre 6 . Ampl@ateur opérationnel . 237
12 .Photodiodes . . . . . . . . . . . . . . . 159 1 .Définition et propriétés fon-
Exercices . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150
damen t ales , . . . . . . . . . . . . . . . 237
2 .Équation des montages fon-
damentaux . . . . . . . . . . . . . . . . 237
Chapitre 3 . Le transistor à jonctions . . . 161
3 .Amplificateur Opérationnel réel 24 1
1 .Description et symbole . . . . . . 161 4 .Erreurs dites de ((calcul )) . . . . 242
2 .Effet transistor . . . . . . . . . . . . . 161 5 .Erreurs dites (( statiques )) . . . . 245
3 .Mise en équations . . . . . . . . . . 163 6 .Erreurs dites ((dynamiques)) . . 249
4 .Caractéristiques du transistor . 163 Exercices . . . . . . . . . . . . . . . . . . 255
lois générales
udes réseaux linéaires
Les circuits électroniques linéaires sont décrits à

partir de cinq éléments principaux : 1.2. GÉNÉRATEUR
- deux éléments actifs :
D E COURANT
O générateur de tension,
O générateur de courant,
Le générateur de courant dont le symbole est le
- trois éléments passifs : suivant :
O résistance,
O capacité,
O inductance.
Chaque élément est caractérisé par la relation

qu’il impose entre la tension à ses bornes et le
courant qui le traverse. Cette relation u = f ( i )est
la caractéristique de l’élément : impose la valeur du courant qui le traverse quelle
que soit la tension à ses bornes; sa caractéristique
est donc :
1. LES ÉLÉMENTS ACTIFS 1.3. DIFFÉRENTES FORMES

D E SIGNAUX
1.1. GÉNÉRATEUR DE TENSION La grandeur électrique imposée (courant dans le

cas du générateur de courant, tension dans le cas
Le générateur de tension dont le symbole est le du générateur de tension) peut avoir une forme
suivant : quelconque.
Cependant on peut séparer quelques formes
fondamentales :
U @
1.3.1. Signal constant

impose la valeur de la tension à ses bornes quel
que soit le courant qui le traverse; sa carac- Dans le cas du générateur de tension, on utilise
téristique est donc : alors le symbole suivant :
lu=e QiI
On l’appelle aussi force électromotrice e.

-p
4
U
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théorie du signal
r
1.3.2.Signal périodique O q est la phase à l’origine mesurée en radians.
Le signal électrique se reproduit identique à lui- Le signal sinusoïdal étant un cas particulier de
même au cours du temps. La période T est le plus signal périodique, on peut calculer :
petit intervalle de temps au bout duquel le signal
reprend la même valeur. La fréquence f est AM COS (cet + q) dt
l’inverse de la période :
1
f=-
T’
On définit, pour le signal périodique a(t), les ce qui est évident d’après l’observation de la
grandeurs Caractéristiques suivantes : courbe a(t) :
- valeur moyenne :
1 to+T
Amoy = T J-, a@) dt;
- valeur efficace : A telle que
A2 = f jtr+Ta2(t)dt. --
- AM
2 ’
Remarquons que le carré de la valeur efficace est
la valeur moyenne du carré du signal, ce qui soit
permet de donner le schéma synoptique d’un
appareil capable de mesurer les valeurs efficaces
( f i g e 1).
Nous écrirons donc le signal sinusoïdal sous la
x 3
forme :
- - -J
Multiplicateur
a * ( t ) Valeur
- moyenne Racine
carrée a(t) = A 3 COS +
( ~ tcp).
Fig. 1 .
1.3.3.Signal sinusoïdal 1.3.4.Signal échantillonné

Le signal représenté sur la figure 2 s’écrit 1
Le signal, échantillonné à la fréquence Fe = -,
~ ( t=) AM COS (COL + q) T,
est constitué d’une suite de valeurs
{ ... a@), a ( ~ , )a(2T,),

, ..., a(nT,),... ] = a*(t).
Cette suite de valeurs peut être convertie en

tension par l’intermédiaire d’un convertisseur
numérique analogique. On obtient alors les
Fig. 2. formes de signaux donnés par la figure 3 selon
que le signal est bloqué OU non entre deux
A M est la valeur maximale;
O échantillons.
O est la pulsation mesurée en radians par
ci)
seconde (rad . s-’); la définition de la période
conduit aux relations : L’observation des courbes (fig. 3) permet de
constater un G retard )) du signal échantillonné et
2n bloqué par rapport au signal échantillonné.
0 = - =T 2 nf; L’étude théorique le confirmera.
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lois générales des réseaux linéaires
t 01 t
a ( t ) échantillonné a ( t ) échantillonne et bloqué

Fig. 3.
1.3.5. Signai aléatoire

2.2.ÉLÉM ENTS PASSl FS
Il est, dans ce cas, impossible de connaître la R ÉACTI FS
valeur exacte du signal a(t) à l’instant t. Le signal
est alors défini en termes de probabilité : Les éléments réactifs font intervenir une
P(x, t ) dx est la probabilité pour qu’à l’instant t, dérivation dans leur caractéristique.
le signal a(t) soit compris entre x et x + dx.
Suivant la forme du signal, il existe des méthodes 2.2.1.
Capacité c
spécifiques d’analyse du comportement des Compte tenu des sens d’orientation, la caractéris-
circuits électroniques : ces méthodes seront tique d’une capacité est la suivante :
exposées dans les chapitres suivants.
2. LES ÉLEMENTS PASSIFS 1 i=+C-

d:l
C est la capacité du condensateur, elle se mesure
Si les éléments actifs produisent le signal, les en farads (F).
éléments passifs subissent le signal et réagissent
en fonction de leur caractéristique. 2.2.2.
Inductance L
Compte tenu des sens d’orientation, la caractéris-
tique d’une inductance est la suivante :
2.1.ÉLÉMENT PASSIF
L L
N O N RÉACTIF.
RÉSISTANCE R
Compte tenu des sens d’orientation :

- de l’espace vis-à-vis de la tension u,
- du conducteur vis-à-vis du courant i,
1 u=+L-
d:l
L est l‘inductance de la bobine, elle se mesure en
la caractéristique de la résistance est la suivante : henrys (H).
i R On peut dégager, pour le signe intervenant dans

les caractéristiques, une propriété générale pour
les éléments passifs :
- le signe est + si l’espace et le conducteur
lu=-Ri/ sont orientés en sens inverse,

- le signe est - si l’espace et le conducteur
R est la résistance, elle se mesure en ohms (CI). sont orientés dans le même sens.
théorie du signal
e l - Rlil - e2 - R2i2
3. LES RESEAUX RESISTIFS + R3i3 - e3 - R4i4- RsiS= O, l
soit
Ce sont des réseaux dont les seuls éléments passifs
sont des résistances. e l - e2 - e3 = R l i l + R2i2
- R3i3+ R4i4 + R5i5.
Dans le cas général :
3.1. LOIS DE KIRCHHOFF - on oriente chaque branche;
- on choisit un sens de parcours sur la maille.
3.1.1. Loi des noeuds On écrit :
On appelle nœud N , un point où arrivent 1-

plusieurs branches (fig. 4).
- La force électromotrice en est précédée du
signe + si son sens est identique au sens de
j\ 1s
Fig. 4.
'4
parcours de la maille.
- Le terme R,i, est précédé du signe + si le
sens d'orientation de la branche n est
identique au sens de parcours de la maille.
Il ne peut y avoir accumulation permanente de

charges en un point, car le potentiel y deviendrait
3.2.THÉORÈME DE M I L L M A N
infini. On en déduit
Considérons le réseau à n branches de la figure 6.
il - i 2 - i3 + i4 - i5 = O.
Dans le cas général, on écrit :
r
C in = O signe + si le conducteur est
orienté vers le nœud
3.1.2. Loi des mailles
On appelle maille, un ensemble de branches

formant un circuit fermé (fig. 5).
U
Fig. 6.
La loi des nœuds au point N
(il + i2 + ... + in = O)
conduit à :
U-el u-e2 u - en
+--- +...+---=O
).+-,-w
R1 R2 Rn
soit
I I
'4
R4 e3
Fig. 5.
En écrivant que la somme des différences de

potentiel est nulle lorsqu'on tourne sur la maille, Cette formule est connue sous le nom de
on obtient : théorème de Millman.
6
3.3.GÉNÉRATEUR DE THÉVENIN. GÉNÉRATEUR D E NORTON
Considérons un composant dont la caractéris- L’équivalence entre les schémas des figures 8 et 9
tique u = f(i) est décrite par la courbe de la permet de résoudre certains problèmes par simple
figure 7. transformation de schémas.
Tant que le point de fonctionnement M ne sort
pas du segment A B (fonctionnement linéaire), la
caractéristique u = f ( i ) s’identifie à :
3.4. THÉORÈME
u =E - i(tan a) = E - R i en posant R = tan a. D E SUPERPOSITION
Tant que le point M reste entre A et B, on peut
donner, du composant, le schéma équivalent de
la figure 8 : Soit un réseau possédant n forces électromotrices
el, e2, ..*? en*
Compte tenu de la linéarité des lois de Kirchhoff,
le courant i, dans la branche p du réseau est une
U fonction linéaire de el, e2, ..., en,soit :
u=E-Ri i, ap2e2
= apiel i- + ... + aPnen.
Fig. 8. Les coefficients api, upz,..., apn dépendent des
résistances du réseau.
Ce schéma constitue le générateur de Thévenin
équivalent au composant. Le courant i, peut s’écrire :
E u
La formule précédente peut s’écrire i = - - -, ce
R R
i, = i,, + i,, + ... + iPn
qui conduit au schéma équivalent de la figure 9 où iPi = apiei est le courant qu’impose, dans la
(dit générateur de Norton équivalent). branche p , le générateur ei supposé seul.
i = -E- - u
D’où l’énoncé du théorème de superposition :
R R
Théorème
Le courant dans une branche d’un réseau
linéaire est la somme des courants qu’impose
dans cette branche, chaque force électromotrice
Fig. 9. supposée seule.
www.biblio-scientifique.net a
théorie du signal I
L‘état II résulte de la superposition des états I

3.5. THÉORÈME et III : le théorème de superposition permet
DE THÉVENIN d‘écrire i’ = O = i + i”, soit
Soit un réseau résistif et soient deux points A et B

de ce circuit; branchons une résistance R entre les
deux points A et B. Nous obtenons alors le et le réseau peut être décrit par le schéma
schéma de la figure 10 (état 1). équivalent de la figure 13, dans lequel :
-
ETAT I
Fig. 10.
Fig. 13.
On se propose de calculer le courant i dans la
branche AB. O (VA- VB)oest la tension qui apparaît entre les
Pour cela, on imagine, à partir de l’état I les deux points A et B lorsque la charge est débranchée,
états suivants. O Re, est la résistance vue entre les points A et B
lorsque la charge est débranchée et lorsque toutes

3.5.1. État II les forces électromotrices sont remplacées par des
courts-circuits.
On place en série dans la branche A B un
générateur de tension tel que le courant soit nul
dans cette branche (fig. 11).
ETAT II [( vA-vB)Ol
4. L E S RÉSEAUX
EzD
jL0
ASSOCIANT ReSISTAMCE
ET CAPACITÉ
Fig. 11.
La valeur d’un tel générateur de tension est 4.1. PROPRIÉTÉS
(VA - V J 0 : tension qui apparaît entre les DES CAPACITÉS
points A et B lorsque la branche est ouverte.
3.5.2. É t a t 111 4 . 1 .l.Équation fondamentale

A
A partir de l’état II, on imagine que toutes les

forces électromotrices du réseau sont rem-
placées par des courts-circuits à l’exception de
(VA- VB)o.Le réseau est alors équivalent à une
résistance Re, (fig. 12) et le courant dans la
- vB)O 4.1.2. Conséquences de l‘équation
branche AB s’écrit : i” = - fondamentale
R+Req ’
ETAT 111 En régime continu établi : les grandeurs élec-

( vB)O
triques sont constantes :
n i”
du
-= O soit i = O.
u=Cte * dt
En régime continu établi, la capacité se comporte
Fig. 12. comme un circuit ouvert.
8
En régime périodique établi : les grandeurs

électriques reprennent périodiquement la même
valeur :
u(t, + T ) = u(t,), quel que soit t,.
Le calcul de la valeur moyenne du courant dans la

capacité conduit à : du>O
dt
idt = -i [ t : “ + T C du
Fig. 15. A
r O
=-
L
T
[u(t, + T) - u(t,)] = O
En régime périodique établi, la valeur moyenne La tension u est obtenue par résolution du
du courant, dans une capacité, est nulle. système d’équations :
En régime quelconque : l’équation fondamentale E = Ri‘ i- u
du i
conduit à - = -, C étant par définition différent
dt C
de zéro (sinon il n’y aurait pas de capacité), on
1
i’ = i i- i,
i , = cduz
du
peut en conclure que - n’est jamais infini à
I = f(i)
dt qui se ramène au système
moins que le courant dans la capacité puisse être du E - u .
- 1
considéré comme infini. Nous en tirons les
propriétés suivantes :
- la tension aux bornes d’une capacité ne
L’équation u = f ( i )étant donnée graphiquement,
peut pas subir de discontinuité : la résolution ne peut être que graphique; traçons,
E-u
1 u(t,+) = u(to-), quel que soit t, 1 pour ce faire, la droite d’équation i =
R
~
(ou u = E - Ri).
à moins qu’à l’instant t,, le courant puisse Elle partage le plan (u, i) en trois sous-ensembles :
être considéré comme infini; l’ensemble des points de la droite pour
- la capacité s’oppose aux variations de la
E-u du
tension à ses bornes et ce d’autant plus lesquels ~ - i = O, c’est-à-dire - = O;
que : R dt
O C est plus grand,
l’ensemble des points situés à gauche de la
O le courant dans la capacité est plus faible.
E-u
droite, pour lesquels ~ - i > O, c’est-
R
du
Les remarques précédentes permettent de à-dire - > O;
comprendre le fonctionnement de certairis dt
rrT
dispositifs. Considérons par exemple le schéma de l’ensemble des points situés à droite de la
la figure 14. du
droite pour lesquels - < O.
dt
Le point de fonctionnement de coordonnées (u, i)
se trouve obligatoirement sur la courbe u = f (i).
E
Supposons qu’à l’instant initial, ce point soit
du
en A, où -est positif. La tension u doit donc être
dt
croissante et le point de fonctionnement monte
Fig. 14. jusqu’au point P où il rencontre les deux
conditions contradictoires :
T est un composant (ou un ensemble de O caractéristique décroissante de tous côtés,
composants) dont la caractéristique u = f ( i ) est du
0 - > O qui impose la croissance de u.
donnée à la figure 15. dt
théorie du signal
La seule solution pour le point de fonctionne- On obtient donc une (( rampe )) en alimentant une
ment est de passer en B, et ce, horizontalement, car capacité à courant constant. Cette propriété
la tension aux bornes du condensateur ne peut conduit à de nombreuses applications; on peut en
pas subir de discontinuité. déduire, par exemple, le schéma synoptique d'un
du générateur de tension triangulaire (fig. 17).
En B, -est négatif et le point de fonctionnement i
dt
descend jusqu'en V , où il rencontre les deux
conditions contradictoires :
- caractéristique croissante de tous côtés,
I
du
- - < O qui impose la décroissance de u.
dt
La seule solution, pour le point de fonctionne-
ment, est de passer horizontalement en A et le
cycle recommence. Fig. 17.
Le système, ne possédant aucun état stable,
constitue un oscillateur. O Le bloc T établit entre les tensions us et u la
Remarquons que les oscillations ne sont possibles relation décrite par le diagramme (,fig. 18) :
que parce que le point de concours de la
caractéristique u = f(i) et de la droite u = E - Ri
se trouve sur la portion décroissante de la
caractéristique u = f(i). Le point de fonctionne-
ment ne se trouve jamais sur la droite u = E - Ri.
S'il en était autrement, il rencontrerait la
du
condition - = O, soit u = Cte, et le point de
dt
fonctionnement s'arrêterait là.
Fig. 18.
* lorsque u atteint + U o par valeurs croissan-

~~
4.2. ALIMENTATION tes, us bascule de + E a - E ,

D'UNE CAPACITÉ * lorsque u atteint - U o par valeurs décrois-
?AR U N GÉNÉRATEUR santes, us bascule de - E a + E.
DE COURANT CONSTANT
O L'interrupteur K est commandé par la tension
Considérons le réseau de la figure 16. A l'instant 21s :
t = O, la tension aux bornes de la capacité est * K est en 2 lorsque us = - E ,
égale à U o , * K est en 1 lorsque us = + E.
Le courant i dans la capacité prenant alternative-
du
I o = C - soit ment les valeurs + I o et - I o , la tension u évolue
dt conformément au diagramme de la figure 19.
u = - Ito+
C
ut
/ t
O'
*
t
Fig. 16. Fig. 19.
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SOLUTION GÉNÉRALE
4.3. ALIMENTATION D’UNE Elle est obtenue en faisant la somme de la solution
CAPACITÉ À TRAVERS particulière et de la solution de l’équation sans
UNE RÉSISTANCE second membre :
u = E + k e-‘IRC.
4.3.1. Alimentation par un générateur
de tension constante
CALCUL DE LA CONSTANTE
Soit le schéma de la figure 20. D’APRÈS LES CONDITIONS INITIALES
u(0 -) = u,
rX-01 t
u(0 +) = u(0 -)
u(0 +) = E +k
E
I car u est la tension aux bornes de la capacité et à
T “fl“ l’instant t = O, la résistance R limite le courant i a

E - Uo
R
, donc k = U , - E.
Fig. 20.
A l’instant t = O, u = U,, on ferme Solution finale : u = E + (Un- E ) e-fIRC

l’interrupteur K .
Des équations : Traçons la courbe donnant les variations de la
( E = Ri + u tension u en fonction du temps :
- lorsque t tend vers l’infini u tend vers E,
- la pente de la tangente à l’origine est
du i(0 +) - E - u(0 +)
équation différentielle du premier ordre dont la -(O
dt
+) = 7 -
RC
solution est déterminée de la manière suivante.
- E-u(O-)
- --E - U o
-
SOLUTION DE L’ÉQUATION RC RC
SANS SECOND MEMBRE
La tangente à l’origine coupe donc l’asymptote
du du dt u = E a l’instant z = RC.
RC-+u=o=>--= --
dt U RC Les courbes décrites figure 21 donnent les
variations de u dans les conditions :
U,= E,
U,>E,
U,<E,
SOLUTION PARTICULIÈRE z = RC est la constante de temps du circuit
Le second membre étant constant, on cherche la résistance-capacité.
du
solution sous la forme u = Cte, soit - = O. Il Dans le cas où U o = O, on définit le temps de
dt montée t, par le temps nécessaire à la tension pour
vient alors :
U = E. passer de 10 % à 90 % de la valeur finale.
uo -
E =Uo
E -
- l
c
O z t O t O z t
11
théorie du signal
n
Le calcul de t, à partir de l’équation 4.3.2.Alimentation par une rampe

= E - Ee-t/RC de tension
conduit à :
t , = RC In 9 = 2,2RC.
Soit le schéma de la figure 24 avec e = ut + E,
On définit, dans les mêmes conditions, le temps de
réponse à 5 %, tr%,par le temps au bout duquel la
tension u ne diffère que de 5 YOde sa valeur finale
(fig. 22).
Fig. 24.
E
0,9E A l’instant t = O, la tension u étant égale à U , , on
ferme l’interrupteur K .
Des équations :
e = Ri -i- u,
du
i=C-
dt ’
du
0,l E
O
on tire e = at + E, = RC -
dt
+ u.
Fig. 22. SOLUTION DE L’ÉQUATION
SANS SECOND MEMBRE
Le calcul de t, % à partir de u = E - E ePtIRC u = k e-tIRC
conduit à :
t r 5 %= 3RC
SOLUTION PARTICULIÈRE
Variations du courant i Le second membre étant une fonction linéaire du
De l’expression de u = E + ( U , - E ) e-t’RC,on temps, on cherche la solution particulière sous la
du
déduit l’équation de i à partir de l’une ou l’autre forme u = mt + n, soit - = m.
des équations initiales : dt
du
Remplaçons u et -dans l’équation différentielle,
dt
il vient :
ut + E , = RCm -i- mt -i- n.
Les courbes décrites figure 23 donnent les
Cette équation devant être vérifiée quel que soit t,
variations de i dans les conditions :
on obtient :
a Uo=E,
a Uo > E, m=a m=a
soit
a U o < E, RCm + n = E , n=E, - aRC
Fig. 23.
SOLUTION GÉNÉRALE 4.3.3.Remarques à propos

de la solution de l‘équation
u = at + E, - aRC + k ePtIRC différentiel le
La solution de l’équation sans second membre, de

CALCUL DE LA CONSTANTE D’INTÉGRATION la forme k e-‘IR: dépend des conditions initiales,
D’APRES LES CONDITIONS INITIALES et disparaît au cours du temps. Elle constitue le
régime transitoire.
u(0 +) = E , - aRC +k La solution particulière, indépendante des
u(0 -) = uo conditions initiales, et qui subsiste, après
disparition de l’équation sans second membre,
u(0 +) étant égal a u(0 -), on en déduit la valeur constitue le régime permanent.
de k
k = U o - E , + aRC.
5. RÉSEAUX ASSOCIANT
SOLUTION FINALE R EsISTAN c E
E T INDUCTAMCE
u = at + E, - aRC + (U, - E, + aRC) e-tIRC
Traçons la courbe donnant les variations de la 5.1. PROPRIÉTÉS
tension u en fonction du temps : DES INDUCTANCES
- lorsque t tend vers l’infini u se rapproche de
+
la droite ut E , - aRC; la tension u suit
5 . 1 . l . Équation fondamentale
donc l’évolution de la tension e - aRC;
aRC constitue l’erreur de traînage;
- la pente de la tangente à l’origine est
du i(O +) - e(0 +) - u(0 +)
-(O+)=-
dt C RC
5.1.2. Conséquences de l‘équation
- e(O +) - u(0 -) -
- Eo - Uo fondamentale
RC RC
En régime continu établi, les grandeurs électriques
son équation est u = Eo - uo t + u,; sont constantes, soit
RC
di
a l’instant t = z = RC sa valeur est E,; i=Cte -=O => u=O.
dt
la courbe représentative de u est donnée par la
En régime continu établi, l’inductance se
figure 25.
comporte comme un court-circuit.
En régime périodique établi, les grandeurs élec-
triques reprennent périodiquement la même
valeur : i(to + T ) = i(t,) quel que sQit t,.
Le calcul de la valeur moyenne de la tension
L
= -[i(to + T ) - i(t,)] = O.
aRC t /
/’/E,-aRC
I
1
T
I
t En régime périodique établi, la valeur moyenne
de la tension aux bonies d’une inductance est
Fig. 25.
nulle.
théorie du signal
En régime quelconque, l’équation fondamentale Ce qui donne pour la tension ZI la courbe de

di u variations décrite à la figure 27.
conduit à - = -. L étant, par définition, différent
dt L
de zéro (sinon il n’y aurait pas d’inductance), ‘t
di
on peut en conclure que - n’est jamais infini à
dt
moins que la tension aux bornes de l’inductance
puisse être considérée comme infinie. Nous en
tirons les conclusions suivantes :
E9
O aT T
Fig. 27.
t
- le courant dans une inductance ne peut pas La capacité s’opposant à la variation de la tension
subir de discontinuité, à ses bornes, la tension u reste sensiblement
constante et égale à Uo.
1 i(to+)= i(to-) quel que soit to 1 Les équations entre valeurs instantanées
à moins qu’à l’instant to, la tension aux

{y 2
=
= 1c
yL +.ri + u
+ 1,
bornes de l’inductance puisse être considé-
rée comme infinie; conduisent à
l’inductance s’oppose aux variations du Vmoy= rimoy U o = aE +
-
courant qui la traverse et ce d’autant plus
que :
{ Imoy = Iumoy
car la tension moyenne aux bornes de l’induc-

O L est plus grand; tance et le courant moyen dans le condensateur
O la tension aux bornes de l’inductance est sont nuls en régime périodique établi.
plus faible. On en déduit :
U o = aE - ri,,,,.
Ces remarques permettent de comprendre le Pour l’alimentation de la charge R, le montage se
fonctionnement de certains dispositifs comme par comporte comme un générateur :
exemple l’alimentation à découpage. - de force électromotrice aE réglable par le
rapport cyclique a,
En effet, on peut donner, d’une alimentation à - de résistance interne r.
découpage, le schéma équivalent de la figure 26.
5.2. ÉTABLISSEMENT
DU COURANT DANS
“W 1.
Charge
r est la résistance de la
UN CIRCUIT INDUCTIF
Considérons le schéma donné figure 28.
bobine d‘inductance L /**
Fig. 26.
1“
f‘
~~
Fig. 28.
L’interrupteur est basculé périodiquement de la
position 1 à la position 2 :
A l’instant t = O, on ferme l’interrupteur K . On
nT < t < nT + aT K est en 1 obtient, pour le courant i, l’équation suivante :
nT + aT < t < (n + l ) T K est en 2 di E L di
E=Ri+L- ou - = i + - - .
où a < 1 est le rapport cyclique. dt R R dt
Cette équation différentielle du premier ordre est Il faut donc ajouter à l’inductance un circuit lui
identique à celle qui a été résolue au para- permettant de prolonger le courant qui la
graphe 4.3.1. On en déduit par analogie la loi de traverse; ce circuit peut être réalisé par une simple
variations du courant i : résistance R, conformément au schéma de la
. E E e Lt avec L figure 30.
l = - - -
R R T=R.
Ce qui donne, pour le courant i, la courbe de
variation décrite à la figure 29.
Fig. 30.
Des équations
O
T=- L t
di
R u=Ri+L-
dt
Fig. 29.
E u = R,i,
Lorsque t tend vers l’infini, i tend vers -, ce qui est
R L di
on tire ~- +i=O,
normal, car nous avons vu qu’en régime continu
établi l’inductance se comporte comme un court-
R + R,dt
circuit. équation différentielle du premier ordre sans
second membre dont la solution est de la forme
5.3. RUPTURE DU COURANT

DANS UN CIRCUIT k est calculé d’après les conditions initiales
IN DUCTI F E
Reprenons le schéma de la figure 28 et supposons

E
qu’à l’instant t = O, le courant étant établi à -’ on
R
ouvre l’interrupteur K . Il apparaît alors deux On en déduit les lois de variation de il et de u :
exigences contradictoires :
- celle de l’expérimentateur qui veut faire
E
passer instantanément le courant i de -
R Les courbes de variation correspondantes sont
à O; données figure 31.
- celle de l’inductance qui ne tolère aucune
variation brutale du courant i qui la La surtension apparaissant à l’ouverture de K ,
traverse.
En définitive c’est l’inductance qui l’emporte en
(- y) est d’autant plus faible que RI est plus
provoquant aux bornes de l’interrupteur une petite; mais le dispositif présente l’inconvénient
surtension telle qu’elle provoque l’ionisation de
l’air entre les lames de l’interrupteur. Il y apparaît
donc une étincelle conductrice qui referme le
de dissiper dans R, une puissance inutile
(3
d’autant plus importante que R , est plus faible.
circuit que l’expérimentateur pensait avoir On peut y remédier en plaçant en série avec R , un
ouvert. élément (diode) qui supprime le courant il positif
théorie du signal
il
t
L
* - I 2
O
2 t
_-E
R
Fig. 31.
tout en conservant le courant il négatif qui 6.1.2.

Circuit R-L-C paraiièie
prolonge le courant dans l’inductance lors de alimenté par un générateur
l’ouverture de K . de courant
Considérons le schéma de la figure 33.
6. LES RESEAUX
ASSOCIAWT RÉSISTAWCE R
I RI DUCTARICE
éT CAPACITE
L
6.1. ÉQUATIONS
DES MONTAGES Fig. 33.
FONDAMENTAUX
Des équations initiales
6.1.I. Circuit R-L-c série f io=ic+i
alimenté par un générateur du
de tension i, = C-
dt
Considérons le schéma de la figure 32. di
u=Ri+L-
dt
on déduit :
- l’équation différentielle de la tension u :
R + -2
-io
1 di = 7d2u + --Rdu + -u; 1
LC C dt dt L dt LC
Fig. 32.
- l’équation différentielle du courant i :
Des équations initiales :
io d2i R d i
= __ + _ _ + -i.
1
di
e = Ri + L- + u LC dt2 L d t LC
dt
\ i = cdux
6.1.3.
Forme générale
de I‘éq uat ion différentiel le
on déduit : du 2“ ordre
- l’équation différentielle de la tension u :
On constate dans les deux exemples précédents
e d2u Rdu 1 que les circuits associant une inductance et une
+ --
E=dtz L d t LC +
-U,
capacité sont régis par une équation différentielle
- l’équation différentielle du courant i :
du 2e ordre à coefficients constants de la forme :
1 de d2i R d i 1 d2x dx
-- = - + -- + -i. - + 2mcoo-dt + c0;x = f(t).
L dt dt2 L d t LC dt2
Le second membre f ( t ) dépend de la forme du 6.2.1. m >I

signal imposé par les générateurs de tension ou de
courant. Les solutions de l’équation caractéristique sont
Dans les exemples précédents, on obtient, par réelles et négatives :
identification : a, = - mco, + co, Jm2 - i
R 1
2mco - - et a2 = - mco, - co, J m 2 - 1,
=J L C
et la solution de l’équation différentielle est de la
forme :
u = A , cuit + A , eazt.
O, estla pulsation propre du circuit;
Pour la détermination de A , et A , les conditions
m est son coefficient d’amortissement.
initiales permettent d’écrire
-
~ ( +)
0 = A, + A, et u(0 -) = u(0 +), car
6 . 2 . CIRCUIT R-L-C- SÉRIE u(0 -) = u,
est la tension aux bornes d’une capacité, soit
EN RÉGIME LIBRE +
A , A2 = Uo;
du
Considérons le schéma de la figure 34. i(0 +) = C - (O +) = C [ A , a , A2a2]
r dt
+
R L ‘1
i(0 -) = O
r754
I
+---l 4 et i(0 -) = i(0 +) car i est le courant dans une

inductance; soit a , A , + A2a2 = O.
fi“ A , et A2 sont donc solutions du système
Fig. 34.
A1 + A2 = Uo
a,A, + a 2 A 2= O
A l’instant t = O, on ferme l’interrupteur K , les
conditions initiales étant les suivantes : i(0 -) = O,
u(0 -) = u,.
Les variations de la tension u sont régies par
l’équation différentielle du 2“ ordre sans second La courbe décrivant les variations de u est donnée
membre : figure 35.a.
d2u
-
dt2
+ 2mco,- du
dt
+ WOU =O su
avec 1 et m =2 E F
L’
=JLc
La solution de cette équation est de la forme
A,f,(t) + A 2 f 2 ( t )dans laquelle :
0 A , et A , sont deux constantes à déterminer O
d’après les conditions initiales, t
0 fi( t )et f 2 ( t )sont deux solutions particulières.
Fig. 35.a
Afin de déterminer f , ( t ) et f 2 ( t )cherchons a tel

que eatsoit solution de l’équation différentielle. Il 6.2.2. m = l
vient alors
L’équation caractéristique a une racine double :
eat[a2 + 2mw,a + CU^ = O, a, = - CU, et la solution de l’équation différen-
soit a2 + 2mco,a + coi = O, équation caractéris- tielle est de la forme u = (At + B) ,-Oot.
tique de l’équation différentielle. A et B sont déterminées d’après les conditions

initiales et la courbe donnant les variations de u a
Le discriminant est la même allure que celle obtenue pour m > 1
A’ = m2wi - coi = co;(m2 - 1). (fis. 35.a).
théorie du signal
6.2.3. m < I La courbe décrivant les variations de u est donnée

figure 35.b. Le cosinus évoluant entre + 1 et - 1,
Les racines de l'équation caractéristique sont la courbe est comprise entre les deux exponen-
imaginaires conjuguées : 0
' ,-mwot 0
' ,-mwot
tielles et
a, = - maO + jco,
Ji - m2
cos
~
e -___
cos O
a2 = - muO - jco, J i - m2
De cette étude nous retiendrons :
et la solution de l'équation différentielle est de la
forme :
u = A , e"" + A , ea2'.
Le calcul de A , et A, d'après les conditions

initiales conduit à
uoa2 - ~,(mco, + j c o 0 J C Z )
A1 =-
a2 - a1 2jco0 Ji-m"
en posant co = coo J-, il vient alors
A1 = Uo
(mao + j 4
2 jco
ma0
soit u = U o e-mwot cos cot + -
co
sin 8
Si l'on pose -= = tan O il vient :
cos e
~
REMARQUE
u=-
cos e e-m"ot[cos cot cos 8 + sin cot sin û] La condition m = O étant un cas particulier de la
condition m < 1, la solution correspondante est de la
forme u = A , cos (mot + cp).
Les conditions initiales
(- u(0 +) = u(0 -) = u,,
du imposent
i(0 +) = c - (O +) = O,
dt
u, = A , cos (0, A0 = U o
soit
O = - m,A, sin cp (O = O ,
ce qui conduit à u = U o cos mot, d'où l'on déduit

du
i = C - = - CmoU0 sin mot.
dt
=O impose R =O (ce qui

est un cas limite) ;le schéma correspondant est donné
figure 36.a et les lois de variations de u et de i
Fig. 35.b figure 36.b.
Fig. 36.a -
I Fig. 36.b
Il apparaît, dans le circuit, des oscillations L’évolution de la tension u en fonction du temps

permanentes, dont on peut donner l’explication obéit à l’équation différentielle :
physique suivante :
- ù l’instant t = O, u = U , , on ferme d2u du
l’interrupteur K ; on offre ainsi, Ù la capacité, un --+2mw0
dt2 -dt+ w i u = o i E
circuit lui permettant de se décharger;
- ù l’instant t = A,
la capacité est déchargée,
2 Co0
mais le courant i est extrêmum et l’inductance, ne
tolérant aucune variation brutale du courant i,
prolonge ce courant en p-rovoquant la charge de la
capacité en sens inverse:
- à l’instant t = E ,i = O, mais la capacité se Solution particulière
Co0
trouve chargée sous u = - U,, d’où une nouvelle
décharge, et ainsi de suite. Le second membre étant constant, on la cherche
sous la forme :
. du d2u
u=Cte soit - = O et -=O;
dt dt2
6.3. CIRCUIT R-L-C il vient alors u = E.

SÉRIE ALIMENTÉ
PAR U N GÉNÉRATEUR
DE TENSION CONSTANTE Solution finale
Considérons le schéma de la figure 37. Reprenons les résultats établis au paragraphe 6.2.
A l’instant t = O, u(0 -) = O, i(0 -) = O, on ferme O a) m > 1 : La solution de l’équation sans
l’interrupteur K . second membre se met sous la forme :

u =A, eal‘ + A , eazt
avec a,=-moo+w,Jm2-~
et a2 = - mwo - coo JZ.
Fig. 37. Ce qui donne pour la solution générale

l’équation :
Dans ces conditions, la loi de variation de la
tension u, est appelée réponse indicielle. u =E + A , eal‘ + A , eazt.
théorie du signal
Les conditions initiales conduisent au système : - Temps de réponse à 5 % dans le cas où m % 1

u(O+)=u(O-)=O=E+A,+A2 De l’expression u = E -
WO
E e - G r , on tire
du 5 1
i (O +) = i(0 -) = c-(O +) e --W O
2mtr5% = --- _ soit
dt 100 20’
= a, A , + a,A2 = O 2m 2m
A,+A,=-E tr5%= -In 20 = 3 x -,
soit *O *O
a, A , +
a 2 A 2 = O,
dont la résolution conduit à :
soit
--aE
A,=-= 2E m+Jm2-i
a2 - a, 2Jm”l’
- a, E m - Jm2 - i
A 2 -- - = + E
a, - a2 2 J m La courbe donnant les variations de k?
27l
en
La courbe de variations de la tension u est ~
(00
donnée figure 38. Lorsque t tend vers l’infini, al et fonction de m est donnée figure 41 en échelle ln-
a2 étant négatifs, u tend vers E.
In.
“t O b) m < 1 : La solution de l’équation sans
second membre se met sous la forme :

u = A , eëmwofcos ( u t + cp)
avec Co = o O , / C - 2 .
Ce qui donne pour la solution générale

4 5% t l’équation :
Fig. 38. u=E + A , e-mwofcos ( u t + cp).
La pente de la tangente a l’origine est : Les conditions initiales conduisent au système :
du i(0 +) i(0 -) u ( O + ) = U ( O - ) = O = E + A O COS ~p
-(O +) =- -
-- - o.
dt C C du
i(0 +) = i(0 -) = c- (O +) = O
dt
- Cas particulier m 9 1
= A , [- muO cos cp - CO sin cp].
m+Jm2-i mco m
A 1 -- - E N -E, tancp=-L=-
2 J Z - 3
soit
Cu Ji-=?’
m-mJ1-l/m2 E E E
A,=E N- A, =------ -
2 J m 4m2’
cos cp J1Sm
a, = - m o , + w , m J ~ ~--
*O
La courbe des variations de la tension u est
2 m’
donnée sur la figure 39.
a2 = - m o o - o o J m 2 - i ~ - 2 m o , , La pente de la tangente a l’origine est :
m étant supposé grand par rapport à 1, IA,I est du i(0 +) i(0 -)
- (O +) = ___ - ___ = o.
infiniment grand par rapport a [ A 2 [ , dt C C
lal[ est infiniment petit par rapport à la,[.
Le terme A , eazfdevient donc très rapidement Au cours du temps, la tension u passe au-dessus
négligeable par rapport au terme A , eu“ et la de la valeur finale E.
tension u se rapproche très rapidement de On définit le dépassement d par :
WO
II= E - E e-2mf.
On est alors en présence d’un mode dominant.
45%
t
Fig. 39.
d
1
02
O,1
0,Ol
l rn
0.01 O,1
Fig. 40.
n
- Calcul du dépassement Le premier maximum se produit pour t = - soit
Co
u est extrêmum lorsque l
7 mwnn
cos (n + q)
Y --
du - E u,,, = E - ___ e w
_ eëmwot cos q
dt -J- nm
[rncoo cos (cot + q) + CU sin (cot + q)] = O soit U,,, =E +E e J1-m2’ Ce qui conduit a :
c’est-à-dire pour
mu0
t a n ( c o t + q ) = --=tan q,
co La courbe donnant les variations de d en fonction
soit cot = kn. de rn en échelles In-ln, est donnée figure 40.
21
théorie du signal
Fig. 41. 1 2 10 m
- Temps de réponse à 5 % coupe l’horizontale 0,95 E , soit

Le temps de réponse à 5 % est le temps au bout
e-mWofr5%- 5 - 1
duquel la tension u reste comprise entre les deux 100 - 20’
horizontales d’ordonnées 1,05E et 0,95 E.
3
Le tracé point par point montre que tr5%est soit tr5% = -
minimal pour m = 0,7. Sa valeur est alors ma0
Ce qui correspond, pour u, a la courbe de

variations de la figure 42.
“t Nous retiendrons les résultats suivants qui nous

seront utiles, en particulier pour l’étude des
asservissements linéaires :
1
Fig. 42.
Lorsque t tend vers l’infini, e-lnwottend vers zéro,
et u tend vers E.
La courbe donnant les variations de t*50/o en
24ao
fonction de rn en échelles In-In est donnée figure
41.
Dans le cas où m est très petit par rapport à 1,
E
est très voisin de E , les oscillations sont
JCz
très importantes et l’on peut assimiler le temps de
réponse à 5 % au temps au bout duquel
l’exponentielle
-mwoi - e-mmotl
22
4L
6.4. APPLICATION : O Pour rn > 1 C’est-à-dire C > - la loi de
R2
AN N U LAT10 N variations de u est exponentielle cfzg. 44) et laL
DE LA SURTENSION tension u revient vers zéro sans devenir négative.
AUX BORNES
D‘UN CIRCUIT INDUCTIF
Nous avons vu au paragraphe 5.3 que, lorsqu’on

ouvre l’interrupteur K du schéma donné a la
figure 28 il apparaît une forte surtension aux
bornes du circuit inductif.
Pour annuler cette surtension, on place aux

O 1 R‘c
Fig. 44,
t
bornes du circuit inductif R, L, un élément qui

s’oppose a la variation brutale de la tension à ses
bornes, c’est-à-dire une capacité. On obtient ainsi
le schéma de la figure 43. La pente de la tangente à l’origine est
du
-.(O+)= i(O+)
--= i(O-) E
- --
dt C C RC’
O Pour rn < 1,
( <--):
C , la réponse est
sinusoïdale amortie, de la forme

=A ,-mwot cos (COt + d.
Fig. 43.
Les conditions initiales conduisent à :

E
A l’instant t = O, le courant i étant établi à - u(O +) = ~ ( -)0 = E = A COS ~p
R
et u étant égal à E , on ouvre K . Des équations -i(O +) i(0-) E
générales :
C C RC
r
di = A [ - m u O cos q -CO sin q],
u =Ri+L-
dt
1c=-l soit
du
ic=C-
I dt
on tire
du d2u
u+RC-+LC-=O,
dt dt I A==-
E
d2u du 1 R 2L
soit -
dt
+
2 m 0 0 __ + COOU
dt
=0 Pour - =-, soit C
RC 2 L
=s,
cp est nul et la
tension u varie suivant la loi

avec
u =E eëmwotcos cot.
m =R -CJ Comme eëmwot et /cos cotl sont inférieurs à 1, lu1

2 E’ restera inférieur à E ce qui élimine la surtension.
23
théorie du signal
qui disparaît au cours du temps qu'elle soit

6.5. RÉGIME TRANSITOIRE exDonentielle ou sinusoïdale amortie; comme
RÉGIME PERMANENT pour l'équation différentielle du premier ordre,
elle constitue le régime transitoire;
NOUSavons VU que la solution de l'équation - la solution particulière, indépendante des
différentielle du deuxième ordre se compose de : conditions initiales et qui persiste après dispari-
- la solution de l'équation sans second tion de la solution de l'équation sans second
membre, qui dépend des conditions initiales et membre représente le régime permanent.
EXERCICES
1. Le schéma de principe d'un convertisseur numérique- 2" Le seul interrupteur fermé étant toujours a,, recommen-
analogique est donné figure 1. cer ce calcul de dipôle équivalent en incluant successivement
à A les nœuds (n + l), ( n + 2), ..., ( N ) ; en déduire V, en
fonction de In,n et N .
3" Pour exprimer la tension V, en fonction de l'état des
interrupteurs, on convient de représenter les sources de
courants aux nœuds par la notation : a,I,, ulZl,a212,...,
a,I, (ai ayant la valeur O ou 1 suivant que l'interrupteur ai
R 2R est ouvert ou fermé).
Montrer que l'application du théorème de superposition
permet d'exprimer V, en fonction de (Zo, Z,, I,, ..., 1,).
Fig. 1.
Montrer que si tous les courants sont égaux à une valeur
Les sources sont indépendantes et les courants ne dépendent unique I R on peut alors écrire :
pas des potentiels des nœuds O, 1, 2, ..., N .
On a alors :
+
v, = K(a,20 a,21 + a,22 ... a,2,)+ +
+
V, = kola kIZ1 k,Z, + + +... k,I, K étant un paramètre que l'on déterminera.
où k , , k,, ..., k N sont des coefficients ne dépendant que des 4" On s'intéresse au courant I dans la dernière résistance 2R
résistances du réseau. du réseau. Donner l'expression de I en fonction de ZR et des
1" On ferme le seul interrupteur a, (fis.2). Montrer que variables binaires a,, a , , ..., a,.
pour le calcul des courants et tensions dans le dipôle B, on 5" On veut obtenir 251 valeurs différentes du courant I (en
peut remplacer le dipôle A par un dipôle équivalent (source comptant la valeur nulle).
de Norton), constitué par une source de courant en parallèle Combien de générateurs de courant doit-on utiliser (valeur
sur une résistance dont on calculera les valeurs en fonction numérique de N +
1). Dans quels états sont les
de I n et R. interrupteurs a, à a, pour la valeur la plus élevée de Z?
A
an 1l
R
n motifs l-. N-n motifs

I vN
Fig. 2. ~~
E
2. Soit le dispositif ci-dessous. 1" A l'instant t la tension u étant égale à u(0 -) = -,
= O,
3
on ouvre l'interrupteur K .
a) Établir l'équation différentielle régissant les variations de
la tension u.
b) Intégrer cette équation compte tenu des conditions
initiales.
c) Calculer, en fonction de R,, R2 et C , l'instant t,, pour
2E
lequel u = -.
3
2E
2" A l'instant t' = O, la tension u étant égale à u(0 -) = -,
3
on ferme l'interrupteur K .
a) Établir l'équation différentielle régissant les variations de

la tension u.
b) Intégrer cette équation compte tenu des conditions
initiales.
c) Calculer, en fonction de RI,R, et C, l'instant t; au bout
E
duquel la tension u est égale à -.
3
3" Un dispositif électronique ouvre l'interrupteur lorsque la
E
tension u devient inférieure à - et le ferme lorsqu'elle A l'instant t = O, O, i)L ( O - ) = O, on ferme K .
~ ( 0= ~
3
2E
devient supérieure à -. di
3 1" Montrer que 2= O.
a) Tracer l'évolution de la tension u(t). dt (0,)
b) Quelle est la période de u(t).
2" Établir l'équation différentielle donnant i, en fonction
L
3. Soit le schéma ci-dessous. des éléments du circuit. On donne rC g - et r 4 R.
R
Simplifier cette équation et la mettre sous la forme :
I 1
1
I l
Le condensateur est supposé suffisamment grand pour que
vs
-- d2i,
o i e --
dt2 + 2m oo-
di, + o&
Exprimer m et ooen fonction de R, L et C .

dt
3" Donner la relation entre R, Let C pour que la solution de

la tension à ses bornes V, soit constante. l'équation sans second membre soit celle de l'amortissement
L'interrupteur K est alternativement basculé sur la critique :
position 1 et sur la position 2, suivant le chronogramme ci-
i, = ( A t + B)e-""'
dessous :
pour O < t < U T , K est en 1, Cette condition est supposée satisfaite pour la suite du
pour aT< t < T , K est en 2. problème.
4" La tension délivrée par le générateur est de la forme

e = ut + b.
a) Intégrer l'équation du 2". (On cherchera la solution
particulière sous la forme ut + u.)
b) Établir la relation entre a, b, L, R et C pour que la
solution finale soit du type :
1" K étant en position 1, établir l'équation différentielledu f
courant i en fonction de E, Vs et L. i, = Dt[1 - e - q .
2" Sachant qu'à l'instant t = O, i = I o , résoudre cette Préciser les valeurs de D et z. Tracer les variations de i,(t).
équation et établir la loi de variations i(t) en fonction de V,,
t
L, E et I o .
5" On donne L = 45 mH, r = 25 R. On admet e-; g 1 dès
3" Calculer la valeur I,,, de i pour t = UT. que t > 57.
4" A l'instant t = U T ,K est basculé en position 2. L'émission de l'onde RADAR et le départ du spot sont
Établir la nouvelle équation différentielle du courant i. simultanées. Le spot se déplace de O en P proportionnelle-
5" Résoudre cette équation et déterminer la loi de ment à i,. L'onde RADAR se déplace à la vitesse de la
variations de i(t), pour UT < t < T , en fonction de a, T , V,, lumière 3 . 108 m . s-'. L'écho E apparaît commt un
E et I o . point brillant sur le rayon OP.
6" Sachant qu'à l'instant t = T , i = I o , calculer V, en
fonction de a et E.
7" La valeur moyenne du courant dans le condensateur
étant nulle, calculer I o + I,,, en fonction de a, E et R.
8" En utilisant les questions 7" et 3", calculer I o , en fonction
de a, E, R, L et T .
9" On s'impose que le courant I o ne puisse pas devenir
négatif.
Déterminer la valeur maximale de R en fonction de L, a, T .
Montrer que la mesure de O P n'est proportionnelle à la
4. Le circuit de déviation magnétique d'un tube cathodique distance de l'objectif qu'à partir d'une certaine distance d .
radar (d'inductance L, et de résistance r) est attaqué par un Calculer C pour avoir d = 2 250 mètres. En déduire R.
générateur de tension e comme l'indique le montage. Vérifier que les approximations du 2" sont justifiées.
25
signaux
osinusoïdaux
1- PREAMBULE le signal, il faut déterminer deux inconnues A , et

cp. Pour cela nous utiliserons des outils
Nous avons vu qu’un signal sinusoïdal est de la mathématiques qui transportent deux informa-
forme tions. Ce seront :
a = A , cos (ut + cp) - les vecteurs d’un plan; ils sont caractérisés
par deux grandeurs :
dans laquelle A , est la valeur maximale, A A,
=- composante horizontale
-Jz
est la valeur efficace, co est la pulsation, cp est la { composante verticale
module
phase a l’origine. ou bien
{ angle avec un axe orienté
- les nombres complexes; ils sont caractérisés
lu
par les deux grandeurs :
cT partie réelle
partie imaginaire
ou bien
module
argument
Fig. 1.
Proposons-nous, à titre d’exemple, de déterminer

la tension u sur le schéma de la figure 1, dans 2, VECTEURS DE FRESNEL
lequel
e = E, COS (ot + O). Remarquons (fig. 2) que l’expression d’une
grandeur sinusoïdale
L’évolution de la tension u est régie par l’équation
différentielle :
a = A , cos (ut + cp)
correspond à la projection, sur un axe ûx,d’un
du d2u
oie = oiu + 2mo, - + -
+
vecteur A , de module A,, qui fait avec l’axe û x
dt dt2
l’angle ot + cp.
= @ ; E , cos (Ut e). +
La solution se compose de :
O la solution de l’équation sans second
membre que nous avons étudiée au chapitre 1.
Elle représente le régime transitoire et disparaît
au cours du temps;
O la solution particulière qui dépend du second
O rl or + c p a
Fig. 2.
X
membre, donc de la forme du signal.

Nous exposerons, dans ce chapitre, deux En figeant le diagramme de la figure 2 à l’instant
méthodes permettant de déterminer la solution t = O, nous conviendrons d’associer à toute
particulière des équations différentielles dont le grandeur sinusoïdale a = A , cos (cot cp) un
+
+
second membre est sinusoïdal. vecteur A , de module A,, faisant un angle cp
Sachant que cette solution se met sous la forme avec un axe û x . Cette correspondance est
A , cos (cot + cp), dans laquelle CO est imposée par schématisée sur la figure 3 :
26
signaux sin u so’ida ux
-+
Proposons-nous de déterminer le vecteur associé
à la somme a = a, + a2 :
a = & c o s (cot + cp) -I
~
+
a = A , cos (ut cp,) + A , cos (ut cp,) +
O X
= A , cos cot cos cp, - A , sin ut sin cp,
Fig. 3.
+ A , cos cot cos 40, - A, sin ot sin qO2
= cos cot[A, cos ($3, + A , cos 4021
On réalise ainsi une application de l’ensemble des - sin cut[A, sin cpi +
A, sin q,]
grandeurs sinusoïdales dans l’ensemble des
vecteurs d’un plan. Ces vecteurs sont appelés
= [ A , cos cp,+ A , cos cp,]
vecteurs de Fresnel et le plan correspondant, plan [cos cot -
+
A , sin ‘pl A , sin cp2
sin ot]
de Fresnel. +
A , cos cp, A , cos cp,
ou en posant
REMARQUES
tan cp
sin cp - A , sin cp,
= --
+ A , sin cp,
La définition que nous avons choisie pour cette cos cp A , cos cp, + A , cos 40,’
application n’est pas la seule possible : avec cpi < cp < 9 2 .
on peut choisir pour la longueur du vecteur associé,
la valeur efficace de la grandeur sinusoïdale; les A , cos cp, + A , cos 9,
a=
diagrammes obtenus ne diffèrent que d’une homothé- cos cp
tie de centre O et de rapport &; [cos cot cos cp - sin ot sin 401
on peut aussi prendre l’application correspondant
à la figure 2 ; la définition que nous avons choisie -
-
+
A , cos cpl A , cos cp,
cos (ut + cp).
permet de nous affranchir du terme mt, commun à cos cp
toutes les grandeurs sinusoïdales du circuit.
Le vecteur A associé à la somme a = a, + a, fait
4
Passons en revue les opérations effectuées, sur le

signal, par les composants passifs, ceci afin de donc, avec l’axe orienté Ox,l’angle cp tel que
déterminer les opérations correspondantes dans A , sin cp, + A , sin 40,
tan cp =
l’ensemble des vecteurs associés. Il s’agit de : A , cos cp, +
A , cos cp,’
- l’opération somme comme, par exemple, la et son module est A , tel que
loi des nœuds : i = il i2 ... in; + + + A , cos cp = A , cos cp, + A , cos (p,.
- l’opération multiplication par un nombre
comme la loi d’ohm : u = Ri;
Traçons, dans le plan de Fresnel, le vecteur A;
- l’opération dérivation, par exemple : obtenu en faisant la somme vectorielle des
i = C - du
. vecteurs 2, 2,
et cfig. 4).
dt ’
-)
- l’opération intégration, par exemple : A’
i = ”Lu d t .
A, sin ‘p1 + A,sin (92
2.1. OPÉRATION
SOMME Fig. 4.
La projection, sur un axe quelconque, de la

Soient deux grandeurs sinusoïdales
somme de deux vecteurs étant égale à la somme
a, = A , cos (cot + 40,) des projections, on peut écrire :
et a2 = A , cos (cet + (p,) AM cos cp’ = A , cos cp, + A, cos cp,
auxquelles sont associés, respectivement les
tan cp’ =
A , sin 9, + A, sin cp,
i
d
vecteurs A , et A , .
+
A , cos cp, + A , cos 43,

1
27
théorie du signal
avec cpi < cpr < c p 2 ,

+
- da
Le vecteur A , associé à -a pour module m . A ,
ce qui permet de conclure que le vecteur A est
identique au vecteur A’.
-ç et fait avec l’axe ûx l’angle cp
dt ( + 2) - cfzg. 6).
L’opération somme dans l’ensemble des gran- Fig. 6.

deurs sinusoïdales se traduit par l’opération
somme vectorielle dans l’ensemble des vecteurs
b
de Fresnel.
O X
a
2.2. OPÉRATION L’opération dérivation dans l’ensemble des

M U LTI PLICATI0 N grandeurs sinusoidales se traduit, dans l’en-
PAR UN N O M B R E semble des vecteurs de Fresnel, par une
multiplication du module par O et par une
Soit une grandeur sinusoïdale rotation de + n-2.
a = A M COS (ut + cp)
+ ~~
à laquelle est associé le vecteur A. A la grandeur 2.4.OPÉRATION

+
sinusoïdale ka = kAM cos (ut cp) est associé le
INTÉG RATIO N
vecteur de module kAM et d’argument cp, c’est-à-
dire le vecteur kA(fzg. 5). Soit une grandeur sinusoïdale
a = A M COS (ut cp) +
+
à laquelle est associé le vecteur A . Déterminons le
vecteur associé à a dt :
O
s a dt
X
Fig. 5.
AM
= - sin (mt
m
+ cp)
L’opération multiplication par un nombre dans

-A,
- cos
m
(
mt+ q - - 2)
l’ensemble des grandeurs sinusoïdales, se tra-
duit par l’opération multiplication par un
nombre dans l’ensemble des vecteursde Fresnel.
+
s
Le vecteur A iassocié à a dt a pour module -
A M
m
et fait avec l’axe ûx l’angle
2.3.OPÉRATION
D ÉR IVATIO N
Soit une grandeur sinusoïdale

a = A M COS (mt + 9)
.--.c
a laquelle est associé le vecteur A. Déterminons le

da
vecteur associé à la grandeur - :
dt
y; Fig. 7.
L’opération intégration dans l’ensemble des

da grandeurs sinusoïdales se traduit dans I’en-
-=
dt
- A M m sin (ut + cp) semble des vecteurs de Fresnei par une division
It
du module par O et par une rotation de --
2.
28
si g naux sin u so’i’daux
+
Sachant que tout vecteur A du plan complexe est
2.5. APPLICATION l’image d’un nombre complexe A , on associe
À LA RÉSOLUTION ainsi à toute grandeur sinusoïdale-
DU PROBLÈME DU a = AM cos (ut + 9)
PARAGRAPHE 1
un nombre complexe 4 dont le module est égal à
La traduction dans le plan de Fresnel de A M et dont l’argument est égal à cp, c’est-à-dire
l’équation : A = A,[cos
- cp + j sin 401 = A , ejq.
du d2u
+
w i e = O ~ U 2m0, - + -
dt dt2
On réalise ainsi une application de l’ensemble des
grandeurs sinusoïdales dans l’ensemble des
est décrite par la figure 8. nombres complexes :
On en- déduit que u est en retard sur e d’un
2mo0,
u = A, COS (ut +~p) A=
t-) AM ejq.
angle cp = arctan et que sa valeur Déterminons, dans l’ensemble des nombres
0;- O2
maximale U , est telle que complexes, les opérations correspondant à celles
effectuées dans l’ensemble des grandeurs
o g E & = U s [(O;- co2)2+ 4m2 CO, 03, sinusoïdales.
u s’écrit donc :
*-
3.1.OPÉRATION
SOMME
2mco0,
0;- Co2 Soient deux nombres complexes - A , et -
A , et leurs
d d
vecteurs images, respectivement A , et A , . Le

vecteur image de A, + A2 étant A = A , + A , ,
d d d
on peut en conclure que l’opération somme dans

l’ensemble des grandeurs sinusoïdales se traduit
par l’opération somme dans l’ensemble des
nombres complexes.
3.2.OPÉRATION
M U LTIPLICATIO N
PAR U N NOMBRE
4
Si le vecteur A est l’image du nombre

complexe - A, l’image du nombre complexe k- A est
3. NOMBRES COMPLEXES 4
le vecteur kA. On peut en conclure que

