強哥電子學第一章半導體小考

1. 計算在室溫 (T  300 K ) 下矽的 ni 值。相關參數可以參考半導體公式集

2. 考慮具有摻雜濃度 N D  10 / cm 的 n  型矽晶體。求在 T  300K 情況下，電子及電洞的濃

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度。

3. 求(a)本質矽晶體的電阻率；和(b) N A  10 / cm 時， p  型矽晶體的電阻率。使用
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ni  1.5  1010 / cm 3 ，並假設在本質矽晶體中 n  1350cm 2 /V  s 且  p  480cm /V  s ，而在經

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摻雜的矽晶體中 n  1110cm /V  s 且  p  400cm / V  s (注意摻雜會造成載子遷移率的下

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降)。
  x / Lp
4. 考慮一矽晶棒其電洞濃度分布為以下方程式所描述： p ( x )  p0 e

求在 x  0 處之電洞電流密度。令 p0  10 / cm 、 Lp  1 m 且 D p  12 cm / s 。如果晶棒的截
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積是 100 m ，求 I p 。
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5. 在室溫 (T  300K ) 下一已達平衡的 pn 接面摻雜濃度為 N A  10 / cm 及 N D  10 / cm 且截面

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積 A  104 cm 2 。算出 p p 、 n p 0 、 nn 、 pn 0 、V0 、 W 、 xn 、 x p 及 QJ 。使用

ni  1.5  1010 / cm 3 。
6. 考慮上題中的 pn 接面，其 N A  10 / cm 、 N D  10 / cm 、 A  104 cm 2 ，且
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ni  1.5  1010 / cm 3 。令 Lp  5m 、 Ln  10m 、 Dp (在 n 區)  10cm 2 /V  s ，且 Dn (在 p

區)  18cm 2 /V  s 。此 pn 接面為順向偏壓且傳導一個電流 I  0.1mA 。請計算：(a) I s ；(b)

順向偏壓V ；及(c)電流 I 中因電洞跨過接面而注入所產生的成分及因電子跨過接面而注入所產

生的成分。