Trần Quang Thọ - HCMUTE

Nguyên lý hoạt động của mạch như sau: khi transistor IGBT được kích dẫn bão hòa,
điểm số 2 được nối xuống 0, khi đó, sẽ có dòng điện tăng dần qua điện cảm Lb. Khi
ngưng kích IGBT đột ngột sẽ làm cho điện cảm sinh ra sức điện động cảm ứng VL có
dấu - ở điểm số 1 và dấu + ở điểm số 2. Sức điện động này nối nối tiếp với nguồn
Vdc sẽ giúp cho điện thế điểm số 2 cao hơn điện thế điểm số 3 nên diod D0 được
phân cực thuận và phóng điện cấp cho tải và tụ lọc Cf. Khi đó, dòng điện qua điện
cảm giảm dần và khi IGBT được kích dẫn trở lại làm cho D0 bị phân cực nghịch và
dòng điện qua điện cảm tăng lên. Quá trình như vậy cứ lặp đi lặp lại giúp cho điện áp
ngõ ra cao hơn điện áp ngõ vào. Quá trình hoạt động có thể ở chế độ liên tục hay gián
đoạn tùy vào phương pháp lựa chọn của người sử dụng.

Điện áp ngõ ra được xác định như sau:

Vo 1
= (2-4)
Vdc 1 − D

Trong đó, D là đọ rộng xung kích IGBT. Theo định lý Kirchhoff, ta sẽ có:

Vdc − VL − Vo = 0 (2-5)

Trong đó, VL là sức điện động trên điện cảm. Do đó:

di L
Vdc − L b − Vo = 0
dt
i
→ Vdc − L b L − Vo = 0 (2-6)
t
i L
→ Vdc − L b − Vo = 0
D * Tsw

Với Tsw là chu kỳ của xung chuyển mạch và iL là độ nhấp nhô dòng điện qua điện
cảm.

Độ nhấp nhô điện áp ngõ ra cấp cho tải phụ thuộc và thông số tụ lọc Cf và dòng điện
tải và được xác định như sau:

28
Trần Quang Thọ - HCMUTE

Io
Vo = (2-7)
2 * f sw * C f

Với fsw là tần số xung kích cho IGBT.

Hình 2-6. Đáp ứng điện áp và dòng điện của mạch tăng áp DC

Đáp ứng điện áp của mạch tăng áp DC với thông số ở hình 2-5 được thể hiện trong
hình 2-6(a) và đáp ứng dòng điện tương ứng ở hình 2-6(b).

2.2.2.2 Điện áp ngõ vào thay đổi và MPPT

Trong trường hợp nguồn điện ngõ vào được lấy từ dàn pin mặt trời, khi đó, nguồn
một chiều ngõ vào này sẽ thay đổi tùy theo điều kiện thời tiết. Do đặc tính phi tuyến
của pin mặt trời như minh họa ở hình 2-7, để thu được công suất cực đại cần phải có
mạch tăng áp hoặc giảm áp để dò điểm công suất cực đại MPPT (Maximum power
point tracking). Thông thường, các mạch tăng áp sẽ được sử dụng trong các hệ thống
nghịch lưu nối lưới sẽ kết hợp tính năng MPPT. Về bản chất, mạch dò MPPT có chức
năng phối hợp tổng trở sao cho tổng trở mạch tăng áp và phụ tải bằng với tổng trở
dàn pin mặt trời.

29
Trần Quang Thọ - HCMUTE

Hình 2-7. Các đặc tính của pin mặt trời theo bức xạ với nhiệt độ 25oC.

(a) Đặc tính V-I

(b) Đặc tính V-W

Hiện nay có nhiều giải thuật MPPT đã được nghiên cứu và ứng dụng [7]. Tuy nhiên,
hầu hết các phương pháp đều dựa trên nguyên lý của phương pháp P&O (Perturb &
Observe) [8] và phương pháp gia tăng điện dẫn INC (Incremental Conductance) [9]
để cải tiến thêm nhằm tăng hiệu quả ứng dụng với các điều kiện khác nhau.

Hình 2-8. Đặc tính V-W của 1 tấm pin với bức xạ 100W/m2 và nhiệt độ 25oC.

