МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ

ІНДУСТРІАЛЬНИЙ КОЛЕДЖ
ДВНЗ «КРИВОРІЗЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ»

ЗАТВЕРДЖУЮ
УЗГОДЖЕНО Заступник директора
методист технікуму з навчальної роботи
___________Л.М. Бешкарьова __________Р.М. Бац
«___»________2016 р. «___»________2016 р.

РОБОЧИЙ ЗОШИТ
з дисципліни «Основи промислової електроніки, мікропроцесорної
техніки та автоматики»

Студента _______________________________________
групи _______________

Спеціальність: 5.05070104 «Монтаж і експлуатація електроустаткування

підприємств і цивільних споруд»

Розробив викладач Нікітіна Г.О.

«___»________2016 р.
Розглянуто на засіданні
ц/к електротехнічних дисциплін та
теплотехнічного устаткування систем
теплопостачання та рекомендовано до
затвердження
Голова ц/к
Кожемякін С.В. ___________
Протокол № ___ від «___»________2016 р.

1
 Кривий Ріг - 2016
Тематичне планування

В тому числі
З них

Всього годин
Форма

Індивідуальні
Лабораторні
Аудитор.

Семінарські
№ поточног

Практичні
заняття

заняття
роботи
Лекції
розділів Назва розділу, теми о

С/Р
та тем контролю

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
Модуль
Промислова електроніка
1
ЗМ 1.1 Напівпровідникові прилади
Класифікація і основні Опитуванн
Тема 1 4 2 2 2
властивості напівпровідників я
Тема 2 Напівпровідникові діоди 2 2 2 Тест
Звіт.
Тема 3 Біполярні транзистори 4 4 2 2
Конспект
Тема 4 Польові транзистори 2 2 2 Конспект
Тема 5 Тиристори 4 2 2 2 Тест
ЗМ 1.2 Перетворювальні пристрої
Класифікація та призначення Самостій
Тема 1 2 2 2
випрямляючих пристроїв на робота
Некеровані випрямлячі. Звіт.
Тема 2 Однофазні і трифазні випрямлячі. 6 4 2 2 2
Конспект
Звіт.
Тема 3 Згладжуючи фільтри 4 4 2 2
Конспект
Звіт.
Тема 4 Керовані випрямлячі 4 4 2 2
Конспект
Самостій
Тема 5 Інвертори 4 2 2 2
на робота
Доповідь,
Тема 6 Стабілізатори 4 2 2 2
тест
Електронні підсилювачі і
ЗМ 1.3
генератори
Звіт.
Призначення та класифікація
Тема 1 6 4 2 2 2 Конспект,
підсилювачів
тест
Конспект,
Тема 2 Багатокаскадні підсилювачі 2 2 2
тест
Звіт.
Тема 3 Операційні підсилювачі 4 2 2 2
Конспект

2
 Загальні відомості про електроні Самостій
Тема 4 6 2 2 4
генератори. на робота
ЗМ 1.4 Імпульсні пристрої
Тема 1 Імпульсні пристрої 4 2 2 2 Конспект
Звіт.
Тема 2 Мультівібратори 4 4 2 2
Конспект
Тема 3 Одновібратори 4 2 2 2 Конспект
Звіт.
Тема 4 Блокінг-генератори 7 4 2 2 3
Конспект
Звіт.
Тема 5 Тригери 6 4 2 2 2
Конспект
Разом за Модулем 1 83 56 38 18 27
Модуль Мікропроцесорна техніка і
2 автоматика
ЗМ 2.1 Цифрові електронні пристрої
Тема 1 Логічні елементи 4 2 2 2 Тест
Дешифратори та
Тема 2 4 2 2 2 Конспект
мультиплекси
Тема 3 Лічильник імпульсів, регістри 4 2 2 2 Конспект
Тема 4 ЦАП та АЦП 6 2 2 4 Тест
Інтегральні мікросхеми і
ЗМ 2.2
мікропроцесори
Конспект,
Тема 1 Мікроелектронні пристрої. 4 2 2 2
доповідь
Загальні відомості про Самостій
Тема 2 4 2 2 2
інтегральні мікросхеми на робота
Гібридні інтегральні Опитуван
Тема 3 2 2 2
мікросхеми ня
Цифрові та аналогові Самостій
Тема 4 4 2 2 2
інтегральні мікросхеми на робота
ЗМ 2.3 Основи автоматики
Звіт.
Тема 1 Елементи автоматики 4 4 2 2
Конспект
Автоматичні електронні
Тема 2 2 2 2 Конспект
системи контролю
Системи автоматичного Самостій
Тема 3 6 2 2 4
регулювання на робота
Системи дистанційної
Тема 4 4 2 2 2 Реферат
передачі інформації
Тема 5 Системи стеження 4 2 2 2 Реферат
Разом за Модулем 2 52 28 26 2 24
Разом за Дисципліною 135 84 64 20 51

