GENERAL

PHYSICS
2
ผู้เขียน: nadiacnt
nadiacnt
เผยแพร่โดย หจก. มอร์ เซอร์วิสเซส
 Chapter กระแสไฟฟ้า และ ความต้านทาน
27 ความต้านทาน
ความหนาแน่นกระแส คือ กระแสต่อพท.หน้าตัดหนึ่งหน่วย
กระแสไฟฟ้า คือ อัตราการไหลของ
ประจุไฟฟ้าผ่านพื้นที่หน้าตัด JE
Ia =nqVd
กฎของโอห์ม
คือ อัตราส่วนความหนาแน่นกระแสต่อสนามไฟฟ้า = คงที่
กระแสไฟฟ้าเฉลี่ย = ประจุไฟฟ้าที่ไหลผ่านพท.หน้าตัดAต่อ
หนึ่งหน่วยเวลา n' last nitwit )
EL
-
-
-
-
O contain a.

I -
AQ J =
OE
avg
-

at
กระแสไฟฟ้าขณะหนึ่ง = lim ของกระแสไฟฟ้าเฉลี่ย ความต้านทาน = อัตราส่วนความต่างศักย์ไฟฟ้าตกคร่อมตัวนำ
ต่อกระแสไฟฟ้าที่ไหลผ่าน
I i DQ i dim AQ
dt at so at R =

AI ( ka )
r
- -
-

Q = ประจุไฟฟ้าที่เคลื่อนที่
n = ประจุไฟฟ้า/ปรม. สภาพความนำไฟฟ้า =ส่วนกลับสภาพความต้านทาน
N = จน.ประจุไฟฟ้า = 6.02*10^23 atom/mol
q = ประจุ1ตัว =1.6*10^-19 C J de
6¥ E
tu
-
-

;
-
- -
-

กระแสไฟฟ้าในมุมมองระดับเล็ก au
-
-

yes pet ta
-
-

;
J -
-

n
-
-
do :O ? Window .
R -
-

Ef pea ; au peta
-
-
-
-

Nu ow.io:0?Wihp--
m N I
p
→ n
-
-

n →
-
. -
.

→ Now .
V V O
Qian N qcnv ) do :O trite
q :
l
-
= -

g
-
-

,
Rs
Adx )
p A
Qian
qnc
-
-

9hlAAug
n = จน.ของประจุ/ปรม,ค.หนาแน่นของประจุพาหนะ
I
Ifi
-
-

at N = Na จน.ประจุไฟฟ้า=เลขอะโวกาโดร 6.02*10^-23 atom/mol

q = ประจุที่อยู่บนอนุภาค 1.6*10^-19 C
AQ Q = ประจุรวมทั้งหมดที่เคลื่อนที่
I -
-

at
-
.

qn
A-
Vd
ผู้เขียน: nadiacnt
เผยแพร่โดย หจก. มอร์ เซอร์วิสเซส
 แบบจำลองการนำไฟฟ้า กำลังไฟฟ้า
แบบจำลองของ Drude กำลังไฟฟ้าที่เกิดในตัวต้านทาน
e~ที่อยู่ในสนามไฟฟ้าเคลื่อนที่ตรงข้ามสนามไฟฟ้า มี
ความเร็วเฉลี่ย Vd ก่อนที่จะชน Pi IAV

bbdsndnihieinnfownibboslwidit-e.GE
's verse -
แทนสมการความต้านทาน

p
-
IER = ( AV )
'

