6.

PN SPOJ

Kao što je već prije pokazano poluvodiči bilo čisti bilo dopirani, imaju istu
vodljivost u oba smjera priključenog napona. Ukoliko se određenim tehnološkim
procesom dobije kombinacija poluvodiča P i N tipa tada se to naziva PN spoj ili PN
dioda. Struja ja tada razmjerno velika u propusnom smjeru prema zanemarivo maloj
struji u nepropusnom smjeru. Za ovakvo ponašanje diode odlučujuću ulogu ima
prijelazni sloj koji se formira između P i N strane.
Danas postoji više metoda i postupaka za formiranje PN spoja koje se dalje koriste
u proizvodnji dioda, tranzistora i drugih poluvodičkih elemenata, bilo u diskretnoj
tehnici ili tehnici integriranih krugova.
Za dobru kvalitetu diode potrebno je dobro kontrolirati sadržaj primjesa u kristalu
poluvodiča. Ovo se postiže pročišćavanjem poluvodiča do maksimalno moguće

$
čistoće, te se onda kontrolirano dodaju primjese.
Takva PN struktura prikazana je shematski slikom 143.

,.
akceptorski ion prelazno područje donorski ion

šupljina elektron

1
2
75

P tip spoj N tip

Slika 143. Shematski prikaz PN spoja

.

Na P strani spoja postoji visoka koncentracija slobodnih šupljina, a na N strani visoka

koncentracija slobodnih elektrona, ako se spoj promatra pri normalnoj temperaturi (300
K). Tako pokretljivi večinski nosioci naboja difundiraju u svom slobodnom kretanju u
(

materijal na suprotnoj strani spoja. Difuziona struja je tada kretanje nosilaca naboja iz
područja visoke koncentracije u područje niže koncentracije.
(/

Ova struja različita je po prirodi nastanka od driftne struje nosilaca naboja koja
nastaje kao posljedica električnog polja, pa se stoga ova struja još naziva i struja
polja.
Kao što je prije pokazano, difuziona struja je proporcionalna gradijentu koncentracije
dn
elektrona dn/dx odnosno I n = q 0 Dn , gdje je Dn difuziona konstanta za elektrone.
dx
dp
Odgovarajući izraz za difuzionu struju šupljina je: I P = −q 0 D P , gdje je Dp difuziona
dx
konstanta za šupljine. Pokretljivost nositelja naboja, kao i difuznih nosilaca pojava je
statističke prirode. Ove dvije pojave vezane su odnosom koji se izražava Einsteinovom
jednadžbom:
µn µp q0
= =
Dn Dp kT

71
 Nastanak difuzione struje stvara uvjete da PN spoj može imati ispravljačka svojstva.
Zbog difuzije slobodnih šupljina iz područja P tipa i slobodnih elektrona iz područja N tipa
preko spoja dolazi do stvaranja tzv. prijelaznog područja. Ono obuhvaća područje
materijala u kojem se obavlja izrazita rekombinacija elektrona i šupljina, tako što u njemu
nestaju slobodni nositelji naboja. Prijelazno područje se tada ponaša kao izolator. Difuzija
slobodnih elektrona u P područje i šupljina u N područje traje sve dok akumulirana
količina naboja u takvom PN spoju, koji je tada kondenzator kapaciteta CPN, postane
dovoljna da zaustavi daljnje prelaženje elektrona i šupljina preko spoja.
Kao što pokazuje slika 143 u području s jedne i druge strane spoja, prikazano je stanje
poslije svršetka procesa difuzije i rekombinacije. Iz prijelaznog područja iscrpljene su sve
šupljine na P strani i slobodni elektroni na N strani. Na P strani graničnog područja se zbog
toga skupljaju negativni naboji, a pozitivni naboji na N strani tog područja. Ovi granični
naboji su zapravo pozitivni i negativni ioni primjesa vezanih u kristalnoj rešatci i koji su

$
nepokretni. Jednaki negativni i pozitivni naboji na maloj udaljenosti predstavljaju dipole, a
područje koju zauzimaju dipoli naziva se dipolno područje. Ovo područje, pored naziva
“prijelazno”, ima još naziv “opustošeno područje”, jer su u tom području ostali samo

,.
nepokretni ioni, odnosno opustošeni su pokretni nosioci naboja. Širina ovog područja je reda
veličine 1 µm, kako je to prikazano slikom 144, a što je jako malo u odnosu na ukupnu
duljinu kristala koja je oko 0,5 mm.

1
2
75

a) raspodjela gusto}e naboja

.

b) raspodjela potencijala V(x)

(
(/

c) raspodjela elektri~kog polja E(x)

d) energetske razine u PN spoju

Slika 144. PN spoj u stanju termičke ravnoteže

72
 U tom ravnotežnom stanju, slobodni elektroni na N strani, koji su izvan prijelaznog
područja, ne mogu prijeći na P stranu zbog odbojnih sila negativnih iona s P strane.
Napon difuzije UPN, koji se stvara na krajevima prijelaznog područja, ima iznos
UPN=q/CPN, gdje je q količina naboja koja je protekla strujom difuzije, a CPN kapacitet
prijelaznog područja.
Jakost električnog polja u prijelaznom području vrlo je velika, jer se na dužini od 1
µm pojavljuje potencijal od 1V ( jakost električnog polja je tada 1 MV/m). To polje
pokreće struju manjinskih nosilaca suprotno smjeru većinskih, što je driftna struja.
Promjeni koncentracije nosilaca naboja u poluvodičima s obiju strana PN spoja
odgovara pomak svih energetskih razina elektrona u tim poluvodičima i, prema tome,
također Fermijevih razina (slika 140). Ravnoteža između djelovanja razlike
koncentracija i djelovanja polja nastalog stvaranjem prostornih naboja, odnosno
ravnoteža između difuzione i driftne struje, uspostavlja se kada su Fermineve razine s