3
 ЗМІСТ
Тематичне планування …………………………………………………….
ЗМІСТ…………………………………………………………………………
МОДУЛЬ 1. Промислова
електроніка………………………………………….
ЗМ 1.1. Напівпровідникові прилади………………………………………..
Тема 1. Класифікація і основні властивості напівпровідників……………….
Тема 2. Напівпровідникові діоди……………………………………………..
Тема 3. Біполярні транзистори………………………………………………..
Тема 4. Польові
транзистори…………………………………………………
Тема 5. Тиристори……………………………………………………………..
ЗМ 1.2. Перетворювальні пристрої………………………………………...
Тема 1. Класифікація та призначення випрямляючих пристроїв……….
Тема 2. Некеровані випрямлячі. Однофазні і трифазні випрямлячі………….
Тема 3. Згладжуючи фільтри………………………………………………….
Тема 4. Керовані випрямлячі………………………………………………….
Тема 5. Інвертори……………………………………………………………...
Тема 6. Стабілізатори………………………………………………………….
ЗМ 1.3. Електронні підсилювачі і генератори…………………………….
Тема 1. Призначення та класифікація підсилювачів…………………………
Тема 2. Багатокаскадні підсилювачі …………………………………………
Тема 3. Операційні підсилювачі……………………………………………...
Тема 4. Загальні відомості про електронні генератори………………………
ЗМ 1.4. Імпульсні пристрої………………………………………………….
Тема 1. Імпульсні пристрої…………………………………………………....
Тема 2. Мультівібратори……………………………………………………...
Тема 3. Одновібратори………………………………………………………..
Тема 4. Блокінг-генератори…………………………………………………...
Тема 5. Тригери……………………………………………………………….
МОДУЛЬ 2. Мікропроцесорна техніка і автоматика…………………...
ЗМ 2.1. Цифрові електронні пристрої………………………………….
Тема 1. Логічні елементи …………………………………………………
Тема 2. Дешифратори та мультиплекси………………………………….
Тема 3. Лічильник імпульсів, регістри…………………………………...
Тема 4. ЦАП та АЦП………………………………………………………
ЗМ 2.2. Інтегральні мікросхеми і мікропроцесори…………………...
Тема 1. Мікроелектронні пристрої……………………………………….
Тема 2. Загальні відомості про інтегральні мікросхеми………………..
Тема 3. Гібридні інтегральні мікросхеми………………………………..
Тема 4. Цифрові та аналогові інтегральні мікросхеми………………….
ЗМ 2.3. Основи автоматики……………………………………………..
Тема 1. Елементи автоматики…………………………………………...
4
 Тема 2. Автоматичні електронні системи контролю……………………
Тема 3. Системи автоматичного регулювання ………………………….
Тема 4. Системи дистанційної передачі інформації.............................
Тема 5. Системи стеження...........................................................................