l’opération multiplication par un nombre dans
Considérons le diagramme vectoriel de la figure 3 l’ensemble des grandeurs sinusoïdales se traduit
et complétons-le par un axe vertical. Nous par l’opération multiplication par un nombre
obtenons alors le plan de la figure 9 que nous dans l’ensemble des nombres complexes.
pouvons identifier au plan complexe.
~~~ ~~~
3.3. OPÉRATION
D ÉRIVATIO N
Si le vecteur 2
est l’image du nombre
A, le vecteur obtenu à partir de À‘par
complexe -
O rotation de + 7T2
- est l’image du nombre
Re
Fig. 9. complexe jA.
29
théorie du signal
L’opération dérivation dans l’ensemble des

grandeurs sinusoïdales, se traduisant, dans 4.1. RÉSISTANCE R
l’ensemble des vecteurs par une multiplication
. R
par CO et une rotation de + -,712 correspond dans
-
l’ensemble des nombres complexes à une multi- U
plication par jm.
L’équation u = Ri se traduit dans le plan de
Fresnel par le schéma de la figure 10 et dans le
3.4. OPÉRATION plan complexe par :
INTÉGRATION -U = RI-
Le même raisonnement nous permet de conclure

que l’opération intégration, dans l’ensemble des
grandeurs sinusoïdales, se traduit dans l’ensem-
ble des nombres complexes par une division
par jo. 4.2. CAPACITÉ c
~~
3.5. APPLICATION
À LA RÉSOLUTION 4
U
D U PROBLÈME
D U PARAGRAPHE 1 du
L’équation i = C ~se traduit dans le plan de
dt
du Fresnel par le schéma de la figure 11 et dans le
L’équation o i e = WOU + 2m0, ~
dt
+ d2u
~
dt2
se tra- plan complexe par : 1. = jCwg.
duit dans le plan complexe par
1- -
L
Fig. 1 1 .
où -E et -
U sont les nombres complexes associés
respectivement à e et u.
E
w; - U
Soit g = le module U , de
w; - w 2 + 2jmcooo’
d E M
U est
- son argument
J(w; - w2)2 + 4m2w;co2’ 4.3. INDUCTANCE L
2mcow,
est - arctan * u s’écrit donc
0;- Co2 ’
U =
03, --
- 02)2 + 4m2w;w2 U
2mcoco, di
L’équation u =L- se traduit dans le plan de
w; - Cu2 dt
Fresnel par le schéma de la figure 12 et dans le
plan complexe par : = jLwI. -
4. IMPÉDANCE COMPLEXE
Traduisons, dans le plan de Fresnel et dans

l’ensemble des nombres complexes les relations
imposées par les caractéristiques des éléments
passifs.
30
si g na u x si n u so’ida u x
qui se traduit dans le plan de Fresnel par le

4.4. IMPÉDANCE COMPLEXE diagramme de la figure 14. .
D’une manière générale, nous appellerons

impédance complexe d’un élément passif le
rapport entre les nombres complexes associés à la
tension aux bornes et au courant qui le traverse :
1 On en déduit que i a pour valeur maximum

L’inverse de l’impédance Y = - est l’admittance U M
- 2
- et qu’il est en avance sur u
du composant soit :
I M = / q
- z R, y = :R’
pour une résistance =
-
1
de 9 = arctan ~
1
RCco
pour un condensateur z 2- Y jCo,
1
- = =
jcco’ -
Son expression est donc
1
pour une inductance -
2 =jLo, Y =I .
-
- jLco cot + O + arctan ___
5. LOISDES
RESEAUX LINEAIRES
E N RÉGIME SlNUSOrDAL
PERMANENT 6.1. CIRCUIT RC
PARALLÈLE ÉQUIVALENT
La relation = en régime sinusoïdal
permanent, est identique à la relation u = Ri des
On peut donner, du schéma de la figure 13, le
réseaux résistifs, relation à partir de laquelle ont
schéma équivalent de la figure 15. Les éléments
été démontrés un certain nombre de théorèmes.
R’ et C’ sont calculés en fonction de R et C de telle
En conséquence, tous les théorèmes démontrés au
sorte que les circuits des figures 13 et 15
paragraphe 3 du chapitre précédent, sont vala-
présentent la même impédance entre les points A
bles en régime sinusoïdal permanent, à condition
et B.
de raisonner dans l’ensemble des nombres
complexes associés.
6. CIRCUIT ASSOCIANT ! A U
RESISTANCE -
E T CAPACITÉ Fig. 15.
Soit le circuit schématisé sur la figure 13, avec 1 1
u = U , cos (ut + O). On peut écrire, entre les
nombres complexes -U et-I , la relation
1 1
1
ou L + j c ’ c o =
R’ 1
R+-
JCm
-
-
jCco -
-
jCco(1 -jRCco)
L! Fig. 13. 1 +jRCco 1 + R2C2c02 *
31
théorie du signal
En égalant parties réelles et imaginaires, il vient : Pour un condensateur réel cet angle est égal à
RC2c02 n
6, ce qui justifie la dénomination d’angle
= 1 +R2C2c02i ‘p=T-
de pertes.
6.2. C I R C U I T PASSE-BAS
soit DU P R E M I E R O R D R E
Redessinons le schéma de la figure 13 sous la

forme donnée à la figure 16 et déterminons le
V
rapport T = =-,appelé fonction de transfert :
U
1
On pose Q = ~ : facteur de qualité du circuit
RCm
R-C série. II vient alors :
R’ = R[1 + Q’], C‘ = C - Q2
1 + Q2‘
8
Par combinaison des formules précédentes, on
Fig. 16.
peut exprimer Q en fonction de R’ et C’ soit :
1 --_1 - 1+Q2 Q2 - Q”
1
Q=-
+
RCcl> co ’ R’ ’ C’(1 Q2) - R‘C’CO
T= jCu, - 1 - 1
1 l+jRCco co
R+- l+j-
JCU WO
1
en posant coo =-
RC‘
Condensateur réel: on peut donner, pour un
condensateur, le schéma équivalent de la Écrivons l’équation précédente en module et en
figure 15, dans lequel la résistance R’ traduit les argument :
phénomènes parasites suivants : O T = 1 7’1est le rapport des valeurs maximales
- résistance de fuite de l’isolant, de u et de i;c’est aussi le rapport de leurs valeurs
- pertes par hystérésis diélectrique. efficaces V et U , soit :
1
Dans le cas d’un condensateur de bonne qualité,
Q est très grand par rapport à 1, et on peut écrire
C’ % c
les formules approchées :
R‘ % Q2R‘ O cp = arg _T est l’angle d’avance de la tension u
On définit aussi, pour un condensateur, l’angle de sur la tension u, soit :

perte 6 par co
1 1
cp = - arctan -.
a0
tan 6 = 2 = RCco = A
Q R’C’co ’ Les représentations graphiques de T et cp en
1 fonction de co seront étudiées au paragraphe 9.
6 est relié à cp par tan 6 = RCco = ___
tan cp’ Remarquons, d’ores et déjà, que
soit U
n
6=--cp. V=
2
Pour un condensateur parfait le courant est en
n est d’autant plus faible que co est plus grand. La
avance de - sur la tension à ses bornes.
2 valeur maximale est, pour co = O, V,,, = U .
32
signaux sinusoïdaux
On définit la bande passante par l’ensemble des O T = /_TI rapport des valeurs efficaces de u et
de v s’écrit :
pulsations telles que v> h , soit : ci)
dL V
U U T=-=
soit O < o0. U
O (p = arg _T est l’angle d’avance de la

Le circuit de la figure 16, dont la fonction de tension v sur la tension u :
1 n
transfert est -
T= , est un circuit passe- (p = - - arctan -
ci)
.ci)
1+j- 2 0 0
a 0
1 Les représentations graphiques de T et (p en
bas. Sa pulsation de coupure est cu0 = - fonction de la pulsation ci) seront étudiées au
RC’
Remarquons, d’autre part, que pour des paragraphe 9.
pulsations ci) très grandes par rapport à cu0, _T est Remarquons, dès à présent, que
v 1
soit = y j -. Cette
ci)
peu différent de =_ = -, Co
-U
-u J-.ci) a 0 U
@O
équation est la traduction dans l’ensemble des
complexes de l’équation différentielle
1 dv est d’autant plus grande que la pulsation CO est
u=--
w0 d t ’ plus élevée. Sa valeur maximale est pour ci) infinie,
vmax
soit en intégrant v = coo
s u dt.
La tension de sortie est donc proportionnelle à

l’intégrale de la tension d’entrée.
= u.
La pulsation pour laquelle
Pour des signaux sinusoïdaux dont la pulsation est

1
très grande par rapport à o0= - le circuit de la est ci) = COO.
RC’
figure 16 se comporte comme un intégrateur. Le circuit de la figure 17 dont la fonction de
.Co
1-
J
m0
6.3. CIRCUIT PASSE-HAUT transfert est _T =
.ci)
est circuit passe-haut.
DU PREMIER ORDRE 1 +J-
@O
Redessinons le schéma de la figure 13 sous la 1
La pulsation de coupure est coo = -
forme donnée à la figure 17. RC’
Remarquons, d’autre part, que pour des
pulsations ci), très inférieures a coo, -T est peu
I ’
V Cette équation est la traduction, dans l’ensemble
La fonction de transfert T = = s’écrit : des nombres complexes, de l’équation différen-
- u
- .ci) 1 du
tielle v = - -. La tension de sortie est donc
ci)o dt
proportionnelle à la dérivée de la tension d’entrée.

Pour des signaux sinusoïdaux dont la.pulsation O
A est très petite par rapport à
avec ci)o =-.
RC 1
o0= - le circuit de la figure 17 se comporte
Écrivons l’équation précédente en module et en RC’
argument : comme un dérivateur.
33
théorie du signal
1
7. CIRCUIT ASSOCIANT R +jLco =
1 1
RESISTANCE R’+jL’w
ET IiüDUCTAMCE ou
1 1 1 - R -jLco
Soit le circuit de la figure 18, avec -+-= -
R’ J L C O R+JLco R2+L2c02’
u= uMcos (cot + el.
En égalant parties réelles et parties imaginaires, il
B vient :
- 1 - R
u R’ R2 + L2c02
Fig. 18. 1 Lm
-- -
Lco R 2 + L2c02
On peut écrire, entre les nombres complexes U et
- U = ( R + jLco)I,qui se traduit dans
I , la relation
R2 + L2c02
=R
R2 L2c02 +
le plan de Fresnel par le- diagramme de la IR’= R R2
soit
figure 19. R2 + L2c02 R2 + L2c02
=L
L2c02 -
LW
On pose Q = - : facteur de qualité du
R
Fig. 19.
circuit R-L série; il vient alors :
On en déduit que i a pour valeur maximale :

U M
I - Par combinaison des formules précédentes, on
M-JzTz7’ peut exprimer Q en fonction de R’ et L , soit :
Lm
et qu’il est en retard sur u de cp = arctan -.
R
Son expression est donc : R’ Lw
Q=--- -
U M L’w R ’
l = p T m
Bobine réelle
~~
On peut donner pour la bobine le schéma
7.1. CIRCUIT R-L équivalent de la figure 18, dans lequel la
résistance R traduit les phénomènes parasites
PARALLÈLE ÉQUIVALENT
suivants :
- résistance du bobinage,
On peut donner, du schéma de la figure 18, le - pertes par hystérésis magnétique.
schéma équivalent de la figure 20. Les éléments
R’ et L sont calculés, en fonction de R et L , de Dans le cas d’une bobine de bonne qualité, Q est
telle sorte que les circuits des figures 18 et 20 très grand par rapport à 1 et on peut écrire les
présentent la même impédance entre les points A formules approchées :
et B : L N L
R’ N Q 2 R .
Al L’
Fig. 20.
On définit, pour une bobine, l’angle de pertes 6
Par
34
si g na ux si nuso‘ida ux
., R Remarquons que si 8 + cp = -, 7t k est nul, et le

6 est relie à cp par tan 6 = - = cot cp, soit
LU 2
n régime transitoire disparaît. Ce cas correspond
6=--cp. au diagramme de la figure 22. L’interrupteur est
2
fermé à l’instant où le courant correspondant au
Pour une bobine parfaite, le courant est en retard
régime permanent passe par zéro par valeurs
n
de - sur la tension à ses bornes. Pour une bobine croissantes. On conçoit bien que, dans ces
2 conditions, le régime transitoire disparaisse.
n
réelle, cet angle est égal à cp = - - 6, ce qui justifie
2
la dénomination d’angle de pertes.
7.2. FERMETURE <p or

DU CIRCUIT R-L
L
Fig. 22.
Soit le schéma de la figure 21 dans lequel Cette remarque est utilisée par les relais statiques
e = E , cos (ut - 8). dans lesquels :
- un circuit repère le passage de la tension
d’aliment ation par zéro ;
- un circuit temporisateur réglable retarde la
fermeture de l’interrupteur.
Fig. 21.
8. CIRCUITS ASSOCIANT
A l’instant t = O, on ferme l’interrupteur K . RESISTANCE,
De l’équation différentielle INDUCTANCE
ET CAPACITÉ
e = E , cos (cot - 8) = Ri + L -,dtdi
on tire : 8.1. CIRCUIT R-L-C
- la solution de l’équation sans second SÉRIE
R
membre : i = k e - 3 ;
Soit le circuit de la figure 23, dans lequel
- la solution particulière :
u = U , cos cot, on peut écrire entre les nombres
E, complexes la relation :
cos (cot - 8 - cp),
l = J ï G E 7
LCO
-
avec tan cp
la solution générale
= -*
R ’
1. ‘
Fig. 23.
R
i = k e-Ef + E,
cos (cot - 8 - cp).
JiFTz7
qui peut être mise sous la forme :
Le calcul de la constante k conduit à
i(0 -) = O = i(0 +)
soit k=- E, 1
avec Co() =
JLC’
~
35
théorie du signal
On en déduit que : Remarquons, dès à présent que le module de T

- pour la pulsation o = oo le circuit se tend vers zéro lorsque la pulsation CU tend vers
comporte comme une résistance R; ses l’infini. Il s’agit d’un circuit passe-bas du deuxième
éléments L et C se neutralisent; ordre car la transmittance possède un terme en
- pour les pulsations o supérieures à oo,le U W ) ~au dénominateur.
circuit se comporte comme un circuit
inductif résultant de la mise en série
de la résistance R et de l’inductance
8.1.2. Sortie aux bornes
de l‘inductance :
- pour les pulsations o inférieures à oo,le circuit passe-haut
circuit se comporte comme un circuit du deuxième ordre
capacitif, résultant de la mise en série de la
C Redessinons le schéma de la figure 23 sous la
résistance R et de la capacité C’ = -
o2* forme donnée à la figure 25. La transmittance
1 - 2 V
-T = =
u- s’écrit :
WO
T=
-
8 . 1 . l . Sortie aux bornes 1
R+jLo+-
de la capacité : jCo
circuit passe-bas - (jw)2L C Fig. 25.
du deuxième ordre 1 + jRCw + CU)^ L C
Redessinons le schéma de la figure 23 sous la
forme donnée à la figure 24.
“T avec
1 et m = R JL.
C
oo =JLc
Fig. 24.
Les représentations graphiques du module et de
l’argument de T,en fonction de CO,seront étudiées
V au paragraphe 9. Remarquons, cependant que le
La transmittance _T = = s’écrit : module de T tend vers zéro, lorsque CU tend vers
U
- zéro. Il s’agif d’un circuit passe-haut du deuxième
1 ordre.
V jCo
-T=li= 1
8.1.3. Sortie aux bornes
J-- de la résistance :
- 1 circuit passe- bande
1 + jRCw +(~cu)~LC
1 Redessinons le schéma de la figure 23 sous la
forme donnée à la figure 26. La transmittance
avec
CUo=JLc
1
et
RCo, R
T
-
T=
V
- u- s’écrit :
=A
R+jLo+-
1
+
lg ; V
-
Les représentations graphiques du module et de JCW

l’argument de T , en fonction de la pulsation o, - jRCo Fig. 26.
seront étudiéesau paragraphe 9. 1 + j R C o + CU)^ LC
36
sici na ux si n usoïda ux
O
2im - Remarquons que pour CO = m0, y = RIo, le
circuit se comporte comme une résistance R.
Cette propriété est utilisée pour réaliser un circuit
possédant une faible résistance en continu et une
forte résistance en régime sinusoïdal de pulsation
1
avec = JLC et m
1
=- O 0 =-
fi
. Considérons, en effet, le circuit de la
figure 28.
Les représentations graphiques du module et
de l’argument de T , qui seront effectuées au
paragraphe 9, nous Permettront de conclure qu’il
s’agit d’un circuit passe-bande.
8.2. CIRCUIT R-L-C PARALLÈLE

LcJ Fig. 28.
Résultant de la mise en parallèle d’une capacité C

Soit le circuit de la figure 27 alimenté par un
et d’une bobine de résistance r et d’inductance L.
générateur de courant io. La tension -V s’écrit :
O En continu le courant dans le condensateur
et la tension aux bornes de l’inductance sont nuls.

Le circuit est équivalent à la résistance r.
O En régime sinusoïdal la bobine peut être
remplacée par son schéma équivalent résultant de

la mise en parallèle de l’inductance
Fig. 27. r 1 1
V=
- 1 1
I
-0 1 é1
L‘=L 1 + 7
-+-+jCu et de la résistance
R JLO
R = r[l + Q2].
Lm0
Dans le cas ou Q = - est grand par rapport
r
LO
+
1 j- + (jw)2LC à 1, L‘ = L e t R = Q”r. A la pulsation u0=-
1
R
2im -
O
le circuit se comporte alors comme une résistance
m
00 R = Q 2 r très grande par rapport à r.
= Rio
1 +2 j m ~
O0
+ (JE)
2
avec m0 =- 1
f i ’m = - 2R
-y
--
2’
2R 9, REPRÉSENTATION
DES FOMCTIOAIS
La tension -V s’écrit aussi : DE TRAMSFERT
Rappelons que, si le rapport des nombres

complexes xi x2,
et associés à deux grandeurs
X
sinusoïdales x1 et x 2 , s’écrit _T = 2 :
X
-1
- le module de _T, soit T,donne le rapport des

valeurs efficaces de x1 et x 2 ,
- l’argument de T , soit cp, donne l’angle
Ces formules seront exploitées au paragraphe 9. d’avance de x2 sur xl.
37
théorie du signal
La connaissance de l’évolution de T et cp, en Décade

fonction de la pulsation ci), permet de conclure
Soient deux nombres rn, et rn, auxquels sont
sur les propriétés du dispositif admettant - T
comme fonction de transfert. associés les deux points M , et M,. Nous
dirons qu’entre M , et M , il y a une décade si
Nous avons vu apparaître, lors des paragraphes rn2 = lOrn,, soit lg rn2 = Ig rn, + 1.
précédents, un certain nombre de fonctions de
1
ci) ci)
transfert particulières :j -, 1 j -, + 9
Octave
CO0 CO0 i ,.CO
l+J- De la même façon, nous dirons que deux
a 0
1 points M , et M 2 sont séparés par un octave si
, \ ?
... rn, = 2rn, soit lg rn, = lg rn, + lg2 N lg rn, + 0,3.
1 + 2jrn CO0 + (j g)L
REMARQUE
Ces fonctions de transfert se retrouvent dans Considérons trois nombres m,, m , ,m2 auxquels sont
l’étude de nombreux systèmes électriques, associés les trois points M o , M ,, M 2et cherchons la
électromécanique ou autres. condition pour que le point M o soit situé au milieu du
Nous étudierons dans ce paragraphe deux ,
segment M M , .
représentations des fonctions de transfert élémen- -
A I // 1 // I *
/’
I
4
taires en fonction de la pulsation ci). O Ml
-b
1-+
Cette condition s’écrit OM - - ( O M ,
//
-
+ OM,)
O - 2
soit
2 Ig mou’ = Ig m,U + Ig m2G;
u’ étant différent de zéro, la condition s’écrit
9.1. DIAGRAMMES D E BODE Ig m; = Igm,m2,
soit : m; = m,m2.
Soit la fonction de transfert T , on obtient sa
représentation dans les diagrammes de Bode en En échelle logarithmique m, est donc la moyenne
géométrique de m, et m 2 ,alors qu’en échelle linéaire,
traçant 20 lg T et cp = arg T en fonction de la la même condition conduit à la moyenne
pulsation CO, repérée en échelle logarithmique, arithmétique :
c’est-à-dire en fonction de lg ci).
m, m1 +m2
20 lg T est la mesure de T en décibels (abrévia- =-
2 -
tion : db).
9.1.2. Intérêt des diagrammes

9 . 1 .l.Échelle logarithmique de Bode
Soit un axe orienté et son vecteur unitaire U Supposons qu’une fonction de transfert T se
cfzg. 29). On réalise une échelle logarithmique en mette sous la forme d’un produit de fonctions
-
associant à tout nombre rn un point M tel que
OM = (lg rn)u’. Nous obtenons ainsi la gradua-
de transfert élémentaires _Ti,
T = -Ti . -
-
z2,
..., -T, soit
T2 . ... . T,, et supposons, de plus, que
tion représentée à la figure 30. nous connaissions-les représentations du module
et de l’argument de - T,, _T2, ..., Xn.
Le module d’un produit étant le produit des
modules, nous pouvons écrire
Fig. 29. T = Ti . T2 . ... . T,,
-3
O U
I I I I
l I I t
o=Oestà 1 10 1O0 103 104 105 m
l’infini à gauche
Fig. 30.
38
s ic] na ux s i nuso’ida ux
donc Représentation de l’argument

20 lg T = 20 lg T , + 20 lg T2 + ...+ 20 lg T, 71
arg T, = - quel qile soit CU. Nous obtenons donc
- 2
et la représentatior, de la figure 32.
T I + arg T2+
T = arg -
arg - ...+ arg x,,.
+ arg I O
Ces représentationsdu module et de l’argument

de T s’obtiennent en faisant la wmme des
rep&entatiorw correspondantes du module et
de l’argument des fonctions de transfert
_Ti9 1 2 , *.*9 z** Fig. 32.
9.1.3. Fonction de transfert zo= j- Co 9.1.4. Fonction de transfert
Représentation du module
0 0
T; = j ~
- ( ) n
Co 20 lg ITol”= 20n lg CO - 20n lg co0,

T = -- = -,
ITJ .n
Co0
arg _T; =n arg To= n-.
2
soit
20 lg T = 20 lg Co - 20 lg Coo.
Nous obtenons donc :
- pour le module une droite de pente
La représentation de 20 lg T en prenant pour CO
une échelle logarithmique (c’est-à-dire en fonc- 20n décibels par décade et passant par CU,;
tion de lg CO) est donc une droite passant par - pour l’argument une horizontale d’ordon-
(m0,O) et dont la pente est définie de la manière 71
suivante : née n-.
2
O Pour CO = u0 : 20 lg To = O décibel,
O Pour CO = 10~0,: 20 lg To = 20 décibels,
O Pour CO = 20.1, : 20 lg To= 20 (lg2)
9.1.5. Fonction de transfert
N 6 décibels.
La pente de la droite est donc de 20 décibels par

zl=l +j-
a,
O)
décade ou encore de 6 décibels par octave.
Nous obtenons ainsi la représentation de la Représentation du module

figure 31.
O Pour CO = u0,
20 lg Ti = 20 lg $= 3 décibels.
20 db
O Pour les pulsations CO très grandes par
rapport à co0, -
Ti devient peu différente de
Co
To = j
- -. La courbe admet donc, pour
Co0
6 db asymptote, la droite de pente 20 décibels par
décade et passant par coo.
O db m O Pour les pulsations CO très petites par rapport
100, 0
à co0, 20 lg Ti N 20 lg 1 = O, la courbe admet
Fig. 31. pour asymptote l’axe des CO.
39
théorie du signal
Écart par rapport aux asymptotes :E O Pour des pulsations très grandes par rapport
CO
Pourco<co,, a cu0, _Ti devenant peu différente de j -, arg _Ti
c
O
CO0
O
E=201g
Pour CO
[
> CO.,
0.1
($
1 + 2
' 12
=1Olg 1 + 2 .
ml tend vers
2
-
pour asymptote.
71
: la courbe admet l'horizontale -
2
71
O Pour des pulsations très petites par rapport à
E=201g
[I f 2 7" admet
cuo, Ti devient peu différente de 1 et arg -
l'axe-des CO pour asymptote.
On en déduit que :
-2Olg-=
O
CO0 [
101g 1 + 0
m:] . O Pour CO
CO0
= -:
10
1
Ti = arctan - = 6".
arg -
10
- l'écart E par rapport aux asymptotes est
O Pour CO = 10~0,:
maximum pour CO = cu0 et vaut 3 décibels;
- pour deux points symétriques par rapport arg _Ti = arctan 10 = 84".
à co0 les écarts aux asymptotes sont égaux. On obtient une bonne approximation de la
On obtient ainsi la représentation donnée à la CO
figure 33. Les écarts aux asymptotes étant faibles, courbe entre 10~0,et -2 en l'assimilant a l'oblique
10
la courbe pourra, pour certaines applications être
assimilée à ses asymptotes; on obtient ainsi le
diagramme asymptotique.
passant par les points de coordonnées -,
(" ) O et
Représentation de l'argument
O Pour CO = u0 : 1
T, =
LI.
arg _Ti = arg (1 + j) = -.4

71
1 +j-
0
*O
f 2o log T' // De la relation z2 = -,

Ti-
1
on déduit :
20 lg T, = - 20 lg T'
= - arg _Ti
i 2 0 log T2 O,
00 O,
-
10
Fig. 33.
10
Fig. 34. Fig. 35.
40
s i g na u x s i nu so’ida u x
Les courbes de module et d’argument se 9.1.8. Fonction de transfert

déduisent donc de celle de TIpar symétrie par -a- 1
rapport à l’axe des pulsations d’où les courbes de /4 = 2
la figure 35. 1 +2 +
j m ) :~j (
*O
Les circuits admettant T2 pour fonction de
transfert laissent passer prloritairernent les basses
fréquences : ce sont des circuits passe-bas. Représentation du module
t
T2rnax
La pulsation de coupure, telle que T2= - Remarquons dès à présent :
fi’ - pour des pulsations CU très petites par
1
c’est-à-dire T2 = - ou 20 lg T2= - 3 db, est z4
rapport à coo, devient peu différente de 1
égale à co0.
J” et la courbe 20 lg T4 est asymptote à l’axe
des co;
- pour les pulsations co très grandes par

z4
rapport à m0, devient peu différente de
1
et la courbe 20 lg T4est asymptote
5)
0
j-
1 3 =
*O (1
0 à la droite, de pente - 40 décibels par
1 +j- décade, passant par coo.
*O
To . _Tz,
T3 étant égale à -
La fonction de transfert - Quelle que soit la valeur de rn, toutes les courbes
on en déduit que : s’inscrivent donc dans le diagramme asympto-
tique de la figure 37.
lg To + 20 lg T,
i 20 lg
argx3
T3 = 20
= arg zo+ z2
arg
Les courbes de module et d’argument représen- m
O
tées à la figure 36 s’obtiennent par addition des
courbes correspondantes de Toet T2.Les circuits
admettant T3pour fonction de transfert sont des
-40
circuits passe-haut dont la pulsation de coupure
est CU^.
Fig. 37.
Le facteur d’amortissement rn, n’influe que sur le

comportement de la courbe au voisinage de co0.
Dans le but de ramener l’étude de à l’étude z4
des fonctions de transfert étudiées précédem-
ment, tentons de mettre x4
sous la forme
1
arg 1 3 I I
goo
a40
Afin de factoriser le dénominateur
45O
on pose jm
= - soit 0 = i + 2rnx_ + _x2.
6’ a0
-
O, O, 100, Les racines en de 0 ne sont réelles que si
10 A’ = rn2 - 1 est positif. Nous sommes donc
Fig. 36. amenés à séparer les cas suivants.
41
théorie du signal
D sont réelles et
a) m 3 1 : les racines de - La dérivée s’annule pour x = O (soit CO = O) et
s’écrivent pour x = J i - 2m2.
{ x , = - m + . , / G
x 2 = - m - J Z T
La racine x = O ne présente pas d’intérêt et la
racine x = Ji-zm2 n’est réelle que si m est
soit inférieur à = 0,7. Nous sommes donc
2
conduits à distinguer les cas suivants :
= ( O”,
j-+m-dmq)
O m< : la dérivée s’annule et la courbe
2
(j 2
Co0 + + J-)
m présente un extrêmum conformément au tableau
de variations suivant :
= (m - . ,/rn)(m +J Z )
1 Io
r
J1-zmz +Co
=(1 + j g ) ( l + j E ) ,
O +
avec { Co1
Co2
= Co,(m -
= Co,(m
Jm)
+ JZT)
Remarquons que col cu2 = CO;;nous en déduisons
que les points représentatifs de col et co2 sont
symétriques par rapport à co0, d’où le diagramme
de la figure 38.
Ce qui conduit au diagramme de la figure 39.
A 20-log-T4-
-20 log (2m V Z ) --
I
Fig. 38.
b) m < 1 : il n’est plus possible de factoriser le

dénominateur et une étude directe est nécessaire. Fig. 39.
Étudions, pour ce faire, les variations du
module D du dénominateur de en fonction de z4 Remarquons que pour m = 0,5,
Co:
+
20lgT4=-101g
et 20 lg T4 = O pour
[ 1- -
CO = co0.
-
Posons y = D 2 et cherchons les variations de y en La courbe coupe l’axe des pulsations pour
Co
fonction de x =- : Co = Coo.
Co0
Jz
1 > m > - : la courbe ne présente pas de
O
2
maximum et reste toujours au-dessous de l’axe
= 4xc- i + 2m2 + x 2 ] . des pulsations.
42
si a naux si n u so‘ida ux
1 2 10 00
Fig. 40.
L’ensemble des courbes 20 lg T4, tracées pour O Pour des pulsations très inférieures à mo, T4
différentes valeurs de rn sont données sur la devient peu différent de 1 et arg T4 tend vers O; la
figure 40. Notons les valeurs remarquables courbe admet donc l’axe des co j o u r asymptote.
suivantes :
- pour co = co0, 20 lg T4 = - 20 lg 2rn,
Pour des pulsations très supérieures à m0,T4
O
soit fi
- 3 décibels pour rn = -, devient peu différente de
1
2 , arg tendT4
2 ~
- 6 décibels pour rn = 1. (JE)

donc vers - n et la courbe admet pour asymptote
Représentation de l’argument
l’horizontale d’ordonnée - n.
1 7.l
O Pour O = mo, T4=- T4 = --,
et arg -
Co 2 L’ensemble des courbes arg T4, tracées pour
2jrn -
quel que soit rn. Co0 différentes valeurs de rn, est donné à la figure 41.
1 2 10 Tq)
Fig. 41.
43
r
théorie du signal
9.1.9. Fonction de transfert - sur le module par

(%A2
-
1
Représentation du module
Effectuons sur -
T, le changement de variable
CO‘ CO0 soit T,(co’)= T4(cù).
suivant CO -+ CO’ telle que - = - soit
0 0 CO La courbe représentative du module de _Ts se
CO . CO’ = CO;;
cela se traduit : déduit donc de celle de T4 par symétrie par
- sur l’axe des pulsations par une symétrie rapport à la droite d’équation CO = wo, ce qui
par rapport à la droite CO = m0, conduit au graphe de la figure 42.
O
C,I2 1
Fig. 42.
Fig. 43.
44
signaux sin uso‘idaux
Représentation de l’argument 20 lg T6 est donc maximale pour CO = C O et

~ vaut
alors 20 lg T6 = O.
De la relation _Ts = j-
+
( w,>’_T4, on déduit que
arg _Ts = n arg _T4. La courbe représentative O Le changement de variable CO -+ telle que
CO’
de l’argument de _Ts se déduit de celle de T4par CO . CO’ = CO;, conduit à

translation verticale de n, ce qui conduit au
graphe de la figure 43.
9.1. I O . Fonction de transfert
2jm -
00 La courbe est donc symétrique par rapport à la
00 droite CO = u0.
16 = 2
_Ts
O Pour des pulsations très inférieures à o0,
devient peu différente de

Représentation du module CO .CO
2jm- = J-.
O Pour CO = o0, & = 1et 20 lg T6 = O; quel que CO0 -3
soit m toutes les courbes passent donc par le point 2m
de coordonnées (m 0, O).
O -T6 peut être écrit sous la forme : La courbe est donc asymptote de la droite de
1 pente + 20 décibels par décade et coupant l’axe
+-J-
1 1 .CO des pulsations au point d’abscisse -.*O
‘$2m 7
2jm -
COo 2m
0 0
1 _Ts
O Pour des pulsations très supérieures à o0,
devient peu différente de
CO
/Ï&---y 1 2jm -
---CO0 1
soit T6 = 1+- ---
Fig. 44.
45
théorie du signal
La courbe est donc asymptote à la droite de pente O T6 est maximale et vaut 1 pour CD = coo.
- 20 décibels par décade et coupant l'axe des
O La bande passante, définie comme l'ensem-
pulsations au point d'abscisse 2mco0. T6max
ble des pulsations telles que T6 > -, est
- Pour m = 0,5 les deux asymptotes se z/z
limitée par des pulsations telles que :
(E ">'
coupent sur l'axe des pulsations au point
d'abscisse co0.
- Pour m < 0,5 les deux asymptotes se
1 + Q; - = 2,
">
coupent au-dessous de l'axe des pulsations.
- Pour m > 0,5 les deux asymptotes se Qo --- =fi.
coupent au-dessus de l'axe des pulsations. soit
On obtient ainsi le diagramme de la figure 44. Elles satisfont donc l'équation du second degré
Les circuits admettant 3 pour fonction de Co2 & Co-Co0 - Co; = o.
transfert sont donc des circuits passe-bande. Qo
Nous allons préciser leurs caractéristiques. Nous Les solutions en sont :
pouvons écrire :
Co
2im -
Co0
6 =
T
i +2 +
j m ~ (jE)2
0 0
1
1
On pose parfois Qo = - que l'on appelle le
2m
coefficient de qualité du circuit sélectif. Il vient Les pulsations étant obligatoirement positives,
les seules solutions possibles sont col et O,; la
1 bande passante s'écrit :
0 0
B = o1- 0 , = - = 2m00.
Qo
1 2 10
Fig. 45.
46
s ig na ux s i n uso’ida ux
Courbe d’argument Pour des valeurs de rn supérieures ou égales à 1, la

fonction de transfert peut être mise sous la forme :
De l’égalité 20 lg T7
arg _Ts
2
+ arg -T4,
=-
71
1 + (j?)’
nous concluons que les courbes d’argument de _Ts
se déduisent de celles de - T4 par translation
71
verticale de -; d’où les courbes de la figure 45.
2
avec col = co0(rn - Jrn2 - 1)
I , -
CO2 = CO,(rn + Jrn2 - 1).
On obtient ainsi le diagramme asymptotique de

la figure 47.
Courbe de module
O Pour des pulsations CO très inférieures à co0,
T7 devient peu différente de 1, 20 lg T7 = O et

la courbe admet l’axe des pulsations pour
asymptote.
O Pour des pulsations CO très supérieures à co0,
Fig. 47.
T7 devient peu différente de 1; la courbe admet
l’axe des pulsations pour asymptote.
O Pour CO = co0, T7 = O et 20 lg T7 tend vers
- CO. La courbe admet donc le diagramme L’ensemble des courbes correspondant à différen-
asymptotique de la figure 46 et cela quelle que tes valeurs de rn, est donné figure 48. Les circuits
soit la valeur de rn. admettant T, pour fonction de transfert sont
donc des ci&its réjecteurs.
Les limites de la bande rejetée sont définies
I
O
O/ par les pulsations telles que T~ =T+ soit

Fig. 46. 20 Ig T7 = - 3 db. J2
-1 O
-20
-30
47
théorie du signal
Ces pulsations satisfont l’équation :
[1
d’où :
[ x 2 = 1- (z)2r +4m2($y,
9.1.12. A retenir
De l’étude des fonctions de transfert, nous
isolerons les résultats suivants :
[ (E)~]~
i- =4 m 2 ( ~ ) ~ 0 T=
-
1
l+j-
O
,circuit passe-bas du premier
ou encore O0
ordre (décroissance à 20 db/décade), pulsation de
coupure CO,.
0 0
w2 + 2mww0 - w i = O. Nous avons vu que les .a

J-
deux seules solutions possibles de cette équation T=
- 00
O
,circuit passe-haut du premier
sont l+j-
+
col = mw, w o J G 2 , 0 0
{ Co2 = -ma, +woJTG2. ordre (décroissance à 20 db/décade), pulsation de

coupure w,.
La bande rejetée est donc :
B = o1- m2 = 2m0,.
Courbe d’argument avec m J

2 N 0,7,
=-
Des égalités :
[
arg T7 = arg 1 - (~r] + arg z4
O pour w < CL),,
2
circuit passe-bas du deuxième ordre (décroissance
à 40 db/décade), pulsation de coupure a,.
0 arg[i-(:r]= { 7c pour w > w,.

Nous déduisons que les courbes d’argument de T,
0 T=
-
se déduisent de celles de _T4 en translatant de +-n
la portion de courbe correspondant aux pul- avec m = - J2 N 0,7,
sations supérieures à w,. Nous obtenons ainsi le 2
diagramme de la figure 49 qui présente bien sûr circuit passe-haut du deuxième ordre (décroissance
une discontinuité de 7c pour w = CO,. à 40 db/décade), pulsation de coupure w,.
Fig. 49.
48
signaux sinuso’ida ux
O
2im- 9.2.2. Fonction de transfert
O0 1
0 T=
- 2, circuit passe- T, =
- Cu
1 +j-
0 0 WO
bande, pulsation centrale cuo, bande passante

1
De la relation _T2 = -, on tire
-
@O
= 2mu),. Ti
-
Qo
( arg = - arg z1.

On passe donc de la courbe représentative de Ti à
celle de _T2 par les transformations géométriques
teur, pulsation centrale m0, bande rejetée 2mco0. suivantes :
O inversion de centre O et de rapport 1 pour
1
tenir compte de T2 = -;
Ti
9.2. DIAGRAMME D E NYQUIST O symétrie par rapport à l’axe réel pour tenir
compte de arg T2= - arg _Ti.

On obtient le diagramme de Nyquist d’une L‘inverse d’une demi-droite étant un demi-cercle,
fonction de transfert T en traçant, dans le plan on obtient le graphe de la figure 51. Sachant que
complexe la courbe représentative de -T. deux points liés par inversion sont alignés sur le
A toute pulsation a,on associe un point dont centre d’inversion, on peut graduer le graphe en
l’ordonnée est la partie imaginaire de T et dont pulsations.
l’abscisse est la partie réelle de T. Le diagramme
obtenu peut ainsi être gradué pulsations u).

cc)
T1=l +j-
-
0 0
La partie réelle de Ti étant égale à 1 quelle que

soit la pulsation &on obtient le graphe de la
figure 50.
\ \ I‘ \l
Fig. 51.

.a
J-
00
1 3 =
. O
14-1-
0 0
Fig. 50.
Si on effectue sur _T3, le changement de variables
La demi-droite représentative est graduée Co COO.
CU + m’, telle que - = il vient :
linéairement en o. u)o *
49
théorie du signal
* a0
1-
soit
T3(4 = T2(4
arg _T3(w’)= - arg _T,(co).
Nous en déduisons que le diagramme de Nyquist

de T3 est symétrique de celui de T, par rapport à
l’axe des réels (fig. 52). La graduation du
diagramme se fait a partir du changement de
variables : si un point M correspond, sur T2,à la
pulsation de km0, il correspond, pour
Co0
z,
à la
pulsation -.
k
Fig. 53.
T5 = y
:j(
-
Fig. 52. Le changement de variable + CO’, telle que

-Co--
-Co0 conduit à :
Co0 Co’
(>)
2
T,(co’)
-
l4 =
1
- =
1+2 j m 2 -
Co’
(3) 2
- 2
1 + 2 j r n )~: j +(
a0 -
-
1
La représentation de
soit
pour le module : T5(0’) = T4(w),
= 1 - k2 + 2jmk pour l’argument : arg T,(c~’)
= - arg T4(o).
est une parabole admettant l’axe des réels pour
axe. Le diagramme de Nyquist de T5 est donc
symétrique de celui de T4 par rapport à l’axe réel.
z4
La représentation de est obtenue à partir de T i De plus, si un point-correspond à la pulsa-
par symétrie par rapport à l’axe réel et inversion tion kco, sur T4,son symétrique correspond à la
de centre O et de rapport 1. Les graphes sont
donnés à la figure 53.
Co0
pulsation -
k
sur T’.
50
si q nau x si nuso‘idaux
9.2.6. Fonction de transfert 9.2.7. Fonction de transfert

I i - 3
Co
2jm-
Co0
2 T7 =
-
1 + 2 j m z) +: j (
Co0
A partir de l’écriture de -T6 sous la forme T7 peut être écrite sous la forme :
-
1
I
, on trace la courbe représen- 1 1
I
T7 =
- Co j2m
. - 2im - 1+
tative de zk = 1 +
droite verticale qui coupe l’axe des réels au point
d’abscisse 1 pour CO = m0. Le changement de variable CO + CO’,telle que
1
De la relation 3 = on déduit 2m
T6
-
L 1 __--
Co
’ I l6=Z Co0
conduit à -T7(c0)= T6((0’)

Nous en concluons que les diagrammes de
Le diagramme de Nyquist de T6 est obtenu a Nyquist de T6 et T7ont la même forme (fig. 54).
partir de celui de TL par symétrTe par rapport à
l’axe des réels etinversion de centre O et de Les graduations se déduisent l’une de l’autre par
rapport 1. D’où le graphe de la figure 54. le changement de variable. Remarquons que pour
cr) = co0, le point représentatif se trouve à l’origine
et que pour CÙ = O et CO -,CO le point représentatif
se trouve sur l’axe des réels au point d’abscisse 1.
0=0 O= IO. QUADRIP~LES

1
PASSIFS LINÉAIRES
Définitions
O Un quadripôle est un circuit possédant deux
bornes d’entrée et deux bornes de sortie.

O Un quadripôle est dit passif s’il est possible
d’en déterminer un schéma équivalent ne

La graduation en CO dépend de la valeur du comportant ni générateur de tension, ni généra-
facteur d’amortissement m. Le graphe de la teur de courant.
figure 54 est gradué pour m = 1.
O Un quadripôle est dit linéaire, si son schéma
Deux points correspondants aux pulsations k a o équivalent ne comporte que des éléments
0 0
et - sont symétriques par rapport à l’axe réel. linéaires (inductance, capacité, résistance).
k
I Convention récepteur en sortie Fig. 55. Convention générateur en sortie

I
51
théorie du signal
Convention de signe 1 0 . 1. l . Relation entre g,, et g,,

On adopte pour les orientations, l’une où l’autre
des conventions représentées à la figure 55. Les équations aux paramètres impédance peu-
Dans chaque cas il faut préciser la convention vent être écrites sous la forme :
choisie car certaines relations caractéristiques en
dépendent. g1 = (211- 2 1 2 1 1 1 + 2 1 2 ( 1 1 + 1 2 )
g 2= ( 2 2 2 - 212112 + 212(11 + 12)
+ Ll(221 - 212).
D’où l’on déduit le schéma équivalent de la
10.1. PARAMÈTRES figure 56.
IMPÉDANCE
Adoptons pour le quadripôle la convention

récepteur en sortie (fig. 55). Supposons que le
quadripôle possède n branches (y compris les
branches d’entrée et de sortie) et soient
Il, 12,..., Ln les courants correspondants. Si on Fig. 56.
admet que le quadripôle ne possède qu’un état
stable, Il, i2, ..., I n sont solutions des n équations
n
indépendantes à inconnues : Le quadripôle étant passif, son schéma équivalent
ne doit pas posséder de générateur. La seule façon
de faire disparaître le générateur de tension
(g21 - S12)L1 est de l’annuler, donc
Le quadripôle étant supposé passif, seules les

mailles d’entrée et de sortie possèdent des
générateurs de tension, respectivement El et - U2.
1 0 . 1 . 2 . Quadripôle symétrique
Considérons les (n - 2) dernières équations
comme (n - 2) équations à (n - 2) inconnues
13,..., In,à partir desquelles on peut exprimer les Un quadripôle est symétrique s’il présente le
courants L3, 14,..., Inen fonction de Il et l2: même aspect vu de l’entrée ou de la sortie. Nous
pouvons en conclure que si l’ensemble El, g2,
En reportant ces expressions dans les deux

ii:i\ ”
-
Il
-
I , I constitue un état d’équilibre, la permuta-
f-)
” conduit à un état d’équilibre.
12
Ce qui amène aux équations suivantes :
premières équations, on exprime El et g2en
fonction de Il et L2 soit :
IiElLJ2
=21111
=22111
+21212
+22212
~~~ 1
Le quadripôle est complètement décrit par deux La comparaison de deux de ces équations (( 1) et
équations entre les quatre grandeurs d’entrée et (4) ou bien (2) et (3)) conduit a :
de sortie.
zii
Les coefficients sont les paramètres impédance
du quadripôle.
52
s ig na ux s i n uso‘ida ux
10.1.3. Remarque sur les

conventions de signe
0 -
212 =s21
= , impédance de
transfert à sortie ouverte :
Les relations des paragraphes 10.1.1 et 10.1.2 ont I,
été établies en prenant la convention récepteur en
sortie. L’adoption de la convention générateur en Fig. 59. 3-D2
sortie revient à changer -1, en - 1, c’est-à-dire à Ces égalités sont utilisées pour déterminer de
changer le signe de tous &l paramètres manière pratique ou théorique les paramètres
intervenant en facteur de I,. impédance d’un quadripôle particulier.
Les relations entre paramètres impédance
s’établissent donc ainsi :
0 quadripôle passif z12 z21
= -
10.1.5. Schéma équivalent à partir
des paramètres impédance
0 quadripôle symétrique zll z22
= -
Il s’agit du schéma de la figure 56 dans lequel le
générateur de tension est nul; on obtient ainsi le
En résumé schéma en 7’de la figure 60.
I - I
Fig. 60.
10.2. PARAM ÈTRES

AD MITTAN CE
Les équations
= 21111 + S12I2
= 22111 + 2 2 2 1 2
être résolues en 1. 12,fonctions de -
- U1 et g2.
10.1.4. Signification physique 11 = _YilLJl+ Zl2LJ2
des paramètres impédance Soit
A partir de conditions particulières de fonction-

nement, on peut établir les relations suivantes :
0 Zll = (F)
-1 -2 2 = 0
, impédance d’entrée à sor-
tie ouverte :
Les coefficients xjsont les paramètres admittance
Fig. 57. u+lJ-=~- du quadripôle.
10.2.1. Relations entre 121

0 g22= (9)
-2 z1=0
, impédance du générateur
d‘autre part
et,!,,
d‘une part et Il,et 12,
de Thévenin équivalent au quadripôle attaqué
par un générateur de courant : Le tableau du paragraphe 10.1.3, combiné aux
relations précédentes entre les paramètres
impédance et admittance, nous permet de con-
Fig. 58. J-$-u2 clure par le tableau suivant.
53
théorie du signal
L’équivalence entre les schémas des figures 60

et 64 est connue sous le nom de Théorème de
Kennely.
10.3. PARAM ÈTRES

D E TRANSFERT
Les équations El = 21111 + 2 1 2 1 2 peuvent

u2 = 22111 +22212
être résolues en -U, et-Il, fonctions de -U2 et-1,.
1 0 . 2 . 2 . Signification physique
des paramètres admittance
_Yil = (+)
-1 u2=0
, admittance d’entrée à
sortie court-circuitée :
Fig. 61.
Les coefficients - C, D
B, -
A, - - sont les paramètres de
transfert du quadripôle.
= ($)
u2 u1=0
, admittance du générateur
de Thévenin, éqüivalent au quadripôle attaqué 1 0 . 3 . 1 . Relations entre
par un générateur de tension : les paramètres de transfert
Le tableau du paragraphe 10.1.3, combiné aux
Fig. 62. relations précédentes entre paramètres impé-
dance et paramètres de transfert, conduit au
tableau suivant :
, admittance de
transfert à sortie court-tircuitée :
Fig. 63. uq=$ - -
1 0 . 2 . 3 . Schéma équivalent à partir

des paramètres admittance
Les relations aux paramètres admittance peuvent

être écrites sous la forme : 1 0 . 3 . 2 . Signification physique
des paramètres de transfert
i-Il =(31
1 2 = ($2
+ X12)El + 32(E2-El),
+ 1121E2+ (El - E2132.
Ce qui conduit au schéma équivalent en n de la
A
- = -2(+) I2=0
, inverse de la fonction de
transfert en tension à sortie ouverte :
figure 64.
Fig. 65.
12
(F)
T *
Fig. 64.
O- 1Y22+32 !2
-
D = 2 uz=o
, inverse de la fonction de
transfert en colirant à sortie court-circuitée :
Fig. 66.
54
si g na ux si nuso’ida ux
1 On peut écrire :
, admittance de trans-
fert à sortie ouverte : -
Fig. 67. ?-=+

et conclure :
1
, impédance de trans- - les paramètres impédance d’un qua-
- y21
fert à sorrie court-circuitée. dripôle Q, équivalent a la mise en série de
deux quadripôles Q’ et s’obtiennent
QI’
par addition des paramètres impédance

Fig. 68. des quadripôles Q’ et Q”.
10.4.3.Association en parallèle
10.4. ASSOCIATIONS
D E QUADRIPOLES Deux quadripôles associés en parallèle sont
soumis aux mêmes tensions d’entrée et de sortie,
ce qui conduit au schéma de la figure 70.
10.4.1.Quadripôle équivalent
Nous appellerons quadripôle équivalent à un
ensemble de quadripôles, le quadripôle, qui,
soumis aux mêmes tensions d’entrée et de sortie
U1 et g2que l’ensemble, appelle les mêmes
-
courants Il et 12.
10.4.2.Association en série
Fig. 70.
Deux quadripôles, associés en série, sont par-
courus par les mêmes courants d’entrée et de A partir des relations :
sortie, ce qui conduit au schéma de la figure 69.
On peut écrire :
Fig. 69.
A partir des relations :
et conclure :
- les paramètres admittance d’un qua-
dripôle Q équivalent à la mise en parallèle
de deux quadripôles Q’ et Q” s’obtiennent
par addition des paramètres admittance
des quadripôles Q’ et Q”.
55
théorie du signal
Exemple d'application :quadripôle en double T R

-
Soient les deux quadripôles symétriques de la 2
figure 71.
2c -+
jCcv RCo
Quadripôle Q' Quadripôle Q" l+jT
L
Fig. 71. (iR C W ) ~
-
--
A partir des expressions
2R(1 jRCco) +
Le quadripôle de la figure 74, résultant de la mise
1 = 3 2 = (&)"z=o
3 en parallèle des quadripôles Q' et Qf',admet donc
- comme paramètres admittance
et zI2 _yZ1 =
=
et d'après les schémas correspondants des figures

72 et 73, on peut déterminer les paramètres
admittance des quadripôles Q' et Q".
1
Fig. 74.
- 1 + 2jRCo
-
+
1 + 4jRCo ( ~ R C W ) ~
2R(1 + jRCo)
2R(1 + jRCo)
1= 3 2 =
3
Y12 = _y21 = -
+
1 (~RCW)~
- 2R(1 + jRCo)
-
A De l'égalité L2 = _Yzlgl _Y22g2, +
on déduit la
Fig. 72. fonction de transfert en tension à vide (c'est-à-dire
pour I2 = O) :
R
T - - u2 = 3 1 - 1+(~RCW)~
-
132=x;1 =
1
--
R'
1 +2jRCcv
R
- u-1 _Y22 1 + 4jRCco + ( ~ R C C O ) ~
+ 1 + 2jRCo
= -
1
+
2R(1 jRCo)
xi1 yff -
= -22 -
1
R avec oo=-
1
et m = 2.
- RC
1 2
D'après les études faites aux paragraphes 9.1.11
j-+
Co RCcv et 9.2.7, nous concluons qu'il s'agit d'un quadri-
1 +j-
2 1
pôle réjecteur centré sur oo= -, dont les limites
-
jRCw(2 + jRCo) RC
+
2R(1 jRCo)
de la bande rejetée sont
1
--(fi
- 2) et
RC
1
-(fi +
RC
2), ce qui donne une largeur de bande
4
Fig. 73.
rejetée égale à -.
RC
56
signaux sin usoi‘da ux
Les diagrammes de Bode et de Nyquist sont La matrice de transfert du quadripôle équivalent

donnes aux figures 75 et 76. à la mise en cascade de deux quadripôles Q’ et Q”
est obtenue en faisant le produit des matrices de
transfert des quadripôles Q’ et Q”.
10.5. IMPÉDANCES
PARTICU LI ÈRES
D U QUADRIPOLE
Fig. 75.
1 0 . 5 . 1 . Impédance d’entrée 2
-,
C’est l’impédance vue à l’entrée du quadripôle

lorsqu’il est fermé sur une impédance -
2, (fig. 78).
~~
Fig. 76. Fig. 7%.
A partir des paramètres de transfert, nous

1 0 . 4 . 4 . Association en cascade écrivons compte tenu de g2= - : zuL2
Deux quadripôles associés en cascade sont tels
que les grandeurs de sortie du premier
constituent les grandeurs d’entrée du second ce
qui conduit au schéma de la figure 77.
1 0 . 5 . 2 . Impédance de sortie gs
C‘est l’impédance du générateur de Thévenin

équivalent au quadripôle attaqué par un
générateur d’impédance 2,. La détermination de
Fig. 77.
zs conduit au schéma de la figure 79.
Remarquons que les équations aux paramètres de

transfert peuvent être écrites sous la forme
mat ricielle :
Fig. 79.
Des équations :
Les équations { ;==,+DI,
U1=A3+BI,
II
peuvent être
résolues en (LJ2, 12),fonctions de (El,Il).
Compte tenu de l’égalité - BC = - 1, il
vient :
u -
{-
-2 --LlJ1+g,
on déduit I2 =Cu1-&,
57
théorie du sianal
1 0 . 5 . 3 . Relations remarquables
Remarquons que :
O l’impédance d’entrée à sortie court-circuitée
B
(2, = O) s’écrit Zecc = =. Fig. 80.
-’
D
O l’impédance d’entrée à sortie ouverte (2,CO)
s’écrit zeo A
= =-
-C’
-
O l’impédance de sortie à entrée court-circuitée

u2(t) = u,(t - z)
i2(t) = il(t - z) 1 où z est le temps de retard.
En régime sinusoïdal ces équations se traduisent

B
(2, = O) s’écrit Zscc = - =. par :
A’
O
-
l’impédance de sortie à entrée ouverte (2,CO) u1(t) = u, cos cut,
n
u
u2(t) = u, cos cu(t - z) = u, cos ( u t - cuz);
s’écrit -
Zso = -= i l ( t ) = I , cos ( u t - e),
C‘
-
Nous en déduisons les relations suivantes : i2(t) = I , COS [w(t - Z) - O]
= I , cos ( u t - e - Coz).
Ce qui conduit aux relations suivantes entre les

grandeurs complexes associées :
1 0 . 5 . 4 . Impédance itérative
1 0 . 6 . 1 . Conséquences
ou caractéristique Zc
-
O A partir des relations précédentes, on peut
C’est l’impédance telle que le quadripôle, fermé
sur cette impédance zc,
présente une impédance u
écrire : -2 = 2,
u et conclure que le quadripôle
d’entrée égale à gc.Elle est donc définie par I
2 I
-1
l’équation : doit être fermé sur son impédance caractéristique.

O Les relations de départ, devant être vérifiées
quelle que soit la forme du signal d’entrée, doivent

donc être indépendantes de la pulsation en régime
sinusoïdal; nous en concluons que :
- l’impédance caractéristique doit être indé-
pendante de la pulsation : elle doit donc
être résistive;
- le déphasage cp introduit entre les grandeurs
Si le quadripôle est symétrique, zso= Zeo, d’entrée et de sortie doit être proportionnel
zscc= Zecc, l’équation s’écrit : à la pulsation :
10.6. LIGNE À RETARD 1 0 . 6 . 2 . Étude d’une structure

part icuIière
La ligne à retard (fig. 80) est un quadripôle dont La ligne étudiée est réalisée par la mise en cascade
les valeurs instantanées des grandeurs d’entrée et de n quadripôles identiques en T conformément
de sortie, obéissent aux équations : au schéma de la figure 81.
58
si g naux si nuso'ida ux
1er quadripôle 2eme quadripôle nemequadripôle
A
t
O -
1 1 O
Fig. 81.
u u
La relation 2 = -1est vérifiée si la ligne
0 ou encore
12 Il
est fermée sur l'impédance caractéristique du
quadripôle en T élémentaire. Elle est définie par :
ZC = Zecc * zeo Calculons la valeur du nombre réel p tel que e-ja
soit solution de cette équation (transmission sans
avec Zeo = Z1 + 2 2
affaiblissement), il vient :
-L
soit g = g + 221z2.
Cette impédance devant être résistive, les
impédances 2, et 2, doivent être telles que : soit
- + 2- 2 ,-~ ~ T ouniéei
it positif.
0 Afin de déterminer les conditions dans cos p =-
2 1 + 2 2
12 2 2
lesquelles on peut écrire =- = e-jwr calculons
I
-1
pour un quadripôle élémentaire le rapport =_1; et Les impédances -_2, et -
2, doivent donc être telles
I-1
cherchons les conditions conduisant à =-
1; = e -ja,
" + Z2 soit un nombre réel compris entre
que -
2 2
11 - 1 et T i.
avec p réel.
Soit encore
Nous pouvons écrire :
- l < l + A
2 < + l
2
-2
ou -
car le quadripôle élémentaire est, de proche en Si les conditions précédentes sont réalisées, la
proche, fermé sur son impédance caractéristique, ligne retarde le signal d'un angle np tel que
soit 21 + 2 2
cos p = -
s
2
Sachant qu'on souhaite avoir q = np = UT, il
faut que les impédances et - zi
2, soient telles
que :
21+ z 2
n arccos - = mz,
-
2 2
condition qui semble, a priori, très difficile à

satisfaire en toute rigueur.
59
théorie du signal
Exemple de réalisation Condition qui se résume a

Le quadripôle élémentaire est réalisé conformé-
ment au schéma de la figure 82.
M
soit o<cu,=
J 2
( L - M)c
coC est la pulsation de coupure de la ligne à retard.
O L’impédance caractéristique Sc, solution de
- l’équation :
Fig. 82. 2: = 2:
- + 22, . z2 = 2,(21+ 222)
M est le coefficient d’inductance mutuelle entre s’écrit :
les deux bobines. 2: = j(L + M)w
A partir des équations reliant les valeurs -
instantanées :
di,
u , = L--
dt
di,
M-+
dt
U,
=2 LfM[i
C
-
1
( L - M)Cco2
2
~2 = L-
di2
dt
- M-
di,
dt
+ U;
2:
- = 2=[1-C
Pour co < toc, z:

(32]zc
est bien un réel positif et est
on déduit les équations entre nombres complexes une résistance. Mais, on ne peut considérer que
associés : cette résistance est indépendante de la pulsation
1
- +
U1 = jL@, - jMcoL, --(Il + L2)
jCco -
que si cette dernière est très petite par rapport
à coC soit :
L’impédance a-actéristique s’écrivant aiors

2(L+ M )
On peut donc donner, du schéma de la figure 82, O Déterminons les conditions dans lesquelles le
le schéma équivalent de la figure 83. On l’identifie 1 + 2 2 est
déphasage P, défini par cos /? = -2
au quadripôle élémentaire de la figure 81 avec : proportionnel à la pulsation u) :
-
2 2
+2
cos /3 = 1 =,
21
-2
soit
Fig. 83.
1
2, = j(L+M)co
- et 2 ---jMco. soit
-2 - JCU
O La condition de transmission sans affaiblis-

équation qu’on voudrait pouvoir identifier à
sement (c’est-à-dire /? réel) se traduit par : /? = cotO,où to est le temps de retard apporté par
2 un quadripôle élémentaire.
- 1 G L G 0 ,
222
- Il est bien évident que cette identification ne
soit -1G-
(L + M)u) pourra être réalisée qu’approximativement.
Effectuonsun développement limite de l’équation
précédente :
60
signaux sinu so'ida u x
P -rvP- - -
sin - 1 P 3 soit : M = 0,2L.
2 2 3!(2) Le temps de retard t , correspondant à un
quadripôle élémentaire s'écrit alors :
En résumé
soit
_--_
2 48
Pour que la relation fi = ut, soit vérifiée quel que
soit O, nous devons écrire
(L + M)C (L+ M)C MC
La compatibilité de ces deux équations exige :
EXERCICES
1. Soit le circuit de la figure ci-dessous, attaqué par deux
générateurs identiques, sinusoïdaux, de valeur efficace V, ,et
de pulsation o.
Calculer Q, et Q, en fonction de R, L et C.
Montrer que, lorsque o = Q - Q, -ga,, - Z se met sous la
forme
R
z=
- w
1 + 2jQ0-
QO
1" Calculer, en fonction de l,

R , C,
et O, le courant L dans 2" Le courant i est un courant sinusoïdal modulé en
l'ensemble R, C. amplitude :
2" Calculer le rapport T = 2,en fonction de jRCo. i(t) = Z,(1 + m cos o,t) cos Q,t
- y
1
3" En déduire que la tension de sortie V, garde une valeur a) Montrer que le générateur de courant i(t) est équivalent à
efficace constante, que l'on déterminera, et qu'elle est la mise en parallèle de trois générateurs de courant il (t),iz(t),
déphasée par rapport à -VI, d'un angle que l'on précisera. i3(t), dont on précisera les amplitudes et les fréquences.
b) Calculer les trois tensions u,(t), u z ( t ) et u3(t), créées
2. Le schéma équivalent d'un émetteur est donné ci-
respectivement par chaque générateur de courant, supposé
dessous :
seule source d'alimentation.
c) Par application du théorème de superposition, calculer la
tension u(t) correspondant à l'alimentation du
circuit R, L, C par le courant i(t),et la mettre sous la forme
u(t) = Uo[l + m' +
cos (wmt q)]cos Qat.
Calculer les éléments U , , m', q en fonction de m,O,, Q, et
1" Calculer, en régime sinusoïdal permanent de pulsa- Qo.
tion a, l'impédance du circuit R, L, C parallèle, et la mettre Conclure en analysant l'influence, sur la transmission du
sous la forme signal.
61
théorie du signal
I 3.
Dans tout le problème, les circuits sont soumis à une
On posera : R C o = x
C = nC ( n = nombre réel positif différent de O).
excitation sinusoïdale de pulsation o. Montrer que
On utilisera la notation complexe. Toutes les grandeurs
complexes seront représentées par des lettres majuscules et 0 pour le quadripôle Q1 (fig. 2.4
seront comptées positivement conformément aux conven- 1 y ll+jx.
s -
-' -
-' - R 2 + j x '
,f-1-p:
tions matérialisées par fléchés sur les schémas. - R(2 + jx) et
0 pour le quadripôle Q, (fig. 2.b)

-Vl Fig. 1, nx2 + 2njx + + i)x
s, = 1 -R(2
- + jx) et x2 =
i - nx2 j(2n
+
R(2 jx)
A) Pour tout quadripôle passif et linéaire, de bornes
d'entrée EE' et de bornes de sortie SS', il est permis d'écrire : B) Deux quadripôles Q i , Q2, de paramètres respectifs Si,
1-
L2 = g TI2 Y,
- et g,, x2,
sont associés suivant schéma (fig. 3) à un
amplificateur A
1" Donner une signification physique des paramètres - S et
Y.
- 0 de résistance d'entrée infinie +!( = 1- = O);
Proposer, par un schéma explicite, un générateur équivalent
au quadripôle vu de ses bornes de sortie.
O d'amplification A (c A).
=
2" On envisage deux quadripôles du type précédent, l'un de V

paramètres El, et l'autre de paramètres g2,
Établir et justifier la loi simple de formation des
x,. 1" Montrer que la transmittance T
- = = peut
u- s'exprimer
par :
paramètres S, Y du quadripôle obtenu par la mise en
parallèle des d e u x quadripôles envisagés (entrées en Si A
--
-
T=
parallèle, sorties en parallèle). -
Yi +3 +-A
3" Formuler les paramètres 5 et pour les deux
quadripôles représentés ci-dessous :
C' 2" Que devient la valeur de _T quand on choisit pour A
II une valeur infiniment grande?
R R
T -T
3" On désire que l'écart relatif reste inférieur
IL IL T
T C T C ou au plus égal à une valeur E donné;
En déduire, en fonction des paramètres de Q1 et Q,,
Fig. 2a. Fig. 2b. l'expression de la valeur limite à attribuer à A .
C) On adopte comme quadripôles associés a l'amplificateur Montrer que la transmittance T peut se mettre sous la
opérationnel : forme :
k
pour Q 1 -, celui de la figure 2.a; T=
- 1 + px2 + 2jA.x'
pour Q, -, celui de la figure 2.b;
où k, p et A. sont des constantes réelles que l'on explicitera.
On donne : R = 10 kiloohms; C = 10 nanofarads. 3" Application :
a) On désire que G = 20 log,,lïJ soit nul pour
1" Quelle valeur limite A , faut-il attribuer à A pour que o = 20000 rd/s.
- T-a - T Quelle valeur faut-il adopter pour C' = nC?
- 6 0,l % dans le domaine des pulsations les plus
T b) Montrer que, pour cette valeur de C', G passe par une
basses concevables? valeur maximale pour une pulsation o1que l'on calculera.
Calculer, en outre, G,,,.
2" On admet, pour la suite, que A est pratiquement infini. c) Tracer le diagramme G = F (log,, O).
62
signaux
u périodiques
1. THÉORÈME DE FOURIER L’harmonique d’ordre n devient :
On démontre, dans le cours de mathématiques,

que, sous certaines conditions de dérivation et de
continuité, toute fonction f ( t ) , périodique de
L
période T , peut être mise sous la forme d’une
série de Fourier : et la fonction périodique f ( t ) s’écrit :
f ( t )= A , +
Co
~ ~
( A , cos ncot + B, sin nwt)

~~
J
+1
f ( t )= A , C , cos (ncot - (P,)
n=l
avec pl L’harmonique d’ordre 1 est appeléfondamental.
1.1. CAS PARTICULIERS
1.I -1. La fonction f ( t ) est paire

An = -
T
2
f ( t )cos ncot dt La relation f ( t ) = f( - t ) , quel que soit t, conduit
à:
Co
Bn f ( t ) sin ncot dt A, + n = l ( A , cos ncot + B, sin ncot)

a3
= A , + 1 ( A , cos ncot - B, sin ncot)

n=l
REMARQUES La relation précédente devant être vérifiée quel

A , est la valeur moyenne de la fonction que soit t, on en conclut que :
périodique f(t).
Le terme général B, =O quel que soit n.
A , cos not + B, sin not
est une fonction sinusoïdale, appelée harmonique 1.I .2. La fonction f ( t )est impaire
d’ordre n; il peut être mis sous la forme
La relation f(t) = - f(- t), quel que soit t,
conduit à :
Co
B
en posant tan (P, il s’écrit :
= 2, A, + 1 ( A , cos ncot + B, sin ncot)
An n=l
CO
An
[cos n o t COS (P, + sin n o t sin q,]. = - A, + 1 (- A , cos ncot + B, sin ncot).
COS ( P n n=l
An Cette relation devant être vérifiée quel que soit t ,

s’exprime, en fonction de An et B, par
COS ( P n nous concluons :
A,&+- = ,/m. A, =O quel que soit n.
63
théorie du sianal
La décomposition ne comprend donc que des

1.2. S P E C T R E harmoniques d’ordre impair.
D E FRÉQUENCES Le signal rectangulaire s’écrit :
Le signal périodique f ( t ) peut être mis sous la f(ti =

4A[
sincot + ~
sin 3cot
3
+ sin5Scot +
~ ...]
forme d’une somme de fonctions sinusoïdales
dont les pulsations sont des multiples entiers de Son spectre est donné à la figure 3.
2n
co = -. On obtient la représentation spectrale
T
du signal f ( t ) en portant en ordonnée l’amplitude
des harmoniques et en abscisse les pulsations
correspondantes, ce qui conduit au diagramme
de la figure 1.
Fig. 1
O
0 20 30 40 50
O
i0 20 30 40 50 60
1.3.2. Signal triangulaire
Considérons le signal g(t) (fig. 4). La valeur

moyenne A , de g(t) est nulle. g(t) est obtenu par
intégration du signal carré de la figure 2.
L‘identification de la pente entre les instants O et
T
1.3. EXEMPLES - conduit à :
2
D E DÉCOMPOSITION
1.3.1. Signal rectangulaire
Considérons le signal de la figure 2. La fonction

f(t)de période T est impaire. La décomposition
ne contiendra donc que des termes en sinus.
Fig. 4.
2B 4B
A=-=-.
T
-
T
2
Fig. 2. L’intégration permet d’écrire g(t) sous la forme :
Soit :
A, = O,
g (t) = K - -
n [
4 A coscot
+ cos3cot
~
32co
+
B, =‘s + T/2
-TI2
f ( t ) sin ncot dt
cos(2n + 1)cot
... + (2n + il2w + ...].
La valeur moyenne de g(t) étant nulle, il en est de
même pour la constante d’intégration K , ce qui
donne pour g(t), compte tenu de coT = 2n et
2A 4B
-- [1 - cos nnJ,
nn A=--:
avec cos nn = 1 pour n pair, cos nn
impair.
= - 1 pour n cos 3cot cos 5cot
coscot+,+5,+
3
... .
1
64
signaux périodiques
Le spectre de fréquences est donné à la figure 5.
O n 2w 3w 40 50
Fig. 5.
atténué. Elle impose aussi qu’ils ne soient pas

On peut remarquer que les harmoniques d’ordre
déphasés par la fonction de transfert -
T ; ce qui
supérieur à 1 sont beaucoup moins importants
conduit à la relation :
pour le signal triangulaire que pour le signal
carré, ce qui est naturel car la forme du signal Co0 207c
- > lOCo, = -.
triangulaire est plus proche de celle du signal 10 Tm
sinusoïdal.
O Supposons que le signal sinusoïdal, de
Remarquons que, pour les signaux que nous pulsation CO,-, puisse être considéré comme
venons d’étudier, l’amplitude des harmoniques éliminé, si son amplitude est divisée par 100,
décroît à mesure que leur ordre augmente. C’est le (- 40 décibels), par la traversée du filtre passe-
cas de la plupart des signaux que nous aurons à bas. Nous en déduisons la relation :
considérer. Ils nécessiteront donc pour leur
transmission une bande passante limitée. oc > lOOCo,,
La pulsation de coupure du filtre doit donc être
telle que :
2007c <Co,<-. CoC
Tm 1O0
1.4. APPLICATION
Considérons le signal formé par la superposition 1.5. ANALYSEUR

d’un signal périodique f ( t ) de période T, et d’un D E SPECTRE ANALOGIQUE
signal sinusoïdal A , cos co,t. Supposons de plus,
que la fonctionf(t) soit telle que les harmoniques
2Q.n Proposons-nous de déterminer le schéma synop-
de pulsation supérieure à 10~0,= - soient tique d’un appareil permettant de mesurer l’ampli-
Tm tude des harmoniques d’un signal périodique f(t).
négligeables.
Afin de supprimer le terme sinusoïdal, on pré- Les coefficients de la décomposition :

sente le signal à l’entrée d’un filtre passe bas du 2
premier ordre dont la fonction de transfert est
-
T=
1
. Les diagrammes de Bode corres-
A,, =
jtr+T
f ( t ) cos nut dt
.Co
1 -kJ- et f ( t ) sin ncvt dt.
Co0
pondants ( j g . 6) ont été étudiés au paragraphe
9.1.6 du chapitre 2. apparaissent comme deux fois la valeur moyenne
du produit de la fonction f ( t ) par un signal
O La transmission, sans déformation, du signal sinusoïdal. Nous en déduisons le schéma
périodique, impose qu’aucun harmonique ne soit synoptique d’un analyseur de spectre (fig. 7).
65
théorie du signal
l 1
O Le générateur Wobulé fournit un signal donnant l’amplitude de s(t), nous obtenons un

sinusoïdal A cos o b t , dont la pulsation CUI, varie oscillogramme conforme à celui donné à la
linéairement avec la tension de wobulation ~ ( t ) . figure 9. C,
Soit C , cos (u,t + q,), l’harmonique d’ordre n
de f ( t ) . Le signal correspondant, à la sortie du
multiplicateur, s’écrit :
e ( t ) = K A C , cos q , t cos (u,t + 9,)
Co
Fig. 9.
O La pulsation abétant proportionnelle à v(t),

l’axe horizontal peut être gradué en pulsation
O Le dispositif permettant de prendre la valeur alors que l’axe vertical, gradué en volts, permet
moyenne de e(t) peut être réalisé par un filtre la mesure des C,.
passe-bas du deuxième ordre dont la fonction de
transfert s’écrit : REMARQUES
a) La largeur des raies, obtenues sur l’oscillogramme
de lafigure 9, est égale à 2~0,.Elle est donc d’autant
plus faible que lefiltre passe-bas est plus serré sur le
Lorsque la pulsation est telle que continu. L‘oscillogramme se rapproche ainsi du
spectre théorique. L analyseur permet de séparer des
lari - < mg, raies dont les pulsations ne diffèrent pas de plus
de 20.1,.
le signal s(t) est une sinusoïde d’amplitude b) La fonction de transfert du filtre passe-bas :
AC
K 2, proportionnelle a l’amplitude C, de
2
l’harmonique. Il suffit alors de détecter l’amplitu-
de de cette sinusoïde pour obtenir C,. V 1
T===
w”, ( :,y
-
Si aucun harmonique ne fournit, dans e(t), un U
-
1 +2jm-+ j-
signal sinusoïdal de pulsation inférieure à coo, le
signal s(t) est nul. résulte de l’équation différentielle
O La tension de wobulation v(t) est une rampe
2mdv 1 d2v
0 + __- + --=u
( f i g e 8). O, dt coi dt2 ’
p(!)
i d2v dv
soit dt2 +2mco,-+co~v=co~u.
- dt
Nous avons vu, au premier chapitre, que, pour une

attaque par un échelon de tension et pour m = 0’7, le
271.
l temps de réponse à 5 % est minimum et vaut 0’44 -.
Fig. 8. a0
Afin de laisser, au filtre passe-bas, le temps de
Cette rampe est présentée simultanément au répondre, il est nécessaire que la tension de
wobulation varie suffisamment lentement et ce
générateur wobulé et à l’entrée X d’un oscillosco- d’autant plus que la pulsation de coupure co, est plus
pe. L’entrée Y étant attaquée par le signal faible.
66
c) Nous en déduisons que l’obtention de raies fines

est incompatible avec une analyse rapide, ce qui est 1.7. DÉFINITIONS
parfaitement intuitif (vite et bien étant difficilement
conciliables).
1.7.1. Facteur de forme
6) En pratique lefiltre passe-bas est remplacé par
un filtre passe-bande centré sur co0. Les raies Le facteur de forme F est défini par le rapport
apparaissent alors, non plus lorsque wb = CO,,mais
lorsque la différence (O,, - con( est égale à coo. Le entre la valeur efficace et la valeur moyenne :
principe général restant le même. l 1 Q
F -
F
-
O Pour un signal continu F = 1.
1.6. VALEUR EFFICACE O Pour un signal sinusoïdal redressé double
D‘UN SIGNAL PÉRIODIQUE alternance (fig. 10) :
Soit un signal périodique f ( t ) dont la décomposi-

tion s’écrit :
sa valeur efficace Feffest telle que :

O vv\ Fig. IO.
t
f 2 ( t ) comprend les termes suivants : 1.7.2. Taux d‘ondulation

ro
f 2 ( t )= A; + c,”cos2 (ncot + q,) On définit l’ondulation par les variations de la

n=l
03
fonction f ( t ) autour de sa valeur moyenne A ,
+ 2A0 1 C,cos(ncot + cp,)
n=l
(fig. 11).
c o c o Ondulation
+C 1n=l k=l
cric, cos (ncot + cp,) cos (kcot + qk).
k+n
On peut vérifier que :

* O P - -
- la valeur moyenne d’une fonction sinu-
soïdale est nulle; ?
Fig. I I .
- la valeur moyenne du produit de deux
fonctions sinusoïdales de pulsations diffé- Elle est donc égale a
rentes est nulle; CO
- la valeur moyenne du carré d’une fonction

sinusoïdale est égale à 1/2.
1 c, cos (ncot + qn).
n=l
Nous en déduisons que : Le taux d’ondulation p est le rapport entre la

valeur efficace de l’ondulation et la valeur
moyenne de la fonction périodique f ( t ) , soit :
f c,2
n=l
P=
A0
le carré de la valeur efficace d’une fonction
périodique est la somme du carré de sa valeur Remarquons que le facteur de forme F et le
moyenne et des carrés des valeurs efficaces des taux d’ondulation p sont liés par la relation :
harmoniques. F 2 = 1 + P2.
67
théorie du signal
1.7.3. Taux de distorsion L’amplitude C, de l’harmonique d’ordre n est

harmonique C,. Sa phase est obtenue
donnée par le module de -
par l’argument de C,.
Le taux de distorsion harmonique z est défini par
le rapport entre la valeur efficace de l’ensemble Soit :
des harmoniques d’ordre supérieur à 1, et la
valeur efficace du fondamental, soit :
z=
Jc; + c; + ... + c,”
/i
L1
Il permet de chiffrer la pureté d’un signal

sinusoïdal.
Remarque : Pour un signal présentant un faible
C
taux de distorsion, on peut assimiler 2 à la
valeur efficace Feff du signal f(t). On obtient
J2
alors : 2.1. EXEMPLES D E CALCUL
Z N
Je; + c; + ... + c; À L’AIDE DE LA FORME
Fefï J2
7
EXPONENTIELLE
Cette remarque est utilisée dans certains
distorsiomètres : la détermination du taux de 2.1.1.
Signai carré
distorsion commence ar la mesure de la valeur de rapport cyclique a
efficace, FeffN Cl/& puis le signal est passé
à travers un filtre réjecteur qui élimine le
fondamental. On mesure alors la valeur efficace Soit le signal de la figure 12 :
du signal résiduel,
+ +
tnlu-
2 cos (2cot
c 402) c3 cos (3cot + 403)+ ...,
et on en déduit le taux de distorsion.
O
2. FORME EXPONENTIELLE aT T t
Fig. 12.
Nous avons vu dans le chapitre précédent qu’on
peut associer à la grandeur sinusoïdale
A cos (cot + 40) le nombre complexe -
A = A ejv.
O A la grandeur A , cos ncot est associé le
Sa valeur moyenne est A , = aE.
nombre complexe A,.
O A la grandeur
B, sin ncot = B,
est associé le nombre complexe

(
cos ncot --
2>
B, e-jSI2 = -jB,.
O A l’harmonique n, on associe donc le nombre
sin m a - jnax
complexe A, - jB, = C, , soit C, = 2aE-
- ma
2
C, =
- TJt;+T f(t) [cos ncot -j sin ncot] dt
L’amplitude de l’harmonique n est donc :
sin m a
=+ l r + T f ( t ) e-jnwfdt. C, = 2aE -.
ma
68
r
- signaux périodiques
Le spectre correspondant est donné par la

figure 13. 3. SPECTRE BILATÉRAL
2aE L Remarquons que l’harmonique n peut être écrit
sous la forme :
A, cos ncot + B, sin ncot
ejnmt + - jnwt ejnwt - -jnmt
= A,
2 + Bn
2j
20
0 20 -
0
a
-
a
0
Fig. 13. Des expressions
Remarquons que si le rapport cyclique est a, les

k sont nuls.
A, = gir+T f(t) cos ncot d t
harmoniques d’ordre -
a et B, = Tjtr+T
2
f(t) sin ncot dt,
on déduit A , =A-, et B, = - B-,.

2.1.2. Peigne de Dirac
Posons :
Le peigne de Dirac est obtenu, à partir du signal
de la figure 12, en faisant tendre le rapport
cyclique a vers zéro, tout en maintenant la sur-
face aET constante et égale a I (intensité d’une D’après les relations A , = A - , et B, = - B - , il
impulsion). 1
vient V - , = - ( A , + jB,).
Nous obtenons ainsi la courbe de la figure 14. - 2
tfU) L‘harmonique n peut donc être écrit sous la
forme :
V, + V-, e-jnmt,
- -
et le signal f(t) devient

Co
A, + C (3ejnwt+ y-, e-jnwt),

n=i
Fig. 14.
soit :
L’amplitude de l’harmonique n s’écrit alors :
21
C , = 2aE = -.
T
Le spectre correspondant est donné à la figure 15.
4 Il apparaît, dans cette expression, des harmoni-

ques pour les fréquences s’étendant de - KI à
- + CO, d’où le nom de spectre bilatéral.
T
~~ O
20 30
REMARQUES
Fig. 15. a ) Dans les transformations précédentes :
L’observation des spectres précédents nous

permet de conclure que la bande nécessaire à la
transmission d’un signal est d’autant plus
importante que ses variations sont plus rapides.
I1 -
-
f(t) est resté le signal périodique réel;
V, et y-,,sont des nombres complexes et n’ont
pas d’ëxistence réelle, mais :
O 2 1 V,J= IV,l+ 1 - J =
l’amplitude d e l’harmonique n;
Jm correspond d
69
1
théorie du signal
arg -V,= arctan - - Bn = - q n correspond à la

An 4.1. CAS D‘UNE
phase de l’harmonique n; SINUSOIDE
b ) si le signal f ( t ) est sinusoïdal;
f ( t ) = cos(ot + ($3)’ Soit le signal sinusoïdal f ( t )= Vocos (CU,t + q)
on peut écrire : dont le spectre bilatéral est donné figure 17.
ej<p+ e-ja‘ e - j v Calculons l’expression A(co)correspondante :
f ( t )=
2
soit
vo2 t f(r)
d’où le spectre bilatéral du signal sinusoïdal (jïg. 16).

