Professional Documents
Culture Documents
U. Tietze, C. Schenk - UkÅ Ady Poì Å Przewodnikowe ELp (Skompresowany) (Skompresowany)
U. Tietze, C. Schenk - UkÅ Ady Poì Å Przewodnikowe ELp (Skompresowany) (Skompresowany)
ChristophSchenk
\ I
I
I
I
I
I
I
/
Wydawnictwa
Naukowo-Techniczne
Warszawa
f ~'-'P»I e:::~tego
:;~:~7ao:i:!f
•:•:·~;:
~:;:;;s,:;:;:
,.,w::::::::~
f':;)1-."X:::::.;
:;:-:,:•:
:·:::·:·:·:·:·:··:·:·:·::::..';:;:;:.,?'*'::
~~~w·~" :'f;:~w:
·:·:·:·: ::::
:.:.:.:
:::::
:.:::.:.:::.;~,::::;;::::::--::,::;::~;::::
:::::
:::::: :;:;::::::::
::::::::::::
::~~~~~~~=~==·::::
:::::::
·~®:·
~.,·.·.'.' ·.
••.•.•.•.
Spis
••·•·.············ .·:....... .
·••·•••••·••·•.·•.••...·.....·......·..·..·..·......,:,:,:,:-.'*
·..·.·.:.·.·••·••·•••• »-<.".•··.· ••••
,.'., .•·•·•·•·• :;:::::::::::::::;:
;:;:::::f.~r::
;:;:;
:;:;:;:;:
;:;:;:::::::::h::$.~::::::::::::::;:;:;:;:;::~:;:
::;:; ;::::~: :::i!:=:
~¾
I. Podstawy
1. i oznaczenia ................
.....
.....
.....
.......
......
. 17
4. Tranzystory bipolarne .. ..... ........ ... .. ... .......... ............. ..... ... ... .... 46
4.1. Charakterystyki i parametry .......... .............. ........... . 47
4.2. Parametry graniczne ................. .... ... .... .... ......... ........ ............. ......... ... 52
4.3. ze wspólnym emiterem (WE) .................................................. 56
4.4. ze (WB) ............................................................ 72
4.5. ze wspólnym kolektorem (WK), wtórnik emiterowy ............. 73
4.6. Tranzystor jako .. .......... ...... ......... ............. ........... .... 76
4.7. Darlingtona .................. .... .......................................... ........ ..... 82
4.8. \Vzmacniacze ...... .. .. ...... ... ... .............. .............. ... ... ............ 84
4.9. Pomiar niektórych parametrów tranzystorów ................................... 94
4.10. Szumy w tranzystorach ........................... ...... ..................................... 96
7. Wzmacniacz operacyjny ........ ... ....... ............ ............ ....... ....... . 141 12.
7.1. wzmacniaczy operacyjnych ...................... ...................... 141
7.2. Ujemne zwrotne ................................... ............... .............. 148
7 .3. Wzmacniacz fazy ........ ................... ..... .. ........ ............ 152
7.4. Wzmacniacz ........................................................ ... 155
7.5. Budowa wzmacniaczy operacyjnych .............................. 157
7.6. Standardowe scalone wzmacniacze operacyjne ................................. 159
7.7. Korekcja charakterystyk.i ............ ...................... ... 163
7 .8. Pomiar parametrów wzmacniacza operacyjnego .......... ..................... 176
7.9. scalonych wzmacniaczy operacyjnych ................................. 178
SPIS 11
14.8. Transformacja filtru dolnoprzepustowego na filtr
pasmowozaporowy ............ ........................................................... ·.... 457 19.
14.9. Realizacja filtrów zaporowych drugiego ................................ 459
14.10. Filtry wszechprzepustowe ............................................. ................... 461
14.11. Regulowane filtry uniwersalne .... ................... .................................. 467
14.12. Filtry z 473
15. Generatory ... ... . .... .. .. ... .. ... ..... .... .. . ...... .... . ..... ... .. ... ...... ... .... ..... 482
15.1. Generatory LC ...................... ........................................................... 482
15.2. Generatory kwarcowe ...... ..... ............. ....... ........ ...... ... .......... ............ 490
15.3. Generatory z mostkie m Wiena ... ....................................... ........... ... 496 20.
15.4. Generatory z analogowymi operacyjnymi ....................... 501
15.5. Generatory funkcyjne ...................................................................... 504
16. Wzmacniacze szerokopasmowe ..... ... ............ .... .............. ....... .. 512
16.1. wzmocnienia
od .................................................................. ............ 512
16.2. tranzystora i
................................................................................... 515
16.3. kaskadowy .............. ........ ...................................................... 516
21.
16.4. Wzmacniacz jako wzmacniacz szerokopasmowy ........... 517
16.5. Symetryczne wzmacniacze szerokopasmowe ................................ ... 518
16.6. Szeroko pasmowy wtórnik .......... .......... ............... .......... 524
16.7. Szeroko pasmowy wzmacniacz operacyjny ....................................... 527
16.8. Wzmacniacz transimpedancyjny (ze ......... 529
16.9. Wzmacniacze szerokopasmowe o dwóch ... 531
17. Wzmacniacze mocy .... ............ ..... .............. ..... .... ..... ... ......... ... 536
17.1. Wtórnik emiterowy jako wzmacniacz mocy.................................... 536
17.2. Komp lementarne wtórn iki emiterowe ............................................. 538
17.3. Wzmacniacze z komplementarnymi Darlingtona ............ 544
17.4. Komplementarne wtórniki ............................................... 546
17.5. Elektroniczne ograniczenie ................................................ 548
l 7.6. Praca w czterech ....................... 551
17.7. Obliczanie stopnia mocy ............................................. 552
17.8. (przedwzmacniacze) ............................................. 555 22.
17.9. scalonego wzmacniacza
operacyjnego .... ...... .. .. ......... ....... ........ ......... ............. ...... ... ... ...... .. .... 558
18. ...... ... .......... ..... ..... ..... ............................ ..... 560
18.1. transformatorów sieciowych ............................ ............ 560
18.2. Prostown iki sieciowe ................................. ........................................ 562
18.3. stabilizatory ............................................................ 568
18.4. Wytwarzan ie odniesienia ................................................... 58 l 23.
18.5. Zasilacze impulsowe .................................................... ........... .......... 586
18.6. Stabi lizatory impulsowe kluczowane po stronie wtórnej ................. 588
18.7. Stabi lizatory impulsowe kluczowane po stron ie pierwotnej ............ 597
12 SPIS
19. Cyfrowe arytmetyczne ...... ...... ... .......... .......... ..... ........ 612
7
9 l 9.1. Sposoby przedstawiania liczb ... ............. ......... ............ ... ...... ............ 612
I 19.2. Konwertery kodów ................................................ ................ .......... 620
7 19.3. Kombinacyjne (harrel shijier) ........................ 626
3 19.4. Komparatory ... .. ... .. ........ ........ .. .. ... ................... ...... ...... .. ............ ..... 628
19.5. Sumatory ................ .......................................................................... 630
z 19.6. 638
2 19.7. Cyfrowe generowania funkcji standardowych ..................... 642
o
6 20. Podstawy mikrokomputerów ............. ........ ..... .......... 647
I
20.1. Podstawowa struktura mikrokomputera ......................................... 647
4
20.2. Zasada mikroprocesora ...... ......... ..... ...... .. ...... .... .. ......... ... 649
z 20.3. Lista rozkazów ................................................................................. 655
20.4. Uruchamianie systemu ................ ..................................................... 669
20.5. typów mikroprocesorów ................................................... 673
2 20.6. System w minimalnej konfiguracji ................................ ................... 678
5
21. konstrukcja mikrokomputera ....... .................... ..... 687
6
7 21.1. Karta mikrokomputera ............. .......... .............. ................ ............... 687
8 21.2. Karta ..................... .................... ........................ ............ ..... 692
4 21.3. Programowanie EPROM ........ ............................. ....... ........ 696
.7 21.4. Interfejs ......................................................................... 698
.9 21.5. Interfejs szeregowy ........ .. ...... .. .. .. ... ...... ... ........ .. ...... ........ ..... ..... ....... 702
,I 21.6. Interfejs IEC . ... .. .. .. ... ........... ....... ... ........... .. ......... .. .. ... ... ... ....... ..... ... 714
21.7. Licznik programowany ....... ............... .................. ............................ 719
6 21.8. Kontroler ............. ...................... ................... ................... 720
,6 21.9. do (DMA) ............ ................ ......... ..... 722
:8 21.10. Procesor arytmetyczny ......... . ........ ........ ..................................... ...... 725
4 21.11. danych .... .. .. ...... ... .. ....... ....... ..... ............. 729
16 21.12. wizyjne .............. .................................................................. 733
18 21.13. Analogowe ............. ................. .................... 740
il 21.14. Specjalne peryferyjne ........................................................... 745
i2
iS 22. Klucze analogowe i
................ ........ .... ..... .............. . 747
i8
22.1. kluczy ................. ........... ........... ...................................... ..... 747
10 22.2. Klucze elektroniczne ............ ............................................................ 748
22.3. Klucze analogowe ze wzmacniaczami .................. .................... ........ 760
;o
22.4. .................. .............. ....... ............... 762
i2
;g
n 23. Przetworniki C/ A i A/C ...... .. ..... ......... ............ ...... ................. 768
!6 23.1. Podstawy przetwarzania C/A ............. .......................... ........ ............ 768
!8 23.2. Przetworniki C/A w technologii CMOS ........ .......... ................. ....... 769
n 23.3. Przetworniki C/A w technologii bipolarnej ..................................... 774
.... .....,...,·...,.,....,.....
............
..........
, ·.. . .....·.-...........
.......~.~~-
- ..-.-.--·
, · ...,.,, ................ ... ........
,•.·, - - -.-................ ·. ................
-,.....,,,..,~--·,
·····
, •, •, , , ..... .......................................
..
SPIS TR.ESC! 13
23.4. Przetworniki C/A do specjalnych .................... ........ ..... 777
23.5. przetworników C/A ..................................................... 783
23.6. Podstawy przetwarzania A/C ........................................................... 785
23.7. przetworników A/C ...... ...................... ......................... 788
23.8. Re alizacja przetworników A/C ............ ....... ...................... ............... 791
24. Filtry cyfrowe .. ............ ... ..... ....... ........ ... ............. ..... .............. 807
24.1. Twierdzenie o próbkowaniu ................ ....... ........................... ........ .. 808
24.2. F unkcja przenos zenia cyfrowego .............. ........... ....... ....... .. 814
24.3. Pod stawowe struktury filtrów cyfrowych ............................... ......... 819
24.4. Projektowanie filtrów o odpowied zi
impulsowej (FfR) ............................. ......... ..... ........... ..... .............. .... 822
24.5. Reali zacja filtrów FIR ......... . ..... ................ ..................................... . 844
24.6. Obliczanie filtrów IIR .......... .. ... . . ............... ............ .............. ............ 848
24.7. Real izacja filtrów IIR ...................................................................... 856
24.8. Porównan ie filtrów FIR i IlR ... . ... ......... ................ ......................... 864
26. Sensoryka .. .... ......... ........ .... ........... ... ............... ........ .. ...... ...... 899
26.1. Pomiar temperatury .. ............ .... .. ............... ....... ...... ...... .......... ......... 902
26.2. Pomi ar ...... .. ... ......... ............. ....... .............. ......................... 920
26.3 . Pomiar wilgoci ............. .. ..... .. ...... ........ ........... ......... ............. .. ....... ... 933
26.4. Tran smisja sensorów .......... ... ......................... ........ ..... ..... 938
26.5. Wzorcowanie sensorów ...... ...... ...... .. ..... ...... ... .................. 943
28. Dodatki .. ... ... .. ... . ....... ...... ... .. ... ... .. . .... ... ..... .... . ....................... 980
28.1. Logiczn e scalone serii 7400 ...... .. ......... .. ......... .......... ............ 980
28.2. Szeregi znamionowych elementów wg norm
DlN 41426 i IEC 63 ...... .............................. ................. .................... 998
28.3. Sposoby oznaczania rezystorów ...... ..... .................. ...................... ... 999
Skorowidz ... .................. ... ........ .. ........... ......... ..... ..... ..... ........ 1
,.,.,..,.,
.,.,.,.,.,.,.,.,•_......-
..... . . ~.•.. .-.. ,., •.•.,.,.,.,.,.,.,.,.
,.,•,•,•,•,•,•,
._,,._,, u -..·.~ ·•uv. ·~~--- .,... .,h ..,, ..,., ,,,, , ,•,•,•,•,•,•,•,v. •.-......,.. ....-,.,.,. , •••••,.,., •••••, ...... ....................... . ~~ - ··· ·- ·· •._._......,....,...
..... _..••_..,••-.,..-. -.
14 SPIS
....~NWl!fi!Y~~~
I
Podstawy
1i ~trf:[]f~tm m
~:1:1:1m
1
1" 1I
~~'.$l\\S@<":s
-:i:,:s::a::.
,,.;$).,.:z&h:g,',,;;rnz~'*'7C ••4:::••:: :.
i oznaczenia
:.:,:.:.::
:w~ws:;:r:·
.''.:7>RW·~...
y,,:::.
:•••
'••'.'.,:':r?nmwh~
I
u
R
R= y
I
- R
u
R=-..J!....
I
drugi
wewm
ot
Mówii
Rezystancja
rezystancja od lub o rezys-
tancji statycznej R = U/I lub rezystancji dynamicznej r= naprz
= oU/81 r::::::,/J.U//J.I. te przy przeciwnie skierowanych jego a
ui Przy jednakowych zwrotach jak to
pokazano na rys. 1.1, znak minus.
i
0---
Rzeczywiste jest opisane
Uwr=E-RJwr (1.1)
R·
L
18 I. I OZNACZENIA
Inny schemat rzeczywistego
równanie ( 1. I)
E- Uwr - I Uwr
lwr = --- - o- (1.2)
R1 Ri
R, I1
)
u,
u,j
a
Rys. 1.4. zastosowania pier wszego prawa Kirchhoffa
---·-·····----·-----·~·•••·•-v ...
,v--- .........
,,,,w,m,=w,-,,.,,.,,,
I. WIELKOSCI I OZNACZENlA 19
Po podstawieniu otrzymamy
UIDO)
'
Uzyskujemy
a zatl
U3 = U1R2R3 + U2R1R3
R 1R 2 + R 1R 3 + R 2R 3
gdzie
Drugie prawoKirchhoffa
pomoc przy obliczaniu stanowi prawo oczka, zwane
drugim prawem Kirchhoffa. Mówi ono, suma wszystkich
w obwodzie jest równa zeru. Za dodatnie przy tym te a wi~
których zwrot jest zgodny ze zwrotem obiegu oczka.
za ujemne. W pokazanym na rys. 1.5 mamy posta
Ii ui= U1 + u 4 - U2 - U3 = o
zapc
Rys. 1.5.
-u„
zastosowania prawa
niuje
20 I. UzYwANE I OZNACZENIA
ejll = cosa+ jsinoc (1.4)
1e
.3)
I'
gdzie q>jest fazowym i
na- wym. wyprzedza to <pjest dodat-
a nie, jest ujemne.
I. I OZNACZENIA 21
Logarytmiczny stosunek
W elektronice podaje I Kuh08 stosunku na-
IKu I = U wym/ U wem· tymi jest
= 20 dB log
IKu hog ~wym = 20 dB logi Ku I
wem
11J2~0.1 - 3 dB
I O dB
J2 1,4 3 dB
2 6 dB
IO 20 dB
100 40dB
1000 60dB
Symbole matematyczne
skróconego zapisu w dziedzi-
nie czasu
du
dt
=u,
y.
y ,
22 1. ANE 1 OZNACZENIA
Spis
il:>.
.....
:~•:•::)'
{3 -
we tranzystora
/3!1 - wzmocnienie
zwrotnego, wzmocnienie
tranzystora dla
li
lt~~:;:;:::
9 - temperatura w °C
't' - czasowa
C - zmienna
w - pulsacja
Q - pulsacja znormalizowana
iru
{:f~1tit~
Filtr d
zmian"
pusto\11
Rys. 2.1.
2.1.1. •
W celu
K:
zai
to Otrz!
1 przesu
Obie kr
W~h:,'~,:}'3:
,%t\ ,:,:~ml:',:
:::\ ::::::::::,:
,;,;,:,:,,,,,,,:,,,:,:,:,;,;,:,;,;
,,,;,:,:,
,,,,,,",::,..tM,:,:,
,,,,,.
I
lir 2.1.Filtrdolnoprzepusto
·l"~~:,i::@::~r;::~:;
wy
:;:;:::;:;
:;::::;~~~;§~;:;::;
Uwi~UWY
1 I l
Rys. 2.1. Prosty filtr dolnoprzepustowy
2.1.1.Opis w dziedzinie
KuCw)=Uwy = I / jwC = - - I __
(2.1)
J Uwe R + 1/jwC l + jwRC
zapiszemy w postaci
Ku= IKul =
to otrzymamy (tzw.
i fazowego (tzw.
I
k
u
= ----:
J1= += w2R2c
== =- ,
2
<p= -arctgwRC (2.2)
L
1
UwE~ - -
o 1
0,1 f
- 20 o.1 Tg
Uw
01
-40 0,01
UH - - ·
{°J a.1
o 1/)J f
fg a
-45 Rys. 2.3.
- 90 -------------- Przy uw
J '
"·--w -~
uWYt I
0
Rys. 2.3.
T f°"
filtru dolnopnepustowego
uu
·~~l "',
o,
0
na skok
T
. { UM d la t > O w pr zypadku a
RCuwr + u.., = UwB= (2.4)
1y " O dla t > O w przypadku b
Równanie to ma
przypadek a: przypad ek b:
Uwr(t ) = UM(l - e-1/Rc) Uwy(t ) = uMe - tfRC (2.5)
3)
Przebiegi te pokazane na rys. 2.3. Widzimy , ustalone
uw1 = UM lub uwr = O tylko asymptotycznie. czasu
·o
'.la do stanu ustalonego jest czasowa ·r. ona czas, po którym
ka od ustalo nej amplitudy skoku Z ró -
wnania (2.5) otrzymujemy czasowej
.n. (2.6)
I
t
tr :
Uwy = ~c UwE(~)d~ + Uwy(O)
o
Dla/4=
Filtr dolnoprzepustowy jako
Przy niesymetrycznych zmiennych
nie jest nigdy w szereg Fouriera rozpoczyna miano -
wicie od która jest równa
T wych wy,
Pr z
U0 = JuwE(t)dt wych o n
o
}c fuweC~)d~+ Uo
t
Uwy = (2.7)
o l_,.,-J
1 czasowa r = RC jest to
z czego wynika
(2.8)
jest
N'j-
:uje 2.1.3
. Czasnarastaniai graniczna
.nia
filtrów dolnoprzepustowych jest czas
narastaniat,. Podaje on, w jakim czasie od 10%
do 90% ustalonej, na podamy skok jednostkowy.
Z przebiegu funkcji z równania (2.5) otrzymamy
Dla/4 = 1/21t1:wynika
e. nie (2.9)
mo-
ten w dla filtrów dolnoprzepusto-
wych
Przy kaskadowym liczby filtrów dolnoprzepusto-
wych o czasach narastania wypadkowy czas narastania
(2.10)
lnym
. jest Odpowiednio dla granicznej mamy
,..,,.,..,.,..., ,,...
........,..,..,.........,.......
.....~.·-........
,•, .......
,.............. ....,.,..,,.,.,.,. ....
.,...,........... .... ....,.,.,.•.,.,.,.,.,.,.,......................
...................................
2.1. FILTR DOLNOPRZEPUSTOWY
__
.......................... .......
.. ··························
...........,,....,,
29
Dla przypadku n filtrów doln oprze pu stowyc h o jednakowej /(" Kvlo,
granicznej
G
§~~.:.::.;.;.~
·~.:\.?~::~
. ).$~?~.'.':.:.~~$."%=:r.n
.. ...
~.-: •....•w~:...
..........
~::.:,: .·.·==~=~~::
)•=-· ..t :..
:--::~ w. . ·
ii 2.2. Filtrgórnoprzepustowy
v:=w
wo
,:,:,:
·.·.·y~,:,,::,: ..:t:J:~st>~:t\,...,
,:,:,:,:, '"::•:-.,:::,;.;~
.,.;::::::::,:,:,
:,:,:
,:,:,:,<-~,my..;«:®,
0 ·: :mm®:~l
Rys. 2.6
tzn.
toty
Rys. 2.5. Prosty filtr górnoprzepustowy
- dla}I
wzmocnienia i fazowego D
otrzymujemy ze wzoru dla dzielnika prawo .
. ) Uw, = ----- R 1
KII( JW = -- (2.12)
uwe R + 1/jwC 1+ 1/j w RC C
wynika
1
<p= arctg w RC (2.13)
IK"(jro)I = J l + 1/w2R2c2
którego ,
Obic krzywe pokazane na rys. 2.6. otr zymujemy ,
jak dla filtru do lnopr zepustowego , w po staci
1
!.,,= 21t (2.14)
cza
vo-
00
:.5. 0,1 10 100 f
.12) (2.15)
którego jest
:my,
(2.17)
a) b)
u~:bo
Nai;
";;l 1 cylo:
uwv
01
I
t
UM
wyd
- UM
Zastosowanie
na
impulsów
RC jako
omawianego filtru górnoprzepustowego RC podamy
o okresie T 1:, to w czasie okresu ko n-
I
densator nie
równe
i z do fj~
przez kondensator nic
?!~~*
wynosi zero - nie przenosi
cia Dlatego filtr górnoprzepustowy RC jest stosowany jako o.c
sza, i
zmnie
dolna
kondo
0---
Uwct
1
Rys. 2.8. fillru górnoprzepustowego na impulsów o
górna krzywa/_= 10/4 , krzywa/..,.=/,, dolna krzywa f..,, = f,/10 Rys. 2.!
o Prze-
transmisyjnych filtru górnoprzepustowego os-
cylogramy na rys. 2.8.
Kaskadowe liczby filtrów górnoprzepustowych
Przy kaskadowym liczby filtrów górnoprzepusto-
wych wypadkowa graniczna
(2.18)
(2.19)
ar·:,:~;:,:.·,:-:-,,~
...
'.·:~·
···
·~:-:·:··
···:•:•:
•:;:•:::::x~~::rs~~%::················$~~~~·•*:.:·:·~:·•·•·•·•·•·•·•·•
·•·•
·•<
·•<·•·•
·•·•<
·::•:•:•:>•:~;&.~~···
··:;:;
;l!2.3.Skompensowany
dzielnik
~?t:::
•:=:z.:::::
•:•:•:•::
:•:;:z:~.r:·:
·~~~,~~~::::·:~::::=:•:=:
•:•:
::::::;:::=:t;)~-:;:;~l':lr~=:~·:•
:•:•:•:•:=:
m:~t~:;:K:::::r:
·:·:
·:·:·:
rezystancyjny dzielnik jest to staje
on filtrem dolnoprzepustowym. Jego graniczna jest tym
sza, im mniejsze rezystancji dzielnika. Nie ich jednak
bez ograniczenia, rezystancja dzielnika nie powinna
zbyt
Inny sposób granicznej polega na tym, by filtr
dolnoprzepustowy filtrem górnoprzepustowym. Do tego
kondensator Cx na rys. 2.9. Dobiera go tak, by
s-
Rys.2.9.Skompensowany dzielnik
--·-"·" ·"N··=···,~··,...wwwwww-- ·-=www~-=__.,.,. ....................
,.,.,.,.
,..•.,Mw.·.~--"·"'••wu.v,~- ....... w.·.w.·.············
........,..., .....,.,...,
2.3. SKOMPENSOWANY DZIELNIK 33
dzielnik ten sam stosunek co Oz
dzielnik rezystancyjny. Wówczas dla wielkich i otrzyma-
my taki sam Wynika warunek
a WZI
przed
i fazow ego
1 1-Q 2
<p= arctg
J( -Qr
ku= --=======- (2.21)
3Q
+9 ,
1
fo = 2n (2.22)
(J) J
0= - = -
Wo fo
45•
r!
-45'
0.1 o.z
-90-
dwa
Wynika
1 1 - D2 sze pr
K,,(jw) = ---- (2.23)
3 1 + 3jQ- Q2
0,f
0.2 0.5 2 5 IO Q
Po efr
2 5 IO9
- 45°
-90°
1:
2:
3:
Io= -
Rys. 2.15. Charakterystyki amplitudowa i fazowa filtru typu podwójne T
Rezyst,
Szeregowy Szerok
.
B= -
2:
Q= I~
.B
Jzl
R
4
1
o..__
__ __ _._____ _,__ _ o
0,3 3 f 0,3 3 f
fo Fo
rezonansowa:
1 1
fo = .j LC Io~ ../LC
Rezystancja rezonansowa:
Z 0 =R
pasma:
R R
B= -- B~ --
21tL 21tL
Q = fo = - 1
B R
Jl::_
C
,,:,:,:, ··(·.-'·:··
, ,, ..,.,',','
3
UA.K„
riii przew
0 lokal11
ltw.,··
·.·,·.·.
·: .....·...·.·..·.·
-s,:•X!:.• .·.·...
....·...
·... . ·,.·,.·,·.·.·,1111111
......... ·..·.D ... ··.··.··.!.....,. ..·.· ..· ::::;:;:;:;::;}'~~:::;:::;::
···.··.··.··.··.i···...·.·.·.
··.·.d· :.::::::::':··:··:: ·: · :::·: ... ::5.-.··:·:·:·:···'.
::;:;:;.-
~~?,; :::::
·:::::::::::::::::::::
·:::·:::::::::
·::·:::~;
:{•:
od 101
gdzie,
Diody elementami w zasadzie ktrokii
w jednym kierunku. Wyprowadzenia diody nazwy: anody A i katody K.
Symbol graficzny diody przedstawia rys. 3.1. na diody doprowa-
dzi.my dodatnie katody {UAK > O},to ona spolaryzo-
wana w kierunku przewodzenia. Przy ujemnych UAK dioda jest
spolaryzowana w kierunku wstecznym. wsteczny diody jest na ogól o kil-
ka mniejszy od pr zewodzenia. czap- n
Ao Dl oK
F
diody t
Rys. 3.1. Symbol graficzny diody sty
niowyc
wej o n
dioda g,
Dl
ono od.i:
mi
Rys. 3.2. Charakterystyka diod y dzenia d
40 3. DIODY
Z rysunku 3.2 widzimy, przy wstecznych
T
UAK < - U Rmax wsteczny wzrasta do porównywalnych z
przewodzenia. Zwykle diody nie w tym zakresie,
lokalne przegrzanie prowadzi do ich uszkodzenia.
Maksymalne wsteczne wynosi, w od rodzaju diody,
od 10 V do 10 kV.
diody [3.1] wzorem
u,,. )
ID= I 5 (T) (emU T - 1 (3.1)
diodagermanowa: !5 x = 100 mA
= 100 nA , mUr = 30 mV, !Fma
:~f
O
2()
Io
[mA]
10-2
Rys. 3
10- 6
ale z
10- 8 .___ ......__
_ __. __ _.____ _ im w.i
o diod 1
jest n
Rys. 3.4. Charakterystyki diod w skali
sem rn
Z równania (3.1) przewodzenia stowa 1
wzrasta o l
Schoti
mUrlnIO = 60 ... 120 mV równic
gdy przewodzenia
zarówno Ur, jak i 15 od temperatury, przewo- warstv.
dzenia dla od temperatury . W ny dio1
zuje tu
Ao--
2 mV Rys. 3.7
(3.3)
K
I - , ---
t
20 "
10
5
Rys. 3.8. Symbol graficzny stabilistora Rys. 3.9. Charakterystyka 2 -
stabilistora 1
o
Jak z rys. 3.9, rezystancja wsteczna przy wstecz- Rys. 3 ..
wnania .
nych U„x > -Uz jest Po stabilizacji wsteczny
raptownie wzrasta. stabilistora polega na tym,
I
zmiana ó.ID powoduje tylko ó.UAK·Stabi-
o
lizacja jest tym lepsza, im bardziej stromy jest przebieg krzywej, a im
dobro,
mniejsza jest rezystancja (rezystancja dynamiczna)
r::= ó.U„xfó.ID.Rezystancja dynamiczna stabilistorów o Uz 8 V
jest najmniejsza, dla stabilistorów o Uz tej rz szybko ze
spadkiem stabilizacji, dlatego diod o ma-
stabilizacji jest bardzo temperaturowy na-
w zakresie ± 0,1% na Przy stabilizacji
5,7 V zjawisko Zenera z ujemnym tem-
peraturowym a - przebicie lawinowe ze
dodatnim.
1/:1/r}:):ttti:~;§~~~\~l~)1~~~~~~:~~~~
I:!I§}
l~
~iii:3.3.Diody
::····:::::::::::}1~l~\"iil:lf.~
7f•? ,:;:::::::
:::::::::::::::::::
;:;:;:
::::::::::::::::::::::::::::
:,:,:,,·,•
,•,•
.
44 3. DIODY
C
[PF]
5 10 15 20 25 -UAx[V)
l
Diody do realizacji obwodów rezonansowych
o rezonansowej przestrajanej Ze na
l
je do zakresu wielkich (UHF).
)
I
e
.-
ii
I-
z-
IO
k.
ek
4
lll~l;::{:::::::::
:::{:;:::}
tJ~:::,ii-'J~~~=::::
~~l!
l
i I
::»\~~=:=:::
Tranzystory
:::::::::::::::::::::::::
bipolarne
~:::::::::*~~:=:::;..lr.m::::.:~~~:::t:~::::::"~:::::~
::::f:~:w.~r::::
..~~i~~~~::::::?:~"::~~'*"k.\~:w:::::~:».~~~~~..~:::
sze 1
toró
-
fPW
i 41
w C:
UBE
pnio 1
kaza
Tranzystor jest elementem o trzech elektrodach, do istot1
wzmacniania lub tranzystory krzemowe kolcY
i germanowe. z nich typu pop lub npn. Na rysunkach 4.1 i 4.2 chara
przedstawiono ich symbole graficzne. do w.
wielk
rakte :
ta jes
Ie
[mA}
Rys. 4.1. Tran zystor npn i jego diodowy Rys. 4.2. Tranzystor pnp i jego diodowy
schemat schemat 30
25
Tran zystor z dwu przeciwnie diod,
20
n lub p. do tej warstwy elektroda nazywa
B. dwie elektrody nazwy emitera Ei kolektora C. Diod owy 15
schemat tranzystora (umieszczony obok symboli graficznych) nie 10
odzwierciedla wprawdziew jego daje jednak pewien na
elektrodami. W normalnym stanie pracy s
emiter-baza jest spolaryzowane w kierunku przewodzenia, a kolektor-
-baza - w kierunku zaporowym. o
w sposób pokazany na rys. 4.3 i 4.4. Rys. 4.S
tranzystora jest to, kolektora Ie
jest proporcjonalny do bazy 18 . Stosunek fJ~= lc/18 nazywa wielko-
sygna/owym wzmocnienia k
J .~1~,>0 J •
lc>O fc<O
metren:
dobnie
od rów.
P,1U"<O [4.1]. M
Rys. 4.3. Polaryzacja tran zystora npn Rys. 4.4. Polaryzacja tranzystora pnp
46 4. TRANZVSTORY BIPOLAR NE
Zachowanie tranzystora jego charakterystyki. Dal -
sze dla tranzystorów npn. Przy rozpatrywaniu tranzys-
torów pnp wszystkie i znak.
-««..
w~.~·:,:,1ww.~...:..;..,..::t..:~
... ..w:..
m&.~::.:,:.:.:.:
,:.:,:,~"' .';;~ --~.;-:-~~:,;:,:
-~~.,<~
Iii4.1. Charakterystyki
i parametry
malosygnalowe
··
m:tl,x,:,:,:&.»x::.:.:•:•:•:::.:::-:
-:-::.w;;fua:~~~~r. ..::Jl;m;
....i.:.:. a~~:::.:,:,: ,;:;,
:,:
-:..-.:.
W celu zbadania tranzystora
U8 E i zmierzmy Ie w funkcji UeE· Sto-
pniowe daje po-
na rys. 4.6. Z obserwacji tej charakterystyki dwie
istotne tranzystora. Po pierw sze pewnego
kolektora prawie nie od UeE· przy którym
charakterystyk, nosi nasycenia kolektor-emiter UCEsat· Po drugie
do zmiany kolektora wystarcza nawet nie-
wielka zmiana Ta Zllliana, czyli cha-
rakterystykami, silnie przy kolektora.
ta jest jeszcze widoczna na charakterystyce z rys. 4.5.
le le
[mA} [mA]
30 30
25 UcE
h 20
=680mV
y 15
le 10 Mc=9m·tJUst =BBOmV
La
5 5 =64DmV
ie
=62DmV
r-
o 200 400 600 U8E[mV} O 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 UcdV]
Rys.4.5. Charakterystyka Rys. 4.6. Charakterystyka
Ie
:o-
kolektora Ie jest tu UBE•a UcEjest zmiennym para-
metrem. Na rysunku charakterystyka tranzystora, po-
dobniejak charakterystyka diody, ma przebieg W
od równania (3.1), korekcyjny m jest tu bardzo bliski
[4.l].Mamy
D
poszcz;
Z rysunku 4.6 przy kolektora jest ona mniejsza, E
nachylenie charakterystyk Rezystancja jest w bazy. ,,
niu odwrotnie proporcjonalna do le, czyli nikiem:
I,..~: I
(4.3) /J
48 4. TRANZYSTORY B!POLARNB
- """i'=.._ __ _____ .____ _ _ _ _
auBsI
O[B Uc, = ooost
e
Is
(µAJ
100
80
60-
40
20
.2)
o 200 400 600 UsE{vJ
uje
le
(4.3) Pst=/B (4.4)
kuw= ~
auBEI ' g..,=
a1BI
au
CE l. = coosL CE v., = oonsl
50 4. TRANZYSTORY HfPOLARNE
Po wprowadzonych iz
a1n
. zwrotnego (g w = ---
warna O) otrzymamy rownarua
, .
oUcE
(4.6)
(4.7)
W zapisie macierzowym
UcEOmax
< UcER< UcES< UCB0max
Linia przerywana na rys. 4.10 oznacza drugiego przebicia (secon-
dary breakdown) [4.4). Rys. 4 ..
z dla tranzystorów mocy jest maksymal- górny r:
na moc strat. Moc strat jest zamieniana w tranzystorze na T0-92,
52 4. TRANZYSTORY BIPOLARNE
podaje moc strat Psrrmax przy temperat urze obudo-
wy 25°C. tej temperatury moc strat musi mniejsza od podanej
maksymalnej, w przeciwnym przypadku prze-
kroczenie 9i. Typowe 9i 90°C dla tranzystorów germano-
wych i l 75°C dla tranzystorów krzemowych.
w tranzystorze wydzieli moc strat Psr,, to ogrzeje
obudowy o l!..9j-, = Rthj - ,P sr,, przy czym R,hj -, jest tu
a Obudowa ogrzewa
otoczenia o l!..9,- a = Rch,- a Ps,,· ogrzewa
dem otoczenia o l!...9i- a = (R,hi -c + R 1h,-)P 31„przy czym R,h,-a jest rezystan-
a otoczeniem. ona od sposobu
nia obudowy. tranzystor pracuje w otoczeniu nieruchomego powietrza ,
to Rihc- a od jego obudowy. W tym przypadku jest
podawana Rrhj-a = Rrhj-, + Rthc-a· Moc, przy której zostaje przekro-
czona temperatura 91, oblicza zgodnie z tym ze wzoru
Typ obudowy Maksyma .Ina moc strat przy Maksymalna moc strat
nien
pracy w nieruchomym powietrzu przy temperaturze nale.
Metalowa Plastykowa o temperaturze 25°C obudowy 25°C weg,
[WJ [WJ traru
nie.z,
T0-18 T0-9 2 0,3 0,6
T0-5 T0 -126 l 5
Wm
T0-66 T0 -220 2 25 nym
T0 -3 T0 -3 P 3 100
Tablic
Rezystancja Rtl•c- a wówczas z rezystancji termicznej
otoczeniem a radiatorem oraz radiatorem a tranzystora. Po- Typ
w tranzystorach mocy kolektor jest z
Prodi
niekiedy istnieje izolacji za z miki lub folii
silikonowej. izolacyjna wprowadza jednak
Ogólnie P 8j oblicza w sposób: TypJ
Typ l
(4.8) Par8J
Napi~
.
gdzie 1:,Rih jest wszystkich rezystancji cieplnych a otocze-
niem, które ma liczbowy podamy w p. 17.7. I
Moc s
fe Param
z
Poje.11
Tzw.druq,e Pojemi
przebicie
Param
/
Param~
lfuomax UcE
Parametryprzy le 10 µA 0,1 A
baza-emiter UIJE 0,5 V 0,7 V
nasycenia UeE,ar lOOmW 70mV
wzmocnienia p ok. 150 ok. 100
Parametryprzy le 1 mA JA
baza-emiter U,rn 0,6 V 0,8 V
nasycenia Uee,., 60 mV 200 mV
wzmocnienia p 240 ... 500 40 ... 180
Pole wzmocnienia /1· 100 MHz 3MHz
1- Parametryprzy le 100 mA lOA
(- baza-emiter UBP. 0,8 V 1,3 V
L-
nasycenia UeE,a: 200mV 700 mV
w7.mocnienia fi ok. 200 ok . 40
)-
Otrzyn
4.3.1.Zasada
W celu analizy ze wspólnym emiterem pokazanego na rys. 4.13, do-
prowadzimy do jego UwE o 0,6 V,
kolektora miliamperów. teraz Po roz•
cie o 11UwE,to kolektora Ie zgod-
nie z rys. 4.5, 4.6. charakterystyki prawie po-
ziomo, zrobimy najpierw Ie tylko od UBE, kI
a nie od UCE.Wtedy
W gran
Ucc
+
Re co jest z
lwr
le Uwy
1 k„c
Zgodnie:
ó.U cia na re
Wzmocnienie k. 0 =
ó.U wr = - gm (Re li, ce) Pr.
WF.
wzmocni
Rezystancja wej.frimva r .,,= rb,
Rezystancja r„1 = Relir„
Rys. 4.13. Wzmacniacz z tranzystorem w WE Rys. 4.14. Schemat uproszczony I) VI
56 4. TRANZVSTORY BIPOLARNE
kolektora do tranzystora ze
go przez rezystor Re, wzrost spowoduje spadku na
Re, tzn . Uwr zmaleje o
(4.9)
Otrzymamy wówczas
(4.10)
k - lcRc (4.11)
uO - - UT
Rezystancja i r„
Przy obliczaniu wzmocnienia nie dotych-
czas rezystancji r 9 i rezystancji RL. Pi
Aby móc ich musimy dwa dodatkowe parametry cia, tzn
du rwe i r"'Y' pokazane na zmniejs;
rys. 4.15.
ku
gdzie ku
Sti
.L-- -- -- - -
gu
rwy= -
iJUwr
i)J
I
WY E0 =consl
:b-
~L-
Przy RL rezystancje rwy i RL dzielnik
.la- cia, tzn. wzmocnienie jest zmniejszone RL/(rwy + R 1) razy.
na nazywamy wzmocnieniem roboczym
k = dUwr =k RL
• dUwE uO rwy+ RL
gdziek. 0 - wzmocnienie rozwarci owe.
Stosunek przy do bie-
gu jest wzmocnieniem skutecznym
dUwy l g
-diwy - R = gmdU 8 E+ - dUwy nia na .
C r,e
dUwy R<:Yce
r
wy
= - --
diwy
= -- -
Re+ r,e
=Rcllr
ce
(4.14)
tek silrn
ai
nia. Mii
teraz wzmocnienie robocze ku. Z (4.10)
i (4.14) otrzymujemy
h:
(4.15)
Uwe= Ube
l..-- ---o--+!
l
_..-_., _ ___,~
!r1,e
.;......o- - --
RL
-.J
ot Uwy
soidalnie ,
L ____ ___ _ _
Rys. 4.16. Malosygnalowy schemat lranz ystora w WE Po
na 1
nas tylko
zmiany punktu pracy,
damy, z szeregowo
ie (t)I
Ee i zmiennego eg. e9 wybiera tak
w za deG. Zgodnie z tym
4.3.2. nieliniow
e
1
skute czna harmoniczny ch
100%=
JntU;
11= ------ -- ---- X -= =
skuteczna ca/ego
,-
X 100%
,a
da
m w szereg daje
lc(t) = lcs e Ur
• u,..[
--
1 + --u
wem ·
smwt + -uwem2
2
(1 - cos2rot) + ...J
UT 4 Ur
..., .... " · ·-..,........
-.·v .·-.·-.,,,•, .,., ,•••,,,..........,....,.,...,.,.,.. v ......... ..,......_...,.u ..... . . .... ........ ..,.,., .,.,.,.,.,.,., .... • ...... .... ..... .. .... ...,..,..,.,..,.,.,.,.
,.,.,.,·,·r,r,.;•rr
.·.. ... . . .. ~. ........,.,.,.,.,.,.,.,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•
, ..
tzn. nit
4.3.3. WE z ujemnym zwrotnym W celu
+
Re W celu~
!Uwy
1
Ed DlaRE-
RE oczeki':
Rezystancja r .,. 'b•+ PRH
nego. Prz
RezystOJlcja wyjfriowa r „1 Re
d Uwy Re KmRe Re
Wzmocnienie kuo/ = - =- - - -
dUw 8 Re I I + g„R 8 Ri;
Re + - + _ ,
g„ kumax
(4.17)
(4.18)
tu
(4.19)
Rys. 4. J
Otrzyni
Rezys tancja
Jak ujemne zwrotne zmrneJsza
zmiany U8 E i tym samym powoduje wzmocnienia Po- \\I
powoduje to zmniejszenie pr zyrostu dl 9, rezy- pierws2!
sta ncja tyle razy, ile razy wzmocnienie
rce p Re otrzymamy dl
d.l
(4.20)
Przy uw
W celu przedstawienia
cie o 11Uwe· Spowoduje to wzrost U9 e, a wyj-
zmniejszy o I/1Uwr I p 11UBE· 1 przyjmiemy, rezys- Przy R 1 .
r..,,~ - I ( I + - Rp)
g,.. R,
Otrzymujemy
dUwE 1 + R 1/(rbeliRF)
dUw 1, =- (gm - 1/Rr)(Rc li r"e li RF)
RF 1/gm, to
1 + Rif(rb~ fj_ _ ~1 (4.21)
gm(Rcll rceli RF) RF
(4.22)
co jest zgodne z
na podstawie
rozumowania: zmiana
!i Uwy = - gm(Rc 11rce li BE· Zmiana przez RF wy-
nosi wówczas Rys. 4.19!
w;
nie wart
Rezystancja zwrotnego RF na jak zm1
rezystor Rp/g,nCRcli r,e li RF) a Otrzymujemy produk:c:
w ten sposób alnie dlai
On
(4.23) peraturo,
tranzystc
rys. 4.21
zwrotne zmniejsza w tempe1
Dzieje tak , rezystancja RF powoduje wzrost bazy przy z rys. 4.:
kolektora. Przy zmianie wynika i jest tak
zmiana kolektora. Przy podanych dryl
otrzymamy
au
as
(4.24)
Prz1
o ok. 6 V
4.3.5.Polaryzacja
tranzystora
(ustalanie
punktupracy)
,-
Dotychczasowe pracy tranzystora z
w zadanym punkcie pracy lcQ, UcEQ·W celu ustalenia punktu pracy w szereg so-f--
'-·
ze - jak to pokazano na rys. 4.19 - j 2")/
o UBE· Ze na L_ __
zastosowania nieuziemionego to nie jest jednak
ekonomiczne. Z tego bazy U»EQuzyskuje z Ucc Rys. 4.21. Sc
........
........
.........
............
. ...
66 4. TRAN2YSTORY BIPOLARNE
w sposób pokazany na rys. 4.20, a zmienne doprowadza uwe
przez kondensator. separuje UceQ
za drugiego kondensatora. zawiera dwa filtry górnoprze-
pustowe, których tak, by przeno-
one
+ +
Rys.4.19. Z.asada ustalania punktu pracy Rys. 4.20. Ustalanie punktu pracy dzielnikiem
w obwodzie bazy
, Rzeczywistytranzystor
m, ~Tranzystor bez dryftu
reg
:na
·~
I z"j/!rJ.
temperaturowego
L. __ _
I
• ....J
E
1ak
Rys.4.21.Schemat dryft temperaturowy baza-emiter
'lee
,,.,,, ,.,.,_ ........ , ............... . . .. . .......... . , ••• ,. .... ,. .................... . . . .... , • • , • • • ,.,.,.,.,.,.,. ... . ... ... .......... . . ........................ -- . . .. .. . • . .... ..... , •••• • ,.,., . .... . .............. h . ....................... ..... . . . . . . ... . . . , . .. .. . .. ..... ,v.... --'-··--
4.3. ZE WSPÓLNYM EMITEREM (WE) 67
Polaryzacja tranzystora bazy
zmian UBE na kolektora przez ustalenie
punktu pracy bazy. W tym celu ze
o w sposób pokazany na rys. 4.22.
wymagany kolektora le wyznaczamy potrzebny bazy
IB =le/Pst
)1
u
68 4. TRANZYSTORY BlPOLARNE
+ +
R1
C1 u8
Uwer
Uwe
l
l Rz
l Rys. 4.24. Uproszczony stabilizacji
Rys. 4.23. Stabilizacja punktu pracy przez
ujemne zwrotne punktu pracy z dodatkowym (ujemnym)
zasilania
(4.26)
ku
{log]
YmRc
r, ___ 1_ r[Lo11
2
- 21tCE/gm
2 mV/K 0,1%
- 2V = K
!!__E 2V
RE -- o µA =lOkn
fc
Uce - UcQ 15 V - 7 V
Re = - -Ie- - = - 200 µA = 40 kn
70 4. TRANzySTQR Y BIPOLARNE
UB= UE+ UBEQ 2,6 V
bazy
I = Ie = 200 µA = O 8 µA
B fi~ 250 '
cy
cji Nie powinien on w sposób istotny na bazy. Dlat ego dobiera-
ty- my przez dzielnik R 1, R2 o 10Is. Otrzy-
lia mamy wtedy
15 V - 2,6 V 26
R1 = 8 µA + O,S µA = 1,4 MO Rz = • V = 330 kO
8 µA
1a- 1,4M
St.
vej 7V C2 iwy
eh rg iwe
c,
10DnF
,v
"~1
10k52 36DnF RL
sa-
1
Uwy IDOkQ
yj- l
c/I1ooµF
1
Rys.4.26. projeklowania wzmacniacza
Ie
k.o = - Ur (Re 11rce) =- 285
Rezystancja
r ,...,fmln - 20 Hz - 11 5 JI
Jd,..., n - J 3 - ' J z
1
c1= - -- = o,36 µF
2n!,,,(r4 + rwe)
gm le
CE = 2n!,,, = 2 n!,,,Ur 100 µF o
:·:....... :.::r•-:·•·
..•:VN~(S::~::~:t¼~,r"t····:'··············:-:.-,;,;•r..::•··:-;:
:... ·•··•-:-x,•·•:=·:::--.r:··.:..
...
li~4.4.
:::~:
ze (WB)· D
z:
~"~?i~;:;::::;:::~::::::::::~:::::::::;:~::::~:::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::~:::::::~;:;;;::t::::.~~\~
st:
Z porównania ze z rys. 4.27 z ze wspólnym
emiterem z rys. 4.14 w obu jest w
te same dwa zaciski. Z tego powodu otrzym ujemy to1
takie samo wzmocnienie ale z dodat nim znakiem, w tym zal
przypadku zamiast dU 8 e = dUwe dU 8 E = - dUwe· Istot- ko 1
na obydwoma polega na tym, w ze
zacisk od stro ny bazy jest
z Jak na rys. 4.27, jest wskutek tego nie
bazy, lecz emitera. Rezystancja WB jest
fJrazy m niejsza WE. W celu jej obliczenia, na
podstawie rys . 4.27 zapiszemy
Zas:
dlwE = - die = - dI 0 - di e
dU 8 e = - dUwE
dUeE = dUwy - dUwe dUwr = - dl e Re
r
we
= rbe(Re + rce)
Kmrber,e+Re+ r,e
= (-1-+
gm
Re ) lir
Kmr,e be
72 4. TRANZVSTOR Y BIPOLARN E
+ Wzmocnienie k. 0 = Km(Rclir,.)
Re Rezystancja r ,,,. :::: I/gm
rg fwE Ir le Rezystancja r .., :::::Re
UwEl fuw
r
t Is
l
tG
l
Rys. 4.27. ze (WB)
(4.27)
co jest zgodne z
Rezystan cja
Dla rg-+O wynika rwy= Reli r,e, jak w ze wspól nym emiterem.
rezystancji prz ez r9 wynika rg powoduje wy-
ujemnego zwrot nego.
m Ze na ze jest
w zakresie stosowany rzadko. W zakresie wielkich
ma on jednak w porównaniu z WE pewne zalety. Ten
m zakres zostanie szerzej omówiony w rozdz. 16 (wzmacniacze szero -
>t- kopasmowe).
E:;; ::f;;_:::::?:1,
Jr;:;i
ze
ny
tie
na
. .
Jvzmocmeme . . k .o -- g„Rs -- I
I+ g„R8
Rezystancja we/foiowa r ..,, :::::
74 4. TRANZVSfORY BIPOLARNE
l- dla r 9 = O
y- dla llEG = O wtórnika emiterowego zachowuje tak, jak
du ze W tym przypadku mamy
(4.30)
czyli w
ka
!iU <~dRL u (4.31)
C RE EQ doi
po,
W naszym wynika np. dla RL =rw y= 140 Q maksymalna
dopuszczalna amplituda
!?z
Idealne wymusza w RL który nie od
spadku na Rv Zgodnie z sobie schematami pokaza-
nymi na rys. 1.2 i 1.3, taki np. przez szeregowe Rys. 4.
·• ~~...,.,,.,.
.,.....,.,.,.,.,.,.....,..,.,.,.,.,.,.,.,.v.·.-.w.........,...........,.,..,~
••v.-.~ . •...,.,
....,......,..,....,.,.,.,....._.
.,, .., .,,. .,.,,,.,
.,.=-.,..-. ,,•.•,•,•n~-_,.,.,., , ,,, .,,,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,
.,.,.,..
..,......,
,, , , ..
.............
......
76 4. TRAN2YSTORY BIPOLARNE
EG i bard zo rezysta ncji R G. zwa r-
cia lwy nie ma zbyt EG musi bardzo Na
przy lwy= 1 mA i RG = 10 MO , Ee; 10 kV. Prob -
lem ten zadowolimy
rezystancji tylko w zakresie
go. W tym zakresie tylko rezystancja dynamiczna
dUwr
r =- -
9 diwy
4.6.1. podstawowy
W pok azanym na rys. 4.30 tranzystor pracuje w
WE z ujemnym zwrotnym. Istotna p olega tyl-
ko na tym, jest szeregowo z tranzystorem. wyj-
ma dopóki tranzystor nie zostanie przeste rowan y, tzn.
dopóki UcE> UcEur· W celu obli czenia rezysta ncji na
podstawie napiszemy
diwy= die
dUcE~ - d Uwy
die= di e+ dl 8
dU8 e = -d l 8 (R 1 li R 2 ) - dlERE
:-
U11 Us - UsHQ
l wr= - =
R ,; R,,.
Rezys tancja
)d
a-
Ne 4.30. z dzielnikiem
(4.32)
300 · 5 kQ
rwy= 100kn [ 1+7,8kn+7,8k0+5kn
J = 7,4MQ
pn
dzielnika
R 2 stabilistorem Zenera).
pokazano na rys . 4.31. W tym bazy jest w stopniu
od zasilania.
-~" ····.._ •• •·.;.wr .·,·,, •,•.-,•,•,•.,.,..,.,.,.,,•,•,•,•,•,• ,•r,• ,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•... ,..,.._. .. ,.,.,.,.,.,.. .,.,.,.,.,._.. ........,..._,.._~www- .,,. . . . ..... ,.,.,.,.,.,.,.,.
_ ... , ,.,.,.,.,.,.,.,.,.~ ..........
~~.-..~...• ...,.,..,.,...,..
.....,.,.,.,........,...,
...
78 4. TRANZVSTORY BIPOLARNE
~) Rezys tanCJa ._ .
. wy1sc1owa r„1 =- dUwr
- = r,. [i+ -- PR11-- J
d[WY (R1 I R 2) + rho+
,y
RE
4.6. TRAN2YSTOR JAKO 79
1
(UEE+ UwE) - UBEQ.
4
lz= - -----
RE
Otrzymujemy
I WY f3sr I
= f3sr+ 2 WE~ lwE
tnc
w zas ad zie bez rezystancji cmiterowych. do
jednak nie rezygn uje z nich w celu rezystancji i dla dzii
wyrównania z doboru pary tran zysto rów. Nie
80 4. TRANZVSTORY BIPOLARN E
+ +i 1-
i
R1 ORL R, ORL
1
" Iwr
Us i wE'1 2IB Iwr
'l wc2IB
uFt fwE- 2/B 1
RE
r,
o- R2
~o
iwy ~ R lwi; wyj.friowy lwy~ lwi;
en "
JSi Rys. 4.33. Prost y wtórnik Rys. 4.34. Wtórnik z tranzystorem
w d iodowym
·o-
Wtórnikiem o i rezystancji
wej, nawet bez rezystancji emiterowych, jest Wilsona przed stawiony na
rys. 4.35. Jest to z ujemnym zwrot nym . Spadek na
tranzystorze T2 w diodowym wynosi zawsze tyle, ile
jest by przez tranzystor T 1 kolektora lwE - 18 •
na
zostaje wtedy stan ustalony, w którym zaznaczone na
pa-
rys. 4.35.
elu
.33. + lw r = iw li
R1
Is
,tór-
! 218
Y
.eniu
Rys.4.35. Wilsona
~-::···········
···:t,.~ ..~:·:::;
:-.,..
..:..:···:···w:-..:::,:",::...·:·~~·xh":'*:·:::·:::::::.·::.·:
.....
:,:;:,,
m,4•7• Uklad Darlingtona ,nnr:
mt::=····
: ~:~:~:-:·:·:~~·::·::
::······
(··t:·•~··::,.,,,:,:·:·:·:·:·:·:·:·················•
(•'•'•'•'
•'•'•'•',.,.,:,,,,,,,,,',','•'•'•'•'•
'•',',',',','??
~:~t
•.
(4.33)
(4.34)
czyli
' Ur (4.35)
rb'e' = 2rbe1 = 2{J - -
1C'
---,. ....... .. , • .• ••• .,.,,.., . , •••••••• •••• , , . , .,, ., , , , , ,,,, 'V Hr ur,._...,........,.
._._,.
.... .... . .. .. .. . ,...,..._...,_..,,•,•,•,•,•,•,._._._....,.,.._.._._
.. ... -.·.·····••,-,·,•
,•,•,•,•r,-...-,_ ..~.,.,.• ._., , ,•,•,•,•,•,•,•r ,•r,•r,•.-,•rr,•.....,w....-
... ,
82 4. TRANzySTOR Y BrPOLARNE
W celu obliczenia rezystancji
r,'e' =
dUc'E'
dl '
I
C U•·•·=COOSl
zastosujemy równania (4.6) i (4.7) do tranzystorów T 1 i T 2 i pr zy
nieniu,
dUB'E'= dUBEl + dUBE2= Q
dls 2 = dl c 1
otrzymujemy
r
l - li r,e1(1 + gmrbe2) - li 2r,e1
r,'e' - r,e2 /32 - r,e2 fi2 (4.36)
Darlingtonaz tranzystoramiprzeciwstawnym.i
Darlingtona z dwu tran zystorów przeciw -
stawnych, jak na rys . 4.38 . odgrywa tu tranzystor T 1 , podcza s
gdy T2 tylko wzmacnia tak jak na rys. 4.38, T 1 jest tranzystorem
1y pnp, zachowuje tak , jak tranzystor pnp o parametrach podob-
.ia nych do parametrów Darlingtona .
35)
,_ d[C' _ R fJ (4.38)
fJ - d[B,
- f'l 2
ii'····.,.,.,.,.,.~,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,·nN
·*.~$~~. ,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.:~~
~~w,.,.,.,.,.,::j:j:jij:j:::j:j:j:::::j:j:~::::::::ij::ilii~;t::':':':':
:$ 4.8. Wzmacniacze
rozn1cowe
,,,,,,,.,.,.,.,
.,.,..;-:,,,,,;::
,,,
,·,
, ,,,,,,,,,,
:~t-:N.st&"'½-~
$:.::::::::.:.·.·.·.·.·
...,.:.:.:,:,:,·.·)).:,:.·,·.·.:.·.·.·
.·::::.·.·.·.·.·.·.·.:
.::.
·.:
::::::.:f:::::w;.::~~.:it:?::
::•
.....
·.·.· .::x...............
··.·.':,:•:•:•:=:=::::::::::::'..
4.8.1. podstawowy
Wzmacniacz jest symetrycznym wzmacniaczem
o dwu i dwu Podstawowy jest przedstawiony na
rys. 4.39. We wspólnym wyprowadzeniu emiterowym znajduje
dowe, które powoduje, suma emiterów /El + /E 2 = Ima war-
8
W stanie spoczynkowym mamy UwEi = UwE2 rozdziela
wtedy, ze na równomiernie oba tranzys-
tory T1 i T 2 • Mamy
p:
1
[El= IE2 = 2 I R
Przy bazy Ri
RI
w
Warunki te nie zmianie, oba o
(wysterowanie wspólne). przy tego rodzaju pracy
dy kolektora tzn. wzmocnienie
wspólne jest równe zeru. jednak przyjmiemy, np . Uwei > UwE2, to roz-
we wzmacniaczu ulegnie zmianie: lei a lc 2 je
zmaleje. Ich suma pozostanie jednak i równa I. Wynika równanie a1
po:
...........
84
__=
Afc1
..,.,.,.......
- !llc 2
............
.,,.,..,.. ...........................
4. TRAN2YSTORY BIPOLARNE
~---.·-· ..,,.,,.,,.,,..~~---··.-
·""" ,•,,·,•······· ····-·;, ,•,•,•,• ...,,..~.·-·..•.-...........•.
,•,•,-.-., .............
,.,.,. ....
=
w do wysterowa-
nia wspólnego,
Zmiana baza-emiter spowodowana temperatury
jak wysterowanie wspólne, a nie skutku. Z tego
du wzmacniacz nadaje do wykorzystania jako wzmacniacz
du
38) + +
Re Re
nie
UwYI tuwr2
39) 1 -1.
r, Tz
UwEl
·::: 1
dUwr1 dUwY2 l
Wzmocnienie k ur -- --
dU -- - --
dU -- - 2 g"' (R C 11 rco )
WliR WP.R
gdzie U,na = Uwe1 - UwH2
.lego
y na
dUwYJ dUwr2 1 Re
Wzmocnieniewspólne k., = - = --- =-
dUwBs dUw,;s 2 r
1
war- gdzieUw,;s= (Uw,;1 + Uw,;2)
!ziela 2
k.,
nzys- wspólnego CM RR = - g.,r
k •.,
przy czym r - rezystancja
Rezystancja
dUwBS dUw,;s
Rezystancja wspólna r .,., =- - = -- = 2Pr
dlwll1 dlw,;2
Rezystancja r...,,= Re 11,
••
I I l
Wejfciowy polaryzacji l 8 = Uwili + lwP. 2) = --
2 2 {J„
o
:y Rys.4.39. Podstawowy wzmacniacza
:nienie
:o roz- Z powodu dryftu temperaturowego wzmacniacz stosu-
.e a Ic 2 je wtedy, kiedy chcemy tylko jedno
nanie a nie W tym przypadku jedno z dwu wzmacniacza ma
zerowy. wtedy UwER = UwE lub UwER =
= -UwE, od tego, które z jest
,w.-,vw..,....,......,,..,..,.,
....,....,.,,._...,..,.,.
• •,.•.v.v .·,·,·,.~~~-~ • • ,......., .,.,.,.,.•.,.,.,.,.,.,.,••.,.......,......._
.........
._......,,_....., ........ ,.,•,•,•,•,•..,·~-.,.,, • •..••.,,,. ... ,..,., __ .,,_...... ............. ...-~,=
4.8. WZMACNIACZE 85
W celu obliczenia wzmocnienia
na dwie a mianowicie na
UwEs i UwER
1
UwE2= UwEs - UwER
2
Wynika
1
dUwE1 = - dUwE2 =
2 dUwER
J
Ze na emitera pozostaje i
k = dUwn
ur dUwER m
ni1
lub (4.40)
i (1
-k = dUwn =
ur dUwER
86 4. TRAN2YSTOR Y BCPOLARNE
tego oznaczymy jako r. na oba podamy to
samo UwEs, równomiernie oba tranzystory .
one w tym przypadku jak dwa równolegle wtórniki emite-
rowe ze wspólnym rezystorem emiterowym r. A emitera
zmieni o dUwEs, spowoduje to
k = dUwn = dUwn Re
(4.41)
us dUwEs dUwEs = - 2r
Typowe kW/ ok. 10- 3 , podczas gdy ku,
100 i Przy równoc zesnym wysterowaniu
i wspólnym zmiany z liniowej superpozycji
(4.42)
y
n W liczbowym w p. 4.ó. l 1 mA ma rezystan-
a 7,4 MO. Konduktancja tranzystora przy
Ie= 1/2!= 0,5 mA
1y
gm= 0,5 mA/26 mV = 19 mA/V
4.8. WZMACNIACZE 87
Wynika wspólnego CMRR 140 OOO,;, 103 dB .
W praktyce uzyskuje jednak mniejsze CMRR, a zmia -
ny - w do wyniku równania (4.41) - nie
jednakowych faz .
Zjawisko to tym,
parametry tranzystorów nie
jednakowe, jak to w obliczeniach. Dlatego grani-
wspólnego tolerancja doboru par
tranzystorów. Przy dobrze dobranych tranzystorach podwójnych
CMRR 80 a 100 dB. Z powodu
kolektor-baza wspólnego, a
i sam maleje przy granicz-
na wspólnego jest mniej sza od
granicznej wzmocnienia
decyduje o niej rezystancja a przy wzmocnieniu
nicowym decyduje o tym stosunkowo rezystancja kolektora Re.
I CM RR I i Ikur I od dla kolektora
równego J mA przedstawiono na rys. 4.40. Pr zy mniejszych
s
(l
graniczne odpowiednio mniej sze .
dB
100
J;
80
60
ku „
40 4,
20
o D
100 1k 101<. 100k 1M 10M f [Hz] fo
Rys. 4.40. Charakterystyka wzmocnienia k., i wspólczynnika sy,
wspólnego CM RR
Rezystancja
Parametry wzmacniacza jest wygodnie Pa
na podstawie schematu przedstawionego na rys. 4.41. wej-
trzy polaryzacji 18 , przy
UwEi = UwEZ = O, przez rwe, i tylko przy
wysterowaniu oraz przez rezystancje r wes·
88 4. TRANzySTORY BIPOLARNE
polaryzacji wynika ze wzmocnienia tran zy-
storów
_ liUwER _ b..UnE _ 2
'wer - !il - 2 M - rbe
B B
4.8.2. przypracyz
Dotychczas wzmacniacza w zakresie pra cy
liniowej.Obecnie zajmiemy jego przy przenoszeniu
Z charakterystyki opisanej wzorem (4.1) otrzymamy
Ic1 = lcseu ,,.tUr
lc2 = Icseu..,1u„
1- I= l c1 + lc2
y
UwER= UBEl- UBE2
.y
(4.43)
le
T
----
Ic2 - - -
1,0
le,
I T
-5 -4 -3 -2 -1 O 1 2 3
--4 5 Uwa
Ur
Rys. 4.42. Charakteryst yka dla
/ ( UwER uiER )
lei = 2 1 + 2U T - 24 U/ + ···
Po podstawieniu uwer= Umsinwt
.
Ze 1 :=::::
-
I [ 1 + Um .
UT srnwt - U;. (3smwt
. . 3wt )]
- sm
2 2 96Ur3
Ze stosunku amplitudy trzeciej harmonicznej do ampHtudy pod-
stawowej otrzymujemy har-
mon icznych
h = __ 9_6_
um
U_f ~ - . 100%
3U~
_ I_
48
(_U_m
UT
)2.100% (4.45)
-- -
2UT 96U/
ummax
= O,?UT = 18 mV fCZ}!
90 4. TRANzySTORY BIPOLARNE
a przyjmiemy wzmocnienia 80, otrzymamy
e 1,4 V (dla ze wspólnym emiterem am-
y plituda ta 0,2 V).
T
I.
4.8.3.Wzmacniacz z ujemnym zwrotnym
Podobnie jak w ze wspólnym emiterem, we wzmacniaczu
do realizacji regulowanego wzmocnienia za-
ujemne zwrotne. W tym celu w obwód emitera
z tranzystorów rezystor szeregowy, jak to pokazano
na rys. 4.43. UwER= UwEi - UwE2 zmieni
o 11UwER•zmieni wówczas o 11UwER na obu rezys-
torach. kolektorów o
Otrzymujemy wzmocnienie
za-
do
Re
Uwr1f
,od-
1
tiar-
k45)
u, . . .. .
rrzmocmenzerozmcowe
k
"' = - -1 g„Rc
= - -I g I R c Re dl a R
- - -
I
2 l + g,..RE 2 "' 2Rl! " Km
Rezystancja wej.friowa r.,., = 2(rb, + PRR)
4.8. WZMACNIACZE 91
zastosujemy dwa jak to przedstawiono na
rys. 4.44, ujemne zwrotne za
tylko jednego rezystora. W stanie spoczynkowym przez ten rezystor nie
czemu wzmocnienie nie punk-
tów pracy tranzystorów.
4.8.4.
Dwa tranzystory przy tym samym kolektora Ie zawsze
baza-emiter, ta bywa niewielka. Z tego
przyjmiemy UwER= O, nie musi równa zeru.
Zdefiniujemy teraz UwEojako
musimy by Uwn = UwY2· W przypad -
ku zastosowania pary monolitycznych tranzystorów i dobrze dobranych rezy-
storów kolektorowych, typowe niezrównowa-
kilka mV. W niektórych zastosowaniach te zbyt
jednak sprowadzenia
wzmacniacza do zera. Przedstawiono je na
rys. 4.45.
Uwr1f
j_
l
Rys. 4.45. Wzmacniacz z do zerowania
92 4. TRANZYSTORY BIPOLARNE
ujemnego, zwrotnego. nie jest ono re-
na
zystancja potencjometru musi mniejsza 1/gm.
Trzecia metoda zrównania baza-emiter polega na ustaleniu
nie
nych kolektorowych. do tego potencjometr P 2 •
nk:-
ustawimy go, np. w lewym skrajnym to rezystancja kolektora tran-
zystora T2 tranzystora T1 • Wskutek tego
we kolektora T2 jest odpowiednio mniejszy od
kolektora T1 . W celu skompensowania
nia, np. 3 mV, stosunek w stanie spoczynkowym, zgodnie z wzorem
(4.43), musi
vsze
eru.
)ad-
Potencjometr P 2 ma w porównaniu z P 1 jego suwak znajduje
ezy-
na potencjale, podczas gdy na P 1 wspólne
iwa-
zbyt
Dryft
! na
Przy temperatury baza-emiter tranzystora (przy
kolektora) maleje o 2 mV na W przypadku wzmacniacza
nicowego to tak, jakby w przypadku tranzystorów z zerowym
czynnikiem temperaturowym doprowadzono wspólne o
2 mV na ono na wzmocnione kus razy, w postaci
dryftu Im lepsze jest wspólnego, tym
mniejszyjest dryft Dryft temperaturowy UBE
jest wzmacniany znacznie mniej Na tej
opiera znaczenie wzmacniacza jako wzmacniacza
t?filiif~~l::::'i:,~:;,z
;;;~\~~~;i;.';:;;';(,:
:::;:;!;:
;:;::t?fr.~'t,.'$'::;:;:l
,;:;:::;:::::I~
~::s:;(~%
:',':':,:':':':{:;'; ::::::::::,
''.@~§.~\:,:f.
:i;:::;t'?..~~::::::::: ,::::::::j/{]f"
}i4.9. Pomiarmektorych
parametrow
tranzystorow
fa}f
@?t
J}:o;w":~:1
:1:.:.:
.:~~:::::::1:;:;:1:1:1:1:1~:~
..:~~=~:~~
=;:~:;:i:~:;
~~~i:t
:1:1:
~1:
1:~:~
..:~
::i;:;:
~:i:=:
~; .;•.;&.;.;~~
:~1:1::"·\<t%~&.<:::.%":A..t· =;:;:~:1:~1~rn
=:~;:1:~:;:;:1:~,
,-;:..:f *tEt{
parametry tranzystora w zasadzie z jego chara-
kterystyk statycznych. W niektórych przypadkach metoda ta jest
na lub zbyt Dlatego podamy kilka które bez-
pomiar parametrów tranzystorów za
zmiennych.
Na rysunku 4.46 pokazano do pomiaru
czynnika wzmocnienia fJi rezystancji rbe, a kon-
duktancji gm. spoczynkowy kolektora ustala rezystorem
RE na IcQ (p. 4.3.5). Dla zmiennej emiter jest
z za kondensatora CE. temu l'!.U8 E = ube· Sto-
sunek amplitud zmiennych ib oraz ie daje wprost
Pl
N
en
w,
Przy pomiarze rce ustalenia punktu pracy.
w·
94 4. TRANZYSTORY BlPOLARNE
Dla ube = O otrzymujemy
r
ce
= --U,e m
J,m
l -
u•• - u ••a
zmiennej bazy ib
przenoszenia wstecz
gw=u Jbm l
cem u••=u,.a
Is
R = 0-4 UCEs
R > 0-4 UcER
R = 00 -4 UcEo
4.10.Szumyw tranzystora
Ruchy cieplne elektronów w rezystorach powstanie szu-
mów, którego zakres od najmniejszych do
spotykanych w technice. Szum jest nazywany
widmowa mocy szumów dPn/df jest od W przy-
padku szumów cieplnych jest to w pierwszym
widmowa mocy szumów cieplnych w rezystorach wzorem
!:J,.pn= pn =4kT
/:J,.f B
96 4. TRANZVSTOR Y BIPOLARNE
Szumy tranzystora lokali zuje zawsze w rezystancji r,, dlatego moc
szumów w rezystancji r9 musi nii moc samyc h szumów cieplnych.
Tranzystor jest wtedy za element bezszumowy. szumów
F podaje , przez mo c szumów ciepl nych rezy-
stancji r 9 , by moc szumów na
tranzystora za bezs zum owy. Przyjm ujemy w r,
szumy o mocy
U,2 = 4kTBF
~r
rg
(4.47)
n- Rezystancja r9 jest tu
cia e9 • Na tranzystora
Ubee{ = JE 2
Q ef +- u,2
n ef -
rbe
- (4.48)
OC rg + rbe
szumów jest podawan y w decybelach, zgod nie z
F [dB] = 1OdB log F.
inte resujemy tym, ile razy E,,,1 jest od
U~e/·Ilora z S/N = E 9 eJIU~ef nazywa st osunkiem do szumu
(signal-to-noise-ratio)
. mu logarytmiczna S/N[dB] =
cia =20 dB log (S/N) no si od szumu i poda-
wanajest w dB.
Gdy mamy do czynienia z dowol ne
46) wimocnienia nic ma sensu, nie towa rzyszy mu ró wnoczes ne zmniejszenie
szumówwzmacniacza. Sprowadzo ne do szumy wzmacniacza bo-
JC- wiem Przy od
yg- szumurównym OdB mow y, przy 40 dB otrzy-
Wynika
U~et= 0,3 µV
F= 1,88
lub
F[dB] = 2,74 dB
Tak logarytmiczny szumów wzmacniacza
3 d D.
szumów tranzystora silnie od jego parametrów
ro boczych, a szczególnie od zakresu kolektora i rezy-
sta ncji r9 Na rysunku 4.51 pokazano
szumów od [4.6]. W zakresie ok. 1 kHz D
jest on odwrotnie proporcjonalny do Zjawisko to nazwano u
szumami typu 1/f s
\I
1k. f[Hz)
Rys. 4.51 . szumów od w skali logarytmicznej Sc
szumów silnie od kolektora i rezystancji we- na
r9 • Przy kolektora mini- on
mum, które przy r 9 przesuwa w kierunku mniejszych
kolektora . przedstawia rys. 4.52 .
..... •· •••••··•·••·•·••••••~• •••••'•••
.,,,~~---$-·""""" •••~-- -·····---·····-·••-' ___ _
98 4. TRANzySTQRY BTPOLARNE
Jaki jest rezystancji r9 na szumów
z rys. 4.52, zgod nie ze wzorem (4.47) o szumów decy -
duje iloczyn Fru. Dla r9 -. OF-. oo tak, iloczyn Fr 9 ma
szumów od rezystancji r9 dla kolektora
przedstawiono na rys. 4.53. Z rysunku tego wynika, przy rezystanc-
jach generatora korzystne kolektora, przy
rezystancjach generatora - przeciwnie ,
F[d
B]
I !',
!Ok fc/µAj 1000rq[k2 J
Rys.4.52. Typowa Rys. 4.53. Typowa
szumówod koleklora szumów od rezyslancji
przy pasma równej I Hz
(4.50)
(4.51)
-,. ...'I'. ·~ "' • , ...., , . . .. ,.,..,.,.,.,...,.,v,,-v,•,• ......•,•,••• • •• • o•-,•,•,•,•, ·,• •,•,• <.• • •• • , ,v..•,·,•,•,•r ,·, ·,•r .. ... . .... . .,. .•,•,•,•,•.. ,•,•r •r.•r.· · •••• • • • • • • • , , ••• ,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•r,· , •
"~-!
i ,.. l
L ___ __ _ I
_J
Dla r 9 -+ oo mamy
(4.52)
ii
t
J:
Jl
n
w
Ul
le
p>
Tranzystory polowe elementami które w
twie do normalnych tranzystorów bipolarnych sterowane polem elektrycz-
nym, tzn. bez poboru mocy.
z I z kanarem wzbogacanym
uf, uf,
z kanarem typu n Iz typu p Iz typu n I z kan11Temtypu p z typu n z typu p
~: ~:
r-
JD
g_j~B
ls
Jo
g_J----0
B
ls
lol
la
Vos r- _=j ,,
lol ~3 Uos Uos
E,_
1r
Uos Vos
_lL }T _JL
1
1,l
--
1Iass
Ji. Ues
10
lfoss
fos~
Ues
2~Up Up la
--,foss
I U6s
Up U6s
loss
Up U6S u.
p 2U U6s
Wzmacniacze zbu - Wzmacniacll? zbudo- Wzmacniacze w. cz. Wzmacniacze w. cz. Wzmacniacze mocy Wzmacniacze mocy
dowane z elemen- wane z elementów zbudowane z el e - zbudowane z elemen- zbudowane z elemen- zbudowane z elemen-
tów dyskretnych. dyskretnych. mentów dyslrretnych tów dyskretnych. tów dyskretnych . tów dyskretnych.
Analogowe ulrfody Analogowe Cyfrowe Cyfrowe ukrady sca - Cyfrowe Cyfrowe uHady
scalone scalone scalone lone scalone scalone
(5.1)
lo
Io [mA]
{mA]
UK Uas=OV
I
10 10
=- 0,5V
8 8
6 6 = - 1,0 V
4 4 =- 1,5 V
2 2 =- 2.o v
=- 5V
-3 -2 - 1 o UGs{V} o 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Uos [Vj
g,,.=~ ó1
0
I
GS Uos= consl
(5.2)
(5.3)
Lk-
Zakres ten nosi zakresu nienasycenia lub liniowego.
ys-
Zakres charakterystyk kolana nosi zakresu na-
na-
sycenia.W tym zakresie drenu tylko w niewielkim stopniu od
UDsi jest - zgodnie z równaniem (5.1) - prawie przez
, . ~, ~._~... . .. .._,..,,._. , .. •.,•v ,•= •,•,•""'""""'·.... ,•, -,,,,,,,.,, .. ._., •.-,•,·.- , ·,, •,, ·,,,,, •._._._._._._~h,,-.,. • • ·••,u,·,•,u.- · •.-, -~ -~·•·• ••••••••••••• •. ,·u.-.-J' ..,.....V.....--•
(5.6)
ParamelTycharakterystyczne Il1
progowe u„ -1,5 ... -4,5 V 1,5 ... 3,5 V s.
drenu przy Ucs = O I,)SS 6 ... 15 mA 5A bJ
Transkondukla ncja g,.,,. 5 mA/V 5 A/V W,
Minimalna rezystancja w fdson 2000 0,14 n
Maksymalny bramki Ie max 5 nA 0,5 mA d:
Maksymalny drenu w stanie [/)max 10 nA Im.A sz
c ...s 4pf 750 pf Z)'
c.,,s 1,6 pf 300 pf ul
zwrotna C„s 1,1 pF 50 pF
Pole wzmocnienia Is 700 MHz
Czas ,... 30 ns st:
Czas (•ff 50 ns
(5.7)
..,..........,,,_w.w,y.....,.,,,.............,
...,..•..,,,,.,,,......
._.,..,_.,..._.,.,•,
•,•,•,•,v,....,.__ .,...._.- •.h,-•••••••• •· • ••••••,•,•r,•r,•rrr,.,www _ _....,.,•,•,•,•
,... ,._._._......._.~~~
~ ···· ··••••• • • ·.;,. ·.·,•rr,.,,....-.w,-,.,.,.,.. __
5.4.1. ze wspólnym
ze wspólnym przedstawiony na rys. 5.5, odpowiada
tranzystora bipolarnego ze wspólnym emiterem. tylko tym,
jest spolaryzowane wstecznie. Dlatego praktycznie nie
a rezystancja jest bardzo
1
Rys. 5.5. ze wspólnym
Ie -4 Io gm-. gm
IE -4 Is gw-.gw O
JB-.JG Q rbe_. rgs OO (5.8)
i,
UcE-4 Uos rce_. rds
UBE-4 UGs p-. gmrgs CX)
f.
