Giáo Trình KTMĐT1 Nghề ĐTC - V1- Ngày Gửi 21.8.2023

UỶ BAN NHÂN DÂN THÀNH PHỐ HÀ NỘI
TRƯỜNG CAO ĐẲNG NGHỀ CÔNG NGHIỆP HÀ NỘI
GIÁO TRÌNH
MÔ ĐUN: KỸ THUẬT MẠCH ĐIỆN TỬ 1
NGÀNH, NGHỀ: ĐIỆN TỬ CÔNG NGHIỆP
TRÌNH ĐỘ: CAO ĐẲNG
Ban hành kèm theo Quyết định số: … /QĐ-CĐNCN ngày …tháng.... năm 2023
của Hiệu trưởng Trường Cao đẳng nghề Công nghiệp Hà Nội
(Lưu hành nội bộ)
Hà Nội, năm 2023

2
Tuyên bố bản quyền
- Tài liệu “ KỸ THUẬT MẠCH ĐIỆN TỬ I ” là giáo trình nội bộ
trong Trường Cao đẳng nghề Công nghiệp Hà Nội với mục đích làm tài
liệu giảng dạy cho giáo viên và học sinh, sinh viên các nguồn thông tin có
thể được phép dùng nguyên bản hoặc trích dùng cho các mục đích về đào
tạo và tham khảo;
- Tài liệu “ KỸ THUẬT MẠCH ĐIỆN TỬ I ” phải do Trường
Cao đẳng nghề Công nghiệp Hà Nội in ấn và phát hành;
- Việc sử dụng “ KỸ THUẬT MẠCH ĐIỆN TỬ I ” với mục đích
thương mại hoặc khác với mục đích trên đều bị nghiêm cấm và bị coi là vi
phạm bản quyền. Mọi trích dẫn, sử dụng giáo trình này với mục đích khác
hay ở nơi khác đều phải được sự đồng ý bằng văn bản của Trường Cao
đẳng nghề Công nghiệp Hà Nội;
- Trường Cao đẳng nghề Công nghiệp Hà Nội xin chân thành cảm
ơn quí đọc giả có thông tin giúp cho nhà trường bảo vệ bản quyền của
mình. Địa chỉ liên hệ:
+ Trường Cao đẳng nghề Công nghiệp Hà Nội.
+ Địa chỉ: Số 131 Phố Thái Thịnh – Đống Đa – Hà Nội
+ Điện thoại: 02462757361-02438533780 - 02462753410
+ Website: http://hnivc.edu.vn
LỜI GIỚI THIỆU
Kỹ thuật mạch điện tử là một bộ môn sử dụng các phần tử thụ động và phần
tử phi tuyến (hoạt động tích cực) như các linh kiện điện trở, cuộn cảm, tụ điện và
linh kiện bán dẫn, đặc biệt là transistor, diode, mạch tích hợp,... để thiết kế
các mạch điện, thiết bị, vi xử lý, vi điều khiển và các hệ thống điện tử khác do vậy
kỹ thuật mạch điện tử nói chung là một trong những môn học cốt lõi của nghề Điện
tử công nghiệp, có thể nói kỹ thuật điện tử đóng vai trò then chốt trong cuộc cách
mạng khoa học kỹ thuật. Đây là môn học cung cấp kiến thức cơ bản, quan trọng để
tiếp cận với công nghệ điện tử.
Trong khuôn khổ giáo trình “ KỸ THUẬT MẠCH ĐIỆN TỬ I ” sử dụng
cho mục đích giảng dạy đào tạo sinh viên trình độ Cao đẳng nghề chuyên ngành
Điện tử công nghiệp. Giáo trình cung cấp cho sinh viên những kiến thức cơ bản và
những kỹ năng lắp ráp và vận hành, khảo sát các mạch từ cơ bản nhất cho đến nâng
cao dần.
Giáo trình “ KỸ THUẬT MẠCH ĐIỆN TỬ I ” được biên soạn chi tiết, tỉ
mỉ đáp ứng được chương trình đào tạo của nhà trường đã thiết kế và được minh họa
chi tiết bằng các hình ảnh. Sau mỗi nội dung đều có các ví dụ minh họa, sau mỗi
bài học có các bài tập để sinh viên có thể luyện tập nhằm củng cố kiến thức của bài
học.
Nội dung giáo trình gồm 08 bài:
- Bài 1: Các mạch chỉnh lưu, lọc nguồn cơ bản
- Bài 2: Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng BJT
- Bài 3: Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng FET
- Bài 4: Hồi tiếp trong mạch khuếch đại
- Bài 5: Ghép tầng trong mạch khuếch đại
- Bài 6: Khuếch đại công suất
- Bài 7: Mạch dao động điều hòa hàm since
- Bài 8: Ôn tập và thi hết mô đun
Giáo trình biên soạn không thể tránh được những thiếu sót, rất mong được sự
góp ý của đồng nghiệp và các bạn đọc.
Hà Nội, ngày …tháng….năm 2023
Tham gia biên soạn: 1. Ths Nguyễn Đức Thắng (Chủ biên)
2. K.s Hà Thanh Sơn
3. Th.s Trần Văn Dũng
2
4. Th.s Đỗ Tùng Bách
MỤC LỤC
LỜI GIỚI THIỆU................................................................................................... 2
MỤC LỤC................................................................................................................ 3
CHƯƠNG TRÌNH MÔ ĐUN...............................................................................10
Bài 1: CÁC MẠCH CHỈNH LƯU, LỌC NGUỒN CƠ BẢN.............................12
A. Giới thiệu:....................................................................................................... 12
B. Mục tiêu:..........................................................................................................12
C. Nội dung:......................................................................................................... 12
1.1. Khái quát chung về mạch chỉnh lưu điện áp.................................................12
1.2. Mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ...........................................................................12
1.2.1. Mạch điện và tác dụng của linh kiện.......................................................12
1.2.2. Nguyên lý hoạt động...............................................................................13
1.2.3. Lắp ráp mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ........................................................14
1.3. Mạch chỉnh lưu cả chu kỳ dùng 2 Diode.......................................................15
1.3.1. Mạch điện và tác dụng của linh kiện.......................................................15
1.3.3. Lắp ráp mạch chỉnh lưu cả kỳ dùng 2 Diode..........................................17
1.4. Mạch chỉnh lưu cả chu kỳ hình cầu...............................................................18
1.4.1. Mạch điện và tác dụng của linh kiện....................................................18
1.4.2. Nguyên lý hoạt động...............................................................................19
1.4.3. Lắp ráp mạch chỉnh lưu cả chu kỳ hình cầu............................................20
1.5. Tổng quan về mạch lọc nguồn......................................................................21
1.5.1. Khái niệm................................................................................................21
1.5.2. Độ gợn điên áp đầu ra của mạch lọc.......................................................21
1.5.3. Hệ số ổn định điện áp..............................................................................21
1.6. Mạch lọc RC................................................................................................. 22
1.6.1. Sơ đồ mạch điện và tác dụng của linh kiện..........................................22
1.6.2. Nguyên lý hoạt động của mạch điện.......................................................23
1.6.3. Mạch lọc dùng tụ C.................................................................................24
1.6.4. Lắp ráp mạch lọc RC và mạch lọc C.......................................................28
3
1.7. Mạch chỉnh lưu nhân đôi điện áp..................................................................32
1.7.1. Mạch điện và tác dụng của linh kiện....................................................32
1.7.2. Nguyên lý hoạt động của mạch điện.......................................................32
1.7.3. Lắp ráp mạch chỉnh lưu nhân đôi điện áp...............................................33
1.8. Câu hỏi trắc nghiệm và Bài tập.....................................................................35
1.8.1. Câu hỏi trắc nghiệm................................................................................35
1.8.2. Bài tập..................................................................................................... 37
Bài 2: MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ DÙNG BJT............................38
A. Giới thiệu:....................................................................................................... 38
B. Mục tiêu:..........................................................................................................38
C. Nội dung:......................................................................................................... 38
2.1. Khái quát chung............................................................................................38
2.1.1. Khái niệm về tín hiệu..............................................................................38
2.1.2. Các dạng tín hiệu....................................................................................40
2.1.3. Sơ đồ tổng quát của mạch khuếch đại.....................................................41
2.1.4. Các tham số cơ bản của mạch khuếch đại...............................................43
2.2. Mạch mắc theo kiểu cực phát chung (EC)...................................................45
2.2.1. Mạch điện và tác dụng linh kiện.............................................................45
2.2.2. Nguyên lý làm việc:................................................................................46
2.2.3. Các thông số cơ bản................................................................................46
2.2.4. Các đặc tính của mạch EC......................................................................51
2.2.5. Lắp ráp mạch khuếch đại EC..................................................................51
2.3. Mạch mắc theo kiểu cực góp chung (CC).....................................................53
2.3.2. Nguyên lý làm việc.................................................................................54
2.3.4. Các đặc tính của mạch CC......................................................................55
2.3.5. Lắp ráp mạch khuếch đại CC..................................................................56
2.4. Mạch mắc theo kiểu cực gốc chung (BC).....................................................58
2.4.2. Nguyên lý làm việc.................................................................................58
4
2.4.4. Các đặc tính của mạch BC......................................................................60
2.4.5. Lắp ráp mạch khuếch đại BC..................................................................60
2.5. Câu hỏi trắc nghiệm và Bài tập.....................................................................62
2.5.2. Bài tập..................................................................................................... 66
Bài 3: MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ DÙNG FET............................72
A. Giới thiệu:....................................................................................................... 72
B. Mục tiêu:..........................................................................................................73
C. Nội dung:......................................................................................................... 73
3.1 . Mạch khuếch đại cực nguồn chung (SC)..............................................73
3.1.1. Mạch điện và tác dụng linh kiện.......................................................73
3.1.3. Lắp ráp mạch khuếch đại cực nguồn chung............................................78
3.2. Mạch khuếch đại cực máng chung (DC).......................................................80
3.2.3. Lắp ráp mạch khuếch đại cực máng chung.............................................82
3.3. Mạch khuếch đại cực cổng chung (GC)........................................................85
3.3.3. Lắp ráp mạch khuếch đại cực cổng chung..............................................86
3.4. Câu hỏi trắc nghiệm và Bài tập..................................................................88
3.4.2. Bài tập..................................................................................................... 90
Bài 4: HỒI TIẾP TRONG MẠCH KHUẾCH ĐẠI............................................91
A. Giới thiệu:....................................................................................................... 91
B. Mục tiêu:..........................................................................................................91
C. Nội dung:......................................................................................................... 91
4.1. Khái niệm.....................................................................................................91
4.2. Sơ đồ tổng quát của mạch khuếch đại có hồi tiếp.....................................91
5
4.3. Phân loại mạch hồi tiếp.................................................................................92
4.4. Ảnh hưởng của hồi tiếp đến các thông số của mạch khuếch đại.............94
4.5. Trở kháng vào và ra của mạch khuếch đại có hồi tiếp............................97
4.6. Lắp ráp mạch hồi tiếp trong mạch khuếch đại..............................................97
4.7. Câu hỏi trắc nghiệm và Bài tập...................................................................103
4.7.1. Câu hỏi trắc nghiệm..............................................................................103
4.7.2. Bài tập...................................................................................................105
Bài 5: GHÉP TẦNG TRONG MẠCH KHUẾCH ĐẠI....................................108
A. Giới thiệu:......................................................................................................108
B. Mục tiêu:........................................................................................................108
C. Nội dung:.......................................................................................................108
5.1. Khái quát chung:.........................................................................................108
5.1.1. Ý nghĩa của ghép tầng trong bộ khuếch đại..................................108
5.1.2. Sơ đồ khối tổng quát..........................................................................108
5.1.3. Đặc điểm của bộ khuếch đại ghép tầng..........................................108
5.2 . Mạch khuếch đại ghép tầng bằng RC mắc kiểu EC...............................110
5.2.1. Mạch điện và tác dụng linh kiện...........................................................110
5.2.2. Nguyên lý làm việc:..............................................................................111
5.2.3. Các thông số của mạch điện..................................................................112
5.2.4. Ưu nhược điểm:....................................................................................114
5.2.5. Lắp ráp mạch khuếch đại ghép tầng bằng RC.......................................114
5.3. Mạch khuếch đại ghép tầng trực tiếp mắc kiểu EC.....................................117
5.3.1. Mạch điện và tác dụng linh kiện...........................................................117
5.3.2. Nguyên lý làm việc...............................................................................118
5.3.3. Các thông số của mạch điện..................................................................119
5.3.4. Ưu nhược điểm.....................................................................................120
5.3.5. Lắp ráp mạch khuếch đại ghép tầng trực tiếp.......................................120
5.4. Các mạch khuếch đại ghép tầng khác..........................................................123
5.4.1. Mạch ghép biến áp................................................................................123
5.4.2. Mạch ghép quang..................................................................................125
5.4.3. Mạch ghép cascode...............................................................................130
6
5.4.4. Mạch ghép Darlington..........................................................................136
5.5.2. Bài tập:..................................................................................................144
Bài 6: KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT.................................................................145
A. Giới thiệu:.................................................................................................145
B. Mục tiêu:........................................................................................................146
C. Nội dung:.......................................................................................................146
6.1. Khái quát chung........................................................................................146
6.1.1. Khái niệm khuếch đại công suất...........................................................146
6.1.2. Đặc điểm, phân loại khuếch đại công suất............................................146
6.2. Khuếch đại công suất tầng đơn chế độ A....................................................147
6.2.1. Mạch khuếch đại trực tiếp.....................................................................147
6.2.2. Mạch khuếch đại dùng biến áp..............................................................151
6.3. Khuếch đại công suất đẩy kéo chế độ B, AB...........................................159
6.3.1. Mạch khuếch đại công suất đấy kéo dùng biến áp................................159
6.3.2. Mạch khuếch đại công suất đẩy kéo trực tiếp:......................................176
6.4. Khuếch đại công suất dùng MOSFET.....................................................186
6.4.1. Mạch điện:............................................................................................186
6.4.2. Đặc tính kỹ thuật...................................................................................188
6.4.3. Các ứng dụng của MOSFET công suất.................................................196
6.5. Lắp mạch khuếch đại tổng hợp:..............................................................196
6.5.1. Lắp mạch khuếch đại công suất âm tần SA250 NEW:.........................196
6.6. Sửa chữa mạch khuếch đại tổng hợp...........................................................201
6.6.1. Sơ đồ mạch khuếch đại tổng hợp công suất dùng Mosfet.....................202
6.6.2. Phương pháp kiểm tra sửa chữa............................................................202
6.7. Câu hỏi trắc nghiệm và bài tập:...................................................................204
6.7.1. Câu hỏi trắc nghiệm:.............................................................................204
6.7.2. Bài tập:..................................................................................................209
Bài 7: MẠCH DAO ĐỘNG ĐIỀU HÒA HÀM SINCE....................................217
A. Giới thiệu:......................................................................................................217
7
B. Mục tiêu:........................................................................................................217
C. Nội dung:.......................................................................................................217
7.1. Tổng quan về mạch dao động điều hòa hàm since......................................217
7.1.1. Những vấn đề chung.............................................................................217
7.1.2. Sơ đồ khối và nguyên tắc làm việc.......................................................218
7.1.3. Điều kiện làm việc................................................................................218
7.1.4. Đặc điểm và phân loại...........................................................................219
7.2. Mạch dao động dịch pha dùng BJT.............................................................219
7.2.1. Khái quát chung:...................................................................................219
7.2.2. Sơ đồ mạch điện và tác dụng linh kiện.................................................222
7.2.3. Nguyên lý hoạt động:............................................................................223
7.2.4. Lắp mạch dao động dịch pha dùng BJT................................................224
7.3. Dao động cầu Wien dùng OA.....................................................................229
7.3.1. Khái quát chung về mạch dao động cầu Wien (Wien Bridge
Oscillator )............................................................................................................
229
7.3.3. Nguyên lý hoạt động.............................................................................232
7.3.4. Lắp mạch dao động cầu Wien dùng OA...............................................233
7.4. Mạch dao động thạch anh............................................................................236
7.4.1. Khái quát chung....................................................................................236
7.4.3. Nguyên lý hoạt động.............................................................................239
7.4.4. Lắp mạch dao động thạch anh...............................................................240
7.5.2. Bài tập...................................................................................................248
Bài 8: ÔN TẬP VÀ THI HẾT MÔN..................................................................250
A. Giới thiệu:......................................................................................................250
B. Mục tiêu:........................................................................................................250
C. Nội dung:.......................................................................................................250
8
8.1. Các mạch chỉnh lưu, lọc nguồn cơ bản.......................................................250
8.2. Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng BJT, FET............................................258
8.3. Ghép tầng và hồi tiếp trong mạch khuếch đại.............................................261
8.4. Mạch khuếch đại công suất.........................................................................261
8.5. Mạch dao động điều hòa hàm since............................................................261
8.6. Đánh giá các nội dung theo đề thi...............................................................261
TÀI LIỆU THAM KHẢO VÀ CÁC PHỤ LỤC...............................................262
TÀI LIỆU THAM KHẢO..................................................................................262
CÁC PHỤ LỤC..................................................................................................263
ĐÁP ÁN CÂU HỎI TRẮC NGHIỆM............................................................263
PHỤ LỤC CÁC HÌNH VẼ.................................................................................265
PHỤ LỤC CÁC BẢNG, BIỂU...........................................................................274
9
CHƯƠNG TRÌNH MÔ ĐUN
TÊN MÔ ĐUN: KỸ THUẬT MẠCH ĐIỆN TỬ I
MÃ MÔ ĐUN: MĐ 12
Thời gian thực hiện mô đun: 90 giờ (Lý thuyết: 31 giờ; Thực hành: 53 giờ; Kiểm
tra 06 giờ)
I. Vị trí, tính chất, ý nghĩa và vai trò của mô đun:
- Vị trí của mô đun: Mô đun được bố trí dạy sau khi học xong các môn học
cơ bản chuyên môn như linh kiện điện tử, đo lường điện tử, mạch điện tử và học
trước khi học các mô đun chuyên sâu như vi xử lý, PLC...
- Tính chất: Là mô đun bắt buộc.
- Ý nghĩa và vai trò của mô đun: Mô đun có nội dung cung cấp những kiến
thức cơ bản nhất nhưng một cách toàn cục, bao trùm về các phần chính cốt lõi của
nghề điện tử, cụ thể hơn là các mạch điện tử từ căn bản đến nâng cao từ đó giúp
người học có thể phân tích được tác dụng của linh kiện, nguyên lý hoạt động sơ đồ
mạch điện tử và làm tiền đề cho phân tích máy, phân tích hệ thống cũng như đưa ra
các nguyên nhân, biện pháp và xây dựng cách khắc phục sửa chữa thiết bị, hệ
thống. Ngoài kiến thức căn bản như đã nêu ở trên, nội dung mô đun cũng giúp sinh
viên đạt được các kỹ năng như lắp ráp mạch đảm bảo yêu cầu kỹ thuật, biết dùng
các thiết bị đo lường để kiểm tra được các thông số kỹ thuật của thiết bị, mạch điện
tử và có thể sửa chữa khi cần để đạt được mục tiêu cuối cùng là vận hành mạch đó
hoạt động đúng yêu cầu và đảm bảo kỹ thuật.
II. Mục tiêu của mô đun:
- Về kiến thức: Phân tích được nguyên lý một số mạch ứng dụng cơ bản như
mạch nguồn một chiều, mạch dao động, các mạch khuếch đại và truyền đưa tín
hiệu.
- Về kỹ năng:
+ Thiết kế được các mạch điện tử ứng dụng đơn giản.
+ Lắp ráp được một số mạch điện ứng dụng cơ bản như mạch nguồn một
chiều mạch dao động, các mạch khuếch đại và truyền đưa tín hiệu.
+ Vẽ lại các mạch điện thực tế chính xác, cân chỉnh một số mạch ứng dụng
đạt yêu cầu kỹ thuật và an toàn, sửa chữa được một số mạch ứng dụng cơ bản.
+ Kiểm tra, thay thế các mạch điện tử đơn giản đúng yêu cầu kỹ thuật.
+ Xác định được các nguyên nhân gây ra hư hỏng xảy ra trong thực tế.
10
- Về năng lực tự chủ và trách nhiệm:
+ Rèn luyện cho học sinh thái độ nghiêm túc, cẩn thận, chính xác trong học
tập và thực hiện công việc.
III. Nội dung của mô đun
11
Bài 1: CÁC MẠCH CHỈNH LƯU, LỌC NGUỒN CƠ BẢN
A. Giới thiệu:
Các mạch điện tử đều dùng đến linh kiện tích cực để tạo ra hay biến đổi hoặc
xử lý các tín hiệu (điều chế, khuếch đại, chuyển đổi sang tín hiệu khác . . .). Các
linh kiện tích cực hoạt động với nguồn cung cấp là một chiều (DC), nên cần phải
biến đổi nguồn xoay chiều (AC) thành nguồn một chiều qua mạch chỉnh lưu.
B. Mục tiêu:
- Trình bày chính xác sơ đồ mạch điện, tác dụng của các linh kiện của các
mạch chỉnh lưu, mạch lọc nguồn cơ bản.
- Phân tích đúng nguyên lý hoạt động của các mạch chỉnh lưu bán kỳ, cả chu
kỳ dùng 2 đi ốt, cả chu kỳ hình cầu, mạch chỉnh lưu nhân đôi điện áp, mạch lọc
nguồn cơ bản.
- Lắp ráp và cân chỉnh các mạch chỉnh lưu, mạch lọc nguồn cơ bản đúng chỉ
tiêu kĩ thuật.
- Kiểm tra và sửa chữa được các hư hỏng của các mạch chỉnh lưu, mạch lọc
nguồn cơ bản.
- Có ý thức tự giác, tính kỷ luật cao, tinh thần trách nhiệm trong công việc;
Chủ động và sáng tạo trong học tập; Đảm bảo an toàn cho người và thiết bị.
C. Nội dung:
1.1. Khái quát chung về mạch chỉnh lưu điện áp
Mạch chỉnh lưu là mạch điện cho phép chuyển đổi dòng điện/điện áp xoay
chiều (AC) thành dòng điện/điện áp một chiều (DC). Chỉnh lưu giống như một cái
van chỉ cho phép dòng điện đi qua nó theo một chiều nhất định.
Như chúng ta đã biết, hầu hết các mạch điện tử bên trong các thiết bị điện tử
đều sử dụng nguồn điện một chiều để hoạt động nhưng nguồn điện ở hầu hết mọi
nơi được cung cấp từ nguồn xoay chiều công nghiệp 220V/50Hz. Vì thế chức năng
chính của mạch chỉnh lưu là tạo nguồn điện một chiều từ nguồn điện xoay chiều
phổ biến. Bộ chỉnh lưu được sử dụng bên trong các bộ nguồn của hầu hết các thiết
bị điện tử. Trong các bộ nguồn, mạch chỉnh lưu thường mắc với biến áp, bộ lọc san
phẳng điện áp và có thể là bộ điều khiển điện áp.
1.2. Mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ
1.2.1. Mạch điện và tác dụng của linh kiện
a. Sơ đồ mạch
12
Hình 1. 1: Sơ đồ mạch chỉnh lưu ½ chu kỳ
b. Tác dụng linh kiện
- Biến thế: Làm biến đổi mức điện áp nguồn xoay chiều ở ngõ vào, thành một
hay nhiều mức điện áp nguồn xoay khác nhau ở ngõ ra phù hợp với tải.
- Diode: Dùng để chỉnh lưu nguồn xoay chiều thành nguồn một chiều.
- Điện trở tải Rtải: Thiết bị tiêu thụ điện một chiều.
1.2.2. Nguyên lý hoạt động
Hình 1. 2: Giản đồ thời gian điện áp trước và sau chỉnh lưu
Hình 1. 3: Dạng sóng trước và sau chỉnh lưu với mạch chạy mô phỏng
13
* Nguyên lý hoạt động cụ thể như sau:
- Khi cấp nguồn điệp áp xoay chiều ngõ vào cuộn sơ cấp, thì điện áp ngõ ra hai
đầu cuộn thứ cấp xuất hiện một điện áp cảm ứng xoay chiều.
- Xét ở bán kỳ dương (VAC > 0) thì diode D dẫn điện:
{I D≠0 ¿ ¿¿¿ nên biên độ đỉnh V mDC = VmAC - V

Giá trị V = (0,40,8)V rất nhỏ so với VmAC có thể được bỏ qua V.
- Xét ở bán kỳ âm (VAC < 0) diode D ngưng dẫn: ID = 0 nên VDC = ID.RTải = 0.
1.2.3. Lắp ráp mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ
Bước 1: Ráp mạch như hình 1.4
Hình 1. 4: Mạch chỉnh lưu một bán kỳ.

Bước 2: Dùng đồng hồ VOM đo điện áp hiêu dụng (Vhd) theo bảng số liệu 1.1
Bảng 1. 1: Khảo sát và ghi giá trị vào các ô theo bảng số liệu cho trước.
Điện áp AC 3V 4,5V 6V 7,5V 9V 12V
VhdAC (V)
VhdDC (V)
Hệ số
V hdDC
K 11 =
V hdAC
Nhận xét giá trị hệ số K11: ......................................................................................

Bước 3: Thực hiện phép đo dùng dao động ký (Osillocope):
- Chọn mức điện áp AC ngõ vào 3V (VhdAC = 3V).
14
- Chọn kênh CH1 (CHA) đo điện áp VAC, CH2 (CHB) đo điện áp VDC.
- Vẽ dạng sóng điện áp VAC(V) , điện áp VDC(V) trên cùng hệ trục.
Hình 1. 5: Vẽ dạng sóng điện áp VAC , điện áp VDC trên cùng hệ trục.
- Xác định giá trị biên độ đỉnh Vm(AC) = ...........................................................
- Xác định giá trị biên độ đỉnh Vm(DC) = ...........................................................
- Tính V = Vm(AC) – Vm(DC) = ...........................................................................
- Tính hệ số A11 = ......................... biết giá trị Vhd(AC) = A11Vm(AC)
- Tính hệ số B11 = .......................... biết giá trị Vhd(DC) = B11Vm(DC)
1.3. Mạch chỉnh lưu cả chu kỳ dùng 2 Diode
a. Mạch điện
Hình 1. 6: Mạch chỉnh lưu cả chu kỳ dùng 2 diode

b. Tác dụng của linh kiện
15
- Biến thế đối xứng: Làm biến đổi mức điện áp nguồn điện xoay chiều ở ngõ
vào, thành một hay nhiều mức điện áp xoay chiều đối xứng (U 21= - U22) khác nhau
ở ngõ ra.
- Diode (D1, D2): Dùng chỉnh lưu nguồn điện xoay chiều thành nguồn một
chiều.
- Điện trở tải Rtải: Thiết bị tiêu thụ điện.
Hình 1. 7: Dạng sóng mạch chỉnh lưu cả chu kỳ
Hình 1. 8: Dạng sóng chạy mô phỏng mạch chỉnh lưu cả chu kỳ

* Nguyên lý:
- Khi có nguồn xoay chiều ngõ vào cuộn sơ cấp của biến thế đảo pha, thì các đầu
cuộn thứ cấp tạo ra điện áp cảm ứng đối xứng nhau U21 = - U22.
- Xét ở bán kỳ dương (U21 > 0) thì D1 dẫn điện, D2 ngưng dẫn điện.
16
I D =0
D2 ngưng dẫn điện → 2 .
D dẫn điện
1
{ I ≠0 ¿ ¿¿¿
D
1
dòng điện
I R =I D
1 nên biên độ đỉnh VmDC = VmAC - V
- Xét ở bán kỳ âm (U22 > 0) thì D1 ngưng dẫn điện; D2 dẫn điện.
I D =0
D1 ngưng dẫn điện → 1
D dẫn điện
2
{ I ≠0 ¿ ¿¿¿
D
2
dòng điện
I R= I D
2 nên VmDC = VmAC - V
Giá trị V = (0,40,8)V rất nhỏ so với VAC có thể được bỏ qua. V
1.3.3. Lắp ráp mạch chỉnh lưu cả kỳ dùng 2 Diode
Hình 1. 9: Mạch chỉnh cả chu kỳ dùng 2 diode.

Bước 2: Thực hiên phép đo dùng đồng hồ VOM:
- Chọn mức điện áp AC ở ngõ ra của biến thế theo bảng số liệu 1.2
Bảng 1. 2: Số liệu cho trước dùng để kháo sát mạch.
Điện áp AC ±4,5V ±12V ±24V
VhdAC (V)
VhdDC (V)
V hdAC
Hệ số K 12=
V hdDC
Nhận xét giá trị hệ số K11: .....................................................................................

- Chọn mức điện áp ngõ vào VhdAC = ±12V.
17
- Vẽ dạng sóng điện áp VAC và VDC trên cùng hệ trục vào hình 1.10.
Hình 1. 10: Vẽ dạng sóng ngõ vào điện áp VAC , ngõ ra điện áp VDC.
- Xác định giá trị biên độ đỉnh Vm(AC) =............................................................
- Xác định giá trị biên độ đỉnh Vm(DC) = ...........................................................
- Tính V = Vm(AC) – Vm(DC) =...........................................................................
- Tính hệ số A12 = ......................... biết giá trị Vhd(AC) = A12Vm(AC)
- Tính hệ số B12 = .......................... biết giá trị Vhd(DC) = B12Vm(DC)
1.4. Mạch chỉnh lưu cả chu kỳ hình cầu
a. Mạch điện
Hình 1. 11: Mạch chỉnh lưu cầu

b. Tác dụng của linh kiện
- Biến thế: Làm biến đổi mức điện áp nguồn xoay chiều ở ngõ vào, thành một hay
nhiều mức điện áp nguồn xoay khác nhau ở ngõ ra theo yêu cầu của tải.
18
- Diode (D1, D2, D3, D4): Dùng để nắn điện chuyển nguồn điện AC thành nguồn
DC (một chiều).
- Điện trở tải Rtải: Thiết bị tiêu thụ điện.
Hình 1. 12: Sơ đồ dạng sóng mạch chỉnh lưu cầu
Hình 1. 13: Dạng sóng chạy mô phỏng mạch chỉnh lưu cầu
* Nguyên lý hoạt động
- Xét ở bán kỳ dương (VAC > 0) thì D1, D3 dẫn điện và D2, D4 ngưng dẫn điện.
Diode D2, D4 ngưng dẫn điện nên dòng điện ID2 = ID4 =0
Diode D D dẫn điện

1, 3
{ I D
1
=I D ≠0 ¿ ¿¿¿
3 do dòng điện
I R =I D =I D
1 3
Biên độ đỉnh VmDC = VmAC - 2V  VmAC ( xét diode lý tưởng V = 0)

Dòng điện đi từ VA qua D1, kế tiếp qua Rtải, đến D3 cuối cùng là VB.
- Xét ở bán kỳ âm (VAC < 0) thì D1, D3 ngưng dẫn điện; D2, D4 dẫn điện.
19
Diode D1, D3 ngưng dẫn điện nên dòng điện ID1 = ID3 = 0
Diode D2, D4 dẫn điện do dòng điện

Biên độ đỉnh VmDC = VmAC - 2V  VmAC ( xét diode lý tưởng V = 0)
Dòng điện đi từ VB qua D2, kế tiếp qua Rtải, đến D4 cuối cùng là VA.
1.4.3. Lắp ráp mạch chỉnh lưu cả chu kỳ hình cầu
Bước 1: Ráp mạch như hình 1.14 chọn:
Biến thế 1A điện áp ngõ vào 220V các giá trị điện áp ngõ ra: 3V; 4,5V; 6V;
7,5V; 9V; 12V.
Diode 1N 4007 ( số lượng 4). Tải R Tải = 10kΩ.
Hình 1. 14: Mạch chỉnh lưu cầu

Bước 2: Thực hiện phép đo dùng đồng hồ VOM
- Đo điện áp hiệu dụng VhdAC tại ngõ ra của biến thế theo bảng số liệu 1.3.
- Đo điện áp hiệu dụng DC (VhdDC) tại ngõ ra DC. Ghi nhận kết quả đo tương ứng
điện áp hiệu dụng AC vào bảng số liệu 1.3.
Bảng 1. 3: Số liệu khảo sát cho trước
Điện áp AC 3V 4,5V 6V 7,5V 9V 12V
VhdAC (V)
VhdDC (V)
V hdAC
Hệ số K 13=
V hdDC
Nhận xét giá trị hệ số K13: ...........................................................................................

20
- Chọn mức điện áp ngõ vào VhdAC = 6V.
- Chọn kênh CH1 (CHA) đo điện áp VAC. CH2 (CHB) đo điện áp VDC.
- Vẽ dạng sóng điện áp VAC , điện áp VDC trên cùng hệ trục vào hình 1.15.
- Xác định giá trị biên độ đỉnh Vm(AC) = ...................................................................
- Xác định giá trị biên độ đỉnh Vm(DC) = ...................................................................
- Tính V = VmAC - VmDC.........................................................................................
Hình 1. 15: Vẽ dạng sóng điện áp VAC , điện áp VDC

- Tính hệ số A31 = . . . . . Biết giá trị Vhd(AC) = A31 Vm(AC)
- Tính hệ số B31 = . . . . . Biết giá trị Vhd(DC) = B31 Vm(DC)
- Tính hệ số C31 = . . . . . Biết giá trị Vhd(DC) = C31 Vhd(AC)
1.5. Tổng quan về mạch lọc nguồn
1.5.1. Khái niệm
Nguồn điện xoay chiều (AC) sau khi qua mạch chỉnh lưu trở thành nguồn điện
một chiều (DC). Tuy nhiên nguồn một chiều không theo mong muốn vẫn còn gợn
sóng theo nữa chu kỳ hình sin của nguồn AC. Vì vậy ta phải cho qua bộ lọc để
được điện áp một chiều ổn định hơn theo sơ đồ khối hình 1.16:
21
Hình 1. 16: Sơ đồ khối mạch chỉnh lưu có bộ lọc
1.5.2. Độ gợn điên áp đầu ra của mạch lọc
Điện áp được chỉnh lưu sau khi qua bộ lọc gồm thành phần một chiều và
thành phần hài (gợn sóng). Thành phần hài có mức điện áp là V r do sự nạp xả của
tụ điện.
1.5.3. Hệ số ổn định điện áp
Để đánh giá độ ổn định điện áp đầu ra của bộ lọc ta cần xác định hệ số.
a. Độ gợn sóng:
U rms
Độ gợn sóng: r = .100 %
U dc
Với Urms: Điện áp gợn sóng (V).

Udc: Điện áp một chiều (V).
b. Độ ổn định điện áp :
V KT −V CT
ΔV R = ×100 0 0
Độ ổn định điện áp khi có tải và không tải: V CT
Với VKT: Điện áp không tải (V)
VCT: Điện áp có tải (V)
VR = 0 độ ổn định của mạch đạt được mong muốn khi thiết kế bộ nguồn DC.
c. Hê số gợn sóng của bộ chỉnh lưu:
- Đối với mạch chỉnh lưu một bán kỳ:
+ Điện áp một chiều đầu ra: Udc = 0,318Um
+ Điện áp gợn sóng: Urms = 0,385Um
U rms
+ Độ gợn sóng : r = .100 %=121 %
U dc
- Đối với mạch chỉnh lưu hai bán kỳ:

+ Điện áp một chiều đầu ra: Udc = 0,636Um
+ Điện áp gợn sóng: Urms = 0,308Um
U rms
+ Độ gợn sóng: r = .100 %=48 %
U dc
Ví dụ: Bộ nguồn điện một chiều đầu ra không tải đo được là 24V (V KT = 24V). Khi
nối với tải điện áp thực tế đo được 22V (VCT = 22V). Hãy tính độ ổn định điện áp.
22
Giải:
V KT −V CT 24−22
ΔV R = ×100 0 0 = ×100 0 0 =9 0 0
Độ ổn định điện áp: V CT 22
1.6. Mạch lọc RC

1.6.1. Sơ đồ mạch điện và tác dụng của linh kiện
a. Sơ đồ mạch điện:
Đối với mạch lọc dùng tụ lọc C ở ngõ ra của bộ lọc vẫn còn độ gợn sóng. Để
giảm nhỏ độ gợn sóng ta mắc thêm khâu lọc RC.
Hình 1. 17: Mạch chỉnh lưu cả chu kỳ qua bộ lọc RC

b. Tác dụng của linh kiện:
- Tụ điện C1 có tác dụng làm ổn định điện áp sau khi qua bộ chỉnh lưu.
- Tụ điện C2 kết hợp R tạo thành bộ lọc RC làm giảm bớt độ gợn sóng sau khi
qua tụ điện lọc C1.
- Điện trở tải R T: Ngoài nhiệm vụ là tải tiêu thụ công suất.
1.6.2. Nguyên lý hoạt động của mạch điện
Hình 1. 18: Dạng sóng mạch chỉ có tụ lọc C1
23
Hình 1. 19: Dạng sóng mạch qua tụ lọc C1 và bộ lọc RC2
Điện áp sau khi qua bộ chỉnh lưu được lọc bởi tụ điện C 1, điện áp tại điểm A
bao gồm hai thành phần một chiều và thành phần gợn sóng. Thành phần gợn sóng
được qua thêm khâu lọc điện trở RC 2, làm giảm bớt độ gợn sóng nên điện áp một
chiều được ổn định hơn.
* Tính toán các thông số của mạch
- Xét thành phần một chiều:
RT
Đặt điện áp một chiều (DC) VA tại A: V DC = .V
R + RT A (dc )
Thường giá trị R rất nhỏ so với giá trị RT ta có thể bỏ qua giá trị R nên: VDC  VA
- Xét thành phần gợn sóng (AC)
Ar(rms) tại A:
Đặt điện áp gợn sóng V
Trong đó fL tần số ngõ vào bộ lọc (Hz)

Ví dụ: Cho bộ lọc như hình 1.20
Hình 1. 20: Mạch lọc RC

Biết tại A điện áp một chiều DC V A(DC) = 150V, điện áp độ gợn sóng V A(rms) =
15V. giá trị C1 = 15 µF, C2 = 10µF, R =100, RT= 5k,tần số của bộ lọc fL=120Hz.
24
Hãy tính điện áp một chiều VDC, điện áp gợn sóng Vr(rms), độ gợn sóng r trơi trên tải
RT.
Giải:
Điện áp một chiều:
Điện áp
Độ gợn sóng
1.6.3. Mạch lọc dùng tụ C
Hình 1. 21: mạch chỉnh lưu bán kỳ có tụ lọc C
Hình 1. 22: Mạch chỉnh lưu cả chu kỳ có tụ lọc C.

- Biến thế (hạ áp): Làm biến đổi mức điện áp nguồn xoay chiều ở ngõ vào, thành
một hay nhiều mức điện áp xoay chiều khác nhau ở ngõ ra.
- Diode: Dùng để chỉnh lưu nguồn điện nguồn xoay thành nguồn một chiều.
25
- Tụ điện C: Dùng để lọc nguồn thực hiện quá trình nạp - xả làm giảm độ gợn
sóng điện áp ngõ ra một chiều.
Điện trở RTải (Rt): Ngoài nhiệm vụ là tải tiêu thụ công suất. Điện trở này cũng làm
ảnh hưởng thời gian xả tụ C nhanh hay chậm làm ổn định điện áp DC.
c. Sơ đồ dạng sóng tín hiệu ngõ ra Ur
Hình 1. 23: Dạng sóng mạch chỉnh lưu một bán kỳ có tụ điện
Hình 1. 24: Dạng sóng mạch chỉnh lưu hai bán kỳ có tụ lọc C
Hình 1. 25: Mô phỏng dạng sóng mạch chỉnh lưu hai bán kỳ có tụ lọc C.
d. Nguyên lý hoạt động:
26
- Khi điện áp của tụ điện UC < Vm thì tụ điện C thực hiện quá trình nạp điện, với
hằng số thời gian nạp  = RDC. (Trong trường hợp này Diode phân cực thuận nên
RD có giá trị nhỏ).
- Khi điện áp của tụ điện UC >Vm thì tụ điện C thực hiện quá trình xả điện, với
hằng số thời gian nạp  = RTải C. (Trong trường hợp này Diode phân cực thuận nên
RD có giá trị lớn).
e. Tính toán các thông số của mạch
- Biên độ điện áp gợn sóng Ur = Vmax - Vmin
- Điện áp gợn sóng tính theo tần số f ngõ vào bộ lọc:

I dc
- Điện áp một chiều Udc = Vm -
2 f LC
Trong đó: Vm: Là biên độ điện áp sau khi qua bộ chỉnh lưu đơn vị (V)
Idc: là dòng điện tải đơn vị (A)
C: Điện dung của tụ lọc đơn vị (F)
fL: Tần số tín hiệu vào bộ lọc(Hz)
Giá trị tụ điện C càng lớn thì điện áp V r(rms) càng nhỏ nên nguồn DC được ổn
định Udc ≈ Vm = √ 2Uhd(ac).
Thường chọn giá trị của tụ điện C khoảng vài trăm µF đến vài ngàn µF
Ví dụ: Điện áp VAC(t) ngõ vào biến thế có tần số f= 60Hz của bộ chỉnh lưu hai
bán kỳ, với giá trị tụ C= 100µF và dòng điện tải I DC = 50mA, RTải = 2k. Tính điện
áp gợn sóng, điện áp một chiều VDC, Độ gợn sóng ngõ ra của bộ lọc tụ C. Viết biểu
thức VAC(t) và tính điện áp hiệu dụng Vhd(AC).
Giải:
- Đối với nguồn chỉnh lưu hai bán kỳ nên tần số ngõ vào bộ lọc: fL = 2f = 120Hz
I DC 50 . 10−3
V r (rms )= = =1 , 2V
- Điện áp gợn sóng hiệu dụng: 2 √3 f L . C 2 √ 3 . 120. 100 .10−6
- Điện áp một chiều VDC: VDC = IDC.RTải = 50.10-3. 2.103 = 100V

Vr
( rms) 1,2
r= ×100 0 0 = ×100 0 0 =1 , 2 0 0
- Độ gợn sóng r ngõ ra của bộ lọc tụ C. V DC 100
- Viết biểu thức VAC(t):
Biên độ điện áp độ gợn sóng: Vmr =
27
Biên độ điện áp độ Vm(AC) = VDC + Vmr = 100+ 1.697 102V
Vậy biểu thức VAC(t) = 102sin120t (V)
V m ( AC) 102
V hd ( AC )= = =72 ,12 V
- Tính điện áp hiệu dụng √2 √2
f. Ứng dụng của mạch
Thường dùng trong các mạch lọc nguồn đơn giản nhằm ổn định mức điện áp.
1.6.4. Lắp ráp mạch lọc RC và mạch lọc C
a. Lắp ráp mạch lọc RC:
Bước 1: Ráp mạch điện như hình 1.26 chọn:
Biến thế điện áp ngõ vào 220V, điện áp ngõ ra các giá trị 12V.
Diode 1N 4007 (số lượng 4)
Tụ điện C1, C2 trị số 10μF- 25V
Điện trở R = 100Ω, RT= 10kΩ.
Hình 1. 26: Mạch thực hành chỉnh lưu cả chu kỳ có bộ lọc RC.
Bước 2: Lắp mạch chỉ có biến thế, cầu chỉ lưu 4 dioe và tụ C1 (không có R, C2, RT)
Dùng đồng hồ VOM đo điện áp hiêu dụng tại VAdc =..................................................
Bước 3: Thực hiên phép đo dùng dao động ký (Osillocope):
- Chọn kênh CH1 (CHA) đo điện áp VAC, CH2 (CHB) đo điện áp VAdc.
- Vẽ dạng sóng điện áp VAC(V) , điện áp VAdc(V) trên cùng hệ trục.
28
Hình 1. 27: Vẽ dạng sóng điện áp VAC , điện áp VADC trên cùng hệ trục.
- Tính điện áp gợn sóng Ur(rms) = ..............................................................................
- Tính độ gợn sóng r = .............................................................................................
Bước 4: Lắp thêm R, C2, RT như hình 1.26
Dùng đồng hồ VOM đo điện áp hiêu dụng tại VDC =..................................................
- Chọn kênh CH1 (CHA) đo điện áp VAdc, CH2 (CHB) đo điện áp VDC.
- Vẽ dạng sóng điện áp VAdc(V) , điện áp VDC(V) trên cùng hệ trục.
Hình 1. 28: Vẽ dạng sóng điện áp VAdc , điện áp VDC trên cùng hệ trục.
29
- Tính độ gợn sóng r = .............................................................................................
- Bước 6: Nhận xét chung:........................................................................................
* Kiểm tra và sửa chữa các hỏng hóc của mạch
Khi lắp mạch cần phải để ý đến cực tính và giá trị điện áp làm việc của tụ
điện, nếu lắp tụ không đúng thì tụ điện sẽ bị nóng và nổ.
b. Thực hành lắp ráp mạch lọc C
Bước 1: Lắp ráp mạch điện như hình 1.29
Chọn biến thế điện áp ngõ vào 220V, điện áp ngõ ra các giá trị 12V.
Diode 1N 4007 (số lượng 4),
Tụ điện C có các trị số 1μF- 50V; 10μF- 25V, 100μF- 25V, 2200μF- 25V
Tải RL= 10kΩ.
Hình 1. 29: Mạch thực hành chỉnh lưu hai bán kỳ có tụ lọc C
Bước 2: Dùng đồng hồ VOM đo điện áp hiêu dụng VhdDC theo bảng số liệu 1.4
Bảng 1. 4: Bảng số liệu khảo sát cho trước
Trị số tụ C 1μF- 50V 10μF- 50V 100μF- 50V 2200μF- 50V
VhdDC (V)
Nhận xét giá trị VhdDC khi trị số tụ C tăng dần: ..........................................................
.....................................................................................................................................
Bước 3: Thực hiên phép đo dùng dao động ký (Osillocope)
- Chọn trị số tụ điện 1μF- 50V.
- Vẽ dạng sóng điện áp VAC(V), điện áp VDC(V) trên cùng hệ trục.
30
Hình 1. 30: Vẽ dạng sóng điện áp VAC , điện áp VDC trên cùng hệ trục
- Tính Ur(rms) = ..........................................................................................................
- Tính độ gợn sóng r = .............................................................................................
- Chọn trị số tụ điện 2200μF- 50V.
- Vẽ dạng sóng điện áp VAC(V), điện áp VDC(V) vào hình 1.31.
- Tính độ gợn sóng r = .............................................................................................
- Nhận xét giá trị điện áp gợn sóng Ur(rms), độ gợn sóng r:........................................
31
................................................................................................................................
Khi lắp mạch cần phải để ý đến cực tính và giá trị điện áp làm việc của tụ
điện, nếu lắp tụ không đúng thì tụ điện sẽ bị nóng và nổ.
1.7. Mạch chỉnh lưu nhân đôi điện áp
a. Mạch điện:
Hình 1. 32: Mạch chỉnh lưu nhân đôi điệp áp kiểu Schenbel
Hình 1. 33: Mạch chỉnh lưu nhân đôi điệp áp kiểu Latour.
- Biến thế: Làm thay đổi mức điện áp nguồn AC (xoay chiều).
- Diode (D1; D2): Nắn điện chuyển nguồn điện AC thành nguồn DC (một chiều).
- Tụ điện C1, C2: Nạp xả điện làm tăng mức điện áp.
1.7.2. Nguyên lý hoạt động của mạch điện
(kiểu Schenbel)
- Xét ở bán kỳ âm (VAC < 0) thì D1 dẫn điện; D2 ngưng dẫn điện.
I D =0
Diode D2 ngưng dẫn điện 2 (hở mạch D2).
32
ID ⇒U C 1 =V ( AC)
Diode D1 dẫn điện dòng điện 1 nạp vào tụ C1 điện áp V(AC)
- Xét ở bán kỳ dương (VAC > 0) thì D1 ngưng dẫn điện; D2 dẫn điện.
I D =0
Diode D1 ngưng dẫn điện 1 (hở mạch D1)
Diode D2 dẫn điện dòng điện ID2 nạp tụ C2 gồm 2 thành phần điện áp của U C1 =
V(AC) và điện áp ở bán kỳ dương V(AC) nên .
Hình 1. 34: Kết quả mô phỏng mạch chỉnh lưu nhân đôi điệp áp kiểu
Schenbel
Hình 1. 35: Kết quả mô phỏng mạch chỉnh lưu nhân đôi điệp áp kiểu Latour.
* Ứng dụng của mạch điện:
Dùng tạo ra một bộ nguồn một chiều (DC) có điện áp tương đối lớn có dòng
điện nhỏ cung cấp cho các thiết bị.
1.7.3. Lắp ráp mạch chỉnh lưu nhân đôi điện áp
Chọn biến thế điện áp ngõ vào 220V điện áp ngõ ra các giá trị: 3V; 4,5V;
6V; 7,5V; 9V; 12V.
Diode 1N 4007 ( số lượng 2); Tụ C1, C2 trị số 2200μF- 25V; Tải RTải = 10kΩ.
33
Hình 1. 36: Mạch chỉnh lưu nhân đôi điệp áp kiểu Latour
Bước 2: Dùng VOM đo điện áp VhdDC tại ngõ ra của biến thế theo bảng số liệu 1.5
Bảng 1. 5: Số liệu khảo sát cho trước
Điện áp AC 3V 4,5V 6V 7V 9V 12V
VhdAC(V)
VhdDC(V)
V hdDC
Hệ số K 15=
V hdAC
- Nhận xét giá trị hệ số K15:......................................................................................

