TEMA 3.

IMPERFECCIONS EN SÒLIDS
1. INTRODUCCIÓ
La xarxa cristal·lina és una representació idealitzada dels àtoms/ions d’un cristall ja que el sòlid
ideal no existeix; tots els materials tenen una gran nombre de defectes, de fet, moltes de les
seves propietats són altament sensibles a les desviacions de la perfecció cristal·lina. Tant és així
que sovint se’ls introdueixen defectes de manera controlada per a millorar-los les propietats.

Un defecte cristal·lí és defineix com a una irregularitat o alteració de la xarxa cristal·lina i es

classifica segons la seva geometria o dimensió en:

• Defecte puntual. Afecta a un o dos àtoms (0D).

• Defectes lineals. Afecta a una línia d’àtoms (1D).
• Defectes superficials. Afecten a una superfície d’àtoms (2D).
• Defectes volumètrics. Associats a l’alteració d’un volum del cristall (3D).

2. DEFECTES PUNTUALS EN METALLS

2.1. VACANTS

És el defecte puntual més senzill i fa referència a l’absència d’un àtom en una determinada
posició. Qualsevol sòlid cristal·lí conté vacants, de fet, és impossible crear-ne un que no en
tingui, doncs les vacants són necessàries ja que segons els principis de la termodinàmica
augmenten la entropia (aleatorietat) del cristall. El número de vacants en equilibri (Nv) per
una quantitat determinada de material, augmenta exponencialment amb la temperatura
segons:

Per la majoria dels metalls la fracció de vacants Nv/N just per sota la temperatura de fusió és
de l’ordre de 10-4, és a dir 1 de cada 10 000 posicions de la xarxa està buida.

2.2. AUTOINTERSTICIALS

Es formen quan un àtom del cristall es col·loca en un lloc intersticial de la xarxa, que és un
petit espai que ordinàriament no està ocupat. En els metalls , un defecte
autointersticial introdueix distorsions en la xarxa relativament grans, ja
que un àtom és substancialment major que la posició intersticial en la qual
se situa. En conseqüència, la formació d’aquest defecte no és gaire
probable i existeix en concentracions molt inferiors a les de les vacats.

2.3. IMPURESES

És impossible obtenir un metall pur que contingui un sol tipus d’àtom, ja que sempre hi ha
impureses (àtoms de naturalesa diferent a la del material) que, en ocasions, es converteixen
en defectes puntuals de la xarxa cristal·lina.

L’addició d’impureses a un metall pot conduir a la formació d’una solució (o dissolució) sòlida
o bé a una nova segona fase, depèn del tipus d’impureses, de les seves concentracions i de
la temperatura del material. (Només veurem les solucions sòlides)
 En les solucions sòlides es defineixen els termes de solut com
a compost o element minoritari i dissolvent com a compost
o element majoritari i es formen quan al addicionar àtoms de
solut al dissolvent, l’estructura cristal·lina es manté sense
formar noves estructures ni fases, de tal manera que, les
impureses es dispersen lliurement i uniforme per dins el
sòlid.

Tal i com s’ha esmentat, en les solucions sòlides apareixen defectes puntuals. La causa són
les impureses, que poden ser de dos tipus substitucionals o intersticials; en les substitucionals
els àtoms de solut (de radi semblant als àtoms de la pròpia xarxa), reemplacen als de
dissolvent, mentre que en les intersticials els àtoms de solut (de radi petit per a poder
encabir-se en els intersticis) ocupen posicions intersticials.

3. DEFECTES LINEALS EN METALLS – DISLOCACIONS

Una dislocació és un defecte lineal o unidimensional que es genera al voltant d’àtoms
desalineats en la xarxa cristal·lina. N’hi ha de 3 tipus: de falca, helicoidals i mixtes.

És important destacar que pràcticament tots els materials cristal·lins contenen dislocacions
generades durant la solidificació, la deformació plàstica i les tensions tèrmiques dels
refredaments ràpids. No obstant, aquestes els confereixen la capacitat de deformar-se
plàsticament al desplaçar-se al llarg de la xarxa.

3.1. DISLOCACIONS LINEALS DE FALCA O D’ARESTA

És una porció extra d’un pla o semiplà l’aresta del qual acaba dins
del cristall, és a dir, es crea un semiplà extra d’àtoms a la xarxa
cristal·lina. Aquest és un defecte lineal centrat al voltant de la línia
definida per l’extrem del semiplà addicional d’àtoms, la qual rep
el nom de línia de dislocació i és perpendicular al pla del full.