Po (4.6) i (4.7) otrzymujemy wprost równania
tranzystor polowy:
(5.9)
(5.10)
(5.11)
W zakresie
. () - I
1D t - DSS
(1 -
UwE+ uwcmsinmt
U
p
)2
.
i»= Inss
[( 1 - UwE)
Up
2
+ U;,em
2
2Uwem ( 1 -
U; - Up UwE) .
Up smwt - U;,em
2 U; cos2wt
J
Na harmonicznych otrzymamy
h= uwem . 10001
6,6 V / O
D1
Projektowanie zaczynamy od ustalenia drenu.
Z charakterystyki pokazanej na rys. 5.3 otrzymujemy odpowiada-
mu UGs· W od wybranego drenu
(5.12)
Wynika rezystancja
(5.13)
UGS = - 3V ( 1- J 3
10
) = - 1,36 V
2
gm=~JlO mA· 3 mA = 3,7 mS
C gm = __ 3_,7_ m
_ S_ 51 F
s = 21t/4 21t · 11,5 Hz = µ
5.4.2. ze
Tranzystory polowe w ze stosowane rzadko, po-
nie wykorzystuje wówczas rezystancji
5.4.3. ze wspólnym
drenem(wtórnik
ze wspólnym drenem (rys. 5.7) ma
ze wspólnym Nie odgrywa to jednak na roli,
w ze wspólnym rezystancja ta jest bardzo Korzyst-
ne natomiast zmniejszenie W
do wtórnika emiterowego rezystancja wtórnika nie zale-
od rezystancji r9
o
1
Wzmocnienie k"o= ----- ~
1 1 + gmRs J
l+ --- C
gm(Rs lir4,)
Rezystancja wej.foiowa r.,. = r9-• co p
Rs I
Rezystancja r„1 = Rs 11
-
g„
k 5 mS · I kil = O,S3
uo ::::::I + 5 mS · I kil
1 Rys
rwy= kil= 200 n IIIkn = 167 n
111 pole
5 mS
..: ..v,,§1,
..@"::~ ..•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,<.•,•:......... ,o,;,,,,,,,,,;,,,,,,, , . ........ , . , •, •, •, •, •, •, .. •,• . •, •. •.... .-.v. -- JJJ ..... ".'".,,,, ,,, , , , , , , , ,, , .... . .... . x"::x ~-··:i:~::::::::::::•·•··
···
i:!:5.5.Tranzystor polowyjako ·.....
iL......
::s:w.
..~.:i~k........
.«w». ....::~~x:1tm.~~%0>:
./L.2.L.:.:.:.: .:.:.:.:.:.:.•:..st.k~~~~.•.:.
.u.:.:.:.:.:.:.:~
(5.14)
W przypadku tranzystorów polowych z
wówczas, gdy przyjmiemy pomocnicze UH równe zeru. Ten
tryb pracy jest szczególnie wtedy
dwójnik, jak to pokazano na rys. 5.9. go zamiast dowol-
nego rezystora i z tego jest nazywany Diody
polowe od 0,1 mA do 5 mA w szeregu E 12, np. serie CR 022 do
CR470 firmy Siliconix lub TCR 5278 do TCR 5315 firmy Teledyne.
Projektowanie na tranzystorze polowym bez
pomocniczego zilustrujemy liczbowym. Mamy
+
+i
R1 ON
L
!j
;-
UHt Rz Rs
I
Rs =~
ID
(1-
'1{I;-)=~ V
1 mA
(1-
'1~IOrni: ) =2,05 k.Q
musimy najpierw
rds tranzystora polowego przy ID= 1 mA. Z ró-
wnania (5.7) wynika
r,
[R)
109
8 TranziJStor
bipolarny
10
107
106
Iw
Tranzstor po/owy
10
2
105
l = (UH - UBHQ
/ R,.)
ó- + Rezystancja
r; = g„2r,,r ·.. (l + g„1R,.) = k.1moxku2„oxRB
i bipo - Rys.5.12.Wlórn ik
+
Ro
Tz
Uwtt
k dUwr1 dUwr2 1
. . •• .
zmocmeme rozmcowe .,
JV: = = - --- =- - g,.(Ro li rd,)
dUw11R dUwER 2
gdzie Uw11R= Uw,o - Uw112
·
dUwn dUwr2 l Rv
Wzmocnienie wspólne k = -- - = - -- =- - -
•• d Uwes dUw11s 2 r
k
Jfspó/czynnik wspólnego CM RR = g„r J
k.,
(l
r - rezystancja
11
Rezystancja rwu oo
n
Rezystancja wspólna rw .. oo d
Rezystancja r„7 = R 0 li r 4, t1
polaryzacji 18 O
= fE (Fi -Ji-
1 1
~~;i ~ )
(5.15)
I01
T
Dryft
W punkcie 4.8.4 temperaturowy
baza-emiter tranzystora bipolarnego wynosi - 2 mV /K i jego
nieco maleje przy temperaturowy
jest tego samego jednak znacznie silniej
od Jak na rys . 5.15, dla jest on ujem-
ny, a dla -dodatni. Przy lnz jest równy zeru. Praca wzmac-
niacza przy tym jest najbardziej korzystna,
dryft nie wtedy tak mocno od
tolerancjidoboru par tranzystorów polowych.
lnz [5.5] z
lo
20°c
60°[
120°c
UGs
Rys. 5.15. charakterystyki tranzystora polowego od temperatury
(5.17)
gmZ= 0,32 V
™~~**...··.~..™~-.:
.~
•T~=~st~~k~~t~ro:e~j~,.AL,
=:=::~;:~~=5======-:.:x;:.;:f.):;3::;~~·.~::::===:=:=====
..• ..
l,,~
.7.
Jak na rys. 5.4 charakterystyk wyj-
przy tranzystory polowe
tak jak rezystancje, których w szerokich grani-
cach
W celu lepszego zobrazowania tego zjawiska na rys. 5.16 pokazano w po-
charakterystyk w otoczeniu zera. Do oblicze-
nia tej rezystancji skorzystamy z równania (5.5) dla obszaru nienasycenia i dla
Uos Ux otrzymamy
uDs u; (5.18)
s
rd
s =4 = 2IDss(UGs- Up) J
Il
Io
[mA]
=- 2,0 V
-4
7) -6
-8
)0-
ze-
dla Abymóc stosunek w szerokich granicach za
cia UGs,wybieramy R 1 rd$min· Jak na rys. 5.16, przy
szych rezystancja rds staje nieliniowa drenu
18) przy jest mniejszy dla odpowiedniego
rezystoraliniowego). Charakterystyki tranzystora przez
dodanie do bramk i, jak to pokazano na
rys. 5.18.
.19) Przy wzrasta bramka-
wzrost rd$· UDs jest ujemne , wskutek kompensacji
zmniejsza UGs· temu od wysterowania spadek rds
jest kompensowany w trzeciej
.20) Na rysunku 5.19 przedstawiono charakterystyk
przyoptymalnym doborze rezystancji R 2 , R 3 .
Uwi
Rt
R2 tuwr
UwE
l_
Uwv
j_
1
Usrf Usrt
l 1
Rys. 5.17. Sterowany dzielnik Rys. 5.18. Sterowany dzielnik o
amplitudzie
Io
[mA}
-4
-6
-a
Rys. 5.19. Zlinearyzowane charakterystyki
'd•= ---
u:
(~-"----- )~ (5.21)
z
2IDss Usr - Up
r*6"
li
"'·-1 ii!ii!: Elementyoptoelektroniczne
ii:~::
:~:*:::::
:m:: ::::
::~:
:;;:
:: ::::::;:::::~:i~~~r:::f.:::--mx::~:~r::!:::wm;:r;:=;r:~-::::;-.;~-:..~\~.s.%::~~~::~:;::
:m:~j::;::::::::~~W:ili~:;:~1:~:::1:;::r:::
: :=:~::
=::
?:::=
~==~
m~m::::r:::-1~:::~::::::r::::::~
:~::::::
~:
i!F~®
!®i~
!,lml
,!@Wi'i
!,:,:,:,
rn,.m:m:~m,.~~tm:.'t~,1:::m
rn
''rnmi,i,
6:~: .-~~stawowe
,1,~,
,w, ,,,
;:,
foto ··
Oko ludzkie odbiera fale elektromagnetyczne o 400 ... 700 nm jako
widzialne. fali decyduje o barwie, a - o jask-
W celu pomiaru musimy kilka
fotometrycznych. iP jest liczby kwantów
(fotonów) , które w jednostce czasu przez
obserwacji F. miary strumienia jest lumen (Im).
nie nadaje do charakteryzowania - ogólnie
rzecz - od powierzchni obserwacji F i r od
W przypadku punktowego o symetrii kulistej
iP jest proporcjonalny do Q. Jest on zdefiniowany
jako Q = powierzchnia a jest bezwymiarowy.
jednak dla niego zwykle jednostki zwanej steradianem (sr). Po-
wierzchnia kuli jest widziana ze pod
4nr 2
00 =- r2
- [sr] = 4n [sr]
Wycinekkuli o ± <pobejmuje
Q = 2n(l - cos<p)[sr] (6.1)
) Fn
0 =- [sr] (6.2)
r2
___
Rys. 6.1. Ilustracja
122
,........
...... .......,....,.........
............., ,
1,47 mW IP
PL = Im
Wynika
1m 1,47 mW
llx=l - 2- = ---,,-- 2 -
m m
orientacyjnych
o mocy znamionowej P = 1O W ma 10 cd. Wypro -
mieniowuje ona pod
101 = 41tsr · 10 cd = 126 lm, odpowiada to mocy
4> PL= 0,185 W przy
fali A= 555 nm. Zgodnie z tym, ma
rJ=PdP~2%.
Oprócz podanych jednostek fotometrycznych stosowane - szczególnie
w literaturze - inne jednostki, które zebrano
w tabl. 6.1.
Tablica6.1. fotometryczne
d~ Im mW
l= - I cd= 1 -,;. 1,47 --
dQ sr sr
dl cd
Luminancja L= - I sb = l -- = 7t lambertów = 4 · I0 4 apostilbów =
dF. cm 2
= 2919 stopolambertów (ang. footlambert)
d~ Im
E= - I lx = I -
m2
= 0,0929 stopokandeli (ang. footcandle) =
dF.
µW
=0,147 - 2
cm
LogR
[QJ
7
6
5
4
3
2
1
o
-3 -2 -1 o 2 3 4 LogE{Lig
__!f± )_
R(-S.=20°)
5
4
3
2-
I 6.3.Fotodiod
~J~:~~:~::§:§,.t
:,:::•:•
:•:•:;:•:•:•:•:;:·:.:;:
:·::·•·•:•::::·
-8 -6 -4 -2
I 1 I
E=200lx
=400tx
__ _:::~:....----r -
=600lt. -50
-BDO!x
- -100
f/[%}
100
80
60
40
20
6.4.Fototranzystory
·-
Fototranzystor jest tranzystorem, którego kolektor-baza jest wykonane
jako fotodioda. Na rysunku 6.ll pokazano symbol graficzny, a na rys. 6.12
:- schemat fototranzystora. fototranzystora
na podstawie schematu z rys. 6.12: fotodiody
bazy, a tym samym wzmocnionego kolektora.
To, czy bardziej korzystne jest bazy, czy pozostawienie jej otwartej,
od konkretnego Fototranzystory bez wyprowadzonego zacisku
bazy nazywane podwójnymi fotodiodami. W celu uzyskania bardzo
;o wzmocnienia fototranzystor w Darlin-
ie gtona. Schemat takiego jest przedstawiony na rys. 6.13. Ze
n- schematu wynika, zakres widmowy fototranzystorów jest taki ,
jak im fotodiod. Ich graniczna jest jednak
znaczniemniejsza. Dla fototranzystorów wynosi ona ok. 300 kHz, a dla foto-
tranzystorów w Darlingtona - ok. 30 kHz.
E E
Rys. 6.11. Symbol graficzny Rys. 6.12. Schemat Rys. 6.13. Schemat
fototranzystora fototranzystora fototranzystora w
Darlingtona
tUwr
l
Rys. 6.14 i 6.15. Proste przetworniki fotoelektryczne
tuwr
1.
P<
w~g~:-:-:-:-::
:t:t.»»:::«;:§:;::•:•::::::::;:fa:,::•:::•:•:•:;:•:•:•:•:•:•:•:•·•:
•:•:•;:,•:•:z???::•:•::5u:::,
::::;.
1:W-ffl'-·•·=~~
~t•::::,:;
:•:•:
•:<·•
:•:•
:•:•
:·:~·
I/
Ao 1:)1 oK
Odbiornik wzmocnienia
K = lwr f lw li graniczna
[% ] [kHz]
kontra
st
%
1001--- -- -- -::;:;,,
-- ---
90
10....._
_= __,___,___.____JL.,_..
_ _,__ __._
___ _
0 i 2 I3 4 s Uet[V}
UwyT Uzar
R)'S. 6.17. kontrastu od skutecznej doprowadzonego zmiennego
wynosi ok .
1 nF/cm2 , potrzebn e do wysterowania znacznie 1 µA. Ten
bardzo niski pobór sta nowi bard zo
talicznegow porównaniu z diodami elektroluminescencyjnymi.
6.7.1. binarny
+SV
~
- r.L ~1:: J
00.Q
[~
{
20 mA
25mA
74LS
4 mA dla bramki 74C
74HC
+ Uzz + uzz
U/ u2 1
t8
U7
:,,
r 01x'<
UF
p
uz
,:
l Y2
ljf
11---------,
X
t·
"'h n n ,·
"' ~i
~-u,-uh
-t·
! .!
LJl.J t·
6.7.2. analogowe
quasianalogowe przez szeregowe zestawienie
liczby punktowych elementarnych. wska-
zywanej jest tylko jeden ele-
mentarny, to jest to tzw. ze punktem (rys. 6.23a).
wszystkie elementarne - jest to
ze (rys. 6.23b ).
a) DDDDDD - DDD
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
~- ------ DDD
Rys. 6.23. analogowe: a) ze punktem; b) ze
;}'
8 8
8 B
C 3
(j -
9 C :} G-o
3 9
;f/
D D
4 1 4
L...- ----'
o
74LS42 74 LS42
Rys.6.24.Cyfrowy sterowania Rys. 6.25. Cyfrowy sterowania
ze punktem ze
U 237 Telefunken 5 - + +
LM 3914 National 10 + + +
U 1096B Telefunken 30 + - +
HEF 4754 V Valvo 18 + + LCD
TC 826 Teledyne 41 + + LCD
!CL 7182 Harris 101 - + LCD
f,-,b a
e/ 9 Je
d
lc:I
o 1 2 3 4 5 6 7 8 9
o o o o o 1 11 1 1 o1
1 o o o 1 o 1o o o o1
2 o o 1 o 1 o 1 1 o 1
1
3 o o 1 1 1 111 o o 1
4 o 1 o o o 11o o 1 1
5 o 1 o 1 1 o 1 1 o 1 1
6 o 1 1 o 1 o 1 1 1 1 1
7 o 1 1 1 1 1 1 o o o o
8 1 o o o 1 1 1 1 1 1 1
9 1 o o 1 1 1 1 1 o 1 1
A
BCD/7S
E6
aQ
,·--
·*
+-5V
B
2 bQ
C
4 •
o •
8 • Rys. 6.30. Sposób
gQ elektro luminescencyjnego z dekoderem kodu BCD
na ?-segmentowy
A
1
8
2
C
4
D
8
6.7.4. alfanumeryczne
?-segmentowe tylko kilku liter.
lanie alfabetu wymaga przez za-
stosowanie 16-segmentowego lub matrycy 35-punktowej.
16-segmeotowe
Rozmieszczenie segmentów 16-segmentowego przedstawiono
na rys. 6.32: segmenty a, d i g ?-segmentowego z rys. 6.29
podzielone na dwie a ponadto dodane segmenty h ... m.
to znaków przedstawionych na rys. 6.33. ogranicza-
my do 64 znaków, wielkie litery, cyfry i znaki
specjalne. 16-segmentowe budowane z diod elektroluminescen-
cyjnych lub typu LED (z diodami elektro-
luminescencyjnymi) firmy: Hewlett-Packard , Monsanto i Siemens.
Siemensa wbudowane dekodery. Dekoderem
do typów jest np. dekoder AC5947 Texas lnstru-
ments. go ze tak samo, jak dekoder ?-seg-
mentowy (rys. 6.30). Dekodery do wielopozycyjnych
opisane w p. 21.11.
1
[ ITI I
lpn1LY }-(I_J I I L_f
~_LI
V
I/ I I
11\I /\
\/l \/ 1 7 ,-
I IL IL ' \
7
J /\ 1--
I
• o oo •
• oo • o
• o• oo
•• oo o
• o• oo
• oo • o
• ooo •
Rys. 6.34. Rozmieszczenie punk lów matrycy Rys. 6.35. Matrycowa organizacja
35-punktowej w siedmiu wierszach na diod elektroluminescencyjnych
i kolumnach
••• • • ••••• oo ao n oooo a 11an oo ••••• o oco o 1, ••• 0 ou a 11. ou -:11.: ••••• oouco o,.:;a ~o 111
1 111
: , ••• u O• • •
:ggg
: :gg
gggg:gg~ggg
a u uu a
:
a ut:J..lC oo a o o oooo a ;)t1a c n aa o aa •• ooo n a ::ia o u c a u a 11ur.:aa n 0 :::000
ao oo a aoo oc tio aon oooo a c oo a o a o oo a • o ooo oa oao o ooo a oo • on ot1ru10 an ann t. aaa n oc au:'l ao1.oa aoco •
~g:g~
':laa a o • o a o a
=~[~
:
o a c..11.J aa Gaa a oco a
••••• a o ooc ••••• ••••• c ooo a ••••• unn0 1l aa ;;iaa 11:;1:111
• oo oou ••••• onono o o aoo tH) ;u; .1• • • c r •••.J
coonau
uoco oo ao
oo aooo oo a• oo ao
• o oo•• oo •• o•.J uo ••
o • oo •• oo o•
• • •• oo o• o• •coo
oo 1;
J •••• uu 9.~o
.~.""lim
cCJ ...... ... l aL10
o a• .:i
J eIJ oc
ocooo CllCUO
e uu c.u c o u o::moo
·1,Ju 1111 Hm 001JU~
tioco •1
gggggg8:agggggg
~555§
coo) OO 00 000 c oo oo 0 • 0 • 11 •••• o aoo •• a :io a o uuouu
~sggg:ggg ot1• t 1n
.=,_,..:
~ .o=~.oo e aa g::gg
c..a „oo 11:;1111
::
gg
, a• n•i
~5~g
g
• o~i:o
1-o"'o'-'cC:oc:o+'
...:
'"...:
"...:
".;;.u
-i.;c;.;;o;;:o;.;;o;:;.o-i.;o;..;
•;..;o..;;
• .c.n
+;o:;.;o
:;.;
•..;;O.c.
o +n-'n-'n
..C
•c.
• _• :: : : : :~ ,:: ;·, /,:: ,:: ,:~~: ~
g~: g3 nn ;,u e
a or:• • on a oo
?.;~
~: R
a noa • o ao • o •••• o a .:moo a oo e c a onr::1
•
•t1~~•
aooo •
r:•• o o
t1aa t1u
o aa oo
0 00 00
uo • u o
o a oor:
I onoo
•••••
1.lOa t:u
ono • o
aooc •
1111ur;e
a oao • o:i a :::o ua a ao o o• ao aoo • o oooo a •••• o o oa 110 oaaa o c •••• c u no n ti•e uu aoooc ou::m u 0:10:ta c11..,a n
•a t!Oa co a .uo aoo oo 0 0 0 0 • ••• • • 0000 • • urio• 0 •111;rJ ao oo • cooo • a a• co 11•• 0n a a oac ••••• rm ao on ann
• t100 • :: 11• 00 • oc oo a oo o• r:iot'le u a 11o a a • oo oa • oo:.o • o::ma ;;t1wao :-:aa o o o • noo n u ana unu,;:o „o • l.'.I
• 1n..iOO
oaaa o G••• o ••••• O••• n o oo • o o ••• o o ••• o • ooco o••• n o a• ::io fl!L.nu • oo oo u :.:.nar: ooo co .:• ooo .Jn • nn
Rys. 6.36. Repertuar generatorów znaków MM 6061 (MMI) lub MCM 6674 (Motorola)
!1-
-+-~;
},4 •
a oo a o
• a o a oo
• sterowania • •• ooo
• anod • a o a oo
a oo a o
a ooo •
Generator
znaków
ao
a, •
• sterowania
Oz • katod
ASC!I 7
... ag d4 C>
1 1 o o 1 o 1 f o o 1 1 o o o 1
2 1 o o 1 o 1 1 o 1 o 1 o o 1 o
3 1 o o 1 o 1 1 o 1 1 1 o 1 o o
4 1 o o 1 o 1 1 1 o o 1 1 o o o
5 1 o o 1 o 1 1 1 o 1 1 o 1 o o
6 1 o o 1 o 1 1 1 1 o 1 o o 1 o
7 1 o o 1 o 1 1 1 1 1 1 o o o 1
Rys. 6.38. generatora znaków dJa litery „K''
,v~ :::$:,:,:J
:•::•,:..:..:x:&:.....
·=·~=· t :,;,:,;,:,;.;~
~::...t~~7\
..~~:•:•
:•:
•:•:,:,
...:,:::,;,;,;,;:;,;,;:;,;:;,;:;:;:;:::;!:::::i',;.;,:;,:~=0, ·~;.;.;
.;.; ::::::::::
:::;:;:;::::::
:::;:;:;:;::::
·..,.,'
lwr
u,u,) Uwr
Aby i dodat-
nie i ujemne , wzmacniacz operacyjny musi zasilany z dwu
dodatniego i ujemnego, jak to pokazano na rys. 7.1. W przypadku standar-
dowych scalonych wzmacniaczy operacyjnych zasilania wynosi z regu-
± 15 V. Na schematach ideowych , dla zaznacza
tylko zaciski i Idealny wzmacniacz operacyjny
nie istnieje. Do oceny, na ile dany wzmacniacz operacyjny jest bliski
parametry.
Wzmocnienie nazywane wzmocnieniem z
tj. wzmocnieniem bez zwrotnego (open loop gain) ma
I 04 •.• 105 .
11Uwr
-{_
dla U,v= const
11Uwr flUwr !lUp
k
"'
= = 11(Up- U,v)
(7.1)
11UR 11Uwr
dla Up = const
11UN
Wzmacnianie wspólnego za
niejszego zdefiniowania wzmocnienia definiujemy
ku, jako
kur = oUwr
au ' R Us= coast
au
!!.Uwy= 8Uwy' a
!!.UR+ 8Uwy' o
AUs (7.3)
R u, = const Us u .= const
(7.4)
- --
Us (7.5)
CMRR
(7.7)
!Kurl[dB}
100
80
60
40
20
o
f 10
Rys. 7.4. Typowa charakterystyka wzmocnienia
Rezystancja
c) 1
Wy1 Wy4
b)
We odwr.1 Weodwr.4
We
Weni
eodwr.1 Wenieodwr:4
Uzz
adwr. Uzz -Uzz
We Wenieodwr.Z Wenieadwr.3
nieodwr. Wy
Weadwr.
2 We odwr.3
l4y2 Wy3
-Uzz
Obudowametalowa Obudowa Obudowa
okrqg[a8-wyprowadze- 8 - wyprowadzeniowa, 14- wyprowadzeniowa,
niowa,zgodnaz typem741 zgodna z typem 741 zgodnaz typem 324
Rezystancja
r, 106 n 10 12 n 5 · 101 n 104 n
Rezystancja
wspólna '·· 109 n 10 14 n 2· 1011 n 101 n
polaryzacji [B 80 nA 5 pA l nA 5 µA
Uo 1 mV 0,5 mV IO µV 0,5 mV
Temperaturowy
/J.Uo/68 6 µV/K IO µV/K O,J µV/K 20 µV{K.
+14,5 V
Maksymalne wspólne Usmax ± 13 V ±13 V ± 12V
- 12V
Maksymalne
Uwrmax ± 13 V ± 13 V ±1 4 V ±12 V
pasma przenoszenia
fp 10 kHz 290 kH z 5 kHz 16MHz
mocy
UkTad
zwrotnego
ft
Rys. 7.7. Zasada ujemnego zwrotnego
Po Uwr otrzymamy
(7.8)
(7.9)
(7.10)
1
fi 1 1
(7.11)
1/P - 1 + T0 T0
I
Ku,
Ku1=- --"'-- ~ fi (7.12)
1+ l . f
+ J /Uk
1
f.
ur g
IKul
[dl/]
/QQkur
BQ- I
7o I
60 I
I
40 -- -- 1-- ---
wypadkowa graniczna
(7.13)
r ku, r
Jgf=k Jg
uf
tzn.
(7.14)
k - Uwr (7.15)
uf- U
WE
RF l Uwy
1 1
UwE
r0 - Uo
'tuwy UwEl rs
l
RF
1 1
R1 Ir
Rezystancja
W celu obliczenia wypadkowej rezystancji wrysujemy schemat
z rys. 7.5 do z ujemnym zwrotnym. Otr zymamy
pokazany na rys. 7.12. Wskutek ujemnego zwrotnego na re-
zystancjir, tylko bardzo
(7.17)
rwy =-
aUwr
a1
I
WY u. =coost
rwyf = - aUwr
i}J
I
WY U„r=oonst
_____ A,~,.-.----.------- --..-..,-,,.,,,.-,._ _w.wm-
-----------
•---- -•--
-------
---
---
w-------w·..----·••.,.,,._.,. _.,_.~-=
-----w."'""•''-
--·,-·.
--.,.,.,,.,~-------
154 7. WZMACNIACZ OPERACYJNY
W z ujemnym zwrotnym , pr zy zmianach
nia, UR nie jest lecz zmienia o
(7.18)
(7.19)
rwy rwy
(7.20)
1 + /3k„r T0
7.4.Wzmacniacz
(;,;,,:,::~~~
,($,,~,,1,$.,~m,
,,,,,,,1,,
,,,,i,,,,,,,,,,,~,,
,,,,,,,,,,
,=~~,,,,=<i~:!\-s::::,~~-::twr:
, ,,,
,,,,,,,
,,,,
,,,,,,,fo,,,,,,
,,,,,,
,,,,,,,
,,,,,,,~=
............
n
w pierwszej chwili Uwy jest jeszcze równe zeru.
UR= UP- UN jest ujemne. Ze na wzmocnienie kur
maleje do ujemnych , wskutek czego mal eje u....
zmienia tak zrówna
praktyczniez zerem.
,,,....,,,,"N>V,...,N"o._
..,.._...._
....,,
,••- . ... . .......,,_.,,.,.,.,.,.,.,., ~=
.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,•,•r,·rrr.·,·r.·rr .v.N'.-.VYAw.o...__-~.,.__.,,.,.,.,,,,.,.•.•.•.•.•.•.•.
,.• .....
v,·.·,·
,·,····
········
······..._www~--
7.4 . WZMACNIACZ 155
fuwr
1
Rys. 7.13. Wzmacniacz odwracajflCY
(7.21)
UN -- - Uwr
kur
i otrzymamy wówczas
(7.22)
(7.24)
1
,. .5. Budowa wzmacniac
zy operacyjnych !]ff
f:~l~ff=~~
~~:i:i:::":;
l:l:x::
: ·::::=:=:=:=:::
-:::::
::::::·:·:·:·· ...,...
....
;-::·.·~., ·: · : '" ¾:1':E$.Z?
..~.,....:-:\: ::::::::::=:=:=:=:=:=:=: :·:·:·:·:·:·:·:·:·:::·:·:·:·:·:·:·:·,n~:Yn:====:
:::::::::::: ··:::;..+·
·::::::::::::
+ +
Ile
°TJ Tj
T, Tz Tr
fuwr
l
Rys. 7.15. Prosty wzmacniaczoperacyjny Rys. 7.16. Wtórnik
Sl:*l~:l~:1'::Z::::t' :::::::::::::
...::::::::
:::::
:::::,::::::::
::::::::JS ....l~.,
..::::=<..fu ...
1!;:Y
-~..::::::::::::::
:::::::::;:::~,:::::::::::
:::::::::::s.~~ ::::....;,·::::::::::.:.:.:,..
..J: :::k"'~<'::::•~:=:=::;•:•:=:.~::
:::::, ,.:.x ::.......
[
, 7.6.Standardowe
scalonewzmacniacze
operacyjne
ttr~:s:::~::::~::::
~~
:::::.:tf..;:
:::
:t.:Z~?Xt
::::::::;::.,.:::::d'::;t½~K~f:,=:
•:Pl•:•
:x.:::::::~::::::::~•:.s.
.J.Js'";~f» ...
Wzmacniaczeoperacyjne o uniwersalnych
wzmocnienia jeden wzmocnienia.
np. we wzmacniaczu typu 741,
1 przedstawionona rys. 7.17. Tranzystory pnp T 1 , T 2 wzmac-
niacz
e T 4 stanowi T 2 . Jego nie ma jednak
tranzystory T4 i T 3 wtórnika
CK
r--11-
---
i 30pF
4
-o
,,o Wzmacniacz
rce2
BMQ
f'cH
BMQ
wtórnik
i1
rweTs
4Mf2
UkTad
j,,
Oarlingtona
Rys.7.18. Malosygnalowy schemal stopnia dla
"1
'~'•g.,, OL__ 6
_m_/_.....,_;_fó_'k_Q
_ _...,_
{i_io-kQ__j_.....,_i
_:0_\_2__ .()1"
·•
Uk[ad pra.dowe·I wtórnikemiterowy
Darlingtona
Rys. 7.19. schemat stopnia dla
,i ,J
-
lh-~
I 'h
o o
u,J tup
1 1
-~~-
tuwY
·{ 1, 'l "l
...,,.
"""" 1
Rys. 7.W. Wzmacniacz operacyjny CMOS serii ICL 7610. tranzystorów z typu
n z ujemnym, a tranzystorów z typu p z dodatnim zasilania
). 7~
a
,O 7.7.1.Podstawy
:h Ze na i wzmacniacz
:l- operacyjnyzachowuje jak filtr dolnoprzepustowy Bez poje-
Cx charakterystyka wzmocnienia ró-
K.,, ma typowy przebieg przedstawio ny na rys. 7.21.
/1 RC o naj-
,os ku.r
101-
7ó
,oJ I
1 I
,02 fi I
I
10 I
f,I
ypu
-9(f
nia
-,sa•
na
ust-
na Rys.7.21. T)'POWacharakterystyka i fazy wzmocnienia
owi (diagram Bodego)
/J= R1
R1 +RF
jak to z porównania z rys. 7.22 i 7.23 dla UwE = O. Zgodnie
z równaniami (7.15) i (7.23) kuf istnieje
RF tUwy
1
1,0
7.7.2.Uniwersalna
korekcjacharakterystyki
Wzmacniacz przeznaczony do uniwersalnych powinien w
zakresie,w którym I.K;,,I > 1, fazowe mniejsze od I 20°. Dla
dowolnego ujemnego zwrotnego O~ fJ l otrzymamy wtedy mar-
.....,¾, , ... . . ..... ..... w,,•
<H,,,., ,•,•,••~~= ......................... . ·-- ~ - -~~ ..................... .. , •••, •••••, •••••,., .......... .......... "".................... .... ,,.••••••,., ...................... .....,. ....... . ..... . ..................... ,., ... ,., •••••,.,., ., ....... .. .
kur
f{Hz]
- 180°
- 270°
f2 l = 210 kHz
= 21t[220 kO 11270 kO li 200 kO] · I O pF
fr scalonych tranzystorów pnp powoduje trze-
ciej granicznej
f 3 3 MHz
Oprócz tego jeszcze wiele innych dolnoprzepustowych,
które przy dalszych jednak
Aby przy zwrotnym (/3= 1) jeszcze margines
fazy 65°, fr o
~f2
Wynika
K,, = Uw y =~ (7.27)
r ur jwCK
(7.28)
;::~--,1..:.--------
..................
I I rl IK I k ,,"':', Ku bezkorekcji
10J I ur z ore1<CJQV
I '
m2 I '
W II '
I fg fr f3I\
.......
- 180° ------------------------.:: ', --- -
-270° ' _
.............
C = 0,2 mA /V 30 pF
K 2n · 1 MHz
7.7.3.Dopasowana
korekcjacharakterystyki
Uniwersalna korekcja charakterystyki opisana w poprzednim
punkcie gwarantuje margines fazy dla rezystancyjne go
ujemnego zwrotnego. Niekorzystny jest jednak fakt ,
pasma z ujemnym zwrotnym, zgodnie z równaniem (7.14),
maleje odwrotnie proporcjonalnie do wybranego wzmocnienia. Taki stan rzeczy
na rys. 7.28. Przy zwrotnym do
stabilizacji potrzebna odpowiednio mniejsza redukcja wzmocnienia , po -
wówczas punkt I TI = 1 przy IKu,I = 1/ fJ> 1. Jak na
rys.7.29, np. przy 1/{J= 10 pasma przenoszenia bez
zwrotnego z 10 Hz do 100 Hz , dla ze
5
10 ~\-~
104 '\. •
CK=30pf'-,""· CK=JpF
103
2 '" ""·
10-- - ---".- ,-
10------" -- 10 r--------..
1 1.___.__,____. _ _.___.__ ~...__~ ....-
1·~1"="
0--=100
~ ,~k __,,--..__ --, -= [H.....,z]
ot1-,--
t.... - 1
7.7.4. zmian na
korekcji charakterystyki oprócz zmniejszenia
pasma przenoszenia, za
zmniejszenie maksymalnej zmian na (siew rate).
tej na pod stawie schematu
czego z rys. 7.26. Jak na rys. 7.17, wzmac-
niacza µA 741 jest ograniczony do maksymalnej
J1 max = J = 20 µA
Otrzymujemy zmian
duwr
dl
I = 211:JUwym (7.30)
max
-.·.····-·······
····_,,,..... .. ,w~.www---•-·-' ·•·' m,w~,~w·,,•, .•,.•.•················-·---~-- ··•'••mh~-~·~,--· ············
··········- ·•~w
170 7. WZMACNIACZ OPERACYJNY
Przy zmian na 0,6 V/µs otrzymujemy Imax=10 kHz,
a znacznie pasma prze-
noszenia dla silnego ujemnego zwrotnego. Z równania (7.30)
jak wielka jeszcze amplituda
przy f max· ta dla Cx = 30 pF i Cx = 3 pF
jest pokazana na rys. 7.30. na nim, dopasowanie korekcji charakte-
rystyki przy wzmocnieniach 1 jest korzystne
pod zmian na
U..,gmlVJ
10 --, \
8 \
\
6
4
'2
\
\
\
' ' ...._
2
zmian na
W celu zbadania zmian na
najpierw jakie wzmacniacza na
Podstawmy w tym celu do równania (7.29) równanie (7.28) na pojem -
Cx, Otrzymamy
(7.31)
I
-= Ie - 4U ""1 O V
Ic/4Ur - T"" O m
Granica ku/mln 1 JO I 5
7.7.5.Zastosowaniewzmacniaczy
operacyjnych
Nawet wzmacniacze operacyjne z charakterystyki
w praktyce niestabilne. tego
dodatnie zwrotne przez zasilania, ze stopnia do
Nawet w przypadku stosowania zasilaczy stabilizowanych o ma-
rezystancji na jest zwieranie wielkiej
,,..,.,.,.,.........
~-,_,. ,.,.,.,.,..,.,. ,.,.,.,.,.,.,
.,.,.,.,...,.......,.,,... ,,,, ••,,•,•,•,•,•,•,
•,•,•,•,•, ,......,..,...,.,.,. v,....-.·,·.,..-..-.,.....,., ..... ,,,, ,,., ,._.....,....,._...,,,
..,,.,.,.,,,.,,,,,,,......,,
......~.-,.-...........
...,-,..,..,.,.,.,.,•,•
,•,•,
R1= 10kQ
TLOBO tuwr
1
Rys. 7.32. Zastosowanie wzmacniacza z przy wzmocnie-
niach ku/min
Zasilanie z jednego
Wzmacniacze operacyjne przewidziane do zasilania ze
dodatniego i ujemnego. Tylko w ten sposób sterowania
dodatnim i ujemnym wspólnym oraz symetrycznych
zmian W o zasilaniu bateryjnym lub
w cyfrowych mamy jednak do dyspozycji tylko dodatnie na-
zasilania. W takim przypadku wzmacniacz operacyj-
ny, który jednak tylko w dodatnim zakresie zmian
Jako na rys. 7.33 przedstawiono wtórnik
dla dodatnich. Ujemny zacisk zasilania jest z punk-
tem o potencjale równym zeru.
Zabezpieczenie wzmacniaczaoperacyjnego
wzmacniacza operacyjnego nie na-
zasilania. W przeciwnym przypadku pr zewodzenie
diody i uszkodzenie termiczne, o ile nie ograniczy do niewielkiej
ok. 10 mA. Dla wzmacniaczy operacyjnych CMOS granica ta
znacznie (ok. 1 mA), tam przewodzenie
niczegotyrystora zasilania.
Przy normalnej pracy przekroczenia przez war-
zasilania jest niewielkie, w nie wy-
od zasilania. Sytuacja taka · jednak wy-
w przypadku zasilania wówczas, gdy do
wzmacniaczaoperacyjnego jest kondensator, jak na rys. 7.34.
Uzz 15 V
R=- 10 mA = 1,5 k!l
lmax
=:
=:::·:·«~s;:::,.,...r..:
:,:,:, -~...®.~~~:;;.;-«....:·:·:·:
:,:,:,:·:·:·:·=:·:-·:.:-:.':.:-: ·:·:·:·:-:.:
·:·::::.:·:::: ·:.:,:,:,:,n,,:,:~~::Z: -:-:·=·:
·:··: :·:·:
•:•:·:
·:•:
·:·:·-
R R R R
Rys. 7.35. Zas ada pomiaru wzmocnienia Rys. 7.36. Praktyczny do pomiaru
wzmocnienia
Pomiar polaryzacji
polaryzacji w zasadzie
amperomierzem . Jednak w przypadku wzmacniaczy z tranzystorami polowymi
specjalnego o bardzo a oprócz tego
ekranowany przed pól za-
To w czasie na wmiacniacza
Kondensator wprowadzane
Jego dobiera tak , by w wygodnym do zmierze nia
czasu kilkuset miliwoltów. Przy wej-
polaryzacji równym np. 30 pA i C = 1,5 nF , uzyskuje
przyrost o 200 mV w 10 s.
=
"'
.ij
·~
:~ o
., o
.><::,
-o
::,
.o
·i·a .o ·o
·~-~ ..c..""
-o
=
~-u,
·s;:
o
i$
=
„ i!:o ~-- "' i!:
c.. ]
=
.,
o
::, -~
O •O
:~
o :.i
u
.3 J [.a
a
il:
"'
.o
!:l
'6h
"'
i$
>,
f--o ·a & ;J ;:>
uniwersalne
mMw,-.-, .•~, ., .e,A.•.=,•,,., ..,_... ,.,•,==,w,•,•,• ,•,•,•,•,w,•,•,• ,•,•,•,•, ,','•"' •'•"" """"""""-"''"' ' "' '•'• ••'••'•'•""-'"W ,w ,·=, ,w,V,','•'•'•'•'•'•'•'• '•'•'•''"" ''"'=·--=
.,
"1
-~ -~
o
.2
o -g
&·a
cd
·§ J;J
o
-~-~ -o
....
~-"'
:{
...
~;.,
"1 c:,.,
>, ·-
" o :I: '5'
·§ 1 .,
·§ .,
..
'6h
.,, ... i
;::, J;J
"'8 .'"' '"'
·c:r-
f-; Il.. ·a is: 8. ::Ei:';' ;:i
I
V
V
V
szerokopasmowe, transimpedancyjoe
LT 1206 Lin. Techn . 3mV 2 µA 900 V/µs I lwy = 250 mA,!,. = 12 MHz
OPA 603 Burr Brown 3mV 3 µA 1000 V/µs 1 lwy = 150 mA,/,. = 10 MHz
AD 9617 Analog Dcv. 0,5mV 5 µA 1400 V/µs I lwr = 70 mA,/,.= 100 MHz
LT 1260 Lin. Techn . 2mV 0,5 µA 1600 V/µs 3 lwy= 60 mA,/,. = 25 MHz
OPA 623 Burr Bro\l<n 2mV 1 µA 2000 V/µs I lwy = 70 mA,/,. = 130 MHz
LM 6181 National 2mV I µA 2000 V/µs I lwy = 200 mA, f,. = 33 MHz
HFA 1100 Harris 2mV 12 µA 2500 V/µs I lwy = 60 mA,!,. = 130 MHz
~:;::;:::;::::
:::::::::5:::
::::::
,:::,:q,~:::::::
::•1*5;::~~:::;::::~:
~:::::
::;::::::::::::::::::::::::::
::::::
::::,::
:::,:,:
:;,:::::::::::::::::::::
:::::
:@ijJ1M''*';!i::::::::,:,.....
M8.1.Tranzystor Jakoelement cyfrow
y tf!)r:n
Hb:::::::::::::::
:::=
~:::::
:~==:::
:::=~l~~~::
:::::~~
~1:f::Z,-x-:::::~=
=~~==~==
===
=:::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::
:::::::::
::~:
::r.::~~-f::~l~mmrm~mt~
3 4 5UwcM
Rys. 8.1. Tranzystor jako inwerter Rys. 8.2. Charakterystyka dla R1,= Re
R = 1,5 V - 0,6 V = 9 kQ
B 100 µA
b) + c) +
dynamiczne
Przy zastosowaniu tranzystora jako klucza nas szczególnie cza-
sy (rys. 8.4).
I- --+-I
----,- ts -czas magazyno wania (stof'aqe time)
---+--
tr - czas naras tania ( rise time)
I (
----, --
I
I
.,
I
1 10%
a
Uw!1
f --- \--- 50%
,I tpHl I , .. t""
tS---f;..
0
Re
Tz
188 8. PRZERZUTNIKOWE
tranzystor T 1 jest zatkany, przez wtórnik emitero-
wy T2 • temu rezystancji kolektora Re jest niewielkie.
T1 przewodzi, na kolektorze maleje do niewielkiej Przy rezy-
stancyjnym maleje Przy ob-
musi kondensato-
ra. tranzystor T2 wówczas nie przewodzi, w zastosowano
D, która przez
tranzystor T 1 . Powoduje to jednak wzrost w stanie ni-
skun do ok. 0,8 V.
1-
Przerzutniki to cyfrowe z dodatnim zwrotnym.
one od analogowych z dodatnim zwrotnym (genera-
y torów) tym, ich nie zmienia w sposób lecz
przeskakuje dwiema
W przerzutnikach bistabilnych stan na zmienia tylko wtedy,
kiedy proces przeskoku (przerzut) zostanie za syg-
np. krótkiego impulsu lub zmiany poziomu wej-
W przypadku przerzutnika wystarcza do tego krótki im-
puls, podczas gdy przerzutnik Schmitta wymaga poziomu wej-
Przerwtnik Nazwa I 2
Bistabilny Przerzutnik (tryger),
przerzutnjk Schmjtta
R R
Monostabilny Uniwibrator R C
Astabilny Multiwibrator C C
Re Re
8.2.1.Przerzutniki
bistabilne
Symetryczny przerzutnikbistabilny
przerzutnik bistabilny szeregowo dwa
inwertery i galwaniczne dodatnie zwrotne, jak to poka-
zano na rys. 8.8. oba inwertery równouprawnione, ten jest
przedstawiany z w postaci symetrycznej (rys. 8.9).
+ +
s R
S R
Rys. 8.8. Dwa inwertery w Rys. 8.9. Przerzutnik RS
dodatniego zwrotnego
w sposób: dodatnie na
S, zwanym wej.fciem (set) powoduje przewodzenie tran-
zystora T1 , wskutek czego na jego kolektorze maleje. Powoduje to
zmniejszenie bazy tranzystora T 2 i wzrost na jego kolektorze.
Wzrost ten powoduje przez R 1 wzrost bazy T1 . Stan ustalo-
ny zostaje wówczas, gdy na kolektorze tranzystora T 1
spad nie do nasycenia. Tranzy stor T 2 jest wtedy zatkany,
a T 1 przez R 1 jest utrzymywany w stanie przewodzenia. Dlat ego
po procesu przerzutu na S z powrotem
do zera i w nic nie zmieni.
,wwwwww_-......_. _......,._
..._.,
....·~-.·····,•,•,•,•,•,•r,•,•,•r,-,. ,.,.___ _._.,._.,.,•,•,, •,-. ,,.,._....__...
, •......._
••••-...,,..,-.-.-.-.,. •••,.,._.,.,.,.,.,.,
••._.,._._., .,•""""•'.W•
19() 8. PRZERZlJfNIKOWE
Przerzutnik z powrotem przez podanie dodatniego im-
pulsu na R, zwane (reset).
Gdy oba równe zeru, przerzutnik zachowuje swój po-
przedni stan. tej przerzutnik jest wykorzystywany jako ele-
ment
oba wysokie, oba tranzystory
w tym czasie W tym przypadku ich bazy dostarczane
przez a nie przez tranzystory ,
na obu kolektorach niskie. Dlatego stan ten nie jest
stabilny.
Gdy oba ponownie zero, na
obu kolektorach Z powodu syme-
trii na kolektorze jednego z tranzystorów narasta jednak nieco
szybciej drugiego. Dodatnie zwrotne powoduje wzmocnienie tej
tak, w zostaje ponownie stan stabilny, w którym
jeden tranzystor przewodzi, a drugi jest zablokowany. Nie jednak defi-
nitywnie do którego z dwu stanów stabilnych przejdzie przerzut-
nik. Z tego stan R = S = H jest logicznie zabroniony. wy-
kluczymyten stan, stany zawsze stanami Otrzy-
mamy wówczas funkcji na rys. 8.10, która jest
opisem
R s Q a
H H (L) (L)
H l L H
L H H L
L L Stanpoprzedni
PrzerzutnikSchmitta1>
Opisany w poprzednim punkcie przerzutnik RS jest pobudzany dodat-
nimimpulsem podawanym na aktualnie tran-
zystora. Inna polega na zastosowaniu tylko jednego wej-
.- i inicjowaniu przeskoku przez podawanie na dodatniej
1- i ujemnejjego Taki przerzutnik nosi przerzutnika Schmitta.
Jego przedstawiono na rys. 8.11.
.~-
0
)-
1
> W polskiej literaturze przerzutnikiem Schmitta nazywa tradycyjnie tranzystorowy
1
przerzutnikniesymetryczny ze emiterowym (por . p. 8.3.1). Przerzutnik symetryczny
y, nazywa Eclessa -Jordana . Oba te przerzutniki wyzwalane zarówno impul -
sem, jak i poziomem. Tu zgodnie z w technice cyfrowej przerzutnikiem
Ol Schmittanazywa przerzutnik bistabilny, który ma jedno sterowane po ziomem,
wskutekczego ujawnia histereza charakterystyki .
.,..~,.,.,.,..,._._.,,...,w,..,,, ,w,......,,•,•.w--, •,•,•_ ...........,.,..,.,.,•,•,t,•,•,•,•,•,;,•,•,•,•,•,•,•,•.-,•,•,•,•,•,•,•,•,•,-,•,•,•,-,
•...-,•.-.,,........,._..,._
....... .,._•• ,, N_. , , ,, , , •, •, •, .. ,r .....---· ·•·•·•·•·•·•·•·•·•·•·•·•·•·•·•
·r,•,-,-,-,.,•r.-.-.-,•,•r,•,
•,..._,.,.,..,._
Uwr
Uwr
UwYmax
Uwrmin
8.2.2.Przerzutniki
monostabilne
W celu realizacji przerzutnika monostabilnego skorzystamy ze sche-
matu przerzutnika RS, w którym jeden z rezystorów zwrotnego
kondensatorem, jak to pokazano na rys. 8.14. przez kon -
densator nie w stanie ustalonym tranzystor T2 przewo-
dzi, a T1 jest zatkany. Dodatni impuls powoduje tranzys-
tora T1 do stanu przewodzenia. Wskutek tego na jego kolektorze
zmienia skokowo z Uce do zera. Skok ten zostaje przeniesiony
przez RC na T2 •
Rys.8.14. Przerzutnikmonostabi1ny
·~1
D I t
..
I
""1 I I
t
Uc f
I I
t
ua2D
1
I I
:
t
..
t
Rys. 8.15. Przebiegi czasowe
194 8. PRZERZUTNfKOWE
-emiter tranzystora T 2 podczas przewodzenia tra nzystora T 1 . Powoduje to
skrócenie czasu trwania imp ulsu od zasilania.
)
8.2.3.Pnerzutniki
astabilne
Uwy/
lAJ=i
1. niestabilne. Dlatego omawiany nosi multiwibratora.
j-
Ucc
t,
!
uwr,, r,
1
Czasy trwania impulsów :
11 = R 1 C1 ln2; 1Jwr2 ~
Ucc
12 = R2 C2 ln2
Iz
""V
- Ucc
Rys. 8.17. Przebiegi czasowe
·:·~~;l:
..;:." :,:,..·.;
,:,:,•,•, :,··'.:l~{~~~':f:.~~-
-·····u•>
°%'&~"'&~··'>·:
······· .,,..,,,,,,,,,,,,,,':',',',',',',:,:.':'~':~~:_::.;~7'7
•.••••••;.:::.;.;';';
,:.:.;.;.:
Re
uwr
Uwrmax
,_
Uwrmi
n ~--+------4
I
!
8.
196 8. PRZERZUTNIKOWE
8.3.2.Przerzutnikastabilnyze emiterowym
Przerzutniki astabilne ze emiterowym pracy bez nasycenia
uzyskanie znacznie
z tranzystorami nasyconymi. Stosowany w praktyce przedsta-
wiono na rys. 8.20.
W celu jego zasady amplituda
zmiennych we wszystkich punktach jest i wynosi
Um~0,5 V.
+p + + + + +9
I
ot
I
I
R1 tn
I
L - _ ...J
T3
t
uwr1
ucz
juwrz
1 1
a
L-
Rys. 8.20. Przerzulnik astabilny ze emiterowym
:e
.a
tranzystor T 1 jest zatkany, na jego kolektorze jest prak-
tycznierówne zasilania . na emiterze tranzystora T2 jest wów-
czas równe Ucc - 1,2 V, a emitera 11 + 12 • Aby na R 1
musimy R 1 = 0,5 V/(11 + 12 ). Wówczas w tym stanie
pracy na emiterze tranzystora T4 jest równe Ucc - 1,1 V. Tak
jak jest zatkany tranzystor T 1 , lewego
przezkondensator Ci powoduje opadanie na emiterze T 1 z
!:iUEl 11
-- =-
tit C
Odpowiednio otrzymamy
! 1 = ---lVC
11
lub ogólnie: t 1 = 2 ( 1 + /12
l
)RC
l
(8.4)
/= J /
12 4UFC
gdzie UF jest przewodzenia diod.
Ucc
t1
t
Ucc
Ucc- 0,5 V
t
Rys. 8.21. Przebiegi czasowe
198 8. PRZERZUTNJKOWE
Przerzutniki astabilne ze emiterowym w postaci
monolitycznych scalonych (tabl. 8.2). Z wtedy
charakterystyczny dla ITL lub ECL.
,d
Tablica8.2. Typy scalonych
Technologia Maksymalna
3) Symbol Producent
wykonania [MHz]
·zy
Je. J:~::1:m:~d:
:~
~x::::::::
:::::::
:::
::::::;:;.;:;.;
..·;,.,:;:::::::::::;.}}!:}}
......
~;;:
8.4.1.Przerzutnik
symetryczny
s~Q
R~Q
R s Q Q
o o Stanpoprzedni
o 1 1 o
1 o o 1
f 1 (O) (O}
:,7 b
J_r__ T\r-__.
1 1 1 x, I/ _..__
___ _
2()() 8. PRZERZUTNIKOWE
o~y
1 1 1
x,
Czas trwania impulsu T= 31, 11 - czas propagacji bramki EXNOR
8.4.3.Przerzutnikastabilny(multiwi
brator)
Prosty przerzutnik astabilny zbudowany z dwu inwerterów przedstawiono na
rys. 8.28. W celu sposobu jego przyjmijmy ,
x jest wysoki (H) , jest wtedy niski (L). Kondensator C prze z
R tak u przekroczy poziom UP
bramki B1 . x staje wtedy niski (L), a y wysoki (H). Wskutek tego
u wzrasta skokowo o kon-
densator przez R, dopóki nie spadnie po-
poziomu
81 82
t y
r
Okres (ITL) T = 1,4 ... 1,8 RC;
(CMOS, 5 V) T= 0,5 ... 1 RC
lj
T1 T2
y
Okres T 3 RC
8.5.1.Komparatory
Wzmacniacz operacyjny bez ujemnego zwrotnego w
dzie jak na rys. 8.34 staje komparatorem. Jego
Uwy
Uwvmox>-
1
¼~ +
- tuwr U2 Ut
u2i 1 Uwrmin
~1-. u1- u2
Komparatorokienkowy
Za komparatora okienkowego czy
w zakresie dwoma porównawc zymi,
czy poza tym zakresem. W tym celu za dwu komparatorów
';t I
UwE
y
'~
1 i¼
i"' UwE
..
~t
I I
H UwE
.
y = I dla U1 < U..,. < U2
Rys. 8.38. Komparator okienkowy Rys. 8.39. Przebiegi w komparatorze okienkowym
8.5.2.Przerzutnik
Schmitta
Przerzutnik Schmitta jest komparatorem, w którym poziomy i
czania nie lecz o histerezy JlUwe·
Takie zbudowane z dwu tranzystorów, w poprzednich
punktach. Teraz kilka zastosowania komparatorów
w przerzutników Schmitta.
PrzerzutnikSchmitta w
W przypadku przerzutnika Schmitta przedstawionego na rys. 8.40, his-
tereza powstaje wskutek komparatora dodatnim
niem zwrotnym przez dzielnik R 1, R 2 . na podamy
ujemne UwE, to Uwy = Uwrmax·
1 Pozi(JmwyTqczaniaUpH= R
1
:
2
Uwymax
.t
His ereza lJUwE= R,+ Rz 1Uwrmax-U wrmin)
R1 1
1,
zaczniemy Uwy
kowo nie zmieni Dopiero wówczas, gdy uwE UPmax•
cie a wraz z nim Up, zacznie uR = Up - uN stanie
ujemna.
dodatniemu zwrotnemu uwy bardzo szybko
UwYmin· Up przyjmuje
R1
UPmin = Ri + R 2 UwYmin
U.wy
- , , Uwrmax
'
UPL UpH
ll.wE.
, Uwrmin
206 8. UKLADYPRZERZtITNIKOWE
Na rysunku 8.42 przedstawiono przebieg czasowy odpowiedzi przerzutnika
Schmitta na sinusoidalne
PrzerzutnikSchmitta w
W przypadku przerzutnika Schmitta przedstawionego na rys. 8.40
na ten punkt dzielnika w obwodzie
dodatniego zwrotnego, który jest z równo-
z Powstaje wtedy przerzutnik Schmitta
w pokazany na rys. 8.43.
·
Pozwm
r · 11
upL = - Rz
-R1 Uwrmin
.
Pozwm
. R,
UpH=- Rz Uwrma~
.
Histereza tJUwE=
R1 (
Rz
Uwrmax-UwYmin)
Uwr
max
UpL UpH
Uwrmin
Precyzyjny przerzutnikSchmitta
W opisanych dotychczas przerzutnikach Schmitta poziomy
nia nie jakiej od
ze wzmacniaczami operacyjnymi. Wynika to na poziomy
wyzwalania
Uwrmaxi Uwrm;,.· przez zastosowanie dwu komparato-
rów, z poziomami
taki przedstawiono na rys. 8.46. Komparatory przerzutnik
RS w stan 1 po przekroczeniu górnego poziomu wyzwalania i go przy
dolnego poziomu wyzwalania (rys. 8.47).
Uzf
j_
lj
''J 1
u1
:
IU2 UwE
..
UwEt
j_ '!1 I
: I ..
;t..I
U wE
I
u,t E
..
;i,
.1 "" UwE
Poziom UPH= U2 }
dJa U2 > U 1
Poziom UPL= U,
8.5.3.Przerzutniki
astabilne
Uwy
Umax---
Upl
f uwr
.1
Okres T = 2RCln(l + 2R 1/ R2 )
.....,,.,...,,.,,.,.,..,.N,w,:N,-v.,...,.,._
.,,.,.....,
,._,...,,-.w..,•,..,..,......
,.,·,·r.•.v-.r
.-.v.-.·•.......,.,.,..~~
..- ••••.•.,.,.,.,.,...,..,.,.www=v.·,·,·,·,.,·
......,.,.,.,•,•,•,•,
•.•,•. ,······ ""~·.......·-·.-.....,. ......,.,...,._,www
,.,•,•,•,•,•.-.•r .w.-..
·.. .
Okres wynosi
2
T = 2t 1 = 2RC In( 1 + ~
1
) (8.5)
Dla R 1 = R 2 przyjmuje on
+ 4
5
6
7
T I
'L_---"-'-1
____ __ ___ __J
210 8. PRZERZUTNlKOWE
Kondensator C przez rezystor R 2 do
dolnego progu Ucc/3. Trwa to przez czas
t, I t2
o.__
_ __ -i---+------,1---'-- ..,-
~l
.__ __ _.___ L..- __ ___._
_ __.._t
_ _. Rys. 8.51. Przebiegi czasowe
t
+ + +
Rt
8.5.4. Przerzutniki
monostabilne
scalony 555 do wytwarzania pojedynczych
impulsów. Za jego impulsy o czasie trwania od
kilku µs do kilku minut. Odpowiedni jest przedstawiony na rys. 8.52.
na kondensatorze przekracza górny próg
jest wyzerowany, tzn. na jest niskie. Tranzystor T prze-
wodzi i powoduje kondensatora. dolny komparator
nie jest z kondensatorem, stan ten jest zachowany do chwili, gdy
impuls L na 2 spowoduje przerzut. Czas trwania impulsu jest równy
czasowi potrzebnemu do tego, by na kondensatorze od zera
do górnego progu Uce
t1 = R 1 Cln3 1,1R1 C
w czasie trwania impulsu pojawi nowy impuls przerzut
nie a impuls ten zostanie zignorowany. Przebiegi przed-
stawione na rys. 8.53.
x,1
_
OL----+ J
1I--'- ------ 11 ____
...L-.,___ ___ t •-
Uc1 :
....====:l=~::=========
I~: ===== \
=====
f========--
~=
f ucc1- I t• I
L 1.
o
I
lt • I
I
212 8. PRZERZUTNJKOWE
kondensatora C po czasu trwania impulsu nie
odbywa dowolnie szybko ze na kolek-
tora. Czas nosi czasu biernego. w tym czasie pojawi
impuls czas trwania impulsu przerzutnika ulega skróceniu
w stopniu przez parametry To samo odnosi do
przypadku, gdy impuls jest od impulsu generowanego
w przerzutniku.
Uniwibratorz podtrzymaniem
przypadki, w których czas trwania impulsu przerzutnika powi-
nien liczony nie od pierwszego impulsu w impulsów
- jak to miejsce w poprzednim - lecz od ostatniego. Przerzut-
nild o tej uniwibratorów z podtrzymaniem.
du scalonego 555 w takim przedstawiono na rys. 8.54. Wykorzystuje
tu tylko jego jako precyzyjnego przerzutnika Schmitta .
+ + +
4
5
3
6
y
7
T
t e
I L_
I
I
"'1 p n q I ·I
t
.
I
I
fu"
"'1 ___, i~ ! t•
~t
o
I
:. t,
I
I
t
..
Rys. 8.55. Przebiegi czasowe
logiczne
!~~
····s·w;·;i:;· ·,·,·: .·,·:·:·:·····;~·:1l;;:,r:::::r:r::~;:
····i,·,···:< :½
½·,·
·,,·,,,½·:%,\·,'i':
·········
···········
i·,:·:·:,,,fai:,,i,ifa@~··;
,·,·,·,·,
·,·,·,·,
·r:rn~~"""''''''''''''''
''''''''~''~'~i,,:-:~
-·-
·!:
:':·····,·.
·.·:,.;.;.;.
;.;.,
...,,:.:.:.·.·.·.:.·
,·,\····i··:······
·
9.1.Podstawowe
funkcjelogiczne
W do zmiennej w algebr ze, zmienna logiczna
tylko dwie dyskretne, oznaczane na jako zero logiczne
ijedynka logiczna. te oznacza „O" i „ I" , ,,L" i „H " lub po prostu
Oi 1. W dalszym tych ostatnich symboli. Nie
przy tym pomieszania logicznych z cyframi O i 1,
z kontekstu zawsze wynika czy chodz i o czy o
trzy podstawowe zmiennymi logicz-
nymi:
- iloczyn(koniunkcja) y = Xi A x 2 = Xi · x 2 = x 1x 2 ;
-suma (dysjunkcja) y = x 1 v x 2 = x 1 + x 2 ;
- negacjay = x.
Dlatycb szereg praw , podanych w zestawieniu
(9.1].
X1X2= (9.la)
I
XzX1
Prawoprzemienno.fri
= X 2 + X1
X1 + X2 (9.1 b)
X 1 (XzX3)= (x1X2)X3 (9.2a)
Prawo
Xi+ (x 2 + x 3) = (x 1 + x 2) + x 3 (9.2b)
(9.4a)
Prawo
(9.4b)
XX=X (9.5a)
Prawo tautologii
x+x=x (9.5b)
XX= o (9.6a)
WlasnoJci negacji
x+x=l (9.6b)
X· 1= X (9.9a)
x+O=x (9.9b)
x ·O= O (9.10a)
z Oi I
x+l=l (9.10b)
0=1 (9.1 la)
1=0 (9.11b)
Wiele z tych praw jest znanych w algebrze liczb. Jednak prawa (9.3b),
(9.4a,b) , (9.5a,b) i (9.10b) dla liczb nie a negacji dla liczb
w ogóle nie istnieje. Zgodnie z prawem tautologii takie jak 2x i x 2
w algebrze nie wzory a i b,
znaczenie w
zamienimy iloczyn na a O na 1, otrzymamy
Za (9.9) ... (9.11) jest obliczenie iloczynu i sumy
logicznej dla wszystkich zmiennych x 1 i x 2 • Na rysun-
ku 9.1 przedstawiono iloczynu , a na rys. 9.2 sumy logicznej. Z rysunku
9.1 y jest równe 1 tylko wtedy, kiedy x 1 i x 2 równe 1. Dlatego
iloczyn logiczny jest nazywany AND. W przypadku sumy
logicznej y jest równe 1 wówczas, gdy x 1 lub x 2 jest równe 1. Dlatego jest
ona nazywana OR. Obie funkcje na
zmiennych .
__ ,_,.v,.,,v,N',I' ...... ,.,., . .... ,., . . . . .. . . ... . ... ... . ...... ... . ,.,., .,. ,., . ,.,.,., ... , . . ................. .. ~--. ,.,,.,•,•,•,•,•,•,•c,,·,~--=··,.,.,•,•, •,•cu,·-.--""· ··•·• "''•'•'•W •''•w,·,--"··
o
o ,
o a
o
o
o
o
1
o
1
1 o o 1 a 1
I 1 1
' 1 1
) Rys. 9.1. Tablica prawdy funkcji AND Rys. 9.2. Tablica prawdy funkcji OR
b)
W przypadku szeregowego zestyków x 1 i x 2 , jak na rys. 9.4,
a) jest tylko wówczas, gdy oba zestyki
czyli x 1 i x 2 równe jeden. szeregowe stanowi AND.
b) OR otrzymuje przez równolegle zestyków .
a) Za zestyki teraz w sposób po-
podanych praw . to na
b) prawa tautologii. Na rysunku 9.5 obie strony równania (9.5a) zrealizowano za
zestyków. przedstawiona jest
b), dwa szeregowo zestyki , które otwierane
:zb i zamykane, jak zestyk pojedync zy.
x2
:na X
o,-- -----o
Rys. 9.5. Przedstawienie prawa tautologii xx = x
my
un- zmiennych logicznych elektryczne,
iku o czym w p. 8.1. tam dwa poziomy H i L,
którym teraz stany logiczne 1 i O.
my nie H = 1 i L = O nos i logiki dodatniej. jest przypo-
jest odwrotne, H = O i L = 1, które nosi logiki ujemnej.
Podstawowe funkcje logiczne za odpowied-
nich elektronicznych. takie jedno lub i jed -
x, ~y =x, Xz
x2
x,3:r
xz =1 y=x1+x 2+•.. +xn
Xn
x ~y =x
Symbole bramek zgodnie z IEC 617-12 oraz IEEE Std 91-1994
x--D- y==
x
X~ y ==x
Wiersz X1 X2 X3 y
wiersz 3 /3 = x1 x 2 .x3
wiersz 5 /5 = x 1x2 x3
1 o o o o wiersz 7 11 = x 1x 2 x3
2 o o 1 o
3 o 1 o 1
4 o 1 1 o
5 1 o o 1
6 f o 1 o
7 1 1 o 1
8 1 1 1 o
9.2.1.TablicaKarnaugha
pomocniczym przy uzyskiwaniu najprostszych
postaci funkcji logicznej jest tablica Kamaugha. Jest to po prostu tablica praw-
dy o innym zmiennych wpisuje tu nie w ko-
lejnych kolumnach, lecz na poziomym i pionowym brzegu pola podzielonego
podobnie do szachownicy. Przy parzystej liczbie zmiennych
z nich wpisuje na jednym brzegu, - na drugim. W przypadku
nieparzystej liczby zmiennych na jednym brzegu o zmien-
na drugim. Kombinacje zmiennych
tak, by przy z jednej kratki tablicy do
tylko jedna zmienna. W kratki wpisuje zmiennej wyj-
y, zmiennych
na brzegach.
x, X2 y
I~ 2
o 1
o o o o o o
o 1 o
1 o o f o 1
1 1 1
Rys. 9.13. Tablica prawdy funkcji AND Rys. 9.14. Tablica Karnaugha funkcji AND
X1 X2 X3 X4 y
o o o o 1
o o o 1 1
o o 1 o 1
o o 1 1 1
o 1 o o 1
00 01 11 10
o 1 o 1 o 3
o o o
o
1
1
1
o
o
1
1
o
o
1
o
o
1
o
00 1 8 1) o
w
1 1 01 1 o o o
1 o 1 o 1
o
1 o 1 1 1
1 1 o o o 11 1 o 1 1
1 1 o 1 o c- -
1 1 1 o 1
10 o 1 I~
1 1 1 1 1 J..,
IA
Rys. 9.15. Tablica prawdy i jej tabHca Karnaugba
je do postaci
co jest zgodne z
Do grupy te kratki, które na lewym
i prawym brzegu tego samego wiersza lub na górnym i dolnym brzegu tej
samej kolumny. Dla czterech jedynek Dna rys. 9.15 otrzymamy
;:;:~r;§..~~~
.. .............
...·.···························································································
.....
,..::,:.,.,..:;:!:::::•······
····~~;:;:;
:~:~:~:~:~:;:~:~:~:~:~:~:,.,
..
li 9.3. funkcjelogicznel:tf'J,,,,,:::,.,.,.,.
M.:.:.:.:,
:,:,m_a~k<t~:..4:f.;..:..:wW„h·wfr
·w'·'····.............
W poprzednich punktach
za odpowiedniej kombinacji podstawowych funkcji OR,
AND i NOT . Istnieje wiele funkcji, które w technice
tak nadano im nazwy. Ich tablice prawdy i sym-
bole graficzne zestawiono na rys. 9.16.
Funkcje NOR i NAND odpowiednio z negacji funkcji OR
i AND:
NOR= Not OR, NAND = Not AND. Zgodnie z tym mamy
NOR(x 1 , x 2 ) = x 1 + x 2 = x1 x2 (9.12)
NAND(x 1 , x 2 ) = x 1x 2 = x1 + X2 (9.13)
Symbole
bramek X1~!J Xf~y X1~IJ x,~ y X1~y X1=:!3-
Xz IJ
Xz x2 Xz Xz Xz
X1 + X2 = X1 + X2 = ½ = NAND(.x1, X2)
x 1 + x 2 = x 1 + x 2 = NOR(x 1 , x 2 )
realizacji przedstawione na rys. 9.17.
I 9.4. Realizacja
:;:f':':'·':':':·:·:·:·:·:·:
·:·:·:·:
···x········· ····=·>f'l:~~% -h:::x::-········::·:·:·:·:·:·:·:·:·:·:·:·:·:·:·:·:········"·
:·· ·'=·Z:=::
:!~":!$-:,:
·:·:·:·:·:·:·:·:·:··"
··: ····': .. .::: ..';.:·::;.::·:::·:·:·:···:·:·:·:··
·:···•;::···:;:;:
podstawowych
funkcjilogicznych;;i:t,d\
W dotychczasowych elementami logicznymi,
nie o ich Taki sposób rozumowania ma
swoje uzasadnienie w tym, w technice cyfrowej stosuje pra-
wie scalone, które oprócz zacisków zasilania oznaczone
i Do realizacji poszczególnych podstawowych funkcji logicz-
nych istnieje wiele technik od siebie poborem mo-
cy, zasilania , poziomami H i L, czasem propagacji i
Aby móc wyboru , przynajmniej w sposób
ogólny w budowie tych Dlatego
w punktach omówimy rodziny cyfrowych.
Przy scalonych, do jednego
bramek . (Jan out) bramki ile bra-
mek tej samej rodziny do jednego bez zmniejszenia
na gwarantowanego poziomu.
równa 10 oznacza do bramki 10
jest zamiast bramki standardowej stosuje
mocy (buffer) .
........................
...... __.
..... . .............,..........,.,.,.,.,..•,.,.,.
,.,.,.,.,.,.
,.,.,.,.,
.,.,.,.,.,.
••,.,•••,.,.,.•.,.....,.v.,,.,,.
...............
~.~-,.. .•.,.,•,•,•,•,•, •,•,._•,•,•.•r .~.•• ._-..................... ,._.,.,.,., •••,.,. ,.,., .,.. ~,. .. ...,......... ....... •• •• .,._.,.,.,,_.,., ., .. , ... ,....
Ut Uz /lwy X1 X2 lj x, Xz lj
L L H D D 1 1 1 D
L
H
}I
L
H
H
o
f
I
o
1
1
I
o ,
o o
o
L o o o
Rys. 9.18. tablicy
' 1
H ,;, 1, L ,;, O
H ,;, O, L ,;, I
NOR-=>NAND
OR-=>AND
NOT-=>NOT
9.4.1. logiczn
e RTL
RTL - rezystorowo -tranzystorowe (resistor-transistor logic), zbudo-
wane z nasyconych inwerterów tranzystorowych zrealizowanych w technologii
.i
Rys. 9.21. Bram.ka NOR RTL typu MC 717
9.4.2. logiczneDTL
D1 U3 D3
T1 tuwr
l
u1f Rz
l
A 5kQ
u2 I 02
l
Rys. 9.22. Dram.kaNAND DTL typu MC 849
~26
------- ···------·~'
•••---~~
9. PODSTAWOWE UK-LADY LOGICZNE
••·-------V•'••••••M-~--~----
9.4.3. o na - logiczneHLL
Do w w których impu lsy
ce, zmodyfikowane bramki DTL, w których D 3 za-
stabilistorem taki pokazan o na rys. 9.23). temu poziom
progowy wynosi ok. 6 V, co oznaci.a, przy zasilania równym 12 V
otrzymuje na 5 V. W celu ob-
bramki te przeciwsobny poka zany na
rys. 8.6. W bramkach tych sztucznie czas przez za-
stosowanie wolnych tra nzystorów. I stnieje dalszego
tego czasu za kondensatora z
temu bramka staje odporna na krótkich impulsów
nawet ich amplituda jest od z ma rginesu
na tego typu logicznych wyso kiego
poziomu (high level logic, HLL).
9.4.4. logiczneTIL
Bramki TTL- tranzystorowo-tranzystorowe (transistor-transistor logic)
w zasadzie tak samo, jak bramki DTL. polega tylko na innej realizacji
diod i wzmacniacza W standa rdowej bramce TTL przed -
stawionej na rys. 9.24 diod jest wieloemiterowym tranzys-
torem T1 . wszystkie w stanie H , przez
R1 i baza-kolektor tranzystor a spolaryzowa ne w kierunku
przewodzenia do bazy tranzystora T 2 , jego przewodzenie. na
jedno z doprowadzimy niskie odpowiedni e baza-emiter
zaczyna i przejmuje bazy T 2 • Powoduje to zatkanie tranzys-
tora T 2 i do stanu H.
C C
E E
Rys. 9.25. Tranzystor z Scbotlky'ego nasyceniu i jego symbol graficzny
u,j
l
Rys. 9.26. Bramka TTL Scholtky'ego mocy typu 74LSOO
z otwartym kolektorem
Niekiedy problem logicznego liczby
bramek. Przy np. dwudziestu potrzebna do tego bramka
o dwudziestu do których oddziel-
nych przewodów. tego z otwartym
kolektorem (open collector).Jej stanowi (rys. 9.28) tranzys-
Re
r- ·-·
I
i
jB, j
,--·
1s2 • • •
, ·-·
i_ __ _ j i_ ___ _j L._.
i -=.l
'Bn
Rys. 9.28. bramek z otwartym kolekto rem
+5V
Re
&
..----- --- -- - -- - ~ --- - ~y =y11j2···!In
...
Rys. 9.29. Przed stawienie iloczynu galwanicznego za symboli logicznych.
Znak .Q. w symbolu bramki oznacza z otwartym kolektorem
Za z otwartym kolektorem
OR , iloczyn galwaniczny dla zmiennych zanegowanych.
Zgodnie z prawem de Mor gana mamy
Y1 + Y2 + ···+ Yn = Y1.J\
...jin
Odpo wiedni jest przedstawiony na rys. 9.30.
z otwartym kolektorem jest wolniejsze nara stanie
cia w przypadku elementów z przeciwsobnym, po-
tylko przez Re·
...
Rys. 9.30. Suma galwaniczna zrealizowana za z otwartym kolektorem
trójstanowe
:l Istnieje jeszcze jeden zastosowania, w którym
e bramek prowadzi do upro szczenia jest to przypadek,
gdy jedna z wielu bramek ma o stanie linii w tzw.
magistrali. Zadanie to pr zy bramek z otwartym ko-
lektorem w sposób pokazany na rys. 9.29, w wysokoimpeda n cyjny
stan li wszystkie z jednego. Zasadniczej wady tego roz-
narastania w tym
specyficznym zastosowaniu zamiast bramek z otwartym
kolektorem tzw. br amki z trójstanowym. Je st to typowe
przeciwsobne z tym, z.a dodatkowego
je w trzeci stan tzw. wysokiej impedancji. Stan ten nosi
stanu Z.
realizacji takiego przed stawiono na rys. 9.31, a jego sym-
bol graficzny na rys. 9.32. zezwolenia (enable) EN= 1,
jak inwerter: dla x = 1 mamy z 1 = O i z 2 = 1, tzn. T 1 jest zatkany, a T 2
przewodzi. jednak zmien na EN = O, to z 1 = z2 = O i oba tran-
zystory zatkane. Jest to stan wysokiej impedancji Z.
+5V
Zz
I/
juwr1
1
U[
Re
tuwcz 780Q
Rys. 9.33. Bramka OR/NOR ECL typu MC 10102. scalony nie zawiera rezystorów emite-
rowych R 5 i R6 , które w razie potrzeby z
-1.2-
----""
- t,DITT"'m°"':<:sd<~.- -t\-- -tr -.=m""'ct---t-- -i---+-- --,
J U 1• __ 26 mV __ n
rwy~ - =- 34 ;,.t
gm le 7,7 mA '
Suma galwaniczna
Przez bramek ECL - tak jak w przy-
padku z otwartym kolektorem -
(rys. 9.35). przy wtórników emiterowych
jest poziom H (active high), w logice dodatniej otrzymuje funk-
OR. realizacji sumy galwanicznej w technice ECL jest to, równo-
bramek nie zmniejsza ich
nie tylko na bramce, lecz na wypadkowym czasie propagacji.
jeszcze raz powody, które zaliczenie
bramek ECL do szybkich logicznych:
~1
X1_---f_--::-ie--- -.ffi. - -..-- X1 + X2 +X3+X.f
x2 ~----.__ _,.._______,
510Q
-5,2 V
X3 --L . .-:;:-i---+----'
X4----i=.:....:.J<>--<~- - -,--- xr~+X3·X4
~1
510S2
-5,2 V
Rys. 9.35. Realiz.acja sumy galwanicznej w ECL.
Symbol O oznacza z olwartym emiterem
3) symetryczne nawet na
(patrz p. 9.5).
rodzin ECL w tabl. 9.2 w p. 9.4.8.
9.4.6. logiczneCMOS
logicznych szczególnie niskim poborem
mocy bramki CMOS (comp/ementary MOS). inwertera jest pokazany
na rys. 9.36, a parametry w tabl. 9.1. Zwraca fakt, ten
z tranzystorów polowych MOS z wzbogacanym.
tranzystora z typu n jest z a tranzystora z
typu p - z zasilania Uss· Oba tranzystory w ze
wspólnym i jego
z tranzystorów stanowi drugiego
tranzystora.
N"NNV.,,W,.,_,.-.w,,,•-"-V-~~, -v.,,,,, ........ _...,_, ,,._,,,,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,..-rl"hVr.- ..V.V.* ,, .. .. ~~-~ , _._._.,,,,,.,,,'+_V. ..V.-."1, ......... ..,, ..... .. , _., _,, ,_,,,,•,•,•,•,•,•,•,•,•r, •,•r.-,-,•r,•rr,-r,-.'+ ",'-"•"""-.,,. ••••'-
,..,.,,.,
::...;.J..
----1- -f::_i...:,.