Bước3: Thực hiện phép đo dùng dao động ký (Osillocope)
Chọn mức điện áp ngõ vào VhdAC = 6V, vẽ dạng sóng VAC , VDC vào hình 1.28
Chọn kênh CH1 (CHA) đo điện áp VAC, CH2 (CHB) đo điện áp VDC.
Xác định giá trị biên độ đỉnh Vm(AC) =...................................................................
Xác định giá trị biên độ đỉnh Vm(DC) = ..................................................................
34
Hình 1. 37: Vẽ dạng sóng điện áp VAC , điện áp +VDC trên cùng hệ trục
- Tính hệ số A1.5 = ......................... Biết giá trị Vhd(AC) = A1.5 Vm(AC)
- Tính hệ số B1.5 = ......................... Biết giá trị Vhd(DC) = B1.5 Vm(DC)
Nhận xét chung giá trị các hệ số A1.5, B1.5, C1.5: ............................................................
………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………..
1.8. Câu hỏi trắc nghiệm và Bài tập
1.8.1. Câu hỏi trắc nghiệm
Câu 1: Mạch lọc của mạch nguồn một chiều sử dụng:
A. Tụ hóa
B. Tụ giấy
C. Tụ mica
D. Tụ gốm
Câu 2: Trong mạch nguồn một chiều, điện áp ra sau khối nào là điện áp một chiều
A. Biến áp nguồn
B. Mạch chỉnh lưu
C. Mạch lọc một chiều
D. B và C
Câu 3: Chọn phát biểu đúng nhất
A. Biến áp nguồn dùng biến áp
B. Mạch chỉnh lưu dùng điôt
C. Mạch lọc dùng tụ hóa
D. Cả 3 đáp án đều đúng
Câu 4: Chọn phát biểu sai:
35
A. Mạch chỉnh lưu dùng một điôt có độ gợn sóng lớn, tần số 50 Hz, lọc và
san bằng độ gợn sóng khó khăn, kém hiệu quả.
B. Mạch chỉnh lưu dùng hai điôt có độ gợn sóng nhỏ, tần số 100 Hz, dễ lọc.
C. Mạch chỉnh lưu cầu có độ gợn sóng nhỏ, tần số 100 Hz
D. Cả 3 đáp án trên đều sai.
Câu 5: Đâu là mạch điện tử?
A. Mạch khuếch đại
B. Mạch tạo xung
C. Mạch điện tử số
D. Cả 3 đáp án trên
Câu 6: Phát biểu nào sau đây là đúng:
A. Mạch chỉnh lưu dùng điôt tiếp điểm để đổi điện xoay chiều thành một
chiều
B. Mạch chỉnh lưu dùng điôt tiếp mặt để đổi điện xoay chiều thành một
chiều
C. Mạch chỉnh lưu dùng pin để tạo ra dòng điện một chiều
D. Mạch chỉnh lưu dùng ac quy để tạo ra dòng điện một chiều
Câu 7: Mạch chỉnh lưu nửa chu kì:
A. Là mạch chỉnh lưu chỉ sử dụng một điôt
B. Hiệu suất sử dụng biến áp nguồn thấp
C. Trên thực tế ít được sử dụng
Câu 8: Nhiệm vụ của khối biến áp nguồn là
A. Đổi điện xoay chiều thành điện một chiều
B. Đổi điện xoay chiều 220 V thành điện xoay chiều có mức điện áp cao hơn
C. Đổi điện xoay chiều 220 V thành điện xoay chiều có mức điện áp thấp
hơn
D. Đổi điện xoay chiều 220 V thành điện xoay chiều có mức điện áp cao hay
thấp tùy theo yêu cầu của tải.
Câu 9: Mạch chỉnh lưu được sử dụng nhiều trên thực tế:
A. Mạch chỉnh lưu dùng một điôt
B. Mạch chỉnh lưu dùng hai điôt
36
C. Mạch chỉnh lưu dùng 4 điôt
Câu 10: Phát biểu nào sau đây sai:
A. Mạch chỉnh lưu nửa chu kì chỉ dùng một điôt
B. Mạch chỉnh lưu dùng một điôt sóng ra có độ gợn sóng lớn
C. Mạch chỉnh lưu cầu có cấu tạo phức tạp do dùng bốn điôt
D. Mạch chỉnh lưu cầu có cấu tạo đơn giản do biến áp nguồn không có yêu
cầu đặc biệt
1.8.2. Bài tập
Bài1: Cho điện áp nguồn tín hiệu xoay chiều hình sin ngõ vào bộ chỉnh chỉnh lưu
một bán kỳ có biên độ đỉnh Vp(ac) =100V.
Câu 1: Tính giá trị hiệu dụng điện áp nguồn xoay chiều Vhd(ac).
Câu 2: Tính giá trị hiệu dụng điện áp nguồn một chiều ở ngõ ra Vhd(DC).
Đáp số: Vhd(ac) = 70,71(V); Vhd(DC) = 31,82(V)
Bài 2: Dùng VOM đo điện áp nguồn tín hiệu xoay chiều hình sin ngõ vào bộ chỉnh
chỉnh lưu hai bán kỳ là 12V (Vhd(ac) =12V).
Câu 1: Tính giá trị biên độ đỉnh điện áp nguồn xoay chiều Vp(ac).
Đáp số: Vm(ac) = 17(V); Vhd(DC) = 10,8(V)
chỉnh lưu nhân đôi điện áp là 12V (Vhd(ac) =12V).
Câu 1: Tính giá trị biên độ đỉnh- đỉnh điện áp nguồn xoay chiều Vp-p(ac).
Đáp số: Vp-p(ac) = 34(V); Vhd(DC) ≈ 44(V)
chỉnh lưu nhân ba điện áp là 24V (Vhd(ac) =24V). Hãy tính giá trị hiệu dụng điện áp
nguồn một chiều ở ngõ ra Vhd(DC).
Đáp số: Vhd(DC) ≈102(V)
37
Bài 2: MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ DÙNG BJT
A. Giới thiệu:
Các tín hiệu được tạo ra và/ hoặc thu được có biên bộ nhỏ, nên cần phải đưa
vào bộ khuếch đại tín hiệu nhỏ để có biên độ lớn hơn đáp ứng được yêu cầu đưa ra.
Transistor lưỡng cực hay còn gọi là BJT (Bipolar- Junction-transistor) có chức
năng nổi bật là tính khuếch đại, mạch khuếch đại có nhiều ưu điểm so với bộ
khuếch đại dùng đèn điện tử chân không như: Kích thước transistor nhỏ gọn, nguồn
cung cấp cho mạch khuếch đại đơn giản, ít tiêu hao công suất, hoạt động được dãy
tần số rộng, tính ổn định và tuổi thọ cao.
Ngày nay, mạch khuếch đại dùng transistor lưỡng cực gần như thay thế hoàn
toàn đèn điện tử chân không. Mạch khuếch đại dùng transistor lưỡng cực được sử
dụng nhiều trong các hệ thống tự động điều khiển hoạt động như một công tắt điện
đóng mở. Ngoài ra dựa vào chức năng khuếch đại tạo nền tảng để phát triển cho
ngành công nghệ cao như chế tạo ra vi mạch IC.
B. Mục tiêu:
- Phân tích được nguyên lý làm việc của các mạch mắc tranzito BJT cơ bản
- Phân biệt đúng ngõ vào và ra tín hiệu trên sơ đồ mạch điện và thực tế theo
các tiêu chuẩn mạch điện.
- Kiểm tra được chế độ làm việc của tranzito theo sơ đồ thiết kế.
- Thiết kế, lắp ráp được các mạch khuếch đại dùng tranzito đơn giản theo
yêu cầu kỹ thuật.
- Rèn luyện tính tỷ mỉ, chính xác, an toàn và vệ sinh công nghiệp.
C. Nội dung:
2.1. Khái quát chung
2.1.1. Khái niệm về tín hiệu
Các tín hiệu được tạo ra và/ hoặc thu được có biên bộ nhỏ, nên cần phải đưa
vào bộ khuếch đại tín hiệu nhỏ để có biên độ lớn hơn đáp ứng được yêu cầu đưa ra.
38
Khuếch đại là quá trình biến đổi một đại lượng (dòng điện hoặc điện áp) từ
biên độ nhỏ ở ngõ vào thành biên độ lớn hơn nhiều ở ngõ ra mà không làm thay đổi
tần số của nó. Mạch khuếch đại được sử dụng trong hầu hết các thiết bị điện tử, như
mạch khuếch đại âm tần trong Âmply, khuếch đại tín hiệu video, v.v ...
Hình 2. 1: Mạch khuếch đại điện áp tín hiệu nhỏ

Có ba loại mạch khuyếch đại chính là :
- Khuếch đại về điện áp: Là mạch khi ta đưa một tín hiệu có biên độ nhỏ
vào, đầu ra ta sẽ thu được một tín hiệu có biên độ lớn hơn nhiều lần.
- Mạch khuếch đại về dòng điện: Là mạch khi ta đưa một tín hiệu có cường
độ yếu vào, đầu ra ta sẽ thu được một tín hiệu cho cường độ dòng điện mạnh hơn
nhiều lần.
- Mạch khuếch đại công xuất: Là mạch khi ta đưa một tín hiệu có công xuất
yếu vào, đầu ra ta thu được tín hiệu có công xuất mạnh hơn nhiều lần. Thực ra
mạch khuếch đại công xuất là kết hợp cả hai mạch khuếch đại điện áp và khuếch
đại dòng điện làm một. Transistor được sử dụng trong mạch khuếch đại gồm: FET
và BJT. Trong đó FET có ưu điểm về kích thước và điện áp cung cấp thấp, dẫn đến
công suất tiêu thụ thấp hơn BJT và độ tin cậy cao hơn BJT. Tuy nhiên FET lại có
nhược điểm là điện dẫn g nhỏ và nhạy cảm với điện tích tĩnh, do đó FET thường
được tích hợp trong mạch IC, còn BJT thường dùng cho các mạch rời. Trong phạm
vi bài học này tập trung vào việc ứng dụng BJT trong mạch khuếch đại tín hiệu
nhỏ.
39
2.1.2. Các dạng tín hiệu
Tín hiệu cũng là một trong những vấn đề cơ bản nhất của truyền tải dữ liệu
hay khuếch đại. Tín hiệu là một đại lượng vật lý chứa đựng thông tin hay dữ liệu có
thể truyền đi xa và tách thông tin ra được. Hầu hết các tín hiệu đáng quan tâm đều ở
dạng các hàm số, các phân bố hay các quá trình thay đổi ngẫu nhiên của thời
gian hoặc vị trí. Hay cũng có thể hiểu tín hiệu (signal) chính là sự biến thiên của
biên độ theo thời gian. Biên độ có thể là điện áp, dòng điện, công suất, v.v.., nhưng
thường được hiểu là điện áp. Ở đây có yếu tố biên độ và yếu tố thời gian.
Tín hiệu có thể do mạch điện tử tạo ra rồi truyền tải trong mạch điện tử hay
môi trường truyền thông. Đôi khi tín hiệu do một cảm biến hay bộ chuyển đổi tín
hiệu đổi thành tín hiệu điện, ví dụ cái vi âm (microphone) chuyển đổi sự rung động
trong không khí thành tín hiệu âm thanh, máy ảnh video (video camera) chuyển đổi
ánh sáng và màu sắc của cảnh thành những tín hiệu hình ảnh màu, v.v..
Tín hiệu thường được phân tích trong miền tần số. Phương pháp này áp dụng
cho các loại tín hiệu, cả tín hiệu liên tục hay rời rạc theo thời gian. Nghĩa là khi cho
một tín hiệu đi qua một hệ thống tuyến tính, không đổi theo thời gian, thì phổ tần
số của tín hiệu đầu ra sẽ bằng tích của phổ tần số của tín hiệu đầu vào và đáp ứng
xung của hệ thống
Một đặc tính quan trọng của tín hiệu là entropy hay còn gọi là lượng tin.
Phân loại tín hiệu dựa vào nhiều tiêu chí khác nhau:
- Về dạng sóng: tín hiệu sin, vuông, xung, răng cưa,…
- Về tần số: ín hiệu hạ tần, âm tần (AF), cao tần (HF), siêu cao tần (VHF), cực
cao tần (UHF), v.v., hoặc đôi khi phát biểu theo bước sóng: sóng rất dài (VLF),
sóng dài (LW), sóng trung bình (MW), sóng ngắn (SW), sóng centimet, sóng
milimet, sóng vi ba, sóng nanomet,…
- Về thời gian rời rạc - thời gian liên tục: tín hiệu rời rạc (về mặt thời gian) là tín
hiệu chỉ xác định trên một tập rời rạc của thời gian (một tập những thời điểm rời
rạc). Dưới dạng toán học, tín hiệu rời rạc mang giá trị thực (hoặc phức) có thể được
xem là một hàm liên kết tương ứng từ tập số tự nhiên đến tập số thực (hoặc phức).
Tín hiệu liên tục (về mặt thời gian) là tín hiệu mang giá trị thực (hoặc phức) xác
định với mọi thời điểm trong một khoảng thời gian, trường hợp phổ biến nhất là
một khoảng thời gian vô hạn.
40
- Về dạng sóng hay sự liên tục, người ta còn phân ra tín hiệu tương tự (analog)
hay liên tục thời gian (continuous time) và tín hiệu số (digital) hay rời rạc thời gian
(discrete-time). Tín hiệu tương tự là tín hiệu có giá trị thay đổi liên tục theo thời
gian. Tín hiệu số là tín hiệu đã được lấy mẫu và lượng tử hóa. Lấy mẫu là quá trình
biến một tín hiệu tương tự thành một tín hiệu rời rạc theo thang thời gian. Định lý
lấy mẫu (Shannon-Nyquist) nói rằng muốn khôi phục một tín hiệu băng tần gốc
liên tục theo thời gian thì băng thông của tín hiệu ban đầu phải có giới hạn và tần số
lấy mẫu phải lớn hơn hai lần băng thông của tín hiệu ban đầu
- Về tính xác định: tín hiệu xác định (deterministic) và tín hiệu ngẫu nhiên
(random)
- Về tính tuần hoàn: tín hiệu tuần hoàn (periodic) có dạng sóng lặp lại sau mỗi
chu kỳ, và tín hiệu không tuần hoàn không có sự lặp lại tức không có chu kỳ
2.1.3. Sơ đồ tổng quát của mạch khuếch đại
Mạch khuếch đại là một thiết bị điện tử được đặc trưng bởi mạng bốn cực, khi
đưa tín hiệu ngõ vào công suất nhỏ thì nhận ở ngõ ra công suất lớn nhưng tín hiệu
không bị biến dạng.
Trong lĩnh vực điện tử linh kiện có tính năng khuếch đại như: Transistor
lưỡng nối (BJT), Transistor trường ứng (FET)... vì các linh kiện trên nhận tín hiệu
ngõ vào Vin(t) rất nhỏ, điều khiển được tín hiệu ở ngõ ra lớn hơn gấp nhiều lần.
Thí dụ: Transistor BJT nhận ở ngõ vào i in(t) =ib và Vin (t)= Vb(t) có trị số rất
nhỏ, nhưng có thể điều khiển ở ngõ ra i out(t) =ic, và Vout (t)= Vc(t) có trị lớn hơn
hàng trăm lần.
Hình 2. 2: Mô tả mạch khuếch đại

Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ cần xác định:
V out (t )
AV =
- Hệ số khuếch đại điện áp V in (t ) .
41
i out ( t )
Ai =
- Hệ số khuếch đại dòng điện iin ( t ) .
* Mạch tương đương xoay chiều của transistor BJT

Transistor BJT là linh kiện phi tuyến, nhưng khi xét với tín hiệu trong phạm
vi biến thiên nhỏ thì mức độ phi tuyến ảnh hưởng không lớn, nên có thể xem như
mạch tuyến tính. Trong chế độ tín hiệu nhỏ do tính tuyến tính nên transistor được
vẽ thành các mạch tương đương xoay chiều gồm điện trở và nguồn dòng, để có thể
tính toán và phân tích theo các nguyên lý của lý thuyết mạch điện. Các mô hình
tương đương như:
- Mô hình thông số re (tần số thấp)
- Mô hình thông số hỗn tạp h (tần số thấp)
- Mô hình thông số hỗn tạp π (tần số cao)
- Mô hình thông số y (tần số cao)
Trong bài này, chúng ta khảo sát chủ yếu transistor BJT NPN và phân tích
tín hiệu nhỏ theo mô hình thông số re (các kết quả và phương pháp phân tích vẫn
đúng với BJT PNP, chỉ cần chú ý đến chiều dòng điện và cực tính của nguồn điện
áp một chiều).
BJT là linh kiện điều khiển dòng ra bằng dòng vào nên mô hình tương
đương xoay chiều của nó luôn có nguồn dòng được điều khiển bởi một dòng điện
khác.Với mô hình tương đương xoay chiều của BJT, các tổng trở vào và tổng trở ra
ta có mạch tương đương kiểu re . Trong kiểu tương đương này thường dùng chung
một mạch cho kiểu ráp cực phát chung và cực thu chung và một mạch riêng cho ráp
cực nền chung.
- Mạch cực phát chung (E chung) hoặc thu chung (C chung):
Hình 2. 3: Sơ đồ mạch tương đương

Nguồn dòng: ic = βib , β là độ lợi dòng điện xoay chiều trong cách mắc cực
phát/thu chung (được nhà sản xuất cung cấp).
42
- Mạch cực nền chung (B chung):
Hình 2. 4: Sơ đồ tương đương mạch khuếch đại cực nền chung (BC)
Nguồn dòng: ic = αie , α là độ lợi dòng điện xoay chiều trong cách mắc cực nền
chung (được nhà sản xuất cung cấp).
Ghi chú: thường thì có thể bỏ ro trong mạch tương đương khi điện trở RC quá
lớn. Trong mô hình trên ta có điện trở động ở nhiệt độ phòng (25oC):
re = CQ 26(mV)/I CQ (Ω),
re phụ thuộc vào điểm làm việc tĩnh (một chiều) Q (IBQ, ICQ, VCEQ).
Điểm làm việc tĩnh ảnh hưởng đến re nên ảnh hưởng đến khả năng khuếch đại tín
hiệu xoay chiều.
Việc tính toán và phân tích mạch khuếch đại dùng transistor bao gồm các
phần sau:
- Tính toán chế độ một chiều (hay phân cực transistor )
- Tính toán các tham số ở chế độ xoay chiều (chế độ động).
2.1.4. Các tham số cơ bản của mạch khuếch đại
Độ lợi
- Độ lợi của mạch khuếch đại là tỷ số giữa công suất đầu ra Pout và công
suất đưa vào Pin. Cụ thể là: Kp = Pout/Pin.
Trên thực tế, độ lợi được tính bằng thang đo decibel: G(dB) = 20lg
(Pout/Pin)
- Độ lợi điện áp: Một trong những đặc tính quan trọng nhất của mạch khuếch
đại là độ lợi điện áp, chính là tỷ số điện áp ngỏ ra và ngỏ vào: Av = Vo/Vi
- Độ lợi dòng điện: Độ lợi dòng điện được xác định bởi phương trình:
Ai = Io/Ii
Tổng trở ra Zo
43
Tổng trở ra thường được xác định tại các đầu ngỏ ra nhưng hoàn toàn khác
với tổng trở. Sự khác nhau đó là: tổng trở ra được xác định tại các đầu ngỏ ra nhìn
vào hệ thống khi không có tín hiệu ở ngỏ vào.
Zo = Vo/Io
Mối quan hệ về pha
Mối quan hệ về pha của tín hiệu vào và tín hiệu ra dạng sin rất quan trọng.
Đối với các mạch khuếch đại transistor ở dãi tần trung bình cho phép bỏ qua ảnh
hưởng của các phần tử dung kháng, tín hiệu vào và tín hiệu ra có thể cùng pha hoặc
ngược pha nhau 180 tùy theo đặc tính của mạch.
Dải động ngõ ra
Dải động ngõ ra là một dải biên độ, thường sử dụng đơn vị dB, là khoảng
cách giữa tín hiệu lớn nhất và tín hiệu nhỏ nhất mà đầu ra có thể phản ánh được. Vì
tín hiệu nhỏ nhất thường bị giới hạn bởi biên độ nhiễu, nên người ta lấy luôn tỷ số
giữa biên độ tín hiệu lớn nhất và nhiễu làm dải động ngõ ra.
Băng thông và thời gian đáp ứng
Băng thông của một mạch khuếch đại thường được xác định theo sự khác
biệt giữa tần số thấp nhất và tần số cao nhất ở điểm mà hệ số khuếch đại giảm còn
1/2. Thông số này còn gọi là băng thông −3 dB. Trong trường hợp những băng
thông ứng với những độ chính xác khác nhau thường phải ghi chú thêm, thí dụ như
(−1 dB, −6 dB, v.v.).
Thời gian trả về và sai số
Đó là thời gian để ngõ ra trả về đến một mức nào đó (thí dụ 0,1%) của tín
hiệu hoàn chỉnh. Điều này thường được đặt ra với các mạch khuếch đại trục tung
của máy hiện sóng và các mạch khuếch đại trong các hệ thống đo lường chính xác.
Tốc độ đáp ứng
Tốc độ đáp ứng là tốc độ thay đổi tín hiệu cao nhất ở ngõ ra và được tính
bằng volt/giây (hoặc mili giây, micro giây).
Tạp âm
Tạp âm chính là tiếng ồn, nhiễu được hiển thị số đo trong quá trình khuếch
đại. Đây là những phần không mong muốn và rất khó tránh khỏi của các linh kiện
trong mạch. Tạp âm được đo bằng thang decibel.
Hiệu suất
44
Hiệu suất là một số đo biểu thị mức độ bao nhiêu công suất tiêu thụ ở hệ
thống đã được chuyển hóa thành năng lượng hữu ích ở đầu ra của mạch khuếch đại.
Các mạch khuếch đại chế độ A có hiệu suất rất thấp, trong khoảng từ 10 đế
20%, và hiệu suất tối đa là 25%.
Các mạch khuếch đại chế độ B hiện đại có hiệu suất trong khoảng 35 đến
55%, với hiệu suất cao nhất theo lý thuyết là 78,5%.
Các mạch khuếch đại chế độ D tiên tiến sử dụng kỹ thuật điều biến độ rộng
xung cho hiệu suất lên đến 97%.
Hiệu suất của một mạch khuếch đại giới hạn độ lớn của công suất hữu dụng
ở ngõ ra. Lưu ý rằng các mạch khuếch đại có hiệu suất cao sẽ chạy mát hơn, và có
thể không cần đến quạt làm mát ngay cả khi thiết kế lên đến nhiều kilowatt.
Độ tuyến tính
Một mạch khuếch đại lý tưởng phải là một thiết bị tuyến tính hoàn toàn,
nhưng những mạch khuếch đại thực tế thường chỉ tuyến tính trong một phạm vi
giới hạn nào đó. Khi tín hiệu được đưa đến đầu vào tăng, thì đầu ra cũng tăng theo
cho đến khi đạt đến một điểm mà một linh kiện nào đó trong mạch bị bão hòa, và
không thể cho thêm tín hiệu ra. Ta nói tín hiệu bị cắt xén, và đây là một trong
những nguyên nhân gây ra méo dạng.
Tỉ số tín hiệu trên tạp âm
Tỉ số của tín hiệu/ tạp âm = S/N
S: Tín hiệu hữu ích
N: tạp âm
2.2. Mạch mắc theo kiểu cực phát chung (EC)
2.2.1. Mạch điện và tác dụng linh kiện
a. Sơ đồ mạch:
Hình 2. 5: Mạch khuếch đại E chung

b. Tác dụng của linh kiện :
- Điện trở R1, R2 phân áp cấp nguồn cho cực B tạo chế độ làm việc tĩnh.
45
- Điện trở RE phân cực cho cực E và tạo ổn định nhiệt.
- Điện trở RC phân cực cho cực C.
- Tụ điện Ci, Co ngăn dòng một chiều (DC) ở ngõ vào và ra.
2.2.2. Nguyên lý làm việc:

Điện áp VCC nguồn một chiều dùng để cấp nguồn cho transistor hoạt động tạo
điểm làm việc tĩnh Q(UCEQ, ICQ). Mạch khuếch đại E chung thường được định thiên
điện áp UCEQ khoảng (60 ÷ 70) % Vcc.
Tín hiệu ngõ vào Vin(t) vào cực B thay đổi làm dòng điện i b cũng thay đổi
theo; Khi điện áp Vin(t) tăng thì dòng điện ib(t) tăng dẫn đến ic(t) =hfe.ib(t) tăng, điện
áp ngõ ra Vo(t) = - RC ‖R L . i c ( t ) trên cực C giảm làm mạch có tính đảo pha. Ngược lại
điện áp Vin(t) giảm, thì điện áp ngõ ra Vo(t) tăng.
Hình 2. 6: Mô phỏng mạch khuếch đại E chung

2.2.3. Các thông số cơ bản
* Vẽ sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ
- Qui tắc khi vẽ sơ đồ mạch tương tín hiệu nhỏ (vẽ mạch xoay chiều): Khi
vẽ sơ đồ tương đương tín hiệu cần xem thành phần một chiều (DC) bằng không,
điện áp trên tụ bằng 0 (UC=0) chập mạch ở tụ.
- Sơ đồ mạch tương đương tín hiệu nhỏ của transistor theo thông số
hydrid [H] như sau:
46
Hình 2. 7: Sơ đồ mạch tương đương tín hiệu nhỏ đầy đủ của Transistor BJT
iC
h fe ≈β=
- Hệ số khuếch đại dòng ib
- Trở kháng ngõ vào giữa cực B và cực E:

VT
h ie=m×h fe×
I EQ với m = (12) thường chọn m = 1, VT = 25mV.
VT
re = ⇒ h ie=β×r e
Đặt I CQ
- Tham số hre, hoe có giá trị rất nhỏ thường bỏ qua.
Hình 2. 8: Sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ bỏ qua hre, hoe của Transistor BJT
Hình 2. 9: Sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ mạch khuếch đại E chung
* Các thông số
Tính điểm làm việc Q(VCEQ, ICQ)
Qui tắc vẽ sơ đồ mạch một chiều (DC) xem tín hiệu xoay chiều (AC) bằng
không, dòng điện qua tụ bằng 0 hở mạch ở tụ.
47
Hình 2. 10: Sơ đồ mạch một chiều
Tính toán các thông số:
Tính hệ số khuếch đại dòng điện (Độ lợi về dòng điện)
( )( )
io iL ib RC Rb
Ai = = × =−h fe
ii ib ii RC + R L Rb + hie + ( 1+h fe ) R E
R L ×RC iL RC
V o =i L R L =−hfe i b × ⇒ =−hfe
Chứng minh: Điện áp tại: R L+ R C ib R L + RC (2.1)
Điện áp tại B:
R b ×Z
Z=[ hie + ( 1+h fe ) R E ] ⇒V b =i b ×Z=i i ×
Đặt R b+ Z Với Rb =R 1‖R2
ib Rb Rb
= =
ii Rb + Z R b + hie + ( 1+h fe ) R E
Suy ra
(2.2)
48
Kết hợp (2.1) và (2.2) ta được điều cần chứng minh.
Hệ số khuếch đại điện áp (Độ lợi về điện áp)
( )( )
V o V o ib R ×R L 1
AV = = × =−h fe C
V i ib V b RC + R L hie + ( 1+h fe ) R E
R L×R C Vo R L×R C
V o =−hfe i b × ⇒ =−hfe ×
Chứng minh: Điện áp tại: RL+ RC ib RL+ RC
(2.3)
ib 1
V b =i b [ hie + ( 1+h fe ) R E ] ⇒ =
Vb hie + ( 1+ hfe ) R E
Điện áp tại:
(2.4)
Tổng trở ngõ vào:
Tổng trở ngõ ra: khi Vin =0

Ví dụ 1: Cho mạch khuếch đại E chung hình 2.5. Biết V CC = 24V, R1=50k,
R2=10k, RC = RL = 3,3k, RE = 2,2k. transistor có hfe =  = 50, VBE = 0,7V, m=1,
VT = 25mV.
Câu 1.Vẽ mạch DC, xác định điểm làm việc Q(VCEQ, ICQ,), tính thông số hie.
Câu 2. Vẽ mạch tương đương tín hiệu nhỏ, tính hệ số khuếch đại dòng A i, khuếch
đại áp AV.
Câu 3. Tính trở kháng ngõ vào Zin, trở kháng ngõ ra Zout .
Câu 4. Mắc thêm tụ CE   song song RE. Hãy vẽ sơ đồ mạch tương đương tín
hiệu nhỏ, tính lại hệ số khuếch đại dòng Ai, khuếch đại ápAV.
Giải
Câu 1. Tính thông số hie.
- Vẽ mạch DC và tính Q(VCEQ, ICQ,)
49
VT 25 mV
hie =m×h fe× =1×50× ≈912 Ω=0 , 912 ( k Ω )
- Tính thông số I EQ 1 , 37 mA
Câu 2. Mạch tương đương tín hiệu nhỏ, tính hệ số khuếch đại dòng Ai, khuếch đại
áp AV.
- Vẽ mạch AC:
- Hệ số khuếch đại dòng Ai
( )( )
io RC Rb
Ai = =−h fe
ii RC +R L Rb +hie+ ( 1+hfe ) R E
=−50 (33 ,, 33+3 , 3 )(88 ,, 33+0 , 912+51×2. 2 )=−1 , 7

- Hệ số khuếch đại áp AV
( )( ) (
R ×R L
)( )
Vo 1 3 , 3×3 . 3 1
AV = =−hfe C =−50 =−0 , 73
Vi RC + R L h ie+ ( 1+h fe ) R E 3 , 3+3 . 3 0 , 912+51×2, 2
Câu 3. Tính trở kháng ngõ vào Zin, trở kháng ngõ ra Zout
- Tính trở kháng ngõ vào
V in Rb ×[ hie + ( 1+h fe ) R E ] 8 ,3×( 0912+51×2 , 2 )
Zin = = = =7 , 73 k Ω
ii R b + hie + ( 1+h fe ) R E 8 , 3+ ( 0912+51×2 , 2 )
V out
Z out= =RC =3 , 3 k Ω
- Tính trở kháng ngõ ra: io
50
Câu 4. Mắc thêm tụ CE   song song RE. Hãy vẽ sơ đồ mạch tương đương tín
hiệu nhỏ, tính lại hệ số khuếch đại dòng Ai, khuếch đại áp AV.
- Vẽ sơ đồ mạch tương đương tín hiệu nhỏ
- Tính hệ số khuếch đại dòng Ai.
( )( ) ( )( )
io RC Rb 3 ,3 8 ,3
Ai = =−h fe =−50 =−22 ,53
ii RC + R L R b + hie 3 , 3+3 , 3 8 , 3+0 , 912
- Tính hệ số khuếch đại áp AV.
( )( )
RC ×R L 1
( )( )
Vo 3 , 3×3 , 3 1
AV = =−hfe =−50 =−90 , 46
Vi RC + R L hie 3 , 3+3 , 3 0 , 912
2.2.4. Các đặc tính của mạch EC

- Tín hiệu vào cực B, ra cực C, mạch có tính đảo pha ( vào dương, ra âm)
- Khuếch đại áp và dòng nhỏ.
- Trở kháng ngõ vàotrung bình từ vài trăm Ω đến vài k Ω.
- Trở kháng ngõ ra lớn từ vài kΩ đến trăm k Ω.
* Ứng dụng của mạch khuếch đại E chung
Mạch khuếch đại E chung thường sử dụng các mạch khuếch đại áp tín hiệu
nhỏ công suất thấp, mạch tiền khuếch đại công suất lớn hoạt động ở chế độ A.
Ngoài ra còn dùng để khuếch đại dòng để cung cấp dòng điện đủ lớn cho tải.
2.2.5. Lắp ráp mạch khuếch đại EC
Bước 1. Lắp mạch như hình 2.11
51
Hình 2. 11: Mạch thực hành khuếch đại kiểu E chung
Bước 2. Cấp nguồn Vi’ tín hiệu sin có biên độ Vm= 0,3V, tần số f =1kHz tại A.
Bước 3. Nối 2 điểm B1 và B2.
Bước 4. Tính hệ số khuếch đại áp AV (sử dụng dao động ký Osillocope)
- Chọn kênh CH1 (CHA) đo điện áp Vi, CH2 (CHB) đo điện áp Vo.
- Chỉnh biến trở VR sao cho điện áp V o đạt giá trị lớn nhất và không bị méo
dạng. Vẽ dạng sóng điện áp Vi(V) , điện áp Vo1(V) vào hình 2.12
Hình 2. 12: Vẽ dạng sóng điện áp Vi(V) , điện áp Vo1(V)
- Đo biên độ đỉnh Vi = ..................., biên độ đỉnh Vo =.....................................

Vo
- Tính hệ số khuếch đại áp AV = =
Vi
Bước 5. Tính độ lệch pha φ=φ 0−φ i

a 0
Cách xác định góc lệch pha theo công thức:φ= T .360
52
Hình 2. 13: Đồ thị xác định góc lệch pha
Bước 6. Xác định trở kháng ngõ vào Zi:
- Mắc nối tiếp điện trở RV =220Ω giữa B1 và B2 .
- Đo điện áp tại B1 (VB1), và điện áp tại B2 ( VB2).
RV
Z ¿=
- Tính trở kháng ngõ vào
( V B1
V B2
−1
)
Bước 7. Xác định trở kháng ngõ ra Zo
- Mắc thêm điện trở RL =3,3kΩ.
- Đo điện áp ngõ ra V01 khi chưa mắc tải.
- Đo điện áp ngõ ra V01 khi mắc tải.
- Tính trở kháng ngõ ra Z o=R L ( V o1

V 02
−1 .
)
Bước 8. Mắc thêm tụ điện CE = 100μF
- Hãy tiến hành thực hiện lại các bước từ bước 1 đến bước 8.
Bước 9. Lập bảng so sánh khi mắc tụ CE vào.
Bảng 2. 1: Khảo sát các thông số
Kiểu E chung Av Ai Zi Zo φ
Chưa có tụ Ce
Có tụ Ce
Bước 10. Nhận xét kết quả đo và giải thích trong quá trình chỉnh VR dạng tín
hiệu ngõ ra Vo thay đổi.
.....................................................................................................................................
.....................................................................................................................................
* Kiểm tra hỏng hóc và sửa chữa
Khi tín hiệu ngõ ra không xuất hiện thì ta kiểm tra tín hiệu ngõ vào tại cực B
có tín hiệu không? Kiểm tra điện áp UBE có nằm trong khoảng từ 0,4V đến 0,7V
không? Kiểm tra transistor .
53
2.3. Mạch mắc theo kiểu cực góp chung (CC)
Hình 2. 14: Sơ đồ mạch khuếch đại cực góp chung (CC)
- Điện trở R1, R2 phân áp cấp nguồn cho cực B.
- Điện trở RE phân cực cho cực E.
- Tụ điện Ci, Co ngăn dòng một chiều (DC).
2.3.2. Nguyên lý làm việc
Điện áp VCC nguồn một chiều dùng để cấp nguồn cho Transistor hoạt động tạo
điểm làm việc tĩnh Q(UCEQ, ICQ).
Tín hiệu ngõ vào Vin(t) vào cực B thay đổi làm điện áp V b (t) cũng thay đổi
theo. Khi Vin(t) tăng thì điện áp Vb(t) tăng dẫn đến Vo(t) = Vb(t) - Vbe(t) tăng nên
mạch có tính đồng pha.
54
Hình 2. 15: Mô phỏng mạch khuếch đại cực góp chung (CC)
* Ứng dụng của mạch khuếch đại C chung(CC)
Mạch khuếch đại C chung khuếch đại dòng, không khuếch đại áp nên
thường dùng mạch ngõ ra có dòng lớn, các mạch công suất lớn.
a. Vẽ sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ
Hình 2. 16: Sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ mạch khuếch đại (CC)
b. Tính toán các thông số của mạch
io
Ai =
Hệ số khuếch đại dòng điện (Độ lợi về dòng điện) ii
( )( )
i i i i RC Rb
Ai = o = L × e × b =( 1+ hfe )
ii ie ib ii R C+ R L R b +h ie+(1+h fe )R E‖R L
Chứng minh:
- Điện áp tại: (2.5)
55
ie
i e=( 1+hfe ) i b ⇒ =1+h fe
Ta có ib
(2.6)
V b =i b hie +i e R E ‖R L=i b [ hie + ( 1+ hfe ) R E ‖R L ]
- Điện áp tại:
ZC =[ hie + ( 1+ hfe ) R E ‖R L ]
- Đặt và Rb =R 1‖R2
R b ×Z C ib Rb Rb
V b =i i =i b ×Z C ⇒ = =
R b+ Z C ii R b+ Z C R b +h ie+ ( 1+h fe ) R E‖R L
- Vậy
(2.7)
Kết hợp (6.9) , (6.10) và (6.11) ta được điều cần chứng minh
Vo
AV =
Hệ số khuếch đại điện áp (Độ lợi về điện áp) Vi
( )( )
V o V o V o i e ib R ×R L 1
AV = = = × × =( 1+h fe )× C
V i V b ie ib V b RC + R L hie + ( 1+ hfe ) R E‖R L
Chứng minh:
R L×R C Vo R L×R C
V o =i e × ⇒ =
- Điện áp tại: RL+ RC ie R L + RC (2.8)
ib 1
V b =i b [ hie + ( 1+h fe ) R E ‖R L ] ⇒ =
Vb hie + ( 1+ hfe ) R E ‖R L
- Điện áp tại:
(2.9)
Kết hợp (2.6), (2.8) và (2.9) ta được điều cần chứng minh
V in R b ×(h ie+ ( 1+h fe ) R E‖R L )
Zin = =R b‖Z C =
ii Rb +hie + ( 1+ hfe ) R E‖R L
Tổng trở ngõ vào
V out
Z o= =R E ‖hib
Tổng trở ngõ ra Zo io khi Vin =0
2.3.4. Các đặc tính của mạch CC
- Tín hiệu vào cực B, ra cực E, mạch có tính đồng pha.
- Khuếch đại dòng (dòng điện áp ngõ ra lớn hơn ngõ vào).
- Không khuếch đại áp (điện áp ngõ ra nhỏ hơn ngõ vào).
- Trở kháng ngõ vào vài kΩ đến vài chục kΩ.
- Trở kháng ngõ ra nhỏ vài Ω đến vài trăm Ω.
56
2.3.5. Lắp ráp mạch khuếch đại CC
Hình 2. 17: Mạch thực hành khuếch đại C chung

Bước 2. Cấp nguồn Vi’ tín hiệu sin có biên độ Vm= 0,3V, tần số f =1kHz tại A.
dạng. Vẽ dạng sóng điện áp Vi(V) , điện áp Vo1(V) vào hình 2.18.

Vo
- Tính hệ số khuếch đại áp AV = = ……………………………….
Vi
57
a 0
Hình 2. 19: Đồ thị xác định góc lệch pha

RV
Z ¿=
( V B1
V B2
−1
)

V 02
−1 .
)
Bảng 2. 2: Khảo sát các thông số
Kiểu E chung Av Ai Zi Zo φ
Chưa có tụ Ce
Có tụ Ce
Bước 10. Nhận xét kết quả đo và giải thích trong quá trình chỉnh VR dạng tín hiệu
ngõ ra Vo thay đổi.
.....................................................................................................................................
.....................................................................................................................................
58
không? Kiểm tra transistor.
2.4. Mạch mắc theo kiểu cực gốc chung (BC)

Hình 2. 20: Mạch khuếch đại cực gốc chung (CB)

- Điện trở R1, R2 phân áp cấp nguồn cho cực B.
- Điện trở RE phân cực cho cực E và tạo ổn định nhiệt.
- Điện trở RC phân cực cho cực C.
- Tụ điện CB nối cực B xuống mass đối với tín hiệu xoay chiều.
Điện áp VCC nguồn một chiều dùng để cấp nguồn cho Transistor hoạt động tạo
điểm làm việc tĩnh Q(UCEQ, ICQ).
Tín hiệu ngõ vào Vin(t) vào cực E thay đổi làm điện áp V e (t) cũng thay đổi
theo. Khi Vin(t) tăng thì Ve(t) tăng dẫn đến Vo(t) = Vc(t) = Ve(t) + Vce(t) tăng nên
59
Hình 2. 21: Mô phỏng mạch khuếch đại B chung
* Ứng dụng của mạch khuếch đại B chung
Mạch khuếch đại B chung chỉ khuếch đại áp không khuếch đại dòng nên
thường dùng trong các mạch có dòng ra nhỏ công suất thấp, trở kháng vào thấp nên
dùng khuếch đại tần số cao.
a. Vẽ sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ
Hình 2. 22: Sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ mạch khuếch đại B chung
b. Tính toán các thông số của mạch
Hệ số khuếch đại dòng điện (Độ lợi về dòng điện)
( )( )
i i i RC RE
Ai = o = L × e =
i i i e ii RC + R L R E + hib
R L×RC iL RC
V o =i L R L =−i e× ⇒ =−
Chứng minh: Điện áp tại R L + RC ie R L + RC (2.10)
R E ×hib i RE
V b =−i e hib =i i × ⇒ e =−
Điện áp tại R E +h ib i i R E +hib (2.11)
60
Hệ số khuếch đại điện áp (Độ lợi về điện áp)
R L ×R C Vo R L×R C
V o =−i e × ⇒ =−
Chứng minh: Điện áp tại: RL+ RC ie RL+ RC (2.12)
ie 1
V e =−i e hie ⇒ =−
Điện áp tại: Ve hib (2.13)
V in R ×h
Zin = =R E ‖hib = E ib
Tổng trở ngõ vàoZin : ii R E +hib
V out
Z o= =RC
Tổng trở ngõ ra Zo: io khi Vin = 0
2.4.4. Các đặc tính của mạch BC
- Tín hiệu vào cực E, ra cực C, mạch có tính đồng pha ( vào dương, ra dương).
- Khuếch đại áp; Không khuếch đại dòng (dòng điện ngõ ra nhỏ hơn ngõ vào).
- Trở kháng ngõ vào nhỏ từ vài chục Ω đến vài trăm Ω.
- Trở kháng ngõ ra lớn từ vài chục kΩ đến trăm k Ω.
2.4.5. Lắp ráp mạch khuếch đại BC
Hình 2. 23: Mạch thực hành khuếch đại kiểu B chung

Bước 2. Cấp nguồn Vi’ tín hiệu sin biên độ Vm= 3V, tần số f =1kHz tại A.
61

Vo
Vi

a 0
Hình 2. 25: Đồ thị xác định góc pha

RV
Z ¿=
( V B1
V B2
−1
)
62

V 02 )
−1 .

