強哥電子學第一章半導體小考詳解

1. 計算在室溫 ( T  300 K ) 下矽的 ni 值。相關參數可以參考半導體公式集

解答：
3/ 2  E g / 2 kT
將上述相關數值代入式 ni  BT e 得

ni  7.3  1015 (300)3 / 2 e 1.12 /( 28.62 10 300 )

5

 1.51010carriers/ cm3
22
雖然這個數值似乎是大的，但注意矽的原子密度為 510 atoms/ cm3 。因此在室溫下每 51012
個原子僅有一個是離子化的，並進而貢獻一個自由電子和電洞。

2. 請解釋何謂本質半導體和雜質半導體
解答：
本質半導體:
n  p  ni (1/ cm3 )

電 電 本
子 洞 質
濃 濃 濃
度 度 度

雜質半導體:
在本質半導體內，摻雜(doping)特定元素以提升自由載子濃度。

3. 如何得到 N 型半導體和 P 型半導體,其 N 型和 P 型的多數自由載子是什麼?

解答：
P 型半導體是本質半導體摻雜三價元素，（硼、鎵、鋁、銦）,當三價元素解離後會產生電洞和負離
子，故 P 型導電主要由帶正電荷的電洞(多數載子)完成。

N 型半導體為本質摻雜五價元素（磷、銻、砷）,當五價元素解離後會產生自由電子和正離子，故 N
型導電主要是負電荷的電子(多數載子)來完成。

17 3
4. 考慮具有摻雜濃度 N D  10 / cm 的 N 型矽晶體。求在 T=300K 情況下，電子及電洞的濃度。

ni  1.5  1010 / cm3

 解答：
多數電子的濃度為

nn  N D  1017 / cm3
少數電洞的濃度為
ni2
pn 
ND
10 3
在上一題中，我們得知在 T  300 K 時， ni  1.5  10 / cm 。因此，

pn 
1.5 10  10 2

1017

 2.25103 / cm3

注意 nn ni 且 nn 遠大於 pn 。

16 3
5. 求(a)本質矽晶體的電阻率；和(b) N A  10 / cm 時，P 型矽晶體的電阻率。使用

ni  1.5  1010 / cm3 ，並假設在本質矽晶體中 n  1350cm 2 /V  s 且  p  480 cm 2 / V  s ，而在經

2
過摻雜後的矽晶體中 n  1110cm / V  s 且  p  400 cm / V  s (注意摻雜會造成載子遷移率的
2

下降)。
解答：
在本質矽晶體中，

p  n  ni  1.5  1010 / cm3

因此，
1
 
q ( p p  n n )

1

1.6  10 19 (1.5  1010  480  1.5  1010  1350 )

 2.28105 cm
在 P 型矽晶體中，

p p  N A  1016 / cm 3

ni2 (1.5  1010 ) 2

np   16
 2.25  10 4 / cm 3
NA 10
因此，
 1
 
q ( p p  n n )
1
 19
1.6  10 (10  400  2.25  104  1110)
16

1
 19
 1.56  cm
1.6  10  1016  400
少數電洞的濃度為

10 3
在上一題中，我們得知在 T  300 K 時， ni  1.5  10 / cm 。因此，

pn 
1.5 10  10 2

1017

 2.25103 / cm3
注意 p  型矽晶體的電阻率幾乎完全由摻雜濃度來決定。並觀察到摻雜使得矽晶體的電阻率約下
4
降了 10 倍，這是一項顯著的改變。

 x / Lp
6. 考慮一矽晶棒其電洞濃度分布為以下方程式所描述： p ( x )  p0e

求在 x  0 處之電洞電流密度。令 p0  10 / cm 、 Lp  1 m 且 D p  12 cm / s 。如果晶棒的截
16 3 2

積是 100 m ，求 I p 。
2

解答：

J p  qDp
dp( x)
dx
 qDp
d
dx
p0e 
x / L D
 q p p0e
Lp
p

x / L p

因此，

Dp 12
J p (0)  q p0  1.6 1019  4
1016  192A / cm2
Lp 1 10

電流 I p 可由下面推導求得

I p  J p  A  192  100  10 8  192 A

7. 在室溫 ( T  300 K ) 下一已達平衡的 pn 接面摻雜濃度為 N A  10 / cm 及 N D  10 / cm 且截面

18 3 16 3

4
積 A  10 cm2 。算出 p p 、 n p0 、 nn 、 pn0 、V0 、 W 、 xn 、 xp 及 QJ 。使用
ni  1.5  1010 / cm3 。
解答：