-0 O 0
Fig. 17.
4 -O O
Fig. 16.
+O O
n=O L
4. TRANSFORMÉE DISCRÈTE
DE FOURIER
L’apparition de microprocesseurs puissants et Compte tenu de

n=N-1
rapides permet aujourd’hui d’agir sur le signal à
partir de valeurs numériques prélevées à des C e-On = i + e-O +
n=O
instants régulièrement espacés. Ces valeurs sont
appelées échantillons. L’ensemble des opérations
effectuées numériquement constitue le traitement
numérique du signal.
il vient :
Proposons-nous, dès lors, de déterminer le
spectre d’un signal périodique f(t) à partir
d’échantillons prélevés a la fréquence :
1
F=-
q’
Fe est la fréquence d’échantillonnage, Posons :
f ( n T , ) est la valeur numérique de l’échantillon
prélevé à l’instant nT,.
Afin d’approcher le spectre du signal f(t), pré-
levons N échantillons
f(O), f(T,),f(2T,), -*,f((N- l)T,),
calculons la fonction complexe :
n=N- 1
A(@)=
- 1 f(nT,) e-jwnTe, N T , CO
sin -
n=O - 2
=e
et cherchons si la fonction CO) a un rapport avec . COT,
le spectre de f ( t ) . sin 2
70
-
3N
4
-
N
2
-
N
4
-
-0e -
oe O
N N
Fig 18.
Étudions alors, les variations du module IE(co)l de Conséquences pour la détermination du spectre
E(4 de f( t )
A(m) peut
- être écrit sous la forme :
VO
A(@)= -[ejqE(o - u0)
- 2
+ e-jqE(o + CO,)].
Le module d’une somme, n’est, bien sûr, pas égal
La courbe de variations est donnée à la figure 18. à la somme des modules, cependant si N T ,
est suffisamment grand, les deux fonctions
Propriétés +
IE(co - ci),)[ et lE(ci) coo)l n’empiètent pas l’une
sür l’autre et on peut écrire :
O est maximum pour ci) = O et
IE(ci))>)l 17
lE(4lIllax = N .
O La courbe est symétrique par rapport à la
verticale co = O. Dans le cas où Fe est supérieur a 2f0

@O
= 2 -, nous
O Le rapport des amplitudes du pic central et 2.n
du premier lobe secondaire varie très peu avec N . obtenons la représentation de la figure 19.
O IE(co)l
- est périodique, de période L’observation de la courbe dans la bande dcu
permet, en mesurant l’amplitude des lobes
centraux (F), de reconstituer le spectre
sin k.n bilatéral de la sinusoïde Vo cos (cool + cp).
= O :la largeur du lobe
sin - Remarquons qu’une telle analyse n’est possible
N que si Fe est supérieure à 2fo, soit CO,> 2~0,;s’il
2co en était autrement les raies situées aux pulsations
central est 2, la largeur des lobes latéraux est
N CO,- coo et u0- CO, entreraient dans le domaine
-
me d’analyse, de largeur da, et perturberaient la
N‘ mesure.
71
théorie du signal
I Fig. 19. I
La condition Fe > 2f0, connue sous le nom sinusoïde composante de f ( t ) le même
de Théorème de Shannon sera reprise dans le raisonnement.
chapitre concernant les signaux échantillonnés.
On obtient pour @(co)l la courbe de la figure 21.
Si la condition Fe > 2fM est respectée, l’observa-
4.2. CAS D’UN SIGNAL tion de IA(o)l entre O et coM permet de déterminer
PÉRIODIQUE le spectre de f ( t ) par l’amplitude des lobes
centraux.
Soit le signal périodique, dont le spectre
unilatéral, limité à o M ,est donné à la figure 20.
4.3. CALCUL NUMÉRIQUE

DU SPECTRE
La fonction IA(co)l est calculée numériquement à

partir d’échantillons prélevés sur le signal f ( t ) .
OM O
On ne peut donc pas la déterminer complètement
de façon continue. On ne peut que la calculer
Fig. 20. pour des valeurs particulières de la pulsation.
Si le nombre d’échantillons N est suffisamment Revenons au cas d’un signal f ( t ) sinusoïdal et
grand pour que les différents E ( o ) n’empiètent considérons la fonction IA(cu)l de la figure 19. On
pas l’un sur l’autre, on peut répéter pour chaque peut alors distinguer deux éventualités.
.......
2 ----
O OM O
Fia. 21.
72
signaux rseriodiques
a) La pulsation co0 est un multiple entier de la 4 points par lobe secondaire et 8 points sur le
pulsation d ’échantillonnage. On balaie alors la lobe central et la courbe expérimentale passe très
Co près du maximum.
courbe IA(co)l avec le pas d’incrémentation 2.
N
On calcule ainsi :
Toutes les valeurs de IA(co)lobtenues sont nulles
sauf celle correspondant à la pulsation co0 qui
NVO
vaut -. On reconstitue ainsi exactement le
2
spectre de la sinusoïde en calculant le module de Pour des valeurs de k comprises entre O et N - 1,
l’expression : Co
on décrit une plage d’analyse s’étendant de O à 2
4
qui ne contient que la raie de pulsation a0.
Pour des valeurs de k allant de O à N - 1, on Exemple de simulation sur ordinateur

décrit ainsi une plage d’analyse, s’étendant de O a
we, qui contient la raie de pulsation co0 et son Soit le signal f ( t ) = cos 27if o t avec fo = 500 Hz,
image à la pulsation CO,- coo. sur lequel on prélève 128 échantillons à la
fréquence Fe = 10 kHz ( T , = lOP4 s).
Cette expression est connue sous le nom de
transformée rapide de Fourier (T.F.R.), ou, en Pour représenter le signal, on introduit donc,
anglais, fast fourier transform (F.F.T.). dans l’ordinateur, le tableau :
Rappelons qu’elle ne peut conduire au spectre de E(n) = cos 271 500nTe = cos 0,lEn.
f ( t ) que s’il y a synchronisation entre l’échantil-
lonnage et le signal
(coo = k
3
- , ce qui ne
constitue pas une condition évidente à réaliser.
A partir de ce tableau, on calcule :
A(k&) =A(k&) =
127
n=O
E(n) eë2”j=
kn
Si la synchronisation n’est pas réalisée, on calcule 127 127

lA(~o)lpour des points mal répartis et la courbe kn kn
= E(n) cos 27c- -j E(n) sin 2n-.
obtenue s’écarte du spectre théorique; la valeur n=O 512 n=O 512
maximale de la courbe obtenue n’a d’ailleurs
aucun rapport avec l’amplitude de la sinusoïde On commence par entrer en mémoire les tableaux
(fig. 22). 271m 27cm
C(m) = cos - et S(m) = sin - pour m
512 512
compris entre O et 51 1.
Pour chaque valeur de k, comprise entre O et 127,
Courbe expérimentale on calcule :
en cas de 127
-syncivonirn
127
O 00 O et
Fig. 22.
puis
b) Pour éviter les effets de la non synchronisation,
on peut balayer la courbe IA(co)l
- avec un pas plus
= / R 2( k &) + $0 I2( k
. On obtient ainsi
4N Soit le programme BASIC no 1.
73
a 1
théorie du signal
Programme 1.
16DIM E(127),C(511),S(511) réservation de la mémoire pour les tableaux

26FOR M=&O 511
36C(M) =COS(2*PI*M/512)
46S(M) =SIN(2*PI*M/512)
56NEXT M
1
mémorisation des tableaux C ( m ) et S ( m )
66FOR N=6TO 127

76E(N) =COS(. 1*PI*N)
86NEXT N
~ ~ S LCE 6,566,6,72
A
1
mise en mémoire des échantillons E ( n )
166X AXlS 6,5

116Y AXlS 25,8
126FOR K=6TO 56
1
définition des axes
début du balayage en fréquence.

13dA=6 B = 6
146FOR N=6TO 127
156M = K*N
166IF M < 512 THEN 186
176M=M-512 C GOTO 166
127
kn
186A=A+E(N)*C(M) ... calcul de E ( n ) cos 271 -
O 51 2
127
kn
+
196B = B E(N)*S(M) ... calcul de 1
E ( n ) sin 2n: -
O 51 2
26dNEXT N
226PLOT K,F
... calcul
~ ~ ~ F = ( A A ~ + .B5 A ~ ) A d e A k-
(
22)
236NEXT K
246END
Le tracé fourni par l'ordinateur est donné figure 23.
Fig. 23.
74
Si le nombre N d'échantillons est grand par

4.4. DIMINUTION N-1
DES LOBES LATÉRAUX : rapport à 1, e - j r F N e+jnN - 1.

FENÊTRE
DE H A M M I N G
Dans les calculs précédents, tous les échantillons

ont la même importance. On dit qu'on a réalisé
une fenêtre rectangulaire. + -21
On conçoit que pour avoir une meilleure réponse,
il faut diminuer le poids des échantillons situés
aux extrémités du prélèvement, car le début de
l'échantillonnage sur la fonction périodique est
+- 1
5 +
sin 2 (Cu s)]
aléatoire.
Étudions l'effet provoqué par la multiplication de
l'échantillon d'ordre n par :
2
sin 3
2 (Cu + &)
n
2 n j ~
Le module du crochet est obtenu par addition de
trois courbes :
O une courbe IE(co)l multipliée par 1, restée
centrée ;
1
O une courbe IE(co)l multipliée par -, décalée
2
- 1
de -;
N"
1
O une courbe IE(co)l multipliée par ?, décalée
271
&(CO) A(co) de -.
est obtenue en translatant - L
N" 1
La multiplication de l'échantillon d'ordre n par :
de --.
NT,
n n
271n +2 n j ~ -2 n j ~
1-cos--=1---- La multiplication de l'échantillon d'ordre n par
N 2 2 ' n
1 - cos 271- conduit à la courbe de la figure 24.
transforme la fonction -
A(co) en N
A(co)
AH(co) = -
- 1
2 [ -A (Co - &)+ 4 + &)] (Co
La courbe résultante IEH(co)l possède un lobe
central de même amplitude que le lobe central
obtenu avec une fenêtre rectangulaire. La largeur
E(co), (paragraphe 4.1) devient :
La fonction - 4
du lobe central est doublée et passe à -. Les
N"C0 N"
sin ~
lobes latéraux sont atténués car ils sont obtenus
N-1 2
E
-H
(CO) = e-jTTem par addition de lobes alternés.
. Cu"
2 Pour simuler l'analyse sur ordinateur, il suffit
de modifier le programme BASIC du para-
graphe 4.3 en modificant la ligne 70 de la manière
suivante :
7a E(N) = ( C O S ( . 1 *PI*N))*
(1 -COS(2*PI*N/I 28))
N-1
-j n 7
La courbe fournie par l'ordinateur est donnée à la

figure 25.
75
théorie du signal
sin nfNTe
Fig. 24.
Fig. 25.
512 512 512 512
En effet, lorsque le nombre d'échantillons N est

4.5. ALGORITHME une puissance de 2 ( N = 24, elle conduit à des
D E TRANSFORMÉE RAPIDE algorithmes de calcul très rapides et la rapidité de
DE FOURIER calcul est un des éléments essentiels du traitement
numérique du signal.
La transformée rapide de Fourier :
Pour simplifier l'écriture, nous poserons
kn
= A(k), f ( n T , ) = f ( n ) , ep2"j, - WNk n?
avec O <k <N - 1, soit :
N-1
est très utilisée malgré ses défauts en cas de non- A(k) = f ( n ) . W:, transformée d'ordre N.
synchronisation. n=O
76
Sig naux périodiques
NI2 - 1
4.5.1. Propriétés des Wkn x 2 ( k )= C f ( 2 i + 1) . wkf2, transformée
i=O
d'ordre N / 2 effectuée sur les échantillons d'ordre
impair.
N
0 Pour n < -, Prenons par exemple N = 8.
2
Nous représenterons une addition par :
4.5.2. Algorithme de T.F.R.
En séparant les échantillons d'ordre pair et une multiplication par :

d'ordre impair, on peut écrire :
N/2-1
A(k) = 1
i=O
f ( 2 i ) . W"
N/2 -1
+ 1 f(2i + 1) . WNLi+l)
i=O Remarquons que
qu'on transforme en utilisant les propriétés des Xl(k+N/2)=Xl(k)
Wk.n .
' N/2-1 et +
X2(k N / 2 ) = x2(k).
A(k) = 1 f(2i)Wy'
i=O N/2-1 Le calcul peut alors être représenté par la
+ Wk1 1 i=O
f ( 2 i + 1 ) . Wkl2. figure 26.
Soit A(k) = x , ( k ) + wk . x , ( k ) , N
N/2 -1 Comme N = 2', - est un nombre pair et nous
2
avec : X l ( k ) = 1
i=O
f ( 2 i ) . Wk12, transformée pouvons partager chacune des T.F.R. d'ordre N / 2
d'ordre N / 2 effectuée sur les échantillons d'ordre en deux T.F.R. d'ordre N / 4 , suivant la représen-
pair ; tation de la figure 27.
Fig. 26.
77
théorie du signal
T. F. R. 1
pair
impair
Fig. 27
N/4 étant aussi un nombre pair, on partage Le graphe de la figure 29, montre que les
chaque T.F.R. d’ordre N/4 en deux T.F.R. d’ordre échantillons doivent, au préalable, être ordonnés
N/8, suivant la représentation de la figure 28. de la manière suivante :
En regroupant les graphes des figures 26, 27, 28,
on obtient pour N = 8 le graphe de la figure 29, f(O), f(4L f(2L f(6L
dans lequel chaque étape du calcul est repérée par
le nombre G, variant par puissance de 2, ici entre f(l), f(5L f(3L f ( 7 ) -
1 et 4.
Si on représente l’ordre des échantillons par leur

x; ( 0 )
valeur binaire, on obtient :
(’) O00 100 O10 110 O01 101 O11 111

Fig. 28. O ’ 4 ’ 2 ’ 6 ’ 1’ 5’ 3 ’ 7
--- G =1 G=2
Fig. 29.
G=4
78
si cl naux périodiques
Il faut donc renverser l’ordre des bits dans la Lors d’une étape, on calcule 2‘ valeurs de sortie
représentation binaire. On peut représenter cette Y ( J ) ,à partir de 2‘ valeurs d’entrée -
- X(J).
transformation de la manière indiquée à la
figure 30. X ( J ) et Y ( J ) sont
- des nombres complexes. Nous
utiliserons les mêmes tableaux pour mémoriser
1
O 4 2 ‘6 1 5 7i
3 7
les grandeurs d’entrée et de sortie soit R ( J ) pour
la partie réelle, I ( J ) pour la partie imaginaire.
Afin d’accélérer le calcul, on limite le nombre de

Fig. 30. multiplications complexes en calculant simulta-
nément les valeurs de sortie reliées par un
Cette remarque facilite la programmation sur croisillon sur la figure 29, c’est-à-dire Y ( J ) et
microprocesseur. De plus si le microprocesseur Y ( J + G), à partir de X ( J ) et X ( J + G).-
-
possède l’adressage indirect indexé, on introduit
la transformation de la figure 30 dans un tableau De plus, lors de chaque étape, on regroupe les
et la recherche de l’échantillon adéquat se fait calculs faisant intervenir le même W z avec rn
aut omatiquement. 2P- 1
N
variant par pas de -d e O à - - 1.
Pour une programmation en BASIC, la transfor- G 2
mation peut être réalisée par le programme 2.
Pour N = 128, on obtient le programme BASIC
Programme 2
no 3.
79 K = 9
8 9 FOR J = P T O 7
99 1=2
1 9 9 IF K<8/1 THEN 1 2 9
1 1 9 K=K-8/1 C I = l + l (3 GOTO 199
129 K=K+8/1
1 3 9 IF K < = J THEN 1 5 9
1 4 9 A = R ( J + I ) C R ( J + I ) = R ( K ) CR(K)=A
1 5 9 NEXT J
L’indice J se déplace dans l’ordre naturel, alors

que l’indice K compte dans l’ordre des bits
renversés. La permutation, ne devant être
effectuée qu’une fois, n’a lieu que si K < J .
Programme principal
Si N = 2’, le programme principal comporte
p étapes, correspondant chacune au passage de la
N
transformée d’ordre 2i+l, à la transformée
N
d’ordre -. Les étapes sont repérées par le
2‘
N
nombre G, variant de 1 à - par puissance de 2
2
(fig. 29 et 31).
Fig. 31.
79
théorie du signal
64
56
48
40
32
24
16
-
-
5Fe
1 1 1 1 1 , 1 1 1 1 , , 1 , 1 1 , , ,
- f
Fe
128
Fig. 32.
Le tracé fourni par l'ordinateur est donné la synchronisation est respectée. Nous obtenons
figure 32.
une raie à la fréquence -
Fe et son image à la
8
Fe F
La fréquence du signal à analyser étant f = -, fréquence Fe - 2.
8 8
EXERCZCES
1.
Un onduleur est un dispositif qui permet de convertir une
tension continue en tension alternative.
Le schéma de principe d'un onduleur autonome à
commande décalée est donné sur la figure 1.
E1
T
I I I I I I I I
-772' 1
- t/2+T/2
I
-TI2 TI2 772-Tlh ;
K2 O 772
T
T
Fig. 1. Fig. 2.
Les interrupteurs KI,K,, K,, K,, sont alternativement 1" Tracer la courbe représentative des variations de la
ouverts et fermés avec une période T suivant le tension u(t) et vérifier qu'il s'agit bien d'une tension
chronogramme de la figure 2. périodique alternée.
80
2" Montrer que la décomposition en série de Fourier de la 3.

271 Un canal de transmission numérique permet de transmettre,
tension u(t) s'écrit, en posant o = - :
T à l'aide d'une sinusoïde porteuse, des signaux qui ne peuvent
prendre au cours du temps que deux états notés O et 1. Les
cos 3714 états O et 1 correspondent aux motifs de la figure 1. On les
appelle bits.
sin 3ot
u--
c
cos 5 2
+- 5
T
sin 5ot + ...1 . Etat 1
3" Établir la relation entre z et T pour que l'harmonique 3

soit nul.
4" Calculer le taux de distorsion harmonique dans le cas & T t
où z = O (on se servira du résultat de la série entière
n2 1 1 1
-= 1
8 3
+ + +
-
52 72
- + ..., que 1'011 pourra éventuelle- Etat O
ment démontrer à partir de la décomposition d'une fonction Fig. 1.
triangulaire en série de Fourier).
1" Émission :Le modulateur, dont le schéma synoptique est
2.
donné sur la figure 2, reçoit :
Soit le dispositif de la figure 1 :
- la sinusoïde porteuse sous la forme de deux tensions
71
déphasées de - : A, cos o,t et A, sin o,t;
2
U
t A, cos wct
Fig. 1.
L'interrupteur K est basculé alternativement de la
position 1 à la position 2 avec la période T et le rapport
cyclique a.
Il a été établi que la loi de variations du courant i, est
périodique. La figure 2 donne les variations de i, pour
u = 0,5.
4 A, sin coct Fig. 2.
- deux signaux numériques a(t) et b(t)constitués par une

succession de O et de 1.
Le modulateur contient deux multiplicateurs de constante k
et un additionneur.
Montrer que le signal transmis s(t) se met sous la forme
I I m
T 12 T t
s(t) = kA,[a(t) cos o,t + b(t) sin oct]
= S cos (oct cp).+
Fig. 2.
Exprimer S en fonction de k, A, et E , et montrer que la
271 phase cp peut prendre quatre états, que l'on précisera,
1" En posant o = -, établir la décomposition de i,(t) en
T suivant l'état des signaux numériques u(t) et b(t).
série de Fourier.
2" Réception :Le démodulateur, dont le schéma synoptique
2" Par application du théorème de superposition et en
est donné sur la figure 3, permet de reconstituer les signaux
supposant R C o % 1, montrer que la tension u(t) s'écrit :
u(t) et b(t) à partir du signal reçu
u=----
2 7r 2LCo2
sin ot + sin33wt + 5
sin 5 o t
3+ ... .
3" Montrer que l'on peut, avec une bonne approximation,
1 +
s(t) = kA,[a(t) cos oct b(t) sin oct]
Le démodulateur contient deux multiplicateurs de
constante k et deux filtres passe-bas.
Jtablir le taux d'ondulation par
T2 a) On suppose, dans un premier temps, que les signaux a(t)
p=-. et b(t) sont sinusoïdaux :
7c3 J2LC
Zonclure. ~ ( t=) b(t) = E COS ut.
81
théorie du signal
3” Bande de fréquence encombrée par le signal modulé

Nous supposerons dans cette question que les signaux a(t)et
b(t) sont alternativement égaux à O et à 1 (fig. 5).
’
€0
T A 2T
I passe- bas
--€O
Fig. 5.
a) Décomposer le signal a(t) = b(t) en série de Fourier.

Montrer que les signaux u ( t ) et u ( t ) contiennent chacun trois
composantes sinusoïdales dont on précisera les amplitudes b) Montrer que le signal s ( t ) émis par le modulateur se met
et les fréquences. Tracer le spectre correspondant. sous la forme
m i
b) En réalité, les signaux a(t)et b(t)ne sont pas sinusoïdaux. s ( t ) = S, 1A [sin [[O, + (2P + 1 ) o l t + cpl
2P + 1
p=o
Ils ne sont même pas périodiques, car la succession des O et
- sin [ [ O , - (2P + l)w]t + (pl].
des 1 est aléatoire. On peut cependant montrer que leur
décomposition spectrale est constituée d’un bloc fréquentiei Exprimer S,, O et cp en fonction des données du problème :
limité à la pulsation wM(fig. 4). k, A,, E,, T .
c) En supposant qu’on obtient une transmission correcte
avec P d 2, déterminer la largeur de la bande de fréquence
encombrée par le signal émis.
d ) On décale les signaux a(t) et b(t)d’un demi-motif, c’es*-i-
T
dire de - (fig. 6).
2
En supposant coM < O,, donner la décomposition spectrale

le u ( t ) et de u ( t ) et montrer qu’il est possible de caler les
iltres passe bas de façon à restituer par a(t) et p ( t ) les
signaux a(t) et b(t).
:) Application nuwiérique : la pulsation de la sinusoïde
3orteuse est
O
f , = 2 = 70 MHz. Fig. 6.
271
3n désire effectuer une transmission à 17,2 mégabauds Montrer que le signal s(t)émis par le modulateur se met sous
:’est-à-dire 17,2 x 106bits par seconde, ce qui correspond à la forme
1
r =- 17,2
x 1OP6 = 58 ns.
s ( t ) = So p;o cos [O, + (- 1)p(2P + l)o]t.
Zn supposant que la succession des O et des 1, sur les
ignaux a(t)et b(t)est périodique et alternée, montrer que la En supposant toujours P d 2, quelle est la bande de
ransmission est possible. fréquence encombrée par le signal émis. Conclure.
82
signaux
O quelconques
Nous avons vu que, dans le cas général, les 1.2.1. Somme

signaux d'entrée x, et de sortie y , d'un système,
sont liés par une équation différentielle de la c[fi(t) + f2(t)l = [fi(t>+ f 2 ( t ) l e-!' dt
forme :
FdP)
=- + FA!).
du-' y
d" Y
+ dtn - 1 + "' + ' 0 Y
a,, - a n p l____
dt" L'opération somme sur les fonctions du temps se
traduit par l'opération somme sur les grandeurs
d"x
-
- bm-
dtm
+ b m - l dm-1
dt"-
~
x
+ ... + box. de Laplace associées.
Dès que l'ordre de l'équation différentielledevient 1.2.2. Multiplication par un nombre

supérieur a 2, la résolution mathématique directe
devient compliquée. Nous allons exposer une C[k . f(t)] = JO: k f ( t ) e-Ef dt = kF(P).
méthode permettant d'effectuer cette résolution
en transitant par un ensemble associé. L'opération multiplication par un nombre k, sur
les fonctions du temps se traduit par la même
opération sur les grandeurs de Laplace.
1 TRARISFORMÉE 1.2.3. Dérivation

D E LAPLACE
l 1.i.
DÉFINITION
A toute fonction du temps f ( t ) , on associe une

fonction de la variable complexe 0, soit
Si la fonction f ( t ) est telle que lim f(t) eppf = O :
F (-P ) définie par :
r [ f ( t ) ]= _ '-)a
l
c[f(t)] = F(P) =
Io: f (t) e-p' dt
où f ( O - ) est la valeur de f ( t ) à l'instant t = O-.
1 t = O - étant un instant aussi proche de zéro que
l'on veut mais avant t = O. 1.2.4. Intégration
'
( P ) est la transformée de Laplace de f ( t ) .
-F _
1 1 . 2 . PROPRIÉTÉS
i
l
Établissons, dans le plan de Laplace, les relations
l correspondant aux principales opérations effec-
tuées sur les fonctions du temps par l'équation
différentielle (somme, multiplication par un
nombre, dérivation, intégration).
83
théorie du sianal
Remarque à propos du théorème de la valeur

1.3. THÉORÈME initiale
D U RETARD
Soient deux fonctions du temps x(t) et y(t) liées
Soit f(t) une fonction du temps nulle pour t \< O- par la relation :
et considérons la fonction g(t) = f ( t - t,) en
retard de to sur f(t) :
E[g(t)] = jtomf(t - to) e-pf dt.

L’écriture de cette relation sur les transformées de
Laplace conduit à :
En posant t - t, = u, il vient : - P X-( P )- ~ ( o - ) ] ,
Y (-P )= K [ -
+ Kx(O-)
G (-
- P )= JO: f(u) e-!?u+to)du = e-Pto * F(E).
-
soit : X (-
- P)=-
Y(P)
-
K-
P
Un retard de to sur les fonctions du temps se Appliquons à x(t) le théorème de la valeur

traduit sur les grandeurs de Laplace associées par initiale :
une multiplication par e-Pto. x(O+) = lirn P X ( P )
P - i m __ -
-
-
= lim x(O-) + lim P W )

P-CO P-CO KP
1.4.TRANSLATION
DANS LE PLAN
COMPLEXE
Soit - P ) la transformée de Laplace de f(t) :

F (- Or lirn P Y ( P ) = y(O+), -- P ) est donc borné,
P Y (-
P-CO --
lorsque P tend vers l’infini à moins qu’à l’instant
F (-
- P- Co>= j,-f(t) e-(!-po)t t = O, y@ devienne infini.
= OJ: [f(t) ecot] e-pf dt = C [f(t) efot].

En conséquence lirn
KP
P + C ~
a= O, car le numéra-
teur est borné et le dénominateur tend vers

La multiplication par eoot sur les fonctions du l’infini.
temps se traduit par une translation de -
Po sur les En définitive ~ ( 0 ’ )= x(O-), si y(t) ne devient pas
transformées de Laplace. infini à l’instant t = O.
Nous avions déjà vu cette propriété :
- pour une inductance

( ddj) ,
u=L-
laquelle il ne peut y avoir de discontinuité
pour
de courant, à moins que la tension puisse

1.5. THÉORÈMES être considérée comme infinie;
DE LA VALEUR INITIALE
ET D E LA VALEUR
FINALE
- pour une capacité
( * z dd:) ,
= C-
laquelle il ne peut y avoir de discontinuité
pour
de tension, à moins que le courant qui la

F (-
Soit - P ) la transformée de Laplace de f(t). traverse devienne infini.
On montre que : Elle apparaît aussi pour la mise en vitesse d’une
lim P F ( P ) = Iim f ( t ) = f(û+), théo- pièce tournante, pour laquelle la vitesse de
P-er, -- t>O-rO
rème de la valeur initiale.
rotation Q(t) et l’angle de rotation O(t) sont liés
e Xim PF(P) = fim f(t), théorème de la
P-iO -- t” a>
par Q(t) = 9.
dt
L’angle de rotation û(t), ne
valew frnate, peut pas subir de discontinuité a moins que la
A condition que ces limites existent.
vitesse de rotation Q(t) soit infinie.
84
sianaux auelconaues
Il s’agit de l’intégrale de l’échelon d’amplitude a.

1.6. TRANSFORMÉES En conséquence, sa transformée de Laplace
D E LAPLACE s’écrit :
D E FONCTIONS SIMPLES a
- - = -.
F(P)
P2
-
1.6.1. Impulsion de Dirac s(t)
Il s’agit de la fonction représentée à la figure 1, 1.6.4. Exponentielle
pour laquelle t, tend vers zéro avec At, = 1, I
étant une constante (intensité de l’impulsion). f(t) = efoi
f a 1
t
Fig. 1.
1.6.5. Sinusoïde
,jet - ,-jwt
Sa transformée de Laplace s’écrit : f(t) = sin cut =
2j ’
soit :
J o- LJ
Co
F (-
- P ) = 1.
1.6.2. Échelon U ( t )
Il s’agit de la fonction représentée à la figure 2, qui 1.6.6. Cosinusoïde
est, en fait, l’intégrale de la fonction de Dirac. En ejwt + - jwr
conséquence sa transformée de Laplace s’écrit : f(t) = cos cut =
I 2
F(P) = -
P
-
pu)
‘
O
0 *
r
Fig. 2.
2. APPLICATION
1.6.3. Rampe A LA RÉSOLUTION
Il s’agit de la fonction représentée à la figure 3. DES SYSTÈMES
Pour t > O, f(t) = at.
Soit un système dont les grandeurs d’entrée x(t) et
de sortie y(t) sont liées par l’équation
différentielle :
d”x dm-1 X
Fig. 3.
t
=b,-+b,-i-
dtm
dtm- 1 + ... + box.
85
théorie du signal
L'application de la transformation de Laplace à b) Compte-tenu de l'équation différentielle et des

cette équation conduit à : conditions initiales, on calcule -
Y (P).
-
c) On cherche l'originale y ( t )dont la transformée

de Laplace est Y ( P ) = -."Pl Pour ce faire on
--
-D(P) \-f
procède de la manière suivante :

- soient - Pl, ..., P, les valeurs de P qui
Po, -
annulent le dénominateur - D(P);
- les on
appelle pôles de -Y(P).
-
- P ) se
Y (- met alors sous la forme
+ bm-,rP"'x(P) - Em-2x(o-)
-
toute fraction rationnelle en p peut être

qu'on peut écrire sous la forme : décomposée en éléments simples, soit :
Y (-
- P)[a,F + an-lP"-l + ... + a,] A
p ) = _O + A
y (-
A
+ ... + LA
-
-
X (-
=- P)[b,P" + b m - ,-Pm-I + ... + bol + Co(!), -
p-Co p-El P P,'
-
-
-
où - - est un polynôme en P qui dépend des

C,(P) - Pour calculer le coefficient A',on multiplie
conditions initiales, à l'instant t= O, soit : les deux membres de l'équation par P - E
et on fait - P j dans chacun des membres,
P =-
soit :
2.1.MÉTHODE
D E RÉSOLUTION
Dans le cas où l'ordre de l'équation différentielle

est supérieur à 2, la résolution devient compli- 1
d) Sachant que est la transformée de
Pj P
~
quée. Plutôt que de résoudre directement cette -
équation, on préfère alors transiter par les Laplace de epj', O< revient sur les fonctions du
transformées de Laplace (fig. 4) : temps en prenant l'originale de chacun des
a) Pour une entrée x ( t ) donnée, on calcule la termes, soit :
transformée de Laplace X ( P). A , epot+ -
y(t) = - A , eol' + ... + -
A,, epn'.
équation différentielle
W) * y(t) = -
A, ePor+ ... + 4, epn'
t
calcul
transformation de
de l'originale
Laplace
I
1 I
X(P>
--
Compte-tenu de l'équation
différentielle et des conditions initiales
Y-
- P
- -
A
( P )= -.-=SL
- Po
+ ... -
+ P An P,
---
Fig. 4.
86
signaux quelconques
REMARQUES Remarquons d’ores et déjà que :

- Si la partie réelle d’un pôle est positive,
a) Dans le cas où il existe un pôle multiple, l’amplitude de y ( t ) augmente indéfiniment : le
on montre que . système est instable; cette remarque sera
_F (-P ) = ( P - NPo)qDl(p)’
(P)
exploitée lors de l’étude des systèmes boucles:
- si un des pôles possède une partie réelle
P ) = 2+ -
B Bl nettement plus faible que les autres en valeur
F (-
- ( P - P0)4 (P- P0)q-
- - absolue, la réponse correspondante disparaît
moins rapidement, on a affaire ù un pôle
dominant.
avec
2.2.EXEMPLE DE RÉSOLUTION :
RÉPONSE D‘UN CIRCUIT
L’existence de pôles multiples correspond, en D U 2ème
ORDRE
général, ù des cas particuliers limites entre deux
modes de réponse. À UNE IMPULSION
b) Les coefficients du polynôme o(0)étant réels, ses D E DIRAC
zéros, qui sont les pôles de Y ( P ) , sont réels ou
imaginaires conjugués (Ok et ET).- Soit le système dont l’entrée x et la sortie y sont
Dans le cas où les pôles sont imaginaires conjugués, liées par l’équation :
posons :
P, = a + ju, d2Y
-
Pk = a - ju,
-
dt
+ 2m0, dY
dt
+ ooy = u;x.
-
-
ou Prenons pour signal d’entrée x, une impulsion de
P ) peut s’écrire :
Y (-
- x(P)= --
(0- p d p - 0:) Dirac -
X (-
P ) = I , et étudions la réponse dans le cas
P ) est
R (-
- une fraction rationnelle en 0. où les conditions initiales sont nulles :
Les coefficients Ak et A; correspondant aux pôles ck
et 0: s’écrivent : dY -
y(0-) = - (O )=O :
dt
0;I
Y (-P )=
- p2
- + 2 m 0-, ~+ w;
A; se déduit donc de A k par remplacement de j en
- -j
(Ak et 4; sont aussiimaginaires conjugués).
Posons : Ak = A ejp
et A’ - A e - j p .
-k -
A 1 ’ensemble des pôles conjugués correspond donc la
réponse :
A e j p , ( a + j w ) t + A e - j p ,(a-jot)
a) m > 1 : Les deux pôles El et o2sont réels :
= A e a ‘ [ e j ( w t + p ) + ,-j(wt+cp)
1 pl = - m a o + c(,,Jm2i,
=2A eat cos [ u t + 411. = maO- c o o J m .
-
Nous retiendrons : 0;I - UOI

A l =-
-
-
Dans le cas où il existe deux pôles complexes pi

- - 0 2 2 J z z
conjugués, la réponse s’écrit : et
2 A eat cos [ot + cp], w; I - 0,I
-
A2
- -
avec p2-El
- 2 J 2 - T ’
a :partie réelle
CO : partie imaginaire 1 P, .
d’un pôle -
La réponse correspondante est :
A : module
1
du coefficient -
cp : argument correspondant.
Ak
87
théorie du signal
b) m < 1 : Les deux pôles -

Pl et 5 sont Exemple : trouver l'originale de
imaginaires conjugués : P+1
-
Y (P)
- =
5 = - mw, + j w 0 J G 2 , -
(0+ 2)(E2 + 20 + 2)
02 = - muO - j w o J l _ m Z . Y ( P )présente :
- le zéro Z
- , = - 1,
- les pôles Pl= - 2, -
P2 = - 1 +j ,
P
- i = - 1 -j.
La réponse correspondante est : La représentation dans le plan complexe est
donnée à la figure 5.
p2 t ,'
X
t
Re
2.3. DIAGRAMME DES PÔLES
ET DES ZÉROS
Fig. 5.
Y ( P )=-=A-A + A L A' + L
-- P - P-
- , P - P-
- , P - P-
- i'
Calcul de Al
dans laquelle Z , , ..., -
2, sont les zéros de _Y (-P ) ,
El,..., 5 sont c s pôles de -Y (P).
-
Le calcul d'un coefficient -
A, conduit a :
A, = K
-
A 1 -- - -
1
Soit : -
Soient : 2
O Zi, le point associé à zi
dans le plan
complexe et représenté par O,
O P j ,le point associé à 5 dans le plan complexe A,
Calcul de -
et représenté par x .
-
-
Le vecteur associé au nombre pi - - Zi étant ZiPj,
il vient, en appelant Ox l'axe réel :
La réponse s'écrit donc :
88
signaux quelconques
REMARQUE REMARQUES
La stabilité d'un système impose qu'il n'y ait pas de T (-
- - P ) est caractéristique de la nature de la
pôles à droite de l'axe imaginaire. Si un pôle se relation liant l'entrée et la sortie. On peut, en
rapproche de cet axe, le mode correspondant effet, reconstituer l'équation différentielle, à
disparaîtra d'autant plus lentement. partir de r(c), en remplaçant toute multiplica-
tion par 0, par une dérivation.
Dans le cas général, les pôles sont fonction des
- U n fonctionnement particulier du système
paramètres du système (résistance, amplification,
amortissement, ...). Le tracé, à l'ordinateur, de dépend, non seulement de l'équation différen-
tielle, mais aussi des conditions initiales. Ainsi,
1'évolution des pôles, en fonction d'un paramètre
tout comme l'équation différentielle seule, la
permet de déterminer les conditions de stabilité du transmittance de Laplace seule ne peut pas
système et son réglage optimum.
conduire à la solution d'un problème
particulier .
Pour tenir compte des conditions initiales il
faut, à partir de l'équation
3.TRANSMITTAMCE T (-P ) . -
_Y (_P )= _ X (-
P),
DE LAPLACE retrouver 1 'équation différentielle et repasser
en transformées de Laplace, compte-tenu des
conditions initiales.
Nous avons vu que, dans le cas général, l'entrée - Notons cependant que x(p) et x(p) ont le
x(t) et la sortie y(t) d'un système, sont liées par une même dénominateur
équation différentielle de la forme : a , r + a,- lp"-l + ... + a, =
d" Y d"x La stabilité, ainsi que la forme de la réponse
a, --k
dtn
... + a, y = b, -
dt"
+ ...+ box. dépendent des valeurs de P qui annulent
- . Z(p)suffit donc pour traduire la nature
D(P)
-
de la relation entre l'entrée et la sortie.
D'autre part les dérivations intervenant dans
cette équation se traduisent sur la transformée de L'opération dérivation se traduit :
O sur la transmittance complexe, en régime
Laplace par :
sinusoïdal permanent, par une multiplication par
jco.
O sur la transmittance de Laplace, par m e
multiplication par 0.
On peut y distinguer : On passe donc de la transmittance de Laplace
- la multiplication par P qui est caractéris-
P
à la transmittance complexe en remplaçant -
tique de la dérivation- par jo.
- le terme f(O-) qui tient compte des
conditions initiales, c'est-à-dire d'un fonc-
tionnement particulier. 4. IMPEDAMCE
Dans le cas où toutes les conditions initiales sont
8PÉ RATI ON NE LLE
nulles : Écrivons la transmittance de Laplace pour les
dy - d"y - trois éléments passifs; x(t) et y(t) sont alors des
y(0-) = - (O ) = ... = -(O ) = O, tensions ou des courants.
dt dt" du
Les relations fondamentales u = Ri, i = C -,
l'équation différentielle conduit à : di dt
u = L -, conduisent respectivement à
[a,P"
- + a n P l r - l+ ... + a , ] x ( ~ ) dt
= [b,O" + b,- 0"- + ... + bol X(p), U (-P ) = R!(E),
- _I (-P ) = C-_
P U (- P);
U (-
- P )= L P I ( P ) .
soit
Ces relations peuvent être mises sous la forme
générale U(-
- P) = _ Z(_P )_Z( P_)
où z(c), est 1'impédance opérationnelle de
avec l'élément, soit :
O -
Z (-P ) = LP - pour une inductance,
b m ~ m + b , - l p m - l+...+ b, 1
T (-P ) =
- a , _ P " + a , - , ~ - l+...+a, Z (-
O - P ) = -pour une capacité,
CE
-T_( P )est la transmittance de Laplace du système. Z (-P ) = R pour une résistance.
O _
89
théorie du signal
La forme de la relation - U (-P )= _

Z (-P_ ( P ) est
) I_ Toutes les conditions initiales étant nulles
analogue a la relation u = R i pour les réseaux (u2(O-)= O et u(O-) = O), nous écrivons :
résistifs. En conséquence tous les théorèmes que
nous avons établi au paragraphe 3 du premier
chapitre sont valables en régime quelconque, à
condition de raisonner sur les impédances
opérationnelles.
E
avec U(P)=-.
4.1. EXEMPLE P
-
D E RÉSOLUTION :
ATTÉNUATEUR COMPENSÉ
4 . 1 . l . Atténuateur parfait
Soit le schéma de la figure 6. Quelle que soit la D'où la loi de variation de u2(t):
1
forme de la tension u, nous pouvons écrire :
R2
u2 = R 2 i = U.
Rl +R2 Les courbes de la figure 8 donnent l'évolution de
la tension u2 correspondant aux atténuateurs
réels et parfaits.
AY Atténuateur parfait
R2E
I '
Fig. 6.
Atténuateur réel
4.1.2. Atténuateur réel c

i
Compte tenu des capacités d'entrée des étages
suivants, on peut donner pour l'atténuateur réel
le schéma équivalent de la figure 7. Fig. 8.
4.1.3. Atténuateur compensé
Afin de compenser l'effet de la capacité C,, on

place en parallèle sur R , une capacité C1,ce qui
conduit au schéma de la figure 9.
Fig. 7.
La capacité C,, s'opposant a la variation de la

tension à ses bornes, perturbe la réponse de
l'atténuateur dans le cas où les variations de u
sont rapides. Étudions, en particulier, cette
réponse lorsque la tension u est un échelon de
tension d'amplitude E , la tension u2 étant nulle à -
l'instant t = O-. Fig. 9.
90
signaux quelconques
On espère ainsi accélérer l’évolution de la ER2 , loi identique à celle de l’atté-

U2(4 =
tension u2. Supposons, en effet, que la tension u R , +R2
soit un échelon de tension et qu’à l’instant nuateur parfait : l’atténuateur est parfaitement
t = O-, les condensateurs soient déchargés compensé.
(u,(O-) = u2(0-) = O). A l’instant t = O il appa- C1
raît un court-circuit instantané par les capacités b) A l’instant t = O+, u 2 ( O f ) = E
C , et C,, et le courant i(0)est infini : on se trouve
c, + c2
R2
ainsi dans le cas exceptionnel qui autorise des A l’instant t + CO, u2(co)= E
variations brutales de la tension aux bornes du Rl + R2 *
condensateur et dans ce cas u2(O+) n’est pas égale

à u2(0-).
Les conditions initiales étant nulles u2(O+)> u2(m),l’atténuateur est surcompensé.
( u 2 ( 0 - )= u,(O-) = O), on peut écrire :
Cl
Si < R2 , soit R , C , < R 2 C 2 ,
Cl + C , Ri +R2
u2(O +) < u2( CO), l’atténuateur est sous-compensé.
Suivant la compensation, nous obtenons pour
soit : l’évolution de u2(t), les courbes de la figure 10.
(t)
E CS u2
\%,/mmpensé Attuateur parfaitement
E
= U(0)
- [il -1
- + C,P .
,Atténuateur surcompensé
U (-P )étant
- égal à - il vient :
P
-
1+R,C,o
Atténuateur sous
compensé
Cl + c2
l-P1+
-
D’où la loi de variations de u 2 ( t) :

Remarquons que la résolution du problème par
l’équation différentielle présente une difficulté,
qui n’apparaît pas dans la résolution par la
transformée de Laplace. En effet u 2 ( 0 + )n’étant
pas égale à u2(0-), la détermination de la
constante d’intégration nécessite, au préalable la
connaissance de u2(O +).
Remarquons, de plus, que l’étude par la
transformée de Laplace se faisant à partir de
+
t = O-, la relation u = u1 u2 ne conduit pas à
du, du,
-+ ___ = O, car à l’instant t = O la tension u
dt dt
Remarquons : présente une discontinuité. Une telle écriture
a) Si la condition aurait conduit à
Cl + R2 - 1 = o
Rl
c, + c2 R2
est satisfaite, c’est-à-dire R , C , = R2C,, ce qui est absurde.
91
théorie d u signal
EXERCICES
1. 3” On monte en cascade les deux dispositifs précédents
1” Un échantillonneur (fig. 1) est un dispositif qui délivre (fig. 4). Le signal d’entrée e(t)est un échelon d’amplitude E,,
une suite d’impulsions d’intensité f ( n T J ou f(nT,) est la nul avant l’instant t = O. Calculer la transformée de Laplace
valeur du signal d’entrée f ( t ) à l’instant nT,. Pour un signal du signal u(t). En déduire que les signaux e ( t ) et u(t) sont
d’entrée en échelon d’amplitude E,, nul avant l’instant identiques. Le justifier par un raisonnement physique.
t = O, le signal s(t) a la forme décrite à la figure 2.
4” Le résultat précédent e s t 4 valable quelle que soit la
forme du signai e(t)?Le justifier en montrant qu’on ne peut
t Te
pas caractériser l’échantillonneur par une transmittance.
(On pourra vérifier, par exemple, qu’un même signal s ( t )
peut être obtenu à partir de signaux e ( t ) différents.)
2.
Fig. 1.
Soit le dispositif décrit sur la figure, dans lequel
l’interrupteur K est basculé alternativement de la position 1
Impulsion à la position 2 avec la période T .
d’intensité E0
Te *Te
Fig. 2.
t l
On prend comme origine des temps l’instant du dème
Montrer que la transformée de Laplace du signal s(t) s’écrit basculement de l’interrupteur K , de la position 1 vers la
alors : OCI
position 2. Le condensateur C, est alors chargé sous la
S(P)= E , C e-PnTe tension u2(0-) = U2(n-1)et u , ( O - ) = E.
n=O
EO
1” Montrer que la transformée de Laplace de la
=- tension u,(t) s’écrit :
1 - e-PTe
2” Un bloqueur (fis. 3) est un dispositif, qui, à une

impulsion d’entrée u(t), d’intensité E , , fait correspondre un
signal de sortie u(t), constitué par un créneau
d’amplitude E , et de durée T,. 2” Montrer que l’application, à g2(c),
du théorème de la
valeur finale conduit au même résultat que l’application du
Impulsion théorème de la valeur initiale.
d’intensité €, Justifier ce résultat par un raisonnement physique.
Soit U Z nla valeur de u2 après le niemebasculement.
En posant y = ___
cl , établir la relation de récurrence
Cl + c2
u,, = YE + (1 - W , ( n - l ) .
Fig. 3.
3” En déduire que U z n s’écrit sous la forme
U2, = Cl - (1 - y)”]E.
Calculer les transformées de Laplace U ( P ) et V ( P ) des
signaux u ( t ) et u(t).
En déduire que la transmittance de Laplace du bloqueur
4” La courbe représentant u,(t) est formée d’une succession
de marches d’escalier.
s’écrit
Montrer que si la capacité Cl est très faible devant C,,
l’amplitude de ces marches est faible et qu’on peut assimiler
u 2 ( t ) à une fonction continue.
T
5” En posant (1 - y) = e-7, montrer que l’évolution de la
t Te tension u,(t) est identique à celle qu’on obtiendrait en
T
--t. ECHANTILLON branchant entre les points 1 et 2 une résistance R = -.
e(t) Cl
Conclure en montrant qu’on réalise ainsi une résistance,
Fig. 4. fonction d’une fréquence.
92
signaux
O échantillonnés
1 ÉCHANTILLONNAGE
Soit un signal f ( t ) .On réalise un échantillonnage

sur le signal en prélevant ses valeurs à la
1
fréquence Fe = -, dite fréquence d’échantillon-
K? Fig. 2. t
nage. On fait ainsi correspondre, au signal f ( t ) ,
une suite de nombres : où d,(t - nT,) est la fonction de Dirac, centrée sur
t = nT, et d’intensité unité.
{ ... f ( O > , fK), f(nT,),
*..7 **- 1 *
En conséquence, le signal f * ( t ) s’écrit :
Les nombres ainsi obtenus sont destinés à être cx)
traités numériquement. f*W= f(nT,)x - nT,).

T, étant la période d’échantillonnage, on n = -cc
représente un échantillonneur par le schéma de la La fonction f * ( t ) étant nulle pour t # nT,, on

figure 1, dans lequel l’interrupteur est fermé peut encore écrire :
c
Co
pendant un temps très court aux instants t = n z .
f*M= f(t> u t - n u
c
Co fl= -cc
d,(t - nT,) est un peigne de Dirac,
n=-oc)
représenté sur la figure 3.

On peut alors donner, de l’échantillonnage, le
schéma équivalent de la figure 4.
Fig. 1.
Afin de représenter le signal échantillonné par n=- 00 intensité 1 Te L

/ I I
une fonction mathématique f * ( t ) , (jig. 2), on
convient d’associer à l’échantillon d’amplitude
f(nT,), une impulsion de Dirac d’intensité f ( n T , ) :
t
Fig. 3.
f(t)
+-O0
MULTIPLICATEUR
Fig. 4.
93
théorie du signal
Il est intuitif que la représentation de f ( t ) par

f * ( t ) est d'autant meilleure que la période 2.2. SPECTRE
d'échantillonnage est plus faible. Les para- D'UNE SINUSOIDE
graphes suivants le confirmeront. ÉCHANTILLON N ÉE
Soit le signal f ( t ) = A cos 2nf0t.

2. SPECTRE DU SIGNAL Le signal échantillonné correspondant s'écrit :
ÉCHANTILLONNÉ 1 " 2
f * ( t ) = Acos2nfot - +1 -cos2.nnFet
T, n=iTe
Co
2.1. SPECTRE DE = AT,[cos 2nf0t + 1cos 2n(nFe -fo>t

2 s u ( t - nTe)
n=l
+ cos2n(nF, + f o ) t
1
n=-al
Le spectre correspondant est donné sur la

1
.
Soit la fonction g(t) représentée à la figure 5. Il

s'agit d'une fonction périodique, de période T,. figure 6.
Décomposons-la en série de Fourier en utilisant
la forme exponentielle.
A
O ) Fig. 6.
T Te t
Fig. 5.
AT
2.3. SPECTRE D'UN SIGNAL
A0 = valeur moyenne de g(t) = -, PÉRIODIQUE
K?
t
2
c
Ifri,
=-
- Enveloppe du
Te, O
spectre
--
2Az -
- e Fig. 7. O FM f
T,
Soit un signal périodique f ( t )dont le spectre F ( f )
z s'inscrit dans une enveloppe limitée à F , (fig. 7).
sin nn-
2Az - nj-Tnre T, En répétant, pour chaque sinusoïde de la
Cn=-e
-
T, nz décomposition de f ( t ) , le raisonnement du
n-
Te paragraphe précédent, nous obtenons pour le
spectre de f * ( t ) le diagramme de la figure 8.
Le peigne de Dirac est obtenu, à partir de g(t), en
faisant tendre z vers zéro, tout en maintenant le
produit Az = 1, ce qui conduit a :
1 2
et =-.
Ao=E " T ,
En conséquence :
+al
1 " 2 nt
C
n=-al
J,(t-nT,)= -
Te
+ 1 -cos2n-.
n=iK? Te
O
Fig. 8.
Fe
94
signaux échantillonnés
H (-P ) réalise
circuit dont la fonction de transfert _
3. RECONSTITUTION l’opération décrite à la figure 10.
D U SIGNAL
I x ( rintensité
) I hY(U
3.1. RECONSTITUTION
PAR FILTRAGE
PASSE-BAS
OkL t
Fig. 10.
’h Te t
L’observation des spectres des figures 7 et 8

A une impulsion de Dirac en entrée (x(t) = s,(t)),
montre qu’on peut isoler, à partir de f*(t), toutes
correspond en sortie un créneau y ( t ) d’amplitude
les composantes sinusoïdales de f(t). Il suffit pour
unité et de durée T,.
cela de caler un filtre passe-bas entre F , et
Fe - F,. Afin de déterminer -H_( P ) ,calculons - P )et -
X (- Y(P)
- :
Cette reconstitution n’est possible que si
F M < Fe - F,, soit : -X _
(P)= 1
Théorème de Shannon Nous en déduisons -

H (-P ) =
X(P)
-
Y ( P ) 1 -e-pTe-
=
La reconstitution d’un signal f ( t ) à partir

La transmittance complexe, en régime sinusoïdal
d’échantillons prélevés à la fréquence Fe, n’est
permanent, s’écrit donc :
possible que si la fréquence d’échantillonnage Fe
est supérieure à 2 fois la fréquence maximale
des harmoniques de f(t).
__
2
3.2.RECONSTITUTION
PAR BLOCAGE Si un échantillon est maintenu pendant le temps
T,, tout se passe comme si le signal f*(t) était
A partir de f*(t), nous obtenons le signal passé à travers un filtre dont la fonction de
échantillonné et bloqué b(t) en maintenant la transfert s’écrit :
valeur d’un échantillon jusqu’à l’apparition de . cor
l’échantillon suivant (fig. 9).
i
b ( t ) : signal échantilloné et bloqué -
1 2
3.2.2.Conséquences
O L’harmonique de pulsation CO est retardé de
l’angle --,
U T , ce qui correspond à un temps
O
t 2
Fig. 9. coT, 1 Te
de retard z = -- = -, ce qui est
2co 2
3.2.1. Effet du maintien logique d’après l’observation des courbes
d‘un échantillon pendant T, f*(t) et b(t).Ce temps de retard peut être un
facteur d’instabilité pour certains systèmes.
Maintenir un échantillon pendant T, revient à Nous en reparlerons lors de l’étude des
faire passer le signal échantillonné à travers un asservissements numériques.
95
théorie du signal
O L’amplitude de l’harmonique de Appliquons la transformation de Laplace à la

pulsation CD est multipliée par : fonction f * ( t ) . Il vient :
K-
. UT,
sin 2 sin nf T,
= T,-.
-
F*(P)= j1 C o 0 3
O- n=O
f(nK)6,(t- nT,)e-ordt.
a zf K
La fonction 6,(t - nT,) étant nulle pour t # nK,
2
Si le signal f ( t )est sinusoïdal (f (t) = A cos 2nf0t), F*
- (c)
s’écrit :
on obtient pour le spectre de b(t),le diagramme de
la figure 11. F*(c)= 10‘
c f(nK) e-EnTe6,(t
nrû
- nT,) dt.
D’autre part, l’intégration est distributive par

rapport à l’addition, soit :
Fig. 11
Co
F*(E)\=
- 1f(nK)e-PnTejo:6.(t
n=O
- nK) dt,
6,(t - nT,) étant la fonction de Dirac unité,

JO:6,(t - nz)dt = 1,
F*(c)=
-
n=O
c f(nK)(e’ETe)-’.
Co
En effectuant le changement de variables :

REMARQUES 2 = eETe,-
- F*(P)
- devient F(Z)telle que :
a) L’effet du blocage provoque une atténuation de
tous les harmoniques de fréquence supérieure à fo.
U nfiltrage rudimentaire suffira donc pour reconsti-
tuer la sinusoïde de fréquence fo. Ce résultat pouvait
être prévu car le signal b(t)est plus proche de f( t )que
ne l’est f *(t). F (_2 ) est la transformée en 2 de f ( t ) : c’est la
_
b) Si fo 4 Fe, les harmoniques defréquence Fe - fo, transformée de Laplace du signal échantillonné
Fe + fo, 2F, - fo, ..., se regroupent sur les points où f * ( t ): nous la noterons aussi Z [ f ( t ) ] .
sin nf T,
la fonction~ s’annule. I l ne reste alors qu’une
nf T? *
seule raie d’amplitude A et defréquence f o , ce qui est
logique car, alors, la fonction b(t) est très proche de REMARQUE
f (t). Nous avons établi, qu’en régime sinusoïdal perma-
c ) Par contre si fo n’est pas très faible par rapport nent, il est possible de passer de la transmittance
à Fe, l’amplitude de la sinusoïde obtenue après F
complexe à la transmittance de Laplace F ( P ) en
A sin nf Te remplaçant ju, par 0. On passe donc & la
filtrage n’est pas égale à A mais à
nfT? transmittance complexe, à la transmittance en par
z
I’op&ation = e j O T e = e +W f Te
z
Cette relation n’est pas univoque; en effet deux
1
valeurs de fréquence distantes de - conduisent à la
4. TRAM$FQRM Te
même valeur de g. Ce phénomène est à rapprocher de
celui observé lors de l’étude spectrale : un bloc
fréquentiel de f ( t ) conduit, après échantillonnage, à
4.1.
DÉFINITION 1
une infinité de blocs fréquentiels séparés par -.
T?
Soit un signal f (t),nul avant l’instant t = O, et soit
, f * ( t )la fonction obtenue en échantillonnantf(t) à
la fréquence Fe. Compte tenu de f’(t) = O pour 4.2. PROPRIÉTÉS
t < O, il vient
Co
f*@) = f ( t ) n1
=O
d u @ - nT,) 4.2.1. Linéarité
c f(nK)d,(t
Co
= - nK). Par suite de la distributivité de la somme et de la

n=O multiplication par un nombre par rapport au
Calculons la transformée en 2 de tf(t) :

al
Z[tf(t>]= 1 nT,f(nT,)Z-"
n=O
-
al
=zT,
- 1 nf(nT,)Z-n-l
-
n=O
4.2.2. Retard temporel
Soit un signal f(t) échantillonné à la fréquence

1
Fe = -, et soit - Z ) sa transformée en 2.
F (-
T,
Considérons la fonction f(t - kT,), nulle avant
l'instant t = kT,, en retard de k T , sur f ( t ) : 4.2.5. Théorèmes de la valeur initiale
Co e t de la valeur finale
ZCf(t - 4 1= 1f u n
n=k
- k)T,Ig-".
F(Z),
Soit - - la transformée en 2 def(t); on montre
En effectuant le changement de variables que :
rn = y1 - k, il vient : lim f(nTe) = lim F(Z),
Co
n+O -Z-CO - -
Z[f(t - kT,)] = 1 f ( r n T ,-) Z - m-Z - k

m=O
lim f(nTe) = lim (1 - _Z-
n'Co z+1
-
F(Z).
l) --
Co
m=O
4.3. TRANSFORMÉES EN 2
D E FONCTIONS SIMPLES
REMARQUE
1 D'après la relation précédente, le produit d'une
',
transformée en Z par 2- provoque un retard de T,, 4.3.1. Échelon
c'est-à-dire le passage de l'échantillon f(nT,) à
l'échantillon f [ ( n - 1) TJ. Cette remarque nous sera f(t) = A pour t 3 O
très utile pour l'établissement des algorithmes de
traitement numérique. = O pour t < O
sa transformée en 2 s'écrit :
al A
4.2.3. Translation complexe
Soit F ( Z ) la transformée en Z de f ( t ) .
Nousavons vu que la multiplication de f ( t ) par
eEot,se traduit sur la transformée de Laplace par
le remplacement de P par P - Co.L'opération se
traduit donc sur 1; transformée en Z par le 4.3.2. Rampe
remplacement de ePTepar c'est-à-dire
par une multiplication de - Z par e-foTe: f ( t ) = At pour t >, O,
Z e-ooTe].
Z[eEo'f ( t ) ] = F [- =O pour t < O .
La rampe étant obtenue à partir de l'échelon par
4.2.4. Multiplication par t multiplication par t, nous en déduisons :
d
Soit -
F (-
2 ) la transformée en Z de f(t). F ( Z ) = -gT,- A-
al -_ d-Z[ g ! l]
-F(Z)
_ = 1 f(nT,)S-",sa dérivée par rapport à -2
n=O
s'écrit :
97
théorie du signal
4..3.3. Exponentielle
4.4. INVERSION
f ( t ) = AePntpour t > O, D E LA TRANSFORMÉE
=O pour t < O . EN Z
f ( t ) est obtenue, à partir de l'échelon, par une Proposons-nous de retrouver, à partir de F(g),la
multiplication par e P u tsoit fonction originale f ( t ) .
Il existe plusieurs méthodes. Cependant, dans la
plupart des cas, F ( 2 ) peut être mise sous la forme
d'une fraction rationnelle en - 2- :
4.3.4. Sinusoïde
Comme pour la transformée de Laplace, on
f ( t ) = sin co,t pour t 3 O, décompose F(2)en éléments simples. Soient
=O pour t < O. zo, ..., z k , les valeurs de -
- 2 - qui annulent -
D(2-').
-
Il vient :
ejwot - - jwot
N (-
- 2-I)
sin co,t = , soit F (-
2)=
2j - (g-1 - zo)
- ...(g-' - -z,)
2 sin m,Te
-
F
- ( ~ =-
z 2 - 2 ~ c o s o , T e1+' En remarquant que l'original de
Ai t
4.3.5. Cosinusoïde
f ( t ) = cos co,t pour t 3 O,

il vient
=O pour t < O.
On démontrerait, avec la méthode appliquée

pour la sinusoïde :
REMARQUE
Si zi estune valeur de 2-l qui annule le
1
dénominateur, - est une valeur de 2 qui annule ce
Zi
même dénominateur. Nous l'appellerons pôle.
4.3.6. Sinusoïde amortie 1
Posons - = ea+jw. Afin que f ( t ) ne devienne pas
zi
f(t) = e P u tsin coot pour t 3 O, infinie, la stabilité d'un système impose que a soit
1
=O pour t < O. négatif, c'est-à-dire que le module de - soit inférieur
zi
à 1.
A partir de la transformée en -
déduit :
2 de sin mo t on z
Cette remarque est liée, par la relation = e P T e , à
celle que nous avons énoncée sur les transformées de
Laplace, pour lesquelles aucun pôle ne doit présenter
de partie réelle positive.
Elle sera exploitée ultérieurement.
sianaux échantillonnés
5.1.
-
PROBLÈME
Le schéma général d’une chaîne de traitement numérique est donné figure 12 :
(t)
Convertisseur X, Unité de yn Convertisseur y (t)
-c- analogique --c --c numérique -e-
calcuI
numérique analogique
Te
Fig. 12.
le convertisseur analogique numérique

prélève, sur le signal d’entrée x(t),une suite 5.2. ÉQUIVALENCE
1 D E LA DÉRIVATION
d’échantillons x, à la fréquence Fe = -;
T,
l’unité de calcul détermine, à partir des Nous avons montré, dans le chapitre précédent,
échantillons précédents, une suite qu’il était possible, à partir de l’équation
d’échantillons y,, qu’elle place à l’entrée du
_Y (_P )= _ - ( P ) ,de retrouver l’équation diffé-
H (-P-) X
rentielle originelle. Afin de déterminer l’équation
convertisseur numérique analogique, avec
aux différences, il est nécessaire de traduire, sur les
la même fréquence F e ;
échantillons x, et y,, les opérations de dérivations
- le convertisseur numérique analogique successives.
transforme la suite d’échantillons y, en
signal de sortie y(t). Soit la fonction x ( t) de la figure 13 sur laquelle
sont prélevés les échantillons xo, xl, ..., x n P 2 ,
Soient _ X (_P ) et _Y (_P )les transformées de Laplace
x,- 1, x,. Une première approximation consiste à
de x ( t ) et y(t).Proposons-nous de réaliser, à l’aide
dx
de la chaîne de traitement numérique, une assimiler, à l’instant nT,, la dérivée - à
transmittance de Laplace H ( P ) = Y ( P )- X(P)
dt
Il s’agit de déterminer, à chaque instant nT,, la

valeur de l’échantillon y , que le calculateur doit
présenter à sa sortie. La valeur de y , devra
conduire, par l’intermédiaire du convertisseur
numérique analogique, à un signal y(nT‘,) égal à
la valeur que prendrait le signal y ( t ) , issu du
système de transmittance - P ) , attaqué par le
H (-
signal x(t).
Il nous faut donc déterminer une équation de la
O Te t
forme :
n-1
y , = anx, + iC
=m
(aixi + biyi), Fig. 13.
dans laquelle les coefficients ai et bi dépendent de

la transmittance de Laplace - H (-P ) et de la
fréquence d’échantillonnage Fe. Il est bien évident que cette approximation est
d’autant meilleure que la période d’échantil-
Cette équation de récurrence est aussi appelée lonnage T,, est plus faible. Les développements
équation aux différences. ultérieurs le confirmeront.
théorie du signal
Rappelons : La période d'échantillonnage étant T, = 2.10 - s,

- L'opération qui consiste a passer de x, à soit Fe = 500 Hz.
x,- est un retard de T,. Elle se traduit sur
la transformée en 2 par une multiplication
CO;qP)
- = [CO; + 2rnCOOO + 0 2 ] g p )
+ 2rnCOo- 1 - 2 - 1
2 - 1 . L'opération
par - xn - xn-
T,
,se traduit CO;x(z)=
(CO;
T,
1 - 2-1
donc par une multiplication par - .
T,
On passe ainsi de la transformée en 2 de
dx
x(t), à celle de - par la multiplication par
dt
1-2-1 qui conduit à l'équation de récurrence :
T , . +
2(1 m o , Te)
- L'opération dérivation sur les fonctions du Y, =Yn-i
1 + 2rno,Te + o;c
temps, se traduit, sur la transmittance de 1
Laplace, par une multiplication par - P. -Yn-2 1 + 2rno,Te + O; Te
En conséquence, l'approximation proposée per-
met de passer de la transmittance de Laplace à
la transmittance en 2 en remplaçant - P par
1 - -2-1. Le calcul numérique conduit à :
1 -2-1 y n = 1 , 3 9 8 0 5 ~- ~
1 - 0 , 6 5 7 7 0- +
~2~ 0 , 2 5 9 6 5 ~ ~ .
P o
- - .
Te
Il est possible de simuler sur ordinateur la
réponse de la chaîne de traitement numérique, a
REMARQUE un échelon unité (x, = 1, quel que soit n 2 O).
I
La relation exacte est Z = ecTe. Si T , est
suffisamment faible, un dévZToppement limité au Le programme BASIC correspondant est le
premier ordre conduit à 2-l = e-oTe x 1 - - PT, programme 1.
soit :-P= -
1-2-'
K?
, qui est bien la relation établie
par la dérivation. Programme 1
1-2-
Le remplacement de -
P par - conduit à
T,
une équation de la forme :
- -
Y(Z)[a,S-" +
a m - l g - ( m - l+
) ... + a,]
= X(Z>[b,S-" + + b,].
...
La multiplication par 2-" faisant passer de
l'échantillon d'ordre n a
l'échantillon d'ordre
n - rn, l'équation aux différences s'écrit :
arnyn-,,, + ... + aOyn= b,x,-, + ... + boxn.
La réponse de la chaîne de traitement numérique
Exemple est donnée à la figure 14, alors que la réponse
théorique est donnée à la figure 15.
Soit à synthétiser la transmittance
La fréquence d'échantillonnage n'étant pas
suffisamment élevée par rapport a f,,le calcul des
coefficients par équivalence de la dérivation
avec : CO, = 10071 radlsec; rn = 0,l. conduit à une réponse d'une médiocre précision.
1O0 www.biblio-scientifique.net
Fig. 14.
Fig. 15.
5.3. ÉQUIVALENCE
D E L’INTÉGRATION
Soit y ( t ) = s,’x(u) du la fonction intégrale de x(t).
Le passage de y , - à y , se fait en ajoutant à y , - 1 ,

la surface hachurée dans la figure 16. En
assimilant cette surface à un trapèze, il vient :
x, + x,-1
Y , - Y,-1 = 2 T,. Fig. 16.
www.biblio-scientifique.net 1O1
théorie du signal
Traduisons cette opération sur les transformées avec

en Z : coo = 10071 rad/sec,
rn = 0,1,
T, = 2 . 1 0 - 3 s .
On passe ainsi de la transformée en 2 d’un signal Le passage à la transformée en 2 conduit à :
à la transformée en 2 du signal intégral par une
multiplication par -
+
T, 1 2-1
- Y+;
- 2mCoo-
2 1 -2-’
+ -
2 1 - 2-- l ’ T ,1+ -
2-1
L’opération intégration se traduit, sur les

transformées de Laplace, par une division par 0.
En conséquence, l’approximation proposée per-
met de passer de la transmittance de Laplace
à la transmittance en 2 en remplaçant - P par
2
-
1 - 2-7 ’
T, 1 + -2-’’ =- x(z)[o;T,2(1
- + 2-2 - 1 + -
2-2)>3.
2 1-2-l
Pi+- - Ce qui donne pour l’équation de récurrence :
- Tel+Z-l’
Ce remplacement est aussi appelé transformation
bilinéaire.
REMARQUE
La relation exacte: est Z = epTe. Si T, est
suffisamment faible, un développement limité au L’application numérique donne :
troisième ordre conduit à :
y, = 1 , 5 5 1 9 3 ~ 1~ -
- 0,89181yn-2
P 2 T 2 + L.
z+ = e + E T e = 1 + -p T , + e P3T3
-
1
2 6 + 0,084971 (x, + 2x,- + x, -2)
La transformation bilinéaire s’écrit :

Le programme 2 permet de simuler la réponse
sur ordinateur.
Programme 2
Effectuons-en un développement limité au troisième
ordre :
P 2T 2 P 3T 3
= 1 + P T , + d +=_e
- 2 4 .
La transformation bilinéaire s’identifie donc à la
transformation exacte, jusqu ’au deuxième ordre.
Nous pouvons donc en conclure qu’elle est meilleure
que celle provenant de la dérivation.
Exemple
Reprenons 1’exemRle traite par l’équivalence de la
dérivation : La courbe obtenue est donnée 2i la figure 17. O n
peut constater qu’elle est très proche de la courbe
théorique de la figure 15. On peut cependant y
déceler une légère erreur sur la pulsation propre.
F
Fig. 17.
20 40 60 ao
s’annulerait avant l’instant t = T,. Pour elle, en

’
5.4. UTILISATION l’absence de nouvelle information, le signal

D E LA RÉPONSE d’entrée est égal a A . Elle voit donc un créneau
IMPULSION NELLE d’amplitude A et de durée T,. Ce créneau est
représenté par x’(t) à la figure 18.
Rappelons que le signal échantillonné x*(t)
s’écrit, en fonction du signal d’entrée x ( t ) :
x*(t) = c x(nT,)G,(t
to
n=O
- nT,), Fig. 18.
x*(t) est une somme d’impulsions de Dirac.

Par suite de la linéarité des systèmes étudiés, la
suite y , est obtenue en échantillonnant le signal
de sortie résultant de toutes les réponses Sa transformée en 2 est :
impulsionnelles antérieures. En d’autres termes
y(n<) s’écrit :
n
-X ’_
(2)= c x’(nT,)Z-“
Co
n=O
- = A.
Y(~T=
,) C
m=O
x C(n - m) Tel hi(mT,), Sa transformée de Laplace est :
où hi(mT,) est la valeur, à l’instant mT,, de la

J o- 1
-
réponse impulsionnelle.
La transformée de Laplace du signal de sortie
Pour résoudre le problème proposé en 5.1,
établissons l’équation de récurrence, qui, a une
impulsion d’entrée, fait correspondre une suite
-
de valeurs y , , obtenues par échantillonnage de
la réponse impulsionnelle du système de trans- P )est
Y (-
- donc la somme de deux réponses :
mittance - H(P). H(P)
- - l’une, A -, étant la réponse du système à
Considérons 1’« impulsion )) d’entrée x ( t ) repré- P
sentée à la figure 18, dont la transformée en 2 est un échelon d’amplitude A ;
-X _( Z ) = A . Remarquons que la chaîne de - l’autre, - A=
H ( P ) e - P T , , étant la réponse
traitement numérique est incapable de distinguer P
le signal x ( t )de tout autre signal dont l’amplitude du système à unéchelon d’amplitude - A,
serait égale à A à l’instant t = O et qui en retard de T, sur le précédent.
théorie du sianal
H ( P ) en éléments simples : L'expression :

Décomposons =
P
-
est la transmittance en 2 de la chaîne de

traitement numérique.
Pi sont les pôles de -.H ( P )
où -
P
-
La réponse correspondante s'écrit :
k
r(t) = 1 Ai ePit.
i=O
La transformée en 2 de r (t) s'écrit :

Co
R(z) =
- 1 r(nT,)Z-', -
n=O
soit :
o o k
R (-
- 2 )= c
n = O i=O
1 Ai ePinTe2 - " -
L'opération somme étant distributive par rap-

port à elle-même, on peut permuter les deux
signes C et écrire : Sachant que toute multiplication par 2 - se
k 03
traduit par le passage d'un échantillon au
R (-
- Z )= 1 1 (ePiTeZ-l)n,
i=O
-
n=O
précédent, la connaissance de _
partir de _ Y (_2 )= _
H (-2 ) permet, à
) X-( Z ) , de déterminer
H (-Z_
Co
l'équation de récurrence.
1 (ePiTe2-1)n
- étant la somme des termes d'une
n=O Exemple
- ',
progression géométrique de raison eEiTeZ-
1 Reprenons l'exemple précédent :
s'écrit 1 - ePiTeZ-1 ' soit
- H (-P ) =
- wc + 2 r n c o-0 ~+ -p 2
avec coo = i007c, m = O,i, T, = 2 . i O - 3 s;
R(2)
- - est la transformée en 2 du signal dont la
H(P) H(E) -
_ - mc
transformée de Laplace est ===. P P (-
P--
P , ) (-
P --
P2)
P - -
-
avec
En conséquence la transformée en 2 du signal
+j w o J G 2
)(''
P
-
e-pTeest -
2-l x - - En effet, les multipli-
R(2).
cations par eppTeet par 2-l traduisent toutes
k-P,
P
= - muO
- - m u O-j w o J G 2
= - mao/+ jco,
= - mcoO-jco.
La décomposition en éléments simples donne :

deux un retard de T, G r les transformées
correspondantes. - W E ) =--+-+-
A0 A, A2
La transformée en 2 du signal de sortie s'écrit P

- P
- - P-
P - , P - P-,
_
donc : avec
Y (-
- 2 )= (1 - -
Z-')R(Z)A
--
k A
car X (-
- 2 ) = A.
La transmittance en 2 s’écrit donc comme dans l’encadré ci-dessous.
L’application numérique conduit à : Le programme 3 permet de simuler la réponse sur

ordinateur.
,-mwoT, = 0,9391, COS U T , = 0,8109,
sin coq = 0,5852,
cos wT, = 1,523,eë2mwoTe
2 eëmwoTe - 0,8819,
- Programme 3
i -
m
e-mwoTecos coT, + J1-mZsincoT,
( =
1
0,18325,
e-mmoTe eëmwoTe
- cosco~,
+J ~m . s i nU T ,
soit
0,183252-’
- + 0,17562-2
- -
Y (_Z )
_
-
H ( Z ) = 1 - 1,5232-
- + 0,88192-
- X (-
-- Z)
d’où l’équation de récurrence : La courbe obtenue est donnée à la figure 19. Elle
Y , = 1 , 5 2 3-~1~- 0 , 8 8 1 9 -~2~ est confondue avec la courbe théorique de la
+ 0,18325~,-1+0,1756~,-2. figure 15.
théorie du signal
20 40 60 80
Fig. 19.
EXERCICES
1. a) A partir de
Une chaîne de traitement numérique prélève, avec une
1
1
fréquence f, = -,des échantillons x, = x(nT,) sur un signal
y, = - (x,
4
+ 2x,-1 Xfl- 2 )
T,
x(t). établir la transmittance en Z
CALCULATEUR b) En posant z
= eJwTe,déterminer la transmittance
complexe - HCjw) et retrouver les résultats de la question
1" b).
c) Tracer les courbes
1" L'unité de calcul détermine à chaque instant d'échantil- IHCjo)l = f ( o ) HCjo) = f(o).
et arg -
lonnage, une valeur y , = y(nT,) telle que
3" En pratique, les échantillons sont présentés à un
1
y, = - (x,
4
+ 2X" - + x,, -
1 2).
bloqueur dont la transmittance de Laplace est
a) En supposant que le signal x ( t ) est sinusoïdal

( x ( t ) = X cos o t ) ,
calculer la valeur y(nT',) de Établir que la transmittance complexe de la chaîne complète
l'échantillon y,,. s'écrit
b) Montrer que y(nT,) correspond à l'échantillon qui serait
prélevé sur la sinusoïde
X
y ( t ) = - (1
2
+ cos OT,)cos (ot- WT,). 2.
Une chaîne de traitement numérique fournit des échantil-
Quelle est la fonction réalisée par la chaîne de traitement lons y,, = y(nT,) qui sont les moyennes des N échantillons
numérique? précédents, soit
2" On désire retrouver les résultats précédents à l'aide des
transformées en Z. y, = N1 (x, + x,-1 + ... + X,_N+J.
106
1" Déterminer la transmittance en Z , -

H (-
2 )=
Y(Z)
X (-
- 2)
-
et la
+
b) Soit e, la valeur de e(t) à l'instant nT, iz, et soit sinla
tension aux bornes de la capacité Ci à cet instant. Intégrer
mettre sous la forme l'équation précédente en supposant que la tension e(t) reste
constante et égale à e,.
-- c) Soit si(n+l)la valeur de s ( t ) à l'instant nT, + (i 1)z. +
ein + (sin- ein)e-RC.
1
Montrer que s ~ ( ~=
+ ~ )
2" En déduire que la transmittance complexe se met sous la
7
forme En posant a = 1 - e - E , établir la relation de récurrence
T
sin NO suivante :
= (1 - a)sin + sein.
sin O2
2 d ) En déduire la transmittance en 2 : H ( 2 ) = A. sm
--
3" Tracer les courbes E-
i(-
arg H(jo)= f ( o ) et 1HCjo)l = g ( o ) . 2" A partir des résultats de la question l", on peut donner le
schéma équivalent du dispositif (fis.3), avec -E _( 2 )= -
E,(Z)
-
3. + g2(2)+ ... + EN(2).
Le schéma d'un filtre à capacités commutées est représenté
sur la figure 1.
- - -
Fig. 1.
Toutes les capacités sont égales : Cl = C, = ... = CN. Fig. 3.