$
obje strane PN spoja jednake, a u tom ravnotežnom stanju driftna struja je jednaka
difuzionoj, te je ukupna struja jednaka nuli. Kako bi elektron s N strane prešao na P
stranu treba utrošiti energiju q0U0, koja je jednaka radu koji se obavi na savladavanju

,.
sile qE na putu jednakom duljini prijelaznog područja od N do P strane. Potencijalna
energija q0U0, je razlika potencijalnih energija vodljivog pojasa N i P strane, gdje je U0
kontaktni potencijal, koji se još naziva i potencijal barijere UB. Vrijednost napona U je

1
određena ravnotežom dva čimbenika: termičkom ionizaciom koja stvara parove
manjinskih nosilaca (elektron-šupljina) na obje strane PN spoja i difuzijom većinskih
nosilaca na spoju nasuprot potencijalne barijere, procesom koji ovisi o kinetičkoj
2
energiji većinskih nosilaca, a koju oni dobivaju također uslijed termičkih djelovanja.
Odnos kontaktnog i temperaturnog napona tada je jednak:
UK
75

UK pp nN pp UT nN
= ln = ln ili =e = .
UT pN nP pN nP

6.1. Propusna polarizacija PN spoja

.

Ako se krajevi PN spoja priključe na vanjski napon U tako da plus pol izvora dođe
(

na P stranu, a minus na N stranu, PN spoj će se polarizirati u propusnom smjeru kako

je to prikazano slikom 145.
(/

Zbog ovakove polarizacije, šupljine u P dijelu kreću se preko spoja prema N strani,
a u prijelaznom području nastaje rekombinacija sa slobodnim elektronima koji ovdje
dolaze iz N područja, kao posljedica priključenog napona na krajeve PN spoja.
Potencijalna barijera na PN spoju se smanjuje zbog rekombinacije, jer se ioni u
prijelaznom području vraćaju u neutralno stanje, tako što primaju pokretne naboje:
pozitivni ioni elektrone, a negativni šupljine. Uslijed smanjenja potencijalne barijere
cijeli PN spoj se sada ponaša skoro kao kratki spoj, a mjerenja pokazuju da je tada
vodljivost manja od vodljivosti čistog poluvodiča.

73
 a) shematski prikaz PN spoja u
strujnom krugu, kada je širina
prijelaznog područja zanemarivo
mala

b) Simbol PN diode i UI karakteristika

$
,.
c) struja elektrona i struja šupljina

1
2
Slika 145. PN spoj propusno polariziran
75

Fermijeve razine se u oba tipa poluvodiča razmiču za iznos q0U, a barijera se suzila
i smanjila za q0UB, tako da sada ima puno elektrona s dovoljno energije, kojom mogu
prijeći u P dio, a isto vrijedi kod šupljina za prelazak u N dio. Ako se zanemare otpori
napon barijere se smanjuje od prvobitnog iznosa UK za napon U ili:
UB=UK-U.
.

6.2. Izvod UI karakteristike PN spoja

(

Ova analiza temelji se na proučavanju koncentracije šupljina u PN spoju, što

jednako vrijedi i za elektrone. Uzme li se odnos:
(/

−U B ( U K −U )
p N ( 0) U
−
UT
=e T =e iz kojeg slijedi:
pP
UK U UK UK UK
− pN − −
p N ( 0) = p p e , tako da je p N ( 0) = p N e U T i p N = p P e
UT UT UT UT
⋅e ili =e .
pp
Gustoća struje pozitivnih čestica jednaka je gustoći difuzione struje za p čestice,
dok je struja električnog spoja zanemariva, tako da je:
dp pN − pN ( 0 )
I P = I DIFP = − q 0 D p = −q 0 D p , gdje je:
dx Lp
LP - difuziona dužina, odnosno mjesto gdje koncentracija pP pada na nulu (za
poluvodiče difuziona dužina obično iznosi nekoliko desetaka µm).
Gornja jednadžba može se pisati i kao:

74
 pN ( 0 ) − pN
I P = I DIFP = q0 Dp , pa uvrštavanjem gornjih izraza dobivamo:
Lp
 U 
q 0 DP
p N  e T − 1 .
U
IP =
LP  
 
Iz ovoga je vidljivo da struja pozitivnih čestica o priključenom naponu ovisi
eksponencijalno.
Ukupna struja tada je:
 U 
U
 Dp DN
I = Sq 0  pN + 
n P  e − 1 , gdje je S površina presjeka, pa ako se uzme da
T

 LP LN  

je:

$
pNnN=f(T), odnosno pNnN=f(T)=ni2 tako da je:
ni2 ni2 ni2 ni2
np = = i pn = = , gdje su:

,.
pP N A nn N D
NA - koncentracija akceptora i
ND - koncentracija donora.
Iz toga izlazi da je struja jednaka:

I=
 Dp
Sq 0 ni2 
 Lp N D
+
DN 

L N N A 
U
U T

e − 1 ili

1
2
 
 U 

I = I S e − 1 , gdje je:
UT
75

 
 
IS - struja zasićenja, koja teče pri negativnoj polarizaciji i proporcionalna je
kvadratu koncentracije elektrona u čistom poluvodiču.
Prikaže li se gornja jednadžba grafički dobiva se krivulja prikazana slikom 146.
( .
(/

Slika 146. UI karakteristika propusno polariziranog PN spoja

Za germanij napon kod kojeg PN spoj počinje jače voditi je oko 0,2 do 0,3 V, a za
silicij je on oko 0,7V. Za područja malih i srednjih napona UI karakteristika PN spoja
se može prikazati jednadžbom:

75
  mUU 
I = I S  e T − 1  , gdje je:
 
 
IS - struja zasićenja, a m je faktor koji za silicij iznosi m=2, i UT je temperaturni
napon.
Za pozitivne napone nekoliko puta veće od UT izraz za struju može se pisati
približno:
U

I ≈ I Se mU T
.