__ 1--~~~...;;
I
I
I
I
I
I
o 1 2 3 uwc[V}5
Rys. 9.37. Charakteryslyka bramki CMOS przy zasilaniu 5 V. Zakreskowane
- granice tolerancji . Linia przerywana - pobór
dr2
uw
cj ft
1 ::t'l"··UwE1't
Rys. 9.38. zabezpieczenia
bramek CMOS. Diody D 3 , D4
zrealizowaneza tranzystorów Rys. 9.39. tyrystor wskutek
T3, T4 izolacji tranzystora MOS
..........
.,,...,...- ..,,..,..,...,..,.
,......
.,..... .,..........
....~.··'".................. .,......................
,.,.,.,.,.,.,.,........ .....
_,_._. __, .~ ....,...,.,
...,......
, .•.
,.............. ,,,........
.......... . ................,.,.,.,.,.,.,.............._._..,... _ ___
____.__,.,._
9.4. REALIZACJA UKLADOWA PODSTAWOWYCH PUNKCH LOGICZNYCH 237
przy tym o zniszczenie
du scalonego. Dla tego zjawiska, zwanego zatrzaskiwaniem (/atch
up), nie powinno od masy, ani
od zasilania. nie da tego przynajmniej
przez diody do
- w od technologii - od l do 100 mA. Wystarcza do tego
rezystancja szeregowa. tyrystora rów-
po podaniu na zakres
zasilania .
Bramki CMOS
Na rysunku 9.40 pokazano NOR CMOS na tej samej
zasadzie, co opisany inwerter. Aby sterowana rezystancja
(T{ , TD gdy jedno z jest w stanie H,
szeregowo tranzystorów polowych z kana-
typu p. Po zamianie szeregowego na z bramek
NOR powstaje bramka NAND, przedstawiona na rys. 9.41.
Uss
T[
T1
tuwr
ju1 1
1 Tz
Rys. 9.40. Bramka NOR CMOS Rys. 9.41. Bram.ka NAND CMOS
Bramka transmisyjna
W punkcie 9.1 funkcje logiczne rów-
za zestyków. Z tej korzysta w technice
MOS, prowadzi to do uproszcrenia Stosowany doda-
tkowo, obok konwencjonalnych bramek, element nosi bramki transmi-
syjnej . Symbol graficzny i schemat takiej bramki jest przedstawiony
na rys. 9.42. Jej polega na tym, i
przy czym oba wyprowadzenia równoupraw-
nione. Istnieje dwukierunkowego z bardzo
W do konwencjonalnych bramek nie wy-
f
o
1 .t' 1' 1
fus
fJ
IJ.GN
T1 l
ju2
9.4.7. logiczneNMOS
scalonych NMOS jest to, zbudowane
z tranzystorów MOS z typu n. temu ich wytwarza-
nie jest szczególnie proste i z tego stosowane w
o stopniu scalenia . Bramka NOR NMOS przedstawiona na rys. 9.44
jest bardzo podobna do bramki NOR RTL z rys. 9.21. Ze technicz-
nych, zamiast rezystancji zastosowano tu tran-
,,...,....,,v,v.,....
.,.,.....,.,.,.......,,..
....,..,...,,.,.,.....,.,.,
,,,....._..._
•••.,.,,.•.••.•.•.·rrr,·,·,·,·
····················
· .........
.,..........
._,.,.._,.,.,...,
••• •,..,
••.....,...,,..,.
...........,.
...........
,..,...,.,.,.,
-....,.,-.- ..........• •...... •,,•,• .,. ·r.r···r.-vr.·.r.-.-=www·
9.4. REALIZACJA UKLADOWA PODSTAWOWYCH fUNKCJI LOGICZNYCH 239
zystor MOS, podobnie jak w przypadku tranzystorów z kana-
wzbogacanym. Aby tranzystor ten w nim na jego
wysokie UGG· w stanie H .ma
do zasilania drenu UDD, pomocniczy poten-
UGG musi przynajmniej o progowe od UDD·
jest potrzebne dodatkowo ujemne U88 , gwa-
zatkanie tranzystorów i zmniejszenie wars-
twy zaporowej.
Jak na rys. 9.44, tranzystor T3 pracuje jako wtórnik dla
UGG· Jego rezystancja jest niewielka i ma 1/gm.
Aby wymagane rezystancji, tranzystor ten musi
znacznie tranzystory
Uoo=5V
U99= -SV
........ ... . ............. ~ - ........ ~ ·....................... ........... . ..... . .... .. . ................ . ............................ .. ... . ~-.,.,,. .. .,., .......... ....... . .. ... . ... .. ~h .... , . . . . . . ......... . ...... .. ... ........ .. . , .,. ,., ................. ... . . ...
technologicznym CMOS z
[9.6]. Przy takich samych one razy szyb-
sze od typów z
rodzin cyfrowych oferowanych przez produ-
centów jest oznaczana symbolami tylko umiesz-
na symbolu. Zestawienie producentów i symboli literowych
podano w tabl. 9.3. Moc pobierana przez elementy z rodzin
cyfrowychjest bardzo Z wykresu na rys. 9.46 CMOS
bardzo korzyst ne przy 1 MHz mocy
strat TTL-S malej mocy i CMOS niewielkie.
Godnym jest fakt, w tym zakresie
pobór mocy przez TTL. tego jest przez prze-
ciwsobny podczas procesu
cy znaczne poboru mocy przy Wady
tej nie ECL. Dlatego przy 30 MHz
ECL samymi zaletami z ich wysokiej ceny.
-,
:-
100)1.
.-
,- 1p.....__ _ .........c __ _,__ __ ....._ _ _ ~ -- - --,-~
k 1{)() 1k 10k 100k 1M 1011 f[Hzj 100M
LP 74LSOO
SN,MC,
2mW 20pJ
5 lO
Scbottky DM, U
Schotlky 74SOO SN,DM 5 l9mW 3 57 pJ
LP SN,MC,
74AISOO 5 lmW 4 4pJ
advanced DM
fast 74FOO F, MC , SN 5 4mW 3 12 pJ
ECL
10.100 MC,F -5,2 3SmW 1> 2 60pJ
standard
10.200 MC - 5,2 35 mW 1l 1,5 50 pJ
74HCOO MC,MM,SP
high speed 5 0,3 µW/kHz 10 0,005 pJ/kHz
74HCTOO SN,TC,PC
74ACOO SN, PC, F
advanced 5 0,8 µW/kHz 3 0,002 pJ/kHz
74ACTOO SN,F
TTL 74BCTOO SN 5 lmW 3 3 pJ
1
> wraz z rezystorem emiterowym 50 O do zasilania - 2 V,
10 mW
74AS804 74LS14
Rys. 9.47. Transmisja danych przez niesymetrycznie przewodów
Am26LS31 Am26LS32
- 5,2 V
Rys. 9.49. Transmisja danych w ECL przez symetrycznie przewodów
$~@:%','jt),''ml:':':!:!
:r·:·:,·ww·····
:":)'·,·:,:·::::"r :·7 w"
Iii 9.6. kombinacyj
i•~
k~%:~~
:}f,t:l ?~
~::
·:,:,:½%::::
Przez kombinacyjnego rozumie cyfrowy nie
cy Zmienne jednoznacznie przez zmienne wej-
Stanowi to kryterium kombinacyjne od
sekwencyjnych, w których zmienne dodatkowo od stanu
du, czyli od jego W kombinacyjnych zmienne
zmiennym za tabel prawdy lub
funkcji logicznych . Do realizacji technicznej kombinacyjnych
ROM (read only memory) , w których zapisuje tabele
prawdy. Zmienne wówczas adresami. Druga polega na
bramek lub logiki programowalnej PLO (programmable logic
devices), za których realizuje funkcje logiczne. W dalszym
zajmiemy kilkoma prostymi kombinacyjne do
realizacji cyfrowych arytmetycznych przedstawimy w rozdz. 19.
kombinacyjne stosowane do i przekodowywa-
nia liczb. Aby te liczby móc za zmiennych logicznych,
je w informacji (binarnych). Jedna
taka pozycja binarna nosi bitu . Specjalnym przypadkiem binarnego
przedstawienia liczb jest kod dwójkowy , w którym poszczególne pozycje
uszeregowane liczby 2. Cyfra I jest wtedy identyfikowa-
na z a cyfra O- z zerem logicznym . przypi-
poszczególnym pozycjom literami, a
- N-pozycyjna liczba ma w kodzie dwójkowym
XN = XN-12N-1 + XN - 22N - 2 + ...+ X121 + Xo20
zawsze czy chcemy ary-
tmetyczne na cyfrach, czy zmiennych logicznych.
jeszcze raz na chcemy
1 + 1. znak ,, +" potraktujemy
jako rozkaz dodawania w systemie otrzymamy
1+1=2
9.6.1.Dekoder1 z n
Dekoder I z n jest o n i log2 n Yi
ponumerowane od Odo (n - 1). jest w stanie jeden wtedy, kiedy wpro-
wadzona liczba dwójkowa A jest równa numerowi tego Na rysun-
ku 9.50 przedstawiono prawdy dekodera 1 z 4. Zmienne a 0 i a 1 przed-
A w kodzie dwójkowym. z niej
sumy dla funkcji konwersji kodu.
przedstawiono na rys. 9.51.
A a1 ao YJ Y2 Y1 Yo
o o D o o D 1
1 o 1 o o 1 o
2 1 o o 1 o o
3 1 1 1 o o o
9.6.2.Demultiplekser
Za demultipleksera d do
Stanowi on rozszerzenie dekodera 1 z n. Zaadresowane
ao
a1
ao
Dekoder Yo
1z 4
a1
Y1
d
-Yo
Y2
Yf
d
1/2
lj3
1/3
16 74LS154 4514
8 74LS138 10162 74HCl38
8 74ALS538 1> 40Hl38
2x 4 74LS139 10172 74HC139
2x 4 74ALS539 1> 4555
1> polaryzacja
9.6.3.Multiplekser
odwrotnie do demultipleksera nazywa multiplekserem.
schemat ideowy z rys. 9.52, go przez zamia-
z Powstaje wówczas przedstawiony na rys. 9.54. Na
tej podstawie w bardzo prosty sposób jego de-
koder 1 z n wybiera to z n którego numer jest zgodny z
i je z
na bramkach przedstawiono na rys. 9.55.
W technice CMOS multiplekser zarówno za
bramek, jak i kluczy analogowych (bramek transmisyjnych - transmission
Oekodert-----,
1z 4
!I
!I
w multiplekserach OR w postaci
sumy galwanicznej, np. bramki z otwartym kolektorem
(rys. 9.56). w logice dodatniej otrzymuje w tym przypadku funk-
AND, - tak jak na rys. 9.30 - na zanegowane.
chcemy wady z otwartym kolektorem, tzn. wzrostu czasu
propagacji lpLH, równolegle bramek trójstanowych,
z których zawsze tylko jedna jest To przedstawiono na
rys. 9.57.
realizacji funkcji OR przedstawione na rys. 9.56 i 9.57 nie
stosowane w scalonych multiplekserach. one jednak znaczenie wówczas,
·~--=~ ·,•,.,ow,·,·m,·,·-.···················,.,w"'''"'~~"""""'- -"""www=, •,o•,•,.•,•,w,.-~"== ....~.-.,..---,.,......
,., ..,.,.,.,.,.,.
,,.,,.,.,·,··~""
248 9. PODSTAWOWE WGICZNE
gdy multipleksera rozmieszczone w
miejscach. to, np. w systemach z opi-
sanych w rozdz. 21.
typy multiplekserów zestawiono w tabl. 9.5.
Tablica9.S. Scalone multipleksery. CMOS analogowy oznacza multiplekser /demultiplekser
z bramkami transmisyjnymi
9.6.4.Dekoderpriorytetowy
Do zamiany kodu I z n na kod dwójkowy dekoder prioryte-
towy. Na jego pojawia liczba dwójkowa
szemunumerowi na którym jest jedynka. zmiennych
wych o numerach nie jest istotna. Nazwa dekoder priorytetowy
za tego nie tylko kod 1 z n, lecz
kod, w którym jedynki we wszystkich pozycjach
Tablica prawdy kodera priorytetowego jest przedstawiona na rys. 9.58.
J Xg Xa X7 X5 X5 X,t X3 Xz X1 ':13 Yz Y1 Yo
o o o o o o o o o o o o o o
1 o o o o o o o o 1 o o o 1
2 o o o o o o o 1 X o o 1 o
3 o o o o o o f X X o o 1 1
4 o o o o o 1 X X X o 1 o o
5 o o o o 1 X X X X o 1 o 1
6 o o o 1 X X X X X o 1 1 o
7 o o 1 X X X X X X o 1 1 1
8 o 1 X X X X X X X 1 o o o
9 1 X X X X X X X X 1 o o 1
x =dowolne
Typy scalonych:
TTL ECL CMOS
kod 1 z JO SN 74147
kod I z 8 z rozszerzenia SN 74148 MC 10165 MC 14532
Rys. 9.59. Bramka AND Rys. 9.60. Bramka OR Rys. 9.61. Bramka EXOR
Yo=aXo +a X1
~ 1
1
1
[NABLE EN4
2,4CT„ 15/0„4Cl=O co
CLK 2,4+/0, 4-/ C5
a
b
C
lllv~~~
,·~;rzer~utn~.~~
....
W punkcie 8.2.1 proste przerzutniki zbudowane z tranzys-
torów. W dalszym opiszemy przerzutników zbudowanych
z bramek. temu ich od
zastosowanej techniki
10.1.1.Przerzutniki
proste
dwie bramki NOR w sposób pokazany na rys. 10.1, to
otrzymamy przerzutnik (flip-flop). Ma on dwa
Q i Q oraz dwa S (set) i R (reset). na podamy S = 1
i R = O, otrzymamy
Q = s+Q = l+Q = O
Q=R+Q=O+O=l
Oba stany W analo-
giczny sposób dla R = 1 i S = O otrzymamy odwrotny stan
R = S = O, zostaje zachowany poprzedni stan Na tym polega
zastosowanie przerzutnika RS jako elementu Dla R = S = 1 oba wyj-
równe zeru, jednak w chwili R i S
...,.,,..,.N",
.....,..................
.............
.................
...,.,.,.,.,.,.,.........................
....,.,.,.,.,.,.,..................
.....
IO.I. PR.ZERZlITNIKI SCALONE 253
równe zeru, stan jest Dlatego stan
R = S = 1 jest w zasadzie niedozwolony.
Zestawienie stanów przerzutnika zamieszczono w tablicy na
rys. 10.2. je przy omawianiu tranzystorowego z rys. 8.9.
s R Q Q
o o q_, Q- 1
o 1 o 1
1 o 1 o
1 1 (OJ (OJ
s R q Q
o o (1/ (1)
o 1 1 o
1 o o 1
1 1 q_1 Q_1
Przerzutnik RS kluczowany (z
jest potrzebny przerzutnik RS, który reaguje na stan tylko
w czasie. Czas ten ma dodatkowa zmienna C.
Na rysunku 10.5 przedstawiono taki kluczowany przerzutnik RS (clocked RS
flip-flop). Dla C =Omamy R = S = I. W tym przypadku przerzutnik
poprzedni stan. Dla C = I mamy
R = R' i S= S'
85
C D Q
o o Q-1
C--'>-4-- -----i
o 1 Q-1
1 o o
1 1 1
s c-----fctl------Q
o~ q
Rys. 10.8. Realizacja praktyczna przerzutnika D Rys. 10.9. Symbol graficzny przerzutnika D
typu ,,zatrzask" typu „zatrzask"
10.1.2.Przerzutniki
Do wielu jak np . liczniki i rejestry przerzutniki
proste nie W tych zastosowa niach potrzebne przerzutn iki za-
stany i je na dopiero po ponow-
nym zablokowaniu one z dwu przerzutników prostych:
przerzut nika (master) na i przerzutnika pomocniczego (s/ave)
na
Przerzutnik.iwyzwalaneimpulsem (two-edge triggeredjlip-jlops)
Na rysunku 10.10 pokazano przerzutnik typu master-slave zbudowa ny
z dwu kluczowanych przerzutników RS z rys. 10.5. Oba przerzutniki bloko-
wane na przemian zegarowym C. Do inwersji zegarowego
bramka B15 . Gdy zegara C = I, informacja jest wczyty-
wana do przerzutnika Stan nie ulega zmianie, przerzut-
nik pomocniczy jest zablokowany .
-- - ·-,
Master L_ Slave j
Rys. 10.10. Przerzutnik RS maste r-slave
J K Q
o o Q-1 (niezmienione)
a
1
1
o ~} (Q =J)
1 1 q_, (zaneqowane)
Rys. 10.12.Stan przerzutnika JK Rys. 10.13. Przerzutnik JK master-slave
master-slave po cyklu zegara (010) jako dzielnik (J = K = l)
C
5
J I( J1 -,
standardowy ...-- - --- - '<-L"-'-'--'- J2
J I( C
strobowany....:
1/,___._~_, K1
K2 - ---,_ _J -,
q R
Rys. 10.14. Przebiegi czasowe Rys. 10.15. Symbol graficzny
i przerzutnjka JK master-slave przerzutnika JK master-slave
Q
s~
C Cf
D 10
R R Q
Rys. 10.17. Przebiegi czasowe Rys. 10.18. Symbol graficzny prze -
i w przerzutniku D wyzwalanym zboczem rzutnika D wyzwalanego zboczem
scalonych:
C Q
~Q
1J ....,1----Q
C C1
1K
Q ={Q_I dla
T=O
T= l
T 1,2T Q
L T O.
L L2 o o 0.-1
o 1,2D o 1 Q_1
C C1 if 1 o D
1 1 D
Z3 Z2 Z1 Zo
z 1 2 3 4 5 6 7 8 g 10 11 12 13 14 15 16
23 22 2' 20 CLI( 1
o
o o o o o
1 o o o 1
2 o o 1 o 1
J o o 1 1
o
4 o 1 o o Zo
5 o 1 o 1
6 o 1 1 o
7 o 1 1 1 1
8 1 o o o Z1 o
9 1 o o 1
10 1 o 1 o
11 1 o 1 1 1
12 1 1 o o Z2 0 ----' L
13 1 1 o 1
14 1 1 1 o
15 1 1 1 1
16 o o o o l3
1
O ______ __.
10.2.1. Asynchroniczny
licznikdwójkowy
Asynchroniczny licznik dwójkowy prze-
rzutników i zegarowe C przerzutnika z Q
poprzedniego, jak to pokazano na rys. 10.28. Aby zliczanie w przód,
przerzutniki swój stan przy zmianie impulsu zegarowe-
,.,.,...,.,.,.,.,.,.,.,.,.,...,,......,...v-n-.....-n-.w.r.-.·
.·w.v.r.••.,..
. ......
~~-.-,,,,..-----=w.-...-..,, ,•,•,•,•,•,•,•,•,,•, ............ ....._~., ..,.,.....,.,.,.,.,.,-.~~,= --=-= ,.-
10.2.2.Synchroniczne
licznikidwójkowe
liczników asynchronicznych jest to, zliczane impulsy podawane
tylko na zegarowe pierwszego przerzutnika, podczas gdy
przerzutniki sterowane w sposób W tego wej-
dociera do ostatniego przerzutnika dopiero wówczas, gdy
wszystkiepoprzednie przerzutniki. Stany kolejnych z 0 do zn
z równym czasowi przerzutu. W przypadku
przerzutników i liczenia zn zmienia
Zo Zt
CLK
CLR
dz
ENT (enable 1) - zezwolenie T; ENP (enable P) - zezwolenie P; CLR (elear) - zerowanie; CLK
(clock) - zegar; RCO (ripple carry output) - przeruesienia szeregowego
GZ ENP
cz
ENT ENT
G1 1CT
= f5 ft T=t5 61 1CT=15 61 1cr=1s
RCO RCO RCO
Ct,2+ Cf,2+ C1,2+ Cf,2+
[1) Zo [1] z„ 1] Zs [1 Z12
z, [21 Z5 [2) Z9 [2) Z13
[4] Zz [4 Z5 [4] 2 10 [4] - Z14
[8] Z3 [BJ Z7 [BJ Z11 [8] Z15
CLK
10.2.3.Licznikidwukierunkowe
(rewersyjne)
dwa typy liczników rewersyjnych (up-down counters): liczniki
jedno impulsów zliczanych i drugie które decyduje
o kierunku zliczania, oraz dwa impulsów zliczanych, z których
jedno powoduje a drugie - zmniejszenie stanu licznika.
Liczniki z kierunkiem zliczania
Warunek przerzutu przy zliczaniu licznika w - zgodnie z rys. 10.26
- mówi, przerzutnik musi stan wówczas, gdy na wszyst-
kich go przerzutników zera. W celu zdekodowania tego
stanu, logiczny znany z rys. 10.30 do Q.W licz-
niku z kierunkiem zliczania z rys. 10.32 sterowania kie-
runku zliczania U/15odblokowuje kombinacyjnego do zli-
czania w przód lub - do zliczania w
Przeniesienie w przód w dwu przypadkach, a mianowicie
wówczas, gdy przy zliczaniu w przód (U/.D= 1) stan licznika wynosi J 111, lub
Zz Z3
u/ff
ENT
CLK
Zo
co
CUP
CDN
80
P0 ••• P3 - przerzutniki T
CUP(c/ockup)-zliczanie w przód (dodawanie); CDN (clock do1Vn)- zliczanie w (odejmowani e);
CO (carry output) - pneniesieoia; BO (borrolV output) -
Zapobieganiekoincydencji
dwoma zliczonymi impulsami oraz czas ich trwania nie
krótszy od czasu ustalania -r za licznika, wówczas
drugi impuls przetworzony Dla liczników z jednym
ciem impulsów zliczanych z warunku tego wynika maksymalna
liczenia równa J„111.Y: = 1/2-r. W przypadku licznika przedstawionego na
rys. 10.33 sytuacja jest jednak gorsza. Nawet wówczas, gdy im-
pulsów zliczanych na i znacznie
mniejsze od Ima.-.,w asynchronicznych przypadek,
czasu impulsem dodawanym a impulsem odejmowanym jest
mniejszy od ·r. Tak bliskie siebie (koincydencyjne) impulsy
stan licznika. temu zapobiec tylko przez niedopuszczenie
do licznika impulsów zbyt szybko po sobie. Stan licznika nie
ulegnie wtedy zmianie, co powinno miejsce po dodaniu i
jednego impulsu.
Taki antykoincydencyjny (anti-race clock generator) zreali-
np. w sposób przedstawiony na rys. 10.34 [10.2]. Przerzutniki mono-
stabilne P 1 i P 2 impulsy zliczane CUP i CDN na Xup
CUP
&
81
Pz
CDN 1.n..
t1 XDN
1 1
!max= lz = ~
CU
P CDN
_.,._..i,,C +
..~:::::::::::*:;:::::::::::::::::::::
·2==::::::::::..:~s :::::::~::::::::::-::::~<:::::~:*:::;::::::::::::::::::~=;::::~:~:•:::?:.~:=~*~::$.:f.-s::-<:-:::=:
=:::::::::::::::::=:::::::::=:-::-}::~::::::
::=
:=:::::=:=::::::::#&1~11~11Itt
,,,,10.3.L1czmk1 w kodzie8421 11[Ittf
%::~~f:i:;$**'~~3*~~:~:~::;::*~;::;::;:~?~:~.:1:1:;:::~.:~:fa;::::::~::::
:::::::
:::::::::
::::,::;:
~f::~!:ltJJ~Mt~~:;:;:_¾:fa~::
:::::;::
:::;
:::
::::}f::::;~~:;.::::::~~:::;
:;:;:
;:::
~::
:::
::~:
l:~~~::&%i1@t~~i~il~~~~~l~l::::::
::;:;
::::::
..
10.3.1. Asynchroniczny
licznik (BCD)
Na rysunku 10.26 trzypozycyjny licznik dwójkowy do 7,
a czteropozycyjny - do 15. W liczniku w naturalnym kodzie dwój-
kowym d la jednej cyfry jest potr zebny czteropozycyjny licznik
dwójkowy, zwany Dekada od licznika dwójkowego
tylko tym, przy impulsie zliczanym zostaje wyzerowana i generu-
je przeniesienia. Przeniesienie
cyfry
Przy zastosowani u liczników w kodzie BCD odczyt stanu licznika w sys-
temie jest znacznie prostszy w przypadku licznika
dwójkowego, oddzielnie i
jako cyfra jest przedstawiona
w naturalnym kodzie dwójkowym jako czteropozycyjna liczba dwójkowa, któ-
rej poszczególne pozycje wagi 23, 22 , 21 i 2°, kod ten jest nazywany
kodem 8421. Tabli ca stanów dekady w kodzie 8421 jest przed-
stawiona na rys. 10.36.
Zgodnie z do cyfry 9 musi ona z z rys. 10.26,
a liczbie 1Omusi 0000. Odpow iednie przebiegi czasowe zmiennych
pokazano na rys. 10.37.
D o spowodowania licznika przy impulsie do stanu
jest potrzebny dodatkowy logiczny.
jednak stoso wania bramek, przerzutników JK
z J i K, jak to poka zano na rys. 10.38. W stosunku do
licznika dwójkowego z rys. 10.28 mamy tu przede wszystkim na-
przy impulsie nie stanu przerzutnik
Pi, mimo z0 zmienia z 1 na O. Na rysunku 10.28 proste
kryterium tego przypadku: z 1 musi w stanie O, gdy z 3 przed
impulsem zegarowym jest w stanie 1. Aby to wystarczy po prostu
J przerzutnika P 1 z .i3 . Warunek , by przy impulsie
z2 równe zeru, jest wtedy automatycznie. w sto-
sunku do licznika dwójkowego jest to, przy impulsie z3 zmienia
ZJ O_____r-t__
Rys. 10.36. Tablica stanów dla kodu 8421 Rys. 10.37. Przebiegi czasowe na licznika
w kod zie 8421
Zo Z1 Zz
-, -, Reo
1 1] Q
Clk
C1 Cf C1
1 1k
Pa P, Pz
TTL ECL
4-bitowy 74LS90 10138
2 X 4-bitowy 74LS390 -
10.3.2.Synchroniczny
licznik
Zo z, 22
ENT
CLK
Typ scalonego
Rodzaj licznika
TTL ECL CMOS
Synchroniczny 74LSl60 - 4160
Z kierunku zliczania 74LSl90 10137 4510
Z i 74LSI92
,.,.,.,•,•,•,•,•,•,•,•,w. ·.w~uA~-u mum, ·,········w, •,•,•,•,w, •,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,••• ,•,•,•,• •,••mm~- -~,=· ,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,·,·,·,=v ~~wu,• ,w,,.,.,•, •,•,•,•,•,•,•,•,•• •w . ,w .. ., .. .w=· , , '"'
272 IO. UK.LADY SEKWENCYJNE
.4. Licznikinastawne
CLR
m,
y
Rys. 10.40. Licznik modulo (M + I) z komparatorem
10..5.1. podstawowy
Q,f
Ol DO
CLK
Dl (data input) d anych; DO (data output) - dan ych ; CLK (clock) - zegar
CLK Q1 Q2 Q3 Q-,
1 01 - - -
2 02 01 - -
3 03 02 01 -
,f 04 03 02 01
5 Os 04 03 02
6 06 05 o„ 03
7 01 06 05 04
10.5.2.Rejestr z wpisywaniem
do D multiplekser, jak to pokazano na
rys. 10.45, to za LOAD na wpisywa-
nie równolegle. W takcie dane d 1 ... d4 wpisane równolegle
i na Q 1 .•. Q4 . to nie tylko z postaci
szeregowej na lecz z postaci na
LOAD
Dl OD
CLk
Rejestr z do wpisywania
jako rejestr dwukierunkowy. W tym celu
do wpisywania z po prawej
Typ scalonego
Rejestr
TTL ECL CMOS
4-bitowy 74LSl94A 10141 40194
8-bitowy 74LS 164, 299 - 4014
16-bitowy 74LS673 - 4006
2 x 64-bitowy TDC I 0051 (fR W) - 4517
8 x I ... 16-bilowy Am 29525 -
10.6.1.Eliminacja stykówmechanicznych
s;--.....,lflJID..._
__ .....
ruuu
- 1
R R 0 -_,jUUU
1
X O- ---'
Rys. 10.46. Eliminacja styków Rys. 10.47. Przebiegi czasowe
mechanicznych
10.6.2.PrzerzutnikRS wyzwalany
zboczem
Przerzutnik z R, Sjest w stanie 1, gdy S = 1, i w stanie O, gdy R = 1.
przy tym stanu, w którym na obu
jedynki. Aby to krótkie impulsy R albo S. Pros-
takiego przedstawiono na rys. 10.48. wej-
tu podawane na przerzutników D wyzwalanych dodatnim
zboczem. temu jest istotna tylko chwila pojawienia dodatniego zbo-
CS
CR
10.6.3.Synchronizacjaprzebiegówimpulsowych
10.6.4.Synchroniczny
przerzutnik
monost.abilny
pokazany na rys. 10.53 wytwor zenie impul su
synchronicznego z zegarem , o czasie trwania równym okresowi impulsów zega-
rowych od czasu trwania x.
1
<P
o
X
y a1 o1
- 1
ll2
o I
!J
1
o H
Rys. 10.53. Generacja pojedynczego impulsu Rys. 10.54. Przebiegi czasowe
synchronicznego
y
X
C1/l.,3,4,+
Po f,20 [1]
P1 1,ZD[2]
P2 1,2D [4]
/)3 1,2D [8)
Przebiegi czasowe dla czasu trwa nia impulsu równego siedmiu taktom
zegara pokazano na rys. 10.56. Przy zastosowa niu 4-bitowego licznika dwój-
kowego, dla uzyskania takiego czasu trwania impulsu do licz-
nika P = 8. Pierwszy takt zostaje wykorzystany do wpisania, a
do liczenia do 15.
,n .w ···········~~ ,wmwmv• •• .... . . .. , .. , .- •.··'"" """ ··- -~=
280 IO. SEKWENCYJNE
10.6.5.Synchroniczny do wykrywania
zmian
'
Synchroniczny do wykrywania zmian (detektor) powinien
synchronicznych z zegarem , zmienna
x ulegnie zmianie. W celu realizacji takiego skorzystamy z uniwibratora
przedstawionego na rys. 10.53. Wytwarza on impuls wówczas, gdy
x 2lllienia z O na 1. Aby impuls przy
z 1 na O, AND EXOR; otrzymamy wtedy
pokazany na rys. 10.57. Jego ilustruje wykres czasowy przed -
stawiony na rys. I 0.58.
1
o
' __Jl
O I
X
!J 1 I
O, o~
L
1 I
02 o I
I
1
y o
Rys. 10.57.Synchroniczny Rys. 10.58. Przebiegi czasowe
do wykrywania zmian
10.6.6.
Synchroniczny kluczowania
impulsów
zegarowych
problem i impulsów zegarowych, bez
zatrzymywania samego generatora impulsów zegarowych. Do tego celu
by w zasadzie AND . jednak nie
jest zsynchronizowany z zegarem , przy i powstaje impuls
zegarowy o W celu eliminacji tego zjawiska do syn-
chronizacji przerzutnik D wyzwalany zboczem, jak to po -
kazano na rys. 10.59. EN= I, przy dodatnim zboczu impulsu
zegarowego mamy Q = 1 oraz <Pi= 1. Ze na wyzwalanie zboczem
pierwszyimpuls zegara <Pima zawsze .
.P'
10.7.Projektowanie sekwencyjnych
10.7.1. Graf
Wektor X;
,, ,.. z)
Weklor Y;
X
"I UkTad
kombifla-
m
; Y=f (X,
Wekl or stanu Z;
Zegar <I>
cyjny Z(fk+1) zmiennych,__
;
n n stanu
Z(tk)I
Y= {Y1,Yz·· ·Ym}
Zbiór zmiennych stanów zn nosi wektora stanu
Z = {z1, z2 ... zn}
stany, które sekwencyjny , oznaczamy jako
S2 • Dla uproszczenia zapisu jest celowe odczytanie wektora stanu
nego jako liczby dwójkowej i zapisanie jako indeksu jej liczby
xz
S0 - stan S 1 - stan S2 - stan oczekiwania; S 3 - stan
10.7.2. projektowania
licznikao programowanej
Dla zaprojektujemy licznik w cyklu O, 1, 2, 3 lub O, 1, 2
nie od tego, czy zmienna ma jeden, czy zero. Odpowiedni
............. , ... . ,.,..,.,.,•,•,•,•,•,•,•.,.,..,
.. .•.• ·-.•u -.-.-.• ...-..-.~- ... .... . ,--.- ... ,.,H,•,•,• ,•,•,•,•,•, ,•,•,•,•,•,•,•,•,-.•................. .... •••• , ,·,•,•,•,•,•,•,•,·,•r,•,•r~--- ····~·· ·······"",. • • • •'•
3 dla X= 0
= { 4 dla x = 1
X
X y
Zt Zt
Zt
zó Zo
l
X Z1 Zo z', z~ y
o o o o 1 o
o o 1 1 o o
o 1 o o o 1
o 1 1 o o a
1 o o o 1 o
1 o 1 1 o a
f 1 o 1 1 o
1 1 1 o a 1
Adres ROM ROM
z~ = z 0 z1+ xz0 z 1
zó= z0 .z1 + xz0
)(
IJ
Z1
{J
Zt
Za
()
Za
10.7.3.Redukcja
Jak na ogólnym schemacie przedstawionym na rys. 10.61, kom-
binacyjny w sekwencyjnego ma n+ i oraz
n+ m n jest tu zmiennych stanów l- zmien-
nych (kwalifikatorów), am - zmiennych Przy
realizacji z wykorzystaniem ROM otrzymamy
1>s/ów (n+
2<n+ =(n+ m) 2<n+I) bitów
Mamy wówczas kombinacji
zmiennych stanów i zmiennych wek-
tora Y. W praktyce jednak zmiennych
przez zmienne stanów i tylko niektóre
z nich od zmiennych
Na tej podstawie nasuwa podzielenia ROM na dwie
jak to pokazano na rys. 10.68. Pierwsza z nich zwana pro-
gramu zawiera tylko stanów systemu, a nie zawiera sta nów
wych. Stany tworzone w tzw. wyj.fciowej na podstawie
zmiennych stanów i niewielkiej liczby zmiennych
Dlatego /2 jest z w porównaniu z /.
X
l l1;al
- b m
, y
n programu n n
,---A, zmiennych
Z{fk+t) stanu
z(t*)
Z(tk)
( X9
pon
Ad.res
Z(t1r) X l(tk+1) Q Z2 Z1 Zo X z; Z1 zó
o o 1 3 o o o o o o 1 o 1 1
o 1 4 3 o o o 1 1 o o o 1 1
1 o o o o o 1 o o o o o o o
1 1 2 o o o 1 1 o 1 o o o o
2 o o 1 o 1 o o o o o o o 1
2 1 3 1 a 1 o 1 o 1 1 o o 1
3 o 3 2 o 1 1 o o 1 1 o 1 o
3 1 4 2 o 1 1 1 1 o o o 1 o
4 o 5 o 1 o o o 1 o 1 o o o
4 1 7 o 1 o o 1 1 1 1 o o o
5 o 6 1 a 1 a 1 1 o 1 o o
5 1 7 4 1 o 1 1 1 1 1 1 o o
6 o 4 5 1 1 a a 1 o a 1 o 1
6 1 7 5 1 1 a 1 1 1 1 1 o 1
7 o o dowolne 1 1 1 o o o o o o o
7 1 o dowolne 1 1 1 1 o o o o o o
Rys. 10.72. Tablica Rys. 10.73. Tablica programu PROM
poTprzewodmkowe
/~
typu tablicowego typu funkcyjnego
I I
/'\
staflp11e dynamicZ//e
i 1r~
MROM
P IIOM
PLA PAL
P PAL
LCA
EP RO
M EP PAL
EEPROM EEP PAI
Rys. 11.1.Rodzaje
A D adresu N= 3 bity
danych m = 2 bity
o o o o do1 doo
I o o 1 dlJ d10
2 o 1 o d,.. d20
3 o 1 1 d31 d30
4 l o o d41 d40
5 1 o I d51 dso
6 1 l o d61 d6o
7 I 1 1 d71 d70
wi:s~rn~
.,l;'y.,w,.,.,....
..... ,.,,,,,,,,.
•,•
.•.·.•.·.·.·.·
.'.','·':.ldw.·,,·.···
·········
·····:,•··,,
·...•.w,•,•,
•,•,•,,•
,.·.·.·.·.·.·
.·JJ,,,:::~w ···w,',',',',"
11.1.
l. statyczneRAM
RAMjest w której po podaniu adresu dane i pod tym
adresem ponownie je (tzw. swobodny). Ze techno-
logicznychkomórki nie liniowo , lecz
W celu wybrania komórki adres A jest dekodowa-
ny przez dekoder kolumn i wierszy, jak to pokazano na rys. 11.3.
Oprócz adresowych RAM ma jeszcze danych DI
(data input), danych DO (data output), zapis/odczyt
R/ W (read/write) i wyboru (selekcji) CS (chip select)
lub zezwolenia dla CE (chip enable). CS i CE
w systemie multipleksowym liczby
ze danych (praca z wykorzystaniem magistrali) . CS = O,
danych DO znajduje w sta nie wysokiej impedancji i nie ma
na danych. W celu tego rodzaju danych
jest zrealizowane jako z otwartym kolektorem lub
trójstanowe.
W czasie zapisu (R/W = O) dodatkowa funkcja logiczna powoduje usta-
wieniebramki w stan wysokiej impedancji. temu
istnieje DI z DO i prowadzenie w ten sposób transmisji
danych w obu kierunkach za tej samej linii (magistrala dwukierun-
kowa).
Inna funkcja logiczna zapobiega w stan zapisu (we= 1), gdy
CS= O. temu unika zapisu przed wybraniem odpo-
wiedniego
....,...,,,...,..,,....,.,,.
...,~......
......,.~ ..................
.,.,•,•
,•,•,•,•,•,•,•,
...............
.........,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,
,,,.,............... .........
--.....,,..· ··h.........
,.,.,.,.,.,.......
.....................
. .................
........
.....................
.,......,.,...,.IV>MV
__ _
11.l. Z ZAPISEM I ODCZITEM (RAM) 293
O Yo
f
Y1
::,,
<..
"'
-~
'- 2
!12
"'
"t:l
c:,
c::,
Y3
3
ao
a1 o}
1
G-o
3
Xo X1 Xz X3
a2
09
o}o
1
G-
3
o 1
Dekoderkolumn
2 3
di we do +
t
DI .-,
t EN 'il
Dl= danych (data input); CS= wybór (chip select); we= zezwolenie na zapis (wri-
te enahle); DO = danych (data output); RI W = czytaj/pisz
Xi
294 11.
zaadresowana, tranzystor jest zablokowany . wszystkich ko-
mórek iloczyn galwaniczny
i za pokazanej na rys. 11.3 bramki trójstanowej do wyj-
DO.
nie zostanie zasilania, jest
zachowana tak zostanie zmieniona nowym poleceniem zapisu. Takie
statycznych, w od dynamicz-
nych, których musi stale aby nie zatarciu.
Symbol graficzny RAM przedstawia rys. 11.5. Na symbolu wi-
N adresowych, które dekodowane przez dekoder adresu tak , by
(z 2Nkomórek), która od-
powiada podanemu adresowi. z zapisu na odczyt Rf W jest aktyw-
ne tylko wtedy, kiedy zezwolenia dla (chip enable) CE= I lub
CE= O. Wtedy przy R/W = I trójstanowe jest aktywne, a przy
R/W = O w stanie wysokiej impedancji. Dlatego istnieje we-
i danych w elemencie Powstaje
wówczasdwukierunkowy port danych, którego kierunek transmisji jest
lany za Rf W.
ao
'}
a,
A O
N 2t1-1
UN
CE 61
R/W 1,EN
L 1,C2
dio
i r dog
A,ZD A'v
dim dom
A,2D A\J
Parametrydynamiczne
W celu zapewnienia niezawodnej pracy powinny
pewne warunki. Na rysunku 11.6 przedstawiono wykresy czasowe
tsA -czas ustalania na adresowym (adress setup time); twp-czas trwania impulsu zapisu (write
pulve width); tvw - czas ustalania danych (data valid to end of write time); t 11 -czas przetrzymywania
(hold time)
A ____ __,~
CS Ir-------------~
--~ I
296 11.
i, Tablica 11.l. statycznych RAM
si
l-
c,i :>,;:i
·a
cd
.,
...,, N
]
•O '6' ei
..
o )3
·~
Typ Producenl Moc ~8"O o
e
<U "'
bO
'o'
o
<I)
o..
RAS
- -
"'
""~ -~
"'c...8 f-A, Matryca
{i 512
t1~,o ao... as -~
- <>::
tzo4B
a,s_
-
09...
Rejestradresu
CAS kolumny Dekoderkolumn
11
-
RAS (row address strobe) - bramkowanie adresu wiersza chip enable); CAS (co/umn
address strobe) - bramkowanie adresu kolumny
298 11.
Tablica11.2. d)namicznycb RAM
je
y- Typ Producenl 1
Moc \11
o...
g-
e-
CMOS: (UOD = 5 V, f =! ...,,.)
1a 1Mb 1Mx 1 511000 Toshiba 300mW 80 DS 18
lS. 256 K x 4 514256 Toshiba 300mW I 80 ns 20
128 K x 8 HM 6581282 Hitachi 200mW 80 ns 32
sterowania(kontroler) dynamicznejRAM
dynamiczne RAM dodatkowych
Przynormalnym do adres musi wpisany do w dwu
po sobie krokach. W celu utraty danych jest wymaga-
ne wszystkich adresów wierszy co najmniej raz w 8 ms.
nie jest czytana cyklicznie, konieczne dodat-
kowe które adresowanie cykliczne normalnymi cyk-
rn
lami do te kontrolerów dyna-
micznych RAM (dynamie RAM control/er). Schemat blokowy takiego
jest pokazany na rys. 11.9 [11.2, 11.3].
W normalnym cyklu do podany z adres zo-
>- staje w rejestrze adresu wiersza i kolumny, bramkowa-
h nia adresu AS (adress strobe) jest równy 1 i wskazuje, adres jest aktualny.
sterowania przebiegu inicjuje cykl do
Powoduje to najpierw podanie adresu wiersza a0 ... a9 do za
ao·· .a9 10
Rejestr
adresu
wiersta
alfJ... a,9
Rejestr Multi- 10 MA
adresu
kol1J1T1ny plekser
AS licznikadresów
2
Dekoder RAS
priorytetowy
Ukfod
Ukfody slerowonio
CAS
CLK
DRAM
WAIT
Komputer
AS (address strobe) - bramkowanie adresu; RAS (row address strobe)-bramkowanie adresu wiersza;
CAS (column address strobe) - bramkowanie adresu kolumny; MA (memory address)- adres
CLK (clock) - zegar
:~;=f-i:
MA -r--W-ie-r-sz-~Xr-- -- K
-O-lu_m_n
_a- - - -~ ~r-=777'=>'?
300 11.
trzy metody czasowego cyklu
- z przerwaniem cyklu pracy (burst refresh). Przy tym rodzaju
po 8 ms normalnej pracy jej przerwanie i od-
wszystkich komórek W wielu jednak przypadkach zablo-
kowanie na 150 µs jej
- z wykradaniem cykli (cyc/e stealing). Dla niekorzystne -
go blokowania proces równomiernie na
okres 8 ros: stan licznika co 15 µs
o I po 512 x 15 µs 8 ms, aktywizacja wszystkich adresów wierszy,
tak jak jest to wymagane. Przy tym rodzaju procesor jest zatrzy-
mywany co 15 µs na jeden cykl i jest wykonywany krok Do
realizacji procesu czasowy pokazany na
rys. I 1.11, który dzieli impulsy zegara CLK tak, do sterowania
przebiegu co 15 µsjest podawany rozkaz W czasie cyklu
stan licznika jest podawany przez multiplekser do
a RAS jest ustawiany w sta n 1. Na stan
licznika zostaje o jeden. W czasie cyklu
jest wstrzymywany oczekiwania ( wait). proces jest
wskutek tego zatrzymywany co 15 µs na 0,3 µs, a przebiega o 2% wolniej;
- o minimalnych stratach czasu (transparent refresh lub hidden re-
Jresh). Metoda ta polega na realizacji cyklu co 15 µs.
sterowania (refresh controller) jest jednak synchronizo-
wany tak, nie wstrzymywanie do lecz
odbywa wtedy, kiedy i tak nie korzysta
z Nie wtedy strata czasu. nie
na siebie do z i cyklu
dekoder priorytetowy (arbiter), jak to poka-
zano na rys. 11.11. z zostaje potwierdzone syg-
oczekiwania do cyk.lu
nia, po czym jego realizacja.
Typy scalonych:
do DRAM 1 M: SN74ACT4503 CMOS Texas Instr.
DP842IA CMOS National
74Fl 764 1TL Philip s
673104 1TL AMD
R/W, A/W2
dwubramowa
D1
Brama
1 Brama2
Rys. 11.11.Wyprowadzenia dwubramowej
}~~':ill@J:l
:~;:;:1
:1:1:1
:1:
1:
1:1:1:1{:;;~;
}~:~I{:~:~:J}~:}~:}~:}}~:;:}~:l:(I:J
:$.i
:~~i~~&"®:.W.:.~~~~i~~
:t:/:]:\:l:\:):):]:]:/f:
11.2.Wykorzystanie RAM
11.2.1. dwubramowe
dwubramowe (dual port RAM) to specjalne RAM, które umo-
dwu procesom do wspólnych danych.
to danych obydwoma procesami [11.4, 11.5]. W tym celu
dwubramowa musi dwa oddzielne zestawy linii adresowych, da-
nych i jak to pokazano na rys. 11.11. Zasady tej nie zreali-
bez nie jest równoczesny wpis z obu
bram do tej samej komórki
W przypadku z odczytu w trakcie zapisu (read white
write) problem ten w ten sposób, jedna brama tylko do
zapisu, a druga - tylko do odczytu. Na rysunku 11.12 te
dwa oddzielne dekodery adresu, które równoczesny zapis
pod jednym adresem i odczyt spod drugiego.
WRIT
[1 READ2
01 02
Brama 1 Brama 2
A1
T 01
A D
Az
1 Oz
RIW1 RAM
T RI W
R! W2
I T IV
t
>, :,
,o
""
"'
.g' C l}
<il ...
-0
"'
o
Producent M oc
·~ "' -0 ....
co
I '5'1:1, o
- - - --
8Kb IK x 8 IDT 7 130 Id, Cy, Am
16Kb 2K x 8 IDT7132 Id, Cy , Vl 325 mW 35 ns 48
32Kb 4K x 8 JDT 7134 Id 500 mW 35 ns 48
32Kb 2K x 16 lDT 7133 Id 375 mW 45 ns 68
64Kb 8K x 8 JDT7005 Id 750 mW 35 os 68
64Kb 4K x 16 IDT7024 Id 750mW 30 n s 84
128Kb 16 K x 8 JDT 7006 Id 750mW 35 ns 68
128Kb 8K X 16 IDT 7025 Id 750mW 30 ns 84
11.2
.2. RAMjako rejestr
Ol DI ---do Q DO
-- ------- RAM 1---..--,
A
R/W
CLK
304 11.
11.2.3. FIFO
FIFO jest rejestru Podobnie jak w rejestrze,
w FIFO dane na w tej samej w jakiej
wprowadzone: wpisane jak.o pierwsze (first in) zostaje
jako pierwsze wyprowadzone (first out). W przypadku FIFO proces
ten - inaczej w rejestrze - w asyn-
J
chronicznie, to znaczy takt wyprowadzenia jest od taktu wprowa-
e dzenia. Dlatego FIFO do systemów asyn-
chronicznych (11.6].
Zasada FIFO jest podobna do tworzenia kolejki:
dane nie od do w takt kolejnych impulsów
zegarowych, lecz w tak wszystkie wprowadzone
dane wyprowadzone. Jest to schematycznie pokazane na
rys. 11.16. W FIFO pierwszej generacji dane
przesuwane przez rejestrów zgodnie ze schematem pokazanym na
rys. 11.16. Wprowadzane dane do wolnego miejsca
i do w takt impulsów
cych. tej metody jest czas przelotu (fafl-trough time). Uwidacznia
on w szczególnie nieprzyjemny sposób w przypadku, gdy FIFO jest
pusta, wtedy dane, zanim na przez
wszystkierejestry. Dlatego nawet FIFO czas przelotu
wielumikrosekund. Dalszymi wadami rozbudowany logiczny i
liczba operacji przesuwania, w z pod
poboru CMOS.
DO
~/llllllllllllllf - 1
;>
Wolne
z Rys.11.16. przedstawienie zasady FIFO
e
:- Dlatego w FIFO drugiej generacji nie przesuwa
e danych, a tylko dwa adres lub
.- RAM. to na rys. 11.17. wskazuje pierwszy wolny
L-
adresAI, a adres ostatni adres AO.
l, Przy wprowadzaniu i wyprowadzaniu danych oba
I-
obu AI - AO podaje stan
li mamy AI - AO = Amax• FIFO jest Nie wtedy niczego
skasowanie danych, które nie jeszcze czytane.
l-
AI = AO FIFO jest pusta . Wtedy nie wolno
a danych, grozi to przeczytaniem starych danych po raz drugi.
nienialub tylko wówczas, gdy
DI DO
Dl DO
z odczljfem
CI podczas
zapisu +C
co
Al AD
licznik Licznik
wpisu oduytu
Ukfadodejmujacy
Komparator
306 11.
Tablica11.4. FIFO
<Il •O
C: •.,,
·i
N
.-o.,,
o
<Il
.o' "1
"0
<Il
Typ Producent Moc ~:.-3
·a o
.. I~
C:
.,
8 <Il
"' o
e:'
o"°
'o' ~B
;:8N~
Il, o ...
-
Standardowe typu FIFO CMOS: (Uvo = 5 V, f =fmOJ<)
Zawiera
1 RAM; 2 Scalony sterowania
Producenci: Am = AMD, Cy= Cypress, Da = Dallas, Id = IDT, Ne = NEC,
St = SGS-Thomson, Ti = Texas Instruments, Vt = VTI
-- -- ·-- - -- ·- ·- ·-·::-i
,t Multiplekser ' Dl
Licznikzapisu adresów
a
l- RAM
a
h DO
licznikodczijl/J
lf RAM- FIFO
Kontroler
W Pusta
i korekcja
11.2.4.Wykrywanie
Przy przechowywaniu danych w RAM dwa
rodzaje i chwilowe. trwale (hard errors)
spowodowane uszkodzeniami samych scalonych lub
chwilowe (soft errors) tylko przypadko-
wo i nie powtarzalne. one powodowane przez promieniowanie a.
obudowy. a kondensatorów dyna-
micznych RAM, a przerzuty przerzutników statycznych
RAM. chwilowe skutkiem impulsów
wytwarzanych w lub poza nim [11.7].
daleko
Na jeden komputera nie tylko
wynik, lecz do przerwania programu. Dlatego
opracowano metody Aby
wykrywanie oprócz bitów danych doda-
tkowo jeden lub bitów kontrolnych. Im bitów kontrolnych za-
stosujemy, tym a nawet
Bit
Najprostsza metoda wykrycia polega na wykorzystaniu bitu parzy-
p. umownie lub bitów. Przy
kontroli dodatkowy bit ma O, gdy liczba jedy-
nek w danych jest parzysta, a 1, gdy jest niepar zysta .
temu liczba jedynek w z bitem jest zawsze parzy-
sta. Przy kontroli jest ona nieparzysta. Bit
interpretowany jako suma poprzeczna (modulo 2) bitów danych. Su-
EXOR dla poszczególnych
bitów danych.
,=--~--w...-,• ...-,•,•,•,•,•,•,•
,•,,_,=·=•
308 Il.
generatora bitu przedstawiono na rys. 11.20. Ko-
•r- bramek EXOR jest dowolna. Wybiera tak, by suma
cych czasów najmniejsza.
-w
W celu wykrywania bit zostaje wraz
zy
z bitami danych. Przy odczycie danych tak jak na rys. 11.21, ponownie
o-
bit i za bramki EXOR go z
1je
tanym bitem one i
;t -
przyjmuje stan b = 1.
fo
go do
d,
d2
d3
d4
ds
t4
d1
Typy scalonych:
ne 8 bilów: SN 74180 (ITL) ; 9 bitów: SN74S280 (fTL) ; 12 bitów: MC 10160 (ECL); MC 14531
(CMOS)
eh
Rys. 11.20. generator bitu
:o-
vw RI W
1a - o 8 8
do,,,d1
·eh
RAM
va. Generator
bitu [N 1'1
parzy-
;go
P'fp P! P
fa-
za- -f --------1== 1,___ __
Rys.11.21. dany ch z dla 8-bitowego danych)
2k ?J;m +k+ 1
praktyczne zestawione w tabl. 11.5. Nietrudno
bitów kontrolnych w jest tym mniej-
szy, im jest
Liczba bitów danych m 1 ... 4 5 ... Il 12 ... 26 27 ... 57 58 ... 120 121 ... 247
Liczba bitów kontrolnych k 3 4 5 6 7 8
310 li.
(R/W = 1) generator na rys . 11.24 por ównuje
P' z obliczonym na podstawi e danych D' P".
W razie przyjmuje B = P' EBP "-::/: O.
Dekoder sygnalizuje, który bit danych wymaga ko rekcji i powo-
duje bitu w korektorze da nych.
Bitq di
---
o f 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
Po X X X X X X X X
Pt X X X X X X X X
P2 X X X X X X X ,<
{)3 X X X X X X X X
"' X X X X X X X X
RIW
-- -- - -- -.----- -- -- -- --- -- o- - vw
o
16 16
----- ---+
-- - --16 -~d o···d,s
16 RAM
16
Korektor Generator
-......- .....-. bitów
16 danych 16 16 kontrolnych 5
5 P''IP 5 P'IP
16
Rodzajbledu
++-- - -- -1
Dekoder
b[,:du
--~-1 1 5
8 Generator
sfowa
b[,:du
I
bledu I
++---- --- -- -- - --- - -- --~
5
Rys. 11.23. dan ych z d la 16-bilowego
ho o l 1 I ... l o I o o o o o 1 ... 0 l
hl o l o o o o o 1 o o o l o l l
b„ o o l o 1 1 o o I o o I o l I
h3 o o o I l 1 o o o I o o I 1 l
b„ o o o I o l o o o o I o o 1 I
312 11.
ROM to typu tablicowego, które normalnie tylko odczyty-
wane. Z tego do tablic i programów . Ich
jest, zostaje zachowana po
ROM stanowi to, wpisywanie tablicy jest znacz-
nie bardziej w przypadku RAM. Odmiany
ROM przedstawione na rys. 11.l (MROM, PROM, EPROM, EEPROM)
zapisu.
11.3.2. programowane
w sposób (PROM)
Skrót PROM (programmable ROM} oznacza której jest
programowana przez Elementami programo -
wanietakich bezpieczniki, realizowane w scalonych w po-
staci bardzo cienkich, metalizowanych mostków. Oprócz tego stosowane
diody, które po w kierunku zaporowym
w stan zwarcia. Najnowszymi elementami programowanie
PROM specjalne tranzystory MOS ,
(tzw. (jloating gate). W procesie programowania
tej bramki zostaje co powoduje progowego
tranzystora MOS. Ze na fakt, swobodna bramka jest ze wszystkich
stron izolowana za warstwy Si0 2 , IO-letni czas
zachowania
PROM omówimy na
z rys. 11.25. Ze technologicznych poszczególne komórki nie
liniowo, lecz Adresowanie
nejkomórki odbywa przez podanie logicznej jedynki na odpowied-
wiersza i kolumny. W tym celu odpowiednio wek-
tor adresu A = (a0 •.• an) podany z Do tego dekodery kolumn
i wierszy. one jako dekodery 1 z n.
Yt
1
&
"'
:;;
.!
!J2
:;; 2
o &
1)3
3
ao
a1
o}o
1
6-
3
Xo X1 X2 XJ
a2
aJ
o}
1
G-0
3
o 1
Oekoder kolumn
2 3
o
es
Rys. 11.25. Budowa PROM . o 16 bitów
314 li.
X4 X3 X2 X1 Xo d7 d6 d5 d4 d3 d2 d1 da
o o o o o
o o o o 1
o o o 1 o
o o o 1 1
1,1 I I I: I I I I I I I I I
Rys. 11.26. tablicy programu dla PROM o 32 8-bilowe
>, ::,
·5"'
:~ "'
.o' d Il.
<il .,. "'
-g
o "' .,.""
,o„ .5
.><:•...,,
[~'O
i:l
El ·~ Typ Producent
.ij
Moc <Il ...
o
"'
.o'
Q.,
...
bi)
o ~p. o
TTL: (Ucc = 5 V)
316 Il.
zasilania z jednej strony proces programowania, bo tranzystory
wówC'Zas a z drugiej strony stwarza we-
ryfikacji w warunkach „najgorszego przypadku" (worst case). Potem
podaje ad res A = O i odpowiednie dane. Teraz procedura pro-
gramowania danego bajtu . W tym celu zeruje pomocniczy licznik (n = O)
i podaje polecenie programowania o czasie trwania I ms. Po stanu
licznika odczytuje aby C'ZYprogramowanie
sukcesem. nie, podaje rozkazy programowa-
nia, do 24. nawet wtedy dany bajt nie zostanie zaprogramowany ,
program uznaje, element jest uszkod zony.
Start
UstawUpp
=::12,5V,Ucc= 6,0 V
Adres= O,Dane
Licznik n=O
programuj1ms
n= :n+1
tak
A= :A+1
nie
i
doprogr:3n· 1ms
3.
1 nie
C
a
J- Ustawu,,=U,,=rV
L-
nie
.
~-
l- gotowe
:e
Rys. 11.27.Szybki algorytm programowania EPROM
ie
STALE(ROM) 317
Normalnie potrzeba tylko kilka impulsów Nie jest wte-
dy jednak pewne, czy do izolowanej bramki wprowadzony
co który utrzyma przez 10 lat. Aby to
wykonuje jeszcze trzykrotnie. Do tego celu opera-
cja „doprogramowywania" o czasie trwania 3n x 1 ms.
W ten sposób zaprogramowany pierwszy bajt i
pod adresem, z nowymi danymi. Na programo-
wania do trybu czytania i jeszcze jedna weryfikacja
zastosowaniu szybkiego algorytmu programowania
czas programowania EPROM o 1 Mb skraca z ok.
2 godzin do 10 ~inut. Przez zmniejszenie czasu trwania impulsu pro-
do 100 µs w przypadku niektórych EPROM
nawet czasy 1 minuty.
«I
>, :::,
·a
...,,
•O
o
«I
'o' = ei
«l ....
f:!
i:
e
., ·a«I Typ Producent Moc ~,.g o...
Oil
'o'
Q., o ::Eo
r=CMOS:
1 (Ul)I) = 5 V, f = Imax)
64 Kb 8K x 8 27C64 Ti, Fu, Na, Am lOOmW 150 DS 28
8K x 8 27HC64 Al, Cy, Ws 300mW 45 DS 28
256 Kb 32 K x 8 27C256 Am, At, Fu, Hi, Na, Ne, Ti l50mW 150 DS 28
32 K x 8 27HC256 Am, Al, Cy, Ws 350mW 55 DS 28
16 K x 16 27C202 In, Ws 500mW 55 ns 40
512 Kb 64 K x 8 27C512 Am, At, Fu, Mi, Na, Ne, Ti 150 mW 150 ns 28
64K x 8 27C285 Cy 700mW 30 ns 28
1 Mb 128 K x 8 27C010 Am, Fu, Hi, In, Mi, Na, Ti l50mW 200 DS 32
128 K x 8 27H010 Am 200mW 45 ns 32
64 K x 16 27C1024 Am, At, Fu, Mi, Na, Ti, To 250mW 200 DS 40
64 K x 16 27HCI024 At, In 500mW 55 ns 40
4Mb 512 K x 8 27C040 Am, At, Hi, Ne, St, Ti, To 150mW 150 DS 32
256 K x 16 27C4096 Am, At, Hi, Ne, St, Ti, To 250mW 200 DS 40
8 Mb IM x 8 27C080 Am, Ne 250mW 150 DS 32
512 K x 16 27C800 Am, In, Ne, To 250mW 150 DS 42
16 Mb 1 Mx 16 5716200 To, Ne, St 250mW 150 ns 42
318 li.
11.3.4. kasowaneelektrycznie(EEPROM)
Nazwa EEPROM (electrically erasable PROM) oznacza PROM, której
do EPROM elektrycz-
nie. W nowszych typach takich w strukturze scalona jest
przetwornica (konwerter) i czasowy
(timer) do ustalania impulsu W celu zaprogramowania
bajtu wystarczy tylko adres i dane. podamy potem polecenie zapisu
i zainicjujemy programowania, EEPROM
adres i dane, po czym natychmiast zwalnia linie adresowe i linie danych. Dalszy
operacji programowania przebiega autonomicznie w strukturze
scalonego. Najpierw jest kasowany stary bajt, a programowany nowy.
Operacja ta jest nadzor,owana w celu zapewnienia, zaprogramo-
wany jest Czas trwania programowania wynosi
l ... 10 ms, a jest tego samego jak w EPROM. W niektó-
rych EEPROM w jednej operacji programowania nie
tylko pojedynczy bajt, lecz 16 ... 64 bajty. W tym celu
do RAM i
polecenie programowania. W ten sposób efektywny czas programowa-
nia jednego bajtu równy 30 µs. Ta prostota operacji wpisywania i kasowania nie
daje jednak wykorzystywania EEPROM jako
RAM, liczba cykli zapisu jest ograniczona. Jednego bajtu nie wolno
104 ... 106 razy (w od typu scalonego).
Przy czasie programowania równym 1 ms po 10 s
bajtu lub strony, programowanie
w sposób [11.11, 11.12]. Z tego powodu w niektórych typach
EEPROM i RAM. przenosi do
ci EEPROM tylko w przypadku zaniku zasilania . temu przy
normalnej pracy krótki cykl zapisu, nie ze zjawiskami
[I 1. 13].
EPROM a EEPROM stano-
EEPROM kasowane równolegle (jlash). je elekt-
rycznie tak, jak EEPROM, ale nie bajt po bajcie, lecz za
jednym razem. nazwa tych EEPROM typu „flash".
Ich kasowanie jest o wiele prostsze EPROM; wymaga podania tylko
jednego impulsu kilka sekund. Nie ma potrzeby
wyjmowania elementu z i go na ok. 20 minut do kasownika.
Technologia produkcji tych elementów nie jest wcale bardziej od tech-
nologii elementów EPROM i uzyskanie odpowiednio
upakowania, a niskiej ceny. Aby niepotrzebnie nie produkcji,
w EEPROM typu „flash" z rodziny 28 rezygnuje z przetwornicy
(konwertera) i czasowego (timera) do ustala-
nia impulsu w typowych
EEPROM. Dlatego programuje je tak samo, jak EPROM.
"'
-~
>, ;:I
•O
""
o "["' ~e 1o
a
d
-~ Typ Producent Moc [~'O
., bi)
Cl)
"o'
o.. o o
320 Il.
baterii. Dlatego i tutaj w przypadku zastosowa-
nia odpowiednich baterii 10-letni okres zachowania
danych.
ROM
RAM
MROM PROM EPROM EEPROM
Zapis
dowolna 1 raz I raz ... 100 razy 104 ..• 105 razy
Czas 10 ... 200 ns Minuty Minuty Milisekundy
Odczyt
dowolna dowolna dowolna dowolna dowolna
Czas 10 ... 200 ns ok. 100 ns 10 ... 300 ns 30 ... 300 ns 30 ... 300 ns
urri:~(~:(:
(:(:}~
:]:
]/:j:
Jml:l:l:J
~iJ ~:~:~{~~{
~~~~~~ lf~§~f
~~~~:~:~:r1 r:1:1:1:1
:1:
1:1::1:J:;:
j:j:J
;J:J~!:~f(;(:r1rrr;~::
..
0 11.4.
1 (PLD) Il''l]\t„
logikiprogramowalnej
......
a b C d
++++--@- a bd
\fil- a+b
+d m¾- a+b+d
a b C d
Program
owalna matrycaANO
PLA
Programowalna.
matryca OR
matryca
Programowalna ANO
PAL
Yo
Staramatryca
OR
Ut
StaramatrycaANO
PROM
PLE
Programo
walna Yo
matrycaOR
Y1
x -poTaczenieprogramowalne o - poTaczenie
stare
Rys. 11.29. Porównanie budowy PLA, PAL i PROM
ww ··~-----·...s .-.............................................
···············
····················"'m-'='~·-
·-~ ...... .•"""""·---, 0 .. . , •• ,..,, •• , •• ,,. • ....,=-•·= ·-
322 11.
negacje wraz z z nimi bramek AND matry-
w której wszystkie potrzebne iloczyny. Aby otrzy-
potrzebne sumy logiczne, w odpowiedniej drugiej matrycy zreali-
bramek AND i bramkami OR. Na
jest potrzebna przy tym tylko jedna bramka OR.
W przypadku PLA (rys. 11.29 u góry) ma
programowania obu matryc. W PAL (rys. 11.29 w
matryca OR jest narzucona przez producenta; tutaj tylko
AND. Za PROM ,
dekoder adresu z rys. 11.3 interpretuje jako iloczynów logicz-
nych (AND). Uzyskuje wówczas pokazany na rys. J 1.29 u Dla
kai.dego adresu tylko jeden iloczyn logiczny ma ,jeden", i to
ten, który odpowiada podanemu adresowi. Mamy tu n = 2N iloczynów
logicznych,podczas gdy PLA i PAL ich znacznie mniej. To, czy
funkcji jest równa I czy O,ustala przez zaprogramowa-
nie matrycy OR.
PROM przewidziane do realizacji funkcji logicznych oznacza-
ne skrótem PLE (programmable logic element). tymi elemen-
tami na funkcji logicznych z rys. 11.30. W tym celu
usuniemywszystkie które dla funkcji nie potrzeb-
ne. Na rysunku 11.31 wszystkie wymagane iloczyny
w matrycach AND PLA i PAL. W PLA iloczyn logiczny,
który jest wielokrotnie, w matrycy OR nawet
dwa razy. W PAL nie mamy takiej swobody,
matryca OR jest zaprogramowana na
z X2 X1 Xo Y1 Yo
o o o o I o Yo= x 2 + x0 x 1
1 o o I o o Y1 = XoX1 + XoX2 + XoX1X2
2 o I o 1 I
3 o 1 I o o
4 I o o o 1
5 1 o 1 1 1
6 I 1 o I 1
7 1 I I o I
Programu
walnamatrycaANO--- ~
PLA
Programo
walna
mu:trycaOP
Programuwalna
matryca
PAL
Stara matryca
OR
x2 x0 x
Staramatryca ANO~,
PROM
PLE
Pl'Ogramowa/na Yo
matryca OR
Yt
o 2 3 4 5 6 7
x - poT4cz.en
ie pmgramowa/ne o - poTa,czenie
sfllle
324 11.
Aby efektywnie PAL, musimy maksymalnie
funkcje logiczne, z algebry Boole'a, a w razie potrzeby za po-
prawa de Morgana iloczyny na sumy logiczne. Dzisiaj nie
robi tego lecz korzysta ze specjalnych programów
cych projektowanie, na komputerze osobistym. Ich za-
stosowanie opiszemy w p. 11.4.2.
11.4.
1. PAL
PAL (programmable array /ogic) przedstawicielem
rodziny logiki programowalnej (PLD) [11.14). w wielu
odmianach, ale wszystkie oparte na zasadzie pokazanej na rys. 11.29
(w na odmiennych wykonaniach sum logicznych na
PAL przedstawione na rys. 11.32.
Typ H (z prostym - high, Jl) to typ podstawowy, przedstawio-
ny na rys. 11.39. Typ L ma zanegowane (low, L). Typ S (sharing) ma
do PLA. Ma programowa-
nia matrycy OR: dwie ze sumy logiczne w dowolny
sposób z iloczynów. temu
funkcje, dla których w innym przypadku by sum logicznych.
W wielu PAL jako lub
(WE/WY). Do tego celu
bramka trójstanowa na której samo zezwolenia (enable) stano-
wi
elementów PAL sekwencyjne.
Abynie potrzebne dodatkowe elementy, w strukturze PAL scala
rejestry (R). Rejestry te wspólne wyprowadzenie zegaro-
wych, synchronicznych sekwencyjnych. Syg-
podawane z powrotem do mat-
rycyAND, czemu na liniach
cych(patrz. rys. 10.61) i niepotrzebnie nie zajmuje do
zastosowania optymalnego PAL, potrzebowaliby-
- jak na rys. 11.32 - wielu typów. Aby
typów, na rynek wprowadza coraz PAL z programo-
Tego rodzaju makrokomórka V (variable) jest przed-
stawiona na rys. 11.32. Jej jest multiplekser,
wybórjednego z czterech trybów pracy. Wyboru dokonuje przez zaprog-
ramowaniebitów konfiguracyjnych / 0 i .fi. W tablicy 11.11 zestawiono tryby
pracy Bit/ 0 czy ma proste , czy zanegowane. Bit/ 1
z pracy asynchronicznej na i odwrotnie. Rów-
drugi multiplekser z na rejestr.
ia tego jednego typu funkcje
PAL.
Wyjscie y
zanego
wane
Yo
Progra
mowalny
podziaT
matrycyAND y
owo,;.,,,,,,,.,
~ - ~ 1 _'v Y_
Rejestr
y
Programowalna
makrokomórka
!1 fo Typ
o o H Funkcja
o I L Funkcja, zanegowana
1 o R Rejestr Rejestr
I 1 R Rejestr, zanegowany Rejestr
326 11.
11.4.2.Komputerowe
wspomaganie
programowania
strukturlogicznych
(PLD)
W celu nadania strukturze PAL indywidualnych cech najpierw stwier-
jakie a - w drugim kroku
- je. od chwili, gdy na rynku pakiety
programów na komputerze osobistym, programowania
PAL nie wykonuje Poszczególne fazy projektowania
przedstawione na rys. 11.33. Przy programowaniu korzysta z for-
matów wprowadzanych danych, z których przedstawiono tutaj
wane. Funkcje logiczne tablice prawdy wprowadzane za
edytora tekstowego. Przy projektowaniu sekwencyjnych rów-
z grafu i warunki
Dan
e Projekt Weryfikacja
Funkcja
logiczna
Tablica Symulator
prawdy Kontrola
funkcji logicznej Plikw
t1inimali zacja formacie
Graf Dopasowanie JEDEC Programator
Schemat skTadniowe
wgiczny Funkcjalogiczna
Wykorzysmnie
328 11.
AMO. oprogramowania firmowego jest jednak to, na nie
za jego wyrobów innych producentów. Pod tym
dem najbardziej uniwersalne programy od producenta
PLO. Do pakietów pakiety LoglC (Isdata ,
Karlsruhe), ABEL (Data-I/O, Grafelfink) i Cupl (iSystem, Dachau).
one fittery i symulatory do wyrobów producentów, jednak
opracowanie oprogramowania dla nowego typu PLD
nawet lata.
11.4.3. typów
przy realizacji zastosowania kilku ele-
mentów z rodziny 7400 celowe jest zastosowanie PLD. Jak
w tablicy 11.12, w handlu elementów
SOdo 14000 bramek. Nawet w praktyce wykorzysta tylko
z nich, wiele da za jednego
tylko PLD. Do realizacji wystarcza liczba
która wynosi do 200. I tak np. zaprojektowanie prostego mik-
rokomputera w strukturze PLD nie sprawia Jeden element
PLO elementami TTL. Re-
dukcja liczby elementów niesie ze zawsze wiele
- jest potrzebna mniejsza czemu miejsce i koszty;
- jeden PLO jest sumaryczna tradycyjnych
elementów;
- wzrasta PLD jest
drukowanej;
- zmiany projektu tylko
PLO.
Typ Producent
Architektura
Prog. Czas <si~ -~
-~ ij ]
....
o•
:.w
·o J:2,o„ l1 o .o
.,.
<si
;,-
.
'"' <si E
b
<si
~2!j
•O
~] c:::=
11.4.4.Matrycelogiczneprogramowane
przez
332 li.
szybsze takie, które wiele jest tutaj symulacja
przebiegów czasowych z (post layout simulation).
Konfiguracja w struktur FPGA jest zapisana w pa-
RAM na strukturze. Po jest ona automatycznie
przez interfejs szeregowy z oddzielnej EPROM. inaczej wy-
programowanie struktur FPGA programowanie
(programmable link). W tym wypadku wytwarzane progra-
mowo. Stanowi to stosowanej w EPROM techniki
przepalania (fussible link), w której przy programowaniu przery-
wane. programowalne, podobnie jak przepalane, nie da-
l
C
.-
)
r)
D-
e-
o-
ia
:::1::::1
::1:rJ=
J@ /MlJlW!flmatmru:::a:mmm
m:r
rnnli~~}f
ir1:f
t:i::1::r:r:11:1::!:::::::
II
Zastosowania
li
12
i:~: lli\il
i!l!I
Liniowei nieliniowe analogowe
operacjematematyczne
h:s::3:::$:::$:;
::~ :*~~-:::;
: ::
:::::;:;::
:;:;:;:;::;:;:
;'.;
:;:;:;:;;;:;:;:;:;:::::;:;:;:;:;:;:
:;::;:;:
:::::::::;:
::;::;:;:;:::::::::::fa:[:[:[:f.:mr:::::~~~~{.:i:f:$
:::::::;::
::::::::::::t:r::'f:.$:..~~~::f:.%~~:;~::::::
::;::
:::::::?:::fa::
:::::::::;:;:
;::~~=:::::::::~::::~~::
12.1.SUMATOR 337
Sumator jako wzmacniacz o
zakresie regulacji zera, w opisany sposób do
uwEn Rn
Rp Rp Rp
!-o~o-CR =2J- +
i -[ =RF -Uwr = - uwe1 + - uwe2 + ...+ R. Uw11.
R1 R2
1-o~~ .,------,_
......,__J
12.2.1.Wykorzystanie
dodawania
Odejmowanie do dodawania przez znaku
odejmowanego. na tej zasadzie jest pokazany na rys. 12.2.
We wzmacniaczu operacyjnym W0 1 jest zmieniany znak Uwez·
wyj .friowe:
Uwr = k,,,(uw112- Uw111)
Warunek na
ku,'<= k.,, = k,..
t uwy
.1
Rys. 12.2. z sumatorem
(12.1)
i do (12.1) otrzymujemy
I
Uwy = (kuP- k„N)Us+ 2 (k„p + kuN)uR (12.3)
kur
1
k„N= k., -
2 /lk„
1
k„p= k., +
2 llk„
Po podstawieniu do równania (12.4) otrzymujemy
k„
CMRR= -- (12.5)
llk„
12.2.2
. z jednymwzmacniaczem
operacyjnym
Uwy =
"wr = a (uw82 - "w81 )
JVarunek na a.,,= a.p= a.
1 + a.N
Uwy = I + ap a.pUwE2- a.NuWEl
Jes'l'1a.N= a. - 1 ua.
A
1ap = a. + 1 urx,
• A
to po • • • ' wyzszego
cz onow . rz u
2 2
(12.6)
Zgodnie z przy rx
wspólnego jest odwrotn ie proporcjonalny do tolerancji stosunków rezystancji
==~~---~ ....,_...,.,
.......,....,w ...•.•··············•···•···•·•w
•···
··•·•·•
W'-·····""""'-- ·""~ ... . w• ·.w wmA~
.. . •.•.• ·"·•·•··············
······w"""""-"~~. w·~·, A"'
340 12. LfNIOWE I NIBLJNIOWE ANALOGOWE
fl.c,,/a. oba stosunki rezystancji równe, to CMRR = oo, ale
to tylko w przypadku idealnego wzmacniacza operacyjnego. chcemy uzy-
szczególnie wspólnego , to w niewielkim
stopniu RP i /i(t. tak , by
wspólnego.
Z równania (12.6) wynika ponadto wniosek , przy danej tolerancji re-
zystancji !ia/(1. wspólnego jest w
proporcjonalny do wybranego wzmocnienia k"' = (1,
, Stanowi to
w porównaniu z poprzednim to na
liczbowym: mamy od siebie dwa o ok.
10V. Ich wynosi maks. 100 mV. ta ma wzmocniona na
do 5 V, przy 1% . Wzmocnienie musi
k.,, = 50. na musi mniejszy
5 V· 1% = 50 mV . teraz korzystny przypadek , wzmocnienie syg-
wspólnego stanowi jedyne Wynika warunek
k 50 mV = 5 . 10-3
U$ ~ 10 V
tzn.
50
CMRR ~ -- ~ = 104 80 dB
5. 10- 3
Zgodnie z równaniem (12.6) warunek ten
z rys. 12.3 przy tolerancji doboru par /i(t./(1,= 0,5%. Natomiast w
z rys.12.2, zgodnie z równaniem (12.5), tolerancja doboru par powinna
równa 0,01%.
Na rysunku 12.4 przedstawiono o dowolnej liczbie
i Warunkiem jego
jest warunku na podanego pod rysunkiem. wa-
runek ten nie jest to albo równe zeru
z odpowiednim Dla wyprowadzenia podanego wzoru zasto-
sujemypierwsze prawo Kirchhoffa do
=0
Wynika
l= l
f a.,uWEi - Up [ I
i=l
(1.i + 1]+ Uwy = O
Analogiczniena
l
12.2. 341
Przy up = uN i przy dodatkowym
m n
I aj= I a; (12.7)
i=l i=l
z obu wynika
n m
Uwy = L a.f UwEi
i=l
- L a.iuWEi
i=l
i--o-
UwEm RF/am
o- --c::::::J- -, .wyj.foiowe: ,.
Uwt:2 Rr/az : Uwr = L o:;u;..,a - L o:,Uwe1
1--o-,.<>----C=}--,..------,C=:J---, ,.. l=J
Warunek na
n "'
I
uwE1
1-o-
U~E2
1-o --<>-----L=-t--+----{=}-~
I RI I I Rp
uwEn P/On I
1-o-0---c=:J--J
Rys. 12.4.
i~if
~~~::::::::::::
:::::::::~
~::~;::~~:~~:::~::::~~:~;;~~1.::~::::;;~i~~~~:;;;;.;~:~::::~~:::::::::
::::::::::::::::::::::t§
~~~~~~::: ::::::..