30
Trần Quang Thọ - HCMUTE

Giả sử điểm làm việc hiện thời của dàn pin đang ở bên trái của điểm công suất cực
đại MPP (Maximum power point) như hình 2-8. Khi đó, nhiệm vụ của các giải thuật
MPPT là phải điều chỉnh điểm làm việc tiến về bên phải để tiếp cận điểm MPP.
Ngược lại, khi điểm làm việc đang ở bên phải, giải thuật MPPT phải điều chỉnh để
điểm làm việc tiến về bên trái để tiếp cận MPP.

Start

Measure:
V_sol (t)
I_sol(t)

Calculate:
P(t)=V_sol(t)*I_sol(t)
P=P(t)-P(t-1)
V=V_sol(t)-V_sol(t-1)

No Yes
P>0

No Yes No Yes
(At the left)
V>0 (At the right) (At the right)
V>0 (At the left)

VMPP =V_sol(t-1)+Incr VMPP =V_sol(t-1)-Incr VMPP=V_sol(t-1)-Incr VMPP=V_sol(t-1)+Incr

Update:
P(t-1)=P(t)
V_sol(t-1)=VMPP

Return

Hình 2-9. Giải thuật dò MPPT P&O (Perturb & Observe)

Lưu đồ các giải thuật P&O và INC cũng được trình bày trên hình 2-9 và 2-10. Trong
đó, các giá trị điện áp tại điểm công suất cực đại VMPP khi khởi chạy lần đầu được
chọn bằng khoảng 80% điện áp hở mạch của dàn pin. Đại lượng Incr (Increment) là

31
Trần Quang Thọ - HCMUTE

số gia điện áp sau mỗi chu kỳ lấy mẫu tính toán của giải thuật. Số gia này có thể bằng
vài mV cho đến vài trăm mV tùy thuộc vào thông số cụ thể cũng như yêu cầu của hệ
thống.

Trong giải thuật P&O ở hình 2-9, giá trị số gia lớn sẽ giúp cho hệ thống đáp ứng
nhanh đến điểm cực đại. Tuy nhiên, điều này cũng gây ra nhiễu động lớn và làm tăng
sai số xác lập của điện áp một chiều ở ngõ ra khi đang ở điểm MPP. Ngược lại, số gia
nhỏ sẽ giúp giảm sai số xác lập ở điểm MPP, nhưng cũng có nhược điểm là làm giảm
đáp ứng động khi có sự biến đổi của bức xạ hay nhiệt độ của dàn pin.

Start

Measure:
V_sol (t)
I_sol(t)

Calculate:
V=V_sol(t)-V_sol(t-1)
I=I_sol(t)-I_sol(t-1)
R=I_sol(t)/V_sol(t)
RD=I/V

No Yes
V=0

Yes Yes
(At the MPP) No No (At the MPP)
RD = - R I=0

No Yes No Yes
(At the right) RD > - R (At the left) (At the left) I>0 (At the right)

VMPP=V_sol(t-1)-Incr VMPP=V_sol(t-1)+Incr VMPP=V_sol(t-1)+Incr VMPP=V_sol(t-1)-Incr

Update:
V_sol(t-1)=VMPP

Return

Hình 2-10. Giải thuật dò MPPT INC (Incremental Conductance)

32
Trần Quang Thọ - HCMUTE

So với giải thuật P&O, giải thuật INC ở hình 2-10 gần như không bị ảnh hưởng bởi
số gia Incr khi đang làm việc ở điểm cực đại MPP. Tuy nhiên, khi có sự thay đổi công
suất cực đại của dàn pin, số gia Incr cũng sẽ ảnh hưởng đến đáp ứng động của quá
trình dò MPP.

Hình 2-11. Mô hình mạch tăng áp dò MPP sử dụng phương pháp P&O

Hình 2-12. Mô hình mạch tăng áp dò MPP sử dụng phương pháp P&O

33
Trần Quang Thọ - HCMUTE

Hình 2-13. Các đặc tính của dàn pin.

Mô hình minh họa của một mạch tăng áp sử dụng dàn pin mặt trời sử dụng giải thuật
P&O được thể hiện trên hình 2-11. Đặc tính của dàn pin gồm 18 tấm của hãng Sun-
Power, với 3 nhánh song song, mỗi nhánh có 6 tấm ghép nối tiếp. Mỗi tấm pin có
công suất 305.226 Wp (Watt peak) như hình 2-12. Các đặc tính của dàn pin với các
mức bức xạ tại nhiệt độ 25oC cũng được thể hiện trên hình 2-13. Do đó, dàn pin với
bức xạ 1000W/m2 và 25oC sẽ cho tổng công suất 5494 Wp tại điểm MPP có điện áp
328.2 V. Khi bức xạ giảm còn 200W/m2, tổng công suất của dàn pin giảm còn
1056Wp tại điện áp 315.7V. Vì vậy, việc chọn mạch tăng áp hay giảm áp sẽ quyết
định thông số tổng trở tải cần thiết.