6.3. Nepropusna polarizacija PN spoja

$
Ako se na krajeve PN spoja priključi vanjski napon U tako da minus pol izvora
dođe na P stranu, a plus na N stranu, PN spoj će se polarizirati u nepropusnom ili

,.
inverznom smjeru kako je to prikazano slikom 147.

a) shematski prikaz PN spoja u

1 strujnom krugu, kada je širina

prijelaznog područja zanemarivo
mala
2
75

b) Simbol PN diode i UI karakteristika

( .

Slika 147. PN spoj nepropusno polariziran

(/

U ovom smjeru PN spoj ima veliki prelazni otpor. Prijelazno područje nema
slobodnih nosilaca, pa kao takvo ima veći otpor nego ostatak kristala na obje strane. P
i N područje imaju male otpore, koji se ponašaju kao metali između priključaka i
prijelaznog područja. Vanjski priključeni napon odvlači elektrone i šupljine iz spojnog
i prijelaznog područja, koje se na taj način širi. Proširenje ionizacijskog pojasa dovodi
do povećanja potencijalne barijere za vrijednost priključenog napona ili:
UB=UK+U.
Time se otežava prijelaz većinskih nosilaca preko spoja, a uvjeti polarizacije u
inverznom smjeru pogoduju protoku struje manjinskih nosilaca. Kako je N strana
kristala pozitivna ona privlači elektrone s P strane, gdje su oni manjinski nosioci. P
strana je osiromašena slobodnim elektronima, ali i elektroni koji nastaju termičkom
ionizacijom ne doprinose svi struji, nego samo koji prijeđu u N područje, te samo oni

76
doprinose struji manjinskih nosioca. Ostali elektroni će se rekombinirati sa šupljinama
koje su također nastale termičkom ionizacijom u P području.
Promatra li se jednadžba struje za PN spoj u području negativnih napona izlazi da je:
 U 

I = I S e − 1 ≈ − I S , jer se eksponencijalni član izraza u zagradi može zanemariti,
UT
 
 
tako da tada teče samo inverzna struja zasićenja.
Nacrta li se karakteristika PN spoja u području negativnih napona dobije se
dijagram prikazan slikom 147 b.
Kao i kod propusne polrizacije vrijedi da je pNnN=f(T), odnosno pNnN=f(T)=ni2 ili:
ni2 ni2
np = =
pP NA

$
ND lp
Barijera se proširi na manje dopirani stranu za odnos = , pa se često dešava
NA ln
da je barijera u cijeloj nedopiranoj strani, Barijera ima kapacitet PN spoja koji se tada

,.
više ne odnosi na PN spoj nego za barijeru, a iznos kapaciteta barijere je jednak
kapacitetu PN spoja. Kod nepropusne polarizacije taj se kapacitet smanjuje jer se
povećava barijera, što ima efekt udaljavanja ploča kondenzatora.

6.4. Fermijeve razine PN spoja 1

2
Položaj Fermijeve razine za tri različita slučaja (priključaka napona) prikazan je
slikom 148.
75

Kada na PN spoj nije priključen napon Fermijeva razina konstantna je i to tako da

je niža od energetske razine vodljivog pojasa oba tipa poluvodiča, a veća od razine
valentnog pojasa.
Ako se PN spoj polarizira u propusnom smjeru, energetska barijera se smanjuje za
q0US1, gdje je US1 vrijednost vanjskog napona na krajevima PN spoja. Fermijeva
.

razina sada nije više na istoj vrijednosti u P i N strani, već je na N strani pomaknuta za
iznos q0US1 u odnosu na razinu koju ima na P strani.
U slučaju inverzne polarizacije, energetska se barijera povećava za q0US2, gdje je
(

US2 vanjski napon na krajevima PN spoja. Fermijeva razina tada se pomiče za q0US2 u
odnosu na razinu koja je na P strani. Na toj slici također je prikazano i širenje PN
(/

barijere zbog priključka inverznog napona.

77
 $
,.
1
2
75
.

Slika 148. Položaji Fermijeve razine PN spoja

(

U slučaju daljnjeg povećanja inverznog napona dolazi do naglog povećanja struje

koje se naziva proboj (slika 149).
(/

napon proboja
U0
U

Slika 149 Napon proboja PN spoja

78
 Može se pokazati da postoje dvije vrste proboja: lavinski i tunelski.
Lavinski proboj nastaje kod inverznih napona većih od 8V, a predstavlja struju
elektrona koji nastaju kada jedan elektron izbacuje bar dva elektrona iz atoma
poluvodiča, koji se tada ubrzavaju električnim poljem. Tako nastaju novi elektroni i
stvara se kumulativni proces koji za posljedicu ima veliku promjenu struje uz malu
promjenu napona.
Tunelski ili Zenerov proboj nastaje također zbog kidanja kovalentnih veza, ali ne
zbog sudara nosilaca i iona, već zbog jakog električnog polja u prijelaznom području
PN spoja. Barijera je tanka, pa ako su obje strane jako dopirane, može se dogoditi da
neki elektroni iz valentnog pojasa prođu kroz takvu barijeru (“tuneliraju se”). Uvjet da
se elektron tunelira je da je barijera dovoljno tanka i da ima mjesto za takav elektron u
vodljivom pojasu. Bitno je naglasiti da čestica prolaskom kroz barijeru ne mijenja
svoju energiju. Tunelski proboj nastaje kod malih napona ako je širina barijere

$
jednaka valnoj duljini elektrona, a prelazak elektrona izuzetno kratko traje i iznosi
približno 10-15 s.
Kod lavinskog proboj pri većoj temperaturi manji je put između dva sudara, pa se

,.
smanjuje vjerojatnost lavine, odnosno porastom temperature povećava se probojni
napon. Kod tunelskog proboja, porastom temperature napon barijere se smanjuje, jer
se smanjuje energija zabranjenog pojasa.