Les interrupteurs K , , K 2 , ..., KN sont fermés séquentielle-
ment, pendant un temps z, avec une période T,,comme
indiqué sur la figure 2. a) Établir la relation S ( 3 = H ( Z ) E ( Z ) .
b) En posant 2 = établir la transmittance complexe
~
- ( j et
o )la mettre sous la forme
Interrupteur fermé
Interrupteur ouvert c) Montrer que le module IH(jo)lde H ( j w ) s'écrit

U
I y M i=
O V - 4 J2. - 2a + 2 + 2(a - 1) cos OT,
Fig. 2.
271
En déduire que IH(io)l
- est périodique de période w, = -.
On s'intéresse au signal s ( t ) en régime permanent après le T,
temps d'établissement. Tracer l'allure de la courbe IH(jo)l= f(o).
On suppose que le nombre N de cellules ((capacité- d ) Application numérique : R = 150 kQ; C = 10 n F ;
interrupteur )) est suffisamment grand pour que le signal e(t) T, = 10-3 s; N = 64.
soit pratiquement constant pendant l'intervalle de temps z. Déterminer les valeurs maximale et minimale de IH(jo)l.
e) Justifier, par un raisonnement physique, que IHTco)l
- est
1" Étudions l'évolution de la tension aux bornes de la
2nk
capacité Ci pendant l'intervalle de temps [nT, iz, + égal à 1 pour les pulsations w = - et qu'il est
+ +
nT, (i l)z]. T,
2nk
a) Écrire l'équation différentielle reliant s ( t ) et e(t)pendant
cet intervalle de temps.
pratiquement nul pour les pulsations O = + -.71 ~
T , T ,
107
étude
O énergétique
1. ÉQUAT~ONI; GÉNÉRALES Il vient alors :

nT+to
Nous choisirons, pour ce chapitre les conventions P lim

= n+co ‘nT
[SO’ui dt + JnT ui dt]
d’orientation de la figure 1.
car t , 6 nT.
U
u et i admettant T pour période, on peut écrire :
A B
O -
i+
t
Fig. 1.
soit :
Avec ces conventions, toute énergie ou puissance 1 nT+to
absorbée par l’élément placé entre les points A ui dt + nlim -

+ m TITInT
ui dt.
et B, apparaîtra positive, toute énergie ou
puissance fournie sera négative. Si l’énergie absorbée pendant une période n’est
nT+to
Pendant le temps dt, la charge dq = i dt passe pas infinie, la grandeur ui dt est bornée et
du point A au point B. Elle perd l’énergie J nT
u dq = ui dt qu’elle fournit au dipôle, soit : ui dt = O, soit :

- énergie fournie au dipôle pendant le temps
dt : d W = ui dt;
- puissance instantanée fournie au dipôle
qui est bien l’expression de la valeur moyenne que

nous avons définie, au premier chapitre, dans le
Les grandeurs u et i étant, dans le cas général, cas des signaux périodiques.
susceptibles de variations rapides, nous sommes
amenés à définir la valeur moyenne P de la
puissance instantanée par : 1.2. CAS PARTICULIER
rr rr
4 4
DE SIGNAUX
p = lim
r + m r‘J
-
O
p dt =
2J
iim - ui dt.
SIN USOIDAUX
Aux grandeurs sinusoïdales u et i sont associés, - 4
deux vecteurs, respectivement U et 1 et deux

1.1. CAS PARTICULIER nombres complexes, respectivement et 1.
DE SIGNAUX
PÉRIODIQU ES 1.Z.I. Conventions
Nous appellerons cp l’angle de retard de i sur u,

Les grandeurs u et i de la figure 1 sont périodiques
soit :
de période T . Dans l’expression de la puissance
moyenne P, z peut-être écrit sous la forme : u = U$ cos Olt,
z = nT + to avec O 6 to < T . i = fi cos (ut - cp),

étude énergétique
où U et I sont respectivement les valeurs efficaces 12 . 5 . Puissance apparente

de u et i.
Avec ces conventions Le produit des valeurs efficaces de u et de i
S = U I est appelé puissance apparente. Par
comparaison avec la puissance complexe, il
vient : I I
1.2.2. Calcul de la puissance P

absorbée par le dipôle Cette puissance est mesurée en V.A. (volt-
de la figure 1
ampères).
T
U $cos cotl $cos (cot - cp) d t
T
= -
UI
[jo cos (2cot - cp) dt + dr]~
[ o T ~cp ~
1.2.6. Formulaire
Pour l’étude en régime sinusoïdal, nous retien-

= U I cos cp.
drons les formules suivantes :
1P = U I cos cp 1
Cette puissance moyenne est aussi appelée
puissance active.
1.2.3. Utilisation des nombres

complexes pour le calcul
de la puissance P
Effectuons, pour cela, le produit S = U I * , où I*

est le nombre complexe conjugué d e l ; est
appelée puissance complexe : 1.2.7. Théorème de Boucherot
S = -UJ* = 2U1ejv = 2UI[cos cp
- + j sin cp]. Récepteurs en série
Par comparaison avec l’expression de la Considérons la mise en série de n récep eurs
puissance active, il vient :
décrite à la figure 2.
1 P =; Re[S] =-
1
2
Re[gI*],
avec Re [SI = partie réelle de -

S.
1.2.4. Puissance réactive Fig. 2.

Il apparaît dans l’expression de la puissance
complexe le terme A partir des équations :
Q =
1
U I sin cp =-Im[S]
2 {;
;1: g 2+ ... + En,
on écrit :
où Im [SI
- est la partie imaginaire de S.
Nous l’appellerons puissance réactive.

s El!* + g21*+ ... + En!*,
-=
=- SI + s 2 + ... + S,,
Cette puissance, ne correspondant à aucune
puissance réelle, n’est pas mesurée en watt mais en où Si, S2, ..., 2, sont les puissances complexes
V.A.R. (volts-ampères-réactifs). absorbées par les récepteurs élémentaires.
www.biblio-scientifique.net 1O 9
théorie du signal
Récepteurs en parallèle (fig. 3 ) où l i J 5 cos (colt + ûi- qi)est le courant qui

+ +
A partir de I* = IT 12 ... + L,: on peut établir parcourrait le dipôle si la seule tension u
de la même-façon que 5 = 5, + S2 + ... + -S,. appliquée était égale à uiJi cos (colt OJ. +
Calculons, dès lors, la puissance moyenne
absorbée par le récepteur :
P = val. moy. [ui].
On peut vérifier que :
T - la valeur moyenne de
cos (colt + el) . cos (colt + 8i - (pl)
Fig. 3. cos q .
est égale à 2.
2 '
La puissance complexe étant, dans tous les cas, la - la valeur moyenne de
somme des puissances complexes absorbées par
cos (colt + el) cos (aj
t + ej - qj)
les récepteurs élémentaires, on peut écrire :
S est nulle si coi # coj.
= = (Pl + j Q J + (P2 + JQ2)+ ... + (Pn + jQn)
2
+ + +
= (Pl P2 ... P,) Il vient alors :
-tj(Ql + Q2+ ... + Qn) =P + jQ, P = U , I , cos q, + U , I , cos 9 2 +
ou, en égalant parties réelles et imaginaires : ... + UnIncos ( p n .
P = P, -t P, + ... + P, La puissance absorbée par le récepteur apparaît

Q = QI Q2
i- + ... + Qn. ainsi comme la somme des puissances que lui
fournirait chaque tension sinusoïdale supposée
seule, mais il est nécessaire pour cela que le
Les puissances actives et réactives absorbées récepteur soit linéaire et que les fréquences des
par un ensemble de récepteurs élémentaires tensions sinusoïdales soient différentes.
sont respectivement égales à la somme des
puissances actives et à la somme des puissances
réactives absorbées par chacun des récepteurs.
2. PUISSANCES ABSORBÉES
1.3. CAS PARTICULIER D'UNE PAR LES RÉCEPTEURS
S O M M E D E SIGNAUX É LEM ENTAI RES
SINUSOIDAUX
D E FRÉQUENCES
DIFFÉRENTES 2.1. SOURCE D E TENSION
CONSTANTE (fis. 4)
La tension u de la figure 1 s'écrit :
u= u, J5cos(co1t + 8,) La puissance instantanée
s'écrit p = ui = Ei.
+ ?Y2$ cos (co,t + O,)
+ ... + un$ COS (ont+ en). Fig. 4. u
Le dipôle récepteur étant supposé linéaire, Sa valeur moyenne est

l'application du théorème de superposition P = val. moy. [Ei] = Eval. moy. [il,
conduit à écrire le courant i sous la forme :
i = I , $cos (colt + o1 vol>+
-
... + I n f i cos (CO,

t + 8, - q,), quelle que soit la forme du courant i.
2.2. SOURCE D E COURANT i2 dt et Uzff = u2 dt.

CONSTANT (fig-5)
Il vient alors :
Fig. 5. +F- U
L l
La puissance instantanée s’écrit p = ui = ul,.

2.3.3. En régime sinusoïdal
Sa valeur moyenne est permanent
P = val. moy. CUI,] = 1, . val. moy. Cu],
La puissance complexe s’écrit - U I * , avec
S = --
U
- = RL, soit
quelle que soit la forme de la tension u.
Nous en déduisons les expressions des puissances

active et réactive :
2.3. RÉSISTANCE (fig. 6)
l I
Fig. 6.
U expression dans laquelle U et I sont les valeurs
efficaces de u et i.
La puissance instantanée s’écrit
U2
p = ui = Ri2 = -
R’
Sa valeur moyenne est 2.4: CAPACITÉ (fis. 7)
1
P = R . val. moy. Ci2] = -.val. moy. Cu2].
R
-4- U
2.3.1. En régime continu
Fig. 7.
i et u sont constants et égaux respectivement à I
et U , il vient alors :
2.4.1. Énergie emmagasinée
par une capacité
1 l
Si pendant le temps dt, la tension aux bornes de
la capacité varie de du, elle reçoit l’énergie
2.3.2. En régime périodique établi du
dW = u i dt. Sachant que i = C -, cette énergie
dt
Les valeurs moyennes de i2 et de u2 s’écrivent s’écrit :
respectivement :
du
d W = C - u dt = CUdu.
dt
Ce qui correspond à la définition de la valeur La capacité n’absorbe donc l’énergie que dans la
efficace que nous avons donnée dans le premier mesure où du n’est pas nulle, c’est-à-dire lorsque
chapitre : la tension u varie.
théorie du signal
Pour faire passer la tension u de O à U o il est donc Expression dans laquelle U et I sont les valeurs
nécessaire de fournir à la capacité l’énergie efiïcaces de u et i.
1 Remarquons que Q est négative : la capacité est
W = fouoCu du = - C U ; ,
2 un générateur de puissance réactive.
2.5. INDUCTANCE (fig. 8)

Cette énergie est emmagasinée, sous forme
électrostatique, en tous les points de l’espace où le
d
champ électrique E est non nul.

- U
2.4.2. En régime continu Fig. 8.
La tension u aux bornes de la capacité étant
constante, elle n’absorbe aucune puissance :
2.5.1. Énergie emmagasinée
Ip=P=Ol par une inductance
Si, pendant le temps dt, le courant dans

l’inductance varie de di, elle reçoit l’énergie
2.4.3. En régime périodique di
établi dW = ui dt. Sachant que u = L- cette énergie
dt ’
La puissance moyenne absorbée par la capacité s’écrit :
s’écrit : di
dW = L-i dt = Li di.
P = Fl I oTui dt = $loTCu du dt
L’inductance n’absorbe donc d’énergie, que dans

C la mesure où di n’est pas nulle, c’est-à-direlorsque
P = -[u2(T) - u2(0)].
2T le courant i, qui la traverse, varie.
La tension u admettant T pour période :
Pour faire passer le courant i de O à I o , il est donc
nécessaire de fournir à l’inductance l’énergie :
1
W = jOIoLidi = LI;,
permanent
La puissance complexe s’écrit - UI* avec

S = --
- soit -I* = - jCcoU*,
I = jCcùU,
- - soit : Cette énergie est emmagasinée, sous forme
II* électromagnétique, en tous+les points de l’espace
S = - j C o--
-
u u * = -j =
CCO où le champ magnétique H est non nul.
ou S= - jCwlUJ2 -j
III2
=---.
- - =
CCO
2.5.2. En régime continu
Nous en déduisons les expressions des puissances
active et réactive : Le courant i parcourant l’inductance étant
constant, elle n’absorbe aucune puissance :
2..5.3. En régime périodique

établi
3.2. RÉGULATION PAR BALLAST
La puissance moyenne absorbée par l’inductance Le schéma général du dispositif est donné sur la
s’écrit : figure 10.
P = TJ,
l Tui dt = &JoTLî di,
4
E-U , Ballast
Charge
L
P =-[i2(T) - i2(0)].
2T
Le courant i admettant T pour période :

permanent
Fig. IO. 1 Référence de potentiel
La puissance complexe s’écrit 5 = g*avec
O Le ballast B est un ensemble d’éléments
U*
U = jLwI,
- - soit I* = j=-, d’où électroniques qui fonctionne à la manière d’un
- Lw
amortisseur :
- il délivre sur sa sortie E le même courant I
que celui qui entre par le point C;
- quelle que soit la différence de potentiel
Nous en déduisons les expressions des puissances E - U apparaissant entre l’entrée C et la
active et réactive :
sortie E , il impose entre les points B et E
une tension constante de l’ordre de 1 volt.
O L’amplificateur A est supposé idéal :
I I - il n’absorbe aucun courant sur ses entrées
expression dans laquelle U et I sont les valeurs

+ et -;
- il fournit en sortie une tension
efficaces de u et i.
& = A(V+ - V-). r
O La référence Re, fournit une tension

constante U,.
3.2.1. Fonctionnement
A partir des équations :
Vs = A[V+ - V-]
3.1. PROBLÈME (fis, 9) v+= uo
Fig. 9.
Nous nous proposons de construire un dispositif

qui, alimenté par une tension constante E , fournit
à une charge résistive R, une tension
constante U , dont la valeur peut être réglée par le l + A
régulateur. R1+ R2
théorie d u signal
Si l'amplification A est très grande, on a

sensiblement U = R 1 +- R 2
R2
U,. On peut donc t"
régler la valeur de la tension U par le rapport des
résistances R , et R,.
O aT T t
3.2.2. Étude énergétique
Fig. 12.
Les résistances R , et R 2 peuvent être choisies
suffisamment grandes par rapport à R pour que la O De l'équation entre les valeurs instantanées
puissance qui y est dissipée soit négligeable. u = uL + U , on tire la relation entre les valeurs
Le principal inconvénient du dispositif provient moyennes Vmoy= aE = U , soit U = aE.
de la puissance dissipée dans le ballast On peut donc régler la valeur de la tension U par
U le rapport cyclique a.
PB = ( E - U)I = (E - U)-,
R
alors que la puissance fournie à la charge est 3.3.2. Étude énergétique
U2 Lorsque le régime périodique est établi, l'induc-
Pu =
R ' tance et la capacité ne consomment aucune
c
L
c 2
I; puissance. Toute la puissance fournie par le
Dans le cas où U = -, P, =P - - le rende-
2 ' - 4R générateur de tension E se retrouve donc, dans la
ment du dispositif est de 50 O / O . charge R. Le rendement du dispositif est donc de
100 %, et ce, quelle que soit la valeur de la
tension U .
3.3. RÉGULATION
PAR DÉCOUPAGE
Le schéma général du dispositif est donné à la

figure 11.
4.APPttCATtOM :
ADAPTATI O M
, ---.-.-
"L
Charge, EN PUlSSARiCE
4.1.
PROBLÈME
- ~~
Considérons le dispositif de la figure 13 constitué

Fig. 11. par un générateur sinusoïdal d'impédance
interne ZG et une impédance de charge - 2,.
Le hacheur est un ensemble d'éléments électro-
niques fonctionnant à la manière d'un interrup-
teur basculant périodiquement de la position (1)
à la position (2) avec le rapport cyclique a.
La tension II a l'allure décrite à la figure 12. Sa Fig. 13.

valeur moyenne est Vmoy= aE.
Posons
O La capacité C a une valeur suffisamment
élevée pour que la tension à ses bornes reste
constante et égale à U .
114
et cherchons les conditions pour lesquelles le

générateur fournit le maximum de puissance à la 4.2. ADAPTATION
charge zu. D’IM PÉDANCE
A partir des équations
Dans le cas où le générateur et la charge sont
quelconques, on peut intercaler, entre la charge et
le générateur, un quadripôle (fig. 14) qui, fermé
1 E sur l’impédance Z,, présente une impédance
d’entrée égale à -
2%.
La puissance complexe fournie à la charge s’écrit

1------ 1
formule dans laquelle E est la valeur efficace de la

force électromotrice du générateur.
La puissance active fournie à la charge s’écrit Fig. 14.
Afin d’éviter toute dissipation de puissance dans

Cherchons, dès lors, les conditions pour le quadripôle Q, ce dernier est réalisé avec des
lesquelles cette puissance est maximale, sachant éléments réactifs (inductances et capacités). La
que Ru et R, sont positifs et que X , et X , puissance fournie par le générateur à l’impédance
d’entrée 2; du quadripôle se retrouve intégrale-
O sont négatifs si l’impédance correspondante est
ment da& l’impédance de charge gu.
capacitive,
O sont positifs si l’impédance correspondante est
inductive.
Il apparaît ainsi que la première condition à
réaliser est X , = - X ,
soit P = E 2 RU
(RU + RG)2’ 6- MESURES DE PUISSANCE
Afin de déterminer le maximum de P, cherchons
dP
la valeur de Ru qui annule -:
dRU
dP 5 , l . SCHÉMA SYNOPTIQUE
-- - E2 R G - R u = O pour R , = R u D‘UN WATTMÈTRE
dRU (RG + Rd3
Ce qui donne pour la puissance maximale A partir de l’expression de la puissance

F;2
P = val.moy.[ui], on peut donner le schéma
synoptique d’un wattmètre (fig. 15) :
Au total, la puissance fournie a la charge est
E2
maximale et vaut -lorsque II
4RG
J x k
MUTIPLICATEUR VALEUR
MOYENNE
soit Fig. 15.
115
théorie du signal
Le couple instantanné agissant sur le cadre

5.2. WATTM ÈTRE mobile est proportionnel au produit ui.
ÉLECTRODYNAMIQU E Compte tenu de son inertie l'équipage mobile se
fixe sur une position moyenne pour laquelle
Un wattmètre électrodynamique possède le couple moyen, proportionnel à val.moy. Cui],
(fig- 16) est égal au couple de rappel. Le wattmètre
- un circuit gros f i l parcouru par un courant i, électrodynamique indique donc la valeur moyen-
- un circuit fil f i n soumis à une tension u. ne du produit ui.
Dans le cas particulier d'une utilisation en régime
Circuit gros fil sinusoïdal permanent,
/
u = U J Z cos ot
Circuit
i = 13
cos (ot- cp)
fil fin
L'indication du wattmètre est :
1
P = UI COS ~p = - R,[E!*]
Fig. 16. 2
EXERCICES
1 1. Soit le montage ci-dessous. Le quadripôle Q est réalisé, à l'aide d'éléments purement
réactifs, suivant l'une des deux structures de la figure 2.
Structure
' B
1" L'interrupteur K étant ouvert, le montage est alimenté
par une tension sinusoïdale de valeur efficace U = 140 volts
de fréquence 50 hertz. Il absorbe alors un courant de valeur
efficace Z, = 1 A et une puissance active P = 60 W.
Calculer R et La. Structure
2" L'interrupteur K étant fermé, le montage est alimenté * B
par une tension sinusoïdale de valeur efficace U = 80 volts
de fréquence 50 hertz.
Fig. 2.
Il absorbe alors un courant de valeur efficace Z, = 1,5 A et
une puissance active P = 120 W.
1 L'impédance -
Z, = jX, est une inductance.
Calculer R , et -.
C, 0 1" Quelle structure faut-il choisir pour le quadripôle Q
dans les cas suivants :
2.
On alimente à l'aide d'un générateur sinusoïdal de fréquence a) RG > Ru; b) RG < RU.
f = 1,6 kHz et de résistance interne RG, une impédance de 2" Calculer les réactances X , et X 2 du quadripôle, et en
charge Ru. Afin de réaliser l'adaptation d'impédance, on déduire les valeurs correspondantes des inductances et des
intercale un quadripôle Q entre le générateur et la charge capacités dans les cas suivants :
(fig. 1). a) RG = 3 kR et Ru = 30 kR;
b) RG = 30 kQ et Ru = 3 kR.
3" Calculer la puissance fournie à la charge R u , d'une part
lorsqu'elle est connectée directement au générateur, d'autre
RU part lorsqu'elle est alimentée à travers le quadripôle Q et ce,
D dans les cas suivants :
a) RG = 3 ki2 et Ru = 30 k a ;
Fig. 1 . b) R, = 30 kR et Ru = 3 ka.
116
P étude énergétique
3. 1
Un système triphasé équilibré en tension est constitué de On donne 2R = 2Lo = -=
CO
100 a.
trois tensions sinusoïdales de même amplitude et déphasées
271 a) Calculer, en fonction de E, la puissance active P
de - l'une par rapport à l'autre : - absorbée par le montage.
3
e, = E cos ot; b) Calculer en fonction de E, les expressions complexes des
4
courants LI, L2, J 3 , puis II' L2 r3.
e3 = E cos (ot - .): 4" On branche deux wattmètres comme l'indique la
figure 2.
1" Montrer que les nombres complexes qui leur sont r----- 1 I
associés sont respectivement :
El = E
E , = g2E
{i2=aE
avec -
2rr 271 . . 2 7 1
a = e J 3= cos - + J sin - =
1
--
&
+ j ~.
3 3 2 2
2" Vérifier les égalités suivantes :
Fig. 2.
a3=1;
- 1 + a-+ a-
2=0.
0 Le circuit gros fil du premier wattmètre est monté en série
3" Les trois tensions triphasées sont utilisées pour alimenter
sur le conducteur parcouru par le courant II.Son circuit fil
le dispositif de la figure 1.
fin est soumis à la tension - E3.
0 Le circuit gros fil du second wattmètre est monté en série
sur le conducteur parcouru par le courant L,. Son circuit fil
fin est soumis à la tension -E2.
Calculer les indications W, et W, des deux wattmètres.
Comparer la puissance active P absorbée par le montage
+
la somme W, W,.
-
L I
13
Fig. 1.
117
théorie du signal
1= ti’UTRODUCTlON Les grandeurs mises en œuvre sont les courants;

ce sont donc des passages d’électrons (ponctuels
Nous n’avons étudié jusqu’à présent que des et porteurs d’une charge quantifiée d’électricité).
signaux parfaitement connus, on les appelle Leur déplacement en absence de différence de
généralement déterministres : ils sont connus par potentiel à l’entrée de l’amplificateur est lié au
leur représentation et elle est unique, ce n’est pas hasard et il en passe donc - en temps
toujours une fonction mathématique simple à suffisamment long - autant dans un sens que
calculer, mais on peut toujours connaître le dans l’autre. Toutefois, à aucun moment, il nous
spectre en fréquence de cette fonction : c’est-à- est possible (même si l’on pouvait les peindre!)
dire, la répartition en fonction des fréquences de de les désigner nommément et de prévoir leur
l’énergie contenue dans le signal; ces éléments mouvement, donc de connaître la quantité
permettent à tout instant t de déterminer avec d’électricité qui est passée à un instant t donné :
certitude la valeur du signal à l’instant t + z, ces phénomènes sont étudiés par la physique
quelque soit z. statistique.
Il existe une classe de signaux qui ne répondent Nous étudierons ensuite sur quelques cas en
pas à ce critère, et qu’il est facile de mettre en électronique les propriétés de ces signaux.
évidence sur un exemple.
On envisage la sortie d’un amplificateur différen-
tiel dont les deux entrées sont mises à la masse.
Si la tension d’offset a été parfaitement réglée, la 2. GRANDEURS ALÉATOIRES
sortie doit être égale à zéro, or si on augmente
de façon importante la sensibilité de l’oscillos-
cope, on constate que la sortie n’est pas nulle :
elle fluctue autour de zéro et est totalement 2.1. QUELQUES PROPRIÉTÉS
imprédictible.
Les grandeurs où le hasard intervient portent
r 1 le nom de grandeurs aléatoires (du latin aléa :
ales dés, le hasard))); les statisticiens ont
développé la théorie des probabilités pour les
étudier.
Nous nous contenterons des lancers de pièces, et
1
jets de dés afin d’en découvrir les principales
propriétés.
Fig. 1
2.1.l.Approche intuitive
Ce sont les propriétés intrinsèques du composant
qui sont mises en évidence dans cette expérience. Prenons le problème posé au lanceur de pièces
Ces fluctuations vont nous géner si nous de monnaie. Les probabilités et leur théorie
introduisons une tension différentielle très faible permettent non de percer les secrets du hasard,
à l’entrée de l’amplificateur; il nous appartient mais d’apporter des renseignements sur le
de les connaître le mieux possible pour s’en résultat d’une expérience dépendant du hasard;
affranchir. nous savons intuitivement qu’il a une chance sur
118
sianaux aléatoires
deux d’avoir pile (ou face) à chaque lancer, nous Pour obtenir l’thénement (A) :
ne pouvons pas prévoir le résultat au lancer, mais Nbre d’occurrence de ( A )
avec un risque minime, nous affirmerons que Pr(A) =
Nbre d’épreuves
pour 2 O00 lancers, il aura approximativement
obtenu autant de fois pile que face, soit 1 O00 de On notera
chaque. (NA)
Pr(A) = lim -
N+co ’
Exemple d’application
2.1.2. Début d’axiomatisation
Le lancer des dés.
Chaque lancer de pièces correspond à une On constate immédiatement que la proba-ilité
expérience. C’est celle-ci qui dépend du hasard, de l’événement certain vaut 1 car, en effet, c’est
elle donne deux résultats; on appelera le résultat N
de l’expérience : un événement (aléatoire) élémen- le rapport de -.
N
taire. Il y a deux événements élémentaires : pile,
De même, on constate que la probabilité de
face; l’espace des événements élémentaires s’ap-
l’événement nul vaut O.
pellera l’ensemble des événements élémentaires :
(pile, face). +
Nous avons : N = N1 + N 2 N3 + N4 + N 5 + N6.
Si les dés ne sont pas pipés, nous aurons au bout
d’un grand nombre de lancer :
Exemple d’application
NI = N 2 = N3 = N4 = N5 = N6,
Un dé comporte six faces numérotées de 1 à 6.
Quels sont les événements élémentaires et quel car chaque événement est équiprobable,
est l’ensemble des événements élémentaires? donc N = 6 N i , i~ [l a 61,
1
Réponse et Pr( 1) = Pr(2) = Pr(3) = Pr(4) = Pr(5) = Pr(6) =-.
6
Les événements élémentaires sont :
face 1, face 2, face 3, face 4, face 5, face 6.
L’ensemble des événements élémentaires :
2.2. PRINCIPAUX TH ÉORÈM ES
(1’ 2, 3’ 4, 5’ 6).
Cet exemple va nous permettre de définir d’autres 2.2.1. Somme de deux événements
types d’événement, car de cet ensemble on peut
On appelle somme de deux événements A et B,
tirer un grand nombre de sous-ensembles qui l’événement A + B ou A u B ( A union B)
définiront alors un événement aléatoire non consistant en la réalisation de l’événement A
élémentaire par exemple : ou de l’événement B ou de A et B ensemble.
- événement pair : (2, 4, 6)
- événement impair : (1, 3, 5).
On représente habituellement les événements par
des domaines de l’espace probabilité, l’union des
Nous voyons immédiatement que deux événe-
deux domaines est représenté par :
ments viennent compléter la liste, ce sont :
- l’événement certain : il contient tous les
événements élémentaires;
- l’événement nul : il ne contient aucun des
événements élémentaires.
Fig. 2
2.1.3. Probabilité
On peut définir intuitivement la probabilité Si les deux événements n’ont aucune partie
comme la limite, si elle existe, de la fréquence commune, on dit alors qu’ils sont incompatibles,
relative d’occurrence d’un événement par rapport c’est par exemple :
au nombre d’épreuves réalisées lorsque ce nombre - l’événement P : faces paires;
d’épreuves tend vers l’infini. - l’événement I : faces impaires.
119
théorie du signal
Ils seront alors représentés disjoints : b) La probabilité d’obtenir l’événement somme

de deux événements compatibles est égal à la
somme des probabilités de ces deux événements
diminuée de la probabilité de l’intersection de
ces deux événements.
Fig. 3 Pr(A + B) = Pr(A) + Pr(B) - Pr(A . B)
Application
2.2.2. Produit de deux événements
On en déduit immédiatement que :
C’est l’événement consistant en la réalisation Pr(A . B) = Pr(A) + Pr(B) - Pr(A + B).
simultanée des événements A et B on la note
A . B o u A n B.
2.2.4.ProbabiI ités conditionnel les
(-J) .:.:.
... Deux événements sont dits indépendants si la
réalisation de l’un ne dépend pas de la
réalisation (ou de la non réalisation) de l’autre.
AnB Si la réalisation de l’un dépend de l’autre, on
Fig. 4 traduit cette dépendance par la probabilité
conditionnelle.
On constate immédiatement que dans le cas de
Si l’événement X dépend de l’événement Y, on
l’exemple précédent représenté sur la figure 3
définit la probabilité Pr(X/Y) comme étant la
A . B est l’événement nul.
probabilité d’obtenir X lorsque Y est réalisé.
Exemple On démontrerait que :
Pr(X. Y)
Soit A l’ensemble des événements pairs Pr(X/Y) =
Pr(Y)
A = (2, 4, 6) Pr(X . Y )
et que Pr(Y/X) =
et B l’ensemble des événements nombres premiers Pr(Y) -
B = (1, 2, 3’ 5), On en déduit que la probabilité d’obtenir le
alors : A . B = (2). produit de deux événements indépendants est
égale au produit des probabilités des deux
événements.
Si A et B sont indépendants :
2.2.3.Théorème des probabilités totales Pr(A . B) = Pr(A) Pr(B).
a) La probabilité d’obtenir l’événement somme

de deux événements incompatibles est égal à la
somme des probabilités de ces deux événe- 3. VARIABLES AL~ATOIRES
ments.
Pr(A + B) = Pr(A) + Pr(B) 3.1. DÉFINITION
Application A chaque événement aléatoire on fait corres-
pondre un élément de R.
2
O-=
Soit C l’événement certain, en définissant par
le contraire de l’événement A , on aura :
c=A+À. Fig. 5
La probabilité de l’événement certain valant 1

A l’événement ai de A , on fait correspondre
on a donc 1 = Pr(A) + Pr(2)
x ( a , ) ~ : Rce, nombre réel ou complexe varie en
ou Pr(A) = i - Pr(A). fonction des différents événements a,; on le note
120
- ~~ ~
signaux aléatoires
indifféremment x(ai) ou X : c’est une variable Nous allons utiliser les différents résultats énon-
aléatoire. cés préalablement pour calculer les grandeurs
Si x prend un nombre discret de valeur on dit statistiques intéressantes de cette variable aléa-
que la variable aléatoire est discrète. toire.
Si x est défini sur tout ou partie de l’axe des réels Il nous faut connaître la loi de probabilité pour
c’est une variable aléatoire continue. l’obtention d’une face d’un dé.
Il y a six faces, elles sont équiprobables, donc
Pr(x = 1) = Pr(x = 2) = ... = Pr(x = 6).
Comme Pr(x = 1, 2, 3, 4, 5, 6) = 1 (événement
3.2. VARIABLE certain), on en déduit
ALÉATOIRE DISCRÈTE 1
P r ( x = i pour i = 1 a 6)=-.
6
3.2.1. Définition des moments
Nous devons ensuite calculer la loi de probabilité
On appelle espérance mathématique notée E(x), de la variable aléatoire somme de deux dés.
la valeur moyenne de x. Nous allons recenser les différents cas possibles :
Pour une variable discrète, appelons X i les X E { 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12 1
valeurs de la variable aléatoire, Pr(x = Xi)la
xi1
probabilité d’obtenir la réalisation de Xi.
événements ((somme)) Pr(x = x i )
E ( x ) = X , Pr(x = X,) + X, Pr(x = X,)
+ ... + Xn Pr(x = Xn), 2 1 1 + 1 -
1
n 36
ou E(x) = 1 XiPr(x = Xi).
i= 1
-
2
On pose en général : 3 1+2,2+1
36
E(x) = rn. 3
4 1+3,2+2,3+3 -
On appelle espérance mathématique des carrés : 36

n
E(x,) = C X ? Pr(x = xi). 5 1 + 4’2 + 3,3 + 2,4 + 1 4
-
i= 1 36
On définit la variance comme l’espérance mathé-
5
matique de (x - E(x)),, on la note cx. 6 1 + 5 , 2 + 4’3 + 3’4 + 3’5 + 1 -
36
O: = E ( x - E(x))’
6
On la calcule aisément : -
36
: = E ( x 2 ) - rn2.
a
5
On définit de façon analogue, les moments -
d’ordre k comme étant l’espérance mathématique 36
de xk : 4
n -
E ( x ~=) C X: Pr(x = xi>. 36
i= 1
3
-
36
2
-
11 5 + 6 , 6 + 5
3.2.2. Exemple d’a ppIicat io n
4
36
On prendra comme expérience aléatoire le lancer 1

12 6 + 6 -
de deux dés, et comme variable aléatoire discrète 36
la somme des deux faces visibles.
121
théorie du signal
On vérifie bien sur que : On en déduit le carré de l’écart-type a

: :
Pr(x) = (2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, ,9, 10, 11, 12) a
: = E ( x 2 )- m2
12
= 5,833
= 1 Pr(x = i ) d’où oX = 2,41.
i=2
-
36
--
36
=1 3.3.VARIABLE
On représente cette loi de probabilité par le ALÉATOIRE CONTINUE
graphique suivant : Pr(x = i ) .
3.3.1. Densité de probabilité
Nous venons de voir que nous pouvions connaître

6/36 les propriétés d’une variable aléatoire au travers
5/36 de la connaissance de la loi de probabilité de
4/36 cette grandeur.
3/36 A partir de l’exemple du paragraphe 3.2.2. nous
2/36 avons pu représenter la probabilité d’obtenir
l’une des valeurs de l’espace des x i , nous pouvons
1/36
intuitivement comprendre que si l’espace des x
O 1 2 3 4 5 6 7 8 9101112 est un espace continu les points représentatifs
sont infiniment voisins et la représentation de la
Fig. 6 loi de probabilité sera une courbe continue.
On remarque sur ce graphique que la loi de

probabilité de la variable aléatoire discrète
(V.A.D.)est symétrique autour d’un axe vertical
centré sur x = 7.
X1 x2 X
Calcul de la valeur moyenne de la V.A.D. Fig. 7
~ ( x=) C i x Pr(x = i) Nous appellerons densité de probabilité et noterons

i= 2
p(x) la fonction caractérisant la loi de probabilité.
--
-
2x1 2 3 4
+3x-+4x-+5x- Nous en déduisons immédiatement que la
36 36 36 36 Probabilité d’obtenir un événement sera définie
+ 6 ~ -
5 sur un intervalle ]x, x + dx]
36 Pr{ XE]^, x + dx]} = p ( x ) dx.
6 5 4
+7x-+8x-+9x- Nous pouvons immédiatement en déduire la
36 36 36
probabilité de l’événement certain, qui est donnée
3 2 12
+ 10 x -+ 11 x -+
36 36
-
36
par l’intégrale sur l’axe des x;on peut la calculer :
E ( x ) = 7. Pr{xE[cc + CO]}= j +Co
-00
p ( x ) dx
On retrouve ainsi une propriété importante des =1
variables aléatoires : lorsque la représentation de (résultat du paragraphe 2.1).
la probabilité d’une variable aléatoire est symé-
trique, cet axe de symétrie se trouve toujours en Cette propriété est très importante et permet de
JW. vérifier que la fonction décrivant la loi de
On calcule aisément E ( x 2 ): probabilité est exprimée correctement.
E ( x ~=)
=
12
1 i 2 Pr(x = i )
i=2
54,833.
A retenir : j j-y P ( X ) dx = 1 1
122
signaux aléatoires
3.3.2. Quelques lois de probabilité On peut calculer les premiers moments de cette
loi de probabilité :
a ) Densité de probabilité des variables aléatoires E(x) = O
équiprobables E ( x 2 )= O 2
Soit x une variable aléatoire équiprobable sur E ( x 3 ) = 3a4.
l’intervalle [O; 21, la courbe représentant la loi
de probabilité ne peut être qu’une portion de Lorsque la loi n’est pas centrée sur O, l’extremum
droite horizontale. se trouve en a.
P (El
9 O Fig.
1 8
Nous voyons que pour calculer la valeur de a, il

2
O&
-
a X
nous suffit d’appliquer la relation que nous avons
démontrée précédemment. Fig. 10
L’expression de la densité de probabilité se déduit

P ( X ) = a; a dx = 2a = 1,
de la précédente par un changement d’axe
donc a = 0,5. vertical, soit
p ( x ) = 0,5 pour x E [O, 1[

P ( x ) = O pour x$[O, l[
On calcule aisément les 2 premiers moments
6 ) Loi de probabilité gaussienne E(x) = a
Nous rencontrerons souvent des variables aléa- (ce résultat est évident vu la symétrie de la
toires gaussiennes. Pour en connaître toutes les fonction p ( x ) autour de a)
propriétés il faut les rechercher dans les ouvrages E(x2) = a2.
de mathématique.
On peut effectuer un changement de variable en
Cependant il faut connaître la densité de posant y = x - a variable aléatoire centrée en O.
probabilité d’une variable aléatoire gaussienne,
elle est définie lorsqu’elle est centrée sur O par : Ce résultat permet de définir une variable
aléatoire gaussienne par deux valeurs O et a,
P(X) = ~ 1 x (,-SI. a appelé écart-type,
a& a appelé moyenne.
Exemple physique
Superposition d’un bruit gaussien centré et
d’une grandeur continue.
source gaussiènne X
[centree sur O ]
[écart type O]
source continue
-40 -30 -20 -cl O 0 20 30 40 parfaite
Fig. 9 Fig. 11
123
théorie du signal
La variable aléatoire y a le même écart type Nous pouvons définir un premier événement
a que x et aura pour valeur moyenne a. aléatoire comme étant la sortie de l’additionneur
entre l’instant t, et t,, un deuxième événement
c ) Densité de probabilité de la loi de probabilité comme étant la sortie de l’additionneur entre t,
de Poisson et t, ...
Cette loi est rencontrée fréquemment en phy- Comment peut-on caractériser ces différents
sique lorsque l’on compte des événements se événements aléatoires puisque la connaissance
produisant à intervalles aléatoires, tels que la des lois de probabilité ne fait pas intervenir le
désintégration d’un élément radioactif. temps?
Nous devons introduire la stationnarité.
On dira que x(t) est stationnaire si toutes ses
propriétés statistiques sont invariantes dans le
temps, donc du choix de l’origine des temps.
Donc, quelque soit l’échantillon, les propriétés
statistiques sont identiques; or pour obtenir
On définit la probabilité pour qu’il y ait un expérimentalement E(x), il faut être capable de
événement dans l’intervalle dz par réaliser : +m
E(x) = J-m X P ( X ) dx,

+
Pr { 1, ]z, z dz] } = 27 e-“ dz,
on notera p(i, z) = Aze-“ soit posséder un échantillon de durée infinie pour
et la probabilité, pour qu’il n’y ait aucun que l’ensemble des x puissent être présents.
événement dans l’intervalle]z,z + dz], est définie Nous constatons que nous devrons nous contenter
par sa densité de probabilité. d’une moyenne sur un intervalle de temps de
durée finie.
Pr { O, 17, z + dz] } = e-“ dz,
Nous définirons ainsi l’ergodicité.
on notera p(O, z) = e-aT.
On dira qiv x(t) est un processus aléatoire
ergodique s moyennes fütistiqi%$sc“ gales
aux moyeni temporelles correspondari les.
_I
z
On constate à l’évidence que plus l’intervalle est
+m
T+mT
1
fl-2
1
x2p(x)dx = lim - Ii:;X2(t)dt
long et plus la probabilité qu’il n’y ait pas des Cela veut dire qu’elles sont indépendantes du
événements diminue. choix de t,.
Pour de plus amples développements, il faut se
reporter aux ouvrages spécialisés de mathéma-
tique. 4.2. BRUIT
Nous définirons comme bruit, les processus
4. APPLICATION aléatoires que nous rencontrons en électronique.
A L‘ELECTRON~QUE Ils sont caractérisables par leurs propriétés
statistiques qui sont pour la plupart déduites par
4.1.
STATIONNARITÉ le calcul et vérifiées expérimentalement.
ERGODICITÉ
4.2.1. Bruit blanc
Jusqu’à présent nous n’avons raisonné que sur Nous avons caractérisé jusqu’a présent un signal
des événements aléatoires, où le temps n’interve- par sa forme, c’est-à-dire son évolution dans le
nait pas comme une variable. Il nous faut temps. Il ne nous est pas possible de donner la
reprendre l’exemple du paragraphe 3.3.2 b. fonction de variation du temps, mais seulement
124,
s ig na ux a Iéatoi res
les moments (E(x), E ( x 2 )... et la densité de On constate avec une observation fine que le
probabilité p ( x ) de la grandeur. courant 1 est variable, alors qu’il devrait être
Nous devons pour mieux le connaître essayer constant.
d’approcher sa composition spectrale. On peut démontrer que le courant électrique
On définira un bruit blanc, comme un bruit dont dans la diode est un processus de Poisson, on
le spectre est infini et constant. l’appelle bruit de grenaille (lié à l’état corpus-
culaire de l’électricité). C’est un bruit blanc
jusqu’à 1 GHz si on ne tient pas compte du temps
t de transit.
--I
v
4.2.4. Bruit thermique
Une résistance parcourue par un courant élec-

Fig. 14 trique voit sa différence de potentiel aux bornes
varier. Les fluctuations autour de i sont une fois
On constate alors qu’il est d’énergie infinie, et
encore liées à un processus poissonnien dont
qu’il nous sera plus facile de raisonner sur les
l’amplitude est liée a la température absolue T
puissances. Nous détaillerons au paragraphe 4.3
de la résistance. Il peut être considéré comme
ces problèmes d’analyse spectrale.
blanc jusqu’à 10 GHz.
4.2.2. Bruit coloré
Par opposition au bruit blanc, nous définissons

un bruit coloré par analogie au spectre lumineux
(le blanc contient toutes les couleurs à niveau
égal). Il aura donc un spectre fini et sera d’énergie
finie.
A
4.2.5. Autres bruits
On peut encore citer le bruit de génération

recombinaison, le bruit de scintillation, qui eux
sont des bruits colorés, phénomènes dépendant
O
des grandeurs électriques et de la géométrie des
composants.
Fig. 15
Les bruits peuvent avoir différentes natures

physiques. 4.3. ANALYSE SPECTRALE
4.2.3. Bruit de grenaille 4.3.1, Fonction d‘autocorrélation
Ce bruit est obtenu en analysant le courant qui Nous nous intéresserons aux processus ergo-
traverse une diode alimentée dans le sens passant. diques et stationnaires.
On définit la fonction d’autocorrelation par :
T
1 f?
rx(tl,
t 2 ) = lim
T-tm T
J -TLi x ( t J . x ( t 2 )dt.
ieT B
2
Le processus étant stationnaire, l’origine des

temps n’intervient pas.
On pose t , - t , = T et t , = t, d’où
T
eo 1 rz
r,(~)
= lim
T +
-
A
T~ J-T
-
x(t - T) . x(t) dt.

Fig. 16
125
théorie du signal
La fonction d’autocorrélation au point z = O vaut 4.3.2. Analyse spectrale

E ( x 2 ) ;cette valeur est supérieure à O.
La fonction d’autocorrélation est symétrique; on a ) Rappel sur les notions d’énergie et de puissance
obtient par exemple : d’un signal
Nous considérerons l’énergie dissipée dans le
montage suivant :
Pendant le temps dt l’énergie dissipée dans R

vaut dE
dw =-
X2(t) dt.
R
Nous définissons la puissance normalisée instan-
Fig. 18
tanée, en prenant R = 1 R :
dw
L’exemple @ est facile à interpréter. Comme P(t)= -- = x2(t).
dt
r,(z) ne varie pas beaucoup en fonction de z,
c’est que x(t) et x ( t - z) sont très voisins, donc Nous pouvons calculer l’énergie normalisée
I‘,(z) traduit la reproductibilité du processus, ou
la ressemblance des deux échantillons. Dans ce
cas on dit qu’ils sont fortement corrélés.
L’exemple @ montre un phénomène où les
deux échantillons, même pour un temps faible,
wt,,t, = ftr
contenue dans ce signal dans l’intervalle [ti, t 2 ] :
P ( t ) dt = 6::
On connaît ainsi l’énergie normalisée totale du
x 2 ( t )dt.
n’ont pas beaucoup de ressemblance. L’auto- signal en calculant :

corrélation traduit en quelque sorte la mémoire
Lrn
+Co
du processus, on dit alors que les deux échan- w - ~ , =

+ ~ x 2 ( t ) dt.
tillons sont faiblement corrélés.
On constate donc que si r,(z) est périodique, le On peut ainsi définir deux classes de signaux :
phénomène que nous étudions est lui-même - les signaux à énergie finie, c’est-à-dire pour
périodique et n’est que pseudo-aléatoire. lesquels w - ~ , <+ 00,
~
- les signaux à énergie infinie, c’est-à-dire
pour lesquels w- + = GO.
Co,
Réalisation d’un autocorrélateur Pour ces signaux une grandeur significative peut
être ajoutée à la puissance instantanée; la
puissance moyenne sur un intervalle de temps T
est :
Fig. 19
T )= -
Pmoy(t, .r J:t+T x 2 ( t )dt = w t , t + T
Cette grandeur ainsi définie permet de calculer

~
T e
le signal continu possédant la même puissance

En général il est très difficile de réaliser un pendant l’intervalle de temps [t, t + TI.
dispositif donnant un retard pur en électronique Nous constatons que la notion de puissance
linéaire, il est fait en général appel à des systèmes moyenne sur un intervalle d’amplitude T , corres-
de conversion afin de réaliser le retard de façon pond à la définition du moment d’ordre 2
numérique. E ( x 2 ) lorsque l’on fait tendre T vers l’infini.
126
signaux aléatoires
6) Densité spectrale de puissance moyenne Maintenant on peut mieux appréhender les

notions intuitives de bruit blanc et de bruit coloré.
Nous pouvons par un calcul mathématique
utilisant la transformation de Fourier, montrer c ) Largeur de bande
que la connaissance énergétique temporelle du
Nous avons vu que ce type de bruit avait une
signal est équivalente à sa connaissance énergé-
répartition spectrale horizontale, nous savons
tique spectrale.
qu’il est d’énergie infinie et de puissance moyenne
Nous l’appellerons densité spectrale de puissance finie, donc de densité spectrale constante égale à :
S,(f) ou S,(co) (c’est la transformée de Fourier 2 x rX(0).
de la fonction d’autocorrélation). Elle a pour
unité des volts carrés ou des ampères carrés par Exemple d’application
hertz.
Bruit thermique d’une résistance de valeur R à
Exemple température T.
Rappel
K :constante de Boltzmann.
Puissance moyenne temporelle :
P, = 4KTR df:
0 1 O2 O
Fig. 21
a x (CU, - col) = aire comprise entre col et co2.

Elle représente la puissance moyenne temporelle f f+df f
dans la bande de pulsation [wl, CO>,].
Fig. 23
On utilise un moyenneur quadratique précédé
d’un filtre de bande pour calculer a x (co2 - co2) :
Connaissant la puissance, on en déduit le
x(t) Filtre
de bande
O, 1 0 2
y
-[Tp.
x Y2
sJ
1
- a(%)
-
générateur équivalent pour la bande de fréquence
considérée :
donc eeff= J 4 K T R df.
127
?-
théorie générale simplifiée

O des semi-conducteurs
lm
RAPPELS Dans le cas d’une répartition plane uniforme et
DIE LECTROSTAT IQU E infinie de charges, les lignes de champ sont
- (fig. 3). 11
perpendiculaires a la surface portant les charges
f WLignesdcchamp
1.1. C H A M P
ÉLECTRIQUE I I I I I
+ + + + + + + + + + + / s u r f a = infinie
On appelle champ électrique toute portion +++++++++++
d’espace où la charge au repos est soumise à
une force. Ce champ est caractérisé en tout
point par :
+
III11 Fig. 3.
- un vecteur :le vecteur champ électrique E ,

- un nombre : le potentiel V.
O On appelle ligne de champ, une courbe 1.3. ACTION D U VECTEUR

orientée qui en chacun de ses points est tangente C H A M P ÉLECTRIQUE
au vecteur champ électrique (fig. 1).
-3
E
Toute charge électrique q mise
--+
en présence d’un
vecteur champ électrique E est soumise à une
force F = qZ (fig. 4).
Ligne de +
Fig. 1 champ -f F
O On appelle équipotentielle, une surface dont

Fig. 4. q A
tous les points sont au même potentiel.
Si la charge q est positive, la force est orientée
dans le sens du champ.
1.2. CRÉATION D U VECTEUR
C H A M P ÉLECTRIQUE E
1.4. RELATION
C H A M P POTENTIEL
Soient deux points A et B, d’un champ électrique,

9>0
Fig. 2. distants de dl, et portés respectivement aux
potentiels V et V + dV, et soit É l e vecteur champ
Une charge ponctuelle 4 placée en un point O électrique entre A et B (fig. 5).
crée en tout point M de l’espace environnant un
vecteur champ électrique E‘(jig. 2) :
- dirigé suivant O M ,
- d’intensité E = 9 . log 4 dans le vide ou
dans l’air, r2’
- orienté vers la charge si elle est négative.
131
composants -
+
En posant dl =
A +
AB, E et V sont liés par la En un point intermédiaire M , où le vecteur d
relation : champ électrique est égal a E, la force

+ - + électrostatique
--+
fournit, pour un déplacement
dV = -E dl.
élémentaire dl, le travail :
On en déduit les propriétés suivantes : --t+ ---+
+ dW=Fdl=qEdl=-qdV.
- le vecteur champ électrique E est orienté
suivant les potentiels décroissants; Pour le déplacement total de A en B, cette force
- les surfaces équipotentielles sont perpendi- fournit le travail :
culaires aux lignes de champ.
W= dW= q /AE - dV = q(VA- VB).
En conclusion : en augmentant de Vole potentiel

1.5. CONDENSATEUR d'une charge q, on lui fournit l'énergie potentielle
On obtient un condensateur en mettant en wo = qv,.

présence deux conducteurs A et B, appelés
armatures, séparés par un isolant (fig. 6).
/Isolant
1,7, THÉORÈME D E GAUSS
Soit une surface fermée S englobant la charge Q

(fig. 8).
Si on porte respectivement ces conducteurs aux

potentiels VA et V,, il apparaît sur les faces en
regard des conducteurs deux charges égales et
opposées qA = + q, et q, = - q telles que :
q = C( V A - V,).
C étant la capacité du condensateur. Elle se Fig. 8.
mesure en Farads.
On appelle flux du vecteur champ électrique E'à

travers la surface S la quantité :
1.6. TRAVAIL DE LA FORCE
ÉLECTROSTATIQUE @=
Js
1 4-
E dS.
Soit une charge q que l'on déplace dans un champ

D'après le théorème de Gauss, ce flux est égal
électrique d'un point A porté au potentiel VAvers
à:
un point B porté au potentiel V, (fig. 7).
@=- Q
E '
où E est la permittivité du milieu.
Ce théorème, permet, entre autres, de calculer,

par un choix judicieux de la surface S, l'expres-
sion de champs électriques, dans le cas où la
répartition des charges présente des symétries
Fig. 7 permettant une évaluation simple du flux.
132
théorie générale simplifiée des semi-conducteurs
2. RAPPELS 3.1. LIAISON COVALENTE

SUR LA STRUCTURE
D E LA M A T I È R E Afin de voir huit électrons sur sa couche externe,
chaque atome de silicium met ses 4 électrons
périphériques en commun avec les atomes
L’atome est constitué d’un noyau entouré
voisins. On obtient ainsi, pour le cristal de
d’électrons.
silicium, la représentation de la figure 10.
z
2.1. LE NOYAU
Le noyau contient deux types de particules :

Si
O.
Si
O.
f Si
O.
Si
.O
f
Si
Si
m.
<
t Si
.O
Liaison
covalente
- les neutrons qui ne sont pas chargés,

Si f Si Si f Si
- les protons qui portent une charge Fig. 10.
+
électrique e = 1’6 . 10-I9 coulombs.
O O O
C’est la mise en commun des électrons

périphériques, appelée liaison covalente, qui
2.2. LES ÉLECTRONS assure la cohésion du cristal de silicium.
Les électrons qui participent à ces liaisons sont
Le noyau est entouré d’électrons qui portent une fortement liés aux atomes de silicium. Il
charge électrique - e. n’apparaît donc aucune charge mobile suscep-
L’atome étant électriquement neutre, le nombre de tible d’assurer la circulation d’un courant
protons est égal au nombre d’électrons. Les électrique. Le semi-conducteur est alors un
électrons sont répartis en couches successives. On isolant. Cet état apparaît à la température de
distingue : O kelvin.
- les électrons internes qui occupent les
couches internes et qui sont très fortement
liés au noyau, 3.2. IONISATION
- les électrons périphériques qui occupent la TH ERMlQU E
couche la plus externe et qui sont peu liés
au noyau.
A la température ordinaire, l’agitation thermique
Tous les atomes tendent à avoir huit électrons sur provoque la rupture de quelques liaisons
leur couche externe. covalentes. Un des électrons participant à cette
liaison acquiert ainsi l’énergie nécessaire pour
quitter l’atome auquel il était lié. Il devient un
3. SEMI-CONDUCTEUR porteur de charge libre, capable de se déplacer
dans le cristal, et autorisant ainsi la circulation
INTRINSÈQUE
d’un courant électrique. Le cristal devient alors
un mauvais isolant d’où son appellation de semi-
Les semi-conducteurs (germanium et surtout
conducteur.
silicium) possèdent 4 électrons sur leur couche
périphérique. Il est possible de les produire avec L’atome de silicium qui a perdu un électron n’est
un haut degré de pureté (moins d’un atome plus électriquement neutre : il est devenu un ion
étranger pour 101’ atomes de semi-conducteur) : positif, (fig. 11).
on parle alors de semi-conducteur intrinsèque. Electron I I bre
Pour simplifier le raisonnement, nous représente-
rons un atome de silicium conformément a la si + --.ion positif
Fig. 11.
figure 9.
oc-- Electron Ionisation thermique
périphérique
0 0 0
Ce phénomène n’intéresse qu’un nombre très
O Fig. 9. faible d’atomes de silicium, (3 sur 1013 à 27 “C).
133
composants
O État 1 : ionisation d’un atome de silicium

3.3. R ECO M BI NAISON qui provoque l’apparition d’un ion positif en A
et d’un électron libre en E l ;
L’ionisation thermique conduirait, à terme, à O État 2 : ionisation d’un deuxième atome de
l’ionisation de tous les atomes de silicium si elle silicium en B ;
n’était pas compensée par un autre phénomène : O État 3 : recombinaison en A .
les recombinaisons. Un électron libre, arrivant à
proximité d’un ion positif de silicium peut être Comparons l’état initial et l’état final :
capté par ce dernier qui redevient un atome - l’électron libre s’est déplacé de E , en E,;
neutre. La liaison covalente est alors rétablie. - tout se passe comme si la charge positive
A température fixe un équilibre s’établit entre les portée par un ion de silicium s’était
phénomènes d’ionisation thermique et de recom- déplacée de A en B. En fait ce n’est pas l’ion
binaison. La concentration ni en électrons libres qui a changé de place, mais la propriété
(( absence d’électron )) qui a transité de A en
(nombre par unité de volume) dépend :
- de l’énergie I/ti nécessaire pour ioniser un
B. Cette a absence d’électron )) est équiva-
atome (pour le silicium I/ti = 1,12 électron- lente à une charge positive + e : nous
l’appellerons trou.
volt = 1’12 x 1,6 . 10-I9 joules),
- de la température absolue T du cristal, Les électrons libres et les ions de silicium
suivant la loi apparaissant en quantités égales, la concentra-
Wi tion en électrons libres (ni),et en trous (pi)sont
ni = AT312 e-2KT
donc égales :
dans laquelle A et K sont des constantes; 3 wi
ni = pi = A l 3 e-2KT.
K = 1’38 . 10-23 J/” (constante de Boltz-
man). A chaque électron libre correspond une absence
Cette concentration augmente donc très rapi- d’électron (trou) : on parle alors de paire électron-
dement avec la température; elle vaut trou.
ni = 1,5 . 10’’ cmP3 pour le silicium à 27 O C
( T = 300 “K).
4. S E M 1-CONDUCTEUR
3.4. NOTION D E T R O U D E TYPE N
Considérons les phénomènes successifs décrits à On obtient un semi-conducteur de type N en
la figure 12 dans laquelle les électrons participant injectant dans le cristal de silicium des atomes qui
aux liaisons covalentes sont décrits par des traits : possèdent cinq électrons sur leur couche périphé-
rique (phosphore, arsenic).
Quatre de ces cinq électrons sont mis en commun
État 1 avec les atomes de silicium voisins pour réaliser
des liaisons covalentes. Le cinquième électron,
inutilisé, est très faiblement lié à l’atome
pentavalent. Une énergie très faible suffit pour le
libérer (fig. 13).
II Il I -
État 2 =Si =Si =Si
II II .-t - Electron
=Si = A , + - -Si -
- libre
II II I
=Si =Si =Si
Fig. 13.
II II I
État 3
L’atome pentavalent, ici l’arsenic, As, qui a fourni
un électron libre est appelé atome donneur. Il a
perdu sa neutralité pour devenir un ion positif
Fig. 12. fixe.
134
c
A température ordinaire, la quasi totalité des

atomes donneurs est ionisée. Le phénomène
décrit a la figure 13 se superpose a la création de
paires électron-trou par les atomes de silicium.
Aspects quantitatqs On obtient un semi-conducteur de type P en

La concentration en atomes donneurs est de une injectant dans le cristal de silicium des atomes qui
impureté pour 105 a 108 atomes de silicium. possèdent trois électrons sur leur couche
périphérique (bore, indium).
Rappelons qu’a 27 O C , l’ionisation thermique
intéresse 3 atomes de silicium sur 1013. Il manque ainsi un électron à l’atome trivalent
pour réaliser les liaisons covalentes avec les
Le nombre de paires électron-trou est donc
quatre atomes de silicium qui l’entourent. En
beaucoup plus faible que le nombre d’électrons
réalité, les électrons participant aux liaisons sont
libérés par les atomes donneurs. Du point de vue
des charges électriques, on peut donner, du semi- indiscernables les uns des autres. Tout se passe
alors comme si un des atomes de silicium voisin
conducteur de type N , la représentation de la
figure 14. avait cédé un électron à l’atome trivalent de bore
Ions fixes liés au
(fig. 15) créant ainsi un trou dans le cristal de
réseau cristalin
Electronç silicium.
I / libres
0 Yi =”ii =
II II II
+’+++’+’+’+ =SI, Trou
4 4444 Paire
+’ 4 +” +’ +” +’ +? électron
=Si =B-=Si = libre
Fig. 14. trou II II II
Si on considère les porteurs mobiles :
- les électrons libres apparaissent en grand
nombre et sont appelés porteurs majori-
taires d’où l’appellation semi-conducteur L’atome de bore qui capte un électron est appelé
de type N , atome accepteur. Il a perdu sa neutralité pour
- les trous très peu nombreux sont appelés
devenir un ion négatiffixe.
porteurs minoritaires.
A température ordinaire, la quasi totalité des
Les concentrations en électrons libres (n) et en atomes accepteurs est ionisée. Le phénomène
trous ( p ) sont liées par la relation : décrit à la figure 15 se superpose à la création de
Wi paires électron-trou par ionisation thermique
p . n = p i . ni = A , T 3 e - E . entre atomes de silicium.
La quasi totalité des atomes donneurs étant Comme pour le semi-conducteur de type N , le
ionisée, la concentration en électrons libres n est nombre de porteurs créés par ionisation
très voisine de la concentration ND en atomes thermique est beaucoup plus faible que celui
d’arsenic (n N ND). De plus ND est très grand par résultant de la présence des impuretés et ceci à
rapport à ni = p i . cause de la concentration en atomes accepteurs
Nous pouvons en conclure que la concentration (1 atome accepteur pour 105 à i08 atomes
en trous est beaucoup plus faible pour le semi- silicium).
conducteur de type N que pour le semi- Du point de vue des charges électriques, on peut
conducteur intrinsèque, ce qui s’explique par le donner, pour le semi-conducteur de type P , la
fait que le grand nombre d’électrons libres représentation de la figure 16.
favorise les recombinaisons.
Ions fixes liés au
REMARQUE réseau cristaiin \
L’ionisation d’un atome d arsenic, contrairement à aire
celle d’un atome de silicium ne conduit pas à la -O -0 -0 -0 - -O électron-trou
création d’un trou. En effet, chaque atome voyant huit
électrons sur sa couche périphérique, la propriété
(( absence d’électron )) devient quasiment insensible
au niveau des atomes donneurs ionisés et la capture

d’un électron par ces atomes ne peut être que fugitive. Fig. 16.
135
comDosants
Si on considère les porteurs mobiles : Pour le silicium, les expressions des mobilités
- les trous mobiles apparaissent en grand sont les suivantes.
nombre et sont appelés porteurs 300 2 9 3 m 2 , v-l
majoritaires, p p = 0,45 . 10-1(7) . s-l,
- les électrons libres peu nombreux sont
300 296m2 v-l s-l
appelés porteurs minoritaires. p, = 1,45. 1 0 - ’ ( 7 ) . - 9
La quasi totalité des atomes accepteurs étant

ionisée, la concentration p en trous est très T étant la température absolue.
voisine de la concentration N A en atomes de bore REMARQUES
( P N NA). 0 Les mobilités diminuent lorsque la température
Par suite de la relation : augmente : l’agitation thermique accroît le
Wi nombre de (( chocs )) qui s’opposent au
p . n = p i . ni = A , . T 3 e - E , déplacement.
0 A température ordinaire (T= 300 “K), la
la concentration en électrons libres est beaucoup mobilité des trous est plus faible que celle des
plus faible pour le semi-conducteur de type P que électrons libres. Cela se congoit dans la mesure
où p,, provient du déplacement direct des
pour le semi-conducteur intrinsèque. électrons alors que p p résulte des actions
successives :ionisation thermique, déplacement
des électrons, recombinaison.
6.2. CONDUCTIVITÉ DES

S E M1 -CO N DUC T E U R S
Considérons une surface S d’équipotentielle a

l’intérieur du semi-conducteur (fig. 18).
6.1.
MOBILITÉ DES PORTEURS
D E CHARGE
I
Considérons un semi-conducteur isolé. Les
porteurs de charge mobiles s’y déplacent en tous
sens et comme aucune direction n’est privilégiée,
on n’observe aucune circulation de charges à
l’échelle macroscopique.
Appliquons au semi-conducteur une différence de
potentiel V cfzg. 17). Par suite de la relation
r-k
I
I
lTd{+
Equipotentielle
Soit n la concentration (nombre par unité de

volume) en électrons libres de charge - e, et soit p
la concentration en trous de charge + e.
Fig. 18.
champ-potentiel, il apparaît, dans le semi- Le vecteur vitesse des porteurs de charge étant
4 4
conducteur, un champ électrique E , qui favorise colinéaire au vecteur champ électrique E , les
le déplacement des trous dans le sens du porteurs traversent perpendiculairement la sur-
champ et le déplacement des électrons mobiles face équipotentielle S .
dans le sens opposé. Les porteurs traversant la surface S, pendant le
temps dt, sont contenus dans le volume :
O Su, dt pour les électrons libres, conduisant
au passage de la charge - nSv,e dt,

I , Semi - conducteur 1 O Su, dt pour les trous, conduisant au passage
de la charge pSu,e dt.