A. bo
-

a = F s GE R
m me

A. ios Uf -
- V, + at
Vi
-
- o
; Vf -
-
at -
-
get
me
a. limonene ; Vd -

-
-
Vf
Udi GE T ;T not
-
-

me tanto
on J
nqVg=nq( of Emet )
-
-

n 82 E
j s T OE -
-

me

6 = nq2y
me
1 Me
p
-
-

-6 nq2T

ความต้านทานกับอุณหภูมิ
สภาพความต้านทานแปรผันตามอุณหภูมิ

P poll -12 ( T To ) )
-
-
-

ความต้านทานแปรผันตามอุณหภูมิ

R i
Roll to CT To ) ]-

ผู้เขียน: nadiacnt
เผยแพร่โดย หจก. มอร์ เซอร์วิสเซส
Chapter
วงจรไฟฟ้ากระแสตรง
28 กฎของ Kirchhoff
1 ) กฎของจุดเชื่อม
= ที่จุดเชื่อมต่อใดๆ ผลรวมของกระแสไฟฟ้าเป็นศูนย์

แรงเคลื่อนไฟฟ้า { junction I
-
-
O
คือความต่างศักย์ไฟฟ้าสูงสุดที่สามารถเกิดขึ้น ระหวา่งขั้ว
ไฟฟ้าของแบตเตอร่ี
ความต่างศักย์ของขั้วแบตเตอร่ี
AV -
-
E -
Ir 2 ) กฎของวงจรปิด
= วงจรปิดใดๆ ผลรวมของความต่างศักย์ไฟฟ้าเป็นศูนย์
แรงเคลื่อนไฟฟ้า
E. =IRtIr { -10=0
closed loop

ตัวต้านทานต่ออนุกรมและขนาน
ตัวต้านทานต่ออนุกรม

ความต้านทานรวมอนุกรม
R ,tRzt Rn
Req +
-
-
. . -

ตัวต้านทานต่อขนาน

ความต้านทานรวมขนาน
'm 't
' ' it
'm
'
-

req .

ผู้เขียน: nadiacnt
เผยแพร่โดย หจก. มอร์ เซอร์วิสเซส
 วงจร RC
การคายประจุตัวเก็บประจุ
การชาร์จตัวเก็บประจุ ประจุเริ่มต้นบนตัวเก็บประจุ ;Qi
กระแสเริ่มต้น
Iii E et -
- o ) กระแสเริ่มต้นในวงจร
R Ii Qifu
-
-

ประจุสูงสุดบนตัวเก็บประจุ
Qmax -
-
CE
cdr.qnjsn.nl ประจุไฟฟ้าขึ้นกับเวลา
HRC
qlt )
-

Q, e
-
-

การชาร์จตัวเก็บประจุ
-

กระแสไฟฟ้าขึ้นกับเวลา
Qi e
-
the
ict )
-
-
-

RC
พลังงานตัวเก็บประจุ 2 2t/RC
' 2
-

UH ) -
-
8 =
Ice = Qi e
ประจุไฟฟ้าสูงสุด กระแสไฟฟ้าสูงสุด 2C 2 EC

โดยค่าคงที่เวลา
T -
-
RC

ประจุไฟฟ้าที่เวลา T กระแสไฟฟ้าที่เวลา T

ประจุไฟฟ้าขึ้นกับเวลา
HRC the
e-
-

gets CECI e g Q c, ,
- - -
-
. .

Max

กระแสไฟฟ้าขึ้นกับเวลา
tire
ict ) E e
-
-
.

พลังงานตัวเก็บประจุ
the
=Qi4 ,
'
Ult ) -
-
of
' -
-
ice -
e- ,2
2C 2 2C

โดยค่าคงที่เวลา
T -
-
RC

ผู้เขียน: nadiacnt
เผยแพร่โดย หจก. มอร์ เซอร์วิสเซส
Chapter ตัวเก็บประจุ
26 การคายประจุ
• ประจุ q ที่เวลาใดๆ
นิยามของตัวเก็บประจุ -
HRC
qct ) - Qie ; q
-
-
Qiciiiwriw ,
Qadir
Q
-
-