МОДУЛЬ 1. ПРОМИСЛОВА ЕЛЕКТРОНІКА

ЗМ 1.1. Напівпровідникові прилади

Тема 1. Вступ. Класифікація і властивості напівпровідників.

План
1. Електроніка, як наука: історія, структура і перспективи.
2. Властивості напівпровідників.
3. Домішкова провідність напівпровідників.
4. Електронно-дірковий перехід. ВАХ.
1. Електроніка, як наука: історія, структура і перспективи.
Електроніка – це галузь науки і техніки, пов'язана з дослідженнями,
розробкою, виготовленням і застосуванням електронних, іонних і
напівпровідникових пристроїв.
В історії розвитку електроніки можна виділити чотири основних етапи:
створення електронних ламп (з 1904 р), транзисторів (з 1947 р), інтегральних схем
(з 1958 р), функціональних пристроїв з використанням об'ємних ефектів (з 1980
р). Основні області застосування електронних пристроїв: електрозв'язок,
радіоелектронна апаратура широкого застосування, обчислювальна техніка та
промислова електроніка.
Промислова електроніка включає електротехнічне та енергетичне
обладнання, пристрої електроживлення, верстати з числовим програмним
управлінням, апаратуру автоматики, телеуправління, телеметрії, радіолокації і
радіонавігації, вимірювальну апаратуру, лазерну техніку, ядерну електроніку,
медичну апаратуру, біологічну електроніку та ін.
Основними класами напівпровідникових приладів є:
- діоди, біполярні і польові транзистори, тиристори, фотоелектронні та
оптоелектронні прилади;
- прилади, виконані у вигляді інтегральних мікросхем різного ступеня інтеграції
та представляють собою сукупність декількох взаємопов'язаних компонентів
(транзисторів, діодів, резисторів і ін.), виготовлених в єдиному технологічному
циклі на напівпровідникових або діелектричних підкладках.
2. Властивості напівпровідників.
Електропровідність – важлива властивість твердих тіл – пояснюється
рухом вільних електронів.
По електропровідності всі речовини поділяють на провідники,
напівпровідники та діелектрики. Напівпровідники по електропровідності
займають проміжну ділянку між провідниками та діелектриками.
Для виготовлення напівпровідників використовують: германій, кремній,
арсенід галію. Механізм електричної провідності діелектриків і провідників
однаковий і відрізняється від механізму електричної провідності провідників.
5
 Міжатомні зв'язки в кристалах, як і будь-які хімічні зв'язки, здійснюються
завдяки валентним електронам, що знаходяться на зовнішньому шарі
електронної оболонки атома. Зовнішній шар оболонки таких напівпровідників, які
використовуються при виробництві напівпровідникових приладів, складається з
чотирьох електронів, які обертаються навколо ядра.

Рис. 1.1 – Кристалічна решітка германію

Кристалічна решітка, що показана на рис. 1.1 є ідеальною.
Напівпровідники з такими решітками називаються власними або
напівпровідниками i-типу (від англійського intrinsic - власний, чистий). При
температурі абсолютного нуля (-273° С) усі валентні електрони у власному
напівпровіднику зв'язані, і якщо помістити такий кристал в електричне поле, то
електричний струм не виникне, оскільки у власному напівпровіднику немає
електронів провідності, отже, у цих умовах напівпровідник буде мати властивості
ідеального ізолятора.
Вільний електрон – електрон провідності, який не зв'язаний з будь-яким
окремим атомом і може переміщуватися кристалом. Для утворення вільного
електрону необхідна енергія.
Звільнення валентних електронів може відбуватися за рахунок тепла,
енергії електричного поля, різних видів випромінювання, чи інших видів енергії.
Найбільше напівпровідникові матеріали піддаються впливові тепла.