+
4 E Tout se passe donc comme si la charge
Fig. 17.
dq = e(nu, + pu,)S dt = e(np, + p p , ) E S dt,
A l’échelle macroscopique les trous prennent une traversait, pendant le temps dt, la surface S dans
vitesse d’ensemble ap -t
= ppE, et les électrons

4
le sens du champ E , ce qui correspond à un

a, 4
mobiles une vitesse = pnE, p p est la mobilité

des trous, p, est la mobilité des électrons.
136
Si on considère deux équipotentielles infini- O Pour un semi-conducteur dopé par exemple
ment proches correspondant aux potentiels V et de type N :

V - dV (fig. 19), la relation champ potentiel - la concentration en électrons libres est
- , - - E q u i p o t e n tielle V voisine de la concentration ND en atomes
donneurs,
ILrquip;tielle V - dV Fig. 19. - la concentration en trous est négligeable
par rapport a ND,
- la conductivité s’établit donc sensiblement
--++ à:
dV = - E . dl conduit ici à dV = E dl car le
vecteur champ est perpendiculaire aux surfaces
équipotentielles, soit :
dV I La conductivité diminue lorsque la température
E=-=
dl eS(nPn + P P ~ ) augmente.
ou
1 dl
est donc la résistance de la
-
7. EFFETHALL
e(nPn + P P ~ S
)
portion de semi-conducteur de longueur dl Considérons un barreau parallélipipédique de
comprise entre deux équipotentielles de semi-conducteur de type P , parcouru par un
surface S. courant I et soumettons-le à un champ
4
La Conductivité du semi-conducteur s’écrit donc magnétique B perpendiculaire à une de ses faces

6 = e(nPn +P P ~ ) * dftg- 20).
6.3.CONSÉQUENCES
a - Nous avons vu que pour un semi-conducteur
contenant des impuretés, la concentration en I C I
porteurs mobiles est infiniment supérieure à celle
du semi-conducteur intrinsèque (n ou p $ ni ou
Pi).
La conductivité du semi-conducteur de type N
ou de type P est donc beaucoup plus forte que
celle du semi-conducteur intrinsèque. On dit qu’il
est dopé.
Il- ++++++++++
4 ’ Fig. 20.
-
b Étudions l’influence de la température sur la Les porteurs, ici les trous se déplaçant à la vitesse
conductivité a du silicium. u p , sont soumis à la force de Laplace :
O Pour un semi-conducteur intrinsèque : - orientée de bas en haut,
+
= e(nipn p i p p )= e AT312 - d’intensité eupB.
[ (”T)”’ +
O
e - Wi
m x 10-’ 0,45 - 1,45 (3;)296]
- Les trous sont donc déviés vers le haut et on assiste
à une accumulation de charges positives sur la
de la forme : face supérieure du barreau. Cette accumulation
o , ~1 0. 4 ne peut se perpétuer indéfiniment, car elle est à
a = BT312 e - T
l’origine d’un champ électrique E dfig. 20) qui
[ 0’45 (3;)293
- + 1,45 (3;)296]
- . soumet les trous à une force orientée de haut en
bas, d’intensité eE.
A la température ordinaire, l’exponentielle Un état d’équilibre s’établit alors, pour lequel la
l’emporte sur les autres fonctions de la force de Laplace est compensée par la force
température et la conductivité augmente rapide- électrostatique ce qui donne :
ment avec la température. eE = eopB soit : E = Bu,.
137
composants
D’après les résultats du paragraphe précédent, le Afin d’équilibrer la répartition des charges, cette
courant I s’écrit : surface va se voir traversée par un courant I dont
E l’expression est :
I = epv,S = epv,ab = epab-.
B I = eD, -dp dS,
- où
Par suite de la relation champ-potentiel, il dx
apparaît entre les faces supérieure et inférieure e est la charge de l’électron,
du barreau une différence de potentiel V = aE, D, est une constante appelée constante de
soit : diffusion,
dp
- est la variation de concentration suivant un
1
V=-BI dx
epb axe perpendiculaire à la surface dS; nous
de la forme : l’appellerons gradient de Concentration.
V = KBI. Remarquons que si la partie gauche contient plus
On obtient ainsi une différence de potentiel dp est négatif et I est
de trous que la partie droite -
proportionnelle au produit de deux grandeurs dx
électriques : le champ magnétique B et le positif, ce qui est naturel.
courant I . Nous retiendrons que le courant de diffusion à
Les sondes à effet Hall peuvent donc être utilisées travers une surface à l’intérieur du semi-
dans toutes les mesures qui nécessitent le produit de conducteur est proportionnel au gradient de
deux grandeurs électriques (valeurs efficaces, concentration des porteurs (voir : base du
puissances, ...). transistor).
9. JONCTION P-N
8. DIFFUSION On obtient une jonction P-N par la mise en
contact d’un semi-conducteur de type P et d’un
Considérons un semi-conducteur de type N et semi-conducteur de type N , ce qui conduit au
supposons que, par un procédé quelconque, on schéma de la figure 23.
accroisse la concentration en trous dans une Zone de transition
région du semi-conducteur (fig. 21). Trous mobiles \ ,Electrons mobiles
,Trou Ions
Ions
fixes
fixes
Paire Paire
électron - trou éIectro n-t rou
Fig. 21.
Semi- conducteur P Semi- conducteur N
Fig. 23.
Ces trous se déplacent en tous sens mais vont
statistiquement se répartir de telle sorte que la Dans la zone de contact, les électrons mobiles du
concentration en trous soit la même en tout point semi-conducteur de type N vont combler les
du semi-conducteur, à la manière des molécules absences d’électron (trous) du semi-conducteur
d’un gaz qui, injectées dans un récipient, occupent de type P laissant sur place des ions fixes liés au
de façon uniforme le volume qui leur est offert. réseau cristallin.
Considérons donc une surface dS, à l’intérieur du Ces ions fixes constituent deux couches de
semi-conducteur, telle que la concentration en charges (positives du côté N , négatives du côté P )
d
trous ne soit pas la même sur chacune de ses faces qui sont à l’origine d’un champ électrique E dans
dfig. 22). la zone de transition. Ce champ tend à maintenir
les porteurs majoritaires dans leurs régions
respectives (électrons du côté N , trous du côté P )
I et s’oppose ainsi à la cause qui lui donne
Fig. 22. naissance, ce qui conduit à un état d’équilibre.
138
~
c
Par suite de la relation champ-potentiel, il Le courant dû aux porteurs majoritaires est donc
apparaît entre les semi-conducteurs de type N et de la forme :
de type P, une différence de potentiel Vo,appelée eV0
barrière de potentiel (jîg. 24). Io e - E ,
où I o est le courant qui traverserait la jonction s’il
Semi- conducteur n’y avait pas de barrière de potentiel, c’est-à-dire
type p si la diffusion s’effectuait librement.
Ce courant étant égal au courant de saturation I,,
il vient :
eV0
Fig. 24. I , = I o eV=.
9.1. MOUVEMENT
DES PORTEURS
À TRAVERS LA JONCTION
9.2. EXPRESSION
Si la barrière de potentiel maintient les porteurs
majoritaires dans leurs zones respectives, elle
D E LA BARRIÈRE
n’interdit pas le passage des porteurs minoritaires D E POTENTIEL V ,
provenant des paires électron-trou (fig. 23). Ce
mouvement de porteurs minoritaires conduit à Soient :
un courant très faible, appelé courant de ND, la concentration en atomes donneurs du
saturation 1,. Ce courant ne dépend que du semi-conducteur N ,
nombre de porteurs minoritaires se trouvant au NA, la concentration en atomes accepteurs du
voisinage de la jonction et est donc indépendant de semi-conducteur P ,
la hauteur Vo de la barrière de potentiel. P,, la concentration en trous dans le semi-
Or, en l’absence d’éléments actifs, la jonction conducteur N ,
P-N ne peut être parcourue par aucun courant. Pp, la concentration en trous dans le semi-
Il doit donc exister un autre mouvement de conducteur P.
charges qui s’oppose au courant de saturation. Il n2
s’agit des porteurs majoritaires qui possèdent On a PN = 2, Pp = N A , et, d’après la loi de
ND
l’énergie Wo = eVo nécessaire pour franchir la eV0
barrière de potentiel. La figure 25 décrit le Maxwell, PN = Pp e - E , soit :

mouvement des charges à travers la jonction P - N . KT NAND
Vo = -In ----.
Courant de saturation IS e n?
1 dû aux porteurs minoritaires
Ordre de grandeur à température ordinaire
(T = 300 K)
Supposons que la concentration en atomes
donneurs et en atomes accepteurs soit de une
impureté pour 107 atomes de silicium. Sachant
1 Courant dû aux porteurs majoritaires
Fig. 25. possédant l’énergie W, = eVo qu’à la température T = 300 K, le nombre
d’atomes de silicium ionisés est de 3 sur lOI3, il
vient :
Soit N o le nombre total de porteurs majoritaires.
D’après la loi statistique de Maxwell, le nombre
de porteurs majoritaires possédant l’énergie
Wo = eVo s’écrit : wo eV0
n = N o e-KT = No e-KT, Soit :
oÙK est la constante de Boltzman : KT - 1,38. 10-23.300
NAND - 1OI2
Vo = -InT In -
e 1~6.10-19 9
K = 1 ~ 810-23
. JP, ni
T est la température kelvin. Vo x 0,65 volts.
139
7
corn posants
eV
9.3. JONCTION P-N le terme e - m devient négligeable par rapport
POLARISÉE EN DIRECT à 1 et nous pouvons écrire avec une bonne
approximation :
Supposons que, le potentiel du semi-conducteur Ii = I,.
de type N restant constant, on relève, à l’aide
d’éléments actifs extérieurs, le potentiel du semi- Ce courant, dû exclusivement aux porteurs
conducteur de type P, la barrière de potentiel minoritaires, est très faible et on peut admettre
passant ainsi de Vo à Vo - V . que le courant à travers la jonction est nul; on dit
Le courant dû aux porteurs minoritaires, que la jonction est bloquée ou bien qu’elle est
indépendant de la hauteur de la barrière de polarisée en inverse.
potentiel, reste égal à I,.
Le courant dû aux porteurs majoritaires devient :
e(Vo- V ) eV0 eV eV 9.5. RÉSISTANCE DYNAMIQUE
1, e - 7 = 1, e - ï E e+KT = 1, em.
D’UNE JONCTION
Au total il circule donc du semi-conducteur P POLARISÉE EN DIRECT
vers le semi-conducteur N un courant appelé
courant direct : Considérons une jonction polarisée en direct, sur
eV laquelle le potentiel V appliqué par les éléments
ID = Is[em - 11. actifs extérieurs varie autour d’une valeur
moyenne Vm,soit
Ordre de grandeur
V = Vm+ dV.
Dès que la tension V appliquée par les éléments
actifs extérieurs devient supérieure à 0,l volt, Aux petites variations dV de V correspondent des
eV petites variations dID du courant direct I D .
( e g = e3” > e39’ N 50 % 1), le terme e m devient On appelle résistance dynamique r, la résistance
très grand par rapport à 1 et nous pouvons écrire que présente la jonction vis-à-vis des petites
avec une bonne approximation : dV
eV variations soit : r = -.
ID = I, e E N I, e4OV. dID
Par différentiation de l’expression
Ce courant augmente très rapidement avec la eV
tension V : on dit que la jonction est passante ou ID = I , em,
bien qu’elle est polarisée en direct.
il vient
dlD e C e
- - - -eKT =- ID,
dV ‘KT KT
9.4. JONCTION P-N POLARISÉE
E N INVERSE
soit
Supposons que, de la même manière que dans le
paragraphe précédent, on établisse la barrière de A température ordinaire (T = 300 K), il vient :
potentiel à Vo V . + 25 mV
r = -.
Nous pouvons conclure qu’il circule du semi- ID
conducteur N vers le semi-conducteur P un
courant I~ appelé courant inverse :
eV 9.6. INFLUENCE .
Ii = I,.1 - e-m]. D E LA TEMPÉRATURE
Ordre de grandeur 9.6.1. Courant de saturation iS
Dès que la tension V devient supérieure à 0,l volt
Ce courant, dû aux porteurs minoritaires, varie
n2
donc comme les concentrations -!- en électrons
NA
140
n2 En pratique, on admet que la tension aux bornes

mobiles du côté P , et L- en trous du côté N .
N D dune jonction diminue de 2,2 mV par degré, ce
Nous pouvons en conclure que 1, varie comme qui est conforme au résultat précédent. Cette
Wi
variation nuisible dans la plupart des cas est
nf = A0T3 e-KT. cependant utilisée dans certains capteurs de
température.
Ce courant augmente rapidement avec la
température. Il double tous les 10 OC pour le
germanium, tous les 7 OC pour le silicium, ce qui
limite l’utilisation des dispositifs à semi- 9.7. CAPACITÉS
conducteurs à 175 OC pour le silicium et à 75 OC D‘UNE JONCTION
pour le germanium.
9.7.1. Jonction polarisée en inverse
9.6.2. Barrière de potentiel V,
Revenons à la description de la jonction donnée à
Nous avons établi, au paragraphe 9.3 la figure 23. On y distingue, dans la zone de
l’expression : transition, une charge d’espace analogue à celle
K T NAND qui apparaît sur les armatures d’un condensateur.
Vo = -In
ni” ’
~
e Supposons que la jonction soit polarisée en

dans laquelle les facteurs T et ni dépendent de la inverse et augmentons la tension inverse V
température. appliquée par les éléments actifs extérieurs. La
Déterminons, par une différentielle totale, la barrière de potentiel augmente,
+
ainsi donc que le
variation dVo de Vo résultant d’une variation d T vecteur champ électrique E . Cette augmentation
4
de la température T. de E ne peut provenir que d’un accroissement de

la charge d’espace Q.
Ainsi donc une modulation dV de la tension
inverse V provoque une modulation dQ de la
charge d’espace Q et ce par une circulation de
charges (électrons majoritaires du côté N allant
dT 2KT dni
dV - V combler les absences d’électrons du côté P )
O - O T - - - - e ni conduisant à un courant dl.
Or ni dépend de la température suivant la loi : De ce point de vue le comportement de la
Wi jonction polarisée en inverse est analogue à celui
ni = AT3I2 e - 5 3 , d’un condensateur qui bloque le courant continu,
soit mais qui est perméable aux petites variations d l
l n n , = l n A + -3l n T-- Iii. de courant résultant de petites variations d V de la
2 2KT’ tension aux bornes.
Établissons, dès lors, la relation qui lie la charge
Par différentiation, il vient :
d’espace Q à la barrière de potentiel Vo + V , et
dn, - 3 d T
ni 2 T
+-2KT2 dT.’ pour cela représentons la zone de transition
cfzg. 26).
dVo
--
Vo 2KT Semi-conducteur N 1 Semi-conducteur P
I
I
A B
i I T T I
I E(x+ dx)
Ordre de grandeur I
I
-1
I
1 I
Pour le silicium, à 300 K, nous avons établi : A’T 1s‘
Vo 0,65 volt, K = 1,38. 10-23, = 1,12 élec-
Equipotentiellp V + d V II Il I
tron-volt; le calcul numérique conduit à
Equipotentielle V I I
- -
I I
dV0
-4 O x X + ~ X Xz
- - - - 2 . 10-3 volts par degré.
dT Fig. 26.
141
comDosants
--++
Si on prend pour origine (x = O) la surface de Nous pouvons en conclure, d,’aprèsd V = - E dl,
contact des deux semi-conducteurs, la zone de que, le potentiel étant constant en dehors de la
transition s’étend de O à X , du côté P et de O à zone de transition, le vecteur champ électrique y
- X I du côté N . est nul, soit :
La concentration eIi ions positifs fixes, de charge E ( - X I ) = E ( X 2 ) = O.
+ e, sur le semi-conducteur de type N , est égale à
N D . De même la concentration en ions négatifs Compte tenu de cette condition, l’intégration de
fixes, de charge - e, sur le semi-conducteur de 1’équation
type P, est égale à NA. Ces deux charges
dE(x) -
- -~
NAe
provenant de l’annulation, en quantités égales, ~
dx G
des porteurs mobiles, sont égales et opposées ce
qui conduit à conduit à l’expression du champ électrique :
NAX, = NDX,. NAe
E(x) = - -(x
G -X2),
Ceci nous permet de remarquer, au passage, que
la zone de transition s’étend d’autant plus valable pour O <x <X,.
profondément dans l’un des semi-conducteurs,
qu’il est moins dopé par rapport à l’autre. On établirait, de la même manière, l’expression :
Les impuretés étant régulièrement réparties NDe
dans le cristal, les surfaces équipotentielles sont, E ( x ) = -(xG +X,)
par symétrie, des plans perpendiculaires à Ox.
Considérons deux de ces équipotentielles, corres-
pondant aux potentiels V et V + dV, placées
respectivement aux abscisses x et x + dx. Les Remarquons que pour x = O les deux expressions
vecteurs champ électrique, perpendiculaires aux conduisent à la même valeur du champ
surfaces équipotentielles, ont pour expression
E ( x ) sur l’équipotentielle V et E ( x + dx) sur
l’équipotentielle V dV. +
Soit S la section du barreau semi-conducteur et G car
sa permittivité. Appliquons le théorème de Gauss
au parallélépipède ABA’B’ (voir paragraphe 1.7).
Par ntégration de l’équation
Il vient :
1
S [ E ( x + dx) - E ( x ) ]= SdE(x) = -( - N,eS dx),
G
N e entre -Xl et x,,
soit dE(x) = - A dx.
G
il vient :
Rappelons que l’évolution du potentiel dans le
semi-conducteur a l’allure décrite à la figure 27.
d V = V ( X 2 )- V (- X 1) = - (Vo +V)
’O
N e
Semi-cond. , Zonede , Semi-cond. -xi
- ”-(x
G
+ X I ) dx +
l/ Il/
-x, O x2
soit
Fig. 27.
142
r
! théorie générale simplifiée des semi-conducteurs
La charge Q de la zone de transition, pour le semi- nombre d’électrons en transit. Les atomes
conducteur de type N s’écrit : trivalents voient dans cet excès d’électrons une
Q = NDf?X,S. excellente occasion de compléter leurs liaisons
covalentes et on conçoit qu’ils auront du mal
Par élimination de X I , il vient : lorsqu’on voudra bloquer la jonction à se séparer
de cet électron qu’ils ont capté.
On peut se représenter le phénomène (Jig. 28) en
imaginant une table, incrustée de demi-sphères en
soit: Q= j-+- fgeS2 1 JG.
creux (simulant les trous) sur laquelle roulent des
billes (simulant les électrons en transit). On
conçoit que le flux de billes (simulant le courant 1)
NA ND
accroît le nombre de captures par les trous
Une variation dV de V conduit à une variation (recombinaisons).
dQ de Q telle que :
S
d Q = / z .
-A-
2J-v,+v dK
NA ’ ND
Recombinaison
identique à celle qui interviendrait sur le
condensateur de capacité : Fig. 28.
Cet excès de recombinaisons, par rapport à l’état

d’équilibre du semi-conducteur, constitue une
charge stockée QI.
NA ’ ND Si, dès lors on accroit la barrière de potentiel pour
bloquer la jonction, le semi-conducteur P libère
Cette capacité qui limite l’utilisation de la
ces électrons en excès. Ces derniers, étant des
jonction avec la fréquence, peut être utilisée pour
porteurs minoritaires peuvent aisément franchir
réaliser une capacité variable (varicap). C’est une la jonction. Ils sont à l’origine d’un courant
capacité dynamique qui dépend de la tension
inverse qui perdure tant que le semi-conducteur
inverse de polarisation V autour de laquelle, on
n’a pas retrouvé son état d’équilibre. L’évolution
provoque des petites variations de tension dV. de la charge stockée Qs obéit à une loi de la forme
-dQs
- + - = z Qs
dt z
9.7.2. Jonction polarisée en direct : où z est la durée de vie des porteurs.
charge stockée
I est le courant circulant du semi-conducteur P
Considérons une jonction P-N polarisée en direct vers le semi-conducteur N .
et raisonnons sur le semi-conducteur de type P. Remarquons que, pour un courant Z constant, on
La faible valeur de la barrière de potentiel atteint un état d’équilibre donné par la solution
autorise le passage des porteurs majoritaires et particulière de l’équation différentielle, soit Q,
provoque la circulation d’un courant direct I du = zZ : la charge stockée est directement propor-
semi-conducteur P vers le semi-conducteur N . II tionnelle au courant 1, c’est-à-dire au flux
apparaît dans le semi-conducteur P un grand d’électrons en transit.
143
corn posa nts
EXERCZCES
1. 2.
On rappelle la relation entre la barrière de potentiel V, On donne, pour le germanium, les propriétés suivantes :
et le courant de saturation Z, d'une jonction P-N
eV0 0 Énergie d'ionisation d'un atome de germanium :
Z, = Z,
e-KT dans laquelle
= 0,78 eV = 0,78 x 1,6 x 10-l9.
K = 1,38 . 10-23 J/K, e = 1,6. 10-19 C .
Pour le silicium : Vo dépend de la température sous la forme 0 A la température de 300 K, 5 atomes de germanium sur
d VO = - 2,2 x
- 10-3 v. 10'' sont ionisés.
dT
Vo = 0,6 Volts à 300 K. 1" Considérant une jonction P-N au germanium pour
laquelle la concentration en impuretés du côté N et du
1" En négligeant les variations de Z, avec la température,
côté P est d'une impureté pour 10' atomes de germa-
établir la relation :
nium, montrer que la barrière de potentiel s'établit à
Vo = 0,27 volts.
2" A partir des valeurs numériques, vérifier que pour le 2" Par une méthode analogue a celle du cours, vérifier les
silicium, à la température de 300 K, le courant de saturation affirmations suivantes à la température ordinaire de 300 K :
Z, double tous les 7". a) la barrière de potentiel V, décroît de 2 mV par degré
Wi
3" Retrouver ce résultat a partir de l'égalité Z, = BT3 e - E ,
avec
It/: = 1,12 e . V b) le courant de saturation Z, double tous les 10 K.
144
diode à jonction
OP-N
1 DESCRIPTION Pour expliquer la présence de ces barrières,

ET SYMBOLE considérons la description de la figure 3.
Conducteur
La diode à jonction P-N est un composant formé
par la succession suivante de matériaux : métal,
semi-conducteur de type P, semi-conducteur de
type N, métal (jig. 1).
Le métal en contact avec le semi-conducteur de
type P est appelé l’anode, celui au contact du
semi-conducteur de type N, la cathode.
Fig. 3.
On représente le composant par le symbole
donné à la figure 1.
Une partie des électrons mobiles de la région N
s’écoule le long du conducteur pour annuler les
trous de la région P , laissant sur place des ions
fixes, liés au réseau cristallin. Ces ions sont à
Anode, ,Cathode/ l’origine des deux barrières de potentiel métal-
Fig. 1. l--[>t_L semi-conducteur qui apparaissent sur la figure 2.
La diode apparaît donc constituée par deux
jonctions :
- une jonction ((interne)) au contact des
deux semi-conducteurs,
2. DIODE EN COURT-CIRCUIT - une jonction ((externe )) faisant intervenir le
conducteur extérieur.
Relions par un conducteur les deux extrémités
métalliques de la diode. Le potentiel de l’anode
est ainsi égal au potentiel de la cathode alors qu’il
existe entre les semi-conducteurs de type P et de 3. DIODE POLARISÉE
type N une différence de potentiel Vo. L’évolu- EN PiRECT
tion du potentiel le long de la diode a donc l’allure
donnée à la figure 2. Afin d’abaisser les barrières de potentiel,
imaginons le dispositif de la figure 4.
Fig. 2.
Semi-conducteur
P
Semi-conducteur
N
- V Fig. 4.
Il apparaît ainsi entre les portions métalliques et Le potentiel de l’anode étant, de V , supérieur au
les semi-conducteurs, deux autres barrières de potentiel de la cathode, l’évolution du potentiel le
potentiel, long de la diode a l’allure donnée à la figure 5.
145
comoosants
L
Afin d’élever les barrières de potentiel, imaginons
Cathode
le dispositif de la figure 6.
rZ-1
Fig. 5.
Comment la tension V se répartit-elle sur les li

barrières de potentiel?
La détermination exacte de cette répartition V

- Fig. 6.
semble relativement complexe. Remarquons
cependant qu’il suffit, aux porteurs majoritaires, Le potentiel de la cathode étant de V , supérieur
de franchir la jonction interne pour traverser la au potentiel de l’anode, l’évolution du potentiel le
diode. On peut, dès lors distinguer deux cas long de la diode a l’allure décrite à la figure 7.
extrêmes.
Cas le plus N favorable ))

Les barrières de potentiel métal semi-conducteur Anode
restent constantes. Toute la tension V est utilisée
pour écrouler la barrière de potentiel de la
jonction interne qui s’établit ainsi à Vo - V. Nous
7-
U Fig. 7.
avons montré au paragraphe 8.3 du chapitre
précédent que la jonction, donc ici la diode, est La barrière de potentiel est accrue et nous avons
parcourue par un courant direct : montré dans le chapitre précédent (paragra-
eV phe 8.4) que la diode est alors parcourue par un
I, = I, ekT = I , e40V à T = 300 K. courant inverse Ii = 1,.
En pratique, ce courant I,, très faible (10-l2 A),
est masqué par un courant de fuite dû aux
Cas le plus N défavorable N
impuretés à la surface des jonctions. Le courant
La tension V se répartit également entre les inverse Ii traversant la diode devenant ainsi de
jonctions (( interne )) et externe », la barrière de l’ordre de 10-9 A.
V
potentiel s’établit alors à Vo - - et la diode est
2
parcourue par un courant direct :
eV
I, = I , e2KT = I , e2OV, où T = 300K.
En pratique
Nous écrirons la relation entre V et ID sous la Proposons-nous de déterminer la courbe II = f(i)
forme : sur la figure 8.
eV
ID = I, em,
+
V Fig. 8.
où y est un nombre, compris entre 1 et 2, qui
dépend du semi-conducteur et des conditions de Les résultats des paragraphes 3 et 4 nous
fonctionnement. permettent de conclure :
eu
-
O Pour le germanium, y = 1
O Pour u > O i = ID = I , eVKT,
O Pour le silicium,
O Pour u < O i = - Ii z - l O P 9 A.
y = 2 pour les ((faibles courants )) La caractéristique de la diode a donc l’allure
y = 1 pour les ((forts courants)) décrite à la figure 9.
146
- diode à jonction P - N
dépend de la zone moyenne d’utilisation de la

caractéristique).
E,, appelée tension de seuil est de l’ordre de
0,6 volt pour une diode au silicium et de 0,2 volt
pour une diode au germanium.
t
1v(v>
-Avalanche
Dans le cas où les composants montés en série

De plus, si la tension u devient très négative avec la diode, font apparaître, lorsque la
(- 200 volts) la barrière de potentiel augmente diode conduit, des chutes de tension très supé-
(fig. 9). Les porteurs minoritaires, franchissant rieures à E,, il est possible de pousser plus loin
cette jonction acquièrent une énergie suffisante l’approximation en idéalisant la caractéristique
pour provoquer l’ionisation d’atomes de silicium de la diode par la courbe de la figure 13.
au voisinage de la jonction, créant ainsi de
nombreux porteurs minoritaires qui franchissent
à leur tour la jonction, etc.
C’est le phénomène d’avalanche qui se traduit, sur
Diode
la figure 9, par un accroissement très rapide du idéale
courant inverse. I +
V
V Fig. 13.
Idéalisons la Caractéristique de la figure 9 en
l’assimilant à deux droites conformément au La diode idéale apparaît ainsi comme un
schéma de la figure 10. composant qui s’oppose au passage d’un
courant i négatif et qui laisse passer ((sans
opposition )) un courant i positif, la tension à ses
bornes étant alors nulle.
l
I
I
r=tga
V
Si la tension aux bornes des composants montés
en série avec la diode n’est pas négligeable par
rapport à E,, il faut revenir au schéma équivalent
1 ec
Fig. 10. €0
du paragraphe 6 voire a l’équation i = 1, e E .
O Pour u < E , la relation entre u et i est décrite
par l’équation i = O, qui conduit au schéma

équivalent de la figure 11.
Fig. 11.
4
-i
V
-
y
O Pour u > E , la relation entre u et i est décrite
+
par l’équation u = E , ri avec r = tg a, qui 8.1. LIMITATION
conduit au schéma équivalent de la figure 12. EN TEMPÉRATURE
Nous avons vu, au chapitre précédent, que
Fig. 12.
- V
l’augmentation très rapide du courant de
saturation I,, limite l’utilisation des jonctions à
La résistance r est de l’ordre de grandeur de 175°C pour le silicium et a 75°C pour le
quelques dizièmes d’ohm à quelques ohms (elle germanium.
147
composants -
- lors de la mise en condition de la diode :

8.2. LIMITATION le courant i ne s’établit pas instantanément
EN PUISSANCE El
à sa valeur d’équilibre -;
R
Cette limitation traduit l’aptitude de la diode à se - au moment du blocage : il apparaît
débarrasser, sous forme de chaleur rayonnée, de E2 pendant
l’énergie électrique P = ui qu’elle reçoit. Elle courant inverse - -
R’
dépend des conditions de refroidissement et de la temps t,, appelé temps de stockage.
température ambiante.
8.3. DIODE POLARISÉE

EN DIRECT
La densité maximale de porteurs, traversant la

jonction, limite le courant direct à une valeur
Diode idéale
notée I F M .
Cependant la diode supporte pendant des temps
très courts (précisés par le constructeur) un
courant direct beaucoup plus important, noté fi iI Diode réelle
IFSM.
8.4. DIODE POLARISÉE

EN INVERSE
R i
Le phénomène d’avalanche iimite la tension Fig. 15.
inverse à une valeur notée VRM. Pratiquement, ce temps t, est bien supérieur, a
tous les autres temps de commutation de la diode.
C’est lui qui limite la fréquence f d’utilisation du
composant, la diode ne pouvant être considérée
9, TEMPS DE COMMUTATiûRi 1
D’üNE RDODE comme parfaite que si f < -.
t,
Ce temps de stockage t,, résulte de la charge
O Considérons le dispositif de la figure 14,
stockée Qs que nous avons décrite au paragra-
dans lequel la tension e varie, en fonction du
phe 9.7.2 du chapitre précédent.
temps, conformément à la courbe donnée à la
figure 15.a. Les porteurs majoritaires, devenus (( excès de
porteurs minoritaires », après franchissement de
la jonction, constituent une charge stockée Qs qui
obéit à la loi :
dQ,+ - =Qs
i.
dt z
Si la diode était idéale, elle permettrait
l’application de toute la tension e à la Cette charge stockée change l’équilibre des semi-
résistance R lorsque e = E l et elle bloquerait le conducteurs et on ne peut espérer bloquer la
passage du courant lorsque e = - E 2 . On diode que lorsque cette charge en excès a disparu.
obtiendrait, pour le courant i, la courbe donnée à Le temps de stockage t, est le temps nécessaire à
la figure 15.b. la disparition de la charge stockée Qs.
En réalité l’évolution du courant i obéit à Lorsque la diode est parcourue par un
une courbe dont l’allure est donnée à la E
courant direct I, il s’établit un régime
figure 15.c. On y distingue : R
148
diode à jonction P-N
permanent pour lequel la charge stockée

est donnée par la solution particulière de
l’équation différentielle :
Fig. 16.
Lorsque la tension e est égale à E l , la diode est

soit conductrice et la capacité C se charge sous u
= E l emmagasinant ainsi la charge q = CE,.
Lorsque la tension d’alimentation e passe
A l’instant où la tension e passe de + El à - E,,
de + E l à - E,, cette charge stockée
la tension aux bornes de la diode passe
maintient la diode en conduction. Elle est
instantanément a e - u = - ( E l + E,).
E2 la
alors traversée par le courant i = - -et La diode, étant maintenue conductrice par la
R charge stockée, se trouve instantanément traver-
charge Qs obéit à l’équation différentielle : sée par un courant i négatif ((infini H.
dQs Q E Nous nous trouvons donc dans le cas exception-
-+s= -2
nel où la tension u aux bornes de la capacité C
dt z R’
peut subir une variation brutale et suivant la
dont la solution générale est de la forme : valeur de la capacité, l’évolution de la tension u
obéit à une des courbes décrites à la figure 17.
+El $“
Sachant qu’à l’instant t
el7
= t, la charge stockée est 1 F=C4 ,c=c,
c =c,
égale à -, L L 1
il vient :
R
TE, z -t-ti
Q s = - - +R
(E,+E,)-e R T . -E2 *= c, Fig. 17.
La charge stockée est complètement éliminée à

l’instant t, tel que : A l’instant où la tension e bascule de + El à
TE2 7 t2-ti - E,, la tension u passe instantanément à une
O = --+(E,+E,)-e t , valeur que nous noterons Ui, la charge emmaga-
R R
soit : sinée par la capacité passant de C E , à C U i . La
charge Qt = C ( E , - Ui) traverse donc instanta-
t, = t , - t, =z In El + E , nément la diode de la cathode vers l’anode :
E, L
Pour C = C , , Ui= - E,, la charge
Le temps de stockage dépend donc, par
l’intermédiaire de E l et E,, des conditions
Qt = C [ E 1 -Ui] = C[E1 + E2-J
d’utilisation. Le constructeur indique le temps t,,, est insuffisante pour éliminer la charge
temps de recouvrement inverse (100 ns à stockée, ce qui conduit à
quelques ,us) qui est de l’ordre de grandeur de z. E
C[E, + E,] <, ’z
R
REMARQUE
I
La montée du courant lors de la mise en conduction de soit R C <-7 El
la diode ainsi que la disparition exponentielle du El + E ,
courant inverse sont dues à la capacité de transition
(paragraphe 9.7.1 du chapitre précédent). O Pour C = C,, Ui = - E,, la charge
+
Qt = C [ E , E,] est juste égale à la charge
stockée, ce qui conduit à
Compensation du temps de stockage
El
Afin de compenser l’effet de la charge stockée, on C [ E l + E,] = z-’
R
place, en parallèle sur la résistance R, une
capacité C conformément au schéma de la soit
figure 16.
149
composants
0 Pour C = C,, Ui = O, la compensation est - sa valeur efficace est :

parfaite et l’on a : IL
Q, = CE, = z-El
R
soit RC = z. Ueff= [g:f -_
E 2 cos2 ut dt]1’2 .:
=
2w
0 Pour C = C,, la charge stockée Qs est La tension inverse maximale, aux bornes de la
éliminée avant que la capacité C soit diode apparaît lorsque la diode est bloquée et
complètement déchargée. La diode se lorsque e = - E. Elle est donc égale a E et la
bloque et la tension u revient-vers zéro diode devra être telle que V,, > E.
par décharge du condensateur C dans la De plus le courant direct moyen étant égal à
résistance R.
E E
- la diode devra être telle que I F , > -.
7tR 7iR
1 . 12. Redressement
double alternance
Considérons le schéma de la figure 20 dans lequel

la tension e varie sous la forme : e = E cos ut.
10.1. REDRESSEMENT
10.1.l.Redressement
si m ple a Iter na nce
Considérons le schéma de la figure 18, dans

lequel la tension e varie sous la forme :
e = E cos u t .
Lorsque la tension e est positive, les diodes D, et
D, conduisent, les diodes D2 et D, sont bloquées
et inversement lorsque la tension e est négative.
On obtient pour la tension u la courbe de la
figure 21.
La diode, supposée parfaite, interdit la circula- Cette tension est périodique, de période T = -.71
tion d’un courant i négatif et se comporte comme u
un court-circuit lorsqu’elle est parcourue par un
courant i positif, ce qui conduit pour la tension u
à la représentation de la figure 19.
Fig. 21
Sa valeur moyenne est :

Fig. 19. IL
2E
La tension u est périodique, de période T 27t
=-:
E COS COL dt = -.
‘w J-20 71
Co
- sa valeur moyenne est : Sa valeur efficace est :
î”
‘
II
IL
E
Umoy= E COS ut dt = -; E 2 cos2 u t dt
2.n -1 7t -_
2w 2w
150
Lorsque D, et D, conduisent, la tension inverse Phase a

aux bornes de D, ou de D, est égale à e dont la
La diode D , conduit appliquant à la diode D, la
valeur maximum est E. Les diodes doivent donc
tension inverse 2e > O, la diode D, est donc
être telles que VR, > E.
bloquée. La diode Dl étant supposée parfaite, la
Chaque diode ne conduisant que pendant une tension u suit l’évolution de la tension e.
alternance de la tension e, la représentation de id Remarquons que les diodes doivent être telles
est analogue à la représentation de u sur la que VR, > 2E.
figure 19, soit :
E E
Idmoy =- et Ideff =- Phase b
71R 2R‘
La tension e décroît rapidement et le condensa-
E
Les diodes devront être telles que I F , > -. teur, freinant l’évolution de la tension u,
71R
l’empêche de suivre la décroissance de e, ce qui
On conçoit, d’après la forme des courbes, que le impose u > e. La diode Dl se bloque donc à son
redressement est une étape dans la transforma- tour et le circuit RC se trouve isolé. La
tion de la tension e sinusoïdale en tension u décroissance de la tension u est donc régie par la
continue. Afin de se rapprocher d’une tension u décharge du condensateur C dans la
constante, on place en parallèle sur la résistance R.
résistance R un élément qui s’oppose a la
variation de la tension à ses bornes c’est-à-dire un
condensateur de capacité C. Cela qui conduit au Phase c
dispositif suivant. La tension u décroissant et la tension - e étant
croissante, il arrive un moment où u < - e. La
diode D, entre en conduction et la tension u suit
10.2. REDRESSEMENT AVEC l’évolution de la tension - e.
FI LTRAG E R. C. A la limite, si la constante de temps R C est
infiniment grande par rapport à la période
Soit le montage de la figure 22 alimenté par deux 271
T = - de la tension e, la décroissance de u, lors
tensions e égales, d’expression : e = E cos cot. co
Le condensateur C freine l’évolution de la de la phase b, est négligeable et la tension u reste
tension u. La diode D , ne peut conduire que si la sensiblement constante et égale a E.
tension e devient supérieure à u. La diode D, ne
peut conduire que si la tension - e devient
supérieure à u. Ondulation résiduelle dans le cas ou RC +T
D,
La tension u restant peu différente de E , le
courant dans la résistance R varie peu autour de
E
Imoy = -
R’
Au cours de la phase b, le condensateur se
Fig. 22. E
décharge a courant constant - entre les
R
En supposant les diodes parfaites, on obtient, 71
pour u, la courbe donnée a la figure 23. On peut y instants peu différents de O et -. L’ondula-
Co
distinguer plusieurs phases. tion A U est obtenue par intégration de l’équation
c l u
-e E du
i z - = - C -, soit :
R dt
\/
Fig. 23.
151
composants
d’où il vient d’après IL,, = Imoy

:
10.3. R E D R E S S E M E N T
2E . U EcosO,
A V E C FILTRAGE RC -[sin 6, - 6, cos O,] = = ~
E T RÉSISTANCE E N SÉRIE nr R R
soit : nr
tan O, - O , = -,
Lors de la mise en route du dispositif de la 2R
figure 22, le condensateur, déchargé, se comporte équation qui permet de déterminer 6,, puis
comme un court-circuit. L’appel de courant est u, = E cos O,.
donc très important.
Afin de limiter ce défaut, on place parfois une
résistance r en série avec le circuit RC, d’où le
schéma de la figure 24 avec 10.4. D O U B L E U R
e = E cos cot =E cos O. ET INVERSEUR
r D E TENSION CONTINUE
Soit le dispositif de la figure 26. A l’instant t = O,

u(O-) = ~(0’)= U,, on ferme l’interrupteur K .
La diode est supposée parfaite.
Fig.
Lors de la conduction de l’une des diodes, la chute

de tension dans la résistance r empêche la E
tension u de suivre soit la tension e, soit la
tension - e. Fig. 26.
Cependant, si la constante de temps R C est Des équations
suffisamment grande, cette tension reste sensible-
di
ment constante et égale à U,, ce qui conduit au E=L-+u
;f<?;?i,
dt
du
on tire u + LC-d2u
dt2
= E.
u = u, i =C-
dt
~~
La résolution de cette équation différentielle

conduit à u = E + A cos (cot + cp) avec
SaoeOf E 1
2 Co =---
Fig. 25.
JLC’
Les constantes A et cp dépendent des conditions
L’angle 0, = ut0, pour lequel la tension e devient initiales :
égale à U , est appelé angle d’ouverture et il est i(O-) = i(O+) =: O,
défini par u ( 0 - ) = u(O+) = u,.
U , = E COS mt0 = E COS O,.
du
De l’équation i’ = i + ic, on tire IL,, = Imoy
car le 0 De i(0’) = C-(O+) = O, on tire
courant moyen est nul dans un condensateur en dt
régime périodique établi. - Aco sin cp = O, soit cp = O.
UO E cos O - u, 0 De ~(0’)= U,, on tire A = U , - E.

De plus Imoy = - et i’ = pour
R r Ce qui conduit aux équations finales :
- O , < O < O,. Soit
EcosO - u,
u =E + ( U , - E ) COS wt,
G o y = d0 du
i = C - = Cco(E - U,)sincot.
dt
2 La diode bloque le courant i négatif, ces
= -CE sin O, - U,O,]
nr équations ne sont donc valables que lorsque i est
2E 71
= -[sin O, - O , COS O , ] , positif, c’est-à-dire pour E > U , et pour O < t < -.
nr Co
152
10.4.1. U, = O : doubleur de tension

10.5. DOUBLEUR DE TENSION
Les équations deviennent
u = E(1 - cos cot),
{
i = CEco sin cot. U. 91 = - c, ut
Les courbes régissant l’évolution de la tension u c2 u2
et du courant i sont données à la figure 27.
Fig. 29.
A l’instant t = O on ferme l’interrupteur K . Les
conditions initiales sont
u,(O-) = - E et u2(0-) = U,,.
Le circuit ne présente aucune résistance, ce qui
O
autorise le passage d’un courant infini. Les
Fig. 27. tensions aux bornes des condensateurs sont donc
n susceptibles de variations brutales; c’est ce qui se
A l’instant t = -, la diode bloque le courant i, la passe à l’instant où on ferme l’interrupteur K .
Co
tension u est alors égale à 2E. Après l’instant Établissons les valeurs ul(O+) et u2(0+) des
7l tensions après la fermeture de l’interrupteur K .
t = - et compte tenu de l’équation Nous poserons u,(O+) = U 2 ( n l+) .
Co
O Il apparaît dans le circuit une portion de
conducteur isolé qui porte la charge

41 = - ClU1,
la tenc m u reste constante et égale à 2E.
du côté du condensateur c’l, et
42 = C2U2’
10.4.2.E = O et U, < O :
inverseur de tension
du côté du condensateur C,. La charge de ce
conducteur ne pouvant varier, il vient :
Les équations deviennent : 41(0-)+ q2(0-) = %(O+) + q2(0+)
u u, cos cot, soit :
{
=
i = - CcoU, sin cot, + C I E + c, u,, = - C,U,(O+) + C2U2(,+1).
et conduisent aux courbes de la figure 28. O L’interrupteur K étant fermé, nous pouvons
écrire :
A I U
E = u1(0+) + U2<,+1).
-C
Par élimination de u,(O+) entre ces deux
équations, il vient :
c
2
U2(n+1) = 2c1 E +
C l + c, c1 + c, U2n7
ou en posant y =
Fig. 28. c1+ c2 -
n
A l’instant t = -,
la diode bloque le courant i et
co Considérons maintenant le schéma de la
la tension u reste constante et égale à - U o > O. figure 30 alimenté par une tension carrée
Ces deux circuits (doubleur et inverseur) sont d’amplitude E. Les diodes sont supposées
utilisés pour le blocage de thyristors alimentés en parfaites.
continu, l’interrupteur K est alors réalisé par un A la mise sous tension supposée intervenir à
thyristor auxiliaire de commutation. l’instant t = O, la diode D, conduit, la diode D,
153
composants
- "1
n
10.6. COMPARATEUR DE PHASE
Considérons le dispositif de la figure 31 que l'on
appelle (<modulateur en anneau )) ou encore
(( modulateur équilibré >).
Les diodes seront remplacées par leurs schémas

équivalents décrits par les figures 11 et 12, dans
Fig. 30. lesquels nous supposerons que la tension de
seuil E , est négligeable par rapport aux tensions
est bloquée, le condensateur C, se charge sous ia eR et es.
tension u , = - E, et u2 reste à zéro. Une diode sera donc équivalente :
Lorsque la tension d'alimentation passe à + E , la - à une résistance r lorsqu'elle conduit,
diode D, est bloquée, la diode D , conduit et on - à un circuit ouvert lorsqu'elle est bloquée.
retrouve le schéma de la figure 29, le conden-
Considérons, dans un premier temps, la partie
sateur C2 se charge donc sous la tension
gauche du schéma constituée par les géné-
u , = 2E(1 - y).
rateurs es, - es, eR et par les diodes D, et D,,
A chaque période de la tension d'alimentation, le et calculons la tension uo au point O.
condensateur C, se charge sous u , = - E puis se
décharge partiellement dans le condensateur C,
dont la tension u2 varie par sauts successifs
suivant la loi de récurrence :
U2("+1) = YU,"+ 2E(1 - Y).
Montrons que U,, = 2E[ 1 - y " ] .
D'après la loi de récurrence :
U2("+1)= 2EyC1 - r"1 + 2 a - 1 - Y 1
pI eR
I
Fig. 31.
= 2E[1 - y " + , ] ,
État 1 : Les diodes D, et D, sont bloquées.
ce qui confirme l'équation : U,, = 2E Cl - y"].
La tension u, est alors égale à e R : v , = e R .
Y=
c2
étant inférieur à 1, U,, tend vers 2E. Les conditions conduisant à cet état sont :
Cl + c2 u, > es et u , < - es, soit :
Remarquons qu'en toute rigueur U,, n'atteint sa
valeur finale 2E qu'après un nombre infini de
périodes. Cependant, elle n'en diffère que de 5 Y0
i'
eR
eR < - es'
conditions qui ne peuvent être vérifiées que si
lorsque :
95E es < O.
2- = 2E[1 - y"],
1O0 État 2 : D , conduit, D, est bloquée.
Nous obtenons le schéma équivalent de la
lg 20 figure 32 et la tension u, s'établit à :
soit : n = -* 1 '
lg
Y v, =
+
Re, reR
R+r
1
si C, = C,, il vient : y et n = 4'3.
=-
2
Après cinq périodes, la tension u2 diffère de sa
valeur finale 2E de moins de 5 %.
Ce dispositif est aussi appelé ((pompe à diodes ))
car il fonctionne à la manière d'une pompe Fig. 32. Fig. 33.
aspirante et refoulante : la capacité C, joue le Les conditions conduisant à cet état sont :
rôle du cylindre du corps de pompe que l'on
u, < es et v, < - es, soit :
emplit à chaque période, et que l'on vide dans un
+ reR < ( R + r)e,
réservoir qui correspond ici à la capacité C,. Les
diodes jouent le rôle des soupapes de la pompe. i Re,
Re, + reR < ( R + r)e,
-
154
~
eR
ou encore {eR(&&) <
État 3 : D, bloquée, D, conduit.

figure 33 et la tension uo s'établit à :
- Re, + reR
00 =
R+r
Considérons maintenant, la partie droite du
Les conditions conduisant à cet état sont :
schéma de la figure 31, constituée par les
uo > es et uo > - es, soit :
générateurs es, - es, f?R ét par les diodes D 3et D4.
- Re, + TeR > ( R + r)es
i- Re, +
reR > - ( R + r)es
En raisonnant de façon identique, nous pouvons
établir, en supposant que r < R, les valeurs de la
tension u0 au point 0'.Ce qui conduit au tableau
ou encore p(il;.)
LeR > - e s .
>es
ci-dessous :
1 D4 1 D3 l Conditions vo
État 4 : Les diodes D, et 0,conduisent.

figure 34 et la tension uo s'établit à :
vo =
r2eR + rRes - rRe,
r2 + 2Rr ' conduit conduit es < O O
soit 0 En regroupant les deux tableaux précédents,

nous pouvons établir les valeurs de la tension
u = uo - u0, ainsi que les conditions dans les-
quelles elles ont été établies.
eR > es et eR < - es
Fig. 34. "O
Les conditions conduisant a cet état sont :

uo < es et uo > - es, soit :
reR < (2R r)e, +
TeR > - (2R + r)e,
l
Y eR < - es O - es es
ou encore
0 Traçons, dès lors, les variations de u dans le
cas où les tensions f?R et es sont sinusoïdales et

de même pulsation w :
Récapitulons
Nous supposerons que la résistance interne r de
la diode est très faible devant R. Le tableau ci-
i
es = Es sin w t
eR = E R sin (cot - cp).
Nous obtenons ainsi le graphe de la figure 35.
dessous donne les différentes valeurs de uo ainsi
que les conditions dans lesquelles elles sont 71
La tension u est périodique, de période -.
établies. Co
155
composants -
Fig. 35.
Fig. 36.
156
O Dans le cas où E R est très grande par rapport

6 Es, nous obtenons, pour les variations de la
tension u le graphe de la figure36.
La valeur moyenne de la tension u peut être
établie par :
Pour i > IZmin,

- ?[
G
r 1 la tension u reste sensiblement
constante et égale a U,, de l’ordre de quelques
volts à quelques dizaines de volts, appelée
tension de Zener. Remarquons, qu’une diode à
jonction peut être, conformément au graphe de la
ES
figure 10, considérée comme une diode Zener de
= -2 ~ cos cp. tension E,.
rG
cpEn conclusion 11. I . SCHÉMA ÉQUIVALENT

En appliquant la tension u a un filtre passe-bas
qui élimine les tensions de pulsation supérieure A partir de la caractéristique idéalisée de la
ou égale a 20.4 et dans le cas où E R 9 E s , il est figure 39 nous pouvons déduire pour un point de
possible d’élaborer une tension qui varie en fonctionnement situé sur la partie verticale
fonction de la phase q suivant la loi (fonctionnement en diode Zener) :
u = U z + ri.
u = - 2ES
7-c
__ cos cp.
Ce résultat est à rapprocher de celui que l’on

obtient en appliquant les deux tensions e R et es
à un multiplicateur analogique suivi d’un filtre
passe-bas.
O‘ uz U Fig. 39.
11 DIODE ZERIER Ce qui conduit au schéma équivalent de la
figure 40. L’ordre de grandeur de r est de
La diode Zener exploite le phénomène d’ava- quelques dizièmes d’ohm a quelques ohms.
lanche qui apparaît sur la caractéristique de la
figure 9. Ce phénomène est dû à la création de
porteurs minoritaires au voisinage de la jonction
polarisée en inverse. Cependant, dans le cas de la U Fig. 40.
diode Zener, ces porteurs sont créés par
accroissement du champ électrique lié à l’existen-
ce de la barrière de potentiel. Si ce champ 11.2. LIMITATIONS ~ ~
électrique est suffisamment élevé (de l’ordre de

107 Vm-l), il arrache des électrons aux atomes, A la condition i > IZmin, qui garantit un
provoquant ainsi la création de porteurs fonctionnement dans la partie verticale de la
minoritaires. caractéristique, il faut ajouter une condition issue
de la limitation en puissance de la diode Zener.
La diode Zener dont le symbole est donné a la
La puissance maximale dissipable, sous
figure 37, présente une caractéristique dont
forme de chaleur rayonnée, P,,, conduit à la
l’allure est donnée à la figure 38.
condition ui < Pmax,puis, compte tenu de
Pmax
u N U , = constante, à i < IZmax
= -.
u,
Fig. 37. U Soit au total : < i < IZmax
IZmin
157
composants
d’alimentation E variant entre Eminet Emax(ce

11.3. INFLUENCE peut être, par exemple, la tension de la figure 23
DE LA TEMPÉRATURE obtenue par redressement double alternance).
1 du, R 1”
Le coefficient de température aT = -- varie
U, dT
en fonction de la tension de Zener comme
c I
l’indique la figure 41.

IE
9
t 10-41 K
Fig. 42.
1 1 . 4 . 1 . Calcul de la résistance R
2 10 20 50 U, Cette résistance est calculée de telle sorte que le
Fig. 41. I / courant 1, dans la diode Zener reste compris
entre IZmin et IZmax quelque soit le fonctionne-
ment, c’est-à-dire dans les conditions les plus
Nous y remarquons :
défavorables.
- pour U , N 6 volts, aT = O et la tension de
La tension U restant constante et égale à U,,
Zener dépend très peu de la température;
E - Uz
- pour Uz > 6 volts, aT est positif et la Iz - 1,.
tension de Zener augmente avec la R
température; La condition Iz < IZmax impose dans les condi-
- pour U , < 6 volts, aT est négatif et la tions les plus défavorables (c’est-à-dire E = lima,,
tension de Zener diminue avec la I,=O):
température. Emax - U Z
R < IZmax,
Cette variation limite l’utilisation des diodes soit :
Zener dans les dispositifs de mesure.
R > Emax - uz
Remarquons cependant que, pour U , supérieur IZmax
à 6 volts, on peut compenser l’effet de la tem- La condition I , > IZmin
impose dans les con-
pérature en montant en série avec la diode Zener ditions les plus défavorables (E = Emin et
une diode polarisée en direct. Sachant que la I ü = Iümax)
tension aux bornes de la diode diminue de 2,2 mV
par degré, on compense ainsi l’accroissement de
la tension de Zener. La diode peut être incorporée
dans le boîtier de la Zener et il est alors possible soit :
d’élaborer un composant maintenant une tension
de 8 volts avec un coefficient de température de
lO-’, dans une gamme de température allant de
- 55 “C à 100°C.
1 1 . 4 . 3 . Qualité de la stabilisation
Elle se juge par la petite variation u de U résultant

d’une petite variation e de E et d’une petite
variation i, de I,, ce qui conduit à écrire
11.4. MONTAGE
STABILISATEUR
ÉLÉMENTAIRE
Le dispositif de la figure 42 permet de maintenir

1
= - e - pi,
6
iavec
6 le facteur de stabilisation,
p la résistance interne.
la tension U , aux bornes de la charge R,, Par remplacement de la diode Zener par son
sensiblement constante lorsque le courant 1, qui schéma équivalent, on obtient le schéma de la
la traverse varie entre zéro et IUmax, la tension figure 43.
158
R
4 I 1 12. PHOTODIODES
Une radiation lumineuse de longueur d’onde A,

C
Fig. 43. donc de fréquence v = - (ou c est la vitesse de
Â,
Remarquons que : la lumière = 3 . 108 m s-’) est constituée de

grains d’énergie appelés photons qui transportent
- du point de vue des petites variations, toute chacun une énergie Wp= hv (où h est la constante
tension constante se comporte comme un de Plank = 6,6 . 10-34 Js).
court-circuit;
- onpeut écrire6 =
(
-
:)iu = 0 et = - (;)e = O’
O Si on éclaire un semi-conducteur, à l’aide de
cette radiation, les photons ((heurtent)) les

Ce qui conduit : électrons de valence du semi-conducteur et si leur
- pour le calcul de 6 au schéma de la énergie hv est suffisante pour les arracher, ils
R+r
figure 44, d’où on tire 6 = ___
r
-
-
R
--
7
r
provoquent la création de paires électron-trou.
O Considérons donc une jonction polarisée en

R
inverse. Le courant qui la traverse, dû essentielle-
1 1 ment aux porteurs minoritaires, est très faible (de
t f l I tI u l’ordre du nanoampère). Si on éclaire cette
Fig. 44. I YI jonction, la création de paires électron-trou
provoque l’apparition de porteurs minoritaires
- pour le calcul de p au schéma de la qui franchissent aisément la jonction, et le
rR courant inverse augmente.
figure 45, d’où on tire p = ___ N r.
R+r La création de porteurs minoritaires augmentant
avec l’intensité de la radiation, on obtient un
i“ composant dont la résistance apparente diminue
Fig. 45. q .p tu avec l’éclairement. On l’utilise pour des systèmes

de détection de lumière : cellules pho-
toélectriques, lecture de films, etc.
EXERCZCES
1. 2” O n considère le dispositif, décrit par la figure, dans lequel
On rappelle la loi de variation du courant de satura- deux diodes identiques sont alimentées par un générateur
Wi de courant constant 1.
tion d’une diode à jonction P - N : I , = BT3 e - E avec
K = 1,38 x 10-23 J/K et a) Sachant que le courant direct d’une diode s’écrit :
eV
= 1,12 eV = 1,12 x 1,6 x 10-19 J.
I = I , e E avec e = 1,6 x 10-l’ coulomb,
Montrer que pour une variation d T de température, la
variation dl, du courant de saturation I,y est donnée par : I I
établir la relation T, In 2-= T, In 2.
I S1 IS2
b) Par suite d’un déséquilibre thermique, la température
Ti de la diode D , s’accroît de dT,; montrer que la
dl variation d l , du courant Il est donnée par
Calculer la valeur de pour un accroissement d T = 2 “C
1s
de température autour
de T = 300 K.
c) A partir de l’état d’équilibre (Il = I,, T, = T2 = 300 K,
V = 0,6 volts), le déséquilibre thermique provoque une
élévation de 2 “C de la température T, .
159
comDosants
65 3.
Montrer que les courants Z, et Z, s'établissent à Z, = -
100z, La figure 1 donne le schéma de principe d'un redresseur
triphasé.
Les diodes D , , D,, D 3 sont parfaites.
d) Va-t-on observer un retour vers l'équilibre thermique La charge est suffisamment inductive pour pouvoir être
(en d'autres termes, l'équilibre thermique initial était-il assimilée, en régime permanent, a un générateur de
stable)? Conclure et proposer des solutions. courant Z.
Les trois tensions e l , e,, e3 forment un système triphasé
équilibré direct :
2.
La figure 1 représente une cellule élémentaire de la partie
sensible d'une caméra reticon.
Les condensateurs sont initialement chargés sous une
el =E cos wt, e2 = E cos ( u t - 2n/3),
e3 = E cos ( u t - F).
tension E : [ul(O-) = u2(0-)= E > O], puis à l'instant t = O
les interrupteurs K , et K , sont ouverts.
I 1
Photodiode
\+Y + lV1 Fig. 1.
1" Montrer que deux diodes ne peuvent conduire simulta-

nément et que celle qui conduit correspond à la tension la
plus élevée.
a) tracer sur un même graphe les tensions e,(t), e,(t), e3(t),
v(t)
b) montrer que la valeur moyenne de la tension v s'écrit
1" En l'absence d'éclairement les deux diodes de la figure
1 sont parcourues par les courants Zi, et Zi, tels que 3 E 8
i/m"Y =-
.
Zi =
[
Z, 1 - e - E
1, = BT3 e - E .
Wi '"1avec K = 1,38 . 10-23 JK; = 1,9;
2" En réalité, les générateurs ne sont pas parfaits; ils
possèdent une inductance interne A. Lors des commuta-
tions, cette inductance s'oppose aux variations brutales du
a) Sachant qu'à la température ordinaire de 27"C,
courant, et pendant un intervalle de temps z, deux diodes
1s = 10- A, calculer sa valeur à 100 "C.
conduisent simultanément (fig. 2). Ce phénomène est appelé
b) Montrer que, dès que la tension u devient supérieure à
0,2 V, les courant Zi, et Zi, sont peu différents de Z,. empiètement anodique.
2" Lorsque la photodiode est éclairée, elle est traversée par
un courant supplémentaire Z, qui dépend de l'éclairement.
On donne Z, = 0,2 PA. Montrer qu'à la température de
27 OC, le courant inverse dans la photodiode est caracté-
ristique de l'éclairement. En est-il de même à 100"C?
3" On admet, pour modèle des diodes, le schéma équivalent
de la figure
IV Fig. 2.
ou
a) A l'instant t 3L (&)
= -, j, = Z,j2(&) = O, la diode D,
v2 commence à conduire. fitablir l'équation différentielle du
courant j , en fonction de el et e2. Intégrer cette équation
et démontrer la relation suivante :
Fig. 2.
a) En associant ce schéma équivalent au condensateur C
de la figure 1, établir, en fonction de R, C et Zi,l'équation
différentielle de la tension u l .
b) Intégrer cette équation différentielle et calculer u1 (t).
b) Établir, dans l'intervalle de temps [&, &+z1,
L 1
4" A l'instant t = z les deux interrupteurs K , et K , sont l'équation de la tension u en fonction de el et e,, faire
fermés et les tensions u1 et u2 sont appliquées à un apparaître le défaut sur le graphe de u(t)et calculer la chute
amplificateur de différence dont la tension de sortie u est de tension & = e, - u en fonction de el et de e 2 .
égale à A(u, - ul). c) Montrer qu'il en résulte sur Vmoyune chute de tension
a) Calculer u(z) en fonction de A , R, I,, z, C et montrer que égale à -
sa valeur est caractéristique de l'éclairement. 3EJ3 320
&moy = ___ (1 - cos oz)= z~
b) Justifier la présence de la diode aveugle. 4n 2n
160
le transistor
= à jonctions
1. DESCRIPTîON 2. EFFET TRANSISTOR

ET SYMBOLE
Le transistor est formé par la succession de L’effet transistor apparaît lorsqu’on polarise la
trois semi-conducteurs, respectivement de type jonction émetteur-buse en direct et la jonction
P-N-P ou N-P-N, ce qui conduit à la description collecteur-buse en inverse.
de la figure 1.
Transistor P - N - P
2.1. FONCTIONNEMENT
À COURANT
s:1 B
DE BASE NUL
Transistor N - P - N
Alimentons un transistor P-N-P comme indiqué
à la figure 3. Nous y distinguons entre base et
collecteur une jonction polarisée en inverse. Le
Fig. 1 Sym boles courant 1, est le courant inverse de la jonction
base-collecteur, de l’ordre du nA et indépendant
Des connexions métalliques sont fixées sur la de VCB,nous le noterons IcoB.
partie centrale appelée buse B et sur les deux
extrémités appelées respectivement émetteur E et ’C
collecteur C.
Bien que le transistor soit en apparence I I J
symétrique, on ne peut pas permuter émetteur et
collecteur car, par construction, les jonctions
base-émetteur et base-collecteur ne sont pas
identiques. La figure 2 indique, par exemple, la
structure d’un transistor de type planar :
Fig. 3
- l’émetteur est beaucoup plus dopé que la
base,
- la flèche qui repère l’émetteur indique le
sens passant de la jonction émetteur-base. 2.2. FO NCTlO NN E M ENT
,Oxyde silicium À COURANT
DE BASE CONSTANT
-4
mE
à collecteur ouvert
Alimentons le transistor P-N-P, comme indiqué à

la figure 4. La jonction base-émetteur est
polarisée en direct. La tension à ses bornes est
161
composants
1, EB
N- est indépendant du transistor. De plus,
R B
l’émetteur étant beaucoup plus dopé que la base,
ce courant est essentiellement dû aux trous
injectés de l’émetteur vers la base.
La tension collecteur base
VCB = - Ec +VEB N - E ,
est négative et la jonction collecteur-base est

polarisée en inverse.
donc faible (de l’ordre de 0,6 volt pour le silicium L’évolution spatiale du potentiel dans le
et de 0,2 volt pour le germanium). Si la tension transistor a donc l’allure indiquée a la figure 6.
d’alimentation EB est très grande par rapport à
0,6 volt, le courant
IB =
EB - 0,6 NB
N
E
RB RB h
ne dépend que des éléments extérieurs et est

indépendant du transistor. La caractéristique
1, = f ( V E B ) est celle d’une diode polarisée en
direct et le courant de collecteur est nul.
Fig. 6
2.2.2. Fonctionnement Les trous injectés par l’émetteur dans la base,
à collecteur fermé dont la contribution au courant 1, est primor-
diale, ne diffusent pas tous vers la barrière de
n potentiel base-métal, contrairement à ce que l’on

observe lorsque le collecteur est ouvert. La
majeure partie d’entre eux se trouve happée par la
barrière de potentiel base-collecteur, tendant
ainsi à modifier la répartition des trous dans la
base. Or le courant de base 1,, dû essentiellement
L -
* I
à ces porteurs, dépend (voir diffusion) du gradient
lC de concentration de ces porteurs au voisinage de
la barrière de potentiel base-métal.
VCB
1: Dans le fonctionnement envisagé, le courant 1, ne
(
dépend que des éléments extérieurs I , N-
3 ,et
le transistor qui n’est pas maître de ce courant,
n’est donc pas maître de ce gradient de
T
VEB
Fig. 5
T
Considérons le schéma de la figure 5, dans lequel
concentration. Il est donc nécessaire que le
nombre de trous injectés par l’émetteur augmente
considérablement de façon à retrouver au
voisinage de la barrière de potentiel base-métal la
répartition de trous imposée par le courant 1,.
Par construction (voir figure 2)’ le collecteur
capte un nombre de trous beaucoup plus
important que la base. Il apparaît donc un
les forces électromotrices EB et Ec sont très courant I c , bien supérieur au courant 1,, qui
grandes par rapport à 0,6 volt. dépend du nombre de porteurs injectés par
L’alimentation de la base étant identique à celle l’émetteur et du courant 1, par l’intermédiaire du
du schéma de la figure 4, la jonction base- gradient de concentration en trous au voisinage
émetteur est polarisée en direct et le courant de la barrière de potentiel base-métal.
162
le transistor à jonctions
En conclusion, l’effet transistor consiste à possibilité d’atteindre le collecteur. Ce phénomè-

contrôler, à l’aide du courant de base ZB, ne connu sous le nom d’«effet Early )) provoque
relativement faible, un courant de collecteur Zc, une augmentation du courant 1, avec VcB.Pour
beaucoup plus important. en tenir compte, nous inttoduirons le terme
vCB
correctif -, soit en définitive :
REMARQUE P
Le métal ne contient pas de trous; c’est en fait un = + lCoB -k -.
VCB
réservoir d’électrons mobiles. Dire qu’un trou tombe P

le long de la barrière de potentiel base-métal signifie Ordres de grandeurs
qu’un électron mobile du métal traverse la barrière
pour annuler ce trou par recombinaison. O alEest de l’ordre de quelques dizaines de mA,
Le courant de base correspond donc à un courant de voire de plusieurs ampères.

recombinaison :les trous injectés par l’émetteur dans vCB
la base atteignent presque tous le collecteur, mais un 0 ICoB et - sont de l’ordre de quelques nA.
petit nombre d’entre eux se recombinent au passage P
avec les électrons majoritaires de la base. Ce VCB
phénomène doit être compensé par un apport O ICoB et - apparaissent ainsi comme des
d’électrons, sinon la structure du semi-conducteur de P
la base évoluerait indéfiniment. Ce sont les électrons termes correctifs et très souvent nous pourrons
provenant du métal de la base qui compensent les écrire en première approximation : 1, = alE.
recombinaisons. O a varie entre 0,9 et 0,995.
3. M I S E E N ÉQUATIONS 4. CARACTE R ISTIQU ES

DU TRANSISTOR
Regroupons les schémas des figures 3 et 4 pour
réaliser le schéma de la figure 7. Le transistor est relié au réseau extérieur par trois
connexions (émetteur-base-collecteur). Afin de
pouvoir considérer le transistor comme un
+?A$$+ quadripôle, il faut mettre une de ses connexions

en commun entre l’entrée et la sortie.
L’utilisation la plus courante étant le montage
Fig. 7 émetteur commun, nous établirons les caractéris-
tiques pour ce type de montage, qui correspond
Le courant I c résulte : au schéma de la figure 8.
- du courant de fuite en base commune ICoB
‘C
qui intervient sur le schéma de la figure 3; I-
- du courant a l , provenant des trous injectés
par l’émetteur.
a est un nombre inférieur à 1, car, d’une part une
faible partie du courant 1, est dû aux électrons
majoritaires de la base et d’autre part une partie Fig. 8
des trous est absorbée par les recombinaisons
Nous savons qu’un quadripôle est complètement
avant d’atteindre le collecteur. Cependant, a est
décrit par deux équations entre les grandeurs
d’autant plus voisin de l’unité que la base est
moins dopée et que ses dimensions sont faibles. d’entrée (ici I , et VBE)et les grandeurs de sortie
(ici 1, et VcE).
Soit au total : I c = a l E + ICoB.
Afin d’être au plus près du fonctionnement
De plus, si la tension VcB augmente, la charge physique du composant, ces équations sont
d’espace de la jonction base-collecteur augmente, recherchées sous la forme :
accroissant ainsi les dimensions de la zone de
transition dépourvue de porteurs mobiles.
Comme la base est peu dopée, cet accroissement
(Ir.- -f(IB, I/CE),
= f ( I B , I/CE).
se fait essentiellement aux dépens de la base qui Il s’agit de fonctions de deux variables qui sont
voit sa largeur effective réduite, ce qui accroît, décrites par des surfaces dans un espace à trois
pour les trous injectés par l’émetteur, la dimensions. Afin de faciliter la représentation,
163
composants
-
nous tracerons les courbes obtenues, en coupant la figure 9 (les graduations étant données à titre
ces surfaces par des plans perpendiculaires aux indicatif).
axes des variables I B et VcE,ce qui conduit au
tracé des courbes suivantes. A lc (mA)
1, = 2 0 0 ~ ~
20 -
/,= 150pA
/8 = IOO,UA
~
4.1.
CARACTÉRISTIQUES /g = 50pA
/ c = f (V C E ) À /B CONSTANTE
IB = O
U
1 2 “CE
Nous avons établi au paragraphe 3 l’équation Fig. 9
VC,
Ic = a l , + I C o B + -. Nous y observons une partie quasi horizontale
P
correspondant au terme al,, la légère croissance
Comme il ne peut y avoir une accumulation vC E
étant due au terme -.
infinie de charges sur le transistor, la loi des P’
nœuds conduit à Pour les valeurs de VcE inférieures à 1 volt, la
tension V,, devient quasiment nulle et la jonction
collecteur-base n’est plus polarisée en inverse.
Des porteurs, de même nature que ceux qui, émis
D’autre part VcB= VcE+ V E B . La tension V,, est par l’émetteur, chutent dans le collecteur après
la tension aux bornes d’une jonction polarisée en transit dans la base, sont injectés par le collecteur
inverse. Elle est de l’ordre d’une dizaine de volts. dans la base créant ainsi un mouvement de
La tension VE ’ est la tension aux bornes d’une porteurs en sens inverse et provoquant une
jonction polarisée en direct. Elle est de l’ordre de décroissance rapide du courant I,.
0,6 volt. Soit V,, N VcE.
Des équations :
REMARQUES
0 ci étant de l’ordre de 0,99, le courant de fuite en
émetteur commun
on tire :
a ICOB vCE
est beaucoup plus grand que I,,B. Il est de l’ordre de
I, = ___ I B + p + p 100 nA
1-a 1-a p(1-a)
O fi=- a est de l’ordre de 100.
que l’on écrit sous la forme : 1-@
Remarquons de plus que, a dépendant du dopage et
des dimensions de la base, il est très difficile pour le
constructeur de fixer sa valeur avec une précision
supérieure à 0,5 % . Supposons que a passe de 0’99 à
0.995. Les valeurs correspondantes de L? sont :
avec : 0,99 0,995
= 99 et = 199.
a 1 - 0,99 1 - 0,995
op=--- , qui est le gain en courant en I l est donc possible d’observer, dans un même lot de
1-a
composants, une trèsforte dispersion du coefficient fi
émetteur commun; qui est un des paramètres essentiels du transistor. Les
dispositifs utilisant des transistors devront être
0 ICoE =
‘‘OB , qui est le courant de fuite en
~
prévus de telle sorte qu’ilsfonctionnent correctement

1-a lorsque le coefficient fi varie dans une large
émetteur commun ; fourchette (par exemple entre 100 et 250).
0 p’ = p ( l - a).
0 p‘ = p(i - a) z JL ce qui explique que la
100’
Nous obtenons ainsi les caractéristiques tracées à croissance de I , avec V,, soit relativement sensible.
164
REMARQUE
’ 4.2. CARACTÉRISTIQUE Nous avons vu, lors du chapitre précédent, que la
/C = (/BI relation entre I , et VBEpeut être décrite par une
À VCECONSTANTE équation de la forme :
V E Ee
‘ I , = I,, e x .
Elle peut être obtenue à partir du réseau de
caractéristiques de la figure 9, en relevant les Comme nous pouvons écrire, avec une bonne
approximation, I , = PI,, la relation entre 1, et V,,
valeurs de Ic‘ correspondant à chaque valeur est donnée par une équation de laforme :
de 1, sur la verticale VcE= Cte.
1 Dès que VcEest Supérieure à un volt, la validité de
combinée au fait que les termes ICoE+ -

vCE
sont
P avec 1 < q < 2.
des termes correctifs, conduit à : 1, N P I , En pratique, pour un transistor au silicium, V , est de
et a la caractéristique de la figure 10. C’ordre de 30 mV à 300 K.
4.4.CARACTÉ R ISTI QU E
VBE= f ( VCE)
À IRCONSTANTE
Nous ne la tracerons pas, nous retiendrons

Notons que l’approximation 1, = PI, est d’au- seulement que dès que V,, est supérieure à un
tant plus justifiée que la dispersion du facteur P, volt, la tension V,, est indépendante de VcE.
dans un même lot de transistors, masque les
corrections qui peuvent être apportées par les
5. RÉGIMES
DE FONCTIONMEMENT
1 4.3. CARACT~RISTIQUE
DU TRANSISTOR
VBE= f (/BI
À VCE CONSTANTE Considérons le schéma de la figure 12 et
proposons-nous de déterminer les valeurs du
courant 1, et de la tension Vc, en fonction des
Sachant qu’entre base et émetteur, on retrouve la
structure d’une diode à jonctions, la caractéristi- éléments du dispositif.
que V,, = f ( I B )à l’allure décrite par la figure 11.
vBEt
Nous disposons pour cela de deux équations :
- l’une provenant du transistor, donnée par
le réseau de caractéristiques :
Dès que VcE est supérieure à un volt, cette 1, = f(V&) à 1, = Cte;
caractéristique est pratiquement indépendante de - l’autre résultant de la loi d’Ohm :
VCE * E = RcIc + V C E .
165
corn Dosa nts
Ce qui nous conduit à la construction graphique

de la figure 13, en traçant, dans les axes 6.1. TRANSISTOR SATURÉ
I , = f ( VcE),la droite représentative de l’équation
E = RcIc + V&. 6.1.1.Condition de saturation
Soit I B la valeur du courant de base fixée par le

réseau d’entrée. Idéalisons la caractéristique
I , = f(VcE), correspondant à ce courant I B ,
RC A
comme indiqué à la figure 14.
\ R
Fig. 13. ID= O E vCE
Cette droite est appelée droite de charge statique.