CAV • กระแสระหว่างคายประจุ
( i Q
the
-

v ict ) Iie
-
-

ค่าความจุไฟฟ้า
C -
- CoA -
- KEOA
d d

E. 0--8.8542×10-12 CYN.ME

• ประจุสูงสุด Qmax -
-
EC

• กระแสเริ่มต้น Iii
Ep ; no :uninno't -
-
o

• กระแสเมื่อผ่านไป z

การชาร์จประจุ i -
-
Iie
-
'
-
HRC

Ii
-
-
e

• ประจุ q ที่เวลาใดๆ i i 0.368 Ii

HRC
• ประจุเมื่อผ่านไป
-

eccl I
get ) - -

e )

tire
• กระแสระหว่างชาร์จประจุ
-

qct ) Qmaxc , e ,
-
-
-

- t
= Qmaxcl -
e )
-
HRC th '
-

ict ) get 1--0.632 Qmax

Eee Iie
-
. e-

ผู้เขียน: nadiacnt
เผยแพร่โดย หจก. มอร์ เซอร์วิสเซส
Chapter
ขดลวดเหนี่ยวนำ
32 วงจรไฟฟ้า RL
• กระแสสูงสุด
นิยามของขดลวดเหนี่ยวนำ imax -
-
E
R

Ela di
dt Imax -
-
w Qmaxx
di
Eli -
L
dt
l H
-
-
i V SIA
-

• การเปลี่ยนแปลงกระแสต่อเวลา
-
th

ค่าความเหน่ียวนำของขดลวด
ict )
g c, e ,
-
- -

th
di
-

-
. e e

• ขดลวดใดๆ at L

L i N Ot B
i

• ขดลวดโซลินอย
't

Li Mo N A >
417×10 T.hn/A
; mo
-
-

Ii L
R

ผู้เขียน: nadiacnt
เผยแพร่โดย หจก. มอร์ เซอร์วิสเซส
Chapter วงจรไฟฟ้ากระแสสลับ
33 ตัวต้านทาน Lในวงจรไฟฟ้ากระแสสลับ

แหล่งกำเนิดไฟฟ้ากระแสสลับ
• ความต่างศักย์เปลี่ยนแปลงตามเวลา
du -
-
a Vmaxsinwt avi : Eri -
L di
dt

du -
-
AV maxsincwt ) -
-
L di
dt
AV Max Sin ( wt
ii. = -
IT )
WL 2

• ความถ่ีเชิงมุม Imax -
-
AV Max
,
Irms i dhdrms
XL XL
Wi 2Mt i 21T
T WL
XL
-
-

ตัวต้านทาน Cในวงจรไฟฟ้ากระแสสลับ
ตัวต้านทาน R ในวงจรไฟฟ้ากระแสสลับ

Ci q
duc
awe -
- IR
AV A Vmaxsincwt ) duc
- -
- -

du -
- avmaxsincwt ) -
-
AVR
ic wcdvmaxsincwtt
Iz )
-
-

ie i Imaxsincwt )
Is IV Max Irms s
Abrams
,
Imax Xc Xc
Irmsi i 0.707 Imax
2 l
Xc .
-

WC
d Vrms i AUMAX -
-
0.707 A Vmax
2

ผู้เขียน: nadiacnt
เผยแพร่โดย หจก. มอร์ เซอร์วิสเซส
 วงจรไฟฟ้าอนุกรม RLC • กำลังไฟฟ้า
Pavg
-
-
Irmstldrms COSIO
Pavg -
- terms R

Power Factor ; cos ¢ -

.
Imax R
dVmax

i -
-
Imaxsincwt -
lo ) • การกำทอน
l
DVR -
-
dldrsincwtl Resonance ; Wo
-
-

AVL LC
avisincwtthz )
-
-

awe Allcsincwt ) 1
iz Wole
-
- -

Woc
DVR -
-
Imax Rsinwt -
- Aldrsinwt

XLSinlwtthzli-VLCOSWI-vc-Imaxxcsincwt.IT
AVL -
-
Imax
-
.
-
allccoswt
• หม้อแปลงไฟฟ้า
du --
AVRTAVLTAVC