6.5. Spoj metala i poluvodiča 1

2
Spoj poluvodiča i metala može pokazivati omska ili ispravljačka svojstva. U
slučaju kada spoj ima omska svojstva, on propušta struju jednako u oba smjera, a
75

ispravljačka svojstva istovjetna su ponašanju PN spoja.

N+ N P+ P
.

metal metal
(

Slika 150. Spoj metala i polivodi~a.

(/

Takav spoj najčešće se izvodi tako da se spojno mjesto jače dopira, te on ima
omska svojstva, pa se na primjer silicij dopira aluminijem ili bilo kojim dopirajućim
materijalom koji odgovara aluminiju (slika 150).

6.5. Tehnologija izrade PN spoja

Kao što je prije spomenuto danas postoji više metoda i postupaka za formiranje PN
spoja, gdje je za njegovu dobru kvalitetu potrebno strogo kontrolirati sadržaj primjesa
u kristalu poluvodiča.
Kao osnovni materijal uzima se silicij (Si) ili germanij (Ge). Germanij je ranije bio
jako upotrebljavani materijal zbog niže točke tališta (950 °C) od silicija (1400 °C), ali
zbog dozvoljene temperature spoja silicija koja iznosi oko 200 °C, prikladniji je od

79
germanija kod kojeg je ona samo 100 °C, a što je najvažnije slicij je jako raširen
materijal. Tehnički silicij dobiva se reakcijim silicijevog dioskida, koji se u prirodi
nalazi kao kvarc. U lučnim pećima on se zagrijava na temperaturu iznad 1400 °C, te
nastaje kemijska reakcija:
SiO2+2C→Si+2CO
Kada je poluvodič dovoljno čist, od njega se može “izvući” kristal pravilne
strukture i s željenim sadržajem primjesa. PN spoj može se dobiti primjenom dva
postupka: legiranjem ili difuzijom.
Legiranjem se PN spoj dobivava tako što se na kristal N tipa stavi komadić indija u
obliku male kuglice, i zagrijava tako, da se formira mala kapljica otopljene smjese,
kako je to prikazano slikom 151. Hlađenjem, legura očvrsne u obliku poluvodiča P
tipa, čija se kristalna struktura nastavlja na kristalnu strukturu pločice N tipa.
Pažljivom kontrolom postupka legiranja može se dobiti PN spoj u kojem prijelazno

$
područje može biti široko samo nekoliko atomskih promjera. Ovaj postupak pomalo
se napušta zbog nemogućnosti kontrole difuzije P tipa u N tip poluvodiča.

,.
1
2
75

Slika 151. Postupci dobivanja PN spoja a) legiranjem i b) difuzijom

Difuzionim postupkom moguće je poluvodički materijal pretvoriti iz jednog tipa u

.

drugi ili određenom tipu dodati još istih primjesa i povećati mu njihovu koncentraciju.
PN spoj se dobiva tako što se na površini silicija N tipa oformi tanak sloj SiO2
(

zagrijavanjem u prisutnosti kisika. Tada se posebnim postupkom skida taj oksidni

sloj, nakon što se maskira dio površine gdje taj sloj treba ostati (slika 151b). Nakon
toga se zagrijani poluvodič (1000 °C) izloži struji plina bora, ili neke druge
(/

trovalentne primjese, pri čemu će akceptorski atomi prodrijeti (difundirati) u kristal

kroz odabranu površinu i tako oformiti PN spoj.
Ovako dobiven PN spoj nije kvalitetan, jer je N dio slabo dopiran i tvori jednu
otpornu zonu koja povećava specifični otpor. Za poboljšanje kvalitete PN spoja koristi
se epitaksijalni postupak, tako što se na atom silicija veže jače dopirani silicij. Slika
PN spoja s epitaksijalnim slojem prikazan je slikom 152.

P
Epitaksijalni sloj
+
N

Slika 152. PN spoj s epitaksijalnim slojem

80
 Za diode koje vode velike struje ne smije biti zakrivljenosti P sloja u N sloju, jer na
tim područjima dolazi do koncentracija jakih struja, što dovodi do grijanja PN spoja.
Takve su diode posebnog oblika koji se dobiju tzv. mesa postupkom (naziv potiče iz
Arizone gdje indijanci takav oblik brda zovu mesa), prikazan je slikom 153.

N+

Slika 153. PN spoj za velike struje

Najstariji način korištenja poluvodiča bio je detektor koji je zapravo bio PN

$
točkasti spoj, koji se satoji iz N tipa germanija na koji je pritisnit šiljak zlatne ili
volframove žice, a prikazan je slikom 154.

,.
zlatna žica

P
N
1
2
Slika 154. Točkasti PN spoj

Propuštanjem struje kroz šiljak stvori se vrlo mali otok P tipa u N sloju, čime se
75

dobije vrlo mala površina PN spoja što se vrlo uspješno koristi za ispravljačka
svojstva u visokofrekvencijskoj tehnici.

ZADATAK 1:
.