а) Діелектрик б) Напівпровідник в) Провідник

Рис. 1.2 – Енергетичні діаграми діелектрика, напівпровідника і провідника

6
 Якщо валентний електрон став електроном провідності, то атом, якому він
раніше належав, втрачає електричну нейтральність. Місце, яке звільнилося від
електрона, має позитивний заряд. Ці вакантні місця, що з'являються у валентних
зв'язках, називають дірками. Дірка може бути заповнена валентним електроном із
сусіднього зв'язку. При цьому один зв'язок заповниться, а інший зв'язок
розірветься і виявиться незаповненим (рис. 1.3). Умовно дірку можна розглядати
як частку, що є рухомим носієм позитивного заряду, який за значенням рівний
зарядові електрона.

Рис. 1.3 - Схема утворення та переміщення дірки в кристалічних решітках

напівпровідника
У власному напівпровіднику кількість дірок завжди рівна кількості вільних
електронів в бездомішковому кристалі.
Процес утворення пари електрон провідності – дірка отримав
назву генерації носіїв заряду.
Процес перетворення вільного електрона в зв'язаний, що викликає
зникнення пари вільний електрон – дірка, називається рекомбінацією.
3. Домішкова провідність напівпровідників
Шляхом уведення домішок (легуванням) можна різко змінити провідність
кристала.
Якщо в якості домішки взяти п’ятивалентний хімічний елемент,
наприклад миш'як (As), фосфор (Р) чи сурму (Sb), то п’ятивалентні атоми
домішки, розташовуючись в вузлах кристалічних решіток, заповнюють чотири
валентні зв'язки сусідніх атомів, а п'ятий валентний електрон виявляється
незадіяним (рис. 1.4, а). Цей електрон, виявляється зайвим у єдиній структурі
валентних зв'язків кристалу і дуже слабо зв'язаний з вузлом. Тому під дією тепла
він легко відривається та стає електроном провідності.

а) б)
Рис. 1.4 – Введення домішку у провідник а) п’ятивалентного і б) тривалентного

7
 Така домішка називається донорною. У цьому випадку основними носіями
електричних зарядів, які створюють електричний струм у кристалі, будуть
електрони при невеликій кількості неосновних носіїв – дірок.
Напівпровідники з таким типом провідності отримали назву
напівпровідників n-типу (n– negativ).
Якщо в якості домішки взяти трьохвалентний хімічний елемент,
наприклад індій (In), галій (Ga), алюміній (А1) чи бор (B), то його валентні
електрони, розташовуючись у вузлах кристалічних решіток, зможуть заповнити
лише три валентні зв'язки сусідніх атомів (рис. 1.4, б). Відсутній валентний
зв'язок тривалентного атома, розташованого у вузлі кристалічної решітки, є
потенційною діркою. Відсутній валентний електрон може бути легко захоплений
цим вузлом у сусіднього атома. Тривалентний атом, якому решітки «нав'язали»
зайвий електрон, перетворюється в нерухомий негативний іон, а в сусіднього
атома, який втратив валентний електрон, виникає дірка.
Така домішка називається акцепторною. У цьому випадку основними
носіями є дірки, а неосновними – електрони провідності.
Напівпровідники з таким типом провідності отримали назву
напівпровідників p-типу (p – positiv).
Провідність кристала, яка обумовлена відповідними домішками, одержала
назву домішкової провідності.
У напівпровідниках електричний струм може бути викликаний двома
причинами: електричним полем і нерівномірним розподілом носіїв заряду в об’ємі
(електронів або дірок).
Струм, який утворюється в електричному полі, називають дрейфовим,
або струмом провідності.
Струм, який виникає при перенесенні (дифузії) носіїв з області, де їх
концентрація підвищена, у напрямку області з нижчою їх концентрацією
називається дифузійним.
4. Електронно-дірковий перехід.
Електронно-дірковий перехід (скорочено p-n перехід) – зона утворена
двома областями напівпровідника з різними типами провідності: електронної (n) і
діркової (р).