Ng II :
awes AV , ' AV '
• Impedance ,

'
z
-
-
R' + ( XL -
Xc )

nldmax -
-
Imax 2

Imax =
Allman
Z

¢ tan
(
×
c)
- '
-
- '

a
-
-
wot
R

ผู้เขียน: nadiacnt
เผยแพร่โดย หจก. มอร์ เซอร์วิสเซส
Chapter อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ
43 • สารกึ่งตัวนำบริสุทธิ์
การนำไฟฟ้าของสารก่ึงตัวนำบริสุทธิ จะเกิดขึ้นได้ก็ต่อเม่ื
อมีอุณหภมูิสูงกว่า 0 องศาสมับูรณ์ หรือมีการผ่านสนาม
คุณสมบัติเบื้องต้นของสารกึ่งตัวนำ ไฟฟ้าท่ีมีความเข้มของสนามมากพอเขา้ไปในเนื้อสารกึ่ง
ตัวนำนั้นวิธีการนี้จะทำอิเล็กตรอนบางส่วนหลดุออกจาก
• โครงสร้างอะตอม พันธะ เม่ืออิเล็กตรอนหลดุออกมาจะทำใหเ้กิดช่องว่างขึ้น
เราเรียกช่องว่างนี้ว่า โฮล(Hole)
ฉนวน คือ
เวเลนซเ์ชลล์อิเล็กตรอน นั้นถูกยึดอย่างแน่นหนาเข้า • สารกึ่งตัวนำไม่บริสุทธิ์
กับโครงสร้างของสารและไม่มีอิเล็กตรอนอิสระเพ่ือ
ให้ ทำหน้าท่ีนำไฟฟ้าหรือทำให้เกิดการไหลของ สารกึ่งตัวนำชนิด P '

wow Acceptor lo w B Ga Al , In ai door :

-

กระแส
, ,

3 n' a rifle inn Hole Ishida : qifu ①

ตัวนำ คือ
ตัวนำนั้นมีอิเลก็ตรอนวงนอก(เวเลนซ์อิเล็กตรอน)
จำนวนมากนั่นคือมีอิเล็กตรอนอิสระมาก พอท่ีจะทำ
ใหเ้กิดการนำกระแสไฟฟ้า สารกึ่งตัวนำชนิด N
'
Woo w Donor it w P As Sb ate Joo'd : Sri 2
-

สารกึ่งตัวนำ คือ สารท่ีมีสภาพระหว่างตัวนำกับฉนวน

, ,

n' Arie inurn Ishida :O -0

-

• ทฤษฎีแถบพลังงาน (Energy band gap)

• Covalent Bond
การใช้อิเล็กตรอนวงนอกร่วมกันทำให้ เกิดพันธะ
โควาเลนต์ซึ่งเป็นพันธะท่ี เช่ือมต่ออะตอมของ
ผู้เซิขีลยิคน:อนเข้ าดว้ยกันอย่างแน่นแฟ้น
nadiacnt
เผยแพร่โดย หจก. มอร์ เซอร์วิสเซส
 พื้นฐานไดโอด กรณี : ไม่มีการ Bias
• The Junction Diode

บทบาทการทำงานของไดโอดชนิด ต่างๆ ก็คือ การที่

สามารถผ่านกระแสได้ในทิศทางหนึ่ง และไม่
สามารถผ่านกระแสได้ในทิศทางตรง ข้าม
ดังนั้นไดโอดจึงประพฤติตัวเป็นวาลว์กระแสทางเดียว
กรณี : มีการไบเอสตรง (Forward bias)
• P-N Junction
I .
Wil 8 Won P HN : N N Irion w
-

in nm din } own vos violins9nF

.