Silicijev PN spoj ima skokovit prijelaz s p na n stranu, koncentracija donorskih

primjesa na n strani iznosi ND=1017.cm-3, a akceptorskih na p strani NA=2.1015cm-3.
(

Koliki je kontaktni potencijal PN spoja na temperaturama od 300K i 500K? Objasniti

rezultat fizikalno.
(/

p-tip n-tip
non=ND

pop=NA

barijera

nop=ni2/pop
pon=ni2/non

Slika 155. PN spoj

Kod nehomogeno dopiranog poluvodiča javlja se difuziona struja kao posljedica
gibanja nosilaca s mjesta veće na mjesto manje koncentracije. Ukoliko, dakle, postoji
tendencija protjecanja difuzione struje, odmah se javlja električno polje koje drži

81
ravnotežu PN spoja. Drugim rječima, koncentracija koja bi htjela izazvati difuzionu
struju odmah stvara polje koje bi izazvalo driftnu struju u suprotnom smjeru.
Električno polje nazivamo ugrađeno električno polje, koje za posljedicu ima razliku
potencijala koji nazivamo kontaktni potencijal.
Formula za kontaktni potencijal glasi: Uk=UT.ln(nonpop/ni2) gdje je:
non-ravnotežna koncentracija elektrona na n strani, a pop-ravnotežna koncentracija
šupljina na p strani.
Obzirom da je ND,NA>>ni slijedi: non=ND i pop=NA→ Uk=UT.ln(NDNA/ni2)
T=300K ni=1.45.1010cm-3 Uk=0.713V
T=350K ni=5.13.1011cm-3 Uk=0.617V
p-tip n-tip

$
EFn Uk=(EFn-EFp)/q0

Uk

,.
EFp

1
Slika 156. Kontaktni potencijal
Sa porastom temperature poluvodič teži intrinsičnom, odnosno Fermijeva razina teži
prema sredini zabranjenog pojasa što uzrokuje smanjenje kontaktnog potencijala.
2
ZADATAK 2:
Silicijev skokovit PN spoj površine S=1mm2, ima koncentraciju primjesa NA=1017cm-
75

3
na p strani i ND=1015cm-3 na n strani. Odredite ukupne širine barijera na pojedinim
stranama, barijerni kapacitet za priključen vanjski napon U=+0.5V, U=0V, U=-5V
,temperatura T=300K.
.

Kontaktom poluvodiča p i n tipa nastaje sloj prostornog naboja odnosno barijera.

Barijeru čine nekompenzirani donorski i akceptorski ioni gdje ne postoje naboji
slobodnih nosilaca. Barijera dakle predstavlja dielektrik pločastog kondenzatora za
(

koji se definira barijerni kapacitet CB=ε0εrS/dB(UTOT) gdje je dB(UTOT) debljina

barijere koja ovisi o ukupnom naponu na barijeri. Ukoliko ne postoji priključen
(/

vanjski napon U na barijeri vlada kontaktni potencijal. Ovisno o polaritetu vanjskog

napona koji se definira u odnosu na p stranu barijera se širi ili skuplja.
2ε 0ε r N A + N D
dB = U TOT
q N AND
Uk=UT.ln(NDNA/ni2)=0.695V

a) U=0 UTOT=Uk-U=Uk=0.695V
dB=0.965µm
Iz razloga što u barijeri nema slobodnih nosilaca, samo ionizirane primjese, vrijedi da
je površinska koncentracija donora i akceptora jednaka.
XnND=XpNA Xn+Xp=dB
gdje je Xn širina barijere na n strani, a Xp širina barijere na p strani.
Xn=dB.NA/(NA+ND)=0.955µm
Xp=dB.ND/(NA+ND)=9.55nm
82
 ρ(x)
Xp
ρ(x)=qND

Xn
ρ(x)=qNA

Slika 157. Barijera u PN spoju

Sa slike 157 vidljivo je da se barijera više širi na manje dopiranu stranu.

CB=ε0εrS/dB=110pF

$
b) U=+0.5V UTOT=Uk-U=0.195V dB=0.511µm
Xn=0.506µm Xp=5.06nm CB=208pF

,.
c) U=-5V UTOT=Uk-U=5.695V dB=2.76µm
Xn=2.73µm Xp=27.3nm CB=38.5pF

6.6. Vrste dioda i njihova svojstva

1
2
Poluvodičke diode su elektronički elementi s dvije elektrode, a imaju nelinearnu UI
karakteristiku. Izrađuju se iz poluvodiča temeljem PN spoja s različitim značajkama.
Primjenjuju se prvenstveno za ispravljanje izmjenične struje, ali imaju još niz
75

namjena (stabilizacija i ograničenje napona, uklapanje strujnih krugova, miješanje

visokofrekvencijskih signala i dr.).

6.6.1. Signalno ispravljačka dioda

.

Svojom UI karakteristikom dioda utječe na oblik signala, a zbog svoje

nelinearnosti on će biti izobličen.
Proizvode se razni oblici dioda s različitim UI karakteristikama, gdje su najbitnije
(

značajke dioda: maksimalna disipirana snaga na diodi, maksimalna struja, zaporni

napon i napon vođenja. Za svaki tip diode proizvođači daju adekvatne karakteristike s
(/

grafički izraženim vrijednostima.

Primjer ovisnosti snage o temperaturi ambijenta ili okoline za silicijsku diodu
pokazana je slikom 158.
P(W)

20 190 T(°C)

Slika 158. Temperaturna ovisnost snage diode

Ispravljačke diode služe za poluvalno ispravljanje izmjeničnog napona, a

korištenjem četiri diode (Greatzov ispravljač) dobiva se punovalno ispravljanje.
83
6.6.2. Referentna, probojna ili Zenerova dioda

To je silicijska dioda s površinskim PN spojem čije je normalno područje rada u

režimu proboja. U njoj se iskorištava svojstvo PN spoja da pri lavinskom ili
Zenerovom proboju (koji nije destruktivan) zadržava konstantan probojni napon skoro
neovisan o struji kroz diodu (slika 159).