Les valeurs de I , et de VcE sont les coordonnées
du point d’intersection de la droite de charge
statique et de la caractéristique I , = f(V,,)
correspondant à la valeur de I B imposée par le Pour que le transistor soit saturé, (point de
réseau d’entrée. fonctionnement en S ) il apparaît que son courant
Nous pouvons y distinguer trois positions de collecteur doit être inférieur à P l , soit :
remarquables correspondant à trois fonctionne-
ments particuliers du transistor.
O Le point de fonctionnement se trouve en A ,
dans la partie linéaire et horizontale des

caractéristiques. Ce point correspond à un
fonctionnement linéaire en amplification.
Application
m
O Le point de fonctionnement se trouve en S dans
la partie montante des caractéristiques. La

tension V,, est alors très faible (de l’ordre de
P‘
“CE sat
I
quelques dizièmes de volt). Toute augmentation I I Fig. 15
du courant I B est pratcquement sans effet sur la
valeur de 1,. On dit que le transistor est saturé. La Calculons les éléments du dispositif de la
tension VcE étant très faible, le transistor se figure 15 afin d’obtenir la saturation du transis-
comporte, entre collecteur et émetteur, comme un tor. Nous supposerons que la tension d’alimenta-
interrupteur fermé. La tension V,, est alors notée tion est très supérieure à 0’6 volt, c’est-à-dire très
VCEsat - grande par rapport a VBEsatet VCEsat. A partir des
O Le point de fonctionnement se trouve en B équations :
(pratiquement sur l’axe des VCE). Le courant 1, est
alors très faible. Le transistor est bloqué. Il se
comporte entre collecteur et émetteur comme un
interrupteur ouvert.
E E
la condition de saturation s’écrit -P >-
6. FONCTIONNEMENT RB RC
DU TRANSISTOR soit : RB < PR,.
E N COMMUTATION Cette condition, devant être réalisée quelque soit
le transistor prélevé dans un même lot, doit être
Les deux derniers régimes de fonctionnement, vérifiée dans les conditions les plus défavorables,
énoncés au paragraphe précédent, conduisent à c’est-à-dire pour la plus petite valeur de p
utiliser le transistor comme un interrupteur annoncée par le constructeur, soit
commandé par la courant I B . On dit alors que le
transistor fonctionne en commutation.
166
~~
6.1.2. État physique

6.3. T E M P S D E C O M M U T A T I O N
du transistor satu ré
Considérons le schéma de la figure 12 et le graphe Considérons le schéma de la figure 16, dans

lequel la tension e varie suivant le graphe de la
correspondant de la figure 13 et supposons que la
figure 17.a. Cette tension commande le déblocage
saturation soit obtenue, à partir du fonctionne-
du transistor à l’instant t = O et son blocage à
ment linéaire (point A), en augmentant le
l’instant t = TB.
courant 1,. Le point de fonctionnement monte le RC
long de la droite de charge statique en suivant la
remontée de la caractéristique correspondant à
1,. Le courant de collecteur 1, = P I , augmente et
la tension VcE= E - R,Ic diminue. Lorsque le
point de fonctionnement arrive en S, la tension
VcEégale à VcEsatne pouvant diminuer, le courant
I, =
-
E - VCEsat E ne peut plus augmenter. Le
Fig. 16
RC RC Les variations correspondantes de i, et de ic sont

circuit extérieur refuse d’évacuer le surplus de données respectivement aux figures 17.b et 17.c
charges injectées par l’émetteur (c’est en fait le où I,, augmente avec E l , I,, augmente avec E ,
circuit extérieur qui est saturé). A partir de là, E
toute nouvelle augmentation de I , ne peut se et Ico N -.
RC
traduire que par un accroissement de la charge
stockée dans la base. Fig. 17.a
Les valeurs usuelles de IIBEsatet VcEsatsont, pour
un transistor à silicium, VBEsat = 0’8 volt , =- 1t
+ €1
et VCEsat= 0,2 volt.

La tension VCBsat est donc voisine de - 0,6 volt
et la jonction base-collecteur est polarisée en
direct, ce qui autorise le passage, du collecteur
vers la base, de porteurs de même nature que
ceux qui, injectés par l’émetteur, diffusent de la
iB 4 Fig. 17.6
base vers le collecteur; ce qui confirme que le

courant 1, ne puisse plus augmenter.
6.2. TRANSISTOR BLOQUÉ

17.c
Considérons le schéma de la figure 12, sur lequel t
on ouvre le circuit d’entrée. La condition I , = O
conduit à I , = P I , + ICoE= ICoE. Nous y distinguons les temps caractéristiques
Ce courant de l’ordre de 100 nA risque, dans suivants.
certaines applications, d’être trop important pour
que l’on puisse considérer le transistor comme un
interrupteur ouvert, et d’occasionner des pertes
de puissance trop importantes. 6.3.1.Le temps de retard
à la croissance fd
En polarisant lajonction base-émetteur en inverse,
il est possible d’obtenir un faible courant 1, C’est le temps séparant l’instant où le courant i,
négatif et de ramener ainsi le courant 1, a une est égal à 10 % de sa valeur maximale de l’instant
valeur voisine de ICoB,de l’ordre du nanoampère. où i, est égal à 10 % de sa valeur maximale (en
167
composants
anglais delay tirne). Il correspond essentiellement 6.3.4.Le temps de descente tJ

au temps nécessaire a la zone de transition de la
jonction base-émetteur, pour passer de sa C’est le temps qui sépare les instants où i, vaut
structure correspondant à l’état bloqué à sa respectivement 9 0 % et 10% de sa valeur
structure correspondant à l’état passant. Il est maximale (en anglais : full tirne). Il provient du
donc conditionné par l’apport des charges même phénomène que t, (évacuation des charges
nécessaires a la diminution de la largeur de la stockées). La jonction émetteur-base et la
zone de transition base-émetteur. jonction collecteur-base évoluent indépendam-
ment sous l’action du courant base et du courant
collecteur.
6.3.2.Le temps de montée t, O Pour les faibles valeurs de I B 2 , la jonction
C’est le temps séparant les instants où i, vaut collecteur-base se bloque la première.

O Pour les fortes valeurs de I B z , c’est la jonction
respectivement 10% et 9 0 % de sa valeur
maximum (en anglais rise tirne). C’est le temps base-émetteur qui se bloque la première.
nécessaire a l’établissement, sur la jonction base- Il existe une valeur optimale de I,, pour laquelle,
collecteur, du gradient de concentration de les deux jonctions se bloquant simultanément, le
charges correspondant au régime de conduction temps de descente tJ est minimum. La figure 18
permanent. Il est directement lié à la largeur représente l’évolution de t f en fonction de I,,.
effective de la base.
Pratiquement le constructeur ne sépare pas t, et
t,. Il indique ton = td + t , pour des conditions de
fonctionnement bien déterminées ainsi que ses
variations lorsque un des paramètres (tension,
courant ou température) varie.
D’après l’analyse qualitative précédente, nous Fig. 18 IB 2
pouvons déduire que ton augmente lorsque le
rapport __Ico augmente.
1, 1 6.3.5.Amélioration des temps de
commutation
6.3.3.Le temps de stockage t , Cette amélioration consiste essentiellement à
diminuer t, qui limite la fréquence d’utilisation
C’est le temps qui sépare l’instant où le courant ,i du transistor et tJ qui, nous le verrons,
vaut 90 YOde sa valeur maximale, de l’instant où
conditionne les pertes de puissance en
le courant i, vaut 90 ?A0 de sa valeur maximale. La commutation.
courbe donnant les variations de i, est analogue
O Ces deux temps qui dépendent de la charge
à celle qui régit les variations du courant
traversant une diode a l’instant du blocage. Nous stockée sont d’autant plus grands que le
y distinguons un courant de base négatif (- I B , ) transistor est plus saturé. Le dispositif de la
qui se prolonge tant que la charge stockée dans la figure 19 permet de limiter la saturation du
base n’est pas éliminée par le courant de base transistor.
- I,, et par le courant de collecteur Ica. La DAS I
décroissance du courant i, ne peut commencer
que si une part suffisante de cette charge a été
évacuée.
Nous avons établi que cette charge stockée est
d’autant plus importante que le transistor est plus
saturé, nous en déduisons que t, augmente lorsque Fig. 19
I,, augmente. D’autre part, cette charge est

I,O Lorsque le transistor conduit, la diode D l et la
évacuée d’autant plus rapidement que I,, est plus diode d’antisaturation DA, conduisent, la tension
grand : t , diminue lorsque 2
1, augmente. à leurs bornes restant voisine de leur tension de
I B1 seuil Eo.
La tension collecteur-émetteur s’écrit :

6.4. ÉTUDE ÉNERGÉTIQUE
vCE = - EO + EO + 63Esat
= vBEsat N 0,8 volt > VCEsat N 0,2 volt. Considérons le schéma de la figure 21.
Le transistor n’est donc pas saturé. L’énergie dissipée, dans la branche collecteur-
émetteur, pendant le temps dt est égale à :
En d’autres termes, le surplus de courant IBi,qui
entraînerait la saturation, n’entre pas dans la base d W = vCEiCdt.
du transistor; il est dérivé par la diode D, et
revient vers la masse par le circuit collecteur- RC
émetteur.
La diode D, permet la circulation du courant
i, = - I,, lors du blocage. Il est à noter que
l’accroissement de la tension V,, entraîne une
dissipation de puissance dans le transistor
Fig. 21
pendant la phase de conduction.
O Le dispositif de la figure 20 permet d’accroître
la valeur du courant inverse de base, à l’instant du O Lorsque le transistor est bloqué, le courant de
blocage. Pendant la conduction du transistor, la fuite de collecteur, que nous noterons I f est faible
tension e est égale à + El et le condensateur se (de l’ordre de 10 nA), la tension uCE est alors peu
charge sous une tension u peu différente de différente de E. L‘énergie dissipée dans la branche
collecteur-émetteur pendant le temps TB s’écrit
El(R , R+2R2 ). alors :
WB = El, TB.
O Lorsque le transistor est saturé, la tension

uCE = VcEsatest faible (de l’ordre de 0,2 volt), le
E
courant i, est alors peu différent de I o = -.
U RC
A
L’énergie dissipée dans la branche collecteur-
Fig. 20 émetteur pendant le temps Tc s’écrit alors :
WC =IO VCEsat TC*
A l’instant du blocage, la tension e passe a - E ,
O Pendant les commutations, la tension uCE et
et le condensateur maintient la tension à ses
le courant ic évoluent simultanément, et leurs
bornes égale à El(Rl:R2). Le courant iB variations sont fonction des éléments extérieurs.
prend ainsi la valeur : Nous distinguons les cas suivants :
a) Débit sur charge résistive

Considérons le dispositif de la figure 22 dans
lequel le courant i, varie comme l’indique le
E
graphe idéalisé de la figure 23, avec I o = -.
RC
I B z est d’autant plus grand que R , est plus faible.

Les composants R,, R2 et C peuvent être
optimisés de telle sorte que les jonctions base-
émetteur et base-collecteur se bloquent simulta-
nément, de façon à obtenir la valeur minimale du 1
temps de descente t f . Fig. 22.
169
corn posa nts
;cl , Fermeture La diode cie récupération D permet, lors de

l’ouverture, de réaliser un compromis entre le
transistor qui veut interrompre le courant dans
le circuit et l’inductance qui ne tolère aucune
variation brutale de courant; la diode referme
l’excès de courant que prolonge l’inductance.
Nous la supposerons parfaite.
Fig. 23 Lors de la fermeture, l’inductance freine la
montée du courant i, et les pertes de commu-
Lors de la mise en conduction du transistor tation sont faibles. Nous étudierons la puissance
(fermeture), le courant i, obéit à l’équation : Wo dissipée dans le transistor au moment de
l’ouverture, en faisant les approximations
t suivantes :
i, = Io-.
tr O L’évolution du courant i, est décrite par la
courbe idéalisée de la figure 25.
L’expression de la tension vCEest donc :
et l’énergie dissipée pendant la fermeture

(O < t < tr) s’écrit
Wf= jotrucEic dt
O L’inductance L est suffisamment grande pour
= jofrE(1 - $ I o J dt, maintenir, pendant la commutation, le courant

tr qui la traverse, constant et égal à I o .
t
W -EI =EIoJ. Pendant la commutation :
- 6 O L’expression du courant ic est donnée par
On montrerait de manière identique que l’énergie

dissipée dans le transistor pendant l’ouverture
l’équation i, = Io

(
1-- conformément au
s’écrit : O La diode étant conductrice, et supposée

parfaite, la tension à ses bornes est nulle et la
wo= E I ~ ~ .
6 tension vCEs’établit à vCE= E.
L’énergie dissipée dans le circuit collecteur-
émetteur s’écrit pour O < t < tf :
b) Débit sur charge inductive avec diode de
récupération wo = JOtf vcEic dt
Considérons le dispositif de la figure 24.
I v
t
soit Wo = E Z o f .
L 2
Cette énergie, relativement importante, provient
R du fait que la tension vCEpasse instantanément de
D0
‘ l VCEsatà E. Il apparaît ainsi simultanément dans
la branche collecteur-émetteur, une tension et un
courant important.
Afin de diminuer l’énergie dissipée à l’ouverture,
on limite la vitesse de montée de la tension
collecteur-émetteur en plaçant aux bornes du
transistor un condensateur qui freine l’évolution
Fig. 24 de la tension à ses bornes (fig. 26).
170
En conséquence, la dissipation d’énergie dans

le transistor, au moment de l’ouverture, est au
moins 6 fois plus faible qu’en l’absence du
condensateur.
REMARQUES
a) La diode ne conduit pas pendant la phase de
commutation mais sa présence est tout de même
En conservant les mêmes hypothèses : nécessaire car elle prend le relais du condensateur à
l’instant où vCE= E (fig. 27).
Le courant i, s’écrit pendant la commutation :
(
ic=Io 1 - - .
i,>
Le condensateur limite la vitesse de variation
id
de la tension vc-; la diode ne pouvant conduire

tant que vCEest inférieure à E reste bloquée après
l’instant t = O, si bien que la part du courant I o “C€
que le transistor ne canalise plus est prise par le
‘C
condensateur et le courant i qui le traverse
s’exprime par : tf t
Fig. 27
Remarquons de plus, qu’après l’instant t = t f , le

L’évolution de la tension vCE est régie par courant dans le condensateur est constant et égal à
l’équation différentielle : 1,. La tension vCE évolue alors linéairement
dvCE = -.
conformément à __ Iû
i =Io-t = C-du,,
dt C
tf dt *
b) Remarquons qu’au moment de la mise en
Compte tenu de la condition initiale conduction du transistor, le condensateur C est
chargé sous la tension E , ce qui entraîne une
UCE(O+) = UCE(o-) = VCEsat 0, importante pointe de courant dans le transistor.
I o t2
la tension vCEs’exprime par vCE = --.
c 2tf
IOtf = V,.
A l’instant t = t f sa valeur est vc,(tf) = ___
2c
Nous supposerons que le condensateur à une
I Otf
capacité suffisante pour que Vo = - < E. Dans
2c
Fig. 28
ces conditions, la diode reste bloquée pour
O < t < tf.
On limite ce courant en montant en série avec le
L’énergie dissipée dans la branche collecteur- condensateur une résistance R , shuntée par une
émetteur pendant la commutation s’écrit : diode D, (fig. 28) :
- lors du blocage le courant i dans le
wo = so’vcEicdt = JO tf -Io(
Iot2 1 - ;)dt condensateur est positif et la diode D,, supposée
parfaite court-circuite la résistance R ; ,
- lors de la mise en conduction le courant i de
décharge du condensateur est négatif, la diode D l
étant bloquée, la résistance R I limite la pointe de
courant; la constante de temps R , C doit être telle que
soit Wo =-I i t ; -
--I O VO ft < - - IoEtf le condensateur soit complètement déchargé à la fin
24C 12C 12C de la fermeture.
171
corn Dosa nts
VCEmax
6.5. LIMITATIONS
‘C max
Le point de
6.5.1. Limitation en température
fonctionnement
ne doit pas quitter
La température maximale de jonction est de cette aire
175°C pour le silicium. Compte tenu de la pendant
température ambiante et des conditions de plus de 0,5 ms
refroidissement, elle limite la puissance dissipable O =-
dans le transistor. Supposons que la commande 10 1O0 ‘CE
de base soit telle qu’en régime de conduction la Fig. 29

tension VcE soit négligeable et qu’il en soit de
même pour le courant résiduel I , en régime de Traçons, à titre d’exemple, le trajet du point de
blocage. fonctionnement (fig. 30) lors de l’ouverture du
La puissance dissipée dans le transistor apparaît transistor fonctionnant sur charge inductive.
alors aux instants de commutation. Soient Wo
l’énergie dissipée au cours de l’ouverture, et W’ Sans réseau d’aide
l’énergie dissipée pendant la fermeture. La à la commutation
puissance moyenne sur une période est donc :
Avec réseau d’aide
P= wo+ = f(W0 + W,), à la commutation
T
d’autant plus importante que la fréquence
d’utilisation est plus élevée.
O
vo E ‘C E
6.5.2. Limitation en courant Fig. 30
Pendant la phase de saturation, les courants 1, et En l’absence de réseau d’aide à la commutation

I B doivent rester inférieurs à une valeur maximale (fig. 24), la tension uCEpasse instantanément de O
précisée par le constructeur. à E, le point de fonctionnement décrivant une
horizontale d’ordonnée I o ; puis le courant ic
6.5.3. Limitation en tension décroît, la tension uCE restant constante et égale
a E.
Pendant la phase de blocage, afin d’éviter le Le point de fonctionnement décrit alors une
phénomène d’avalanche sur les jonctions base- verticale d’équation uCE = E.
émetteur et base-collecteur, le constructeur En présence du réseau d’aide à la commutation
indique : (fig. 26), la courbe décrite par le point de
- la valeur maximum de la tension inverse fonctionnement est donnée par les équations
applicable à la jonction base-émetteur : paramétriques :
vBE invrnax ;
- la valeur maximum de la tension collecteur-
émetteur : VcEmax.
6.5.4. Aire de sécurité

Pendant les commutations, la tension uCE et le
courant i, peuvent prendre fugitivement des
valeurs très importantes, compte tenu des Puis lorsque le courant ic s’annule, il décrit l’axe
éléments extérieurs au transistor. Le constructeur des uCE de Vo jusqu’à E. Le réseau d’aide à la
indique, dans les axes i, = f(u,,), (fig. 29) une commutation éloigne le point de fonctionnement
aire de sécurité, hors de laquelle le point de des limites de l’aire de sécurité et autorise ainsi le
fonctionnement ne peut sortir que pendant un transistor à couper des courants d’intensité plus
temps limité. élevée.
172
le transistor à ionctions
Supposons que l’amplificateur contienne un

7. FONCTIONNEMENT transistor; ses grandeurs électriques i,, ic, vCE,u,,
DU TRANSISTOR varient au rythme du signal d’entrée et le point de
EN AMPLIFICATION fonctionnement se déplace sur les caractéristi-
ques. Lorsque le signal d’entrée est nul, ces
grandeurs électriques prennent les valeurs I,, I,,
7.1. AMPLIFICATEUR Vc,, V,, appelées valeurs de polarisation, la
LINÉAI R E position alors occupée par le point de fonctionne-
ment est appelée point de repos.
Un amplificateur est décrit par le schéma de la Suivant la position du point de repos, on
figure 31. distingue les régimes de fonctionnement ci-après.
Ve Am plificateur
7.2. AMPLIFICATION
Fig. 31 E N CLASSE A
C’est un quadripôle, attaqué par le signal d’entrée
(v, ou i,) et fournissant, à une charge RL, un Un transistor fonctionne en classe A s’il n’est
signal de sortie (v, ou i,). jamais bloqué ni saturé.
Un amplificateur linéaire doit posséder les
propriétés suivantes : 7.2.1. Polarisation
O La forme du signal de sortie doit être identique
a celle du signal d’entrée (fig. 32). Une source de tension continue fixe les gran-
deurs de polarisation I,, 1,, V,, V,, et impose
ainsi la position du point de repos sur les
caractéristiques.
Le montage de base est donné figure 34.
Fig. 32 1
0 La puissance fournie à la charge par le signal
de sortie do& être supérieure à la puissance
fournie à l’amplificateur par le signal d’entrée.
Un amplificateur peut être caractérisé par :

CO
A
M
Ti
0 Sa résistance d’entrée Re : c’est la résistance
qu’il présente au signal d’entrée. Fig. 34
O Son générateur de Thévenin équivalent en
sortie : il comprend le générateur de tension A , v, Après une période transitoire pendant laquelle ils
et la résistance R, (fig. 33) : se chargent respectivement sous la tension V,, et
VcE,les condensateurs Co et CO ne laissent plus
- A , est l’amplification de tension à vide;
passer le courant continu.
- R, est la résistance de sortie.
RL est la charge destinée à recevoir ultérieure-
ment le signal (os, &).
Nous disposons, pour la détermination de I , et
-
V,, des équations suivantes :
E = RBIB + VE’
I
{ = f(IB)
caractéristique du transistor, indépendante de
Fig. 33 vCE-
173
composants
En pratique, la jonction émetteur-base étant Soient ib, i,, u,,, v b e les petites variations des
polarisée en direct, la tension VBE reste voisine grandeurs électriques. Les capacités Coet CO sont
de 0,6 volt pour un transistor au silicium et suffisamment élevées pour que, compte tenu de la
avec une bonne approximation on peut écrire vitesse de variation du signal d'entrée, la tension
E - 0,6 volt aux bornes des condensateurs reste sensiblement
VBE N 0,6 volt, I , z constante. Les condensateurs se comportent
RB
Pour la détermination de I , et VcE, nous alors comme des courts-circuits vis-à-vis des
disposons des équations suivantes : petites variations ce qui conduit, pour i,, i,, v,,,
v,,, au schéma équivalent de la figure 36.
+ VCE
i E = RcIc
Ic = f K E )
caractéristique du transistor à
E - 0,6 volt
IB =
RB
La résolution conduit au graphe de la figure 35; Fig. 36
la droite d'équation E = Rc I , + V,, est la droite
de charge statique. b) Attaque par un générateur de tension
Droite de charge statique Le schéma correspondant à une telle attaque est
/
repos
O c,
E
Fig. 35
!CE
L -
A
Fig. 37
En pratique I , z PI,, soit :
E - 0,6 volt , La valeur instantanée de la tension base-émetteur
1, = P T/cE =E - ( E - 0,6)-.PRC
résulte de la tension VBE aux bornes du
RB RB
condensateur Co et de la tension v, imposée par
' + v,.
le générateur d'attaque soit : uBE = VE
7.2.2. Attaque de l'amplificateur Nous avons établi au paragraphe 4.3 que la
par un signal d'entrée valeur instantanée i , du courant de base est
donnée par :
Déconnectons les points A et M de la figure 34
UBE
afin d'y intercaler un générateur de signal qui iB = IBs e K
impose aux grandeurs électriques des petites
(où V, est de l'ordre de 30 mV à 25°C)'
variations autour de leur valeur de repos.
soit :
a) Remarque préliminaire VBE De ue
iB = IBs e K . evT = I , evT,
La variation de tension aux bornes d'une source
VBE
de tension constante étant nulle, nous pouvons ou I , = IBs e K est le courant de polarisation de
conclure qu'une source de tension constante se base.
comporte comme un court-circuit vis-à-vis des
Un développement en série de l'exponentielle
petites variations.
conduit à :
Nous établirions de la même manière qu'une
source de courant constant se comporte comme
un circuit ouvert vis-à-vis des petites variations.
174
Les petites variations i, du courant de base Nous venons d’établir que le transistor présente
s’expriment donc par : aux petites variations ib et ube la résistance
ube
_ _ --
-
30 mV
ib IB *
D’après l’étude de polarisation, la résistance RB

La relation entre i, et u, n’est donc pas linéaire et E - 0,6 volt
le courant ib ne reproduit pas la forme du signal est donnée par : R, =
IB
d’attaque ue. Il en est donc de même pour les
La tension de polarisation E étant de l’ordre
petites variations i, = pi, et v,, = - RCRL i, d’une dizaine de volts, E - 0,6 volt est très grand
Rc + RI, par rapport à 30 mV. La résistance R, est donc
(voir fig. 36). très grande par rapport à la résistance d’entrée du
La forme de la tension aux bornes de la charge transistor et nous pouvons négliger son influence.
étant différente de celle du générateur d’attaque, La forme du courant ibde base est donc identique
on dit qu’il y a distorsion. à celle du signal délivré par le générateur de
RCRL .
REMARQUE courant i, et la tension u,, = - p ~ cR, le +
Dans le cas où le signal d’attaque v, est très inférieur à reproduit sans distorsion la forme du signal
V, = 30 mV, on peut limiter le développement d’entrée i,.
précédent au premier ordre et écrire :
L’attaque du transistor par un générateur de
i, = 1~2. courant ne fait pas apparaître de distorsion.
VT
I
La relation entre i, et v, est alors linéaire et i, à la REMARQUE
mêmeforme que v,, il en est donc de même de i, = pi,
et de v,, = - RCRL 2,..
Rc + RL.
~
Remarquons que le transistor présente aux petites

I Pour les forts signaux, la tension vBE est distordue;
cet inconvénient est sans conséquences puisque cette
tension n’intervient pas dans la relation entre i, et v,,.
variations i, et v, (fig. 36) la résistance

v, - -V, - 30 mV 7-23. Étude énergétique
_ - - ~
ib IB IB Afin d’analyser l’évolution du point de fonction-

nement autour du point de repos M o , traçons,
En conclusion l’attaque d’un transistor à dans le système d’axes ic, uCE,un autre système
jonctions par un générateur de tension conduit à d’axes i,, uce, centré en M o , dans lequel sont
une distorsion du signal sauf si ce signal est repérées les petites variations (fig. 39).
suffisamment faible pour que la portion de Fig. 39
caractéristique d’entrée, IC A A
VBE Droite de charge dynamique
IB = f ( V B E ) = I,, e F , de pente Rc + RL
décrite par le point de fonctionnement puisse être
assimilée à une droite.
c) Attaque par un générateur de courant

Le schéma équivalent pour les petits signaux est
RCRL
La relation II,,= - i, est décrite, dans
Rc + RL
ce système d’axes, par une droite passant par M o ,
appelée droite de charge dynamique. Sa pente
Fig. 38. (- Rc RL
RCR,
+
) étant plus négative que celle de la
175
comDosants
droite de charge statique ( K,),

- __ elle coupe raxe
b) Puissance fournie à la charge RL
des u,,en un point M , d’abscisse inférieure à E.

Nous supposerons dans cette étude que :
O Tout le quadrant i,, uCE est descriptible par le
Cette puissance Pu s’exprime par :
Pu = ;JO
T 2
=
dt
JOT
(avec T =
v’EM
z)
cos2 cet dt = -.G E ,
point de fonctionnement en régime linéaire, c’est- RL 2RL
à-dire que nous négligerons les valeurs de VcEsatet
RCRL < RL, nous déduisons
ICoE * Sachant que
O Le transistor est attaqué par un générateur de Rc + RL
courant sinusoïdal, en conséquence de quoi les + RL) -
grandeurs i, et u,, sont sinusoïdales.
v ZE M
< vZEÏU(RC vCEM1CA4
2RL 2RCRL 2 .
Si le but du dispositif est d’obtenir un maximum Dans le cas où l’excursion est maximale :
de puissance utile dans la charge, l’excursion
étant symétrique autour du point de repos M o , il V CE M = VcE et I,, = I,, soit :
faut que le point M o soit le milieu du b E I C
segment M , M , découpé sur la droite de charge
Pu < ~ < -.
2 4
dynamique par les axes i,, II,,. Dans ces
conditions nous avons : c) Rendement
OB = B M , = VcE, tension collecteur-émetteur On définit le rendement par le rapport entre la
de polarisation, puissance utile et la puissance fournie par la
O A = A M , = I,, courant de collecteur de pola- P
U
source de tension continue : 7 = -.
risation. PE
La puissance P, = E I , est indépendante de la
Les valeurs instantanées de u,,et i, s’écrivent puissance utile Pu fournie à la charge. La
respectivement :
ElC
puissance Pu étant inférieure à -, le rendement
CE = GE+ uce 4
1, =I, + i, ne peut dépasser 25 %.
avec u,, = V,, COS cot
d) Puissance dissipée dans le transistor
entre collecteur et émetteur
où V,,, et I,, liés par la relation Cette puissance Pd est donnée par .:
+
R, RL
RCRL
vCEM = ICM,
Pd
l
=r joTvcEic dt
sont respectivement les valeurs maximales des = $ JOT( I/CE + VCEM cos ut) *
variations sinusoïdales u,, et i,. ( I c - I,, COS ut) dt

Dans le cas d’une excursion maximale,
V&I, - vCEMICM
=
2 -
Cette puissance est maximale et vaut
Pdmax = vCEIC,
a ) Puissance fournie par le générateur dans le cas où VcEMest nul, c’est-à-dire lorsque la
de tension continue E charge ne reçoit aucun signal.
Cette puissance P , s’exprime par : Sachant que la puissance utile est inférieure à
PE = & joTEik dt (avec T = g) vCE I C

2
, nous retiendrons que le transistor doit
ètre capable de dissiper une puissance au moins
fjoT
O
= E(I, - IL, COS ut)dt = El,. deux fois plus élevée que la puissance maximale
fournie à la charge.
176
e) Bilan de l’étude énergétique un accroissement de a donc de p. Typiquement,

pour un transistor au silicium, p passe de 55 à
Si le but recherché est de fournir un maximum de
25 OC à 100 à 175OC. La variation correspondante
puissance à la charge R,, l’amplificateur fonc-
de 1, est donc de A I , , = 451,.
tionnant en classe A est mal adapté; en effet :
- le rendement est faible : il ne peut être
supérieur à 25 %; Ordres de grandeur
- le générateur de tension continu fournit une La tension d’alimentation continue E étant de
puissance importante, et ce, même si la charge ne A VBE est de
reçoit aucun signal; l’ordre d’une dizaine de volts, - -p
E - VBE
- le transistor doit être capable de dissiper une 0,375
puissance plus de deux fois supérieure à la l’ordre de 55 x ~ = 1,88, très petit par rapport
10
puissance utile reçue par la charge.
à 45. Les variations de la tension base-émetteur
Par contre un tel dispositif peut être utilisé si le ont donc une influence négligeable par rapport
but recherché est un fort gain en tension ou en aux variations de p.
courant sans chercher à fournir une puissance
Le courant I , étant de l’ordre de 10 mA, le
importante à l’étage suivant.
courant I B est de l’ordre de 100 pA et AIc3 de
l’ordre de 4,5 mA est très grand par rapport à
7.2.4.Stabilisation du point de repos AIcl = 3 pA. Ainsi, pour le dispositif étudié, ce
sont les variations de p qui ont la plus forte
Considérons le schéma de polarisation de la influence (ce n’est pas toujours le cas).
figure 34, dans lequel le courant I , est donné par
I , = P I , + I,,, et analysons les perturbations
susceptibles de le faire varier. 6) Dispersion des caractéristiques
Nous avons vu qu’il était difficile pour le
a) Influence de la température constructeur de garantir la valeur de p avec
précision. Ainsi, dans un même lot, il n’est pas
Supposons, par exemple que la température passe
rare de rencontrer des transistors dont le gain p
de 25 OC à 175OC.
varie du simple au double, provoquant lors du
O Le courant inverse de la jonction base-
remplacement d’un transistor un effet identique à
collecteur double tous les 7°C environ. S’il n’y
celui provoqué par une élévation de température.
avait pas d’impuretés à la surface de la jonction
base-collecteur, le courant ICoE passerait de 1 nA
à 25 O C à 3 300 nA à 175°C. En fait à 25 OC, ce Conséquences
courant est masqué par le courant de fuite dû aux Revenons au graphe de la figure 39, sur lequel
impuretés (il est alors de l’ordre de 100 nA). Pour le point de fonctionnement se déplace autour
une variation de température de 25°C à 175OC, du point de repos M o sur la droite de charge
le courant I C o E augmente donc d’environ dynamique. Par suite d’une variation de
AIcl = 3 pA. température ou du remplacement du transistor, le
O La tension base-émetteur diminue d’environ
point de repos se déplace sur la droite de charge
2,2 mV par OC. Pour un transistor au silicium elle statique entraînant avec lui les axes i, et u,, ainsi
passe de 0,6 volt à 25 OC à 0,225 volt à 175 O C , soit que la droite de charge dynamique. Il apparaît
une variation AV’E = - 0,375 volt. Sachant que ainsi un risque de voir le point de fonctionnement
E - VBE, il en
le courant 1, est donné par I B = _____ aller en butée sur l’axe des i, ou sur l’axe des vCE.
RB Il est donc nécessaire d’améliorer le montage de
résulte une variation de I B de base de façon à stabiliser la position du point de
repos M o .
Conformément aux valeurs numériques de notre
exemple, nous étudierons l’influence des varia-
et une variation de I , de AIc2 = - -p AVBE 1,. tions de p sur le courant de collecteur I , et nous
- I/BE
O Le gain en courant p augmente. En effet,
chiffrerons la stabilisation par le facteur de
l’agitation thermique accroît le nombre de paires stabilisation S , = IB($) où dl, est la variation
électron-trou dans la base, rendant moins
probable les recombinaisons et provoquant ainsi de I , résultant de la variation dp de p.
177
comDosants
Pour le montage de base, I , est fixé indépen-
ti!J
damment de P par
soit S = 1. ‘2
c) Stabilisation par résistance d’émetteur RE
Un accroissement du gain P, provenant d’une

élévation de température ou d’un changement de Fig. 41
transistor, provoque un déplacement d’ensemble,
vers le haut, des caractéristiques I , = f(VcE)à
I B = Cte, entraînant la montée du point de repos Si les courants Il et I 2 sont grands par rapport au
sur la droite de charge statique. Afin de ramener courant de base 1,, le potentiel du point B est
ce point de repos vers sa position initiale le indépendant de I,. Si, par suite d’une perturba-
dispositif doit réagir à une augmentation de P, tion, le courant I , augmente, le potentiel du
par une diminution de 1,, ainsi la position du point E augmente entraînant une diminution de
point de repos est stabilisée à la manière d’un la tension VBE.Le courant I B diminue ce qui est
piéton qui descendant les marches d’un escalier bien le but recherché dans la stabilisation.
roulant, ascendant, reste sensiblement à la même
place.
Considérons dès lors le schéma partiel de la
figure 40.
d’où il vient :
1
M
Fig. 40
E-
R2
Maintenir le courant 1, constant constitue une I, = PI -
B-Rl + R2’
condition suffisante pour stabiliser le point de - + RE
repos. P R2
Le courant d’émetteur étant sensiblement égal à
La stabilisation du point de repos peut donc être

obtenue en maintenant la tension VBMconstante.
Or un dispositif dans lequel la tension VBMest
constante est inutilisable. Si l’on considère en effet
l’attaque de la base par un signal, toute tension
constante se comportant, vis-à-vis des petites Le facteur de stabilisation S , s’établit donc à
variation-s comme un court-circuit, le signal voit
les points B et A4 en court-circuit, et le transistor
est alors inefficient. Il faut donc réaliser un Il est d’autant plus élevé que PRE est grand par
compromis entre la stabilisation du point de rapport à RB. Cependant on ne peut pas
repos et l’attaque du transistor par un signal; ce diminuer RB exagérément sinon le transistor ne
qui conduit au schéma de la figure 41. serait plus alimenté par le signal.
178
O Le transistor Ti est bloqué tant que la tension

7.3. AMPLIFICATEUR uBE est inférieure à E , et, lorsqu’il conduit, la
EN CLASSE B tension uBEest sensiblement constante et égale à
EO.
Un transistor fonctionne en classe B si son point O Le transistor T, est bloqué tant que uBE est
de repos dans le plan i, = f(u,,) se trouve sur supérieure à - E , et, lorsqu’il conduit, la tension
l’axe des uCE.L’excursion du point de fonctionne- uBE est sensiblement constante et égale à - E,.
ment autour du point de repos étant symétrique, +
Compte tenu de e = uBE uL nous obtenons
il apparaît qu’un transistor ne peut à lui seul (fig. 43) les variations de u,.
recopier la forme du signal. La figure 42 donne le Nous y remarquons que, lorsque la tension e est
schéma de base d’un amplificateur en classe B, +
comprise entre - E , et E,, aucun transistor ne
utilisant deux transistors complémentaires (Ti de conduit et la tension uL est nulle.
type N-P-N, T, de type P-N-P). Ce dispositif est
En conséquence, la forme de la tension uI,aux
alimenté symétriquement par deux sources de
bornes de la charge est différente de celle du
tension constante E.
signal e. Le défaut correspondant est appelé
distorsion de croisement ou distorsion à faible
niveau car il est d’autant plus sensible que E , est
plus faible.
7.3.1. Suppression de la distorsion

de croisement
Pour supprimer la distorsion de croisement, il

I faut modifier le dispositif de telle sorte que le
Fig. 42 transistor Ti conduise dès que la tension e est
positive et que le transistor T2 conduise dès que
Le signal d’attaque est constitué par un la tension e est négative.
générateur de tension e que nous supposons
a) Suppression par polarisation de la base
sinusoïdale, d’expression e = E , cos cot (fig. 43).
Complétons le schéma de base de la figure 42
EM t conformément au schéma de la figure 45. Les
diodes D, et D, sont choisies et les résistances R I
et R , ajustées de telle sorte qu’en l’absence de
signal :
t - le potentiel du point A soit égal à celui du
point B ;
- la tension u1 soit égale à E,;
- la tension 1.4, soit égale à - E,.
Fig. 43
Afin de déterminer l’évolution de la tension uL,

aux bornes de la charge R,, nous idéaliserons les
caractéristiques iB = f(u,,) des deux transistors
conformément au graphe de la figure 44.
Fig. 44 Fig. 45
179
composa nts
Dans ces conditions, lorsque uL = O,

v B E , = u , + e = E , + e.
Dès que la tension e est positive, la tension v B E i

devient supérieure à E , et le transistor 7”
conduit. De même, v B E 2 = u2 + e = - E , + e.
Dès que la tension e est négative, v B E 2 devient
inférieure à - E , et le transistor T2 conduit. La
distorsion de croisement est ainsi éliminée.
REMARQUES
0 Si, par suite d’un mauvais choix de composants, la
tension u1 - u2 devient supérieure ù 2Eo, il apparaît
un très fort courant de base (fig. 44) dans l’un au Fig. 46
moins des transistors: ceci peut aller jusqu’au cas le
plus défavorable où les deux transistors sont
simultanément saturés entraînant un court-circuit sur - résistance d’entrée infinie : aucun courant ne
les deux alimentations continues + E et - E . circule vers les entrées + et -;
0 La tension interhases v B 1 B 2 est égale à - résistance de sortie nulle;
V B i B 2 - v B E i - vBE2 N 2E,. Supposons que la polari- - fort gain en tension : us = p € , avec p % 1.
sation impose une tension v B 1 B 2 constante. Une
élévation de température provoquant une diminution A partir des équations :
1 + UL
de la tension de seuil E , de 2,2 mV par OC, fait e+€ - G
apparaître unfort courant de base sur les transistors,
conduisant à un fort courant de collecteur. La R, R2
dissipation thermique qui en résulte provoque une
nouvelle élévation de température, etc. C’est
V , = UL + VgE
v, = p€
l’emballement thermique pouvant aller jusqu’ù la
destruction des transistors. il vient par élimination de € et us,
La polarisation ù l’aide des diodes D , et D , présente
1 ’avantage suivant :lorsque la température augmente
la tension u1 - u2 aux bornes des diodes diminue de
la même quantité que la somme 2E, des tensions de
seuil, évitant ainsi le phénomène d’emballement Ordre de grandeur : R , = R 2 = 10 kR, p = 104;
thermique. l’équation précédente devient :
Le dispositif peut être complété par deux petites
résistances rE (de quelques dizièmes d’ohms à e 104
quelques ohms) montées en série avec les émetteurs v B E = - IO4- - u L
2 L J
qui, faisant apparaître une chute de tension ohmique
rE(icl- ic2) s’ajoutant à 2E,, limitent 1 ’accroisse- Le transistor Ti entre en conduction dès que la
ment des courants de base. tension v B E est égale à la tension de seuil E,, c’est-
0 Dans le cas idéal :
à-dire dès que la tension e devient inférieure à
e = -ul + u B E , + uL = uL, lorsque T, conduit,
--2 E -~ - E~ De la même manière, le
e = - u2 + vBE2+ uL = uL, lorsque T, conduit.
~
104 5000’
Par l’intermédiaire, alternativement, de Tl et de T2,la transistor T, entre en conduction dès que la
tension uL recopie la tension e du générateur de
signal mais le courant qui parcourt la charge est tension e devient supérieure à EO Cette
~
fourni, non pas par le signal mais par les sources de 5 O00
tension continues E . I l est ainsi possible d ’obtenirune valeur étant de l’ordre de 0,l millivolt, on
forte puissance dans la charge R,. U n tel dispositif supprime ainsi le ((temps mort)) qui entraîne la
est aussi appelé (( Push-pull », soit K pousse tire ». distorsion de croisement (fig. 43).
Cette dénomination fait allusion au potentiel du
point B (fig. 45) qui, suivant l’évolution du signal, L’équation générale peut être écrite sous la
comprime et étire alternativement les potentiels forme :
collecteur-émetteur des transistors Tl et T2.
6) Suppression a [’aide d’un amplijkateur de fort
gain en tension
e=--- UBE R i
c1
+R2
R2
--UL [R$$
~ + -1.
R2
Considérons le dispositif de la figure 46, dans A la limite, si le gain y tend vers l’infini, il vient
lequel A est un amplificateur qui possède les R
uL = - e 2 . La tension uL recopie la tension e,
caractéristiques suivantes : R,
180
R2 près, mais le c) Puissance dissipée dans un transistor

au facteur multiplicatif --
Rl Cette puissance Pd peut être obtenue par le
courant qui parcourt la charge est fourni par les bilan de puissances : 2P, = 2Pd + Pu, soit
tensions d’alimentation continues E.
pd- -- - aE2
- a2E2
nRL 4RL
7.3.2.Étude énergétique
Cette puissance est maximale pour une valeur
La figure 47 donne le schéma partiel de la (( partie dPd 2
puissance )) commune aux schémas des figures 45 de a telle que - = O, soit a = - = 0,64. Elle
da .n
et 46. c2
fi
‘c 1
vaut alors Pdmax=
TL’R,’
d) Rendement
Le rendement, qui est le rapport entre la
puissance utile et la puissance fournie par les
sources de tension constante est donné par :
Fig. 47 ‘c 2
La tension uL, recopiant la tension e du Il est maximal pour a = 1 et vaut alors

générateur de signal s’écrit uL = E , cos cot. n
y = - N 78,5 70.
Les tensions vCEi et vEC2ne pouvant devenir 4
négatives, la valeur maximale de E , est égale a E.
e) Bilan de l’étude énergétique
Nous poserons E , = aE avec O < a < 1.
Le montage (( Push-pull )) est particulièrement
a) Puissance fournie à la charge RL bien adapté pour fournir une puissance impor-
Cette puissance Pu est donnée par : tante à la charge R,. En effet :
P“ = T 2
1joT dt (avec T = g) - son rendement est bon : il peut atteindre
théoriquement 78,5 % ;
- lorsque le signal d’entrée est nul, a = O et
= f joT
a2E2
a2E2
RL
cos2 ut dt = -.
2RL.
PE = O, les sources de tension continues ne
fournissent pas de puissance;
Elle est bien sûr maximale lorsque a = 1 et vaut - la puissance dissipée dans chaque transistor
E2 est faible; remarquons en effet :

alors Pumax= -.
2RL
6) Puissance fournie par un générateur de tension
constante E Chaque transistor doit être capable de dissiper
Le transistor Ti conduit lorsque la tension uL est une puissance égale à 20 YOde la puissance utile
rn
1 maximale.
positive, c’est-à-dire entre les instants t l = - -
4 Exemple de calcul
T
et t2 = + -; il est bloqué lorsque uL est négative. Soit ii construire un amplificateur destiné à
4
Lorsque le transistor TI conduit, le courant i, fournir une puissance de 100 W à une charge
s’écrit aE RL = 8 a.
2Ci = - --
uI- - cos cot Les tensions d’alimentation E doivent être telles
RL RL
La puissance PEfournie par une source de tension que E 2 = 2RLPUmax soit E = 40 volts.
continue s’exprime par : Chaque transistor doit être capable de dissi-
per une puissance P = 0,2 x 100 = 20 watts.
Ei,, d t Il doit pouvoir supporter une tension VcE
égale à 80 volts et un courant 1, égal à
E 40
- =- = 5 ampères.
RL 8
181
composants
7.3.3. Montage utilisant une seule Ces courbes sont les représentations graphiques
source de tension résultant des équations :
Il est possible de diminuer le coût du dispositif en

alimentant le montage par une seule source de
tension continue E. La figure 48 donne le schéma
partiel de la (( partie puissance ». Soient I,, I,, V,, V,, les grandeurs de pola-
risation et i,, i,, V b e , u,,, les petites variations des
grandeurs électriques i, i,, u,, uCE, autour de
leurs valeurs de repos.
Nous assimilerons ces petites variations aux diffé-
rentielles, soit : i, = di,, i, = di,, Vbe = duBE,
V,, = ducE.
Effectuons, sur le système d’équations une

Fig. 48 différentielle totale. Il vient :
Lorsque le transistor TI conduit, l’ensemble R, C

est alimenté par la source de tension + E.
Lorsque le transistor T2 conduit, c’est le con-
densateur C qui sert de source d’alimentation
pour la charge R,.
Le dispositif est forcément limité du côté des Appliquons cette différentielle totale autour du
basses fréquences, car le condensateur interdit point M o . Il vient :
l’alimentation de la charge R, en continu. La
capacité C doit être calculée de telle sorte que
la tension aux bornes du condensateur reste
E
sensiblement constante et égale à -, et ce, compte
2
tenu de la fréquence minimale d’utilisation.
($)zf =Cte est la valeur, autour du point M o ,

7.4. SCHÉMA ÉQUIVALENT
D U TRANSISTOR de la dérivée partielle de uBE par rapport à i,, en
maintenant v,, constante. En d’autres termes,
POUR LES PETITES c’est la pente de la caractéristique us, = f(iB)
VAR IATlO N S autour du point M o . Nous la noterons h l l .
Regroupons sur un même graphe les caractéristi- au,, g0=Cte est la valeur, autour du point M o ,de
(i”,)
ques du transistor et faisons apparaître, dans
chaque quadrant, le point M o de polarisation la dérivée partielle de ugE par rapport à uCE, en
maintenant i, constant. C’est la pente de la
(fig. 49).
caractéristique uBE = f(u,,) à i, = Cte autour du
point M o . Nous la noterons hI2.
est la pente de la caractéristique

i, = f(u,,) à i, = Cte autour du point M o . Nous
la noterons h22.
(3)
ai, ug=Cte est la pente de la caractéristique
i, = f(iB) à uCE = Cte autour du point M o . Nous
Fig. 49 t VBE la noterons h21.
182
Ces changements de variable conduisent à :

7.5. LES TROIS MONTAGES
= + hlzvce,
{ FONDAMENTAUX
Vbe hllib
i~ = h21ib + h22Vce9 EN CLASSEA

les paramètres h i i , h,,, h,,, h2, sont les
paramètres hybrides du transistor.
7.5.1. Montage émetteur commun
Ordres de grandeur :
a ) La caractéristique i, = ~ ( v B E )n'est pas liné- Le schéma correspondant (fig. 51) est obtenu à
aire. Son équation est de la forme partir du schéma de polarisation de la figure 41,
UBE en ajoutant les éléments suivants :
i, = I,, eK, 0 Un générateur de force électromotrice e, et de
avec V, = 30 mV, et ce quelque soit vCE,soit : résistance interne R,, destiné à provoquer des
petites variations autour des valeurs de repos;
0 Une charge R,;
0 Un condensateur dont la capacité C E est
suffisamment élevée pour que la tension à ses
et
bornes reste sensiblement constante.
O Deux condensateurs Co et CL dont le rôle est
au point M o , d'empêcher le courant continu de traverser le
générateur et la charge.
Nous supposerons que les petites variations
30 (mV) imposées par le signal sont sinusoïdales.
soit h11 =-
43 r I
b) La caractéristique vBE= f ( v C E ) a i, = Cte
étant sensiblement horizontale, h, est pratique- ,
ment nul : h , , = O.
C) La caractéristique i, = f ( i B ) étant sensible-
ment une droite d'équation ic = Pi,, il vient
h,, = P. Les corrections qui peuvent être
apportées à cette relation sont négligeables par
rapport aux dispersions du paramètre /3 dans un
même lot de transistor : h,, = 30 -+ 300. I 1 A A - I
à) Dans sa partie linéaire, la caractéristique Fig. 51

ic = f(v,,) est légèrement croissante et sa pente
est d'autant plus forte que le courant I , de
polarisation est plus grand. L'ordre de gran- a ) Schéma équivalent pour les petites variations
deur de l / h 2 , est de quelques dizaines de
kiloohms à quelques centaines de kiloohms : R l R 2 , on obtient le schéma
En posant R, =
h,, = 10-4 + l O - ' a-'. R, +R,
A partir des relations : de la figure 52.
i* vbe
lc
= h11 i b ,
= h21ib + h22vce
nous pouvons déduire le schéma équivalent du
transistor pour les petites variations (fig. 50).
Fig. 50 .
lb /C
M
Fig. 52
183
corn posa n ts
b) Calcul des condensateurs Ainsi la valeur à adopter pour CE dépend du

courant de polarisation I,.
O La capacité CO doit être telle que son
1 Après le calcul des condensateurs le schéma
impédance -soit faible devant la résistance se réduit à celui de la figure 54, avec
COCO
R, + Re où Re est la résistance que présente
l’amplificateur entre les points B et M .
O La capacité Co doit être telle que son
1
impédance -soit faible devant la résistance
COCO
RL + R, où R, est la résistance de sortie de
l’amplificateur.
O Afin de déterminer la capacité CE,modifions
le schéma entre les points B et M par appli- Fig. 54

cation du théorème de Thévenin. En posant
Rg RB
Ro = , le schéma correspondant est c ) Résistance d’entrée
R~ + R B
C‘est la résistance vue par le générateur :
h l l RB
Re =
hll + RB’
Ordre de grandeur : R, est en général grand
30 (mV)
devant h,,; soit Re = h,, = -.
IB
Cette résistance est faible (de l’ordre du kQ) et
Rc+ RL dépend du courant de polarisation de base.
d) Gain en tension
Fig. 53
D’après les équations :
La capacité CEdoit être telle que :
1
- l’impédance - soit faible devant la
CEW
résistance RE, soit :
1
4 RE
CE0
- la valeur efficace I/eeff de la tension v, soit Les tensions d’entrée et de sortie sont en
négligeable devant la valeur efficace r/geff de la opposition de phase.
tension v,. En négligeant le courant dans la
1
1 Ordre de grandeur: - est en général grand
résistance -, il vient : h22
h2 2 devant R,, soit R&z R,.
Afin d’obtenir une valeur approchée, assimilons
hZl à /3 (ce n’est qu’une approximation, car en
toute rigueur, h2, dépend du courant de
soit polarisation Ic) :
Pour une attaque par un générateur de tension

(R, = O), c’est la deuxième condition qui est la
plus contraignante : - -.
1 hll
-+
Sachant que
h21
30 mV 1 30(mV) 30(mV) Dans ces conditions, l’amplification en tension
h,,=------- ,il vient: ~ <--p.
N
IB h21’B IC dépend du courant de polarisation 1,.
184
e ) Gain en courant
D'après les équations :
v, = RLi,
21, = R,i,
il vient :
Un ordre de grandeur de ce gain est A , = 100.

Fig. 56
f) Résistance de sortie
a) Schéma équivalent pour les petites variations
C'est la résistance du générateur de Thévenin
équivalent. On la détermine à partir du schéma En posant RB = RlR2 , on obtient le schéma
de la figure 55, sur lequel : Rl +R2
- la charge est déconnectée; de la figure 57.
1
- la force électromotrice e, est remplacée par un
court-circuit.
Fig. 55
De l'équation ib = O, il vient : Fig. 57
6) Calcul des condensateurs

Nous les calculerons en supposant que les
La résistance de sortie est donc sensiblement petites variations imposées par le signal sont
égale à R,. Son ordre de grandeur est de 1 k a . sinusoïdales.
La capacité CL doit être telle que son impédance
g) Bilan
1
soit négligeable devant la résistance
Le montage émetteur commun présente : COCO
- un fort gain en tension de l'ordre de 100, R, + Re où R, est la résistance d'entrée de
réglable par I,, l'amplificateur.
- une faible résistance d'entrée de l'ordre du La capacité Co doit être telle que son impédance
kiloohm, réglable par I B , 1
soit négligeable devant la résistance
- un fort gain en courant de l'ordre de 100; COCO
- une forte résistance de sortie dépendant RL + Rs où Rs est la résistance de sortie de
de R,. l'amplificateur.
La capacité CBdoit être telle que son impédance
7.5.2. Montage base commune 1
soit négligeable à la fois devant la
CBU
Le schéma correspondant est donné à la résistance RB et devant la résistance hl 1.
figure 56 : La résistance R, étant en général grande devant
0 Le signal qui impose les petites variations 1 30 mV
attaque le dispositif par l'émetteur du transistor. +
h i l , il suffit de réaliser - h,, =-.
CBm 1,
0 La charge R, est connectée au collecteur du Cette capacité dépend donc du courant de
transistor. polarisation de la base.
185
corn posants
Après le calcul des condensateurs, et par

h,, étant de l’ordre de 100, la résistance -,
hl 1 de
transformation du générateur de Norton
(h2,ib, k) en son générateur de Thévenin l’ordre d’une dizaine d’ohms, est faible à la fois
devant h l l , RE et 1 + h 2 2 R e q
h21
équivalent, nous obtenons le schéma de la

4 2
figure 58.
La résistance d’entrée est donc peu différente de
h l l - 30 mV 30 mV
-~ - %- . Elle dépend donc du
h21 h211B IC
courant de polarisation I c .
RL En toute rigueur, h,, n’est pas exactement égal
à p. Il varie avec le courant de collecteur I c et la
30 mV
M
formule Re = ~ ne donne qu’un ordre de
IC
Fig. 5% grandeur de la résistance d’entrée.
C) Résistance d’entrée
C’est la résistance vue par le générateur entre les
points E et M . 6) Gain en tension
RCRL A partir de la figure 58, nous pouvons écrire :
Posons Re, = et transformons le
Rc +RL
générateur de Thévenin
son générateur de Norton équivalent. Nous
obtenons le schéma de la figure 59.
E
soit v2 = h22Req (1 + &JV1.

1 + h22Req
M Le gain en tension s’écrit donc
Fig. 59
La tension aux bornes du générateur de courant A -

’- 1 + h22Req
h22Req
(1 + &).
h 2 1 ib
est égale à u = h l l ib. Le générateur Les tensions d’entrée et de sortie sont en phase.
1 + h22Req
peut donc être remplacé par la résistance
Ordre de grandeur
hl ’(’ + h22R e q ) . La résistance d’entrée Re résul-
h21 h22 . Re, est petit devant 1, et h 2 1 , de l’ordre de
te donc (fig. 60) de la mise en parallèle de quatre 100, est grand devant h , h22,de l’ordre de 10-2,
résistances. soit :
A‘ % h , ,% Reqm
h2 1 Re, h211B
%-
ReqlC
30 mV’
h22 Le gain en tension dépend donc du courant I c de
polarisation.
M
Fig. 60
e) Gain en courant
Ordre de grandeur
h,, étant de l’ordre de lO-’ a-’, h22Reqest Sachant que :
généralement faible devant 1, si bien que la
v1 = Rei,
résistance hi i (1 + h 2 2 R e q ) est peu différente v 2 = R,i2
h2 1
de -.h l 1 il vient
i R
A I -- - ? = L A V.
h2 1 il RL
186
Ordre de grandeur g) Bilan

Sachant que : Le montage base commune présente :
- une faible résistance d’entrée de l’ordre d’une
A + - h2 1 Re,
dizaine d’ohms, réglable par I,,
hl 1 - un fort gain en tension de l’ordre de 100,
hl
Re N- 1 réglable par I,,
h2 1 - un gain en courant inférieur à 1, qui dépend
il vient : du rapport des résistances Rc et R,,

- une forte impédance de sortie, réglable par
RC.
Le gain en courant est donc inférieur à 1 et ne 7.5.3. Montage collecteur commun

dépend que du rapport entre la résistance de
collecteur et la résistance de charge. Le schéma correspondant est donné à la
figure 62. r
J)Résistance de sortie
Pour la déterminer traçons le schéma de la
figure 61, obtenu à partir du schéma de la
figure 58, en remplaçant le générateur eg par un
court-circuit et en déconnectant la résistance de
charge R,. -
A -
A - I
Fig. 62
h l l ib a) Calcul des condensateurs

La capacité Co doit être telle que son impédance
1
soit faible devant Rg + Re où Re est la
cou
résistance d’entrée de l’amplificateur.
La capacité CO doit être telle que son impédance
1
Fig. 61 soit faible devant R, + R, où R, est la
CO0
résistance de sortie de l’amplificateur.
h21 itJ traversé par le
Le générateur de tension -,
h22 b) Schéma équivalent pour les petites variations
,est équivalent à Après le calcul des condensateurs et en posant :
h2 1 1 RB = R J 2 , on obtient le schéma de la
la résistance - Rl + R 2
h2 2 h l1’L+-+-
1 1 ’ de l’Ordre figure 63.
de grandeur -.
h2 1
hll RE Rg
il -
hll .
lb h
h22
Ordre de grandeur
Sur le schéma de la figure 61, il apparaît, en
parallèle sur R,, une résistance de l’ordre de
-
h2 1
x 10’ 0,très grande devant R,. Fig. 63
h22
RE
La résistance de sortie est donc pratiquement
égale à R,.
Posons R i =
’+ h22RE
z RE.
187
corn posa nts
c ) Résistance d’entrée
R i RL
Les tensions d’entrée et de sortie sont en phase.
Ordre de grandeur
-
Fig. 64
,
h2 est grand devant 1. Le gain en tension est infé-
rieur à 1, mais est d’autant plus voisin de l’unité
RÉRL
C’est la résistance vue par le générateur. Elle que h21 RÉ RL est grand devant h l l .
+
correspond au schéma de la figure 64 obtenu à

partir du schéma de la figure 63 en remplaçant le e ) Gain en courant
générateur de Norton RÉR~
RÉ RL
en son
+ ) Il peut être déterminé à partir de la formule
générateur de Thévenin équivalent. Le généra- Re
générale A , = A,-.
RÉRL . RL
teur de tension h,, i b , parcouru par le
RÉ RL ~
+ Ordre de grandeur
courant ib, est équivalent à la résistance
A , est de l’ordre de l’unité,
RÉRL
R, est de l’ordre de h,,
R i R, ’ +
h21RÉ
Ordre de grandeur A , est donc de l’ordre de grandeur de RÉ RL’ +
On obtient, en définitive, pour la résistance Ce gain en courant est grand, de l’ordre de 100.
d’entrée le schéma de la figure 65.
RE RL f ) Résistancp ‘e sortie
Pour la déterminer traçons le schéma de la
figure 66 obtenu à partir du schéma de la
figure 63, en remplaçant le générateur e, par un
court-circuit et en déconnectant la résistance RL.
r -
lb
- -i
L
étant
h21 RÉRL
h,, étant grand par rapport à 1 et
RÉ + RL ~
I -
A -
A
Fig. 66
grande par rapport a h i , , la résistance d’entrée
résulte de la mise en parallèle de la résistance R, La tension, aux bornes du générateur de courant
et de la résistance h2, R É R L . Elle est très
RÉ RL +
(
h 2 , ib, est égale à u = h, + ”0”B) i b .
R, + RB
grande, de l’ordre de plusieurs centaines de Nous pouvons donc le remplacer par la résistance
kiloohms, voire de plusieurs mégohms.
d) Gain en tension Nous obtenons ainsi pour la résistance de sortie

A partir du schéma de la figure 63, nous écrivons le schéma de la figure 67.
les équations :
hll + -
hll + -
A
I 1 w
Fig. 67
188
Ordre de grandeur 7.6.1. Étude aux fréquences moyennes

h2, étant grand par rapport à 1, la résistance Nous appellerons fréquences moyennes, les
R,RB fréquences pour lesquelles :
hll +- a une influence négligeable par
Rg + RB 0 Les capacités Co et C E se comportent comme
rapport à la résistance (h,, + des court-circuit s.

0 Les capacités qui apparaissent sur les jonctions
dont l’ordre de grandeur (2) est faible du transistor ont une influence négligeable.
Le schéma équivalent pour les petites variations
devant RE. La résistance de sortie est donc de est donné à la figure 69.
l’ordre de
Rs
h,, - -30mV
- N z-.
30mV
h21 h2î1B
Elle est faible et dépend du courant de

polarisation 1,.
g ) Bilan Fig. 69
Le montage collecteur commun possède les Nous supposerons :

propriétés suivantes :
- forte résistance d’entrée, de l’ordre de
plusieurs centaines de kiloohms;
- gain en tension voisin de 1;
1
~ $ R,.
- fort gain en courant; h22
- faible résistance de sortie, réglable par 1,. Dans ces conditions, la fonction de transfert
Le montage collecteur commun se rapproche v, s’ecrit : T - - h21Rc
To = =, I .
ainsi d’un dispositif idéal appelé suiveur qui

- E-9 -O - h,, R,’ +
possède les caractéristiques suivantes :
- résistance d’entrée infinie,
- gain en tension égal à 1, 7.6.2. Étude aux basses fréquences
- résistance de sortie nulle.
a) Influence du condensateur de liaison Co
Nous supposerons que pour les fréquences
~
d’étude :
~ ~
7.6. RÉPONSE EN FRÉQUENCE - la capacité C Eest suffisamment élevée pour se

D’UN AMPLIFICATEUR comporter comme un court-circuit;
À TRANSISTOR BIPOLAIRE - les capacités parasites du transistor ont une
influence négligeable.
Nous étudierons à titre d’exemple, l’évolution de Le schéma équivalent correspondant est donné à
la fonction de transfert en tension du montage la figure 70.
F:qbh2i$$d l5
émetteur commun dont le schéma est rappelé à la
figure 68. Rs Co
h 22
Fig. 70
Avec les memes approximations

1
Fig. 68
- + R,>, il vient :
h22
189
composants
Par application du théorème de Thévenin en

entrée et par transformation du schéma de
en son schéma de Thévenin
équivalent, nous obtenons le schéma de la
figure 73.
avec
Le diagramme de Bode correspondant est donné

à la figure 71.
20 lg T, 20 log 1 -
T1
t Arg
Fig. 73
La loi des nœuds appliquée au point E conduit à :
où :
Fig.
Pour qu’un signal sinusoïdal soit transmis dans
les mêmes conditions qu’aux fréquences moyen-
nes, (amplification T,, déphasage de TC) il est
nécessaire que sa pulsation cr) soit supérieure à 1 1
Dans la mesure où - % R,, -% R E , h 2 , 9 1,
lOco,, soit : h2 2 h2 2
cette équation se réduit à : 1 = h211B.
Il vient alors :
Ce qui correspond bien au résultat établi lors du
calcul de la capacité Co.
b) Influence du condensateur de découplage CE
Nous supposerons que pour les fréquences avec R , =-. R,RB
d’étude :
Rg + RB
- la capacité Co est suffisamment élevée pour se soit
comporter comme un court-circuit;
- les capacités parasites du transistor ont une
Le schéma équivalent correspondant est donné à
la figure 72.
-
“S
avec : -A
R h2 1 Rc résistance Ro; ce qui correspond aux
--
_TI0
+
Rg RB ' hl1 + Ro + h21RE' hll +
h2 1
résultats établis lors du calcul de la capacité CE.
Le diagramme de Bode correspondant est donné 7.6.3.Étude aux hautes fréquences

à la figure 74.
Nous supposerons que, pour les fréquences
envisagées, les condensateurs Co et C E se
comportent comme des courts-circuits.
a) Schéma équivalent du transistor aux hautes

fréquences
Pour les fréquences élevées, plusieurs modifica-
tions doivent être apportées au schéma de la
figure 50.
O Il faut distinguer, entre base et émetteur, le
comportement de la jonction proprement dite, de

celui des semi-conducteurs qui conduisent le
courant jusqu'à la jonction. Pour cela, il apparaît
entre base ( B ) et émetteur ( E ) un point B'
Remarquons que, pour les fréquences très inaccessible physiquement (fig. 75) :
supérieures a CU;, T devient peu différent de - la résistance rbbr est la résistance des semi-
conducteurs; elle est de l'ordre d'une centaine
d'ohms;
?Tt-b rue =-30mV

'0
E Fig. 75
- la résistance rbfeest la résistance dynamique
de la jonction proprement dite, que nous avons

30 mV
établie a rbje= -.
Compte tenu de l'approximation RB % h l i , il 1,
O Il apparaît dans la base une charge stockée Q,
vient T z - h2 1 Rc qui est bien la transmit- dont les variations ne peuvent être instantanées et
- h l l +Rg qui va donc altérer le comportement du transistor
tance aux fréquences moyennes.
pour les fréquences élevées. Les dimensions de la
Pour qu'un signal sinusoïdal soit transmis dans
base étant faibles, les recombinaisons y sont rares
les mêmes conditions qu'aux fréquences moyen-
et la concentration p des charges en excès varie
nes (amplification To, déphasage de TC), il est
linéairement lorsqu'on se déplace de l'émetteur
nécessaire que sa pulsation soit supérieure à
vers la base (fig. 76).
1Oco2, soit > 10 h l l + RO
+ h 2 1 R E , où :
CO
RECE(hii + Ro) -lp Emetteur
I
--
10 hll + R o
*
RE
h2 1
+ O B x Fig. 76
L'impédance de la capacité CE doit donc être La surface OBE est proportionnelle à la charge
faible par rapport à la résistance résultant de la stockée. Le courant de base I B est proportionnel
mise en parallèle de la résistance RE et de la (voir diffusion) au gradient de concentration
191
corn posa nts
(2) au voisinage de la base. Imaginons que l’on

A n
ut/
double le courant I,, la concentration __ est
dx
vbe rb”e
multipliée par deux ainsi que la pente de la
droite EB. La surface E û B double et la charge Qs
fait de même.
La charge stockée est donc proportionnelle au
courant I , soit :
Qs = 71,.
VBE
Compte tenu de la relation I , = I,, eVT, avec
V, = 30 mV, il vient :
VBE
Qs = TI,, eVT.
La charge Qs dépendant de la tension base-
émetteur tout se passe, du point de vue des petites
variations, comme si cette charge était emmaga-
sinée par la capacité dynamique Ce = dQs
figure-75 doit être modifié comme l’indique la

figure 77.
- 1 A
vbe
Remarquons que la constante de temps rbfeC e est

indépendante de Z,. Elle s’écrit rbreCe= z.
La capacité Ce est de l’ordre de 100 picofarads.
O Le générateur de courant h,, i,, de la figure 50,
traduit les variations du courant collecteur de
court-circuit en fonction des variations i, du b) Relations avec les paramètres hybrides
courant de base. Pour les hautes fréquences,
la charge stockée interdit la transmission Pour les basses fréquences, les condensateurs se
immédiate, vers le collecteur, de l’informa- comportent comme des circuits ouverts. De plus,
nous négligerons l’influence de la résistance rbrc.
-
tion ((courant i,)). Le courant collecteur I , est
proportionnel au gradient de concentration des Nous obtenons le schéma de la figure 80.
porteurs au voisinage du collecteur (voir ‘C
diffusion). De ce fait il est proportionnel, tout

comme le courant de base, à la charge stockée
Qs. Ses variations i, sont donc proportionnelles rbb.e
à la charge qui apparaît sur la capacité de la
figure 77. Cette charge est elle-même propor-
A
9m
-
A -
A
Fig. 80
tionnelle à la tension U b r e .
Soit : i, = gmubte. Nous pouvons y écrire :
Comme en basse fréquence, ce générateur doit
être complété par une résistance en parallèle rce Ube + rb’e)ib
= (TL&’
qui traduit la pente des caractéristiques. Nous
obtenons ainsi le schéma de la figure 78.
1 i, rc e
+-
= 5 + grnVbTe = grnrbleib
Vce
‘“ce
192
par identification avec : fréquence de transitionfT; c’est la fréquence pour

laquelle le module de 5, est égal à 1 soit :
il vient :
Sachant que h21 est grand devant 1 il vient

fl- = h21fp.
c) Fréquences particulières 6) Réponse du montage émetteur commun aux

Calculons le gain en courant en court-circuit et, hautes fréquences
pour cela, relions les points C et E du montage de
la figure 79. La résistance rblc et la capacité C, Par application du schéma équivalent de la
viennent en parallèle sur la résistance rbTeet sur la figure 79 au schéma de la figure 68, nous
capacité C e . obtenons pour les petites variations le schéma de
la figure 82.
Sachant que rbre< rb,, et C, < Ce,nous obtenons 1
le schéma de la figure 81. Rappelons que la résistance rce = __ est très
h22
grande devant la résistance R,; nous pouvons
donc négliger son influence.
Fig. 81. avec

En régime sinusoïdal permanent, il vient :
Si nous n’envisageons que les fréquences infé-

1 rieures à de l’ordre de 100 MHz,
avec “p =-. 1 0 r b r c c,
~
rb‘e ce
l’impédance l -z b , c [ est très élevée par rapport à
1 1
La fréquence f - est la fréquence de R, et -.
0-271Tb‘eCe
Srn
coupure du gain en courant en court-circuit 3,. Le courant 1
11est alors négligeable par rapport à
1 et nous pouvons écrire :
Remarquons qu’elle est égale à op= - et qu’elle gm 1-
z
est ainsi indépendante des conditions d’utilisa-
tion du transistor. Le constructeur indique la
Fig. 82
l
193
composants
Tout se passe comme si le courant -I était prélevé

Z
201g rI1
1- // 2019 III
sur l’entrée par l’impédance , ce qui
1 + &grn
conduit au schéma équivalent de la figure 83, avec
C = Ce + (1 + Rcg,)C,
Rcg,)Cc Pi$\, - 3 L
et I I 2
rb‘erb’c
r= I
rb’c + rb’e(l + RCgrn) 01 03 03
-
10
iocù,
\
(la résistance RBgrande devant hl = rbb’ + rbtea
une influence négligeable). Fig. 84
T’- Remarquons que la pulsation de coupure cu3 peut

être écrite :
A A A I
Fig. 83
La fonction de transfert en tension -

T s’écrit :
vs - SrnRcr
=
-
= (R, + rbb,)(î +jrco) + r Si la résistance de charge R, est telle que
Rc g, 9 1, la fréquence de coupure haute s’écrit
La résistance r résultant de la mise en parallèle

rb’c
de rbte et est peu différente de rbte.Il
1 + &grn
en résulte que :
Elle augmente lorsque la résistance R, du
générateur diminue.
De même, elle augmente lorsque la résistance de
charge diminue, alors que la fonction de transfert
On retrouve ainsi la fonction de transfert en h21 Rc
aux fréquences moyennes
tension aux fréquences moyennes. To = - h l l + R,
augmente lorsque R, augmente et lorsque R,
Il apparaît une pulsation de coupure haute : diminue.
(33 =
Rg + rb’e + rbb‘ Afin de juger de la qualité du montage, on définit
Rg + rbb‘ rb‘e le produit gain bande par [TOIf 3 .
Le diagramme de Bode correspondant est donné Soit :
à la figure 84.
Pour qu’un signal sinusoïdal soit transmis dans
les mêmes conditions qu’aux fréquences moyen-
nes, il est nécessaire que sa pulsation soit
(33
inférieure à -.
10
194
EXERCICES
1.
Le schéma d’un inverseur T.T.L. est donné sur la figure. U i
____1._7
“C
Calculer l’inductance L pour U = 12 volts et I o = 5 A afin

d‘obtenir T, = 27 ps.
2” Déterminer l’évolution du circuit quand le transitor est
bloqué. Pour simplifier le calcul on peut prendre une
On donne : E
5 volts,
= nouvelle origine des temps à l’instant de blocage. Déter-
R1=1,4kR, R 2 = l k R , R c = 1 0 0 R , R , = 4 k R . miner les équations différentielles de i(t) et u,(t). Montrer
que l’allure de i(t) et u,(t) est sinusoïdale de période T.
Les transistors sont identiques et la valeur minimale du Mettre i(t) sous la forme :
coefficient fl est Pmin= 100. Les courants de base sont
négligeables devant les courants collecteurs. La tension
collecteur-émetteur de saturation est VCEsat = 0,2 V.
La tension aux bornes d’une diode conductrice est 0,6 V.
(r 1
i(t) = I , cos 2 n - - cp .
Déterminer les valeurs des constantes i, et cp en