/] 12.3. o wzmocnienia
!i!i! ze zmiennym
znakiem ,......
)
z rysunku 12.5 przez
który potencjometrem R 2 w zakresie ± n. li
potencjometr jest w prawym skrajnym to q = O i t;
pracuje jako wzmacniacz o wzmocnieniu ku= -n. Rezystor p
k - 1+ Ri = +n
"- R 1/(n - 1)
uwr
.___,__, 1
Rz
Rys. 12.5. o wzmocnienia ze zmiennym znakiem
W wzmocnienie
ku= n(2q - 1)
. 12.4.Integratory
;::~
,,,;,·
tÓ1~:~1t~~JM:\;j~;\J~t:
1:1
~1~:j:j
{:"
J:;~"W!~~~i§~~ tttf tlt::::. ....
{1]\tf!:(:(:(\f ..........
...
SZC'Zególnie zastosowa niem wzmacniaczy operacyjnych w technice
analogowej integratory. one uzyskanie
f
I
12.4.1.
Integrator
Integrator z rys. 12.6 od wzmacniacza
tym, rezystor zwrotnego RF kondensatorem C. Na-
,u...,..,,.,,....,
...,.,.,.,.,....
.,.,,....,.
,,.....,,,.w.·,,,,...............
...v,-.·,-.v.v.-.
..-......
.,,....
...,,~-., •..,.. ....,,. ... ._.,••·.-.·.·=...-.v.-...,....,....
,...,,,.,.,.,,..,,,...v,.....,.,,._ .,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.._ _....,........,,,,,.,.,,.
,, ,•,,•,•,•,•,•,•.•,..........,.,.•.,.•.••,.-..-
.-.-.-...-.
........
uwr(t) = = [f o
ic(e)de + Qo J
gdzie Q 0 jest zgromadzonym w kondensatorze na
wania (t = O). Dla ie = - uwEIR mamy
;cf
t
Uwy(t) =- Uwy(e)de + Uo
o
I '
llwy = - - Jllwe@d~ + U0
RCO
UwE
Uwy = - RC t + Uo
1
= IK I =
Uwem " wRC
w do dotychczas omawianych
dów, zwrotnego integratora wprowadza fazowe,
tzn. zwrotnego jest zespolony
jwRC
(12.9)
1 + jwRC
a
- 40
- 60
duwy = _1 ( UO )
dt C R + 1B (12.10)
Is = ___
1 µF l_· s1__mV _ l nA
uwEj
j_
12.4.2.
Warunki
W wielu zastosowaniach integrator dopiero wówczas, gdy
istnieje ustalenia warunków czyli
wego Uwy(t = O), od to
przedstawiony na rys. 12.9. klucz K 1 jest a K 2 otwarty,
pracuje tak, jak na rys. 12.6: jest UwEi· rozewrzemy
klucz K 1 , w przypadku idealnego integratora jest równy zeru,
a utrzymuje w chwili
Jest to wygodne, gdy chcemy obliczenia i spokojnie
Rp
Warunek Uwy(I =O)= - R uw„2
2
Warunek
R„
UwE2j D4 Uwy (t = O) = - - Uws2
C R2
1
Usr2
usr1
Ds
UwElj R1
1
Rys. 12.10. Integrator sterowany elektronicznie.
scalonym dwa takie integratory jest ACF2101 Burr Brown
12.4.3.Integrator
tak, jak ze wzmacniacza
integrator przedstawiony na
rys. 12.11. pod rysunkiem dla otrzymuje
pierwsze prawo Kirchhoffa do
UwEn Rn
~-0- --c::J-- -1
C
~i2 Rz ,
~~,b-~=:J-_...-l
Uwy
.1
uwr = - -l f(UWl
-- ll + --Uw112
+ ...+ --Uw11.)
d~ + U0
C R1 R2 R.
o
Rys. t:2..11.Integrator
Uwy= -2
RC
f + Uo
o
juwy
1
f
t
Uwy = R~ UwE(e)de
o
o tym, powinno bard zo
by warunek NIC.
Przy kompensacji strat za NIC odejmowane od siebie
o wskutek czego integrator nie ma takiej
jak podstawowy z rys. 12.6.
tt·'·w:;;;··
w..-.
•,$S·,·f;;~,
..........···;·-~··:··.~:
·:. ::·:·:"
:·:"
::::·,,,,.·
.·,.·.
·..·.·;m11=:
@ 12.5. Illl
~~k~l~tl:t:[:it::1::::~~~:
::~:;.~(~::~
:: :t::~
:::~::::::::
: ::::::::::::::::::::::
::::
: ::::::::::::K:::;:;:;j:1:1
0t :=:::::::::
12.5.1. podstawowy
w integratorze z rys. 12.6 zamienimy miejscami rezystor i kondensator,
otrzymamy przedstawiony na rys. 12.13. Zastosowanie
pierwszegoprawa Kirchhoff a do sumacyjnego prowadzi do
·-- == ·•w················wm==v.swe.-.•.··
···•W•""""""=·-v• ••-'••••
12.5. 349
u = -RC duwE (12.I I)
WY dt
duwH
Uwr =- RC - -
dt
Rys. 12.13.
K,, =I Uwy
Uwe '=- J!._
Ze =- jwRC
(12.13)
Wynika
IK,,.l=wRC
12.5.2.Realizacjapraktyczna
j
Realizacja praktyczna z rys. 12.13 pewne
ze na do wzbudzania
J
(12.14)
P= 1 + jwRC
Dodaje ono do fazowego wzmacniacza operacyjnego, które
nawet w korzystnym przypadku 90°. Margines fazy wynosi
zero, a jest niestabilny. zaradczym
szeregowoz kondensatorem rezystora R 1 w sposób pokazany
na rys. 12.14, co zmniejsza fazy obwodu zwrotnego
przy Nie musi to zmniejszenia wyko-
rzystywanego zakresu przy
i tak nie ze na
wzmocnienie w zwrotnego. Jako
RC z elementów R 1 C war-
przy której wzmocnienie w zwrotnego jest równe jedno-
mamy wzmacniacz z którego charak-
terystyka na rys. 12.15 jest narysowana
Marginesfazy przy wynosi wtedy 45°. wzma-
R
duwH l
R
1
C~
uwy = - RC -- dla /<1..
--
uJo--c:~ : d1 21tR 1 C
l juwy
1
Rys.12.14. Realizacja praktyczna
[dB] IKu,I
(korekcjaopt1:1malna)
100-----.-----....
80
60
40
20
Ol==l===::l=,!,=='='#-:....._½---..J....,..--.J,,.......1.~-.1.._,,..__:~~--
12.5. 351
cniacz w tej nie jest ujemnym
zwrotnym, przez zmniejszenie korekcyjnej CK
kszenie marginesu fazy, do granicznego przypadku aperiodycznego.
W celu optymalizacji korekcyjnej po-
na i CK tak
otrzyma optymalne
12.5.3. o rezystancji
Charakter impedancji
w niektórych przypadkach jako
ze wzmacniaczem operacyjnym,
niestabilny. Z tego powodu bardziej korzyst-
ny jest przedstawiony na rys. 12.16. Jego impedancja nawet
przy wielkich nie spada R.
duwP.
Uwy = R C --
dt
Impedancja wej.fciowa: IZwel;i: R
juw
y
1
Rys. 12.16. o rezystancji
za rozumowania : na-
zmienne o przez
obwód RC. W tym zakresie wzmacniacz operacyjny pracuje jako
wzmacniacz o wzmocnieniu Ku= I. zmienne o
szych przenoszone w przez RC
i przez wzmacniacz z ujemnym zwrotnym.
obie czasowe jednakowe, zakresy przy i
szych na siebie.
Pod zachowuje podobnie jak poprzedni.
Rezystor R 1 jest narysowany na rys. 12.16
)!,,'<>'>.°'S
lf*t"@,~'·:-:
-:·:<
·:·~=<-:-:
-,.,.,.,.,.,.,.,.,.,
.,.,.,.,.,.,.,.,.,. ,,,,,:,,,, ,,,,,,,
,.,.,.,., ,,,,,,,,,,,,, ,,,,,,,,,
,,,,,,,,
,,,,tM&,'®i.1:.
~'m '!!,:,:,:,
:,:
,:,,,
:,:::~,
:i:,~~~
::::
$:::,:,
:,:,,,,,,,,,,,,,,,
l~ ,~~!~ r•
Istnieje wiele które równaniami
kowymi. otrzymuje przez zamodelowanie równania
kowego za operacje matematyczne i pomiar
W celu ze stabilno-
x= -
t
zmiennej x przez czas t
f 't
Mamy wtedy
, dy dt
y =- - ='ty
dt dx
y" = 't2 ji
(12. J6)
(12.19)
.,.._.
.._._.
.._......•.•,•,w•-.---
12.6. 353
To równanie potraktujemy tak samo, jak równanie (12.16).
Otrzymamy w ten sposób
(12.20)
(12.21)
-rfI1i
1
R/ko
problem pewnemu u1
u2 =f(u 1), gdzie f jest np.
lub
u"'sm0 B
. U1
U2 =
12.7.1.Logarytm
powinien proporcjonalne do
logarytmu do tego celu charaktery-
diody
(12.23)
(12.24)
Wynika
(12.25)
a w temperaturze pokojowej
UwE
Uwy = -(1 ... 2) · 60 mVlog --
lsR1
Uws
Uwr = -mUr ln - dla uw 8 >O
l,R 1
Niekorzystny korekcyjnego m
przez zastosowanie tranzystora zamiast diody, jak to pokazano na rys. 12.20.
Zgodnie z równaniem (4.1) dla ie~ les
u,.
ie = Ie 5 emuT (12.27)
czyli
(12.28)
--1~-
Ic2 lct
--,r--,
C1
I
I
Tz Uf ,-,r--
I
C2
R
I I
UwEi R3 juREF
1 1
uwrt R2
"•a::z
icz = lcseU.
Wynika
(12.29)
. UwE . UREF
Zez = R ~' zc1 = - R-- ,
1
,.,.,.,...,.,.,.,.,.,.,.,.,
..,_...._..
........
,..,=~wwwwww~~-~-~-=_... ,...,,,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,vvr-= .,.,.,...,...,.,v,...,,,.~~=,.-w.v,•,•,•r,,..v,•,,,,.
..............
...,...,.,
(12.30)
R3 + Rz l V · log e ,
16 7
Rz Ur
12.7.2.
Funkcja
Na rysunku 12.23 pr zedstawiono funkcji
zbudowany podobnie do z rys. 12.20 . doprowa-
dzimy ujemne zgodnie z równaniem (12.27) przez tranzys-
tor
11wB
ic=lcseu,=fcse- Ur
Z rysunku 12.24
. Uwy
1e1 =~,
(12.31)
ic1 R,
d
fi
ró
f-u
R1 u.,.,
s1
Uwr=UREFeR,+R, · u, dla UREP>O
PrzyUT = 26 mV wynika
1 V · log e
16 7
Ur ,
Na podstawie
= (elnb)ax=
ba."' eaxlnb
o dowolnej podstawie b
y = bax
x ze In b i na genera-
tor funkcji
12.7.3.
Tworzenie
funkcji za logarytmowania
funkcji o postaci
y= xa
dla x > O za i generatora
funkcji Korzystamy w tym celu z
*(-a)
dla uw1,> O
12.7.4.Funkcjesinusi cosinus
Funkcja sinus
Generator funkcji sinus powinien
Celowe jest takie dobranie Uwrm, by w zera uwr = uwE· Jest tak le
wówczas, gdy W,
2
Uwrm = -1tUwEmax
+15V +15V
10kS2
4702
l-
ic 2,7/«J.
l,
Rs
2,2kS2
2,7kS2
jUwy
1
470 S2
2)
- f5V -15V
2k
UwEk= ± 2n + I UwEmax O<k~n (12.34)
rcji
to nie n pierwszych nieparzystych harmonicznych.
Uwn = ±-;2 U
WEmaxSlil
. (
1t 2n
k
+ 1) O<k~n (12.35)
w szereg
Inny rodzaj aproksymacji funkcji sinus polega na jej w szereg
o postaci
X3 XS
sinx = x - 3! + 5! + ...
1t UwE
X= -- - -- y=
2 UwEmax UwYmax
f,543 UwE
- 0,543u.2
UwE
dla UWBmax =E
Wzmacniacz
Kolejna aproksymac ji funkcji sinus wynika z
przebiegu funkcji th x i sin x dla x. th x
w prosty sposób za wzmacniacza przedsta-
wionego na rys. 12.29.
l
+ + m
n
r
C
Wynika
(12.38)
otrzymujemy
(12.39)
w za sinus
, ( 1t Uwe ) , 1t 1t
Uwy = UwYmax sm
2
U w zakresie -
2 2
WEmax
Funkcjacosinus
cosinus dla argumentów w zakresie O x 1t
za opisanych generatorów funkcji sinus, two-
z w zakresie od Odo UwEmax
ciepomocnicze
(12.40)
u,
UwEmax
R
Uwy = U„1„COS (
7t --
Uwli )
UwEmox
u, u dla O Uwe Uw,_,
>-._.; _,. wym SW -
. 7(
-- u,
2 Uw, m(J)(
l
t
l
- 1 z
u,/U wEmax
1
Rys. 12.32. Przebieg pomocniczych do wytwarzania funkcji sinus i cosinus dla argumentu &
- 7t~X~ 7t
je
Dla funkcji sinus sytuacja jest nieco bard ziej skomplikowana. Musimy tu wy-
trzy zakresy
1
- 2(uwE + UwEmax) dla - UWEma ~ uWE '-"
x '-" ~ - -2 U WEmax (12.42a)
I l .
Uz.= 2uwE dla - -2 U WEmax'-"
~ u WE'-" x (12.42b)
~ -2 UWEma
I
-2(uwE - UwEmax) dla (12.42c)
2 UwEmax UwE UwEmax
12.7.5
. Nastawnygenerator
funkcji
Na rysunku 12.26 diodowy do odcinkowej aproksyma-
cji funkcji. Obliczenie elementów tego jest tylko
re w przewodzenia diod i wza-
,- jemneich Oprócz tego struktura obwodu narzuca znak nachyle-
:s nia odcinka. Dlatego tego rodzaju tylko dla
funkcji i nie ich w prosty sposób
Na rysunku 12.33 przedstawiono który ustalenie punk-
tów i nachylenia poszczególnych odcinków za oddzielnych
potencjometrów. ze wzmacniaczami operacyjnymi W0 1 i W0 2
dodawanie dodatnich, a wzmacniacze WO 5
i W0 6 ujemnych Wzmacniacz W0 4 nachylenie
przy przez zero. na segmen-
tówprzez dodanie identycznych Wzmacniacze WO 2 ,
W04 i W0 6 jako o wzmocnienia ze zmiennym
znakiem,jak na rys. 12.5 dla n = 1. Ich wzmocnienie od-
powiednimipotencjometrami w zakresie - 1 ku + 1.
tu sumowane we wzmacniaczu W0 3 • Za potencjometru P 3
jeszczedo tego
W zera ma tylko od
wzmacniaczaWO4
P3
R R
UwE
j
1 P4
R
dla
u
UwEmax
2
-f
- 1
/
/
/
/
-2
12.8.1. z wykorzystaniem
i dzielenie do dodawania i odejmowania loga-
rytmów
za trzech
jednego generatora funkcji i jednego
cego. Z
wm1acniacza generatora funkcji z rys. 12.24 wyko-
rzysta do odejmowania oraz fakt, doprowadzenie
odniesienia jako dodatkowe
R1
C
- ~~-,
I
uxl juwy
1 1.
T1 Ut
UxUr
U,vy =- dla Ux, Uy, Uz >o
Uz
Rz uxur
Rz u ~ - ·- - dla ur <O
WY R y 2U T
(12.46)
dla (12.47)
lur I~ UnE, to
(12.48)
. Uy
is = la +R , (12.49)
f
,~ ••·•·•,,·,vvv,,,.,.
.v.;,. ..,.;,...,,..v,v,.,,,.,...., _ •••••v ......,•••••,.,.,.,.,•••,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,., •••,.,., ..... ............... "",.,.......,~ ,. •• •-.·.vh-.-.
_.,,,,,,,,,,,.,,.,,,,,.,,., ·.·····················rrrr·----
12.8. ANALOGOWE 375
Analogicznie do poprzedniego otrzymamy w ten sposób na
kolektorowych wzmacniaczy T1 , T2 i T{, T2
(12.50)
(12.51)
Rz
Uwy
i
1
2Rz U;rUr
Uwr =-- ·--
RxRr 11
dla /7 > O
Rys. 12.38. transkonduklancyjny
Na wzmacniacza otrzymujemy
(12.52)
(12.53)
(12.54)
(12.55)
(12.56)
(12.57)
,www-=~-~, -,,, ,,., .. .. ...
Transkonduktancyjne o
Dotychczas dwie metody dzielenia: za mno-
z wykorzystaniem logarytmowania przedstawionego na rys. 12.36 oraz
za opisanego transkonduktancyjnego
W punktu zerowego przy dzieleniu zasadniczy problem: na-
w istocie zera. ten jest szczególnie istotny
w przypadku transkonduktancyjnego tam
w do dodaje
w celu zmiany znaku argumentu Gest /7
w równaniu (12.54)). Przy dzieleniu przez logarytmowanie pokazanym na u
rys. 12.36, sytuacja jest znacznie bardziej korzystna, mamy tu jednak do dys-
pozycji tylko .R
,.....,.,.,.,.,
__ ,.. ........
.,...,.........
,.,.,.
....
,........
,...,.....
,.,•,•,•,•,•,··························r.
·-.·,·······- -~ ............ .H.;-.>u•,•r,.,v.-.-.-- .,....,
,.......,.,.,._
...........
._._,.....,,,...,,.,....,..
...,.,,...,.....,,..,,.,.,,.
378 12. LJNIOWE I NIELINIOWE ANALOGOWE
Zalety obu metod, tzn. dzielenia w obu przy dob-
rej w punktu zerowego, ze
do licznika - zamiast - do mianownika, co
zapobiega zmianie znaku argumentu logarytmu [12.7].
powinien
Ux
Uwy=E -
Uz
1
Uz = uz + 2 Ux (12.58)
U1
uxj u 1 - 21 ux - Urln--
lcsR,
l.
1 R Lth uru•
zf 2Ur
U2
Uz+ 21 ux -UrlnIR
CS I
'j
a
., Rzle Ux
a urr=-· - dla Uz > O i lu:rl uz
2 Uz
Rys.12.39. tran skonduktancyjn y
UxUy
Uwy = kux= --
Uz
UxUy
Uy uwr = -- dla uz >O
Uz<>- - -1 Uz
Uxn----1
kux
fuwy
1 1
Rys. 12.40. zasadniczy
,.,.,.,.,
.,.,.,,.,...
.__ -_..,.,. ,,.,.,.,.,.,.,,_.,.
,,,,,.,..,,,,,.,,........
,.,•,•,
•,•,•,
•,•,•,•,•,•,•,•,•
,•,•,•,,..,...,.
.,,..,.,.
,.,.•.,.,....._..'h._...__~·~· ··• ,•r•rv __ ....,,.,,,. , , ,, , , , , '+ .. ._,~._,,.,.._-.-..v.,v,,-,..,,.....,,
,,,.nv,,,w .,..,.,..
Uy
R4 O(Uz T1
Uz
R2 T3
1 +
R5 R5 Uf
+
R2
Ux
(X ux T2 luwy
1
R3 UxUy
Uwr= - ·-- dla Uz > 0, Uy <0
R4 Uz
12.8.4.
Zerowanie
powinien
UxUy
Uwy =
Wynika
(12.59)
Iloczyn Ux uy musi równy zeru, kiedy ux lub uy jest równe zeru. Jest
to tylko wówczas, gdy Uxo, Uroi Uwro oddzielnie kompensowane.
A do kompensacji potrzebne trzy
zerowania. Przy zerowaniu jest zalecany sposób
najpierw ustawiamy ux = O. Wtedy zgodnie z równaniem (12.59)
Ut>O
u;j
rl E
I
Uy
0,5 jUwy= f UxUy
()---+-~
1
Rys. 12.42. Rozszerzenie do
1 I
-2 (ux + E) -2 (uy + E)
Uwy = 4 --- ------ - Ux - Uy - E = --UxUy
E E
U.8.6. jako i
UwyUz
E =ux
U;r
Uwy = E- dla Uz >O
Uz
.l
Rys. 12.43. Dzielenie za
I> p
Uwr = J EuwE dla UwH > O
U~y
T I o
tUwy
o
Uwcf 1.
j_
Rys. 12.44. Pierwiastkowanie za
12.9.1.Zmiana biegunowych
na
Do realizacji transformacji
x = rcosq>
(12.60)
y = rsinq>
w postaci analogowego musimy za na -
Podstawiamy
Ux = uRcos( 1t i) (12.61)
.1 Ecos ,r7
Rys. 12.45. biegunowych na prostok!ltne
12.9.2.
Zmiana na biegunowe
Po odwróceniu transformacji (12.60) mamy
uZ
X
T
ux't u,
vfu,
Ur! u{
T
Rys. 12.46. Zasada tworzenia wektora
W ten sposób
t
.l
1
u,
Rys. 12.48. Zastosowanie transkonduktancY.inych do obliczania
wektora na rys. 12.47
otrzymuje i dzielenie za
logarytmowania, obie operacje za po-
jednego tylko takiego jak przedstawiony na rys. 12.36. Jednak
w tym przypadku Ux powinno zawsze dodatnie. Przy stosowaniu
transkonduktancyjnych nie jest to potrzebne,
z one w czterech
Potrzebne jednak wtedy oddzielne do i dzielenia. Zaleca
- jak to pokazano na rys. 12.48 - najpierw wykonanie dzielenia, a potem
w przeciwnym przypadku u} po-
zmniejszenie dynamiki.
sterowane
i przetworniki
impedancji
··:·:::
...
13.1. sterowane fafif...
~:::::
:i:1:i:::i
:~:~cx~; ;:;:::1:!:f~
:1:J:J:1:1:rr~:~:~:l:~:l:l::=~=l:::::::i:::i::~:::m:~:~m~:~:i:~:~:i:~=~=~=~=~:1:J:J:J:~:J:1:J:1~~
~·~~1:~:i:~~K.}?~~~:l:~=~=
=·····
···············
W praktyceidealne tylko w Po
na warunku braku
nia wstecznego, otrzymuje schemat rzeczywistego przed-
stawiony na rys. 13.1, opisany równaniami
i1 = --1 U1 +0•
rwe
(13.1)
R2
Idealizowana funkcja przenoszenia u 2 = - - u1
R1
Impedancja Zw,= R 1
r
Impedancja Zwy =
T
C
r
Idealizowana funkcja przenoszenia u 2 = ( I + :: ) u 1
'
,1
Impedancja Zw, = r, .-1-
I[-JWC
r
Impedancja Z wy= __!!_
T
{•:;:::;:::::::
,:;:::::::::
::::::}'V{;
.t}:}:::::;:::::::::::::;:::::::;::
:::::;:;:;;=':.."X.,::
-.-.:
w_ ..._ :;:;~:::;:::;:;::
:;:;:;:;:;:;:;:;:;:;:;:;
:;:;:::;:;:;
:;:;:;;.:,.~a:{,.:;,:;.:;:::;:::;
:::;;';:;
::_.%'="::::
:;::::::·
Uz = Ri1 - rwyi2 u2 = Ri 1
(rzeczy wiste) (idealne, rwe = rwy= O)
R1
Impedancj a z..,.= -
K.,,.
r
Imp edancja Zwy =
T
Rys. 13.5. sterowane
=,=== ··--.-.,....._
....__....,..,..,_.
_.,,.,,,.,
.,,,.,.,
..,,.,.,.,.
,.,.,.
,........
................
w.,,.
-.·.,...,.,._,..,,.
..,,,,,,, .,...,.....N\N'
,.,.,.,.,., ==-~y., ..,_, .,.,,...,.,,..,.,...
390 13. Sl'EROWAN E I PRZETWORNIKI IMPEDANCJI
Dodatkowe
nia. one tym im mniejsza jest rezystancja r9
jest wzmacniane ze
J + R/rg.
Impedancja jest opisana co w poprzed-
nim w niej wzmocnienie w T od rezystancji
r9
sterowa ne powinno w i2 ,
który nie od u 2 i jest tylko przez
cie u 1, a
i1 = 0 · u 1 + 0 · u2
(13.3)
tz
A A
Ut I f'wy
Ju2
0-----
I
-- -- --- --0
Rys. 13.6. schemat sterowanego
Po warunku braku
nia wstecznego otrzymuje schemat
przedstawiony na rys. 13.6, opisany równaniami
1
i1 =- u 1 + 0 · u2
rwe (13.4)
u
Ideal izowana funkcja pr zenoszenia i 2 = - l
R1
1
Impedancja wej.foiowa z.,. = r, 11-.- -
JwC,
i otrzymamy
. U1 Uz U1 U2
Zz = R1 - R 1 (I + ku,) R1 - ku,R1
~---=· ··········
,·,···_.
.....,
,..,,._.
.........,
___ =,,.v.w.w ••......,.,•• ...... ~~~_..,.,.,.,..,,.,,.,,,•. ,.,.,.,., .,.,.,.,., .,.,.,.,.,.,.,. NVV'.,.........
• ..,.•• - .. . ...,,,••.,,.,.,.,.,.,•..,.,,...,.,
•.-.v --=··~-
392 13. STEROWANE l PRZETWORNIKI IMPEDANCJI
Wynika rezystancja
(13.5)
(13.6)
w postaci
nia rezystancji rwy i ewy•jak to wynika z
postaci równania (13.6)
(13.7)
Uwy - U2 Up - U2 . - Q
+ - l2 -
R1 R3
uN = up uzyskujemy na
u1
i2 = dla R 3 = R 2
R1
Nietrudno R2 = R 3 nie od
Rezystancja rwy jest wówczas
wielka, a wynosi 12 = U 1 /R 1 . W praktyce dobiera tak
rezystancji R 1 , spadek na niej wynosi kilka woltów. Rezys-
R 2 dobiera w porównaniu z R 1 , by niepotrzebnie nie
wzmacniacza operacyjnego i u1 . doborowi
rezystancji R 3 w przypadku rzeczywistego wzmacniacza operacyjnego
rezystancji
dla Rezystancja r9
cia u 1 jest szeregowo z rezystancjami R 1 i R 2 • Aby nie 1
ona powinna pomijalnie 1
jako z
W tym celu R 3 < R 2 ; otrzymamy wówczas C
V
!1
u1
i2 =-
R,
12
Po eliminacji u4 otrzymujemy
. Rz - R3 - R1
lz = -u1 + ----- - Uz
R1 R1R3
od wówczas, gdy
warunek
R3 =R2 - Ri
133.3.Precyzyjne
tranzystorowe
W 4 i 5 zagadnieniom podstawowym
proste w których wykorzystano tranzystor bipolarny albo
polowy, odbiorniki jednym zaciskiem z punktem
o potencjale. tych jest to, ich nie jest
od u 8E albo uGs· Nasuwa
wyeliminowania tego przez zastosowanie wzmacniacza operacyjnego.
Na rysunku 13.1 J pokazano odpowiednie z tranzystorami bipolarnym
i polowym.
U./ ut t
j_ .l
1 u1
i2 = ·(1 - - - ) dla u 1 > O i2 =- dla u 1 > O
Ri p„ Ri
Rezystancja rwy= Pr„
otrzymujemy na
du 2
rwy= - - d · = rds(l + ku,gmR1) kumaxku,R1 (13.8)
Z2
u
wyj.friowy i2 =_ J dla u1 > O
R1
Rezystancja wyj.friowa r,.,1 = kumaxk.,..RJ
Rys. 13.12. o
u1
i2 =- - dla u 1 < O
R1
Rezystancja r„Y= k.,.""k.,R,
u,t
1_
Rys. 13.13. z tranzystorem polowym
potrzebujemy którego
w kierunku przeciwnym w z rys. 13.11b, wystarczy tylko
tranzystor polowy z typu n tranzystorem z typu p. Otrzymu-
je wtedy pokazany na rys. 13.14. nie dysponujemy tranzys-
torem z typu p, przedstawiony na
rys. 13.15. W do dotychczas
stanowi tu Nie powoduje to jednak zmian
jest on w dalszym sterowany na rezys-
tancji R 1 .
u1
i2 =- - dla u 1 < O
R1
Rezystancja wyj.fciowa r..,1 = k.maxk„R 1
398 13.
bramki i zmniejsza
u1
i2 = - - dla u 1 < O
R1
Rezystancja rwy= kurR 1
dla u-= - u+
. U1
l -- --
2- 2R
1
u+ u+ p d wyJS.c1owy 1.
2 = - --U1
2R 1
R R,
1.u+
4
UPI
u+
4
JR io,
i1
u,I
A
JR tu2
.l Upz j_
1.u-
4
R,
u-
Rys. 13.16. dodatnich i ujemnych z tranzystorami polowymi z zaznaczonymi po·
spoczynkowymi
(13.10)
(13.11)
(13.12)
. R2 U1
i2 = U1= -- dla R2 =R3
R1R3 R1
I UJ t
+
Rz
+ +
tuJ
wyj.friowy i2
R2
= --
R1R3
- u1
r,
iJ
iz
t
u,
tuz
l iuz
l
Tz
3 (13.14)
13.3.4.Nieuziemione
W poprzednich punktach dwa rodzaje W
dach z rys. 13.7 i 13.8 z zacisków nie
z punktem o potencjale. Tego rodzaju nosi
nieuziemionego lub (rys. 13.18a). tu
praktycznie tylko elementy bierne, w przypadku czynnych
z istnieje z przez obwód zasilania. Takie
uziemione ze przedstawionym na
rys. 13.18b, którego realizacje pokazano na rys. 13.9 ... 13.17. chcemy
dowolnego do jednego z zacisków
bez spowodowania zmiany potrzebujemy wówczas nieuziemio-
nego Jak to pokazano na rys. 13.19, je
za dwu uziemionych jednakowych
o przeciwnych zwrotach.
..L
Rys. 13.18. a) dla nieuziemionych; b) dla uziemionych
i c) nieuziemione dla dowolnych
=> (13.15)
I
i2 = k1i1- - U2 i2 = k1i1
rwy
(rzeczywiste) (idealne, r..,.,= O, r..,y = oo)
Na rysunkach 13.7 i 13.13 dwa sterowane na-
o rezystancji one jako
sterowane o prawie idealnych przyjmie
rezystancji R 1 zeru. Mamy wtedy i 2 = i1 .
Szczególnie sterowane ze
znaku. one wtórników luster) Jedna
z realizacji jest przedstawiona na rys. 13.20. Przetwarzanie
R1
,, wyj.friowy i 2 =-
R2
i1
:;:;
::::
....
::::::·"
·,.::::
::..:7$$~~~.} ..\..::::::
::::::::
::::::::::::
::::::K~:-.:"%~
......
:,~~
..:::::::
::::::::::::
::::::::::: :: :,;,;,;;,,:,:::..::\~I··~:-(·[~:§.misID.sl§::.l
:::::::::::::
Jll 13.5.Konwerter
ujemnoimpedancyjny
NIC
I
:~:::-.):->:~X113::i'
(negativeimpedanceconverter)
:.-:-:-::;::-;
-:-::-<::
·::,:-:
::·:·:·:·:·:·:-~::::-:.
:::-•·:-=-
:-:-
•·:·•·•s:
·•·•::::::-:- ~~~\~'::&~~~~"'¾\~"Z.~~~J:·:·
::;'f{':
.... :·:·:·:·•
·•·•·•<·•·•·•·•·
:·:-:::
:•:•:•:•:::
•:::•..:..-:-:,:-::..,:,:-:,:,:,
(13.16)
Uwr = u 2 + i2 R
Wskutek tego do wrót 1 wymagany
a ujemnego zwrotnego
Uwr • •
U1emnarezystancja -
U1
= - R2
i,
Il
1
Rys. 13.23.
konwerteralNl C Rys. 13.24. Wytwarzanie ujemnych rezystancji
(13.17)
. ., . du2 R
R ezystanc1a WYJSCIOWG r, = - - =- 1
di2
Dla i1 = -i 2 wynika
u2 = eG + i2R1
Konwerter IN1C jest tak, jest stabilne
w stanie rozwarcia. Prawa szeregowego i obo-
w nie zmienionej postaci rezystancje ujemne.
z np. do kompensacji rezys-
tancji przewodu w celu otrzymania na jego
ee z zeru.
406 13.
----······-----·---
STEROWANE I PRZETWORNIKI IMPEDANCJI
~---··--··---
jest który do-
wolnej impedancji w do niej a np. w in-
(13.18)
- P1 :
13.6. 407
- P2 :
Po eliminacji u3 i u4 otrzymamy
R·./
R;
(13.19)
(13.20)
.........,.,..,.,,,..,.,...,
.......,..........,,,...""""'...,.."""""'°..,..v,
,,,.-...,.
,.,..,.,,,.,.,,,.,.,,.,_.., ,.,.,.,.,.,,.,.,
, .,.,,.,.~.,.,.,.,.,,...,.,,.,.,.,.,.,., ,.,,.
,,.,,.,..,...,.,~-=---.,.,,-,,,·, •,•,•,.
.,.,.,.,.,..._,..,.._,__ .,..-,.;,,,v,
,,,.,,...,..
Z1 = RfjroC 2
Jest to po prostu impedancja o
L1 = R;C 2 (13.21)
Znaczenie polega na tym, za jego
o niewielkich stratach; odpowiedni jest przedstawiony na
rys. 13.29. Zaciski zgodnie z równaniem
(13.21) tak, jakby nimi L 1 = Rf C 2 • Dla
C2 = 1 µFi Rt = 10 len otrzymuje L 1 = 100 H.
równolegle do L1 kondensator C 1 , to
otrzymamy obwód rezonansowy. W ten sposób
filtry LC o dobroci. obwodu rezonansowego dla
C1 = C2 jest rzeczywistego. Nosi ona
dobroci Q Straty rzeczywistego za po-
dwu rezystancji równolegle do obu wrót. W ze
z rys. 13.27 jest to rezystancji wej-
jednego i rezystancji drugiego. Przy realizacji za po-
konwerterów INIC rys. 13.28 straty przez
doboru par rezystorów. Schemat obwodu rezonanso-
wegow przypadku rzeczywistego, stratami jest przed-
stawionyna rys. 13.30a.
równanie transformacji (13.20) zastosujemy do prawej strony
otrzymamy przetransformowany schemat przedstawiony na
rys. 13.30b. Zgodnie z p. 2.7, wynosi wówczas Q =
o) b) n?
..L
Rs
R, L=RfCz
1
Q(<p)= - 1 - --
Qo + <f>1+ <f>2
gdzie Q 0 jest dobroci dla q,1 i <p2
fazy i1 a u2 albo i2 a
ciem u 1 , przy rezonansowej obwodu. Przy fazy dob-
ze wzrostem rezonansowej.
Przy I q,1 + <p2 I 1/Q0 staje niestabilny , drgania
z obwodu rezonansowego. Przy wyprzedzeniu
fazy maleje ze wzrostem rezonansowej.
Za nie tylko dwójniki , lecz
czwórniki. W tym celu transformowany czwórnik dwa
o jednakowych w sposób pokazany na
rys. 13.31. Na wrotach wtedy czwórnik dualny. W ce-
lu wyprowadzenia transformacji tworzy iloczyn macierzy
wych . Transformowany czwórnik ma macierz
(13.22)
Ile
u,t Uzt
.1.. .1..
Rys. 13.34. realizacji cyrkulatora
te zrozumienie przed-
stawionego na rys. 13.34. Na przyjmijmy, na I jest poda-
ne u1, 2 jest z rezystorem Re, a
ka 3 pozostaje rozwarta.
jednego stopnia, wiemy w tym przypadku
cie wzmacniacza W0 2 równe zeru. Wzmacniacz W0 3 ze
na 3 ma wzmocnienie równe 1 i jego
jest równe zeru. Wzmacniacz WO 1 pracuje jako wzmac-
niacz o wzmocnieniu 2. Dlatego jego jest równe 2u 1 • Na
2 Re tego a
u1 . W analogiczny sposób inne przypadki
szczególne.
nie z wymienionych przypadków szczególnych, do
obliczenia parametrów potrzebne równania cyrkulatora. W celu ich
otrzymania zastosujemy pierwsze prawo Kirchhoffa dla PiN
Centralo
Cr ReD
_r--
lllllt4.1. Podstawy
teoretyczne
filtrówdolnoprzepustowych
~~w:Sr:-Jt~i~~~~::*~:::::f:;:~:~x{*?-~~'"'l:~~~1:
~~~~~~~ ~it~~~m
m:m:1:;:;:
~~
~;:i~~~~~~=~=1:f~:~
:~:~~:~:~:
~;i:~:
i:~~=;~:~~~
=1
:::!:~
:~~=~
=~
=r
Y(' - Uwy - 1
-'>-vJa>) - Uwe - 1 + jroRC
1 +sRC
jw . J ·n
S= - =J -= Ju
Wg /g
K,,(S) = (14.1)
(14.2)
(14.3)
ci, c 2 en
••• rzeczywiste i dodatnie. filtru jest równy
S. Ze na filtru jest korzystne, aby wielo-
mian mianownika na czynniki.
(14.4)
-30
- 101--- -
--
-20 1\
:i -30 \ \
,-
- 40 4\3 2\1
-50- ~- \\ \\
a
n
-60
ao1 0,03 0,1 Q3
\\ 3\ \ 10 Q 30
>- Rys. 14.2. Porównanie charakterystyk typów filtrów:
a, a) czwartego b)
krzywa J - filtr dolnoprzepustowy z krytycznym; krzywa 2 - filtr dolnoprzepustowy
ej Bessela;krzywa 3 - filtr dolnoprzepustowy Bullerwortha ; krzywa 4 - filtr dolnoprzepustowy
e- Czebyszewao 3 dB
1,2
1,0
0.8
0.6
0,4
0,2
o 2 3 4 s 6 t!T;
14.1.1.Filtrydolnoprzepustowe
Butterwortha
Z równania (14.3) otrzymujemy wzmocnienia filtru dol-
noprzepustowego n-tego
(14.5)
2 4 6 8 IO
Filtr dolnoprzepustowy o krytycznym
(14.6)
(i - l)rc n+l
a; = 2cos ---- dla i= 2 ...
n 2
b; = J
I l+S
2 I+ ./2 S + S 2
3 I + 2S + 2S 2+ S 3 = (1 + S) (I + s + S 2 )
4 I + 2,613S + 3,414S 2 + 2,613S3 + S 4 = (I + l,848S + S 2 )(1 + 0,765S + S 2 )
lkuJ fO
kuo o
[dB]
l -10
j -20
-30
-10
- 50
-60
0,01 0,03 OJ 0,3 10 Q 30
14.1.2.
Filtrydolnoprzepustowe
Czebyszewa
Funkcja przenoszenia filtrów dolnoprzepustowych Czebyszewa przy
ma kuo,jednak jeszcze granicz-
nej waha z w zakresie
wielomianami Czebyszewa
(14.7)
n
1 T1(X) = X
2 T2 (x) = 2x 2 - 1
3 T3 (x) = 4x 3 - 3x
4 T4 (x) = 8x4 - 8x 2 +I
kumax= kuo..jl + 62
} dla parzystego
kumin= k,..o
W zasadzie z wzmocnienia by
przenoszenia i równania filtru. Jest jednak
- n parzysty:
b' 1
;= (2i - l)1t
cosh y- cos 2
2
n . n
2 dla z= 1 ...
2
, h (2i - l)7t
I
ai = 2bl1 sm y · cos
2
n
- n nieparzysty:
b{ = o
a;=1/sinh y
b'. = 1
I (i-l)1t
cosh y - cos 2 ---
2
n+l
n dla i = 2 ...
2
a.I' = 2b'. Slfl
I
. h y · COS (i - l)1t
n
ai i bi dla 0,5, l i 3 dB do
podane w tabl. 14.6. Charakterystyka wzmocnienia
dla 0,5 i 3 dB jest przedstawiona na rys. 14.5. Na rysunku 14.6
przedstawiono porównanie filtrów Czebyszewa czwartego
----
................. .... .
...,......,..,... ..
, ,, .,...,,..,., ,,,,,,,,,.,
-20
-301----1---
- 40 1--- -+----
- SO
- 60.~ - - ~ -- - '---- - --'-- -==~-.J.L.u....;'---'-L--\
--'. -L._ _ ....,._,
0,01 0,03 0.1 0.3 1 3 10 Q 30
b) 10
/l<ul
kuo o ----
--· ~ ;g~~ -::.c~~~~-:·~ ~;
[dB} -,
-10
',,, n=1
\~ '' ',,,,,
-
\~
- 20
\ \ "' =2 ' ' ,,
-JO- - \\\ \ ' '
=s_
- 40 -
=6 .
- 7_
11
~\\ \
- 50 - =8 - ,\
-9
1\\' \ I
,=3
\
'\ "'
-60
0,01 0,03 0,1 0,3
=10 . f-- I :t\'
I \
3
1\= 4\
10 Q 30
-201- -- - ~- --+- -
-W l- -- -:- - --r -- -+ --
- SOi--- - -1-----
- 60~-
0,01
---;c-!;-;;---
0,03
--:::----
0,1
-::-:-- --'
0,J
-- - --:!-'""---
-'------:l=,--
!O
---=-
--,d
Q 30
kr zywa 1 - 3 d B; krzywa 2- 2 dB ; krzywa 3 - l dB; krzywa 4 - 0,5 dB; krzywa 5 - dJa porównania
ftltr dolnoprzepustowy Butte rwortha czwartego
14.1.3.Filtrydolnoprzepustowe
Bessela
Filtry dolnoprzepustowe Butterwort ha i Czebyszewa jak
wspomniano, znacznym i oscylacjami odpowiedzi impulsowej. Idealne
przy przenoszeniu impulsów filtry, w których opó -
nie od tzn. w których fazowe jest
proporcjonalne do Takie najlepiej filt-
ry Bessela, zwane filtrami Thomsona. Aproksymacja polega na takim
doborze by grupowe gra-
nicznejQ = l w stopniu od Q. Dla grupo-
wego stosuje Butterwortha .
Zgodnie z równaniem (14.4) wzmocnienie filtru dolnoprzepu stowego
drugiego dla S = jQ jest
Otrzymuje fazowe
(14.8)
1
Tgr _!E_
-
_t
Tg -
J. -- 21t
gr g -
- J.gr rog (14.9a)
w 9 dq, 1 d<p
T =- - - =- - - (14.9b)
gr 21t dro 21t d.Q
a po równania (14.8)
(14.9c)
T _ ...E.!_ I+ h1D2
dla D 1
gr - 21t 1 + (a: - 2b 1 )D 2
lub (14.10)
1 1
2
c~ = I
- i+ 1)
c. = - 2(n
I
-'---- -'--c;_1
' i(2n - i+ 1)
•• ,... •• ~,.,..._._.,.,.,•,•,•,•,•,•,•,•,•,-,•,·.-.-.·.-.-.-.-.-... -- . ,.,.,., • ., •• ,,_._..,_._.
,.,•,•,•,•.-,w,~ -.-.-. .. ..... •. , ·,•,•,•,•,•,•,•,•.-,•,•.-,•,•,•,,•r,v , ,..,._ • ,, ..,,.w.-,•, •...........,•.....,...,..
n
I 1+ S
1
2 1 + s+ - s 2
3
2 1
3 1 + S + - S 2 + - S3
5 15
3 2 l
4 1 + s+ - s 2 +- s3 +- S4
7 21 105
10
IKu
l
kuo O
[dB}
-10
-20
-JO
-40
-SO
-50
0,01 0,03 0.1 0,3
Rys. 14.7. Charakterystyki amplitudowe filtrów dolnoprzepustowych Bessela
a)'9,
2,5 -
2,0
1,0
f 2 J 4 5
0.5
91!'
-180°
-2 70°
-3 60°
'P
n i a, bi !,Jl, Qi
Filtry z krytycznym
n i a, b. f,;/f, Q,
Filtry Hesse/a
n i a, hi hdh Qi
Filtry Butterwortha
n i a; h; /gJ/4 Qi
n i aj h; J;,dJ;, Qi
Filtry Czebyszewa o I dB
rr,,v •.,n . •.•~ ,,..,,..,.......,_. ,.,www,•, •,•,•,•,•,•,•,•,•,•r,•, •,•,•,•,•,•,•,•.•,•,•,•,·,,, ·, • .,., , ,,, , , ,,, .,,,,, .,., ........ ....,....,.. """ ..,.... .-. . .... ~.. , , , , , .,., .......... ,.....,_...,, .. ...,,.......,. ,•,•,•,•,•,•,•,• , , , ,.,,.. ,,,,,. ,, . •,,., ,,, . •• ,.,.,.... •.,..............
n i a; h, /4;//4 Qi
Filtry Czebyszewa o 2 dB
n i ai bi /4;//4 Q;
Filtry Czebyszewa o 3 dB
-.- .·-·- ·•-s=,w, •.,w.w==M·-~---·---·~, •• ,,.-,,u,,•,w,•,•,•,•,•,,wmu~_..., ,.,.,.,.,.,w,_, _ _.,_,,_= , ... ."v,•,,•,•,•,•,• ,•,•,•,w,•,•,
(14.1I)
(14.12)
(14.13)
(14.14)
.. .,_.,.,, ._,..,,,,. .....,.,.www- ..........
..-......,,,•.-,._.,,,._.,._,,.,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•.-,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•r,•r,•,•r,•r, •,•,•,•,•,._._
•...._.,,, ,.~ •• • ••••••• ,, ..,, , ..,.,,,, ,, ,,.,•,•,•, ,•,•,-................... _......_......,,.,-,.,., ...
1~14.2.Transformacja
filtrudolnoprzepustowego
~i na górnoprzepustowy
Uwy/t)
U„m
1,0
0,8
0.6
0.4
QZ
o
-o.z
- 0.4
- 0.óo z 3 4 5 t/Tg
14.3.Realizacjafiltrówdoino-i górnoprzepustowych
ik,:::,
lrr,=:;:mz
:,;:':m
~,!:::.::!.~!!~~:::,,r~::@
w@ ,,,::,:,
::mr
:r :}::':m:::::,;rnu,.,
,,,,:::,:,:::::'::::
'.:w::,\1
:::t" 1
(14.16)
za prostego RC pokazanego na
rys. 14.10. Dla tego mamy
1 1
K,,(S) = 1 + sRC = I + wgRCS
W2mocnienie dla wynosi Ku(S) = kuo = l. Parametr a 1
dowolnie. Z porównania otrzymujemy
R,
R2/R1
K.(S)= ------
1 + wgR 2 C 1S
1+ ---
(14.17)
L R
K.(S)= ----
1 + w:Rcs+ w;Lcs2
I
UwE~Uwy
j_ j_
Rys. 14.13. Pasywny filtr dolnoprzepustowy drugiego
Aby elementy
nie zbyt tolerancji. W przypadku rezys tancji wymaganie to
z rezystory o z E96 o to-
lerancji l % powszechnie Inaczej jest w przypadku kond ensato-
rów. Z one 10% lub i
w E6. Dlatego przy projektowaniu filtrów jest korzystne przy-
zadanych kondensatorów i obliczenie potrzebnej rezys-
torów. W tym celu równania projektow e rezystancji
14.4.3.Filtr z pojedynczym
dodatnim zwrotnym
re
Z<
W,
z
Rys. 14.15. Aktywny filtr dolnoprzepustowy drugiego z pojedynczym dodatnim
niem zwrotnym Sallena-Keya)
RC= Jb1
2rcfu
filtry Drgania
krytyc zne samowzbudne
Bessela Bullerwort ba Czebyszewa
(3 dB)
(l 1,000 1,268 1,586 2,234 3,000
Cl
K.(S) =-- ------- -
R2(C1 + C2) + R 1C 2(1 - :x) I
I+ --
R1R2C1C2 w----
9 S
+ -- -
R 1R 2 C 1 C 2 w;S2
Rys. 14.16. Aktywny filtr górnoprzepustowy drugiego z pojedynczym dodatnim
zwrotnym
H14.5.Realizacjafiltrówdoino-i górnoprzepustowych
1
l,1
•:•:·::~:;::::~::x
::J.;..{:.:;::
~::;:;:: ..'w::.:-·:f
....
:::::;::::::
..~~::,f:::::;:;:;:;::.::::::;:;:;:;:;::nrt~'*~~
,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,
•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,·,~k~ ~':>:;:~· .•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,
IK„I
kuo
[dB]
20
10
o
-10
- zo
-JO
- 40
- 50
-50
0.01 O.OJ 0,1
Rys. 14.17. Charakterystyka ampliludowa filtru Czebyszewa o
0,5 dB i jego sekcji
01 0,7560
21t 1·c 12 03
Ru= g 11 Hz· 100 nF = • kO Il
a~ = 100 nF . (0,9996)
2
C21 52,3 nF
Dobieramy C 21 = 47 nF i otrzymujemy
R.J.1= 11,51 kn
R 22 = 22,33 kn
l(
Uw;
I
11=/00nF I
Rys.14.18.Filtr dolnoprzepustowy Besscla trzeciego o granicznej!,= 100 Hz
~Q
1 (5+ sl )
•
(14.18)
\Kul !Kul
k111
1 kuo V
(dBl-;;, [dB] p
1--
f<
\.\I
w
ró
su
. o •
Q(tog) Qmin I flm
~Q = Qmax - Qmin
I - 1
Qmax/min = 2 J (ó f1)2 + 4 ± óQ
2
14.6.1.Filtrpasmowoprz
epustowy drugi
ego
Najprostszy filtr pasmowoprzepustowy otrzymuje w wyniku zastosowania
transformacji (14. 18) do filtru dolnoprzepustowego pierwszego o funkcji
przenoszenia
K,,(S) = k„o
1+ S
(k,/Q)S
K,,(S)= (14.21)
146.
TRANSFORMACJA
FILTRUOOlNOPRZEPUSfOWEGO NA FlLTRPASMOWOPRZEPUSTOWY 449
Z równania (14.21) dla S = jQ otrzymujemy
i
(14.22)
(14.23)
'J)
45°
(]°
- 45°
14.6.2.Filtrpasmowoprzepustowy
czwartego
Charakterystyka amplitudowa filtru pasmowoprzepustowego drugiego
jest tym bardziej selektywna, im wybierzemy jed-
nak takie przypadki, w których jest wymagany przebieg charakterystyki
w otoczeniu rezonansowej i strome do pasma zaporo-
wego. To zadanie optymalizacyjne przez zastosowanie trans-
formacji charakterystyki dolnoprzepustowej na do filtru
dolnoprzepustowego Mamy wówczas swobodnego
wyboru pasma ~Q i odpowiedniego typu filtru. Szczególne znacze-
nie ma transformacja charakterystyk.i dolnoprzepustowej na pasmowoprzepus-
,,._V,. ..,._._._. . . ... , •• , •• •, •, •
0•,•,•,•,•,•,•.......-.~-h-- •••• ••:Y.l'.V',-...,..,,.,-.-.._.,-,-,-,-,..-,,,-......,__ _..,_., ._.,,,,,•_.,,, ..._,, ,, ~._~,..,..-,,,....-,.,•,•,-,y,-r.-.- ......-.--- . ~ . _._., ,_., ......_ _.,, , ~V\''A ' hV V
to-
'f)
o•
:du
ed- -go•
.yki
-180°
1ro- 0,1 0,2 0,5 2 5 Q 10
ms-
Rys. 14.22. Charakteryst yki ampliludowe i fazowe filtrów pasmowoprzepustowych o
Itru pasmat.O = I
ego krzywaJ - fi.Itr pasmowoprzepustowy Bulterwortha czwartego krzywa 2 - filtr pasmowo -
cze- przepustowyCzebyszewa czwartego 0,5 dB; krzywa 3 - dla porównania filtr pasmowo-
pus- przepustowydrugiego
HH,,v,,v,v...,NN'o.
,or.-.
·,..-.·,·,,.,.,....,,,,.,.
,._._..,._._=- --=,--.,····· ~., .......,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,
........., •.,.,,_..,.
•........,,.,.,.,.,.,
.............,.,~,,.N>.v.'•H.-,
','r,•.. u,•,•,•,•.-
,•,•,•,•,._. ...... ,,.,.,.,.,.,.,.,.,,,.,,.,...............,..
14.6.
TRANSFORMAOA
flLTRUDOLNOPRZEPUSIUWEGO
NA flLTR PASMOWOPRZEPUSIUWY 451
Tak jak w przypadku filtrów dolnoprzepustowych, dla reali-
zacji mianownik na czynniki drugiego stopnia. Ze na sy-
(14.25)
(14.26)
(14.27) o
!, Q k,
Pierwsza sekcja fola. Q, 0 /b1
Q1!:!,.Q.Jk.
Druga sekcja Io· a. Q, Q/iQJk. 0 /b1
) ,:~~:~
:~:;§:=~ =:
•,;; .•
:::;:::
=:=:
=:::::::::
=:
=:=:=:=:
=:=::::.::;;:;::.:::A'=:.~~::~:~::::::
:::~::::
:::::
::::;:::;:::::::;:::~;:E.::~§:::~ ::::::
:::::::::. ::::::
~:~:~:;:~:~:~:~:~:::::::::::::.
14.7. Realizacjafiltrówpasmowo
przepustowych
drugiego
1 1 cxsRC
ll Ku(S)= - -- - - -- =- -- - (14.29)
1 sRC 1 + ex 2
1 + -- 1+ -- J + - sRC + (sRC) 2
asRC (X (X
t-
Po pulsacji rezonansowej w,= l /RC otrzymuje znor-
,e
Z porównania z równaniem (14.21) otrzymujemy wzór
.l-
ia (X
,a Q = 1 + ex2
':1.S
al? K.(S) = --- ---
1 + (X2
1 + -- s+s 2
(X
sRC
K,,(s) = 1 + sRC + s 2 LC
kr= 1
K.(S) = - --
RJ~S
---
1+ RJ~ s+s 2
14.7.2.Fi1trpasmowoprzepustowy
z wielokrotnym
ujemnym
zwrotnym
(14.30)
-k = R2 (14.3 1)
, 2R 1
(14.32)
B= J,
Q
-k, = 2Q 2
w- Aby wzmocnienie w zwrotnego od 1,
na wzmocnienie wzmacniacza operacyj nego musi od
2Q2• Rezystor R 3 utrzymanie dob roci przy ma-
Q
Rz= rcf,C = 3,18 MO
R1 = Rz = 159 k.O
-2k,
R3 = -k,Ri =795.0
2Qz + k, '
14.7.3.Filtr pasmowoprzepustowy
z pojedynczym
dodatnim
zwrotnym
14.8.Transformacjafiltrudolnoprzepustowego
na filtrpasmowozaporowy
(14.33)
1
s+ -
s
gdzie /iQ = 1/Q jest pasma dla spadku wzmoc -
nienia o 3 dB. Transformacja ta powoduje odwzorowanie charakterystyki filt-
,,., .............. ..... ,w.v,, .• ......... ....... .. ... .. . . . .... . .. , ..... . ............ . .. ......... ... .. ,., •••,.,•,• ,•,•,•,•,•,•, •,•,•,•,•.·,•···.. ··._.......... ....... ...... ..... ..... ....... -- ,u ....................................... .... ,.,..... ,.,., ............ .......,... ....... ...........,................... ..
14.8.
TRANSFORMACJAFILTRU DOLNOPRZEPUSTOWEGONA FILTR PASMOWOZAPOROWY 457
ru dolnoprzepustowego w zakresie O~ Q 1 na filtru pas-
mowozaporowego w przenoszenia , czyli w zakresie od O Q Q91 .
Oprócz tego w skali logarytmicznej charakterystyka ta przebiega symetrycznie
rezonansowej . Przy rezonansowej
Q=1 funkcji przenoszenia ma zero. Tak jak w przypadku
filtru pasmowoprzepustowego, transformacja powoduje podwojenie filt-
ru. Szczególnie jest zastosowanie tej transformacji do filtru dolno-
przepustowego pierwszego w wyniku czego otrzymujemy filtr zaporowy
drugiego o funkcji przenoszenia
k„o(l + S2)
K.,(S) = 1 + 11QS+ S 2 (14.34)
IK I= k„oll-a21
" J1+ a 2
( ~ 2 _ 2)+ Q
4
Q
<p= arctg Q(Q 2 _ l)
o
IKuJ
kuo
[dB}
-10
- 15
- zo
g{f
!P
45°
oo
- 45°
i~....
« .........
...... ..·· ····· ~-.. ... .. ···,: ·. ····. ·...................,!•.,, ............. .. . .. .... ... . . ........ ~:»iH:~l~~-.............
...........
:.. ....
::..·,·····..:;:;:;:;:;
:;::
::;~:~/:....
~114.9.Realizacja
filtrówzaporowych drugiego ;:i:::i)~:i::f}
ii:h
..J~Jit~:V,-·:.:.
~-;~·=·
~-;;/U~ ·1:'.':~.:'.'.::::
'.~
::'.'.:'.:::,:::,:
-:--:
:--:
::-:.
RLC
14.9.1.Filtrzaporowy
Znana od dawna realizacja filtrów zaporowych polega na wykorzystaniu szere-
gowych obwodów rezonansowych, jak to przedstawiono na rys. 14.28. Szere-
gowy obwód rezonansowy przy rezonansowej stanowi zwarcie
i jest równe zeru. Funkcja przenoszenia ma
1 + s 2 LC
K,,(S) = 1 + sRC + s 2 LC
1+ s 2
K,,(S) =- - - ---
1 +Rjfs + s 2
Q= - 1
R '1c
to jednak tylko wówczas, gdy jest bezstratna ,
w przeciwnym bowiem przypadku nie maleje do
zera. Poza tym te same ograniczenia ze stosowaniem
jak w przypadku filtrów selektywnych.
14.9.2.
Aktywnyfiltr pasmowozaporowy
z podwójne
T
Jak pokazano w p. 2.6, filtr typu podwójne T jest pasywnym filtrem za-
porowymRC.
cx(l + S 2 )
K,,= -- -
1 + 2 (2 - :x)S + S 2
I I
rezonansowa j~ = -- ·wzmocnienie k. 0 =a Q = ---
2nRC 2(2 - rx)
14.9.3.Aktywnyfiltrpasmowozaporowy
z mostkiem
Wiena-Robinsona
Jak w p. 2.5, mostek Wiena-Robinsona jest filtrem
zaporowym. Jego nie jest wiele filtru typu podwój-
ne T. jednak do dowolnej przez
nie filtru do zwrotnego wzmacniacza operacyjnego. Odpowied-
ni przedstawiono na rys. 14.30. Jego funkcja przenoszenia wynika z wzo-
ru dla mostka Wiena-Robinsona:
parametry filtru.
UwE t
l
_ P_ (t +s2) 1
l+x rezonansowa j~ = -
K.(S) = - -- -- -- 2nR 2 C
3
1+ - s+s 2
l+a
Q = --
3
a= 3Q-1
;;;~:~
,·~
··.·,
:-:
.·-
:,:··«:··:~t:··~~:
-··············
·:·············:···
····· ·.························
............
....... ············~:···w···~r~~K~~;g;~
~;;;;;;~;;;""
···•~;:;:;:
;:;:;:;··
t1!14.10.Filtrywszechprzepustowe
:i:r=··
14.10
.1. Podstawyteoretyczne
Filtry omawiane dotychczas w których amplituda i faza funkcji
przenoszenia od W tym punk cie zajmiemy
. , ,. , • , ,1. ,..,. .•._..,,w .•NV,•,•,•,,..... ..,_,~ • • , ,H ,•,•,•••,•••,•••••••••••••••
••••_..,.,,•.,., , •• •" • • • ++ ' ,,.,1 •ru . •' •'•' ,,.,.._._._.,._._~~~...,_
••• ._..,..,..~.,..,, ,,,•,•,•,•, ·,' , •••••••• -.-.H•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•' •' •._,.,,,..... ~.~ ••• ••• • ..,.........,....,._......,.. ............
,
_. .. . ..,. ...... . .. h'>o ........ ..,~ .............. ...... ""- ·- --- · .,, · '- · """---~-- .. -~ ........................................ ••••••• ~-.-·, • • ;. • .-
n i a, bi !Jl, Qi Tg,O
... , ... , .. . ,. ,•,•,•.•, •.-...... .- •• , .. .. ,•,•,....-,•,•,•.-, •,•,•,• ,•,•,•,•,•,• ,-.•,-.-.,...-... .... ,~-- .N.
• •,•,•,•,•,• ,•r ~ -,N_._._. ,,,. ...... N'r~ - -•
'gr
3,5
= 10
3.0 =9
?.5
=7
2,0 =6
=5
1.5
=4
1,0 =3
=2
0.5
n =1
0.01 O.DJ
J_
0,1 0,3 10 30 Q -
R)S. 14.31. Charaklerystyb grupowego dla filtrów od pierwszego do
T9, 0 2 ms · I kH z = 2,00
RC= ~
2rcJ;,
tg,O = 2RC
l -sRC
K,,(S)= --
1 +sRC
Uwy
j_
Rys. 14.32.Filtr wszechprzepustowy pierwszego
(f) = -2arctg(roRC)
14.10.3.
Realizacjafiltrówwszechprzepustowych
drugiego
Filtr wszechprzepustowy drugiego np. przez
od filtru pasmowoprzepustowego.
Funkcja przenoszenia ma wtedy
1 - _} S + fJ2S2
K.t(S) = _ _ Q__ _
1+ Y_s
Q
+ /J2s 2
1
Qf
N a podstawie funkcji przenoszenia jeszcze
zastosowania z rys. 14.33. bowiem przyjmiemy
2R1 - 11,R2 = O, to otrzymamy filtr zaporowy.
(14.38)
(14.39)
Filtr o regulowanych
W poprzednich punktach dla rodzaju filtru spec-
jalne, proste Niekiedy jednak pojawia potrzeba zbudowa-
nia takiego który przy odpowiednim doborze parametrów
by dowolnego z opisanych filtrów, a nawet ogólnie na
równania (14.38) z dowolnymi licznika. Zadanie to
za z rys. 14.34. ten ma ponadto
poszczególne od siebie,
R R
10 = k0 = 1 l
j
n
d
12 = k 2 = (Wo't )2 = 0,0833 g
Filtr o regulowanychparametrach
W wielu zastosowaniac h jest korzystne,
i wzmocnienie przy rezonansowej filtru selektywnego
od siebie. Jak z porównania
(14.40) i (14.21), w celu regulacji dobroci bez zmiany wzroocnienia
dwa / 1 i k 1 • Na rysunku 14.35 przed -
stawiono który
tego jest to , on
nie jako filtr selektywny, zaporowy, dolnoprzepustowy i górnop rzepustowy,
od tego, które z wyko rzystamy. Do obliczenia parametrów filtru
na podstawie jako
-r = RC:
]
t ·w = 1' czyli RC = --
g
21tfs
Filtr
tun Filtr
9timoprze{J{Jsfowy
Filtr f Filtr
dolnopr1epustowy
zaporowy pasmowo - Upp
1.. puepustowy .1
(filtr dolnoprzepustowy)
(filtr górnoprzepustowy)
R3 l R3
1+ -- - · - + ---
R4TW, S R1-r
2
w; S 2
R2
1
--- - -rwS
R2R4 ,
(filtr pasmowoprzepustowy)
(filtr pasmowozaporowy)
Elektronicznaregulacjaparametrówfiltru
Przy otrzymuje rezystan-
cji R. Korzystne wówczas ich rezystorami pod-
do dzielników Dzielniki te wówczas jako
potencjometry o rezystancji.
w przypadku rezystorów R 1 i R 2 •
chcemy parametry filtru za dzielniki
analogowymi jak to pokazano
na rys. 14.36.
1. j_
Rys. 14.36. do regulacji rezystancji
proporcjonalna do
chcemy parametry filtru w sposób cyfrowy, np. za po-
komputera zamiast analogowego
przetwornik cyfrowo-analogowy. Dostarcza on które
jest proporcjonalne do iloczynu podanej liczby i odniesienia
L
Uwy = UREF L 1
max+
Ulltr dolnoprzepustowy)
(filtr górnoprzepustowy)
R3 l R3
1+--- · - + ---
R4TW, S R1 -r2 w;
R,
-- -rwS
R2 '
(filtr pasmowoprzepustowy)
14.12.Filtry z
14.12.1.
Zasada
Do realizacji dotychczas opisanych typów filtrów aktywnych jako elementy
aktywne wzmacniacze operacyjne, a jako elementy bierne - kon-
w pokazanym na rysunku
kondensator do w kondensatorze C zgromadzi
nek Q = Cs · U. W drugim kondensator oddaje ten
a w okresie przenosi Q = C5 · U
z do jego W ten sposób
którego wynosi I= C5 · U/Ts = Cs · U· Is· ten
porównamy z prawem Ohma, warunek
kondensatorem a rezystorem
gdzie Rzast = I/Cs ·Is
Warto na
czania a wykorzystuje w filtrach
z (filtrach SC).
14.12.2
. IntegratorSC
kondensator rezystor w tradycyjnym
integratorze przedstawionym na rys. 14.39. Uzyskujemy w ten sposób integ-
rator SC pokazany na rys. 14.40. W takim integratorze
C _ _ '1_
-r = C. Rzast = Csls - 21tls (14.41)
za Stosunek
Cf Cs = '1/2n jest przy tym ustalany przez producenta, a parametr I'/
w karcie katalogowej on zazwyczaj 50
a 200 [14.9].
Zastosowanie daje jednak jeszcze inne korzy-
aby w tradycyjny sposób integrator musimy
za lub przed integratorem znak na-
Uwr
t = R· C; - - = - --
Uwe. t · s
C C
't = ·- ·
!. c'•
tuvir
1
Rys. 14.40. Integrator w technice SC
Uw, f. C.,
--=- ·- = --
s C -r·s
C 11
Stala T = -- = --
C, f. 21tf.
(filtr dolnoprzepustowy)
u,:i,R 1
1+ -- s
R3
R3
R2
(filt r górnoprzepustowy)
R3 I
1+ --- ·-
Tw,R. S
Dane: R 1 Dane: R 1
R3 = R1fa1 R3 = R1a1
R2 =- R1fkuo R 2 = -R3/kuoo
. ............... """ ........... ... ........ ... . .. . . . ... . . . , . . . ......... ... .. , • • • , ............................... ......., ............... .,.,.., .. ,, .... , . , ., ..... , ...... ......... .... ...... ---.-. ·, • , • , • , • , • , . ... . ........... .... . ... -.,,,.~~ - · · · ··· · · ·.... ,. • .._ .... . .. .... .. , • • ,..;. .. -w. , N\, 'V\, .. . ,...
14.12.4.
Projektowanie
filtrówSC drugiego
Filtry SC drugiego tzw. bikwadu, pr zedstawio-
na rys. 14.43. Ze na fakt , w obu wykorzys -
tywane integratory, otrzymujemy w wyniku struk-
i te same funkcje przenoszenia (scalone, monolityczne filtry uniwersalne
C 11
Stala 't = -- = --
C,f. 21tf.
R1
u,,,, (filtr dolnoprzepustowy)
(filtr górnoprzepustowy)
R3 I R3
1+ --- ·-+---
R4't(J)g S R1.2w: s2
R1
'tW,S
R2
(filtr pasmowoprzepustowy)
Rys. 14.43. Sekcja bikwadratowa SC do syntezy fi.Itrów gómo-, doino- i pasmowoprzepu stowych
2.
I
UDP= - Upp
tS
478
.............. .......
.........................
................
~.•.•,•,,,.,.,
14.12.6
. Ogólnewarunki
stosowania
filtrówSC
Mimo wszelkich oczywistych zalet nowoczesnych z
stosowanie ich podlega pewnym ograniczeniom. Ogranic:z.eniate
z faktu, mamy tu do czynienia z dyskretnymi, wykorzys-
próbkowania. naruszone warunki
z twierdzenia o próbkowaniu, zawsze z
danych produktów przemiany (mieszania) w podstawo-
wym. Z tego nie
wych o
niaf5. Aby to na trzeba z filtr analo-
gowy.Filtr ten przy 1/2/s musi odpowiednio
(ok. 70-90 dB). typowa filtru SC jest
50... 100 razy od granic znej, do tego celu wystarcza
zazwyczajanalogowy filtr drugiego zwany filtrem antyalia.fingowym.
filtru SC ma zawsze schodkowy, na-
zmienia tylko w chwili Zawiera on
dowe widma z Dlatego -
od zastosowania - na analogowy filtr wy-
,w....,,,.,,..,....,.,,........,..,
........,.,..,.,.,,.,,..,
...,.,......,;,:.•.•, •,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•.-.-,,,,,.,•,•,,,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,,.,.,.,,.,' .'" •"""""".,..,..~=....,...,....,,,.....,, ....,~-.. . ,,,
,.,•,•,•,•,•,,..,..........,..~ .·.-.v...v,..,....,....,..
, ,..,..,._,,.,,.~ ............_
•...........,.
,.,.,.,.,.,
.,.,.,,,.,•,•.-,•,.,•
,
14.12. FILTRY Z 479
Tablica 14.10. monolityczne filtry SC
Mak s.
Typ Producent Typ liltru Dynamika Uwagi
graniczna
Filtry uniwersalne
Filtry pasmowozaporowe
LMF90 I
National I Cauera 4 30 kHz 50dB I oscy!. kwarcowy
RF 5612 Reticon I I
4 5 kHz I 65 dB
:,~_:
•..
,·.·.·,
..~«·.·,·.·,·.·,·.·,·.·,·
..·.·,·
..·. .·,
..-i'" · ·,·.·,
·.·,·.·
,·.·,·.·,·.·,·
.·,·.·,·.·,·.·,
.,,.·,·.
·,·.
·,,....Generatory
i.:$~~~ -~"~:<~. .. ~~~ ~:::~~:::;:::::
::::::::
::::;:;:;
:;:;:;:;:;:::;::
:::::::::;:;::;:::~:::~;
:;:;!:!;:
;:;:;:.-.
?-::i ::::;;:
:::::
;:::;:
;:;:;:;:;:;:;:;::;(:~~·.'ffl::~~~;::::
:::::::::
::~~;;~::;:(:~~~::?§
t/ ::1 ./:'::*~~j..:;,:;.;,;;f,,t,;;t:.i.:.:;;.;.
r ;.;;;.;.;;j(
· 5.1. GeneratoryC ............ .
';::;:::;:;:},:::;,::'.;
.:•::ii:::::=::: ::i@:'<~~~~~~~':i:dlltlk,,., .......
.
Najprostsza metoda wytwarzania sinusoidalnych polega na
mieniu obwodu RC za wzmacniacza.
15.1.1.Warunek
generacji
.,.,.,.,._~=,n~,.,.,.,..,,.,,. ..,.,,.,,.
.. ...... .............,.,.,.,,.,,
....,.,.,.,.,.,.,.,.,
...,.,...........,...
,,..._
..........
. .............
.,,..,,,,,,,,,.,,,., ........
,.,.,.,'
,'•'•'•'•'•'"•···~··
...···· ._
,._
...................
,......,..,........,
482 15. GENERATORY
Wzmocnienie w zwrotnego musi
T= Ku(jw)/J(jw) = 1 (15.1)
Otrzymuje dwa warunki
IT(jw)J = JKu(jw)J · I/J(jw)J =1 (l 5.2)
Tor zwrotnego
r- --- ------ -- ----- ---,
i ~---~ fi l
i1 ~---- l
Ku.
wzmacniacz 1-- -.-----i Obwód
zwrotnego I
Ut u2j RL rweQ UJ
_L 1-
Rys. 15.1.Ogólny schemat generatora
(15.4)
J - k„ 2 l
y= 2RC Wo = LC
otrzymujemy równanie
Ma ono
(15.5)
2) y = O, tzn. k., = 1
Otrzymuje drgania sinusoidalne o pulsacji w 0 = 1/JLC i am-
plitudzie;
3) y < O, tzn. k., > 1
Amplituda zmiennego
Równanie (15.2) stanowi warunek konieczny Wynik
ten teraz dla k., = 1 otrzymuje sinusoidalne
o amplitudzie i pulsacji
I
W = Wo = -==
JLC
15.l.2.Generator
Meissnera
generatora Meissnera jest zwrotne zreali-
zowane za transformatora, którego uzwojenie pierwotne tworzy wraz
z kondensatorem obwód rezonansowy Nary-
sunkach 15.3 ... J 5.5 przedstawiono trzy generatory Meissnera w ze
wspólnym emiterem. Wzmocnione na kolektorze
tranzystora przy pulsacji rezonansowej
Wo= JLC
+ +
R,
Rys. 15.3. Uslalanie punktu Rys. 15.4. Ustalani e punktu Rys. 15.5. Ujemne
pracy za pracy przez ujemne zwrotne przy
bazy dowe zwrotne ujemnym
''""" ""'._...,., ,,..,.. ,.,. ,., •• ,...,,,., ., •........, .... •••••• -. .......... ..,, ............. ....,. ....... • •• • • ,+-..,-.-. •,•,•,•,•,• ,•,•,•,•,•,•,•,, •,•, , , . , •••,., .,. ,.,., ., •....,...,..,...._~~-. .-.·. ,·,·,·,· .. ,·~- .... ~-· ····••-.v.-.·.-.·.-,·,·,•,•,...,...,.,.
,,.,,,.,
,
15.1.3.Generator
Hartleya trójpunktowy
indukcyjny)
Generator Hartleya jest podobny do generatora Meissnera. polega
tylko na tym, transformator z odczepem. Indukcyj- L
tej cewki wraz z równolegle kondensatorem
486 15.GENERATORY
wodzie ujemnego zwrotnego, tak jak w generatorze
Meissnera z rys. 15.5.
W generatorze Hartleya z rys. 15.7 tranzystor pracuje w ze
Dlatego z cewki L jest pobierane przez kondensator C 1
w fazie z kolektora.
C1
15.1.4.Generator
Colpittsa trójpunktowy
generatora Colpittsa jest dzielnik na-
dodatniego zwrotnego. Pojem-
obwodu rezonansowego dwa kondensatory szerego-
wo o wypadkowej
CACB
C=
CA+ CB
+
R3
L
CAB
CB
Rz
15.1.5.GeneratorLC ze emiterowym
Generator w prosty sposób, tranzystorowy
wzmacniacz jak to poka zano na rys. 15.10.
bazy tranzystora T 1 jest w fazie z tranzystora T 2 , dodatnie
zwrotne te punkty. Wzmocnienie
w zwrotnego jest proporcjonalne do transkonduktancji tran-
zystora. je w szerokich granicach za emitera.
tranzystory przy Uc» = O, amplituda
jest ograniczona do ok. 0,5 V.
Tz
15.1.6.Generatoryprzeciwsobne
Generatory przeciwsobne, podobnie jak przeciwsobne wzmacniacze mocy,
stosowane w celu mocy i
generatora przeciwsobnego przedstawiono na rys. 15.11.
on w zasadzie z dwóch generatorów Meissnera. Tranzystory T1 i T 2 prze-
na przemian. bazy jednego tranzystora zmienia
w fazie z kolektora drugiego, z uzwojenia
do odwracania fazy. pokazano na rys. 15.12.
nie zwrotne zrealizowano za dzielnika C1,
C2 • równolegle rezystancyjny dzielnik do ustalenia
spoczynkowego bazy.
..,.,,,,,, ,,,·,•, ,,,,,,,, ...... ..................,..
..............
.....,
......,,
...,.,.,.,.,.,.,.,.,.,._.,,.,
a. .~.. ,.~- . .... ....,. , ....,...,,..,,. ,.,.,.,.,.,.,.,.,..,.,.,,.,.,. ~-· ••• ~ ~~_,.,.,.,,,.,.,.,,., .,.,._ ,.,.,.,. ......,.•w ,• y,,"'
C +
L
C
+
Rys. 15.11. Generator przeciwsobny Rys. 15.12. Generator przeciwsobny
z indukcyjnym dodatnim z dodatnim
zwrotnym zwrotnym
wm:=
: :11::::!
: ::::1l~\%%1l!1!!1,
1
..
15.2.Generatory
kwarco
,,.,.·\jJ11jllllii!il!ili:i1:
: Im,,
opisanych dotychczas generatorów LC jest w wielu za-
stosowaniach ona od temperaturo-
wych i obwodu rezonansowego. Znacznie sta-
za rezonatorów kwarcowych.
Drgania mechaniczne rezonatora kwarcowego za po-
la elektrycznego. Rezonator kwarcowy z elektrodami zachowuje
tak, jak obwód rezonansowy o dobroci. temperaturo-
wy rezonansowej jest bardzo
generatora kwarcowego jest
l
15.2.1. elektryczne
rezonatora
kwarcowego 2
Il
elektryczne rezonatora kwarcowego dobrze reprezentuje schemat t!
pokazany na rys. 15.14. Parametry L i C z
mechanicznych samego kwarcu. Rezystancja R reprezentuje po-
C0 - elektrod i przewodów
Co
Rys. 15.14. Schemat rezonatora kwarcowego Ili
Q= -
1
R
JL =26
,_/c
000
j w 2 LC---- l
Zx = - . --- -- -- - (15.6)
w C0 + C ----w2 LCC 0
(15.7)
------- I
fR ---- 2n,JLC
Hl+ -
Co
(15.8)
o% rn--------0
c5 a
Rys. 15.15.Strojenie rezonansu szeregowego
1;=
~Ju
1 J1+ -- c - =fsJ
~ -c-- (15.10)
Po w szereg i C C0 + Cs
zmiana
li/ C
f 2(C 0 + Cs)
Cs nie zmienia rezonansu szeregowego fs,
zero mianownika równania (15.9) nie od Cs. Z porównania
(15.10) i (15.9) wynika, przy Cs .... O rezonansu szeregowego
prawie do rezonansu
15.2.2.Generatory o podstawowej
I
Rys. 15.16. Generator Pierce'a ze wzmacnia - Rys. 15. 17. Generator Pierce'a z inwerterem
cz.emw wspólnego emitera CMOS jako wzmacniacz
Cs
Q=
I
Rys. 15.19. Precyzyjny generator kwarcowy
Typ Producent
maksymalna
[MHz]
74LS320 Texas Instr. TTL 20
74LS624 Texas Instr. TTL 20
ICM 7209 Intersil CMOS IO
MC 12061 Motorola TTL,ECL 20
15.2.3.Generatory o ponadpodstawowych
.,
.,
tuwr
C L 1
Uee
c,T
Rys. 15.23. Generalor ze emilerowym slabilizowany kwarcem . Odbiornik linii
ECL IO.116 100 MHz
R1
1 1 ) 6
U, = ( 3- ~ Uwe~ 9 Uwe
harmonicznych wyJsc1owego
od charakterystyki tranzystora polowego. Jak.
w punkcie 5.7, znacznie
dodamy do bramki, jak to przedstawiono na rys. 5.18.
do tego rezystory R 3 i R 4 . Kondensator C3 separuje
wzmacniacza operacyjnego dla który
cie zera na W praktyce dobiera R 3 R: R 4 . ustawienie R 3
uzyskanie minimalnego harmonicznych.
w ten sposób 0,1 %.