$
,.
Slika 159. UI karakteristika Zener Diode

1
Vrijednost se probojnog napona osim toga vrlo malo mijenja s promjenom
temperature tako da se pomoću takovih dioda može stabilizirati napon ili dobiti izvor
2
struje referentnoga konstantnoga napona. Ona je određena koncentracijom primjesa na
slabije vodljivoj strani barijere što omogućuje izradu dioda s različitim probojnim
naponima od nekoliko volti do više stotina volti. Za stabilizaciju napona najčešće se
75

primjenjuju samo diode s manjim probojnim naponima (< 30 V), a nominalne snage
koje se na takvim diodama smiju disipirati ovise o tipu diode, te imaju vrlo širok
raspon snaga od 400mW do 50W (ovisno o obliku i termičkim svojstvima kučišta).
6.6.3. Tunel dioda
.

Poznata je pod nazivom Esakijeva dioda prema Japanskom fizičaru L.Esaki koji ju
je prvi teoretski obradio i praktički dobio. Njezina osnovna značajka je što ima vrlo
(

tanki PN spoj izrađen od jako dopiranih poluvodiča (> 1018cm-3). UI karakteristika

tunel diode prikazana je slikom 160, a može se objasniti pomoću energetskih razina
prikazanih slikom 161.
(/

(1)-tunelska struja
(2)-difuziona struja
(3)-ukupna struja

Slika 160. UI karakteristika tunel diode

84
 $
,.
1
2
75

Slika 161. Energetske razine tunel diode

Zbog velike koncentracije primjesa nema izoliranih donorskih i akceptorskih razina
kao kod obične diode, već umjesto njih nastaje donorsko energetsko područje (D) u N
dijelu i akceptorsko energetsko područje (A) u P dijelu.
.

Za male napone u propusnom smjeru energetske razine na N strani pomiču se u

odnosu na P stranu za iznos q0UA (eVA na slici161b), tako što se pune donorske razine
(

(D) nađu nasuprot praznim akceptorskim razinama (A) s vrlo tankim prelaznim
područjem između njih. U ovakvim energetskim uvjetima difuziona struja je
zanemariva, ali energetski uvjeti i vrlo tanko prelazno područje omogućuju
(/

elektronima s N strane prodor (“tuneliraju se”) kroz prelazno područje prema P strani
dovodeći time do protoka tunelske struje koja iznosi nekoliko mA. Porastom napona u
propusnom smjeru iznad vrijednosti UB≈0.05V, tunelska struja opada i pri
vrijednostima napona od nekoliko stotina mV tunelska struja je zanemarivo mala u
odnosu na difuzionu struju. Oblik rezultirajuće karkteristike ukazuje na negativan
dinamički otpor diode u području UP i UD što omogućuje njenu primjenu u
oscilatorskim sklopovima, a osim toga može se primjeniti kao bistabilni element u
memorijskim sustavima

6.6.4. Varikap dioda

Inverzno polariziran spoj predstavlja izolator, ali u isto vrijeme on se ponaša kao i
kondenzator čiji se kapacitet mijenja promjenom napona na njegovim krajevima, tako
da su to diode varijabilnog kapaciteta.
85
 kapacitet C
napon (U)

Slika 162. Promjena kapaciteta varikap diode u ovisnosti o naponu

$
Ovdje je bitno naglasiti kako varijabilni kapacitet ovisi o naponu nepropusne
polarizacije (slika 162).

,.
6.6.5. PIN dioda

PIN dioda se sastoji od dobro vodljivih područja P i N između kojih je slabo

1
vodljivo područje I (intrinsično). Takva se dioda pimjenjuje pri visokom
frekvencijama i u tom području predstavlja pri nepropusnoj polarizaciji visoku
2
impedanciju, barijera se širi kroz cijelo područje I (slika 163) koja postaje izolator, te
PIN dioda djeluje sada kao kondenzator s vrlo malim gubicima. Kapacitet
kondenzatora neovisan je o naponu na diodi jer su promjene širine barijere u P i N
75

području relativno male u odnosu prema širini intrinsičnog područja I.

P I N
.

Slika 163. PIN dioda

(

6.6.6. Prekidačke (switch,impulsne) diode

R I
(/

IF

ts
t0

-IRS t
U
td
-IR

Slika 164. Impulsna svojstva PN spoja

Kada je dioda polarizirana propusno kroz diodu teče struja IF, a uz barijeru je
koncentracija manjinskih nosilaca veća od ravnotežne koncentracije. Prebacivanjem
sklopke u drugi položaj u trenutku t0 (čime je shematski prikazan dolazak negativnog
impulsa), na diodu dolazi nepropusni polaritet. Nagomilani naboj manjinskih nosilaca
ne može istog trenutka nestati, pa struja kroz diodu u trenutku promjene napona
86
promijeni smjer, ali još uvijek znatnog iznosa IR (slika 164) i ostaje stalna sve dok
koncentracija nosilaca uz barijeru ne padne na vrijednost određenu priključenim
naponom. Tek tada struja počinje eksponencijalno opadati prema svojoj stacionarnoj
vrijednosti IRS (nakon vremena ts, koju dosegne nakon vremena td. Za diode koje
trebaju biti brze sklopke vrijeme ts+td (vrijeme oporavka diode) mora biti kratko (od
1µs do 1ns).