rio
-

2 . e o in N row

Vino ou riot Vivariv Hole n'TeilJunois

" v
lion Depletion layer
s . row rio rims Poitou Hole nihil Ju -0

rouriooiiwn 68we Isidor ⑦ -

4 . I in A Vo
-
-
O 7 V
.
การไบแอสตรง คือการจ่ายไฟฟ้าข้ัวบวก (+)
ให้กับสารกึ่งตัวนำชนิด P และแหล่งต่อขั้ว
ลบ(-)ให้กับสารก่ึงตัวนำชนิด N จะทำให้
อิเล็กตรอนที่มีอยู่จำนวนมาก(Majority) ใน
ชิ้นสารกึ่งตัวนำชนิด N เคลื่อนที่ข้ามรอยต่อ
ทันที เกิดกระแสไฟฟ้าจำนวนมากไหลผ่าน
รอยต่อ P-N ได้

• การ Bias
การไบแอส หมายถึง การป้อนแรงดันไฟฟ้าเข้าท่ีสาร
กึ่ง ตัวนำชนิดพีและเอ็น

ผู้เขียน: nadiacnt
เผยแพร่โดย หจก. มอร์ เซอร์วิสเซส
 กรณี : มีการไบเอสย้อนกลับ (Reverse bias)
การไบแอสกลับ คือ การจ่ายแรงดันไฟฟ้าขั้วบวก (+) เข้า
ที่สารกึ่งตัวนำชนิดN (N- type to positive) และจ่าย
ขั้วลบ (-) ของแหล่งจ่ายไฟฟ้าเข้าท่ีสารก่ึงตัวนำชนิดP
(P-type to negative) เม่ือต่อไบแอสกลับให้กับรอย
ต่อP-N จะทำให้บริเวณปลอดพาหะกว้างมากข้ึน จะมี
กระแสไฟฟ้าไหลเข้ารอยต่อได้ เปรียบเหมือนสภาวะที่
รอยต่อ พี-เอ็น ทำงานคล้ายฉนวน
“สรุปได้ว่า เม่ือรอยต่อ พี-เอ็น ได้รับไบแอสกลับจะไม่มี
กระแสไฟฟ้าไหลผ่านตัวมัน”
การใชง้านไดโอดพื้นฐาน
ไดโอดเปล่งแสง : Light-Emitting Diode (LED)
เป็นไดโอดที่ออกแบบมาเป็น พิเศษโดยเมื่อได้รับแรงดันไบ
อัสตรง จะเปล่งแสงออกมาได้ซึ่งมีทั้ง สีแดง เขียว ฟ้า ส้ม
เหลืองตามสารที่ ใช้ทำมักใช้ในส่วนของการแสดงผลในวงจร
อิเล็กทรอนิกส์เพราะกินไฟน้อยกว่าหลอดไฟมาก
ไดโอดรับแสง : Light-Absorbing Diode
เพื่อปรับเปลี่ยนค่าตามความเข้มของแสงที่เข้ามาโดยจะมี ลักษณะ
เป็นช่องหน้าต่างเล็กๆ ไว้ใช้ในการรับแสงซึ่งอาจเป็นแสงสว่าง
ธรรมดาหรือแสงอินฟาเรด มักใช้กับ วงจรตรวจจับ สัญญาณ หรือ
ในวงจรควบคุมระยะไกล หรือที่เรียกว่า รีโมท
Bipolar transistor and
Field effect transistors

เม่ือเพิ่มการไบอัสย้อนกลับดังรูป การเพิ่มขึ้นของความตา่งศักย์นี้
ส่งผลให้ กระแสถงึจุดอิ่มตัว(saturationvalue) Ioได้อยา่งรวดเร็ว
ความสัมพันธ์ระหว่าง กระแสและ ความตา่งศักย์ไฟฟ้าของ ได
โอดในอุดมคติคือ

I -
-
Io ( ele -^VkBT ! , ]