R jest regulowana, w sposób
Im gorsza jest obu rezystancji R, tym bar-
dziej skuteczna powinna regulacja amplitudy. Maksymalna rezys-
tancji R musi na tyle by polaryzacji wzmacniacza
7t
Amplituda u..,,m
=- URHI'
2
to Tego rodzaju
pokazano na rys. 15.27. Na prostownika otrzymujemy
zmiennego Wzmacniacz W0 2 pracuje
w zmodyfikowanego regulatora PI z rys. 27.7. Reguluje on poten-
bramki tranzystora polowego T tak, by jego
zeru. Ma to miejsce wówczas, gdy arytme-
tyczna IUwy I jest równa UREF· regulacji od-
powiednio od okresu w przeciwnym przypadku
wzmocnienie w czasie jednego okresu. Prowadzi to do
znacznych Dlatego nie tu samego regula-
tora PI w klasycznej postaci, lecz równolegle do R 6 kon-
densator zmienne na rezystancji R 6 nawet dla najmniej-
szych proporcjonalna P wówczas
dopiero tych I
==._ ......_,
...•,•,•
,•,•,•,•,•,•,•,•,....
,,,.
........
,....................
.,....
, ................
...
.... .........
---=,• ,•,•.,,•,•,•,•++,{'C,{',N>,{'•~
.... -~h .. __ .,,.,,,.,,,•,•,•,•,•rrr,•oh',._ +,,.,.w.,,_,,~ .................. ,,,•,•,•,•.-.,,,,..,..
........,.,._....,.,.,''- • • •
Uwr(t) = U e20Rc
wym
_ a sin (J 1 - --c,,
400
2
-- t )
RC
(15.13)
a ustawimy poten-
cjometr P w prawym skrajnym otrzymamy rx= 1. W lewym skraj-
nym IX.= -1. W rx= O.
od dodatnich do ujemnych.
rezonansowa j~ = l/2nRC
w chwili, utworzy
uiy +uf= U;ym(sin2 w 0 t + cos 2 w 0 t) = V:,ym (15.14)
u~y + u~ tylko od amplitudy
a nie
od ich fazy. Otrzymuje którego nie trzeba filt-
lecz z odniesienia.
Generator na analogowych operacyjnych, którego amplituda
jest regulowana zgodnie z przedstawiono na rys. 15.29. Analogowe
M1 i M2 do kwadratu u 1 i Uwy·
z obu wraz z dodatkowym odniesienia,
podawane na wzmacniacza W0 4 •
we wzmacniacza powoduje ustalenie takich w
warunek
fuwr
.1
1
/0 =- - Amplituda lf!,m = EURB„
21tRC
:::=:=·=·=·:
-:,:-:,;:,:,:,
:,:,:::,:::::::::::::.:,§X::~~~\12:::;.~-•-:-:-:-:-:
-:-:-:
-:-:-:
.:":, .. ~":'*"*~~~,~~}~
....
·.····:·
ii/I 15.5.Generatory
funkcyjne
]
r·.:..,:,.....•
; ~;;.%;t~~.:i :;.;.:.:.:.:.:.;
.;.;.;.:.:.:
.:.:.
;.;.;
,;.;.;.;.;
,;.;.;.;.
;.;.;.;.;
.;.;.;.
:.:.;.;.;.;.;.;.;.;.;.:;w
:'.
;'.:;:;:;:'.:
:•:~···
Klucz
Integrator Przerzutnik
analogowy Schmitta
nn
Generator
f unkcji sinus
Przerzutnik
Schmitta
15.5.2.
Realizacja praktyczna
Najprostszy otrzymuje z zasady podanej na rys. 15.31,
przerzutnika Schmitta podamy na integratora
(rys. 15.33). Przerzutnik Schmitta dostarcza któ -
re jest przez integrator. Po przez
integratora poziomu wyzwalania przerzutnika Schmitta natychmiast zmienia
znak up. Wskutek tego integrato -
ra zaczyna w przeciwnym kierunku, do drugiego
,,,,.-..,_..~ ...... w,,•.--..-., ...... .......-.-...-.v.-
.......,.,.,,,.-- •••.,.,,,·,·,·,·,•,•,•,
•.-.•,•
..,•,·,,·,,,,,.,.,.,-.,..., .. ,.,,.,.., ___ _,,, .• .,.,,.,.,.,,.,.
,.,.,.,.,.,.,.,
........ . .. . . , .. ,,.,,.,
R C Rt
. ,,
f = --R 2 - 1-
4R I RC
. R1
Amplituda U,.,= - U,,.,...
R2
+SV
l 0,6
f = -- = -
4U1„C RC
Amplituda U,., = I V
15.5.3.Generatory
funkcyjne
o przestrajanej
Zasada przedstawiona na rys. 15.31 proste przestrajanie
przez + UwE i - UwB· takiego generatora funk-
cyjnegopokazano na rys. 15.35. Na wzmacniaczy W0 1 i W0 2 o ma-
rezystancji odpowiednio + UWE i - UwE·
te podawane przez tranzystory T 1 i T2 na integratora
w od stanu przerzutnika Schmitta. Gdy kom-
paratora jest ± UwE•oba tranzystory jako przesterowane
wtórniki emiterowe i wtedy, jak to pokazano w punkcie 22.2.3,
R2 l R1
f = - - -- - -
UwB
Amplituda U,,,.= - u,,,.....
4R 1 RC U,,,.... R2
Nachylenie wynosi
. UwE
j
= 4RCU Im
otrzymamy
do i amplitudy oraz
musimy by nie one od UPmax· to
za precyzyjnego przerzutnika Schmitta typu „zatrzask" , jak
to pokazano na rys. 15.34. Potr zebny jest wtedy jednak dodatkowy wzmac-
niacz, dodatnie i ujemne tranzystory T 1 i T2 .
W tym przypadku jest tranzystor analogowym kluczem
CMOS ze scalonym Nadaje do tego np. DG 301
firmy Siliconix (patrz 22).
Zmienny
Aby i regulowanym o przebiegu
za
komparatora z Sytuacja jest nieco trudniejsza, nie tylko
lecz ma przebieg nie-
symetryczn y, jak to pokazano na rys. 15.36. stwarza
z rys. 15.35, U1 i U2 Wtedy czasy
narastania i opadania ± Utmaxwy-
2RCUtmax 2RCUtn,ax
'1= U1
t - -
2 -
--
I U2 I
_._.,,
,...,.,-,._, ........ ... '-'•'•'•"'-"'•'•'•'••••••••••••••••••••.-.•.-.-.-.•.-.-.-.-- .....
w.-.-.-.
.......... •••••'•'•'•'•"•'•'•'·--,......., .........,,,,H •,, ' '-'-'- •~••• ~• •• ~~.,..,.._........,,.,,,._,,.,,,., .,.,.,.,.,. ... ,N • . ._, ,
U1 + IUii
. ( ] 1 ) (15.15)
T= t1 + t2 = 2RCUrmax
1 I 1
+ -I U I = - U - R [R3 + (J - a.}R4+ R3 + a.RJ =
Ul 2 WE 3
Up
h
..
~tj. I
t, .11
I
....._
I
--
t
,, : i
b-~
UwE
utmax
I
sinus (generator funkcji sinus) i jako scalone
(tabl. 15.2).
Typ Producent
maksymalna
[MHz]
MAX 038 Max.im 25
XR 205 Exar 4
XR 2206 Exar l
1
li
z tych generator funkcyj-
ny. jednak chcemy tylko najprostszym
multiwibratorów przedstawione w p. 8.3.2.
15.5.4.Generatoryfunkcyjne przebiegi
i cosinusoidalne
sinusoidalne
na ura„ praktycznie na
równej zeru.
. .• R2 I . R1
f = -- -- Amp/ztuda U,,.,= - Up,_"
4R1 RC R2
"th":+:cF:==-k I
16.1. wzmocnienia
od
wzmoc-
nienia /3= leiIb tranzystora bipolarnego z dobrym
niem przenoszenia filtru dolnoprzepustowego pierwszego
(16.2)
ib rbtf B' ie
Bo- --r1- - -.-- --~-f - l---~>---+- -4---
-o [
Ube
E
I i
Utfe rJfe cd rc'e rUce
E
parametrów modelu z parametrami tranzysto ra dla
rezystancja baza-emiter rb'• rb•
Rezystan cja rozproszona bazy rw 1/ 10 rb,
transkonduktancja g~ gm
rezystan cja kolektor -baza rb'c lfgw
rezystancja kolektor-emiter ,; . r,.
(16.3)
gm
-- ~-- = ---- gm (16.5)
1 + jcorbb'cd f
1+ j -
/4m
gdzie gm jest traoskonduktancji dla
a fam= 1/(2nrwCd) - traoskonduktancji .
ta jest rb'efrw 10 razy graniczna _[p.
tranzystor pracuje w ze ze sterowaniem
otrzymuje taki sam wynik, jest podawane na te
same zaciski.
Jest inaczej, wymusza emitera. kolektora
praktycznie jest równy emitera I/31p 1), spadek wzmocnienia
dopiero w fr - kolek-
tora a emitera otrzymuje z ie = ie+ ib i ib = ic/fJ
ie {3
(X. = - = ---
ie 1 + {3
fJ
a = ---
1 + f3
kp~f~m ~Ja~JT I
514 16. WZMACNIACZE SZEROKOPASMOWE
16.2. tranzysto
ra
i
+
Re
, -- f-------?
rg
cJ-r-
-L =i=C4 fuwy
I
T
I
I .1
C _L
C1=*=
rr
I
..L
L __
Ie
C1 - szczególnie doprowadzenia
C2 - emiter -baza
C3 - kolekt or-baza
C4 - kolektor-emiter
C1=-i=
I
I
_J_ -
1
k =- g - =- 1
ul m gm
+ Wzmocnienie K. = - GmRc
Rezystancja wej.friowa r we = rbel
Rezystancja rw y = Re
Uaz
Ku= - GmRc
czyli tyle samo, co dla WE . Tranzystor T2 nie zmniejsza
granicznej transkond uktancji , wskutek ste-
rowania WB ma on f r P /4m· na
bazie U132 tranzystora T 2 na kolektorze T 1 . Wybiera
jego by kolektor-emiter tranzystorów T 1 i T2 nie
od kilku woltów , co utrzymanie najmniejszych
od kolek tor-baza .
:=:::::::
::::::::::
:::::::::
:::==
:~:~~~~x; ~;;::::
::::::::=:=:=:=:=:=:=:=:=:
::=::;-:{
:_:§:=f~~f:: ::::::::::
:::::
::::::::: ::::::::::::::::::::::::::::
::::::::::::::::::::::::=::::
f-:L::$:
f*~;~;::;.:::::f ;::::::::
:::
jl 16.4.Wzmacniacz jakowzmacniaczTtt::=
m
·"'* szerokopasmowy .....
;:'1
hu:z.
u.:.t:::~Wv ·-+~
·:···:······:::::;:~
.::*½~m ·:rv:.-...
.......
~:~§::::::::
:::·
JJ.&:::i~m::.,
:~~
~~:1~:1:1:1:;:;:;:::::::::J:i:
·~~
r} :~=
~=
~=
~=,:·=·=
······_
+ 1
Wzmocnienie K. =- G,..Rc
2
Rezy stancj a rw• = 'l.rb,
Rezystancja r ,.,1 Re
juwr
1
Gmtoi= lc2
-u
we
= - 2
lc2
ube2 = _ ..!_
G
2 m
i wzmocnienie
1
K., =
2 GmRc
Transkonduktancja wzmacniacza jest o mniejsza od
tra nskonduktancji kaskady.
wzmacniacza ma w porównaniu z
baza-emiter Dobre wzmacniacza
nicowego przy wielkich otrzymuje tylko wtedy, kiedy tak ,
jak na rys. 16.5 kolektor tranzystora i baza tranzystora
wego jest rozbudowanie do symetrycz-
nego szerokopasmowego wzmacniacza za kilku
dodatkowych, które opisane w punkcie.
~1::;: 1:J:1:J:J:1:1:1:1:1:1:1:i:1:1:
;:m:~
;:m~Ji~mfu:~.._l~~m~~~~~~:~:1:1:~1
:1:1:1:ti:1:1:1:1
fl1 16.5. Symetryczne
wzmacniacze
szerokopasmowe
::::
:....
•..~.•?~
~M •...
,.,.,.~
....
16.5.1.Wzmacniacz z kaskodowym
Na rysunku 16.6 przedstawiono szerokopasmowy wzmacn iacz z sy-
metrycznymi i Dla wyeliminowania efektu Millera tranzys -
tory podstawowego wzmacniacza
kaskadowymi.
We wzmacniaczach szerokopasmowych zastosowanie ujemnego
nia zwrotnego kilka stopni przysparza znacznych
ze Aby wzmocnienie, jed-
nak do tego dwie rezys-
tancje RE, ujemne zwrotne. one
tranzystorów do (p. 4.3.3).
(16.6)
""°'v.,w .·.w~v.w.w.-.-.·.··········
··············
········
······
············
··········
······ ················
······••••w""""'°'"'°''www~ - =
518 16. WZMACNIACZE SZEROKOPASMOWE
Nietrudno transkonduktancja jest tym bardziej od
rezystancji zwrotnego, im jest RE w porównaniu z I I/Gm I.
Ponadto zwrotne powoduje granicznej
transkonduktancji: po wstawieniu równania (16.5) do (16.6) charakterystyka
wypadkowa transkond uktancji wzorem
(16.7)
. f
1 +J - -- --
/4m(gmfgmf)
graniczna transkonduktancji zostaje do
(16.8)
1
Wzmocnienie K,,, = - - gm1Rc
Re Re 2
Transkonduktancja Km/ = g,,,/(1 +gmRli)
(16.9)
1
Re = 2 fi C 180 n
7t e we
k = Uwyl
ur Uwel - Uwe2
+ 1
Wzmocnienie k., = - KmfRc
2
R1
Uwr1
f Re Re
tUwyz
l_ j_
Rz
Tz
Us
T1
Rz
J
Wzmocnienie k., = - - gm/Re liR 2 )
2
16.5.4.Przeciwsobny
wzmacniacz
W opisanych wzmacniaczy szerokopasmowych przy prac y z du-
otrzymuje zboczy i
cych. Dzieje tak dlatego, w spotykanych warunkach sterowa-
nia wzrost kolektora jest zwykle szybszy jego spadek. Dla uzyskania
jednakowych Wzmacniacz
wówczas z tranzystorów sterowanych przeciwnie, tak zarówno
+ +
T3
ic3
-Us
(+) (- }
uwo
l fuwo ib
Re tUwy
1. Tf
j_ j_
T1
RE RE
R1
T3
-
- Ua
V - UW>'_ - G R
~._,,,
- U - mf e
wer
16.6.Szerokopasmowy
wtórnik
o
T1
uwE
I t UR
1 Tz
t
I
_LC
-r s
I
uwy
Ufi I
.J... 1
16.6.1.Przeciwsobny
wtórnik
+ +
Wynika
(
1 n;;;-)
v~
potrzebne od 10 mA, musimy tranzys-
tory bipolarne. Odpowiedni przedstawiono na rys. 16.13. Aby przez oba
tranzystory T3 i T4 spoczynkowy, zaciskami ich
baz musi ok. 1,4 V. to jest wytwarzane za dwu
wtórników emiterowych T 1 i T 2 , które oprócz tego transformacji
impedancji. jest stabilizowany przez ujemne
zwrotne zrealizowane na rezystorach R 2 o 3 a 30 n. Rezy-
story R 1 emitera dla i bazy dla
stopnia one tak by przy ma-
ksymalnym sygnale od wymaganego
bazy odpowiedniego tranzystora stopnia Przy sygna-
celowe jest ich
Wtórniki emiterowe do generowania wielkiej
W celu tych szeregowo z
rezystor. Dobiera je jak najmniejsze, by nie niekorzystnie
na i praktycznie w zakresie
20 ... 200 n.
Wtórnik na tranzystorach komplementarnych z rys. 16.12
na do wytwarzania komplementarny
tl 16.7. Szerokopasmowy
wzmacniacz
operacyjny
lt ~:~~*~~:;:~
=~=:::::::::
~ ::::::::::::::::
~t.w.~n ~:::::::::
;:::;:::;::=~~:;..::::=:::=:=
: ;:::;:;:;:;:;:;:;:;:;:;:
:::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::
:::~::
:::: ;:;::::~·~***~=:::-*;~::::::,;
..
Szerokopasmowy wzmacniacz operacyjny realizuje na podstawie szeroko-
pasmowego wzmacniacza go o pra-
jako rezystancje i do niego szerokopasmowy
wtórnik temu uzyskuje wzmocnienie
a wykorzystamy
komplementarny kaskody z rys. 16.8, otrzymamy wzmacniacz opera-
cyjny pokazany na rys. 16.15. T 5 , T 6 z jednej strony
zapewnia tranzysto ra T4 , a równo-
wykorzystuje tranzystora T 3 . Jako dopasowu-
zastosowano przeciwsobny wtórnik emiterowy z rys. 16.13.
Zgodnie z pracuje np. LM 6365 firmy National oraz
HA 2541/42 firmy Harris.
przyjmiemy przeciwsobny wzmacniacza przed-
stawiony na rys. 16.9, musimy jedynie z niego rezystor Re
i zamiast niego Na rysunku 16.16
pokazano wypadkowy Warunkiem realizacji jego w technice mono li-
+ + +
½ Tg
T7
R3
+
R3
t Uwy
j_
Tto
R2
+ +
16.8.Wzmacniacz
transimpedancyjny
(ze
Tt,
T1 T5
Rz
+
+ + tu.wy
upf tuN Rz
.1 T,' .1 .1
Tt,'
z za
sterowanego (na rys. 16.18 tranzystory T3 , r;,
T4 ,
TDspadek INZ na impedancji Z, a spadek ten poprzez dopaso-
(T 5 , r;,
T 6 , T~) wytwarza Wzmocnie-
nie dopiero wtedy, kiedy odwraca-
zostanie rezystor - np. R 1 na rys. 16.20.
wówczas IN = Up/R 1 i uzyskujemy
16.9.Wzmacniacze
szerokopasmowe
o dwóch
+
Upo
u,]
o
/
,
~,
ru,
--F
.R
\ -
UN~ o
f9 = 1/2nRC
fr = k.o . Jg
wzmacniacza
Uwr - Ut1 _ __
_.;;..;__...:.;_ UN = O
RN R1
Charakterystyka z rezystancjami
!1·
Wzmocnienie w
R1 k
T0 = -- -- kuro=~ od R„ i R 1
' R 1 + R„ ku0
Charakterystyka
ku.
1041--~-,-- - --
' ' , Kurio
103 skompensowane
Ku,1 ' /
T1 T; '-..(
'
10
1----1-
1.___.__...____
_i_ ____ ku.
=.:
o:...
=_ 10
.....__
___
__ 1_.___
kuo=
_.;::,~'-'- -:
_._
I
1 __
1,I/
ir,.,___ -"'-___
...,.., , _ _
1
10k 100k 1M 100M 16'- ....._
.......
Rys. 16.20. Porównanie wzmacniacza operacyjnego ze wzmacniaczem lransimpedanc yjnym
.~------~=w.wm .•.•.•,•m ,•, ,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,wu,,-•,•,w
ku,o = R/R 1
Uwy Z ku,O
K = - - =- = - - -- /4 = l/2nRC
ur UR Rl
wzmacniacza
Uwy- UN UN
- - -IN = O
RN R1
UN = Up= UwE
Charakterystyka z rezystancjami
k
K = uO f~.= I/2nRNC od R1
" I + RN · j 2nf C
Wzmocnienie w
R R R
ku,o = - - - = -- kuo = T0 k. 0 , a T0 =- - od R 1
RN liR1 RN ' RN
Charakte(ystyka
ku
4
10
103
Tio
102
T1
kuo=10
10
ku.0 = 1
1
10k 100k 1M f[Hz}
Rys.16.20.(cd.)
Dla ma wzmocnienie
na wzmacniacza W0 2 wzmoc-
nione z bardzo ku,, niezrównowa-
W0 2 nie odgrywa roli. polaryzacji wzmacniacza
W0 2 przez R i nie na Dlatego ma
polaryzacji i
wzmacniacza WO 1 .
Przy wzmacniacz WO 1 pracuje jako integrator.
Jego wzmocnienie spada z nachyleniem -20 a wzmocnienie wzma-
cniacza szerokopasmowego W0 2 jest jeszcze Dlatego w tym zakresie
ma wzmocnienie
RC= l/21t/4 2
Wzmocnienie k. I
Wzmocnienie przy dopasowaniu energetycznym
l
k, = - f]
2
Rezystancja w warunkach dopasowania
energetycznego RL = Re
Moc przy dopasowaniu energetycznym i
u2
wysterowaniu przebiegiem sinusoidalnym Pi,max=
8Rli
p
maksymalna '1max= = 6,25%
P,.,
Maksymalna moc tracona w tranzystorze Pd1,. = -
U;,z
= BPLmax
„ Re
L- 2 RL
p _ _1 uWYmax
2
L - 2 RL
Pdiss= T
l I T
[Uzz - Uwy(t)]
[Uwy(t)
RL +
Uwy(t) + Uzz
R
E
Jt
d
o
Dla UwrU) = Uwym sin(wt) otrzymamy
s········
········:,
......
..... ...r..-·····
,;..~x'.:;{..;:~;:~ ·-..>>~"%:-m..~ ..-·····~····~·--:-...........
................
.............,.=-····
I~17.2.Komplementarne
wtormk1
em1terowe
H:%
t.,r,,,i,i,:;,;.;.;.;.;.;.;.
;.;.;,:,;~::;_.;:,.~;;;:"._.;~;!(?;:::•::::;!;<;!;0;0;:;.;
....-: •''' •'' ' ''' "W"( U U ":':'•':';',','W '• ••••• ·w~:.
:..::::.~\::.w;:;:~~~$:.Y'""'''
.. ~~..,..,., ' .,.,,·,,,·,,·,,,·,,·,,·,,·,,,i,1,1,1,1,1,1,1,i,1,1,1,,,
.,.
Pdiss1 = TI f
T/2
[Uzz - Uwy(t)]~UwxU)
R-=-
L..:_c.....
dt
o
p. =-1-(UwymUzz _ U':,Y!JL)
d1ss1 RL 1t 4
wynosi
2
Uwym= - Uzz 0,64Uzz
1t
Otrzymuje to ze
dPdissl =O
dUwym
1 U]z U]z
pdissmax = 2 -R O,I - R
1t L L
Uzz · Uzz
ptot = 2Pdissl + p L = 2 - R Uwym 0,64 - R Uwym
1t L L
(i~,
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
o,1
O O,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 O,7 0,8 0,9 1,0 Uwgm
Uzz
Rys. 173 . mocy w komplementarnym wtórniku emiterowym w od amplitudy
17.2.2.Komplementarne
wtórniki
emiterowe
w klasieAB
Il.wy
U.wy
U W(;
17.2.3.Wytwarzanie polaryzacji
z wytwarzania polaryzacji pokazano na
rys. 17.8. Na diodach D 1 i D 2 spadki U1 = U2 0,7 V. Przy
takich przez tranzystory T 1 i T 2 niewielki spoczynkowy.
Dla uzyskania rezystancji diody wtórnika -
mi emiterowymi. Otrzymuje w ten sposób przedstawiony na rys. 17.9.
Tz
na polaryzacji i
czynnika temperaturowego w szerokich granicach pokazano na rys. 17.10.
Tranzystor T 3 jest ujemnym zwrotnym zrealizowanym za
dzielnika R 5 i R 6 . Przy bazy jego
kolektor-emiter
::f' ·efX~{:%:r
~: ::.::~····
·:·:·:·:·:·:·:·:·
:·:·:·:·:·:·:·:·:·
:···:·
:·:·:·:·····:·.';'•'"' ('•'::d·•'i.'i:·?~Xt·:·:·:·:·:·
··:·:·:·:·:·:·:·:·:·
:•:•:•:•:,:-:,:,:,::.
,' ,:, ..........
•.•.•.•
,•
+ +
r.,
Tf
R1
UwEt Rz
tuwy UwEt tuwr
1 Tz 1 1 1
T2
dla tranzystorów
fumy International Rectifier:
T 1 - IRF 531
T2 - IRF 9531
T3 -IRFD 112
T4 - IRFD 9122
Za rezystancji R 1 , R 2 go
::::::::::::::::::
·:: .. 1m11.,im:
..1.]
17.5. Elektroniczne
ograniczenie
~.it::3;:::t::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::~:m§:::::;::~:r::;:::,m::
~~~~"::$1:'K:;:::~:$.(:~)r,~~'.':ff~::
::~:::::::::::::::::::
.................
R1
D3 iwy
R1
iwy uwEI tUwy
UwEt
D4
Rz tUwy 1.
Rz
j_
j_ 1.
T2 T2
0,7 V
+
I WYmax--
UD3 - UBEl
--==-- ~ =
Ri-----= R (n3 - I)
1
=- o,; 2
V (n4 - 1)
albo
r ,...,0,7 V
WYmax"' Rz
T1
D3
D1
R1
Uw
fi t Uwy
j_ R2 1..
02
R4
04
Tz
01
+
C1 r--- - -- --.
470p c.l_
....,
R7 I
Rs
10kQ
132.
-:..-- ---1
100 S2 I
c2=l=
4 70pFI
L---+--- - ~
11sc - ss c
0 0
17 W= K
4
+ Rrh j - c
150 K = 48 W
3,1 K
w
Wzmocnienie wybranych w ten sposób tranzystorów przy ma -
ksymalnym wynosi 30. to dobór tranzystorów
T1 i T 2 . Ich maksymalny kolektorów wynosi
4,48 A = 149 mA
30
400 mV
R 1 = R 2 = - -- = 13 O
30 mA
1 ( 4,48 A 0,8 V )
max = 100
111 30 + 13 n 2 mA
... .. .w . .. --- -=-~mu u ... v.~'""w .w .•.•....................
................... . .•."'" v..~-===~ u .•.•..... •m,,, ......, .......
.. ·······
·•···········•·•·
··..·ww,. .•.•... .. .....,.•..., .........
17.8. (przedwzmacn
iacze)
R3 R3
T7 T3
+ Ic6
Ic6 R1
Ts
R2 juwy
j_
R6
Przedwzmacniaczszerokopasmowy
pasma (przedwzmacniacza)
na przez przeciwne wysterowanie T 3 i T4
cych w ze Otrzymuje wówczas pokazany na
rys. 17.24, do szerokopasmowego wzmacniacza operacyjnego
z rys. 16.16. jednak we wzmacniaczu mocy nie jest potrzebne
tu przeciwsobnego wzmacniacza za-
przeciwsobnym stopniem wzmacniacza operacyjnego.
Stabilizuje on spoczynkowe zgodnie z na
rys. 16.21. zachowuje jak wzmacniacz operacyjny,
+ +
Uwf! 01
..1 Ic2
Rio Ra
C1
T4
1,4 V
R3 = R4 = 20 mA = 1,5 k.Q
10 V = l kr.
R11 = R 12 10 mA
558
.........
.....,.,.,.,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,
17. WZMACNIACZB MOCY
,,,.,•,•,• ••.: ,•• " ......................,.,,,,,,,,,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.........
, ..,.,•,•,•,•,•• ••..- -.-. ___
..................
w stosunku do poprzedniego jest to, spoczyn-
kowy zasilania wzmacniacza operacyjnego powoduje powstanie spadku
baza-emiter tranzystorów stopnia
Rezystory R 1 dobiera tak, by spadek ten ok. 400 mV.
temu obszar zostaje silnie
zmniejszony bez spoczynkowego tranzystorów stopnia wyj-
którego stabilizacja po dodatkowe
Za dzielnika R2 , R3 dodatkowo
wzmocnienie stopnia o 1 + R 2/R 3 . to
szenie zakresu wysterowania wzmacniacza; zakres wysterowania jest wtedy
mniejszy od zasilania o nasycenia tranzystora T 1
lub T 2 • Oprócz tego takie zmniejsza do
w komplementarnych Darlingtona .
~i I s·
L.-~,_ -
l,,i,,r,,t,,_~,,:,,
_i,,
transformatorów
sieciowych
Przy projektowaniu prostowniczych odgrywa rezystancja
r 1 transformatora sieciowego. na podstawie
danych znamionowych uzwojenia wtórnego Une/ >]nef oraz ,\
spadek przy znamionowym. Jest on zdefi-
niowany jako stosunek skutecznych biegu do na-
znamionowego
Wynika na
r.=
Uoef -
-~--~ une/ une/O
= -~--- - Su)
(18.2)
t ]nef !nef
wwwwwwwww------.w .•.•...•.··········
············
·,•,•.•,•,
•,•,•,•
,•,•,•,•,•,•,•
···----= - •.w .•.,==""•==--- ·
18. l. TRANSFORMATORÓW SIECIOWYCH 561
B :~~:::;::i:::;:;:::::::::
:= "'X1
:=::: f t:::.-81~~»"'::::~::::::::::::::::::
:::::: .:::::::
::::::_::::::::::::
:·
illili 18.2.Prostowniki
sieciow
&::l~:=:=,
:·:·:·:·:·:·:·:·
:::·:·
:·:·:·:·:·:·:::::,:,:,
:,:?Jff:§.1t%~~~'%.'\~$W
:E;·=·=·=·•
·=·=•:·•·:·•·•••••
••·•
·•·=:•
·•·•
:~:
18.2.1.Prostownik
N . . . , Utpp = -lwr
Cf
(1- Jr..,
- )
Rr,
2
Minimalne Uwrmrn Uwr - - U,pp
3
u(t}
I
I
I
I I
I I
I I
'/\
I
I
'
I
'I
562 18.
wy3sc10wego,kondensator zostanie ponownie do wyj-
którego od rezystancji transformatora.
Na rysunku 18.2 przedstawiono przebieg w stanie
ustalonym. Ze na stosunku czasu do czasu
silnie maleje przy niewielkim
niu. Z tego powodu opisywany jest zalecany tylko dla
Wyprowadzenie wzorów umieszczonych obok rys. 18.1 podamy
w punkcie, prostownikowi mostkowemu.
18.2.2.Prostownik
mostkowy
Stosunek czasu do czasu kondensatora C
znacznie obie zmiennego .
to w mostkowym pokazanym na rys. 18.3. W czasie
diody ujemny zacisk transformatora z a dodatni z Ma-
ksymalne wsteczne jest w równe biegu
wzorem
(18.4)
------o+ iwr
Szczytowy
ly...,= Uwvof J2r 1R 1,
przewodzenia lp 00 = - lwy
przewodzenia
2
N . . U,,,,, = --lwy
. .
2C f
(l- :/·-- 2RL
ri )
2
Minimalne wyj.friowe UwYmin Uwy - - u,pp
3
Moc znamionowa transformatora P.,, = (1,2 ... 2) Uwrlwr
Po równania (18.5)
rezystancja zmiennego ma r;
cy na ma bardzo rezys-
kon ieczne szeregowej rezystan-
cji w celu ograniczenia maksymalnego szczytowego przewodzenia. Na-
to szczególnie w przypadku prostowania na -
sieci. Prostowanie jest pod tym korzystniej-
sze od szczytowa jest razy /2
mniejsza.
skuteczna impulsów jest od ich warto-
Dlatego nie chcemy dopuszczalnej mocy
strat w transformatorze, moc powinna mniejsza od mocy
znamionowej transformatora przy rezystancyjnym.
~m, w,•,•, •,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,w,•,•,•,• ,•,w,,·,,·.wN ,w,• ,•,•,•,•,., ·•.~~---=.w,w,•,•,•,•,•...-,•,•,•,• ,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,• ,•,•,•,,• .•.•,, •. . ., ., •.•.w .•.w ., ."' ·"'·-"" '•'•'"W•'• '•'•'•'U,
564 18.
Moc z mocy oddawanej do lwyUwy
i mocy strat prostownika, ok . 2Uplwy· Dlatego moc znamiono -
wa transformatora powinna
(18.6)
gdzie a jest
skutecznej Przy prostowaniu wynosi on
ok. 1,2.
do granicy termicznej podanej wzorem (18.6)
nie jest jednak celowe; transformator,
a. Otrzymuje w ten sposób spraw-
tego wymiary transformatora, któ-
re wybierzemy nawet
zbyt transformator z rdzeniem to i tak nie spowoduje to
wzrostu strat biegu
kondensatora C jest na
Ich na podstawie który
z kondensatora w czasie ti
U - lwytr
tPP - C
, ~_!_(1-4~)r
f y2.ii; 2
(18.7)
2
UwYmin Uwy - 3 utPP (18.8)
2
Uwy = UwYmin+ 3 utPP = 32 V
---·-----~'-"'------------
---
--we,-,
-,-,-,-,
_____________,_,_,_,_,___
___
._.,.
...,---,----,
--,-,--,-,-,-,
---------------------·-·-·-·-··'-"'-"'--''-"''--
h'"=-- -
]8_2, PROSTOWNIKI SIECIOWE 565
a z równania (18.6) dla a = 1,5 obliczamy moc transformatora
PN= alwy(Uwy + 2Up) = 1,5 A(32 V+ 2 V) = 51 W
3
n
2
ri -- R N (Su -
1) -- U;et
p (Su -
1) -
. -
( 51
0 V)
W (1>15 - 1) = 2' 65
N
Uner= 25 V,
C= Iwy (1-
2UrPPf
40;)=
y"iR;, 2·3V·50Hz
lA (1 - 4 1,840 )
J2 ·320
2000 µF
~-
...........
............ ..........
....
..................,,,,,,,,,,,,,.,,,.,.,.....,.,.,.,.,.........,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.
,.,.,.,
.,.,•,•,•,•,•,· ·····....
··············~·-·.-.·, ~-
........................... ......... .•.,.,...,.,.,.,.,.,.....,.................
..............,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,...,.,.•.• ...........
566 18.
biegu wynosi 39 V. Tyle powinno minimalne
pracy kondensatora. W przypadku transformatorów z
wtórnych obliczenia tak samo. Za PN podsta-
wia moc uzwojenia wtórnego. Moc
stanowi mocy Decydu j e ona o doborze rdzenia i tym samym
o su.
18.2.3. z dzielonym
uzwojeniem
wtórnym
Prostowanie przez
wyprostowanie dwu zmiennych o przeciwnych fazach. Zgodnie z
zrealizowano prostownika z rys . 18.4. Z podanych pod rysun-
kiem parametrów zachowane parametry mostkowe-
go, a ponadto, w okresu tylko przez
(a nie przez dwie, jak w przypadku mostkowego), strata
spowodowana przewodzenia diod jest mniejsza o
iwy f iwy I~
( WY C IUwy
18.3. stabilizatory
Do zasilania elektronicznych jest potrzebne na
o utrzymywanej z 5 ... 10%. Tolerancja ta
powinna zachowana w zakresie zmian sieci,
nia i temperatury. na nie powin-
no kilku miliwoltów. Z tych opisa-
nych dotychczas prostowniczych nie nadaje do zasi-
lania elektronicznych, lecz musi poddane stabilizacji i filtracji
w stabilizatorze
parametry stabilizatora to:
- i jego tolerancja;
- maksymalny i zwarcia;
- minimalny spadek który jest do stabilizacji wyj-
(w katalogach nosi on na i
(dropout voltage) , w skrócie go
- stabilizacji (line
- stabilizacji (load rejection).
18.3.1.Najprostsza
realizacja
Najprostszym stabilizatorem szeregowym jest wtórnik emiterowy, którego ba-
za jest do odniesienia. odniesienia
np. za stabilistora (diody Zenera) z niestabilizowanego
UwB, jak to pokazano na rys. 18.6. Inne
poznamy w punkcie 18.4.
568 18.
Tt Iwr
+ o-- ---, .- -~
u~
) R1
1
wyj.friowe Uwr = URBI' - U88
rwy= =
gm
=
18.3.2.Stabilizatory
o (nienastawne)
570 18.
wzmacniacz T3 , T4 , który wraz z Darlingtona T 1 pracuje
jako wzmacniacz operacyjny mocy . Jest on ujemnego
zwrotnego przez dzielnik R 1R 2 ii daje na wzmocnione
odniesienia
Uwy
18.3.3.Stabilizatory
o regulowanej (nastawne)
Oprócz stabilizatorów o
stabilizatory nastawne (np. seria 78G). Zrezygnowano w nich z dzielnika na-
R 1R 2 , a za to wyprowadzono wzmacniacza jak t~ pokaza -
no na rys. 18.11. one cztery Za
z dzielnika R 1, R 2 dowolne wyj-
w zakresie UREF 5 V.:::;Uwy < UwE- 3 V.
572 18.
stancji R 2 spadek równy UREF ·
wzmacniacza operacyjnego jest wtedy równa zeru.
stabilizatora z rys. 18.12 nie bez
nia, nie wtedy zasilania wzmacniacza
Z tego powodu celowy jest dobór rezystancji dzielnika
R 1, R 2 . wybierzemy, np. R 2 = 240 n, przy odniesienia
UREF = 1,25 V 5 mA. Wówczas 100 µA ze
odniesienia nie w sposób spa-
dku na rezystancji R 1 .
18.3.4.Stabilizatoro spadku
Jak na rys. 18.9, stabilizatora
ze spadku 0,6 V na rezystorze R 3 , baza-emiter
Darlingtona równego 1,6 V i minimalnego na I1
ok. 0,3 V. Tak na i wynosi
2,5 V. Stanowi to szczególnie przy stabil izacji wyj-
w przypadku stabilizatora 5 V otrzymuje moc strat wy-
co najmniej 50% mocy do wyrównania
sieci i jest potrzebny jeszcze dodatkowy spadek
otrzymuje jeszcze moc strat . Praktycznie jest ona równa mocy wyj-
Odprowadzenie wiele trud -
Scalone stabi lizatory zabezpieczenie termiczne, które
w przypadku nadmiernego wzrostu temperatury redukuje
Z tego jak
nicowego W z rys. 18.9 to przez zasi-
lanie pomocniczym o kilka woltów od
Takie zastosowano w scalonym stabilizato -
rze LM 396-5.
Prostszy sposób zmniejszenia pole-
ga na zastosowaniu tranzystora mocy pnp, jak to przedstawiono na rys. 18.13.
r,
juwv
1
Rys. 18.13. Stabilizator o spadku
.,._...
,.,.,....
.,.,·
.··=.-. ..,.•.•.•,.........,.•••,•.·,·.-.·.-.-.·.-.-.w=--www==_,....,._..,..,.
•,•,•.- ,..•.•,•.-.·.-.•.-.
•,..,,..•.-.·.•.•,•,•,;,,•,•,•,•,•,•,-.·,·············-"•"•'•'.,.,""'•'•"•'"'"'"'-""'•"N'rrr.r.-M',,..,..v,v.....,.,.,.,,..v.-,r,wr.-rr<','h'r,•,•,•,•,•r,•,
18.3. SfABILIZATORY 573
jest równe nasycenia tranzystora
mocy T1 . Przy odpowiednio bazy je na
poziomie 0,5 V.
Dla zapewnienia bazy tranzystora T 1 nie jednak
Darlingtona, to na-
o emiter-baza. Dlatego T 2 pracuje
w ze wspólnym emiterem. Ujemne zwrotne na
rezystorze R 3 ogranicza przy tym maksymalny i
zmniejsza obwodu regulacji do scalone na
tej zasadzie tylko w wersjach o (np.
LM 2940), ze na z wytwarzaniem tranzystorów mocy
pnp w monolitycznych scalonych.
Przy konieczne staje stosowanie dyskretnych tran -
zystorów mocy pnp.
ne w handlu wzmacniacze operacyjne.
R8 = 10 mQ
,-
. 2N 5745
I. .---'----,
I URE,
F
'--..------'
'
L_ 8 14 13
Rs R7 Rz R3
5,6 kQ 3,9 kQ 2,37H2 8,2Q
1W juw)'::sv
l
C2 C1 +
Rs
1kQ ju1 R1
1kQ 47, F 100fF
574 18.
zorowania pracy stabilizatora. Obwód regulacji odpowiada
z rys. 18.13. Wzmacniacz W0 1 stabilizuje tak , by
podzielone na dzielniku R 1 , R 2 równe odnie-
sienia. Przy podanych elementów wynosi 5 V.
W celu nadzorowania mierzony jest spadek na
rezystorze R 8 . zrówna on z ze
U2 , przejmuje wzmacniacz W0 2 i ogranicza do war-
Uwr = UifR 8 . U2 = const, uzyskuje charakterysty-
Przypadek ten ma miejsce np. wtedy, kiedy
sterowanego (wyprowadzenie 4) nie jest
U2 jest wtedy równe 150 mV. Istnieje jednak ustawienia ogranicze-
nia o charakterystyce z pokazanej na rys. 18.10, przez
, zmniejszanie U1 przy spadku
do tego rezystory R 5 do R 7 • Przy znamionowym równym
5 V otrzymuje U1 = 1 V. Wynika maksymalny
1
lwrmax= U2 /R = 10 Ui/R 8 = 100 mV/10 mn = 10 A
18.3.5.Stabilizatory ujemnych
Opisane stabilizatory wykorzystywane tylko do stabilizacji do-
datnich Za tych samych stabilizatorów
ujemne dysponujemy nieuziemionym
Odpowiedni jest przedstawiony na rys. 18.15.
Nietrudno nie uziemiony jeden
z zacisków niestabilizowanego, wtedy zwarty
albo stabilizator, albo Problem ten np . wtedy,
kiedy stosuje uproszczony do równoczesnego wytwarzania dodat-
niego i ujemnego zasilania, przedstawiony na rys. 18.15. W tym przy-
padku potrzebny jest stabilizator ujemnego jak to pokazano na
rys. 18.16. W scalonych stabilizatorach ujemnych serii 7900 i 337 kom-
plementarnych do serii 7800 i 317, tranzystor mocy pracuje w ze
...,
....,..
...,......
......,..
....,..
....... ....
.............
...
=·.-.v.-,,..s·------~--
. ....
.,..
...
....
........
. ....
......
.. ....................
.N"." .............. .
Stabilizator
+
C
Stabilizator
dodatniego
j-uw,
+ J dodatniego
Stabilizator
ujemnego
1-uwr
'I
1+
I Uwy
~ -{ =]-
R2
- ----<;>
t
18.3.6.Symetryzacja
nieuziemionego
W o zasilaniu bateryjnym problem wytworzenia
dwu stabilizowanych, symetrycznych masy zjed-
nego niestabilizowanego, nieuziemionego W tym celu za jed-
nego z opisanych stabilizatorów najpierw o war-
równej sumie obu a to na dwie
w stosunku. Jako dzielnik
cia, którego odczep jest z Takie jest tym lepsze,
im mniejsze rezystancje dzielnika Zmniejszenie rezystancji powo-
_...,.,...,.,.....,v.n,• ,•,•, ,,,n•~---~ -.-.-.-.....,._
._._._._._......_._._._
._._._._._._._._._-...
.._.._._
._.___ ""•' "'"'•'''"'''•"'''"''""''"-'A-....,._..,..,,.,,._.., ,,,,. ,_.,,,._.._,_._.
,,_.,,_.,,_,_._.
,,,•,•,•,•,•,•,•_.,,,,,,_.,,,•,•,•,•,•,•,•,•,._,,,_._.,.,•,
576 18.
duje jednak znaczny wzrost mocy traconej w dzielniku. Dlatego lepiej jest
dzielnik dwoma tranzystorami, z których prze -
wodzi ten, który po mniej stronie. Odpowiedni przed-
stawiono na rys. 18.19.
18.3.7.Stabilizator z dodatkowymi
zaciskami
pomiarowymi
Rezystancja rP przewodów stabilizator z wraz z rezys-
tancjami styków znacznie stabili-
zatora tego przewodów i
do zwrotnego, tzn. dokona pomiaru wyj-
jak odbiornika. Do tego celu zaciski pomia-
,.,., ........... ... w.-·u,• ,•,•r, •,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•.•,•,•.-.·.-vH ,','•'•'•' "'•'•'•' .....,.,.,,,.,.,.,, ... .,,,,,.,,._. ,.,•,•,•, •,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•, ,.,............ , ... ,. ... ._.,....w,,,...-. •• -.-.-.-.·.--.·.-.·
.-.-.-.........
~- ·-
'
I -
'
I
L_ __ __ ___ _
18.3.8.Zasilaczelaboratoryjne
UWY = - RR2 U
REFl
l
.......,.,.,
.. .................
..,.,.,,..
...........................
....
,,,,,,..............,.,.,.,.,.
,.,.,.,
.,..,,.,,.,,.,.,. ,,.,.,.,..........
....,..,..,.,.,.,....,.,.,...,,.
......
,...,.,
..........................
....
-= ..... ,.......................
.
578 18.
to Un > O. Wskutek tego wzmacniacza W0 2 ma-
i dioda D 2 zostaje zatkana.
W tym stanie pracy nie ma na stabilizacji
R4
IwYgr= RR UREF2
5 3
lwy t+ Uwr
Rs
18.3.9. scalonych
stabilizatorów
Oprócz stabilizatorów do specjalnych
dwie wielkie rodziny stabilizatorów: 7800 i 317. to w ze-
stawieniu w tabl. 18.3. W obu rodzinach stabilizatory
•.,-,,,....,...,,,._......,.,,.,,._._._
............. ,._...,....,..,..,...,,..,....,.,.,.
,.,V,r.-~-V,V'N'o''r,",-,......,._,,..._..._ ~--.N'-.-.,.,V
..,.,,f,AV. 0.",Vo"ro''ooW -....-.-,~ •. •.•.-H',H' ,',',', •,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,-.••·o ,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•.-,•,•,•.-.-
,.....
18.'.J.
. STABILIZATORY 579
ujemnych. O ile w serii 7800 stabilizatory nastawne wszy-
stkie stabilizatory 317 nastawne i tylko trzy wyprowadzenia . Nietrud-
no wszystkich typów stabi-
lizatorów wynosi 2 V i Stanowi to szczególnie w przypadku
stabilizatorów 5 V na wtedy moc strat w stabiliza-
Rodzina 7800
7800 I I
7900
Rodzina 317
wielu
wielu
+5 ... +24
- 5 ... - 24
11 A
lA
I 2
1,1
13 wyprowadzenia
3 wyprowadzenia
580 18.
torach jest od 40% mocy Dlatego
zasilacza 25%; znaczy to, moc trzykrotnie
od mocy oddawanej do zostaje przetworzona na
jedynie przez zastosowanie stabilizatorów
o Nie one jednak
w postaci scalonych przewidzianych na Przy budowie
z elementów dyskretnych , jak na rys. 18.14, i starannym zaprojekto-
waniu zasilacz 5 V o 50%. Inna
minimalizacji strat polega na zastosowaniu stabilizatorów impulsowych, opi-
sanych w p. 18.5.
1!18.4.Wytwarzanie odniesienia'
1
:::
111:~=~
=~=~=~=l=i~
~~:~~~~~:;:;:~:~:
i%~:i:m:1
:1:~r
=~=i=i=i=~=~=i=~=i=~=~:;:~:;:;:;:~=~=~=~=~=~=i=~=!:1:~:i:l:i:l:l:l:~:l:1:i:l:;:i:!:i~i:i:~~m=1:i:J:::m:
~:fu~~
:~~=i
=~=~~§;~
W stabilizatorze jest odniesienia , z którym
jest porównywane nie
lepsza od odniesienia. Z tego powodu zajmiemy
zagadnieniami z wytwarzaniem odniesienia.
18.4.1. odniesienia
ze stabilizatorami
Najprostsza metoda wytwarzania odniesienia polega na tym, by
w sposób pokazany na rys. 18.22 niestabilizowane
przez szeregowy rezystor na stabilistor. stabilizacji jest
czynnik stabilizacji (line regulation) podawany naj-
w dB. W z rys. 18.22 wynosi on
I
+o-- - 0 1--+-- --0+
uwA D fuREF
1 1
Rys. 18.22. Stabilizacja Rys. 18.23. Poprawa stabilizacji
za stabilistora za
>-- - - --o+
tuR
EF
1
A
u.Up= r
Z
+'zR 3 AU
REF
R1
!!.UN= -- - - 1!.UREF
R1 +R2
l!.Uzz = AUwE
wynika
582 18.
ok. 10 000. zmiana
go jest mniejsza 10 V, to zmienia o mniej 1 mV.
Znacznie wahania zmiany temperatury.
temperaturowy zmian Zenera w gran icach
± I o- 3 /K . Przy jest on ujemny, a przy dodatni. Jego
typowy przebieg pokazano na rys. 18.25. dla Zenera ok.
6 V jest on najmniejszy. Przy go przez
szeregowe diody spolaryzowane j w kierunku pr zewodzenia . Tego
rodzaju elementy pod diod referencyjnych (reference diodes).
C(
[%./K]
1,0
0,5
o__ ......_
_ __,_,<-- -'- - -'- -- -'-- - -'-- - -
2 10 20 50 1{]0 Uz[ VJ
- 0,5
- 1,0
R2
= Ur -- (1 + n)lnn = ku Ur= UrEMP
R1
n lub R 2 /R 1 ku;
temperaturowy UTEMP · temperaturowy
równy +2 mV/K, wybierzemy ku~ 23, wtedy
dUne = U»E _ UG = _ mV
2
dT T T K
586 18.
1'/równa stosunkowi mocy oddawanej i mocy pobieranej wynosi
+-
ciej tylko 25% do 50%. Moc strat wzorem
Transformator
Prostownik Klucz Filtr
sieciowy
Regulator
Transformator
Prostownik Klucz Prostownik Fi/fr
w.cz.
Izolacja
Regulator K --- ---'
galwaniczna
18.6.Stabilizatory
impulsowe
kluczowane
po stroniewtórnej
Na rysunkach 18.30 ... 18.32 przedstawiono trzy podstawowe rodzaje konwer-
terów (przetwornic) (DC-DC converter). z nich
z trzech elementów: klucza K, Li kondensatora C.
z trzech daje jednak inne
W z rys. 18.30 w
od przebiegu w zakresie UwE... O V.
W z rys. 18.31 UwE = Uwr, gdy klucz znajduje w górnym
W dolnym klucza w jest magazynowana energia ,
która dodatkowo zostaje przekazana na kiedy klucz wróci z powrotem
w górne Dlatego jest od
588 18.
W z rys. 18.32 energia jest magazynowana w w czasie,
kiedy klucz jest w lewym. Po w prawo
zachowuje swój kierunek i kondensator (przy dodatnim wej-
do ujemnej.
Uwr < 0
18.6.1.Konwerter
lwe,1v = - '··
T
lwr lwEmax= lwy
t
Rys. 18.34. Przebiegi i
(18.11)
1 . T ( Uwr)
lwYmin= 2 !izL = 2L . Uwy 1 - UwE (18.12)
U1b
:;:
{J -~-------]±T p
Rzeczywisty
I
H
I I
~
I
li
I I
t"
/
/
.,,..--
_I---
ldealn
il I fon I I toff I I I,
t-- I I i I,
: I I I A
I I I I
I I I lwy
t lwrmin lwr
Rys. 18.35. Przebiegi i w konwerterze
Rys. 18.36.
dla p = t0 ./T od
lwr przy
lwrmin = - T Uwy ( 1 --- Uwr)
2L Uwe Uwr
(18.14)
- uiEpzT
Uwy-
2Liwy + UwEPz T
albo p = (18.15)
L = r(1- Uwy)
UwE
Uwy
2IwYmin
(18.16)
(18.17)
18.6.2. Wytwarzanie
p= - ton = -- UR
T Upm
jest proporcjonalny do uR.
UREF
- kUwy Uwv
Na otrzymamy odniesie-
nia i UREF- kUwr· We wzmacniaczu o cha-
rakte rystyce (Pl) uR jest tak
592 18.
rozmca równa zero. Wtedy równe
Uwr = URBF/k.
Projektowanie stabilizatora impulsowego na na-
stabilizator impulsowy o 5 V przy
maksymalnym równym 4 A; minimalny powinien wy-
0,5 A, a ok. 20 V. do tego celu np.
stabilizator impulsowy L 296 firmy SGS (rys. 18.39).
jako stabilizator filtr LC na i kilka rezy-
storów i kondensatorów . Stabilizator impulsowy ma z
50 kHz; wynika okres 20 µs. Zgodnie z równaniem (18.11)
otrzymuje czas t 0 n
U SV
t =T ~ =20µs -- =5µs
on UwB 20 V
.zov
OJµF T C1
L ___ __ __ __ __
Uwy= 5 V; lw,max = 4 A; 1,5 V ... 50 V
L = T( 1- - Uwr)
- _ Uwr = 20 µs ( I - --5 V ) - --
5 V
___;,;_ ...=__ = 75 µH
UwB 2! WY min 20 V 2 · 0,5 A
Pwr 20 W _
11= PwE =
0
20 W+ 6 W - ?71/o
18.6.3. Konwertery
594 18.
L ft O lit
+ ~+ Uwy -- --r-~ - ~ r--
UwElt A,j
111(" tl_ I
I
1
+ C" TtUwr I I
18.6.4.Konwertery
Konwerter (inverting converter lub inverting regulator) i odpowia-
jemu wykresy czasowe przedstawione na rys. 18.42 i 18.43. Nietrud-
no wtedy, kiedy klucz jest otwarty, kondensator przez
do ujemnego Wzory podane obok rys. 18.42 otrzymuje
w tym przypadku z warunku zmian podczas
fazy i otwarcia klucza .
Uf
I ,
r--
I I
t,,. Uwy ----+- J.1..- _ __.
Uwr = - Uwe
596 18.
w tabl. 18.7 na one jednak dodatkowego
czenia tranzystora mocy.
Tablica18.5. Regulat ory do stabilizatorów impulsowych z kluczowaniem po stronie wtórnej
ze scalonymi tranzystorami mocy
1
Maxim 3...18 12, ± 15 lOOmA
I 20 200
18.7.1.Konwertery
z pojedynczym
kluczem
Konwerter z pojedynczym kluczem (single-ended converter) z rys. 18.46 stanowi
stabilizatora impulsowego z kluczowaniem po pierwo-
tnej stronie transformatora. Otrzymuje go z konwertera
pokazanego na rys. 18.42 przez transfor-
matorem . Gdy klucz K jest energia jest magazynowana w transfor-
matorze. Po otwarciu klucza jest ona oddawana do kondensatora
cego. Dlatego otrzymuje tu takie samo na
jak w przypadku z rys. 18.42. polega tylko na tym,
jest tu zmniejszone o n transformatora. Przebieg czaso-
wy na kluczu jest przedstawiony na rys. 18.47.
+o---~
n:n:1
~--_J
02 L
Uw,
1•• UwB
Uwr = - ·- - dla Iwr > Iwr,,.,.;
T n
.--- l':>l-...-..rYY'---..- - -0 +
fuwr
Dz
( u c••
U -2 ~ ·~ - <0 5·
wr - T n ' T '' UK"'""=2Uw„
Rys. 18.50. Konwerter przeciwsobny Rys. 18.51. Przebiegi czasowe
z zasilaniem
18.7.3.Transformatory
wielkiej
Gotowe cewki w szerokim asortymencie: o od
10 µH do 10 mH i na od 0,1 do 60 A. produkowane przez
wytwórców. Dlatego nie musi sam ich Inaczej
da sprawa z transformatorami wielkiej Tylko przypadkowo
na gotowy transformator o odpowiednich danych technicznych.
Z tego musi na sam parametry transfor -
matora, a niekiedy nawet go
w transformatorze wynosi zgodnie z prawem
Faradaya
d<P dB
u(t) = z- = zS - (18.18)
dt dt
LlB=Bm
Llt = tonmax= Pmax· T = Pmaxff
Wynika
(18.19)
(18.20)
602 18.
wnikania nie ma sensu. Aby mimo to wymagane przekroje,
specjalny przewód tzw. w.cz., w której od siebie odizolo-
wane. Korzystne jest zastosowanie odpowiednio cienkich kabli
kich lub folii miedzianych.
o
[mm]
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
18.7.4.Klucze
Przy doborze kluczy do wszystkich stabilizatorów impulsowych
takie same zasady. Kluczami w stabilizatorach impulsowych tran-
zystory bipolarne i tranzysto ry mocy MOSFET . Tyrystory
dopiero przy mocach kilowatów i dlatego nie nimi tutaj
Moc do Uc8 = 50 V: 50 W
Ie
Moc przy Uce = 500 V: 5 W
[Aj
Moc w impulsie 5 µs przy Uce = 500 V: 2500 W
5
0,1
Przebicie
wt6rne
10m ~ --___._ _ __ _,_ _ __, __ _
1 10 100 500 UcE{V}
Z nasyceniem
ue
eLJ~ __ ..____ ,_ ts .:1
t
t"
Rys. 18.56. Czasy tranzystora bipolarnego z nasyceniem i bez nasycenia: Ir - czas
opadania; t, - czas narastania; t, - czas magazynowania
.-,,•,w, ·,·················,m, = www - -""'"" """"•' '" •'•'•"' ········,•,•,•,•,•,•,•,•,•,
•,•,•,•,•,•,•,wc, •,•,w N ,W NN ·-- -- ·v= ,.wN ,'.W ,'" •'""" •' '•'•" •"• '•'•'•'•····w ,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,
•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,, ,
604 18.
W stabilizatorów impulsowych w celu zapewnienia prawid-
pracy przy lwy< lwYmln•
czas t0 n, w którym klucz jest powinien jak najkrótszy. Aby to
powinno bardzo szybkie. Dlatego w przypadku
tranzystorów bipolarnych staramy nie do ich nasycenia
(UCE> UcEsar) w ten sposób czasu magazynowania. Nary-
sunku 18.56 przedstawiono tranzystorów z nasyceniem i bez
nasycenia.
Zasadniczy pracy tranzystora bipolarnego jako klucza mocy jest
przedstawiony na rys. 18.57. W celu tranzystora
klucz K w górne bazy przez
rezystor R 1 • Wskutek tego szybko wzrasta kolektora i czas opadania
na kolektorze jest krótki. Gdy kolektora spadnie
bazy zaczyna dioda Schottky'ego, która zapo-
biega nasycaniu tranzystora. przez R 1 jest
wówczas odprowadzana przez do kolektora, a stanowi
bazy o punktowi pracy. Do zatkania tranzystora nie
wystarcza bazy, lecz kierunek tego
w celu odprowadzenia przestrzennego zgromadzonego w obszarze ba-
zy. ma to szybko, jest potrzebny ujemny bazy. Jego
rezystancja R 2 • takiego przedstawiono na
rys. 18.58. Komplementarny wtórnik emiterowy T 2 , T3 zapewnia
bazy. Rezystor RB ogranicza bazy. Dioda
nasyceniu D 1 powoduje, kolektora jest od bazy.
Scalonymi na tej zasadzie np.
UAA 4002 i 4006 firmy Thomson, bazy do ± 1,5 A.
+ ++ + ++
R1 RL RL
D1 C
Tz
§,
B
r, r,
D1
+310V
+10V +10V
606 18.
18.7.5.Wytwarzanie
konwerterami z pojedynczym kluczem za
modulatora impulsów, jak to pokazano w p. 18.6.2. Do
sterowania konwerterami przeciwsobnymi potrzebne dwa o modu-
lowanej impulsu, które na w stanie aktywnym.
takie modulator impulsów
z rys. 18.37 przez przerzutnika T; otrzymamy wówczas przed-
stawiony na rys. 18.62.
Up
Q
I I
-....;
:___~,_....
:___r
I ---
tonf
S2
I. T .I
Rys. 18.62. Przeciwsobny modulator Rys. 18.63. Przebiegi czasowe
impulsu
Regulatori s,
odniesienia Sz
Potencja[masy sieci
U.z
I I I 1, I
IL I I I I t
__ ...J L __ _J
L-
Potencja[masy Potencja[
sieci
18.7.6. Analizamocystrat
trzy rodzaje strat o stabilizatora impulsowe-
go. Straty statyczne z poboru przez modulator im-
pulsów i sterowania oraz ze spadku na kluczu i prostowniku
Nie one od Straty dynamiczne
,•,•,•,•,•,•,•,•,•,w -=wuuumm.v- ,•,•,w ,,, ,.,,,,,,,,,,w ,w .,._w,w,w, •,•,•m.w===•wwwwww--= ··· v M, .... ,. •,•,,.,, •,•,•,•,•,•,•,•,•,•, ,•,•,•,•,•,•,•,.,,,.,,,.,., ,,,,.,,,,,,,,,,,,,' ,"""
608 18.
wskutek kluczy i magnesowania transformatora oraz
one w proporcjonalne do
Straty w transformatorze w.cz. i ze spad-
ku na rezystancji czynnej (tzw. straty w miedzi).
zgodnie z równaniem 18.19 przy otrzymuje
zwojów, straty te odwrotnie proporcjonalne do
Na rysunku 18.67 przedstawiono tych trzech rodzajów strat od
Korzyst ny zakres pracy to 20 ... 200 kHz. Wprawdzie przy
szych elementy magnetyczne mniejsze i wobec cze-
go straty ale szybko straty dynamiczne i one decy-
o sumie strat.
Il! 1A
U = L, Tt = 100 nH · ns = 100 V
100
generatora [AJ
Do konwerterów z pojedynczym kluczem
3842 wielu 300 kHz ± 0,5 CMOS
SG3528 Silicon Gen. 3 MHz ±0,2
TDA4919 Siemens 200 kHz ± 0,5 wyster.
TC172 Teledyne 1 MHz ±1 pobór
MC44602 Motorola 500 kHz ±I wyster.
UCC3570 Unitrode 500 kHz ±l pobór pr~u
1
> Zawiera nadzoru dU/dt, dl/dt i I'"'"' dla tranzystorów MOSFET.
:(i:\·...•,•,•,:~:~:~:~:~:~:~:~:~:~:~:~~:~:~~~~1~
?1§~T:i~~~:.*~~?~;,:::1::*~:~:::~:;:;:
,,,,,,:;:;:::
::::::;::::::
1?19.1.Sposobyprzedstawiania
liczb
cyfrowe tylko tj. dwuwarto-
Wynika z ogólnie systemu dzie-
na system binarny. przedstawimy sposoby reprezentacji
liczb w postaci binarnej.
19.1.1.Liczby dodatnie
w naturalnym
kodziedwójkowym
Naturalny kod dwójkowy jest najprostszym kodem binarnym. Pozycja cyfry jest
kolejno liczby 2. Dla reprezentacji
N-pozycyjnej liczby w kodzie dwójkowym prostym mamy
N- 1
XN = xN - 1 . 2N-1 + XN-2. 2N - 2 + ... + X1 . 21 + Xo. 20 = L xi2;
i= O
•• mu •••• ,.,•, ,-..,., ,..,_,,,.__ === ·~ ---- vm,uu.,==u .. v.-,u ,•.,•,•.,•,•,•,•,"""'""'"""""""" ~--m ---v -,w- •-w---w---w-·-----------·,-,-,'-'
•'•'•-•'•'•-•
1 1 1 O 1 1 1 O O 1 O 1 O 1 dwójkowa
1525310 = 2 13 20 ..
waga pozyc31
3 5 6 2 5 ósemkowa
1525310 = O1 1 1OI 1I O O1O 1 O1 dwójkowa
212 29 26 23 20 waga pozycji
84 83 82 81 go
3 B 9 5 szesnastkowo
1525310 = OO I 1 1 l O 1 1 O O I O1 O 1 dwójkowa
212 2s 24 20 waga pozycji
163 162 16 1 16°
1 5 2 5 3
1525310 = OO O 1 O 1 O 1 OO 1 O O 1 O 1 O O 1 1 BCD
104 103 102 101 10° waga pozycji
Liczba w postaci
Liczba ujemna daje na najstarszej pozycji
zostanie umieszczony bit znaku s. Zero oznacza a jedynka
Poprawna interpretacja znaku liczby tylko przy
dla 8-bitowego:
+ 11810 = [QJ 1 1 1 o 1 1 02
-11810 = OJ 1 1 1 o 1 1 02
6 5 4 2
( -1)9 2 2 2 23 2 2 1 2°
dla 8-bitowego:
+ 11810 = lli] 1 1 1 o 1 1 o
BN
-11810 = w o o o 1 o 1 o
X
- 27 26 2s 24 23 22 21 20
dodatniej reszty X
1111 ... =
Il 2N
- 1
od niej BN otrzymujemy
w której wszystkie bity negacjami odpowiednich bitów BN. Licz-
ba taka nazywa do JJ<Jlliczby BN. mamy
(19.1)
(19.2)
11810 = 01110110
do 10001001
+ 1
do dwóch 1OOO1O10 = - 11810
Przejfri e odwrotne:
do 01110101
+ l
do dwóch 01110110 = + 11810
Rozszerzenie liczby (sign extension)
na dopisuje
na dodatkowe zera. W zapisie do dwóch
inna bit znaku .
8 bitów 16 bitów
11810 = o111 o11 o = 0000000001110110
- 11810 = 10001010 = 1111111110001010
'----r--1
rozszerzenie
127 o 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
1 o o o o o o o 1 1 o o o o o o 1
o o o o o o o o o 1 o o o o o o o
-1 1 1 1 1 1 1 1 1 o 1 1 1 1 1 1 1
-127 1 o o o o o o 1 o o o o o o o 1
-128 1 o o o o o o o o o o o o o o o
Rys. 19.J. do dwóch a kodem binarnym z
19.1.4.Liczbydwójkowe
Analogicznie jak dla dwójkowy definiuje tak,
pozycje po przecinku interpretowane jako kolejne ujemne.
1 I O O O O 1, 1 1 O 1
225,812510 = 27 26 2s 24 23 22 21 2o i-1
2 -2 2-3 2-4
19.1.5.Liczbydwójkowe
zmiennopozycyjne
Analogicznie jak dla liczb zmiennopozycyjnych
X= M. lOE
gdzie M jest aE
srowa
I. t 32 1
.
ls!e e0!.m,
pojedyncza 7 m23!
podwójna !sje e !,m1
10 0
i= l
--~ '---v----'
+ 255 O
19.2. Konwertery
kodów
19.2.1.Konwersja
liczbydwójkowej
na BCD
konwersji liczby zapisanej w kodzie dwójkowym na BCD
jest jednoczesne odliczanie impulsów w dwóch licznikach: binarnym i BCD.
Gdy oba liczniki z zera i zatrzymane wtedy , kiedy w licz-
niku binarnym zostanie liczby przetwarzanej, na
tu w jaki sposób
na BCD . Liczby do
9 nie zmie-
nione, liczby od 9 jak pseudotetrady . Podobnie
liczby
4-bitowe. W tym celu przesuwa
od najstarszego bitu w lewo, tak jak
pokazano na rys. 19.5, w tetrady BCD kolejnym pozycjom
Grupy (tetrady) BCO
Setki Oziesia.tki
,__ 11011010
,__ 1011010
1 1 - 011010
1 1 o - 11010
+3
1 O o 1 - 11010
o o 1 1 - 1010
It Io o 1 1 1 - 010 +3
I, o 1 o 1 o - 010
1 Io 1 o 1 Jo o - 10
+30
1 oJo o o 1 IoIo - 10
1 I o oJo o oIoI, I ..--o
-
+3
1 I ojojo oj , IoIo I - o
I1 oj ojoJo 1 j oJoJol
2 8
Rys. 19.5. Konwersja liczby BCD na 218 jako
Funkcja
I X4 X3 X2 X1 y.., Y3 Y2 Y1 y
o o o o o o o o o X
1 o o o 1 o o o 1 X
2 o o 1 o o o 1 o X
Binarna- BCD 3 o o 1 1 o o 1 1 X
4 o 1 o o o 1 o o X
5 o 1 o 1 1 o o o X+3
Y4 Y3 Y2 IJ1 6 o 1 1 o 1 o o 1 X+3
7 o 1 1 1 1 o 1 o X+3
8 1 o o o 1 o 1 1 X+3
9 1 o o 1 1 f o o X+3
11011010
1000011000
'-r./ '--..--1
2 1 8
Setki Dziesio,tki
I
Binarna -BCD
I
Binarna - BCO I
I
I I
Binarna - BCO
I
I
Binarna - BCD I
L. .J
Ye Y7 Y6 Ys Y4 Y3 Y2 Y1
Rys. 19.8. Zasada scalonego konwertera liczby binarnej na BCD SN 74185)
19.2.2.Konwersja
liczbyBCDna
W wielu przypadkach kod BCD w sposób
np . liczników BCD . Na kodzie tym, jak
wiele operacji arytmetycznych. Niekiedy jednak jest
potrzebna jego konwersja na kod dwójkowy. to za
kolejnych przez 2: dzielimy przez 2. jest nieparzy-
sta pozostaje reszta 1; oznacza to, pozycja 2° wynosi 1. Iloraz dzielimy
znowu przez dwa, reszta wynosi O, to na pozycji 2 1 stoi O, gdy pozostanie
reszta 1 na pozycji 21 stoi I. Podobnie z kolejnymi
pozycjami liczby.
Dzielenie liczby BCD przez 2 przez przesu-
wanie w prawo o poszczególne cyfry BCD w po-
prawnym kodzie binarnym (od O do 9). Bit w prawo jest
nie Przenos zenie jedynki z jednej grupy BCD do kolej-
nej wprowadza przy z grupy do jedynek powinna
jej waga z na podczas gdy w liczbie dwójkowej zmie-
nia na osiem. zatem 3. W ten sposób
gotowy przepis na najstar szy bit dekady po wy-
nosi 1, od dekady 3. otrzymujemy natychmiast
prawdy z rys. 19.9. Konwersja wówczas, gdy liczba
BCD zostanie z grup BCD .
Na rysunku 19.10 przedstawiono kombinacyjny do konwersji 2 1/r
-cyfrowej liczby BCD . Analogicznie do konwertera z rys. 19.7 efekt przesuwania
grup BCD przez ze identycznych
kombinacyjnych. Aby rysunek przejrzysty, dla kroku zamieszczono
Funkcja
I X4 X3 Xz X1 Y4 lj3 !Jz !J1 y
o o o o o o o o o X
1 o o o 1 o o o 1 X
2 o o 1 o o o 1 o X
3 o o 1 1 o o 1 1 X
4 o 1 o o o 1 o o X
5 o 1 o 1 o 1 o 1 X
6 o 1 1 o o 1 1 o X
BCD-,,. Binarna
7 o 1 1 1 o 1 1 1 X
8 1 o o o o 1 o 1 X-3
9 1 o o 1 o 1 1 o X-3
10 1 o 1 o o 1 1 1 X-3
IJ4 IJ3 Yz Y1 11 1 o 1 1 1 o o o X-3
12 1 1 o o 1 o o 1 X-3
13 1 1 o 1 1 o 1 o X-3
14 1 1 1 o 1 o 1 1 X-3
15 1 1 1 1 1 1 o o X-3
Setki Dziesio,tki
2 1 8
,...,., ,--A-,. r--'---.
1 O OO O 1 1 O O O
r ---, r -
I 11
L ___ _j L _
, ----, r--
1 II
L _ _ _jL_
0011011010
Xe X7 X6 X5 X~ X3 Xz X1
-1
I
BCO- binarna '
BCD- binarna
I
'
BCD - binarna
II
L _J
YB 'h Y6 Ys Y-t Y3 Y2 Y1
Rys. 19.11. Zasada scalonego konwerlera liczby BCD na (typ SN 74S484)
······
· • ········:········::·····:·····:················
··-·.<·.·
··~-
~*~~~~),: ;..·..· ····:··
· ··
·······················
· ····
·······
·-~~*~~-..~~-
-~:~>~
·-·~;i;i;i;i;~
:ii~I;~;i;i;~;;:;~;
.3. KombmacyJne (barrelshifter) ,@,i]=i\W?=],
!
:~~=~~:~~~~:~:~:~:~:
~:~:~:~{:~
:~:~t=~=
~=~=~=~=~=~:~:~=~=~~=~~:~1:~
~::s~i.$.R~t-sP~
..;J~
:m:m
:1:1:~:i:~
:r:~
=~=l{:rrrr~=t~~@
MAf;<~«:~ ..~
~i~::
.......
..:i:~:;:i:l:~:i:l:l:l:l:rrr ~:~:~=~:~:~:~:~:1:1:;:;:1:~~;:
..:;:;:;:1:
X-1 X-2 X- 3
O 1 2 3 O 1 2 3 O 1 2 3 O 1 2 3
Multiplekser Multiplekser Multiplekser Multiplekser
Y1 Yo
a1 ao Y3 Y2 Y1 Yo
o o X3 Xz X1 Xo
o 1 x2 X1 Xg X- 1
1 o X1 Xo X- 1 X-2
1 o Xq X-1 X- 2 X-3
3 2 1 O -1 -2 - 3 3 2 1 O -1 -2 -3
Kombinacyjny
rejestrprzesu.wajqClj Kombinacyjnyrejestr
3 2 1 O 3 2 1 O
Y3 Y2 Y1 Yo
X3 X2 X1 Xo
3 2 O - 1 -2 -3
ao Kombinacyjnyrejestr przesu.wajqcy
a1-'-- - -.--- --.--- -r-- -.---'
'IA.=8
a b Yo.>b Ya =b Ya <b
o o o 1 o
o 1 o o 1
1 o 1 o o
1 1 o 1 o
Rys. 19.17. Tablica prawd y komparatora Rys. 19.18. Jednobitowy komparator
jedno bitowego
b3 a3 b2 a2 b1 a1 bo ao b3 a3 b2 az b1 a1 bo ao
Kompar ator K2 Kompar .ator K1
A<B A=B A>B A<:.B A=B A>B
b3 a3 b,a2 b1 a1 bo ao
Komparator K5
A<B A=B A>B
ft 19.5.Sumato
:::!W
fflfJi:fit?.
Mt:::::::::::::::::::
:::.:::
:.
19.5.1.
Sumatory dwie liczby binarne. Zajmiemy tutaj
sumatorami liczb dwójkowych. Najprostszy przypadek wówczas,
gdy trzeba dwie liczby jednobitowe . Aby móc odpowied-
ni logiczny, wszystkie przypadki i
tablice funkcji logicznych.
Przy dodawaniu dwóch liczb jednobitowych
przypadki:
0+0=0
O+ 1 = 1
1+0 = 1
1 + 1 = 10
ao bo So C1
o o o o
o 1 f o
1 o 1 o
1 1 o 1
19.5.2. sumator
s; = a1 EBb1 EBci;
s; C1+1 = a1b1 + G1C1+ b1C1
Funkcja
ai b; Ci Pi g; r; s; C/+1 E
o o o o o o o o o
o 1 o 1 o o 1 o 1
1 o o 1 o o 1 o 1
1 1 o o 1 o o 1 2
o o 1 o o o 1 o 1
o 1 1 1 o 1 o 1 2
1 o 1 1 o 1 o 1 2
1 1 1 o 1 o 1 1 3
bo ao
So
19.5.3. propagacji
_-
nia 19.3 otrzymujemy kolejno poszczególne przeniesienia:
..... ........................
....,..,..,.... ........
.,.,.,.,.,.,.,.,.,.•.,.,..,.,.,. ,.,.,.,...........................
..................,.,.,.,.,.,.,.,...................
........
... ,.....
.......... ...........................................
,.,.....
,.•.•. ....
,.....
.......,..,~.,..,....,..,.,..,. ......
,.•.•.•.•.•
.,.,•,•.
632 19. CYFROWE ARYTMETYCZNE
C2 + PJ.PoCo (19.4)
C3= g2 + P2C2= g2 + P2g1 + PiPogo +
C4= g:i + p3 C3= g3 + p3g2 + P3 P2g1 + P3P2P1go + P3P2P1P0Co
b3 a3 b2 a2 b1 a1 bo ao
Pe[ny C3 Pelny Cz c, Co
sumator sumator su.ma.tor sumator
g p
S3 S1 So
93 p3 C3 92 P2 Cz 91 P1 C1
C4 C4 PCL Co
G p
Rys. 19.26. Dodawanie czterech bitów z przeniesieniem
4 4 4 4 4 4 4 4
S1z...15 Se .. . 11 S4 ___
7 so...3
93 p3 C3 92 P2 C2 91 P1 C1
C16 C4 PCL Co
6 p
scalonych propagacji
4-pozycyjne: SN74182 (TTL); MCI0179 (ECL); MC14582 (CMOS)
8-pozycyjne: SN74LS882 (TTL); 67S583...585 (TTL) firmy MMI.
19.5.4.Dodawanie
liczbBCD
a3 s31----+--+-+- -- ------la3
a2 s2 a2
a1 S1 a1
ao co s0 ao co
19.5.5.Odejmowanie
Odejmowanie dwóch liczb do ich sumowania w
sposób:
D= A- B= A + (- B) (19.6)
-
-
BN-DN n/2)
Sumator 4- bitowy
ao bo
Co
S1 So
19.5.7. Dodawanie
i odejmowanie
liczbzmiennopozycyjnych
Przy na liczbach zmiennopozycyjnych mantysa i roz-
patrywane oddzielnie. Przy dodawaniu na
niki. W tym celu tworzy ich io przesuwa w prawo
mniejszego ze Po tej operacji obie liczby wspólny,
tj. który przez multiplekser (rys. 19.31) przechod zi na wyj-
jako wynikowy. Teraz do siebie lub obie mantysy.