Elle est bloquée dès que cette tension devient inférieure a fonction des données du problème. Montrer que tan cp peut
0,5 V. s’exprimer uniquement en fonction de To et T.
La tension base émetteur d’un transistor saturé est 0,7 V. b) O n adopte pour T la valeur 20 ps.
Il est bloqué dès que cette tension devient inférieure a 0,5 V. Montrer que dans ces conditions cp peut s’exprimer
1” a) Montrer que si V, = O, les transistors T2 et T3 sont simplement en fonction des différents paramètres comme
bloqués et que le transistor T4 est saturé. Quelle est alors U , L, To ou I o . O n conservera cette approximation dans
la valeur de la tension de sortie V’? Quel est le signe de toute la suite.
i,? Calculer la résistance de sortie R,. c) Déterminer de la même façon I’evolution de la tension
b) Quel est le signe de Z,? Jusqu’à quelle valeur maximale u, aux bornes du condensateur. Soit V, la valeur maximale
de V,, la porte reste-t-elle dans cette état?
VM
2” a) Montrer que si 2 V < V, < 5 V, les transistors T, et de u,; montrer que le rapport - peut s’exprimer
U
T3 sont saturés et que le transistor T4 est bloqué. Quelle
uniquement en fonction de To et T.
est alors la valeur de la tension de sortie V,? Quel est le
d ) Calculer les valeurs de C, I,, VMet cp en fonction des
signe de I,?
données numériques.
b) Est-il possible que, lors de la transition de la sortie de
Tracer les courbes i(t) et uc(t) jusqu’a l’instant 7’,
l’état haut vers l’état bas les transistors T3 et T4 conduisent
où la diode se met à conduire. Exprimer TI en fonction de
simultanément? Expliquer le rôle de la résistance R,. Quel
<p et T . Calculer la valeur du courant i(Tl).
inconvénient présente-elle lorsque la charge possède une
Échelle des courbes : 2 cm pour 10 ps et 1 cm pour 1 A, 1
capacité C,?
cm pour 10 V.
Étude d’un circuit de balayage ligne 3” On prend comme origine des temps l’instant où la diode
s’est mise à conduire. Calculer i(t) et déterminer l’instant
2. T2 où le courant s’annule.
Le circuit de la figure est utilisé pour produire Montrer que si l’on remet en conduction le transistor T ,
le balayage ligne d’un téléviseur. Le courant i dans dans un intervalle de temps que l’on déterminera, le courant
l’enroulement d’inductance L oscille entre deux valeurs pourra repasser a un instant T3 par I o et qu’en recom-
+ ZM et - 1,. La montée en courant de - ,Z à 1, est + mençant le cycle on peut fournir un signal périodique.
lente et dure 54 ps. La descente est rapide et dure 10 ps. O n calculera la période exacte de ce signal en fonction de
La période du balayage est de 64 ps. On négligera la L, C, T , I o , u.
résistance de l’enroulement.
1” Étude du circuit. 3.
A l’instant t = O le circuit est supposé au repos, conden- 1” On décrit le fonctionnement du transistor de la
sateur déchargé. A t = O on alimente le circuit en même figure 1, en petits signaux sinusoïdaux, par ses paramètres
temps que l’on sature le transistor. admittance :
Calculer le courant i(t) dans l’enroulement.
A l’instant t = To le courant atteint une valeur I o et l’on
bloque le transistor.
comDosants
Montrer que l’admittance de neutrodynage r,

peut
être réalisée par l’association d’une résistance R, et
d’une capacité C, en parallèle.
Calculer R, et C, en fonction de C,, rbc et du rapport
de transformation m.
d ) Application numérique :
Ë m = 10, C , = 0,5 pF, rbc = 10 M a , fréquence de travail
a) On se propose de représenter le transistor par le modèle f = 5 MHz.
en Il de la figure 2. Calculer les éléments R, et C, ainsi que les éléments
Calculer les paramètres admittance xj, en fonction des CA et r , du schéma série équivalent. Quelle est la
r2, r,.
admittances Il, 3, structure qui semble la plus judicieuse?
e) Le transistor étant ainsi neutrodyné, comment se
modifie le schéma de la figure 5.
Application numérique :
Fig. 2. rbe = 2 kQ, C, = 10 pF, y,, = 100 ka, gm = 100 mA/V.
2” Le transistor (fig. 6) est chargé par :
- Un circuit résonnant constitué par la mise en
b) La présence de l’admittance 3 entraîne une interdé- parallèle d’une inductance L, d’une résistance
pendance entre le courant d’entrée et la tension de sortie. R,, d’une capacité C,.
Pour supprimer cet effet, on place en parallèle sur le - Une impédance ( R 2 , C,) symbolisant l’impédance
transistor, représenté par le quadripôle Q, un second d’entrée de l’étage suivant.
quadripôle Q’ (,&. 3). Le quadripôle Q’ est réalisé par un
Fig. 3.
I - l
transformateur supposé parfait, ainsi que d’une admittance

- en série au primaire (ftg. 4). Fig. 6.
On rappelle les équations du transformateur parfait :
+m
V2 = - m?,, A la fréquence de travail, les capacités CLi, C,, et C E
peuvent être considérées comme des courts-circuits.
KIrb
Le transistor est représenté par le modèle de la figure 7.
où m = !? est le rapport des nombres de spires primaires

n1
et secondaires.
1, Y” ‘2 v8 E 9 m “BE
Fig. 4. Fig. 7
E
1 1 La résistance Re, = ~ R1R2 est supposée très grande

Calculer les paramètres admittance Tij du quadripôle Q’. Rl + R2
En déduire les paramètres admittance b
r du transistor
devant rbe.
a) Représenter le schéma équivalent de l’étage. Le réduire
muni du quadripôle de neutrodynage Q‘. à la forme la plus simple en faisant apparaître un circuit
Quelle condition faut-il réaliser pour que le paramètre xi2 R, L, C en sortie. Donner l’expression de R, L et C en
soit nul? fonction de y,,, R,, RB, C,, C,, C, et L.
Cette condition étant réalisée, quels sont, en fonction
de XI,x2, x, et xm, les paramètres admittance du
b) Montrer que la fonction de transfert en tension se
met sous la forme :
transistor neutrodyné?
A=== v
2 - 40
c) Le modèle de la figure 2 correspond au schéma de -
Giacoletto rappelé à la figure 5.
rbc
-
v1
l + j Q o ---
O
(: w”)
Donner les expressions de A , , Qo et oo.
B C c) Montrer qu’il s’agit d’un étage sélectif dont on précisera
l’amplification maximale, la fréquence centrale JO, et la
bande passante à 3 dB.
d ) On donne
gm= 100 mA/V; rce= 50 ka; C, =0,5 pF; R 2 = 2 ka;
Fig. 5. t C , = 15 pF; Cs= 0,5 pF; L = H ; RB = 3 ka.
La fréquence centrale fo étant de 5 MHz, calculer la grandeurs Concernées est changé selon qu’il s’agit du
capacité C i , l’amplification maximale et la bande passante transistor NPN ou du PNP.
à 3 db.
On désire obtenir une bande passante de 100 KHz. v, =10 volts
Pour ce faire, on réalise une adpatation d’impédance R =20 ohms Fig. 1 .
entre l’impédance (R,, C,) et le transistor.
3” a) On utilise, dans ce but, le circuit de la figure 8.
A A
Calculer l’admittance d’entrée 1,

de ce circuit et l’écrire
sous la forme Ie= Ge + jB,.
Exprimer Ge et Be en fonction de R 2 i ,y i , y et o. On admet que :
En déduire les expressions de la résistance d’entrée Re - la caractéristique Z,( VEE)est indépendante de la
et de la capacité d’entrée Ce en fonction de R,, y i , y tension collecteur-émetteur V,, en fonctionnement
et o.Que deviennent ces expressions lorsque R , y u % 1. normal;
Calculer alors la fonction de transfert en tension ?,/?; en - le courant résiduel de collecteur ZCEo est négli-
fonction de yi et y. geable.
b) L’adaptation d’impédance est réalisée en pratiquant une On donne : V, = 10 V; R = 20 51 (voir Jig. 1).
prise capacitive ($g. 9). L’étage est excite par un générateur parfait de tension
sinusoïdale : e(t) = E sin ot.
Fig. 9. 1” Analyse du fonctionnement
a) Décrire rapidement le fonctionnement de l’étage pour
chacune des alternances de e(t) dans les deux cas
suivants : E < 0,5 V, E > 0,5 V.
Quelle est la classe de fonctionnement de chacun des
transistors?
b) Dans le réseau Zc(VcE), tracer, en la justifiant, la
droite de charge du transistor (TI); y placer le point de
repos Q1 de (Ti).
Représenter le schéma équivalent de l’étage. Quelles sont les coordonnées (icz, V&,) du point de
repos Qz de (T,)?
On suppose : R,(C, +
y z ) o % 1,
c) Dans le plan ZC(ZB), tracer la courbe de transfert en
Y1
En posant ,u= courant de ( T i )en fonctionnement.
Yi + Y2 + G’ Déduire du graphique les valeurs du courant collecteur
calculer la résistance Re et la capacité Ce de la charge i c i , puis de la tension de sortie us et de la tension
ramenée au niveau du collecteur en fonction de R,, d‘entrée e pour les valeurs suivantes de la tension
Y 2 9 c, et P*
base-émetteur uRF:
Mettre en évidence un circuit RLC en parallèle sur le
circuit collecteur. u,,(V) O 0,2 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9
Exprimer R , L et C en fonction de rce, Re, RB, Cs, Ce
et L. Pour quelle valeur de uBE le transistor est-il saturé?
v v,
En déduire 2 puis =. Calculer l’amplification maximale
Quelle est la valeur correspondante de e?
d) Tracer, à partir des résultats précédents, la courbe
vi VI
de transfert en tension us = f(e) de l’étage pour e variant de
en fonction de R,, RB et ,u (on supposera r,, % RB).
Pour quelle valeur de ,u cette amplification est-elle, - 10 v à + 10 v.
elle-même, maximale? Effectuer l’application numérique. Indiquer la valeur de crête de e ( t )au seuil de conduction des
On choisit en fait ,u = 0,5. Calculer numériquement transistors.
les capacités yl et y, ainsi que la nouvelle bande 2” Amélioration de l’étage (fis.2).
passante. R2 Fig. 2.
Quelle doit être la valeur de la résistance totale R sur
le collecteur pour obtenir une bande passante de 100 kHz?
En déduire la valeur de la résistance à placer en parallèle
sur la résistance R , pour obtenir la bande passante
souhaitée.
4.
On étudie l’étage amplificateur de la figure 1, comprenant
deux transistors complémentaires au silicium.
On dispose des courbes caractéristiques des transistors
(fig. 5) : elles sont identiques pour chacun; seul le signe des
:t
comDosants
On adjoint au montage précédent un amplificateur et On pose : E=k.Vo

on soumet l’ensemble à une réaction par R , et R,. La de sorte que e ( t ) = k . V, . sin ot
charge est constituée par la résistance R ; la tension et u,(t) = - k . V, . sin ut.
d’entrée est e(t). On admet, dans cette partie, que k peut varier de O a 1.
On admet que l’amplificateur, dans son domaine linéaire et a) Donner les représentations graphiques de ic,(t) et
pour la bande de fréquences considérées, présente : ic,(t), puis de u,,,(t) et uc,,(t) dans quatre figures
- une impédance d’entrée infinie, utilisant la même échelle pour les abscisses.
- une impédance de sortie nulle, Exprimer, en fonction de k, les valeurs extrêmes atteintes.
- une amplification en tension A = - IO4. b) Calculer en fonction de k, V, et R, les puissances
TI peut donc être représenté par le schéma de la figure 3. moyennes :
- P , dissipée par R,
- Pv0 et P,; fournie par chaque source d’alimentation
des transistors,
- P,, et P,, dissipée dans chaque transistor (on
néglige la dissipation dans la jonction base-émetteur).
Exprimer le rendement q de l’ensemble des deux transistors.
c) O n fait varier l’amplitude k . V, de e(t).
Pour quelle valeur ko de k la puissance dissipée P,,
est-elle maximale? Que valent alors P,,, P R et q?
4” Distorsion harmonique en signaux forts
a) Étude préliminaire
a) Calculer e en fonction de us, uBEet A . - On applique à l’entrée d u montage de la figure 1,
On donne R , = R , = 100 kS2. A quelle valeur, le seuil une tension continue e = 11 V. Que pensez-vous
de conduction est-il abaissé dans ce montage? du fonctionnement du transistor (T,)?
6) Montrer que pour le1 > 10 mV, on a us N - e. - On applique à l’entrée du montage de la figure 2,
Conclure. une tension continue e = - 11 V. Les tensions
c) Quelle est l’amplification en puissance du montage de saturation de l’amplificateur sont + Vo et
de la figure 2? - Vo. Que pensez-vous du fonctionnement de
3” Puissances mises en jeu l’amplificateur et du fonctionnement du tran-
On s’intéresse au montage amélioré de la figure 2 qui sistor (T,)?
permet d‘admettre que, si e(t) est sinusoïdal d’ampli- b) Pour un signal e(t) sinusoïdal à l’entrée et d’amplitude
tude donnée E , u,(t) = - e(t) est parfaitement sinu- suffisante, on observe à l’oscillographe la courbe
soïdal et de même amplitude. représentée à la figure 4.
Vs 4 (volts)
T
53 t-
-n 57c3 x x x
6 4 2 4 6 c
I I 3X ~t ot(rd)
I I I
I
-7,a
-9,l
‘y.4.
Fig.
I I -Y.
.Justifier que la décomposition en série de Fourier de 1 c) En procédant par identification aux valeurs remar-
u,(t) peut S’écrire :
+
us(t) = Vl sin ot V3 sin 3 o t + V, sin 5 0 t ,
en admettant que les termes harmoniques d’ordre supérieur calculer numériquement Vl , V3 et V, .
à cinq ont des amplitudes négligeables par rapport à celles
des harmoniques précédents. En déduire le taux de .distorsion de us(t).
Fig. 5.
le transistor
= à effet d e champ
1. DESCRIPTION donnés à la figure 2. La flèche qui repère la porte

DU TRANSISTOR indique le sens passant de la jonction porte-canal
A EFFET DE CHAMP si elle était polarisée en direct.
A JONCTIO MS I D I D
(J.F ET ou TEC)
Cette famille de transistor est décrite sous le

vocable J.FET (abréviation de jonction field
effect transistor) ou de TEC (abréviation de
transistor à effet de champ). J-FETcanal N J-FETcanal P Fig. 2
La structure interne d’un TEC à canal N est
décrite a la figure 1.
,Porte (G)
2. FOMCTIIQMNEMENT
DU J.FE1
En fonctionnement normal, la jonction porte

canai est polarisée en inverse, ce qui correspond
au dispositif de la figure 3.
‘ Canai
Fig. 1
O La porte, constituée d’un semi-conducteur de II L -I
A
I I
I
type P, fortement dopé (notation P +) est reliée au S Fig. 3
substrat.
O L’espace entre porte et substrat délimite une Compte tenu des générateurs de tension exté-
zone, appelée canal, constituée d’un semi-con- rieurs, la jonction porte-canal est plus fortement
ducteur de type N . polarisée en inverse du côté du drain que du côté
O Deux zones de type N , fortement dopées, de la source.
(notation N ’ ) sont placées de part et d’autre du La structure interne correspondante est donnée
canal. Elles sont appelées respectivement source à la figure 4.
et drain.
O Des contacts métalliques, permettant l’accès au
J.FET, sont fixées respectivement sur la source S,
le drain D et la porte G (en anglais gate). Le
fort dopage N + de la source et du drain permet
d’améliorer les contacts électriques.
Le composant obtenu en permutant les semi-
conducteurs de type P et de type N est un J.FET
à canal P. Les symboles correspondants sont Fig. 4
200
le transistor à effet de champ
Les porteurs mobiles, qui sont à l’origine du Nous supposerons que le potentiel est constant
courant de drain I,, empruntent le canal pour et égal à VGs sur tout le plan xz de la porte et
se déplacer de la source vers le drain. sur tout le plan du substrat.
Nous avons vu, lors de l’étude de la jonction Nous supposerons de plus que le potentiel est
P - N , qu’il apparaît au voisinage de la jonction constant sur toute section verticale du canal
une zone de transition dépourvue de porteurs utilisable par les porteurs mobiles.
mobiles qui pénêtre d’autant plus profondément La largeur W(x)de la zone de transition au point
à l’intérieur d’un des semi-conducteurs., qu’il est d’abscisse x dépend de la tension inverse
moins dopé par rapport à l’autre. La porte étant VGS- VS(x)appliquée à la jonction porte-canal
fortement dopée, la zone de transition envahit le au point d’abscisse x. Afin de préciser cette
canal, et ce d’autant plus que la tension inverse relation, considérons à la figure 6 une tranche de
appliquée à la jonction porte-canal est plus zone de transition de largeur W ( x )et d’épaisseur
grande. Cette zone de transition est donc plus dx.
large du côté du drain que du côté de la source.
Lors de leur déplacement de la source vers le
drain, les porteurs mobiles (ici les électrons) ne “GS
peuvent emprunter que la partie conductrice du
canal. La zone de transition, dépourvue de por-
teurs mobiles, diminue l’espace utilisable par les
électrons et modifie la résistance du canal.
A la limite, si la tension VGSest suffisamment
négative, la zone de transition envahit tout le
canal, ne laissant aucun passage disponible pour
les porteurs mobiles et annulant ainsi le cou-
rant I D . t y Fig. 6.
En conclusion.
Par symétrie, le vecteur champ électrique, en tout
Dans un premier temps nous dirons que le J.FET point de ce volume est perpendiculaire au
est une résistancevariable qui dépend des tensions plan xz, orienté vers les potentiels décroissants,
‘GS et (c’est-à-dire vers le haut) et sa valeur E ( y ) ne
dépend que de la profondeur y. Soit N D la
concentration en atomes donneurs du semi
3. MISE EN ÉQUATIOMS conducteur N du canal et soit G sa permittivité;
la zone de transition (donc aussi le volume
aW(x)dx) possède N D charges de valeur + e
Afin d’établir les équations du J.FET, nous par unité de volume.
idéaliserons le canal conformément au schéma
Par application du Théorème de Gauss au
de la figure 5.
parallélépipède ABCDA’B’C’D’ de surface a dx
Les potentiels sont mesurés par rapport au et de hauteur dy, nous écrivons :
plan y z de la source.
e a dx dy
a dx E ( y ) - a dx E ( y + dy) = N , E
r
soit
Le champ électrique est nul sur le plan xz de la

porte car le potentiel est constant et égal à VGS
dans tout le semi conducteur P de la porte.
b
-- 4- >’ Substrat
N e
L’intégration de l’équation dE(y) = - 2.dy
G
-
ND
Y conduit à E ( y ) = - ~
Fig. 5 G y.
201
comt3osants
Par intégration, le long d’une verticale, de Remarquons que, VGsétant négatif et VDspositif,
l’équation dV = - E ( y ) dy, il vient les expressions (- I / c S ) 3 i 2 et (vos- l/(;S)312 ne
W(X) posent pas de problèmes mathématiques.
- VGS = JO - E ( y ) dy Étudions les variations du courant I D , en
fonction de la tension VDs,lorsque la tension
VGs est constante et égale à zéro. Nous pré-
voyons, qualitativement, que pour les fortes
valeurs de VDs,la zone de transition pénètre de
soit
plus en plus profondément à l’intérieur du canal.
Une augmentation de V,, se traduit alors par
une élévation de la résistance du canal, con-
trariant ainsi l’augmentation de I D . Il est dès lors
Revenons au schéma de la figure 5. Pour aller de
probable que la relation I D = f(Vos) présente un
la source vers le drain, les porteurs mobiles
maximum pour une valeur donnée de Vos. Afin
empruntent un conducteur dont la section
de le vérifier mathématiquement, dérivons I D par
S = a[b - 2W(x)] rapport à V,, en maintenant VGs constant et
dépend de l’abscisse x. égal à zéro.
Nous avons établi, dans le chapitre semi conduc- --
teurs (paragraphe 6) que la conductivité d’un semi C
conducteur de type N s’écrit a = eNDpnoù p n

dID s’annule pour VDs= - e N D b2.
est la mobilité des électrons.
vDS 8G
Pour un déplacement dx suivant l’axe des x,la
Nous appellerons tension de pincement, Vp,cette
variation dV&) du potentiel s’écrit :
(
valeur de Vos : Vp= r).
eNDb2
Le courant I D , passe ainsi par un maximum que

Soit VDs le potentiel du drain par rapport à la l’on appelle ZDss (courant de saturation de drain
source. L’intégration, de la source vers le drain, à VGs= O) et qui s’exprime par :
de l’équation précédente
b
ou bien en remarquant que
conduit à :
c . I D = eNDpna[bb(x)
L
- ‘
3 eND (&(x) - vGS)3i2
O
- eNDpnab
c
Remarquons en passant que
5
3
eNDpnab est la
C
conductance que présenterait le canal s’il n’était
pas encombré par les zones de transition.
Cette équation qui exprime la relation entre le 4. CARACTE RISTIQU ES

courant de drain I D et les tensions VGs et VDs DU JDFET
appliquées au J.FET (fig. 3) est inexploitable
sous cette forme. Nous allons cependant en tirer Le transistor à effet de champ est relié aux cir-
des conséquences ayant des applications pra- cuits extérieurs par trois connexions (porte,
tiques. source, drain).
202
Afin de pouvoir considérer le J.FET comme un quasi totalité de la tension VDs se trouve
quadripôle, il faut mettre une de ces connexions appliquée à une portion de canal de longueur 1
en commun entre l’entrée et la sortie (fig. 7). et de largeur p. Nous avons montré, d’après
4 -
l’équation dV = - E . dl, que le champ élec-

trique en un point est d’autant plus intense que
le potentiel varie rapidement sur une faible
distance.
Fig. 7.
L’utilisation la plus commune du J.FET étant le

montage source commune, nous établirons les
caractéristiques pour ce type de montage (fig. 7), Source
. I G et VGs sont les grandeurs d’entrées,
. I D et Vos sont les grandeurs de sorties.
Le fonctionnement d’un quadripôle est décrit par //Zones de transition
deux équations entre les grandeurs d’entrées I G Fig. 8.
et VGset les grandeurs de sorties I D et Vos.
Sachant que le courant I D dépend des tensions
VGs et VDs, ces équations sont établies sous la
-
Le champ électrique E est ainsi très intense dans
forme : la zone d’étranglement. D’après la relation
V , = pnE, les électrons devraient y atteindre des
vitesses très élevées. En pratique cette vitesse est
limitée et la relation V , = p n E n’est valable que
pour des champs électriques dont l’intensité ne
dépasse pas 103 V/cm. Pour des intensités de
4.1.
CARACTÉRISTIQUE champ plus élevées, la mobilité pnest inversement
= f ( V D s ) À TENSION
/D VGS
proportionnelle à E.
CONSTANTE En fait, lorsque la tension VD,devient supérieure
à la tension de pincement Vp,la longueur 1 de la
zone d’étranglement augmente mais sa largeur p
4.1.I . Caractéristique lD= f(vDS> ainsi que le courant I D restent constants.
à vGs=O La figure 9 donne l’allure de la caractéristique
Il a été montré au paragraphe 3 que cette
caractéristique, image de l’équation
passe par un maximum
e N D b2.
pour VDs= Vp = - VP
86
Fig. 9.
Pour les valeurs de VDs supérieures a Vp, une
correction doit être apportée à la théorie
précédente. Les formules établies au paragraphe 3, ne sont
En effet, lorsque VDs augmente, W ( x )augmente, donc valables que pour les valeurs de VDs
limitant la largeur b - 2W(x)du canal emprunté inférieures à la tension de pincement Vp.Cepen-
par les porteurs mobiles. Il apparaît ainsi une dant l’expression de IDss correspond à la valeur
zone de très faible section p (fig. 8). La résistance constante du courant I D pour les valeurs de VDs
de cette partie du canal est donc très élevée et la supérieures à Vp.
corn posants
4.1.2. Caractéristique I D = f (Vos) La valeur maximale de ID s’établit ainsi à :

a VGs<O
L’équation générale de cette caractéristique est

(voir paragraphe 2 ) :
REMARQUES
Soit en utilisant les expressions a La tension VGsétant négative, le maximum de la
caractéristique est atteint pour une valeur de VDs
eND&ab -
vp e N Db2 inférieure à 5. Par remplacement de VGs par
IDSS = et Vp = ~
VDs- 5,dans l’équation de IDM, nous obtenons le

c 3 8G
lieu des maximums :
Afin de déterminer un éventuel maximum de la

caractéristique I D = f ( V D s ) dérivons I D par rap-
port à VDsen maintenant VGsconstant : que l’on peut approximer (voir figure 10) par
Lorsque la tension VDs devient supérieure à

5 + VGs, les expressions précédentes ne sont plus
valables par suite de la forte intensité du champ
dlD électrique que fait apparaître le pincement du canal.
s’annule pour
vDS
O 1 2 3 4 vm ( V I
Fig. IO.
204
le transistor à effet de c h a m p
La tension V,, étant négative, pour les valeurs Le transistor à effet de champ apparaît ainsi entre
de VG,supérieures à - Vp,la quantité drain et source comme une résistance :
est négative. Le courant de drain se stabilise donc

à une valeur inférieure à IDss.
Lorsque la tension V,, est égale à - Vp,le COU- avec

rant de drain maximum
Certains constructeurs utilisent la formule appro-

chée :
est nul.
La caractéristique I D = f(vD,) à V,, = - Vp se RDSON
réduit donc à la droite I D = O. Pour cette valeur -~vGS ’
de V,,, le canal se trouve complètement pincé inter- ‘GSo f f
disant ainsi le passage des électrons mobiles à l’ori-
gine du courant I D . Partant de là, tout accroissement
du module de la tension V,, ne peut que pincer plus - vGSoff
avec RDSON
=
fortement le canal et toutes les caractéristiques IDSS
I D = f(VD,) pour V,, < - Vp sont confondues avec
la droite I D = O.
dans laquelle K varie entre 0,5 et 0,9 selon le type
Cette valeur de V,, = - Vp est appelée tension de de transistor.
seuil (en anglais thresold). Elle est notée VGsoff ou
Cette approximation est justijîée dans la mesure où
vGSth.
la formule théorique a été établie à partir d’un
schéma idéalisé du canal et sans tenir compte de la
Notons que les paramètres de l’équation résistance des semi conducteurs qui conduisent
I D = f ( VD,, V,,) s’expriment uniquement enfonction au canal.
de I D S S et de V&ff = - Vp: Lafigure 11 donne les variations de R D , en fonction
de V,, suivant la formule utilisée. Dans tous les cas
vDS
+ RDs tend vers l’infini lorsque VG, se rapproche de
VGSoff.
vGSo f f
- 2( vGS - vDS)3’2] Pour V,, = O, la résistance R D , est minimale et vaut

vGSo f f
RDSON. Cette résistance R D S O N est un paramètre
important pour l’utilisation du J.FET en commuta-
tion. Elle est de 1 ’ordre de quelques centaines d’ohms
ZDss (courant de saturation de drain à VGs= O) et peut être ramenée à des valeurs de 1 ’ordre de cinq
et VGsoH(tension de seuil) constituent deux para- à dix ohms pour les J.FETde commutation.
mètres essentiels du J.FET. Ils sont toujours indiqués
par le constructeur. En définitive, les caractéristiques 1, = f(VDs)à
V,, constant, ont l’allure décrite à la figure 12
Pour les valeurs de V,, très inférieures à - VGso
ff ,
l’équation de I D dans laquelle les graduations sont données à titre

indicatif.
0 (mA
1
- Y21
vGS
20
16
peut être approximée en effectuant un développement
limité au premier ordre : 12
a
4
soit I -
5 l’O 15 20 25 vos
Fig. 12.
205
corn posa nts
1 O00
1O0
10
Fig. 11.
1
l
i
Nous y remarquons en outre que pour les fortes Pour les valeurs de VDs supérieures à Vp, les
valeurs de VDs, le courant de drain croît très Caractéristiques I D = f(VDs) sont pratiquement
rapidement et ce par suite du phénomène horizontales si bien que la caractéristique
d’avalanche sur la jonction de porte. I D = f(VGs),à VDs constante, est indépendante
L’avalanche apparaît pour des valeurs de V,, de la valeur de VDslorsque celle-ci dépasse la
plus faibles lorsque la jonction porte-canal est tension de pincement Vp. Son équation a été
établie dans le paragraphe précédent par : l
polarisée en inverse, ceci étant dû au fait que la
tension inverse de porte s’ajoute à la tension de 1
drain, accroissant ainsi la tension inverse effective
sur la jonction porte-canal.
soit
4.2.CARACT~RISTIQUE
/D = f(VGS> À vDS
= Cte J
Cette courbe passe par le point d’ordonnée
I D = IDss pour V,, = O et par le point d’abscisse
Cette caractéristique peut être déduite de la famille
VGs = VGsoffpour I D = O.
de caractéristiques I D = f ( V D s )à VG, constante,
en traçant sur le graphe (fis. 12) une verticale Cette expression de I D en fonction de VGs n’est l
correspondant à la valeur de V,, maintenue
constante et en relevant, pour chaque valeur de
VGs, la valeur de I D , ordonnée du point d’inter-
pas d’un maniement aisé, aussi préfère-t-on
l’approximer par l’équation :
/
---)rr \ 2
I
section de cette verticale avec la caractéristique
I D = f(VDs)tracée pour cette valeur de VGs.
ID = ~~,,(î “ GS
vGS of f
.
I
206
www.biblio-scientifique.net I
le transistor à effet de chamrs
Fig. 13. - VGS
La figure 13 donne les variations de I D en - la tension d’alimentation du réseau drain

fonction de VGs suivant la formule utilisée. Le source des J.FET canal N est positive comme la
faible écart observé entre les deux courbes justifie tension d’alimentation du réseau collecteur émet-
pleinement l’approximation parabolique. teur des transistors bipolaires N P N qui sont
employés dans la plupart des dispositifs électro-
niqùes. Il est ainsi plus facile de les associer.
4.3. CARACTÉRISTIQUE
La principale raison d’être des J.FET a canal P
IC, = f ( V G S l V D . J est leur complémentarité avec les J.FET à
La jonction porte-canal étant polarisée en inverse, canal N .
le courant de porte I G est de l’ordre de 25pico-
ampères à quelques nanoampères suivant le type
du transistor. Cette valeur étant toujours très
faible, nous considérerons, sous réserve de
corrections, que la caractéristique
6.1.VARIATION DE vGsoff
se réduit à I G = O.
Nous avons vu, dans le chapitre semi conducteur
(paragraphe 9.2), qu’en l’absence de polarisation
extérieure, il apparaît sur une jonction P-N une
barrière de potentiel Vo de l’ordre de 0’65 volts.
Le J.FET a canal P est obtenu en inversant les En l’absence de tension VGs, le potentiel de la
semi conducteurs de type P et N ce qui entraîne, porte (de type P ) par rapport à la source (de
pour la polarisation, des tensions d’alimentation type N ) s’établit donc a - Vo. L’application
de signes opposés et des réseaux de caractéris- d’une tension VG, négative fait passer cette
tiques inverses. Ce type de J.FET est très peu barrière de potentiel a V,, - V,. Le pincement
utilisé. En effet : du canal apparaît lorsque la barrière de potentiel
- la mobilité des trous étant plus faible que la effective VG, - Vo atteint la valeur I/Csoff- V,.
mobilité des électrons, la résistance du canal est Une élévation de température provoque une
plus élevée ce qui conduit à un courant ID,, moins diminution de Vo de 2,2 millivolts par degré. Le
important, pour une même valeur de V G S o f f ” ”
pincement du canal dépendant de la barrière de
eN,b2 potentiel effective, se produit pour une tension
VGSof f = est indépendant de p,
~
81; VGsoff ayant elle aussi diminué de 2’2 mV/”C.
composants
En conclusion : L‘examen de cette caractéristique (fig. 14) con-

duit à penser qu’il existe un point invariant avec
La tension de seuil VGsoff
diminue de 2,2 millivolts la température. On peut montrer que ce ((point
par degré. à dérive nulle)) est défini par :
/ ‘T \2
6.2, VARIATION DE /Dss
Au paragraphe 3, l’expression de I D S S a été établie

à:
Point à dérive . ‘28
vGS off ’ vGS
Le seul paramètre susceptible de varier avec la
température est la mobilité pu,des électrons qui Fig. 14.
diminue lorsque la température augmente.
En conclusion
Le courant de saturation ZDss diminue lorsque 7. CAPACITÉS DU J.FET
la température augmente.
Ce résultat était prévisible dans la mesure où le Nous avons vu, dans le chapitre semi conducteurs
canal est un semi conducteur dopé dont la (paragraphe 9.7.1), qu’une jonction polarisée en
résistance augmente avec la température. Profi- inverse présente une capacité qui varie en raison
tons-en pour signaler un avantage du J.FET sur inverse de la racine carrée de la tension appliquée.
le transistor bipolaire. Si, par suite de perturba- Une capacité de cette sorte apparaît donc entre
tions, il apparaît un point chaud dans le canal, la source et le canal. Sa détermination précise
la résistance y devient localement plus élevée, ce n’est pas aisée car elle dépend de la différence de
qui tend à redistribuer le courant loin du point potentiel porte-canal. Or le potentiel varie le long
chaud et ainsi à le faire disparaître. Par contre, du canal et sa répartition dépend des tensions
un point chaud sur la jonction base-collecteur VGset VDs.Afin de simplifier l’étude, on symbolise
d’un transistor bipolaire y fait apparaître locale- la capacité porte-canal par deux capacités C,, et
ment un excès de porteurs minoritaires qui en CGD placées respectivement entre la source et la
franchissant la jonction peuvent provoquer un porte et entre la porte et le drain (fig. 15).
phénomène d’avalanche.
Dans le même ordre d’idée, la mise en parallèle
de plusieurs J.FET pose moins de problèmes que
la mise en parallèle des transistors bipolaires. En
effet, si d’aventure un des J.FET canalisait plus
de courant que les autres, la température de son
canal s’élèverait le rendant moins conducteur et
ramenant ainsi l’ensemble vers un état d’équi-
libre.
~~ Fig. 15.
6.3. POINT À DÉRIVE NULLE
Il s’agit de capacités dynamiques (valables pour
Lorsque la température augmente, les variations des petites variations autour des valeurs de
de IDss et de VGsoffprovoquent une modification polarisation) qui dépendent des tensions de
de la caractéristique I D = f(VGs). polarisation VGset VDs.
208
Les capacités CGSet C G D sont de l’ordre de 10 pF. petites variations sont suffisamment faibles, la
Il faut noter, en outre, l’existence d’une capacité portion de caractéristique i, = f ( v G s ) ,décrite par
répartie dans le canal, CDs,qui est beaucoup plus le point de fonctionnement, est assimilable à une
faible que les précédentes (de l’ordre de 0,l pF). droite, et les petites variations id de i,, autour
de I D , sont sinusoïdales.
Le constructeur indique : Afin d’établir les relations existant entre les
O Ci,,, capacité mesurée entre porte et source petites variations, nous les assimilerons à des
pour des petites variations de VGs(généralement différentielles.
autour de zéro), et pour une tension V,, fixe Soit : id = di,, V,, = duGs,
indiquée. Vis-à-vis des petits signaux, la tension i, = di,, Vd, = du,,.
VDs constante se comporte comme un court-
circuit et la capacité Ci,,résulte de la mise en A partir des équations
parallèle des capacités C G D et CGSsoit :
en effectuant une différentielle totale :
Ciss = CGS+ C G D .
O Crss,capacité mesurée entre source et drain
pour des petites variations de V,, et pour une

tension V,, fixée (généralement zéro). La tension
VGsconstante se comportant, vis-à-vis des petits
signaux, comme un court-circuit, la capacité CrSS
résulte de la mise en parallèle des capacités C G D
et C,,. La capacité C,, étant négligeable devant
C G D on a sensiblement
Crss = C G D Le courant i, étant pratiquement nul (quelques

nanoampères au maximum) la deuxième équa-
tion se réduit à : i, = O
8. UTILISATION DU J-FET
EN AMPLIFICATIQM est la pente de la caractéristique
= f(’DS).
8.1.SCHÉMA ÉQUIVALENT iD
POUR LES PETITES Nous appellerons gds sa valeur autour du point

VAR IAT1O NS de repos M o . Soit gds =
Les caractéristiques du J.FET (fig. 16) sont est la pente de la caractéristique
rappelées à la figure 17.
i0 iD = f(vGS)*
Nous appellerons g, sa valeur autour du point

de repos M o . Soit : g, =
Fig. 16. Les relations entre les petites variations de-

viennent : ld = grnUgs + gdsvds
i, = O
Le schéma traduisant ces relations est donné à
la figure 18. C’est le schéma équivalent du J.FET
pour les petites variations.
I - t G ‘g D Id
S Fig. 18.
composants
Ordre grandeur Les trois équations.
1
g m est de l'ordre de 0,l à 10 mA/V. I/Gs = - E,
l/gds est de l'ordre de 100 ka à 1 M a . E =RDID + VDs
I D = f(VGs) [caractéristique que l'on peut
approximer par
REMARQUES
O L'expression mathématique de gm peut être
ID = I,,S( 1- ->']
'GSo f f
obtenue à partir de l'approximation parabolique
permettent de déterminer les trois grandeurs I D ,
vDS, vGS.
La position du point de repos peut être réglée par
la source de tension E,.
8.2.2. Polarisation automatique

par résistance de source
avec
O Pour les fréquences élevées il faut tenir compte
des capacités parasites CGs,CGD et CDs.Le schéma

équivalent correspondant est donné à la figure 19.
E
Fig. 21 .
La résistance R G est de l'ordre du mégohm.

Le courant I G étant de l'ordre de 100 picoampères,
la chute de tension R G Z G , de l'ordre de 100 micro-
volts, est négligeable.
Les trois équations :
VGs = -RGIG -RSID z -RSID
1
8.2. POLARISATION
E = (Rs + RD)ID + VDs
La polarisation consiste à fixer la position du
point de repos M o sur les caractéristiques.
I D = f(VGS) = IDSS
(
permettent de déterminer les trois grandeurs
- ~
G
v?
f ,>' ID,
vGS.
La résolution graphique du système des trois
8.2.1. Polarisation par une tension fixe
équations est donnée à la figure 22.
E
-
A I
vGS off vDS
Fig. 20. Fig. 22.
21 O
le transistor à effet de chamD
8.2.3. Avantage de la polarisation Le condensateur C, possède une capacité suffi-

automatique sante pour que la tension à ses bornes reste
pratiquement constante.
Supposons que, par suite de la dispersion des
caractéristiques dans un même lot de J.FET, la
courbe I D = f(V&) passe de (Cl) à (C,) (fig. 23). RD
vGS
Fig. 24
8.3.1. Schéma équivalent

pour les petits signaux (fig. 25)
CO CO
Fig. 23
Dans les axes I D = f(VDs),le point de repos situé

initialement en M o passe en :
O M l si la polarisation est réalisée par une
résistance de source R,.

O M , si la polarisation est réalisée par une
source de tension constante E,. - M

Il apparaît que pour une même dispersion de la Fig. 25.
caractéristique I D = f(VGs),le déplacement du
point de repos est moins important pour la
polarisation par résistance de source que pour la 8.3.2. Calcul des condensateurs
polarisation par une tension constante. en régime sinusoïdal permanent
En outre la polarisation automatique ne nécessite
qu’une seule tension d’alimentation. O Le condensateur Co doit être tel que son
1
impédance -soit négligeable devant R , + R,.
Co0
8.3. MONTAGE O Le condensateur Ch doit être tel que son
SOURCE C O M M U N E 1
~~ ~~ ~~~ ~~
impédance -soit négligeable devant R, + R,

Ch O
Le schéma correspondant est donné à la figure 24. (où Rsest la résistance de sortie du montage).
La polarisation est assurée par la source de
O Pour calculer le condensateur C,, nous pou-
tension E et par les résistances R D , R , et R,.
vons négliger le courant qui traverse la résistance
Le dispositif est attaqué par un générateur de 1
petits signaux de force électromotrice e, et de - car elle est très grande par raport à R, et R D .
gds
résistance interne R,. Il alimente la charge RL.
- D’une part la capacité C, doit être telle que
Les condensateurs Co et Ch empêchent le courant 1
continu de traverser la charge et le générateur, son impédance -soit faible devant R,
et de perturber ainsi la polarisation. Ils doivent CSU
1
se comporter comme des court-circuits vis-à-vis soit - < Rs.
des petits signaux. CSU
www.biblio-scientifique.net 21 1
corn posanrs
- D'autre part la valeur efficace de la tension 8.3.3.Résistance d'entrée

entre les points S et M doit être négligeable
par rapport à la valeur efficace de la tension C'est la résistance vue par le générateur :
vgs soit
Elle est très élevée, de l'ordre du megohm. La

On ne peut affirmer qu'une des deux conditions
polarisation autorise des valeurs de RG plus
est prioritaire par rapport à l'autre car grndépend
élevées mais l'accroissement espéré de la résis-
du point de polarisation qui, lui-même, dépend tance d'entrée est tempéré par la présence des
de R,.
capacités parasites CGD et CGS. (Rappelons
Pour s'en convaincre, remarquons que R , résulte qu'une capacité de 10 PF présente à la fréquence
du système d'équations : de 1 MHz, une impédance de 17 kR.)
8.3.4.Amplification en tension
v2
Elle est donnée par A , = -, rapport de la ten-
V1
sion aux bornes de la charge, à la tension fournie
La valeur de -2 a été établie, au paragraphe 8.1, par le générateur.
Srn 1
1 vGSo f f 1 La résistance -étant voisine du Megohm, nous
par - = - -
Srn 21Dss (1 -&). gds
pouvons raisonnablement négliger son influence.
Soit
(- v1 = v g s
Pour une polarisation telle que VGs soit il vient : A, = -g R ~ R ~

-
proche de zéro la résistance R , est faible rn RD RL'+
1 L'ordre de grandeur du gain en tension est de
par rapport à - et il faut réaliser en
quelques unités à quelques dizaines.
Les tensions d'entrée et de sortie sont en
opposition de phase.
- Pour une polarisation telle que la tension
1
VG, soit voisine de VGsof , la résistance -
f
9rn 8.3.5.Amplification en courant

est faible par rapport à R, et il faut réaliser
1 1
en priorité -6 -. Elle est donnée par A i=. ,12
CS^ grn 11
Après calcul des condensateurs, le schéma A partir des équations
équivalent se réduit au schéma de la
figure 26.
i2
1 RI.
v2
i, = - = - gmvgs
RD
RD
+ RL
RD
il vient : A i= - g
RD + RL . RG.
Il est très important et peut atteindre plusieurs
Fig. 26 milliers voire plusieurs dizaines de mille.
21 2
le transistor à effet d e champ
8.3.6.Résistance de sortie 8.4.1.Schéma équivalent

pour les petits signaux
Elle est déterminée à partir du schéma de la La figure 29 indique le schéma équivalent pour
figure 27 sur lequel : les petits signaux après le calcul des condensa-
- la charge est déconnectée, 1
teurs et en considérant que la résistance - (de
- la force électromotrice du générateur est gds
remplacée par un court-circuit. l'ordre du mégohm) est grande devant Rs.

La tension ugs étant nulle, il en est de même du '1 '2
courant gmvgset le générateur de courant peut
être remplacé par un circuit ouvert. La résistance
de sortie Rs résulte ainsi de la mise en parallèle
1
des résistances RD et -; elle est pratiquement
gds
égale à RD. Elle est de l'ordre du kiloohm.
/ Fig. 29.
8.4.2.Résistance d'entrée
Fig. 27.
C'est la résistance Re = V 1 vue par le générateur.
11
Elle est égale à RG. Elle est très élevée (plu-
sieurs mégohms) mais, comme pour le mon-
tage source commune, elle est altérée par la
présence des capacités parasites CGSet CGD.
8.4.MONTAGE
DRAIN C O M M U N O
8.4.3.Amplification en tension
Le schéma correspondant est donné à la fi-
gure 28. A partir du schéma de la figure 29, nous pouvons
Les condensateurs Co et CO ont une capacité écrire les équations
suffisamment grande pour que la tension à leurs
bornes reste pratiquement constante. La déter-
mination de leur capacité se fait de la même
manière que pour le montage source commune.
qui nous conduisent à l'amplification en tension

RSRL
Srn
Rs + RL
~
A, =
RSRL *
1+ Sm
Rs + RL
Cette amplification est inférieure à 1 mais

RSRL
d'autant plus voisine de l'unité que g,
Rs + RL
~
Fig. 28. est grand par rapport à 1.
21 3
corn posa nts
8.4.4. Résistance de sortie En effet, les résistances

TI 1
v9s - i
A R S -- - % 1
ID,, (12J+-
Fig. 30.
Elle est déterminée a partir du schéma de la sont alors très élevées ainsi que la résistance de
figure 30. sortie R, du montage drain commun ce qui le
rend inapte a la réalisation d’un étage suiveur.
Le courant dans les résistances R, et R G étant
nul, la tension ugsest appliquée au générateur de Afin d’améliorer le dispositif, on remplace la
courant gmugs qui est donc équivalent à la résistance R, par un élément présentant, aux
1 petits signaux, une forte résistance, tout en étant
résistance = -. perméable au courant de polarisation I D . Cet
Srnugs 9, élément est un générateur de courant cons-
La résistance de sortie R, résulte de la mise en tant I D , et l’on aboutit au schéma de la figure 31.
1
parallèle des résistances Rs et - +E
9m
soit R, =
RS
1 + grnRs’
8.4.5. Construction d’un étage suiveur

à partir du montage drain commun
L’étude précédente montre que le montage drain
commun possède les propriétés suivantes : forte
résistance d’entrée, amplification en tension
voisine de l’unité, faible résistance de sortie. Il se
rapproche ainsi des caractéristiques du suiveur
parfait (résistance d’entrée infinie, amplification Fig. 31.
en tension égale a 1, résistance de sortie nulle).
Supposons que la résistance de charge R, soit
très grande par rapport a R,. L’amplification en Le courant I D =
uz - VBE est constant et le
R2
tension s’écrit A , =g m R s . Elle est d’autant calcul de la polarisation du J.FET résulte des
1 + gmRs équations :
plus proche de l’unité que gmRs est grand
devant 1. O r g m et R, dépendent du point de
polarisation. J K2
Le potentiel du point E étant constant, la tension

de sortie us évolue au rythme du signal d’entrée
en ((comprimant)) vers le haut la tension drain
source du J.FET et vers le bas la tension
collecteur émetteur du transistor bipolaire.
2 VG,
il vient Rsgm = L’utilisation d’une deuxième source de tension
I / C S o f f - vGS‘
continue - E’ est justifiée par le fait que la
Le produit Rsg, est d’autant plus grand que VGs tension de polarisation GM= - VGs, de l’ordre
est voisin de VGso f . Malheureusement une telle de quelques volts, est insuffisante pour assurer la
polarisation ne peut convenir pour réaliser un tension collecteur émetteur du transistor bipo-
montage suiveur. laire, et la tension U z .
21 4
Ordre de grandeur
La résistance Re, étant de l’ordre de plusieurs
mégohms, gmReqest grand devant l’unité; l’am-
plification en tension est pratiquement égale
1
à 1 et la résistance de sortie est égale à - que
Sm
l’on peut rendre inférieure à une centaine d’ohms
par un bon choix de composant et par une
polarisation proche de ID,,.
Afin de satisfaire l’hypothèse de départ (la résis-
tance de charge est grande devant on
hl 1 R2 fait suivre le dispositif d’un montage collecteur
commun.
De plus, pour diminuer l’influence des capacités
C,, et CGD7on réalise un montage (( bootstrap ))
pour aboutir au schéma de la figure 34.
h2 1i b
h22
est égal i = ib( 1 + 2). Le générateur de
tension est donc équivalent à la résistance
h21 1
et la résistance vue entre les points S et M s’établit

-E
G
fi’
4
Fig. 34.
Le condensateur C possède une capacité suffi-

h2, étant grand par rapport à 1, Re, est de l’ordre samment élevée pour se comporter comme un
h2 1 court-circuit pour les petits signaux. Il est donc
de grandeur de -, c’est-à-dire de plusieurs nécessaire de rajouter sur le schéma la résis-
h22
mégohms. tance R, sinon le signal de sortie (point O) serait
%s S nul.
1
En négligeant l’influence des résistances en ~
gds
1 RRD
parallèle sur hil, et en parallèle sur
~
h2 2 R RD
~
+
et en ne tenant pas compte, dans un premier
Fig. 33. temps, des capacités C,, et C G D , le schéma
équivalent est celui de la figure 35.
Le schéma équivalent du dispositif de la figure
31 est donné à la figure 33. Il est identique au “gs s ‘b
-f----e-1
schéma de la figure 29 par remplacement de la
résistance R, par Re, et par suppression de la
résistance de charge R,. &Ygs O 1
5
1
hl
L’amplification en tension est donc égale à

A, = gmReq et la résistance de sortie est h2iib - vs
1 + SmReq
donnée par R, =
Re,
1 + SmReq’ Fig. 36.
21 5
Afin de déterminer la résistance interne de ce
Le courant dans la résistance RRD est égal à
h2îib = h2î gmvgs.
R R,
~
+ générateur de courant, dessinons (fig. 37) son

schéma équivalent, pour les petits signaux, entre
Il vient alors : les points D et M .
L’amplification en tension s’écrit donc : Le courant i étant égal à *,

R
le générateur de
1 RRn
gmR
tension peut être remplacé par la résistance -
gds
et la résistance équivalente Req,entre les points D
et M , s’établit à
1 1
sachant que h2,- RRD est grand devant h l l et Re, = - + @ + R N - ( 1 + gmR).
R RD + gds gds gds
1
devant -, le gain en tension est pratiquement Elle est de l’ordre de plusieurs mégohms.
Sm
égal à 1 . Il en résulte que les points S , G, D ont
des potentiels sensiblement égaux. La présence
des capacités parasites CGSet CGD, perturbent 8.6. BRUIT DANS LES
donc très peu le dispositif, car le potentiel à leurs AMPLIFICATEURS À J. FET
bornes étant pratiquement nul, elles ne dérivent
pas de courant. On arrive ainsi à des capacités Il résulte de l’étude du J.FET en amplification
d’entrée de l’ordre du picofarad. que la principale qualité du composant est de
présenter une très forte impédance d’entrée. Il est
ainsi fréquemment utilisé dans les étages d’entrée,
à la suite de capteurs possédant une forte
8.5. MONTAGE PORTE résistance interne. La notion de bruit prend alors
COMMUNE une grande importance pour le composant.
Rappelons que le bruit est un signal aléatoire sB
La seule utilisation pratique du montage porte dont on ne peut connaître la valeur sB à un
commune est la réalisation d’un générateur de instant t et que l’on définit par sa valeur
courant constant (fig. 36).
quadratique moyenne 2.
Pour le J.FET, les générateurs de bruit sont
décrits à la figure 38.
r---
Résistance
d‘entrée
M infinie
I
Fig. 36.
O eR est la tension de bruit de la résistance R ,
du générateur dont la - valeur quadratique
moyenne s’exprime par e i = 4KTR,Af

on établit l’équation du courant I D :
où K est la constante de Boltzmann
= 1’38. 10-23 J/K,
ID = IDss( 1 + vGSo
5)2- ff T est la température absolue en degrés kelvin,
dfest la bande de fréquence en hertz.
21 6
O iB est dû au courant de fuite I G de la porte. Sa Le facteur de bruit F PB

= -s’écrit :
valeur quadratique moyenne est donnée par la pBO
formule de Schottky :
-
ii = 2 e . IGdf
où e est la charge de l’électron = 1,6 . 10-19C,
I G est le courant de fuite porte-canal.
Remarquons que lorsque R, tend vers zéro, le
facteur de bruit tend vers l’infini et qu’il en est
O e B est dû d’une part à l’agitation thermique des de même lorsque R, tend vers l’infini. Il doit donc
électrons dans le canal, d’autre part au phéno- exister une valeur optimale de R, pour laquelle
mène d’ionisation thermique-recombinaison, le facteur de bruit est minimum. Pour la
dans la zone de transition. déterminer il suffit de dériver F par rapport à R,.
Sa valeur quadratique moyenne est donnée par : E
1 +-
dF
-- - _ _ _ - f 1
+-2eKl ,T = O
Sm
dR, gm Ri
où fc est de l’ordre de 100 Hz à 1 kHz.
Sur le schéma de la figure 38, la tension de bruit f 2KT
a l’entrée du J.FET s’écrit u = eB + eR+ RgiB. pour R, = Rgmin= X-
Comme il n’existe aucune corrélation entre les

générateurs iB, e B et e R , la valeur quadratique Ordre de grandeur
moyenne de la tension u s’écrit Sm N 3 . 1 0 - 3 A/V; T N 300 K;
- -
u2 = e i + eR + ~ 92 Bi- 2 e = 1,6. 10-19 C; I G N 10-lo A;
K = 1’38. 1 0 - 2 3 J/K.
Pour chiffrer l’immunité du J.FET au bruit, on
définit le facteur de bruit F , par «le rapport de
la pui. ince de bruit en xtie, à la puissaxa-e de
+
bruit en sortie due à la résistance R, supposée

Soit Rgminde l’ordre de 4
J +f 1 -
Le J.FET est donc bien adapté pour les étages

x 105ohms.
seul générateur de bruit )). d’entrée intervenant à la suite de générateurs qui,

comme les capteurs piézoélectriques, possèdent
Soit A l’amplification en tension du J.FET et RL une forte résistance interne.
la résistance de charge.
- En considérant la résistance R, du générateur
comme le seul générateur de bruit, la puissance
instantanée de bruit en sortie du J.FET s’écrit : 8.7. RÉPONSE EN FRÉQUENCE
D‘UN AMPLIFICATEUR
UTILISANT U N J.FET
Sa valeur moyenne dans le temps est 8.7.1. Montage source commune

Le montage source commune est rappelé à la
figure 39.
- La puissance instantanée de bruit, en sortie
du J.FET, tenant compte des générateurs de bruit
du J.FET s’écrit :
A2
p B = -ce:
RI.
+ e; + Rgig).
Fig. 39.
a
m
RD
Sa valeur moyenne dans le temps est

A2 - - -
P B = - - (fi?:+ e i + Riii).
RL
21 7
corn Dosa ntç
O Aux basses fréquences les condensateurs Co et La fonction de transfert en tension s'établit à :

C, ne peuvent plus être considérés comme des
courts-circuits par les petits signaux.
O Aux hautes fréquences, les capacités parasites
CGS,CGD, CD,perturbent la réponse de l'amplifi-

cateur.
ÉTUDE AUX FRÉQUENCES MOYENNES

qui peut s'écrire :
Ce sont les fréquences pour lesquelles :
. a
- les condensateurs C, et Co se comportent 1-
comme des courts-circuits pour les petits signaux,

- les capacités parasites du J.FET ont une
Le schéma équivalent correspondant est donné
à la figure 40, en négligeant l'influence de la Le diagramme de Bode correspondant est donné
1 à la figure 42.
résistance ~ en parallèle sur RD.
gds
Rs
I 1 I
Fig. 40.
La fonction de transfert en tension -

A ==
V,
Es Fig. 42.
s'établit donc à :
Pour qu'un signal sinusoïdal soit transmis dans les

mêmes conditions qu'aux fréquences moyennes,
il est nécessaire que sa pulsation soit supérieure
ÉTUDE AUX BASSES FRÉQUENCES à 1Oc0,.
Pour ces fréquences, les capacités parasites du Soit
J.FET ont une influence négligeable.
10 1 R+R,
Co> ou -<L
Influence du condensateur Co (Rg + RG)CO COU 10 -
Nous supposons dans cette étude que le conden- Ce qui confirme le calcul de la capacité du
sateur C, a une capacité suffisante pour que la condensateur Co effectué au paragraphe 8.3.2.
tension à ses bornes reste pratiquement cons-
tante. Le schéma équivalent correspondant est
donné à la figure 41. Influence du condensateur C,
Nous supposerons pour cette étude que le

condensateur Co a une capacité suffisante pour
que la tension à ses bornes reste sensiblement
constante.
Le schéma équivalent correspondant est donné
Fig. 41. à la figure 43.
21 8
le transistor à e f f e t de c h a m p
Pour qu’un signal sinusoïdal soit transmis dans les

mêmes conditions qu’aux fréquences moyennes,
il est nécessaire que sa pulsation soit supérieure
à 100.1: soit
L’impédance du condensateur Cs doit donc être

telle que :
1
La fonction de transfert en tension s’établit à :
avec
Ce qui confirme le calcul effectué au paragraphe
8.3.2.
ÉTUDE AUX HAUTES FRÉQUENCES

Soit
Nous supposerons que, pour les fréquences
d’étude, les condensateurs C o et C , se com-
portent comme des courts-circuits. Compte tenu
A I
1 + jRsCsco du schéma équivalent de la figure 19, nous

+
1 jRsCsco obtenons le schéma équivalent de la figure 45.
= Avo
1 + +
R s g , jR,Csco’
AV,
Av =
Fig. 45.
avec
Soit I le courant dans la capacité C G D . Si
l’on ne considère que les fréquences très infé-
1
Remarquons que pour les fréquences très supé- rieures à
I
, le courant -I est négligeable
rieures à CO;, la fonction de transfert en tension 2 n R D CGD
par rapport à g m y G s , et nous pouvons écrire :
devient peu différente de x -4 Avo
= A vo 9
1+Rsgm mi
qui est bien sa valeur pour les fréquences
moyennes.
à la figure 44. La capacité CDs est faible par rapport à C G D .
L’étude étant limitée aux fréquences très infé-
1 1
rieures à
R TC RD CGD< 2 7 t R ~CDS, le terme
R D C D S C ~est négligeable par rapport à 1, soit :
1 JcGDc0(l + gmRD)EGS*
Ce qui conduit au schéma équivalent de la figure
46 avec :
C =CGs + C G D ( 1 + SrnRD)
= cGS + cGD + g m R D C G D
= ciSS + g m R D CrSS
21 9
composants
Fig. 46.
gm vGS
v,
1-
A,
La fonction de transfert en tension - ==
E, Par transformation, entre les points A et B, du
s'établit ainsi à :
schéma de Norton en schéma de Thévenin, et
compte tenu de CGs $- CDs, nous obtenons le
A, = schéma équivalent de la figure 50.
-
R G
- - -
B
Soit Fig. 50.
Il y apparaît que, quelle que soit la fréquence, la

VS
fonction de transfert en tension A , reste ==
VE -
égale à 1. Par contre l'impédance d'entrée est
altérée par la présence des capacités parasites. Le
9 vGS
générateur de tension ?==-, parcouru par le
JCDS~
courant j C G S a y G S , est équivalent à l'impédance :
grn
-7t
- 37[:
2
1 1 1 Ir-
1 +J-
cGS
= jc,,u
qui correspond à la mise en parallèle de la

8 . 7 . 2 . Montage drain commun capacité cDS
- , et de la résistance
Considérons le dispositif de la figure 48 dont le 1+
schéma équivalent est donné à la figure 49.
CDS
La capacité en parallèle sur la
+("!
O
1 cGSa
Fig. 48.
220
le transistor à effet de chamo
capacité C G D a une influence négligeable dans la