Рис. 1.5 – Утворення p-n переходу

На рис. 1.5, а умовно показаний кристал, одна частина об’єму якого має
8
діркову провідність, а інша – електронну. Ліворуч від переходу кількість
електронів значно менша, ніж праворуч, тому електрони прагнуть перейти
в p-область. Однак як тільки електрони попадають у p-область, вони
рекомбінують з дірками, основними носіями в p-області, і їх концентрація в міру
поглиблення швидко зменшується. Аналогічно дірки переходять з p-області
в n-область. Таким чином, у p-n переході з’являється струм дифузії, напрямок
якого збігається з напрямком дифузії дірок. При цьому коли електрони ідуть
з n-області, там залишається позитивний заряд іонізованих донорів, а коли ідуть
з p-області дірки, там залишається негативний заряд іонізованих акцепторів.
Таким чином, на межі областей утворяться два шари протилежних за знаком
зарядів, між якими утворюється електричне поле і встановлюється різниця
потенціалів, що називається контактною. Це поле перешкоджає дифузії
основних носіїв у сусідню область, тобто між p- і n- областями утворився
потенційний бар'єр.
Струм, який створений неосновними носіями, називається тепловим
струмом. Оскільки неосновних носіїв мало, то і струм, який створюється ними,
малий.
Шар, збіднений рухомими носіями, який володіє відносно малою питомою
провідністю (у порівнянні з бездомішковим напівпровідником)
називається запірним шаром p-n переходу.
Розглянемо, якими властивостями володіє p-n перехід у залежності від
полярності прикладеної напруги.
Зворотне увімкнення p-n переходу. При зворотному увімкненні p-n
переходу джерело під’єднується так, щоб поле, яке створюється зовнішньою
напругою, збігалося з полем p-n переходу (рис. 1.6, а). У цьому випадку поля
додаються і потенційний бар'єр між p- та n- областями зростає. Таке
увімкнення p-n переходу називається зворотним зміщенням. Кількість основних
носіїв, які здатні перебороти дію результуючого поля, зменшується. У результаті
ширина запірного шару збільшується. По мірі збільшення зовнішньої напруги
дифузійний струм через перехід швидко прямує до нуля.

а) б)
Рис. 1.6 – Увімкнення p-n переходу а) зворотне і б) пряме
Пряме увімкнення p-n переходу. При прямому увімкненні p-n переходу
зовнішнє джерело під’єднується так, щоб поле, яке створюється зовнішньою
напругою в p-n переході, було напрямлене назустріч власному полю p-n переходу
(рис. 1.6, б). Таке увімкнення p-n переходу називається прямим зміщенням. У
цьому випадку напруга джерела віднімається від контактної різниці потенціалів.
Потенційний бар'єр між p- і n- областями відповідно зменшується. Дифузія
основних носіїв через p-n перехід значно полегшується, і в зовнішньому колі
9
виникає струм, приблизно рівний струмові дифузії.

Домашнє завдання до лекції

1. Що вивчає наука електроніка?

______________________________________________________________________
______________________________________________________________

2. Охарактеризуйте електропровідність напівпровідників по відношенню

до провідників і діелектриків.
__________________________________________________________________

3. Які матеріали використовуються для виготовлення напівпровідників?

__________________________________________________________________

4. Які основні носії зарядів у напівпровідників ви знаєте? Який заряд вони

мають?
__________________________________________________________________

5. Як утворюються напівпровідники n-типу і р-типу? Які носії зарядів для

цих типів є основними, а які неосновними?
______________________________________________________________________
______________________________________________________________

6. Що називається p-n переходом?

______________________________________________________________________
______________________________________________________________

7. Як називається поле, що перешкоджає дифузії основних носіїв у сусідню

область p-n переходу?
__________________________________________________________________

8. При якому ввімкненні p-n переходу струм через перехід швидко прямує
до нуля?
__________________________________________________________________

9. Вкажіть на рисунку відповідні знаки на клемах джерела живлення для

здійснення відповідно прямого і зворотного включення p-n переходу. Помітьте
відповідні області p і n переходу, а також напрямки поля p-n переходу і поля
джерела живлення

10
 +  + 

пряме включення зворотне включення

Тема 2. Напівпровідникові діоди

План
1. Графічні позначення основних напівпровідникових приладів.
2. Класифікація та конструкція напівпровідникових діодів.
3. Основні характеристики і параметри діодів.