Wynik jest nieznormalizowany, tzn . pierwsza jedynka mantysy nie
stoi na pozycji. W celu znormalizowania wyniku lokalizuje pierw-
wyniku w dekoderze priorytetu (patrz p. 9.6.4). Wówczas
przesuwa o pozycji w lewo, jedno-
o [19.1].
BE odejmuja.cy
A,
B, odejmuja,cy
priorytetowy
AM Ukfad
A przesuwaja,cy
w prawo Ukfad
dodaja,cy/ 1--...._ ...iprzesuwaja,cy
odejmuja,cy w l ewo
S11
>--+---_,.__,..
s
BM Ukfad
8 przesuwaja,cy
w prawo
_.,.,.. ._...,.....,.,...
,_._._.
_.,,,,, .•, .•.•.•,•,•,•,•,•,•,•,•,-,•,-.w~ •.•,,,l,AN,•.,.,.•.•,•,•,•,v ,....... _....... ~_.., ............ .,....-.,.,,,,,,,_._._._.
,,,•,•,•,•,•,•,•,,,•.•,•,•,-,•,•,•,•,•,•,•,•,-.v.vr.=-w,......., ,, ,,,_.,,,•,•,•.•_.,,,,,,_.,.,,,'.',•,• ,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,
1101-1011
1101
+1101
+0000
+ 1101
10001111
o
o o
1
1
1111 o 1 00~
b3 02 b1 bo a3 a2 a1 ao
Sumator sterowany m ,.-J.._._Yo
C4 S3 S2 S1 So
1 1 O 1 ol 11 1 O 1
b3 b2 b1 bo a3 a2 a1ao
1 1
Sumator sterowanym
C4 S3 S2 S1 So
1 1 O 1 1O O 1 1
b3b2 b1bo a3a2 a1ao
Suma.tor sterowany m
0 o !J2
C4S3 S2 S1 So
1 1 a1 a1 oo 1
b3 b2 b1 bo a3 a2 a1ao
1 1
Suma.tor sterowany m Y3
C4S3 S2S1 So
al alol 1l 1 1 1
P7P6 P5P4 p3 P2 P1 Po
Podobnie
obliczane kolejne starsze sumy Dla
na rys. 19.29 na podano liczbowe
z opisanego Przez dodatkowe k 0 .•. k 3 do iloczynu
jeszcze K. Zatem dla
go wzorem
P=X· Y+K
dostrzec sposób rozszerzenia dla
kolejnego bitu do ostatniego stopnia kolejny
arytmetyczny. Rozszerzenie X przez
szenie liczby elementów arytmetycznych. w stopniu. W opisanej
.w .w.•.•,• .•.w.w,•,•,,•, •,•.•,•.•.•.•.•,•,•,••••
•••••••·····
···············n .>n .•n .·.•.•.w .•,•,•,•,•,w ,•,•.•,•, .•.•.•,•,•.•.w,•,•c,•,•,•cm.w,-,u_,==·---
19.6. 639
metodzie do sumy dodaje zawsze nowy iloczynu. Takie
zapewnia najmniejszy kosztów oraz czytelny, roz-
szerzalny Czas wykonywania operacji by gdy-
by wiele operacji sumowania wykonywane równolegle, a na
dodawanie poszczególnych sum w szybkim su-
matorze. Znanych jest wiele takich sposobem doda-
wania (Wallace Tree) [19.2].
Inna skrócenia czasu opiera na algorytmie Bootha
[19.3]: bity pobierane parami, wobec czego liczba sumatorów
zmniejsza dwukrotnie i skraca czas wykonywania operacji. Zgodnie z
zestawione w tablicy 19.2. argumentu
wynosi od 8 do 32 bitów. Przy powstaje wynik o podwójnej
W celu zmniejszenia liczby w wielu typach aryt-
metycznych stosuje multipleksowanie lub wprowadzanie i wyprowadzanie
danych przez linie dwukierunkowe. Mimo to niektóre
ponad 100
arytmetyczne obecnie wykonywane powszechnie w technologii
CMOS. Nietrudno mimo tego nie one wcale wolniejsze od
swoich poprzedników w technice TTL, a oprócz tego nawet przy
zegara tylko niewielkiego pobieranego przez
TTL. temu ze stosowania radia-
torów i wentylatorów. Systemy o bardzo obecnie
budowane w technice ECL. W tych zastosowaniach ECL
jedyne translatory poziomu doda-
tkowe czasy propagacji.
typów ma które czy operacja obliczeniowa
ma wykonywana w zapisie czy w do dwóch.
Niektóre typy dodatkowy akumulator, dodawanie
nika do iloczynu. Pozwala to w sposób iloczynów. Zada -
nie to szczególnie w cyfrowym przetwarzaniu
(p. rozdz. 24).
19.6.2. liczbzmiennopozycyjnych
Aby dwie liczby zmiennopozycyjne, ich mantysy
i jak to pokazano na rys. 19.33. tu nadmiar
mantysy. Wynik z powrotem przez
cie mantysy o jeden w prawo, o jeden wy-
Denormalizacja taka, jak opisana dla sumatora liczb zmiennopozy-
cyjnych, nie jest tu potrzebna, jest to zaleta [19.l]. Wybrane
zmiennopozycyjnych arytmetycznych zebrano w tabl. 19.3.
Podana moc obliczeniowa oznacza, z
argumenty i wyniki. Ze na
'""""-w ,•,•,•,•,•.,, o.w ,. ,..,u .. M~===·--wuu. ·.--,_._.
..,..w ,•,•...,,•,•,•,•,•,•,•,•,•• ,•, ,•• ,w• ., •w•ww'""'""'-"""" · ""'"" ·w ,,,,....... ............... , •"'•"'•••""'•'""'="""
* Inni producenci AMD, Analog Dev., Cypress, IDT, Logic Dev., LSI -Logic
Funkcje: :E akumulator,+-+ kombinacyjny (a+ jb) operacje
na liczbach zespolonych, x, y-+r, <pbieg .->kart., r,<p-+x,y kart.-+bieg .
WE/WY: -+XX ->XX-+dwukierunkowe, xx->
162 : 2 x 16 bitów; 164 : 4 x 16 bitów
MOPS: milion operacji na
Sumator
Sumator 1------~ +1
Ukfod Normalizator
t...
~~::::::.:/
~\~ ..:: :....;:............,«v,.
":;;:;:;:;:;:::;:::;::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::=:::::::::::::::::::::::::::::::::::
.......
::":::::.. ::::::::::;,,..} ........
{:.
························ ...... .. ..
jl!/!i 19.7.Cyfrowe generowania
funkcjistandardowych
v··:...
,•,•,•s ••••••••••••••• ; ....... .... . w,;,.,
.......
,.;,:,•,:,:,:,:,:,:,:•:•:•:•
:,~=~=~
=~=~=~
:~{{{:~{:}~:~:}
~:}~=~=~=~=~
=~:~:;:~=~~=~=~=~:;:;:r:~:;~
~~<t~~~~
~~[:~~~~:1:~:;:~:;:;:;:;:;:;:;:;:~;:1~~~:~~:m
w sposób Y = J(X) za
tablic zawartych w ROM. W przypadku jest ko-
nieczna i co za tym idzie
w sposób w tablicy
tylko funkcji, a funkcji na podstawie prostych
i W tym celu niektóre specjalne
obliczanych funkcji [19.4].
19.7.1.Funkcjasinus
funkcji sinus jest jej W z tym wystarczy
jedynie funkcji dla argumentu z O~ 0 rc/2.
jako dwójkowy z O~ X~ I
i podstawia
re
0=-X
2
·0 = sm
sm . -nM + -nL cos -1tM (19.10)
2 2 2
L-..y---1
K
M L
ROM ROM
512xt6-bitowa 512x 9-bitowa
sinf (M+L)
M i_
ROM ROM
MM5232AE!,A[ J MM5232A[K
sin21M 2J-LcosM
8 2 8
8
Sumator
16 bitów+8 bitów
16
~: -,.~~~#1::":•:::•·••»•:•
·•·•·•·•·•·•·•·•·•·•
·•·•·=·
······························*'*::•:i*:;::::::::.,,am;g.;};K
-$:;':%;::..
:,:,:,:,·,:,:,
:,:,:,:,:,:,:,:,
:,:,:,:,:,:,:•
:•:•:•~'.·'.·'.\;~;~;~;:;:;:;:·•·:-:,:-:---
·! 20.1.Podstawowa
struktura
mikrokomputera
f'''''
·;t.;...,...~wm::;.:•:•·•
• ·•:•'.::::::,:::K-=~·=~~~·:•:•:t'r.::~t~:r.~.:::
:·:::·:·:·:·:·:·:
·:·:·:·:<·:·:·
:<·:
·:·:·:·:<·:·
\ ·:·:·:·:·::=·=:=·::=·=
:::=·=:::=R=-=:s~•@:.tl..lfaj:~k{!:;:;:::::::::;:::::::::::·:::
:
CPU
I Mikroprocesor I
li I
_I
- I
programu
I
-I
--,
--
danych
I
- I Uk[ady
' I peryferyjne
I
'
Magistra/aMagistralaMaqisfrala
adresowa dan1Jchsterujqca
···························
·w=,---wwwwww---·
648 20. PODSTAWY MIKROKOMPUTERÓW
20.2.1.Budowa
W tym rozdziale zajmiemy i rozkazów
mikroprocesora . Schemat blokowy mikroprocesora przedstawiono na
rys. 20.2. Zawiera on trzy bloki funkcjonalne: blok wykonawczy, stero-
wania i interfejsy magistral. W bloku wykonawczym wykonywane operacje
arytmetyczne i logiczne. Odpowiednie argumenty w rejestrach da-
nych albo adresowych, ewentualnie na magistrali
sterowania z dekodera rozkazów oraz licznika rozkazów.
Licznik rozkazów adresuje kolejne rozkazy programu. Dekoder rozkazów ge-
neruje kolejne operacji do wykonania rozkazu.
sterowania jest sekwencyjnym (p. punkt 10.7); w nowszych
mikroprocesorach jego tablica prawdy jest zakodowana w ROM. Za-
takiej ROM nosi mikroprogramu. rozkazy
w tym przypadku adresami skoków do mikroprogramu.
wykonawczy ...--=---,----,., -
,I Re1eslry
-Io iczna . . ,
adresu fLu , -Ltczmlr rozkazow '
L:_ _J L ___ ___J
r,::_---''--~--~--
· Bufory
-
,- _ ..L.._·
Bufory
=~
--,-·-=~-,
__,_ Bufory ·1
AkumulatorA 8 bitów
AkumulatorB 8bitow
Rejestr
indeksowy 16bitów
stosu 16bitów
Licznik
rozkazów 16bitów
20.2.2.Struktura
rozkazu
Jak procesor MC 6800 ma
danych ( = 1 bajt) oraz ( = 2 bajty). Ze
na to, operowanie tak jest niewygodne, stosuje zapis
skrócony. cztery bity w z cyfr przyjmo-
z szesnastu Dlatego kod nosi kodu
szesnastkowego (heksadecymalnego): cyfry od „zera" do
ne przez cyfry a cyfry od do przez
wielkie litery od A do F . Sposób przedstawiono na rys. 20.4.
Ze na to, 16 jest 2, dwa sposoby przelicza-
nia wielopozycyjnych liczb szesnastkowych na
Pierwszy sposób polega na skorzystaniu z
0000 o o 1000 8 8
0001 1 1 1001 9 g
0010 2 2 1010 A 10
0011 J 3 1011 8 11
0100 4 4 1100 C 12
0101 5 5 1101 D 13
0110 6 6 1110 E 14
0111 7 7 1111 F 15
Rozkaz B6 LDAA
Starszy bajt adresowy Al mnemonik Al
bajt adresowy 48 48
1> Intel, ZiJog zapis: litera H po kodzie i O przed kodem, np. 2516 = 025H
(przyp. .
.w...-.·.
·,=---" ·w.•.•.w,·,·,·······
···,·····
····--
··'········.._., ····--····'·"--"w ....w=-~
.,•,•,•,•,•,•,•,•,,.,.,·,· -
20.2. ZASADA MIKROPROCESORA 653
adresów skoków. W tym przypadku przypisanie nie jest
wykonywane przez EQUAL, lecz wynika z
etykiety przy odpowiednim adresie przed symbolem rozkazu. Sposób adreso-
wania argumentów rozkazu nie jest podawany lecz wy-
nika z formy ich zapisu, jak to pokazano na rys. 20.5. z argumentów
przez Przy etykiet przestrzega
pierwszym znakiem etykiety jest litera, nie do tego
znaków specjalnych. Wynika argumenty bez znaków specjal-
nych liczbami lub etykietami. Kryterium tych ar-
gumentów jest pierwszy znak - litera. Gdy asembler wykryje
wybiera z tablicy etykiet po czym zgodnie z rys. 20.5
sposób adresowania.
$ I I I I I Adresszesnastkowy
skrócone $ [TI Adresszesnastkowy
Indeksowe $ [TI , X szesnastkowe
[OJ, X Przesunifcie
dziesiffne
Natqchmiastowe
* .t [I] Daneszesnastkowe
** & rn
I I I I I I I I I
Danedziesirtne
Danebinarne
*,. o DaneASCII
Rozkazybezadresowe Daneimplikowane
Rys. 20.5. sposobów adresowania oraz metoda ich przedstawiania w zapisie symbolicznym
·:1=,=
,',,1
=,EM:'
i~ *;-~
~g,,,,i
,=t
,mii1=,m
m!"'~,,,,
,,=
,'\lt,:::::.
fa 20.3.Listarozkazow}Ittt
f¾::;::
~v;~w~
·:·:::t;:~1:~~~1::;:;~:;:
: ;:;:1:;
:~~::~~
=1~1=~=~:;:
;:;:;:;:;:;:;:;:
1:;:i
:;:;:;:w••:1:1:1:1:·
:,:.:.:.:.:.:.:
.:.:
.•.
;.::~
Adresowanie
Opis
Operacja Symbol bezpo- bezpo - inde- natych- rozkaz wykonywania
ksowe miasto - bezadr e- ro zkazu
skrócone we sowy
LDAA B6 96 A6 86 [M]-+A
akumulator LDAB F6 D6 E6 C6 [M]-+B
STAA B7 97 A7 A -+M
STAB F7 07 E7 B-+M
akumulatora
Skopiuj TAB 16 A-+B
akumulator TBA 17 B-+A
Wyzeruj CLR 7F 6F 00-+M
CLRA 4F 00-+ A
CLR B 5F 00-+ B
rejestr LDX FE DE EE CE [M] -> XH,
indeksowy [M + l] ->X L
za-
STX FF OF EF XH-+ M
rejestru
indeksowego X L-> M + l
Stosowane skróty
A: akumulatora A;
B: akumulatora B;
[Af]: komórki o adresie M;
X: rejestru indeksowego;
XH; starszy bajt rejestru indeksowego;
XL: bajt rejestru indeksowego;
C: bit przeniesienia w rejestrze znaczników.
20.3.2. Operacje
arytmetyczno-logiczne
Operacje arytmetyczno-logiczne zebrane w tabl. 20.4. Operacje logiczne
wykonywane na bicie danych oddzielnie i przedstawian e w
wie wyniku na odpowiedniej pozycji.
•.•.•.•.,w. •,•.•.•.•.•.•.•.•.•.-.•.-.-.-........... w .wo••""'•"=,. ·, .•.•.•.•.o,•••.,.,.••
Adresowanie
Operacja Symbol bezpo- bezpo- inde - natych - rozkaz Opis wykonywania rozkazu
ksowe miastowe bezadre-
skrócone sowy
Dodaj ADDA BB 9B AB 8B A plus [M]-+A
ADDB FB DB EB CB B plus [M]-+ B
ABA 1B A plus B-+A
Dodaj z przeniesieniem ADCA B9 99 A9 89 A plus [M] plus C-+ A
ADCB F9 D9 E9 C9 B plus [M] plus C-+ B
Korekcja BC DAA 19 A skorygowane -+ A
Odejmij SUBA BO 90 AO 80 A minus [M]-+A
SUBB FO DO EO co Bminus [M]-+B
SBA 10 A minus B-d
Odejmij z SBCA B2 92 A2 82 A minus [M] minus C-+ A
SBCB F2 D2 E2 C2 B minus [M] minus C-+ B
do 2 NEG 70 60 [M]-+M
NEGA 40 A-+A
NEGB 50 B-+B
o l INC 7C 6C [M] plus 1-+ M
INCA 4C A plus 1-+A
INCB 5C B plus 1-+B
INX 08 Xplus 1-+X
Zmniejsz o 1 DEC 7A 6A [M] minus I -+ M
DECA 4A A minus l-+A
DECB 5A B minus l -+ B
DEX 09 Xminus 1-+X
Tablica 20.4 (cd.)
Adresowanie
Operacja Symbol bezpo - bezpo- inde- natych- rozkaz Opis wykonywania rozkazu
ksowe miastowe bezadre-
skrócone sowy
do l COM 73 63 [M]-+M
COMA 43 A-+A
COMB 53 B-+B
END ANDA B4 94 A4 84 A · [M]-+A
ANDB F4 D4 E4 C4 B · [M]-+B
OR ORAA BA 9A AA 8A A+[M]-+A
ORAB FA DA EA CA B + [M] -+B
EXOR BORA B8 98 A8 88 A EB[M]-+A
EORB FS D8 E8 C8 BEB [M]-+B
w lewo ROL
ROLA
ROLB
79 69
49
59 r} - µ C
I I I I I I I
br bo
w lewo ASL
ASLA
ASLB
78 68
48
58 r} - 0 -111111111
C b7 bo
- 0
w prawo ROR
RORA
RORB
76 66
46
56 r} -- µ L..o--11 1 1 11 11
C b7 bo
w prawo
arytmetycznie
ASR
ASR A
ASR B
77 67
47
57 r} - c:? 1 1111 1 1 1- 0
b7 bo C
logicznie
w prawo
licznik programu o I
bo C
Dla operacji iloczynu logicznego ma.my:
A: 1001 1101
B: 0110 1011
AB: 0000 100I
~,w.·.·.w...-.
·.•···········
····································-'- - -
20,3. LISTA ROZKAZÓW 659
20.3.3.Rozkazyskoków
Rejestr znaczników (rejestr stanu)
mikroprocesorów jest ich do wykonywania
nych logicznie programów. Przy podejmowaniu decyzji testowane
tzw. znaczniki (flagi) z rejestru znaczników procesora . Rejestr znaczników jest
to rejestr 8-bitowy, w którym dwa najstarsze bity 1. Po-
szczególne znaczniki bitom wg schematu
1 IHINZVC
bit 7 6 5 4 3 2 1 O
i
C: przeniesienie (carry);
V: nadmiar przy liczbie w postaci do dwóch (overflow);
Z: zero (zero);
N: znak minus przy liczbie w postaci do dwóch (negative);
I: przerwanie (interrupt);
H: przeniesienie z trzeciego bitu (half carry).
--- -., =,=--=w a,•,•-,""° ''W ,W.WN ,','•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'' '•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•W •"•=~= ,m .... ,.,•,•,•,•,•,
•,•,•,•,•,•
.. w,•, •,w .... •., .,"'" " == ·,
Ustaw znacznik
przeniesienia SEC OD 1-+C
Wyzeruj znacznik
przeniesienia CLC OC 0-+C
Ustaw znacznik
nadmiaru SEV OB 1-+ V
Wyzeruj znacznik
nadmiaru CLV OA 0-+V
Ustaw
SEI OF 1-+/
Wyzeruj
CLI OE 0-+[
118F rozkaz
Skok bezwarunkowy, adresowanie indeksowe
1107 6E lA JMP $1A,X
X+ lA rozkaz
Skok warunkowy
1107 20 OE BRA $OE
Skoki warunkowe
Skoki bezwarunkowe
Skok JMP 7E 6E
BRA 20
Skoki podprogramowe
do
podprogramu BSR 8D
Skok do podprogramu JSR BD AD
Powrót z podprogramu RTS 39
Skoki warunkowe
gdy ,tO BNE 26 Z=O
gdy = O BEQ 27 Z= l
gdy 0 1l BCC 24 C =O
gdy 0 11 BLS 23 C + Z=l
gdy > 0 11 BHI 22 C + Z=O
gdy < 0 1J BCS 25 C= l
gdy V = 0 2' BVC 28 V=O
gdy V= 121 BVS 29 V=l
gdy 0 2 > BGE 2C Nfl,V=O
gdy 0 2 ' BLE 2F Z+ (NEBJ/)=l
gdy > 0 2 ' BGT 2E Z + (NEB V)= O
gdy < 0 2l BLT 2D Nfl,V=l
gdy b 1 = O BPL 2A N=O
gdy h1 = l BMI 2B N= l
Skoki softwarowe
Przerwanie SWI 3F
Powrót z procedury RTI 3B
Oczekiwanie WAI 3E
Adresowanie
Opis
Operacja Symbol bezpo - bezpo- inde - natych- rozkaz wykonywania
ksowe miasto- bezadre- rozkazu
skrócone we sowy
Akumulator na PSH A 36 1-+Msr
stos (PUSH) SP minus 1 -...SP
PSHB 37 B-+M 5 „
SP minus 1 -+ SP
Szczyt stosu do PULA 32 SP plus 1 -+ SP
akumulatora [M 5 „J-+A
(POP) PULB 33 SP plus I -+ SP
[M 5 „J-+B
LDS BE 9E AE 8E [M]-+SP, 1
stosu [M + IJ-+SPL
STS BF 9F AF SPn-+M
stosu SPL-+M +1
Inkrementuj
stosu INS 31 SP plus 1 -+ SP
Dekrementuj
stosu DES 34 SP minus 1 -+ SP
stosu TSX 30 SP plus 1-+X
-+Rejestr
indeksowy
Rejestr indekso- TXS 35 X minus 1 -+ SP
wy -+
stosu
Adres Stos
07FF
07FE
Adrespowrotu
Adrespowrotu
Low
High } Podprogram
pierwszlJ
07FO Akumulator
A PSHA
07FC Akumulator8 PSH8
07F8
07FA
Adrespowrotu
Adrespowrotu
Low
High } Podprogram
drugi
Maska
IRQ procesora za znacz-
nika I w rejestrze znaczników. Skok do procedury przerwania
wykonany tylko wówczas, gdy IRQ jest doprowadzony do CPU
oraz gdy znacznik I w rejestrze stanu ma O. Z tego powodu znacznik
rejestrów )
roboczych z CPU-Stos
Adres powrotu
Ustaw I= 1
Nie- - -~Rozkaz
">--
UstawI =O
rejestrówroboczych
zestosu - CPU
Licznik rozkazów na adrespowrotu.
Rys. 20.9. Schemat blokowy sposobu przerwania IRQ oraz powrotu z procedury przerwa-
nia RTI
Restart
ingerencji w
program jest doprowadzenie do CPU zerowania RES (reset). Zwykle
tego do procesu Rozpoznanie
RES przez CPU powoduje licznika programu adresem „restartu".
Adres ten musi na w rejestrach FFFE i FFFF (np. za
lub w lub
w ROM). Na rysunku 20. 10 przedstawiono zebrane rodzaje ad-
resów startowych.
Adres Warunek
skoku Przyczyna
FFFF
FFFE
Adresstartowy Low
Adresstartowy High } Restart -Reset
FFFO
FFFC
Adresstartowy Low
Adresstartowy High } Non - maskable
lnterrupt
-NM/
FFFB
FFFA
Adresstartowy Low
Adresstartowy High } Software-
lnterrupt
Rozkaz-SW!
FFF9
FFF8
Adresstartowy Low
Adresstartowy High } lnterrupt-
20.4.1.Programowanie
w
Gdy potrzeba dokonywania zmian w programie podczas jego uru-
chamiania, program ten zamiast w PROM w
RAM i w tym stanie W najprostszym przypadku do tego celu
normalnego mikrokomputera z rys. 20.1, którego PROM zawiera
program nazywany monitorem . Program taki jest przez wielu pro-
ducentów dostarczany wraz z mikrokomputerem. Podstawowymi
programu monitora procedury
Procedura we/foiowa testuje i do akumu-
latora klawiszem bitów.
Procedura akumulatora na
szesnastkowym. Z tych obu podprogramów programy
przez specjalne klawisze.
Procedura odczytu i zapisu Procedura ta w ten sposób,
po podaniu adresu rejestru M w postaci czterocyfrowej liczby szes-
nastkowej otrzymuje na odpowiedniej komórki
w postaci dwucyfrowej liczby szesnastkowej, jak w
FCOOSE
20.4.2.Programowanie
w asem
blerze
Przygotowanie programów w jest nierealne.
Programy takie pisze w adresów symbolicznych (tzw. asemblerze)
za programu edytora pisanego tekstu . Po-
instrukcjom programu nie przydziela adresów. Adresy skoków
definiowane przez tzw. etykiety (label). Komentarze do pro-
gramu.
Tak przygotowany tekst mianem programu (source
listing). Jest on o wiele bardziej obszerny od mu
programu . Stosunek jak 20:1. W celu jego
jest masowa, taka jak dysk magnetyczny.
za programu, nazywanego asemblerem, pro-
gram jest na kod maszynowy. programy roz-
celowo na i oddzielnie. jest wtedy wy-
szukiwanie oddzielnie.
z programu rozpoczyna od adresu 0000. ustala
jakie i w jakiej w program. te
konsolidowane (linking), tzn . automatycznie kopiowane i do pro-
gramu. Zadanie to wykonuje program o nazwie konsolidator (!inker). W re-
zultacie otrzymuje program wynikowy, którego instrukcje
od adresu 0000. W nadaje programowi adres startowy taki, jaki
w docelowym komputerze. Od tej rozpoczyna
wanie kodu maszynowego programu do przez program (lo-
ader), który numeruje wszystkie kroki programu. Gotowy pro-
gram wtedy uruchomiony w celu jego sprawdzenia lub zapisany
w EPROM.
__ __ ,w" ··,·····" ' "°'~· ··-'~Y•W•·•·,•,•,•.·······
······
·········=·=== ·-- - - ,m·,•,•.•,•.•.•,•,•
.•,•,,wmo-~- ,- ,,, ..,..,.._.,,
.,•,•,•,•,•,•,•,•,
•.•,•,•,wm~
Wprowadzenieprogramu
~a edytora tekstu
Program
Asembler
relokowa!ny
programuwynikowego
(Linkowanie) Bibliptekaprogramów
Regulowany
program
wynikOWIJ
Programwynikowy
WJ~zyku
System
Konso
la Emulator uruchamiany
Kompute
r
z
masowq
Drukarka Programator
20.4.4.Prostesystemyurucbomieniowe
bez masowych
W opisanych dotychczas systemach uruchomieniowych
sprawia fakt, program musi zapisany i wykonywany w po-
staci symbolicznej. Powoduje to stosowania masowych
wraz z odpowiednim systemem operacyjnym .
masowa staje zbyteczna, zastosuje asembler, który
natychmiast po wprowadzeniu wprowadzony rozkaz i zapisuje
go w maszynowym. Traci przy tym
nia komentarzy. Aby jednak podczas poprawiania programu nie
trzeba w kodzie szesnastkowym, jest potrzebny program
,, ..w- = =m um u.·.······w~··"""•"•"·'"-"
·'-"···························
·······················•·······•·•············w····, ·~-------- ··········
···················
···,.·.•.w.,_..,w.•.-,.wwwm==
672 20. PODSTAWY MIKROKOMPUTERÓW
kod szesnastkowy z powrotem na symboliczny. Taki program nosi
disasemblera (disassembler). Wbrew rozpowszechnionemu mniemaniu
metoda ta wykorzystywanie etykiet. W tym celu asembler
program linia po linii (line-by-line assembler) musi tylko
etykiet razem z programem i disasemblerowi
przy z powrotem na kod symboliczny.
Taki asembler/disasembler wraz z programem monitora zajmuje tylko
ok . 8 KB i dlatego go w komputerze
docelowym. temu napisany program
po wprowadzeniu, bez potrzeby korzystania z emulatora . jest
wprowadzanie zmian, bez potrzeby za razem czaso-
procedury wg rys. 20.11. Tego rodzaju prosty system
nadaje szczególnie do uruchamiania krótkich programów do ok. 1O KB,
w takich przypadkach na pierwszym planie jest stawiana
szybkich zmian, a wada na braku komentarza nie jest tak bardzo
istotna.
.,
-..!;
-~ .,;
..Cl
o o
---
'B .§_
p..
.,
>, .,...
"' -8 o "' 'E :3:
o A
.,... :3: C<S
:3:
,o >,
"' •O "';::l ·5 :o
"O
e: ii;,.,
bi) bi)
C<S
;a 'i=l "O ] ~o
..Cl
., [$ .... -~ 2
a'&
"' ·a
...
o [$
h
>, >,
hen
;,.,
A
.[$
.:i
ON
o"'
"O ~Ul "O "';,.,
'!ib~
a ·~ ..,.,,....
., ·-
., ·- ~e
o ~l:t: o 0.. ;,.,
ie ij
., >, ..Cl
!;:
;J
C<S
e. cte ~e
' '::"I~
o
"'00N
,O
:3:
i:l
V.!:.
'vi' o-
i.e r' V
od
.@.
'B
.e
.@.
... p.
i3:
-6 o Cl)
Ul
'3
Cl)
c::
,o ...
Ul
Cl)
-s o
,o
od
@ "' o
·a -O
-g >,
...
Ul
N
"'
"O §
Cl)
-g
,-14
o -6
::,
.@: -s
...: od ·C:: "O
...
...: >, -~ N
.Q
>,
§ ij
... ... c:: U)
o
N Cl)
o .!:l N
.!:l-;;::
>, >, Ul
@-g, 5 -=
ON' '0 :gfi5' '0 "'
>,
i:i::
Ul •N
...,
od
-~'E ·~ ·= ... ,g,'B o
A "'
od 8 e=
>,
il
~e o d
U)
Adresw kodzie
szesnastkowym Rodzaj Adresw kodziebinarnym
FFFF I EPROM2 KB 1 1 1 f 1 1 1 11 1 f 1 1 1 1
F 8 OO 1 1 1 1 o oo oooo 0000
t M3
O4 O3
48
0000 o 1 OO o o o o O O 1 1
0400 ' PIA 0000 o 1 O O oo oo o o o o '-.,--'
t t Mz
007F oo o o o o oo O 1 1 1 1 1 1 1
oo oo RAM IZB B o o o o o o o o 0000 oooo
'--,--/
t at
a 11
M1
10
'------,---'
Dekodowanie
wst1;pne
Rys. 20.13. adresów i sposób ich dekodowania. Ml, M2, M3 bity adresowe
do z opisanych Podano tylko dwa skrajne i adresy
z grup
l~
+5V
VCC1,
VCC2 12 Oq . • . a10 vcc 2
Xia! A On ... Dtn ao_ RSO I CA
I27prI
EXtal
CS 8BRSI
CSJ
LSOO I 8 PA
+ MR CS2
+ VPP
+ RE dq... d7'
+- NM! OE
+ HLT GNO
IR(} I 8 PB
+9 IRQ
8
o E
'
T o/;t={
f1""
R/W
I 2 CB
RES
Klawiszl ~ ~UU J<
GNO
Reset 5 C
I47µF CPU:MC680
2 / EPROM:
2716 PJA.·MC6821
20.6.2.Mikrokomputer
jednoukladowy
scalenia (VLSI) umieszczenie w jednym elemencie sca-
lonym poza procesorem i RAM dodatkowo ROM
oraz peryferyjnych. W ten sposób z mikro-
procesora mikrokomputer. Jako takiej
struktury przedstawiono na rys. 20.15 schemat blokowy MC
68HC11A8 . Jednostka centralna (CPU) tego komputera jest istotnie
ta w stosunku do mikroprocesora 6800. Ma dodatkowy rejestr indeksowy,
a oba akumulatory A i B w jeden akumulator 16-bitowy.
wielu nowych rozkazów znajduje 8 x 8 bitów.
(rys. 20.16) 8 KB (ROM) w górnym obszarze oraz 256
bajtów (RAM) na stronicy bazowej (base page). Mikrokomputer ten zawiera
dodatkowo EEPROM, lub
w bez stosowania dodatkowych
W ten sposób dane takie, jak np.
czynniki, których z jednej strony nie ustalone, a z dru-
giej nie utracone w razie zaniku zasilania. W EEP-
ROM programy, jak np. krótki program
Zegar 6Boo++CPu
Port A
Wylqcznikczasowy Licznik 16bitów.
8
Interfejs Port 8
8 bajtów ROM
równoleqly 8
Interfejs Port C
512bajtów ff PROM równoleqly 8
Interfejs Port D
256 bajtdw RAM szeregowy 8
PrzetwornikA/C Port E
8-bitowy 8
Port A
RIW
d7I--- -------- --- -- -~
B l-- __ a8 .,.._
... a__15 A
.,....,,.......,-
---,1-- ------...
PRU
PortB
Dekoder 8
µC adresów CS d6,d7
68HC11 2
D Port e
8
C 1--'----..;;.--,-
o----s..- ~-------~
68HCZ4
8
do... d5 -
E
1) bez programu;
2) z EPROM i oknem kwarcowym;
3) z EPROM w obudowie z tworzywa sztucznego;
4) z EEPROM.
Typ Producent Techno- Lista RAM/ROM Wypro- We/wy Licznik Przetwornik Cechyszczególne
logia rozkazów [B)/[KB] wadze- szeregowe (bity) A/C
Wersja ROM Wersja x
nia
EPROM we/wy X bity]
MC68HC05J2 2
MC68HC705J2 > Motorola CMOS 6800- 112/2 14 - ! X 16 - DOG
MC68HC05P7 MC68HC705P921 Motorola CMOS 6800- 128/2 21 Asynchr. 1 X 16 4x8 DOG
MC68HC05C4 MC68HC705C4 Mot.(fosh. CMOS 6800- 176/4 31 As., syochr. I x 16 -
MC68HC05B6 MC68HC805B61
l Motorola CMOS 6800- 176/6 32 Asynchr. 1 X 16 8x8 DOG,PWM, 256BE
MC68HC05C8 MC68HC705C811 Mol.(fosh. CMOS 6800- 304/8 31 As., syochr. 1 X 16 - DOG
MC68HCl1D3 MC68HC711D321 Motorola CMOS 6800+ 192/4 32 As., syochr. 1 X 16 - DOG
MC68HCIIA8 MC68HC811A81
l Mot.(fosh. CMOS 6800+ 256/8 38 As.,synchr. 1 X 16 8x8 DOG, 512BE
MC68HC11E9 MC68HC711E911 Mot./f osh. CMOS 6800+ 512/12 38 As., synchr. 1 X 16 8x8 DOG, 512BE
MC68HC11K4 MC68HC711K42l Motorola CMOS 6800+ 768/24 62 As.,syncbr. 1 X 16 8x8 DOG, PWM,640EE
MC68HCJIN4 MC68HC71IN4 Motorola CMOS 6800+ 768/24 62 As., syocbr. I x 16 12X 8 ~K4+Koproc. mat.
MC68HCl6YI MC68HC916YI I) Motorola CMOS 6800+ 2K/48 50 As., syochr. 9 X 16 8 X 10 DOG,PWM
P93CJOO P97C100 Philips CMOS 68000 512/34 40 As., syochr. 3 X 16 - DOG
MC68F333ll Motorola CMOS 68020- 4K/64 84 As., syochr. 16X 16 8 X 10 PWM
1
> programuEEPROM
2
> EPROMOTP
Typ Producent Techno- Lista RAM/ROM Wypro- We/wy Licznik Przetwornik Cechyszczególne
logia rozkazów [B]/[K.B] wadze- szeregowe [bity] A/C
Wersja ROM Wersja
EPROM nia x
we/wy X bity]
Cechyszczególne
: EE: dodatkowej EEPROM,bajty
PWM: Modulator impulsów
DOG: czasowy(watchdog)
W poprzednim rozdziale na pierwszym planie postawione zagadnienia
programowania mikrokomputerów. Teraz poznamy ich Zostanie
w tym celu omówiony system w którym blok funkcjonalny
znajduje na oddzielnej karcie module). kart
mikrokomputera, która równolegle wszystkich
kart systemu.
, 21.1. Kartamikrokomput
~:.:;::;
:;:::::½:::;::::::?~::;:;:;:;::::::1~Vi*:*
*~::~q~~:~;~:::;::::
:::;?;:;:;:;:;:;:;=::::;:;:::::f:::55::::;:5%*5~g;:@:1::::1:::;::;::;:;:;::::::;_;:,;~~
Kierunek Funkcja
Do jednego z mikroprocesora 10
MOS lub 5 TTL LS. Z tego powodu w systemach wymagane
wzmacniacze nazywane buforami (bu/Jer) na wszystkich Na rysun-
ku 21.2 przedstawiono sposób ich do mikroprocesora. Dla dwu-
kierunkowej magistrali danych konieczne jest buforów dwukierunko-
wych. one z dwóch przeciwsobnie wzmacniaczy z wyj-
trójstanowymi, wzmacniacze te sterowane na przemian
kierunek Do R/ W mi-
kroprocesora. EN bufora jest do
BA mikroprocesora. stan wysokiej impedancji na liniach danych ma-
gistrali podczas zatrzymania pracy mikroprocesora. Ten tryb prze-
widziany jest dla do (DMA) . Z tego samego
powodu trój stanowe linie adresowe oraz linia R/ W. Do
mikroprocesorowych dobrze trójstanowe bufory wykonane w te-
chnice TTL LS:
- jednokierunkowy 8-bitowy 74LS541;
- dwukierunkowy 8-bitowy 74LS245.
1
R/W
EN f>
" BA
71-----+- - 1 f>
E
371----- +- - I f>
+
470'i?
VMA
'?!;f I>
Generator 5 i---- - - - c.:._:_..:::
Reset
l,21,36
\ Klawisz
J_Reset RES
Rys. 21.2. Sposób mikroprocesora 6802 poprzez bufory do magislnl adresowej, da-
nych i
2
100Q
Klawisz\
Reset l +
I41µF
f
+
4702
RES
_____ :J
' I
O.1µF Klawis\
Resetl..
JOkQ I C1= 77nf· t/ms
Gz
Rys. 21.5. Precyzyjny generator reset bez przy i
21.1.2.Ustawialnyadresrestartu
Na rysunku 20.10 w obszarze FFF8 ... FFFF
adresy procedur Gdy obszar ten jest
RAM, wówczas tam adres startowy, np. za pro-
gramu monitora. Aby jednak program ten samoczynnie,
adres jego startu musi stale w komórkach restartu FFFE/FFFF.
Na rysunku 21.6 pokazano z tych komórek
z RAM i ich
--- G2 VMA
1 I> Q I>-----
r. ·- · 8 O
Bajt ·1 .... . '--- _... -- ..,l-l- ~---'-----'
starszy.L ___8 x _;
I 8
~-- ·-,
Bajt ·, ~ ....;
·---.-- -1----1._ _ _..
8
Bx .
L._ . ...J
liiiii 21.2.Karta
i:::::
::,:,:,:,:,:,:,:,:,:•~
;,,:,::,.;X$:!:»:::.-:,;4.,...::!;S-::;:::::W.XY~~
»:-."::'$';:>,:
692
,,_,__
. ..,... ·--~-~
- ....,..., •........•.•··········································· ···············""'--·-
21. KONSTRUKCJA MIKROKOMPUTERA
---
VMA + + +
..-..-- ----<PJ 1/J 1 24 +B
""'
E- - ------lpz Qz
10k5? 2 „O" 23 a,
Pt ~Adres 3 22 a,
PoP=Q Qo~- - ...,_~bazowy 4 21 WED
74LS85 Z 5 ZO OE
EN O t>-~ __
CSD
_
... CS!
,,__ _
6 19
7 18
a,3 } • 8 8 17
.,+--- ---'a,.z;;.. c.P.. 1k5?
9 16
+- -- O
-a~11 7 7 10 15
A 16
74LS156 ao... a10 ft 14
12 13
11
fOkQ
R/W
RAM:HM6116
+ EP!lOM:2716
+ fOkQ
ROM s, 8
L ____ _ 1
-=. Akum.
MCd
12 13
D--+----+--+-----<
Rys. 21.8. Przebiegi czasowe cykli zapisu i odczytu mikroprocesora 6802 przy zegara
systemowego l MHz . Podano czasy lzw. ,,najgorszego przypadku"
W cyklu zapisu czas trwania impulsu zapisu lwR (write time) wynosi 500 ns.
Dane powinny na 275 ns przed cyklu tDw (data va/id time) .
Rzeczywiste czasy do od strony magistrali, nieco
krótsze, w czasy wnoszone przez
bufory . Istotny na czas jednak wolne elementy
21.2.1.
21.2.2.KartaEPROM
W EPROM
z rys. 21.7 pod
z CMOS RAM HM 6116, np . EPROM 2716.
zapisu (write enable) odpowiada Vpp· W nor-
malnych warunkach na nim musi 5 V. Takie na
do ROM zakazu zapi-
su S 0 •.. S 7 .
21.2.3.Rozszerzenie
do64 KB
z rys. 21.7 do 64 KB, tam
RAM lub EPROM 8 KB. Zgodne pod
,.,.,...,.,,.,..,.,...,...,....,.,,.,,.,,,,,,..
•.....v.~ -.-.....,....._._y... •.·.-.·. -.·r ,•,•,•,•,•,•,•r,•,•, •,•,-.-.,,,,...., ..,..w,;,.•,;,.-r .·r
21.3.Programowanie EPROM
VMA +
------,p5
E
------,p5
a11... a,s p_
4
/Jo BS
EN P=
74LS588
07 24
a6 2 23
a5 3 22
HLT HLT a',,
-- +--- -, Q <] 1 I--+-- ----+----,. 4
03 5
az 6
a, 7
au...a,o ao
I I
A 11
[> 8 17
RW R/W' do 9 16
ID [>
d1 15
74ALS574 d:Z 14
1J
C3 OE 2716
D 8
BS
A'
D'
PSM
21.4.1. kierunek
transmisji
+
74LS688+ 74LS688
E E
A 16 A 16
p :--I
R/W R/W
o io D Oo
10
o,
'v <l .Jr [>
i1
iz Oz
i3 03
i4 04
is 05
i5 05
i7 07
8
Rejestr ~---'--~
Dane
Bufor PAO...PA7
RSO Wybór
RS1 rejestru Rejestrdanych
j PRA
CS
E
Sterowanie
zapis/odczyt PRB
Rejestrdanych
RES
Bufor
8
Rejestr
Dane
PBD
... P87
8 DDRB
o---,L--- ---- -+--E--'a>--l
Rejestrkierunku
CRB 2
lRQ---- -- -- ------l .__ Rejestr
____ sterujqcy
___..c..._ _J Przerwanie
Mikrokomputer CB1,CBZ
Urzqdzenia
peryferqjne
Rys. 21.13. struktura interfejsu PIA 6821
+
VMA
P14 10k9 +
az...a,s/J.13 q_,3
14 VOO
PoP=Qrio - CS
74LS688 BS
a, RS1
A a0 , a 1 CA
ff I> - RSO
CA2
E ao CA1 2
E
RES
RES PA7 PA
RjW
- R/W PAO 8
74LS541
JEN/
3EN2 P$7 PB
G3 PBD 8
-
D
IRQ
CB2
C81 2
CB
IRQ
Q
<O ' vss
Mikrokomput er Urzqdzenia
PIA 6821 peryfery;ne
":··:·:·····:·:···::;;::::;~:;·:·:
~;!:is
...···•·•· . ... ·... ,... .
21.5.1. Transmisja
szeregowa
Ramkatransmisji
Siedem bitówdanych
( znak ASCll"S")
21.5.2.Programowany szeregowy
(ACIA)
Jest oczywiste, w przypadku sterowania danych w opi-
sany sposób jest skomplikowany Do dyspozycji mamy
scalone programowane interfejsy szeregowe ACIA (asynchronous communica-
tions interface adapter), jak np. MC 6850. Jego schemat blokowy przedstawio-
no na rys. 21.16. ten zawiera cztery rejestry, wybierane za
adresowego RS oraz zapisu/odczytu w sposób
przedstawiony w tabl. 21.5. taki jest dlatego, rejestr odbior -
czy i rejestr stanu to typowe rejestry, z których odczytuje dane (read regis-
ters), natomiast rejestry nadawczy i to rejestry, do których informa -
cja jest zapisywana (write registers).
RS R/ W
___
o 1 Rejestr statusu stan elementu
.....................·.· · ·····-·.-,·,··
·········· ,,,,,,,,,,,.,,,,, ......•.•.•,•,···················...................................... .,.,.,.,................
.........................,.•.,...,.,..... .............................
....•.•. .....
...............
...,....,..,,.. ................
.,,,•,•,•,···············.-..··
·.....
.....
21.5. INTERFEJS SZEREGOWY 703
Za 8-bitowego rejestru format
transmisji oraz sposób testowania ponadto jakie
zdarzenia przerwanie. dodatkowo stosu-
nek zegara (dzielnik n = l, 16, 64). Przy ustawieniu
n= 16 lub n = 64 przy odbiorze otrzymuje
odbiorn ika na bicie startu.
Mikrakamputer !Jrzqdzenia
peryferyjne
VMA + +
/Jt5 q,5
a, ... a15 15
P14 q,4
VDD TXO
hoP=ado p=q CS TXD I> 2
74LS688 BS
A aa Jr I> RS RXO
• E RXD <l 3
E
R/W
. R/W MAX 232
RTS
RTS I> 4
3EN1 -
AGIA
3EN2 - CTS
63 GTS <l 5
D GNO
o 7
+
!RO.
.Q <l 1 IRQ
OCD
?
Generator - CLK
4 vss
Btransmisji
Mikrokomputer COM
8146 f1C 6850 Interfejs V24
.·.·.v.-.,..v.v.-.~-._._
._._
,.,._._,.._,.,.,.,.,.
.,.,.•.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.
,.,........,.,.,,.,...,,
••.•••.••
,.,.,.,.,.,.,.,.,._.,.
,.,.,.,.,
........
....._,.,.......,......,...
•••,..........
___ .......,....,._,
.,....•.-.·.-.v.·,······
·················.-,-.•,•,•,-.-.
.......
.........
,.,.,.,.
.......
,.•••,._
._.,.,.,....._.,
•...•....,
21.5. INTERFEJS SZEREGOWY 705
21.5.4.Programowanie
programowanego
interfejsu
szeregowego
Sposób interfejsu omówimy na z tabl. 21.8. Program PO
inicjuje (wykonuje master reset) i format trans-
misji. 0916 oznacza format: 1 bit startu, 7 bitów
danych, prosta, 1 bit stopu oraz przez 16,
przerwania Jako adres dla interfejsu F010 16 .
21.5.5.KodASCII
Przy transmisji szeregowej litery oraz cyfry przedstawia z jako znaki
kodu ASCII (American Standard Code for Information Interchange). Dotyczy
to transmisji przez IEC (p. 21.6) oraz danych .
znaków alfanumerycznych odpowiednim liczbom binar-
nym norma kodu ASCII. Jest on przedstawiony, z odpowied -
nikami w kodzie szesnastkowym, w tabl. 21.9 [21.3]. W kodzie ASCII wy-
96 znaków alfanumerycznych. Cyfry od O... 9
liczbom szesnastkowym 30 ... 39. z cyfry ASCII na
przez 3016 . Dwie pierwsze kolumny
kody, które nie swoich odpowiedników znakowych; ich znacze-
nie podano w tabl. 21.10. z nich, takim jak znak powrotu
karetki CR czy zmiany wiersza LF, na klawiaturze oddziel-
ne klawisze; generuje przy klawisza oznaczonego CTRL
(control) w z odpowiednim znakiem z kolum n 4 i 5. Znak BEL
(dzwonek)= 0716 generuje klawisze CTRL oraz
G. Kolejny znak specjalny to spacja SP 20 16 .
Odpowiednik
ooo 001 010 011 100 101 110 I 11
-
w kodzie
szesnastkowym o
9 1 OO1 HT EM ) 9 I y i y
A l O1O LF SUB * : J z j z
B 1O1 1 VT ESC + , K [A k {a
C 1 1 OO FF FS < L \o 1 16
D 11 1O CR GS -' = M JO m }ii
E 1 1 1O SO RS > N i n -fJ
F 11 11 SI us I ? o +- o DEL
.·.·e=,,wu~v~v-~-'•""v.·.w.·.-.v.·•·•······ ···············
···'"···""'""""·····w.·.wu.----~= ·," ·""'"'••••··········
··············
·••··"" . "'"'-'= ,=~--
21.5. INTERFEJS SZEREGOWY 707
Tablica 21.10. Znaczenie znaków specjalnych ASCII
21.5.6.Interfejsy
RS 232 Ci V.24
W normie RS 232 (DIN 66020, 66022, CCITT V.24) wysoki poziom definiuje
jako w zakresie + 3 ... + 15 V, niski - 3 ... - 15 V. Dane
w logice ujemnej, a w logice dodatniej .
Klasycznymi typami scalonych translatorów (konwerterów) poziomów
logicznych 1488/89. Ich jest jednak zasilania na-
symetrycznym ± 12 V, które jest potrzebne tylko do tego ce-
lu. Znaczne oferuje pod tym rodzina MAX 232 firmy
·=~w ,•,•,•,•-. •,•,•,•,w.-.-.-.-.- ·~·.-~-===·,w.-w.""•'•'•'•W•'·'·'·'·'•'• '·'•' ·W .._.,,,,.•.•.. •.•.•.. •.-.•.-."""" """""""- ·--= ·=················
·.-.-.·
,w,•,.,·.·.·.-.-.-.-
.,.·.•.w , .. ,.,.,.,
Komputer Terminal
Rys. 21.18. konwerterów poziomów danych dla interfejsu V.24. Nazwy
dwu dla danych (DTE)
b)
FG 1 1 FG
:;~:_:.,__
____><~--
--~=
--o:
i::
~=·
;;~;: :
=
X~---C
.-..,
-_
2!:=J
0_____
-
>< : : ; ;;;
B OSR
z~;;
RI 22 0 022 Rl
DTE np. komputer DTEnp. terminal
c)
FG 1° o 1 FG
:_:E-
-----><~
-----;
:
....
c-_: !::~
E
RTS 4 o----i 4 RTS
C~ 5~ - 5C~
OSR 6~ 60S R
SG 7 >----t--- -- -----i- - 7 SG
DCO 8 8 DCO
DTR 20 - 20 DTR
RI 22 o o 22 RI
OTE np. komputer DTE np. drukarka
-'"-- ..........
..........
,.,.,.,.,...,.,.,.,.,.,.,. .,.,.,.,.,.............
................................
........
....
.,.,...,.,.,.,,.,.,.,.,.,.,.,.....;............
,........
.......
...............
_~=-· ..............
. .............,
....,
,,,,,,
........
. ....
.....
,..,.,•,
710 21. KONSTRUK CJA MIKROKOM PU TERA
Oprócz dwóch danych TXD i RXD tu dwa dodat-
kowe RTS i GTS, za których komputer lub terminal
wzajemnie o do przyjmowania danych. Jedno z
niejszych tej to sterowanie drukarki z
z drukowania. W przypadku bu-
fora drukarka czyni nieaktywnym RTS i chwilowo wstrzymuje wypro-
wadzanie danych z komputera . Za GTS komputer
terminalu, nie z przyjmowaniem danych.
DSR i DTR ich zamiast
RTS i GTS do potwierdzenia transmisji (handshake). steru-
DGD i RJ znaczenie tylko w przypadku stosowania modemów.
Przy interfejsów V.24 najpierw czy mamy
do czynienia z (DTE), jak termina l lub drukarka,
czy z komunikacyjnym (DCE), jak np . modem . Komputery,
jak to pokazano na rys. 21.17, DCE,
ale komunikacyjnymi DTE. To, czy interfejs V.24
jest interfejsem czy komunikacyjnego,
po kierunku zaznaczonym na rys. 21.19a. W
TXD jest aw komunikacyjnym wej-
Na rysunku 21.19a oba te
kablem.
Przy dwu jednakowych interfejsów V.24 sobie
Rysunek 21.19b pokazuje to na dwu
Wymagane spe-
cjalny kabel. Bardziej uniwersalne jest jednak normalnego, równoleg-
kabla V.24, a w specjalnym adapterze, tzw.
modemie zerowym.
nie chcemy linii po ze stron nie wolno
otwartych Otwarte jest zwykle interpretowane jako
zero i zablokowanie komputera lub terminalu . Aby temu
zapobiec, lokalne zwrotne na
wzajemnym 4, 5 i 6, 8, 20 w obu wtykach, jak to
pokazano na rys. 12.19c. Jedno z jest
które przy normalnej pracy jest w stanie „I ", czemu steruje ono pozo-
nie chcemy z transmisji z potwierdzeniem,
z „XON/XOFF" . Na
liniach danych TXD i RXD jest wówczas znak specjalny kodu
ASCII (p. tabl. 21.10) DC3 = 1316 = 191 0 , do zatrzyman ia nadawania
lub DC l = 1116 = 1710 do jego ponownego W takim przypadku
interfejsy V.24 kablem jak do na
rys. 21.19c.
24
25
-
10
strona aktywna Stronabierna
Rys. 21.20. Liczby przy numer w 25-stykowym
typu Cannon
21.5.8.NormaRS 449
standardu RS 232C jest nieco i nadaje do
transmisji o nowej normy RS 449
uzyskanie znacznie transmisji na
_ ..........................
.. .... ... ..... ............................ .....,...,.,.,.,.,.,.,.,•,•,•,•,•,•,
•,•,•,• • •,•,•,•,•,• •,,,•,•,,,, ,,,,,,,,,,,,,,,,,,.,...........................~--.,.,..,..,., .,.,.,.,.,.,.,.,.,','•'•'•'•'+',•,•.-.,........................................
...,...,,.,,..,
......,..~
Rr
Rr
I Kontroler
I I Urzqdzenie1
I urzqdzenia
-
010 1... DIO8 Dafa
- Dane
DAV Data Va/id
DAc Dafa Accepted
RFOReadyfor Data
ATN Attention
DAV=O
OAC=O
Obróbkadanych
RFD=1
Rys. 21.24. Przebiegi czasowe i schemat blokowy trójprzewodow ej transmi sji z pot wierdzeniem
+ e>+ +y
VMA
P13 qfJ110kQ
a3... a,s f:12
112 '---I
VDD
180
-
181
r->-C [>
'121§
010 2
1(1)
2(2)
Po Po -
P=a- CS 0103
BS 182 3(3)
74LS688 0104
- 1(4)
A !6,, a1 RSO 183
§ I> RS1 . OJOS
E a0 ... az RS2 184 - 13(14)
E DI06
RES !85 - - 14(15)
- RES 0107
R/W 186 15(16)
R/W -
187
Dl08
16(17)
74LS541
3EN1~ ~ EN2
SN75160
l
' 3EN2b-
G3b- T/R2 ,.,EN2 ] -
, - !FC
1
SRG
o § I> Z'v
Ej SRO. .
10(11)
+o
- do---d7 ATN
74LS245
ATN - 11(12)
10k REN
REN 17(5)
j---/ 8 y § [> 1\7 EOI -
EO!
5(6)
OAV
Adres ma- EN'i'r ASF OAV - 6(7)
gistrali !EC 74LS541 RFD
+010- RFD 7(8)
- kQ.
IRG [>
I <J 1~ - IRG DAC
'12 ur ~ .8(9)
DMA
VSS SN75161 18... 24
Orant
..l.. ..l.. (18... 25)
Mihrokomputer GP/A 68488 Magistrala !EC
B C6 80 LD A B #$ 80
D E7 02 STA B 02, X trybu adre- Normalny tryb adre -
sowania sowania
F 39 RTS
1010 E6 00 Pl LD AB 00,X statusu Odbiór
2 56 RORB
3 24 07 BCC Ml Czy znak?
5 A6 07 LDAA 07, X znak
7 BDXXXX JSR VI Obróbk a znaku
A 20 F4 BRA Pl
C 39 Ml RTS
1020 F6 00 P2 LDAB 00, X statusu Nadawanie
2 C5 40 BIT B #$ 40
4 27 06 BEQ M2 Czy rejestr
wy je st pusty?
6 BD XXXX JSR V2 Ustaw znak
9 A7 07 STA A 07,X znak
B 20 BRA P2
C 39 M2 RTS
1030 8D CE P3 BSR PO Program
2 8DDC M3 BSR Pl Inicjacja
4 8DEA BSR P2 Odbiór
6 20FA BSR M3 Nadawanie
Powtór zenie
21.7. Licznikprogramowany
W punkcie 10.2 zastosowania licznika z ró-
Licznik taki do magistrali mikrokomputera
poprzez dwukierunkowy interfejs magistrali PIA. liczby zasto-
sowanych i programu specjal-
nego licznika kompatybilnego z np. programowanego mo-
liczników PTM (programmable timer module) MC 6840, którego schemat
blokowy pokazano na rys. 21.26. Zawiera on trzy liczniki
ce o 16-bitowej z liczników jest przypisany 16-bitowy
rejestr, do oraz rejestr
cy, w którym tryb pracy. W trybie pracy licznik jest
ny automatycznie kiedy stan licznika ma O.
,.•.•.•·--" ·'•'•W........,........
.,•••••
•••••••••••••"" """""""""•""••••••••••••••.•....•.•.•.•.•.......,, •.•,•••••••••••,•,•,•,•,.w,u ••= ---~ww •••,• •,.•·••••.w •...... ....... ............. ,..•.•••••••••••••••••••••
•••••••••
r ·- ·-- Jrazy
--- --·,
RSO Wybór Licznik 16-bitowy
c
RS 1 rejestru I o
'
RS2 16
CS I Licznik16-bitowy
E
R/W Sterowanie I Rejestr sferujqcy
odczyt/zapis 8-bitowy
IRQ
II_ _ _____ ____ J
C - zegar
O--=
8
---'-'>---,.<
'--------- .._--E-l Rejestrstatusu O- licznika
8-bitowy G - bramka
RTI
RTI
RTl
RTI
Rys. 21.27. prze z odpyty wanie szeregowe
es
16 a,o a,o
A
t1C6828 a5 d,
C 4 a4 Z4 a4
- CS
a, z, ao
ci,
ao
d1
- R/W o
do
E [N7 8 !N7
IRQ
[NO
!NO
D 8
fff„:r:-::
...........
: ............
............ , .,,","';,;:::?e:~'t~~ .."?-:~.;
's)'!:s-%~:.\ ................
........".... ..........................t~:~:~:~::
:
id 21.9. Bezposredm do (DMA) Mli
.•.,.,.;.
;.;,:-:•
,.,:,.;.,~lt~l*l*~fu':::W.t~;:;;;:1:e#.~$:%:
~~~:::.:-:•:•:•:•:•:•:•:•:
•:•:•
:•:•:
•:-:,:,;:'.:'.~'.~'.~'.
...
A
r-· --- ----·-·- --- ---,
16 ! 4 raztJ j
s ao... a1
Wybór
r
rejestru Rejestradresowy ! TxRQ
OD 01
D 8 -~
.-.- -,,,...
-- -- - +--+---- -+------ - ---
· 02 03 fO i ! TxSTB
I Licznikbajtów F
R/W
IRQ
L_______
__________J
14
E Interfejs
Rejestr
priorytetu
- --""'I magistrali
.,.
tf__ systemo wej f!i
Rejestr
ffH}JiQU
DMAGRT 16
Dane
Rys. 21.29. struklura kontroler a DMA 6844. Wpisane numery adresy rejest-
rów O
TxRQ
o TxRQ
A 16
A
Dekoder D
odresu
CS
R/W
R/W
!RO_
IRQ
TxSTB es Doul
8
RES
E
CLK
OMARQU
BA
- OMA6RT RES CLR
DMA:6844 Am25LS2520
..::.:,:,:,:,···
·:.::::::;:,:
R/W
.rr
iw
EACK
Am 95 1/A
MR
...,..
_ _ _,Q <l
6eneratorcyklu _ CLK
2MHz 1-- -;;,.i
6NO
o o Dane (zapis)
o 1 Dane (odczyt)
1 o Polecenie (zapis)
1 l Status (odczyt)
::== I} TOS
========~
Bajtnajstarszy
bo
przy 16bitach
TOS
przy 32 bitach ;:=:===============:;
} NOS
przy 16bitach
NOS
przy 3 2 bitach
0000/0001 K (high/low)
0002/0003 L (high/low)
0004/0005 M (high/low)
0006/ 0007 Y (high/low)
21.11. danych
Do danych opisanych w p. 6.7 diod lub
Omówione sterowane in-
terfejsem mikrop r ocesora. Aby na niskim poziomie
buforów oraz przewodów dla wielopozycyjnych
je w tablice i w sposób multipleksowany w czasie. Dla przy-
na rys. 21.33 przedstawiono 8-pozycyjny
z ?-segmentowych LED . sobie segmenty wszyst-
kich równolegle. Aby j ednak w tym samym czasie
nie te same segmenty wszystkich pozycji, dekodera 1 z 8,
który w jednej chwili tylko segmenty wybranej przez dekoder pozycji.
Do zasilania 8-pozycyjnego z ?-segmentowych
potrzeba jedynie 15 przewodów. Jako mikroproceso ra wy-
starcza pojedynczy 8-bitowy interfejs
Interfejs Bufor
rownolegTy anodowy
a- bitowy
[>
Dekoder Jt li
l 1
[>
siedmio- I. I
segmentowy
g
[>
Bufor
katodowy
Rys. 21.33. Sposób 8-pozycyjnego 7-segmentowego pop rzez interfejs r ó-
(np. z rys. 21.12)
do magistrali mikrokomputera
przez dekoder 1 z 8, dekoder ?-segmentowy ma Nie-
które typy ?-segmentowych zestawiono w tabl. 6.5, natomiast
bufory anodowe lub katodowe zebrano w tabl. 21.18.
Bufory anodowe
UCN 5815 Allegro 8 40 1,5
DS 8867 Nat ional 8 14
UDN 2985 Allegro 8 250 1,3
UCN 5890 Allegro 8 500 2,0
Bufory katodowe
CA 3262 Harris 4 600 0,6
SN 75492 Texas Instr. 6 250 1,3
DS 8859 National 6 40
SN 75497 Texas Instr. 7 125 0,4
ULN 2003 Allegro 7 500 2,3
NE 590 Philips 8 250 1, 1
TPIC 6273 Texas Instr. 8 250 0,8
ULN 2803 Allegro 8 500 2,3
L 603 SGS 8 500 2,3
UDN 2597 A Allegro 8 500 1,0
SN 75498 Texas Instr. 9 125 0,4
I>
Bufor
anodowy
!I
-
es
3
dwubra-
A'
3 Dekoder
siedmio- b
segmento-
I>
I> o
Lf o
,,
D 4 mowa o' wy
4
Bufor
katodowy
Rys. 21.34. Autonomiczny multipleksowany z danych
Bufory do LED
ICM 7212 Harris 4 7 Anoda 4
MM 74C911 National 4 7 Katoda 8
MC 14499 Motorola 4 7 Katoda l
MM 74C912 National 6 7 Katoda 5
MAX 7219 Maxim 8 7 An./Kat. l
ICM 7243 Harris 8 16 Katoda 6
10937 Rockwell 16 16 Katoda l
LED z wbudowanymi buforami
PD 1165 Siemens 1 8x8 8
PD 3435 Siemens 4 5x7 8
HDSP 2382 Helwett -Pack . 4 5x7 l
PD 2816 Siemens · 8 16 8
HDSP 2112 HP, Siemens 8 5x7 8
Do pracy jest
zmienne o amplitudzie. Dla pojedynczych segmentów
to w sposób przedstawiony na rys. 6.20, na przeciwsob-
nym wysterowaniu buforów. Przy liczbie pozycji pozycje
w matryce, aby w grani-
cach. Aby wybranemu segmentowi dostateczny poziom za-
silania i zmienne, do wysterowania takiej matrycy
potrzebne (pr ócz poziomu zera) trzy poziomy Ta specjalna tech-
nika multipleksowania nazywa trip/ex (21.6].
21.12.1.Normaodbioru
TV
Obraz w technice TV uzyskuje linia po linii
ekranu i w odpowiedni sposób (a w razie potrzeby
kolorem) punktu tak, w efekcie uzyskuje zawar-
ekranu. Ra ster tego sposobu pokazano schematycznie na
rys. 21.35. Zgodnie z TV CCIR (Comite Consultatif International des
Radiocommunications) obraz 625 linii w czasie
40 ms. Daje to powtarzania obrazów 25 Hz .
linii jest 625 razy i wynosi fu = 15,625 kHz, jej czas
trwania jed nej linii wynosi tH = 64 µs.
__ .,:;.o _ >-
111111
Impuls Vj I I I ,
160y.s l' r._ 6_I4_'Jl_S1
'""'
11
___ 1 Ilm_pu
_Ils_ H'I''
_ -1 li
-· 20ms __
0
Biel
....---'
5,8J1S
64µs
21.12.2.Monitoralfanumeryczny
Z punktu widzenia programisty, wyJsc1a polega na
przedstawienia na ekra nie TV RAM. Odpowiedni
przedstawiono na rys . 21.39. RAM jest z mikro-
komputera za interfejsu, mikroproceso r w niej zapisy-
lub jej RAM jest czyta-
na w sposób przez interfejs monitora. Do sterowania przebi egami czaso-
wymi i uzyskania synchronizacji specjalnego kontrolera wi-
zyjnego, jak np. 6845 firmy Motorola lub SY 6545 firmy Synertek.
synchronizacji
Adres wygaszania
znaku
A A' _.,__ _~~ Zegar----~
sterowanie znakow Dzielnik
przebiegam? 1"<------1
czasowymi
R/w 4
dwubra-
mowa, Adresy
linii Przes
uwanie
~--'-- -- -'-~ Sygnar
Generator Rejestr Generator wizji
znaków - -~ zespolonego
D przesuwajo,cy - wizji
8 .___ _ _ __, 8 '- - -- --' Obrazu
Mikrokomputer Sterownik Monitor
Rys. 21.39. Alfanumeryczny interfejs wizyjny z
,www.v,--v.v ,""'w ,. ·.w.v,•, •,•,•,•,•,•,•,•,.,"""' ·""""...,•W•'•' •' •' •'•'•'•'•'•'""• '•'-"-wwwwwwwww=.,= .•.v,• ,•,w ,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•"w ,w ,, .,,., ,,ssssm,w .•.w ,w ,w ,w ,•,•,
.....
Kontroler adresuje w RAM znaki do Wszystkie znaki
z ekranu, od górnego lewego do dolnego prawego rogu, kolejno
numerowane i wczytywane na ekran spod po sobie adresów
RAM .
1 2 3 4 5 61 1 2 3 4 5 6 7
2 I 2
3 I 3
4 I 4
5 I 5
6 I 6
7 I 7
8
9
10
11
12
Rys. 21.40. znaków w postaci matrycy 5 x 7 lub 7 x 12 przy czasie trwania linii
42 µs oraz 256 liniach wykorzystanych w obrazie
Rys. 21.41. Sposób twor zenia zespolonego wizji o amplitudzie I VPP i impedancji
75 n z wizji, synchronizacji i wygaszania
Interfejsmagistrali mikrokomputera
Kontroler wizyjny MC 6845 lub R 6445 jest peryferyjnym mik-
rokomputera do jego magistrali tak samo jak inne interfejsy szere-
gowe lub Ma on 17 lub 19 rejestrów, w których
podczas inicjalizacji umieszcza wszystkie parametry formatu obrazu [21.9].
RAM jest do magistrali interfejsem. Ma on dodat-
ustawiania adresów, tak aby jego adres
od kontrolera. Pewna polega tu na tym,
RAM musi jako dwubramowa .
A O R/ W
tekstu
7 A'~ -- -
4 RAS
obrazu
6enerator SygnaT
Procesor
1 CAS
Cztery o;ut4 Rejestr 1 · B zespolonegowizji
1 R/Wdynamic~ne przesuwajqcy sygnaTu
graficzny wizji
-
Dl RAM
1-+----,1 16KB Wygaszanie
Stjnchronizacja
2
D
1,5MHz 6MHz
Zegar
Takt Takt
EF9367 znaków punktów
Mikroprocesor Monitor
Rys. 21.43. Interfejs wizyjny do alfanumerycznego i graficznego o
256 X 256
~:::;:,.,:,:,.·,
..,.~~~~
~'$:::=J:=?::~;;';;.
4.x,,~··:,,,.,·
......,
.....
:..,.,,,:,:,:,.,:,.,:,:,.,:,:,:,
...,.,.,:,.,.,,,:,
:,:,.,.,,,:,:
...:.:,:,:,:..,.
.....
:..,.,:,.,.,.....,.,,,,,·
··
ii 21.13.Analogowe ·
·..·>nk::rR,%
~::·:::·:r:-.:.·.·.·. WX::?\:/)~1:~
::::
·"-:.;x
..::t.n·r.·r:·::.·.·:::·:·:·:·::.:
.·::n·
..
21.13.1. analogowe
karty analogowego przedstawiono na rys. 21.44.
W celu dokonania konwersji najpierw analogo-
wego w po czym podaje rozkaz startu
konwersji dla przetwornika A/C. do tego dwa przerzutniki monostabilne
wyzwalane pojawieniem adresu o dwa od adresu bazowego . Gdy
jest wolnozmienne (mniej 1 LSB w czasie jednej konwer-
sji) oraz przerzutniki.
podczas konwersji bit przetwornika A/C czy konwe-
rsja jest zakonc zona. Odczytuje w tym celu status spod adresu bazowego
+ Oi testuje, czy jest ustawion y bit 7. Gdy konwersja jest
spod dwóch adresów: bazowego oraz bazowego + 1.
JMA
E
P, Qi
R/W
14
:.----I
74LS588
'tuwE
A 2
EN
1 1
6 2.. 2 ~7
3 "J <l
3
74LS541 J8
D 8 74LS 155
A/C
21.13.2. analogowe
karty analogowego o 12 bitów przedstawiono
na rys. 21.45. pracuje tak jak z rys. 21.12. Starsze
4 bity pod adresem bazowym, kolejne 8 bitów
- pod adresem bazowym + 1. Tak na przetwornika jako pierwsze
starsze 4 bity; powinny one podwójnie buforowane. Bez
dodatkowej - przynajmniej chwilowo
- wynikiem konwersji nowych 4 starszych bitów i poprzednich 8
Nie tu przerzutników D wyzwalanych zboczem przerzut-
nikami D wyzwalanymi poziomem typu „zatrzask" ze na to, prze-
twornik C/A na stan magistrali danych przez czas,
w którym E = 1, podczas gdy przetworzone dane dopie-
ro przy cyklu - jak wiemy z rys. 21.8. wówczas na
analogowym impulsy o amplitudzie .
VMA
E
RtW
C/ A
A d8 tua
1 1
d7
D
8 - juRl:F
do
.,,...,.,.,.,.,...,.,.,......-........_.
....,.,.,.,.,.,....,,,,,,.•_.
"'__ ,.._,.
,.,.,,.,•, ,,,,,.,.,.,.,.,._.,. .,.... .........,..,.~-=r,·.-.......-.-...- .-............................
................ ....,,.,,,.,
.•••
, ,.,.,.,.,.
...,.,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,
•,
A 16 Dekoder
adresu.
E BS WR
MA
R/W
8080
6800
Rys. 21.46. Konwersja peryferyjnymi ze standardu 6800 na
standard 8080
R/W(tJBOO)
=.c..,c..,c..c..,c..,c.
.c..,c..,c.
~
E (6800)
es(8080)
R0(8080)
es{6800)
Rys. 21.47. Przebiegi czasowe w cyklu odczytu
Sterownik
(Keyboard-Display -Con/roller)
8279 Int el
i 22.1.
~;~~:
1:l:i:;."i:OOlli
f::1:;:;:
1:1:1:1:~
:1~
~~:V~~~ *i.~~~
~*~1-:~J~
~~~lt°
kluczy .....
+5V + 15V
Xs
Klucz
- 15V
Rys. 22.4. sterowania klucza
22.2.1.Tranzystor
polowyjakoklucz
Jak w p . 5.7, tranzystor polowy przy dren -
zachowuje tak jak rezystor, którego o kil-
ka za UGs; praco-
jako klucz. Na rysunku 22.5 pokazano tranzystor polowy
w klucza szeregowego . Usr co naj-
mniej o Up mniejsze od ujem nego wej-
to tranzystor polowy nie i
równe zeru. tranzystor UGspowinno
równe zeru. Warunek ten nie jest do
nie jest ustalony. tego warunku przed-
stawiono na rys. 22.6. w tym Usr
dodatnie to dioda nie przewodzi i mamy zgodnie z
niem Ucs = O.
uwE
.1.. /?
Usr
j_
Rys. 22.5. Klu cz z lranzystorem polowym Rys. 22.6. Uproszczenie sterowania klucza
UsroN = U\ UsrOFF = OV
Rys. 22.8. rezystancji tranzystoró w
Rys. 22.7. Klucz szeregowy CMOS od
dla Usr = UsrON = u+ = 5V
,.....•.•••.•.•w,m =,wm=v, •,m ,•,•,•,- -,.. ,••.,., •••,.,•,•,•,•,•.•,•,•,•.•,•.•,
•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,
•,•,•,•,•.•,•,•,•,•,,•,"""'"'"=- --= = ,,w.w." ·····
,· ··· ·,•,•,,,.,. ,.,.,.w .,.,.,.,....• ..., .......,...,.,. .,.,.,.•.,•••,••.••••• •·····
750 22. KLUCZE ANALOGOWE
Typowe kluczy w temperaturze pokojowej
0,1 ... 1 nA . one przy temperatury o 10° i wzros-
nawet do 100 nA.
rezystancja (:,;;100 Q)
Wysokie ±3 0 V)
HV 348 I Supertex
I
2 X
I 35
I ± 50 I
lOmWI 500
I
nie
www __ ,•.,w.·.·········
_,, _ _ ·············
········
···············, -,nm .•,.y.w.w.==
22.2. KLUCZ E ELEKTRONICZNE 751
Tablica 22.2. analogowych multip lekserów CMOS
22.2.2.Kluczediodowe
Diody , ze na ich i przewo-
dzenia, jako klucze. na z rys.
22.9 podamy dodatnie to diody D 5 i D 6 spolaryzowa-
ne wstecznie. I wówczas przez D 1 , D 4 i D 2 , D 3 z jednego
do drugiego. Wskutek tego
.......,.,....
........... .........
.....,.,. . ........
...... ..
, , , ,., , ,., ..........
.. .....,·.·~····· ..... ,,,,,,,.,.,.,.,.,...
.................................
,,,,,,,,,,,,,,.,,,•,•,•,•, ........
.......................
. ............
........
......
....,.,.,.,.,.,.,.,., ,........
.,.,...
.,.,.,., ....
..
752 22. KLUCZE ANALOGOWE
a
Usr
j_
1.
..,...,.,.,._.,.
,.,.,.,.,.,.,.,.,,,._,......_._
•.._.
_._....._..._.......
._www_ ,......,..,.,.,.,_.,,.,,•,•.•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,
•,•.•,•,•,
•,-.•,•,,.......-
......_._._._
21 21
+JV
Tt Tz
Dz
±2,5V
uwel D4 tuwy
.1.. ..1
- JV
le l[
[mA] [mA]
3 3
40 Uu[mV}
Klucz
tranzystora jako klucza (short-circuiting switch)
przedstawiono na rys. 22.13 i 22.14. W z rys. 22.13 tranzystor jest
normalnie , a w z rys. 22.14 inwersyjnie. Dla zapewnienia
w=w.,=-- ·········.....•.•.w.•.•·•·························
··-,,."'==··· ··········,.w=,,_,,-,,,=.w.w,·.··
·················
········
······················""' ···,wu.·.w.w--= ··········"""=-,
22.2. KLUCZE ELEKTRO NICZNE 755
rezystancji tranzystora bazy jest mA. Aby
resztkowe kolektora (albo emitera) nie
o wiele
R R
Klucz szeregowy
Na rysunku 22.15 przedstawiono tranzystor bipolarny w
dzie klucza szeregowego (~eries switch). Aby tranzystor zatkany,
ujemne o nie
- UEBomax - 6 V. Aby tranzystor ste-
o !J.U= InR 8 od Przewodzi wtedy dioda
kolektor-baza, a tranzystor pracuje jako klucz w inwersyjnym. Wa-
jest to, bazy przez
Aby nie to rezystancja
powinna bardzo nadaje szczególnie w przypadku do-
datnich W stanie emitera jest wtedy do-
datni, co powoduje zmniejszenie resztkowego. Jak na rys.
22.12 przy pewnym emitera jest ono równe zeru. pra-
w takich warunkach nosi przesterowanego wtórnika emitero -
wego, dla O a UwE pracuje on bowiem jako wtór-
nik emiterowy dla Usr· te widoczne na charakte-
rystyce dla dodatnich przedstawionej na
rys. 22.16.
Uwy=O
UwE Usr
---v--' '---...r-------
Zablokowany Wtórnik Przesterowany
emiterowy wtórn
ik emiterowy
Rys. 22.15. Przesterowany wtórnik Rys. 22.16. Charakterystyka dla dodatnich
emiterowy jako klucz szeregowy
Usr f
..t
Rys. 22.17. Klucz
22.2.4.Wzmacniacz jakoklucz
Wzmocnienie wzmacniacza (differentia/ amplijier) jest proporcjo-
nalne do transkonduktancji , która z kolei jest proporcjona lna do kolek-
tora. Wzmocnienie równym zeru przez
nie emitera . Na rysunku 22.18 pokazano , w jaki sposób
w kluczu analogowym.
dla Usr = I V
dla U5 r = - 1 V
I- tJJ ]+IJ]
Tto
dla isr =O
dla isr > O
le lsr
=U
• Ar
1wy = 2u.i = gmUWER UwER =~ U UwER
T T
równy zeru, to wszystkie tranzystory przesta-
a spadnie do zera. Wzmacniacze
zgodnie z na rys. 22.19 wzmacniaczy trans-
_,.,.,....,..