+
mesure où C G D CDs. 9.1. PORTE FERMÉE (j îg . 51)
1+ 7 ( S m \2
~~~ ~~
O La résistance négative - \‘GSCOj risque Lorsque la porte est fermée, le signal analogique
cDS n’est pas transmis et le J.FET se comporte
Srn -
cGS comme un interrupteur ouvert. Il est nécessaire
de provoquer l’apparition d’oscillations sponta- pour cela que la tension VGs soit inférieure à
nées à la fréquence pour laquelle la mise en V G s o f f . Pour une tension de commande V,
parallèle de cette résistance sur la résistance R, donnée, la tension analogique vA doit être telle
conduit à une résistance négative. que VG- uA < V G s o f fElle
. devra donc toujours
La condition d’oscillations s’établit donc à être supérieure à V, - VGsoffsous peine de voir
la porte s’ouvrir.
D’autre part, la tension VGs devant rester
inférieure à la tension de claquage VBRcssde la
Le risque d’oscillations spontanées est donc jonction porte-canal, la tension analogique devra
d’autant plus grand que la résistance R , est plus rester inférieure à V, + VBRGss.Soit globalement
élevée.
VG - Vw0j-j-< V A < VG + V B R G ~ ~ *
9. FONCTIONNEMENT
EN PORTE ANALOGIQUE 9.2.PORTE OUVERTE ( f i g . 51)
Lorsque la porte est ouverte, le signal analogique
Considérons le schéma de la figure 51 dans lequel est transmis et le J.FET se comporte comme un
la tension uA est susceptible de varier au cours interrupteur fermé. Il est nécessaire pour cela que
du temps. Le signal appliqué sur la porte G, la tension V,, soit voisine de zéro, ce qui semble
commande le J.FET en commutation et autorise, difficile à réaliser dans la mesure où la tension
ou n’autorise pas, la transmission du signal analogique uA est susceptible de varier. En effet
analogique vA à la résistance de charge R. si la tension de commande V, est constante, le
J.FET est mal débloqué lorsque la tension v A est
supérieure à Vc et la jonction porte-canal est
conductrice lorsque la tension uA est inférieure à
VG - 0,6 volts ( f i g . 51).
Pour y remédier, on place une diode D en série
Fig. 51. avec la jonction porte-canal (fig. 53).
Plusieurs J.FET peuvent être connectés au Jonction
point O. On réalise ainsi le schéma de la figure 52. porte-canal
En ne débloquant qu’un seul J.FET, les autres
se comportant comme des circuits ouverts, on
sélectionne la tension analogique uAi devant être
appliquée à la résistance de charge R.
On réalise ainsi un multiplexeur analogique.
i r
I t V
vAl
Fig. 53.
O Si la tension V est supérieure à uA, le’cou-
rant 1, est le courant de fuite 1, de la diode D

polarisée en inverse. La tension porte-canal
se fixe à une valeur, très légèrement positive,
qui correspond au passage du faible courant
Fig. 52. direct 1, à travers la jonction porte-canal.
221
composants
La diode D se comporte comme un générateur - Une diode varicap D, dont nous avons vu
de courant If qui absorbe à la manière d’un la nécessité au paragraphe 9.2, et qui, de
ballast, les variations de la tension uA - V , de plus, possède une capacité C dont la valeur
façon à maintenir la tension porte-canal très varie comme l’inverse de la racine carrée
légèrement positive. de la tension inverse appliquée aux bornes
O Pendant la période de fermeture de la porte, de la diode (fig. 55). Cette capacité, nous
le J.FET est bloqué, le courant 1, est le courant le verrons, améliore les temps de commuta-
de fuite IGsf de la jonction porte-canal (courant tion de la porte.
négatif de l’ordre de 100 PA). La tension aux
bornes de la diode se fixe à une valeur, voisine
de zéro, qui correspond au passage du faible
courant direct IGsf à travers la diode. L’influence
de la diode est donc négligeable pendant la
période de fermeture de la porte.
Les variations de la tension v A doivent donc

rester dans des limites telles que les inéquations
suivantes soient satisfaites :
porte fermée : tension V = - V ,
2 4 6 8 10 12 Volts
- ’i - VGSoff < < VBRcss - vl
Fig. 55.
porte ouverte : tension V = + V2
- Un J.FET a canal N , qui, lorsqu’il est
V2 - VDinu. max. < V A < V2
débloqué, présente entre source et drain
où VDinu. max. est la tension inverse maximum une résistance R D S O N très petite par rapport
de la diode D. à la résistance de charge R. Rappelons que
la jonction porte-canal présente une capa-
cité de transition que l’on symbolise par
9.3. PORTE ANALOGIQUE deux capacités CGS et C G D , que nous
INTÉG RÉE supposerons égales et qui varient en
fonction de la tension porte-canal confor-
mément à la courbe de la figure 56.
---
Fig. 54. ’
t---’
+E
Une porte analogique intégrée (fig. 54) regroupe
à l’intérieur d’un même boîtier les composants
suivants : 2 4 6 8 10 12 Volts
- Un transistor P - N - P auquel est appliqué le

Fig. 56.
signal de commande.
O Lorsqu’il est bloqué, la tension - E est
appliquée au point C . La tension aux 9.4. DÉCOUPAGE D’UNE

bornes de la diode D est voisine de zéro. TENSION ANALOGIQUE
Le J.FET est bloqué et la porte est SIN USOIDALE
fermée.
O Lorsqu’il est saturé, la tension + E est Lorsque la tension analogique vA appliquée à la
appliquée au point C et la porte est porte est sinusoïdale, les capacités C G S C, G D et C
ouverte. perturbent sa réponse.
222
9.4.1. Porte fermée Compte tenu de Co 6 C il vient :

C
Nous supposerons, pour simplifier les calculs, que jRC,coA(l +jRCco)
les capacités CG, et CGD sont égales et nous C
T%
1 + jcoR(3Co) + ( j ~ o ) ~ R ~ C g
-
poserons : C,, = CGD = Co.
De plus, la jonction porte-canal étant polarisée
en inverse, les capacités CG, = CGD= Co sont
faibles devant la capacité C de la varicap, car la
tension aux bornes de cette dernière est pratique-
ment nulle avec
(voir figures 55 et 56 pour - E = - 10 volts, 1
C,, = CGD = 4 pF, alors que C N 60 pF). co2 = -
RC
Du point de vue alternatif, le schéma équivalent 1 c
de la porte analogique est donné à la figure 57. col =-
Co3
1
= - x-
3+$ - 1
- -x - x -
c 3+J5
RCO 2 RC Co 2
-
-Co,--
3+J5 c
2 Co
co4=-
1 3-fi
x--- -
1 c
x-x-
3 - 6
RCO 2 RC Co 2
Fig. 57.
- 3-JJC
- co2---.
A partir des équations : 2 Co
+=v,
l1
V
jC,co(_V, - 1)= -
1 R
à la figure 58.
Rc + JCU
t c)
7
1 c 2
20lg 1
11 - = W 2 ( C )
RCo Co
9 =a2
CO
(loi des nœuds au point G)
\ \
/ t
O
il vient :
20 lg 1 T 1
jCoco_V,
1
1 "CJ
1 +jRCoco
+ R
Fig. 58.
"
= V U -+jCoco+-
- R
C 1 +jRCoco
+
RCo 1 jRcCco 1.
Pour les hautes fréquences, le signal est transmis
à la résistance de charge R et la porte ne peut
plus être considérée comme fermée.
Déterminons, dès lors, la fonction de transfert 1
Pour les fréquences inférieures à 271RCl'atténua- ~
v, lorsque R = R,
T == = 5 ka.
- V" C
tion est supérieure à 40 lg décibels. Pour
~
T= CO
-
R = Rc = 5 ka, C = 60 pF, Co = 4 pF.
jRCgco(1 +jRCco) On obtient une atténuation de 47 décibels à la
fréquence de 530 kHz.
223
composants
9.4.2.Porte ouverte
Du point de vue alternatif, le schéma équivalent
de la porte analogique est donné à la figure 59.
RDSON
S n
l Fig. 61
VU
Fig. 59.
La tension inverse aux bornes de la varicap est Fig. 62

voisine de E. Pour E = 12 volts, le diagramme
de la figure 55 indique que la capacité est alors v,
T = = s'établit donc a
La fonction de transfert -
voisine de 15 pF. VA
-
R
La tension aux bornes de la jonction porte-canal
est voisine de zéro. Le diagramme de la figure 56 RCO
1 +jTw
indique que la valeur commune des capacités CGs
et CGD est alors voisine de 15 pF.
Nous admettrons donc, comme indiqué à la
figure 59 que les trois capacités C,,, CGD et C
sont égales à C o = 15 pF.
Afin de déterminer la fonction de transfert
T
-=
v, modifions le schéma partiel résultant du
=,
VA
montage en étoile des trois capacités Co (fig. 60).
-
Fig. 60
donc T =
- To
il vient
1:
31,
31,
= jCoco(2yA-
= jCocoVA
-
= jC0co(2-c/u-
= j C o w-
V,
-c/u)
+ jC0co(yA
yA)
+ jC,co(V,-
- &)
VA).
--
Le schéma de la figure 60 est donc équivalent au

schéma de la figure 61 et le schéma de la figure 59
est équivalent au schéma de la figure 62.
I I
Fig. 63.
I
224
le transistor à effet de chamD
Le diagramme de Bode correspondant est donné La tension de collecteur u, évolue de - E à + E ,

à la figure 63. avec le temps de montée inhérent à la commuta-
Nous pouvons remarquer que si R = R D S O N , les tion du transistor bipolaire.
deux pulsations cul et cu2 sont égales et le La capacité C G D se décharge à travers la
diagramme de Bode se réduit à une horizontale résistance R et la capacité C, entraînant l’appari-
R tion d’une tension u, positive.
d’ordonnée 20 lg ; ce résultat est
R + RDSON Le courant de décharge tend à disparaître, mais
logique dans la mesure où on retrouve entre VA à partir de l’instant t = t , le canal commence à
et V , le schéma d’un atténuateur parfaitement s’ouvrir et la tension u, évolue vers V,.
compensé.
Pour R D S O N = 50 Q, R = 5 k a , et Co = 15 pF,
R
l’horizontale 20 lg est pratiquement 9.5.2. Fermeture de la porte
R + RDSON
confondue avec l’axe des pulsations, et la
fréquence de coupure de la porte analogique A l’instant t = O, le signal de commande est
appliqué sur la base du transistor; après le
temps t, nécessaire à l’évacuation de la charge
stockée dans le transistor bipolaire, la tension u,
R + RDSON décroît de + E vers - E ( j g . 63). A l’instant
t = t, la tension aux bornes des capacités CGset
CGDest pratiquement nulle et la capacité C est
chargée sous la tension V,, = E - V,.
9 . 5 . TEMPS D E COMMUTATION Dès que la tension u, commence à décroître, la
D E LA PORTE ANALOGIQUE capacité C tend à se décharger à travers un circuit
à très faible résistance RDsoN. Elle provoque ainsi
Considérons le schéma de la figure 54 dans lequel la charge rapide des capacités C G D et CGS,ce qui
la tension analogique uA est constante et égale correspond en fait à l’apport des charges
à v,. nécessaires à l’élargissement de la zone de
transition de la jonction porte-canal. Cette
9.5.1. Ouverture de la porte décharge de la capacité C provoque ainsi un
blocage rapide du J.FET et le retour de la tension
A l’instant t = O, le signal de commande est u, vers zéro. Le courant de décharge de la
appliqué sur la base du transistor bipolaire. La capacité C se perpétuant, après le blocage du
tension uc est alors égale à - E, la tension aux J.FET, a travers la résistance R et la capa-
bornes de la diode est nulle, et la capacité C G D cité C G D provoque l’apparition d’une tension u,
est chargée sous la tension VGD = - E. négative (fig. 65).
L’évolution des tensions u, et v, est décrite par
les chronogrammes de la figure 64.
/ r’ t
1 ,! Conduction du J. FET
Fig. 64.
IL Décharge de C,
r
I
Fig. 65.
A
t
c
-9
225
corn posa nts
EXERCICES
1. 2.
Le schéma équivalent d’un J.FET en hautes fréquences et
Soit le dispositif de la figure 1. pour les petits signaux sinusoïdaux est donné figure 1.
Fig. 1
On donne CDs = 0,5 pF, CGs = C,, = 5 pF,

g, = 30 mA/V
1” Montrer que pour des fréquences de travail inférieures

à 100 MHz, on peut admettre les approximations sui-
vantes :
2” La capacité CGD, réalise une interdépendance entre le

On relève dans les feuilles de caractéristiques
courant d’entrée et la tension de sortie et diminue la bande
passante des amplificateurs. Pour limiter son effet, on réalise
VGsoff = - 4 volts, ID,, = 16 mA.
un montage cascode (fig. 2) à l’aide de deux J.FET que
nous supposerons identiques.
La tension d’alimentation E vaut 20 volts.
En négligeant la chute de tension dans la résistance R , et

en utilisant l’approximation quadratique, calculer les
valeurs de R, et de RD qui fixent le point de repos à
V,, = 10 volts et I D = 4 mA.
Fig. 2.
2. Étude en régime sinusoïdal permanent
a) Donner le schéma équivalent au montage cascode pour
a) La capacité Cs peut être considérée comme un les petits signaux sinusoïdaux.
court-circuit pour les fréquencesde travail. Tracer le schéma b) Montrer, compte tenu des valeurs numériques et des
équivalent pour les petits signaux sinusoïdaux. On donne approximations du l”,que ce schéma se réduit au schéma
gdS = O, calculer gm. de la figure 3.
b) Calculer la fonction de transfert = VS et la mettre sous

y
E
la forme :
T = A,
-
Sl
Fig. 3.
Exprimer A,, m et O, en fonction de RD, L, C, 9,.
Exprimer les capacités Ci et Csen fonction de CGDet CGs.
c) Quelle est la fonction réalisée par la dispositif? Précisez Exprimer l’admittance go en fonction de g,, CGD, C,, et
ses caractéristiques : fréquence centrale, amplification montrer que l’interdépendance entre la tension de sortie et
maximale, bande rejetée à 3 db. le courant d’entrée est négligeable.
226
am pl if icateur
0de différence
1. PRINCIPE 2. MONTAGE A SORTIE

FLOTTANTE
L'amplificateur de différence est un dispositif
destiné à fournir un signal de sortie us
proportionnel à la différence de deux signaux Soit le dispositif de la figure 3 dans lequel les
d'entrée u1 et u2, soit : transistors Ti et T2, parfaitement identiques,
sont alimentés par un générateur de courant
1- constant Io.
A , est appelée ampllfication de différence.
On distingue deux types d'amplificateur de

différence.
O Montage à sortie flottante :

pour lequel la référence de potentiel en sortie est
différente de la référence commune aux signaux
d'entrée (fig. 1).
2.1.POLARISATION
- B
-€
Fig. 3.
"1 i En l'absence de signal, u1 = u2 = O, les transistors

doivent être dans une zone linéaire de fonc-
tionnemen t.
%E > I/CEsat.
O V B E N 0,6 volts.
Fig. 1
2.1.l . Tensions collecteur-émetteur VCE
0 Montage à référence commune : Les deux signaux d'entrée u1 et u2 étant égaux,

le dispositif est parfaitement symétrique et les
pour lequel les signaux d'entrée et de sortie I
admettent la même référence de potentiel (fig. 2). courants de collecteur sont égaux à 2,soit :
2
i
"1s La condition VcE > VCEsat impose la relation :
Fig. 2.
227
1
composants
2.1.2. Construction du générateur

de courant
Plusieurs dispositifs sont possibles, nous en
donnerons deux exemples.
D’une manière générale, nous considérerons que
la tension base-émetteur d’un transistor conduc-
teur est égale a 0,6 volt; nous la noterons 0,6 sans
indication d’unité.
\
PREMIER EXEMPLE
La figure 4 donne le détail du montage qui
apparaît entre les points A et B de la figure 3. Fig. 5.
I I t +
‘
0 Pour u1 = u2 :
I
- le potentiel du point C 2 estfixé à E - R,?,
2
- le potentiel du point E , estfixé à
-E + U z - 0,6.
Lorsque u1 et u2 évoluent simultanément, en restant
égales entre elles, le potentiel du point A les suit à
0,6 volt près. Sachant que VCEÎet VcE3doivent rester
supérieures à VCEsat,le potentiel du point A ne peut
Fig. 4. B -E I
dépasser E - R,? - VcEsat d’un côté et
2
O La résistance R , est calculée de telle sorte que -E + U z - 0,6 + I/CEsat
la diode zener fonctionne dans la zone verticale
de l’autre, ce qui permet de déterminer l’excursion
de la caractéristique I z = f(U,) maximale dt. u1 et u2. Cette excursion maximale
doit par ailleurs respecter les conditions de linéarité,
la portion de caractéristique I, = f( VBE)utilisée
devant pouvoir être assimilée a une droite.
0 Nous avons démontré précédemment que, pour les
O La tension aux bornes de la résistance RE est
petites variations, la résistance équivalente du
constante et égale a U , - 0,6. Le courant I o est générateur de courant I o est de l’ordre de
U , - 0,6
donc fixé par RE à - N h21 10 MO.
RE
h22
O La polarisation impose que, pour u1 = u2 = O,
les tensions VBEdes transistors TI et T2 puissent
se fixer a 0,6 volt. Il vient alors :
DEUXIÈME EXEMPLE
~1 = O = VBEl + VcE3 + U z - 0,6 - E ,
Le générateur de courant I o peut être réalisé entre
soit
VBEl = E - Uz + 0,6 - VcE3. A et B par le schéma de la figure 6.
La tension VcE3 s’ajuste de telle sorte que

0,6 = E - U z + 0,6 - VcE3j
soit I/CE3 = - u Z ,
mais ceci n’est possible que si :
REMARQUES
I
Dégageons du dispositif précédent la portion de
schéma faisant intervenir les tensions collecteur-
émetteur des transistors T2 et T3 (jig. 5) Fig. 6
228
amplificateur de différence
Sachant que pour un transistor bipolaire, le

courant d'émetteur est lié à la tension base
VBE A
émetteur par la relation I E = 1, e%, avec : 7-
I , courant de saturation, V, z 30 mV,
on peut écrire :
E - 0,6
IE, = -.
Rl
B
soit Fig. 7
l I
1
I
V , E - 0,6
Zo = - In -
RE
I
Des équations
équation qui fixe le courant I o , compte tenu des

valeurs de R E ,R , et E.
O Comme dans l'exemple précédent, la tension
VcE3se fixe à une valeur telle que :

VBEi= 0,6 volt
pour u, = O, on peut écrire :
U, = O = 0,6 + VcE3+ V, In E ~
- 0,6
- E. E - VTlnr?)2
Rl 10
IE, =
Ceci n'est possible que si on tire RI + R3
E - 0,6 - V, In ___
E - 0,6 L E Z 1
R, Io soit
O De la même manière, le potentiel du point E ,

E - 0,6
est fixé à V, In ____ , ce qui limite l'excursion relation dans laquelle VT et Is dépendent de la
RlI, température.
du potentiel du point A ainsi que la valeur de
Afin de rendre le courant I o indépendant de la
u, = u2.
température, on doit réaliser
REMARQUES
1. Si RE = O, la condition VBE3= V'E4 impose
. réalise ainsi un (( miroir de courant ».
I o = l E 4On soit 0- s
.
1 - 12"- 1 1;s' -a).
KT Cette relation devant être vérifiée quelle que soit
2. VT = - avec K : constante de Boltzmann, 1
la température on choisit a = I,ce qui conduit à
e : charge de l'électron, T : température absolue. 2
VT dépend donc de la température. Il en est de R, = R3 et
même de 1, qui est fixé par l'équation
I -E. - 0,6
VT
Io = - ln
RE RJO 3. Vis-à-vis des petites variations autour du point
Pour s'en affranchir, on peut réaliser le dispositif de de repos, on obtient pour le schéma de lafigure 6,
lafigure 7. le schéma équivalent de lafigure 8.
229
comoosants
"O
h21 4 2
Fig. 9.
O L'application de u1 sur le transistor Ti et de

u2 sur le transistor T2 conduit à une tension de
Le générateur de courant h;l ib, soumis à la tension sortie
hl 1
h:l ib, est équivalent à la résistance - 4 h; 1.
h! , -& 1
us = us, -+ us, = - h21Rc
~
hl 1
ud
Le courant i est alors peu différent de ib,

h2 1 soit
-
et le générateur de tension -ib, peut être remplacé
I
h?
.-AL
par la résistance
h21 RE (U, - U 2 ) d'Où Ad = -
-~
+
~
hi2 RE
h;1' h21Rc
hl 1
La résistance équivalente entre les points A et B
1 de l'ordre de 10 MQ.
3. MONTAGE À RÉFÉRENCE
COMMUNE
2.2. ÉTUDE DYNAMIQUE
On obtient un montage à référence commune en
Effectuons le changement de variables complétant le schéma de la figure 3, conformé-
u1 = u,.+
ud
- ment au schéma de la figure 10.
2
Ud
u2 = u, - -
2
Appliquons dès lors le théorème de superpo-
sition au schéma de la figure 3.
O Par suite de la symétrie du montage, l'applica-
tion simultanée sur les deux entrées de la tension

u, conduit à une tension us = us, = O.
O L'application de la tension +-
2
ud
sur le transis-
ud E
tor 7''et de la tension sur le transistor T2
--
2
conduit au schéma équivalent de la figure 9 à Fig. IO.
partir duquel on écrit :
ü d = hll(ib1 - ib,)
Le transistor T3 monté en collecteur commun 1
u,, = h,,R,-(ib2 - ibi) permet de préserver la symétrie de fonction-

h2 1 Rc ' et T2,en ne prélevant
nement des transistors 7
soit us, = - ud.
que très peu de courant sur le collecteur de T2.
~
hl 1
230
On obtient finalement le résultat suivant :

3.1. POLARISATION
I I
Aux conditions décrites pour le montage à sortie
flottante, il faut ajouter la condition suivante :
la tension de sortie us doit être nulle lorsque
u1 = u 2 , soit : l avec
1 I
Ainsi le dispositif amplifie non seulement la

différence u1 - u2 mais aussi le mode commun
u1 + u2
3.2. ÉTUDE DYNAMIQUE 2 .
Ad est l’amplification de dgéérence,
Vis-à-vis des petites variations, le schéma équi- A, est l’amplification de mode commun.
valent de la figure 10 est donné à la figure 11.
Le montage se rapproche d’autant plus d’un
amplificateur de différence idéal que [ A d /est
grand par rapport à IA,I.
On le chiffre par le taux de rejection du mode
commun :
Fig. 11.
La résistance R, est la résistance équivalente du

4. COMPORTEMEMT
E N GRANDS SiGRIAUX
générateur de courant pour les petites variations.
Le montage collecteur commun ayant un gain
voisin de 1 et une résistance d’entrée très grande Le fonctionnement du dispositif n’est linéaire que
devant R,, on peut écrire avec h,, 4 1 : dans la mesure où le point de fonctionnement
décrit une portion de caractéristique i, = f(v,,)
us = - h,,ib,R, assimilable à une droite.
u1 = hllibl + R,(ibl + ib,)h,, Or cette caractéristique est décrite par l’équation :
u2 = h,,ib2 + R,(ibl + ib,)h,,
n +‘
1
ib, - ib, = -(u, - u2),
h, 1
d’où l’on peut déduire :
Fig. 12.
231
composants
Sur le schéma de la figure 12, on peut écrire : Ce phénomène est utilisé dans certains confor-
mateurs qui permettent de transformer les
1
iEl =f(VBEl)
signaux triangulaires en signaux sinusoïdaux.
iE2 = f(VBE2)
On ajoute alors dans les émetteurs une petite
'* E 1 + i,, = I o
2VT
U = U1 - U2 = V B E , - V B E ~ . résistance r, de l'ordre de grandeur de -,
IO
conformément au schéma de la figure 15.
La relation iE2 = f ( u ) peut être obtenue graphi-
quement point par point a partir du diagramme
de la figure 13.
1 "BE1
Fig. 15.
Fig. 13. Nous obtenons alors les relations suivantes :
A un point H de l'axe vertical correspond une

valeur de iE, = O H , à partir de laquelle on déduit
la valeur de i,, = I o - iE, = O'H. On détermine
alors les valeurs correspondantes de v g E 1 et vBEZ
ainsi que u = v B E 1 - v B E , .
On obtient pour la relation iE, = f ( u ) la courbe
de la figure 14.
a partir desquelles on écrit :
- 'Ez
soit u = V, In
l0
+ r(Io - 2 i E 2 ) .
'Ez
La résistance r est choisie de telle sorte que cette

relation s'approche le plus possible de l'équation :
Choisissons, a titre d'exemple I o = 2 mA,

V, = 25 mV. Les figures 16, 17, 18 permettent de 1
Fig. 14.
comparer les courbes
O Pour des petites variations autour du point
M o , les courbes I E = f ( V B E ) peuvent être assimi-
lées à des droites et la relation i,, = f ( u ) est 1
linéaire.
O Pour des fortes variations le courant iE, se
sature d'un côté a O, de l'autre à I o . pour différentes valeur de r.
232
r=25R
-1 4,05 O 0,05
Fig. 16.
Fig. 17.
233
composants
Remarquons que pour r = O et iE2= -

IO
2 + i,, avec Il apparaît donc aux bornes de Rc une variation
de tension us = RCIO U .
--
i,, < I~ la relation u = vTInTI O - IF.
iE2
+ r ( l 0 - 2iE2) vT
devient
vT h 2 1 vT
Sachant que hIl = - = ~
, il vient :
I B Io
soit Io -
- ,z
* = (++ ie2)( 1 + g).
On en déduit, compte tenu de i,, 4 I o ,
qui est bien la relation démontrée dans l'étude
IO
i,, = -- U. dynamique.
vT
EXERCICES
1.
Soit le montage ci-contre.
Diode Zener : U,, = 6,8 V, résistance dynamique négli-
geable.
TI, T, : transistors a effet de champ :
g m = 3 mA/V; gds = O.
T : transistor au silicium :
VBE= 0,6 V; hll = 150; h12 = h 2 , = O,

1 ka; h,, = RS
R , = 2,2 kR; R = 2,2 kR; E = 15 V.
234
1" Quelle valeur doit avoir le courant de drain des deux On construit le circuit de la figure 2 en utilisant trois
F.E.T. pour que U s = 0 lorsque U , = U , = O? amplificateurs de différence identiques à celui de la figure 1.
Pour la valeur précédente de Z, on relève sur la courbe de
transfert des F.E.T., V,, = - 1,5 V. Quelle valeur faut4 On pose y = 5.e2 est le signal appliqué à la base du
VT
donner à R,? Calculer VD,et V,,. transistor Ti.
2" Tracer le schéma équivalent alternatif.
(Les grandeurs alternatives seront notées avec des petites
lettres.)
3" Montrer que l'impédance d'entrée de T est grande

devant RD, et que us N usl.En déduire usen fonction de ugSî.
+
4" Exprimer u1 1.4, et u1 - 1.4, en fonction de ugsl et ugS2.
En déduire ugs2en fonction de ~
u1 + u2
2 et u1 - u 2 .
5" Calculer l'amplification de mode commun et l'amplifi-
cation de différence.
On rappelle que us = A,(ul - 24)., + A, ~
2
-
Calculer le facteur de réjection du mode Lommun;
(application numérique). Comment pourraît-on l'aug-
menter?
2.
La construction de la fonction multiplieur est basée sur
l'emploi du circuit amplificateur différentiel dont le schéma
I Vpl+el 9 I vpl
de principe est donné figure 1. On admettra que, dans les Fig. 2.

ronditions d'emploi fixées ici, la relation liant V, et V, à
i, pour chacun des transistors du montage est : 5" Établir l'expression donnant la valeur du courant
+
1, = 1, . exp tT).
/.,
"B -
r7
"E
\
Z, = I,, Z, en fonction des quantités x,y et 1.
6" Donner une forme simplifiée de cette relation utilisable
lorsque x et y sont très petits devant 1.
3.
L'amplificateur de différence représenté ci-dessous est uti-
lisé en commutation, pour la construction d'une famille
logique appelée E.C.L. (Emetter-coupled logic).
Fig. 1
O Que représentent, dans cette formule, les quantités I o et

k? On admettra que V, = 25 mV à la température
mbiante.
O Calculer les courants collecteur Z, et Z, de chacun des

eux transistors.
O Exprimer Il et Z2 en fonction de Z et de la quantité

Fig. 3.
--
- el
v- a
l n donne :
Donner un développement limité au premier ordre pour l4 = 300 Q; R , = 1,5 ka; Ri = 1,5 ka; RE = 1,18 ka;
et Z, lorsque x est beaucoup plus petit que 1. - E = - 5,2 volts.
235
composants
Potentiel de la base de T4 : - 1,15 volts. 2" On admet dans cette question que le transistor T4 est
La tension base émetteur d'un transistor conducteur est bloqué?
égale à 0,7 volt. a) Calculer Z, et V,.
Une jonction est bloquée si sa tension directe est inférieure b) Montrer que si la base d'un des transistors TI, T,, T3
à 0,5 volt. est portée au potentiel - 0,7 volt, T4 est bien bloqué.
Les courants de base sont négligés devant les courants de Conclure sur la tension correspondant à un état haut.
collecteur.
c) Calculer la valeur minimale de la résistance R autorisant
1" On admet dans cette question que les transistors TI, T,, la non saturation des transistors TI, T,, T3.
T3 sont bloqués.
a) Montrer que le transistor T4 est conducteur et calculer 3" Quelle est la nature de la fonction logique réalisée?
V,, 1 et V,. 4" Calculer la résistance R pour que les niveaux logiques
b) Montrer que si la base des transistors TI, T,, T3 est de la sortie Y' soient complémentaires de ceux de la sortie Y
portée au potentiel - 1,55 volts, ces transistors sont bien
bloqués. Conclure sur la tension correspondant à un état 5" Montrer qu'au cours du fonctionnement, aucun tran-
bas. sistor n'entre en saturation. Conclure sur le temps de
c) Le transistor T4est-il saturé? propagation du signal à travers la porte.
236
am plif icateur
O opérationnel
- impédance d’entrée la plus grande possible,

on retiendra en général une valeur supérieure à
106 sz;
- impédance de sortie très faible, inférieure à
L’amplificateur opérationnel le plus couramment 200 a;
utilisé est un amplificateur de différence à - bande passante allant du continu à une
référence commune. Il nécessite une alimentation fréquence la plus élevée possible;

de polarisation + E et - E. - facteur de réjection du mode commun le plus
grand possible.
Il possède :
- deux entrées : une entrée notée 0dite entrée
inverseuse,
une entrée notée @ dite entrée
non inverseuse;
- une sortie.
2. EQUATION
DES MONTAGES
La référence du potentiel est choisie de façon FONDAMENTAUX
purement arbitraire, cependant il est habituel de
choisir le potentiel à partir duquel sont comptées
les tensions d’alimentation + E et - E , ce qui
garantit à priori une excursion en tension de 2.1. HYPOTHÈSES
sortie symétrique (fig. 1).
SI M PLI FICATRICES
D E L’AM PLI FICATEU R
r-----l+€ OP ÉRATIO N N EL I D ÉAL
a) L’amplificateur opérationnel idéal est un

amplificateur dont l’amplification en tension est
V
infinie. En écrivant : V, - V - = 2,et sachant
I que us est fini on aura :
P
Fig. 1
Dans ce cas on notera : b) L’amplificateur opérationnel idéal est un

amplificateur dont les impédances d’entrée sont
infinies; les courants d’entrée + et - sont donc
nuls,
L‘amplificateur de différence aura les propriétés
suivantes :
- amplification en tension la plus grande
, > 104;
possible, on retiendra en général D ce qui se résume sur la figure 2.
237
composants
REMARQUE
Bien qu’en apparence, les entrées + et - puissent
être permuttées sur l’amplificateur opérationnel
parfait, la stabilité impose que l’entrée + soit reliée à
la référence des potentiels. En effet, une augmenta-
tion accidentelle de v, provoque un accroissement de
1a tension sur 1 ’entrée - et par suite, une diminution
de v, et un retour vers sa valeur initiale.
Fig. 2
2.2. CONVERSION 2.3. MONTAGE INVERSEUR

TENSION-COURANT
ET COURANT-TENSION Le montage (fig. 5 ) résulte de la combinaison des
deux montages précédents (fig. 3 et 4).
Soit le montage de la figure 3.
- Z i
R. 1
“S
Fig. 3 O
Fig. 5
01
Le courant i dans R , vaut -, il se retrouve
Rl
intégralement dans 2. Il est donc constitué d’un générateur de courant
V,
On règle par la tension V, le courant qui passe commandé par v, : i = -.
dans 2 indépendamment de sa valeur. Rl
Le montage vu de AB se comporte comme un Ce générateur de courant i débite dans la
générateur parfait de courant commandé en résistance R , . Entre S et O le montage se
tension par v,. comporte comme un générateur de tension
Prenons maintenant le montage de la figure 4. parfait de valeur : v, = - R2i.
On aura donc :
ou encore :
O
Fig. 4
On voit que l’on est en présence d’un
R2
amplificateur de tension d’amplification - -
Le courant fourni par le générateur de courant se Rl
retrouve intégralement dans R,, on aura donc d’où l’appelation inverseur.
V, = - R,i, ceci indépendamment de la charge 2 Cet amplificateur de tension peut avoir toutes les
placée en sortie. valeurs d’amplification que l’on veut en jouant
Le montage vu entre S et O se comporte comme sur R , et R 2 .
un générateur parfait de tension. V
L‘impédance d’entrée du montage vaut 4
1 = R,,
Ces deux remarques restent valables tant que
I v , ~ < E et que i, < ,,i défini par constructeur. elle est donc imposée par le choix de R , .
238
amplificateur opérationnel
en intégrant :
2.4. M O N T A G E S O M M A T E U R
Le courant i (fig. 6) est la somme des courants
fournis par les n générateurs de courant (l’entrée
moins se comporte comme la référence de
potentiel O) : Le montage se comporte comme un intégrateur, il
est à remarquer que l’impédance d’entrée du
1 v,= -2 R
VI
Ro
--
R2
v2
Ro
- -v3
R,3
- ...
montage est toujours égale à R.
2.6. GÉNÉRALISATION
Considérons le montage défini par la figure 8.
Vl
-
1; , . Entrée
Fig. 6
~ ~~ ~~~
2.5. M O N T A G E INTÉGRATEUR Fig. 8
V Les quadripôles Q et Q’ sont connus par leurs

Le générateur de courant i = 2 (fig. 7) débite paramètres admittance Y.
R
dans le condensateur de capacité C. Le généra- Ces quadripôles Q et Q’ fonctionnent à tension de
teur de tension de sortie v, est donc défini par la sortie nulle (la différence de potentiel entre les
différence de potentiel qui apparaît aux bornes entrées + et - est nulle).
de C. Les courants de sortie I2 et 1; des deux
C
quadripôles sont définis par :
la = 3 i K
I; = 31K
L Comme le courant absorbé par l’entrée - est nul
on a :
l v1 r t vs
on en déduit :
Fig. 7
On a :
Ce résultat est utilisé pour la réalisation d’une

fonction de transfert donnée, il suffit de trouver
les quadripôles Q et Q’ qui permettent de
y2 1
On en tire : synthétiser le rapport =.
V1
du, = - - dt, y; 1
-
RC C’est le principe d’une famille de filtres actifs.
239
corn posants
2.7. MONTAGE
N O N INVERSEUR
Considérons le dispositif de la figure 9 :
-
Fig. 10
Pour obtenir un amplificateur de différence il faut

A que *les coefficients de v, et de v, soient égaux
donc :
Fig. 9.
Les courants circulant vers les entrées + et -

étant nuls, le même courant i circule dans les
résistances R , et R,. De plus, les potentiels des c’est-à-dire :
entrées + et - étant égaux, le montage
fonctionne comme un potentiomètre élévateur de On aura alors :
tension.
On en déduit que :
Reprenons l’expression générale dc v, : Y

3
On a donc un amplificateur de tension non

v, =
+
Rl R 2 (v2
R4
+
R3 R4
- v1 R2
R, + R,
).
inverseur, dont l’impédance d’entrée est infinie. v1 + 0 2
En posant
I V c = 2’
REMARQUE
‘ = v2 - v1
I
Le montage particulier donné par R , = O et R , infini
est appelé montage suiveur de tension; il est utilisé vd
en adaptateur d’impédance car il a une impédance O1 = Oc - 2’ il vient :
d’entrée infinie, une impédance de sortie nulle et un et en remarquant que
gain de tension égal à l’unité. v , = 0, + -,2vd
2.8. A M PLI FICATEU R

D E DIFFÉRENCE
En écrivant l’égalité des potentiels des entrées + - R1

- +R2
et -, sur le montage de la figure 10, il vient : Rl
+-( 2
R4
R3+R4
+ R , R+2R , )].
R4 En comparant cette formule à l’expression
= v2
vg
+
R3 R4’ générale de la tension de sortie d’un amplificateur
de différence (v, = A,v, + AdVd), on écrit :
d’après vA = ug on obtient : amplification de différence :
+
v, = R 1Rl R2 [ V 2 - - V LR4
R,+R, R2 1.
240
amplification de mode commun : on a v1 = RI,

US
eëw,
a condition que o1 soit positif on aura alors :

V1
A d . us = - V, In --,
facteur de réjection du mode commun : K =- . RI,
AC
ou encore :
K=-x R4(R1 + R2) + R 2 ( R 3 + R4)
R4(R1 + R2) - R 2 ( R 3 + R4)
+ +
1 us = - vTin vl + constante 1
-1
-- x
R1R4 R2R3 2R2R4
2 R1R4 - R2R3
On constate que la sortie est une fonction affine
Il est à remarquer que le facteur de réjection du du logarithme de la tension d’entrée.
mode commun dépend de la précision avec
laquelle est réalisée l’égalité En inversant la position de la résistance et du
R1R4 = R2R3.
transistor on aura un générateur de courant
commandé en tension de façon exponentielle, la
différence de potentiel en sortie est alors une
fonction exponentielle de la tension d’entrée.
2.9. M O N T A G E À ÉLÉMENTS
NON LINÉAIRES
Le principe revient à insérer un dispositif non
linéaire dans une des branches. Soit dans la
branche générateur de courant, on dispose alors 3.AMPLIFICATEUR
d’un générateur de courant commandé de façon OP~RATCONNELREEL
non linéaire. Soit d’alimenter, par le générateur de
courant, un élément dont la réponse en tension
n’est pas linéaire. Les amplificateurs opérationnels que nous
Ce cas est utilisé pour réaliser l’amplificateur utiliserons se différencient de l’amplificateur
logarithmique de la figure 11. opérationnel idéal par trois types d’erreurs.
O Les erreurs dites de ((calcul ))
Elles résultent de la valeur finie des paramètres de

l’amplificateur opérationnel :
- amplification non infinie,
- résistance d’entrée non infinie,
- résistance de sortie non nulle.
Fig. I I
0 Les erreurs dites ((statiques))
Le courant i, est lié à la tension ugE par la relation
VBEe Elles sont dues à la présence de générateurs de
i, = I, e r . tension et de courants parasites.
KT
-= 25 mV à la température ambiante,
e 0 Les erreurs dites (<dynamiques ))
KT
On pose -= VT. Dues à la présence d’éléments réactifs et aux
e
limitations en fréquence des composants actifs,
elles limitent la bande passante de l’amplificateur
VBE opérationnel réel,
,i = I, ew,
On aura alors :
[ î c = R V. 1 Nous allons étudier dans cet ordre les conséquen-
ces pour l’amplificateur réel.
241
composants
4. ERREURS DITES
DE «CALCUL»
1
G=-.
4.1. E R R E U R D U E PP
À L’AMPLIFICATION F I N I E
L’étude de l’erreur dynamique nous montrera
Prenons le montage défini par la figure 12. qu’en régime sinusoïdal établi, le gain ,u est
R2
complexe et que son module diminue en fonction
Fig. 12. de la fréquence. La figure 13 donne un exemple
de variation de dans le diagramme de Bode.
100
80
L‘amplification différentielle de l’amplificateur
60
opérationnel est finie et égale à p, soit :
us = P ( V Z - UA). 40
A partir de l’expression de uA :
20
il vient 102 103 104 105 106 f
Fig. 13.
Rl
On pose fi =
R, + R,’ Considérons le montage particulier de la figure 14
en remarquant que 1 - P =R,
R2 R,, il vient :
+
dans lequel R , = 1 kR et R , = 10 kR.
Il s’agit d’un montage inverseur dont le gain
P théorique en tension est égal à 10 et pour lequel
us = Ch - u,(l - P)1,
1 + PP
~
donc : P = R , + R, -_ _1
1 1 11‘
us=-. -Cv, - - P)I.
1
1
+-PP P
Si l’amplificateur opérationnel avait été idéal, on

aurait obtenu (pour pm) :
1
(Vs)idéai = - Cu, - v 1 (l - P)1*
P
On peut donc comparer la sortie du montage réel,
avec la sortie qu’aurait donnée un amplificateur
opérationnel idéal; on a alors :
1 Fig. 14.
us =
1 ’ (us)idéal,
~
1 +-PP Le module de u , passe de 10000 à 100 lorsque la

en développant on obtient : fréquence d’utilisation passe de 100 Hz à 10 kHz
11
et le module de l’erreur relative passe de -
10O00
. 11
a -.
100
242
am pl if ica teu r opération ne1
L’erreur systématique due à l’amplification finie en remarquant que R, = PR, et R, = (1 - P)R,,

par défaut à 1 O00 Hz vaut 1,1%, on peut donc il vient :
considérer que les propriétés du montage sont
peu altérées jusqu’à 1 O00 Hz.
4.2. E R R E U R D U E A
L’IMPÉDANCE D’ENTRÉE
NON I N F I N I E
Reprenons le schéma de la figure 12 auquel nous

ajoutons la résistance RE (fig. 15).
R2
En posant p R = ’+ R E , on obtient :
RE
Cette formule est à rapprocher de celle obtenue

au paragraphe précédent.
Tout se passe comme si l’amplificateur opéra-
tionnel avait une résistance d’entrée infinie et une
amplification donnée par :
Fig. 15 M E
pR =
+ RE ‘
Écrivons la loi des nœuds au point A
L’erreur relative devient donc :
La différence de potentiel à la sortie est : La présence de RE se Caractérisera par une

v, = - P(VA - 02), multiplication de l’erreur relative par le facteur
on en tire le potentiel du point A : (1 +2).

Dans le cas du montage de la figure 16, RI, vaut
45 ka.
Dans la notice constructeur on trouve
on le reporte dans l’équation des courants :
VS
REmin= 300 kQ, on aura alors 3
RE
= 0,15.
L’erreur relative passera alors à : G x 1,15 pour

toute la gamme de fréquence.
500 ka
- --
V1 +v2[-- 1 +-+-+LI.
1 1 m
Rl RE Rl R2 RE
Rl
P = Rl + R2’
On pose
R l R2
RI, = R l + R2’ Fig. 16
243
corn posanrs
On a alors : vs = - ,us . v A .
4.3. ERREUR D U E
À LA RÉSISTANCE Donc tout se passe comme si on avait un
D E SORTIE amplificateur opérationnel d’amplification ps ;
NON N U L L E pour connaître l’erreur que cela introduit dans un
montage inverseur on peut appliquer la formule
calculée précédemment :
On peut modéliser ce fonctionnement en prenant
l’amplificateur opérationnel précédent auquel on 1
&=-
ajoute la résistance Ro en série sur la sortie, on BP’
obtient alors le montage de la figure 17. et remplacer p par ,us.
R2 L’erreur relative E est multipliée par
I
Pour minimiser l’effet de Ro il faut prendre RL
et R2 grands devant Ro.
- Comme l’amplificateur opérationnel réel pré-

Fig. 17 sente une résistance de sortie non nulle, il en sera
de même pour tous les dispositifs faisant intervenir
Nous aurons donc : cet amplificateur. Calculons, à titre d’exemple, la
résistance de sortie du montage de la figure 18 :
-
A
M
-
A
R Fig. 18.
Comme R2 est très grand devant 2 (qui peut
P
1 Le calcul de la résistance de sortie conduit au
aller de 10-3 R à 10 R), on peut négliger - schéma de la figure 19 :
R2
P
O
devant -, on aura donc :
RO
v = - - xP VA
Ro
-+-+-RL1
1
Ro
1 ’
R2 I A A
donc :
Fig. 19.
v = - P
1+Ro (iL
-+- R,) VA. Le générateur de courant - impose un
RO
courant proportionnel à la tension à ses bornes
On peut poser :
P
(V, . R’ilR2). Il est donc équivalent à la
1+R, -+- i2)

(iL =Ps.
Ro Rl + R 2
résistance - x
P Rl
244
am pl if icateu r opération net
La résistance de sortie résulte donc de la mise REMARQUE

en parallèle des trois résistances R , R 2 , + L’inconvénient du générateur de tension d’offset V,,
résulte moins de sa valeur propre que des variations
X
qu’il présente en fonction de la température ou
P lorsqu’on passe d’un échantillon ù l’autre dans un
p étant très grand par rapport à 1, les résistances même lot de composants.
+
R , et R , R, sont grandes devant le résistance Le constructeur ne peut préciser ni le signe, ni la
Ro X
-
valeur de V,, (sinon il aurait corrigé son composant
+ R 2 et leur influence est négligeable. en conséquence).
P R, I l indique la valeur maximale du module VD;(1 V,, 1-J.
Pour R , = 1 ka, R, = 10 ka, R, = 100 a,
‘
p = 104, la résistance de sortie du dispositif de la On appelle dérive thermique le rapport de la
variation de tension résiduelle d’entrée ù la variation
figure 18 s’établit à : de température A0 qui lui donne naissance :
Dans la plupart des dispositifs, la résistance de

sortie sera ainsi très faible et pourra être négligée. Elle est due ù la variation relative des tensions uBEen
fonction de 8 des transistors de l’étage différentiel
d’entrée.
Cette dérive en température conditionne pour une
bonne partie la stabilité de la tension de sortie en
5. ERREURS DITES fonction de la température de fonctionnement.
STATIQUES N
44 Ainsi, le réglage exact du potentiomètre d’offset n’est
valable que pour un composant et une température
donnée.
5.1. TENSION RÉSIDUELLE
D’ENTRÉE
5.2. COURANT DE
La différence de potentiel en sortie de l’amplifica- POLARISATION D‘ENTR ÉE,
teur opérationnel n’est pas nulle .lorsque l’on COURANT RÉSIDUEL
connecte les deux entrées à la référence de D‘ENTRÉE
potentiel.
Le constructeur indique comment réaliser à l’aide L’hypothèse des courants d’entrée nuls est une
d’un potentiomètre extérieur un montage per- approximation pour les amplificateurs opéra-
mettant de se rapprocher d’une tension de sortie tionnels réels.
nulle.
I
- 1-.
Il31
-
I
Pour des facilités de calcul, ce défaut est ramené
sur l’entrée : on appelle tension résiduelle d’entrée
(notée V’,) en anglais offset, la différence de
potentiel que doit fournir une source de tension - -
placée entre les deux entrées et qui permet d’avoir Fig. 21
une différence de potentiel en sortie nulle (fig. 20).
Nous avons placé un générateur de tension
n entre une entrée et la masse (fig. 21)’ l’autre
entrée étant à la masse, telle que la différence
“Oi l de potentiel à la sortie soit nulle; nous constatons

que les deux entrées sont parcourues par des
courants I,, et IB2.
Nous appellerons :
Fig. 20 - courant de polarisation, le courant
La tension résiduelle (en appliquant le principe

de superposition) peut être figurée comme un
générateur de tension d’erreur en série avec l’une - courant résiduel d’entrée (en anglais courant
des deux entrées de l’amplificateur opérationnel. d’offset), le courant I D , = I,, - I B 2 .
245
Nous pouvons les représenter schématiquement 11 est tentant de dire qu’il suffit d’ajuster le
par deux générateurs de courant I,, et I,, sur les potentiomètre d’offset de façon a donner à VD,
deux entrées de l’amplificateur Opérationnel. une valeur telle que la tension.v, soit nulle. Mais
un tel réglage ne peut être qu’illusoire compte
tenu des variations de VDl,IBlet I B 2 avec la
REMARQUE température et compte tenu de leur dispersion
Les courants de polarisation I , et d’offset I D , sont dans un même lot de composants. Afin d’optimiser
susceptibles de variations : le dispositif, il apparaît intéressant de calculer v,
a) enfonction de la température :Soient AIBet AIDl
les variations de 1, et ID, résultant d’une variation en fonction de IBet de ID,.Nous avons :
de température A6. On défmit :
a dérive thermique du courant de polarisation 1,
par : DI, = Al,

p;
A0
a dérive thermique du courant offset ID, pur :
“DI .
DID, =-
Aû ’ et
b ) en fonction du composant : Nous pouvons
remarquer, à ce propos, que le signe des courants
1,, et I,, est identique et qu’il dépend de la nature Si nous reportons dans v, nous aurons :
(NPN ou PNP) des transistors de l’étage dflérentiel
d’entrée. I l est donc possible de connaître le signe
de I, alors que le signe ID, peut varier d’un composant
à l’autre.
Le constructeur indique les valeurs maximales du
module de 1, et de ID,.
soit
Conséquences pour quelques montages
a ) Amplqicateurs inverseur et non inverseur
Sur le montage de la figure 22, si l’amplificateur
est idéal, la tension de sortie est nulle; cependant,
on observe une différence de potentiel en sortie v,
due aux erreurs statiques. 2
+-[1 + R,(&+$)].
R2
Il est alors possible de déterminer la valeur de
r-+I--l 1u,1 en fonction des données du constructeur,
IvDIImax, IIBlrnax, IIDllmax, en écrivant :
Fig. 22
L’écriture de la loi des nœuds au point A conduit Nous pouvons, dès lors, remarquer que le
à: courant de polarisation n’intervient pas dans la
formule précédente, si l’égalité
soit :
1-R3-+-
(il L2) =O
est réalisée, soit :

1 1
--
__- +- 1
R3 Rl R2
246
En conséquence, pour minimiser l'influence du Dans ce cas aussi, le courant de polarisation I,

courant de polarisation, on placera dans le est sans effet si les deux entrées voient la même
montage inverseur entre l'entrée plus et la masse résistance (R = R').
une résistance égale à la résistance vue par l'entrée Afin de rendre le montage intégrateur utilisable,
moins. on monte, en parallèle sur le condensateur C, une
résistance R, (fis. 24).
6 ) Montage intégrateur
Si les grandeurs électriques VD,, IBl, I B 2 , ne
constituent qu'un phénomène génant pour les
I + 1
amplificateurs inverseur et non inverseur, elles
rendent, par contre, inutilisable le montage
intégrateur tel qu'il a été défini sur la figure 7 .
Considérons, en effet, le montage de la figure 23.
II
R
i
A- D
vD 1
Fig. 24.
-
-O+
R' G - 2
w I
Si l'on suppose que VDl,IBlet IB2sont constants,
Fig. 23. la somme i + ,i est constante ainsi que le
potentiel du point A .
L'écriture de la loi des nœuds au point A conduit Supposons que le courant i soit positif, la tension
à:
v, augmente
( 2)i =C L entraînant I'accrois-
sement de la tension de sortie u s . Le courant i,,
Il apparaît donc dans le condensateur C un +
croît et, comme i i, = Cte, le courant i
courant non nul et mal défini dans la mesure où diminue jusqu'a son annulation complète.
VDl, IB2et IBlsont susceptibles de variations en La tension de sortie v, se fixe donc à une valeur
fonction de la température et de la dispersion des telle que i = O. Sur le montage intégrateur parfait
composants. la tension v, serait nulle. Calculons sa valeur sur
du le montage intégrateur réel :
Compte tenu de la relation i = C 2, la tension
dt V= - RIB,,
v, évolue uniformément, entraînant la tension de
en A :
sortie O, vers la saturation de l'amplificateur
opérationnel (v, = + E , ou - E).
On peut, bien sûr, minimiser le courant i en
réglant VD, par le potentiomètre d'offset, mais il
n'est pas possible de l'annuler totalement et de donc :
toutes façons la moindre variation de tempé-
rature détruirait ce fragile équilibre.
Le courant i dans le condensateur peut être
exprimé en fonction de IBet ID, :
soit :
On constate que O, est stable, mais n'est pas nulle,
pour la rendre la plus faible possible, il faut donc
choisir R , la plus petite possible; cependant, on
247
corn posants
ne peut pas diminuer R, autant que l’on voudrait, On constate que les fonctions de transfert _Tet
car on perdrait alors la propriété intégratrice du 10
dispositif. T, ne sont confondues que pour CU > 10 C U , =-
-
ROC’
Déterminons, par exemple ‘le comportement de
l’intégrateur réel en régime sinusoïdal permanent On ne pourra donc pas choisir une valeur trop
(fig.25) : faible pour la résistance R,.
5.3. FACTEUR DE RÉJECTION

DU MODE COMMUN
Nous avons vu, qu’en toute rigueur, la tension

de sortie d’un amplificateur de différence (fig 27),
dépend non seulement de la différence des
Fig. 25. tensions d’entrée O, - u 2 , mais aussi du mode
v 1 + v 2 , soit v , = p ( u l - u 2 ) + g v1 + u 2
commun
~
La loi des nœuds au point A conduit à : ~
2 2 .
Alors que, pour l’intégrateur parfait ( R , --+ CO),

on obtient :
Fig. 27.
Afin de comparer les intégrateurs réel et parfait,

p est l’amplification de différence, g est l’ampli-
traçons les variations de _T et de T, dans les
diagrammes de Bode (fig.26). fication de mode commun. On définit le facteur
de réjection du mode commun par KKMc= -.
9
Pour un amplificateur opérationnel, la différence
VD1= ul - u2 est faible par rapport à u , , ce qui
permet d’écrire avec une bonne approximation :
20 log
= pvD1 + gvl*
Nous pouvons en conclure :
c
Fig. 26. O - Pour les montages dans lesquels l’entrée
non inverseuse est reliée à la masse, (u, = O
et us = - (p - i) v2 N - pu2), le facteur de
réjection du mode commun est sans influence.
- Pour les autres montages, nous pouvons
- t conclure à partir de
* i
l
I 1
I I
O, O, lOW,
-
10
248
am pl if icateu r opérationne1
que l’influence du taux de réjection du mode

commun se ramène à celle d’un générateur de
tension d’erreur (analogue à VDi) : V 1 place en
série sur l’entrée non inverseuse.

KRMC
~
”:-
1
-
+
-
A - - A
Il est difficilede spécifier avec précision la valeur
Fig. 29.
du facteur de réjection du mode commun car il
dépend fortement de la température et de la On y distingue :
tension de mode commun. - Un premier étage, fonctionnant en ampli-
ficateur de transconductance, et constitué
O d’un générateur de courant GVDl,
O d’une résistance de sortie R,.

5.4. FACTEUR DE RÉJECTION
- Un deuxième étage fonctionnant en ampli-
DES TENSIONS
ficateur de tension, de résistance d’entrée Re et
D’ALIMENTATION
de gain A , .
En pratique plusieurs éléments parasites inter-
Une variation des tensions d’alimentation + E viennent sur ce montage.
et - E provoque une variation de la tension de
- Une capacité parasite Co apparaît entre
sortie us. Pour faciliter la définition, ce défaut est
l’entrée et la sortie du second étage.
ramené sur la tension d’offset VD, (fig. 28).
- En régime sinusoïdal permanent, la trans-
conductance G est complexe et s’écrit :
T +€ G=-
-
GO
l+j-
f
f 2
où fi est de l’ordre de quelques mégahertz.

1-E I En régime harmonique, et en posant
R , = Rs Re , l’amplificateur opérationnel peut
Rs + Re
~
Fig. 28.
être décrit par le schéma de la figure 30.
On appelle facteur de réjection des tensions
d’alimentation, le rapport :
KR.=(-> .
*Vil us=cte
Pour une variation A E des tensions d’alimen- -

tation, AVDl est la variation qu’il faut imposer au Fig. 30.
générateur de tension d’offset pour maintenir la Le courant 1 dans le condensateur s’écrit :
tension de sortie constante.
Compte tenu du bruit tolérable sur la tension de - +
I = (1 A,)yjC,o,
sortie, le facteur de réjection des tensions il est identique a celui qui serait appelé par la
d’alimentation permet de déterminer la qualité +
capacité C = C,(1 A,) placée en parallèle sur
du découplage des tensions d’alimentation E + la tension 1.
et - E. De plus, ce courant 1, appelé par une capacité
parasite, est négligeable par rapport au courant
de sortie lo,ce qui conduit au schéma équivalent
de la figure 31.
6. ERREURS +
DITES «DYNAMIQUE$»
En régime dynamique linéaire, l’amplificateur

opérationnel est équivalent au schéma de la -
figure 29. Fig. 31.
249
Il vient ainsi : Ordres de grandeur
On peut donner pour les fréquences fi et f2 les
%=-At'- '- 1 AoRod
+ jR,Ccr,
- - 1 ordres de grandeur suivants :
fi N 200 kHz et f2 N 3 MHz.
De plus, le gain p o en continu est très élevé (de

l'ordre de 106).Compte tenu de f2 9 fi et ,uo 9 1,
il vient :
-
Le diagramme asymptotique de
m=
1
2Jfifi
(fi + f 2 )
1
2
N- J-fi
f2
20 lg
la
- =
est donné sur la figure 32, avec LI,

fCf)
= A , R, Go.
et
soit fc N JPOflf2 *
6.1.AMPLIFICATEUR
O PÉRATIO N N EL
EN BOUCLE FERMÉE
Soit le dispositif de la figure 33. En supposant

que la résistance d'entrée de l'amplificateur
Fig. 32. opérationnel est infinie, nous avons établi (para-
graphe 4.1) qu'un gain ,u non infini conduit à
l'expression de la tensionde sortie :
La fonction de transfert :
peut aussi être écrite sous la forme :

Po
P=
- 1
-
i + 2jm -
PO
f + (j
fo
i) 2 ,
Fig. 33.
Soit _Vso la valeur que prendrait la tension de

sortie si l'amplification était infinie,
1
Ys0 = - cv, - &(l - P)].
P -
Remarquons que la fréquence fc pour laquelle
lpl = 1, (20 lg l,ul = O) est telle que L'expression de la tension de sortie Ys devient :
250
am pl if icateu r opération ne1
soit, compte tenu de k = PO importante que le coefficient d’amortissement m’

f
1 + 2jm - + (j
fo
$J~ est plus faible.
POP
Ys = Ys0
Ys -- POP
Ys0 1 + POP ____c
f
1
-40 db/dec
1+2j-- 1 + P O P f Of + ( j f0J- f > ’
que l’on peut mettre sous la forme : Fig. 34.
- L’équation entre les nombres complexes :

YS -
P6
Ys0 + 2jm’ +
1 POP
1
WO
provient de l’équation différentielle :

J
d2us du
avec
dt2
+ 2m’co; 2
dt
+ O J ~ ~ U=, C O ~ ~ ~ ~ U , , .
Pour la réponse indicielle, la tension us, est un
échelon de tension.
Dans le cas où m’ est inférieur à 1, la réponse est
de la forme :
Ordres de grandeur v, =A e-m‘wbtCOS [c~);Ji-m;zt + cpl,
Compte tenu de p0 z 106, et sachant que P est
rarement inférieur à 1 0 - ~il, vient p o p s 1, ce qui dont la représentation est donnée à la figure 35.
conduit à :
Conséquences
vs N ~6 z 1, la tension O///
a) En basses fréquences =
Ys0 Fig. 35.
de sortie n’est pas altérée.
m Il apparaît des oscillations qui sont d’autant plus
b) m’=- . Sachant que p o p est grand
&J faiblement amorties que le facteur d’amortis-
sement m’ est plus faible.
par rapport à 1, nous déduisons que m’ est très
inférieur à m, ce qui peut présenter des consé- Globalement, l’utilisation de l’amplificateur opé-
quences fâcheuses : rationnel en boucle fermée conduit à un coefficient
- En régime harmonique la fonction de
d’amortissement très faible
- 20 lg (2m’ Ji-)
IE01
transfert 20 lg .=- présente une remontée de
(jig. 34), d’autant plus
qui provoque l’apparition d’oscillations, de fré-
quence voisine de f 0 , pour la réponse indicielle
251
corn posa nts
et qui se traduit sur la réponse harmonique par remontée, en faisant passer le coefficient d’amor-
une amplification préférentielle des fréquences tissement a ml, = 0,7. Sachant que la remontée
voisines de fo. Ces phénomènes sont gênants et de la courbe de réponse en fréquence dépend de
peuvent conduire, compte tenu de couplages m’ par - 20 lg î m ’ J ï T P , il vient :
parasites supplémentaires,jusqu’à l’oscillation du
système.
Il convient donc de limiter le phénomène à l’aide
lg 2 4 Jm 6
= - - = - 0,3,
20
de réseaux auxiliaires de compensation. 1 1
soit 2m; JTY@ = - et
2
mi2(i - mi2) = -, où
16
1
mi4 - mi2 + - = O, ce qui conduit à :
16
6.2. RÉSEAUX
D E COMPENSATION
mi = = 0,26.
6.2.1. Compensation par retard de phase
Proposons-nous, à partir de l’expression du Sachant que m’ dépend de la fréquence fi
facteur d’amortissement : k
sous la forme m’=- et compte tenu de
1 fi
nous déduisons que le
” = 2?IR,C,’(I + Ao)’
de prévoir une modification du dispositif sus- facteur d’amortissement m’ varie comme la racine
ceptible de ramener la valeur de rn’ :lu oisinage carrée de la capacité parasite Co.
de l’unité. Par conséquent, pour faire passer le facteur
Rl , dépend du gain souhaité en d’amortissement de m; = 0,26 à ml, = 0,7, il faut
o p = 07
R l + R2 le multiplier par L, ce qui correspond à une
boucle fermée et ne peut donc re modifié. 0,26
O f2 : fréquence de coupure du .,remier étage est multiplication de la capacité parasite Co par
technologiquement limitée.
O p0 : gain en tension en continu, ne peut être
(&j2.
. I
La valeur CO de la capacité qui permet
réduit sans augmenter les erreurs de calcul. d’annuler la remontée de la courbe de réponse
Le seul paramètre susceptible de provoquer un en fréquence est donc :
accroissement de m’ est une diminution de la
fréquence fi.
Les amplificateurs opérationnels qui possèdent

a) Capacité de compensation une capacité de compensation intégrée dans le
Rappelons que la fréquence de coupure fi dépend boîtier présentent une courbe de gain qui a
essentiellement de la capacité parasite Co par l’allure décrite à la figure 36.
1
Une augmentation de Co
” = 271ROCO(l+ A o ) *
provoque une diminution de fi et, par suite, une
1 20 loglcll
augmentation de m’.
Cette capacité peut être extérieure au boîtier ou
peut être directement intégrée dans l’amplifi-
cateur opérationnel.
Exemple de calcul
Considérons un montage inverseur pour lequel
la courbe de réponse en fréquence présente une
remontée de 6 db, lorsque la capacité Co est égale
à 5 pF. Proposons-nous de déterminer la valeur
CO de la capacité qui permet d’annuler cette Fig. 36.
252
am p I if i cate u r opération ne1
La fréquence de coupure f i , de l’ordre d’une Dans les conditions les plus favorables, nous
dizaine de hertz, est très faible par rapport à la obtenons le schéma partiel équivalent de la figure
fréquence f 2 si bien que la fonction de transfert 39. Vis-à-vis des variations rapides, la tension II
PO reste faible, le courant dans la résistance R, est
en tension peut être assimilée à =
négligeable et avec une bonne approximation,
~
l+j-
f’
nous pouvons écrire :
fi
En conséquence, l’amplificateur non inverseur du
IOsat = - c -,
.
soit v =
- Iûsat
t + K,
dont la fonction de transfert est : dt
~
C
P
- -
- PO
et
+iP 1 + p o p + j -f
fi
Présente les propriétés suivantes (fig. 37) :

Po 1 Rl+R2. Fig. 39.
O gain en continu : N- =
P
~
1 +POP Ri ’
O fréquence de coupure fi(l + p o p ) ; La vit sse de montée de la tension de sorti est
O la remontée de la courbe de réponse en
AoIosat
fréquence est nulle. ainsi limitée à une valeur ~ d’autant plus
C
faible que la capacité de compensation C est plus
élevée.
l 3 Réponse en
/ boucle ouverte
On appelle Slew rate S, cette vitesse maximale de
montée (elle est de l’ordre d’une dizaine de volts
par microseconde).
-20 I boucle fermée
Conséquence
Pour une tension d’entrée sinusoïdalede fréquence
élevée, les variations de la tension de sortie sont
décrites par des segments de droite dont la pente
est limitée par le slew rate S (fig. 40).
Fig. 37.
Tension d’entrée
b) Le Slew-rate ,Tension de sortie
Rappelons que l’amplificateur opérationnel peut
être décrit par le schéma de la figure 38 dans
lequel, la stabilité du système impose une valeur c
conséquente de la capacité C. Cette capacité t
freine la vitesse de variation de la tension à ses
bornes, limitant ainsi la vitesse de montée de la
tension de sortie v,. L‘évolution de la tension v
aux bornes de capacité C est d’autant plus rapide Fig. 40.
que le courant qui la traverse est plus élevé, mais
ce dernier est limité à IOsat par la saturation du Pour une tension de sortie de la forme v, = sin wt,
premier étage. le phénomène impose la limitation suivante :
du,- -
- Vsco cos cot < S quel que soit t,
dt
soit ~ , < w S . Le slew rate limite la fréquence à
une valeur d’autant plus faible que la tension de
Fig. 38. sortie est plus élevée.
253
composants
c) Compensation par réseau d’entrée 6.2.2. Compensation par avance de phase

Sur le schéma de la figure 41, le réseau de
compensation constitué par les éléments R, R,, Cette compensation est réalisée en plaçant une
C1 permet de modifier la fonction de transfert en capacité C, entre l’entrée - et la sortie du premier
VS v, étage ce qui conduit au schéma équivalent de la
tension, en la faisant passer de -
p == à ,uc= =. figure 42 :
D
!i - 5
Fig. 41.
1 + jRoCco 1 + jRoCco
+
Soit
soit Ys = YDl +
GR, jRoC,w ] A o ,
+
1 +JRo(C C,)co
où compte tenu de G = 7
co
l+j-
1 +jR,C,co U 2
=- 1 + ( 2 R + R,)jC,co‘
il vient + 1 + jRo(C + C,)co
1 1
avec coi = et cul, =-.
(2R + R W l R l Cl +
Si les éléments R, et C1 sont choisis de telle sorte
Fig. 42.
1
que col, = col = , la fonction de transfert
Rl c1
~
corrigée devient :
O En basses fréquences, le second terme est
négligeable et l’on retrouve une fonction de

PO
transfert de la forme -
p = (l+j-$)(l+j;)’
Au total, tout se passe comme si la pulsation col avec coi = Ro(C + C,)co.
était remplacée par coi très inférieure à col dans
la mesure où les résistances 2R sont très grandes
O En hautes fréquences, le second terme devient
par rapport à R I .
prépondérant et la fonction de transfert tend vers
L’effet produit est ainsi identique à celui pro-
voqué par l’accroissement de la capacité para- jRoCrcoAo - CrAû
site Co. P=
- +
jRo(C C,)co C C,’ +
254
En pratique, les fréquences de coupure supé- A 20 log

rieures à f2 provoquent une décroissance du gain
et la représentation de 1 ~ dans
1 les diagrammes
de Bode est décrite à la figure 43.
Dans ces conditions, -

1.1peut être assimilé a
PO
P=
- 9
Co
l+j7
0 1
ce qui élimine les risques d'instabilité. Fig. 43.
EXERCZCES
1. 2.
On associe un amplificateur opérationnel, supposé parfait, Le schéma de principe d'un échantillonneur-bloqueur est
à cinq admittances comme l'indique la figure ci-dessous. donné à la figure 1. L'interrupteur K obéit à une variable
logique de commande.
1" Par application de la loi des nœuds aux points A et B,

montrer que la fonction de transfert en tension _T
v
2
= = se
-
Vl
Fig. 1 .
"' ?y-$
met sous la forme T I T I
1" On suppose dans cette question que l'amplificateur
opérationnel est parfait.
Acquisition : A l'instant t = O, la tension u2 étant nulle,
2" Les admittances sont realisées par des résistances ou par [u2(0 -) = O], on ferme l'interrupteur K .
des condensateurs. Comment faut-il choisir les admittances
-
Y,, x2,x3,x4,x5
précédent :
pour réaliser, à l'aide du dispositif
a) La tension u1 est une tension constante E. Établir
l'équation différentielle de u2 et trouver la loi de variations
u2(t).Calculer, en fonction de R et de C, le temps ta, au bout
a) un filtre passe-bas du second ordre de transmittance
-
1' =
-1 duquel l'erreur G =2 ('1
est + inférieure à 10-3.
- E
Application numérique R = 1 kR, C = 300 pF.
b) un filtre passe-haut du second ordre de transmittance b) La tension u1 est une tension sinusoïdale :
q ( t )= E f i sin (27Cft + cpo).
T=
- Établir en régime sinusoïdal permanent la transmit-
v
2
tance _T = =.
Vl
c) un filtre passe-bande de transmittance Calculer lafréquence maximale f , qui permet d'obtenir,
O E - V2
- 2im - sur les valeurs efficaces, une erreur G R = inférieure
~
0 0 v
2
T=
- à 10-3.
!?locage : A l'instant t = te, on ouvre l'interrupteur K .
Montrer que la tension u2 reste constante et égale à u2(te).
3" Est-il possible avec une telle structure de réaliser un filtre
réjecteur? 2" On suppose dans cette question que l'amplificateur
255
comoosants
Opérationnel peut être décrit par le modèle de la figure 2. transmet les signaux d'horloge au compteur pour le
Que représentent I, et V,? décrémenter.
--------- a) Établir la loi de variations v,(t) de la tension us.
1 Amplificateur opérationnel 1
I parfait -, 1
b) Calculer l'instant t , pour lequel le compteur est à zéro.
Quelle est alors, en fonction de V , R, C, T,, la valeur Vs,
de O,?
I
I Fig. 2. Phase 2
Au passage du compteur par zéro, la logique de contrôle
1 ouvre l'interrupteur K , et ferme l'interrupteur K , , puis elle
Amplificateur réel
I incrémente le compteur au rythme de l'horloge.
L - - - - - - - -J, a) Établir la loi de variations v,(t) de la tension us pour
t > t,.
Acquisition : La tension u1 est constante et égale a E. b) La logique de commande repère le basculement du
A l'instant t = O, la tension 0, étant nulle (u,(O -) = O), comparateur. Elle bloque alors le compteur à sa valeur N ,
on ferme l'interrupteur K . Établir l'équation différentielle ferme l'interrupteur K , et ouvre l'interrupteur K , . Établir
de u 2 , en fonction de E, R, C, V,, I D . Calculer la loi de la relation N = g( V ) et montrer que le nombre N est une
variations u2(t). image de V . La précision sur les éléments R, C, T,
Calculer en régime permanent l'erreur &A = v2(m) + E. influence-t-elle la mesure?
Application numérique VD= 5mV, I D = 10 nA. B) L'amplificateur opérationnel est réel et peut être décrit
Blocage : A l'instant t = te, on ouvre l'interrupteur K .
par le modèle de la figure 2.
Établir l'équation différentielle de 0,. Calculer la loi de
variations u2(t)et montrer que le blocage est imparfait. Au
---------
1 Amplificateur opérationnel 1
bout de combien de temps la chute de u2 est-elle égale à
5 mV? I parfait -,I
3. Fig. 2.
Le schéma de principe d'un convertisseur analogique
numérique, double rampe, est donné à la figure 1. La tension
de référence E R est constante. Amplificateur opérationnel réel
L _ - L _ _ _ _ - _ J
Commande de conversion
1 r - i i On pose VD
ct, = -
ER
et a, =-.RI,
ER
LOGIQUE DE 1" Quelle est la valeur de us à l'instant t = O.
CONTROLE 2" Établir les lois de variation v,(t) de la tension v, pour
'I t I 1 F^-i
"' les phases 1 et 2 définies précédemment.
3" Établir la nouvelle valeur de N en fonction de R, C, T,,
NO, V,ER, al, a2.
4" En considérant a, et a2 comme des infiniments petits,
et en se limitant aux termes du premier ordre, mettre N
pJ
sous la forme :
= g(V) + f(v,E R , NO, a l , 62, TO, R, c)
Comparateur où g ( V ) est la relation établie à la question relative à la
phase 2, où f est une fonction représentant l'erreur commise
sur N .
- - 5" Application numérique : R = 100 ka, C = 200 nF,
i Fig. 1 .
La logique de contrôle réalise les opérations suivantes :

V = 10 volts, V, = 5 mV, I D = 10 nA.
Calculer l'erreur et conclure sur le nombre de chiffres
significatifs de N .
~
- elle commande les interrupteurs K , , K , , K , ;
- elle repère le basculement du comparateur; 4.
- elle reçoit les signaux d'une horloge de période Pour convertir le nombre N , (valeur décimale), qui s'écrira
T, = 19,5 p S ; en binaire :
- elle gère un compteur. AllAlOA, .., '42AlAO
La tension à convertir V est constante et positive. en une tension V, = a . N , , on utilise un circuit intégré
Initialement les interrupteurs K , et K , sont ouverts, K , dont le schéma synoptique est donné figure 1. Il comporte :
est fermé et le compteur est initialisé avec la valeur - un réseau en échelle R - 2R, qui est alimenté par une
N o = 1024. tension constante V, de polarité quelconque; on donne
A ) 1" L'amplificateur opérationnel est supposé parfait R = 10 ka;
Phase 1 - deux sorties notées S , et S , , qui devront être portées à
A la détection du signal ((commande de conversion D, pris un potentiel nul lors de l'utilisation;
comme origine des temps, la logique de contrôle ouvre - un jeu de douze commutateurs commandés par les
l'interrupteur K1 et ferme l'interrupteur K , . En outre, elle signaux logiques A , , A , , A , ... A , A , A , . Quand A , est au
256
niveau logique O (on notera Ai = O), la résistance 2R résistance 2R correspondante est connectée à la sortie S, .
traversée par le courant li est connectée à la sortie S,. La figure 1 est représentée dans le cas où
Quand A i est au niveau logique 1 (on notera A i= l), la A , , = A , , = A , = ... = A , = A , = O, A , = 1 et A , = O.
~
R R R R R R R R R R R 2 R
1 1 1 1 1 1 & & b
Al1 Al0 A9 Ai Al A0
Fig. 1 .
1” Les sorties S, et S, sont mises à la masse (frg. 2). b) On désire que l’erreur de non-linéarité différentielle soit
Calculer le courant J, sortant de S, en fonction de V,, R, 1
A , , A , , ... A , A , , puis en fonction de V,, R et N I .
inférieure à - de quantum. Calculer la valeur x2 à attribuer
4
Calculer le courant J, en fonction de V,, R et N , . Quelle à x.
est la valeur d’un quantum? c) La résistance R utilisée pour boucler l’amplificateur
opérationnel est en fait intégrée dans le convertisseur.
Pouvez-vous justifier ce choix?
Quel type d’erreur créerait cette résistance si elle ne valait
pas exactement R?
Fig. 2. 5
Le schéma de principe d’un générateur de N courants
constants et égaux est donné sur la figure ci-dessous.
2” On réalise le montage de la figure 3 dans lequel
l’amplificateur Opérationnelest supposé idéal (amplification Rl
N
infinie,courants de polarisation et tension de décalage nuls).
Calculer V, en fonction de V, et N I .
IR f Transistor
Quelle valeur faut-il attribuer à V, pour obtenir un quantum
de 2 mV?
J-$rt-Xt -
vO
Al1
--
A0
m
On négligera les courants de base des transistors; on
s’intéresse dans un premier temps à la valeur du courant
1, dans le premier transistor.
On admet que l’amplificateur représenté sur le schéma a
Fig. 3. Nl une impédance d’entrée et un gain en tension infinis.
On appele V,, la tension base-émetteur du transistor.
3” On va évaluer la tolérance sur les composants R et 2R
R , + R3
pour que le convertisseur ait certaines performances. On On pose A = -.
admet que la tolérance x est la même pour toutes les R2
résistances R et 2R. Z, s’exprime sous la forme :
On se place dans le cas le plus défavorale en supposant
que la résistance 2R connectée à V, dans le schéma figure 1
a sa valeur maximale, soit 2R(1 + x) et que toutes les autres
résistances ont leur valeur minimale, soit R ( l - x) ou Déterminer F(V1, Y2 ,A , R 1, R4) *
2R(1 - x). On donne R , = 1 ka,R4 = 200 Q. Sachant que la tension
On s’intéresse alors à la tension de sortie V, quand NI vaut V, varie de 2 mV par degré Celsius et que la variation
2 047, puis 2 048. correspondante à 1, doit être inférieure à 0,Ol mA dans la
a) On désire que le convertisseur numérique analogique plage - 40 à 60 OC, déterminer la valeur minimale de A .
soit monotone. Calculer la valeur -Y, à attribuer à x. On s’intéresse au courant ZR.
257
corn posa nts
La relation liant le courant d’émetteur ,i à la tension Calculer la fonction de transfert du montage ainsi réalisé
base-émetteur V,, d’un transistor est : et la mettre sous la forme :
i, =I, evBE/VT
-[l+(jgY]
V, vaut 25 mV à 25 OC. T=
w, ( :y
-
Tous les transistors sont identiques et supposés à la même 1+2jm-+ j-
température (même valeur de Z, pour tous).
Écrire la relation liant Z, à z,.
Dans le montage étudié on a R4 = R5. c) Quelles sont les valeurs limites aii et O;, de la bande
Calculer la valeur de ZR avec les valeurs numériques rejetée.
précédentes. 2” Dispositif à sélectivité variable.
On réalise le dispositif figure 4 dans lequel les amplificateurs
opérationnels sont supposés parfaits : O < CI < 1.
Soit le schéma figure 1 et soient :
Fig. 1.
XII,x 1 2 , 3 1 , 3 2 les paramètres admittance du quadri-
Fig. 4.
pôle Q (symétrique).
xi 1, xi 2 , xil, xi2les paramètres admittance du qua- a) Montrer que le dispositif peut être décrit par le schéma
dripôle Q’ (symétrique).
a) Calculer la fonction de transfert _T = V2/Il en fonction
bloc. Exprimer les transmittances TI,T2, x3.
des paramètres admittance des deux quadripôles.
b) Le quadripôle Q est réalisé par le quadripôle en double T
de la figure 2, et le quadripôle Q’ est réalisé comme l’indique
la figure 3.
Fig. 2. Fig. 5.
b) Calculer la fonction de transfert en boucle fermée et la

mettre sous la forme :
Fig. 3.
c) Calculer les limites mi1 et O;, de la bande rejetée.

Conclure.
Dépôt légal : mars 1991

Aubin Imprimeur Dépôt légal de la 1” édition : 2‘ trimestre 1989
No d’impression L 37445
LIGUGÉ, POITiERS Imprimé en France
I
I
I
Ce manuel d'électronique, conforme au programme de BTS I
s'adresse directement aux futurs techniciens supérieurs de cette I
discipline, mais aussi aux auditeurs de la formation permanente. II
complétera utilement l'enseignement théorique en électronique des
classes préparatoires.
Ce premier tome aborde la théorie du signal (signaux
sinuso"Idaux, périodiques, échantillonnés, aléatoires . . .) et les
composants (semi-conducteurs, diodes à jonction P.N., transistors,
amplificateurs opérationnels . ..).
Le second tome (parution 1990)étudiera les systémes bouclés, les
systèmes de communication, le filtrage et les lignes de
transmission.
L'ensemble répondra parfaitement aux besoins de la formation en
électronique dont l'évolution rapide est liée à celle de
l'informatique.
ISBN 2 04 O1 891 5 7

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E LECTRONI,:'

Classes de Techniciens supérieurs

u Toute représentation ou reproduction, intégrale ou partielle, faite sans le

Actuellement la définition de ceux-ci permet de penser qu’ils ne subiront pas de modifications

Chapitre 1 : Lois générales des réseaux Chapitre 4 .Signaux quelconques . . . . . . 84

Chapitre 1 . Théorie générale simplijGe 5 Régimes de fonctionnement du

des semi-conducteurs . . . . . . . . . . . . . . 130 transistor . . . . . . . . . . . . . . . . . . 165

Les circuits électroniques linéaires sont décrits à

Chaque élément est caractérisé par la relation

1. LES ÉLÉMENTS ACTIFS 1.3. DIFFÉRENTES FORMES

1.1. GÉNÉRATEUR DE TENSION La grandeur électrique imposée (courant dans le

1.3.1. Signal constant

On l’appelle aussi force électromotrice e.

- valeur efficace : A telle que

1.3.3.Signal sinusoïdal 1.3.4.Signal échantillonné

{ ... a@), a ( ~ , )a(2T,),

Cette suite de valeurs peut être convertie en

a ( t ) échantillonné a ( t ) échantillonne et bloqué

1.3.5. Signai aléatoire

2. LES ÉLEMENTS PASSIFS 1 i=+C-

Compte tenu des sens d’orientation :

i R On peut dégager, pour le signe intervenant dans

lu=-Ri/ sont orientés en sens inverse,

3.1.1. Loi des noeuds On écrit :

On appelle nœud N , un point où arrivent 1-

Il ne peut y avoir accumulation permanente de

3.1.2. Loi des mailles

On appelle maille, un ensemble de branches

En écrivant que la somme des différences de

3.3.GÉNÉRATEUR DE THÉVENIN. GÉNÉRATEUR D E NORTON

L‘état II résulte de la superposition des états I

Soit un réseau résistif et soient deux points A et B

lorsque la charge est débranchée et lorsque toutes

3.5.2. É t a t 111 4 . 1 .l.Équation fondamentale

A partir de l’état II, on imagine que toutes les

ETAT 111 En régime continu établi : les grandeurs élec-

En régime périodique établi : les grandeurs

Le calcul de la valeur moyenne du courant dans la

* lorsque u atteint + U o par valeurs croissan-

4.2. ALIMENTATION tes, us bascule de + E a - E ,

T “fl“ l’instant t = O, la résistance R limite le courant i a

A l’instant t = O, u = U,, on ferme Solution finale : u = E + (Un- E ) e-fIRC

Le calcul de t, à partir de l’équation 4.3.2.Alimentation par une rampe

SOLUTION GÉNÉRALE 4.3.3.Remarques à propos

La solution de l’équation sans second membre, de

En régime quelconque, l’équation fondamentale Ce qui donne pour la tension ZI la courbe de

à moins qu’à l’instant to, la tension aux

car la tension moyenne aux bornes de l’induc-

Considérons le schéma donné figure 28.

bobine d‘inductance L /**

5.3. RUPTURE DU COURANT

Reprenons le schéma de la figure 28 et supposons

tout en conservant le courant il négatif qui 6.1.2.

Le second membre f ( t ) dépend de la forme du 6.2.1. m >I

+---l 4 et i(0 -) = i(0 +) car i est le courant dans une

Afin de déterminer f , ( t ) et f 2 ( t )cherchons a tel

tique de l’équation différentielle. A et B sont déterminées d’après les conditions

6.2.3. m < I La courbe décrivant les variations de u est donnée