Bảng 2. 3: Khảo sát các thông số của mạch
Kiểu E chung AV Ai Zi Zo φ
Kết quả đo
Bước 10. Nhận xét kết quả đo và giải thích trong quá trình chỉnh VR dạng tín
hiệu ngõ ra Vo thay đổi.
.....................................................................................................................................
.....................................................................................................................................
.....................................................................................................................................
không? Kiểm tra transistor.
Câu 1. Mạch khuếch đại có chức năng khuếch đại tín hiệu về mặt:
A. Điện áp
B. Dòng điện
C. Công suất
Câu 2. Mạch khuếch đại sử dụng linh kiện nào?
A. Tranzito
B. IC
C. Tranzito hoặc IC
63
D. Đáp án khác
Câu 3: Phát biểu nào sau đây là đúng
A. Khuếch đại điện áp là đưa tín hiệu có biên độ nhỏ vào, đầu ra sẽ thu được tín
hiệu có biên độ lớn hơn nhiều lần.
B. Khuếch đại dòng điện là đưa tín hiệu có cường độ lớn vào, đầu ra sẽ thu được tín
hiệu cho cường độ dòng điện mạnh hơn nhiều lần.
C. Khuếch đại công suất là đưa tín hiệu có công suất yếu vào, đầu ra sẽ thu được tín
hiệu có công suất mạnh hơn nhiều lần.
D. Cả 3 đáp án trên đều đúng
Câu 4: khi BJT dẫn bão hòa thì điện áp CExấp xỉ bằng:
A. 0.7V
B. 0.2V
C. VCC
D. VB
Câu 5: Hệ số khuếch đại điện áp của mạch khuếch đại dùng transistor có công thức:
A. Uvào/Ura
B. Ura/Uvào
C. UC/UB
D. UC/UE
Câu 6: Mạch khuếch đại dùng BJT với cách mắc mạch nào thì tín hiệu ra sẽ ngược
pha với tín hiệuvào:
A. Mạch Emitter chung (EC)
B. Mạch Collector chung (CC)
C. Mạch Base chung (BC)
D. Cả B và C
Câu 7: Mạch khuếch đại dùng BJT với cách mắc mạch nào thì tín hiệu ra sẽ cùng
pha với tín hiệu
vào:
A. Mạch Emitter chung (EC)
B. Mạch Collector chung (CC)
C. Mạch Base chung (BC)
D. Cả B và C
64
Câu 8: Khi mạch khuếch đại bằng BJT được phân cực để hoạt động ở chế độ A thì:
A. tiếp giáp B-E được phân cực thuận và tiếp giáp B-C được phân cực thuận
B. tiếp giáp B-E được phân cực thuận và tiếp giáp B-C được phân cực ngược
C. tiếp giáp B-E được phân cực ngược và tiếp giáp B-C được phân cực thuận
D. tiếp giáp B-E được phân cực ngược và tiếp giáp B-C được phân cực ngược
Câu 9: mạch khuếch đại dùng BJT ở hình 2.26 mắc theo loại nào:
A. Emitter chung (EC)
B. Collector chung (CC)
C. Base chung (EC)
D. cả A, B,C đều sai
Hình 2. 26: Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng Transistor
Câu 10: mạch khuếch đại dùng BJT ở hình 2.27 mắc theo loại nào:
A. Emitter chung (EC)
B. Collector chung (CC)
C. Base chung (EC)
D. cả A, B, C đều sai
65
Hình 2. 27: Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng BJT NPN
Câu 11: Thực chất của việc ổn định điểm làm việc của mạch khuếch đại dùng BJT
là làm cho điểm làm việc không phụ thuộc vào:
A. nhiệt độ
B. β (=IC/IB)
C. Nguồn cung cấp
D. A và B, C đều đúng
Câu 12: Nếu β thay đổi thì sự thiếu ổn định của điểm làm việc trong mạch khuếch
đại dùng BJT như thế nào?
A. UCE thay đổi
B. IC thay đổi
C. IE thay đổi
D. A, B, C đều đúng
Câu 13: Cấu hình Collector chung (CC) có đặc điểm:
A. trở kháng vào cao và trở kháng ra thấp
B. trở kháng vào thấp và trở kháng ra cao
C. trở kháng vào cao và trở kháng ra bằng RC
D. ngoài cac trường hợp trên
Câu 14: Hệ số khuếch đại điện áp của mạch Collector chung (CC):
A. lớn hơn 1
B. bằng 1
C. nhỏ hơn 1
D. bằng β
66
Câu 15: Loại mắc mạch BJT nào dùng cho khuếch đại công suất:
A. BC
B. CC.
C. EC
D. cả A, B, C
Câu 16: Hệ số khuếch đại công suất được xác định theo công thức:
A. Ku.Ki
B. βKu
C. βKi
D. tất cả đều sai
Với Ku là hệ số khuếch đại điện áp, Ki là hệ số khuếch đại dòng điện
Câu 17: Cấu hình Base chung (BC) có đặc điểm:
A. Trở kháng vào cao và trở kháng ra thấp
B. Trở kháng vào thấp và trở kháng ra bằng RC
C. Trở kháng vào cao và trở kháng ra bằng RC
D. Ngoài cac trường hợp trên
Câu 18: Hệ số khuếch đại dòng điện của mạch Base chung (BC):
A. Lớn hơn 1
B. Bằng 1
C. Nhỏ hơn 1 một ít
D. Bằng β
2.5.2. Bài tập
Bài 1: Vẽ mạch điện, phân tích tác dụng linh kiện, nguyên lý làm việc của mạch
khuếch đại với Transistor BJT mắc Bazơ chung.
khuếch đại với Transistor BJT mắc Emitor chung.
khuếch đại với Transistor BJT mắc Colector chung.
Bài 4: Lập bảng nhận xét và cho nhận xét về các thông số: Z v, Zr, Ku, Ki, của mạch
BC, EC, CC.
Bài 5: Cho tầng khuếch đại như hình 2.26, với các thông số đã cho.
67
Hình 2. 28: Mạch khếch đại tín hiệu nhỏ
a) Xác định cách mắc Transistor trong tầng khuếch đại?
b) Tính rE, Rv, Rr, Ku, Ki
Bài 7: Một transistor NPN mắc theo sơ đồ BC, có dòng điện Iv = I E = 50mA, dòng
điện IC = 45mA,
a. Xác định hệ số khuếch đại dòng một chiều α
b. Nếu mắc sơ đồ theo EC, hãy tính hệ số β
Bài 8: Một transistor có dòng tĩnh emitor I E = 1.602mA, dòng tĩnh base IB =
0.016mA, bỏ qua dòng điện ngược.
a. Xác định dòng điện tĩnh colector IC
b. Tính hệ α, β
Bài 9: Biết đặc tuyến vào, đặc tuyến ra của transistor mắc theo sơ đồ EC như hình
2.27 và 2.28 dưới.
Bằng phương pháp đồ thị hãy xác định:
a. Hệ số khuếch đại β tại điểm làm việc A
b. Điện trở vào Rv = rbe
c. Hệ số khuếch đại α nếu mắc theo sơ đồ BC
d. Nếu tín hiệu vào IB thay đổi hãy tính hệ số khuếch đại dòng xoay chiều.
68
Hình 2. 29: Đặc tuyến vào của Transistor
Hình 2. 30: Đặc tuyến ra của Transistor

Bài 10: Cho mạch khuếch đại dùng transistor như hình 2.29
Biết: RC = 5KΩ, β = 50
Điện trở vào Rv = rbe = 1KΩ
Điện áp vào Uv = Ube = 0.1V
a. Xác định dòng điện vào và dòng điện ra của Transistor
b. Tính hệ số khuếch đại điện áp của Transistor
69
Hình 2. 31: Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng Transistor
Bài 11: Cho đặc tuyến vào và đặc tuyến ra của transistor có dạng như hình 2.30 và
2.31 dưới.
a. Hãy xác định hỗ dẫn của transistor tại điểm làm việc O
b. Nếu biết điện áp UBE thay đổi 0.2mV, điện trở RC = 4KΩ. Hãy xác định điện
áp ra.
c. Tính hệ số khuếch đại điện áp
70
Hình 2. 32: Đặc tuyến vào của transistor
Hình 2. 33: Đặc tuyến ra của transistor

Bài 12: Transistor lưỡng cực BJT có đặc tuyến vào và ra mắc theo sơ đồ EC như
hình. Căn cứ vào đặc tuyến xác định gần đúng các thông số sau:
a. Điện trở vào tĩnh tại điểm O
b. Điện trở vào động
c. Hệ số khuếch đại dòng điện một chiều β
d. Hệ số khuếch đại dòng xoay chiều.
71
Hình 2. 34: Đặc tuyến vào của transistor lưỡng cực
Hình 2. 35: Đặc tuyến ra của transistor lưỡng cực
72
Bài 3: MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ DÙNG FET
A. Giới thiệu:
Trong kỹ thuật từ khuếch đại được định nghĩa là “dùng một năng lượng nhỏ
để điều khiển một năng lượng khác lớn hơn gấp nhiều lần.”
Vậy mạch khuếch đại là một thiết bị điện tử được đặc trưng bởi mạng bốn
cực, khi đưa tín hiệu ngõ vào công suất nhỏ thì nhận ở ngõ ra công suất lớn nhưng
tín hiệu không bị biến dạng, không làm thay đổi tần số của nó.
Mạch khuếch đại nói chung và mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ nói riêng được
sử dụng trong hầu hết các thiết bị điện tử, như mạch khuếch đại âm tần trong
Amply, khuếch đại tín hiệu video, khuếch đại các tín hiệu số, truyền thông, khuếch
đại trong các hệ thống điều khiển, tự động hóa...
Trong lĩnh vực điện tử linh kiện có tính năng khuếch đại như: Transistor
lưỡng nối (BJT), Transistor trường ứng (FET)... vì các linh kiện trên nhận tín hiệu
ngõ vào Vin(t) rất nhỏ, điều khiển được tín hiệu ở ngõ ra lớn hơn gấp nhiều lần.
Ví dụ: Transistor FET nhận ở ngõ vào i in(t) và Vin (t) có trị số rất nhỏ, nhưng
có thể điều khiển ở ngõ ra i out(t), và Vout (t) có trị lớn hơn hàng chục đến hàng trăm
lần.
Hình 3. 1: Mô hình bộ khuếch đại

Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ cần xác định:
V out (t )
AV =
- Hệ số khuếch đại điện áp: V in (t ) .
i out (t )
Ai =
- Hệ số khuếch đại dòng điện: iin (t ) .
Có ba loại mạch khuyếch đại chính là:

- Khuếch đại về điện áp: Là mạch khi ta đưa một tín hiệu có biên độ điện áp
nhỏ vào, đầu ra ta sẽ thu được một tín hiệu có biên độ điện áp lớn hơn nhiều lần.
- Mạch khuếch đại về dòng điện: Là mạch khi ta đưa một tín hiệu có cường độ
yếu vào, đầu ra ta sẽ thu được một tín hiệu cho cường độ dòng điện mạnh hơn
nhiều lần.
73
- Mạch khuếch đại công xuất: Là mạch khi ta đưa một tín hiệu có công xuất
yếu vào, đầu ra ta thu được tín hiệu có công xuất mạnh hơn nhiều lần. Thực ra
mạch khuếch đại công xuất là kết hợp cả hai mạch khuếch đại điện áp và khuếch
đại dòng điện làm một.
Transistor được sử dụng trong mạch khuếch đại gồm: FET và BJT. Trong đó
FET có ưu điểm về kích thước và điện áp cung cấp thấp, dẫn đến công suất tiêu thụ
thấp hơn BJT và độ tin cậy cao hơn BJT. Tuy nhiên, FET lại có nhược điểm là điện
dẫn g nhỏ và nhạy cảm với điện tích tĩnh, do đó FET thường được tích hợp trong
mạch IC, còn BJT thường dùng cho các mạch rời. Trong phạm vi bài học này tập
trung vào việc ứng dụng FET trong mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ.
Transistor trường hay còn gọi là FET (field- effect- transistor) là loại transistor
được chế tạo dựa trên hiệu ứng trường, có thể điều khiển độ dẫn điện của bán dẫn
N hoặc P nhờ một điện trường bên ngoài, FET có hai loại JFET và MOSFET.
FET có chức năng khuếch đại, trở kháng vào rất lớn khoảng từ hàng MΩ đến hàng
chục MΩ, ổn định nhiệt và độ nhạy cao, đáp ứng được chuyển mạch các dòng lớn
đối với FET có công suất cao. FET có khả năng tạo ra chip đơn có cấu trúc bao
gồm số nhiều lượng FET.
Tuy nhiên, FET có độ nhạy rất cao nên thể hiện tính chất tuyến tính kém, dễ bị
hỏng do tác động tĩnh điện và đáp ứng tần số kém.
B. Mục tiêu:
- Phân tích được nguyên lý làm việc của các mạch khuếch đại cơ bản dùng
FET
- Thiết kế, lắp ráp các mạch khuếch đại dùng FET theo đúng yêu cầu kỹ
thuật.
- Đo đạc, kiểm tra, sửa chữa được các mạch điện tín hiệu nhỏ dùng FET theo
yêu cầu kỹ thuật.
C. Nội dung:
3.1. Mạch khuếch đại cực nguồn chung (SC)
* Sơ đồ mạch
74
Hình 3. 2: Mạch khuếch đại SC
* Tác dụng linh kiện
- Điện trở RG thường có giá trị rất lớn làm ổn định phân cực cho cực G.
- Điện trở RS phân cực cho cực S.
- Điện trở RD phân cực cho cực D.
Hình 3. 3: Sơ đồ lắp ráp và khảo sát mạch khuếch đại SC
75
a. Sơ đồ tương đương cho tín hiệu nhỏ:
Hình 3. 4: Sơ đồ tương đương cho tín hiệu nhỏ của FET

Thường giá trị rds rất lớn nên có thể bỏ qua
Hình 3. 5: Sơ đồ tương đương cho tín hiệu nhỏ của FET bỏ qua rds
Sơ đồ tương đương cho tín hiệu nhỏ của mạch khuếch đại S chung.
Hình 3. 6: Sơ đồ mạch tương đương tín hiệu nhỏ mạch khuếch đại S chung
b. Tính toán các thông số của mạch điện
Hình 3. 7: Mạch SC khi phân cực một chiều

* Tính thành phần một chiều DC
76
Ta có
V G=−I G ×RG≈0 ; V S =I S . RS =I D . R S
⇒V G =V G −V S =−I D . R S
S
( ) ( )
V GS 2 −I D . R S 2
I D =I DSS 1− =I DSS 1−
VP VP
Phương trình
Giải phương trình bậc 2 theo ID có 2 nghiệm.
Giá trị ID1<IDSS ( nhận); ID2 >IDSS (loại)
Nếu ID1; ID2 đều nhận thì tính giá trị VGS:
VGS>VP ( nhận); VGS<VP (loại)
Trong đó VP (điện áp khóa) là điện áp làm cho dòng điện ID bằng 0
( ) đơn vị (S).

2 I DSS V
gm = 1− GSQ
|V P| VP
Tính tổng dẫn
* Tính thành phần AC
Hệ số khuếch đại áp AV:
Chứng minh:
:
i=id −g m V gs
d
Áp dụng định luật K1 tại V
Với giá trị , , Vg = Vin
Hiệu điện thế

V out
V out + R
( )
V out −V s R D‖R L SAC V out R
i= = = 1+ SAC
r ds r ds r ds R D‖R L
Dòng điện
Thay:
77
( ) ( )
V out R V V
⇔ 1+ SAC =− out −g m V in + out ×RSAC
r ds R D‖R L R D‖R L R D‖R L
V out
r ds ( D L SAC ds m ds SAC )
⇔ R ‖R +R +r +g r R =−g m R D‖R L V in
V −g r R ‖R R ‖R
⇒ out = m ds D L =− D L
V in ( R D‖R L +RSAC +r ds +gm r ds RSAC ) 1 1
gm
+ R SAC + ( R ‖R +R )
g m r ds D L SAC
V out R D‖R L
⇒ =−
1 V in r
rm = r m+ R SAC + m ( R D‖R L + RSAC )
Đặt gm r ds
io
Ai =
Hệ số khuếch đại dòng ii
io RG RD RG
Ai = = AV × =− ×
ii RL RD+ RL rm
r m + RSAC +
r ds
( R D‖R L + R SAC )
V in
Z m= =RG
Trở kháng ngõ vào i in
V out
Z out= =R D‖ [ r ds + ( 1+g m r ds ) R SAC ]
Trở kháng ngõ ra i out
Chú ý: Trong trường hợp mạch không xét rds (rds có giá trị rất lớn)
V OUT R D‖R L
AV = =−
Vi r m + RSAC
Hệ số khuếch đại áp n
( )( )
io RG RD RG
Ai = = AV × =− ×
ii RL RD+ RL r m + RSAC
Hệ số khuếch đại dòng
V out
Z out= =R D
Trở kháng ngõ ra i out
* Các đặc tính của mạch điện

Tín hiệu vào cực G, ra cực D.
Khuếch đại áp (điện áp ngõ ra lớn hơn ngõ vào).
Khuếch đại dòng (dòng điện ngõ ra lớn hơn ngõ vào).
Mạch có tính đảo pha (hệ số AV có dấu trừ).
* Ứng dụng của mạch khuếch đại nguồn chung
Dùng để khuếch đại tín hiệu có dòng điện nhỏ trong các mạch cảm biến cần có độ
nhạy cao và trong nhiều các hệ thống khác.
78
3.1.3. Lắp ráp mạch khuếch đại cực nguồn chung
Bước 1 : Lắp mạch như hình 3.8
Hình 3. 8: Mạch thực hành khuếch đại SC

Bước 2: Cấp nguồn Vi’ tín hiệu sin có biên độ Vm= 3V, tần số f =1kHz tại A.
Bước 3: Nối 2 điểm B1 và B2.
Bước 4: Tính hệ số khuếch đại áp AV (sử dụng dao động ký Osillocope)
Hình 3. 9: Hệ tọa độ màn hình Osillocpe

79
Vo
- Tính hệ số khuếch đại áp AV = = …………………………..
Vi
Bước 5: Tính độ lệch pha φ=φ 0−φ i

a 0
Hình 3. 10: Giản đồ thời gian và điện áp

Bước 6: Xác định trở kháng ngõ vào Zi:
- Mắc nối tiếp điện trở RV =220Ω giữa B1 và B2.
RV
Z ¿=
( V B1
V B2
−1
)
Bước 7: Xác định trở kháng ngõ ra Zo

V 02
−1 .
)
Bước 8: Mắc thêm tụ điện CS = 10μF
Bước 9: Lập bảng so sánh khi mắc tụ CS vào.
Bảng 3. 1: Bảng so sánh các thông số kỹ thuật vào/ ra
Kiểu S chung Av Ai Zi Zo φ
Chưa có tụ CS
Có tụ CS
80
Bước 10: Nhận xét kết quả đo và giải thích trong quá trình chỉnh VR dạng tín hiệu
ngõ ra Vo thay đổi.
.....................................................................................................................................
.....................................................................................................................................
.....................................................................................................................................
.....................................................................................................................................
.....................................................................................................................................
.....................................................................................................................................
Khi tín hiệu ngõ ra không xuất hiện thì ta kiểm tra tín hiệu ngõ vào tại cực G
có tín hiệu không? Kiểm tra điện áp tại cực S phải khác không (V S ≠ 0)? Sau đó
kiểm tra transistor.
3.2. Mạch khuếch đại cực máng chung (DC)
* Sơ đồ mạch nguyên lý
Hình 3. 11: Sơ đồ mạch khuếch đại D chung

* Tác dụng của linh kiện
Điện trở RG thường có giá trị rất lớn làm ổn định phân cực cho cực G.
Điện trở RS phân cực cho cực S.
Điện trở RD phân cực cho cực D.
Tụ điện Ci, Co ngăn dòng một chiều (DC) tín hiệu ngõ vào và ra.
81
Hình 3. 12: Mạch thực hành D chung
* Sơ đồ tương đương cho tín hiệu nhỏ
Hình 3. 13: Sơ đồ tương đương cho tín hiệu nhỏ mạch khuếch đại D chung
* Tính toán các thông số của mạch điện
1
rm =
 Hệ số khuếch đại áp: với gm
Chứng minh:
V out V −V out −R D i d −V out
i d =i S = i= d =
Ta có R S‖R L ; r ds r ds V =V −V =V −V
; gs g s in out
Áp dụng định luật K1 tại Vd:

i+gm V gs−id =0
R D V out V out V out
⇔−
r ds . R S‖R L
−
r ds ( n )
+gm V i −V out −
R S ‖R L
=0
82
V out
r ds . R S‖R L (
⇔ g m V in = R D +R S ‖R L+g m r ds . R S ‖R L+r ds )
V out g m r ds . RS ‖R L
⇒ =
V in ( R D + R S ‖R L+ g m r ds . RS ‖R L +r ds )
1
rm =
Chia tử, mẫu cho gmrds và đặt gm ta được điều cần chứng minh.
 Hệ số khuếch đại dòng
( )( )
io RG RS RG
Ai = = AV × =
ii R L RS + R L rm
r m + R S‖R L +
r ds
( R D + R S ‖R L )
 Trở kháng ngõ vào

V out R S ( R D + r ds )
Z out= =
i out R D +r ds+ ( 1+g m r ds ) R S
 Trở kháng ngõ ra
Chú ý: Trong trường hợp mạch không xét rds (rds có giá trị rất lớn)
V OUT R S ‖R L
AV = =
Vi r m + RS ‖R L
- Hệ số khuếch đại áp n
- Hệ số khuếch đại dòng:

V out RS
Z out= =
- Trở kháng ngõ ra i out 1+ g m R S

- Tín hiệu vào cực S, ra cực S.
- Không khuếch đại áp.
- Khuếch đại dòng.
- Mạch có tính đồng pha.
* Ứng dụng của mạch khuếch đại máng chung
Thường dùng trong các mạch khuếch đại dòng để cung cấp cho tải công suất
lớn.
3.2.3. Lắp ráp mạch khuếch đại cực máng chung
Bước 1. Lắp ráp mạch như hình 3.14
83
Hình 3. 14: Mạch thực hành khuếch đại D chung
Bước 2. Cấp nguồn Vi’ tín hiệu sin có biên độ Vm= 3V, tần số f =1kHz tại A.
dạng. Vẽ dạng sóng điện áp Vi(V) , điện áp Vo1(V) vào hình 3.15
Hình 3. 15: Hệ tọa độ đo lường trên màn hình Osillocope

Vo
- Tính hệ số khuếch đại áp AV = = ……………………………………….
Vi
84
a 0

RV
Z ¿=
( V B1
V B2
−1
)

V 02
−1 .
)
Bước 8. Lập bảng kết quả
Kiểu G chung Av Ai Zi Zo φ
Kết quả đo
Bước 9. Nhận xét kết quả đo và giải thích.

.....................................................................................................................................
.....................................................................................................................................
.....................................................................................................................................
.....................................................................................................................................
.....................................................................................................................................
.....................................................................................................................................
85
Khi tín hiệu ngõ ra không xuất hiện ta kiểm tra tín hiệu ngõ vào tại cực G có
tín hiệu không? Kiểm tra điện áp UGS phải khác không ? Sau đó kiểm tra transistor.
3.3. Mạch khuếch đại cực cổng chung (GC)
* Sơ đồ mạch điện
Hình 3. 17: Mạch khuếch đại G chung

* Tác dụng của linh kiện
- Điện trở RG thường có giá trị rất lớn làm ổn định phân cực cho cực G.
- Điện trở RS phân cực cho cực S.
- Điện trở RD phân cực cho cực D.
- Tụ điện Ci, Co ngăn dòng một chiều (DC) tín hiệu ngõ vào và ra.
- Tụ CG nối tắt cực G xuống mass.
* Sơ đồ tương đương cho tín hiệu nhỏ
Hình 3. 18: Sơ đồ mạch tương đương tín hiệu nhỏ mạch khuếch đại G chung
Tính thành phần AC
86
 Hệ số khuếch đại áp
V out −V i V
i= i d =− out
Chứng minh: Ta có r ds ; V gs =V g −V s =−V in ; RD
Áp dụng định luật K1 tại Vd:

id =i+gm V gs
V out V out −V in
⇔− = +gm (−V in )
RD r ds
V
⇔V in
( 1
r ds ) (
+ g m =V out
1
+
1
r ds R D )
⇒ out =
V In
1
r ds ( )
+ gm R D‖r ds
điều cần chứng minh.
V in
Z m= =R S
 Trở kháng ngõ vào i in
V out
Z out= =R D‖r ds
 Trở kháng ngõ ra i out

- Tín hiệu vào cực S, ra cực D, mạch có tính đồng pha.
- Khuếch đại áp (điện áp ngõ ra lớn hơn ngõ vào).
- Không khuếch đại dòng.
* Ứng dụng của mạch khuếch đại cổng chung
Mạch khuếch đại G chung thường dùng trong mạch khuếch đại áp có dòng ra
nhỏ của các mạch tiền khuếch đại công suất.
3.3.3. Lắp ráp mạch khuếch đại cực cổng chung
Bước 1. Ráp mạch như hình 3.19
87
Hình 3. 19: Mạch thực hành khuếch đại G chung
Hình 3. 20: Hệ tọa độ đo lường trên màn hình Osillocope

Vo
- Tính hệ số khuếch đại áp AV = = ……………………………..................
Vi

a 0
88
RV
Z ¿=
( V B1
V B2
−1
)

V 02
−1 .
)
Bước 8. Lập bảng kết quả
Kiểu G chung Av Ai Zi Zo φ
Kết quả đo
Bước 9. Nhận xét kết quả đo và giải thích.

.....................................................................................................................................
.....................................................................................................................................
.....................................................................................................................................
.....................................................................................................................................
.....................................................................................................................................
.....................................................................................................................................
.....................................................................................................................................
Khi tín hiệu ngõ ra không xuất hiện ta kiểm tra tín hiệu ngõ vào tại cực S có
tín hiệu không? Kiểm tra điện áp UDS phải khác không ? Sau đó kiểm tra transistor.
89
Câu 1: JFET có bao nhiêu mô hình tương đương tín hiệu nhỏ?
a. 1
b. 2
c. 3
d. 4
Câu 2: Trong các mạch khuếch đại dùng JFET sau, mạch nào có hệ số khuếch đại
điện áp nhỏ nhất
a. Mạch khuếch đại kiểu CD
b. Mạch khuếch đại kiểu CS
c. Mạch khuếch đại kiểu CG
d. b và c
Câu 3: Mạch khuếch đại có điện trở ngõ ra nhỏ nhất là mạch khuếch đại mắc kiểu
a. CD
b. CS
c. CG
d. CD và CS
Câu 4: Mạch khuếch đại có điện áp ra ngược pha với điện áp vào là mạch
a. CD
b. CS
c. CG
d. CD và CG
Câu 5: Sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ của FET ở hình là sơ đồ tương đương của
mạch nào sau đây.
90
Hình 3. 22: Sơ đồ tương đương mạch khuếch đại FET
a. Ri = RG
b. Ri = R1//R2
c. Cả a và b
Câu 6: Phát biểu nào sau đây là đúng
a. Khuếch đại điện áp là đưa tín hiệu có biên độ nhỏ vào, đầu ra sẽ thu được tín
hiệu có biên độ lớn hơn nhiều lần.
b. Khuếch đại dòng điện là đưa tín hiệu có cường độ lớn vào, đầu ra sẽ thu
được tín hiệu cho cường độ dòng điện mạnh hơn nhiều lần.
c. Khuếch đại công suất là đưa tín hiệu có công suất yếu vào, đầu ra sẽ thu
được tín hiệu có công suất mạnh hơn nhiều lần.
d. Cả 3 đáp án trên đều đúng
3.4.2. Bài tập
Bài tập 1: Vẽ mạch điện, phân tích tác dụng của linh kiện, nguyên lý làm việc của
mạch khuếch đại với transistor FET mắc cực nguồn chung, có thể so sánh mạch
nguồn chung của FET với mạch nào khi sử dụng BJT.
Bài tập 2: Vẽ mạch điện, phân tích tác dụng của linh kiện, nguyên lý làm việc của
mạch khuếch đại với transistor FET mắc cực máng chung, có thể so sánh mạch
máng chung của FET với mạch nào khi sử dụng BJT.
Bài tập 3: Lập bảng so sánh và cho nhận xét về các thông số: Z v, Zr, Ku, Kr của các
mạch SC, DC.
Bài tập 4: Cho tầng khuếch đại như hình 3.23, với các thông số đã cho.
91
Hình 3. 23: Mạch thực hành khuếch đại S chung
a) Phân tích tác dụng linh kiện và nguyên lý hoạt động của mạch điện.
b) Tính gm; Rv; Ku; rD, Rr;
Bài tập 5: Cho mạch khuếch đại dùng J-FET mắc GC hình 3.22 và các số liệu cho
trên hình vẽ. Hãy xác định điện trở tải một chiều R D của tầng với hệ số khuếch đại
điện áp Ku=10.
Hình 3. 24: Mạch khuếch đại JFET mắc GC
92
Bài 4: HỒI TIẾP TRONG MẠCH KHUẾCH ĐẠI
A. Giới thiệu:
Mạch hồi tiếp được sử dụng trong tất cả các hệ thống khuếch đại. Harold
Black, một kỹ sư điện tử làm việc tại công ty điện phía tây đã phát minh ra mạch
khuếch đại có hồi tiếp vào năm 1928 trong khi đi tìm cách để ổn định độ lợi của
mạch khuếch đại sử dụng trong mạch lặp điện thọai. Trong hệ thống hồi tiếp, tín
hiệu hồi tiếp được lấy từ ngỏ ra và tỉ lệ với tín hiệu ngỏ ra được đưa ngược trở về
ngỏ vào và kết hợp với tín hiệu ngỏ vào để tạo ra đáp ứng hệ thống mong muốn.
Một mạch hồi tiếp được sử dụng có tính toán để đạt được độ ổn định mong muốn.
Tuy nhiên, hồi tiếp có thể xảy ra không định trước và lúc đó đáp ứng hệ thống
không mong muốn có thể bị tạo ra.
B. Mục tiêu:
- Trình bày được các khái niệm về hồi tiếp, các cách mắc hồi tiếp, ảnh hưởng
của các mạch hồi tiếp đối với bộ khuếch đại.
- Đo đạc, kiểm tra, điều chỉnh được các mạch hồi tiếp theo yêu cầu kỹ thuật.
C. Nội dung:
4.1. Khái niệm
Hồi tiếp là lấy một phần hay toàn bộ tín hiệu ngõ ra (điện áp hoặc dòng điện)
được đưa về trở lại ngõ vào để ổn định hoạt động của mạch. Hồi tiếp là công cụ vô
cùng hữu ích trong rất nhiều ứng dụng, đặc biệt trong hệ thống điều khiển. Hệ
thống điều khiển bao gồm tất cả các mạch điện ở đó ngõ ra được sử dụng để điều
khiển hoặc hiệu chỉnh ngõ vào, từ đó lại cung cấp một ngõ ra như mong muốn. Có
hai dạng mạch hồi tiếp:
Tín hiệu vào và tín hiệu ra có thể là tín hiệu tương tự, tín hiệu logic, hoặc tín
hiệu số. Tín hiệu hồi tiếp cũng tương tự.
Hồi tiếp âm: là tín hiệu hồi tiếp ngược pha với tín hiệu vào. Do đó, hồi tiếp
âm được sử dụng để ổn định làm việc của mạch.
Hồi tiếp dương: là tín hiệu hồi tiếp mà có tín hiệu đầu ra và tín hiệu vào cùng
pha nhau. Do đó mà hồi tiếp dương được sử dụng cho các mạch tạo dao động.
Trong mạch khuếch đại người ta ứng dụng cả hồi tiếp dương lẫn hồi tiếp âm.
Tuy nhiên, phần hồi tiếp âm được ứng dụng rộng rãi hơn.
93
4.2. Sơ đồ tổng quát của mạch khuếch đại có hồi tiếp
Sơ đồ tổng quát của mạch khuếch đại có hồi tiếp
Hình 4. 1: Sơ đồ tổng quát mạch khuếch đại hồi tiếp

Trong đó:
Vs: tín hiệu vào
Vo: tín hiệu ra
Vi: tín hiệu ngõ vào mạch khuếch đại
Vf: tín hiệu hồi tiếp trở về
β: hệ số hồi tiếp của bản thân mạch hồi tiếp.
4.3. Phân loại mạch hồi tiếp
Dựa vào đặc điểm tín hiệu tác động ngõ vào hồi tiếp mà phân loại như sau:
* Theo tác dụng khuếch đại
- Hồi tiếp âm: Người ta phân thành 2 loại: hồi tiếp âm 1-chiều (DC) và hồi tiếp âm
xoay chiều (AC). Hồi tiếp âm DC dùng để ổn định chế độ làm việc của bộ khuếch
đại, còn hồi tiếp âm AC dùng để ổn định, nâng cao chất lượng và cải thiện các tham
số của bộ khuếch đại theo mong muốn (như tăng tổng trở vào, mở rộng băng thông,
giảm méo, triệt nhiễu,...).
- Hồi tiếp dương: Hồi tiếp dương thường tăng cường tính mất ổn định của bộ
khuếch đại và do đó, nó được sử dụng để tạo dao động.
* Theo dạng tín hiệu hồi tiếp
Có 4 loại hồi tiếp
- Hồi tiếp Điện áp – Nối tiếp (voltage – series): lấy mẫu điện áp ở ngõ ra Vo và
đưa điện áp hồi tiếp Vf về ghép nối tiếp với điện áp ngõ vào V i của bản thân bộ
khuếch đại.
94
Hình 4. 2: Sơ đồ hồi tiếp điện áp – nối tiếp
- Hồi tiếp Dòng điện – Nối tiếp (current – series): lấy mẫu dòng điện ở ngõ ra Io
và đưa dòng điện hồi tiếp If về ghép nối tiếp với dòng điện ngõ vào Ii của bản thân
bộ khuếch đại.
Hình 4. 3: Sơ đồ hồi tiếp dòng điện – nối tiếp

- Hồi tiếp Điện áp – Song song (voltage – shunt): lấy mẫu điện áp ở ngõ ra Vo và
đưa điện áp hồi tiếp Vf về ghép song song với điện áp ngõ vào Vi của bản thân bộ
khuếch đại.
Hình 4. 4: Sơ đồ hồi tiếp điện áp – song song

- Hồi tiếp Dòng điện – Song song (current – shunt): lấy mẫu dòng điện ở ngõ ra
Io và đưa dòng điện hồi tiếp If về ghép song song với dòng điện ngõ vào I i của bản
thân bộ khuếch đại.
95
Hình 4. 5: Sơ đồ hồi tiếp dòng điện – song song
Trong đó: UV là điện áp ngõ vào.
Ur là điện áp ngõ ra khi có hồi tiếp.
Ku là hệ số khuếch đại không có hồi tiếp.
VVk là điện áp ngõ vào không hồi tiếp.
Vrk là điện áp ngõ ra không hồi tiếp.
Kht là hệ số khuếch đại hồi tiếp.
VVht là điện áp ngõ vào hồi tiếp.
Vrht là điện áp ngõ ra hồi tiếp.
4.4. Ảnh hưởng của hồi tiếp đến các thông số của mạch khuếch đại
a. Đối với hồi tiếp âm:
Hồi tiếp âm lấy tín hiệu ngõ ra về để làm giảm bớt ảnh hưởng của ngõ vào.
Vì thế nó có những tác dụng sau:
- Đối với hệ số khuếch đại: Hồi tiếp âm làm giảm tác dụng của tín hiệu
vào, nên nó cũng làm giảm hệ số khuếch đại của mạch.
Hồi tiếp âm hệ số khuếch đại:

- Đối với độ ổn định: Vì giảm hệ số khuếch đại nên hồi tiếp âm làm tăng
độ ổn định của mạch.
- Đối với nhiễu: Hồi tiếp âm làm giảm tác dụng của ngõ vào, nên đồng thời
cũng làm giảm tác dụng của nhiễu.
- Đối với độ méo dạng: Hồi tiếp âm làm giảm độ méo của mạch khuếch
đại.
Tác dụng hồi tiếp tới hệ số méo không đường thẳng: Gọi d là hệ số
méo không đường thẳng khi mạch không có hồi tiếp.
Hệ số méo không đường thẳng khi mạch có hồi tiếp âm.
96
d
−¿= ¿
1+ K ht . K U
d
- Đối với tổng trở vào:
+ Hồi tiếp âm nối tiếp sẽ làm giảm dòng điện của tín hiệu vào, nên nó sẽ làm
tăng tổng trở vào.
+ Hồi tiếp âm song song sẽ rẽ mạch làm tăng dòng điện tín hiệu, nên nó làm
giảm tổng trở vào.
+ Trở kháng ngõ vào không có hồi tiếp
+ Trở kháng ngõ vào hồi tiếp (áp, dòng) nối tiếp
+ Trở kháng ngõ vào hồi tiếp (áp, dòng) song song
- Đối với tổng trở ra:
+ Hồi tiếp âm điện áp sẽ làm điện áp ổn định hơn, nên giảm tổng trở ra.
+ Hồi tiếp âm dòng điện sẽ làm ổn định dòng điện hơn, nên sẽ làm tăng tổng
trở ra.
+ Trở kháng ngõ ra không có hồi tiếp:
+ Trở kháng ngõ ra có hồi tiếp:
+ Trở kháng ngõ ra hồi tiếp dòng song song:

- Đối với sự thay đổi của tín hiệu:
+ Hồi tiếp âm vi phân sẽ làm giảm các thay đổi của ngõ ra, giữ cho
ngõ ra ít thay đổi theo ngõ vào. Vì thế nó làm cho mạch có tính tích phân.
+ Ngược lại hồi tiếp tích phân sẽ giảm các thay đổi chậm chạp mà cho
phép khuếch đại các thay đổi nhanh, nên toàn mạch sẽ có tính chất của mạch
vi phân.
- Tác dụng hồi tiếp tới đặc tuyến tần số: Hồi tiếp âm làm giảm hệ số
khuếch đại của mạch nhưng dãi tần hoạt động của mạch rộng.
- Tóm lại, để nâng cao chất lượng của mạch khuếch đại như tăng độ ổn định,
giảm hệ số méo, tăng dãy tầng hoạt động, ta thường sử dụng hồi tiếp âm.
97
b. Hồi tiếp dương:
Hồi tiếp dương lấy tín hiệu ngõ ra về để làm tăng thêm ảnh hưởng của
ngõ vào. Vì thế nó có những tác dụng sau:
- Đối với hệ số khuếch đại: Hồi tiếp dương làm tăng tác dụng của tín hiệu
vào, nên nó cũng làm tăng hệ số khuếch đại của mạch.
Hồi tiếp dương hệ số khuếch đại:

- Đối với độ ổn định: Vì tăng hệ số khuếch đại nên hồi tiếp âm làm
giảm độ ổn định của mạch.
- Đối với nhiễu: Hồi tiếp dương làm tăng tác dụng của ngõ vào, nên đồng
thời cũng làm tăng tác dụng của nhiễu.
- Đối với độ méo dạng: Hồi tiếp dương làm tăng độ méo của mạch khuếch
đại.
Tác dụng hồi tiếp tới hệ số méo không đường thẳng: Gọi d là hệ số méo
không đường thẳng khi mạch không có hồi tiếp.
Hệ số méo không đường thẳng khi mạch có hồi tiếp dương
d
+¿= ¿
1−K ht . K U
d
- Đối với tổng trở vào:
+ Hồi tiếp dương nối tiếp sẽ làm tăng dòng điện của tín hiệu vào, nên
nó sẽ làm giảm tổng trở vào.
+ Hồi tiếp dương song song sẽ rẽ mạch làm giảm dòng điện tín hiệu,
nên nó làm giảm tổng trở vào.
- Đối với tổng trở ra:
+ Hồi tiếp dương điện áp sẽ làm điện áp ít ổn định hơn, nên tăng tổng
trở ra,
+ Trong khi hồi tiếp dương dòng điện sẽ làm dòng điện ít ổn định
hơn, nên sẽ làm giảm tổng trở ra.
- Đối với sự thay đổi của tín hiệu:
+ Hồi tiếp dương vi phân sẽ làm tăng các thay đổi của ngõ ra, giữ cho
ngõ ra thay đổi theo những thay đổi của ngõ vào. Vì thế nó làm cho
mạch có tính vi phân.
98
+ Ngược lại hồi tiếp dương tích phân sẽ làm các thay đổi chậm chạp tác
dụng tăng lên theo tín hiệu vào, nên toàn mạch sẽ có tính chất của mạch tích phân.
- Tác dụng hồi tiếp tới đặc tuyến tần số: Hồi tiếp dương làm tăng hệ số
khuếch đại của mạch nhưng dãi tần hoạt động của mạch hẹp lại.
4.5. Trở kháng vào và ra của mạch khuếch đại có hồi tiếp
a. Ảnh hưởng lên tổng trở ngõ vào của mạch khi có hồi tiếp:
- Nếu tín hiệu hồi tiếp đưa về ngõ vào là điện thế và nối tiếp với điện thế ngõ vào
thì tổng trở vào sẽ tăng.
- Nếu tín hiệu hồi tiếp đưa về ngõ vào là điện thế và song song với điện thế ngõ vào
thì tổng trở vào sẽ giảm.
- Nếu tín hiệu hồi tiếp đưa về ngõ vào là dòng điện và mắc nối tiếp với tín hiệu
dòng điện ngõ vào thì tổng trở vào sẽ tăng.
- Nếu tín hiệu hồi tiếp đưa về ngõ vào là dòng điện và mắc song song với tín hiệu
dòng điện ngõ vào thì tổng trở vào sẽ giảm.
b. Ảnh hưởng lên tổng trở ngõ ra của mạch khi có hồi tiếp
- Nếu tín hiệu hồi tiếp âm lấy mẫu điện thế để đưa về ngõ vào thì điện trở ngõ ra
của mạch sẽ giảm (R of <<R o ).
- Nếu tín hiệu hồi tiếp âm lấy mẫu dòng điện để đưa về ngõ vào thì điện trở ngõ ra
của mạch sẽ tăng (Rof >>R o ).
4.6. Lắp ráp mạch hồi tiếp trong mạch khuếch đại
 Bảng thực hành
99
Hình 4. 6: Mạch khuếch đại không có hồi tiếp
 Thực hành lắp mạch khuếch đại không hồi tiếp
- Trình tự thực hiện:
 B1. Không kết nối J1, J2, J3, J4.
 B2. Cấp tín hiệu đầu vào tại 2 vị trí: In và GND. Sử dụng tín hiệu vào
dạng sin, biên độ 30mV trên máy thực tập.
 B3. Cấp nguồn 12V vào mạch.
 B4. Sử dụng máy hiện sóng, đo và vẽ tín hiệu tại đầu vào, ra vào bảng kết
quả.
 Thực hành lắp mạch khuếch đại có hồi hồi tiếp
100
Hình 4. 7: Mạch khuếch đại có hồi tiếp nhờ kết nối J3
 B1. Không kết nối J1, J2, J4.
 B2. Kết nối J3
dạng sin, biên độ 30mV trên máy thực tập
 B4. Cấp nguồn 12V vào mạch
quả
 Thực hành đo tổng trở vào của mạch
Hình 4. 8: Mạch khuếch đại dùng để đo tổng trở vào

 B1. Không kết nối J1, J3,J2, J4.
 B2. Kết nối biến trở Vr như hình vẽ.
dạng sin, biên độ 30mV trên máy thực tập.
 B4. Cấp nguồn 12V vào mạch.
quả.
 Điều chỉnh Vr sao cho tín hiệu ra: Vout = 2 Vin.
 Tắt nguồn, dùng đồ hồ xác định giá trị của Vr , ghi vào bảng kết quả.
 Đây chính là giá trị tổng trở vào.
- Làm tương tự vs trường hợp: Không kết nối J1, J2, J4 và có kết nối
J3.
101
Hình 4. 9: Mạch khuếch đại đo tổng trở vào khi có hồi tiếp
 Thực hành đo tổng trở ra của mạch
Hình 4. 10: Mạch khuếch đại dùng để đo tổng trở ra khi không có
hồi tiếp
Trình tự thực hiện:
 B1. Không kết nối J1, J3,J2, J4.
 B2. Kết nối biến trở Vr như hình vẽ
dạng sin, biên độ 30mV trên máy thực tập
 B4. Cấp nguồn 12V vào mạch
quả
 Điều chỉnh Vr sao cho tín hiệu ra : Vout = 2 Vin
 Tắt nguồn, dùng đồ hồ xác định giá trị của Vr , ghi vào bảng kết quả
 Đây chính là giá trị tổng trở ra
102
- Làm tương tự vs trường hợp: Không kết nối J1, J2, J4 và có kết nối
J3
Hình 4. 11: Mạch khuếch đại đo tổng trở ra khi có hồi tiếp
 Thực hành tương tự với các trường hợp kết nối J1, J2, J3, J4
Hình 4. 12: Mạch khuếch đại có hồi tiếp khi kết nối với J1, J2, J3, J4
 Dạng tín hiệu vào và ra
103
Hình 4. 13: Vẽ dạng tín hiệu vào trên đồ thị
Hình 4. 14: Vẽ dạng tín hiệu ra trên đồ thị
 Bảng tổng hợp kết quá
Kiểu J1 J2 J3 J4 Vr1 Vr2 VIn Vout Zin Zout

1 0 0 0 0 0 0
2 0 1 0 0 1 0
3 0 0 0 0 0 0
4 0 1 0 0 0 1
5
6
7
8
9
10
11
104
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22

Câu 1. Hồi tiếp dương có đặc điểm sau:
A. tín hiệu hồi tiếp cùng pha với tín hiệu vào và để tạo dao động.
B. tín hiệu hồi tiếp ngược pha với tín hiệu vào.
C. được dùng để ổn định chế độ công tác (DC) và ổn định các tham số của
bộ khếch đại.
D. cả A và C.
Câu 2. Mạch điện của bộ khuếch đại có hồi tiếp có đặc điểm: tín hiệu hồi tiếp đưa
về đầu vào nối tiếp với nguồn tín hiệu ban đầu và tỷ lệ với điện áp ở đầu ra, vậy nó
thuộc loại hồi tiếp nào:
A. hồi tiếp nối tiếp-dòng điện. B. hồi tiếp song song-điện áp.
C. hồi tiếp nối tiếp-điện áp. D. hồi tiếp song song-dòng điện.
Câu 3. Hồi tiếp âm sẽ cho hệ số khuếch đại như thế nào so với hệ số khuếch đại của
mạch không có hồi tiếp:
A. giảm B. tăng C. không đổi D. tất cả đều sai
105
Câu 4. Ảnh hưởng của hồi tiếp âm đến trở kháng vào, phát biểu nào sau đây là
đúng:
A. hồi tiếp âm nối tiếp điện áp làm tăng trở kháng vào của phần mạch nằm
trong vòng hồi tiếp là g lần.
B. hồi tiếp âm nối tiếp dòng điện làm tăng trở kháng vào của phần mạch nằm
trong vòng hồi tiếp là g lần.
C. hồi tiếp âm song song làm giảm trở kháng vào của phần mạch nằm trong
vòng hồi tiếp g lần.
D. cả a,b,c.
Câu 5. Ảnh hưởng của hồi tiếp đến trở kháng ra, phát biểu nào sau đây là đúng:
A. hồi tiếp âm song song làm giảm trở kháng ra của phần mạch nằm trong
vòng hồi tiếp g lần.
B. hồi tiếp âm điện áp làm giảm trở kháng ra của phần mạch nằm trong vòng
hồi tiếp g lần.
C. hồi tiếp dòng điện làm tăng trở kháng ra của phần mạch nằm trong vòng
hồi tiếp g lần.
D. cả b và c.
Câu 6. Với mạch hồi tiếp âm nối tiếp dòng điện thì trở kháng vào và trở kháng ra
thay đổi thế nào:
A. trở kháng vào giảm g lần và trở kháng ra tăng g lần.
B. trở kháng vào giảm g lần và trở kháng ra giảm g lần.
C. trở kháng vào tăng g lần và trở kháng ra tăng g lần.
D. trở kháng vào tăng g lần và trở kháng ra giảm g lần.
Câu 7. với mạch hình sau thuộc loai hồi tiếp nào
Hình 4. 15: Mạch khuếch đại EC

A. Hồi tiếp âm nối tiếp dòng điện.
B. hồi tiếp âm song song dòng điện.
106
C. hồi tiếp âm song song điện áp.
D. hồi tiếp âm nối tiếp điện áp.
Câu 8. Mạch sau ở hình 3 thuộc loại hồi tiếp nào:
Hình 4. 16: Mạch khuếch đại dùng BJT (CC)

A. hồi tiếp âm nối tiếp dòng điện.
C. hồi tiếp âm song song điện áp.
D. hồi tiếp âm nối tiếp điện áp.
Câu 9. Mạch sau ở hình 4 thuộc loại hồi tiếp nào:
Hình 4. 17: Mạch khuếch đại dùng BJT (EC)

A. hồi tiếp âm nối tiếp dòng điện.
C. hồi tiếp âm nối tiếp điện áp.
D. A,B,C đều sai.
Câu 10: hồi tiếp âm có đặc điểm sau:
A. Tín hiệu hồi tiếp cùng pha với tín hiệu vào.
B. Tín hiệu hồi tiếp ngược pha với tín hiệu vào.
C. Được dùng để ổn định chế độ công tác (DC) và ổn định các tham số của bộ
khếch đại.
107
D. cả ABvà C
4.7.2. Bài tập
Bài 1: Phân tích những ảnh hưởng của hồi tiếp âm tới các tính chất của mạch
khuếch đại, vẽ mạch điện minh họa.
Bài 2: Một mạch khuếch đại như ở hình sau là một mạch khuếch đại hồi tiếp điện
thế nối tiếp. Bao gồm mạng hồi tiếp của điện trở phân áp R9 và R10. Khuếch đại
không hồi tiếp có các thông số Av =100, Ri = 2 k, và Ro = 5 k. Xác định các thông
số của mạch khuếch đại khi hồi tiếp?
Hình 4. 18: Mạch khuếch đạ dùng BJT hồi tiếp điện thế nối tiếp
Bài 3: Cho mạch như hình sau là một mạch khuếch đại hồi tiếp dòng điện song
song. Khi không hồi tiếp, các thông số mạch khuếch đại là: AI = 800, Ri = 1kΩ, và
Ro = 10kΩ. Hồi tiếp được đưa qua mạng hồi tiếp gồm có R8 và R9 (220 Ω và 4.7
kΩ). Chúng ta hãy xác định hệ số khuếch đại khi hồi tiếp.
108
Hình 4. 19: Mạch khuếch đại hồi tiếp dòng điện song song
Bài 4: Cho một mạch khuếch đại có hồi tiếp như hình sau:
Hình 4. 20: Mạch khuếch đại có hồi tiếp

a) Xác định loại mạch hồi tiếp
b) Với R S = 0, β = 50, hãy xác định A Vf , R of , R if
Bài 5: Cho một mạch khuếch đại có hồi tiếp như hình sau.
109
Hình 4. 21: Mạch khuếch đại có hồi tiếp
a) Xác định loại mạch hồi tiếp
b) Hãy xác định biểu thức tính: A Vf , R of , R if
110
Bài 5: GHÉP TẦNG TRONG MẠCH KHUẾCH ĐẠI
A. Giới thiệu:
- Mạch ghép một tầng có hệ số khuếch đại trong một số trường hợp không
đảm bảo đạt theo yêu cầu đưa ra, để khắc phục điều này ta có thể ghép nhiều tầng
đơn nối tiếp nhau. Đầu ra của tầng trước nối với đầu vào của tầng sau bằng mạch
ghép tầng.
- Để thực hiện kết nối các tầng khuếch đại với nhau thường sử dụng các cách
ghép như: Ghép tầng bằng tụ điện, ghép tầng bằng biến áp, ghép tầng bằng linh
kiện quang điện, ghép Darlington, ghép Cascode.
B. Mục tiêu:
- Phân tích được nguyên lý hoạt động các mạch khuếch đại ghép tầng.
- Đo đạc, kiểm tra, sửa chữa các mạch điện theo yêu cầu kỹ thuật.
- Thiết kế, lắp ráp các mạch theo yêu cầu kỹ thuật.
- Rèn luyện tính tỷ mỉ, chính xác, an toàn và vệ sinh công nghiệp
C. Nội dung:
5.1. Khái quát chung:
Mạch ghép tầng là mạng bốn cực AB, CD. AB nối với đầu ra của tầng trước
và CD nối với đầu vào của tầng sau. Để thực hiện ghép các tầng khuếch đại nối tiếp
nhau ta có thể dùng các phương pháp ghép RC, ghép trực tiếp, ghép biến áp, ghép
quang, ghép cascode, ghép darlington.
5.1.1. Ý nghĩa của ghép tầng trong bộ khuếch đại
Mạch ghép tầng khuếch đại là mạch gồm nhiều tầng khuếch đại mắc liên
tiếp nhau, tín hiệu ra tầng đầu hay tầng trung gian bất kỳ sẽ là tín hiệu vào tầng sau.
nhằm tạo ra hệ số khuếch đại điện áp AV, dòng điện Ai có giá trị lớn.
5.1.2. Sơ đồ khối tổng quát
Hình 5. 1: Sơ đồ khối của mạch ghép tầng khuếch đại