Trong sơ đồ sử dụng mạch tăng áp ở hình 2-11, muốn thu được công suất ở mức thấp
nhất là 1056W từ dàn pin tương ứng với bức xạ 200W/m2, điện áp ngõ ra khi đó phải
lớn hơn 315.7V.

Vo  V_ sol = 315.7V (2-8)

Giả sử bỏ qua sụt áp trên linh kiện, điện trở tải khi đó cần ở mức tối thiểu và được
xác định như sau:

34
Trần Quang Thọ - HCMUTE

Vo2
Pdc = R Load * I o2 =
R Load
(2-9)
V 2 315.7 2
→ R Load = o  = 94.38
Pdc 1056

Trong trường hợp sử dụng mạch giảm áp, điện áp ngõ ra của bộ biến đổi ở điều kiện
bức xạ cao nhất phải nhỏ hơn điện áp dàn pin tại điểm MPP. Tức là điện áp ngõ ra
mạch giảm áp phải nhỏ hơn 328.2 V với mức công suất 5494Wp. Vì vậy, điện trở tải
phải nhỏ hơn giá trị giới hạn như sau:

Vo2
Pdc = R Load * I =
2
o
R Load
(2-10)
V 2 328.22
→ R Load = o  = 19.6
Pdc 5494

(a) (b)
Hình 2-14. Khối P&O và code

Giải thuật P&O được cụ thể hóa trên hình 2-14(a) với code ở hình 2-14(b). Trong đó,
đại lượng Do là độ rộng xung kích được đưa ra để so sánh với sóng tam giác nhằm
tạo xung kích cho IGBT. Trong giải thuật MPPT, để tăng điện áp làm việc của dàn
pin, giải thuật cần phải giảm độ rộng xung thông qua đại lượng DelD, với DelD là số
gia độ rộng xung. Trái lại, khi sử dụng cho mạch giảm áp, có thể tăng điện áp làm
việc bằng cách tăng độ rộng xung kích.

35
Trần Quang Thọ - HCMUTE

Trong thực tế, các đại lượng dòng và áp được đo lường thông qua các cảm biến với
độ trễ lớn. Do đó, tần số tính toán của giải thuật MPPT nên nhỏ hơn 10 kHz tương
ứng với chu kỳ 10-4s. Điều này cũng giúp tăng tính khả thi khi ứng dụng các linh kiện
vi xử lý rẻ tiền có tần số thấp. Khi đó, sơ đồ của hình 2-11 và 2-14(a) đã sử dụng khối
gọi hàm Func call của Matlab với chu kỳ lấy mẫu bằng 1e-4s.

Hình 2-15. Đáp ứng của điện áp, dòng điện dàn pin và độ rộng xung kích

Hình 2-16. Đáp ứng điện áp, dòng điện, và công suất thu được trên tải.

36
Trần Quang Thọ - HCMUTE

Bảng 2-1: Thông số bức xạ cài đặt cho dàn pin

Time (s) 0-0.5 0.5-1 1-1.5 1.5-2

Iradiance (W/m2) 1000 700 500 200

Kết quả mô phỏng của mô hình ở hình 2-11 được thể hiện trên hình 2-15 và 2-16.
Trong đó, bức xạ được cài đặt cho dàn pin ở 25oC trong 4 khoảng thời gian tương
ứng như bảng 2-1.

Với hình 2-15 tương ứng với các đáp ứng ngõ vào của mạch tăng áp bao gồm điện
áp, dòng điện của dàn pin và độ rộng xung kích cho transistor IGBT. Tương tự, hình
2-16 là đáp ứng ngõ ra của mạch tăng áp bao gồm điện áp, dòng điện và công suất
ngõ ra.

Hình 2-17. Mô hình mạch tăng áp sử dụng phương pháp INC

Khi sử dụng giải thuật INC, mô hình tăng áp trên hình 2-17 có thông số tương tự như
ở hình 2-11. Chỉ khác mỗi giải thuật dò MPPT. Khi đó, sơ đồ khối của giải thuật được
trình bày trên hình 2-18(a) và code ở hình 2-18(b).

37