ผู้เขียน: nadiacnt
เผยแพร่โดย หจก. มอร์ เซอร์วิสเซส
 Transistor
คือสิ่งประดิษฐ์ทำจากสารกึ่งตัวนำมี 3 ขากระแสหรือแรงดัน
เคลื่อนเพียงเล็กน้อยที่ขาหนึ่งจะควบคุมกระแสที่มีปริมาณมาก ที่
ไหลผ่านขาทั้งสองข้างได้
หมายความว่า ทรานซิสเตอร์เป็นทั้งเครื่องขยายและสวิทซ์
ทรานซิสเตอร์
• Bipolar Junction Transistor (BJT)
ทรานซิสเตอร์ชนิดสองรอยต่อหรือ BJT นี้ประกอบด้วยสารกึ่ง
ตัวนำชนิด P และ N ต่อกัน โดยการเติมสารเจือปน Doping
จำนวน 3 ชั้น ทำให้เกิดรอยต่อ Junction ขึ้นจำนวน 2 รอยต่อ
การสร้างทรานซิสเตอร์จึงสร้างได้ 2 ชนิดคือ ชนิดที่มีสารชนิด N
2 ชั้นเรียกว่าชนิด NPN และ ชนิดที่มีสาร P 2 ชั้นเรียกว่าชนิด
PNP
โครงสร้างชนิด NPN
โครงสร้างชนิด PNP
การทำงานของทรานซิสเตอร์ชนิด NPN
การป้อนแรงดันไฟฟ้าให้กับทรานซิสเตอร์ชนิด NPN คือ
การจ่ายไฟลบให้ขา E เมื่อเทียบกับ ที่จ่ายให้ขา B และจ่ายไฟ
บวกให้ขา C เมื่อเทียบกับไฟลบที่จ่ายให้ขา B มีทั้งไฟบวกและไฟ
ลบ แต่การเทียบศักย์ Forwardนั้นจะเทียบระหว่างขา B กับขา E
เท่านั้นทำให้ขา B ซึ่งเป็นสาร P ได้รับแรงไฟ Forward คือเป็น
ไฟบวกเมื่อเทียบกับขา E
การทำงานของทรานซิสเตอร์ชนิด PNP
การป้อนแรงดันไฟฟ้าให้กับทรานซิสเตอร์ชนิด PNP
โดยการจ่ายไฟบวกให้ขา E เมื่อเทียบ กับไฟลบที่จ่ายให้
ขา B และจ่ายไฟลบเข้าขา C เมื่อเทียบกับไฟบวกที่จ่าย
ให้ขา B ทำให้ขา B มีทั้ง ไฟลบและไฟบวก ทำให้ขา B
ซึ่งเป็นสาร N ได้รับ Forward Bias คือ เป็นลบเมื่อเทียบ
กับขา E เท่านั้น

ขาทั้ง 3 ที่ต่อใช้งานของทรานซิสเตอร์ มีชื่อเรียกดังนี้

1. ขาคอลเล็คเตอร์ Collector หรือขาซี (C) เป็นโครงสร้างที่
มีชิ้นสารขนาดใหญ่ที่สุด
2. ขาอิมิตเตอร์ Emitter หรือขาอี (E) เป็นโครงสร้างที่มีชิ้น
สารขนาดรองลงมา และอยู่คนละด้านกับคอลเล็กเตอร์
3. ขาเบส Base (เบส) หรือขาบี (B) เป็นโครงสร้างที่มีชิ้น
สารขนาดแคบสุด เมื่อเทียบกับอีกสองส่วน และอยู่ระหว่างกลาง
ของสารทั้งสอง
หลักการทำงาน
ทรานซิสเตอร์ทั้งชนิด NPN และชนิด PNP เมื่อนำไปใช้งานไม่ว่าจะใช้ในวงจรขยายสัญญาณ
Amplifier หรือ ทำงานเป็นสวิตซ์ จะต้องทำการไบอัสให้ทรานซิสเตอร์ทำงานได้ โดยใช้หลักการไบอัส ดังนี้
- ไบอัสตรง (Forward Bias) ให้กับรอยต่อระหว่างอิมิตเตอรกับเบส (E-B)
- ไบอัสกลับ (Reverse Bias) ให้กับรอยต่อระหว่างคอลเลคเตอร์กับเบส (C-B)