5.1.3. Đặc điểm của bộ khuếch đại ghép tầng
a. Hệ số khuếch đại của mạch ghép tầng:
111
Ta có: Vo1= AV1.Vin
Vo2= AV2.Vin2 = AV2.Vo1 = AV1.AV2.Vin
Vo3= AV3.Vin3 = AV2.Vo2 = AV1.AV2. AV3.Vin
Tương tự Vout= AVN.VinN = AV1.AV2. AV3...... AVN.Vin
V out V o 1 V o 2 V o3 V
AV = = × × ×. .. .× out = A V 1 ×A V 2 ×A V 3 ×. .. . .× AVN
Vậy V in V in V in2 V in 3 V inN (5.1)
 Hệ số khuếch đại tính theo đơn vị Decibel (dB):
20 log 10|AV|=20 log 10|AV 1 × AV 2× A V 3 ×.. .. .× A VN |
¿(20 log10 AV 1 +20 log 10 A V 2 +20 log10 A V 3 +. .. . .+20 log10 A VN )dB (5.2)
 Biểu thức (5.1) kết quả không tính đến ảnh hưởng của điện trở nguồn và điện
trở tải lên độ lợi áp tổng. Điện trở nguồn r s tạo ra phân áp ở đầu vào của tầng thứ
nhất, và điện trở tải tạo ra phân áp giữa điện trở tải và tổng trở ra của tầng cuối
cùng.
Trong trường hợp này, độ lợi áp tổng giữa tải và nguồn tín hiệu trở thành:
Ví dụ: Cho bộ ghép tầng khuếch đại như hình 5.2. Biết Vi1= 10mV(rms), hệ số
khuếch đại áp AV1= AV2 =20. Hãy tính điện áp ngõ ra V02, và hệ số khuếch đại AV
của mạch ghép tầng.
Hình 5. 2: Mạch ghép hai tầng khuếch đại

Giải: Ta có hệ số khuếch đại AV1 = AV2 = 20
Ngõ ra tầng 1: Vo1 = AV1. Vi1 = 20.10 mV(rms) = 200 mV(rms)
Ngõ vào tầng 2: Vi2 = Vo1 = 200 mV(rms).
Nên ngõ ra tầng 2: Vo2 = AV2Vi2 = 20. 200mV = 4 V(rms)
Hệ số khuếch đại:
112
- Việc tính toán các tầng chọn chế độ làm việc tĩnh, và chế độ xoay chiều phải
theo thứ tự từ tầng cuối đến tầng đầu tiên. Việc tính toán ở tầng cuối phải đảm bảo
đưa ra tải Rt công suất đạt yêu cầu, dựa vào hệ số khuếch đại tầng cuối ta xác định
các tham số tín hiệu vào và số tầng.
b. Phối hợp trở kháng:
Đối với mạch ghép liên tầng là tạo công suất ngõ ra trên tải là lớn nhất, nên
cần phải quan tâm đến việc phối hợp trở kháng.
Giả sử nguồn tín hiệu ngõ vào Vin(t) có nội trở rin, tải của mạch là Rt
Để cho công suất trên tải đạt cực đại thì Rt =rin
c. Đặc tuyến tần số của bộ khuếch đại:
Mỗi tầng khuếch đại đều có một dải tần làm việc riêng, do đó giá trị của
f H −f L
dải tần chung của mạch khuếch đại nhiều tầng được xác định: BWn=
n
Trong đó BW= fH – fL là băng thông của mỗi tầng, n số tầng.
Vậy khi ghép nhiều tầng thì dải tần số làm việc bị thu hẹp lại đây cũng là
nhược điểm của cách ghép nhiều tầng.
5.2. Mạch khuếch đại ghép tầng bằng RC mắc kiểu EC
Mục tiêu: Biết được sơ đồ mạch điện, nguyên lý hoạt động, vẽ mạch tương
đương và tính toán được các thông số như độ lợi dòng,áp,tổng trở vào ra,hiểu
được các đặc tính ( ưu nhược điểm) và ứng dụng của mạch ghép tầng khuếch đại
bằng RC.
Thường dùng trong các mạch tiền khuếch đại công suất như: Mạch khuếch đại âm
thanh, và mạch điều khiển cảm biến
a. Mạch điện:
113
Hình 5. 3: Sơ đồ mạch ghép 2 tầng khuếch đại bằng RC
b. Tác dụng của linh kiện:
- Điện trở R11, R12 tạo cầu phân áp cấp nguồn cho cực B Transistor T1.
- Điện trở RC1, RE1 tạo phân cực điểm làm việc Q Transistor T1.
- Tụ điện Ci, Co ngăn thành phần một chiều ngõ vào, ra và dẫn tín hiệu cần
khuếch đại
- Tụ điện C liên lạc giữa 2 tầng khuếch đại có nhiệm vụ thông dẫn về
phương diện xoay chiều và cách ly về phương diện một chiều
5.2.2. Nguyên lý làm việc:
Tín hiệu cần khuếch đại Vin qua tụ nối tầng Ci được đưa tới chân B đèn T1
để khuếch đại rồi lấy trên tải Rc1 sau đó qua tụ nối tầng C vào chân B của đèn T2
khuếch đại tiếp và lấy trên tải Rc2 qua tụ nối tầng Co tới đầu ra Vout.
T1,T2 dùng mạch khuếch đại cực phát chung(EC) mỗi đèn đảo pha 180 độ
nên hai đèn đảo pha 360 độ bởi vậy tín hiệu vào Vin đồng pha với tín hiệu ra Vout.
114
Hình 5. 4: Mô phỏng ghép tầng khuếch đại bằng RC
5.2.3. Các thông số của mạch điện
a. Mạch tương đương AC (mạch tương đương tín hiệu nhỏ):
Hình 5. 5: Sơ đồ mạch AC (tương đương tín hiệu nhỏ bỏ qua hoe, hre)
Trong đó giá trị các tham số được tính như sau:
b. Tính toán các thông số của mạch điện:

* Tính giá trị thành phần DC
Khi xét thành phần DC thì các tầng bị tách ra riêng biệt nhờ tụ C ngăn dòng
DC giữa các tầng với nhau, nên ta tính các giá trị DC như sau:
115
*Hệ số khuếch đại áp:
( )( )
V out V out ib 2 ib 1 RC 1‖R B 2 1
AV = = × × =h fe 1×hfe 2 ×( R C 2‖R L )
V in ib 2 ib 1 V in RC 1‖R B 2 +Z2 Z 1
Z 2=h ie + ( 1+h fe 2 ) R E 2 Z1 =h ie + ( 1+h fe 1 ) R E 1
Với giá trị 2 , và 1
Chứng minh:
V out
V out =−h fe 2 i b 2×( RC 2‖R L ) ⇒ =−hfe 2 ×( R C 2‖R L )
Điện áp tại i b2
Điện áp tại 2 2 [ 2 ]

V b =hie ×i b2 + R E 2 i e 2= h ie + ( 1+h fe 2 ) R E 2 ×i b2 =Z 2×i b 2
( ) ( )
RC 1‖R B 2×Z 2 i RC 1‖R B 2
V b 2 =−h fe 1 .ib 1 =ib 2×Z 2 ⇒ b2 =−hfe 1
RC 1‖R B 2 +Z 2 ib1 RC 1‖R B 2 +Z 2
Điện áp tại
ib 1 1
Điện áp tại 1 [ 1 ]
V in =V B 1 =hie i b 1 +i e 1 R E 1 = hie + ( 1+hfe 1 ) R E 1 ×i b1 =Z 1×i b 1 ⇒
V in
=
Z1
io
Ai =
* Hệ số khuếch đại dòng i in
Z 2=h ie + ( 1+h fe 2 ) R E 2 Z1 =h ie + ( 1+h fe 1 ) R E 1

Với giá trị 2 , và 1
Chứng minh:
Điện áp tại
( )
ib 1 Rb 1
V in =i in ( Rb 1‖Z 1 ) =Z 1 ×i b1 ⇒ =
i in R b1 + Z 1
Điện áp tại
*Trở kháng ngõ vào:

116
*Trở kháng ngõ ra: khi Vin =0
5.2.4. Ưu nhược điểm:
a. Ưu điểm:
Mạch là đơn giản, dễ lắp, hệ số khuếch đại rất lớn nên thường dùng khuếch
đại tín hiệu nhỏ trong các thiết điện tử. Giữu các tầng liên lạc với nhau bằng tụ C
nên việc chọn điểm làm việc tĩnh cho mỗi tầng một cách dễ dàng và thuận lợi.
b. Nhược điểm:
Mạch ghép tầng dùng tụ điện C làm suy giảm biên độ tín hiệu ở vùng tần số
thấp nên phải dùng tụ có trị số hàng µF.
Hiệu suất giảm do tiêu hao công suất thành phần xoay chiều (AC) và một
chiều (DC) trên điện trở tải giữa các tầng.
Trở kháng của tầng trước mắc song với trở kháng ngõ vào tầng sau nên khó
phối hợp trở kháng gữa các tầng.
5.2.5. Lắp ráp mạch khuếch đại ghép tầng bằng RC
a. Chuẩn bị:
* Chuẩn bị các linh kiện sau:
Bảng 5. 1: Danh mục linh kiện
TT Danh mục linh kiện Giá trị Số lượng
1 Điện trở chân cắm R11, R21 68KΩ 2
2 Điện trở chân cắm R12, R22 6.8KΩ 2
3 Điện trở chân cắm RC1, RC2 1.5KΩ 2
4 Điện trở chân cắm RE1, RE2 500Ω 2
5 Điện trở chân cắm RL 1.5Ω 1
6 Tụ hóa Ci, C, Co 10uF/25V 3
7 Đèn bán dẫn T1, T2 C828 hoặc 2
C1815
* Chuẩn bị dụng cụ, testboard:
117
Bảng 5. 2: Danh mục dụng cụ, vật tư
TT Dụng cụ, vật tư Thông số cơ bản Số lượng
1 Mỏ hàn xung 220Vac 1
2 Mạch in đa năng một mặt có khoan lỗ 830 điểm 1
(hoặc bo mạch Board Test cắm linh kiện)
3 Dây nối 20cm 30
4 Kéo, kìm cắt chân linh kiện 125mm 1
5 Nhíp gắp linh kiện ESD-12 1
* Thiết bị:
Bảng 5. 3: Danh mục thiết bị
TT Danh mục thiết bị Thông số cơ bản Số lượng
1 Bộ nguồn vô cấp ±15VDC 1
2 Đồng hồ vạn năng VAC, VDC, I, Ω 1
3 Máy hiện sóng 2CH,  >20MHz 1
4 Máy phát xung vuông, tam giác, sin  = 0 ÷ 5MHz 1
b. Lắp ráp mạch:

* Lắp ráp mạch trên board test:
Lắp ráp mạch trên testboard theo sơ đồ nguyên lý sau :
Hình 5. 6: Sơ đồ mạch ghép 2 tầng khuếch đại bằng RC

c. Khảo sát các thông số:
+ Đo điện áp cấp nguồn Vcc (12Vdc).
118
+ Đo điện áp chân B,C,E của đèn T1, T2 và ghi nhận xét điện áp giữa BE,
CE.
+ Cấp vào mạch tín hiệu hình sin có biên độ tần số 1Vpp. Tần số 1kHz.
+ Sử dụng máy hiện sóng đo tín hiệu ra và vẽ dạng sóng tại các điểm tần số
khác nhau.
Bảng 5. 4: Thông số và dạng sóng khảo sát
R: 9K ……. …… …… …… 20kHz
Vout:
Dạng
sóng
* Khảo sát biên độ tín hiệu thay đổi:

+ Cập vào mạch tín hiệu hình sin có tần số 1kHz.
+ Thay đổi biên độ tín hiệu vào trong các khoảng từ 10mVpp - 5Vpp.
+ Sử dụng máy hiện sóng đo tín hiệu ra và vẽ dạng sóng tại các điểm biên độ
tín hiệu vào khác nhau.
Bảng 5. 5: Thông số và dạng sóng khảo sát mạch
Vin: 10mVpp ……. …… …… …… 5Vpp
Vout:
Dạng
sóng
* Khảo sát tần số tín hiệu vào thay đổi:

+ Cập vào mạch tín hiệu hình sin có biên độ tần số 1Vpp.
+ Thay đổi tần số tín hiệu vào trong các khoảng từ 100Hz - 10kHz.
119
khác nhau.
Bảng 5. 6: Thông số và dạng sóng khảo sát mạch từ thực tế
 in: 100Hz ……. …… …… …… 10kHz
Vout:
Dạng
sóng
d. Nhận xét
+ So sánh kết quả khảo sát với nội dung lý thuyết đã xây dựng tại các mục trên.
.
………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………
5.3. Mạch khuếch đại ghép tầng trực tiếp mắc kiểu EC
Mục tiêu: Biết được sơ đồ mạch điện, tính toán được độ lợi dòng và áp, tổng
trở vào và ra, ưu, nhược điểm, ứng dụng của mạch ghép tầng trực tiếp.
Thường dùng mạch khuếch đại công suất có dãy tần hoạt động rộng.
a. Mạch điện:
120
Hình 5. 7: Sơ đồ mạch khuếch đại ghép tầng trực tiếp
b. Tác dụng linh kiện:
Điện trở R11, R12 tạo cầu phân áp cấp nguồn cho cực B Transistor Q1.
Điện trở RC1, RE1 tạo phân cực điểm làm việc Q Transistor Q1.
Điện trở RC2, RE2 tạo phân cực điểm làm việc Q Transistor Q2.
Tụ điện Ci, C0 ngăn thành phần một chiều ngõ vào, ra và dẫn tín hiệu cần
khuếch đại.
Hình 5. 8: Mô phỏng mạch ghép trực tiếp

Tín hiệu cần khuếch đại Vin qua tụ nối tầng Ci được đưa tới chân B đèn Q1
để khuếch đại rồi lấy trên tải Rc1 sau đó được ghép trực tiếp vào chân B của đèn
Q2 khuếch đại tiếp và lấy trên tải Rc2 qua tụ nối tầng Co tới đầu ra Vout.
Q1,Q2 dùng mạch khuếch đại cực phát chung(EC) mỗi đèn đảo pha 180 độ
nên hai đèn đảo pha 360 độ bởi vậy tín hiệu vào Vin đồng pha với tín hiệu ra Vout.
121
Hình 5. 9: Mô phỏng mạch ghép trực tiếp
5.3.3. Các thông số của mạch điện

a. Tính toán phân cực DC:
R 12 R ×R
V BB1 == V CC , Rb 1 =R 11‖R12= 11 12
- Tính R11+ R12 R11+R 12
V BB 1 −0 , 7 25 mV
I CQ 1 = ⇒ hie 1 =m.×hfe ×
R b1 1 I CQ 1
+ RE1
- Tính β1
- Tính
V B 2≡ V C 1 =V CC −I CQ1 RC 1 ,
b. Tính toán các thông số AC:
*Sơ đồ mạch tương đương AC
Hình 5. 10: Mạch tương đương (AC)

V out
AV =
*Hệ số khuếch đại áp V in
122
Z1 =h ie + ( 1+h fe 1 ) R E 1 Z 2=h ie + ( 1+h fe 2 ) R E 2
Với giá trị 1 , và 2
V out
Chứng minh: Điện áp tại i b2
Điện áp tại 2 2 [

V b =hie ×i b2 + R E 2 i e 2= h ie + ( 1+h fe 2 ) R E 2 ×i b2 =Z 2×i b 2
2 ]
( ) ( )
RC 1 ×Z 2 i RC 1
V b 2 =−h fe 1 .i b 1 =i b 2×Z 2 ⇒ b2 =−h fe 1
RC 1 + Z 2 i b1 RC 1 + Z 2
Điện áp tại
Điện áp tại
ib 1 1
1 [ 1 ]
V in =V B 1 =hie i b 1 +i e 1 R E 1 = hie + ( 1+hfe 1 ) R E 1 ×i b1 =Z 1×i b 1 ⇒
V in
=
Z1
io
Ai =
*Hệ số khuếch đại dòng i in
( )( )( )
i o i o i b2 i b 1 RC 2 RC 1 Rb 1
Ai = = × × =h fe 1 ×hfe 2×
i in i b 2 i b1 i in R C 2+ R L RC 1 + Z 2 Rb 1 + Z 1
( )
io RC 2
V out =−h fe 2 i b 2×( RC 2‖R L ) =i o R L ⇒ =−h fe 2
ib 2 RC 2 + R L
Chứng minh: Điện áp tại
( )
ib 1 Rb 1
V in =i in ( Rb 1‖Z 1 ) =Z 1 ×i b1 ⇒ =
i in R b1 + Z 1
Điện áp tại
*Trở kháng ngõ vào:

V out
Z out= =RC 2
*Trở kháng ngõ ra: i0 khi Vin =0
5.3.4. Ưu nhược điểm
a. Ưu điểm:
Không bị ảnh hưởng đáp ứng tần số, ổn định nhiệt, dễ chế tạo dưới dạng vi
mạch. Hệ số khuếch đại áp AV, dòng Ai rất lớn nên thường dùng trong các mạch
khuếch đại tín nhỏ.
b. Nhược điểm:
Mạch có hệ số khuếch đại lớn, tín hiệu ngõ ra bị ảnh hưởng khi ngõ vào bị
tác động nhỏ.
Chế độ một chiều giữa các tầng liên quan chặt chẽ nhau, nên việc định điểm
làm việc tĩnh giữ các tầng sẽ khó khăn hơn ghép RC.
123
5.3.5. Lắp ráp mạch khuếch đại ghép tầng trực tiếp
*Bước 1. Lắp mạch như hình 5.11.
*Bước 2. Cấp nguồn Vi tín hiệu sin có biên độ Vm= 1V, tần số f =1kHz tại
A.
Hình 5. 11: Mạch thực hành khuếch đại ghép trực tiếp
*Bước 3. Tính hệ số khuếch đại áp AV (sử dụng dao động ký Osillocope).
Chọn kênh CH1 (CHA) đo điện áp Vi, CH2 (CHB) đo điện áp Vo.
Chỉnh biến trở VR sao cho điện áp Vo đạt giá trị lớn nhất và không bị méo dạng.
Vẽ dạng sóng điện áp Vi(V), điện áp Vo1(V) vào hình 5.12.
Hình 5. 12: Vẽ dạng sóng trên hệ trục tọa độ của Osillocpe

124
Vo
Vi
*Bước 4.Tính độ lệch pha φ=φ 0−φ i

a 0
*Bước 5. Đo điện áp Vo1 , và Vo, vẽ vào hình 5.13
Hình 5. 13: Vẽ dạng sóng trên hệ trục tọa độ của Osillocpe

- Đo biên độ đỉnh Vi = ..................., biên độ đỉnh Vo1 =...................................
V o1
- Tính hệ số khuếch đại áp AV 1= =
Vi
- Tính góc lệch giữa Vo1 với Vi : φ1 = φo1 – φi =

Vo
V io 1
* Bước 6. Mắc thêm tải RL
125
- Hãy tiến hành thực hiện lại các bước từ bước1 đến bước 5.
* Bước 7. Lập bảng so sánh khi mắc thêm điện trở RL.
Bảng 5. 7: Các thông số khảo sát từ thực tế

Hệ số Av1 AV2 AV φ
Không có RL
Có RL
*Bước 8. Nhận xét và giải thích kết quả đo trong hai trường hợp có tải RL
và không tải.
.....................................................................................................................................
.....................................................................................................................................
.....................................................................................................................................
5.4. Các mạch khuếch đại ghép tầng khác
5.4.1. Mạch ghép biến áp
a. Mạch điện và tác dụng linh kiện
* Mạch điện
Hình 5. 14: Mạch khuếch đại ghép tầng bằng biến áp
- Cuộn dây sơ cấp N1 của biến áp BT thay cho tải RC1 ở tầng 1, vì biến áp
hoạt động giống như cuộn dây có trở kháng rất nhỏ đối với dòng một chiều (DC).
Cuộn dây thứ cấp N2 của biến áp BT để lấy tín hiệu đưa tới cực B đèn T2
- Điện trở RE1 tạo phân cực điểm làm việc Q Transistor T1.
126
- Tụ CE1 lọc ổn định điện áp chân E đèn T1 để khử hồi tiếp âm trên RE1.
- Tụ CE2 lọc ổn định điện áp chân E đèn T2 để khử hồi tiếp âm trên RE2.
- Tụ C dẫn tín hiệu cần khuếch đại từ cuộn dây N2 đến đến cực B Transistor
T2.
- Tụ điện Ci, Co ngăn thành phần một chiều ngõ vào, ra và dẫn tín hiệu cần
khuếch đại.
b. Nguyên lý làm việc:
Tín hiệu cần khuếch đại Vin qua tụ nối tầng Ci được đưa tới chân B đèn T1
để khuếch đại rồi lấy trên tải N1 sau đó cảm ứng sang N2 vào chân B của đèn T2
khuếch đại tiếp và lấy trên tải Rc2 qua tụ nối tầng Co tới đầu ra Vout.
Hình 5. 15: Mô phỏng mạch khuếch đại ghép biến thế

c. Mạch tương đương AC:
Hình 5. 16: Sơ đồ mạch AC mạch khuếch đại ghép biến thế
d. Tính toán các thông số của mạch:
R11 ×R12 R21×R22
Rb 1 =R11‖R12= ; Rb 2=R 21‖R 22=
R11 + R12 R21+ R 22
25 mV 25 mV
hie 1 =m .×h fe × , hie 1 =m.×hfe ×
1 I CQ 1 2 2 I CQ 2
-
127
R 12 V −0 ,7
V BB1 = V CC ⇒ I CQ 1= BB1 ⇒ h ie 1
R11 + R12 R b1
+ RE1
- β1
R22 V BB 1−0 ,7
V BB2 = V ⇒ I CQ 2= ⇒ h ie 2
R 21+ R 22 CC Rb 2
+ RE2
- β2
Xem nội trở của biến thế bằng không. Cuộn thứ cấp N2 có điện trở R2=
RB2.
N1
n=
- Cuộn sơ cấp có điện trở với N2
N2
V 2= V
- Điện áp , điện áp: N1 1
- Điện áp:
e. Ưu nhược điểm của mạch ghép tầng bằng biến áp:

* Ưu điểm:
Dòng điện tĩnh giữa các tầng độc lập nhau, nội trở ở các vòng dây nhỏ nên
tiêu hao công suất một chiều (DC) nhỏ làm tăng hiệu suất, và dễ dàng phối hợp trở
kháng. Không bị sụp áp trên tải một chiều nên không cần nguồn cung cấp cao.
* Nhược điểm:
Kích thước và trọng lượng lớn gây cồng kềnh. Khi hoạt động ở dãy tần rộng
tín hiệu thường bị méo dạng ở tần số thấp nên băng thông hoạt động bị hẹp lại.
g. Ứng dụng của mạch điện:
Thường dùng trong các mạch khuếch đại công suất âm tần.
5.4.2. Mạch ghép quang
a. Bộ ghép quang (opto – coupler):
Mục tiêu:
- Cấu tạo của bộ ghép quang.
- Nguyên lý hoạt động của bộ ghép quang.
- Ứng dụng.
* Cấu tạo
128
Bộ ghép quang gồm có hai phần gọi là sơ cấp và thứ cấp. Phần sơ cấp là một
diode loại GaAs phát ra tia hồng ngoại, phần thứ cấp là một transistor quang loại
silic.
- Ký hiệu:
If Ic
Hình 5. 17: Ký hiệu của bộ ghép quang

Khi được phân cực thuận, didoe phát ra bức xạ hồng ngoại chiếu lên trên mặt
của transistor quang. Như vậy, tín hiệu điện được sơ cấp là LED hồng ngoại (còn
gọi là phần phát) đổi thành tín hiệu ánh sáng. Tín hiệu ánh sáng được phần thứ cấp
là transistor quang (còn gọi là phần nhận đổi lại thành tín hiệu điện).
* Đặc trưng kỹ thuật
- Bộ ghép quang được dùng để cách điện giữa hai mạch điện có điện áp cách
biệt lớn. Điện áp cách điện giữa sơ cấp và thứ cấp thường từ vài trăm volt đến hàng
ngàn volt.
- Bộ ghép quang có thể làm việc với dòng điện một chiều hay tín hiệu điện
xoay chiều có tần số cao.
- Điện trở cách điện giữa sơ cấp và thứ cấp có trị số rất lớn thường khoảng
vài chục đến vài trăm M đối với dòng điện một chiều.
- Hệ số truyền đạt dòng điện là tỉ số phần trăm của dòng điện ra ở thứ cấp I C với
dòng điện vào ở sơ cấp IF. Đây là thông số quan trọng của bộ ghép quang thường có
trị số từ vài chục phần trăm đến trăm phần trăm tùy lọai bộ ghép quang.
b. Các bộ ghép quang
* Bộ ghép quang transistor (Opto –transistor)
4
1 5
1 3
2 6
2 4
3
Hình 5. 18: Bộ ghép quang transistor (Opto –transistor)
129
Thứ cấp của bộ ghép quang này là phototransistor loại Silic. Đối với bộ ghép
quang transistor có bốn chân thì transistor không có cực B. Trường hợp bộ ghép
quang có sáu chân thì cực B được nối ra ngoài như hình vẽ trên.
Bộ ghép quang không có cực B có lợi điểm là hệ số truyền đạt lớn, tuy nhiên
loại này có nhược điểm là độ ổn định nhiệt kém.
Nếu nối giữa cực B và E một điện trở thì các bộ ghép quang transistor là bộ
ghép quang làm việc khá ổn định với nhiệt độ nhưng hệ số truyền đạt lại bị giảm.
* Bộ ghép quang Darlington –Transistor
Bộ ghép quang Darlington –transistor có nguyên lý như bộ ghép transistor
quang nhưng với hệ số truyền đạt lớn hơn vài trăm lần nhờ tính chất khuếch đại của
mạch Darlington.
Bộ ghép quang loại này có nhược điểm là bị ảnh hưởng bởi nhiệt độ rất lớn
nên thường được chế tạo có điện trở giữa chân B và E của transistor để ổn định
nhiệt. 4
1
6
3
Hình 5. 19: Bộ ghép quang Darlington –Transistor

Thí dụ một vài thông số đặc trưng của các bộ ghép quang transisitor.
Loại quang transistor 4N35:
IF = 10 mA + hệ số truyền đạt dòng điện 100% - BUCEo =30V
Loại quang Darlington Transistor ILD 32 có:
IF = 10 mA - hệ số truyền đạt dòng điện 500% - BUCEo =30V
* Bộ ghép quang với quang Thyristor ( OPTO- Thyristor )
Bộ ghép quang Thyristor có cấu tạo bán dẫn như hình 5.20 gồm có một
quang doide và 2 transistor ghép theo nguyên lý của SCR.
Khi có ánh sáng hồng ngoại do Led ở sơ cấp chiếu vào quang diode thì sẽ có
dòng IB cấp cho Transistor NPN và khi Transistor NPN dẫn thì sẽ điều khiển
Transistor PNP dẫn điện. Như vậy quang thyristor đã được dẫn và sẽ duy trì trạng
thái dẫn mà không cần kích liên tục ở sơ cấp.
130
Hình 5. 20: Ký hiệu và cấu trúc bán dẫn tương đương của opto thyristor
Để tăng khả năng chống nhiễu người ta nối giữa chân G và K bằng 1 điện trở
từ vài KΩ đến vài chục KΩ.
* Bộ ghép quang với quang Triac ( OPTO – Triac )
OPTO – Triac có cấu trúc bán dẫn tương đương như hình 5.21
Hình 5. 21: Bộ ghép quang với quang TRiac (OPTO – Triac)

c. Ứng dụng của OPTO – COUPLERS:
Các loại OPTO – couplers có dòng điện ở sơ cấp cho Led hồng ngoại
khoảng 10 mA. Đối với OPTO- Transistor khi thay đổi trị số dòng điện qua Led
hồng ngoại ở sơ cấp sẽ làm thay đổi dòng điện ra IC của photo Transistor thứ cấp.
OPTO – Couplers có thể dùng để thay cho rơle hay biến áp xung để giao tiếp
với tải thường có điện áp cao và dòng điện lớn.
131
Hình 5. 22: Ứng dụng của OPTO – COUPLERS
Mạch điện hình 5.22 là ứng dụng của OPTO – Transistor điều khiển đóng
ngắt đèn. Khi ngõ ra của mạch logic ở cao (gần 5V) đèn Led của nối quang 4N25
tắt, quang transitor ngưng dẫn , dòng điện từ nguồn +24V qua 22K và vào cực b
transistorT1 làm T1 dẫn kéo theo T2 dẫn và đèn Đ sáng. Khi ngõ ra của mạch logic
thấp ( gần 0V) đèn Led của n ối quang sáng. Quang transitror dẫn không cho dòng
điện từ nguồn +24V vào T1 nên T1 ng ưng dẫn kéo theo T2 ng ưng dẫn và đèn Đ tắt.
Mạch điện hình 5.23 là ứng dụng của OPTO – Transistor điều khiển đóng ngắt
Rơ-le. Quang transistor trong bộ ghép quang được ghép Darlington với transistor
công suất bên ngoài, khi Led hồng ngoại ở sơ cấp được cấp nguồn 5V thì thì quang
Transistor dẫn điều khiển Transistor công suất dẫn để cấp điện cho cuộn dây của
rơle RY. Điện trở R=390 ohm để giới hạn dòng qua Led hồng ngoại khoảng 10mA.
Hình 5. 23: Mạch điện đóng ngắt rơle dùng OPTO -

transistor
132
a
b
Hình 5. 24: Ứng dụng mạch điều khiển quang
Mạch điện hình 5.24a là ứng dụng của OPTO-Triac để đóng ngắt điện cho
tải dùng nguồn xoay chiều. Điện trở R để giới hạn dòng qua Led hồng ngoại
khoảng 10 mA. Khi Led sơ cấp được cấp nguồn 12 V thì Triac sẽ được kích và dẫn
điện tạo dòng kích cho Triac công suất. Khi Triac công suất được kích sẽ dẫn điện
như một công tắc để đóng điện cho tải.
Mạch điện hình 5.24b: Triac của nối quang điều khiển Triac dòng lớn (ví dụ
2N6071B) cung cấp công suất cho tải hoạt động ở nguồn điện 50 Hz. Về phía điều
khiển transitor 2N222 bảo vệ không cho dòng quá lớn qua Led của nối quang : khi
dòng qua Led lớn do điện thế điều khiển lớn thì điện thế của cực B transitor cũng
lớn làm transitor dẩn chia xẻ bớt dòng điện với Led.
5.4.3. Mạch ghép cascode
a. Mạch điện và tác dụng linh kiện
* Mạch điện:
133
Hình 5. 25: Sơ đồ mạch khuếch đại ghép Cascode
Điện trở Rb1, Rb2, Rb3 tạo cầu phân áp cấp nguồn cho cực B Transistor Q1, Q2.
Điện trở RC tạo phân cực và phối hợp tải ra.
RE tạo ổn định nhiệt và phân cực Transistor Q1, Q2.
Tụ điện C1 nối tắt cực B transistor Q2.
Tụ điện CE nối tắt cực E transistor Q1
Tụ điện Ci, C0 ngăn thành phần một chiều ngõ vào và ra.
b. Nguyên lý hoạt động:
Tín hiệu cần khuếch đại Vin qua tụ Ci tới Q1,Q2 khuếch đại rồi lấy trên tải
Rc qua tụ Co đưa tới đầu ra Vout. Tín hiệu ra Vout ngược pha với tín hiệu vào Vin.
134
Hình 5. 26: Mô phỏng hoạt động của mạch khuếch đại ghép Cascode
c. Tính toán các thông số DC:
Rb 3
V b 1= ×V CC
- Điện áp tại cực B của Q2 : R b1 + R b 2 + Rb 3
V b 1−0 , 7
I E 1=
- Dòng điện RE
- Ta có
I E 2 ≡I C 1 ⇒ I E 1 =I C1 =I E 2 =I C 2
d. Tính toán các thông số AC:
* Sơ đồ mạch tương đương AC
Hình 5. 27: Mạch tương đương (AC) ghép Cascode

* Hệ số khuếch đại áp AV
( ) ( )
V out V out i b 2 i b 1 hfe 1 1
AV = = × × =−h fe 2 ×( RC ‖R L )
V in ib 2 i b 1 V in 1+h fe 2 hie
1
Chứng minh: Dùng 2 Transistor cùng mã số nên hfe1 = hfe2 = hfe
135
V out
- Điện áp tại i b2
ib 2 h
( )
1+h fe ×ib 2 =h fe 1×i b 1 ⇒ = fe 1
- Dòng điện 2 i b1 1+ hfe 2
i b1 1
V in =V B 1 =hie i b 1 ⇒ =
1 V in hie
- Điện áp tại 1
io
Ai =
( )( )
io io i b2 ib 1 RC Rb
Ai = = × × =−h fe 2 ×
i in ib 2 i b1 i in RC + R L Rb +hie Rb =R b ‖R b 3
1 Với giá trị 2
Chứng minh:
( )
io RC
V out =−h fe 2 i b 2×( RC 2‖R L ) =i o R L ⇒ =−h fe 2
ib 2 RC + R L
- Điện áp tại
( )
ib 1 Rb
( 1)
V in =i in R b‖hie =hie 1×i b 1 ⇒
i in
=
Rb +hie
- Điện áp tại 1
* Trở kháng ngõ vào Zin

V in
V in =i in ( Rb 1‖Z 1 ) ⇒ Z in= =R b‖hie
- Ta có i in 1
* Trở kháng ngõ ra Zout

V out
Z out= =RC
- Ta có i0 khi Vin =0
e. Các đặc tính của mạch CASCODE:
- Mạch ghép ngõ vào tầng 1 theo kiểu E chung (ngõ vào cực B, ra cực C),
tầng 2 ghép kiểu B chung (ngõ vào cực E, ra cực C). Giữa hai tầng ghép nối tiếp
nhau.
- Mạch có tín hiệu ngõ vào và ra đảo pha nhau.
f. Ứng dụng của mạch điện:
- Thường dùng trong mạch khuếch đại dòng áp của mạch công suất tần số
cao.
136
h. Láp ráp mạch khuếch đại CASCODE:
Bước 1: Lắp ráp mạch như hình vẽ 5.28
Hình 5. 28: Lắp ráp mạch khuếch đại ghép cascode

Bước 2: Cấp nguồn Vi’ tín hiệu sin có biên độ Vm= 1V, tần số f =1kHz tại A.
Bước 3: Nối 2 điểm B1 và B2
Bước 4: Tính hệ số khuếch đại áp AV , và tính độ lệch pha φ. (sử dụng dao
động ký Osillocope)
dạng. Vẽ dạng sóng điện áp Vi(V), điện áp Vo1(V) vào hình 5.29
Vo
Vi
Bước 5: Tính độ lệch pha φ=φ 0−φ i
137
Hình 5. 29: Vẽ giản đồ
Bước 6: Đo điện áp Vo1 , và Vo, vẽ vào hình 5.30
Hình 5. 30: Vẽ giản đồ trên hệ trục tọa độ

- Đo biên độ đỉnh Vi = ................., biên độ đỉnh Vo1 =...................................
V o1
- Tính hệ số khuếch đại áp AV 1= = ……………………………
Vi
- Tính góc lệch giữa Vo1 với Vi : φ1 = φo1 – φi =………………….

Vo
- Tính hệ số khuếch đại áp AV 2= = ………………………
V o1
Bước 7: Xác định trở kháng ngõ vào Zi:
138
RV
Z ¿=
( V B1
V B2
−1
)
Bước 8: Xác định trở kháng ngõ ra Zo:

V 02
−1 .
)
Bước 9: Lập bảng so sánh khi mắc thêm điện trở RL.
Bảng 5. 8: Các thông số khảo sát mạch tự thực tế
Hệ số AV φ Zin Zo
Kết quả
Bước 10. Nhận xét và giải thích kết quả đo:

..........................................................................................................................
..........................................................................................................................
..........................................................................................................................
i. Kiểm tra và sửa chữa các hỏng hóc của mạch :
Khi tín hiệu ngõ ra Vo không đạt yêu cầu, việc đầu tiên chúng ta kiểm tra đo
Vi có tín hiệu vào không? Sau đó đo điện áp ngõ ra Vo1, nếu ngõ ra Vo1 không có tín
hiệu thì ta lại kiểm ta ở tầng 1( mạch điện bị hở không? C1815 còn tốt không? ),
trường hợp ngõ ra Vo1 có tính hiệu thì ta phải kiểm tra tầng 2(mạch điện bị hở
không? A1015 còn tốt không?).
5.4.4. Mạch ghép Darlington
Mục tiêu: Biết được sơ đồ mạch điện, nguyên lý hoạt động, vẽ mạch tương
đương và tính toán được các thông số như độ lợi dòng,áp,tổng trở vào ra,hiểu
được các đặc tính và ứng dụng của mạch khuếch đại DARLINGTON.
a. Mạch điện và tác dụng linh kiện:
* Mạch điện:
139
Hình 5. 31: Mạch khuếch đại ghép Darlington
* Tác dụng linh kiện:
- T1,T2 làm nhiệm vụ khuếch đại ghép kiểu Darlington
- Điện trở RE tạo điện áp cho cực E ở ngõ ra T2.
- Tụ điện Ci, Co lọc tín hiệu một chiều ở ngõ vào và ra.
b. Nguyên lý làm việc:
Tín hiệu cần khuếch đại Vin qua tụ Ci tới T1,T2 được khuếch đại rồi lấy trên
tải RE qua Co đưa tới đầu ra Vout để tới tầng tiếp theo.
Pha tín hiệu ra Vout đồng pha với tín hiệu vào Vin.
Hình 5. 32: Mô phỏng mạch khuếch đại ghép Dalington
140
c. Sơ đồ mạch AC tương đương:
Hình 5. 33: Sơ đồ mạch AC tương đương

d. Tính toán các thông số của mạch điện:
* Tính toán thành phần DC:
R2 R1 ×R2
V B1 ≈V BB = V CC , Rb =R1‖R 2=
- Tính giá trị tương đương R 1 + R2 R1 + R2
V BB −1, 4 I EQ
2
I EQ = ⇒ I EQ =I B =
- Tính dòng điện 2 RE 1 2 β2
25 mV 25 mV
hie 1 =m .×h fe × hie 2=m .×h fe ×
- Tính giá trị 1 I CQ1 và 2 I CQ 2
V out
AV =
* Hệ số khuếch đại áp V in
V out V out i e 2 RC
AV = = × = hie 2
V in i e 2 V in hib 1 hie 1
+h +R hib 1 = hib 2 =
hfe 2 ib 2 E Với giá trị 1+h fe 1 , 1+ hfe 2
+ Chứng minh:
V out
V out =i e 2 RC ⇒ =R C
- Điện áp tại ie 2
- Dòng điện
ie
2
-
( ) ( )
i e 2 = 1+h fe i b 2 = 1+ hfe i e 1 = 1+h fe
2 2 ( 2 )( 1+ hfe1) ib 1⇒ ib 1 =( 1+h fe2)( 1+h fe1)
- Điện áp tại
ie 2 ie 2
V B1 =h ie i b 1 + hie i b2 +i e 2 R E =hie +hie +i e 2 R E
-
1 2 1
( 1+h f e 1)( 1+ hf e 2 ) 2 1+h f
e2
141
[( ]
h ib ie 2
1 1
V in =V b 1= +hib 2 + R E i e 2 ⇒ =
1+h f
e2 ) V in hib
1
+h ib2 + R E
- Ta có ( 1+ hf
e2)
io
Ai =
( )
io ie 2 Rb
Ai = = =
i in i in Rb hib
1
+ +hib 2 +R E
( 1+h fe 1 )( 1+h fe 2 ) 1+h fe 2
Với giá trị Rb =R 1‖R2
* Trở kháng ngõ vào:
( )
V out hib
1
Z out= =R E‖ + hib2
i0 1+ hfe 2
* Trở kháng ngõ ra : khi Vin =0
e. Ứng dụng của mạch điện:
- Thường dùng trong các mạch khuếch đại công suất.
f. Lắp ráp mạch khuếch đại DALINGTON:
Hình 5. 34: Mạch thực hành khuếch đại ghép Dalington
142
Bước 4. Tính hệ số khuếch đại áp AV , và tính độ lệch pha φ. (sử dụng dao
động ký Osillocope).
dạng. Vẽ dạng sóng điện áp Vi(V), điện áp Vo1(V) vào hình 5.35
Vo
- Tính hệ số khuếch đại áp AV = = …………………………..
Vi
Hình 5. 35: Vẽ giản đồ trên trục tọa độ

- Đo biên độ đỉnh Vi = ................., biên độ đỉnh Vo1 =...................................
V o1
Vi
- Tính góc lệch giữa Vo1 với Vi : φ1 = φo1 – φi =

Vo
V o1

143
RV
Z ¿=
( V B1
V B2
−1
)
Bước 7. Xác định trở kháng ngõ ra Zo:

V 02
−1 .
)
Bước 8. Lập bảng so sánh khi mắc thêm điện trở RL.
Bảng 5. 9: Thông số khảo sát mạch từ thực tế
Hệ số AV φ Zin Zo
Kết quả
Bước 9. Nhận xét và giải thích kết quả đo

..........................................................................................................................
..........................................................................................................................
..........................................................................................................................
g. Kiểm tra và sửa chữa các hỏng hóc của mạch:
Khi tín hiệu ngõ ra Vo không đạt yêu cầu, việc đầu tiên chúng ta kiểm tra đo
Vi có tín hiệu vào không? Sau đó đo điện áp tại cực B(T 1), nếu có ta kiểm tra tới
cực B( T2). Trường hợp cực B( T2) không có tín hiệu ta kiểm tra transistor (T 1), nếu
cực B( T2) có tín hiệu ta kiểm tra transistor (T2).
Câu 1: Loại tụ nào thường được sử dụng để nối tầng trong các mạch khuếch đại âm
tần:
A. Tụ hóa
B. Tụ giấy
C. Tụ mica
D. Tụ gốm
144
Câu 2: Sơ đồ tương đương AC tín hiệu nhỏ mạch ghép tầng ở hình là sơ đồ tương
đương của mạch nào sau đây:
Hình 5. 36: Sơ đồ mạch AC (tương đương tín hiệu nhỏ bỏ qua hoe, hre)
A. Mạch ghép tầng biến áp
B. Mạch ghép tầng trực tiếp
C. Mạch ghép quang
D. Mạch ghép RC
Câu 3: Sơ đồ tương đương AC mạch ghép tầng ở hình là sơ đồ tương đương của
mạch nào sau đây.
Hình 5. 37: Mạch tương đương (AC)

A. Mạch ghép tầng biến áp
C. Mạch ghép quang
D. Mạch ghép cascode
Nhược điểm của mạch ghép tầng RC là:
A.Mạch ghép tầng dùng tụ điện C làm suy giảm biên độ tín hiệu ở vùng tần
số thấp nên phải dùng tụ có trị số hàng µF.
B.Hiệu suất giảm do tiêu hao công suất thành phần xoay chiều (AC) và một
chiều (DC) trên điện trở tải giữa các tầng.
C.Trở kháng của tầng trước mắc song với trở kháng ngõ vào tầng sau nên
khó phối hợp trở kháng gữa các tầng.
D. Cả ba đáp án đều đúng
145
mạch nào sau đây:
Hình 5. 38: Sơ đồ mạch AC khuếch đại ghép biến thế.