6.6.7. LED diode

Prilikom kidanja kovalentnih veza nastaju parovi elektron-šupljina, te kao što

se za kidanje kovalentnih veza troši energija, isto tako se prilikom rekombinacije
elektrona sa šupljinom oslobađa energija. Ova oslobođena energija odlazi na
zagrijavanje kristala, ali kod nekih poluvodičkih materijala oslobođena energija

$
prilikom rekombinacije, javlja se u obliku zračenja, odnosno nastaje foton svjetlosti
čija frekvencija (boja) ovisi o energetskom razmaku između valentnog i vodljivog

,.
pojasa materijala PN spoja. Za diodu od galij-arsenida (GaAs) ovaj razmak iznosi
1,5 eV, a emitirana svjetlost je infra crvene boje, koja je za oko nevidljiva. Dioda
od galij-fosfida (GaP) daje zelenu ili crvenu boju, a dioda od galij-arsenid-fosfora
(GaAsP) daje crvenu ili žutu boju. Poprečni presjek tipične LED diode prikazan je

1
slikom 165, kao i geometrija 7 segmentnog numeričkog pokazivača.
2
75
( .

Slika 165. Struktura i tipična izvedba LED diode

(/

6.6.8. Poluvodička fotodioda

Poluvodička fotodioda je PN spoj kome je P strana napravljena tako da kroz nju

može proći svijetlost. Ukoliko se dioda nepropusno polarizira ona se ponaša kao
izolator ako nije osvijetljena, međutim ukoliko postoji svjetlosni tok ona postaje
vodljiva iz razloga što se kidaju kovalentne veze unutar prijelaznog područja. Energija
za kidanje kovalentne veze nastaje transformacijom energije koju predaju fotoni. Skup
UI karakteristika fotodiode prikazana je slikom 158, gdje je krivulja Φ0 snimljena za
slučaj kada dioda nije osvijetljena. Što je veći intenzitet svijetlosti koji pada na diodu
sve je veća struja diode jer je sve više pokidanih kovalentnih veza. Prema tome
vodljivost fotodiode polarizirane u nepropusnom smjeru ovisi o osvijetljenosti.

87
 $
Slika 166. UI karakteristike fotodiode u ovisnosti o svjetlosnom toku

,.
6.6.9. PN spoj kao sunčana ćelija

1
Ako se inverzni napon ugasi na fotodiodi, manjinski nosioci će i dalje prelaziti
preko spoja sve dok je dioda osvjetljena. Manjinski nosioci teku i time teže smanjiti
potencijalnu barijeru koju difuzijom stvaraju većinski nosioci PN spoja. Da bi se
2
struja smanjila na nulu treba na krajeve diode u propusnom smjeru spojiti napon
iznosa oko 0.5V (Slika 166). Ovo znači da se fotodioda ponaša kao izvor, jer se na
njenim krajevima može izmjeriti napon, pozitivan na P strani, a negativan na N strani.
75

Na taj način fotodioda se može promatrati kao fotovodljivi element i kao fotonaponski
element. Kada fotodioda radi pri inverznom naponu ona je fotovodljivi element, a bez
inverznog napona kao generator napona.
Sunčana ćelija ili pretvarač sunčeve energije u električnu je fotodioda projektirana
.

za rad kao fotonaponski element odnosno tako da može dati što više izlazne snage
(slika 167).
(
(/

Slika 167. Sunčeva ćelija

88
ZADATAK 1:
Dvije PN diode spojene su prema slici 168, ako su naponi na diodama U1=0.6V,
U2=0.7V, a Is1=2.10-14A (reverzna struja zasićenja diode D1) odrediti dinamičke i
statičke otpore obije diode. T=300K

D1 D2

$
Slika 168.
Dioda je elektronička komponenta koja ima nelinearnu karakteristiku koja se može

,.
dobro opisati u statičkim uvjetima rada Shocklijevom diodnom
 UD 
jednadžbom: I D = I S  e mU T − 1 gdje je:
 
ID-struja kroz diodu
1
UD-napon na diodi
IS-reverzna struja zasićenja UT-naponski ekvivalent temperature
2
m-koeficijent ovisan o iznosu struje kroz diodu, kod silicijevih PN dioda kod
malih i velikih struja m=2, a kod srednjih m=1
Obzirom da su diode spojene u seriju vrijedi I1=I2=I UT=300/11605=25 mV
75

I=IS1(exp(U1/UT)-1)=2.10-14.exp(0.6/(25.10-3)-1)=0.24mA

U režimu malih signala (izmjenična komponenta ne utječe na položaj radne točke)

mreže koje sadrže nelinearne elemente analiziraju se koristeći princip superpozicije.
Nelinearni krug može se razdvojiti na dva strujna kruga, jedan koji uključuje samo
.

istosmjerne komponente, te određuje radnu točku, drugi koji uključuje samo

izmjenične veličine gdje nelinerni element (u našem primjeru dioda) predstavlja otpor
(

koji zovemo dinamički otpor.

RS1=U1/I=0.6/0.24.10-3=2.5kΩ -statički otpor diode D1
RS2=U2/I=0.7/0.24.10-3=2.92kΩ -statički otpor diode D2
(/

Dinamički otpor se dobiva kao parcijalna derivacija napona na diodi po struji:

gd=dI/dU -dinamička vodljivost rd=1/gd -dinamički otpor
gd=ISexp(U1/UT).1/UT=(I+IS)/UT rd=UT/(I+IS)
U našem slučaju I1=I2=I rd1=rd2=rd=UT/I=25.10-3/0.24.10-3=108Ω

ZADATAK 2:

Diode prema slici 169 D1,D2,D3,D4 imaju reverzne struje IS1=5nA, IS2=IS4=10nA i
IS3=20nA. Na kojoj je diodi najveći napon po apsolutnom iznosu. Temperatura
T=300K.

89
 +U1 - - U2+ - U3+ +U4 -
D1 D2 D3 D4

I1 I2 I3 I4

U=5V

Slika 169.

$
I(nA) D4 D1

,.
1 U
2
D2 Is2
75

D3 Is3

Slika 170. Strujno naponska karakteristika dioda

Karakteristika diode prema slici 170 u reverznom području prikazana je u

.

uvećanom mjerilu. Uz polaritet napona U prema slici diode D1 i D4 su propusno

polarizirane, dok su diode D2 i D3 nepropusno polarizirane, te one određuju struju u
(

krugu obzirom da su sve diode spojene serijski.