...,.,.,.,.,.,.,...,.,·,-.-.-.-.w.-
.v.·.·-......,.....,._- .......
,..-..........,.,.,.,
.,.,.,.,.,.,.,.,.
,...,., .,.,•,•,vo.v,.o.-.v,. ............,.,..,..,,.....,......~=.-.v.·
.·r~- ...,,.....,.,.,.,.,.,.,.,.,•,•,•,
•,•,•,
•,•,•,•,•,,.,.
._,.._.
,,.,.,,,..,.... ,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,•,•,•
,•,•,•,•,,.,,
758 22. KLUCZE ANAL OGOWE
konduktancyjnych (transconductance amplifier). one w postaci
scalonych, np. CA 3060 lub CA 3280 firmy RCA lub GAP 01 firmy
PMI. Przy jako wzmacnia-
cze operacyjne. proporcjonalny do drugiego
cia to je jako analogowe mno-
[22.3].
Na rysunku 22.20 pokazano, jak z rys. 22.18
do budowy dla wielkich Oba wzmacnia-
cze T 1 , T 2 , T 3 i T4 tu ze wspólnymi rezystorami kolek-
torowymi R 1 . jest jednak zawsze tylko jeden z nich: przy dodatnim
I zostaje podany na lewy wzmacniacz
w przeciwnym przypadku - na prawy. W stosunku do zasady przedstawionej
na rys. 22.18 uzyskuje przy
+ + +
uwr,
i
1
dla Usr = l V I
ku = - gm/Re liR2)
dla Usr = - 1 V 2
gm/= gm/(1+ gmR,i)
22.3.2. Wzmacniacz
o wzmocnieniu
W z rys. 22.23 wzmocnienie wzmacniacza
za multipleksera analogowego. od tego, który
z kluczy multipleksera jest przez odpowiedni dobór rezystancji
dzielnika dowolne wzmocnienia
ku~ 1. Szczególnie jest w tym fakt, klucze multiplek-
sera analogowego czemu ich rezystancja w stanie
nie na
"•l>--K
-+-
[--<~ ~ >- -+-
1 Up
4,6 przy 1%
tA = RoNC. {
6,9 przy 0,1%
D,1%
BOdB
Piedesta! Zwi s
10mV 30mV/s
Czasakwizycji
4 s
zmian
sygna[una Czas ustalania 0,6JJ,s
5Vj)LS
22.4. 763
Kolejnym parametrem jest przenik (feedthrough). Wynika on
mimo otwartego klucza na Zja-
wisko to jest przez dzielnik utwo-
rzony z otwartego klucza i kondensatora
parametrem w stanie jest spadek na
kondensatorze zwany zwisem (droop). on od
wtórnika oraz klucza. Przy
dzie IL otrzymuje
tiu= cl u
. C
Przy parametrach takich, jak podane na rys. 22.27, stanowi to 0,6%. Stosunek
C1/C od rodzaju dielektryka. Dobre pod tym
teflon, polistyren i polipropylen, natomiast my-
laru i dielektryków ceramicznych nie dobre [22.4).
1GQ
~' "'
Rys. 22.27. Schemat kondensatora (parametry podane na rys. kondensatora
I µF z dielektrykiem mylarowym)
o-----, + Ut
z integratorem
Zamiast uziemionego kondensatora z wtórnikiem jako
analogowy integrator.
przedstawiono na rys. 22.29. Klucz szeregowy jest wtedy do
wzmacniacza, czemu go
Rz
04
uwv
l_
Rys. 22.29. z integratorem jako
,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•.w"" '-- == ··, .w .·.wh==---..,,.,, ,.,.,..., ,. ., ,...,,.., ,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,•,v ,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,w.w·=~----
22,4. 765
Gdy klucz jest wówczas ze na ujemne zwro-
tne w przyjmuje uwy =
= - uwER 2 /R 1 • Wzmacniacz W0 1 , podobnie jak w poprzednim
skraca czas akwizycji i eliminuje wzmacniacza
z tran zystorami polowymi W0 2 •
Gdy klucz jest otwarty , wówczas kondensato ra jest
równy zeru, a pozostaje Nie wówczas
nie zwrotne natomiast diody D 1 ... D4 na-
wzmacniacza W0 1 do ok . ± 1,2 V. Zapobiega to jego prze-
sterowaniu. W szybkich wzmacniacz
WO1 nie
* Z kondensatorem
2
Podwójny
4
Poczwórn y
z przetwornikami A/C
realizuje przetwornik A/C z wbudowanym
tzw. przetwornik A/C (sampling ADC).
takich przetworników podano w tablicy 21.21.
''''',:,:,:, •,
123 I
!l,,,.,.,,
,m;...'**'"'#f@::::::,,.)
;:i:f
,n,}·%fr'·-8:·'·'
··:A>
····
·'''·'·
·}l?I'·:·:·
C/A i A/C
Przetworniki
····
'·''''·'''''''···.:.::,.,,.,
.-:::,r.:,ww,?:!z.@:,,~.,
.,.•.
,.,.,
.•.
,.,.•.•.
,.•,•.•
.•.
,,,,&··=MMi%1Mi>·"''
''·"·'·
':'·'='···,.,.,
.·.M-,,
·;~;~;r:=:=::::
::::::=:=:~
=~:s~.r.@=:~=·
::::::::::::::::::::::::::::::::::::
:::::::::,:
::::
::::::::::::::::::
::::=====
::=
===
====
=======:=
=====
===:=•
=======
:~:=~:=:~
=~:~/:•
=~f~ttt~~~~~~m~~~~t~t~t~~~~t
~rr ~tr
··'·''23 1 Podstawyprzetwarzania
C/ A ···························-i:-:::.. ,,,,,,,,,,
,.,,,..,
Zada niem przetwornika C/A jest przetworzenie liczby na wy-
trzy zasadniczo metody przetwarzania: -
-
-
- zliczania.
Metody te przedstawiono na rys. 23.1. W metodzie równoleg-
(rys. 23.la) dzielnik dostarcza wszystkich a de-
koder 1 z n powoduje tego klucza, któremu odpowiada
a) JREF
K4
b)
R juwyUREF
.1
R c)
R
4R
23.2.1. Sumowani
e
Prosty na proporcjonalne do niej na-
jest przedstawiony na rys. 23.2. Rezystancje dobrane tak, przy
kluczu wadze danej pozycji. Klucze
•......·.wuu~wu .......w.,=·=- - --w...-,.•.•.ssssss".•.w .wuu .·,.w.·,m.wu _______ w.•.•.•.•.wa.•.w.•.·.·.•.•.·m.·.····
···············
·•······v.w.w.·mu.w.····
··w···················
23.2. PRZETWORNIKI C/A W TECHNOLOGII CMOS 769
zawsze wówczas, gdy na danej pozycji jedynka
logiczna. wzmacniacza operacyjnego ujemnym
zwrotnym za rezystancji RF, jest zawsze na poten -
cjale równym zeru .
L URBF L
Uwy =- URP.P
l6 ; l = ----
R 16
Wynika
(23.l)
23.2.2.Przetwornik
C/A z zestykami
opisanego przetwornika C/A jest to, na kluczach
wahaniom: od UREF (gdy klucze otwarte) do O (gdy
Dlatego przy
cze klucza . Wa dy tej zestyki (klucze) poka-
zane na rys. 23.3, które wzmac-
niacza a temu przez rezystor ma
Wynika kolejna odniesienia jest
- .,.,..
..,..,....,_._.....,,..,.,..., ,,,.,,,,,,.,...,.,,.,,,.,,,_____ ----,.....,.,.,.,.,.,., ,.,.,.,
.,.,.,
.,.,.,.,.,.,.,.,
.,.,.,.,.,.,.,.,.,
...,.,.,.,.,.,.,....,=====,,.,,..-.=··r.- ...-.-.-.-
.............
,.,,._
16
rwE = 2R li4R li 8R li 16R = l5 R
MS8 LSB I
UREI' L
l=- - - --
R L,...x+l
Rys. 23.3. Przetwornik C/A z zestykami
23.2.3.Drabinkowa rezystancyjoa
Przy produkcji scalonych przetworników CJAwykonanie rezystorów o silnie
i tolerancji znaczne Dla-
tego wagi stopni realizuje za wielokrotnego
cia w drabince rezystancyjnej przedstawionej na rys. 23.4. Podstawowym ele-
mentem takiej drabinki jest dzielnik pokazany na rys. 23.5,
który powinien go rezystan-
RP, to jego rezystancja r we powinna RP.
1
UREF R au11EF
uw
f- 2R llp=2R
[3 lo
I'
MS8 LSB I
R = (l -a)2
I a,
R
q
R = (I - a) R (23.2)
p (t, q
u,f
l_
23.2.4.Odwrotne drabinki
rezystancyjnej
Niekiedy drabinka rezystancyjna pracuje z zamienionymi i
jak na rys. 23.6, wtedy do sumowania nie jest potrzebny wzmac-
twr
LSB
(23.5)
~·
:::·:·
:·:·Wrn1 ':':':·:·:·:·:··:·:·:·:·:··.:r-r~~
lfi'VN '•':':': ~-...}*.;Z~~w ...r..-::.-:.t
·......·;·:;:;:·:::::::::::·:::·:·:::::::::;:
;:;:::
j'
iyyy
lwyz = l.v:ss. L = lr,SH. L8
Uwy = lwyz(2R liR,,)
23.4.1.Przetwarzanie
liczbze znakiem
Przy opisie przetworników C/A dotychczas, mamy do czynie-
nia z liczbami dodatnimi , które przetwarzane na dodatnie (lub, w
od na ujemne) Obecnie zbadamy, w jaki sposób za
opisanych przetworników C/A obu
znaków. sposobem przedstawiania liczb dwójkowych o dowol-
nym znaku jest zapis zwany do dwóch (patrz p. 19.1.3). do
dyspozycji osiem bitów, w ten sposób liczby z zakresu
-128 ... + 127; pokazano to jeszcze raz na rys. 23.12. W celu wprowadzenia
liczby do przetwornika C/A zakres liczbowy przez dodanie
128, zakres O ... 255. Liczby od 128 wówczas
jako dodatnie, a liczby mniejsze od 128 jako ujemne. zakresu, 128,
oznacza zero. Taki sposób przedstawiania liczb ze znakiem, za po-
liczb dodatnich, nosi kodu dwójkowego (offset bina-
ry). Dodanie 128 w bardzo prosty sposób przez zanegowanie
bitu znaku, jak to na rys. 23.12 . Aby z
znakiem, likwiduje doda ne przez po stronie
analogowej 128 ULsB = U REF/2. Do tego celu sumator W0 2 na
rys. 23.13. Na jego otrzymujemy
1 L + 128 1 L
Uwy = -Ui - UREF = UREF -
2 UREF = UREF (23.8)
2 256 256
I
PrzetwornikCjA
l7 Le L5 l4 L3 L2 L1 lo
L
uwr = UREF-- dla -128 L 127
256
Przetwornik
C/A I WOz
Uwy
j_
[7 Ls l5 L4 [3 l2 L1 Lo
L
uwr=UREP dla -I28~L ~l27
128
Rys. 23.14. Przetwornik C/A z dla dodatnich i ujemnych i ~ra
............,...,..,......,.,...,..
................................,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,....................................
.. ...................... .,..,-~= .,,•.,,•,,,•,•,
•,•,•,•.-,•,•,•,•,•,•....,.....................,..,...,......"""' ,-- -
Uwy -
_R[ UREF
R
. L + 128
256
- UREF
R
. 255 - (L
256
+ 128) _ UREF
R
• _ l_ J
256
=
"----.,------) "-----.,--1
I I'
(23.9)
23.4.2. przetworniki
C/A
Jak przetworniki C/A które
jest proporcjonalne do wprowadzonej liczby i odniesienia UREF, two-
iloczyn L · UREF· Z tego powodu przetworniki, w których jest
liwa zmiana odniesienia, przetwor-
ników C/A.
W przetwo rnikach wykonanych odniesie-
nia tylko dodatnie, w przeciwnym przy-
padku nie z rys. 23.10. W przetwornikach
CMOS natomiast dopuszczalne zarówno dodatnie, jak i ujemne
odniesienia. przy tym zastosujemy takie jak na rys. 23.13 i 23.14,
które przetwarzanie dodatnich i ujemnych liczb z zna-
kiem, mówimy o
24.4.3. przetworniki
C/A
Przetwornik C/A w taki sposób, wykonuje dzielenie
przez W tym celu go w ujemnego
nia zwrotnego wzmacniacza operacyjnego w sposób pokazany na rys. 23.15.
R Lmax+ I
UREF Uwy = -U wE - .
ln Rp L
przetwornik I
l1
Lo C/A juwr
RF=/? j_
L
1= UREF L I
max+
otrzymujemy na
(23.10)
C/Ajakogenerator
23.4.4.Przetwornik funkcji funkcyjny)
W przetworniku C/A Uwy jest proporcjonalne do
wprowadzonej liczby L: Uwy = aL. zamiast tego zrealizo-
Uwy = f(L), to najpierw
X= f(L) za cyfrowego generatora funkcji (patrz p. 19.7) i
X na przetwornik C/A. Przy mniejszych wymaganiach
cych istnieje jednak znacznie prostsza sterowanie
multipleksera analogowego L. Na jego podaje
takie analogowe, które danej liczbie dwójko-
wej. Dla analogowej jest potrzebny jeden klucz, co ogra-
nicza do ok. 16 poziomów. Jedna z realiza-
cji jest przedstawiona na rys. 23.16 . Inaczej w przetwornikach
C/A, z kluczy K 0 ... K7 zawsze jest tylko jeden . Wówczas
dla L= 0 ... 3
+5V 2 V sm2n
. fwe
uWY = -- t
16
'.Q
fw '""'
l(') :g "'
.....
O")
"' ,- 1~- . I
I
I I
S5 Voo
Multiplekser
analogowq
[4] np.CD1051 Uss
tuwy
[8] S2 S1 So uEE
1
.....
"'
..,..., "'
:g "'
'""'
o,
"'
<::,
- 5V
L licznika
multipleksera Numer
klucz schodka Uwr/Uwym
13 Iz 1, Io 22 21 20
o o o o o o o o Ko +o 0,20
1 o o o 1 o o 1 K1 +1 0,56
2 o o 1 o o 1 o Kz +2 0,83
o o 1 1
3
4 o
o 1 1
1 o o o 1 , K3
Ki
+3
+3
0,98
0,98
5 o 1 o 1 o1 o K2 +2 0,83
6 o 1 1 o o o 1 I<, +1 0,56
7 o 1 1 1 o o o Ko +o 0,20
8 f o oo f o o K4 -o -0. 20
g 1 o o 1 1 o 1 Ks -1 - 0,56
10
11
1
1 o 1 ,
o 1 o 1 1 o
1 1 1
K6
K,
- 2
-3
-0,83
-0,98
12 1 f o o 1 1 1 K7 -J -0,98
1 o 1 o -0,83
-,
13 1 1 1 K6 -2
14 1 1 1 o 1 o
1 Ks -0,56
f5 1 1 1 1 1 oo K4 -o -0.20
23.5.1.Parametry
statyczne
zera przetwornika C/A przez otwarte
klucze. zakr esu z jednej strony rezystancje kluczy,
a z drugiej stro ny rezystora zwrotnego RF. Oba te
w stopniu przez W
stwie do obu tych przetwornika nie
przez parametrów. mówi, o ile lub mniejszy
od najmniej bitu (LSB) jest w najgorszym przypadku jeden scho-
dek charakterystyki przetwornika. Na rysunku 23.20 pokazano
+ LSB/2. Najbardziej krytyczny jest przy tym zakresu. Za-
1 ma tylko najstarszy bit, wówczas tylko przez
jeden , ostatni klucz. zmniejszymy o jeden, zamiast ostatniego klu-
cza wszystkie poprzednie klucze. Wypadkowy tych kluczy musi
teraz o ILsB mniejszy. natomiast jest
u
ULsB
u
ULsB
7
6
~23.5.2. Paramet
ry dynamiczne
Czas ustalania jest to czas, który od chwili liczby Ona Lmax
do chwili, gdy z
LSB/2. analogowego wynika z prze-
twornika C/A. LSB/2 jako odniesienia powoduje,
przy tej samej czasowej przetwornik o
dochodzi do stanu ustalonego z LSB/2.
W wielu przetwornikach C/A jest który w ra-
zie potrzeby za wzmacniacza operacyjnego
przetworzony na W tym przypadku czas przetwarzania
jeszcze o czas ustalania na wzmacniacza operacyjnego,
który jest znacznie od czasu ustalania przetwornika C/A.
Aby krótkie czasy ustalania , takie metody, które
zrealizowanie bez stosowania wzmacniacza
operacyjnego. Dlatego w przetwornikach CMOS stosowane tylko drabinki
rezystancyjne z rys. 23.6 w odwrotnym. Wszystkie przetworniki bipo-
larne natomiast na rezystancji
nia. Aby pasma w zakresie MH z najlepiej jest
przetworniki C/A o które uzyskanie
wymaganych amplitud na rezystancjach 50 albo 75 n.
Przy z jednej liczby do drugiej bardzo nieprzy-
jemne, szpilkowe impulsy (glitches). ich nie
na przez klucza na
lecz nierównoczesne kluczy przetwornika C/A. Krytycznym pun-
ktem jest znowu zakresu: najsta rszy bit (MSB) jest to
tylko przez jeden klucz. zmniejszymy o jeden, to klucz
ten zostaje a wszystkie przy tym klucz
MSB otworzy przed to na
przyjmie zeru. natomiast klucz MSB otworzy
nieco za to na krótko przyjmie za-
kresu. W ten sposób impulsy o amplitud zie
równej zakresu. dla przypadku, kiedy klucze
szybciej jest przedstawiony na rys. 23.22.
impulsy typu krótkie, je
za filtru dolnoprzepustowego, ale w ten sposób ich czas
trwania, bowiem energia impulsu jest w tym przypadku
m, ..... ,_.,._.....,...•,,-m~-- ·=~--,=-,--., ...........,.-......,.,.,.,w,·,················w=,==vN .·, .·.·m, .·.w.,w.•~,-- .-.-A. , .....ss"""--
.....,...............................
784 23. PRZETWORNIKI C/A I A/C
Impulsy typu glitch próbku -
W czasie trwania impulsu ten w stan
i w ten sposób
zaprojektowane specjalnie do tego celu degliczerów (de-
glitcher).
u
ULSB 7
o
L
Rys. 23.22. dodatnich impulsów typu „glitch" przy zbyt wolnym otwieraniu kluczy
Roz -
dziel- Ka· Pa- Czas Techno-
Typ Producent
ustaJania [bity] logia
[bity]
• Inni producenci: Burr Brown, Dale!, Maxim, Micro Power Systems, PMI , Sipex.
R = rejestr ze zwrotn ym odczytem danych. Inne typy w tabl . 21.22 .
.......
.................
..,,,,.,..,.,
..,..
.............
==- - .......
........
.......
............
......
....,.,•,
•,•,•,•,•,
•,•.
·····.-,·,······...·····._
.........................
...........
....
.....................
.........................
............
...,..............
..........................,..............
.............................
.,..........
23.6. PODSTAWY PRZETW ARZANIA A/C 787
t··:;:·.........
................
«w:2**%m.:,:zz®)'>.;•?
·r r~····
··········
·······
················
·····
······;;
····r········
..::~·:;:··'.
·....
.·::::~~
=-~~,t
•._
I~?,23.7. przetworników
A/
..:
23.7.1. statyczne
u - ULSB (23.11)
nef- Ju
Przy wysterowaniu przebiegiem sinusoidalnym w przypadku N-bitowe-
go przetwornika skuteczna
u
S/N = 20 dB log Use/ = N · 6 dB+ 1,8 dB = N · 6 dB (23.12)
nef
u.wr
{l)
blqd
dodatni
UWE
UwE
23.7.2. dynamiczne
dwie dziedziny przetworników A/C: z nich
woltomierze cyfrowe, a - przetwarzanie W woltomierzach
cyfrowych w czasie przetwarzania ma war-
nat omiast przy przetwarzaniu stale
zmienia. Z tego zmiennego, w celu poddania go obróbce cyfrowej,
pobiera w równych czasu próbki za
Przetwornik A/C przetwarza te próbki na liczby. Jak poka -
w p . 24.1 liczb {L} reprezentuje
bez utraty informacji tylko wówczas, gdy jest twierdzenie o prób-
kowaniu . Zgodnie z tym próbkowania fp musi co naj-
mniej dwa razy od maksymalnej Imax· Wynika
.w.·.·················
····•··
wu•-- = =w,-•,-w,··•···•······
•···•···········
·················•·v.v,•.•.•·
··············
·······•···•················w····•" "~ - ··=·=- - -,,, ..,,, ..,,, ,,.wm •,mmww~ w
23.7. PRZETWORNIKÓW A/C 789
wymaganie, by czas przetwarzania przetwornika A/C i czas akwizycji
razem mniejsze 1/(2/max).Aby móc
to wymaganie przy kosztów, ogranicza
pasma do koniecznej W tym celu na
filtr dolnoprzepustowy.
Do oceny wspólnie przetwornika
A/Ci Nie ma np. sensu dwuna-
stobitowego przetwornika A/C z który
w do dyspozycji czasie nie ustalonej z do
1/4096 0,025% zakresu wysterowania. Inny dynamiczny jest spowodowa-
ny chwili pobrania próbki apertury). Czas
apertury tv powoduje pobranie próbki z opó-
Gdy czas apertury jest próbka jest
o ten sam czas . temu jest zapewnione próbkowanie w równych
czasu. jednak czas - jak na rys. 23.26 - zmienia o
apertury 11lv, to powstaje pomiaru, który jest równy
zmianie !iU. W celu obliczenia maksymal nego !iU
jest przebiegiem sinusoidalnym o maksymalnej przewidzianej
nachylenie przy przez zero
- du
d
t
I t= o
= Umwmax
Otrzymujemy amplitudy
Uw,
Uwemi- -----------: =---
;~ei~":.::~$:~~j1'~,?~~.············
·········
··········
·····
·····
··········-·>.·.········w·····
·,·,······•
·Vdk=-·•·•·:-:·:-:·•·•·•:0·•·•·•·•··
·•·•·•···
•······················;;;;;;;;;;;;;;;;;:;:;:;:;:;:··
3.8. Realizacjaprzetworników
A/C ]]!?
@k:§#§@f®f-.:;~f.$:}@;$:;~
M::~::::::::::::::::::::::
::::
:;:::::;;ffilf:•
:•:•
::%::~~~··:•:::;•:
•:•:•
i:•:•:
::••:•:•:
: :;:::;•:tt::~·:;:;:;{t:55:t:~t:
:;:;;;;::;:
;:;:;:\:::;:;:;:
\,?W •.
23.8.1.Metoda porównania)
Na rysunku 23.27 pokazano przetwornika dla liczb
trzybitowych. Liczba trzybitowa liczb
z zerem Przetwornik wymaga zastosowania siedmiu komparato-
Q X7
Q X5
Q X5
::::,,
li:
Iz
::,,,
Q X4 <..
.~
<..
c:,_
I1
<..
O) Io
Q X3
Q
""'
"'
Q X2
Q x,
1
zULsB - --1
lR
2
uw.fl/2.ss k, k5 k5 k4 k3 k2 k1 Iz ,, lo L
o o o o oo oo ooo o
1 o o o oo o 1 oo 1 f
z o o o oo 1 1 o 1 o z
3 o o o of 1 f o 1 1 3
4 o o 1 o 1 1 1 1 o o 4
5 o o
1 1 1 1 1 1 o 1 5
6 o 1 1 1 1 1 1 1 1 o 6
7 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 7
hybrydowy
23.8.2.Przetwornik
kaskadowy
metody jest to, liczba komparatorów
z I tak dla przetwornika potrzeba 1023
komparatory. znacznie kosztem prze-
.._-m,. •,•,•.w·= ==wmm.·,w, •,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•w-, •• •ww•"w~- .,.,,.,. .,...,... ., .............. •., •,,w.w~wwu=www=,· www--=
•.
1-------i ~ 1---- ~
przetwornik Przetwornik ~32 przetwornik
próbkujo,co
-
A/C C/A A/C
5-bitowy 5-bitowy 5-bitowy
1,,/3 LzL1 Io
L =L Uw B = 1023 uwE
max URBP UREP
z przetwornika z powodu
przetwornika zgrubnego, wyjdzie poza przewidziany zakres, to zgrub-
za bitu I 5 lub o jeden. W ten sposób
jest skorygowanie przetwornika zgrubnego do war-
±LSB/2. tego przetwornika w przypadku z rys. 23.31
- w do poprzedniego - nie musi lepsza roz-
Równo!egry
1-- - -.....1-i Równo/egfy
Ukfad przetwornik Przetwornik
próbkujqco
- prwt:wornik
1--- ~
A/C C/A A/C
-pamiRfa)qcy 5-bitowy 5- bitowy 6-bitowy
Io
Cyfrowakorekcja
MSB LSB
23.8.3.Metodawagowa(kolejnych
.,.
... ·a
o
·i;i 8
;::,
~! ;::,
!:l
!:l
"'
oa
"2~ "8
"'..14
:g <> •O ., g fj.,
o.~
e:::e
!;:
r' ::Ea a ::=: ::E r'
L
U(L) = UREF L = uwE
max+ 1
czyli
UwE
L = (Lmax+ 1)- U- (23.14)
REF
uwe
L
L = (L,.,ax+ 1)--
Uiuw
Pierwszy
krok
U{L)
--D /7 ls ls T4 T3- lz T1 - Io ~
L7
- 1 1
ls ,__ -
--'-
o o
l5 - o o
I
/4 1 1
l1 Ls ls l4 l3 lz l1 lu l3
=1 =O =O =1 =1 =O =1 =O 1 1
Iz - o o
l1
-
1 1
1 2 3 4 5 6 7 8 Krok lo
Rys. 23.34. Przebieg czasowy u(L) Rys. 23.35. Przebieg czasowy L przetwarzania
przetwarzania A/C A/ C
P5 Pó CC
1 1D Q 1D Q
C1 C1 C1
a
r
T R o /7 /5 /5 /4 /3 12 ,, Io CC
o 1 o, 1 o o o o o o o o
1 o o, 07 1 o o o o o o o
2 o n. o, n. 1 a o o o o o
3 o 05 o, Ds 05 1 o o o o o
4 o 04 o, 05 05 04 1 o o o o
5 o 03 o, o. 05 04 03 1 o o o
ó o Oz o, o. 05 04 03 02 1 o o
7 o o, o, o. 05 04 03 Oz o, 1 o
8 o Do o, o. 05 04 03 02 o, Do 1
23.8.4. Metodazliczania
Przetwarzani e A/C zliczania nie wymaga zbyt skomplikowanych
dów. Czas przetwarzania jest tu jednak znacznie w przypadku
innych metod i wynosi 1 ms ... 1 s. W przypadku wolno-
zmiennych, np. pr zy pomiarze temperatury , nie stanow i to ograniczenia. Rów-
w woltomierzach cyfrowych nie jest potrzebna, ponie-
wyniku i tak nie szybciej odmiany metody
zliczania; w dalszym zajmiemy z nich.
znaczenie ma metoda przetwarzania z podwójnym (dual slope),
przy
dzie
Metoda kompensacyjna
Kompensacyjny przetwornik A/C pokazany na rys. 23.38 jest bardzo
podobny do przetwornika wagowego z rys. 23.32. Istotna polega na
tym, zamiast rejestru kolejnych SAR zastosowano tu licznik re-
wersyjny. Komparator porównuje uwE z kom-
u(L) . jest dodatnia, to licznik liczy w przód, w prze-
• Inni producenci: Burr Brown , Datel, Harris, Maxim, Micro Power Systems, Sipex.
1 z
Uw B
L= (L + I) --
UWE URBI!
1 L
u(l) Przetwornik
C/A _L _ _.
Up = UREFt - U(O)
'C
Licznik
L
6enerator 6enerator
przebiegu kwarcowg
piloksztaltnego
/::..t UwE
L = - =-cf -- (23.15)
T UREF
stero-
waniakluczy
Licznik
Uwe L
L = (Lmax+ 1)- -
UREF
ur(t 1 ) = - -I
L
f
lt
Uw Edt =- ---UwEAV
L
(Lmax+ l)T (23.16)
o
(23.17)
tz
t, tz
/ t
/
/
/
/
/
llwE UnEF
Integrat
or Komparator
f
komparatora. integratora ur nie przyjmuje bowiem - tak
jak w poprzednim - równej zeru, lecz
wzmacniacza przed komparatorem, czy-
li wprost progu
w obwodzie kompensacji kaskadowo dwa
wzmacniacze, w drgania. Aby tego
szeregowo z C rezystor , a ponadto wzmocnienie
wzmacniacza do 100. temu czasy
pracy komparatora w fazie
Do siedmiosegmentowych
3 1/2 cyfry TC 7116 Teledyne 200 LCD Równo!. 9 10
TC 7117 Teledyne 200 LED Równo!. ±5 600
ICL 7136 Harris 400 LCD Równol. 9 1
ICL 7137 Harris 400 LED Równol. ±5 600
MAX 138 Maxim 200 LCD Równol. 5 1
MAX 139 Maxim 200 LED Równol. 5 600
3 3/4 cyfry ICL 7149* Harris 200 LCD Multipl. 9 15
TC 822 Teledyne 300 LCD Multipl . 3 1
4 1/2 cyfry ICL 7129 Harris 500 LCD Multipl. 9 10
* Z automatycznym zakresów.
próbkowania
24.1.Twierdzenieo próbkowaniu
na dyskretnych ,
za pobiera w równych od-
czasu tµ = µTP próbki /p = I / TP
jest próbkowania. Na rysunku 24.3 funkcja
schodkowa jest tym funkcji im jest
próbkowania. jednak techniczne bardzo ze
wzrostem próbkowania, wybiera tak jak tylko da.
Nasuwa wobec tego pytanie: jaka jest ta najmniejsza prób-
kowania, która - a bez utraty informacji - rekon -
oryginalnego twierdzenie
o próbkowaniu.
u,{t) u,(tJ
I
I
t t
..,......,..-
I I
Tp
Uf (tµ)Pe
6Tp
-
....,..., -
3
----
I
tµ t
Rys. 24.5. Aproks ymacja impulsu Diraca za impulsu
= TP I
00
r.
widmo IX(jf) I w zakresie - JP.::::;
f.::::; JPjest identyczne z widmem
IX(jf) I funkcji oryginalnej [24.l]. Zawiera ono mimo
pobrano tylko próbek funkcji. przy tym
tylko jedno ograniczenie, które na podstawie rys. 24.6; wid-
mo oryginalne otrzymuje bez zmiany tylko wtedy, kiedy prób-
kowania jest tak okresowo widma nie na
siebie. Zgodnie z rys. 24.6 jest tak wówczas, gdy
(24.4)
- fmax O fmax
Odzyskiwanie analogowego
Z rysunku 24.4 przepis na odzyskanie syg-
analogowego: wystarczy za filtru dolnoprzepustowego
widma JP.Filtr dolnoprzepustowy musi przy tym
zaprojektowany tak, by przy fmax jeszcze równe
zeru, a przy fP - wielkie. Ogólnie
na podstawie próbek funkcji czasu o ograniczonym wid-
mie jest waru-
nek Is,~ 2f~ax· W tym celu próbek na impul-
sów Diraca , który na idealny filtr dolnoprzepustowy o
granicznej /4= !max·
wybierzemy próbkowania od
z twierdzenia o próbkowaniu, widma o
nicowej / 2 - f <!max, których nie filtr dolnoprzepustowy i które wi-
doczne na jako interferencja (aliasing). to na rys. 24.7. Nietrud-
no widma o powy-
x( t)
Id . filtr do/noprzep.
!
t
- fp -1/2fp O t 1/2fp l fp f
fp - fimax f1ma x
24.1.1.Uwagipraktyczne
W realizacji praktycznej problem na tym, w rzeczywi-
stym nie impulsów Diraca.
w sposób zgodnie z rys. 24.5, impulsy o amplitud zie
i czasie trwania . Po podstawieniu równania (24.2) do (24.l) otr zy-
mujemy przy e impulsów
()()
funkcja wagi
-f max O fmax
fra,I 1/2fp fp t
I
I I I
I I I
)
Syna[o ograniczonym
widmie
I",(/) l:
I
I
I
I
I
I
I I
I Próbkowanie
I
I
Próbkowanie
ui{t)
J t
I
filtr
dolnoprzepustowy
fi ltr
dolnoprzepu
stowy
t
I
I
I
I I
,J
Widmo
.,(t/ L1
f,,,ax"-t/2fp fp t
Rys. 24.10. Rekonstrukcja widma w cyfrowym z rys. 24.1 dla y(t,.) = x(t,.)
(24.8)
y(t µ _) = e -
= __
A(s) sTP (24.9)
x(tµ)
(24.10)
IA(z) = z - I 1 (24.11)
- Y(z) _1
A(z) = X(z) = z , gdzie
-sinwT f
(f) = arctg coswT p
P = arctg( - tgwT)
P
=- wT
P
=- 21t-
.f.p
i grupowe
filtr dolnoprzepustowy
dla bez
filtr cyfrowy. W chwili t1, na
jest o x(tµ) - f31 y(tµ). O jeden takt
ta pojawia na Otrzymujemy w ten sposób
X(z)
z-1
Y(z)- -~ x(z}
- 1+/31z-1
Dziedzinaczasu Dziedzina
Rys. 24.12. cyfrowego filtru rekurencyjnego 1.
y(0i)
O 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 JL
Rys. 24.13. skokowa filtru cyfrowego z rys. 22.12 dla /31 = -0,75 przy skoku wej-
z O na 1
filtru dolnoprzepus-
towego podobnie jak dla Ze schematu
po prawej stronie rys. 24.12 mamy
,.
i otrzymujemy
1
A (jw) = /J + ei"' Tp = _/3
__+_ c_o_sw_T
_P-+- J-.S-in_w
_T_P
_
1 1
1
IA(jw)I =
J(/3 1 + cos2nf//P) 2 + (sin2n///p) 2
4
3
2
1
o 1/2fp 3/2f p f
Rys. 24.14. Charakterystyka amplitudowa filtru cyfrowego z rys. 22.12 dla /31 = -0,75
1 1 1
IA(jw)I = =
J2 + 2cos2nf/JP J4(sinn.f//P) 2 2sinnf//P
. f. 1
IA(Jw)I = - p- ,....,_
21tf f
a integratora. Wy-
padkowy
,.,.,...
......
818
,.__ ......
._ ....... ,,,,, ,,,,,,,, ,,, ,,, ,,,,
\'
------- - y
Z wynika
N N
Y(z) = L akz-kX(z) - L fikz-kY(z)
k=O k=1
Y(z)
A(z) = X(z) = (24.16)
lub (24.17)
lub O~ F 1/2
IA(jw) I = (24.18)
A, 0 , = A 1 • A 2 · A 3
IA ,0 , I = IAJ I · IA2I · IA3I
Az(jw)
N,., = N 1 + N 2 + N3
Rys. 24.18. Kaskadowe sekcji filtru
!] 24.4. Projektowanie
filtrówo ,,.,.
,,,,,, odpowiedzi impulsowej(FIR)
t:::1:tf:;:::;:~;:J:::::f:::::::=::~:;:=:::;:;:::::;:;:1:i:i:;{:;:;:~l
~:t~~~~~?:~::~~~S:~:~::::::
:::::~:::!:::::::::;:::::::::::::::::;::;:::::::;:;{:}:;;:::
Otrzymujemy przenoszenia
- Y( z) N
A(z) = - (-) = L akz - k (24.20)
X z k=O
otrzymujemy przenoszenia
L ake-j2nkF
N
A (jco) = (24.22)
k=O
to symetryczne:
(24.28)
24.4.2.Proste
lub F= 1/2
JA(jcv) I= cosnF 9 = )
2
i otrzymujemy Fu= 1/4 lub _[g= ! fp.
na filtr FIR podamy {x(t/L)}, który ma tylko
a zera, na otrzymamy najpierw
y(t/L)= o:0 , a potem y(t!L+1) = o:1 , a jeden za drugim . Ogól-
nie zasada:
IAI
1
1
V2
o 0,75 1,00 F
o -
dB 1/1/
-20
N= 1'\ ~(_
~
\ I
- 40
\ --
-· - - - --
I
-60 -
-'- 1- ~
-ao o,1
I
o,g1 F 1
N = I : a0 = a1 = + 0,5
N= 2: a0 = a2 = +0,25 C1.1 = + 0,5
X
1
1
v'Z
o
.....
I
-
dB
-20
!-"'" -
..... r,
- 40 ---- V
/
V
v i--"
- 60 /'
-80
0,01 0,1 F 1
1
X 0<.o
=+0,5 V2
y o 0,75 1,00 F
(24.30)
a filtru.
Z teorii systemów wiadomo, impulsowa systemu jest od-
Fouriera jego funkcji przenoszenia Aw(jw) zgodnie z ró -
wnaniem
' +«>
y(t) = J Aw(jw)eia,rdw (24.31)
-«>
-0,5 -F
9
O 0,5 F
sin(2k - N)nF
akz = 2 F9 (2k - N)nFg
9
dla k = O, 1, 2, ... N (24.34)
. sinx
1Im -- =1
x->O X
z 3 k
(XkW 1
OknoHamminga
funkcji okna
2 3 5 k
IXkB t
Normalizacja znormalizowane
wzmocnienia
o 1 2 3 5 k
Normalizacja
OknoHamminga
f unkcji okna
o 1 z 3 k
znormalizowane
Normalizacja
wzmocnienia
o 2 3 5 k
- Hamminga,
- Blackmann a,
- Hana,
- Kaisera.
zf== ::f====l==....J
-_.j Idealna charaxterystyka
z oknemprostokqtnym
1,-1-=====::t=:
===::::t
---r-1-- ~ ~ --- ----
1
V2l- - +---1----1---t-- .:i,,-.""""'-'{'='""'-<;2'-,!;;
,----l--+---I
IW,= 2nk
0,54 - 0,46cos-,;- dla k= o,I, 2 ... N I (24.35)
\
1
63 31
I
I
I
60
!
I
80 !
b) I
I Fg= 0,1
o
dB
- 20
;\\ y ~=7 -
I
I \ \ '\\~J_
-40
I
I
I 63 31
\ 15\ \'\\ 11\
-
I ('
'"'I
I (\ /
'n" 1n
~)
I imrn
'h I
I
- 60 I• ,J l
I
I 1irn
I
-BO I
c)
o
-dB Fa=D,025
~r--
- 20
I
I \ I\" "\
I
I \ \ \
I
I
I 127 63\ \--
- 40 I
I ,..
I \
I I"'
} li /'\
-60
-
I
I
'
'l'I lfiJ
I
- BO I lV
0,01 0,1 F 1
Rys. 24.31. Charak terystyki filtrów dolnoprzepustowych o od-
powiedzi impulsowej
W tym celu przez wszystkich
czynników. Krok ten jest przedstawiony na rys. 24.29 i 24.30. Uzyska-
ny filtr mimo tego nie ma jeszcze granicznej. F9
wstawiona do równania (24.29) daje tylko Dlatego
Fg w równaniu (24.29) nieco aby przy
granicznej wzmocnienie równe 1//2. W tym przypadku nale-
do F~ = 0,32. W tym celu jest jednak konieczne po -
wtórzenie procesu projektowania, ze Fg.
Prowadzi to do procesu iteracyjnego, który wielokrotnie.
Wynikiem jest filtr dolnoprzepustowy o znormalizowanym wzmocnieniu i
granicznej, przedstawiony na rys. 24.29 i 24.30.
zaprojektowano filtry dolnoprzepustowe, które na rys. 24.31
przedstawione dla znormalizowanych granicznych równych
fu= 0,25; 0,1; 0,025. filtru stabelaryzowane na rys. 24.32. Im
mniejsza jest graniczna fu w porównaniu z pr ób-
kowania fp, a im mniejsza jest Fg = fu/fp, tym jest
szy N, przy którym istnieje Dla fu = 0,25
jest N= 27, przy fu= 0,01 to N= 65. tu do filtrów
dolnoprzepustowych nieparzystych one dwie zalety: po pierwsze
ich charakterystyka przy F = 0,5 ma zero, podc zas gdy filtry
dolnoprzepustowe parzystego tam (lokalne) maksimum. Pro-
wadzi to, szczególnie w przypadku filtrów dolnopr zepustowych o
granicznej F9 = 0,25 do znacznie lepszych w pa-
zaporowym. Z drugiej strony otrzymuje wówczas
czemu lepiej scalone filtry FIR.
do najprostszej realizacji filtrów dolnoprzepu stowych
musimy pytanie: jak F9 , aby
o 8 k
aftz
1
Filtr póTpasmowy
N =8
Fg= 0,25
o 3 4 5
graniczna F9 = 0,25
N= l
et0 = cx1 = +0,50000
N=5 1>
cx0 = cx5 = - 0,00979 Gt1 = Gt4 = +0,00979 OCz = OC3 = + 0,50000
N =7
ct0 = cx7 = + 0,00343
Gt3 = IX4 = + 0,49657
N = 11
ct0 = au = -0,00203 a,= Gt10 = +0,01056 Gtz = Gt9 = +0, 00010
OC3 = eta = -0,07531 OC4 = Gt7 = +0,07734 Gt5 = Gt6 = +0,48934
N= 15
OCo = a 15 = +0,00152 C(l = C.t14 = -0,00561 Gtz = Gt13 = -0,00175
OC3 = IX12 = +0,02812 OC
4 = Gt11 = -0,01076 Gt5 = Gt10 =- 0,09143
OC6 = IX9 = +0,09879 OC7 =as = + 0,48112
N = 31
OCo = OC31 = +0,00074 0'.1 = IX30 = -0,00182 IXz = Gt29 = - 0,00083
cx3 = oc28 = +0 ,00404 Gt4 = °'21 =
+0,00088 ct5 = a:26 = -0,00898
ct6 = oc25 = + 0,00024 cx7 = cx24 = +0,0 1753 a:8 = a:23 = -0,00429
&9 = rt22 = - 0,03102 a 10 = cx21 = +0 ,01441 a 11 = ct20 = +0,05303
OC12 = OC19 = -0,0 3900 Gt13 = GtJR = -0,10015 C.t14 =C.t 17 = +0 ,12815
N=63
ct0 = oc63 = + 0,00036 Gt1 = - 0,00078
OC62 = CXz = «61 = - 0,00036
Gt3 = C(60 = +0,001 05 Gt4 = + 0,00041
OC59 = °'s = a 58 = - 0,00158
OC6 = OC57 = -0,0 0045 Gt7 = OC56 = + 0,00239 OCs = OC55 = +0,00044
Gt9 = 0'.54 = - 0,00356 Gt10 = Gt53 = -0,00030 OCu = Gt52 = +0,00513
Gt12 = 0'.51 = - 0,00006 OC13 = Gt50 = -0,00714 ctl4 = OC49 = +0,00075
48 = +0,00968
ct 15 = cx Gt16 = Gt47 = -0,00190 = OC46 = -0,01283
OCJ7
graniczna F9 = 0,1
N = 11 >
o:0 = a7 = + 0,00976
0:3 = 0:4 = +0,27616
N= 11
eto = CX1J = -0,00 470 CXJ = et 10 = - 0,00605 «2 = «9 = + 0,00818
ct3 = o:8 = + 0,07006 CX
4 = OC7 = +0,1 7404 «5 = 0:6 = + 0,25848
N= 15
o:0 = o:15 = -0,00101 etl = 0:14 = - 0,00521 0:2 = et13 = - 0,01269
CX3 = CXJl = - 0,01214 OC4 = 0:11 = +0 ,01830 et5 = et10 = + 0,08914
et6 = 0:9 = +0,179 62 0:1 = et 8 = +0,24399
N = 31
O!o = et3 1 = -0,00165 et l = °'30 = - 0,00146 °'2 = 0:29 = - 0,00037
o:3 = oc28 = +0,00225 et4 = 0:27 = + 0,00593 «5 = 0:26 = +0,00823
(X6 = °'25 = +0,005 48 °'1 = 0:24 = -0,00461 0:9 = 0:23 = - 0,01979
0:9 = CX22 = -0 ,03195 °'10 = et21 = - 0,02944 CXu = CX20 = - 0,00261
et 12 = ct 19 = + 0,04987 °' 13 = °'J 8 = +0,11780 0:14 = CX17 = + 0,18175
et 15 = CX16 = + 0,22058
N =63
eto = cx63 = +0,00065 et1 = °'62 = +0,00086 «2 = «61 = +0,00073
CX3 = °'60 = +0,00022 et4 = 0:59 = - 0,00061 «5 = 0:55 = -0,00148
CX
6 = CX57 = -0,00194 «1 = 0:56 = - 0,00150 et 8 = et55 = +0,0 0001
CX9 = CX54 = + 0,00223 °' 10 = OC53 = + 0,00418 CXll = et 52 = + 0,00464
CXJl = CX51 = +0, 00272 o:13 = « 50 = -0,00144 ' CX14 = et49 - 0,00639
=
°' 1s = CX
48 = - 0,00973 0:16 = 0:47 = -0,00909 et17 = et4 6 = - 0,00343
°' J S = CX45 = +0,00593 CX19 = CX44 = +0, 01532 et20 = oc43 = +0,01986
°'21 = et42 = +0,0 1560 etzz = 0:4 1 = +0 ,00177 OC23 = et40 = -0,01790
OC
15 = OC4g = -0 ,00115 OC 7 = +0,00089
16 = OC4 7 = ()(46 = + 0,00356
<X24= OC39 = + 0,03694 OC25 = OC35 = +0, 04243 OC26 = OC37 = + 0,04759
27 = OC36 =
OC +0,05227 OC28 = OC35 = + 0,05618 OC29 = OC34 = + 0,05928
sin(2k - N)rc/4
(24.36)
(2k- N)n/4
-32 ... I
9J/Mlt I ~--i-;--,
N= 4 3 F9 = 0,205
a.0 = a4 = O a1 = a3 = +0,20371 CX2 = +0 ,59258
N= 8 5 F9 = 0,199
a.o = a.8 = O a.1 = a.1 = -0,02266 a:3 = a5 = + 0,27398
a.4 = + 0,49737
N= 16 9 F9 = 0,225
a.o = a.16 = O a.1 = a. 15 = - 0,00524 0:2 = a.14 = Q CX3 = CX13 = +0,02321
a.4 = a.12 = O a.5 = a. 11 = - 0,07611 a6 = a.10= O CX7 = a.9 = + 0,030770
a.a = +0,50087
N = 32 17 F9 = 0,238
a 0 = a.32 = O a. 1 = a. 31 = - 0,00189 °'2 = a.30 = 0 a.3 = a.29 = +0,00386
°'4 = a.2s = O a.s = a.21= - 0,00824 (t.6 = °'26 = 0 a.7 = (t.25 = + 0,01595
a.a = IX24 = 0 a.9 = Ot:23 = - 0,02868 a.10 = a.22 = 0 a., l = a.21 = + 0,05072
a.12= 0:20 = o a.13 = a.19 = -0,09802 a.14 = a.19 = 0 a.15= a.17 = + 0,31594
CX1 6 = +0,50071
N = 64 33 F9 = 0,244
cx0 = a.64 =O a:1 = cx63 = -0,00084 0:2 = (t.62 = 0 a.3 = a.61 = +0,00110
CX4 = CX6o = o a.s = CX59 = -0,00 158 °'1= a.59 =0 CX7 = CX57 = +0,00235
CX5 = cx5 6 = 0 CX9 = cx 55 = -0,00344 CX10 = a.54 =0 a.u = a. 53 = +0,00490
CX12 = CX52 = 0 CX13 = 0:5 1 = -0,0068 1 CX14 = CXso = O a. 1 5 = a.49 = +0,00927
CX16 = CX45 = 0 CXl 7 = CX47 = -0,012 43 CX18 = CX46 = 0 (t.)9 = a.45 = +0,01650
0:20 = CX44 = 0 CX19 = CX43 = -0,02192 (t.22 = a.42 =0 a.23 = a.41 = +0,0 2944
0:24 = CX40 = 0 a.25= ~9 = - 0,04076 (t.26 = a.38 = 0 a.27 = a. 37 = + 0,06025
a.2a = Ot:36 = o a.29= a.35 = - 0,10408 a.3 0 = a.34 = 0 a.3 1 = a.33 = + 0,31785
a.32 = + 0,50039
Filtr 1
F9 =t /4
Filt r 2
Fg= 1/4
Filtr 3
Fg= 1/4
"t:
1 1 1
fp 2 fp 4 fp 8 r;,
Rys. 24.34. Zastosowanie filtrów w strukturze kaskadowej z próbkowaniem niedo -
miarowym. Liczba operacji i dodawania wymagana do obliczenia
(N+ 1) + 1/2(N + 1) + 1/ 4(N + l) + ... =(N+ 1)(1 + 1/2 + 1/4 + ...) = 2(N + I)
1 .
IF o 8 k
I
I
Fil tr dolnoprze-
I
fAwf
le
li
pustawy
N= B
Fg= 0,25
/
o
0
IF 3 1 8 k
I
I
I Filtr górnoprze-
fA-1
1@ I
I
pustawy fXxz N= 8
Fq=0,25
@
Fg
I
0,5
I
I
1F
. o 8 k
V
ó_..,,... /
- 40
V
/
V
/ ,_"'
Ni
V /
V[\
"., V
-60
/
V 1, I
\h
- BO
) V I I I~
o
dB ~V t;:::i?
ti~fl.. V V I
- 20 /
/
/ ">
~ I
/
/ I
"-i
/
--
<,:,
- 40
/
- /
X
V
- 60 I
/ \ I
-BO I I
I
Fg= 0,025
o
dB f
- 20~ /
1/
-4 0
I I
-
-6 0 \
- Bo
0,01 0,1 F 1
Rys. 24.36. Charakterystyki filtrów górnoprzepustowych o od-
powiedzi impulsowej
le
I I
I I
I
I I
I
n
I
I I
:Fgt F F
le I j''' Je
F F
Filtr pasmowoprzepustowy Filt r pasmowozap or owy
·······"·'-""" "·'·'·W.wm.,~~-- -"" "·" "" ·"-'·······················-·,.-...•.•....,...•.•.•,•.•.•,•,•.,.•.,,.,., _,,..., ,W ,W ,','·" ·'·'·'·"" •" '•'""" ""·" ·"""""" "··----= ·w ,.,, .... , ......
842 24. FILTRY CYFROWE
Filtry pasmowoprzepustowe i pasmowozaporowe
Filtr pasmowoprzepustowy przez od siebie
charakterystyk dwóch filtrów dolnoprzepustowych , jak to
pokazano na rys. 24.40 . Aby filtr pasmowozaporowy , charakterysty-
filtru pasmowoprzepustowego od charak-
ter ystyki filtru wszechprzep ustowego.
N = 12
a. 0 = a.12 = - 0,01015 CX
1 = Ci11 = - 0,01925 a2 =a. JO = -0,04453
a.3 = a.9 = - 0,08090 a.4 = °' 8 = -0,11882 a.5 = a.1 = -0,14737
(J,6 = + 0,84203
N =3 0
a. 0 = a.30 = - 0,00160 al = IX29 = - 0,00200 r:t2 = 0(28 = - 0,00212
a.3 = a.2 7 = - 0,00117 CX4 = IX26 = +0,00185 Ci5 = IX25 = + 0,00723
(J,6 = a.24 = + 0,01375 fX7 = a.23 = +0 ,01836 °'s = a22 = +0,01674
Ci9 = (J,2) = + 0,00479 CX10 = !IC20 = - 0,01960 <X11 = °' 19 = - 0,05505
Ci12 = (J,18 = -0 ,09628 °'n = al? = - 0,13521 °'14 = °'16 = - 0,16308
Ci15 = +0,82679
N = 62
a0 = a.62 = +0,00048 IX1 = IX61 = + 0,00082 <X2 = IX60 = +0 ,00096
Ci3 = 0:59 = +0,00079 Ci4 = IX5 5 = +0 ,00023 a.5 = a 51 = -0 ,00070
a6 = oc56 = - 0,00176 °'1 = a.55 = - 0,00254 a.8 = a.54 = - 0,00252
a\ = oc53 = -0,00134 IXl O = +0 ,00099
IX52 = a.11 = a.5 1
+0,00390
=
0:24 = (J,38 = + 0,03350 (1.25 = IX37 = +0,01835 °'26 = °'36 = -0,01 208
0:27 = a.3 5 = - 0,05455 a2 8 = a34 = -0,10217 OC,29= <X33 = -0 ,14584
graniczna F9 = 0,025
N=48
a.o = 1X48 = -0,00271 a,1 = OC4
7 = -0,00288 IX2 = <X46 = - 0,00332
o,;3 = 1X4 5 = -0,00404 a.4 = a44 = -0,00503 o,;5 = •X 4 3 = - 0,00628
IX6 = IX42 = - 0,00778 a.7 = IX41 = -0,00951 o,;8 = oc40 = -0 ,01144
a.9 = IX39 = - 0,01353 a 1 o = a 38= -0,01577 <X11 = Ci37 = - 0,01811
a.12 = (J,36 = -0,02050 a.13 = OC35 = - 0,02291 °'14 = OC34= -0,02530
Ci15 = a.33 = -0,02762 IX16 = OC32= - 0,02983 <X17 = <X31 = -0,03189
[E:~
W celu zrealizowania filtru FIR musimy zgodnie z równaniem (24.19)
N
y(tN) = L akx(tN-k)
k= O
równolegle N+ l N I takt 2N +l
szeregowe 1 l N+ l taktów 2N +l
24.5.1. realizacja
filtrówFIR
Do realizacji filtrów FIR szczególnie nadaje strukt ura
pokazana na rys. 24.19, w tym na operacje i do -
dawania mamy do dyspozycji okres próbkowania. tu opera-
cje przez filtru w zasadzie
za w których czynnik
filtru bit po bicie przez O lub 1.
dla i zapa -
w EPROM.
Obie .te metody nie jednak stosowane , w handlu
ne scalone filtry FIR w wykonaniach. Zbudowane one
nie zgodnie z na rys. 29.19. Mamy tu do czynienia z bar-
dzo iskomplikowanymi
sumat orów i
X
Yexp
* szeregowy
24.5.2.Szeregowa
realizacja
filtrówFIR
Przy szeregowej realizacji filtrów FIR wychodzi ze struktury podstawowej
pokazanej na rys. 24.20, z globalnym sumatorem na Do
stosuje rejestr zgodnie z rys. 24.39. Wszyst-
kie i sumatory tutaj jednym jak to
pokazano na rys. 24.40. W celu obliczenia
przesuwane przez wszystkie stopnie filtru, a uzyskane iloczyny
zsumowane. Oba rejestry zrealizowane jako
FIFO (patrz p . 11.2.3). Nie jest przy tym konieczne fizyczne przesuwa-
nie danych, przesuwany jest tylko odpowiedni lub
pokazano na rys. 24.41. wykorzystano np. w
IM29Cl28 ,fi1ter-control chip" firmy Intersil.
Potrz ebna jest jeszcze tylko dodatkowa EPROM , w której zapa-
i jeden - akumulator. je
w sposób pokazany na rys. 24.42. W ten sposób filtry
846
~- ·
.....,.,.,.,.,.,.,....
24. FIL TRY CYFROWE
___
... ....,.,,,,,,, ,,,,,, ..,.,...,...,.....
odpowiedzi impulsowej (FIR) z sumatorem globalnym na
"""................................................ ,.,..........
... ,,,, ,,,,,,,,,.,., .,......... ...............................................................................................
....
...........
,.,.,.,.,.,.,.,.,....
.............
..
o 16-bitowym które przy maksymalnej 128
próbkowanie z
1 1
fp = --- ~78kHz
128. "MAC 12,8 µs
-----ru-i
y
---- ~
Gener .
adresów
7
A RAM
128
Dwy
16
-------,
MAC ,
danych s[ów I
- Rejestr
I
Gener. 16 Y
adresów A EPROM Dwy
wspó[czyn- 128 __ _____ __ _J
7 sTów 16
ników
I M29C128 np. IM 29 C 510
,·
:\:j:):
(:j:(:j:
(:(:(:(:\:~§~~~:;%,~~
:~:
;:;:i:i:
;:i:i:1:1
:~?~j(f::?f.~~~,~:f:lf:
lj~~jlll:J:tl:i:j:(:j:
~i:~i:i:i
:1:
j:(:j::
Jl24.6. Obliczanie filtrów ITR!]]I]]]]
.~~~t~
: ;~::::::
:::: :t,r.§;'f~;:fil
,;.:.:~.:.:
,:.:::,:.:::.:
.:.:.
::;'fil
~~oo~~::::s*x.•
:f::.:v.::.:,:.:.:
.:.:.::~:~
:~:~:~:~:\
ttiili@'.::.
Filtry rekursywne filtrów o odpowiedzi im-
p ulsowej (NOI) (infinite impulse response, !IR), ich impul-
sowa - przynajmniej teoretycznie - ma wiele od zera
pró bek. Ich podstawowe struktury i funkcje przenoszenia, którymi zajmowali-
w punkcie 24.3, ogólny przypadek filtru cyfrowego.
24.6.1.Obliczanie filtru
D o obliczania filtrów dwie metody,
tzw. algorytm Yulewalk i transformacja biliniowa . Algorytm Yulewalk (24.10-
-24.14] aproksymuje zadane gabaryty filtru w dziedzinie wyko-
przy tym Daje on
n iki minimalnego filtru UR i z tego powodu stanowi algorytmu Reme-
za dla filtrów FIR. My zajmiemy tutaj
wymaga ona mniejszej liczby i z tego zrozumienie
zasady Przy transformacji bµiniowej wychodzi z charakterystyki
filtru analogowego i próbuje go zasymu-
za filtru TIR. Nie jest to jednak
funkcja przenoszenia filtru cyfrowego wykorzystywana tylko do po-
próbkowania, a poza tym zakresem musi okresowa.
Z tego charakterystyka filtru analogowego z zakre-
/ if P filtru cyfrowego,
1
su O f oo zostaje odwzorowana do zakresu O f'
a potem jest okresowo Transformacja to
J = iL tg 1ef (24.38)
1t fp
1
F =- tgnF' (24.40)
1C
(24.41)
',
1,0 I 'i-" \ I -.,
/ I \ I
I
0.7 / I \ I
I I
0,5 / I \ I I
/ : \ I I
/ I '
I I
/
o FgFg 0,5 1 1,5 2 F,F 1
f =fg f=fp
IAI
d.8 Ao
oL-------
- 10
, · - 20
- 30
- 40.__ __ _._____ _._ __ __. ___
0,1 0,3 0,5 1 F
f = fg f =fp
S = l · jtgnF
matematycznych
I- e-2jx
jtgx = -tgh(-jx) = .
1 + e- 2JX
(24.43)
podstawia na
- 1
S= l 1 - z (24.42)
1 + z- 1
Porównanie z ogólnym na
filtru UR
(24.16)
24.6.2.Kaskadowa filtrówIIR
struktura
Przy realizacji filtrów cyfrowych podobnie jak w filtrach analogowych naj-
prostszym jest kaskadowe bloków pierwszego i drugie-
go W tym przypadku przy obliczaniu filtrów
ze stabelaryzowanych dla filtrów analogowych ,
podanych w tablicy 14.6. Z tego zajmiemy przelicze-
niem filtrów w takim przypadku.
(24.46)
X - y ao+o: 1z - 1
A(z)=- = ----
X l + P1z-1
(24.47)
(24.48)
(24.49)
(24.50)
d 2 12 ) •
2(d0 - d0 - d1 1 + d2 12
<X1 = Co+ C1f + C212' c 0 +c 1 f+c 2i2
/3 _ c0 -c 1 l +c 2l 2
2- co +c 1l+c2l2
1
A(S) = 1 + 1,3614S + 1,3827S 2
1 + 2z-
+z- 2 1
A(z) = 6,9231 · 10- 4 ------- --
1 - l,937z - 1 + 0,9400z- 2
0,1S
(
A S) = 1 + 0,1S + S 2
Z L= ctgnFg = 3,078 i równania (24.53) wynika cyf-
rowa funkcja przenoszenia
1 - z- 2
A(z) = - 2,855 · 10- 2 - ---~---~
1 - l,572z- 1 + 0,9429z- 2
1 - 2
- -3 - z
A(z) = - 3,BO · lO 1 - 1,990z- 1 + 0,9937z- 2
Nietrudno z Q lub
F, a 0 zmniejsza a fi2
do 1 i /31 do - 2. Informacja o charakterystyce filtru jest ukryta w bardzo
od 1 lub -2. Oznacza to wymaganie
co do to znaczy odpowiednio
w filtrze. By nie zbytnich komplikacji, nie
próbkowa nia, jest to
24.7. RealizacjafiltrówITR
A( z) = + a; 1 z- 1 =
a;0 0,9695 - 0,9695z-
1
1 + /31 z- 1 1 - 0,939lz- 1
CX1=-1 a0 =+ 1
0,9695 - 0,9695z- 1 1 - z- 1
A(z) = - - -- - --1 A(z)=- -- -- -
1 - (I - r 4 )z- 1
1 - 0,93912-
F9 = /g/fp = 0,01 F9 = /g/Jp= 0,0103
A(f=0,5/p) =1 A(!= 0,5fp) = 1,032
Rys. 24.47. Filtr górnoprzepustowy Rys. 24.48. Filtr górnoprzep ustowy o
o odpowiedzi impulsowej czonej odpowiedzi impulsowej (IIR) z uprosz-
(IIR) 1. czonymi
[4) f
[2) f [2] f
a
b [ 1) f [1] f Po 10 Q VV b L'J f
llS4 llS7
Rys. 24.49. Realizacja cyfrowego filtru górnoprzepustowego o odpowiedzi impulsowej (UR) i 8 bitów lub
4 bitów
USS i US9
a) F b) y
A+B A+B
24.7.2.Budowafiltruz elementów
o stopniuscalenia
I/
+ i-.. - .e,.
y
Rys. 24.53. Realizacja filtru o odpowied zi impulsowej (IIR) z pojedyn czym sumat o-
rem na z dwu filtrów o odpowiedzi impulsowej (FIR) i dodatkowego su mat ora
'.?A.
7. REALI ZACJA FILTRÓW IIR 861
Operacje obliczeniowe wówczas na poziomie ma-
szynowym w asemblerze, tak jak w mikroprocesorze. Obecnie oprog-
ramowanie jest pisane w poziomu, jak „C".
Przy programowaniu najlepiej jest od struktury podstawowej z global-
nym sumatorem na zgodnie z rys. 24.53. Jak na rys. 24.44,
zgodnie z równaniem (24.15)
N N
YN = L akxN-k - L fJkYN-k
k=O k= l
za niewielkiego podprogramu.
~ - -- -- ---- --- - -- - -
Rejestr
-J3k -JJo=O
Rys. 24.54. Szeregowa realizacja filtru o odpowiedzi impulsowej (IIR) z pojedynczym
sumatorem globalnym na na programowalnym procesorze
o
dB Fg=0,1V ~
FIR N=B
f"-...,
- 40 !IR N = 4 "' \
Buttenwortha/'
~ l'I
'\
- BO
'
- 120
- 160
0,01 0,1 F 1
I. W,,=~.~~m,W
W poprzednich wiele metod analogowego i cyfrowego
przetwarzania W niektórych przypadkach istnieje jednak koniecz-
jeszcze przed podaniem ich na analogowy
lub na przetwornik A/C . Do tego celu
potrzebne pomiarowe o rezystancji których sygna-
jest niesymetryczne.
25.1. Pomiar
25.1.1. Przetwornik
impedancji
zakresu wysterowania
Maksymal ne dopuszczalne zasilania powszechnie
scalonych wzmacniaczy operacyjnych wynosi ± 18 V. Tym samym
zakres wysterowania jest ograniczony do ok. ± 15 V.
Ograniczenie to zasilania wzmacniacza opera-
cyjnego za (bootstrap). do tego
dwa wtórniki emiterowe na rys. 25.2. one u1 - Uwy
i uwy - u2 na Uz - 0,7 V. Zakres wysterowania nie wówczas
od wzmacniacza operacyjnego, ale od dopuszczalnych wtórników emi-
terowych i
UwEt
l_
25.1.2.Pomiar
Przy p omiarze chodzi o wzmocnienie
...,.,.,.,.,........
............
,...
,.• .,.,...,....
................ ,.,.,.,,,,,,,,, ........................ .,.......,...........
.....,.,................ ......,...........
................,.•.•
.•.,.•.,.,.,.,.,.,.,.,......
•' •' •' •' •' •' •' •' •' •' •' •' •' •' •'-' , .... ..................
....,.,.,.....,.,.,........ ···························•·•·•·
25.1. POMlAR 867
w bez na nie wspólnego
Uc = l /2(U 1 + U2 )
Zdarza przy tym na w zakresie miliwol-
tów wspólne równe 10 V i O odej-
jego wspólnego
CMRR = kuD = Uwy/UD
kuc Uwy/Uc
W podanym musi CMRR p, 10 V/1 mV = 104 • Szczególne tru-
wtedy, kiedy wspólne ma bardzo
lub
trzy metody wzmacniania
- zastosowanie wzmacniaczy operacyjnych jako
- zastosowa nie wzmacniacza z ujemnym zwrotnym;
- przeprowadzenie odejmowania w z
wspólnego zada-
nie realizacji wzmocnienia wzmacniaczom
i wzmocnienie równe I. Ten wariant
wy jest przedstawiony na rys. 25.4. Dla R 1 = oo wzmacniacze W0 1 i W0 2
jako wtórniki i wówczas nie ma praktycznie
w stosunku do poprzedniego
R2 tuwr
Uz j_
Rz
R1
R2
U1
R2
2
u; - u~= ( 1 + : / ) (u2 - u1 )
do odejmowania wysokich
Do odejmowania wysokich z rys. 25.3.
trzech wzmacniaczy operacyjnych
R 1 p- R 2 ; na rys. 25.8 jest przedstawiony
takiego z elementów . Rezystancja
jest tak z wtórników .
nie odpowiedniemu doborowi elementów podawane
na tak zmniejszone, wzmac-
niacz operacyjny wcale nie jest potrzebny. W przedstawionym przy
zakresie wysterowania wspólnym ± 10 V na
200 V.
Rz
ul
1. tuwy
tuwy 1
1
Uzt R1 R2
1
Wzmocnienie wzmacniacza do
dowolnej, zdefiniowanej za ujemnego
zwrotnego (patrz p. 4.8.3). Z drugiej strony wiadomo, wzmacniacz
uzyskanie wspólnego,
zamiast rezystora w obwodzie emiterów zastosuje
w którym wykorzystano przedstawiony jest na rys. 25.10.
+ +
Re Re
tuw
y
-
1
11
11
+ Uz
Tt U z -U1 li
U7
1
u2t 'tu1
1 R0
1
-
U4 - U3
Rs
U3 R2
W
scalonych zgodnie z rezystory R 1 i R 2
dobrane przez producenta. ma ustawia-
nia wzmocnienia za rezystorów Rs i Re. tych
w porównaniu z na wzmacniaczach opera-
cyjnych jest to, wspólnego nie
od tolerancji doboru par rezystorów R 1 R 2 w dzielniku Z tego
powodu z rys. 25.10 w jako monolityczny
scalony, podczas gdy krytyczne rezystory w poprzednim
wykonywane jako oddzielny cienkowarstwowy.
Wzmacniacze z
Zasada z
(switched SC) polega na kondensatora do mierzonej
nicy i przenoszeniu tego do innego kondensatora, którego jed-
na jest uziemiona. taki pokazano na rys. 25.11. Gdy
niki w lewym kondensator Cs do
Po do prawego
przenoszony jest do kondensatora C8 .
Uz
Rz
_.L
I
e
-r T
1µF 1µF I
'-----+ - - - J
U/
LTC10~
Po kilku cyklach UH
to w dowolnie
wzmacniaczu
tu tworzenia nie wymaga
na-
tworzenia w praktyce tylko od
kluczy. W celu zminimalizowania tego dobiera
Cs i C8 , np. równe 1 µF, jak w
,•,•,•,•,•,•,•,•
,•,•,·-- . .....
....... _
......,.,.,.,.,.,.,., ..............................
......... . ... .....
........
... ......................
. ...
.,.........
..... ........
.........
, ,.,.,.,.,.,,,,,,,.,....•.
25.1. POMIAR
.....•...,,,...,.,•,•,•,•,•,•,•,•· ····..,.......
··············· ....
873
.........
na rys. 25.11. jako zastosujemy LTC 1043 firmy Li-
near Technology, wspólne-
go 120 dB = 106 , i to nie tylko dla lecz do
20 kHz (25.1]. LTC 1043 nadaje bardzo dobrze do tego
celu, oprócz 4 kluczy zawiera generator do ste-
rowa nia kluczy.
W trzy filtry dolnoprzepustowe, szero-
pasma. Pierwszy filtr dolnoprzepustowy przejawia swoje podczas
kondensatora Cs. Rezystancja kluczy w stanie
nia (2 x 240 n dla LTC 1043) i rezystancja
dla rezystancji jest ona równa 0,5 ms.
nia
25.1.3.Wzmacniacz (isolationamplijier)
Opisane dotychczas wzmacniacze - w od
- przy w zakresie 10 V ... 200 V.
Istnieje jednak wiele w których na mierzone jest
znacznie wspólne, np. kilka kV. Dla po-
kona nia tak pomiarowy na dwie
oddzielone od siebie galwanicznie, jak to pokazano na rys. 25.12. Izola-
cja galwaniczna ze na
np. w zastosowaniach medycznych. pomiarowa znajduje na potenc-
jale pomiarowym, a - na potencjale zerowym. Dla
nia takiego rodzaju pracy, pomiarowa wymaga nieuziemio-
nego zasilania, którego zacisk masy (masy pomiarowej - .floating
ground) stanowi jedno z Nie wolno jednak
wprawdzie to jest oddzielone galwanicznie od zera (masy
systemu - system ground), istnieje jednak
z
_ __ _iz_olacja,ga/wani.....
·cz_
n_a___
, _,
Uzr>-+-
t
-_.
(
pomiarowa
nada)nik)
- I
Odbiornik
-+
T+ u_ I
I
Masa Masa
____
r-'- - -,,'-- -'- , I
pomiarowo Zasilacz 1
Zasilacz systemu
6enerator
nieuziemiony 1
1
-----,
--._ _. uziemiony
1
L_1
I
~-_J
1
Cs
Rys. 25.12. Zasada pomiaru nieuziemio nych za wzmacn iacza z
jest przez to
Cs transfor-
matora W celu minimalizacji tego zamiast transfor-
matora sieciowego transformator w.cz. na ok. 100 kHz,
który jest zasilany z generatora sinusoidalnego. W ten sposób
Cs< 10 pF. oba punkty pomiarowe
to nawet niewielki przez
,.,.,.,.,.,.,.,........-""-._,...,.,,. ••••.•.,.,.,.,.,.,.•.•.......•,.,,,,,.,,.•.•.·.•.-..,.......,•••.........,
__ ,.._
v .,._,.
••••·.•·············-.·····.,........
.....
_...........,,,
,,_.......,,._.,,
,,,•,•.•.•.•,,,•.·,·····················
······,•,•,•,
•,•,•,•,
...,......,,.,.
......,.,.,.._,.,.._'N>.
.,,....r
.v...-••,._.,._.,.,•••,•••,.,.,.,
+
Rz
U1
-
lp1 juwr=u1-u2
U2i 1
Tran
soptorpomiarowy
u-
Transoptor
porównawczy
. Uzz U1 - U2
zp1 =-R
1
+ R
l
R' Uzz u+
Uwy = -i:-1-
(u 1 -
.l~l
u2 ) dla --
R2
= --
R;
Uwt1
R2
R2 tuw
r
1
Uwu R3 R3
1
np. PWS 725 lub HPR 11O firmy Burr Brown.
2
z na 20 mA .
- .....-
................,.,........ ................ . ....
,.,,,,,,,,,,,., ............
....,.........
.....................
..........
,.,.,...............................
.....
.........
.........
...........
..............
....,.,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•.....,.,.,.,.,...,.,......
,.. ...........
.................................
...•.•.•.•,•,·,··········
25.J. POMIAR 877
Wzmacniacze ze transformatorowym lub optoelek-
tronicznym w postaci gotowych Wybrane typy przed-
stawione w tabl. 25.2. Szczególnie wygodne w te z nich , które
(konwerter) Zastosowanie ze-
przetwornicy ma sens jedynie wtedy, kiedy ona
kilka wzmacniaczy których masa pomiarowa na wspólnym
potencjale.
Typy z wykorzystanie
nieuziemionego przez z niego np.
wzmacniacz elektrometryczny lub czujnik. Szczególnie uniwer-
salnym typem jest wzmacniacz AD 210 Analo g D evices, w którym
zasilany z nieuziemionego ma on trzy
odizolowane od siebie zaciski masy, w tym przypadku o trzech
izolowanych torach .
25.2.Pomiar
25.2.1. Nieuziemionyamperomierz
o spadk
u
W punkcie 13.2 przetwornik który ze na
bardzo stosowany jako amperomierz .
nim jed nak tylko do masy , ponie-
jego stanowi
Uwr = Rl
] -
I
- ---
Tra;to/
pomiarowy
I
(25.1)
(25.2)
(25.4)
Na W0 3 otrzymujemy U1 - U2 , wyno-
zgodnie z równaniem (25.1) i (25.2)
Uwy = R 1 ( 1 + ~; ) I (25.5)
a do
25.3. Prostowniki
pomiarowe
(przetworniki
AC/DC)
Do opisu zmiennych arytmetyczna
wyprostowanej skuteczna , a szczy-
towe: dodatnia i ujemna.
25.3.1.Pomiar
iwy=
luwel
R
Uwr
IP'
"
"""
" "
Dwupolówkow!f ,,"Jednopolówk
owy
"
UwE
Rys. 25.16. Charakterystyka prostownika jedno- i
M amy
(25.7)
a po równania (25.6)
11
t
'\I\ I'/
\
1\ &I
\I /I I\\ '-
/ I/
\\ /
'- /
\ I
,_1
\ I
\ I
\_/
2R
Tz
25.3.2.Pomiar skutecznej
W od arytmetycznej (average ab-
solute vafue, mean modulus)
Iu(t) lav= +f
o
T
f
T
°; flsinwt ldt !
1·
]u(t)lav = = um (25.11)
o
Up
t
-'-- - -- - -- -- -- --
Rys. 25.23. l' orov- na ru.: v-ano~cr skutecznej i przebiegu
sinusoidalnego
,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•.. ,•,•,•,•.-...• .•.......,,,. ., •••••••,.,.,., ........... ,.,.,.,., ................ ........ .......... .........v.vM'o ......,. ........................ ,,.............. .... .... ........ ...... ........ .. ..
2
UwE
In-uwr
t
i-. - --0
2Ln exp
1uwr
'-- - ---- -{n~ 1
Rys. 25.26. Wyznaczanie skutecznej za logarytmowania
Wzmacniacz WO 4 logarytmuje
Uwy
u4 = - Urln-. - -
lcoR
(25.14)
Przetworniktermiczny
Zgodnie z skuteczna zmiennego to takie
cie które powoduje wydzielenie w rezystancji takiej samej mocy
niej, jak zmienne. Mamy
zmiennego u
UEFna rezystancji R tak , by ona tak samo, jak pod
·----""WN• "•"•"•"•"•"•"•••• •• •• ,••••••• ,••• ,•••••••••••••••.w .w .•.•.•.•.s •.••••••••••••••••••••••••••••••••••
•••••••••
•••••••••
••w •
C1 C1
+-- ----r--i-__.._ --r
25.3.3.Pomiar szczytowej
Pomiar szczytowej w bardzo prosty sposób,
kondensator przez W celu wyeliminowania przewo-
dzenia, w sposób pokazany na rys. 25.29 w ujem-
nego zwrotnego wtórnika uwE < uc, to dioda
D nie przewodzi. uwE > uc, to dioda przewodzi i na skutek ujemnego
zwrotnego uc = uwe· temu kondensator C do war-
szczytowej
tuwr=U
wem
1
Rys. 25.30. Ulepszony miernika szczytowej
- W02 ·
____ _J
l
Rys. 25.31. Miernik szczytowej z
I I t
sltJ off
t"
Rys. 25.32. Przebiegi czasowe w mierniku szczytowej z
Um = V
1
Um2 sin2 wt+ Um2 cos 2 wt (25.15)
U1 ()t = - RC duwe(t)
dt
= _ UwemRC d(sinwt)
dt = - uwemwRCcoswt
(25.16)
wRC je-
den i otrzymamy w ten sposób poszukiwany do dalszych prowa-
dzonych za równania (25.15). Po podniesieniu do kwadratu i dodaniu
uwe(t) i u 1 (t) otrzymamy wskazania amplitudy, bez konieczno-
stosowania filtru. sinusoidalnego
zmienia w czasie, to dodatkowo integrator (rys. 25.3,3).
na jego wynosi
U2 (t) =- 1
RC
Juwe(t )dt = - 1
RC
J uwemsmwtdt
. = Uwem
wRC coswt
(25.17)
rP
u 3 (t) = -~ cos2 wt
E
o amplitudzie od Po utworzeniu u4 - u3
i pierwiastka otrzymujemy
Uwy = Uwem
25.3.4.Prostownik
synchroniczny
W prostowniku synchronicznym zmiana znaku wzmocnienia
nie na skutek zmiany znaku lecz na skutek
zmian Usr(t). Do tego celu zastoso-
ze znaku (p. 22.2.4 i 22.3.2).
Prostownik synchroniczny w pomiarowym
pokazanym na rys. 25.34 do w silnie zaszumionym sygnale amplitu-
,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.