1. Графічні позначення основних напівпровідникових приладів.

У технічній документації та спеціальній літературі застосовуються умовні
графічні позначення напівпровідникових приладів відповідно до ГОСТ 2.730-73
“Позначення умовні, графічні в схемах. Прилади напівпровідникові”. У таблиці
2.4 наведені графічні позначення основних напівпровідникових приладів.
Таблиця 2.1 – Графічні позначення напівпровідникових приладів

Назва приладу Позначення Назва приладу Позначення

Діод
випрямляючий, Діод
стовп випромінюючий
випрямляючий

Стабілітрон Тиристор

Транзистор Транзистор
біполярний біполярний
типу n-p-n типу p-n-p

Польовий Польовий
транзистор з транзистор з
каналом n-типу каналом p-типу

2. Класифікація та конструкція напівпровідникових діодів

Напівпровідниковий діод являє собою напівпровідниковий
електроперетворюючий прилад з одним p-n переходом і двома зовнішніми
виводами від областей кристала з різного виду провідностями. Виводи діода
мають назву анод і катод.
Класифікація діодів:
- Випрямні (силові).
- Високочастотні та зверхвисокочастотнi.
11
- Імпульсні.
- Опорні (стабілітрони).
- Чотирьохшарові перемикаючі.
- Фотодіоди.
- Світло-діоди.
У залежності від матеріалу:
- Германієві – Т від +70-80 оС.
- Кремнієві – Т від +125 оС.
За конструктивно-технологічним принципом поділяються:
- Площинні.
- Точкові.
За потужностями:
- Малої (Іпр.ср. ≤ 0,3 А);
- Середньої (0,3 А ≤Іпр.ср. ≤ 10 А);
- Великої (Іпр.ср. > 10 А).
Площинні напівпровідникові діоди можна одержати різними способами.
Найчастіше використовуються методи сплавлення, дифузії та вирощування.
Для виготовлення сплавного діода в пластинку германію зі слабо
вираженою електронною провідністю вплавляється таблетка індію (галію, бора).
У процесі термічної обробки таблетка та прилягаючий до неї шар пластинки
розплавляються. При остиганні під таблеткою утворюється тонкий шар германію,
сильно легований індієм, тобто шар з різко вираженою дірковою провідністю.
При методі вирощування спочатку отримують кристал, наприклад, з
донорною домішкою. Потім, не порушуючи структури на ньому, вирощують (або
нарощують) кристал з акцепторною домішкою, що і дозволяє отримати
різкий p-n перехід.
При виготовленні крапкового діода в добре відшліфовану пластину
германію або кремнію з n- провідністю втискають металеву голку. У місці
зіткнення голки з напівпровідником утвориться випрямляючий (нелінійний)
контакт.
Варто відмітити, що напівпровідникові діоди з нелінійним контактом між
металом та напівпровідником відомі давно. Вони широко використовувалися,
наприклад, як детектори в найпростіших радіоприймачах. (Цей ж принцип лежить
в основі дії селенових, міднозакисних випрямляючих елементів та деяких інших
приладів.)
При виготовленні крапкових діодів контакт піддають електричному формуванню. Процес
формування полягає в пропусканні через крапковий контакт потужних коротких імпульсів струму. При цьому
відбувається місцевий розігрів контакту і кінчик голки сплавляється з напівпровідником, що забезпечує
стабільність та механічну міцність контакту.