Budu}i da je IS2<IS3 dioda D2 ograničava struju u krugu.
I=10nA=IS2
(/

U=UT.ln(I/IS+1) U1=25.10-3.ln(10/5+1)=28.2mV
U4=25.10-3.ln(10/10+1)=17.8mV
I3=-10nA (suprotnog smjera-reverzna) U3=25.10-3.ln(-10/20+1)=-17.8mV
U2=-U+U1+U4-U3=-4.93V

ZADATAK 3:

Za mrežu prema slici 171 odredite napon na otporniku R. Zadano je:

Ucc=1.5V U=20mV.sinωt Ri=10Ω R1=90Ω R=200Ω.
Kondenzator ima zanemariv otpor na frekvenciji signala izmjeničnog izvora.

90
 Ucc Ri C

R1 u R

Slika 171.

$
Kao što je napomenuto mreže s nelinearnim komponentama se rješavaju metodom
superpozicije što je grafički prikazano na slici 172.

,.
uD = UDQ + ud

1
rd=mUT/(IDQ+IS)
2
iD = IDQ=IS(exp(UDQ/(mUT))-1) + id=ud/rd
75

Slika 172. Analiza rada nelinearne komponente u režimu malih signala

na primjeru pn diode

a) statička analiza
( .

Ri
UD
(/

Ucc R1

Slika 173. Strujni krug za analizu statičkih uvjeta

U praksi je redovito dostupna IU karakteristika nelinearne komponente, dobivena

mjerenjem i prikazana grafički. U tom slučaju u isti koordinatni sustav treba ucrtati
statički radni pravac i IU karakteristiku. Prema slici 173 dobiva se jednadžba statičkog
radnog pravca: Ucc=I.Ri+UD+I.R1

91
 iD
1
Ucc/(R+R1)

Q
IDQ

UDQ Ucc uD
Slika 174.

Točka presjeka označena sa Q zove se radna točka, budući da su veličine UDQ i IDQ

$
istosmjerne komponente, radna točka se još zove i statička radna točka.
U našem primjeru statički pravac glasi: 1.5=100.ID+UD
iD(mA)

,.
15

Q
7.5
1 uD(V)
2
0.75 1.5
75

Slika 175. Određivanje radne točke

b) dinamička analiza
Kada je poznata statička radna točka moguće je odrediti dinamički otpor diode rd.
Krug na slici 176 uključuje samo izmjenične veličine ud i id, pri čemu je dioda
.

zamjenjena otpornikom.
IDQ=7.5mA rd=UT/IDQ=25.10-3/7.5.10-3=3.3Ω
(
(/

Ri rd

U R1 R u

id

Slika 176. Strujni krug za analizu dinamičkih uvjeta rada

92
Za krug prema slici 176 dobiva se:
id=U/(Ri+rd+RP) gdje je RP=R1R/(R1+R) u=idRP
.
RP=90 200/(90+200)=62Ω id=20 10 /(10+3.3+62)=2.656.10-4A
. -3

u=2.656.10-4.62=16.47.10-3V=16.47mV
id

-dinamički radni pravac

Q -statički radni pravac
IDQ

ud

$
UDQ
Slika 177.

,.
U našem slučaju u krugu postoji reaktivna komponeta (kondenzator C) te se pravac
u dinamičkim uvjetima razlikuje od statičkog. Dinamički pravac prolazi kroz statičku
radnu točku, ali je nagib različit od nagiba statičkog radnog pravca jer je otpor što ga
osjeća nelinearni element različit od otpora u statičkim uvjetima.

1
Nagib pravca dobiva se kao parcijalna derivacija struje po naponu:
tg(α)=did/dud gdje je α kut {to pravac zatvara s osi x
2
Statički pravac tg(α1)=-1/(Ri+R1) Dinamički tg(α2)=-1/(Ri+RP)
Iz rezultata statičke i dinamičke analize dobivamo napon na otporniku R koji glasi
u=16.47.sinωt (mV). Vlada samo izmjenični napon, zbog toga što istosmjernu
75

komponentu blokira kondenzator C.

ZADATAK 4:
U sklopu stabilizatora s Zenerovom diodom potrošač R je promjenjivog iznosa pri
čemu vrijedi R>=0.5kΩ. Probojni napon Zenerove diode UZ=20V uz IZ>=5mA.
.

Dimenzionirajte otpornik Ri uz koji će stabilizator pravilno raditi. Zadano je Ucc=25V,

maksimalna disipacija diode PZmax=2W
(

Ri
(/

IS IP

Ucc IZ Uz R

Slika 178.

Da bi stabilizator ispravno radio struja kroz diodu mora biti u određenim granicama
(Izmin do Izmax), te je tada napon na diodi UZ.
93
Prema slici 178 vrijedi: IS=IZ+IP
Mora vrijediti: ISmin=IZmin+IPmax ISmax=IZmax+IPmin
ISmin=(Ucc-UZ)/Rimax IPmax=UZ/Rmin
IPmax=20/500=0.04A IZmin=5.10-3A
Rimax=(Ucc-UZ)/Ismin=(25-20)/(0.04+0.005)=111Ω
Pzmax=IZmax.UZ IZmax=2/20=0.1A Ipmin=0 (odspojen potrošač)
Ismax=(Ucc-UZ)/Rimin
Rimin=(Ucc-UZ)/Ismax=(25-20)/0.1=50Ω
Za pravilan rad diode treba uzeti otpornik Ri otpora 50 do 111Ω.

$
,.
1
2
75
( .
(/

94