A. Mạch ghép tầng RC
C. Mạch ghép darlington
D. Mạch ghép tầng biến áp
Câu 6 : Sơ đồ tương đương AC mạch ghép tầng ở hình là sơ đồ tương đương của
Hình 5. 39: Mạch tương đương (AC) ghép Cascode

D. Mạch ghép Cascode
146
Hình 5. 40: Sơ đồ mạch AC tương đương
D. Mạch ghép Cascode
A. Mạch ghép biến áp thông dẫn xoay chiều, cách ly một chiều
B. Mạch ghép tầng RC thông dẫn xoay chiều, cách ly một chiều
C. Mạch ghép quang thông dẫn xoay chiều, cách ly một chiều
A. Mạch ghép darlington thông dẫn xoay chiều, cách ly một chiều
B. Mạch ghép tầng RC thông dẫn xoay chiều, cách ly một chiều
C. Mạch ghép quang thông dẫn xoay chiều, cách ly một chiều
D. Mạch ghép biến áp thông dẫn xoay chiều, cách ly một chiều
A. Mạch ghép darlington thông dẫn xoay chiều và một chiều
B. Mạch ghép tầng RC thông dẫn xoay chiều và một chiều
C. Mạch ghép trực tiếp thông dẫn xoay chiều và một chiều
D. Mạch ghép cascode thông dẫn xoay chiều và một chiều
5.5.2. Bài tập:
Bài tập 1. Cho mạch khuếch đại gồm 2 tầng như hình 5.6
a) Hãy phân tích tác dụng các linh kiện, đặc điểm, nguyên lý làm việc của
mạch.
b) Cho IDSS=6mA; UP=-3V; =150. Xác định hệ số khuếch đại điện áp của
mạch điện.
147
Bài tập 2. Cho tầng khuếch đại Darlington như hình 5.31 tính Ku.
148
Bài 6: KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT
A. Giới thiệu:
Trong kỹ thuật từ khuếch đại được định nghĩa là “dùng một năng lượng nhỏ
để điều khiển một năng lượng khác lớn hơn gấp nhiều lần.”
Vậy mạch khuếch đại là một thiết bị điện tử được đặc trưng bởi mạng bốn
cực, khi đưa tín hiệu ngõ vào công suất nhỏ thì nhận ở ngõ ra công suất lớn nhưng
tín hiệu không bị biến dạng, không làm thay đổi tần số của nó.
Mạch khuếch đại nói chung và mạch khuếch đại công suất nói riêng được sử
dụng trong hầu hết các thiết bị điện tử, như mạch khuếch đại công suất âm tần
trong Amply, khuếch đại công suât tín hiệu video, khuếch đại các tín hiệu số,
truyền thông, khuếch đại công suất trong các hệ thống điều khiển, tự động hóa...
Trong lĩnh vực điện tử linh kiện có tính năng khuếch đại công suất như:
Transistor lưỡng cực (BJT), Transistor trường Mosfet,Transistor trường (FET)... vì
các linh kiện trên nhận tín hiệu ngõ vào Vin(t) công suất nhỏ, điều khiển được tín
hiệu ở ngõ ra Vout(t) có công suất lớn hơn gấp nhiều lần.
- Như vậy mạch khuếch đại công suất: Là mạch khi ta đưa một tín hiệu có
công suất yếu vào, đầu ra ta thu được tín hiệu có công suất mạnh hơn nhiều lần.
Thực ra mạch khuếch đại công suất là kết hợp cả hai mạch khuếch đại điện áp và
khuếch đại dòng điện làm một.
Transistor được sử dụng trong mạch khuếch đại công suất gồm: BJTvà
FET. Trong đó FET có ưu điểm về kích thước và điện áp cung cấp thấp, dẫn đến
công suất tiêu thụ thấp hơn BJT và độ tin cậy cao hơn BJT. Tuy nhiên FET lại có
nhược điểm là điện dẫn g nhỏ và nhạy cảm với điện tích tĩnh, do đó FET thường
được tích hợp trong mạch IC, còn BJT thường dùng cho các mạch rời.
Transistor trường hay còn gọi là FET (field- effect- transistor) là loại
transistor được chế tạo dựa trên hiệu ứng trường, có thể điều khiển độ dẫn điện của
bán dẫn N hoặc P nhờ một điện trường bên ngoài, FET có hai loại JFET và
MOSFET.
FET có chức năng khuếch đại, trở kháng vào rất lớn khoảng từ hàng MΩ đến
hàng chục MΩ, ổn định nhiệt và độ nhạy cao, đáp ứng được chuyển mạch các dòng
lớn đối với FET có công suất cao. FET có khả năng tạo ra chip đơn có cấu trúc bao
gồm số nhiều lượng FET.
Tuy nhiên FET có độ nhạy rất cao nên thể hiện tính chất tuyến tính kém, dễ
bị hỏng do tác động tĩnh điện và đáp ứng tần số kém.
149
B. Mục tiêu:
- Phân tích được nguyên lý hoạt động, đặc điểm và tính chất của các loại
mạch khuếch đại công suất.
- Đo đạc, kiểm tra, sửa chữa một số mạch khuếch đại công suất theo yêu cầu
kỹ thuật.
- Thiết kế, lắp ráp một số mạch theo yêu cầu kỹ thuật.
C. Nội dung:
6.1. Khái quát chung
Như đã giới thiệu các bài trước các mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ, tín hiệu
ngõ ra có biên độ nhỏ không đủ để đáp ứng yêu cầu cung cấp cho tải (loa, các cuộn
lái của tivi, tín hiệu điều khiển cho các mạch điều khiển tự động đóng mở điện,
…). Để đáp ứng yêu cầu tín hiệu ngõ ra có công suất lớn và đảm bảo không méo
phi tuyến, chúng ta cần dùng đến mạch khuếch đại công suất cung cấp cho tải.
6.1.1. Khái niệm khuếch đại công suất
Mạch khuếch đại công suất là tầng khuếch đại cuối cùng, nhiệm vụ tạo ra
công suất đủ lớn, có độ méo cho phép và đảm bảo hiệu suất cao để cung cấp đến
tải.
Công suất ra có thể từ vài W đến vài trăm Watt, làm việc với biên độ tín hiệu
ở ngõ vào lớn.
Do khuếch đại tín hiệu lớn, transistor làm việc trong miền không tuyến tính
nên không thể dùng sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ để nghiêm cứu mà phải dùng
đồ thị.
6.1.2. Đặc điểm, phân loại khuếch đại công suất
Tầng khuếch đại công suất là tầng cuối cùng trong một hệ thống khuếch đại.
Tùy theo chế độ làm việc của transistor, người ta thường phân mạch khuếch
đại công suất ra thành các loại chính như sau:
Khuếch đại công suất chế độ A: Mạch hoạt động điểm làm việc tĩnh nằm
gần trung điểm của đường tải. Mạch khuếch đại cả hai bán kỳ của tín hiệu ngõ vào,
ở chế độ này hiệu suất thấp nhất dưới 20%, nhưng bị méo phi tuyến nhỏ nhất.
Khuếch đại công suất chế độ B: Mạch hoạt động điểm làm việc tĩnh nằm
vùng ngưng dẫn của đường tải, có điện áp tại cực B (VB ≈0). Mạch khuếch đại một
150
bán kỳ của tín hiệu ngõ vào, ở chế độ này hiệu suất lớn nhất dưới 78%, tín hiệu bị
méo xuyên tâm.
Khuếch đại công suất chế độ AB: Mạch hoạt động điểm làm việc tĩnh nằm
trung gian giữu chế độ A và B có dòng điện tĩnh nhỏ, khắc phục được méo xuyên
tâm (làm giảm méo lúc tín hiệu vào có biên độ nhỏ). Mạch khuếch đại một bán kỳ
của tín hiệu ngõ vào, hiệu suất đạt tương cao khoảng (60÷70)%.
Khuếch đại công suất chế độ C: Mạch hoạt động điểm làm việc tĩnh nằm
vùng ngưng dẫn của đường tải, có điện áp tại cực B âm(VB<0). Mạch khuếch đại
tín hiệu ra bé hơn nữa sóng sin, có hiệu suất rất cao lớn hơn 78% tạo méo xuyên
tâm rất lớn. Thường sử dụng trong các mạch khuếch đại cao tần (tần số radio )có
tải là khung cộng hưởng để chọn lọc sóng dài mong muốn và có hiệu suất cao.
Hình 6. 1: Mô tả việc các chế độ hoạt động mạch khuếch đại công suất
6.2. Khuếch đại công suất tầng đơn chế độ A
6.2.1. Mạch khuếch đại trực tiếp
a. Sơ đồ mạch điện và tác dụng của linh kiện:
151
Hình 6. 2: Mạch khuếch đại công suất đơn hoạt động chế độ A có tải là điện
trở
* Tác dụng của linh kiện:
Tụ Ci, Co ngăn thành phần một chiều ngõ vào và ra.
Điện trở Rb tạo điện áp phân cực cho cực B của transistor.
Điện trở RC tạo điện áp phân cực cho cực C và là tải xoay chiều của
transistor
Mạch khuếch đại công suất đơn hoạt động chế độ A có tải là điện trở, điểm
làm việc tĩnh nằm gần trung điểm đường tải, tín hiệu ngõ vào Vin(t) luôn thay đổi
đối xứng xung quanh điểm làm việc tĩnh, có hệ số khuếch đại lớn và tín hiệu ngõ ra
bị méo dạng nhỏ. Điểm khác nhau mạch khuếch đại chế độ A với mạch khuếch đại
tín hiệu nhỏ là ngõ vào Vin(t) có biên độ lớn (hàng trăm mV).
152
Hình 6. 3: Mô phỏng mạch khuếch đại công suất đơn chế độ A có tải là điện
trở
c. Xác định đường tải tĩnh:
Dòng phân cực một chiều cho cực B: và IC = β IB

Điện áp giữa cực C và E: VCE= VCC – IC.RC
−V CE V CC
Phương trình đường tải tĩnh: I C = +
RC RC
Dòng IC giới hạn tối đa là: khi VCE = 0

Khi có tín hiệu vào Vin(t), để dòng ic(t) có thể biến đổi lớn và ít méo dạng
nên chọn điểm làm việc Q phải được phân cực sao cho: và
153
Hình 6. 4: Điểm làm việc tĩnh của mạch khuếch đại chế độ A
d. Xác định đường tải động:
Khi có tín hiệu vào Vin(t) đưa vào cực B thì điện áp Vce (t) và dòng điện
iC(t) sẽ thay đổi quanh điểm làm việc Q.
Với tín hiệu ngõ vào nhỏ thì dòng điện cực B thay đổi rất ít nên dòng điện
iC(t) và điện thế Vce(t) ở ngõ ra cũng thay đổi ít quanh điểm làm việc tĩnh.
Hình 6. 5: Quan hệ giữa tín hiệu ngõ vào và ra có biên độ nhỏ

Khi tín hiệu ngõ vào lớn thì dòng điện cực B thay đổi rất lớn nên dòng điện
iC(t) và điện thế Vce(t) ở ngõ ra cũng thay đổi lớn quanh điểm làm việc tĩnh, cho
đến khi cả điện áp và dòng điện đạt đến một giá trị giới hạn ( iCmax, Vcc).
154
Hình 6. 6: Quan hệ giữa tín hiệu ngõ vào và ra có biên độ lớn
e. Tính toán các thông số của mạch điện:
* Công suất nguồn cung cấp một chiều: PV(dc) = VCC.ICQ
* Công suất ngõ ra trên tải tính theo trị hiệu dụng:
* Công suất ngõ ra trên tải tính theo điện thế đỉnh:
* Công suất ngõ ra trên tải tính theo điện thế đỉnh- đỉnh:
* Hiệu suất:
* Hiệu suất cực đại mạch khuếch đại công suất chế độ A:
- Điện áp Vce có thể thay đổi tối đa: U ce (P-P)max = VCC, dòng điện iC(P-P)max =
V CC
RC
- Công suất ra tối đa:
155
- Công suất vào tối đa:
- Hiệu suất tối đa:

Mạch khuếch đại công suất chế độ A có tải là điện trở hiệu suất cực đại 25%
đây là trường hợp lý tưởng, thực tế hiệu suất không đạt tới 25% mà khoảng 20%
g. Ứng dụng của mạch khuếch đại công suất đơn hoạt động ở chế độ A có tải là
điện trở
Mạch khuếch đại công suất chế độ A có tải là điện trở, hiệu suất đạt giá trị rất
thấp nên thường dùng trong các mạch khuếch đại tần số cao(tần số radio).
6.2.2. Mạch khuếch đại dùng biến áp
a. Sơ đồ mạch điện và tác dụng của linh kiện:
Hình 6. 7: Mạch khuếch đại công suất đơn chế độ A ghép biến áp
* Tác dụng của linh kiện:
Máy biến áp có thể tăng hay giảm giá trị điện áp và dòng điện theo tỉ lệ đã
được định trước tương ứng với tỉ số vòng dây quấn sơ hai cuôn sơ cấp và thứ cấp.
giả thiết máy là sử dụng là loại tăng áp và bỏ qua sự tổn hao công suất.
156
Hình 6. 8: Trình bày máy biến áp
U1 N1
Biến đổi điện áp: = =a
U2 N2
2 I N1
Biến đổi dòng điện: = =a
I1 N2
( )
' 2
RL N1 2
Biến đổi điện trở: = =a
RL N2
Cuộn dây sơ cấp N1 đóng vai trò RC khi xét chế độ một chiều, còn đối với
chế độ xoay chiều cuộn dây N1 nhận năng lượng chuyển tải sang cuộn chuyển sang
cuộn thứ cấp N2.
Mạch khuếch đại có điện ra khá lớn nên chọn giá trị RE không quá vài chục
Ω, trong trường hợp này để khử hồi tiếp âm dòng xoay chiều chọn RE =0.
Tụ Ci ngăn dòng một chiều ở ngõ vào.
Rb tạo điện áp phân cực từ nguồn VCC cung cấp cho cực B( VB).
Khi có tín hiệu xoay chiều đi vào cực B transistor thực hiện khuếch đại, tín
hiệu ngõ ra tại cực C đưa vào cuộn sơ cấp biến áp, biến áp biền đổi năng lượng
truyền qua cuộn thứ cấp cung cấp cho tải RL.
157
Hình 6. 9: Mô phỏng mạch khuếch đại chế độ A có tải ghép biến áp
c. Xác định đường tải tĩnh:
Nếu chúng ta xem biến thế lý tưởng nội trở bằng 0 nên điện trở một chiều
RDC = RC = 0, như vậy sẽ không có điện thế một chiều giảm qua cuộn sơ cấp N1
nên VCEQ = VCC. Do đó đặc tuyến đường tải tĩnh là một đường thẳng song song
với trục tung (IC) và cắt trục hoành VCE tại điểm có trị số bằng VCC. Giao điểm
của đường tải tĩnh với đặc tuyến ra ở IB tương ứng là điểm điều hành Q.
Khi chọn dòng điện IB chúng ta phải căn cứ vào đặc tuyến để xác định sao
cho có độ méo thấp nhất, nghĩa là biên độ của tín hiệu ngõ ra không được vượt quá
đoạn cong đặc tuyến và đường cong giới hạn tổn hao cho phép của transistor (xem
hình 6.1).
d. Xác định đường tải động:
Ở chế độ xoay chiều, điện trở tải nhìn từ cuộn sơ cấp là R'L = n.RL nên
đường thẳng lấy điện động bây giờ có độ dốc là và qua điểm làm việc Q.
158
Hình 6. 10: Đường tải của mạch khuếch đại chế độ A ghép biến áp
e. Tính toán các thông số của mạch điện:
Điện áp và dòng điện : ,
Hình 6. 11: Dạng điện áp, dòng điện ra tầngkhuếch đại công suất chế độ A
Công suất ở cuộn sơ cấp:

Đây là công suất xoay chiều gởi tới biến áp, nếu biến áp lý tưởng thì đây
cũng là công suất trên tải.
Công suất nguồn cung cấp: PV(dc) = VCC.ICQ
Công suất tiêu tán transistor công suất: PQ = PV(dc) - PL(ac)
Hiệu suất của mạch:

Mạch khuếch đại ngõ ra đạt cực đại và không méo dạng thì:
Điện áp: , và
Dòng điện , và
159
Công suất ngõ ra:

Vậy mạch khuếch đại chế độ A ghép biến áp đạt trên 25%, hiệu suất đạt cực
đại có thể đạt tới 50%.
N1
Trường hợp biến áp lý tưởng N1 ≠ N2 và tỉ số =a thì:
N2
Điện áp trên tải:
Dòng điện trên tải:
:
Công suất trên tải
Trường hợp biến áp không lý tưởng hiệu suất biến áp ηb-a = 0.8÷0,9
Công suất trên tải tính theo hiệu suất biến áp ηb-a : P L=ηb−a . Pr
f. Ứng dụng của mạch khuếch đại công suất đơn hoạt động ở chế độ A có tải
ghép biến áp:
Mạch khuếch đại công suất đơn hoạt động chế độ A có tải ghép biến áp,
thường dùng khuếch đại tín hiệu nhỏ âm tần (miro), mạch tiền khuếch đại.
g. Lắp ráp và cân chỉnh mạch:
160
Hình 6. 12: Mạch thực hành khuếch đại chế độ A tải ghép biến áp
Bước 2. Cấp nguồn Vi tín hiệu sin có biên độ Vm= 1V, tần số f =1kHz tại A.
- Chọn kênh CH1 (CHA) đo điện áp Vi, CH2 (CHB) đo điện áp Vo1.
- Vẽ dạng sóng điện áp Vi(V), điện áp Vo1(V) vào hình 6.13.

- Đo biên độ đỉnh Vi = ................., biên độ đỉnh Vo =.....................................
V o1
- Tính hệ số khuếch đại áp AV = = .........................................................
Vi
Bước 4. Tính hiệu suất của biến áp ηb-a

- Chọn kênh CH1 (CHA) đo điện áp V01, CH2 (CHB) đo điện áp Vo.
- Vẽ dạng sóng điện áp Vo1, điện áp Vo (V) vào hình 6.14
161
- Đo biên độ đỉnh Vo1 = ................, biên độ đỉnh Vo =.....................................
Vo
- Tính hệ số khuếch đại áp ηb −a= = ........................................................
V 01
Bước 5. Thay giá trị tải RL = 10Ω.

- Chọn kênh CH1 (CHA) đo điện áp Vi, CH2 (CHB) đo điện áp Vo1.
- Vẽ dạng sóng điện áp Vi(V), điện áp Vo1(V) vào hình 6.15

162
V o1
- Tính hệ số khuếch đại áp AV = = ...........................................................
Vi
Bước 7. Tính hiệu suất của biến áp ηb-a

- Chọn kênh CH1 (CHA) đo điện áp V01, CH2 (CHB) đo điện áp Vo.
- Vẽ dạng sóng điện áp Vo1, điện áp Vo (V) vào hình 6.16

- Đo biên độ đỉnh Vo1 = .................., biên độ đỉnh Vo =.....................................
Vo
- Tính hệ số khuếch đại áp ηb −a= = ..........................................................
V 01
Bước 8. Lập bảng so sánh.

Bảng 6. 1: Các thông số khảo sát mạch từ thực tế
Hệ số Av ηb −a
RL =100Ω
RL = 10Ω
Bước 9. Nhận xét và giải thích kết quả đo trong hai trường hợp có tải
RL=100Ω và RL=10Ω .
.....................................................................................................................................
.....................................................................................................................................
.....................................................................................................................................
.....................................................................................................................................
.....................................................................................................................................
163
h. Chẩn đoán, sửa chữa các hỏng hóc của mạch:
Khi đo V01 không có tín hiệu ta kiểm tra transistor và hai đầu cuộn sơ cấp
của biến thế.
Khi đo Vo1 có tín hiệu,Vo không có tín hiệu ta kiểm tra hai đầu cuộn thứ cấp.
6.3. Khuếch đại công suất đẩy kéo chế độ B, AB
Mạch khuếch đại chế độ A tín hiệu không bị méo dạng nhưng hiệu suất thấp
dưới 25% , chế độ B và AB chỉ khuếch đại nữa chu kỳ sin ngõ vào và hiệu suất cao
khoảng 78% , nên dùng hai transistor ghép nhau khuếch đại chế độ B và AB, hoạt
động theo nguyên lý một con dẫn và một con ngưng gọi là mạch khuếch đại đẩy
kéo, để ngõ ra có cả hai nữa chu kỳ sin và biên độ lớn.
6.3.1. Mạch khuếch đại công suất đấy kéo dùng biến áp
A) Mạch khuếch đại công suất đẩy kéo song song ghép biến áp hoạt động ở
chế độ B và AB
a. Những vấn đề chung về tầng khuếch đại công suất đẩy kéo :
Mục tiêu: Biết được một số mạch điện, và đặc điểm mạch khuếch đại đẩy
kéo dùng transistor.
* Các loại sơ đồ mạch điện:
- Mạch khuếch đại công suất đẩy –kéo hoạt động theo sơ đồ khối sau :
Hình 6. 17: Sơ đồ khối mạch khuếch đại công suất đẩy – kéo
- Mạch khuếch đại dùng hai transistor cùng loại ( NPN hay PNP) phải sử
dụng đến biến áp đảo pha (BA1).
164
Hình 6. 18: Mạch khuếch đại đẩy kéo ghép biến áp đảo pha (BA1) chế độ B
Hình 6. 19: Mạch khuếch đại đẩy kéo không dùng biến áp đảo pha chế độ B
Hình 6. 20: Mạch khuếch đại đẩy kéo cặp transistor ghép darlington chế độ
AB
- Khi cần tăng công suất ra lớn, ở tầng công suất cuối thường hay dùng cặp
transistor ghép theo kiểu darlington để tăng dòng điện. Hai cặp transistor T 1 và T2,
T3 và T4 ghép theo kiểu darlington.
165
* Một số đặc điểm cơ bản
- Mạch khuếch đại đẩy kéo hoạt động kết hợp hai transistor, mỗi transistor
chỉ điều khiển dòng điện ở nữa chu kỳ khác nhau của tín hiệu để thu được cả chu
kỳ của tín hiệu theo nguyên lý một con dẫn và một con ngưng, nên dùng ít nhất là
hai transistor.
- Mạch khuếch đại hoạt động ở chế độ B phân cực điểm làm việc Q nằm ở
vùng ngưng dẫn nên tín hiệu ngõ ra bị méo xuyên tâm, hay ở chế độ AB phân cực
điểm làm việc Q nằm ở giữa chế độ Avà B nên tín hiệu ngõ ra không bị méo dạng,
hiệu suất cao khoảng (60÷ 78¿ % .
- Tầng khuếch đại dùng hai transistor cùng loại( NPN hay PNP) thì phải
dùng biến thế đảo pha.
- Tầng khuếch đại mỗi transistor theo kiểu E chung nên dòng ra không lớn
lắm, khi cần công suất ngõ ra lớn ở mỗi tầng khuếch đại thường dùng cặp transistor
ghép theo kiểu darlington để tăng dòng điện ngõ ra.
b. Mạch khuếch đại công suất đẩy kéo song song ghép biến áp hoạt động ở chế
độ B :
Mục tiêu : Biết được một số mạch điện và tác dụng linh, đặc điểm và ưu
nhược điểm, ứng dụng của mạch khuếch đại đẩy kéo song song ghép biến áp hoạt
động ở chế độ B.
* Mạch điện và tác dụng của linh kiện:
+ Mạch điện
Hình 6. 21: Sơ đồ mạch khuếch đại đẩy kéo song song ghép biến thế hạng B
+ Tác dụng của linh kiện
- T1 ,T2: Hai transistor khuếch đại công suất có cùng mã số.
166
- Biến áp đảo pha BA1: Chân số 1và 2 cuộn sơ cấp W1 lấy điện áp ngõ vào,
chân 3-4 và 5-4 cuộn thứ cấp -W11 = W12, lấy ra hai điện áp đối xứng nhau ở chân 3
và 5 (U12=- U11) để kích thích cho transistor T1, T2 hoạt động.
- Biến áp tải BA2: Là loại biến áp để truyền tín hiệu từ tầng khuếch đại công
suất ra loa (tải ), ngăn điện áp một chiều và phối hợp được trở kháng giữa tầng
khuếch đại công suất và tải. Số vòng dây sơ cấp W 21 = W22 (quấn ngược chiều
nhau) để tạo ra điện áp trên W2 có hai nửa chu kỳ đối xứng truyền qua tải.
- Loa đóng vai trò một tải (điện trở RL) tiêu thụ điện.
* Nguyên lý hoạt động của mạch
- Mạch khuếch đại chế độ B nên phân cực để mỗi transistor chỉ khuếch đại
một bán kỳ của tín hiệu.
- Điện áp phân cực (DC) cấp cho cực B của hai transistor T 1, T2 bằng không,
nên transistor T1 và T2 đều ở trạng thái ngưng dẫn khi chưa có tín hiệu ngõ vào. Khi
có tín hiệu ngõ vào ở cuộn sơ cấp biến áp BA 1, điện áp ngõ ra cuộn thứ cấp chân số
3 và số 5 ngược pha nhau cấp vào cực B của hai transistor T 1 và T2, làm cho T1 và
T2 luân phiên nhau dẫn theo nguyên lý sau:
- Ở nửa chu kỳ dương của tín hiệu đưa vào hai đầu cuộn sơ cấp chân1-2 của
BA1, làm tín hiệu ra ở đầu cuộn thứ cấp chân 5 nhận pha âm đưa đến cực B
transistor T2 nên T2 tắt, và chân 3 nhận pha dương đưa vào cực B transistor T 1 làm
T1 dẫn, dòng điện xoay chiều đi từ UCC qua W21 đến T1 rồi xuống mass. Lúc này
biến áp BA2 tại chân 1 nhận được tín hiệu bán kỳ âm, do T 1 khuếch đại theo kiểu E
chung, biến áp BA2 cảm ứng tạo ra một suất điện động cảm ứng truyền sang cuộn
dây W2 nên có dòng điện chạy qua loa (tải R L). Vậy trên tải có nửa sóng điện áp
âm.
- Ở nửa chu kỳ âm của tín hiệu vào hai đầu cuộn sơ cấp chân1-2 của BA 1, tín
hiệu ra ở hai đầu thứ cấp chân 3 nhận pha âm đưa vào cực B transistor T 1 nên T1
tắt, và chân 5 nhận pha dương đưa vào cực B transistor T 2 làm T2 dẫn, dòng điện
xoay chiều đi từ UCC qua W22 đến T2 rồi xuống mass. Lúc này biến áp BA2 tại chân
3 nhận được tín hiệu bán kỳ dương do T 2 khuếch đại theo kiểu E chung, biến áp
BA2 cảm ứng tạo ra một suất điện động cảm ứng sang cuộn dây W 2 nên có dòng
điện chạy qua loa (tải RL). Vậy trên tải ta có nửa sóng điện áp dương.
- Như vậy quá trình khuếch đại hai nửa chu kỳ của tín hiệu vào, được thực
hiện như sau nửa chu kỳ đầu T 1 làm việc, nửa chu kỳ sau T 2 làm việc, cứ như vậy
hai transistor thay nhau làm việc, trên tải ta nhận được tín hiệu có đủ chu kỳ và
được khuếch đại lên K lần và đảo pha nhau và bị méo xuyên tâm.
167
* Xác định đường tải tĩnh
- Biến áp BA1, BA2 xem như lý tưởng có nội trở cuộn dây bằng 0, nên điện
trở tải DC bằng không ( RDC =0) tạo đường tải tĩnh có độ dốc thẳng đứng.
- Điện áp chế độ tĩnh (DC) tại cực B bằng 0 nên hai transistor T 1, T2 đều ở
trạng thái ngưng dẫn, điểm làm việc tĩnh nằm ở vùng ngưng dẫn có điện áp V CEQ =
UCC và dòng ICQ = 0.
−V CE U CC
- Phương trình đường tải tĩnh: I C = +
R DC R DC
Hình 6. 22: Đường tải tĩnh của mạch khuếch đại đẩy- kéo hạng B
* Xác định đường tải động:
- Xét trong trường hợp lý tưởng bỏ qua nội trở của cuộn dây khi có tín hiệu
ngõ vào biến thế BA2, nên điện trở tải trên cực C transistor được lấy từ tải R L
truyền qua biến áp BA2 có giá trị RL’= n22 RL .
−V Ce U Cc
- Phương trình đường tải động :i c = 2
+ 2
n R L n2 RL
2
168
Hình 6. 23: Đường tải động của mạch khuếch đại đẩy - kéo hạng B
* Tính toán các thông số của mạch điện:
W1 W1
- Đối với biến thế BA1: = =n
W 11 W 12 1
W 21 W 22
- Đối với biến thế BA2: = ¿n
W2 W 2 2
Khi mạch hoạt động chế độ B thì biên độ đỉnh Urm = VCC , irm = iCm
- Công suất ngõ ra ở cuộn sơ cấp biến áp BA2 (cực C của transistor)
1 1
Pr = .U rm . i rm= .V cc . i Cm
2 2
- Công suất tải: Pt =n2 . P r
Dòng trung bình IC chạy đi qua nguồn cung cấp
π
1 2 i Cm
Ic( av ) = ∫ i cm sin tdt=
π 0 π
- Công suất tiêu thụ từ nguồn cung cấp

2
PCC =V CC . I c ( av )= .i cm V CC
π
- Hiệu suất ngõ ở cuộn sơ cấp biến áp BA2 :
Pr π
ŋr = .100 % .= .100 %=78 , 53 %
P cc 4
- Hiệu suất ngõ ra trên tải:

Pt π
ŋr = .100 % .=n2 .100 %=n 2 78 , 53 %
P cc 4
169
Hiệu suất ngõ ra ở cực C chỉ đạt được 78,53 % do tổn hao trên transistor.
- Công suất tổn hao trên transistor: PT =PCC −P r
* Ứng dụng của mạch khuếch đại công suất đẩy kéo song song chế độ B :
- Mạch khuếch đại công suất ngõ ra lớn nhưng bị méo xuyên tâm, và dãy tần
hoạt động hẹp do ở tần số cao hiệu suất bị giảm, nên mạch thường sử dụng như
công tắt điểu khiển đóng, mở. Để khuếch đại công suất lớn của các nguồn tín hiệu
thông thường sử dụng mạch khuếch đại chế độ AB để khắc phục méo xuyên tâm.
c. Mạch khuếch đại công suất đẩy kéo song song hoạt động ở chế độ AB :
Mục tiêu: Biết được một số mạch điện và tác dụng linh, đặc điểm và ưu
nhược điểm, ứng dụng của mạch khuếch đại đẩy kéo song song ghép biến áp hoạt
động ở chế độ B.
* Sơ đồ mạch điện và tác dụng của linh kiện
+ Sơ đồ mạch điện
Hình 6. 24: Sơ đồ mạch khuếch đại đẩy kéo song song ghép biến thế hạng
AB
+ Tác dụng của linh kiện
- Mạch có cấu trúc giống như khuếch đại đẩy kéo song song ghép biến
thếchế độ B, nhưng mắc thêm hai điện trở R 1,R2 kết hợp nguồn VCC tạo phân áp cấp
cho cực B của hai transistor T 1,T2, làm điểm việc Q nằm ngoài vùng ngưng dẫn
tránh bị méo xuyên tâm.
- T1 ,T2: Hai transistor khuếch đại công suất có cùng mã số.
170
- Biến áp đảo pha BA1: Chân số 1và 2 cuộn sơ cấp W1 lấy điện áp ngõ vào,
chân 3-4 và 5-4 cuộn thứ cấp -W11 = W12, lấy ra hai điện áp đối xứng nhau ở chân 3
và 5 (U12=- U11) để kích thích cho transistor T 1, T2 hoạt động.(BA1 là biến áp đảo
pha có nhiệm vụ tạo ra hai điện áp tín hiệu bằng nhau về biên độ nhưng ngược pha
180 độ để cung cấp cho hai đèn công suất mắc đẩy kéo song song T1 ,T2 )
- Biến áp tải BA2: Là loại biến áp để truyền tín hiệu từ tầng khuếch đại công
suất ra loa (tải ), ngăn điện áp một chiều và phối hợp được trở kháng giữa tầng
khuếch đại công suất và tải. Số vòng dây sơ cấp W 21 = W22 (quấn ngược chiều
nhau) để tạo ra điện áp trên W2 có hai nửa chu kỳ đối xứng truyền qua tải.(tải BA 2
là biến áp suất để lấy tín hiệu sau khi đã khuếch đại cung cấp cho tải )
- Loa đóng vai trò một tải (điện trở RL) tiêu thụ điện.
* Nguyên lý hoạt động của mạch
- Khi chưa có tín hiệu ngõ vào transistor T 1, T2 ở trạng thái dẫn, khi có tín
hiệu ngõ vào thì hoạt động khuếch đại như sau:
- Ở nửa chu kỳ dương của tín hiệu T 1 dẫn, T2 tắt.Khi T1 dẫn dòng điện xoay
chiều trên tải ta có nửa sóng điện áp dương.
- Ở nửa chu kỳ âm của tín hiệu T1 tắt, T2 dẫn. Khi T2 dẫn dòng điện xoay
chiều trên tải ta có nửa sóng điện áp âm.
- Như vậy quá trình khuếch đại được thực hiện theo hai nửa chu kỳ của tín
hiệu vào, nửa chu kỳ dương T1 làm việc, nửa chu kỳ âm T2 làm việc, cứ như vậy hai
transistor thay nhau làm việc, trên tải ta nhận được tín hiệu có đủ chu kỳ và được
khuếch đại lên K lần.
* Xác định đường tải tĩnh
R1
- Điện áp tại chân 4 của biến áp BA1 nhận điện áp V BB= .V
R 1+ R 2 CC
- Biến áp BA1, BA2 xem như lý tưởng có nội trở cuộn dây bằng 0, nên
transisror T1, T2 tại cực B có mức điện áp V B = VBB, tạo điểm làm việc Q nằm giữa
điểm Avà B được gọi là chế độ AB và có độ dốc thẳng đứng.
171
Hình 6. 25: Trình bày đường tải tĩnh ở chế độ AB
* Xác định đường tải động
- Tương tự như ché độ B điện trở tải trên cực C transistor được lấy từ tải R L
truyền qua biến áp BA2 có giá trị RL’= n22 RL .
Hình 6. 26: Trình bày đường tải động ở chế độ AB

1
- Công suất ngõ ra ở cuộn sơ cấp biến áp BA2 : Pr = 2 .U Cm . I Cm
- Công suất tải : Pt =n2 . P r

Dòng trung bình IC chạy đi qua nguồn cung cấp:
π
1 2 I Cm
Ic( av ) = ∫ I cm sin tdt=
π 0 π
- Công suất tiêu thụ từ nguồn cung cấp :

2
PCC =V CC . I c ( av )= . I cm V CC
π
172
- Hiệu suất của mạch ở cực C( ở cuộn sơ cấp biến áp).
Pr π U cm
ŋr = .100 % .= . .100 %
P cc 4 V CC
- Hiệu suất của mạch ở tải :

Pt π U cm
ŋr = .100 % .=n2 . .100 %
P cc 4 V CC
- Mạch hoạt động chế độ AB thì Ucm = UCEQ ≈ V CC nên hiệu suất nhỏ hơn chế
độ B, do tổn hao trên transistor gồm hai thành phần AC (dòng trung bình) và thành
phần DC.
- Công suất tổn hao trên transistor: PT =PCC −P r
* Ứng dụng của mạch khuếch đại công suất đẩy kéo song song chế độ AB
Hiệu suất ngõ ra lớn và không bị méo dạng nên thường dùng trong khuếch
đại công suất lớn của tín hiệu âm thanh, các mạch khuếch đại công suất điều khiển.
* Ráp Mạch khuếch đại công suất đẩy kéo song song hoạt động ở chế độ
AB
Hình 6. 27: Mạch thực hành lắp ráp

Các bước tiến hành:
Bước 1. Ráp mạch như hình vẽ 6.28
Bước 2. Đưa tín hiệu ngõ vào V i(t) tần số 1khz và chỉnh biên độ V i(t). Dùng
máy hiện sóng đo đầu ra cực C (chân số1BA 2) đến khi có giá trị lớn nhất và không
bị méo dạng.
173
Bước 3. Vẽ và dạng sóng ngõ vào Vi (t), chân số1của biến áp BA1(U11), ghi
rõ giá trị biên độ đỉnhVim, Um11 và pha. (máy hiện sóng hoạt động hai tia).
Hình 6. 28: Vẽ dạng sóng ngõ vào Vi(t) và ngõ ra biến áp BA1
Uℑ
Bước 4. Tính tỉ số biến áp:n1= U =¿ …….………………………
m 11
Bước 5. Vẽ hai dạng sóng ngõ vào cực B (U 11), và ngõ ra cực C của
transistor (U21), ghi rõ giá trị biên độ đỉnhUm21, Um11 và pha.
Hình 6. 29: vẽ dạng sóng ngõ ra cực C, ngõ vào cực B của transistor.
o V
m 21 V
Bước 4. Xác định hệ số khuếch đại áp AV = V = V =¿……………
i m 11
Bước 5. Vẽ hai dạng sóng ngõ vào (U21) tại cực C của transistor, và ngõ ra
U2 tại chân số 4 của biến thế BA2, ghi rõ giá trị biên độ đỉnh Um2, Um11 và pha.
174
Hình 6. 30: vẽ dạng sóng ngõ ra trên tải (chân 4 BA2), ngõ vào Vi
U2m
Bước 6. Tính tỉ số biến áp:n2 = U =¿: …………………………………
m 21
Bước 7. Đo điện áp ngõ vào Vi(t) =……, ngõ ra Vout = …… Tính hệ số

khuếch đại điện áp………
Bước 8. Đo dòng điện IC = …. , VCE =……(dùng VOM). Khi nguồn tín hiệu
ngõ vào Vi(t) = 0. Tính giá trị nội trở biến áp BA2, r = …………….
* Kiểm tra chẩn đoán, sửa chữa các hỏng hóc của mạch
Khi đưa tín hiệu âm thanh ngõ vào V i(t) loa không phát ra âm thanh. Việc
đầu tiên đo tín hiệu ngõ vào và ra BA1 có hay không ? nếu ngõ vào có tín hiệu, ngõ
ra bị mất tín hiệu thì kiểm tra biến áp BA1 và transistor có bị hư không.
Trường hợp cực B của transistor có tín hiệu nhưng cực C lại bị mất tín hiệu,
thì kiểm transistor hay biến áp BA2 còn tốt không.
Tóm lại nguyên tắt kiểm tra từng bước bắt đầu từ ngõ vào cho đến ngõ ra, tín
hiệu mất tại đâu thì kiểm tra linh kiện liên quang để xác định hư hỏng và thay thế.
d. Ưu nhược điểm của mạch khuếch đại công suất đẩy kéo song song ghép biến áp
hoạt động ở chế độ B và AB.
* Ưu nhược điểm của mạch khuếch đại công suất đẩy kéo song song ghép
biến áp hoạt động ở chế độ B:
+ Ưu điểm:
- Ưu điểm của mạch không cần gắn tản nhiệt (nhôm) trên transistor công
suất, do hai transistor ở chế độ phân cực tĩnh đều ngưng dẫn nên không tiêu thụ
công suất nguồn cung cấp.
175
- Không có dòng một chiều chạy qua biến áp nên không gây méo dạng do
lão hóa từ.
- Hiệu suất lớn khoảng 78, 5 % khai thác công suất của mỗi transistor.
- Mỗi transistor chỉ làm việc nữa chu kỳ nên có thời gian tỏa nhiệt, nên tầng
công suất không bị ảnh hưởng nhiều đến nhiệt độ.
- Mạch dùng biến áp nên dễ phối hợp trở kháng để đạt công suất lớn.
+ Nhược điểm:
- Tín hiệu bị méo xuyên tâm lớn tại thời điểm quá trình chuyển tiếp khuếch
đại giữa T1 và T2 và ngược lại.
- Hiệu suất bị giảm đi khi đáp ứng ở tần số cao do ảnh hưởng cảm kháng của
cuộn dây biến thế ngõ ra nên dãy tần làm việc bị hạn chế.
- Về cấu tạo mạch dùng biến áp nên cồng kềnh.
* Ưu nhược điểm của mạch khuếch đại công suất đẩy kéo song song ghép
biến áp hoạt động ở chế độ AB:
+ Ưu điểm:
- Mạch khuếch đại chế độ AB cũng giống như chế độ B, nhưng khắc phục
được méo xuyên tâm.
+ Nhược điểm:
- Hiệu suất bị giảm đi khi đáp ứng ở tần số cao do ảnh hưởng cảm kháng
của cuộn dây biến thế ngõ ra nên dãy tần làm việc bị hạn chế.
- Về cấu tạo mạch dùng biến áp nên cồng kềnh.
B) Mạch khuếch đại công suất đẩy kéo nối tiếp OTL hoạt động ở chế độ AB:
Mạch khuếch đại công suất đẩy kéo song song ghép biến áp có nhược điểm
là kích thước lớn và trọng lượng nặng đồng thời giá thành cũng cao, để khắc phục
nhược điểm trên nhưng không làm giảm chất lượng mạch khuếch đại chúng ta
không sử dụng biến áp mà dùng tụ điện lọc ở ngõ ra gọi là mạch khuếch đại
OTL(Output Transformer less).
a. Định nghĩa mạch khuếch đại công suất nối tiếp OTL:
Mục tiêu: Biết dược định nghĩa mạch khuếch đại công suất nối tiếp OTL
- Mạch khuếch đại công suất đẩy kéo nối tiếp OTL là loại mạch khuếch đại
công suất đẩy kéo không dùng biến áp ngõ ra (OTL - Output Transfomer less).
- Mạch sử dụng biến áp đảo pha 6 đầu ra: Trong đó 2 đầu dây vào cuộn sơ
cấp, và ra cuộn thứ cấp của biến áp có 4 đầu dây ra tạo thành hai cuộn dây cung cấp
điện áp đảo pha cho cực B hai transistor khuếch đại công suất đẩy kéo. Do sử dụng
ghép biến nên đặc tuyến tần số không bằng phẳng trong dãy tần số làm việc.
176
b. Mạch khuếch đại công suất đẩy kéo nối tiếp OTL hoạt động ở chế độ
AB:
Mục tiêu: Biết được sơ đồ mạch điện và tác dụng linh kiện, nguyên lý hoạt động,
phương pháp tính toán, ưu nhược điểm, ứng dụng của các kiểu mạch khuếch đại
công suất đẩy kéo nối tiếp OTL hoạt động ở chế độ AB.
* Mạch điện và tác dụng linh kiện:
+ Sơ đồ mạch điện
Hình 6. 31: Mạch công suất có biến áp đảo pha không biến áp ra.
+ Tác dụng linh kiện
UCC là nguồn cung cấp điện áp một chiều.
Biến áp đảo pha có nhiệm vụ tạo ra hai điện áp tín hiệu bằng nhau về biên
độ nhưng ngược pha 180 độ để cung cấp cho hai đèn công suất mắc đẩy kéo nối
tiếp T1 ,T2
R1, R2: Là các điện trở phân cực cho T2.
R3, R4: Là các điện trở phân cực cho T1.
Các linh kiện phải chọn sao cho thỏa mãn các điều kiện sau:
Transistor T1,T2 có cùng mã số (tương đương nhau)
Điện trở R1 = R3, điện trở R2=R4 có trị số nhỏ để làm việc ở chế độ B.
Tụ C có tác dụng ngăn điện áp một chiều và truyền đạt tín hiệu xoay chiều ra
loa. Tụ phải chọn có điện dung lớn khoảng hàng trăm đến hàng nghìn μF .
* Nguyên lý hoạt động của mạch điện
Khi chưa cấp nguồn tín hiệu thì tụ C thực hiện quá trình nạp điện tạo điện
−U CC
trên tụ U C = .
2
177
Hình 6. 32: Mạch đo điện áp của UC = -UCC/2 = -12V khi chưa cấp tín hiệu
Khi có tín hiệu đưa vào cuộn sơ cấp của biến áp đảo pha. Biến áp sẽ tạo ra
điện áp có biên độ bằng nhau và ngược pha nhau đưa tới cực B của T1 và T2.
Nữa chu kỳ đầu dương ngõ vào thì điện áp ngõ ra biến áp tại cực B transistor
T2 dương và tại cực B transistor T 1 âm. Khi điện áp tại cực B transistor T 2 dương
làm tiếp giáp B-E của T2 phân cực ngược nên T2 tắt. Khi điện áp tại cực B transistor
T1 âm làm tiếp giáp B-E của T1 phân cực thuận, lúc này điện áp của tụ U C = -UCC
đóng vai trò nguồn cung cấp cho T1, làm T1 khuếch đại, xuất hiện dòng điện chạy
trong theo chiều: từ mass→ T1→ C → loa.
Nữa chu kỳ sau âm ngõ vào thì điện áp ngõ ra biến áp tại cực B transistor T 2
âm và tại cực B transistor T1 dương. Khi điện áp tại cực B transistor T 1 dương làm
tiếp giáp B-E của T1 phân cực ngược nên T1 tắt. Khi điện áp tại cực B transistor T 2
âm làm tiếp giáp B-E của T2 phân cực thuận làm T2 khuếch đại, xuất hiện dòng
điện chạy trong theo chiều: Loa→ C → T2→−U CC
Như vậy có 2 dòng điện chạy ngược chiều nhau trong hai nữa chu kỳ khác
nhau qua loa, nên tín hiệu ra loa đã lặp lại dạng tín hiệu vào với biên độ lớn hơn.
178
Hình 6. 33: Mô phỏng khuếch đại công suất OTL hoạt động ở chế độ AB
* Tính toán các thông số của mạch điện:
U CC U CC
Dòng điện và điện áp: I Cmax = ,V cemax = với RL là điện trở của loa.
2 RL 2
2
1 U CC
Công suất ngõ ra: Pr ( ac )= . V cemax . I cmax =
2 8 RL
Ở trạng thái tĩnh, transistor không dẫn nên không tiêu hao công suất. Khi có
tín hiệu vào transistor khuếch đại tín hiệu nên có tiêu hao năng lượng do đốt nóng,
dòng điện lúc này được tính là dòng điện trung bình:
I Cmax U cc
Dòng trung bình qua nguồn cung cấp : I DC = =
π 2 πR L
2
U
Công suất nguồn cung cấp: PV ( DC )=U CC I DC = CC
2 π RL
Pr ( AC ) π
Hiệu suất cực đại: η= .100 %= 100 %=78 ,53 %
P v ( DC ) 4
* Ưu, nhược điểm của mạch khuếch đại công suất đẩy kéo OTL hoạt động
chế độ AB:
+ Ưu điểm:
Mạch không sử dụng biến áp ngõ ra (biến áp xuất) nên mạch khuếch đại
công suất gọn nhẹ hơn, ít tốn kém linh kiện nên giá thành thấp hơn so với mạch
khuếch đại công suất sử dụng biến áp xuất.
Đáp tuyến tần số bằng phẳng trong dãi tần làm việc, khắc phục được nhược
điểm của mạch sử dụng biến áp xuất
Hiệu suất tương đối cao khoảng 78%.
+ Nhược điểm:
179
Tín hiệu ra Loa mắc thông qua tụ điện nên mạch khó phối hợp trở kháng,
nên ta phải dùng loa có điện trở lớn, tụ nối ra loa phải chọn có điện dung lớn.
Do vẫn còn dùng biến áp đảo pha ngõ vào nên mạch vẫn còn phức tạp.
Công suất ra vẫn còn hạn chế nên hiện nay loại mạch này ít được sử dụng so
với các loại mạch khuếch đại công suất khác.
* Các ứng dụng của mạch khuếch đại công suất đẩy kéo nối tiếp OTL
hoạt động ở chế độ AB:
Mạch khuếch đại công suất đẩy kéo nối tiếp OTL hoạt động ở chế độ AB
thường dùng trong mạch khuếch đại âm tần ra loa (âm thanh)
* Lắp ráp và cân chỉnh mạch khuếch đại công suất đẩy kéo nối tiếp OTL
Hình 6. 34: Mạch thực hành khuếch đại đẩy kéo OTL
Bước 2: Cấp ngõ vào dùng tín hiệu âm thanh ( máy nghe nhạc MP3)
Bước 3: Chỉnh biến trở VR= 50K sao cho tín hiệu âm thanh nghe lớn nhất.
* Kiểm tra chẩn đoán, sửa chữa các hỏng hóc của các mạch khuếch đại
công suất đẩy kéo nối tiếp OTL hoạt động ở chế độ AB:
Trong trường hợp mạch không có tín hiệu ra, chúng ta kiểm tra R 1 và R2, nếu
dòng chảy qua R2 mất thì toàn phần mạch điện sẽ bị mất dòng phân cực.
180
Trong trường hợp tín hiệu nghe bị ngắt quảng chúng ta kiểm tra đo điện áp
tại tụ C6 có bằng ½ VCC không? Nếu không bằng kiểm tra cặp Q5, Q6, sau đó Q3 và
Q4.
Khi nghe tiếng ù ( ù xoay chiều thì ta kiểm tra nguồn V CC = 20V có ổn định
không? Sau đó hãy kiểm tra tụ lọc C2= 220μF.
6.3.2. Mạch khuếch đại công suất đẩy kéo trực tiếp:
A). Mạch khuếch đại công suất đẩy kéo nối tiếp OCL hoạt động ở chế độ AB:
GIỚI THIỆU
Mạch mạch khuếch đại công suất đẩy kéo nối tiếp OTL vẫn còn dùng tụ điện
mắc nối tiếp ngõ ra. Khi mạch hoạt động ở tần số thấp thì hiệu suất ngõ ra bị hạn
chế do ảnh hưởng của tụ điện. Để khắc phục nhược điểm trên nhưng không làm
giảm chất lượng mạch khuếch đại, chúng ta không sử dụng tụ lọc ở ngõ ra gọi là
mạch khuếch đại OCL (Output capacitor less)
a. Định nghĩa:
Mục tiêu: Biết được định nghĩa khuếch đại công suất đẩy kéo nối tiếp OCL
hoạt động ở chế độ AB
Mạch khuếch đại công suất đẩy kéo nối tiếp OCL là loại mạch khuếch đại
công suất đẩy kéo không dùng biến áp đảo pha ngõ vào, ngõ ra không dùng biến áp
xuất hay tụ điện, mạch dùng nguồn đối xứng, sử dụng hai transistor khác loại NPN
và PNP thành một cặp.
Mạch khuếch đại công suất không sử dụng biến áp nên gọn nhẹ, vì vậy mạch
có ưu điểm dễ chế tạo dưới dạng vi mạch có công suất lớn.
b. Mạch điện và tác dụng của linh kiện
+ Mạch điện:
181
Hình 6. 35: Mạch khuếch đại công suất dùng nguồn đối xứng OCL
+ Tác dụng của linh kiện:
Mạch sử dụng hai transistor khác loại NPN - Q 2 và PNP- Q3, các tham số của
hai loại Transistor Q2 và Q3 hoàn toàn đối xứng nhau.
VR và R2: Mạch định thiên kiểu phân áp cung cấp cho cực B transistor Q 1.
Trong đó VR chỉnh điện áp phân cực cho Q1 nhằm làm cho Q2 và Q3 cân bằng nhau
tạo điện áp điểm M bằng 0 (UM = 0).
R4, R5: Điện trở cực E của hai transistor Q2 và Q3.
Q1: Tiền khuếch đại điện áp theo kiểu E chung, tạo điện áp đủ lớn để Q 2 và
Q3 lần lược khuếch đại.
Q2; Q3: Khuếch đại công suất đẩy kéo mắc nối tiếp.
D1; D2: Tạo chênh lệch điện thế phân cực cho cực B-Q 2 và B-Q3. Điện áp
chênh lệch từ (1.1÷1,2)V, và tạo hệ số nhiệt âm(-1mV/0C)
R3: Cung cấp điện áp để D1 và D2 luôn được phân cực thuận.
Ci: Tụ liên lạc ngăn dòng một chiều ngõ vào.
c. Nguyên lý hoạt động của mạch điện:
- Với tín hiệu âm tần AF thông qua tụ liên lạc C i, đưa vào cực B transistor
Q1, được khuếch đại và lấy ra ở cực C, đưa tới hai cực B transistor Q 2 và Q3, các tín
hiệu giống hệt nhau. Do hai diode D 1 và D2 luôn phân cực thuận nên nội trở của
chúng rất bé, có thể coi như nối tắt về mặt tín hiệu.
182
- Xét nữa chu kỳ đầu dương của tín hiệu đưa vào cực B transistor Q 1, tín hiệu
ra cực C transistor Q1 là bán kỳ âm. Tín hiệu âm (điện áp âm) này tạo tiếp giáp B-
E transistor Q2 phân cực ngược nên transistor Q2 tắt, và tiếp giáp B- E transistor Q 3
phân cực thuận nên transistor Q3 khuếch đại. Khi Q2 tắt Q3 khuếch đại xuất hiện
dòng điện IC3 chạy qua transistor Q3: Mass → Loa → R5 → Q3 → -Ucc.
- Xét nữa chu kỳ sau âm của tín hiệu đưa vào cực B transistor Q 1, tín hiệu ra
cực C transistor Q1 là bán kỳ dương. Tín hiệu dương (điện áp dương) tạo tiếp giáp
B- E transistor Q3 phân cực ngược nên transistor Q3 tắt, và tiếp giáp B- E transistor
Q2 phân cực thuận nên transistor Q2khuếch đại. Khi Q3 tắt Q2 khuếch đại, xuất hiện
dòng điện IC2 chạy qua transistor Q2: Ucc →Q2 → R4 → Loa → Mass chung.
- Như vậy hai transistor luân phiên nhau làm việc trong hai nửa chu kỳ của
tín hiệ, do đó ở loa có cả hai bán kỳ của tín hiệu.
- Transistor Q2 và Q3 khuếch đại theo kiểu C chung nên hệ số khuếch đại
điện áp Ku≈ 1, và dòng điện Ki = β
d. Tính toán các thông số của mạch điện:
2 2
U I U I
- Công suất ra Pr = Cm. Cm = Cm = cm . Rt .
2 2 Rt 2
- Công suất tiêu tán trên mỗi transistor PT = VCE. IC.