,.,.~._,.w_..,. ..,.,..,...,.....,.,.,.,.,.,
.,.,.......,...........
.,... ...,.......,.
........
.. .,....... .,.. .. .... ..,.•.,.,.,.,.,.,.,.,
.,.,.,., ...,.,,,,,,,,,,,,,
...,,,..._,.,.,,.
.,......_.._.
•.,........................
,...,....
..,._
.,,....,
...,...,.,.,.,.,,,.,,,,,,,,,,,.,,,,,,,
, -~ ~adany.!
,-...-i- K(jw) Prostownik Filtr
synchroniczny dolnoprzepustowy
usr
mierzonego
Uk[ad
formowania
impulsów
prosiokqtnych
t
.
Rys. 25.35. Zasada prostownika synchronicznego
f
o
sin(kwstt + <pk)= O
dla k i= l
dla k =l
Otrzymamy
2
dla k = 2n +1
UWY -- { 1tk UwemCOS<pk (25.21)
o dla ki= 2n +1
gdzie n = O, 1, 2, 3 ...
sinusoidalnych o dowol-
nych to tyl-
ko te których j est równa lub
jej nieparzystej Dlatego prostownik synchroniczny nadaje
do selektywnego pomiaru amplitudy. wyj-
od fazowego
cia a prostownik synchroniczny nosi rów-
prostownika fazoczu/ego . Dla <pk= 90° Uwyavjest równe zeru rów-
wówczas, gdy jest warunek
W z rys. 25.35 k = I i <pk= O, a zgodnie z równaniem
(25.21)
2
Uwyav= - Uwem
1t
Uwy av
Uwem
0,3
0,2
0,1
o z 4 s 8 7 fwe/ f'st
U wf U/ Filtr UJav
U1 - E- dolnoprzepustowy
1. U2
Uw[Uz Filtr U4av 1
- E- dolnoprzepustowy
1
Uwy = Uwr = - uw,m dJa f,, =fwe
2
(25.23)
a dolny
(25.24)
26.1.1.Oporowetermomet
ry metaliczne
Rezystancja metali ze wzrostem temperatury, a one dodat ni
temperatu rowy. metalami do pomiaru
temperatury pla tyna i W pierwszym rezystancja
ich wzrasta z o ok. 0,4% na Przy temperat ury
o 100 K rezystancja wzrasta 1,4 raza. Dla czujników temperatury wykonanych
z platyny podaje R 0 w temperaturze 0°C. jest
100 n (P t 100), ale 200 n (Pt 200), 500 n (Pt 500) i 1000 n (Pt 1000).
W zakresie temperatur 0°C 9 850°C rezystancja ta jest opisaI).a równa-
niem (DIN 43760 i IEC 571):
R 9 = R 0 [1 + 3,90802 · 10- 3 .9/°C - 0,580 195 · 10- 6 (8f°C)2]
a w zakresie - 200°C .9 0°C równaniem
Jest ono tylko dla sensorów firmy Texas Instruments serii TS, dla
wyrobów innych producentów tylko w R 25 jest tu
w temperaturze 25°C. ona
w granicach 1 ... 2 k.Q. /1.9 jest a tem-
ti,r). = S - 25°C . zakres temperatur wynosi
- tak jak dla termometrów - od - 50°C do + 150°C.
Sposób i linearyzacji charakterystyki termistorów krzemowych
przedstawimy w p. 26.1.4.
3
1 l 1 R 1 ( R )
- T- = TN + Bln RN +C In RN
R3
Rys. 26.4a. U9 = IR-eP· Ru,. -- -
Rs + R11.
I
I
I
I
I I I
iPunkty kompensacji II
I
I I I
Zakres pomiarowy
~------ --------
cf:' I
<:::J I
Rlin R2
28512 28512
UREF
t _
2,5V juPOM
R,s. R1 33312 1
TSP102F tu,s. 1076Q u,,oM = 20 mV · 8/°C
dla 0° 8 100°c
9 Rs U9 UPOM
90 = 0°c RsD = 813 n U90 = o,555 v UPOMD= 0,00 V
50°C R 85 = 1211 n = 0,745 V = l,00 V
9G = 100°C RsG = 1706 n U9G= 0,935 V UPOMG= 2,00 V
Z projektowych wynika
R1 = 1076 n R 3 = 3331 O
R1;n
-2,5kQ
R,.9.
Pt100
fu, R,9. 1~,9.
1 9,08kQ 10kQ 1
Rys. 26.8. Zasada linear yzacji Rys. 26.9. Rea lizacja o ujemnej
czujnika Pt 100 rezystancji
.............•.•.•.••.v~,w, .·.=v•="W•-·'"· ""ww•• ,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•, •"•"•"•"•'""'"'"v~·.w .....wm=--- , .. _..,,,•,• .•,•,• • •,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,w,• .•.•,·,········' •' •' •' •' •' •W .... .
Rz
z UREFI- juPOM
l
R3
Run R1
40 óO 80 100 '15/°C
Rys. 26.10. Linearyzacja termistora o ujem- Rys. 26.11. do linearyzacji, regulacji zera
nym temperaturowym za i wzmacniania z termistora o ujemnym
równolegle rezystancji temperaturowym
t:..U = O 3°/4
0 /K
U· t:..T '
UaEfmv
800- - -- - -- --1
I
600 - - - - -- - - , - - - -
~o __ _ _ _ _ _ __ 'L _ _ _ _ LI _ _ _ _
I I I
I I I
200 I I I
I I I
lc2 lei
t:..UnE= Urln I A - Urln I A
co 2 co 1
kT µV
t:..UBE = - lol O = 200 - ·T
e K
mV
UTEMP =2 · 273 K = 546 mV
+ + +
R3 R3
le Ie
0 T2
A1=10A2 UrEMP
Az 2mV Ti
!JUsE
0,2mV T
t tUss
K 1
1,23V
K
UrEMP
2mVT
t lUrEMP
2mVT
K
1 Usd
1,23VI
1
K
1 UpoM
= 5UTEMP
- 2,22Uaa
Rys. 26.14. Wykorzystanie Rys. 26.15. Dodatkowy do realizacji
odniesienia z baza-emiter zera w skali Celsjusza
tranzystorów do pomiaru temperatury
(np. REF 43 firmy PMI)
mV
UTEMP = 50/iUB E= 10~ ·T
R3 R3
r UrEHP
10mVT
K
Ie 1
j5,;vr
Tz
A2
R1 iO,~
mVT
9,16kQ 10kQ
UTEHP
10mVT
t
K
- 12v
Rys. 26.17. do przesuwania zera w skali Celsjusza dla dwójnikowego czujnika
temperatur y
!::.U = U ln Ai = ~ In Ai · T = 86 µV In Ai · T
BE r A2 e A2 K A2
powoduje
I= 21c = 2!::.UBE/R
1
f:::fµA/K
T2
Az
JOµA/K
I= T · I µA(K.
26.1.6.Termoeleme
nt
W miejscu styku dwu metali lub stopów zjawisko Seebecka powoduje
powstanie w zakresie miliwoltów, zwanego termo-
elektrycznym. Na rysunku 26.20 pomiaru temperatury wi-
nawet wtedy, kiedy jednym z dwu metali jest zawsze
dwa przeciwnie spolaryzowane termoelementy.
{},., Cu
Konstantan
Cu- Ni fu„
..Jp
Cu
Rys. 26.20. Zasada pomiaru temperatury za termoelement u na termoelementu
Fe Cu
Blok
Cu- Ni
izotermiczny1
,·-- ·1
'I !
I ~P Fe
i
-- i - --------
.
L. -,
---
Cu
-~
'
J izotermiczny2
L_____ ' Blok
k = lO mV/K = 193
" 51,7 µV/K
Fe Cu
Blol<
izotermiczny
Cu-Ni
,L_1-t-----
_.J
J
Rys. 26.22. Praktyczna realizacja pomiarowego z termoelementem
- - -"-..............
.... ... ..............................
,.,•,•,•,•,•,•,•,•, ,.,.,.,., .............
26.1. POMIAR TEMPERATURY 917
u/mv
50 K
40
30
20
- 10
Rys. 26.23. termoelektrycznej od temperatury. Temperatura odniesienia 0°C
kv.=193
>--- ...L...
--' "'"+
+
- J
µV µV
51,7°C{J,r..Jp) 51,7oc ,JM
Fe Cu
+
.,Jp
ku=/93 iUwy
mV
10°[,J,M
Cu-Ni ~- , Cu
ii_ ___&>
--!- ------
1
_J
µV
51,7°(;,J,M OP77
Fe
+
..J,/'f
rwy
mV
Cu-Ni
70 oc-3-/'f
{}p µV
51,7°[,Jp 1
Rys. 26.27. Praktycma realizacja kompensacji temperatury spoin odniesienia przed wzmocnie-
niem na termoelementu
,J,p
+
tWY
,JH
I oc
51,7µV ,J,p
AD594
mV
10°f {},H
Cu-Ni
26.1.7. typów
W tablicy 26.4 zestawiono producentów elementów do
pomiaru temperatu ry i ich wyroby . Wyroby te znaczne cen.
Dla tego najpierw zasady pomiaru oraz typy
elementów i Ogól nie im dany czujnik jest
szy, tym skalibrowany pr zez producenta (kalibracja laserowa) .
.,:-:::::
-::::::::::::::::::
:::::::
::::;:::
::::::
:::::::::
rrttttrt11tti1i1
i1tttlttlft ttt
·2· ~~!!!~~
,t~'~~:
~!.:~.!,!. ,.J~1i1ii1l::::1;i~;;:1~;~1:;:::::
_:.:.:
_;_:f..........
.
jest zdefiniowane jako na
p = F/A
jest
1 niuton I N
1 pas k a 1 = IPa= --
1 metr kwadratowy 1 m2
Zakres
a)
(26.4)
.,,,.__,
__ " . ''"' ~· ·········· ····,·,·, ·,•,•,-•,-•,•,·
·---- .,w •..mw ·www Ms• •• ,•,•,•,•,•,·········· ·················'-'"'"''"'~'-"=~=·====-=
26.2. POMIAR 923
Uc R+ll.R R-ll.R ll.R
-- =
URE;
t - UREP 2R 2R R
1:U2
gdzie
!iR
= !ip. R
jest a a0 -
Obie przy tym proporcjonalne do odniesienia. Aby
nie zbyt stosuje odniesienia. Ogra-
nicza je jednak zjawisko nagrzewania czujnika. Dlatego stosowane
odniesienia 2 i 12 V.
26.2.2.Skompensowane
temperaturowo
czujniki
Czujniki wyprodukowane na bazie krzemu tak
niki temperaturowe, nie kompensacji temperatu-
ry. Dla najwygodniejsze jest stosowanie czujników fab-
jednak ze
na koszty musi sam Jak
wtedy w punkcie. Przygotowanie
z czujników do dalszego przetwarzania kilka pod-
stawowych
1) Cztery rezystancje mostka z rys. 26.31 starannie dobierane
parami, ale ich ma i oprócz tego silnie
od temperatury. Z tego powodu nie silnie
do wzmacniania stosuje wzmacniacz pomiarowy o
rezystancji
2) Czujniki z~era, który wprawdzie jako wiel-
jest (np. ± 50 mV), ale z porównania go z
wynika, z jego odpowiada zakresowi
pomiarowemu. Z tego powodu jest regulacji zera pokry-
zakres pomiarowy.
3) czujnika wykazuje
(np. ±30%), wskutek czego staje regulacj~ wzmocnienia.
·-~=-'-'W"'""' ·"'····w·•·························
·····
············
···········
··············
··'··············
··········
·······w············
·····
•.w,•,o•.
•==www,.w .w.....w.·.··········w···················'"'•"'··'"'•'"='
924 26. SENSORYKA
4) Regulacja zera i wzmocnienia powinna realizowana bez
iteracji.
5) Ze na fakt, czujnika jest
wymagane potem ich znaczne wzmocnienie. wówczas wyma-
szumy wzmacniacza, a i sam czujnik ma nie
Dlatego pasma na
wzmacniacza do zakresu zmian
Rz
U1
R2
Wzmoc.
Uz
Do U2 od- UzER-
± 1/2UREFR3 /(R 3 + R4 ). temu, dolny punkt rezystora R 2
w dzielnika nie jest do masy tylko do
UR.EF•zero wzmacniacza nie na poziomie O V, lecz na
poziomie UR.EF· Wskutek tego regulacja zera przesuwa z równego
zero i zero do Uwr = UREF
(patrz p. 26.5.1). OV w tym nie by i tak
w zasilany z dodatniego
Projektowanie na do po-
miaru powietrza ma równe 5 mV /hPa.
Jako czujnik zastosujemy KP 100 A l firmy Valvo. Przy
ciu zasilania UREF= 5 V daje on 20 ... 80 µV/hPa; jego zera
do ± 50 mV. W celu zaprojektowania zerowania przyjmujemy
R 3 = I kn. Przy zasilania UR.EF=5 V wymagany zakres re-
gulacji uzyskuje R 4 = 49 k.O. Wzm·ocnienie -w od
czujnika - musi w zakresie od 62,5 do 250.
R 2 = 10 kO, otrzymamy R1 80 n (rezystor
i 330 n. Rezystor regulacyjny musi
250 n.
--~ ---,w,-.--
,.....,
........,......
.w,.,.,, ____ ,
.-,w,·,····
··············
·····
·············•············•W•"·"•""-"""" ·= -'·www- --- ---
926 26. SENSORYKA
Przy kalibracji najpierw zero. Aby to
bez iteracji, wybiera do tego celu przy którym na rezys-
torze do regulacji wzmocnienia nie ma a gdy U1 - U3 = O.
W naszym przypadku ma to miejsce dla Uwr = UREF= 5 V; odpowiada to
1000 hPa. Ustawia regulator zera tak, by przy 1000 hPa
Uwr = 5 V. po wykonaniu regulacji na rezystorze R 1
nie ma jego nie na Przy kalibracji wzmoc-
nienia wybiera daleko od zera ustawionego na
1000 hPa, a na górnym lub dolnym zakresu
pomiarowego i za R 1 ustawia na
opis kalibracji czujników zostanie podany w p. 26.5.
Rz juwy
U1 1
Uz Rz
},,
UREF Rz
U3
Rz
UREF
)R,
26.2.3.Kompensacja
temperaturowa
czujników
Wykonane z domieszkowanego krzemu rezystory czujnika natural-
nie od temperatury. one nawet stosowane do pomiaru tempera(tiry
(patrz p. 26.1).
S(..J)
S{25°C)
Rys. 26.35. rezyslancji i krzemowych czujników od temperatury
a) c)
f 1,8V
Wynika wzór na Ri
R ITKsl R 235R
i = TKR - I TKs I M = - ' M
6,45kQ JOkQ
Iz = 1 mA; R1 = - 7,05 kQ
ITKs l
Ri = TKR _ I TKs I RM = - 2,35 · 3 kn = - 7,05 kQ
26.2.4.Oferow
ane typy czujników
Tablica 26.6 ma za zadanie przedstawienie Czytelnikowi, jak szerok i jest wy-
bór czujników innych producentów czuj-
ników, a typy wymienione w tab licy jedynie przedstawicielami rodzin
.~------""' · " ·" ·"'"w.w .,.,,,.•.•.•.•.•,•,•,•,•,•,•,,.•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,v,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,
•,•,
* scalony ze wzmacniaczem .
Za.kres pomiarow y O ... = czujnik
zakres pomiarowy ± = czujnik
600
500 I
1'400
I
;;;'
~ 300
I Loo1---1-
;:;--
- -+ - - /-,f-,''--A- - 0--1
:;:;
"'
t.l::200
/ Li:
700
/V
_,/
V
.___ I
o 20 40 60 80 700 40 60 80 700
N°c- {fjoc -
przy 55°C
Fabs 20 g/mJ
Frei-~- -- - 100
---=-
g/mJ =20%
sat
26.3.1.Czujniki
pokazuje, powietrza wy-
z pomiaru temperatury otoczenia i punktu rosy.
Wprawdzie pomiar punktu rosy jest i nie wymaga
dodatkowego wzorcowania, do pomiaru jest
[26.8]. Powszechnie stosowane czujniki do pomiaru
pomiar temu,
n io od nas one kon-
densator z dielektrykiem, którego elektryczna od
Dielektryk
pochTaniajqcy
Cs -
C5
=1+04
(
--
F,ei )l.4
pF Co ' 100%
140
130
110
o 2 4 6 8 Fred%
Rys. 26.42. czujnika od czujni k 2322 691
90001 firmy Valvo
I, 1 = 21tU,1 · f · Cs
M2
U2 Bramki : CMOS, np . CD400I
Cs=Co+LlC
Ml
Cr""Coz/10
pF
Rys. 26.44. Wyznaczanie wzrostu przez pomiar okresu
znacznie przedsta-
wiono na rys. 26.46. Tutaj czujnika jest wyznaczana
z definicji Cs= QIU. Najpierw kondensator Cs jest do
UREF • a potem przez punkt masy pozornej.
przy tym
IsAv = UREF ·f· Cs
gdzie/jest klucza.
C 1 , na otrzymuje proporcjonalne do Cs.
"·t I I
I t1__J
C t
Uz
i : :
-1
t2
! jI
I
C
j t
1
~----=- -1 1-· I I
1 I
iw..l
I I I
u, i. t~
Uwy= - UREF·R·f · Cs
Ir AV= - UREF·I· Cr
---l
la c,
Cs=Co
+!JC
Cs=Co+!JC
::.:.:=::;:;::::::::::::
:::x.~1
..
26.4.1.Transmisjaze galwanicznym
Przy przewodów nie rezystancji czynnej
przewodów Rp. Nawet potrzebne do pracy sensora wte-
dy spadki w niedopuszczalny sposób mierzo-
ne. Problem ten pomiarowy przez dwa
dodatkowe przewody, przez które nie
Do uzyskania mierzonej w pomiarowym jest stosowa-
ny wzmacniacz jak to pokazano na rys. 26.49. Spadek
w obwodzie pomiarowym powoduje wówczas tylko wysterowanie
wspólnym UwsP = I 0 Rp, który po wykonaniu odejmowania znika .
rezystancje wszystkich przewodów sobie równe,
jeden przewód, tzw. trójprzewodowy, po-
,www ___ ., wmu,mw. ·,···············
-•.•.•.,..... ,•• ···············'"'w-
938 26. SENSORYKA
Rp Io
---~ ---- -0-------- ----,
\u,-------=:-
---
Rp
R,, - -<l>-Uw-r--,
Q Io
--- ~ --- --<>-----l
Rp
------c:::J--- ------0--- ------0-----'
Rp U2 Io
-- ---1=]--- - --- ~ c;;_------ -- --
Rp
--- ----{=::::J--- - --
Rp
---- -c::J-- -----<>- -- - ----o-- -'
Rp
~--- -------- ---c:::J--------<>---
Rp
--- ----c::J--- - ----o
Rp Uwy~ku Usl
'---------- -- - ----c::J--------<>----
Rys. 26.51. Wzmacniacz umieszczony przy sensorze zmniejsza przy
transmisji
.,,,,w ,,,,,,,,,,,,,'"·-~" • WW'W' W.'"•'•"•'•'•'•'•'•'•'•'•'•"'•'•'•'•""" '-" " " "" """" " """"' " ·'·'" ·'·'" '•'·'" ·"" •'""' """""•""••••'"'~"M' =-~--- -"""""'' •""""""
Rp
.- - - -- --- -- - ----c=::J---- ---o - ~
R1 juwy
ft Rp
~ - - --- - --~- ---c::J- --- ---Q- --'
Sensor +
- juzz
~- -- ----~---- -------c=J--
-- -
Rp 4... 20mA
h h +Is
h lwy=lz+ls
ls+(!rh)
Sensor
prqdowa
IWY =i+l
7, s
=-R3 URF.P ( R2 ) Us
R4 -- R/ + l + - R 1 - R/
26.4.2.Transmisja z
Przy transmisji na dalsze i w o poziomie za-
elektrycznych tak silne opisane
dotychczas metody transmisji nie zachowania wystarcza-
do szumu.
W takich przypadkach istnieje tylko jedno zasto -
sowanie transmisji Linie nie na
pola elektrostatycznego ani pól elektromagnetycznych i
punkty o prawie dowolnej Na rysunku 26.55 pokazano
optycznej transmisji sensorów.
Transmisja analogowych po liniach jest jed-
nak praktyczna, toru optycznego jest trudne do zdefinio-
wania, a oprócz tego podlega wahaniom od temperatury oraz proce-
sowi starzenia. Dlatego sensora jest pr zetwarzany w nadajniku na
Sensor UkTad
Nadajnik Odbiornik
dopasowujqcy
Zasilacz Zasilacz
lokalny centralny
Rys. 26.55. Zasada optycznej transmisji sensorów
u .w .·.•.w ~ •.w ._..... . w.•.•.•.•,•.•.•.•,•.•.w.w.·.·.•.·.·.•.•.•.•.·.=,===w ··==~ -~ - www--- ,·,·~ ·····,w,• ,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•• •.w w www , w•••· •
UwE=a'+m'G (26.5)
po wzorcowaniu powinien z proporcjonalny do
mierzonej zgodnie z równaniem
Uwr = mG (26.6)
Sensor UkTad
dopasowujo,cy
U/V
__ __ Uwn ____ _ Uwy=m6
4
= 100~V,9,
30 40 50 G/°C
Rys. 26.58. Ih,1stracja przebiegu wzorcowania: najpierw regulacja zera, a polem regulacja wzmoc-
nienia. termometr lekarski
(26.7)
U2 =-a'=+ 0,5V
100 mV
Uwn=mG 1 = oc ·40 °=4V
Wzmocni en ie ma wtedy
m 100 mV f°C
ku= m' = 50 mV/°C =2
u/v
4 Przesunicie zera Up
____ Uwy2 __
3
2 Regulacjawzmocnieniaku
Regulacjazera Uz
40 50 6/°C
Rys. 26.59. Beziteracyjny przebieg wzorcowania dla dwu od zera punktów wzorcowania
G1, G2
U/<lad
Sensor dopasowujqcy
tuwr
=ku(Uw1:
+Uz)+Uz
1
Rys. 26.60. do beziteracyjnego wzorcowania sensorów, gdy z punktów
wzorcowania nie w zerze
50 mV
UwE = - 0,5 + oc ,9-;
i punkty wzorcowania
2 = 30°C, Uwrz
(,9- = 3 V); (9 1 = 40°C, Uwn = 4V)
50 mV
Uz =- UIVF,1= + 0,5 V - oc . 30°C = - 1V
k = _!!!_= l 00 mV /°C = 2
u m' 50 mV/°C
26.5.2.Komputerowe
wspomaganie
wzorcowania
{
~ ---~
Sensor
Przetwornik Mikro-
dopasowuja,cy A/C komputer
L= a+ bG (26.8)
równania
b = Lz - L1 (26.9)
G2 - G1
a= L 1 - bG 1 (26.10)
L
3000 --- Lz_ _____ _
L= Z360
2000
1000
o 10 zo 30 315,840 50 G/°C
G1 G2
Rys. 26.63. Numeryczne wzorcowanie sensora w dwu punktach wzorcowania (G1 , L 1) i (G2 , L 2 )
d = L 22 +L 11 -L 12 -L 21
(p2 - Pi) (92 - ,91)
(26.13)
L-a-c9
p = (26.14)
b+ d9
81 = 2s c
0
82 = 50°C
p 1 = 900 mbar L 11 = 3061 L 12 = 2837
Pz = 1035 mbar L 2 1 = 3720 L 22 = 3456
'-- ---
Czujnik Ukfod
temperatury dopasowuja,cy
Przetwornik A/C Mikro-
·~-- -- i multiplekser komputer
Czujnik UkTad
dopasowuja,cy
27.1.Podstawy
Zadaniem regulatora jest zrównanie fizycznej (wielkoJci
regulowanej x') z odniesienia W) i utrzymanie
tego stanu. W tym celu regulator musi w odpowiedni sposób
[27.1, 27.2).
Podstawowy prostego obwodu regulacji pokazano na rys. 27.1.
Regulator na X za
cej Y tak , by regulacji W - X jak najmniejszy.
na obiekt regulacji reprezentowane przez Z, które dodaje do
W da.Iszym regulo-
wana jest elektrycznym , a obiekt jest sterowany elektr ycz-
nie. wtedy regulatory elektroniczne.
Y
regu/uja,
ca
Regulator W- X - + W Wie/kose
kr BTqd + odniesienia
regulacji
X= kRko W+ ko Z (27.2)
1 + kRko l + kRko
Nietrudno ax/aWjest tym im jest
wzmocnienie w zwrotnego
(27.3)
27.2. Rodzajeregulatorów
(P)
27.2.1. Regulatorproporcjonalny
k
[dB} RegulatorP
20~-------....,,,- -'---,--------
f
10 100k f[Hz)
- 20 Obiektregulacji
- 40
-60
Obiektregulacjii
-90° obiektregulacji
+re ulator
-180°
Marginesfazy
-270° 0<=60°
wobec czego
a= 180° - I <Po(h) I (27.5)
Przy marginesie fazy a = O w drgania ponie-
jest wówczas zarówno warunek amplitudy , jak i warunek fazy.
Przypadek a= 90° jest granicznym przypadkiem aperiodycznym .
.w.·.·.w.,·
.=v.w.·.··············
··········
···········
·,.w,~==www-~-------~.,w,•,. •,··········w······•
·····
··················,.
······•
,.,•,.•··• ...,.,...................................
..,,.
954 27. REGULATORY ELEKTRONICZNE
Przy a= 60° w odpowiedzi skokowej z
przerost 4%, a czas ustalenia jest minimalny . D latego ten
margines fazy jest optymal ny w przypadków. Porównanie
przebiegów w stanie nieustalonym oscylogramy na rys. 27.3.
1 1
kp =-= -- = 7 albo IKPltog= - IK0 liog= -(-17 dB)= 17 dB
k0 0,14
W-X
= __ 1_ = I +17 = 12,5%
w 1 + T0
- 90°
-180°
Obiektregulacj
i
+regulator
- 270°
limlTl=oo
1- 0
KR = kp + -.-
1-
= kp (1+ jw -rlkp )
JW•r 1
wynika
Wzmacniacz
proporcjonalny r{log}
rp ff
oo
Uwf
l Integrator -45°
r[log)
1. -90°
Rys. 27.5. Schemat blokowy regulalora PI Rys. 27.6. Charakterystyki amplitud owa i fazowa
regulatoraPI
1
Ji=---
21tC1R2
fuwr
j_
Rys. 27.7. Regulator Pl
KR= _ R 2 + 1/jwC 1
R1
= _ R2
R1
(i+ I
jwC 1R 2
) (27.7)
Skutki z doboru fI na
oscylogramie na rys. 27.9. Przy zbyt fr (krzywa górna) czas
ustalania jest Przy zbyt zmniejsza margines fazy i pojawia-
oscylacje.
k
[dB]
Regulator
PIO
20
I
-9 0° I
----------- - ·____·.-~~r-------:::::,,,...,._
·- ·- I
- 100°
Obiektregulacji
+l'e u.lato!'
-270 °
KR = kp+ jun-v
1
+ -.- -
JWr'CI
= kp [1+ j ( ~-
WD
wr )]
())
(27.9)
gdzie
J; -~ (27.10)
D - 2n-cD
to
(27.11)
(27.12)
27.2.4. Nastawny
regulator
PIO
(27.13)
(26.14)
l l
fr= -- -, fo= ---
2nC 1R 2 2nC0R1
tU.wy
1.
;::::
•·:....
'i;·
:::::::::K
t.::W-®i:-:t~
··:...:...:................
::,........................
.........................
:::::::..:..,;;.
:...H~··
27.3. Regulacja
obiektównieliniowych
.
27.3.1. statyczna
Do tej pory ró wnanie obiektu ma
X=k 0 Y
dX
ko = dY
Dla mamy
x~koY
gdzie
x = (X -X 0 ), y = (Y- Y0 )
W punkcie pracy parame try regulatora w opisany
sposób. Przy zmianach odniesienia
1
Y = J- (Y') = ln~
A
27.3.2. dynamiczna
Inn y rodzaj obiektu regulacji na tym,
zmian na obiektu regulacji jest ograniczona (zjawisko to po-
przy omawianiu wzmacniaczy operacyjnych , jako ograniczenie
zmian na (siew rate)) . W pr zypadku zastosowania
regulatora z przy szybkich zmianach na
w przesterowania, które wolno Przesterowania po-
w sposób: przy optymalnych parametrach
i skoku integrator wyj-
w tej chwili, w której regulacji jest równy zeru.
podwoimy skok u , to w przypadku liniowego obiektu regulacji po-
dwoi zarówno narastania na obiektu , jak i na
integratora. odniesienia zostanie po
takim samym czasie. jednak narastania na
obiektu regulac ji jest ograniczona, to dwukrotnie tylko na-
duwy UwYmax
--- =
dt RC
>f ks
ma yma lna szy bk osc
" zmian
. sygna {u na wyJsc1u
., . --duwy = --umax
dt RC
~::r~1"#:~
u-..·.·--··
:·..,....
: ·.... ........·.·.·..··..·.·. .·......·.·,·-:.·,,·,·,•,•,•,•,•,•,·,·,•,•,:,•,•,•,:,
:,•,:,:,:,:,:,:,:,::.,.,u~·.; ..y..;:;;
......
~]27.4. synchronizacji
fazy (PLL) ·
L'.
:~...,.,.,.,.,,,.,.
L~~~-Tu.:tu..w:. ..........
:........
.......
:.~.......... ..::.ttt~~;_
;,:,;.:.:..,:,:w.« ...:.;............................... .
Szczególnie przypadkiem wykorzystania teorii regulacji w telekomu-
nikacji jest synchronizacji fazy PLL (phase locked loop). Zadaniem
PL L jest zrówna nie / 2 generatora z / 1 generatora
wzorcowego i to tak by nie fazowe obu
przebiegów.
Schemat blokowy PLL przedstawiono na rys. 27.20.
generatora przestrajanego za ste-
up zgodnie ze wzorem
(27.15)
Takie generato ry przestrajane (voltage controlled oscillator,
VCO) w rozdziale 15. Przy
generatory z analogowymi operacyjnymi z p. 15.4 lub
generatory fun kcyjne z p. 15.5. Przy do tego celu
np. przerzutnik astabilny ze emiterowym
z rys. 8.20 lub dowol ny generator LC, w którym równolegle do obwodu re-
zonansowego W tym przypadku liniowa za-
(27.15) tylko dla niewielkich od punktu pracy
/ 0 , tzn. sterowania k 1 = dj 2/duF od punktu
pracy.
·~ -- -- ·····
···············
·····································
·······
··········..-•'•'•
'•'-"'•
966 27. REGULATORY ELEKTRONICZNE
Detektor fazy dostarcza od fazo-
wego <p generatora przestrajanego u2 a
odniesienia u 1
u=k·cp
rp rp
(27.16)
Genera
tor Detektor fazy r,
przestrajany
Uz k u1 odniesienia
Wie/kose
uF
Regu
lator
kR
.1.w(t) = (.1.w)mcoswmt
27.4.1. jakodetektorfazy
fazowe dwoma u1 i u2 np.
przez próbkowanie chwilowej u1 za prób-
w chwili, gdy u2 przechodzi przez zero w kie-
runku dodat nich. W tym celu za u2 steruje w sposób
przedstawiony na rys. 27.21 przerzutnik bistabilny wyzwalany zboczem, któ ry
dostarcza impuls do Jak na
rys. 27.22,
(27.20)
(27.21)
11 1II
u,t tUg, 11 I I J IJt=!f!.
..1. j_
li
x(u2)t 11
, 111,
I1
w
Uz 1
o
tl
t
..
- -~ · te
Rys. 27.21. Rys. 27.22. Przebiegi w detektorze fazy.
jako detektor fazy na u'I' w stopniu
dobierzemy tP tego
samego co czasowa
pró bku
IJI
dynamiczne
Opisany detektor fazy mierzy fazy tylko jeden raz
na okres, zachowuje jak element od chwili
zmiany fazy, to wynosi od O do T 2 = 1/f2 .
wynosi T 2 /2. Aby to przetwarzania przy
modulacji fazy fm musi zespolona, zgodnie
z równaniem
(27.22)
(27.23)
Dobór regulatora
Jako regulatora celowo
po- bez
zmienia tylko
skokowo. Zgodnie z równaniem (27.23) fazowe cpm U"'
a U1 ma przy fm= 1/4 / 2 -135 °. wzmocnienie
proporcjonalnej kp wybierzemy tak, by krytyczna h. = 1/4
/ 2 , to margines fazy równy 45°. Zgodnie z dla fm = h. mamy
u,i
1
Przerzutnik
monostabilny
Rz 1
kp= R +R ; h= 2nR Z CI ; k1 = 1
1 Z
27.4.2.Prostownik
synchroniczny jakodetektorfazy
W punkcie 25.3.4 prostownika
sinusoidalnymi u 1 =
= Ecosw 1 t i uz = Ecos(wzt + cp),to otrzymamy
(27.25)
Dla w 1 = Wz jego wynosi
E
u,p= Uwrav = 2 COS(f) (27.26)
I
I
I
I
I,
Jego wynosi:
E
k = -
'I' 9 = +-
- 2 (27.28)
2E
k 'I' =+-
- 1C (27.29)
Generator uF
~---1 przestrajam;~ -- --'--~
Uzfz
u1 t
1..
Rys. 27.26. synchronizacji fazy z jak o detektorem fazy do demodulacji
FM
1D
x2(u2,._.- -1> Cl
_r '----' Q Yz
Rys. 27.27. Detektor fazy z znaku
I
I I
LJ o
~<O
Rys. 27.28. i detektora fazy
.... ..... ,~, .. , ........ .......,.,•,•,,,••,•,•,•,,,................
....- w,, ... , •,•,•,•,•,•,•,·,~ •., .w, .,... ,.... .,...,., ... ,.,• .. w·,~=··.~ --- ....
974 27. REGULATORY ELEKTRONICZNE
dodatnich impulsów impulsów ujemnych otrzymuje
wtedy, kiedy dodatnie zbocze x 2 pojawi za zboczem x 1 , czyli gdy mamy
q>< O. w postaci grafu pokazanego na
rys. 27.29.
(27.30)
do ± 360° czasów
proporcjonalnie do q>, liniowy zakres pomiaru fazy wynosi ± 360°. Po
przekroczeniu tej granicy skacze do zera, po czym
pierwotny znak. Otrzymuje w ten sposób charak-
na rys. 27.30. Charakterystyka ta od poznanych
dotychczas tym, uq, dla q>> Ojest zawsze dodatnie, a dla q>< O - zawsze
ujemne. Wynika tego detektora na np.
/ 2 jest / 1 , to fazowe proporcjonalnie
do czasu do coraz Zgodnie z rys. 27 .30 wskutek tego uq,
o dodatniej taki dete-
ktor zastosujemy w regulacji fazy, to wzmacniacz
sygnalizowane na wyprzedzenie fazy. W przypadku regulatora z
regulowana / 2 zmniejszana tak
zrówna z / 1 . Dlatego zakres zaskoku jest teoretycznie
wielki i ograniczony w praktyce tylko zakresem wysterowania
generatora VCO.
27.4.4.Detektorfazyz dowolnierozszerzalnym
zakresempomiarowym
Opisane do tej pory detektory fazy nie regulacji
o jeden okres zakres pomiaru fazy jest ograniczony
do 2n. jednak zastosowania, w których trzeba zmie-
o kilka okresów. Do tego celu nadaje detektor przed-
stawiony na rys. 27.31, w którym wykorzystano licznik rewersyjny z rys. 10.35
odporny na zjawisko koincydencji.
x,
O=A- 8
RES
a2
a3 do Przetwornik
di C/A Uo
w kodzie Filtr
Xz
d2 do/noprzepustoY.
d3 do dwóch
Rys. 27.31. Detektor fazy z dowolnie rozszerzalnym zakresem pomiarowym. Zakres pomiarowy
w + 7, -8 okresów
27.4.5. fazowajakopowielacz
f;28.1.Logiczne
=·
scaloneserii7400 :'
~~1~~:t~l~~:::i{:~:~~=
~=~::;:::;:
;:~::::::::::::::::::
~:::::f@=::::::::::::::::;:;::::::::::::::::::
::::::::
::::::::::::::
::::::::::::::::::::
::::::::::::::::::
:::::::::::
:::::::::::
::::::::::::::::::
:::::::::::
....:..
28.1.1.Rodziny producentów
TTL C MOS
Motoro la MC74LS MC74HC
MC74F MC74HCT
RCA CD74HC
CD74HCT
CD74AC
CD74ACT
SGS M74HC
M74HCT
IDT IDT74HCT
IDT74FCT
,.,.,.,,,,.,.,.,,......,.,,.,.,
..........._•.,..•.,.....,._._._.,..._.,.,.,v
....,.,.,.,,.,. ,.,.,,.....,..,,,.,,,,,,.._,.,.
..,.,.,,,.,.•••.,...,.,
....._._.
,.,.,._._.,.,
.,.,.•.,.,._.,._.,.,.,
.,.,.,._.,,.....,.,.......,
,..,.,,,
.v,:•...•.........,.,,._www •J ·· ...-.·..-. .............--.-..........~--
T yp Bramki OR Wyprowadzenia
32 Quad 2 input OR TP 14
802 Triple 4 input OR NOR TP
832 Hex 2 input bulTcr TP 20
1032 BulTer'32' gale TP 14
.4075 Triple 3-input OR TP 14
7032 Quad 2 input OR schmitt-trigger TP 14
86 Quad exclusive OR TP 14
(135 Quad exclusiv.e OR / NOR TS 16)
136 Quad exclusive OR OC 14
266 Quad 2 input exclusive NOR OC 16
386 Quad exclusive OR TP 14
810 '86' with inverting outputs TP 14
811 '810' with open collector OC 14
7266 '266' with totempo le outpu t TP 16
04 Hex invcrter TP 14
05 Hex inverler OC 14
(06 Hex inverter / bulfer 30VO/ P OC 14)
14 Hex inverter schm itt-trigger TP 14
(16 Hex inverter / bulfer l5 VO/ P OC 14)
(17 Hex bulfer 15 VO/ P OC 14)
19 Hex inverter schmitt-trigger TP 14
1004 Bulfer '04 ' gate TP 14
1005 BufTcr'05 ' gate OC 14
4049 Hex invcrting bufTcr TP 16
75 Quad D-latch TP 16
77 Quad D-lateh TP 16
(100 Dual 4 bit D-latch TP 24)
(116 Dual 4 bit D-latch TP 24)
(118 Hex SR-flip-Oop TP 16)
(I 19 Hex SR-flip-Oop TP 24)
279 Hex SR-flip-flop TP 16
375 Quad D-lateh TP 16
873 Dual 4 bit D-lateh TS 24
880 '873' inverting TS 24
() = tylko jako sta ndardowe lub TTL typu Schottky'ego, zatem nie do nowych
...................
......,...... . .. ,= ............................................
,.,..........,...,.,.,.,.,.,.,.,.,.,
.,.,.,
.,.,.,......,...,.,.,.,.,.,
........
.,............ ............................
==== ............................................
..... . ,.......
__
574 '374' bus pinout 20
575 ' 574' with syncronous elear TS 24
...................................... ---
...,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.............. .. ....
...... ............
... ...,.,.,.,....,.....,.,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•, ,..,....,........................................
,.,.,.,.... .................
..........,.. ...... ........
.,.............,., .....,.,.,.,.,.,.,.,.,•,•,•,
988 28. DODATKI
Typ Ster ownik i magistrali z przerzutnikami D Wyprow adze nia
wyzwalanymi zboczem
___
759 ·243· with open collector OC 20
833 8 bit tra nsceiver, parit y gen. TS 24
.......
...................................
..............
................
,.,.,.,... ....,...,..,,,,.., ,......
....,.........
........ ._ .. ............................
........
.
28.1. LOGICZNE UK.LADY SCALONE SERII 7400 989
Typ i linii (dwukierunkowe)
Odbiorniki-nadajnik Wyprowadzenia
() = tylko jako stan dardo we lub TTL typu Schottky'ego, zatem nie do no wych
,-.- .-w.•, •,•,•,•,•,•,,•,w.w=www, .·.····"" - "··"'"' """"'" ......................,.,.,..·,····
·····················.w .,.,.w .w'"'"' """''•""""'"'~~""w,-ww ,w,-~--
992 28. DODATKI
Typ Multipleksery/demultiplekseryanalogowe Wyprowadzenia
R: jak rezystor a
,•,•,-.w, •"wm -""'"w m,w ,•,•,•,•,•,w, •,•,•, N ,wm.w.•. •,•,,,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,, •,•,•,•,w ,., ,..,.,.,., ,,.. ,,,.,,w, •"w,w wo-.,,~~---- -~~
Typ Wyprowadzenia
Typ Wyprowadzenia
...,.,..,.,.,.,,..,.,,,_..,..,,,,.
,.,,,..••••
...,.,,..,.,
.,........,.,v
=.,,,_.r.r,..vo.•
.-.•.·
.-.·.-
....,...-
,••.,•••
,,.•••.,.,.
I.O I.O I.O I.O 1.00 1.00 3.3 3.3 3.3 3.32 3.32
1.02 3.40
1.05 1.05 3.48 3.48
1.07 3.57
I. I 1.10 110 3.6 3.65 3.65
1.13 3.74
11 5 1.15 3.83 3.83
1.18 3.9 3.9 3.92
1.2 1.2 1.2 1.21 1.21 4.02 4.02
1.24 4.12
1.27 1.27 4.22 4.22
1.3 1.30 4.3 4.32
1.33 1.33 4.42 4.42
1.37 4.53
1.40 1.40 4.64 4.64
1.43 4.7 4.7 4.7 4.7 4.75
1.47 1.47 4.87 4.87
1.5 1.5 1.5 1.50 4.99
1.54 1.54 5.1 5.11 5. 11
1.58 5.23
1.6 1.62 1.62 5.36 5.36
1.65 5.49
l.69 1.69 5.6 5.6 5.62 5.62
1.74 5.76
1.78 l.78 5.90 5.90
1.8 1.8 1.82 6.04
1 87 1.87 6.2 6.19 6.19
1.91 6.34
1.96 1.96 6.49 6.49
2.0 2.00 665
2.05 2.05 6.8 6.8 68 6.81 6.81
2.10 698
2.15 2. 15 7.15 7.15
2.2 2.2 2.2 2.2 2.21 7.32
2.26 2.26 7.5 7.50 7.50
2.32 7.68
2.37 2.37 7.87 7.87
2.4 2.43 8.06
2.49 2.49 8.2 8.2 8.25 8.25
2.55 8.45
2.6 1 2.61 8.66 8.66
2.67 8.87
2.7 2.7 2.74 2.74 9.1 9.09 9.09
2.80 9.31
2.87 2.87 9.53 9.53
2.94 9.76
3.0 3.01 3.01
3.09
3.16 3.16
3.24
................
998
,.,·,····
···················· .......,....
·.-.-.·.-................
····· ···-
28. DODATKI
-- , .,,,, ., .,.,...., ..,....,.,.,.,.,.,.,.,...,...,.,.,..........
.... .....
i"Is.3~Sposoby.;;;n;cz:niarezyst~rów'
•.•.·. >~~::t..:t..¼#f:\.._
:::::::::;::::;::
::::::::: ...... :;: .:··: :~
·::::
;~~~m~:.A::·::::$):>;:~~::.;:fa:;~$;§~4=~:~~~ _"#~'®,\.~>§
2 .ll.l.i..l1./
'.! '
./.lillrr,,i,
28.3.1.Kodbarwnywg oonnyDIN41429
Pierwsza Druga
Barwa Tolerancja
cyfra cyfra [Q] [%]
Brak ±20
Srebrna xo,01 ±10
ZTota x0,1 ±5
Czarna o x1,0 ± ZO
Brqzowa 1 x10 ±1
Czerwona 2 2 •100 ±2
J 3 x1k
4 4 x10k
Zielona 5 5 xtOOk
Niebieska 6 6 X1M
Fiolrdowa 7 7 •10M
Szara 8 8 xfOOH
BiaTa 9 9
1 1
r J
f l
1l l Id)==J
T
l r- '----1,
PrzykTad J
4,75kQ J fioletowa zielona I J Jniebieskal
4 7 5 x10Q 1¼ 10ppm/K
2.1. Unbehauen R.: Elektrische Netzwerke. Eine Einfiihrung in die Analyse. Berlin, Heidelberg,
New York , Springer 1981.
,
2.2. SchiiBler H. W.: Elektrische Netzwerke und Systeme /. Mannheim, Bibliographisches
Institut 1981.
3.1. Miiller R.: Grundlagen der Halbleiter-F.lektronik. Halbleiter-Elek tronik, Bd. I. Hrsg. v. W.
Heywang u. R . Miiller, Berlin, Heidelb erg, !\ ew York , Spring er 1979.
3.2. Unge r H. G., Schulz W.: Elektronische Bauelemente und Netzwerke I. Braun schweig,
Vieweg I 979.
7.1. Solomon J. E.: The Monolithic Op Arnp: A Tutorial Study. IEEE Journal of Solid-State
Circuits. 1974, 9, No. 6, s. 314-332.
7.2. Hammer! M.: CMOS - speziell fiir analoge ICs. Design & Elektronik, Oktober 1985, I
s. 131-134.
7.3. Blaesner W.: Operationsverstarker mit weitem Gleichtakt- und Ausgangsspanungsbereich.
Design & Elektronik, 28.4.1987, No. 9, s. 112-114.
7.4. Sheehan G ., Johnson J., Wilhelm T.: Software-Configured Family Boards Speed Testing.
Analog Dialogue, 1980, 14, No. 3, s. 8-13.
j
8.1. Shah A., Pellandini F., Birolini A.: Grundschaltungen mit Transistoren. Zurich, Ver!ag des
Akademischen Maschinen- und Elektro-Ingenieur-Vereins und der ETH 1972.
9.1. Whitesitt J. E.: Boolesche Algebra und ihre Anwendungen. Braunschweig, Vieweg 1964.
9.2. Blood W. R.: MECL-System Design Handbook. Motorola.
9.3. Scbaltzeichen, Digitale Informationsverarbeitung. D IN 40900, Teil 12. Berlin, Beuth.
9.4. Biirgel E.: Neue Normen und Schaltzeichen der digitalen Informationsverarbeitung. Miin -
chen, Franzis 1978.
9.5. Mann F. A.: Explanation of New Logic Symbols. Dallas, Texas Instruments .
9.6. Twaddell W.: The 80s Belong to CMOS. EDN, 1981, 26. No . 13. s. 89-100.
9.7. Karakotsios K., Wakeman L.: CMOS Support Logic Helps Build Unified, High-Speed
Systems. Electronics, 1981, 54, No. 25, s. 137-140.
9.8. Giloi W., Liebig H.: Logischer Entwurf digitaler Systeme. Berlin, Heidelberg, New York,
Springer 1980.
10.1. Kraft G. D., Toy W. N.: Mini/Microcomputer Hardware Design. Englewood Clifs, Prenti -
ce-Hall 1979, s. 87-91.
10.2. Schaltbeispiele. Handbuch. lntermetall, Freiburg 1967, s. 40.
10.3. Wendt S.: Entwurf komplexer Schaltwerke. Berlin, Heidelberg, New York ., Springer 1974.
10.4. Clare C. R.: Designing Logic Systems Using State Machines. New York. McGraw-Hill 1973.
11.1. Seitzer D .: Arbeitsspeicher fur Digitalrechner. Berlin, Heidelberg, New York, Springer 1975.
11.2. Huse H.: Speicberenwurfmit DRAM -Controllern. Design & Elektronik , 19.12.1986. H . 26,
s. 94-104.
11.3. Voldarn W.: Die Speicheransteuerung mit RAM-Controllern. Design & Elektronik,
27.5.1986, H. 11, s. 149-151.
11.4. Iversen W. R.: Dual-Port RAM Transfer Data More Efficiently. Electronics, 1982, 55, No.
20, s. 47-48.
11.5. Wyland, D.C.: Dual Port RAMs Simplify Cornmunications in Computer Systems. Ap-
plications Note AN-02 der Firma IDT.
11.6. Hallau, D.: Die vielfaltigen Anwendungsmoglichkeiten von FIFO-Speichern . Design & Ele-
ktronik, 9.6.1987, H. 12, S.109-114.
11.7. Evans M.: Nelson-Matrix Can Pin Down 2 Errors per Word. Electronics, 1982, 55, No.
20, s. 47-48.
11.8. Peterson W. W., Weldon E. J.: Error-Correction Codes. Cambridge, Mass., The MIT -Press
1972.
11.9. Berlekamp E. R.: Algebraic CodingTheory. New York, McGraw-Hill 1968.
11.10. Fleder K .: Schaltkreis zur Erkennung und Korrektur von Fehlern in Speichersystemen.
Applications-Bericbt der Firma Texas Instruments, 1984, EB I 61.
I 1.11. Landers G .: 5-Volt-Only EEPROM Mimics Static-RAM Timing. Electronics, 1982, 55,
No. 13, s. 127-130.
-=--w··• ····················wm
,-m- --=
1002 LITERATURA
11.12. Gupta A., Chiu T., Yound S.: 5 V-only EEPROM-Springboard for Autoprogrammable
Systems. Electronics. 1982. 55, No. 3, s. 121-125.
11.13. Orlando, R.: NOVRAM oder EPROM-welcher Speicher fiir welche Anwendung?, Design
& Elektonik, Oktober 1985, s. 62-68.
11.14. Voldan W.: Alles iiber PALs. Markt & Technik, 7.11.1986, H . 45, s. 324-332.
11.15. Agraval D., Mubarak F. : Elektrisch loschbare PLDs mit Eingangs -/Aus gangs - Makrozel-
len. Elektronik, 27.11.1987, H . 24, s. 66-74.
11.16. Wichmann B.: Doppel-Array mit programmierbaren AND- und OR-Feldern. Design
& Elektronik, 7.1.1988, H. l, s. 116,117.
11.17. Huber R.: Logic-Cell-Arrays, die programmierbaren Gate -Arrays. Design & Elektronik,
7.1.1988, H. l, s. 109-114.
12.1. Henry P.: JFET-lnput Amps are unrivaled for speed and accuracy. EDN, 14.5.1987, No.
10, s. 161-169.
12.2. Roberge J. K.: Operational Amplifiers. New York, London, Sydney, Toronto, J. Wiley
1975.
12.3. Hentschel C., Leitner A., Traub S., Schweikardt H., Eberle V.: Designing Bipolar Integ-
rated Circuits for a Pulse/Function Generator Family. Hewlett-Packard Journal, 1983, 34,
No. 6, s. 33-38.
12.4. Gilbert B.: A Monolithic Microsyslem for Analog Synthesis of Trigonomet ric Funclions
and Their lnverse . IEEE Journal of Solid State Circuits, 17, 1982, No. 6, I 179-1191.
12.5. Arnold W. F.: Analog Multiplier Compensates Jtself. Electronics, 1977, 50, No. 25, s. 130.
12.6. Wagner R.: Laser Trimming on the Wafer. Analog Dialogue, 1975, 9, No. 3, s. 3-5. No. 23,
s. 143-151.
12.7. Sheingold D. H. (Editor): Nonlinear Circuits Handbook. Analog Devices . Inc ., Norwood,
Mass. 1974, s. 289-294.
12.8. Tietze U .: Analogmulliplizierer mit isolierenden Kopplem. Elektronik, 1968, 17, No. 8,
s. 233-238.
12.9. Graeme J. G.: Applications of Operational Amplifiers. New York, McGraw-Hill 1973.
13.1. Schenk Ch.: Ein neues SchaUungskonzepl fiir eine bipolare, spannungsgesteuerte Prazi -
sions-Stromquelle. Nachrichtentechn. Z. 27, 1974, s. 102-104.
13.2. Tietze U., Schenk Ch.: Bipolar steuerbare Leistungsstromquelle mil Power-MOSFETs, Ele-
ktronikpraxi.s, 1981, 16, H. 10, s. 142-144.
13.3. Antoniou A.: 3-Terminal Gyrator Circuits Using Operalional Amplifiers. Electronics Let-
ters, 1968, 4. s. 591.
13.4. Schenk Ch .: Neue Schaltungen spannungsgesteuerter Stromquellen und ihre Anwendung in
elektronischen Y-Gyratoren, Dissertalion Universitat Erlangen-Niimberg, 1976.
13.5. Rollett J. M., Greenaway P. E .: Direct Coupled Active Circulators . Electronics Letters,
1968, 4, s. 579.
14.l. Ghausi M. S.: Principles and Design of Linear Active Circuits. New York, McGraw-Hill
1965, s. 84.
14.2. Weinberg L. : Network Analysis and Synthesi.s. New York, McGraw -Hill 1962, s. 494.
14 .3. Steffen P.: Die Pole auf der Ellipse. Elektronikpraxis, 1982, 17, H. 4. s. 16, 17.
14.4. Saal R.: Handhuch zum Filterentwurf Berlin, Elitera 1979.
14.5. Storch L.: Synthesis of Constant-Delay Ladder -Networks Using Bessel Polynomials. Proc.
!RE, 1954, 42, 1666.
14.6. Schaumann R.: A Low-Sensitivity , High-Frequency, Tunable Aclive Filler without Exter-
nal Capacitors. Proc. IEEE, Int. Syrop. on Circuits and Systems, 1974, s. 438.
14.7. Unbehauen R.: Synthese elektri.scher Netzwerke. Miinchen, Wien, R. Oldenbourg 1972.
14.8. Heinlein W. E., Homes W. H.: Active Filters for Integrated Circuits. Miinchen, Wien. R.
Oldenbourg 1974.
14.9. Lacanette K. : Univer sal Switched Capacitor Filler Lowers Part Count. EDN, 3.4.1986, No.
7, s. 139-147.
_ ..__ ,- ·.,·,···············
····· ···············
········
w····~·v·w wvw··· ····.w,.-'·.m ••.•.•.•.•··················· ································~ ,·-~=·,=====mmm-' ·=-
LITERATURA 1003
14.10. Cormier D.: Programmable Switched-Capacitor Filter ICs Cut Component Count in Man y
Filter Types . EDN, 26.6.1986, No . 13, s. 71-80.
14.11. Shear D.: Comparison Reveal the Pros and Cons of Designing with Switched-Capacilor
ICs . EDN, 25.6.1987, No. 13, s. 83-90.
15.1. Bo yd H.: Destroy Your Microwave Transistors. Electronic Design, 1967, 15, No. 20, s. 98.
15.2. Luckau H., Sellar D., Weil G.: lntegrierter Quarzoszillator Q 052. Bauteile Report der
Firma Siemens, 1976, 14, H. 5, s. 162- 166.
15.3. Blood W. R .: MECL -System Design Handhook . Motorola. 3 ed ., 1980, s. 216-224.
15.4. Riedel R., Vyduna J ., Crume B.: Funklion Generator Lets User Build Waveforms of Vary-
ing Shape. Electronics, 1982, 55, No. 9, s. 143-147.
15.5. Riedel R. J., Danielson D. D.: The Dual Function Generator: A Source of a Wid e Variety
of Test Signals. Heivlet1-Packard Journal, 1975, 26, No. 7, s. 18-24.
15.6. Clayton G. B.: Voltage-Controlled Ampli.fier Phase-Adjus ts Wave Generator. Electronics,
1979, 52, No . 3, s. 118.
15.7. Smith J. I.: Modern Operational Circuit Design. New York, Wiley-Interscience 1971.
16.l. Miiller R.: Bauelemente der Halbleiter -Elektronik. Halhleiter-Elektronik. Bd. 2, Hrsg. v. W.
Heywang u. R. Miiller. Berlin, Heidelberg, New York, Springer 1973.
16.2. Cherry E. M. , Hooper D. E.: The Desing of Wide-Band Transistor Feedback Amp!ifiers .
Proc. !EE , 1963, 110, s. 375-389.
16.3. De Vilbiss A. J.: A Wideband Oscillo scope Amplifier. Hewlett-Packard Journal. 1970, 21.
No. 15, s. 11-14.
16.4. NN: A New Approach to Op Amp Design. Applications Note 300-1 der Firma Comlinear.
16.5. Biebel H.: Hohere Bandbreite mit Strom -Riick.kopplungs-Ver stiirkem. Elektronik 36,
23.12.1987, No. 26, s. 106-110.
16.6. Hansford, A.: Use of Transimpedance Amplifiers Minintizes Design Tradeoffs . EDN, l
26.11.1987 , No. 24, s. 205-214.
16.7. Williams J .: Composite Ampli.fiers Yield HighSpeed and Low Offset. EDN, 22.1.1987, No.
2, s. 137-150.
17.l. Chessman M., Sokal N. : Prevent Emitter -Follower Oscillation. Electronic Design, 1976, 24,
No. 13, s. 110-113.
19.1. Ware F., McAJJister W.: CMOS Chip Set Streamlines Floating Point Processing. Elect-
ronics, 1982, 55, No. 3, s. 149-152.
19.2. Spaniel, O.: Arithmetik in Rechenanlagen . Stuttgart: Teubner 1976.
19.3. Bucklen W., Eldon J., Schirm L., WiJliams F.: Single-Chip Digital Mullipliers Form Basic
DSP Building Blocks. EDN , 1981, 26, No. 7, s. 153-163.
19.4. Schmid H.: Decimal Computation. New York, London , Sydney, Toronto, J. Wiley 1981.
I 9.5. Flores I.: The Logic of Computer Arithmetic. Englewood CliITs,N. J., Prentice- Hall 1963.
19.6. Peatman J. B.: Projektowanie systemów cyfrowych. Warszawa, WNT 1976.
19.7. Barna A., Porat D . I.: Integrated Circuits in Digital Electronics. New York, London, Syd-
ney, Toronto, J. Wiley 1973.
19.8. Hwang K.: Computer Arithmetik. New York, Lond on, Sydney, Toronto, J. Wiley 1979.
LITERATURA 1005
2l.13. M 6800-Mikroprozessor Applications Motorola. Handbuch der Firma Motorola.
22.1. Frenzel D.: CMOS-Schalter und -Multiplexer ohne Latch up-EffekL Elek tronik, 1978, 27,
No. 1, s. 57-60.
22.2. Mutto A. S., Peetz B. E., Rehner R. C.: Designing a Ten-Bit, Twenty-Megasamples-
·per-Second Analog-to-Digital Converter System . HewleU-Packard Journal, 1982, 33,
No. 11, s. 9-20.
22.3. Gillooly D . L., Henneuse P: Multifunction Chip Plays Many Parts in Analog Design.
Electronics, 1981, 54, No. 7, s. 121-129.
22.4. Pease R. A.: Understand Capacitor Soakage to Optimize Analog Systems. EDN, 1982, 27,
No. 20, s. 125-129.
23.1. McGuire P. L.: Digi tal Pulses Synthesize Audio Sine Wave. Electronics, 1975, 48, No. 20,
s. 104,105.
23.2. Yuen M .: DA Converter's Low-Glitch Design Lowers Parts Count in Graphic Displays.
Electronics, 1979, 52, No . 16, s. 131-135.
23.3. Seiter D., Pretzl G., Hamdy N.: Electronic Analog-to-Digital Converters. Chichester, New
York, Brisbane, Toronto, Singapore, J. Wiley 1983.
23.4. Lammert M ., Olsen R.: 1 µm Process Shrinks and Speeds up Flash Converter. Electronics,
1982, 55, No. 9, s. 135-137.
23.5. Bolm, E.D.: Dynamie Testing Describes Behavior of High-Frequency ADCs. EDN,
14.4.1988, No. 8, s. 215-222.
23.6. Pratt W. J.: High Linearity and Video Speed Come Together in AD Converters. Elect -
ronics, 1980, 53, No . 22, s. 167-170.
23.7. Little A., Burnett B.: S/H Amp-ADC Matrimony Provides Accurate Sampling. EDN,
4.2.1988, No. 3, s. 153-166.
23.8. Jones L. T., James J . R., Clark C. A.: Precision DVM has Wide Dynamie Range and High
System Speed. Hewlett -Packard Journal, 1981, 32, No. 4, s. 23-3L
23.9. Hnatek E. R.: scalone monolityczne i hybrydowe. Poradnik Warszawa,
WNT 1978.
23.10. Loriferne B.: Analog -Digital and Digital-Analog Conversion. London, Philadelphia , Rheine,
Heyden 1982.
23.11. Zander H.: Analog-Digital-Wandler in der Praxis. Markt und Technik, 1983.
1006 LITERATURA
24.13. Haight J. D.: Simplify FIR-Filter Design with a CMOS Filter-Control Chip. EDN,
6.8.1987, s. 157-164.
24.14. Friedlander B.; Por at B.: The Modified Yule-Walker Method of ARMA Spectra! Estima-
tion. IEEE Transactions on Aerospace Electronic Systems. AES-20 (1984), No. 2, s. 158-173.
24.15. Yassaie H.: Digital Filtering with the IMS A 100. Applicalion Note 1 der Firma Inmos,
Bristol, 1986.
24.16. Jonuscheit H.; Kapust, R.; Goring, H.D .: Aufwand bei Digitalfiltern gesenkt. Halbbandfil-
ter-Struklur reduziert Zahl der Rechenoperationen. Elektronik, 22.7.1988, H. 15, s. 82-84.
25.1. Grandi P.: Was ist ein Trennverstiirker. Elektronikpraxis, 1982, 17 No. 2, s. 29- 34.
25.2. Morong B.: Isolator Stretches the Bandwidth of two-Transformer Design. Elec tronics,
1980, 53, No. 15, s. 151-158.
25.3. Counls L., Kitchin Ch., Jung W.: Low-Cost RMS/DC ICs Upgrade AC Measurem ents.
EDN, 1982, 27, No. 2, s. 101-112.
25.4. Buchana R . M.: Match True-RMS D etection to Accuracy, Cost Requirements. EDN, 1982,
27, No. 1, s. 139-142.
25.5. Ott W. E.: A New Technique ofThermal RMS Measurement. IEEE Journal of Solid-State
Circuits, 1974, 9, No. 6, s. 374-380.
25.6. Williams J.: Thermal-Tracking JC Converts RMS to DC . EDN, 19.2.1987,No. 4, s. 137-151.
25.7. Koeppe W., Peters E.G., Schroder D .: Spitzenwertmessung mit Track & Hold-Verstarkem.
Design & Elektronik. 8.7.1986, H. 14, s. 75-79.
26.1. Hencke H.: Lasergetrimmte Temperatursensoren fiir Messungen von -40 bis + 150°C.
Design & Elektronik, 20.1.1987, H. 2, s. 69-73.
26.2. Wetzel K.: Der HeiBleiter ais Temperatursensor. Design & Elektronik, 15.4.1986, H.
8., s. 83-85.
26.3. Timko M., Suttler G.: Temperature -to-Current Transducer. Analog Dialogue 12 (1978),
Nr 1, s. 3-5.
26.4. Williams, J.: Clever Techniques Impro ve Thermocouple Measurement s. EDN, 26.5.1988,
No. 11, s. 145-160.
26.5. Ehler G., Nagy G.: Silizium-Ducksensoren. Elektronikpraxis 18 (1983) H. 9, s. 30-33.
26.6. Werner F.: Absolutdrucksensoren. lndust rieelektrik und Elektronik (1986) H. 7, s. 24,25.
26.7. Werner F.: Signalaufbereitung fiir moderne temperalurkompensierte Drucksensoren.
Markt & Technik (1986) H. 37, s. 74-78.
26.8. Sherman L.H.: Sensors and Conditioning Circuits Simplify Humidity Measurement. EDN
30, 16.5.1985, No. 12, s. 179-188.
26.9. N.N.: Sensor zur Messung der relativen Luftfeuchte. Valvo: Technische Information. TI
790423.
26.10. Williams J.: Monolithic CMOS-Switch IC Suits Diverse Applications. EDN 29 (1984), No.
21, s. 183-194.
26.11. Schiltz J.M., Weiss W.O.: Intelligenz im Me.Bwandler. Elektronik 18 (1985) H. 18, s. 69-73.
26.12. Bier! L., Brenninger H., Diewald H.: Sensor & Systems, T SS 400 Application Report.
Druckschrift der Firma Texas lnstrurnents, Freising.
LITERATURA 1007
fi
~filllll!!'.S --111
1008 SKOROWIDZ
detektor fazy 968-969, 971,974,976 filtr transwersalny 822
dioda 40 - t~rpu podwójne T 37
- elektroluminescencyjna 128 - - - - aktywny 459
- 43 - uniwersalny, regulowany 467
- 44 - wszechprzepustowy 461
- polowa 113 - z mo stkiem Wiena-Robinsona 460
- referencyjna 583 - z 473
- Schottky'ego 43 - zaporowy 457
- Zenera 43 - - regulowany 467
588 format transmisji 704
DMA 722 fotodioda 125
39 fotometria 121
- bieguna 436 -, jednostki 121- 123
- lillru 449 foton 121
- obwodu rezonansowego 39 fotorezystor 24
dopasowanie mocy 537 fototranzystor 127
drabinka rezystancyjna 771 - 773 funkcja logiczna 215
- - do dekad 774 - 223
dren 101 - 361
drgania 164, 243, 526 - przenoszenia 414
dryft 143 - - cyfrowego 814
- 143 - 223
- 143 - schodkowa 809
dysjunkcja 215
dzielnik 260, 263 Generator Colpittsa 487, 495
- skompensowan y 33 - funkcji 355, 359, 361, 780
- - sinus 362, 642, 780
Edytor 670 - funkcyjny 504
EEPROM 319-321 , 681 - HarUeya 486, 495
element 814, 969 - impulsów 195, 197,201 ,209
eliminacja styków 276 - 277, 690 - kwarcowy 490
emiter 46 - LC 483,488
emulator 672 - Meissnera 485
EPROM 316 - 318, 670,672,679,681,684,696 - Pierce'a 492-493
Eulera wzór 20 - RC 496,501
- 486
Fala elektromagnetyczna 121 - Wiena-Bobinsona 496
falownik 600 - znaków 138
FIFO 305-308 widmowa mocy szumów 96
lillr aktywny 414 graf 282, 975
- - o regulowanych parametrach 469 - 354
- Bessela 425
- Butterwortha dolnoprzepustowy 416, 418 Hazard 276
- - pasmowoprzepustowy 451 histereza 193, 205, 207
- Cauera 425 Iloczyn galwaniczny 230
- cyfrowy 807 impedancja 21, 406
- - FIR 822 - falowa 243
- - JIR 844 implantacja jonów 240
- dolnoprzepustowy aktywny 441 -444 impuls Diraca 809
- - bierny 25 - 254, 260
- - cyfrowy 816 409
- - Czebyszewa 421 INIC 404
I
- górnoprzepustowy bierny 30 integrator 343
- pasmowoprzepustowy bierny 34 - 343
- poprzeczny 822 - 349
- 420 - se 474
- 837 - 348
- RLC 440, 454, 459 interfejs IEC 714
- SC 473 - 698 - 701
SKOROWIDZ 1009
li
interfejs szeregowy 702- 707 LCA 291,321
- wizyjny 739 liczba dwójkowa z 616
- 729 - 617
inwerter 185 - zmiennopozycyjna 617
izolacja galwaniczna 607, 875, 942 licznik asynchroniczny 262, 270
- BCD asynchroniczny 270
Kalibracja 943, 948 - - synchroniczny 272
101 - dwójkowy 261
kandela 122 - - asynchroniczny 262
kaskoda 516 - - synchroniczny 263
katoda 40 - asynchroniczny 270
121
- - synchroniczny 272
Kirchchotra prawa 19 - 20 - w przód 266
klasa pracy wzmacniacza 538- 539, 541 - - w 266
klucz analogowy 474 - modulo m 273
- CMOS 750 - nastawny 273
- diodowy 752 - programowany 273
- elektroniczny 748 - rewersyjny 266
- 747 - rozkazów 649
- szeregowy 747 - synchroniczny 263, 272
- tranzystorowy 754 - - z 273
kod ASCII 707 LIFO 665
- BCD 613 linia paskowa 243
- binarny 612, 616 lista rozkazów 655
- Hamminga 309 logarytm 335
- heksadecymalny 613, 650 logika 217, 225
- maszynowy 651
- mnemoniczny 653 712
- ósemkowy 613
kolektor 46 Macierz 51
-, otwarty 229-230, 248 magistrala 647 -649, 687
komórka 190, 253 - adresowa 647
komparator analogowy 203 - danych 648
- cyfrowy 628 - 630 - IEC-625 715
- 203 - 648
- okienkowy 204 - 649
- 628 makrokomórka 325- 326
kompensacja fazy 166 makrostan 289
- indukcyjna 520 margines fazy 164
- temperaturowa 80, 85 masa pozorna 156
- wyprzedzeniowa 173 maska 667
kondensator zbiorczy 562 matryca 321, 736
konduktancja przenoszenia wstecz 50 - punktowa 137
koniunkcja 215 miernik szczytowej 890
konsolidator 670 - wektora 386
kontrola 308 mikrokomputer 647 -668, 678-687
konwerter impedancyjny 404 mikroprocesor 649-668, 673- 678, 687
- 589 mikroprogram 649
- 954 moc strat 52-54, 608
- 595 modem 709, 780
- 589, 600 modulacja 876
- 589, 599 - 198, 212, 503, 508
korekcja 308 modulator 508, 592
- charakterystyki 163, 165, monitor, program 669
169 mostek diodowy 563, 753
- fazy 166 - Wiena - Robinsona 36
- zera, automatyczna 178 MROM 291
korelacja wzajemna 845 multiplekser 247, 626, 750
kwant 123 - analogowy 748
1010 SKOROWIDZ
multiwibrator 189, 195, 201 694
- o modulowanej 212 - RAM CM OS 298, 679
- z Schmitta 209 - ROM programowalna 313
- ze emiterowym 197 - (ROM, EPROM) 292-293, 313
- wirtualna 677
Nadmiar 636, 660 parametry czwórnikowe 51
baza· emiter 67 - fillru, sterowane 467, 469, 471
- -, temperaturowy 67 - graniczne 52, 107
- Early'ego 48 - 48, 103
- kolana 105 308
- nasycenia 47, 105 piksel 739
- l 04 PLA 291, 321-324
- odniesienia 581, 583 PLD 291, 321-324, 327
- progowe 104 PLL 494,966
- przewodzenia 41 103
- -, temperaturowy 42 podprogram 664-666
- resztkowe 753, 755 podwajacz 499
- 568 106
- stabilizacji 43 - dyfuzyjna 513
- szumów 96 - kolektor-baza 513
- 565 - 515
602 - 291
122 - warstwy zaporowej 44-45
negacja 215-216 pole wzmocnienia 146, 513
NIC 404 pomiar amplitudy 892
notacja 250 - - chwilowej 890
- 920
224 - 866
NDMOS 240 - 878
- 173 - temperatury 902
obiekt astatyczny 967 - skutecznej 884
- nieliniowy dynamicznie 964 - 933
- - statycznie 963 normalna sumy 218
- regulacji 952 elektrokinetyczny 41, 355, 584
obszar pracy, dopuszczalny 54 powielacz 977
obudowa tranzystora, rodzaje 53 - 54 poziom H l 85, 215, 217, 224, 225
obwód regulacji 963 - 964 - L 185,215,2 17, 224-225
- rezonansowy 38 - 193, 205, 207
odbicie 243 - wyzwalania 208-209
odbiornik linii 245 630
na 186 prawo de Morgana 216
skokowa 28, 32 - 20
odpytywanie szeregowe 721 - 215
298 - 300 - 216
ograniczenie 570 - 572, 578 - 579 - 215
grupowe 464 - 216
oprogramowanie 671 ciemny 127
- 147
PAL 291, 325-326 - szumów 100
291, 647 - 648 prefetch 676
- dwubramowa 302
procesor arytmentyczny 725 - 729
- dyskowa 647
- zmiennopozycyjny 725
- EEPROM 319
- - typu flash 319 program maszynowy 670
- EPROM 316 - 670
- FIFO 305 prostownik 562 - 563
- o swobodnym (RAM) 292 - 293 - dwupolówkowy 563, 567, 880
- 676 - - - szerokopasmowy 884
- PROM 313 - - z uziemionym 881
--, ·~, . " •.wu...-...-u.·.····
·········•···•·•w•
················
········- -- -- ··--·············"'"""" =- ,wm .•.•.•,•,•,s•.w.w .•.wN.v.wuu .·.·.·u.·.·····
······...-...-
.·.···•
·c.-
,•w •wwrn •• •
SKOROWIDZ 1011
I'
1012 SKOROWIDZ
symetryzacja 576 tranzystor polowy jako klucz 749
synchroniza~ja 702 - - - rezystor sterowany 118
system, uruchomieni 669, 671 - - z 101
szereg Fouriera 28 - - 103
pasma 39, 169, 378 -, diodowy schemat 46
- -, 171 -, diodowe 81
- -, 172 twierdzenie o próbkowaniu 808
- - zabronionego 583 - 584 tyrystor 237
- -, znormalizowana 457
szum 96 antykoincydencyjny 268
szumowy schemat 97 - 28, 343
zmian na 170, 203, - czteroprzewodowy 939
558, 964 - Darlingtona 82
- transmisji 705 - - komplementarny 83, 544
- - z tranzystorami przeciwstawnymi 83
- 372, 378, 383
122
- kluczowania impulsów zegarowych, synchro-
niczny 281
Tablica funkcji 218 - kombinacyjny 245
- Karnaugha 220-221 - 355
- prawdy 218,623, 629-631 - logiczny 224-240
- programu 315 - - o na 227
technika SC 474, 873, 937 - - ze emiterowym 232
technologia BiFET 162 - analogowy 372-384
- BiMOS 162 - - cyfrowy 638
temperatura obudowy 53 - - transkonduktancyjny 372
- 52 - 338, 342
termistor 900, 903 - 904, 910 - 462, 814-816
- o dodatnim temperaturowym - peryferyjny 648
.. 903
- o ujemnym temperaturowym
-
- 361
analogowy 383
903,910 - 762, 785, 790, 807,
TIM 170 968
krytyczne 415 - 33, 349
transformacja biliniowa 848 - RC 32
- charakterystyk i filtru 437, - sterowania optycznego 131- 140
448, 457 - totem pole 228, 606
- Fouriera 81 I - trójprzwodowy 938
transformator sieciowy 560 - 28
- wielkiej 601 - ze 72
- z rdzeniem 561 - - - 112
- - - 561 - - drenem 112
transko ndukt ancja 48, 94-95 - - - emiterem 56
- tranzystora ze zwrotnym 64 - - - kolektorem 73
- 513 - - - 108
- zespolona 514 logiczne podstawowe 215
transmisja danych 702- 705, 708-719 - - CMOS 235
- - szeregowa 702- 705 - - DTL 226
- w asymetrycznym 713 - - ECL 232
- - - - czteroprzewod owym 939 - - HLL 227
- - - - symetrycznym 713 - - NMOS 239
- - - - trójprzewodowym 938 - - RTL 225
- - ze galwanicznym 938 - - TTL 227
- - z 942 - pomiarowe 866
- 942 - analogowe operacje matematycz-
transoptor 129 ne 337
tranzystor bipolarn y 46, 94, 583 - 560
- MOS 101 binarny 617, 642
- polowy 101 UNIC404
SKOROWIDZ 1013
uniwibrator 193, 200, 212 wtórnik 80 115
- cyfrowy 279 - 112 '
- z podtrzymaniem 213 trójsta nowe 231
- - licznikiem 279 - z aktualnym stanem niskim 230
do dwóch 614, 635 - - - - wysokim 234
heksadecymalny 136 729
VCO 966 wzmacniacz 875 '
chwilowa 23, 892 - 71
- skuteczna 884 - mocy 536
- szczytowa 502, 890 892 - - szerokopasmowy 556
- 152
- arytmetyczr°ia 28
- 155
- - kwadratowa 885
- operacyjny 141, 178
- - 884
- - z tranzystorami polowymi 162
warunek amplitudy 164, 483
- - szerokop asmowy 527, 532
- fazy 164, 483
- generacji 483 - - - o dwóch 531
- 895 - 342, 868, 925
- 347 - - z 873
- 283 - 84, 517-58, 757
- 164 - - z tranzystorami polowymi 116
142 - - szerokopasmowy 517
- 142 - przec!wsobny 523, 538, 546, 552, 558
- przewania 666 - trans1Il1pedansyjny 529, 533
647, 699 - transkonduktancyjny 357, 758
143 - ze 529 533
polaryzacji 147 wzmocnienie logiczne 187, 224 '
- z 142
- - 147
wektor stanu 282 - 283 - robocze 59
odsienienia 952 - zespolone 145
powietrza 933 - 934 wzorcowanie 943, 948
alfanumeryczny 137 - wspomagane komputerowo 948
- sensorów 943
- binarny 131
- matrycowy 138
- siedmiosegmentowy 137, 729-732 Zakres zaskoku 971
- stosu 664 zasilacz 560
- ze 133 - impulsowy 586
- laboratoryjny 578
- - punktem 133
886 zatrzask 255
zatrzaskiwa nie 238
- zwrotnego 50
- zwrotnego 149 zerowanie 160, 178, 381, 805
- stabilizacji 568 zmienna stanu 282
- generowana 632
- szczytu 885
451
- szumów 97
- wspólnego 87, 144 - intermodulacyjne 170
- - zmian zasilania 143 101
- 508 - 18
- wzmoc,nienia 57-60 - odniesienia 581
- - 49 - - o ujemnej rezystancj i 406
- - 86 - - sterowane 388
- - - wspólnego 86, 144 - - - 390
- harmonicznej 61 - 17, 76, 113
biegunowe 384-386 - - z tranzystorem polowym 113
- 384-386 - - nieuziemione 402
wtórnik erniterowy 73, 536 - - sterowane 391
- - komplementarny 536-540 - - - 403
- 152 - sterowane 388
- - przeciwsobny 525, 546
- - szerokopasmowy 524 407
1014 • •••••• ••••••W•W.w . .•.•·" '" " . , ....... --v~" V " ••·••••··•·" ·'"·····"" " _ ,,__ _ .. v .... •....,.,................•.. m ...•.•.•..