En la regió al voltant de la línia de dislocació, la xarxa està

distorsionada; es produeix una lleugera curvatura dels plans verticals que es troben propers
al semiplà extra a causa de les forçes de compresió (àtoms superiors a la l.d) i tracció (àtoms
inferiors a la l.d) que s’han generat. No obstant, la magnitud de la distorsió disminueix a
mesura que agmenta la distància respecte la línia de dislocació fins al punt que, en posicions
allunyades, la xarxa cristal·lina es mante pràcticament inalterada. El símbol Ʇ representa la
posició de la línia de dislocació i la orientació del semiplà addicional ja que es pot escriure
com Ʇ ó T. És important destacar que aquest defecte facilita la deformació als metalls, ja que
és capaç de desplaçar-se al llarg de la xarxa a través del pla de lliscament.

3.2. DISLOCACIONS LINEALS HELICOÏDALS

Es forma al aplicar un esforç de cisalla a la xarxa cristal·lina, de

tal manera que, la regió frontal superior del cristall es desplaça
una unitat atòmica respecte la
regió frontal inferior. La distorció
atòmica associada a una dislocació
helicoïdal, també és lineal i al llarg
de la dislocació AB.
 El nom d’aquesta dislocació deriva de la trajectoria en espiral que es traça al voltant de la
línia de dislocació dels plàns atòmics.

3.3. DISLOCACIONS LINEALS MIXTES

La majoria de les dislocacions que existeixen en els materials

cristal·lins no són totalment de falca ni totalment helicoidals, sinó que
presenten components d’ambdós tipus produint una distorsió
reticular (xarxa desordenada).

3.4. EL VECTOR DE BURGERS

La magnitud i la direcció de la distorsió reticular associada a una dislocació s’expressa en

termes de vector de Burgers (b), essent els vectors de Burgers aquells vectors de la xarxa
necessaris per a tancar un sistema de Burgers que inclou una línia de dislocació. Així doncs,
en la falca, els vectors de Burgers són perpendiculars a la línia de dislocació, en la helicoidal
són paral·lels i en la mixta no són ni perpendiculars ni paral·lels.

4. DEFECTES INTERFACIALS
Els defectes interfacials són límits que tenen dos dimensions y normalment separen regions dels
materials que tenen diferents estructures cristal·lines i/o orientacions cristal·logràfiques.

4.1. SUPERFICIES EXTERNES

Els àtoms de la superfície no estan enllaçats amb el màxim de veïns més pròxims i, per tant,
estan en un estat d’energia més alt que el dels àtoms de les posicions internes. Així doncs,
els enllaços no realitzats per part d’aquests àtoms de la superfície, provoquen un augment
de l’energia de la superfície expressada en J/m2. És per aquest motiu que els materials
tendeixen a minimitzar l’àrea total de la superfície, per a disminuir aquesta energia.

4.2. LÍMITS DE GRA

És un defecte interfacials característic en els materials policristal·lins i és la zona que separa

dos grans o cristalls que tenen diferents orientacions cristal·logràfiques. Hi ha tres tipus de
límit de gra:

• Límit de gra d’angle petit. El desajust d’orientació és lleu, de l’ordre de pocs graus.
• Límit d’inclinació. És aquell que està produït per la distribució de dislocacions de falca.
• Límit torsionat. És aquell que té un angle d’inclinació paral·lel a l’aresta del gra.
Normalment està format per vàries dislocacions helicoidals.
4.3. LÍMITS DE MACLA

És un tipus especial de límit de gra amb simetria especular, de manera que els àtoms d’una
banda del límit son com les imatges especulars dels àtoms de l’altra banda. La regió del
material entre aquests límits s’anomena macla i són el resultat de desplaçaments atòmics
originats o bé per esforços de cisalla (macles mecàniques) o bé per tractaments tèrmics
(macles de recuit). Les macles de recuit són típiques en estructures FCC, mentre que les
mecàniques en BCC i HCP.

5. DEFECTES VOLUMÈTRICS
En tots els materials sòlids existeixen defectes molt més grans que els descrits fins el moment:
els defectes volumètrics. N’hi ha de 3 tipus:
 • Porus. Presència de zones buides.
• Esquerdes. Presència d’entalles molt agudes, defectes de mecanitzat.
• Inclusions. Presència de petits precipitats d’un altre material.

Els defectes volumètrics no s’estudien com a defecte de xarxa, sinó de material i normalment
s’introdueixen durant les etapes de fabricació i processament.