- Điện áp trên transistor UCE = UCm + Udư.
2 2 V Cm
- Dòng điện IDC = Iav(ac) = . I cm = .
π π Rt
- Công suất nguồn cung cấp: PCC =VCC. IDC

+ Ví dụ 1: Cho tầng khuếch đại công suất như hình 6.41
Hai transistor Q1 và Q2 có Udư = 0.5V; Ico = 1mA, công suất ra Pr = 25W;
điện trở tải Rt = 8Ω.
Câu a: Xác định dòng điện cực đại qua Transistor.
Câu b: Xác định điện áp nguồn cần thiết để cung cấp cho mạch.
183
Hình 6. 36: Mạch khuếch đại công suất
Bài giải:
2
I cm
Ta có Pr = . Rt (trong đó Icm là dòng điện ra mỗi nhánh).
2
Suy ra: Ir =Icm =

√ √
2 Pr
Rt
= 2.25 = 2,5A
8
2
U
Ta có: Pr = m → U m= √2 Pr . R t ( Với Um là biên độ điện áp ra cực đại).
2 Rt
Điện áp trên Transistor UCE = Um + Udư = √ 2. P r . Rt +U dư

UCE = √ 2 ,5.2 .8+0 , 5=20 ,5 V
Điện áp nguồn: UCC = 2(√ Pr . 2 Rt +U dư ¿ = 2. ( √ 2, 5.2 .8+0 , 5 )=41V
Vậy điện áp nguồn cung cấp UCC = ±20,5V
Ví dụ 2: Từ mạch phân cực dòng tĩnh bằng diode như hình 6.37
Câu a: Công suất tiêu tán trên mỗi Transistor khi cấp điện áp hiệu dụng ở
đầu vào là 12 V(rms).
Câu b: Nếu tín hiệu vào tăng đến giá trị cực đại mà tín hiệu ra chưa méo
dạng, hãy tính giá trị cực đại của công suất đầu vào, ra và công suất tiêu tán trên
mỗi Transistor.
Câu c: Xác định công suất tiêu tán cực đại cho phép ở mỗi Transistor
184
Hình 6. 37: Mạch phân cực dòng tĩnh bằng diode
Bài giải:
Câu a: Công suất tiêu tán trên mỗi transistor khi cấp điện áp hiệu dụng ở đầu
vào là 12 V(rms).
Điện áp đỉnh ngõ vào: Uv(p)= √ 2 .U v(rms) = √ 2.12=16 , 97=17V
Với biên độ tín hiệu ra trên tải ra RL trong trường hợp lý tưởng gần bằng điện
áp vào (độ lợi điện áp bằng 1) thì UL(P) = 17V.
U L ( P) 17
Dòng điện trên tải: IL(P) = = = 4,25A
RL 4
2
U 172
Công suất ra trên tải: Pr(ac) = L ( P) = =36,125W
2 Rt 2.4
2. I L (P ) 2.4 , 25
Dòng DC chạy qua nguồn: Idc = Iav(ac) = = π
= 2,71A
π
Công suất nguồn: PV(dc) = UCC.Idc = 25.2,71 = 67,75W
Công suất tiêu tán trên mỗi transistor:
PV ( dc )−Pr ( ac ) 67.75−36,125
PT = = =15 , 8 W
2 2
Câu b: Nếu tín hiệu vào tăng đến giá trị cực đại mà tín hiệu ra chưa méo
dạng, hãy tính giá trị cực đại của công suất đầu vào, ra và công suất tiêu tán trên
mỗi Transistor.
Để tín hiệu ra cực đại và không bị méo thì UV(p)(ac) = UL(P) = UCC = 25V.
2 2
U 25
Công suất ra trên tải: Prmax(ac) = cc = = 78,125W
2 R t 2.4
2
2 U cc 2. 252
Công suất nguồn vào: PVmax¿ . = = 99,47W
π RL π .4
185
PV ( dc )−Pr ( ac ) 99 , 47−78,125
PT = = =10 ,67 W
2 2
P rmax (ac ) 78,125
Hiệu suất: Ƞmax = = 99 , 47 .100% = 78,54%
P vmax
Câu c: Công suất tiêu tán cực đại cho phép ở mỗi Transistor:
2
2 U CC 2 25
2
P2Tmax = 2 . = . = 31,66W
π Rt π 4
P 2Tmax 31, 66
PT = = 2 = 15,83W
2
e. Ưu nhược điểm và các ứng dụng của mạch công suất đẩy kéo nối tiếp
OCL hoạt động ở chế độ AB:
+ Ưu điểm:
Mạch không dùng biến áp nên tín hiệu ra ít bị méo, gọn nhẹ dễ chế tạo đặc
biệt là dưới dạng vi mạch, các mạch kích cho tầng công suất chủ yếu dùng theo
phương pháp kích dòng vì thế dễ đạt được công suất ra lớn mà không cần nguồn
cung cấp cao. Tuy nhiên để tránh méo phi tuyến trong thực tế các mạch công suất
này đều được định thiên để làm việc ở chề độ B.
Mạch OCL có đặc tuyến tần số rộng và khả năng chống nhiễu tốt.
Mạch có kết cấu gọn, giá thành hạ nên được sử dụng rộng rãi.
+Nhược điểm:
Do tải thường liên lạc trực tiếp nên nếu có sự cố nhỏ ở mạch công suất thì
điện áp tại điểm M sẽ lệch và làm cho tải bị hỏng, để khắc phục người ta thường
mắc thêm mạch bảo vệ.
f. Các ứng dụng của mạch khuếch đại công suất đẩy kéo nối tiếp OTL
Mạch khuếch đại côngsuất đẩy kéo nối tiếp OTL hoạt động ở chế độ AB
được dùng để khuếch đại tín hiệu âm tần ra loa. Ngoài ra còn tạo ra vi mạch có tính
năng khuếch đại dòng như IC họ SN7414, SN5414.
186
Hình 6. 38: Cấu trúc IC SN5414, SN7414
Hình 6. 39: Cấu trúc IC SN54LS14, SN74LS14
Hình 6. 40: Cấu trúc họ IC TL 081- 082-084
187
7 1
2k5 250
2
T14
9k
4 T9 T13
T4 15k
5
T10
T7 10
6 T5
T1
T8
T6
T2 T12
1k
T3
T11
390 65
3 8
Hình 6. 41: Sơ đồ IC MA 0403

Hình 6.41 là sơ đồ cấu trúc IC loại 0403 của hãng TESLA Cộng hòa séc.
Mạch công suất làm việc ở chế độ AB (T 11 và T12) cả hai điều là bán dẫn NPN,
mạch được thay thế loại kết hợp NPN và PNP. Vì vậy, một trong hai transistor phải
đóng vai trò đồng thời là mạch đảo pha. Tải của T 11 được hợp thành bởi hai phần :
phần một là mạch T9 , T10 (được mắc như diode), phần thứ hai là mạch tải ra.
Mạch gồm T11, T10, T9, điện trở 250Ω, ở điều kiện bình thường có dòng tĩnh
khoảng 10mA. Nếu đưa tới cực B của T 11 chu kỳ dương của tín hiệu T11 mở sẽ có
dòng qua tải, nguồn năng lượng lúc này là do tụ C phóng điện. khi đến nửa chu kỳ
âm đưa tới B-T11 đóng làm giảm dòng tĩnh, tăng điện áp trên cực B của T 13, T13 và
T14 mở có dòng qua tải. T11 và mạch T9, T10 và điện trở 250Ω hoạt động như một
mạch đảo.
Trong trường hợp này dòng tĩnh chạy quanh mạch T 9, T10, T11 cả khi T11
đóng đối với tín hiệu xoay chiều.
 Một số mạch thực tế
Hình 6. 42: Mạch công suất thực tế
188
Hình 6.42a: Q1, Q2 được kích thích bởi Q3 có các diode và điện trở R3. Điện
áp mở 2UBEO= 2UDt (trong đó UDt là điện áp khi diode được phân cực thuận). Do đó
ta có:
UBEI = UCQ3 + UDt1 = UCQ3 + UBEO1
UBE2 = UCQ3 + UDt2 + UCQ3 + UBEO2
Điểm làm việc của Q3 được chọn sao cho khi không có tín hiệu vào, điện áp
cực Emitơ của Q1, Q2 bằng không lúc đó sẽ không có dòng qua tải.
Để tăng công suất của mạch ta dùng mạch mắc Darlinton như hình 6.47b,
trong trường hợp này cần dùng tới 4 diode để tạo điện áp ban đầu cho 4 Transistor.
Trong các mạch khuếch đại công suất đẩy kéo nối tếp, bao giờ cũng có một
tầng mắc Colector chung do đó hệ số khuếch đại điện áp bằng 1. Có nghĩa là biên
độ điện áp vào khá lớn. Thực tế, những sơ đồ trên không thể đạt được điện áp kích
UBO lớn theo yêu cầu. Vì muốn thế ta phải mắc cho cực CQ 3 một điện áp rất lớn
hoặc phải dùng nguyên tắc boostrap, nghĩa là người ta thường dùng phương pháp
làm cho điện áp cung cấp cho Q 3 biến thiên theo điện áp ra. Điều này được thực
hiện nhờ mạch hồi tiếp dương xoay chiều qua tụ C. Điện trở R 3 lúc này đươc chia
làm hai R3’ và R3’’(R5)
Mạch được mắc như sơ đồ hình 6.43
+Ucc
R1 R3
R5
C2
Q1
D2
C3
D1
R4
Q2
C1
Q3
Uv
R2
R6 -Ucc
Hình 6. 43: Mạch đẩy kéo dùng nguyên tắc boostrap

h. Lắp ráp và cân chỉnh mạch khuếch đại công suất đẩy kéo nối tiếp
OCL hoạt động ở chế độ AB hình 6.44
189
Hình 6. 44: Mạch khuếch đại công suất đẩy kéo nối tiếp OCL hoạt động chế
độ AB
i. Kiểm tra chẩn đoán, sửa chữa các hỏng hóc của các mạch khuếch đại
công suất đẩy kéo nối tiếp OCL hoạt động ở chế độ AB:
Trong trường hợp mạch không có tín hiệu ra chúng ta nên sử dụng đồng hồ
đo Ω để kiểm tra các linh kiện trong mạch bằng phương pháp đo nguội. Đặc biệt
kiểm tra kỹ các đèn bán dẫn và đi ốt trong mạch khuếch đại công suất.
Khi cấp điện cho mạch đo điện áp điểm M=0V là tốt. Nếu điện áp điểm M
khác 0 thì hai vế công suất chạy chưa cân nhau, cần kiểm tra thật kỹ các thông số
của hai vế công suất phải đảm bảo đối xứng nhau.
Điều chỉnh R10, R11 để điện áp điểm M=0v là được.
Trong trường hợp tín hiệu nghe bị ngắt quảng chúng ta kiểm tra đo điện áp tại
điểm M có =0v không? Nếu không bằng kiểm tra cặp Q 6, Q7, sau đó Q8, Q10 và Q9,
Q11.
Khi nghe tiếng ù ( ù xoay chiều) thì ta kiểm tra nguồn +45V, -45v có ổn định
không? Sau đó hãy kiểm tra tụ lọc nguồn.
Khi hỏng đèn Q10 và Q11 ta tháo bỏ khỏi mạch rồi tiến hành kiểm tra sửa chữa
để đèn kích Q8, Q9 chạy tốt (đo điện áp điểm M=0v là tốt), sau đó mới lắp đèn Q 10,
Q11
Chú ý:
190
- Nếu điện áp điểm M khác 0 mà lắp tải (loa) có thể dẫn tới cháy tải.
- Tháo bỏ Q10, Q11 mạch vẫn chạy nhưng cho ra công suất yếu hơn. Trong
quá trình kiểm tra sửa chữa ta tạm tháo bỏ Q10, Q11 để đảm bảo an toàn cho hai
đèn khuếch đại công suất. Khi sửa cho kích chạy tốt sẽ tiến hành lắp Q10, Q11.
6.4. Khuếch đại công suất dùng MOSFET
Mosfet là một thiết bị bán dẫn có 3 chân được sử dụng rộng rãi trong cách
mạch điện tử. Nó hoạt động giống JFET nhưng dòng rò đi qua lớp cách điện oxide
ngăn cách giữa các phần dẫn điện thì nhỏ hơn. Mosfet là một lựa chọn không tồi để
thiết kế các mạch khuếch đại tuyến tính vì mạch sẽ sử dụng ít tải hơn, các mạch
khuếch đại dùng Mosfet được ứng dụng rộng rãi, được dùng để thiết kế nhiều loại
mạch.
Đặc điểm của Mosfet có khả năng đóng nhanh với các dòng điện và điện áp
khá lớn. Chính vì thế nó được sử dụng phổ biến trong các bộ dao động tạo ra từ
trường. Do đóng cắt nhanh làm cho dòng điện biến thiên nên Mosfet thường thấy
trong các bộ nguồn xung và cách mạch điều khiển điện áp cao.
6.4.1. Mạch điện:
a. Sơ đồ nguyên lý:
Mạch này có khả năng cung cấp một công suất đầu ra kha khá với số lượng
tối thiếu các bộ phận cấu thành nó nhưng chất lượng âm thanh vẫn khá tốt.
Bộ khuếch đại này chỉ dùng 2 Mosfet và 1 transistor, vài con điện trở và tụ
mắc hồi tiếp về, mạch điện này tuy nhỏ nhưng nó có thể cung cấp một công suất
khổng lồ 18W cho bộ loa 8 (Ohm) hoặc 30W cho bộ loa 4 (Ohm).
Để đạt được chất lượng tốt và ổn định cho một vài thành phần cấu tạo nên
mạch thì phải cần tới một bộ ổn áp nguồn một chiều chất lượng tốt. Điều này cần
thiết để mạch được giảm nhiễu và đạt được công suất ngõ ra không đổi đưa vào tải
biến thiên (loa). Một bộ điều khiển cấp nguồn DC tốt sẽ cho một dòng điện lớn hơn
2A và 40V.
191
Hình 6. 45: Mạch khuếch đại công suất dùng MOSFET
b. Linh kiện cần có:
R1: Điện trở 2K2, 1/4W nâng cao trở kháng đầu vào và suy giảm nhiễu biên
độ nhỏ
R2: Điện trở 27K, 1/4W cấp điện cực B đèn Q1
R3,R4: Điện trở tinh chỉnh 2K2, 1/2W để cân hai vế công suất
R4 điều chỉnh điện áp cực G đèn Q2 để cân hai vế công suất
R2,R3 bộ cầu phân áp cấp điện cực B đèn Q1
R4 là điện trở tải đèn Q1 và cấp điện cực G đèn Q2,Q3
R5: Điên trở 100 Ohm, 1/4W tạo điện áp cực E đèn Q1
R6: Điện trở 1K, 1/4W tải đèn Q1 và cấp điện cực G đèn Q2,Q3
R7,R8: Điện trở 330 Ohm, 1/4W nâng cao trở kháng đầu vào đèn Q2,Q3 và
suy giảm nhiễu biên độ nhỏ
C1: Tụ 22uF, 25V nối tầng đầu vào để dẫn xoay chiều và ngăn một chiều
C2: Tụ 47pF, 63V hồi tiếp âm chống tự kích
C3 Tụ 100uF, 50V tụ hồi tiếp dương nâng cao biên độ điện áp tín hiệu
C4: Tụ 100uF, 50V tụ lọc ổn định điện áp chân E đèn Q1 để khử hồi tiếp âm
trên R5
C5: Tụ 2200uF, 50V tụ dẫn tín hiệu ra tải(loa)
Q1: Transistor BC550C đèn kích
192
Q2: mosfet IRF530 hoặc MTP12N10 khuếch đại công suất
Q3: mosfet IRF9530 hoặc MTP12P10 khuếch đại công suất
c. Nguyên lý làm việc:
- Với tín hiệu âm tần AF thông qua tụ liên lạc C 1,R1 đưa vào cực B transistor Q 1,
được khuếch đại và lấy ra ở cực C, đưa tới hai cực G mosfet Q 2 và Q3, các tín hiệu
giống hệt nhau.
- Xét nữa chu kỳ đầu dương của tín hiệu đưa vào cực B transistor Q 1, tín hiệu ra cực
C transistor Q1 là bán kỳ âm. Tín hiệu âm (điện áp âm) này tạo tiếp giáp G- S
mosfet Q3 phân cực ngược nên mosfet Q3 tắt, và tiếp giáp G- S mosfet Q 2 phân cực
thuận nên mosfet Q2 khuếch đại. Khi Q3 tắt Q2 khuếch đại xuất hiện dòng điện ID2
chạy qua mosfet Q2: +40v → Q2 → C5 → Loa → -40v(Mass chung) và lạp cho tụ
C5 điện áp UC5 có chiều như hình vẽ.
- Xét nữa chu kỳ sau âm của tín hiệu đưa vào cực B transistor Q 1, tín hiệu ra cực C
transistor Q1 là bán kỳ dương. Tín hiệu dương (điện áp dương) tạo tiếp giáp G- S
mosfet Q2 phân cực ngược nên mosfet Q2 tắt, và tiếp giáp G- S mosfet Q 3 phân cực
thuận nên mosfet Q3 khuếch đại. Khi Q2 tắt Q3 khuếch đại, xuất hiện dòng điện I D3
chạy qua mosfet Q3: +C5 →Q3 → Mass chung → Loa → -C5.
- Như vậy hai mosfet luân phiên nhau làm việc trong hai nửa chu kỳ của tín hiệu,
do đó ở loa có cả hai bán kỳ của tín hiệu.
- Mosfet Q2 và Q3 khuếch đại theo kiểu D chung nên hệ số khuếch đại điện áp K u≈
1, và dòng điện Ki = β
6.4.2. Đặc tính kỹ thuật
a. Điện áp ngưỡng (Threshold voltage):
Điện áp ngưỡng thường được đo bằng cách nối cực cửa đến cực máng và sau
đó xác định điện áp phải được cấp trên các linh kiện để đạt được dòng điện máng
1,0 mA. Phương pháp này đơn giản để thực hiện và cung cấp một chỉ báo sẵn sàng
của điểm mà ở đó sự đảo ngược kênh xảy ra trong linh kiện. Các giá trị phổ biến là
2-4V cho các linh kiện điện áp cao với các lớp ôxít cực cửa dày hơn và 1-2V cho
các linh kiện điện áp thấp hơn, các linh kiện tương thích logic với các lớp ôxít cực
cửa mỏng hơn.
193
b. Điện áp đánh thủng nguồn-máng:
Tiếp xúc PN phân cực ngược trong MOSFET công suất được hình thành
giữa sự khuếch tán của thân lớp p và lớp cấy lên n˗ (epi-layer). Đối với bất kỳ tiếp
xúc p-n nào, cũng tồn tại một giá trị điện áp đánh thủng lý thuyết cực đại, phụ
thuộc vào cấu hình cấy tạp chất và độ dày vật liệu. Đối với trường hợp của
MOSFET công suất kênh-n, gần như tất cả điện áp chặn được hỗ trợ bởi lớp cấy n-.
Khả năng của lớp n– để hỗ trợ điện áp là một hàm của điện trở suất và độ dày của
nó trong đó cả hai đều phải tăng để đáp ứng điện áp đánh thủng cao hơn. Điều này
có hậu quả rõ ràng trong điện trở nguồn-máng là với RDS(ON) tỷ lệ gần đúng
với BVDSS. Do đó, quan trọng để thiết kế các linh kiện MOS công suất sao cho điện
áp đánh thủng càng gần với lý thuyết tối đa càng tốt nếu không thì vật liệu có điện
trở suất cao hơn, dày hơn phải được dùng. Các mô hình máy tính được sử dụng để
khảo sát đánh giá ảnh hưởng của thiết kế và bố trí tế bào trên điện áp đánh thủng.
Vì những yếu tố này cũng ảnh hưởng đến ‘trạng thái ON’ và các hoạt động chuyển
mạch, một mức độ thỏa hiệp là cần thiết.
Để đạt được tỷ lệ phần trăm cao của điện áp đánh thủng cực đại lý thuyết, nó
cần thiết để xây dựng các cấu trúc cạnh xung quanh vùng hoạt động của linh kiện.
Các cấu trúc cạnh được thiết kế để giảm điện trường mà nếu không điện trường sẽ
cao hơn trong những vùng này và gây ra sự đánh thủng sớm.
c. Trở kháng trạng thái-ON Máng-Nguồn (hình 6.46)
Trở kháng trạng thái ON của một MOSFET công suất được tạo nên từ vài
thành phần như được vẽ trong hình 4:
RDS(on) = Rsource + Rch + RA + RJ + RD + Rsub + Rwcml
Với:
Rsource = trở kháng khuếch tán cực cửa
Rch = trở kháng kênh dẫn
RA = trở kháng tích lũy
RJ = trở kháng của thành phần “JFET” của vùng giữa hai vùng thân
RD = trở kháng vùng trôi (vùng epitaxy)
Rsub = trở kháng nền
194
Hình 6. 46: Nguồn gốc các trở kháng nội của MOSFET công suất
Các miếng bán dẫn với các trở kháng nền đến 20 mΩ-cm được sử dụng cho
các linh kiện điện áp cao và nhỏ hơn 5mΩ-cm cho các linh kiện điện áp thấp.
Rwcml = tổng của trở kháng dây nối, các trở kháng tiếp xúc giữa cực nguồn và
kim loại cực máng và vùng silicon, vùng kim loại và khung chì đóng góp. Những
thành phần này là bình thường không đáng kể trong các linh kiện điện áp cao
nhưng có thể trở nên đáng kể trong các linh kiện điện áp thấp.
Hình 6.47 biểu diễn sự quan hệ quan trọng của mỗi thành phần
đến RDS(on) trên phổ điện áp. Như có thể thấy, ở điện áp cao, RDS(on) bị chi phối bởi
điện trở epi và thành phần JFET. Thành phần này cao hơn trong các linh kiện điện
áp cao do điện trở suất cao hơn hoặc nồng độ các hạt dẫn của nền thấp hơn trong
vùng epi. Ở các điện áp thấp hơn, RDS (on) bị chi phối bởi điện trở kênh và các sự
đóng góp từ tiếp xúc bán dẫn với kim loại, quá trình kim loại hóa, dây nối và khung
dẫn. Sự đóng góp của nền trở nên quan trọng hơn đối với các linh kiện có điện áp
đánh thủng thấp hơn.
195
Hình 6. 47: Các phân phối liên quan đến RDS(ON) với các chỉ số xếp loại điện áp
khác nhau
d. Hỗ dẫn
Hỗ dẫn gfs là một giá trị đo của độ nhạy dòng cực máng đối với các sự thay
đổi trong sự phân cực cửa-nguồn. Thông số này thường được trích dẫn cho
một Vgs mà nó cho một dòng máng bằng với khoảng một nữa của giá trị định mức
dòng cực đại và cho một VDS đảm bảo hoạt động trong vùng dòng không đổi. Hỗ
dẫn bị ảnh hưởng bởi độ rộng cực cửa, độ rộng này tăng lên tỷ lệ với vùng tích cực
khi tăng mật độ tế bào. Mật độ tế bào đã tăng trong những năm qua từ khoảng nữa
triệu trên mỗi inch vuông trong năm 1980 tới khoảng 8 triệu cho các MOSFET
công nghệ tấm phẳng và khoảng 12 triệu cho công nghệ rãnh. Yếu tố hạn chế đối
với mật độ tế bào cao hơn nữa là độ phân giải và quá trình quang khắc ở trung tâm
của các tế bào. Chiều dài kênh dẫn cũng ảnh hưởng hỗ dẫn. Chiều dài giảm có lợi
cho cả gfs và trở kháng-on, với đột phá là sự cân bằng. Giới hạn thấp hơn cho chiều
dài này được xác lập bởi khả năng điều khiển quá trình khuếch tán-kép và hiện nay
là khoảng 1-2 mm. Cuối cùng bề dày của oxid cực cổng càng mỏng thì gfs càng cao.
e. Công suất tiêu tán:
Việc tiêu tán công suất tối đa cho phép sẽ làm tăng nhiệt độ lên mức tối đa
cho phép khi nhiệt độ vỏ được giữ ở 25 oC là rất quan trọng. Nó được cho
bởi Pd trong đó:
Tjmax = Nhiệt độ cực đại cho phép của tiếp xúc pn trong linh kiện (thường là 150oC
hoặc 175oC). RthJC = Trở kháng nhiệt giữa các mối nối của thiết bị.
196
g. Các đặc tính động:
Khi MOSFET được sử dụng như một công tắc, chức năng cơ bản của nó là
điều khiển dòng cực máng bởi điện áp cực cửa. Hoạt động chuyển mạch của một
linh kiện được xác định bởi thời gian yêu cầu để ổn định các thay đổi điện áp trên
các tụ điện. RG là trở kháng được phân phối của cực cửa và nó tỷ lệ nghịch với
vùng hoạt động. LS và LD là các hệ số tự cảm của các đầu cực nguồn, cực máng và
có giá trị khoảng vài chục nH. Các giá trị tiêu biểu của ngõ vào (Ciss), ngõ ra (Coss)
và các điện dung truyền ngược (Crss) trong các datasheet được các nhà thiết kế
mạch sử dụng như một điểm khởi đầu trong việc xác định các giá trị thành phần
mạch. Các điện dung datasheet được định nghĩa theo điện dung mạch tương đương
là:
Ciss = CGS + CGD, (CDS nối tắt)
Crss = CGD
Coss = CDS + CGD
Điện dung cửa-nguồn, CGD, là một hàm phi tuyến của điện áp và là thông số
quan trọng nhất bởi vì nó cung cấp một vòng hồi tiếp giữa ngõ ra và ngõ vào của
mạch. CGD cũng được gọi là điện dung Miller bởi vì nó gây ra tổng điện dung đầu
vào động trở nên lớn hơn hơn tổng các điện dung tĩnh.
Hình 6.53 biểu diễn một mạch test thời gian chuyển mạch tiêu biểu. Cũng được
biểu diễn là các thành phần thời gian tăng và giảm liên quan đến các dạng
sóng VGS và VDS.
Độ trễ khi bật mở, td (on), là thời gian để nạp điện dung đầu vào của linh kiện
trước khi dòng cực máng có thể bắt đầu chạy. Tương tự, độ trễ bật tắt, td (off), là thời
gian để xả điện dung sau khi được bật tắt.
197
Hình 6. 48: (a) Kiểm tra thời gian chuyển mạch, (b) Các dạng sóng VDS và
VGS.
h. Điện tích cực cửa
Mặc dù các giá trị điện dung đầu vào là hữu ích, chúng không cung cấp kết
quả chính xác khi so sánh hoạt động chuyển mạch của hai linh kiện từ các nhà sản
xuất khác nhau.
Ảnh hưởng của kích thước linh kiện và hỗ dẫn làm cho sự so sánh khó hơn.
Một tham số hữu ích hơn từ quan điểm thiết kế mạch là điện tích cực cửa thay vì
điện dung. Phần lớn nhà sản xuất liệt kê cả hai các tham số trên datasheet của họ.
Hình 6.54 cho thấy một dạng sóng điện tích cực cửa điển hình và mạch điện
test. Khi cực cửa được nối với điện áp cung cấp, VGS bắt đầu tăng cho đến khi đạt
đến Vth, tại thời điểm đó dòng cực máng bắt đầu chảy và CGS bắt đầu nạp. Suốt
trong khoảng thời gian t1 đến t2, CGS tiếp tục nạp, điện áp cực cửa tiếp tục tăng và
dòng máng hiện tại tăng một cách tương xứng. Tại thời điểm t2, CGS được nạp hoàn
toàn và dòng cực máng đạt đến dòng ID được xác định trước và không đổi trong khi
điện áp cực máng bắt đầu giảm. Với tham chiếu đến mô hình mạch tương đương
của MOSFET được hiển thị trong Hình 6, có thể thấy rằng với CGS được nạp đầy
ở t2, VGS trở nên không đổi và dòng điện lái bắt đầu nạp cho điện dung Miller, CDG.
Điều này tiếp tục cho đến thời điểm t3. Thời gian nạp cho điện dung Miller là lớn
hơn so với thời gian nạp cho điện dung từ cực cửa đến cực nguồn CGS do sự thay
đổi nhanh chóng điện áp cực máng giữa t2 và t3 (dòng điện = C dv/dt). Một khi cả
hai điện dung CGS và CGD được nạp đầy, điện áp cực cửa (VGS) bắt đầu tăng trở lại
cho đến khi nó đạt đến điện áp cung cấp tại thời điểm t4. Điện tích cực cửa
(QGS + QGD) tương ứng với thời gian t3 là hàng rào điện tích tối thiểu cần thiết để
bật linh kiện dẫn. Việc thực hành thiết kế mạch tốt quyết định sử dụng điện áp cực
cửa cao hơn mức tối thiểu cần thiết cho chuyển mạch và do đó điện tích cực cửa
được sử dụng trong các tính toán là QG tương ứng với t4.
198
Hình 6. 49: Kiểm tra điện tích cực cửa, (b) Các dạng sóng kết quả của cực
máng và cực cửa.
Lợi thế của việc sử dụng điện tích cực cửa là người thiết kế có thể dễ dàng
tính toán lượng dòng điện cần thiết từ mạch lái để bật mở (on) linh kiện trong một
khoảng thời gian theo ý muốn vì Q = CV và I = C dv/dt, Q = thời gian × dòng điện.
Thí dụ, một linh kiện có điện tích cực cửa là 20 nC có thể được bật dẫn trong 20 μs
nếu là 1 mA được cấp đến cực cửa hoặc nó có thể bật dẫn trong 20 ns nếu dòng
điện cực cửa được tăng lên 1A. Những phép tính đơn giản này sẽ không có thể thực
hiện được với các giá trị điện dung đầu vào.
i. Khả năng dv/dt:
Việc phục hồi diode đỉnh được định nghĩa là tốc độ gia tăng tối đa được cho
phép của điện áp máng-nguồn, tức là khả năng dv/dt. Nếu tốc độ này bị vượt quá
thì điện áp trên các đầu cực cửa-nguồn có thể trở nên cao hơn so với điện áp
ngưỡng của linh kiện, ép buộc linh kiện vào chế độ dẫn dòng và trong những điều
kiện nhất định một hư hỏng trầm trọng có thể xảy ra. Hai cơ chế có khả năng xảy ra
khi sự bật mở dv/dt có thể diễn ra. Hình 8 biểu diễn mô hình mạch tương đương
của một MOSFET công suất, bao gồm BJT ký sinh. Cơ chế đầu tiên của việc bật
mở cảm ứng dv/dt sẽ hoạt động thông qua hành động hồi tiếp của điện dung cửa-
máng, CGD. Khi một đường dốc điện áp xuất hiện trên đầu cực nguồn và đầu cực
máng của linh kiện, dòng điện I1 chạy qua điện trở cực cửa, RG, bởi điện dung cửa-
máng, CGD. RG là tổng trở của cực cửa trong mạch và sụt áp trên nó được cho bởi:
199
Khi điện áp cực cửa VGS vượt quá điện áp ngưỡng Vth của linh kiện, linh kiện
bị ép dẫn. Do đó, khả năng dv/dt cho cơ chế này được thiết lập bởi:
Rõ ràng là Vth thấp linh kiện dễ bị dv/dt bật dẫn. Hệ số nhiệt âm của Vth là
đặc biệt quan trọng trong các ứng dụng ở đó đang có nhiệt độ môi trường cao.
Ngoài ra trở kháng mạch cực cửa phải được lựa chọn cẩn thận để tránh hiệu ứng
này.
Nếu điện áp phát triển trên RB lớn hơn hơn khoảng 0,7V, thì tiếp xúc nền-
phát được phân cực thuận và BJT ký sinh được bật dẫn. Dưới các điều kiện (dv/dt)
cao và các giá trị lớn của RB, điện áp đánh thủng của MOSFET sẽ được giới hạn
đến điện áp đánh thủng cực nền hở của BJT. Nếu điện áp cực máng cấp vào lớn
hơn điện áp đánh thủng cực nền hở, thì MOSFET sẽ đi vào vùng thác lũ và có thể
bị phá hủy nếu dòng điện không bị giới hạn bên ngoài.
Do đó, tăng khả năng (dv/dt) đòi hỏi giảm điện trở cực nền RB bằng cách
tăng vùng tạp chất và giảm khoảng cách hiện tại, I2 phải chảy ngang qua vùng tạp
chất trước khi nó được thu thập bởi cực nguồn kim loại hóa. Như trong cơ chế đầu
tiên, khả năng dv/dt liên quan đến BJT trở nên xấu hơn ở các nhiệt độ cao hơn bởi
vì RB tăng và VBE giảm khi tăng nhiệt độ.
Hình 6. 50: Mạch tương đương của MOSFET công suất

k. Hoạt động song song:
Nếu yêu cầu công suất vượt quá công suất của các linh kiện có sẵn thì có thể
đạt được mức công suất tăng lên bằng cách mắc song song các linh kiện. Việc mắc
song song các linh kiện sử dụng các MOSFET được thực hiện dễ dàng hơn. Bởi vì
chúng có một hệ số nhiệt dương của trở kháng. Nếu một MOSFET mắc song song
chạy dòng nhiều hơn những MOSFET thành phần khác nó sẽ trở nên nóng hơn.
Điều này làm cho trở kháng-ON của linh kiện đó trở nên lớn hơn trở kháng-ON của
200
thành phần khác và do vậy dòng trong nó sẽ bị giảm. Cơ chế này đối ngược lại với
cơ chế tỏa nhiệt của một trong các linh kiện. Hệ số nhiệt dương cũng giúp tránh các
điểm nóng tự bên trong MOSFET.
6.4.3. Các ứng dụng của MOSFET công suất
Các MOSFET công suất lý tưởng để sử dụng trong nhiều ứng dụng, một số
ứng dụng được liệt kê dưới đây:
- Các nguồn cung cấp ở chế độ chuyển mạch (SMPS);
- Điều khiển tốc độ động cơ;
- Các ứng dụng chuyển mạch trong ô tô.
Có thể thấy rằng hoạt động của MOSFET công suất là tương đối dễ hiểu. Ưu
điểm thời gian chuyển mạch nhanh, dễ mắc song song và các yêu cầu công suất
mạch lái thấp làm cho thiết bị trở nên hấp dẫn để sử dụng trong nhiều ứng dụng.
6.5. Lắp mạch khuếch đại tổng hợp:
6.5.1. Lắp mạch khuếch đại công suất âm tần SA250 NEW:
a. Sơ đồ nguyên lý:
Hình 6. 51: Mạch khuếch đại công suất âm tần SA250 NEW
b. Bo lắp mạch
* Mặt trên
201
Hình 6. 52: Mặt trên bo mạch khuếch đại công suất âm tần SA250 NEW
* Mạch in
Hình 6. 53: Mạch in(mặt dưới) bo mạch khuếch đại công suất âm tần SA250
NEW
c. Chuẩn bị:
* Chuẩn bị các linh kiện sau:
1 Điện trở chân cắm 2.2KΩ 2
2 Điện trở chân cắm 33KΩ 1
4 Điện trở chân cắm 56Ω 1
202

7 Điện trở chân cắm 2.7KΩ 1
9 Điện trở chân cắm 4.7Ω 1
11 Điện trở chân cắm 0.47Ω 2
12 Điện trở chân cắm 22Ω
13 Tụ hóa 47uF/50V 2
14 Tụ hóa 4.7uF/50V 1
15 Tụ gốm(tụ thường) 150pF 2
19 Tụ gốm(tụ thường) 100nF 1
20 Đi ốt DZ 15v 3
21 Đi ốt 1N4007 3
22 Đèn bán dẫn C1815 1
23 Đèn bán dẫn C2383 1
24 Đèn bán dẫn A1015 3
25 Đèn bán dẫn TIP41 1
26 Đèn bán dẫn TIP42 1
27 Đèn bán dẫn D718 1
28 Đèn bán dẫn B688 1
* Chuẩn bị dụng cụ, testboard
203
Bảng 6. 3: Danh mục dụng cụ, vật tư
TT Dụng cụ, vật tư Thông số cơ bản Số lượng
1 Mỏ hàn xung hoặc mỏ hàn nung 220Vac 1
2 Mạch in có khoan lỗ (hình 6.58) SA250 NEW 1
3 Thiếc hàn 0.2kg 1
4 Nhựa thông 0.1kg 1
5 Dây nối 30cm 12
6 Kéo, kìm cắt chân linh kiện 125mm 1
7 Nhíp gắp linh kiện ESD-12 1
* Thiết bị
Bảng 6. 4: Danh mục thiết bị
TT Danh mục thiết bị Thông số cơ bản Số lượng
1 Bộ nguồn ±30VDC 1
2 Đồng hồ vạn năng VAC, VDC, I, Ω 1
3 Máy hiện sóng 2CH,  >20MHz 1
4 Máy phát xung vuông, tam giác, sin  = 0 ÷ 5MHz 1
b. Lắp ráp mạch:

* Lắp ráp mạch trên board test
Lắp ráp mạch trên testboard theo sơ đồ nguyên lý hình 6.56 với linh kiện đã
cho trước
c. Khảo sát các thông số:
+ Đo điện áp cấp nguồn Vcc (±30VDC).
+Đo điện áp đầu ra out put.
+ Đo điện áp chân B,C,E của các đèn trong mạch điện và ghi nhận xét điện
áp giữa BE, CE.
+ Cấp đầu vào mạch tín hiệu hình sin có biên độ tần số 1Vpp. Tần số 1kHz.
khác nhau.
204
Bảng 6. 5: Thông số và dạng sóng khảo sát mạch
R: 9K ……. …… …… …… 20kHz
Vout:
Dạng
sóng
* Khảo sát biên độ tín hiệu thay đổi:

+ Cấp đầu vào mạch tín hiệu hình sin có tần số 1kHz.
+ Thay đổi biên độ tín hiệu vào trong các khoảng từ 10mVpp - 5Vpp.
+ Sử dụng máy hiện sóng đo tín hiệu ra và vẽ dạng sóng tại các điểm biên độ
tín hiệu vào khác nhau.
Bảng 6. 6: Thông số và dạng sóng khảo sát mạch từ thực tế
Vin: 10mVpp ……. …… …… …… 5Vpp
Vout:
Dạng
sóng
* Khảo sát tần số tín hiệu vào thay đổi

+ Cấp đầu vào mạch tín hiệu hình sin có biên độ tần số 1Vpp.
+ Thay đổi tần số tín hiệu vào trong các khoảng từ 100Hz - 10kHz.
khác nhau.
205
Bảng 6. 7: Thông số và dạng sóng từ khảo sát mạch thực tế
 in: 100Hz ……. …… …… …… 10kHz
Vout:
Dạng
sóng
d. Nhận xét:
+ So sánh kết quả khảo sát với nội dung lý thuyết đã xây dựng tại các mục
trên.
………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………
6.6. Sửa chữa mạch khuếch đại tổng hợp
206
6.6.1. Sơ đồ mạch khuếch đại tổng hợp công suất dùng Mosfet
Hình 6. 54: Sơ đồ mạch khuếch đại tổng hợp công suất dùng Mosfet
Giai đoạn đầu tiên của bộ khuếch đại là bộ khuếch đại vi sai dựa trên các
transistor Q1 và Q2. Tụ C8 là IC tách rời DC đầu vào, R1 giới hạn dòng điện đầu
vào và tụ C1 bỏ qua các tần số cao không mong muốn. Giai đoạn thứ hai là giai
đoạn điều khiển bao gồm các transistor Q3 và Q4. Giai đoạn đầu ra là giai đoạn kéo
đẩy bổ sung dựa trên MOSFET IRF530 và IRF9530. Đầu ra được ghép nối với loa
bằng cuộn cảm L1. Mạng bao gồm R15 và C5 dùng để giảm nhiễu. Tụ điện C6 và
C7 là bộ lọc cung cấp điện. Preset R6 có nghĩa là để điều chỉnh dòng tĩnh.
Lưu ý:
- Lắp mạch in mạch bằng mực in tốt
- Dùng nguồn +/-35V DC để cấp nguồn
- Đối với cuộn cảm L1, hãy tạo 12 sợi dây đồng tráng men trên đường kính 1cm
- C6,C7 phải là loại dùng nguồn 50V, các loại tụ khác có thể là từ 10 đến 15V
6.6.2. Phương pháp kiểm tra sửa chữa
Khi mạch khuếch đại tổng hợp không làm việc ta tiến hanh kiểm tra sửa
chữa theo các bước như sau:
a. Bước 1 kiểm tra độ cách điện toàn mạch:
Dùng đồng đo Ω để thang x1k rồi đo giữa hai chân tụ C6, C7 theo hai chiều
thuận ngược.
207
Nếu một chiều lên nhiều kim chỉ từ vài chục KΩ trở lên và chiều lên ít kim
chỉ khoảng 10KΩ là độ cách điện toàn mạch tốt.
Nếu cả hai chiều kim chỉ 0Ω là mạch bị chập. Gặp trường hợp này nếu ta cấp
điện cho mạch sẽ gây cháy nổ làm hỏng thêm linh các kiện khác như cháy bộ chỉnh
lưu hoặc cháy biến áp nguồn hoặc nổ cầu chì. Bởi vậy phải tiến hành chữa chập rồi
mới cấp điện để đảm bảo an toàn cho mạch.
Nếu đo cả hai chiều thuận ngược có số ôm thấp và không chênh lệch nhau là
mạch bị dò chập.
b. Bước 2 sửa chữa dò chập mạch:
Ta tách dần linh kiện ra khỏi mạch rồi đo Ω giữa hai chân tụ C6,C7. Tách
linh kiện nào ra khỏi mạch thấy hết dò chập mạch là linh kiện đó bị dò chập. Kinh
nghiệm là khi chập nặng thường do chập đèn công suất Q5,Q6 hoặc chập bộ chỉnh
lưu(ít khi chập C6,C7), khi chập nhẹ thường do các mạch tiền khuếch đại công suất
gây nên.
c. Bước 3 kiểm tra tổng thể:
Dùng đồng hồ đo Ω để thang x1Ω hoặc x10Ω kiểm tra nhanh các đèn bán
dẫn và diod xem có dò chập đứt không (khi để các linh kiện trong mạch ta chỉ kiểm
tra được tương đối, khi cần thật chính xác ta phải tháo linh kiện ra khỏi mạch).
Kinh nghiệm là các linh kiện tụ điện, điện trở, cuộn dây ít khi hỏng.
d. Bước 4 cấp điện cho toàn mạch để kiểm tra sửa chữa:
Khi mạch hết chập ta tiến hành cấp điện và luôn chú ý quan sát mọi hiện
tượng.
Nếu các bước trên đã làm tốt thì đến đây mạch sẽ chạy tốt. Trong trường hợp
mạch vẫn chưa chạy cần tiến hành kiểm tra sửa chữa tiếp theo
+Đo điện áp nguồn +/-35V DC
+Đo điện áp cực C,B,E của các đèn Q1,Q2,Q4,Q3 và cực D,G,S của Q5,Q6
để phán đoán tìm ra hư hỏng thay thế sửa chữa.
Chú ý:
Trong trường hợp mạch không có tín hiệu ra chúng ta nên sử dụng đồng hồ
đo Ω để kiểm tra các linh kiện trong mạch bằng phương pháp đo nguội. Đặc biệt
kiểm tra kỹ các đèn bán dẫn và đi ốt trong mạch khuếch đại công suất.
Khi cấp điện cho mạch đo điện áp điểm Vout=0V là tốt. Nếu điện áp điểm
Vout khác 0 thì hai vế công suất chạy chưa cân nhau, cần kiểm tra thật kỹ các
thông số của hai vế công suất phải đảm bảo đối xứng nhau.
208
Điều chỉnh R6 để điện áp điểm Vout=0v là được.
Trong trường hợp tín hiệu nghe bị ngắt quảng chúng ta kiểm tra đo điện áp tại
điểm Vout có =0v không? Nếu không bằng 0 kiểm tra cặp Q1, Q2, sau đó Q4, Q3 và
Q5, Q6 . Khi nghe tiếng ù ( ù xoay chiều) thì ta kiểm tra nguồn +35V, -35v có ổn
định không? Sau đó hãy kiểm tra tụ lọc nguồn.
Chú ý:
- Nếu điện áp điểm Vout khác 0 mà lắp tải (loa) có thể dẫn tới cháy tải
e. Bước 5 kiểm tra đánh giá:
Để kiểm tra xác định mạch đã chạy đến đâu ta có thể sử dụng máy phát tín
hiệu đưa tới đầu vào (Vin) rồi dùng máy hiện sóng kiểm tra tín hiệu qua từng tầng
sẽ tìm ra tầng hư hỏng nhanh và kết hợp phán đoán đo đạc kiểm tra sửa chữa thay
thế hư hỏng.
6.7. Câu hỏi trắc nghiệm và bài tập:
6.7.1. Câu hỏi trắc nghiệm:
Câu 1: Trong mạch khuếch đại công suất nối ra tải thường dùng loại tụ gì:
A. Tụ giấy
B. Tụ hóa
C. Tụ mica
D. Tụ gốm
Câu 2: Chọn phát biểu đúng nhất:
A.Mạch khuếch đại công suất chế độ A có điểm làm việc tĩnh nằm gần trung
điểm của đường tải
B.Mạch khuếch đại công suất chế độ B có điểm làm việc tĩnh nằm vùng
ngưng dẫn của đường tải
C.Mạch khuếch đại công suất chế độ AB có điểm làm việc tĩnh nằm trung
gian giữu chế độ A và B có dòng điện tĩnh nhỏ
D.Mạch khuếch đại công suất chế độ C có điểm làm việc tĩnh nằm vùng
ngưng dẫn của đường tải
E. Cả 4 đáp án đều đúng
A. Biến áp đảo pha để tạo ra hai điện áp tín hiệu cùng pha và bằng nhau về
biên độ
209
B. Biến áp đảo pha để tạo ra hai điện áp tín hiệu ngược pha và khác nhau về
biên độ
C. Biến áp đảo pha để tạo ra hai điện áp tín hiệu ngược pha và bằng nhau về
biên độ
D. Đáp án C
A.Khuếch đại công suất là đưa tín hiệu có biên độ nhỏ vào, đầu ra sẽ thu
được tín hiệu có biên độ lớn hơn nhiều lần.
B.Khuếch đại công suất là đưa tín hiệu có cường độ dòng điện nhỏ vào, đầu
ra sẽ thu được tín hiệu cho cường độ dòng điện mạnh hơn nhiều lần.
C.Khuếch đại công suất là đưa tín hiệu có công suất yếu vào, đầu ra sẽ thu
được tín hiệu có công suất mạnh hơn nhiều lần.
D. Cả 3 đáp án trên đều đúng
Câu 5: Đặc tuyến như hình vẽ mô tả điểm làm việc tĩnh của mạch khuếch đại chế
độ nào sau đây:
Hình 6. 55: Điểm làm việc tĩnh của mạch khuếch đại chế độ A
A. Chế độ AB
B. Chế độ C
C. Chế độ A
D. Chế độ B
Ưu điểm của mạch khuếch đại công suất đẩy kéo song song ghép biến áp
hoạt động ở chế độ B:
210
A.Mạch không cần gắn tản nhiệt (nhôm) trên transistor công suất, do hai
transistor ở chế độ phân cực tĩnh đều ngưng dẫn nên không tiêu thụ công suất
nguồn cung cấp.
B.Không có dòng một chiều chạy qua biến áp nên không gây méo dạng do
lão hóa từ.
C.Hiệu suất lớn khoảng 78, 5 % khai thác công suất của mỗi transistor.
D.Mỗi transistor chỉ làm việc nữa chu kỳ nên có thời gian tỏa nhiệt, nên tầng
công suất không bị ảnh hưởng nhiều đến nhiệt độ.
E.Mạch dùng biến áp nên dễ phối hợp trở kháng để đạt công suất lớn.
Câu 7: Đặc tuyến như hình vẽ mô tả đường tải của mạch khuếch đại chế độ nào
sau đây:
Hình 6. 56: Đường tải của mạch khuếch đại chế độ A ghép biến áp
A. Chế độ AB
B. Chế độ C
C. Chế độ A
D. Chế độ B
Câu 8: Đặc tuyến như hình vẽ mô tả đường tải tĩnh của mạch khuếch đại đẩy- kéo
chế độ nào sau đây:
211
Hình 6. 57: Đường tải tĩnh của mạch khuếch đại đẩy- kéo chế độ B
A. Chế độ AB
B. Chế độ C
C. Chế độ A
D. Chế độ B
Câu 9: Đặc tuyến như hình vẽ mô tả đường tải động của mạch khuếch đại đẩy- kéo
Hình 6. 58: Trình bày đường tải động ở chế độ AB