12
 1 – гнучкий вивід;
2 – корпус;
3 – скляний ізолятор;
4 – контактна пластина;
5 – пластина індію;
6 – пластина кремнію;
7 – металева підставка

Рис. 2.1 – Розріз площинного напівпровідникового діода

Пластинку кристала напівпровідникових площинних діодів поміщають у

герметичний корпус (металевий, металокерамічний, скляний) або заливають
епоксидними смолами. У цьому діоді пластинка кристала
з p-n переходом розташовується на металевій підставці, до якої приварений вивід.
Другий вивід з'єднаний із пластинкою кристала за допомогою провідника.
Корпус складається з металевого балона (ø 6,8 мм), привареного до підставки та
ізолюючої шайби.
5. Основні характеристики і параметри діодів
Вольт-амперна характеристика (ВАХ) – залежність електричної напруги
на виводах елемента від електричного струму в ньому.

Рис. 2.2 – ВАХ напівпровідникового діода

13
 Розрізняють два види пробою p-n переходу це електричний і тепловий
пробій.
Електричний пробій буває польовим, при якому сильне електричне поле у
вузькому p-n переході створює умову для тунельних переходів валентних
електронів з p- області безпосередньо в зону провідності n- області, а також дірок
з n- області в зону провідності р- області. Польовий пробій виникає в дуже
вузьких (тонких) p-n переходах при напрузі пробою, яка переважно не перевищує
15 В.
Іншим різновидом електричного пробою є лавинний пробій, при якому
носії заряду, які потрапили в p-n перехід під дією сильного електричного поля,
отримують енергію, достатню для ударної іонізації атомів кристала. Лавинний
пробій виникає в широких p-n переходах, при напрузі пробою більше 7 В.
Тепловий пробій p-n переходу виникає внаслідок втрати стійкості
теплового режиму. Зі збільшенням зворотної напруги та струму, збільшуються
теплова потужність, яка виділяється на p-n переході, та, відповідно, його
температура. У свою чергу збільшення температури спричиняє збільшення
зворотного струму та розсіюваної потужності. За певних умов відбувається
лавиноподібне наростання температури і p-n перехід руйнується.
Вольт-амперні характеристики напівпровідникових діодів дуже сильно
залежать від температури навколишнього середовища. Зі збільшенням
температури збільшуються тепловий струм і струм термогенерації, тобто
збільшується зворотний струм діода.
Напівпровідникові діоди мають наступні основні параметри:
- динамічний (диференційний) опір;
- статичний опір (опір діода постійному струмові);
- коефіцієнт випрямлення;
- ємність діода;
- зворотна максимально допустима напруга;
- напруга теплового чи електричного пробою (у різних діодів може мати
значення від десяти до тисячі вольт);
- максимально допустима потужність, яка розсіюється діодом;
Напівпровідниковий діод являється електричним вентилем, тобто володіє
односторонньою провідністю – проводить струм в одному напрямку і майже не
проводить в іншому:

Рис. 2.3 – Вентильні властивості діода

14
 Домашнє завдання до лекції

1. З’єднайте стрілками графічне позначення з відповідною назвою елемента.

польовий біполярний
випрямний діод тиристор
транзистор транзистор

2. Дайте визначення напівпровідникового діода.

__________________________________________________________________
__________________________________________________________________

3. Які різновиди напівпровідникових діодів ви знаєте?

__________________________________________________________________
__________________________________________________________________

4. Яким технологічними способами створюються напівпровідникові діоди?

__________________________________________________________________

5. З яких основних елементів складається площинний діод?

______________________________________________________________________
__________________________________________________________________

6. Намалюйте приблизний вигляд ВАХ діода. Червоним кольором

позначте гілку ВАХ, що відповідає прямому струму, а синім – зворотними.
Позначте на ВАХ область електричного пробою діода.

15
 Іпр

Uзв Uпр

Ізв
7. Які існують види пробою p-n переходу? Який з цих видів є незворотним
призводить до руйнування переходу?
____________________________________________________________________
____________________________________________________________________

8. В чому полягає основна властивість напівпровідникового діода?

__________________________________________________________________

16