p p  N A  1018 cm 3

ni2 ni2 (1.5  1010 )2

n p0    18
 2.25  102 cm3
pp N A 10

nn  N D  1016 cm3
ni2 n2 (1 .5  1010 ) 2
pn 0   i  16
 2 .25  10 4 cm  3
nn N D 10

 N AN D 
為了求出V0 我們使用式V0  VT ln 
2 ：
n
 i 
其中
kT 8.62  10 5  300 ( eV )
VT    25 .9  10  3V
q q (e)
從而，

3 1018  1016 

V0  25.9  10 ln   0.814V
20 
 2.25  10 

2 s  1 1 
為了決定 W 我們使用式 W  x n  x p    V0 ：
q N
 A N D 

2  1.04  1012  1 1  5
W 19  18  16   0.814  3.27  10 cm  0.327m
1.6  10  10 10 

NA ND
為了求出 xn 及 xp 我們各別使用式 xn  W 及式 x p  W ：
NA  ND NA  ND

NA 10 18
xn  W  0 .327 18  0 .324  m
NA  ND 10  1016
ND 10 16
xp  W  0 .327 18  0 .003 m
NA  ND 10  1016

 N AN D 
最後，為了求出空乏區任兩側所儲存之電荷，我們使用式 QJ  Aq W ：
N
 A  N D

19  10  10
18 16
4
QJ  10  1.6  10  18   0.327  10 4  5.18  1012 C  5.18 pC

16
 10  10 
 4
8. 考慮上題中的 pn 接面，其 N A  10 / cm 、 N D  10 / cm 、 A  10 cm ，且
18 3 16 3 2

ni  1.5  1010 / cm3 。令 Lp  5m 、 Ln 10m、 D p (在 n 區) 10cm2 /V  s ，且 Dn (在 p

區) 18cm2 /V  s 。此 pn 接面為順向偏壓且傳導一個電流 I  0.1mA 。請計算：(a) Is ；(b)

順向偏壓 V ；及(c)電流 I 中因電洞跨過接面而注入所產生的成分及因電子跨過接面而注入所產
生的成分。

解答：


2 Dp Dn 
I
(a) 使用式 s  Aqn 
i   ，我們可求得
 L p N D Ln N A 

 10 18 
I s  10  4  1.6  10 19  (1.5  1010 ) 2   4 16
 4 18 
 7.3  10 15 A
 5  10  10 10  10  10 

(b) 在順向方向

I  I s (eV / V  1)  I s eV / V
T T

因此，

I
V  VT ln( )
Is

對於 I  0.1mA ，
0.1  103
V  25.9  10 3 ln( )  0.605V
7.3  1015

 Dp 
(c) I 的電洞注入成分可以用 J p ( x n )  q  pn 0 ( eV / V  1) 式求得
T


 Lp 

Dp V / VT D p ni2 V /V
I p  Aq pn0 (e  1)  Aq (e  1)T

Lp Lp N D

 Dp D 
同樣的， In 可以用式 I  Aqni 
2 n  V / VT
 (e  1) 求得
L N L N 
 p D n A

Dn ni2 V / V
I n  Aq (e  1) T

Ln N A
因此，

Ip  Dp   Ln  N A 
     
I n  Dn    N D
 L p  
在我們的情況下，
Ip 10 10 10 18
   16  1 .11  10 2  111
In 18 5 10

所以電流的大部分由注入到 n 區的電洞所傳導。

特定來說，

111
Ip   0.1  0.0991mA
112

1
In   0.1  0.0009 mA
112

這個結果很有道理，因為 p 區的摻雜濃度是 n 區的 100 倍。