A. Chế độ AB
B. Chế độ C
C. Chế độ A
D. Chế độ B
212
Câu 10: Đặc tuyến như hình vẽ mô tả đường tải tĩnh của mạch khuếch đại đẩy- kéo
Hình 6. 59: Trình bày đường tải tĩnh ở chế độ AB

A. Chế độ AB
B. Chế độ C
C. Chế độ A
D. Chế độ B
Câu 11: Đặc tuyến như hình vẽ mô tả đường tải động của mạch khuếch đại đẩy-
kéo chế độ nào sau đây:
Hình 6. 60: Đường tải động của mạch khuếch đại đẩy - kéo chế độ B
A. Chế độ AB
B. Chế độ C
C. Chế độ A
213
D. Chế độ B
6.7.2. Bài tập:
Bài 1: Cho mạch khuếch đại chế độ A như hình 6.6. Nguồn cung cấp V CC=10V,
biết tỉ số biến áp N1 : N2 = 1:3, và dòng điện tĩnh (DC) I B=6mA, transistor có hệ số
khuếch đại β=24, tín hiệu ngõ vào biên độ đỉnh ib (t)= 4mA, điện trở tải RL = 8Ω.
Câu 1: Hãy xác định đường tải tĩnh (DC) và đường tải động( xoay chiều)
Câu 2: Hãy tính các giá trị hiệu dụng dòng điện, điện áp và công suất trên, đạt giá
trị cực đại.
Hướng dẫn:
*Xác định đường tải tĩnh:
Điện áp: UCEQ = VCC =
Dòng điện ICQ = βIB =
*Xác định đường tải xoay chiều:
Điện trở trên cuộn sơ cấp: RL’ = a2 .RL=
Điện áp Vce biến thiên: ∆Vce = VCC =
∆ V ce
Dòng điện IC biến thiên: ∆IC = '
=¿
RL
Dòng điện ICmax = ICQ + ∆IC =

Nối điểm ICmax với điểm Q ta được đường tải xoay chiều
Câu 2:
Dòng điện ICmin = ICQ –βi(t) =
Dòng điện ICmax = ICQ + βi(t)=
Điện áp Vcemin = VCEQ - ICQ. RL’ = 0
(Chú ý: Điện áp Vce không có giá trị âm, nhỏ nhất là 0)
Điện áp Vcemax = VCEQ + ICQ. RL’=
V cemax −V cemin
Điện áp ra hiệu dụng trên cuộn sơ cấp: U r (rms)= =¿
2 √2
U r(rms)
Điện áp ra hiệu dụng trên tải RL: U L(rms) =
a
i cmax −i cmin
Dòng điện ra hiệu dụng trên cuộn sơ cấp: I r (rms )= =¿
2 √2
Dòng điện ra hiệu dụng trên tải RL: i L(rms)=a . I r (rms) =¿
214
Công suất ở cuộn sơ cấp:
Công suất ra tính theo dòng điện IL: Pr(ac) = iL(rms). RL=
Công suất nguồn cung cấp: PV(dc) = VCC . ICQ
Công suất tiêu tán transistor công suất: PQ = PV(dc) - PL(ac)
Bài 2: Cho mạch điện hình 6.28 biến áp BA 2 có tỉ số vòng 6,325:1, ở đầu cuộn thứ
cấp điện trở tải RL= 8Ω. Hãy tính điện trở tải xoay chiều R T(AC) ở hai đầu cuộn sơ
cấp.
Đáp số: RT(AC) = 80 Ω
Bài 3: Cho mạch điện hình 6.28 biến áp BA2 có tỉ số vòng 2:1, tín hiệu ngõ ra ở tải
RL có điện áp Vp-p = 32V, và dòng điện I p-p =40mA. Hãy tính công suất tiêu thụ của
tải.
Đáp số: PT(AC) = 1,6W
Bài 4: Mạch điện công suất OLT dùng Transistor phụ như hình 6.36
Hình 6. 61: Mạch điện công suất OLT dùng Transistor phụ
Câu1: Hãy trình bày tác dụng linh kiện của mạch trên.
Câu 2: Trình bày nguyên lý hoạt động của mạch điện.
215
Hướng dẫn:
Câu1: Hãy trình bày tác dụng linh kiện của mạch trên
Tụ Ci : Tụ nối tầng (lọc tín hiệu DC ngõ vào).
VR, RB2: Mạch định thiên kiểu phân áp cung cấpcho cực B transistor T3.
D1, D2: Tạo phân cực chênh lệch điện áp cho cực B hai transistor T1 và T2.
Rb1: Tạo điện áp phân cực thuận cho D 1, D2 đồng thời phân cực điện áp
cho cực B hai transistor T1 và T2.
RE3: Điện trở tạo hồi tiếp âm dòng điện cho T3;
RE1, RE2; Hồi tiếp âm dòng điện cho T1, T2 ;
Co : Tụ nối tầng, dẫn tín hiệu từ đầu ra tầng khuếch đại công suất ra loa ;
T1, T2 : Khuếch đại công suất đẩy kéo.
Câu 2: Trình bàyNguyên lý hoạt động của mạch điện
T3 là mạch khuếch đại chế độ A. Mắc kiểu E chung là mạch khuếch đại đảo
pha. Tín hiệu xoay chiều từ nguồn V i đưa tới cực B transistor T3, làm transistor T3
khuếch đại đủ cả hai bán kì, sau đó đưa tới cực B transistor T1 và T2 của tầng
khuếch đại công suất.
Xét tại đầu ra cực C transistor T3, giả thiết là bán kỳ dương thì T1 được phân
cực thuận và T1 khuếch đại, transistor T2 tắt (vì T2 – PNP khác loại với T1). Dòng IC1
sẽ đi từ nguồn +Ucc qua T1, nạp cho C2 (1000 µF) và đi qua tải (loa) theo chiều từ
trên xuống mass cho ra bán kỳ dương của tín hiệu trên tải.
Khi ở đầu ra C transistor T3 ở bán kỳ âm, thì điện áp trên B transistor T1 giảm,
T1 tắt. Lúc đó UB2 cũng giảm nên T2 được phân cực thuận, T2 dẫn. Dòng IC2 sẽ do tụ
C2 1000 µF phóng điện qua T2 xuống mass đi qua cuộn dây loa (tải công suất).
Như vậy, hai T1, T2 đã luân phiên nhau khuếch đại cho ra tãi đủ cả hai chu kỳ
tín hiệu.
216
Hình 6. 62: Mô phỏng mạch khuếch đại công suất OTL dùng transistor Q2
phụ.
Bài 5 : Mạch điện công suất OLT dùng Transistor phụ như hình 6.38
Câu 3: Tính các hiệu suất của mạch.
Hình 6. 63: Mạch khuếch đại công suất OTL
Hướng dẫn
Q1: Transistor khuếch đại điện áp, được phân cực hoạt động ở chế độ A;
R1, R2: Mạch phân áp cho cực B transistor Q1:
R3, C3: Điện trở và tụ điện mắc tại cực E transistor Q1 nhằm mụch đích hồi tiếp
dòng điện một chiều, ổn định chế độ hoạt động cho transistor Q1.
217
R4, C4: Mắc lọc nguồn chống nhiễu và hồi tiếp vòng.
T1 : Biến áp đảo pha U3-4 = -U5-6 cung cấp cho cực B hai transistor Q2 và Q3.
R5, R6, R7, R8: Mạch định thiên kiểu phân áp cung cấp cho cực B transistor Q2 , và
cực B transistor Q3 để đảm bảo tính cân bằng: R5 = R7 và R6 = R8 tạo điện áp tại M
UM = ½ Ucc = UCemax
R9, R10: Điện trở cực E transistor Q2 và Q3.
C1, C4: Tụ liên lạc dẫn tín hiệu ngõ vào của tầng khuếch đại công suất và ngõ ra
đến loa.
Câu 2: Trình bày nguyên lý hoạt động của mạch điện
Khi có tín hiệu âm tần (AF) vào cực B của Q 1 khuếch đại, sẽ xuất hiện dòng
tín hiệu chạy qua cuộn sơ cấp của biến áp đảo pha T 1, tại thứ cấp của biến áp, ở
chân 3 và chân 5 xuất hiện hai tín hiệu có biên độ bằng nhau nhưng ngược pha
nhau, cung cấp cho hai cực B hai transistor Q2 và Q3.
Giả sử ở bán kì đầu dương, cực B transistor Q2 nhận bán kì dương nên Q2
khuếch đại, cực B transistor Q3 nhận bán kì âm nên Q 3 tắt, chiều dòng điện I C2 đi từ
Ucc  Q2 điểm M  C2 Loa  mass.
Đến nửa chu sau âm, cực B transistor Q2 nhận bán kì âm nên Q2 tắt, cực B
transistor Q3 nhận bán kì dương nên Q 3 khuếch đại, chiều dòng điện I C3 đi từ mass
MLoa  C4Q3 R10.
Kết quả là trên tải (loa) xuất hiện đủ cả chu kì của tín hiệu.
Câu 3: Tính các hiệu suất của mạch.
1.U cc V
Icmaxx= (vì R9, R10<< RL nên bỏ qua) , V cemax = CC
2. R L 2
V cemax . I Cmax Ucc2
Công suất trên tải do hai transistor cung cấp: Pr(ac)= =
2 8 RL
I Cmax U cc
Dòng trung bình qua nguồn cung cấp : I DC = =
π 2 πR L
2
U CC
Công suất nguồn cung cấp: PV ( DC )=U CC I DC =
2 π RL
Pr ( AC ) π
Hiệu suất cực đại: η= .100 %= 100 %=78 ,53 %
P v ( DC ) 4
Bài 6: Mạch điện công suất OLT dùng Transistor phụ như hình 6.39
218
Hình 6. 64: Mạch điện công suất OLT dùng Transistor phụ
Bài 7: Cho tầng khuếch đại công suất như hình 6.59
Hai transistor Q1 và Q2 có Udư = 0.5V; Ico = 1mA, công suất ra Pr = 25W; điện trở
tải Rt = 8Ω.
Hình 6. 65: Mạch khuếch đại công suất

Bài giải:
2
I
Ta có Pr = cm . Rt (trong đó Icm là dòng điện ra mỗi nhánh).
2
219
Suy ra: Ir =Icm =
√ √
2 Pr
Rt
= 2.25 = 2,5A
8
2
Um
Ta có: Pr = → U m= √ 2 Pr . R t ( Với Um là biên độ điện áp ra cực đại).
2 Rt
Điện áp trên Transistor UCE = Um + Udư = √ 2. P r . Rt +U dư

UCE = √ 2 ,5.2 .8+0 , 5=20 ,5 V
Điện áp nguồn: UCC = 2(√ Pr . 2 Rt +U dư ¿ = 2. ( √ 2, 5.2 .8+0 , 5 )=41V
Vậy điện áp nguồn cung cấp UCC = ±20,5V
i.Bài 8: Từ mạch phân cực dòng tĩnh bằng diode như hình 6.42
Câu a: Công suất tiêu tán trên mỗi Transistor khi cấp điện áp hiệu dụng ở đầu vào
là 12 V(rms).
Câu b: Nếu tín hiệu vào tăng đến giá trị cực đại mà tín hiệu ra chưa méo dạng, hãy
tính giá trị cực đại của công suất đầu vào, ra và công suất tiêu tán trên mỗi
Transistor.
Câu c: Xác định công suất tiêu tán cực đại cho phép ở mỗi Transistor
Hình 6. 66: Mạch phân cực dòng tĩnh bằng diode

Bài giải:
Câu a: Công suất tiêu tán trên mỗi transistor khi cấp điện áp hiệu dụng ở đầu vào là
12 V(rms).
Điện áp đỉnh ngõ vào: Uv(p)= √ 2 .U v(rms) = √ 2.12=16 , 97=17V
Với biên độ tín hiệu ra trên tải ra R L trong trường hợp lý tưởng gần bằng điện áp
vào (độ lợi điện áp bằng 1) thì UL(P) = 17V.
220
U L ( P) 17
Dòng điện trên tải: IL(P) = = = 4,25A
RL 4
2
U 172
Công suất ra trên tải: Pr(ac) = L ( P) = =36,125W
2 Rt 2.4
2. I L (P ) 2.4 , 25
Dòng DC chạy qua nguồn: Idc = Iav(ac) = = π
= 2,71A
π
Công suất nguồn: PV(dc) = UCC.Idc = 25.2,71 = 67,75W
PV ( dc )−Pr ( ac ) 67.75−36,125
PT = = =15 , 8 W
2 2
Câu b: Nếu tín hiệu vào tăng đến giá trị cực đại mà tín hiệu ra chưa méo dạng, hãy
tính giá trị cực đại của công suất đầu vào, ra và công suất tiêu tán trên mỗi
Transistor
Để tín hiệu ra cực đại và không bị méo thì UV(p)(ac) = UL(P) = UCC = 25V.
2
U cc 25 2
Công suất ra trên tải: Prmax(ac) = = = 78,125W
2 R t 2.4
2 2
2 U cc 2. 25
Công suất nguồn vào: PVmax¿ . = = 99,47W
π RL π .4

PV ( dc )−Pr ( ac ) 99 , 47−78,125
PT = = =10 ,67 W
2 2
P rmax (ac ) 78,125
Hiệu suất: Ƞmax = = 99 , 47 .100% = 78,54%
P vmax
Câu c: Công suất tiêu tán cực đại cho phép ở mỗi Transistor:
2
2 U CC 2 25
2
P2Tmax = 2
. = . = 31,66W
π Rt π 4
P 2Tmax 31, 66
PT = = 2 = 15,83W
2
221
Bài 7: MẠCH DAO ĐỘNG ĐIỀU HÒA HÀM SINCE
A. Giới thiệu:
Dao động điều hòa trước tiên là một dao động cơ, được hiểu là chuyển động
qua lại của vật quanh một vị trí cân bằng (thường là vị trí của vật khi đứng yên). Ví
dụ như dao động của chiếc thuyền nhấp nhô tại chỗ neo, chuyển động đung đưa của
chiếc lá, dây đàn rung lên khi nghệ sĩ gảy đàn… Dao động điều hòa là dao động có
quỹ đạo là một đoạn thẳng và có li độ của vật là một hàm cos (hay sin) của thời
gian.
Một mạch dao động là mạch có khả năng chuyển đổi năng lượng từ DC sang
AC. Có nhiều loại mạch dao động tạo ra các dạng sóng tín hiệu khác nhau như: sin,
vuông, tam giác.... Trong đó, mạch dao động tạo sóng sin được sử dụng để tạo tín
hiệu chuẩn trong đo lường, kiểm tra, điều khiển, chuyển đổi tần số...Còn các mạch
dao động tạo tín hiệu sóng vuông, dốc, xung thì thường được dùng trong chuyển
mạch, điều khiển... Do sự quan trọng của của mạch dao động mà chúng ta cần hiểu
và nắm vững các dạng mạch dao động và nguyên lý hoạt động của nó. Ở phần điện
tử cơ bản chúng ta chỉ xét tới những mạch dao động tạo sóng sin, còn các mạch dao
động tạo các tín hiệu khác như vuông, tam giác... thì sẽ học ở phần kỹ thuật xung.
Để đáng giá chất lượng của một dao động phụ thuộc vào sự ổn định của tần số ngõ
ra.
B. Mục tiêu:
- Phân tích được nguyên lý hoạt động, phạm vi ứng dụng của các mạch dao
động thông dụng dùng BJT trong kỹ thuật điện tử.
- Đo đạc, kiểm tra, sửa chữa một số mạch dao động dùng BJT theo yêu cầu
kỹ thuật.
- Thiết kế, lắp ráp một số mạch dao động dùng BJT theo yêu cầu kỹ thuật.
- Thay thế một số mạch dao động dùng BJT hư hỏng theo số liệu cho trước.
C. Nội dung:
7.1. Tổng quan về mạch dao động điều hòa hàm since
222
7.1.1. Những vấn đề chung
Các mạch tạo dao động điều hòa hay còn gọi là dao động hình sin được sử
dụng rộng rãi trong các hệ thống thông tin, trong các máy phát, máy thu, trong máy
đo, máy kiểm tra, thiết bị y tế… Hiểu một cách đơn giản, mạch dao động là mạch
tạo ra tín hiệu.
Tổng quát, người ta chia ra làm hai loại mạch dao động là dao động điều hòa
tạo ra các tín hiệu dạng hình sin và dao động tích thoát tạo ra các tín hiệu không sin
như tạo xung răng cưa, xung nhọn, xung tam giác, xung vuông. Ở đây, chúng ta chỉ
nghiên cứu các mạch dao động điều hòa.
Các mạch tạo dao động điều hòa có thể làm việc trong dải tần số từ vài Hz
đến hàng nghìn MHz. Để tạo dao động có thể dùng các phần tử tích cực như
transistor lưỡng cực, transistor trường, mạch khuếch đại thuật toán hoặc các phần
tử đặc biệt như Diode Tunel, Diode Gunn…
Để tạo dao động điều hòa, có thể theo hai nguyên tắc cơ bản sau:
+ Tạo dao động bằng hồi tiếp dương.
+ Tạo dao động bằng phương pháp tổng hợp mạch.
+ Ở đây ta chỉ nghiên cứu các mạch tạo dao động theo nguyên tắc hồi tiếp
dương.
7.1.2. Sơ đồ khối và nguyên tắc làm việc
Hình 7. 1: Sơ đồ khối mạch dao động điều hòa

Mạch dao động điều hòa có sơ đồ khối như hình 7.1, bao gồm:
+ Khối khuếch đại (KĐ).
+ Phần tử hồi tiếp.
Nguyên tắc: Lấy một phần năng lượng ở đầu ra của khối khuếch đại hồi tiếp
dương quay trở lại đầu vào.
7.1.3. Điều kiện làm việc
a. Điều kiện về biên độ:
223
Kβ ≥ 1
Trong đó: là hệ số khuếch đại.
là hệ số hồi tiếp.
b. Điều kiện về pha:
Trong đó: là góc di pha của bộ khuếch đại.
là góc di pha của mạch hồi tiếp.

Điều kiện để tồn tại dao động là:
 Nếu ban đầu Kβ >> 1 và đảm bảo điều kiện về pha thì mạch dao động đạt
ổn định nhanh nhưng dạng tín hiệu ra bị méo.
 Nếu ban đầu Kβ ≥ 1 thì mạch đạt độ ổn định chậm nhưng ít méo.
 Nếu Kβ < 1 thì mạch không dao động, khi đó Vo là dạng dao động tắt dần.
7.1.4. Đặc điểm và phân loại
a. Đặc điểm chung:
Từ những phân tích trên, ta rút ra những đặc điểm cơ bản của một mạch dao
động:
- Mạch dao động cũng là một mạch KĐ, nhưng là mạch KĐ tự điều khiển
bằng hồi tiếp dương từ đầu ra về đầu vào. Năng lượng tự dao động lấy từ nguồn
cung cấp một chiều.
- Muốn có dao động phải thỏa mãn điều kiện cân bằng biên độ và cân bằng
về pha.
- Mạch phải chứa ít nhất một phần tử tích cực làm nhiệm vụ biến đổi năng
lượng một chiều thành năng lượng xoay chiều, đồng thời có vai trò là một khâu
điều chỉnh để đảm bảo biên độ dao động không đổi ở trạng thái xác lập.
b. Nguồn cung cấp:
Phải sử dụng các nguồn ổn định, hoặc nguồn có ổn áp.
c. Kết cấu của mạch:
Giảm ảnh hưởng của tải đến mạch dao động bằng cách thêm tầng đệm ở đầu
ra của tầng tạo dao động.
224
d. Các phần tử tích cực:
Dùng các phần tử tích cực có hệ số khuếch đại lớn, có hệ số nhiệt nhỏ.
7.2. Mạch dao động dịch pha dùng BJT
7.2.1. Khái quát chung:
a. Cấu trúc chung mạch dịch pha:
Sơ đồ khối của mạch dao động dịch pha có dạng như hình 7.2.
Hình 7. 2: Sơ đồ khối mạch dao động dịch pha

- Phần khuếch đại có thể sử dụng BJT, FET, OA làm mạch khuếch đại đảo
(đầu ra lệch pha 1800 so với đầu vào).
- Phần hồi tiếp sử dụng ba mắt RC mắc nối tiếp, mỗi mắt làm lệch pha 60 0
nên khối hồi tiếp làm lệch pha 1800. Như vậy điều kiện về pha được đảm bảo.
b. Phạm vi điều chỉnh tần số của mạch:
Một mạch dao động dịch pha có sơ đồ tương đương như hình 6.2.
225
Hình 7. 3: Sơ đồ tương đương mạch dao động dịch pha
Nếu trở kháng vào Zi của mạch khuếch đại đủ lớn và trở kháng ra Zo đủ nhỏ
thì : V2 = Vi, V1 = Vo = K.Vi. Khi đó khâu hồi tiếp tương đương như hình 6.3.
Hình 7. 4: Khâu hồi tiếp RC.

Để xác định điều kiện về biên độ và tính tần số dao động cần thực hiện theo
4 bước.
Bước 1: Viết phương trình tính hệ số hồi tiếp:
(phương trình dạng số phức)
Bước 2: Rút gọn phương trình về dạng :

Bước 3: Cho b=0 để tính tần số dao động f.
Bước 4: Thay f vào phương trình của để xác định giá trị tại f và suy ra
điều kiện về biên độ.
Theo hình (7.4) ta có
226
Áp dụng định luật Kirchoff với các vòng mạch điện kín ta viết được 3
phương trình :
Sau khi giải 3 phương trình 3 ẩn trên ta sẽ tìm được i3
Thay vào Ta có :
Để mạch lệch pha 1800 thì
Suy ra : và
Thay ωo vào biểu thức β ta tính được (dấu trừ thể hiện mạch lệch
pha 1800).
Điều kiện về biên độ để mạch dao động K.β ≥ 1 suy ra hệ số khuếch đại của
phần khuếch đại phải thỏa mãn K ≥ 29
c. Ứng dụng
Mạch dao động địch pha được sử dụng để tạo ra các dao động điều hòa có
tần số thấp.
7.2.2. Sơ đồ mạch điện và tác dụng linh kiện
a. Sơ đồ mạch dịch pha dùng Transistor BJT:
227
Hình 7. 5: Mạch dịch pha dùng Transistor
Với: R*//rv = R
Rv = R1//R2//rv(B)
rv(B) = βrBE
b. Tác dụng linh kiện:

- RC: Là một khâu của dao động dịch pha.
- Mạch dao động yêu cầu ba khâu RC, mỗi khâu lệch pha 60 0 nên tổng dịch
pha là 1800.
- RECE: Ổn định chế độ làm việc của transistor NPN.
- R1R2: Tạo mạch định thiên kiểu phân áp cho cực B transistor.
- RC: Điện trở cung cấp điện áp 1 chiều cho cực C transistor.
7.2.3. Nguyên lý hoạt động:
Khi cấp nguồn một chiều, dòng I C biến đổi chạy trong mạch. Nếu coi I C ≈ IE
thì dòng IC có chiều chạy trong mạch dao động như sau:
+VCC RC RE Mass
Dòng IC biến đổi nên thông qua các khâu dao động RC, tạo nên dịch pha
0
180 .
228
Vì transistor trong mạch dao động được mắc cực E chung nên các khâu dịch
pha được mắc tạo hồi tiếp dương giữa đầu ra và đầu vào của transistor, tạo ra dao
động.
* Điều kiện để cầu cân bằng.
Để tồn tại dao động thì hệ số khuếch đại của mạch dùng transistor phải thỏa
mãn điều kiện:
* Tần số dao động của mạch.

Do trở kháng ra của mạch khuếch đại dùng transistor không đủ nhỏ so với
trở kháng vào của mạch hồi tiếp nên công thức tính tần số dao động như trên không
còn thỏa mãn.
Tính toán chi tiết mạch dịch pha dùng transistor, công thức tính tần số dao
động được xác định:
7.2.4. Lắp mạch dao động dịch pha dùng BJT
Hình 7. 6: Mạch dao động điều hòa dịch pha dùng Transistor
a. Chuẩn bị vật liệu linh kiện, dụng cụ và thiết bị:
 Chuẩn bị vật liệu, linh kiện:
229
- Vật liệu: Thiếc hàn, nhựa thông, cáp điện thoại, bo mạch in, test board.
- Linh kiện: Chọn thông số các linh kiện theo sơ đồ mạch đã cho.
STT Tên linh kiện SL STT Tên linh kiện SL
1 T1 = C1815 1 7 R2 = 10K 1
2 C1 = 1 μ F/16V 1 8 R3 = 4.7K 1
3 CE = 10 μ F/16V 1 9 R4 = 2.2K 1
4 C = 0.01 μ 3 10 VR = 2K 1
5 R = 5.6K 2 11 VCC = 12V

6 R1 = 3.3K 1 12
 Chuẩn bị dụng cụ, thiết bị:
Bảng 7. 2: Danh mục dụng cụ, thiết bị, vật tư
Dụng cụ Thiết bị
Mỏ hàn, chì, … Đồng hồ vạn năng
Panh kẹp Máy hiện sóng 50MHz
Kìm cắt, kìm uốn Bộ nguồn chân đế đa năng
Dao con, kéo Các mô đun thực tập Kỹ thuật
xung
b. Quy trình lắp ráp và cân chỉnh. (Giáo viên làm mẫu theo trình tự, phân
tích cho học viên hiểu)
Bảng 7. 3: Trình tự các bước lắp ráp và khảo sát mạch
Các buớc Dụng cụ,
STT Thao tác thực hành Yêu cầu kỹ thuật
công việc thiết bị
1 - Kiểm tra chất lượng - Xác định được chất lượng
Kiểm tra Bo mạch và xác định cực tính linh kiện
Linh kiện Pank kẹp linh kiện - Ngay ngắn sáng bóng
- Vệ sinh linh kiện. - Đảm bảo thuận lợi cho thao
Kìm, kéo
- Đo sự liên kết của tác cân chỉnh mạch.
Dao con
mạch in - Chân linh kiện không được
- Xác định vị trí đặt uốn sát vào thân dễ bị đứt
230
Các buớc Dụng cụ,
STT Thao tác thực hành Yêu cầu kỹ thuật
công việc thiết bị
linh kiện, điểm đo, ngậm bên trong.
cấp nguồn.
- Uốn nắn chân linh
kiện cho phù hợp với
vị trí lắp ráp.
- Gá lắp các linh kiện - Lắp ráp đúng cực tính, giá
Mỏ hàn
- Đấu dây cấp nguồn. trị của linh kiện.
Lắp ráp Bo mạch
2 - Mối hàn đảm bảo tiếp xúc,
mạch Pank kẹp
bóng đẹp.
Kìm, kéo
- Quan sát vị trí các - Đúng vị trí, giá trị.

linh kiện ngay ngắn, - Sáng bóng , tiếp xúc tốt
Mỏ hàn
đúng vị trí.
Kiểm tra Bo mạch
3 - Mối hàn, tiếp xúc
nguội Pank kẹp
của linh kiện với
Kìm, kéo mạch, dây dẫn….
Cấp - Đo điện áp vào, ra - Tín hiệu dạng Sin tuần hoàn

nguồn, Máy hiện của mạch
4 đo thông sóng - Quan sát dạng tín
số của Bo mạch hiệu ra.
mạch
Mỏ hàn - Đảm bảo mạch hoạt động

Cân
Bo mạch Thay giá trị C = đúng, tín hiệu chuẩn.
5 chỉnh
Pank kẹp 0,1μF
mạch
Kìm, kéo
Đo các giá trị:
T
VBE =
231
VCE =
Dùng dao động ký đo và vẽ dạng sóng ra tại A, B, C, D, E
Hình 7. 7: Hệ tọa độ đo lường trên màn hình Osillocope tại A
Hình 7. 8: Hệ tọa độ đo lường trên màn hình Osillocope tại B
232
Hình 7. 9: Hệ tọa độ đo lường trên màn hình Osillocope tại C
Hình 7. 10: Hệ tọa độ đo lường trên màn hình Osillocope tại D
233
Hình 7. 11: Hệ tọa độ đo lường trên màn hình Osillocope tại E
Đo tần số dao động f = ………………………………………………………
Tính tần số dao động của mạch dao động dịch pha
Thay giá trị C = 0,1μF làm lại các bước trên.

7.3. Dao động cầu Wien dùng OA
7.3.1. Khái quát chung về mạch dao động cầu Wien (Wien Bridge Oscillator )
a. Cấu trúc của mạch:
Mạch dao động cầu Wien dùng mạch hồi tiếp dương là một bộ lọc băng như
hình 7.12.
Mạch sử dụng OA mắc theo kiểu không đảo do khâu hồi tiếp có độ lệch pha
00 ở tần số trung tâm.
234
Hình 7. 12: Mạch dao động cầu Wien
b. Phạm vi điều chỉnh tần số của mạch:
Tìm điều kiện dao động và tần số dao động:
Ta có hàm truyền đạt của mạch hồi tiếp:
Sau khi biến đổi ta có:
Tại tần số dao động ωo
suy ra
Hay
Tại tần số dao động f ta có

Trong trường hợp đặc biệt: R1 = R2 = R và C1 = C2 = C
Tần số dao động sẽ là: và

235
Khi đó điều kiện về biên độ: K.β ≥ 1
Tương đương với K ≥ 3, với suy ra

Nếu K < 3 mạch sẽ không dao động, nếu chọn K >> 3 mạch dao động nhưng
tín hiệu ra sẽ bị méo dạng, với mạch này đầu tiên ta chọn cho K > 3 sau đó tự động
điều chỉnh xuống gần bằng 3 để giảm méo.
Ví dụ:
Hình 7. 13: Mạch tạo dao động cầu Wien

a) Tính toán tần số cộng hưởng của mạch tạo dao động cầu Wien trên hình
7.13
b) Thiết kế mạch tạo dao động cầu Wien để có tần số dao động f0 = 10kHz.
Bài giải:
a) Sử dụng công thức trên ta có:
b) Sử dụng giá trị cân bằng R 1 = R2 = R và C1 = C2 = C ta chọn R = 100KΩ

và tính toán giá trị C theo công thức trên ta có:
Chọn R4 = 300KΩ và R3 = 100KΩ đảm bảo tỷ số R4/R3 lớn hơn 2 để mạch

có thể dao động.
236
c. Ứng dụng:
Ưu điểm của mạch dao động cầu Wien là đơn giản và ổn định, được sử dụng
nhiều trong dải âm thanh.
Hình 7. 14: Mạch dao động cầu Wien dùng bộ khuếch đại OA
b. Tác dụng của các linh kiện:
Khung tạo dao động C1,R1,C2,R2.
OA: Bộ thuật toán đầu vào đảo.
Rht, Ro: Xác định hệ số khuếch đại của mạch.
Điện áp đưa về đầu vào không đảo pha để điện áp hồi tiếp trùng pha với điện
áp vào.
Hồi tiếp âm qua Rht để xác định hệ số khuếch đại.
* Điều kiện để mạch cân bằng.
Để đảm bảo điều kiện về dao động ta thường chọn:
Trong đó, là một đại lượng rất nhỏ ( ≈ 0.01) để mạch dễ dao động.
* Tần số dao động của mạch.
Tần số dao động của mạch được tính theo công thức:
237
Nếu R1 = R2 = R; C1 = C2 = C thì
7.3.4. Lắp mạch dao động cầu Wien dùng OA
Hình 7. 15: Mạch dao động cầu Wien dùng bộ khuếch đại OA
STT Tên linh kiện SL
1 OA = μA741 1
2 C1,C2 = 2700pF 2
238
3 R1,R2,R4 = 5.6K 3
4 R3 = 12K 1
5 VCC = 12V
Bảng 7. 5: Danh mục dụng cụ, thiết bị, vật tư
xung
b. Quy trình lắp ráp và cân chỉnh. (Giáo viên làm mẫu theo trình tự, phân
Bảng 7. 6: Quy trình các bước lắp ráp và khảo sát mạch
Các Dụng cụ,
STT buớc thiết bị Thao tác thực hành Yêu cầu kỹ thuật
công việc
- Kiểm tra chất - Xác định được chất lượng
lượng và xác định linh kiện
cực tính linh kiện - Ngay ngắn sáng bóng
- Vệ sinh linh kiện. - Đảm bảo thuận lợi cho
- Đo sự liên kết của thao tác cân chỉnh mạch.
mạch in - Chân linh kiện không
1 Linh Pank kẹp
- Xác định vị trí đặt được uốn sát vào thân dễ bị
kiện Kìm, kéo
linh kiện, điểm đo, đứt ngậm bên trong.
Dao con
cấp nguồn.
kiện cho phù hợp
với vị trí lắp ráp.
239
Các Dụng cụ,
công việc
- Gá lắp các linh - Lắp ráp đúng cực tính, giá
Mỏ hàn
kiện trị của linh kiện.
2 - Đấu dây cấp - Mối hàn đảm bảo tiếp xúc,
mạch Pank kẹp
nguồn. bóng đẹp.
Kìm, kéo

Mỏ hàn
đúng vị trí.
nguội Pank kẹp
Cấp - Đo điện áp vào, ra - Tín hiệu dạng Sin tuần

nguồn, Máy hiện của mạch hoàn
mạch
Mỏ hàn Thay giá trị C1,C2 = - Đảm bảo mạch hoạt động
Cân 100pF hoặc điện trở đúng, tín hiệu chuẩn.
Bo mạch
5 chỉnh R1,R2 = 10KΩ
Pank kẹp
mạch
Kìm, kéo
Dùng dao động ký đo và vẽ dạng sóng ra VO
240
Hình 7. 16: Hệ tọa độ đo lường sóng ra trên màn hình Osillocope
Đo tần số dao động f = …………………………………………………..
Tính tần số dao động của mạch dao động cầu Wien
Thay giá trị C1,C2 = 100pF hoặc điện trở R1,R2 = 10KΩ làm lại các bước trên
7.4. Mạch dao động thạch anh
Khi yêu cầu mạch tạo dao động có tần số ổn định cao mà dùng các biện pháp
bình thường như ổn định nguồn cung cấp, ổn định tải…vẫn không đảm bảo được
độ ổn định tần số thì dùng mạch thạch anh để ổn định tần số.
Vì thạch anh có tính chất đáng quý là độ bền cơ học cao, ít chịu ảnh hưởng
của nhiệt độ, độ ẩm và các tác dụng hóa học nên thạch anh được sử dụng nhiều
trong các mạch dao động.
7.4.1. Khái quát chung
a. Cấu tạo, ký hiệu và đặc tính của thạch anh:
241
Hình 7. 17: Hình dạng thực tế thạch anh
Thạch anh có tính chất áp điện: dưới tác dụng của điện trường thì sinh ra dao
động cơ học (hiệu ứng áp điện ngược) và ngược lại khi có dao động cơ học tác
động trên hướng trục cơ thì xuất hiện theo phương của trục điện dao động điện
cùng tần số (hiệu ứng áp điện thuận). Do đó, có thể dùng thạch anh như một khung
cộng hưởng.
b. Mạch tương đương và đặc tính trở kháng của thạch anh:
Tính chất dao động của thạch anh được biểu diễn bởi sơ đồ tương đương trên
hình 7.18
Hình 7. 18: Ký hiệu quy ước và sơ đồ tương đương thạch anh

c. Các thông số cơ bản của thạch anh:
Thạch anh có hai tần số cộng hưởng, tần số cộng hưởng nối tiếp nhánh L,C
và tần số song song (nhánh CM với điện cảm tương đương của nhánh nối tiếp).
- Cộng hưởng nối tiếp ở tần số fs do L và C theo công thức:
- Cộng hưởng song song ở tần số fp do L và C (C song song C M)

theo công thức:
242
Do CM > C nên
Như vậy:
Thạch anh có kích thước càng nhỏ thì L, C, R càng nhỏ, nghĩa là tần số cộng
hưởng riêng của nó càng cao. Chính vì tính chất của thạch anh, nên nó được sử
dụng như một khung dao động LC có độ chính xác cao.
Để thay đổi tần số cộng hưởng riêng của thạch anh người ta mắc nối tiếp nó
với một tụ bán chỉnh (trimơ) như hình 7.19
Hình 7. 19: Một biện pháp để điều chỉnh (vi chỉnh) tần số riêng thạch anh
Sơ đồ bộ tạo dao động dùng thạch anh điều khiển bằng hồi tiếp song song
được chỉ dẫn trên hình 7.20.
243
Hình 7. 20: Bộ tạo dao động thạch anh điều khiển bằng hồi tiếp song song
b. Tác dụng của các linh kiện:
- Thạch anh XTAL như mạch cộng hưởng song song ở ngõ ra để chọn tần
số.
- C1, C2: Là hai cầu phân áp xoay chiều lấy tín hiệu ra ở cực C hồi tiếp về
cực E.
- R1,R2 : Là mạch phân áp cho cực B của transistor.
- Tụ CB : Tụ dẫn hồi tiếp.
- RE : Bộ ổn định chế độ làm việc cho T
- Cuộn chặn (RFC) cấp điện áp một chiều, ngăn không cho tín hiệu xoay
chiều trên đường công suất ảnh hưởng tới tín hiệu ra.
Khi thạch anh cộng hưởng song song thì trở kháng của mạch đạt giá trị lớn
nhất. Tại tần số hoạt động của mạch cộng hưởng song song, phần tử thạch anh
được coi như là một phần tử điện kháng lớn nhất.
Hình 10.5 được mắc gần giống như mạch Colpits. Điện áp phân cực một
chiều lớn nhất được tăng lên khi đi qua phần tử thạch anh tại tần số cộng hưởng
song song của nó. Điện áp được ghép tới emitơ bằng điện áp ở bộ chia điện dung
C1 và C2.
* Điều kiện để mạch dao động.
244
Transistor được ráp theo kiểu CB nên mạch khuếch đại có tín hiệu vào cực E
và tín hiệu ra ở cực C là hai tín hiệu đồng pha, nên mạch hồi tiếp nhờ cầu phân áp
C1,C2 là mạch hồi tiếp dương đúng theo điều kiện của mạch dao động.
Thực chất mạch dao động này cũng là mạch dao động Colpitts cải tiến (loại
mạch ba điện dung).
* Tần số dao động của mạch
Tần số dao động của mạch chính là tần số fp của thạch anh.
7.4.4. Lắp mạch dao động thạch anh
a. Lắp ráp và cân chỉnh mạch dao động dùng thạch anh với tần số cộng
hưởng song song:
Hình 7. 21: Mạch dao động thạch anh với tần số cộng hưởng song song
1 T = C1815 1 6 CE = 0.1μF 1
245
2 XTAL = 16MHz 1 7 RB1 = RB2 = 10K 2
3 C = 22pF 2 8 RC = 330Ω 1
4 C1 = C2 = 0.1μF 2 9 RE = RL = 220Ω 2
5 C3 = 0.1 μF 1 10 VCC = (6-12)V
Bảng 7. 8: Danh mục thiết bị, dụng cụ
xung
b. Quy trình lắp ráp và cân chỉnh.(Giáo viên làm mẫu theo trình tự, phân
246
Bảng 7. 9: Quy trình các bước lắp và khảo sát mạch
Các Dụng cụ,
công việc
mạch in - Chânlinh kiện không
1 Linh Pank kẹp
kiện Kìm, kéo
Dao con
cấp nguồn.
- Gá lắp các linh - Lắp ráp đúng cực tính, giá
Mỏ hàn
kiện trị của linh kiện.
2 - Đấu dây cấp - Mối hàn đảm bảo tiếp xúc,
mạch Pank kẹp
nguồn. bóng đẹp.
Kìm, kéo

Mỏ hàn
đúng vị trí.
nguội Pank kẹp
4 Cấp - Đo điện áp vào, ra - Tín hiệu dạng Sin tuần

nguồn, của mạch hoàn
đo thông Máy hiện - Quan sát dạng tín
số của sóng hiệu ra.
mạch Bo mạch
247
Các Dụng cụ,
công việc
Mỏ hàn Thay giá trị C = - Đảm bảo mạch hoạt động

Cân 250pF đúng, tín hiệu chuẩn.
Bo mạch
5 chỉnh
Pank kẹp
mạch
Kìm, kéo
Dùng dao động ký đo và vẽ dạng sóng ra
Hình 7. 22: Hệ tọa độ đo lường đầu ra trên màn hình máy Osillocope
Đo tần số dao động f =
…………………………………………………………..
Tính tần số dao động của mạch dao động
Thay giá trị C = 250pF làm lại các bước trên.

b. Lắp ráp và cân chỉnh mạch dao động dùng thạch anh với tần số cộng
hưởng nối tiếp:
248
Hình 7. 23: Mạch dao động thạch anh với tần số cộng hưởng nối tiếp
STT Tên linh kiện SL
1 T = C1815 1
2 C2 = 102(1nF)/104nF 1
3 C1 = 102(1nF) 1
4 C3 = 10 μ F/16V 1
5 R1 = R2 = 10K 2
6 R3 = 1K 1
7 XTAL = 455KHz 1
8 MBA âm tần 151/220 1
Bảng 7. 11: Danh mục dụng cụ, thiết bị
249
xung
b. Quy trình lắp ráp và cân chỉnh.(Giáo viên làm mẫu theo trình tự, phân
Bảng 7. 12: Quy trình lắp và khảo sát mạch
Các Dụng cụ,
Thao tác thực
STT buớc thiết bị Yêu cầu kỹ thuật
hành
công việc
Kiểm Bo mạch
mạch in - Chân linh kiện không
1 traLinh Pank kẹp
kiện Kìm, kéo
Dao con
cấp nguồn.
- Gá lắp các linh - Lắp ráp đúng cực tính,
Mỏ hàn
kiện giá trị của linh kiện.
2 - Đấu dây cấp - Mối hàn đảm bảo tiếp
mạch Pank kẹp
nguồn. xúc, bóng đẹp.
Kìm, kéo
3 Kiểm tra Mỏ hàn - Quan sát vị trí các - Đúng vị trí, giá trị.
nguội Bo mạch linh kiện ngay ngắn, - Sáng bóng, tiếp xúc tốt
Pank kẹp đúng vị trí.
250
Các Dụng cụ,
Thao tác thực
STT buớc thiết bị Yêu cầu kỹ thuật
hành
công việc
- Mối hàn, tiếp xúc
Kìm, của linh kiện với
kéo mạch, dây dẫn….
Cấp - Đo điện áp vào, ra

nguồn, Máy hiện của mạch
mạch
Mỏ hàn - Thay thế giá trị - Đảm bảo mạch hoạt động
Cân của C1 =104 đúng, tín hiệu chuẩn.
Bo mạch
5 chỉnh
Pank kẹp
mạch
Kìm, kéo
Dùng dao động ký đo và vẽ dạng sóng ra
Hình 7. 24: Hệ tọa độ đo lường đầu ra trên màn hình máy Osillocope
Đo tần số dao động f = …………………………………
Tính tần số dao động của mạch dao động
251
Thay giá trị C1 = 104 làm lại các bước trên.
Câu 1: Chọn phát biểu sai khi nói về năng lượng từ trường trong mạch dao động
điện từ.
A. Năng lượng từ trường cực đại: Wtmax= ½ LI20
B. Năng lượng từ trường biến thiên với tần số 2f.
C. Năng lượng từ trường không đổi.
D. Năng lượng từ trường tập trung trong cuộn cảm.
Câu 2: Để duy trì dao động điện từ trong mạch với tần số riêng của nó cần phải:
A. đặt vào mạch một hiệu điện thế xoay chiều.
B. đặt vào mạch một hiệu điện thế một chiều không đổi.
C. dùng máy phát dao động điện từ điều hoà.
D. tăng thêm điện trở của mạch dao động.
Câu 3: Dao động trong máy phát dao động điều hoà dùng tranzito là
A. dao động tự do.
B. dao động tắt dần.
C. dao động cưỡng bức.
D. sự tự dao động.
Câu 4: Dao động điều hòa là?
A. Dao động được mô tả bằng định luật hàm sin hay hàm cos theo thời gian
B. Chuyển động tuần hoàn trong không gian, lặp đi lặp lại xung quanh một
vị trí
C. Dao động có năng lượng không đổi theo thời gian
D. Dao động được lặp đi lặp lại như cũ sau một khoảng thời gian
Câu 5: Thạch anh là linh kiện dùng để?
A.Tạo tín hiệu dao động có tần số không ổn định nhưng lại ít chịu ảnh
hưởng của nhiệt độ và tác dụng hóa học
B. Tạo tín hiệu dao động có tần số ổn định cao và ít chịu ảnh hưởng của
nhiệt độ và tác dụng hóa học
C. Tạo tín hiệu dao động có tần số rất thấp
252
D.Tạo tín hiệu dao động có tần số ổn định cao nhưng lại chịu ảnh hưởng của
nhiệt độ và tác dụng hóa học
7.5.2. Bài tập
Bài tập 1: Trình bày nguyên tắc cơ bản để tạo dao động điều hòa.
Bài tập 2: Vẽ sơ đồ khối mạch tạo dao động, trình bày điều kiện về pha và điều
kiện về khuếch đại trong mạch dao động điều hòa.
Bài tập 3: Nêu các điều kiện để tồn tại dao động.
Bài tập 4: Trình bày các phương pháp ổn định tần số và biên độ dao động.
Bài tập 5: Trình bày phương pháp tính toán mạch dao động, nêu các bước tính toán
mạch dao động.
Bài tập 6: So sánh mạch dao động cầu Wien và mạch dao động dịch pha.
Bài tập 7: Vẽ sơ đồ, trình bày nguyên lý làm việc của mạch dao động dùng cầu
Wien.
Bài tập 8: Hãy thiết kế mạch dao động cầu Wien để tần số dao động là 100Hz,
1kHz và 10kHz.
Bài tập 9: Nguyên tắc để tạo dao động dịch pha là gì ?
Bài tập 10: Cho mạch dao động dịch pha có số liệu như hình 7.25. Tính R*.
Hãy tính tần số dao động của mạch dao động đã cho
Hình 7. 25: Mạch dao động điều hòa dịch pha