ผู้เขียน: nadiacnt
เผยแพร่โดย หจก. มอร์ เซอร์วิสเซส
 • Field effect transistors (FET)
การควบคุมกระแสให้ไหลผ่านเฟต ควบคุมโดยป้อนแรงดันที่ • การทำงานของ JFET ชนิด P- Channal
เกตของเฟต แรงดันเกตนี้จะทำหน้าที่ควบคุมปริมาณของสนาม
ไฟฟ้าระหว่างรอยต่อให้เพิ่มขึ้นหรือลดลง เพื่อบังคับประมาณ
กระแสไฟฟ้าที่ไหลผ่านรอยต่อเฟตจึงได้ชื่อว่าทรานซิสเตอร์
สนามไฟฟ้า
เฟตแบ่งออกเป็น 2 กลุ่มใหญ่ๆ จะป้อนแรงดันลบให้กับขา Drain(D) และไฟบวกหรือ GND
1. JFET (Junction Field Effect Transistor) ให้กับขา Source(S) และควบคุมการไหลของกระแส ID โดย
2. Mosfet (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) ป้อนแรงดันไบอัสกลับให้ขา Gate(G) เทียบกับขา Source(S)
กล่าวง่ายๆคือ JFET จะยอมให้กระแส ID ไหลสูงสุดตอนที่
ขาใช้งาน FET & Transistor VGS = 0V และหยุดทำงานที่ VGS(OFF) โดยการออกแบบ
1. Gate(G) = Base(B) เราไม่ควรป้อนแรงดัน VGS น้อยกว่า VGS(ON)
2. Drain(D) = Collector(C)
3. Source(S) = Emitter(E)
MOFET
JFET : Junction Field Effect Transistor หลัการทำงานเบื้องต้นของ Mosfet
• การทำงานของ D-Mosfet ชนิด N - Channal
หลัการทำงานเบื้องต้นของ JFET
• การทำงานของ JFET ชนิด N - Channal

จะป้อนแรงดันบวกให้กับขา Drain(D) และไฟลบหรือ GND ให้

จะป้อนแรงดันบวกให้กับขา Drain(D) และไฟลบหรือ GND
ให้กับขา Source(S) และควบคุมการไหลของกระแส ID โดย
ป้อนแรงดันไบอัสกลับให้ขา Gate(G) เทียบกับขา Source(S)
กล่าวง่ายๆคือ JFET จะยอมให้กระแส IDไหลสูงสุดตอนที่
VGS = 0V และหยุดทำงานที่ VGS(OFF) โดยการออกแบบ
เราไม่ควรป้อนแรงดัน VGS มากกว่า VGS(ON) (โดยทั่วไป
มีค่าเท่ากับ 0V)
กับขา Source(S) และควบคุมการไหลของกระแส ID โดยการ
ควบคุมแรงดันที่ขา Gate(G) เทียบกับขา Source(S) โดยเรา
สามารถป้อนแรงดัน VGS ได้ตั้งแต่ -VGS - (+)VGS โดย
มี VGS(OFF) อยู่ที่ด้านไปลบ และกระแสไหลสูงสุดที่ (+)VGS
• การทำงานของ D-Mosfet ชนิด P- Channal

การทำงานของ D-Mosfet ชนิด P-Channal นั้นเราจะป้อนแรง

ดันลบให้กับขา Drain(D) และไฟบวกหรือ GND ให้กับขา
Source(S) และควบคุมการไหลของกระแส ID โดยการควบคุม
แรงดันที่ขา Gate(G) เทียบกับขา Source(S) โดยเราสามารถป้อน
แรงดัน VGS ได้ตั้งแต่ (+)VGS - (-)VGS โดย
มี VGS(OFF) อยู่ที่ด้านไปบวก และกระแสไหลสูงสุดที่ (-)VGS

ผู้เขียน: nadiacnt
เผยแพร่โดย หจก. มอร์ เซอร์วิสเซส