Bài tập 10: Tính toán tần số dao động của bộ tạo dao động dịch pha dùng BJT với:
R = 6KΩ, C = 1500pF, RC = 18KΩ?
Bài tập 11: Cho mạch điện như hình 7.26. Biết: R = 10KΩ, C = 47nF
253
Hình 7. 26: Mạch dao động dịch pha dùng bộ khuếch đại OA
- Cho biết tên gọi của mạch. Xác định điều kiện để mạch dao động.
- Khi thỏa mãn điều kiện dao động, tính tần số và chu kỳ của tín hiệu ra.
Bài tập 12: Vẽ sơ đồ mạch điện tương đương của thạch anh, ký hiệu của thạch anh.
Bài tập 13: Vẽ sơ đồ, trình bày nguyên lý làm việc của mạch dao động thạch anh
dùng transistor.
254
Bài 8: ÔN TẬP VÀ THI HẾT MÔN
A. Giới thiệu:
Nội dung bài học này tóm tắt lại toàn bộ những kiến thức một cách tổng quát
nhất mà các em sinh viên đã được học từ bài số 1 đến bài số 7 từ đó giúp các em
củng cố lại kiến thức và kỹ năng của mô đun. Bài học nhắc lại, khái quát hóa các
nội dung chính cụ thể như:
Các mạch chỉnh lưu, lọc nguồn cơ bản:
- Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng BJT, FET;
- Ghép tầng và hồi tiếp trong mạch khuếch đại;
- Mạch khuếch đại công suất;
- Mạch dao động điều hòa hàm since;
- Đánh giá các nội dung theo đề thi.
Từ những nội dung kiến thức và kỹ năng cơ bản trên giúp sinh viên hệ thống
hóa được kiến thức của mô đun sao cho đạt hiệu quả nhất của mục tiêu mô đun, từ
đó kiểm tra kết thúc mô đun đạt kết quả cao nhất và vận dụng vào thực tế đạt kết
quả tốt.
B. Mục tiêu:
- Phân tích được nguyên lý một số mạch ứng dụng cơ bản như mạch nguồn
một chiều, mạch dao động, các mạch khuếch đại và truyền đưa tín hiệu.
- Lắp ráp được một số mạch điện ứng dụng cơ bản như mạch nguồn một
chiều mạch dao động, các mạch khuếch đại và truyền đưa tín hiệu.
- Kiểm tra, thay thế các mạch điện tử đơn giản đúng yêu cầu kỹ thuật.
C. Nội dung:
8.1. Các mạch chỉnh lưu, lọc nguồn cơ bản
a. Mạch chỉnh lưu ½ chu kỳ:
255
Hình 8. 1: Mạch chỉnh lưu ½ chu kỳ có tụ lọc C
Hình 8. 2: Giản đồ thời gian mạch chỉnh lưu ½ chu kỳ

b. Mạch chỉnh lưu toàn kỳ dùng 2 diode:
Hình 8. 3: Mạch chỉnh lưu toàn kỳ dùng 2 diode
256
Hình 8. 4: Giản đồ thời gian mạch chỉnh lưu toàn kỳ dùng 2 diode
c. Mạch chỉnh lưu cầu:
Hình 8. 5: mạch chỉnh lưu cầu
Hình 8. 6: Giản đồ thời gian mạch chỉnh lưu cầu
257
d. Mạch chỉnh chỉnh lưu tạo nguồn đối xứng:
Hình 8. 7: Mạch chỉnh lưu cầu tạo nguồn đối xứng
Hình 8. 8: Giản đồ thời gian mạch chỉnh lưu tạo nguồn đối xứng
e. Mạch lọc dùng tụ C:
- Mạch chỉnh lưu ½ chu kỳ có tụ lọc C
258
Hình 8. 9: Mạch chỉnh lưu ½ chu kỳ có tục lọc C
Hình 8. 10: Giản đồ thời gian mạch chỉnh lưu ½ chu kỳ có tụ lọc C
- Mạch chỉnh lưu toàn kỳ dùng 2 diode có tụ lọc C
Hình 8. 11: Mạch chỉnh lưu toàn kỳ có tụ lọc C
Hình 8. 12: Giản đồ thời gian mạch chỉnh lưu toàn kỳ có tụ lọc C
- Thực hành
Bước 1: Ráp mạch điện như hình 2.7
Chọn biến thế điện áp ngõ vào 220V, điện áp ngõ ra các giá trị 12V.
Diode 1N 4007 (số lượng 4),
Tụ điện C có các trị số 1μF- 50V; 10μF- 25V, 100μF- 25V, 2200μF- 25V
Tải RL= 10kΩ.
259
Hình 8. 13: Mạch thực hành chỉnh lưu hai bán kỳ có tụ lọc C
Bước 2: Dùng đồng hồ VOM đo điện áp hiêu dụng VhdDC theo bảng số liệu 2.1
Bảng 8. 1: Khảo sát số liệu theo bảng cho trước
Trị số tụ C 1μF- 50V 10μF- 50V 100μF- 50V 2200μF- 50V
VhdDC (V)
Nhận xét giá trị VhdDC khi trị số tụ C tăng dần: ...............................................
..........................................................................................................................
Bước 3: Thực hiên phép đo dùng dao động ký (Osillocope)
- Chọn trị số tụ điện 1μF- 50V
- Vẽ dạng sóng điện áp VAC(V), điện áp VDC(V) trên cùng hệ trục.
- Tính Ur(rms) = ...................................................................................................
- Tính độ gợn sóng r = ......................................................................................
260
- Chọn trị số tụ điện 2200μF- 50V
- Vẽ dạng sóng điện áp VAC(V), điện áp VDC(V) vào hình 2.9.
Hình 8. 15: Vẽ dạng sóng điện áp VAC , điện áp VDC trên cùng hệ trục
- Tính điện áp gợn sóng Ur(rms) = .......................................................................
- Tính độ gợn sóng r = ......................................................................................
- Nhận xét giá trị điện áp gợn sóng Ur(rms), độ gợn sóng r:.................................
........................................................................................................................
........................................................................................................................
........................................................................................................................
f. Mạch lọc RC:
Hình 8. 16: Mạch chỉnh lưu toàn kỳ dùng 2 diode với mắt lọc RC
261
Hình 8. 17: Giản đồ thời gian với tục lọc C1
Hình 8. 18: Dạng sóng mạch qua tụ lọc C1 và bộ lọc RC2

g. Mạch lọc dùng cuộn dây LC:
* Nguyên lý hoạt động:

Khi điện áp U tăng thì cuộn dây L nạp dòng điện, đồng thời tụ điện C thực
hiện quá trình nạp điện áp.
Khi điện áp U giảm thì cuộn dây L xả dòng điện và tụ điện C xả điện áp.
Vậy, quá trình trên diễn ra một cách liên tục làm cho điện áp và dòng điện
ngõ ra được ổn định.
h. Mạch lọc cộng hưởng RC:
262
Hình 8. 19: Mạch lọc lọc cộng hưởng RC.
* Nguyên lý hoạt động:
Hình 8.19a cuộn dây LX mắc song song tụ điện Cx tạo tần số cộng hưởng
1
f ch= , mạch cộng hưởng LX, CX mắc nối tiếp với Rt nhờ vậy chặn được sóng
2 π √ RC
hài có tần số bằng tần số cộng hưởng tạo ra.
Hình 8.19b cuộn dây LX mắc nối tiếp tụ điện Cx tạo tần số cộng hưởng
1
f ch= , mạch cộng hưởng LX, CX mắc song song với Rt. Ở tần số mạch cộng
2 π √ RC
hưởng mắc nối tiếp trở kháng của mạch rất nhỏ, nên làm ngắn mạch các tần bằng
hay gần bằng tần số cộng hưởng ở ngõ ra.
8.2. Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng BJT, FET
a. Mạch khuếch đại EC:
Hình 8. 20: mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ mắc EC

Điện áp VCC nguồn một chiều dùng để cấp nguồn cho transistor hoạt động
tạo điểm làm việc tĩnh Q(UCEQ, ICQ). Mạch khuếch đại E chung thường được định
thiên điện áp UCEQ khoảng (60 ÷ 70) % Vcc.
Tín hiệu ngõ vào Vin(t) vào cực B thay đổi làm dòng điện i b cũng thay đổi
theo; Khi điện áp Vin(t) tăng thì dòng điện ib(t) tăng dẫn đến ic(t) =hfe.ib(t) tăng, điện
áp ngõ ra Vo(t) = - RC ‖R L . i c ( t ) trên cực C giảm làm mạch có tính đảo pha. Ngược lại,
điện áp Vin(t) giảm, thì điện áp ngõ ra Vo(t) tăng.
263
b. Mạch khuếch đại BC:
Hình 8. 21: Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ mắc BC

Điện áp VCC nguồn một chiều dùng để cấp nguồn cho Transistor hoạt động
tạo điểm làm việc tĩnh Q(UCEQ, ICQ).
Tín hiệu ngõ vào Vin(t) vào cực E thay đổi làm điện áp V e (t) cũng thay đổi
theo. Khi Vin(t) tăng thì Ve(t) tăng dẫn đến Vo(t) = Vc(t) = Ve(t) + Vce(t) tăng nên
c. Mạch khuếch đại CC:
Hình 8. 22: Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ mắc CC

Điện áp VCC nguồn một chiều dùng để cấp nguồn cho Transistor hoạt động
tạo điểm làm việc tĩnh Q(UCEQ, ICQ).
Tín hiệu ngõ vào Vin(t) vào cực B thay đổi làm điện áp V b (t) cũng thay đổi
theo. Khi Vin(t) tăng thì điện áp Vb(t) tăng dẫn đến Vo(t) = Vb(t) - Vbe(t) tăng nên
d. Mạch khuếch đại SC:
264
Hình 8. 23: Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng JFET mắc SC
e. Mạch khuếch đại GC:
Hình 8. 24: Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng JFET mắc CG
f. Mạch khuếch đại DC:
265
Hình 8. 25: Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng JFET mắc DC
8.3. Ghép tầng và hồi tiếp trong mạch khuếch đại
* Xem lại các nội dung chính cụ thể như sau:
- Sơ đồ tổng quát mạch hồi tiếp;
- Phân loại mạch hồi tiếp;
- Ảnh hưởng của hồi tiếp đến các thông số của mạch khuếch đại;
- Trở kháng vào và ra của mạch khuếch đại có hồi tiếp;
- Mạch khuếch đại ghép tầng bằng RC mắc kiểu EC;
- Mạch khuếch đại ghép tầng trực tiếp mắc kiểu EC;
- Các mạch ghép tầng khác.
8.4. Mạch khuếch đại công suất
- Khuếch đại công suất chế độ A;
- Khuếch đại công suất đẩy kéo chế độ B, AB;
- Khuếch đại công suấ dùng MOSFET.
8.5. Mạch dao động điều hòa hàm since
- Mạch dao động dịch pha dùng BJT;
- Dao động cầu Wien dùng OA;
- Mạch dao động thạch anh.
8.6. Đánh giá các nội dung theo đề thi
- Sinh viên thi theo đề thi của phòng Đảm bảo chất lượng và quản lý khoa học.
266
TÀI LIỆU THAM KHẢO VÀ CÁC PHỤ LỤC
TÀI LIỆU THAM KHẢO
[1] Bộ thực hành kỹ thuật mạch – Công ty cổ phần kỹ thuật và thương mại Hưng
Tín, 2011.
[2] Giáo trình điện tử tương tự – Tổng cục dạy nghề, 2014.
[3] Giáo trình mạch điện tử cơ bản – Biên soạn: Phạm Thu Hương, Lê Trần Công,
Nguyễn Văn Huy, Trường CĐN Công nghiệp Hà Nội, 2012.
[4] Điện tử căn bản tập I, II, KS Phạm Đình Bảo, Nhà xuất bản khoa học kỹ thuật,
2004.
[5] Bài giảng môn kỹ thuật mạch điện tử - Trường CĐN Công nghiệp Hà Nội, 2018
[6]https://xemtailieu.net/dangnhap.html?
next=dGFpLWxpZXUvdHJhYy1uZ2hpZW0tbW9uLWt5LXRodWF0LW1hY2gtZ
Gllbi10dS1jby1kYXAtYW4tMTM4OTcxMS5odG1s , 30/7/2023
[7] https://123docz.net/document/1720870-chuong-8-mach-dao-dong-tao-song-
sin-pptx.htm , 30/7/2023
[8] https://tailieumoi.vn/tai-lieu/20315/10-cau-trac-nghiem-cong-nghe-12-bai-7-
co-dap-an-2023-khai-niem-ve-mach-dien-tu-chinh-luu-nguon-mot-chieu ,
30/7/2023
[9] https://bkaii.com.vn/tin-tuc/302-khai-niem-va-phan-loai-tin-hieu, 30/7/2023
[10]https://www.academia.edu/27169861/250_B%C3%80I_T%E1%BA%ACP_K
%E1%BB%B8_THU%E1%BA%ACT_%C4%90I%E1%BB%86N_T%E1%BB
%AC , 30/7/2023
267
CÁC PHỤ LỤC
ĐÁP ÁN CÂU HỎI TRẮC NGHIỆM
Bài 1
1–A 6-B
2–D 7- D
3–D 8-B
4–D 9-C
5–D 10 - C
Bài 2
1–D 11 - D
2–C 12 - D
3–D 13 - A
4–B 14 - B
5–B 15 - D
6-A 16 - A
7-D 17 - B
8-B 18 - C
9-C
10 - B
Bài 3
1–a
2–a
3–a
4–b
5–c
6–d
Bài 4
1–A 6-C
2–C 7-C
3–A 8-C
4–D 9-D
268
5–D 10 - D
Bài 5
1–A 6-D
2–D 7-C
3–B 8-D
4–D 9-A
5–D 10 - B
Bài 6
1–B 7-C
2–E 8-D
3–D 9-A
4–D 10 - A
5–C 11 – D
6-D
Bài 7
1-C
2-C
3-D
4–A
5-B
269
PHỤ LỤC CÁC HÌNH VẼ
Hình 1. 1: Sơ đồ mạch chỉnh lưu ½ chu kỳ.............................................................13
Hình 1. 2: Giản đồ thời gian điện áp trước và sau chỉnh lưu.................................13
Hình 1. 3: Dạng sóng trước và sau chỉnh lưu với mạch chạy mô phỏng................13
Hình 1. 4: Mạch chỉnh lưu một bán kỳ....................................................................14
Hình 1. 5: Vẽ dạng sóng điện áp VAC , điện áp VDC trên cùng hệ trục.....................15
Hình 1. 6: Mạch chỉnh lưu cả chu kỳ dùng 2 diode................................................15
Hình 1. 7: Dạng sóng mạch chỉnh lưu cả chu kỳ....................................................16
Hình 1. 8: Dạng sóng chạy mô phỏng mạch chỉnh lưu cả chu kỳ...........................16
Hình 1. 9: Mạch chỉnh cả chu kỳ dùng 2 diode.......................................................17
Hình 1. 10: Vẽ dạng sóng ngõ vào điện áp VAC , ngõ ra điện áp VDC......................18
Hình 1. 11: Mạch chỉnh lưu cầu.............................................................................18
Hình 1. 12: Sơ đồ dạng sóng mạch chỉnh lưu cầu..................................................19
Hình 1. 13: Dạng sóng chạy mô phỏng mạch chỉnh lưu cầu..................................19
Hình 1. 14: Mạch chỉnh lưu cầu.............................................................................20
Hình 1. 15: Vẽ dạng sóng điện áp VAC , điện áp VDC................................................21
Hình 1. 16: Sơ đồ khối mạch chỉnh lưu có bộ lọc...................................................21
Hình 1. 17: Mạch chỉnh lưu cả chu kỳ qua bộ lọc RC............................................23
Hình 1. : Dạng sóng mạch chỉ có tụ lọc C1………………………………………….24
Hình 1. 19: Dạng sóng mạch qua tụ lọc C1 và bộ lọc RC2......................................23
Hình 1. 20: Mạch lọc RC........................................................................................24
Hình 1. 21: mạch chỉnh lưu bán kỳ có tụ lọc C.......................................................25
Hình 1. 22: Mạch chỉnh lưu cả chu kỳ có tụ lọc C..................................................25
Hình 1. 23: Dạng sóng mạch chỉnh lưu một bán kỳ có tụ điện...............................26
Hình 1. 24: Dạng sóng mạch chỉnh lưu hai bán kỳ có tụ lọc C..............................26
Hình 1. 25: Mô phỏng dạng sóng mạch chỉnh lưu hai bán kỳ có tụ lọc C..............26
Hình 1. 26: Mạch thực hành chỉnh lưu cả chu kỳ có bộ lọc RC..............................28
Hình 1. 27: Vẽ dạng sóng điện áp VAC , điện áp VADC trên cùng hệ trục..................29
Hình 1. 28: Vẽ dạng sóng điện áp VAdc , điện áp VDC trên cùng hệ trục...................29
Hình 1. 29: Mạch thực hành chỉnh lưu hai bán kỳ có tụ lọc C...............................30
Hình 1. 30: Vẽ dạng sóng điện áp VAC , điện áp VDC trên cùng hệ trục...................31
270
Hình 1. 31: Vẽ dạng sóng điện áp VAC , điện áp VDC trên cùng hệ trục...................31
Hình 1. 32: Mạch chỉnh lưu nhân đôi điệp áp kiểu Schenbel.................................32
Hình 1. 33: Mạch chỉnh lưu nhân đôi điệp áp kiểu Latour.....................................32
Hình 1. 34: Kết quả mô phỏng mạch chỉnh lưu nhân đôi điệp áp kiểu Schenbel....33
Hình 1. 35: Kết quả mô phỏng mạch chỉnh lưu nhân đôi điệp áp kiểu Latour.......33
Hình 1. 36: Mạch chỉnh lưu nhân đôi điệp áp kiểu Latour.....................................34
Hình 1. 37: Vẽ dạng sóng điện áp VAC , điện áp +VDC trên cùng hệ trục.................35
Hình 2. 1: Mạch khuếch đại điện áp tín hiệu nhỏ...................................................39
Hình 2. 2: Mô tả mạch khuếch đại..........................................................................41
Hình 2. 3: Sơ đồ mạch tương đương.......................................................................42
Hình 2. 4: Sơ đồ tương đương mạch khuếch đại cực nền chung (BC)....................43
Hình 2. 5: Mạch khuếch đại E chung......................................................................45
Hình 2. 6: Mô phỏng mạch khuếch đại E chung.....................................................46
Hình 2. 7: Sơ đồ mạch tương đương tín hiệu nhỏ đầy đủ của Transistor BJT........46
Hình 2. 8: Sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ bỏ qua hre, hoe của Transistor BJT......47
Hình 2. 9: Sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ mạch khuếch đại E chung...................47
Hình 2. 10: Sơ đồ mạch một chiều..........................................................................47
Hình 2. 11: Mạch thực hành khuếch đại kiểu E chung...........................................51
Hình 2. 12: Vẽ dạng sóng điện áp Vi(V) , điện áp Vo1(V).........................................52
Hình 2. 13: Đồ thị xác định góc lệch pha...............................................................52
Hình 2. 14: Sơ đồ mạch khuếch đại cực góp chung (CC).......................................53
Hình 2. 15: Mô phỏng mạch khuếch đại cực góp chung (CC)................................54
Hình 2. 16: Sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ mạch khuếch đại (CC)......................54
Hình 2. 17: Mạch thực hành khuếch đại C chung...................................................56
Hình 2. 19: Đồ thị xác định góc lệch pha...............................................................57
Hình 2. 20: Mạch khuếch đại cực gốc chung (CB).................................................58
Hình 2. 21: Mô phỏng mạch khuếch đại B chung...................................................59
Hình 2. 22: Sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ mạch khuếch đại B chung.................59
Hình 2. 23: Mạch thực hành khuếch đại kiểu B chung...........................................60
271
Hình 2. 25: Đồ thị xác định góc pha......................................................................61
Hình 2. 26: Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng Transistor...................................64
Hình 2. 27: Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng BJT NPN.....................................65
Hình 2. 28: Mạch khếch đại tín hiệu nhỏ................................................................67
Hình 2. 29: Đặc tuyến vào của Transistor..............................................................68
Hình 2. 30: Đặc tuyến ra của Transistor................................................................68
Hình 2. 31: Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng Transistor...................................69
Hình 2. 32: Đặc tuyến vào của transistor...............................................................70
Hình 2. 33: Đặc tuyến ra của transistor.................................................................70
Hình 2. 34: Đặc tuyến vào của transistor lưỡng cực..............................................71
Hình 2. 35: Đặc tuyến ra của transistor lưỡng cực................................................71
Hình 3. 1: Mô hình bộ khuếch đại...........................................................................72
Hình 3. 2: Mạch khuếch đại SC..............................................................................74
Hình 3. 3: Sơ đồ lắp ráp và khảo sát mạch khuếch đại SC.....................................74
Hình 3. 4: Sơ đồ tương đương cho tín hiệu nhỏ của FET.......................................75
Hình 3. 5: Sơ đồ tương đương cho tín hiệu nhỏ của FET bỏ qua rds.......................75
Hình 3. 6: Sơ đồ mạch tương đương tín hiệu nhỏ mạch khuếch đại S chung.........75
Hình 3. 7: Mạch SC khi phân cực một chiều...........................................................75
Hình 3. 8: Mạch thực hành khuếch đại SC.............................................................78
Hình 3. 9: Hệ tọa độ màn hình Osillocpe...............................................................78
Hình 3. 10: Giản đồ thời gian và điện áp...............................................................79
Hình 3. 11: Sơ đồ mạch khuếch đại D chung..........................................................80
Hình 3. 12: Mạch thực hành D chung.....................................................................81
Hình 3. 13: Sơ đồ tương đương cho tín hiệu nhỏ mạch khuếch đại D chung.........81
Hình 3. 14: Mạch thực hành khuếch đại D chung..................................................83
Hình 3. 15: Hệ tọa độ đo lường trên màn hình Osillocope.....................................83
Hình 3. 17: Mạch khuếch đại G chung...................................................................85
Hình 3. 18: Sơ đồ mạch tương đương tín hiệu nhỏ mạch khuếch đại G chung.......85
Hình 3. 19: Mạch thực hành khuếch đại G chung..................................................86
Hình 3. 20: Hệ tọa độ đo lường trên màn hình Osillocope.....................................87
272
Hình 3. 22: Sơ đồ tương đương mạch khuếch đại FET...........................................89
Hình 3. 23: Mạch thực hành khuếch đại S chung...................................................90
Hình 4. 1: Sơ đồ tổng quát mạch khuếch đại hồi tiếp.............................................92
Hình 4. 2: Sơ đồ hồi tiếp điện áp – nối tiếp............................................................93
Hình 4. 3: Sơ đồ hồi tiếp dòng điện – nối tiếp........................................................93
Hình 4. : Sơ đồ hồi tiếp điện áp – song song…………………………………………95
Hình 4. 5: Sơ đồ hồi tiếp dòng điện – song song....................................................94
Hình 4. 6: Mạch khuếch đại không có hồi tiếp.......................................................98
Hình 4. 7: Mạch khuếch đại có hồi tiếp nhờ kết nối J3...........................................98
Hình 4. 8: Mạch khuếch đại dùng để đo tổng trở vào.............................................99
Hình 4. 9: Mạch khuếch đại đo tổng trở vào khi có hồi tiếp.................................100
Hình 4. 10: Mạch khuếch đại dùng để đo tổng trở ra khi không có hồi tiếp.........100
Hình 4. 11: Mạch khuếch đại đo tổng trở ra khi có hồi tiếp................................101
Hình 4. 12: Mạch khuếch đại có hồi tiếp khi kết nối với J1, J2, J3, J4.................101
Hình 4. 13: Vẽ dạng tín hiệu vào trên đồ thị.........................................................101
Hình 4. 14: Vẽ dạng tín hiệu ra trên đồ thị...........................................................101
Hình 4. 15: Mạch khuếch đại EC..........................................................................104
Hình 4. 16: Mạch khuếch đại dùng BJT (CC).......................................................104
Hình 4. 17: Mạch khuếch đại dùng BJT (EC).......................................................105
Hình 4. 18: Mạch khuếch đạ dùng BJT hồi tiếp điện thế nối tiếp.........................106
Hình 4. 19: Mạch khuếch đại hồi tiếp dòng điện song song.................................106
Hình 4. 20: Mạch khuếch đại có hồi tiếp..............................................................107
Hình 4. 21: Mạch khuếch đại có hồi tiếp..............................................................107
Hình 5. 1: Sơ đồ khối của mạch ghép tầng khuếch đại.........................................108
Hình 5. 2: Mạch ghép hai tầng khuếch đại...........................................................109
Hình 5. 3: Sơ đồ mạch ghép 2 tầng khuếch đại bằng RC......................................111
Hình 5. 4: Mô phỏng ghép tầng khuếch đại bằng RC...........................................112
Hình 5. 5: Sơ đồ mạch AC (tương đương tín hiệu nhỏ bỏ qua hoe, hre)..............112
Hình 5. 6: Sơ đồ mạch ghép 2 tầng khuếch đại bằng RC......................................115
Hình 5. 7: Sơ đồ mạch khuếch đại ghép tầng trực tiếp.........................................117
273
Hình 5. 8: Mô phỏng mạch ghép trực tiếp............................................................118
Hình 5. 9: Mô phỏng mạch ghép trực tiếp............................................................118
Hình 5. 10: Mạch tương đương (AC)....................................................................119
Hình 5. 11: Mạch thực hành khuếch đại ghép trực tiếp........................................121
Hình 5. 12: Vẽ dạng sóng trên hệ trục tọa độ của Osillocpe................................121
Hình 5. 13: Vẽ dạng sóng trên hệ trục tọa độ của Osillocpe................................122
Hình 5. 14: Mạch khuếch đại ghép tầng bằng biến áp.........................................123
Hình 5. 15: Mô phỏng mạch khuếch đại ghép biến thế.........................................124
Hình 5. 16: Sơ đồ mạch AC mạch khuếch đại ghép biến thế................................124
Hình 5. 17: Ký hiệu của bộ ghép quang................................................................126
Hình 5. 18: Bộ ghép quang transistor (Opto –transistor).....................................126
Hình 5. 19: Bộ ghép quang Darlington –Transistor.............................................127
Hình 5. 20: Ký hiệu và cấu trúc bán dẫn tương đương của opto thyristor...........128
Hình 5. 21: Bộ ghép quang với quang TRiac (OPTO – Triac)............................128
Hình 5. 22: Ứng dụng của OPTO – COUPLERS.................................................129
Hình 5. 23: Mạch điện đóng ngắt rơle dùng OPTO - transistor..........................129
Hình 5. 24: Ứng dụng mạch điều khiển quang.....................................................130
Hình 5. 25: Sơ đồ mạch khuếch đại ghép Cascode...............................................131
Hình 5. 26: Mô phỏng hoạt động của mạch khuếch đại ghép Cascode................132
Hình 5. 27: Mạch tương đương (AC) ghép Cascode.............................................132
Hình 5. 28: Lắp ráp mạch khuếch đại ghép cascode............................................134
Hình 5. 29: Vẽ giản đồ..........................................................................................135
Hình 5. 30: Vẽ giản đồ trên hệ trục tọa độ...........................................................135
Hình 5. 31: Mạch khuếch đại ghép Darlington.....................................................137
Hình 5. 32: Mô phỏng mạch khuếch đại ghép Dalington.....................................137
Hình 5. 33: Sơ đồ mạch AC tương đương.............................................................138
Hình 5. 34: Mạch thực hành khuếch đại ghép Dalington.....................................139
Hình 5. 35: Vẽ giản đồ trên trục tọa độ................................................................140
Hình 5. 36: Sơ đồ mạch AC (tương đương tín hiệu nhỏ bỏ qua hoe, hre)............142
Hình 5. 37: Mạch tương đương (AC)....................................................................142
Hình 5. 38: Sơ đồ mạch AC khuếch đại ghép biến thế..........................................143
274
Hình 5. 39: Mạch tương đương (AC) ghép Cascode.............................................143
Hình 5. 40: Sơ đồ mạch AC tương đương.............................................................144
Hình 6. 1: Mô tả việc các chế độ hoạt động mạch khuếch đại công suất.............147
Hình 6. 2: Mạch khuếch đại công suất đơn hoạt động chế độ A có tải là điện trở
.............................................................................................................................. 148
Hình 6. 3: Mô phỏng mạch khuếch đại công suất đơn chế độ A có tải là điện trở
.............................................................................................................................. 148
Hình 6. 4: Điểm làm việc tĩnh của mạch khuếch đại chế độ A..............................149
Hình 6. 5: Quan hệ giữa tín hiệu ngõ vào và ra có biên độ nhỏ...........................150
Hình 6. 6: Quan hệ giữa tín hiệu ngõ vào và ra có biên độ lớn............................150
Hình 6. 7: Mạch khuếch đại công suất đơn chế độ A ghép biến áp......................152
Hình 6. 8: Trình bày máy biến áp.........................................................................152
Hình 6. 9: Mô phỏng mạch khuếch đại chế độ A có tải ghép biến áp...................153
Hình 6. 10: Đường tải của mạch khuếch đại chế độ A ghép biến áp....................154
Hình 6. 11: Dạng điện áp, dòng điện ra tầngkhuếch đại công suất chế độ A.......154
Hình 6. 12: Mạch thực hành khuếch đại chế độ A tải ghép biến áp.....................155
Hình 6. 17: Sơ đồ khối mạch khuếch đại công suất đẩy – kéo..............................159
Hình 6. 18: Mạch khuếch đại đẩy kéo ghép biến áp đảo pha (BA1) chế độ B......160
Hình 6. 19: Mạch khuếch đại đẩy kéo không dùng biến áp đảo pha chế độ B.....160
Hình 6. 20: Mạch khuếch đại đẩy kéo cặp transistor ghép darlington chế độ AB160
Hình 6. 21: Sơ đồ mạch khuếch đại đẩy kéo song song ghép biến thế hạng B.....161
Hình 6. 22: Đường tải tĩnh của mạch khuếch đại đẩy- kéo hạng B......................163
Hình 6. 23: Đường tải động của mạch khuếch đại đẩy - kéo hạng B...................164
Hình 6. 24: Sơ đồ mạch khuếch đại đẩy kéo song song ghép biến thế hạng AB...165
Hình 6. 25: Trình bày đường tải tĩnh ở chế độ AB................................................167
Hình 6. 26: Trình bày đường tải động ở chế độ AB..............................................167
Hình 6. 27: Mạch thực hành lắp ráp.....................................................................168
275
Hình 6. 28: Vẽ dạng sóng ngõ vào Vi(t) và ngõ ra biến áp BA1...........................169
Hình 6. 29: vẽ dạng sóng ngõ ra cực C, ngõ vào cực B của transistor.................169
Hình 6. 30: vẽ dạng sóng ngõ ra trên tải (chân 4 BA2), ngõ vào Vi......................170
Hình 6. 31: Mạch công suất có biến áp đảo pha không biến áp ra......................172
Hình 6. 32: Mạch đo điện áp của UC = -UCC/2 = -12V khi chưa cấp tín hiệu.......173
Hình 6. 33: Mô phỏng khuếch đại công suất OTL hoạt động ở chế độ AB...........174
Hình 6. 34: Mạch thực hành khuếch đại đẩy kéo OTL.........................................175
Hình 6. 35: Mạch khuếch đại công suất dùng nguồn đối xứng OCL....................177
Hình 6. 36: Mạch khuếch đại công suất................................................................179
Hình 6. 37: Mạch phân cực dòng tĩnh bằng diode................................................180
Hình 6. 38: Cấu trúc IC SN5414, SN7414............................................................182
Hình 6. 39: Cấu trúc IC SN54LS14, SN74LS14....................................................182
Hình 6. 40: Cấu trúc họ IC TL 081- 082-084.......................................................182
Hình 6. 41: Sơ đồ IC MA 0403..............................................................................183
Hình 6. 42: Mạch công suất thực tế......................................................................183
Hình 6. 43: Mạch đẩy kéo dùng nguyên tắc boostrap...........................................184
Hình 6. 44: Mạch khuếch đại công suất đẩy kéo nối tiếp OCL hoạt động chế độ AB
.............................................................................................................................. 185
Hình 6. 45: Mạch khuếch đại công suất dùng MOSFET......................................187
Hình 6. 46: Nguồn gốc các trở kháng nội của MOSFET công suất......................190
Hình 6. 47: Các phân phối liên quan đến RDS(ON) với các chỉ số xếp loại điện áp
khác nhau.............................................................................................................. 191
Hình 6. 48: (a) Kiểm tra thời gian chuyển mạch, (b) Các dạng sóng VDS và VGS. 193
Hình 6. 49: Kiểm tra điện tích cực cửa, (b) Các dạng sóng kết quả của cực máng
và cực cửa............................................................................................................. 194
Hình 6. 50: Mạch tương đương của MOSFET công suất.....................................195
Hình 6. 51: Mạch khuếch đại công suất âm tần SA250 NEW...............................196
Hình 6. 52: Mặt trên bo mạch khuếch đại công suất âm tần SA250 NEW............197
Hình 6. 53: Mạch in(mặt dưới) bo mạch khuếch đại công suất âm tần SA250 NEW
.............................................................................................................................. 197
Hình 6. 54: Sơ đồ mạch khuếch đại tổng hợp công suất dùng Mosfet..................202
Hình 6. 55: Điểm làm việc tĩnh của mạch khuếch đại chế độ A............................205
276
Hình 6. 56: Đường tải của mạch khuếch đại chế độ A ghép biến áp....................206
Hình 6. 57: Đường tải tĩnh của mạch khuếch đại đẩy- kéo chế độ B....................207
Hình 6. 58: Trình bày đường tải động ở chế độ AB..............................................207
Hình 6. 59: Trình bày đường tải tĩnh ở chế độ AB................................................208
Hình 6. 60: Đường tải động của mạch khuếch đại đẩy - kéo chế độ B.................208
Hình 6. 61: Mạch điện công suất OLT dùng Transistor phụ................................210
Hình 6. 62: Mô phỏng mạch khuếch đại công suất OTL dùng transistor Q2 phụ.212
Hình 6. 63: Mạch khuếch đại công suất OTL.......................................................212
Hình 6. 64: Mạch điện công suất OLT dùng Transistor phụ................................214
Hình 6. 65: Mạch khuếch đại công suất................................................................214
Hình 6. 66: Mạch phân cực dòng tĩnh bằng diode................................................215
Hình 7. 1: Sơ đồ khối mạch dao động điều hòa....................................................218
Hình 7. 2: Sơ đồ khối mạch dao động dịch pha....................................................220
Hình 7. 3: Sơ đồ tương đương mạch dao động dịch pha......................................220
Hình 7. 4: Khâu hồi tiếp RC..................................................................................221
Hình 7. 5: Mạch dịch pha dùng Transistor...........................................................222
Hình 7. 6: Mạch dao động điều hòa dịch pha dùng Transistor............................224
Hình 7. 8: Hệ tọa độ đo lường trên màn hình Osillocope tại B............................227
Hình 7. 9: Hệ tọa độ đo lường trên màn hình Osillocope tại C............................228
Hình 7. 10: Hệ tọa độ đo lường trên màn hình Osillocope tại D..........................228
Hình 7. 11: Hệ tọa độ đo lường trên màn hình Osillocope tại E..........................229
Hình 7. 12: Mạch dao động cầu Wien..................................................................230
Hình 7. 13: Mạch tạo dao động cầu Wien............................................................231
Hình 7. 14: Mạch dao động cầu Wien dùng bộ khuếch đại OA............................232
Hình 7. 15: Mạch dao động cầu Wien dùng bộ khuếch đại OA............................233
Hình 7. 16: Hệ tọa độ đo lường sóng ra trên màn hình Osillocope......................236
Hình 7. 17: Hình dạng thực tế thạch anh..............................................................237
Hình 7. 18: Ký hiệu quy ước và sơ đồ tương đương thạch anh.............................237
Hình 7. 19: Một biện pháp để điều chỉnh (vi chỉnh) tần số riêng thạch anh.........238
Hình 7. 20: Bộ tạo dao động thạch anh điều khiển bằng hồi tiếp song song........239
Hình 7. 21: Mạch dao động thạch anh với tần số cộng hưởng song song............240
277
Hình 7. 22: Hệ tọa độ đo lường đầu ra trên màn hình máy Osillocope................243
Hình 7. 23: Mạch dao động thạch anh với tần số cộng hưởng nối tiếp................244
Hình 7. 24: Hệ tọa độ đo lường đầu ra trên màn hình máy Osillocope................246
Hình 7. 25: Mạch dao động điều hòa dịch pha.....................................................248
Hình 7. 26: Mạch dao động dịch pha dùng bộ khuếch đại OA.............................249
Hình 8. 1: Mạch chỉnh lưu ½ chu kỳ có tụ lọc C...................................................251
Hình 8. 2: Giản đồ thời gian mạch chỉnh lưu ½ chu kỳ........................................251
Hình 8. : Mạch chỉnh lưu toàn kỳ dùng 2 diode…………………………………….258
Hình 8. 4: Giản đồ thời gian mạch chỉnh lưu toàn kỳ dùng 2 diode.....................252
Hình 8. 5: mạch chỉnh lưu cầu..............................................................................252
Hình 8. 6: Giản đồ thời gian mạch chỉnh lưu cầu.................................................252
Hình 8. 7: Mạch chỉnh lưu cầu tạo nguồn đối xứng.............................................253
Hình 8. 8: Giản đồ thời gian mạch chỉnh lưu tạo nguồn đối xứng.......................253
Hình 8. 9: Mạch chỉnh lưu ½ chu kỳ có tục lọc C.................................................254
Hình 8. 10: Giản đồ thời gian mạch chỉnh lưu ½ chu kỳ có tụ lọc C....................254
Hình 8. 11: Mạch chỉnh lưu toàn kỳ có tụ lọc C...................................................254
Hình 8. 12: Giản đồ thời gian mạch chỉnh lưu toàn kỳ có tụ lọc C......................254
Hình 8. 13: Mạch thực hành chỉnh lưu hai bán kỳ có tụ lọc C.............................255
Hình 8. 14: Vẽ dạng sóng điện áp VAC , điện áp VDC trên cùng hệ trục.................255
Hình 8. 15: Vẽ dạng sóng điện áp VAC , điện áp VDC trên cùng hệ trục.................256
Hình 8. 16: Mạch chỉnh lưu toàn kỳ dùng 2 diode với mắt lọc RC.......................256
Hình 8. 17: Giản đồ thời gian với tục lọc C1.........................................................257
Hình 8. 18: Dạng sóng mạch qua tụ lọc C1 và bộ lọc RC2....................................257
Hình 8. 19: Mạch lọc lọc cộng hưởng RC.............................................................258
Hình 8. 20: mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ mắc EC...............................................258
Hình 8. 21: Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ mắc BC..............................................259
Hình 8. 22: Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ mắc CC..............................................259
Hình 8. 23: Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng JFET mắc SC............................260
Hình 8. 24: Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng JFET mắc CG...........................260
Hình 8. 25: Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng JFET mắc DC...........................261
278
PHỤ LỤC CÁC BẢNG, BIỂU
Bảng 1. 1: Khảo sát và ghi giá trị vào các ô theo bảng số liệu cho trước..............14
Bảng 1. 2:Số liệu cho trước dùng để kháo sát mạch...............................................17
Bảng 1. 3: Số liệu khảo sát cho trước.....................................................................20
Bảng 1. 4: Bảng số liệu khảo sát cho trước............................................................30
Bảng 1. 5: Số liệu khảo sát cho trước.....................................................................34
Bảng 2. 1: Khảo sát các thông số...........................................................................53
Bảng 2. 2: Khảo sát các thông số...........................................................................57
Bảng 2. 3: Khảo sát các thông số của mạch...........................................................62
Bảng 3. 1: Bảng so sánh các thông số kỹ thuật vào/ ra..........................................79
Bảng 5. 1: Danh mục linh kiện..............................................................................114
Bảng 5. 2: Danh mục dụng cụ, vật tư....................................................................115
Bảng 5. 3: Danh mục thiết bị................................................................................115
Bảng 5. 4: Thông số và dạng sóng khảo sát..........................................................116
Bảng 5. 5: Thông số và dạng sóng khảo sát mạch................................................116
Bảng 5. 6: Thông số và dạng sóng khảo sát mạch từ thực tế................................117
Bảng 5. 7: Các thông số khảo sát từ thực tế.........................................................123
Bảng 5. 8: Các thông số khảo sát mạch tự thực tế................................................136
Bảng 5. 9: Thông số khảo sát mạch từ thực tế......................................................141
Bảng 6. : Các thông số khảo sát mạch từ thực tế……………………………………162
Bảng 6. 3: Danh mục dụng cụ, vật tư....................................................................199
Bảng 6. 4: Danh mục thiết bị................................................................................199
Bảng 6. 5: Thông số và dạng sóng khảo sát mạch................................................200
Bảng 6. 6: Thông số và dạng sóng khảo sát mạch từ thực tế................................200
Bảng 6. 7: Thông số và dạng sóng từ khảo sát mạch thực tế................................201
279
Bảng 7. 2: Danh mục dụng cụ, thiết bị, vật tư......................................................225
Bảng 7. 3: Trình tự các bước lắp ráp và khảo sát mạch.......................................225
Bảng 7. 5: Danh mục dụng cụ, thiết bị, vật tư......................................................234
Bảng 7. 6: Quy trình các bước lắp ráp và khảo sát mạch...........234_Toc142082485
Bảng 7. 8: Danh mục thiết bị, dụng cụ..................................................................241
Bảng 7. 9: Quy trình các bước lắp và khảo sát mạch...........................................241
Bảng 7. 10: Danh mục linh kiện............................................................................244
Bảng 7. 11: Danh mục dụng cụ, thiết bị................................................................245
Bảng 7. 12: Quy trình lắp và khảo sát mạch.........................................................245
Bảng 8. 1: Khảo sát số liệu theo bảng cho trước..................................................255
280

Giáo Trình KTMĐT1 Nghề ĐTC - V1- Ngày Gửi 21.8.2023

Uploaded by

Document Information

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Giáo Trình KTMĐT1 Nghề ĐTC - V1- Ngày Gửi 21.8.2023

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

UỶ BAN NHÂN DÂN THÀNH PHỐ HÀ NỘI

TRƯỜNG CAO ĐẲNG NGHỀ CÔNG NGHIỆP HÀ NỘI

Hà Nội, năm 2023

Hình 1. 2: Giản đồ thời gian điện áp trước và sau chỉnh lưu

{I D≠0 ¿ ¿¿¿ nên biên độ đỉnh V mDC = VmAC - V

Hình 1. 4: Mạch chỉnh lưu một bán kỳ.

Nhận xét giá trị hệ số K11: ......................................................................................

Hình 1. 6: Mạch chỉnh lưu cả chu kỳ dùng 2 diode

Hình 1. 7: Dạng sóng mạch chỉnh lưu cả chu kỳ

Hình 1. 8: Dạng sóng chạy mô phỏng mạch chỉnh lưu cả chu kỳ

Hình 1. 9: Mạch chỉnh cả chu kỳ dùng 2 diode.

Nhận xét giá trị hệ số K11: .....................................................................................

Hình 1. 11: Mạch chỉnh lưu cầu

Hình 1. 12: Sơ đồ dạng sóng mạch chỉnh lưu cầu

Diode D D dẫn điện

Biên độ đỉnh VmDC = VmAC - 2V  VmAC ( xét diode lý tưởng V = 0)

Diode D2, D4 dẫn điện do dòng điện

Hình 1. 14: Mạch chỉnh lưu cầu

Nhận xét giá trị hệ số K13: ...........................................................................................

Hình 1. 15: Vẽ dạng sóng điện áp VAC , điện áp VDC

Với Urms: Điện áp gợn sóng (V).

- Đối với mạch chỉnh lưu hai bán kỳ:

1.6. Mạch lọc RC

Hình 1. 17: Mạch chỉnh lưu cả chu kỳ qua bộ lọc RC

Hình 1. 18: Dạng sóng mạch chỉ có tụ lọc C1

Trong đó fL tần số ngõ vào bộ lọc (Hz)

Hình 1. 20: Mạch lọc RC

Điện áp một chiều:

Hình 1. 21: mạch chỉnh lưu bán kỳ có tụ lọc C

Hình 1. 22: Mạch chỉnh lưu cả chu kỳ có tụ lọc C.

- Điện áp gợn sóng tính theo tần số f ngõ vào bộ lọc:

- Điện áp một chiều VDC: VDC = IDC.RTải = 50.10-3. 2.103 = 100V

- Viết biểu thức VAC(t):

Biên độ điện áp độ gợn sóng: Vmr =

V(AC) và điện áp ở bán kỳ dương V(AC) nên .

- Nhận xét giá trị hệ số K15:......................................................................................

Hình 2. 1: Mạch khuếch đại điện áp tín hiệu nhỏ

Hình 2. 2: Mô tả mạch khuếch đại

* Mạch tương đương xoay chiều của transistor BJT

Hình 2. 3: Sơ đồ mạch tương đương

Hình 2. 5: Mạch khuếch đại E chung

2.2.2. Nguyên lý làm việc:

Hình 2. 6: Mô phỏng mạch khuếch đại E chung

- Trở kháng ngõ vào giữa cực B và cực E:

- Tham số hre, hoe có giá trị rất nhỏ thường bỏ qua.

Tính toán các thông số:

Tính hệ số khuếch đại dòng điện (Độ lợi về dòng điện)

Hệ số khuếch đại điện áp (Độ lợi về điện áp)

Tổng trở ngõ vào:

Tổng trở ngõ ra: khi Vin =0

- Hệ số khuếch đại dòng Ai

=−50 (33 ,, 33+3 , 3 )(88 ,, 33+0 , 912+51×2. 2 )=−1 , 7

- Tính hệ số khuếch đại dòng Ai.

- Tính hệ số khuếch đại áp AV.

2.2.4. Các đặc tính của mạch EC

Hình 2. 12: Vẽ dạng sóng điện áp Vi(V) , điện áp Vo1(V)

- Đo biên độ đỉnh Vi = ..................., biên độ đỉnh Vo =.....................................

Bước 5. Tính độ lệch pha φ=φ 0−φ i

- Tính trở kháng ngõ ra Z o=R L ( V o1

- Điện áp tại: (2.5)

Hình 2. 17: Mạch thực hành khuếch đại C chung

Hình 2. 18: Vẽ dạng sóng điện áp Vi(V) , điện áp Vo1(V)

Bước 5. Tính độ lệch pha φ=φ 0−φ i

Hình 2. 19: Đồ thị xác định góc lệch pha